JP2004006495A - 積層フィルムコンデンサおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】耐電流性および機械的接触強度に優れた、信頼性の高い積層属化フィルムコンデンサを提供する。
【解決手段】誘電体樹脂層にアルミニウムを蒸着し交互に重ね合わせた積層母体を、スティック状に切断した後、ＣＦ３、ＣＦ４、Ｏ２の２種以上を含有する混合ガスを活性化してプラズマ状態とし、該切断面にエッチング深さ１０〜１００μｍにケミカルドライエッチング処理を行い、該エッチング面に金属溶射して電極引出し部を形成したことを特徴とする積層金属化フィルムコンデンサおよびその製造方法である。
【選択図】 図８
【解決手段】誘電体樹脂層にアルミニウムを蒸着し交互に重ね合わせた積層母体を、スティック状に切断した後、ＣＦ３、ＣＦ４、Ｏ２の２種以上を含有する混合ガスを活性化してプラズマ状態とし、該切断面にエッチング深さ１０〜１００μｍにケミカルドライエッチング処理を行い、該エッチング面に金属溶射して電極引出し部を形成したことを特徴とする積層金属化フィルムコンデンサおよびその製造方法である。
【選択図】 図８
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、金属化誘電体（フィルム）を用いた積層金属化フィルムコンデンサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の積層金属化フィルムコンデンサは、一対の金属化フィルム４，５（図１５）を円ドラム９（図１６）に保護巻フィルム層６を介して、重ねて巻回した後、更に保護フィルムを巻回し、巻回端面に亜鉛などの金属を溶射して電極引出部１０を形成し（図１７）、熱処理後円ドラム上から分断し、更に容量単位に切断し積層金属化フィルムコンデンサを構成していた。
ここで一対の金属化フィルムの巻回端面は０．１〜０．６ｍｍのズラシ巻が行われており、あらかじめ電極引出しをしやすい構成としていた（図１５）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
従来の積層金属化フィルムコンデンサの製法は、一対の単層金属化フィルムを巻回する方式であり、生産性が劣り、巻回端面部は電極引出しのためのズラシ巻部を設ける必要があり、製品寸法が大きくなるという欠点を有していた。
これらの課題を解決するため、図１のように交互にマージン部を設けた状態に重ね合わせ、図２のように数層〜十数層以上の帯状金属層を持った積層母体を形成した後、図４のように一対の積層体をなすスティック状母体１６に切断し、切断面に亜鉛などの金属を溶射し、金属引出部２０を形成する製造方法が提案されている。しかし、該製造方法により、生産性、小形化の課題は解決できたが、機械的接触強度、耐電流性に劣るという問題があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、数層〜十数層以上の帯状金属層を持った誘電体フィルムを交互にマージン部を設けた状態（図１）に多段に重ね合わせ保護層を設けた積層母体１３を形成した後、一対の多段積層体層となるようにスティック状母体１６に切断し、切断面をケミカルドライエッチング処理―ＣＦ３、ＣＦ４、Ｏ２等の混合ガスをプラズマ状態にしてワーク槽（処理室）に流入させ（図５）、誘電体樹脂層の断面を１０〜１００μｍ程度エッチングするものである。この時、アルミニウム蒸着層はエッチングされない状態で残るので（図６）、後工程のメタリコン（金属溶射）により電極引出しを行うことが可能であり、これにより耐電流性および機械的接触強度に優れた積層金属化フィルムコンデンサおよびその製造方法を提供することができる。
【０００５】
すなわち、誘電体樹脂層にアルミニウムを蒸着し交互に重ね合わせた積層母体を、スティック状に切断した後、ＣＦ３、ＣＦ４、Ｏ２の２種以上の混合ガスを活性化してプラズマ状態とし、該切断面にケミカルドライエッチング処理を行い、該エッチング面に金属溶射して電極引出し部を形成したことを特徴とする積層金属化フィルムコンデンサおよびその製造方法である。
【０００６】
また、上記の誘電体樹脂層のエッチング深さが１０〜１００μｍであることを特徴とする積層金属化フィルムコンデンサおよびその製造方法である。
【０００７】
さらに、上記の誘電体樹脂層がポリエチレンテレフタレート、ポリフェニレンサルファイド、ポリエチレンナフタレート、またはアクリル系樹脂であることを特徴とする積層金属化フィルムコンデンサおよびその製造方法である。
【０００８】
そして、上記のアルミニウム蒸着層に酸化アルミニウムおよび／または酸化ケイ素をコーティングしたことを特徴とする積層金属化フィルムコンデンサおよびその製造方法である。
【０００９】
ケミカルドライエッチング（以下、ＣＤＥと略す。）はＣＦ４、Ｏ２等の混合ガスをプラズマ状態にし、ワーク槽（処理室）に流入する方式（図５）で、リアクティブイオンエッチングと異なり、イオンが介在しない方式であること、アッシング（酸素エッチング）のように高温処理の必要性がなく、低温でしかもアルミニウムなどの金属はエッチングされず、誘電体樹脂材料のみを優先的にエッチングできることから耐電流性、機械的接着強度を向上させることができる。
【００１０】
上記アクリル系樹脂としては、
（Ａ）ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、フェノキシジエチレングリコール（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチル（メタ）アクリレート、エポキシ化オレイル（メタ）アクリレート（以上、単官能アクリレート）、
（Ｂ）ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリシクロデカンジメタノールジ（メタ）アクリレート、グリセリンプロピレンオキサイド付加物トリ（メタ）アクリレート（以上、多官能アクリレート）、
