KR920010623B1 - 필름콘덴서와 그 제조방법 및 제조장치 - Google Patents

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KR920010623B1 KR1019890003966A KR890003966A KR920010623B1 KR 920010623 B1 KR920010623 B1 KR 920010623B1 KR 1019890003966 A KR1019890003966 A KR 1019890003966A KR 890003966 A KR890003966 A KR 890003966A KR 920010623 B1 KR920010623 B1 KR 920010623B1
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마쯔시다덴기산교 가부시기가이샤
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Abstract

내용 없음.

Description

필름콘덴서와 그 제조방법 및 제조장치
제1도는 본 발명의 제1실시예에 있어서의 적층형 필름콘덴서의 제조방법의 공정의 주요부분을 도시한 도면.
제2도는 복수의 콘덴서요소가 형성되도록 복수의 마진부가 형성되어 있는 폭이 넓은 편면금속화 필름을 도시한 도면.
제3도는 제2도에 도시한 필름을 적층한 도면.
제4도는 제1실시예에서 사용한 산소플라즈마 처리장치의 구성을 도시한 도면.
제5도는 제1실시예에서 제작된 필름콘덴서의 전극인출단면부와 확대단면도.
제6도는 본 발명에 의해 제조된 적층형 필름콘덴서와 종래기술에 의해 제조된 적층형 필름콘덴서의 필름 두께와 tanδ특성과의 관계를 대비해서 도시한 도면.
제7도는 제1실시예에 의해 제조된 필름콘데서의 필름제거량과 tanδ특성의 관계를 도시한 도면.
제8도는 본 발명의 제2실시예에 사용한 산소플라즈마 처리장치의 구성을 도시한 도면.
제9도는 본 발명의 제3실시예에 있어서의 적층형 필름콘덴서의 공정의 주요부분을 도시한 도면.
제10도는 본 발명의 제4실시예에 있어서의 적층형 필름콘덴서의 제조공정의 주요부분을 도한 도면.
제11도는 본 발명의 제5실시예에 있어서의 적층형 필름콘덴서의 제조공정의 주요부분을 도시한 도면.
제12도는 본 발명의 제6실시예에 있어서의 두루마리형 필름콘덴서의 제조공정의 주요부분을 도시한 도면.
제13도는 본 발명의 제7실시예에 있어서의 두루마리형 필름콘덴서의 제조공정의 주요부분을 도시한 도면.
제14도는 본 발명의 제8실시예에 있어서의 두루마리형 필름콘덴서의 제조공정의 주요부분을 도시한 도면.
제15도는 본 발명의 제9실시예에 있어서의 두루마리형 필름콘덴서의 제조공정의 주요부분을 도시한 도면.
제16도는 본 발명의 제10실시예에 의한 적층형 필름콘덴서의 단면도.
제17도는 본 발명의 제2 및 제10실시예에 의해 제조된 필름콘데서의 필름 두께와 tanδ특성의 관계를 비교해서 표시한 도면
제18a도는 종래의 두루마리형 필름콘덴서의 이상적인 구조를 도시한 도면.
제18b도는 그 실제적인 구조를 도시한 도면.
제19도, 제20도, 제21도 및 제22도는 종래의 적층형 필름콘덴서의 제조방법을 도시한 도면.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1,18 : 편면금속화필름 1a,18a : 전극(증착막)
3 : 마진부 4 : 마진폭
5 : 친콘덴서소자 6 : 단면전극
7 : 알루미늄 콘택트층 8 : 도전층
10 : 진공용기 11 : 석영창
12 : 전극 13 : 고주파 전원
14 : 마스크 15 : 금속네트
16,20 : 양면금속화필름 16a,20a : 전극
17 : PPS필름(맞붙임 필름) 18b,20b : 유전체층
본 발명은 필름콘덴서와 그 제조방법 및 제조장치에 관한 것이다.
최근, 전자부품에 대해서, 소형화, 경량화, 고성능화, 저가격화가 요망되고 있으며, 필름콘덴서에 대해서도 소형화, 고성능화를 위한 개발이 한창 행하여지고 있다.
이하, 도면을 참조하면서, 종래의 적층형필름콘덴서의 제조방법의 일례에 대해서 설명한다.
제18a도는 종래의 적층형 필름콘덴서소자의 이상적인 구조를 보여주고 있다.
도면에 있어서, (1)은 편면금속화필름, (1a)는 전극이 되는 금속막, (2)는 필름간격, (3)은 비금속화부인 마진(margin)부이다.