（Ｃ）上記（Ａ）および（Ｂ）の混合物
を挙げることができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
帯状金属層を持った誘電体フィルム（図１）を交互にマージン部を設けた状態で数層〜十数層以上に重ね合わせ、積層母体１３を形成した（図２）後、一対の多段積層体層となるようにスティック状母体１６に切断する（図４）。切断面をＣＤＥ方式によりＣＦ３、ＣＦ４、Ｏ２等の混合ガスを活性化してプラズマ状態とし、ワーク槽（処理室）（図５）に流入させ、上記切断面に当てて誘電体断面樹脂層を１０〜１００μｍ程度エッチングすると（図６）、アルミニウム蒸着層はエッチングされずに残る。このため、アルミニウム蒸着層に後工程のメタリコン（金属溶射）で電極引き出しを行ったときに、耐電流性および機械的接触強度に優れた積層金属化フィルムコンデンサが得られる。ＣＤＥ時の混合ガスＣＦ４／（ＣＦ４＋Ｏ２）比率は２〜１５％の濃度範囲のガスを用いる。上記の金属化誘電体フィルムは、ポリエチレンテレフタレート、ポリフェニレンサルファイド、ポリエチレンナフタレート、または、アクリル系樹脂からなる。
【００１２】
【実施例】
〔実施例１〕
まず、本発明の第１の実施例について、詳細に説明する。
片面全面をアルミニウム蒸着したポリフェニレンサルファイドフィルム（厚さ１．２μｍ）上に、図１のようにレーザーでマージン１１を複数層形成した後、図２のとおり、一対のコンデンサ層を形成するように交互に重ね合わせ、多段層（９５０層）を形成し、その上下にポリフェニレンサルファイドで図３の保護層１４（０．４ｍｍ）を形成（厚さ０．４ｍｍ×８段）した後、真空中で熱プレス処理（２２０℃、６５ｋｇ／ｃｍ２、４Ｈｒ）してカード状に成形した積層母体を、カット刃を用い、スティック状に切断した（図４）。その後、図５のワーク槽（処理室）に切断面が上側に来るようにカセットトラック３４にスティック状母体１６を配置した後（図９）、ＣＦ４／Ｏ２＝１５／４９５ｓｃｃｍ
（ｓｃｃｍ：標準状態における１分間のガス流出を示す単位。ＣＦ４／（ＣＦ４＋Ｏ２）比率で表すと、
ＣＦ４／（ＣＦ４＋Ｏ２）＝｛１５／（１５＋４９５）｝×１００≒２．９〔％〕）
の混合ガスをマイクロウェーブ（２．４５ＧＨｚ７００Ｗ）で活性化してプラズマ状態とし、〔表１〕に示す時間ＣＤＥ処理を行い、更に反転させ同様に反対面の処理を行った。処理後、エア吹付けおよび吸引によりクリーニングを行った。
上記のＣＤＥ処理前／後のスティック状母体１６の切断面のＳＥＭ写真を各々、図７、図８に示す。これよりＣＤＥ処理面は１０〜３０μｍ程度にエッチングされていること、および金属蒸着層（アルミニウム蒸着２００〜３００Å）はエッチングされていないことが分かる。
その後、エッチング処理面に真鍮などの金属を溶射して電極引出層とし、中間電極を形成後（導電性ペースト塗布、硬化）、鉛フリー半田に浸漬しコンデンサ素子母体２０を形成した（図１０）。その後、図１１のように容量単位にカットし、カット面の絶縁を回復させるために電圧エージングを行い、電気検査後、完成品とした。
上記の処理を行い、定格０．１μＦ×１６ＶＤＣ、サイズＬ＝３．２〔ｍｍ〕、Ｗ＝２．５〔ｍｍ〕、Ｈ＝２．０〔ｍｍ〕の積層金属化フィルムコンデンサを得た。
【００１３】
〔実施例２〕
次に、本発明の第２の実施例について説明する。
真空蒸着チャンバー内（図１２）で▲１▼誘電体材料のジアクリレートモノマー２３を霧化させ冷却用の回転ドラム２８に塗布し、▲２▼電子線２４によりラジカル重合させ、薄膜のフィルム層２７（０．３μｍ）を形成し、▲３▼その上にシリコンオイルを用いてパターニング（マージン形成）を行った後、▲４▼アルミニウムによる金属蒸着２６を行い、▲５▼その後、酸素プラズマによりオイル除去した。この操作を繰返し行い、積層母体を得た後、真空蒸着チャンバー内から取り出し、その上下にポリフェニレンサルファイドで保護層１４を形成した後、１６分割して（Ｌ３００×Ｗ２００×Ｈ１．５ｍｍサイズ）のカード状の積層体を得た（図１４）。該積層体を熱プレス（２２５℃−６ｋｇ／ｃｍ２・４Ｈｒ）することによりジアクリレート樹脂を完全硬化させた後、カット刃（０．２ｍｍ厚）を用いスティック状母体１６（Ｌ２．６×Ｗ２００×Ｈ１．５ｍｍ）に切断した。
これを切断面が上側に向くようカセットラック３４に並べ、図５のワーク槽（処理室）に入れた後、ＣＦ４／Ｏ２＝１５／４９５ｓｃｃｍの混合ガスをマイクロウェーブ（２．４５ＧＨｚ７００Ｗ）で活性化してプラズマ状態とし、〔表１〕に示す時間、ＣＤＥ処理を行い、更に反転させ同様に反対面の処理を行った。処理後、上下の処理面はエア吹付けおよび吸引によりクリーニングを行った。その後、エッチング処理面に真鍮などの金属を溶射して電極引出層とし、中間電極を形成後（導電性ペースト塗布、硬化）、鉛フリー半田に浸漬し、コンデンサ素子母体２０を形成した（図１０）。その後、実施例１と同様、容量単位にカットし、カット面の絶縁を回復させるために電圧エージングを行い電気検査後完成品とした。
上記の処理を行い、定格１．０μＦ×１６ＶＤＣ、サイズＬ＝３．２〔ｍｍ〕、Ｗ＝２．５〔ｍｍ〕、Ｈ＝１．５〔ｍｍ〕の積層金属化フィルムコンデンサを得た。
【００１４】
なお、上記のジアクリレートモノマーはジシクロペンタジエンメタノールジアクリレートの単量体もしくは他のジアクリレートとの複合体である。
【００１５】
上記の実施例１、実施例２の試料コンデンサについて、下記の試験条件により、コンデンサの電極長さ当たりの電流値（Ａ／ｍ）を変えて充放電試験を行い、試験後の不良品数／全数を調査した。その結果をそれぞれ〔表１〕、〔表２〕に示す。ここで、実施例１−１〜１−７は〔実施例１〕のＣＤＥ処理時間を変えたものであり、従来例１はＣＤＥ処理を行わないものである。また、実施例２−１〜２−７は、〔実施例２〕のＣＤＥ処理時間を変えたものであり、従来例２はＣＤＥ処理を行わないものである。
〔充放電試験条件〕
・０．３秒 オン／オフ （５００回単位ステップアップ）
・試料数 ｎ＝２０
・コンデンサの電極長さ当たりの電流値：１，５，１０，１５，２０，２５，３０〔Ａ／ｍ〕
【００１６】
【表１】
【００１７】
【表２】
【００１８】
上記の〔表１〕、〔表２〕よりケミカルドライエッチング（ＣＤＥ）処理時間は最低でも５分間必要であることが分かる。実施例１−４（ＣＤＥ処理時間１０分）のＣＤＥ処理面のＳＥＭ分析結果を〔図８〕に示す。これよりＣＤＥ処理面は１０〜３０μｍ程度にエッチングされていること、および、金属蒸着層（アルミニウム蒸着層２００〜３００Å）はエッチングされていないことが分かる。
【００１９】
また〔表１〕、〔表２〕より明らかなように、エッチング深さは１０〜１００μｍの範囲が適当である。
１０μｍ未満では、ケミカルドライエッチングが十分に行われず、メタリコン（金属溶射）による電極引出し部の接合が不充分で、耐電流性が劣り、また、１００μｍを超えると、ケミカルドライエッチングの凹部が深くなり過ぎ、かつ形状が複雑化して電極引出し部の接合が悪くなる結果、耐電流性が低下する。
【００２０】
〔実施例３〕
実施例１の場合とほぼ同様に処理するが、アルミニウム蒸着層に、水蒸気や空気に対してバリヤ効果を有するアルミナ（酸化アルミニウム）をコーティングした点が異なる。
【００２１】
すなわち、本実施例の誘電体フィルムは図１９のように、帯状アルミニウム蒸着層とアルミナコーティング層を有するポリフェニレンサルファイドフィルム（２．５μｍ×３００ｍｍ幅）を交互にマージン部を設けた状態で多段に重ね合わせ、実施例１（図２）の場合と同様に積層体層を形成した。なお、該積層体層上下には保護層１４を設けた。これを真空中で熱プレス処理（２２０℃、圧力４５ｋｇ／ｃｍ２、１Ｈｒ）してカード状の積層母体とした後、これをカット刃でスティック状に切断しコンデンサ素子母体とした。誘電体断面樹脂層の平均エッチング深さを２０μｍとするため、ＣＦ４／（ＣＦ４＋Ｏ２）比率１０％で、片面当り１０分間ＣＤＥ処理した後、実施例１と同様に処理し、定格１．０μＦ×１６ＶＤＣ、サイズＬ＝３．２〔ｍｍ〕、Ｗ＝２．５〔ｍｍ〕、Ｈ＝１．５〔ｍｍ〕の積層金属化フィルムコンデンサを得た。
【００２２】
〔実施例４〕
図１８の真空蒸着チャンバー内で、▲１▼誘電体材料のジアクリレートモノマーを霧化させ、冷却用の回転ドラム２８に塗布し、▲２▼電子線によりラジカル重合し、薄膜のフィルム層２７（０．３μｍ）を形成し、▲３▼その上にシリコンオイルを用いてパターニング（マージン形成）を行った後、▲４▼アルミニウム蒸着と、▲５▼アルミナコーティングを行い、▲６▼その後、酸素プラズマ処理によりオイル除去した（フィルム形態図：図１９）。この操作を繰り返し行い、積層母体（上下に保護層０．１〜０．２ｍｍ厚さを設ける。）を得た後、真空蒸着チャンバー内から取り出し、上下に保護層を形成後、１６分割してカード状の積層母体（Ｌ３００×Ｗ２００×Ｈ１．５〔ｍｍ〕）とした。このカード状の積層母体を真空中で熱プレス（２２５℃−６ｋｇ／ｃｍ２・４Ｈｒ）することによりジアクリレート樹脂を完全硬化させた後、カット刃を用い、スティック状母体に切断した。この切断面を実施例３と同様にしてＣＤＥ方式により、平均エッチング深さ２０μｍになるようＣＦ４／（ＣＦ４＋Ｏ２）比率１０％で片側当たり１０分間ＣＤＥ処理後、実施例３と同様にして積層金属化フィルムコンデンサを得た。
【００２３】
〔実施例５〕
次に、ジアクリレートモノマーを用いた他の実施例について説明する。図２０の真空蒸着チャンバー内で、▲１▼誘電体材料のジアクリレートモノマーを霧化させ、冷却用の回転ドラムに塗布し、▲２▼電子線によりラジカル重合し、薄膜のフィルム層（０．３μｍ）を形成し、▲３▼その上にシリコンオイルを用いてパターニング（マージン形成）を行った後、▲４▼アルミニウム蒸着と、▲５▼アルミナコーティングと、▲６▼酸化ケイ素コーティングを行い、▲７▼その後、酸素プラズマ処理によりオイル除去した（フィルム形態図：図２１）。この操作を繰返し行い、積層母体（上下に保護層０．１〜０．２ｍｍ厚さを設ける。）を、真空蒸着チャンバー内から取り出し、上記実施例４と同様にして、積層タイプの乾式金属化フィルムコンデンサを得た（定格、仕様は実施例３と同様）。
【００２４】
上記実施例３の製造方法により、誘電体をポリフェニレンサルファイドとし、下記の酸化物をコーティングしたもの（実施例Ａ−１〜Ａ−３）と、酸化物をコーティングせずＣＤＥを行わない従来例１、および、実施例４，５の製造方式により、誘電体をアクリル系樹脂とし、下記の酸化物をコーティングしたもの（実施例Ｂ−１〜Ｂ−３）と酸化物をコーティングせずＣＤＥを行わない従来例２を用いて、定格１．０μＦ×１６ＶＤＣ、サイズＬ＝３．２〔ｍｍ〕、Ｗ＝２．５〔ｍｍ〕、Ｈ＝１．５〔ｍｍ〕の積層金属化フィルムコンデンサを作製した。
【００２５】
【表３】
【００２６】
上記の実施例Ａ−１〜Ａ−３、従来例１，および実施例Ｂ−１〜Ｂ−３，従来例２の積層フィルムコンデンサについて耐湿試験（４０℃ ９５％ＲＨ、１６Ｖ印加）を行った結果（容量変化）を図２２，図２３に示す。また、図２４、図２５は高温負荷試験（１０５℃ １６×１．２５ＶＤＣ）結果（容量変化）である。
【００２７】
この試験結果から次のことが分かった。図２２、図２３の耐湿試験結果から、アルミナまたはアルミナ／酸化ケイ素コーティング品は、容量変化が＋５％〜＋７％と安定しているのに対し、従来例は７５０Ｈｒ後から蒸着膜の飛散による容量減少が現れている。また、アルミナコーティング品とアルミナ／酸化ケイ素コーティング品とを比較すると、アルミナ／酸化ケイ素コーティング品の方が特性的に若干安定していることが分かった。
【００２８】
図２４，図２５の高温負荷試験についても同様の結果であり、金属酸化物層を有する金属化フィルムのバリヤ効果により侵入する水蒸気や空気が遮断され、素子を構成する金属化フィルムの劣化が抑えられるので、容量減少が小さくなっている。