종래, 콘덴서소자의 단면전극(端面電極)을 형성해야 할 단면(端面)에 필름간격(2)을 형성하기 위하여, 필름폭방향(현대, 최소로 0.2mm정도)으로 교호로 어긋나게한(중첩시킨)상태에서 편면금속화필름(1)를 감아서 적층하고 있다. 이에 의해 필름간격(2)을 형성하여, 단면전극으로 메탈리콘(matallikon)에 의해 형성되는 콘덴트층의 침입을 충분한 것으로하여, 콘택트층인 단면(端面)전극(도시생략)과 편면금속화필름(1)의 전극(1a)과의 사이에 양호한 전기적 접합과 단면전극의 충분한 부착강도를 얻고 있었다.
그러나 이와 같은 방법에서, 편면금속화필름(1)을 감는데 정밀도가 높은 감기 방법에 요구되며, 또한 콘덴서의 소형화를 위하여 필름의 폭을 좁게 하거나, 대용량화를 위하여 필름두께를 얇게하거나 하면, 필름이 지그재그로되어 0.2mm정도로 일정하게 유지하는 일이 어렵고, 실제로는 제18b도에 도시한 바와같이 되고 있다. 그 때문에, 이와같은 방법으로 수율안전성이 낮은점, 장치코스트가 높은점, 또는 필름콘덴서의 소형화를 도모하기 어려운점등의 문제가 있었다. 또, 복수개의 콘덴서 요소를 가진 폭이 넓은 편면금속화 필름을 두루감은 다음, 단위콘덴서로 절단한다고 하는 제조방법은, 그 자체는 생산성이 높은 방법이지만, 필름간격(2)이 형성되지 않기 때문에, 상기 방법을 적용할 수가 없으으며, 그 때문에, 현재에 있어서는, 복수개의 콘덴서요소를 가진 폭이 넓은 편면금속화필름을 단위 콘덴서요소로 절단해서 분할한 후, 편면금속화필름을 두루감아서 제조하고 있으므로, 생산성이 매우 낮다고 하는 문제도 있었다.
그 때문에, 일본국 특개소 58-24933호 공보에 개시되어 있는 바와같이, 복수개의 콘덴서요소를 가진 폭이 넓은 편면금속화필름의 전극인출면부에 위치하도록 관통구멍을 형성한 다음, 이 필름을 두루감고, 얻어진 두루마리물을 전극 인출면에서 절단해도 필름간격(2)이 남는다고 하는 방법이 개발되었다.
이하, 제19도∼제21도를 참조하면서 이 방법에 대해서 설명한다.
제19도∼제21도에 있어서, (1)은 편면금속화필름, (1a)는 전극이 되는 금속막, (3)은 마진부, (4)는 마진폭, (9)는 관통구멍이다
이 방법에서는, 제19도에 도시한 바와같이, 복수개의 전극(1a)과 복수개의 마진부(3)가 형성되어 있는 폭이 넓은 편면금속화필름의 서로 근접하는 마진폭(4)의 1조의 부분사이에, 복수개의 관통구멍(9)을 형성하고, 그후, 금속화필름(1)을 제20도에 도시한 바와같이, 서로 인접하는 각각의 마진폭의 사이가, 상하의 필름에 의해서 1/2씩 어긋나도록 복수매 맞포개어 두루감고, 얻어진 두루마리물을 1도의 마진폭의 중앙부분 즉 전극인출면에서 절단하므로,제21도에 도시한 바와같은 복수개의 친콘덴서소자로 분할한다. 이와같이 해서, 관통구멍(9)에 의해서 필름간격(6)으로 메탈리콘에 의해 형성되는 콘택트층의 침입을 충분한 것으로하여, 콘택트층과 편면금속화필름(1)의 전극 (1a)사이의 양호한 전기적 접촉과, 단면전극의 충분한 부착 강도를 얻고 있었다. 그리고, 또 제22b,c도에 도시한 바와같이, 친콘덴서소자(5)를 마진방향과 직각방향으로 절단하므로, 단위콘덴서소자(51)를 얻고 있었다. 여기서 제22b도는 동도(a)의 사시도이다.