【００２９】
上記実施例では、ＣＤＥの混合ガスとしてＣＦ４，Ｏ２を用いたが、ＣＦ３，Ｏ２の混合ガス、ＣＦ４，Ｏ２，Ｎ２混合ガス、ＣＦ３，Ｏ２、Ｎ２混合ガスのいずれの場合も、実施例と同様の効果が得られた。
【００３０】
【発明の効果】
上記したように、本願発明は、誘電体樹脂層にアルミニウムを蒸着した金属化樹脂層を交互に積層した積層母体をスティック状に切断した後、該切断面をＣＤＥ方式により誘電体樹脂層のみエッチングし、アルミニウム蒸着層は末エッチングのままで残し、メタリコン（金属溶射）により電極引出しを行うことで、耐電流性および機械的接触強度に優れた積層金属化フィルムコンデンサが得られる。
また、上記のアルミニウム蒸着層に酸化アルミニウムおよび／または酸化ケイ素をコーティングすることにより、これらの酸化物のバリヤ効果で誘電体への水蒸気や空気の侵入が防止でき、耐湿性、高温耐用性に優れた積層フィルムコンデンサが得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例による、帯状金属層を有する誘電体フィルムを交互にマージン部を設けた状態を示す図であり、Ａはカット位置（誘電体フィルム幅）、Ｂは耳蒸着部、Ｃはマージン部、Ｄは有効電極幅を表す。
【図２】熱プレス（成形）前後の積層母体を示す。
【図３】上下に保護層を配置し、熱プレスした後の積層母体を示す図である。
【図４】カード状に形成した積層母体をカット刃を用いてスティック状母体に切断する時の状態図である。
【図５】スティック状母体の切断面をケミカルドライエッチングする時の状態図である。
【図６】ケミカルドライエッチング後のスティック状母体のエッチング状態を示した図である。
【図７】ケミカルドライエッチング（ＣＤＥ）前の切断面のＳＥＭ写真である。
【図８】ケミカルドライエッチング（ＣＤＥ）後の切断面のエッチング状態を示すＳＥＭ写真である。
【図９】ケミカルドライエッチングおよび金属溶射（メタリコン用）に用いるカセットラックを示す図である。
【図１０】スティック状の母体のエッチング面にメタリコン（金属溶射）、中間電極層、およびＰｂレス半田メッキ層を施した時の状態図である。
【図１１】図１０のスティック状母体を容量単位にカッティングする時の状態を示す図である。
【図１２】真空チャンバ−内で積層誘電体（アクリル系樹脂）を製造する方式を示す図であり、▲１▼〜▲５▼はそれぞれ、
▲１▼モノマー霧化工程
▲２▼電子綿によるラジカル重合／薄膜フィルム層形成工程
▲３▼パターニング（マージン形成）工程
▲４▼アルミニウム蒸着工程
▲５▼酸素プラズマによるオイル除去工程
を表す。
【図１３】図１２の製造方式で得られる誘電体フィルムの断面図である。
【図１４】図１２の真空チャンバーの回転ドラムから取り出して１６分割した積層母体を熱プレスする前／熱プレスした後の状態を示す図である。
【図１５】従来の積層金属化フィルムコンデンサの一対の金属化フィルムのズラシ巻き状態を示す図である。
【図１６】従来のフィルムを巻回する円ドラムに先保護巻フィルム層、先巻フィルム層、本巻フィルム層（ズラシ巻き）、後巻フィルム層、後保護巻フィルム層を巻回した状態図である。
【図１７】図１６の状態に金属溶射を行い、電極引出し部を形成した状態図である。
【図１８】積層チャンバー内で積層誘電体（アクリル系樹脂）を製造する方式を示す図であり、▲１▼〜▲７▼はそれぞれ、
▲１▼モノマー霧化工程
▲２▼電子線によるラジカル重合／薄膜フィルム層形式工程
▲３▼パターニング（マージン形式）
▲４▼アルミニウム蒸着工程
▲５▼アルミナコーティング工程
▲６▼酸素プラズマ処理によるオイル除去工程
を表す。
【図１９】図１８の製造方式で得られる誘電体フィルムの断面図である。
【図２０】積層チャンバー内で積層誘電体（アクリル系樹脂）を製造する方式を示す図であり、▲１▼〜▲７▼はそれぞれ、
▲１▼モノマー、霧化工程
▲２▼電子線によるラジカル重合／薄膜フィルム層形成工程
▲３▼パターニング（マージン形成）
▲４▼アルミニウム蒸着工程
▲５▼アルミナコーティング工程
▲６▼酸化ケイ素コーティング工程
▲７▼酸素プラズマ処理によるオイル除去工程
を表す。
【図２１】図２０の製造方式で得られる、誘電体フィルムの断面図である。
【図２２】実施例Ａ−１〜Ａ−３、従来例１の積層フィルムコンデンサについて、耐湿試験（４０℃ ９５％ＲＨ １６Ｖ印加）における容量変化を比較した図である。
【図２３】実施例Ｂ−１〜Ｂ−３、従来例２の積層フィルムコンデンサについて、耐湿試験（４０℃ ９５％ＲＨ １６Ｖ印加）における容量変化を比較した図である。
【図２４】実施例Ａ−１〜Ａ−３、従来例１の積層フィルムコンデンサについて、高温負荷試験（１０５℃ １６×１．２５ＶＤＣ）における容量変化を比較した図である。
【図２５】実施例Ｂ−１〜Ｂ−３、従来例２の積層フィルムコンデンサについて、高温負荷試験（１０５℃ １６×１．２５ＶＤＣ）における容量変化を比較した図である。
【符号の説明】
１ スティック状母体の切断面
２ 蒸着金属
３ ケミカルドライエッチング（ＣＤＥ）部
４ 誘電体フィルム
５ 蒸着金属（アルミニウム）
６ 保護巻きフィルム層
７ 本巻部分
８ａ先巻フィルム部分
８ｂ後巻フィルム部分
９ 円ドラム
１０ メタリコン（電極引出し部分）
１１ マージン
１２ カット（切断）部分
１３ 熱処理後の積層母体
１４ 保護層（先／後巻フィルム部分）
１５ 本巻部分
１６ スティック状母体
１７ カッティング面
１８ エッチング部分の拡大図
１９ エッチングチャンバー装置
２０ コンデンサ素子母体
２１ カット刃
２３ アクリル系モノマー
２４ 電子線照射器（アルゴンガス中プラズマ放電）
２５ パターニング器
２６ アルミニウム蒸着器
２７ アクリル樹脂層０．０５〜０．６μｍ
２８ 回転ドラム（冷却用）
２９ 抵抗
３０ アルミナコーティング器
３０ａ 酸化ケイ素コーティング発生器
３１ 酸素プラズマ発生器