그러나, 상기와 같은 구성에서는, 관통구멍(9)의 구멍 주위의 버어(burr)때문에, 근접하는 필름을 압박해서 필름간격(2)이 막히거나, 또, 필름두께가 2.0μmm이하로 얇아지면, 필름의 유연성 때문에 그것이 늘어져서 필름간격(2)를 막거나해서, 메탈리콘에 의해 형성되는 콘택트층의 침입을 불충분한 것으로해서, 콘택트층과 편면금속화필름(1)의 전극(1a)과의 사이에 양호한 전기적 접촉을 얻을 수 없다고 하는 문제가 있었다.
이와같은 문제를 해결하는 방법으로서, 일본국 특공소 59-37564호 공보에 개시되어 있는 바와같이, 역스퍼터링법을 이용해서, 유전체단면이 크기가 고르게 가지런히 되어 있는 전국 인출단면을 에칭해서 전극을 노출시켜서 필름콘덴서를 제작하는 방법이 제안되어 있다.
그러나, 이 방법은 공업적으로 실시하는데는, 장치코스트가 비싸게 먹히고 또, 물리적인 에칭이기 때문에 에칭속도가 느려서, 생산성이 낮다고 하는 문제가 남아있다. 또, 이 방법에 의하면, 전극까지도 에칭되어 버리는 위에, 에칭시에 필름콘덴서에 높은 전압이 인가되기 때문에, 이온이나 전자의 조사에 의한 손상을 받아, 소망의 콘덴서 특성을 얻을 수 없다고 하는 문제도 있었다.
그리하여, 본 발명은 상기 종래의 방법에 있었던 문제에 비추어, 유기재료로 이루어진 유전체와 전극을 교호로 다중으로 중첩된 적층형 또는 두루마리형 필름콘덴서의 전극인출단면이 가지런히 일치되어 있는 필름콘덴서소자라도, 전극과 단면전극과의 양호한 전기적 접촉과, 단면전극의 충분한 부착강도를 얻을 수 있는 적층형 또는 두리마리형 필름콘덴서와, 그것을 생산성 좋게 제조할 수 있는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
그리고, 이 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 필름콘덴서의 전극인출을 해야할 단면을, 유전체를 구성하는 유기재료와 반응성이 있는 성분을 적어도 포함하는 가스에 접촉시켜서, 유전체의 전극인출단면쪽 부분을 화학적으로 제거하는 것이다.
이 구성에 의해, 전극이 단면으로부터 노출되므로, 단면전극과 노출전극과의 부착강도가 증대하고 양호한 전기적 접촉을 얻을 수 있다.
이하 본 발명을 실시하기 위한 최량의 실시예에 대해서 첨부도면을 참조하면서 상세히 설명한다.
제1도는 본 발명의 제1실시예인 적층형 필름콘덴서의 제조공정의 주요부를 표시한다.
도면에 있어서, (1)은 폴리페닐렌 황화물(PPS)필름을 사용한 편면금속화필름, (1a)는 전극이 되는 알루미늄 증착막, (3)은 마진부, (4)는 마진폭, (5)는 친콘덴서소자, (6)은 단면전극이다.
제2도는 복수개의 콘덴서 요소가 형성되도록 복수개의 마진부(3)가 형성되는 폭이 넓은 편면금속화필름(1)을 도시한 것이다.
제4도는 본 실시예에서 사용되는 산소플라즈마 처리장치를 도시한 것이다. 도면에 있어서, (10)은 감압유지가능한 진공용기, (11)은 석영창, (12)는 고주파가 인가되는 전극, (13)은 고주파전원, (14)는 알루미늄으로 이루어진 마스크이다.
본 실시예에 있어서, 먼저, 편면금속화필름(1)을, 제3도에 도시한 바와 같이, 서로 인접하는 1조의 마진폭(4)사이가 각각 상하의 필름에 의해서 1/2씩 어긋나도록 적층 또는 두루감아서, 적층물 또는 두루마리물로 하고, 이것을 전극인출면부의 1조의 마진폭(4)의 중앙부분에서 절단해서, 제1a도에 도시한 전극인출 단면이 가지런히 일치된 친콘덴서소자(5)를 형성한다.
다음에, 제4도에 도시한 산소플라즈마 처리장치에 의해, 친콘덴서소자(5)의 전극인출을 해야 할 단면을 산소플라즈마 접촉시켜서, 제1b도에 도시한 바와 같이, 필름(1)의 전극인출단면쪽 부분을 마진폭(4)보다 작은 폭으로 선택적으로 제거하여, 편면금속화필름(1)의 전극(1a)을 상기 단면으로부터 노출시키는 동시에 전극인출단면부의 각 유전체의 단면이 불규칙적인 요철을 이루고, 그 요철량이 0.2mm를 넘지 않는 범위에서 상기 단면중 90%이상이 되도록 형성한다. 그후, 상기 단면에 황동을 용사(溶射)하여, 동도면(C)에 도시한 바와같이, 단면전극(6)을 형성한 후, 마진형성방향과 직각인 방향으로 친콘덴서소자(5)를 절단하므로서, 단위콘데서소자를 얻는다.
또한, 산소플라즈마 처리장치에 의한 에칭조건은, 산소유량 60SCCM(여기서, SCCM은 Standard CC(유량의 단위)/Minute의 약자로서, 0℃, 1atm상태에서의 매분의 가스유량을 나타내는 단위임), 압력 1.0Torr, 고주파전력 40W로 하였다.
산소플라즈마에 의한 유기물 필름의 제거는, 유기물의 C-C, C-H, C-S등의 결합을 산소플라즈마속의 산소라디칼(유리기)이 공격하여, 유기물이 CO2, H2O나 SO2가스로 되어, 그것이 배출되므로서 행하여 진다.
또 편면금속화필름의 적층제 또는 두루마리체의 단면전극쪽 부분의 필름을 상기 방법에 의해 선택적으로 제거하면, 적층시 또는 두루말때에 미소한 간격이 금속화 필름의 비금속화쪽 편이, 그것이 없는 금속화부쪽 부분보다도 산소라디칼이 침입하기 쉽기 때문에 우선적으로 제거되어 각 필름의 단면이 테이퍼 형상으로 가공되는 것이 예상된다.
제1c도에 용사법에 의하여 형성된 단면전극(6)속에 알루미늄 증착막(1a)이 삽입개재되어 있는 이상적인 형태의 친콘덴서 소자(5)에 대해서 도시하고 있으나, 이것은, 알루미늄 증착막(1a)이 충분히 두꺼운 경우에 형성되는 필름콘덴서이며, 막두께가 얇은 알루미늄 증착막(1a)에 의한 경우에는, 제5도에 도시한 바와같이, 이 증착막(1a)의 삽입개재 부분을 눈으로 보고 확인하는 일은 매우 어렵다. 이 경우, 알루미늄 증착막(1a)은, 황동의 용사입자에 의해 전극인출 단면쪽으로 압압되어 있거나, 혹은 황동의 용사층속에 삽입 개재 또는 혼재해서 공결정(公結晶)을 형성하고 있는 것등이 생각될 수 있다. 또한, 제5도에 있어서 필름의 두깨를 2㎛, 알루미늄 증착막의 막두께는 300Å이고, 190개층을 적층한 것의 단면을 도시하고 있다.
도면에 도시한 바와같이, 전극인출단면부분의 요철은, 종래의 기술부분에서 설명한 어긋나게 감는 방법에 의해 형성된 전극인출단면부분과 달라서, 어떤 일정한 범위의 미소한 요철량(불균일량)이고, 그 요철에 규칙성이 없고 또한 전극인출단면부분 전체에 형성되어 있다. 또 전극인출단면에 착안하였을 경우, 필름제거 속도의 차때문에 종이면과 수직인 방향으로 필름단면에 굴곡이 형성된다. 이것에 의해, 단면전극과 접촉해야할 필름상의 전극부분의 적어도 일부분이 노출된 구조로 되어, 단면으로부터 돌출한 전극구조와 함께 제조상 안정성이 높고, 또 필름콘덴서의 소형화도 도모할 수 있다. 또, 이 요철량은, 선택적 제거전의 적층된 필름층 사이의 층간 접착력의 차에 의해 조정할 수 있고, 프레스하는 등에 의해 층간 접착력이 큰 것은 요철량이 작고, 층간 접착력이 작은 것은 요철량이 크다.
단면전극의 부착강도는, 이 요철량에 의해서 좌우되며, 요철량이 클수록 부착강도는 크다. 그러나, 요철량은 필름콘덴서의 소형화를 도모하기 위해서는 0.1mm이하로서 충분하며, 단면전극의 부착강도는 요철량이 소형콘덴서의 경우 10μmm정도에서도 충분히 얻을 수 있으므로, 콘덴서의 용도에 따라서 조정하는 것이 바람직하다.