３２ ポンプ部分
３３ 誘電体フィルム（パターニング状態図）
３４ カセットラック
３５ スペーサーシート
【発明の属する技術分野】
本発明は、金属化誘電体（フィルム）を用いた積層金属化フィルムコンデンサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の積層金属化フィルムコンデンサは、一対の金属化フィルム４，５（図１５）を円ドラム９（図１６）に保護巻フィルム層６を介して、重ねて巻回した後、更に保護フィルムを巻回し、巻回端面に亜鉛などの金属を溶射して電極引出部１０を形成し（図１７）、熱処理後円ドラム上から分断し、更に容量単位に切断し積層金属化フィルムコンデンサを構成していた。
ここで一対の金属化フィルムの巻回端面は０．１〜０．６ｍｍのズラシ巻が行われており、あらかじめ電極引出しをしやすい構成としていた（図１５）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
従来の積層金属化フィルムコンデンサの製法は、一対の単層金属化フィルムを巻回する方式であり、生産性が劣り、巻回端面部は電極引出しのためのズラシ巻部を設ける必要があり、製品寸法が大きくなるという欠点を有していた。
これらの課題を解決するため、図１のように交互にマージン部を設けた状態に重ね合わせ、図２のように数層〜十数層以上の帯状金属層を持った積層母体を形成した後、図４のように一対の積層体をなすスティック状母体１６に切断し、切断面に亜鉛などの金属を溶射し、金属引出部２０を形成する製造方法が提案されている。しかし、該製造方法により、生産性、小形化の課題は解決できたが、機械的接触強度、耐電流性に劣るという問題があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、数層〜十数層以上の帯状金属層を持った誘電体フィルムを交互にマージン部を設けた状態（図１）に多段に重ね合わせ保護層を設けた積層母体１３を形成した後、一対の多段積層体層となるようにスティック状母体１６に切断し、切断面をケミカルドライエッチング処理―ＣＦ３、ＣＦ４、Ｏ２等の混合ガスをプラズマ状態にしてワーク槽（処理室）に流入させ（図５）、誘電体樹脂層の断面を１０〜１００μｍ程度エッチングするものである。この時、アルミニウム蒸着層はエッチングされない状態で残るので（図６）、後工程のメタリコン（金属溶射）により電極引出しを行うことが可能であり、これにより耐電流性および機械的接触強度に優れた積層金属化フィルムコンデンサおよびその製造方法を提供することができる。
【０００５】
すなわち、誘電体樹脂層にアルミニウムを蒸着し交互に重ね合わせた積層母体を、スティック状に切断した後、ＣＦ３、ＣＦ４、Ｏ２の２種以上の混合ガスを活性化してプラズマ状態とし、該切断面にケミカルドライエッチング処理を行い、該エッチング面に金属溶射して電極引出し部を形成したことを特徴とする積層金属化フィルムコンデンサおよびその製造方法である。
【０００６】
また、上記の誘電体樹脂層のエッチング深さが１０〜１００μｍであることを特徴とする積層金属化フィルムコンデンサおよびその製造方法である。
【０００７】
さらに、上記の誘電体樹脂層がポリエチレンテレフタレート、ポリフェニレンサルファイド、ポリエチレンナフタレート、またはアクリル系樹脂であることを特徴とする積層金属化フィルムコンデンサおよびその製造方法である。
【０００８】
そして、上記のアルミニウム蒸着層に酸化アルミニウムおよび／または酸化ケイ素をコーティングしたことを特徴とする積層金属化フィルムコンデンサおよびその製造方法である。
【０００９】
ケミカルドライエッチング（以下、ＣＤＥと略す。）はＣＦ４、Ｏ２等の混合ガスをプラズマ状態にし、ワーク槽（処理室）に流入する方式（図５）で、リアクティブイオンエッチングと異なり、イオンが介在しない方式であること、アッシング（酸素エッチング）のように高温処理の必要性がなく、低温でしかもアルミニウムなどの金属はエッチングされず、誘電体樹脂材料のみを優先的にエッチングできることから耐電流性、機械的接着強度を向上させることができる。
【００１０】
上記アクリル系樹脂としては、
（Ａ）ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、フェノキシジエチレングリコール（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチル（メタ）アクリレート、エポキシ化オレイル（メタ）アクリレート（以上、単官能アクリレート）、
（Ｂ）ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリシクロデカンジメタノールジ（メタ）アクリレート、グリセリンプロピレンオキサイド付加物トリ（メタ）アクリレート（以上、多官能アクリレート）、
（Ｃ）上記（Ａ）および（Ｂ）の混合物
を挙げることができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
帯状金属層を持った誘電体フィルム（図１）を交互にマージン部を設けた状態で数層〜十数層以上に重ね合わせ、積層母体１３を形成した（図２）後、一対の多段積層体層となるようにスティック状母体１６に切断する（図４）。切断面をＣＤＥ方式によりＣＦ３、ＣＦ４、Ｏ２等の混合ガスを活性化してプラズマ状態とし、ワーク槽（処理室）（図５）に流入させ、上記切断面に当てて誘電体断面樹脂層を１０〜１００μｍ程度エッチングすると（図６）、アルミニウム蒸着層はエッチングされずに残る。このため、アルミニウム蒸着層に後工程のメタリコン（金属溶射）で電極引き出しを行ったときに、耐電流性および機械的接触強度に優れた積層金属化フィルムコンデンサが得られる。ＣＤＥ時の混合ガスＣＦ４／（ＣＦ４＋Ｏ２）比率は２〜１５％の濃度範囲のガスを用いる。上記の金属化誘電体フィルムは、ポリエチレンテレフタレート、ポリフェニレンサルファイド、ポリエチレンナフタレート、または、アクリル系樹脂からなる。
【００１２】
【実施例】
〔実施例１〕
まず、本発明の第１の実施例について、詳細に説明する。
片面全面をアルミニウム蒸着したポリフェニレンサルファイドフィルム（厚さ１．２μｍ）上に、図１のようにレーザーでマージン１１を複数層形成した後、図２のとおり、一対のコンデンサ層を形成するように交互に重ね合わせ、多段層（９５０層）を形成し、その上下にポリフェニレンサルファイドで図３の保護層１４（０．４ｍｍ）を形成（厚さ０．４ｍｍ×８段）した後、真空中で熱プレス処理（２２０℃、６５ｋｇ／ｃｍ２、４Ｈｒ）してカード状に成形した積層母体を、カット刃を用い、スティック状に切断した（図４）。その後、図５のワーク槽（処理室）に切断面が上側に来るようにカセットトラック３４にスティック状母体１６を配置した後（図９）、ＣＦ４／Ｏ２＝１５／４９５ｓｃｃｍ
（ｓｃｃｍ：標準状態における１分間のガス流出を示す単位。ＣＦ４／（ＣＦ４＋Ｏ２）比率で表すと、
ＣＦ４／（ＣＦ４＋Ｏ２）＝｛１５／（１５＋４９５）｝×１００≒２．９〔％〕）
の混合ガスをマイクロウェーブ（２．４５ＧＨｚ７００Ｗ）で活性化してプラズマ状態とし、〔表１〕に示す時間ＣＤＥ処理を行い、更に反転させ同様に反対面の処理を行った。処理後、エア吹付けおよび吸引によりクリーニングを行った。
上記のＣＤＥ処理前／後のスティック状母体１６の切断面のＳＥＭ写真を各々、図７、図８に示す。これよりＣＤＥ処理面は１０〜３０μｍ程度にエッチングされていること、および金属蒸着層（アルミニウム蒸着２００〜３００Å）はエッチングされていないことが分かる。
その後、エッチング処理面に真鍮などの金属を溶射して電極引出層とし、中間電極を形成後（導電性ペースト塗布、硬化）、鉛フリー半田に浸漬しコンデンサ素子母体２０を形成した（図１０）。その後、図１１のように容量単位にカットし、カット面の絶縁を回復させるために電圧エージングを行い、電気検査後、完成品とした。
上記の処理を行い、定格０．１μＦ×１６ＶＤＣ、サイズＬ＝３．２〔ｍｍ〕、Ｗ＝２．５〔ｍｍ〕、Ｈ＝２．０〔ｍｍ〕の積層金属化フィルムコンデンサを得た。
【００１３】
〔実施例２〕
次に、本発明の第２の実施例について説明する。
真空蒸着チャンバー内（図１２）で▲１▼誘電体材料のジアクリレートモノマー２３を霧化させ冷却用の回転ドラム２８に塗布し、▲２▼電子線２４によりラジカル重合させ、薄膜のフィルム層２７（０．３μｍ）を形成し、▲３▼その上にシリコンオイルを用いてパターニング（マージン形成）を行った後、▲４▼アルミニウムによる金属蒸着２６を行い、▲５▼その後、酸素プラズマによりオイル除去した。この操作を繰返し行い、積層母体を得た後、真空蒸着チャンバー内から取り出し、その上下にポリフェニレンサルファイドで保護層１４を形成した後、１６分割して（Ｌ３００×Ｗ２００×Ｈ１．５ｍｍサイズ）のカード状の積層体を得た（図１４）。該積層体を熱プレス（２２５℃−６ｋｇ／ｃｍ２・４Ｈｒ）することによりジアクリレート樹脂を完全硬化させた後、カット刃（０．２ｍｍ厚）を用いスティック状母体１６（Ｌ２．６×Ｗ２００×Ｈ１．５ｍｍ）に切断した。
これを切断面が上側に向くようカセットラック３４に並べ、図５のワーク槽（処理室）に入れた後、ＣＦ４／Ｏ２＝１５／４９５ｓｃｃｍの混合ガスをマイクロウェーブ（２．４５ＧＨｚ７００Ｗ）で活性化してプラズマ状態とし、〔表１〕に示す時間、ＣＤＥ処理を行い、更に反転させ同様に反対面の処理を行った。処理後、上下の処理面はエア吹付けおよび吸引によりクリーニングを行った。その後、エッチング処理面に真鍮などの金属を溶射して電極引出層とし、中間電極を形成後（導電性ペースト塗布、硬化）、鉛フリー半田に浸漬し、コンデンサ素子母体２０を形成した（図１０）。その後、実施例１と同様、容量単位にカットし、カット面の絶縁を回復させるために電圧エージングを行い電気検査後完成品とした。
上記の処理を行い、定格１．０μＦ×１６ＶＤＣ、サイズＬ＝３．２〔ｍｍ〕、Ｗ＝２．５〔ｍｍ〕、Ｈ＝１．５〔ｍｍ〕の積層金属化フィルムコンデンサを得た。
【００１４】
なお、上記のジアクリレートモノマーはジシクロペンタジエンメタノールジアクリレートの単量体もしくは他のジアクリレートとの複合体である。
【００１５】
上記の実施例１、実施例２の試料コンデンサについて、下記の試験条件により、コンデンサの電極長さ当たりの電流値（Ａ／ｍ）を変えて充放電試験を行い、試験後の不良品数／全数を調査した。その結果をそれぞれ〔表１〕、〔表２〕に示す。ここで、実施例１−１〜１−７は〔実施例１〕のＣＤＥ処理時間を変えたものであり、従来例１はＣＤＥ処理を行わないものである。また、実施例２−１〜２−７は、〔実施例２〕のＣＤＥ処理時間を変えたものであり、従来例２はＣＤＥ処理を行わないものである。
〔充放電試験条件〕
・０．３秒 オン／オフ （５００回単位ステップアップ）
・試料数 ｎ＝２０
・コンデンサの電極長さ当たりの電流値：１，５，１０，１５，２０，２５，３０〔Ａ／ｍ〕
【００１６】
【表１】
【表２】
上記の〔表１〕、〔表２〕よりケミカルドライエッチング（ＣＤＥ）処理時間は最低でも５分間必要であることが分かる。実施例１−４（ＣＤＥ処理時間１０分）のＣＤＥ処理面のＳＥＭ分析結果を〔図８〕に示す。これよりＣＤＥ処理面は１０〜３０μｍ程度にエッチングされていること、および、金属蒸着層（アルミニウム蒸着層２００〜３００Å）はエッチングされていないことが分かる。
【００１９】
また〔表１〕、〔表２〕より明らかなように、エッチング深さは１０〜１００μｍの範囲が適当である。
１０μｍ未満では、ケミカルドライエッチングが十分に行われず、メタリコン（金属溶射）による電極引出し部の接合が不充分で、耐電流性が劣り、また、１００μｍを超えると、ケミカルドライエッチングの凹部が深くなり過ぎ、かつ形状が複雑化して電極引出し部の接合が悪くなる結果、耐電流性が低下する。
【００２０】
〔実施例３〕