이와같이, 본 실시예에서는, 친콘덴서소자(5)의 단면이 가지런히 일치된 전극 인출을 해야 할 단면을 산소플라즈마와 접촉시켜서, 마진폭(4)보다도 좁은 폭으로, 상기 단면쪽 부분의 필름만을 선택적으로 제거해서 전극(1a)을 상기 단면으로부터 노출시키고, 또, 전극인출단면부에 요철을 이루고, 그 요철량이 0.2mm를 넘지 않는 범위에서 상기 단면중 90%이상 있도록 형성하므로, 전극(1a)과 단면전극(6)과의 양호한 전기적 접촉과 단면전극(6)의 충분한 부착강도를 얻을 수 있다. 그 때문에, 필름콘덴서를 소형화하는 것이 가능하고, 또, 그 양산성도 우수하다.
제6도는 본 실시예의 두루마리형 필름콘덴서와, 일본국 특공소 58-24933호 공보에 의한 PPS필름을 사용한 두루마리형 필름콘덴서의 필림두께와 tanδ특성(유전손실각(δ)의 탄젠트 즉 손실계수특성)과의 관계를 대비시켜서 도시한 것이다.
이로부터, 본 발명에 의한 필름콘덴서의 특성은, 종래기술에 의해 제조된 필름콘덴서보다도 우수하다는 것을 알수 있다.
제7도는 본 실시예에 의한 필름콘덴서의 필름제거량과 tanδ특성과의 관계를 도시한 것이다.
이로부터, 제거전의 단면의 위치로부터 5㎛이상의 위치까지 필름을 제거하면, 충분한 콘덴서 특성을 얻을 수 있는 것을 알 수 있다. 그러나, 5㎛의 필름제거량으로는, 전기적인 접촉은 얻을 수 있으나, 전극인출단면부분의 요철이 충분한 것이 아니므로, 단면전극의 기계적 부착강도가 충분하지 않고, 이 경우에는 수지등으로 외장하는 등의 보강이 필요하게 된다.
다음에 본 발명에 제2실시예에 대해서 설명한다.
제8도는 본 실시예에 사용한 산소플라즈마 처리장치의 구성을 도시하고 있다.
이 장치가 제4도에 도시한 장치와 다른 점은 고주파전압이 인가되는 전극(12)과 필름콘덴서소자(5)와의 사이에, 접지된 금속네트(15)를 배치하고 있는 일이다.
이와같이 하므로서, 고주파전압이 전극(12)에 인가되었을때에, 플라즈마가 이전극(12)과 금속네트(15)와의 사이에서 발생하고, 산소의 이온류가 금속네트(15)에 의해서 트랩되어서, 산소라디칼(도면에서는 0°)만이 필름콘덴서소자(5)에 도달하게 된다. 그 때문에, 이온조사에 의해 필름콘덴서가 받는 손상을 적게할 수 있다.
먼저, 제1실시예에 나타낸 방법과 마찬가지로해서 친콘덴서소자(5)를 형성한 다음, 제8도에 도시한 산소플라즈마처리장치를 사용해서 단위콘덴서소자(5)의 전극인출을 해야 할 단면을 마진폭(4)보다 좁은 폭으로 산소라디칼에 의해 선택적 제거를 실시한다. 이에 의해, 필름의 단면쪽부분만이 선택적으로 제거된다. 이때, 편면금속화필름(1)의 전극(1a)을 상기 단면으로부터 노출시킴과 동시에, 전극인출단면부에 불규칙적인 요철을 형성하고, 그 요철량이 상기 단면중 0.2mm를 넘지 않는 범위에서 90%이상 연속해 있도록 형성한다. 그후 상기 단면에 황동을 용사해서 단면전극을 형성한 다음 친콘덴서소자를 마진과 직각인 방향으로 절단해서 단위콘덴서소자를 얻는다.
이와같이 해서 본 실시예에서는, 산소라디칼에 의해서 필름의 단면쪽부분만을 선택적으로 제거해서, 전극(1a)을 단면으로부터 노출시키고, 또한 전극인출단면 부분에 요철을, 그 요철량이 상기 단면중 0.2mm를 넘지 않는 범위에서 90%이상 있도록 형성하므로, 전극(1a)과 단면전극(6)과의 양호한 전기적 접촉과 단면전극(6)의 충분한 부착강도를 얻을 수 있다. 또, 이온에 의한 손상이 없기 때문에, 필름콘덴서의 특성이 향상된다.
제6도에 본 실시예 및 제1실시예 의해서 각각 제조된 필름콘덴서의 필름 두께와 tanδ특성과의 관계를 도시한다.