実施例１の場合とほぼ同様に処理するが、アルミニウム蒸着層に、水蒸気や空気に対してバリヤ効果を有するアルミナ（酸化アルミニウム）をコーティングした点が異なる。
【００２１】
すなわち、本実施例の誘電体フィルムは図１９のように、帯状アルミニウム蒸着層とアルミナコーティング層を有するポリフェニレンサルファイドフィルム（２．５μｍ×３００ｍｍ幅）を交互にマージン部を設けた状態で多段に重ね合わせ、実施例１（図２）の場合と同様に積層体層を形成した。なお、該積層体層上下には保護層１４を設けた。これを真空中で熱プレス処理（２２０℃、圧力４５ｋｇ／ｃｍ２、１Ｈｒ）してカード状の積層母体とした後、これをカット刃でスティック状に切断しコンデンサ素子母体とした。誘電体断面樹脂層の平均エッチング深さを２０μｍとするため、ＣＦ４／（ＣＦ４＋Ｏ２）比率１０％で、片面当り１０分間ＣＤＥ処理した後、実施例１と同様に処理し、定格１．０μＦ×１６ＶＤＣ、サイズＬ＝３．２〔ｍｍ〕、Ｗ＝２．５〔ｍｍ〕、Ｈ＝１．５〔ｍｍ〕の積層金属化フィルムコンデンサを得た。
【００２２】
〔実施例４〕
図１８の真空蒸着チャンバー内で、▲１▼誘電体材料のジアクリレートモノマーを霧化させ、冷却用の回転ドラム２８に塗布し、▲２▼電子線によりラジカル重合し、薄膜のフィルム層２７（０．３μｍ）を形成し、▲３▼その上にシリコンオイルを用いてパターニング（マージン形成）を行った後、▲４▼アルミニウム蒸着と、▲５▼アルミナコーティングを行い、▲６▼その後、酸素プラズマ処理によりオイル除去した（フィルム形態図：図１９）。この操作を繰り返し行い、積層母体（上下に保護層０．１〜０．２ｍｍ厚さを設ける。）を得た後、真空蒸着チャンバー内から取り出し、上下に保護層を形成後、１６分割してカード状の積層母体（Ｌ３００×Ｗ２００×Ｈ１．５〔ｍｍ〕）とした。このカード状の積層母体を真空中で熱プレス（２２５℃−６ｋｇ／ｃｍ２・４Ｈｒ）することによりジアクリレート樹脂を完全硬化させた後、カット刃を用い、スティック状母体に切断した。この切断面を実施例３と同様にしてＣＤＥ方式により、平均エッチング深さ２０μｍになるようＣＦ４／（ＣＦ４＋Ｏ２）比率１０％で片側当たり１０分間ＣＤＥ処理後、実施例３と同様にして積層金属化フィルムコンデンサを得た。
【００２３】
〔実施例５〕
次に、ジアクリレートモノマーを用いた他の実施例について説明する。図２０の真空蒸着チャンバー内で、▲１▼誘電体材料のジアクリレートモノマーを霧化させ、冷却用の回転ドラムに塗布し、▲２▼電子線によりラジカル重合し、薄膜のフィルム層（０．３μｍ）を形成し、▲３▼その上にシリコンオイルを用いてパターニング（マージン形成）を行った後、▲４▼アルミニウム蒸着と、▲５▼アルミナコーティングと、▲６▼酸化ケイ素コーティングを行い、▲７▼その後、酸素プラズマ処理によりオイル除去した（フィルム形態図：図２１）。この操作を繰返し行い、積層母体（上下に保護層０．１〜０．２ｍｍ厚さを設ける。）を、真空蒸着チャンバー内から取り出し、上記実施例４と同様にして、積層タイプの乾式金属化フィルムコンデンサを得た（定格、仕様は実施例３と同様）。
【００２４】
上記実施例３の製造方法により、誘電体をポリフェニレンサルファイドとし、下記の酸化物をコーティングしたもの（実施例Ａ−１〜Ａ−３）と、酸化物をコーティングせずＣＤＥを行わない従来例１、および、実施例４，５の製造方式により、誘電体をアクリル系樹脂とし、下記の酸化物をコーティングしたもの（実施例Ｂ−１〜Ｂ−３）と酸化物をコーティングせずＣＤＥを行わない従来例２を用いて、定格１．０μＦ×１６ＶＤＣ、サイズＬ＝３．２〔ｍｍ〕、Ｗ＝２．５〔ｍｍ〕、Ｈ＝１．５〔ｍｍ〕の積層金属化フィルムコンデンサを作製した。
【００２５】
【表３】
上記の実施例Ａ−１〜Ａ−３、従来例１，および実施例Ｂ−１〜Ｂ−３，従来例２の積層フィルムコンデンサについて耐湿試験（４０℃ ９５％ＲＨ、１６Ｖ印加）を行った結果（容量変化）を図２２，図２３に示す。また、図２４、図２５は高温負荷試験（１０５℃ １６×１．２５ＶＤＣ）結果（容量変化）である。
【００２７】
この試験結果から次のことが分かった。図２２、図２３の耐湿試験結果から、アルミナまたはアルミナ／酸化ケイ素コーティング品は、容量変化が＋５％〜＋７％と安定しているのに対し、従来例は７５０Ｈｒ後から蒸着膜の飛散による容量減少が現れている。また、アルミナコーティング品とアルミナ／酸化ケイ素コーティング品とを比較すると、アルミナ／酸化ケイ素コーティング品の方が特性的に若干安定していることが分かった。
【００２８】
図２４，図２５の高温負荷試験についても同様の結果であり、金属酸化物層を有する金属化フィルムのバリヤ効果により侵入する水蒸気や空気が遮断され、素子を構成する金属化フィルムの劣化が抑えられるので、容量減少が小さくなっている。
【００２９】
上記実施例では、ＣＤＥの混合ガスとしてＣＦ４，Ｏ２を用いたが、ＣＦ３，Ｏ２の混合ガス、ＣＦ４，Ｏ２，Ｎ２混合ガス、ＣＦ３，Ｏ２、Ｎ２混合ガスのいずれの場合も、実施例と同様の効果が得られた。
【００３０】
【発明の効果】
上記したように、本願発明は、誘電体樹脂層にアルミニウムを蒸着した金属化樹脂層を交互に積層した積層母体をスティック状に切断した後、該切断面をＣＤＥ方式により誘電体樹脂層のみエッチングし、アルミニウム蒸着層は末エッチングのままで残し、メタリコン（金属溶射）により電極引出しを行うことで、耐電流性および機械的接触強度に優れた積層金属化フィルムコンデンサが得られる。
また、上記のアルミニウム蒸着層に酸化アルミニウムおよび／または酸化ケイ素をコーティングすることにより、これらの酸化物のバリヤ効果で誘電体への水蒸気や空気の侵入が防止でき、耐湿性、高温耐用性に優れた積層フィルムコンデンサが得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例による、帯状金属層を有する誘電体フィルムを交互にマージン部を設けた状態を示す図であり、Ａはカット位置（誘電体フィルム幅）、Ｂは耳蒸着部、Ｃはマージン部、Ｄは有効電極幅を表す。
【図２】熱プレス（成形）前後の積層母体を示す。
【図３】上下に保護層を配置し、熱プレスした後の積層母体を示す図である。
【図４】カード状に形成した積層母体をカット刃を用いてスティック状母体に切断する時の状態図である。
【図５】スティック状母体の切断面をケミカルドライエッチングする時の状態図である。
【図６】ケミカルドライエッチング後のスティック状母体のエッチング状態を示した図である。
【図７】ケミカルドライエッチング（ＣＤＥ）前の切断面のＳＥＭ写真である。
【図８】ケミカルドライエッチング（ＣＤＥ）後の切断面のエッチング状態を示すＳＥＭ写真である。
【図９】ケミカルドライエッチングおよび金属溶射（メタリコン用）に用いるカセットラックを示す図である。
【図１０】スティック状の母体のエッチング面にメタリコン（金属溶射）、中間電極層、およびＰｂレス半田メッキ層を施した時の状態図である。
【図１１】図１０のスティック状母体を容量単位にカッティングする時の状態を示す図である。
【図１２】真空チャンバ−内で積層誘電体（アクリル系樹脂）を製造する方式を示す図であり、▲１▼〜▲５▼はそれぞれ、
▲１▼モノマー霧化工程
▲２▼電子綿によるラジカル重合／薄膜フィルム層形成工程
▲３▼パターニング（マージン形成）工程
▲４▼アルミニウム蒸着工程
▲５▼酸素プラズマによるオイル除去工程
を表す。
【図１３】図１２の製造方式で得られる誘電体フィルムの断面図である。
【図１４】図１２の真空チャンバーの回転ドラムから取り出して１６分割した積層母体を熱プレスする前／熱プレスした後の状態を示す図である。
【図１５】従来の積層金属化フィルムコンデンサの一対の金属化フィルムのズラシ巻き状態を示す図である。
【図１６】従来のフィルムを巻回する円ドラムに先保護巻フィルム層、先巻フィルム層、本巻フィルム層（ズラシ巻き）、後巻フィルム層、後保護巻フィルム層を巻回した状態図である。
【図１７】図１６の状態に金属溶射を行い、電極引出し部を形成した状態図である。
【図１８】積層チャンバー内で積層誘電体（アクリル系樹脂）を製造する方式を示す図であり、▲１▼〜▲７▼はそれぞれ、
▲１▼モノマー霧化工程
▲２▼電子線によるラジカル重合／薄膜フィルム層形式工程
▲３▼パターニング（マージン形式）
▲４▼アルミニウム蒸着工程
▲５▼アルミナコーティング工程
▲６▼酸素プラズマ処理によるオイル除去工程
を表す。
【図１９】図１８の製造方式で得られる誘電体フィルムの断面図である。
【図２０】積層チャンバー内で積層誘電体（アクリル系樹脂）を製造する方式を示す図であり、▲１▼〜▲７▼はそれぞれ、
▲１▼モノマー、霧化工程
▲２▼電子線によるラジカル重合／薄膜フィルム層形成工程
▲３▼パターニング（マージン形成）
▲４▼アルミニウム蒸着工程
▲５▼アルミナコーティング工程
▲６▼酸化ケイ素コーティング工程
▲７▼酸素プラズマ処理によるオイル除去工程
を表す。
【図２１】図２０の製造方式で得られる、誘電体フィルムの断面図である。
【図２２】実施例Ａ−１〜Ａ−３、従来例１の積層フィルムコンデンサについて、耐湿試験（４０℃ ９５％ＲＨ １６Ｖ印加）における容量変化を比較した図である。
【図２３】実施例Ｂ−１〜Ｂ−３、従来例２の積層フィルムコンデンサについて、耐湿試験（４０℃ ９５％ＲＨ １６Ｖ印加）における容量変化を比較した図である。
【図２４】実施例Ａ−１〜Ａ−３、従来例１の積層フィルムコンデンサについて、高温負荷試験（１０５℃ １６×１．２５ＶＤＣ）における容量変化を比較した図である。
【図２５】実施例Ｂ−１〜Ｂ−３、従来例２の積層フィルムコンデンサについて、高温負荷試験（１０５℃ １６×１．２５ＶＤＣ）における容量変化を比較した図である。
【符号の説明】
１ スティック状母体の切断面
２ 蒸着金属
３ ケミカルドライエッチング（ＣＤＥ）部
４ 誘電体フィルム
５ 蒸着金属（アルミニウム）
６ 保護巻きフィルム層
７ 本巻部分
８ａ先巻フィルム部分
８ｂ後巻フィルム部分
９ 円ドラム
１０ メタリコン（電極引出し部分）
１１ マージン
１２ カット（切断）部分
１３ 熱処理後の積層母体
１４ 保護層（先／後巻フィルム部分）
１５ 本巻部分
１６ スティック状母体
１７ カッティング面
１８ エッチング部分の拡大図
１９ エッチングチャンバー装置
２０ コンデンサ素子母体
２１ カット刃
２３ アクリル系モノマー
２４ 電子線照射器（アルゴンガス中プラズマ放電）
２５ パターニング器
２６ アルミニウム蒸着器
２７ アクリル樹脂層０．０５〜０．６μｍ
２８ 回転ドラム（冷却用）
２９ 抵抗
３０ アルミナコーティング器
３０ａ 酸化ケイ素コーティング発生器
３１ 酸素プラズマ発生器
３２ ポンプ部分
３３ 誘電体フィルム（パターニング状態図）
３４ カセットラック
３５ スペーサーシート
Claims (4)
- 誘電体樹脂層にアルミニウムを蒸着し交互に重ね合わせた積層母体を、スティック状に切断した後、混合ガスを活性化してプラズマ状態とし、該切断面にケミカルドライエッチング処理を行い、該エッチング面に金属溶射して電極引出し部を形成したことを特徴とする積層金属化フィルムコンデンサおよびその製造方法。
- 誘電体樹脂層のエッチング深さが１０〜１００μｍであることを特徴とする請求項１記載の積層金属化フィルムコンデンサおよびその製造方法。
- 誘電体樹脂層がポリエチレンテレフタレート、ポリフェニレンサルファイド、ポリエチレンナフタレート、またはアクリル系樹脂であることを特徴とする請求項１記載の積層金属化フィルムコンデンサおよびその製造方法。
- アルミニウム蒸着層に酸化アルミニウムおよび／または酸化ケイ素をコーティングしたことを特徴とする請求項１記載の積層金属化フィルムコンデンサおよびその製造方法。
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