도면으로부터, 본 실시예에 의한 필름콘덴서쪽이, 제1실시예에 의한 필름콘덴서보다도 우수한 것을 알 수 있다. 이것은, 본실시예에서는 산소라디칼만에 의한 에칭처리가 이루어지고 있으므로, 제1실시예와 같이 이온에 의한 손상을 받고 있지 않은 것에 의한 것이라고 생각된다.
다음에, 본 발명의 제3실시예에 대해서 설명한다.
제9도는 본 실시예의 적층형 필름콘덴서의 제조방법의 공정의 주요부를 도시한 것이다.
도면에 있어서, (16)은 복수의 콘덴서소자를 가진 폭이 넓은 PPS 필름을 사용한 양면금속화필름으로서, 서로 인접하는 1조의 마진폭(4)의 사이가 각각 양면의 전극(16a)이 되는 알루미늄 증착막의 금속화부분에 의해서 1/2씩 어긋나게 증착되어 있다. (16a)이 전극, (17)은 폭이 넓은 PPS필름의 맞붙임 필름이다.
본 실시예가 제1, 제2실시예와 다른 점은, 폭이 넓은 양면금속화필름(16)과 맞붙임 필름(17)을 교호로 맞포개도록 두루감기 또는 적충하는 일이다.
본 실시예에 있어서는, 먼저, 폭이 넓은 양면금속화필름(16)과 폭이 넓은 맞붙임 필름(17)을 교호로 맞포개어지도록 두루감기 또는 적층하다. 얻어진 두루마리물 또는 적층물을 전극인출면부인 1조의 마진폭(4)의 중앙부분에서 절단해서, 제9a도에 도시한 바와같이 친콘덴서소자(5)를 형성한다. 다음에, 친콘덴서소자(5)의 전극인출단면을, 오존가스를 5%정도의 농도로 함유하는 가스에 접촉시켜서, 필름의 전극인출단면쪽 부분을 마진폭(4)보다도 좁은 폭으로 화학적으로 선택적 제거를 하고, 제9b도에 도시한 바와같이 양면금속화필름(16)의 전극(16a)을 상기 단면으로부터 노출시킴과 동시에, 전극인출단면부에 불규칙적인 요철을 이루고, 그 요철량이 상기 단면중 0.2mm를 넘지 않는 범위에서 90% 이상 있도록 형성한다. 그후, 제9c도에 도시한 바와같이, 상기 단면에 황동을 용사해서 단면전극(6)을 형성한 다음에, 마진(3)과 수직인 방향으로 친콘덴서소자(5)를 절단해서, 단위콘덴서소자를 얻는다.
이와같이, 본 실시예에서는, 친콘덴서소자(5)의 전극인출단면을 오존가스에 접촉시켜서 선택적으로 제거해서, 양면금속화필름(16)의 전극(16a)을 상기 단면으로부터 노출시킴과 동시에, 전극인출단면부에 요철을 형성하고, 그 요철량이 0.2mm를 넘지 않는 범위에서 상기 단면중 90%이상 있도록 형성하므로, 단면 전극(6)을 형성할때, 전극(16a)과 단면전극(6)과의 양호한 전기적인 접촉과, 단면전극(6)의 충분한 부착강도를 얻을 수 있다.
또, 본 실시예는, 제1 및 제2실시예와 달리, 상압에서 필름을 선택적으로 제거할 수 있으므로, 양산성이 우수한 방법이나, 실제에 있어서는 필름의 단면부분이 균일하게 제거되도록 가스내뿜기 방법을 연구할 필요가 있다.
다음에, 본 발명의 제4실시예인 적층인 필름콘덴서의 제조방법에 대해서 설명한다.
제10도는 본 실시예의 공정의 일부를 도시한 것이다. 도면에 있어서, (18)은 복수개의 콘덴서요소를 가진, 폭이 넓은 PPS필름을 사용한 편면금속화필름으로서, 폭이 넓은 편면금속화필름의 금속화면쪽에 폴리페닐렌옥사이드(PPO)의 도포유전체(18b)가 패턴을 형성하지 않고 전체면에 도포되어 있다.
먼저, 유전체(18b)가 도포되어 있는 편면금속화필름(18)을, 서로 인접하는 1조의 마진폭(4)의 사이가 각각, 상하의 필름에 의해서 1/2씩 어긋나도록 적층하거나 두루 감는다. 얻어진 두루마리물 혹은 적층물을 전극인출면부인 1조의 마진폭(4)의 중앙부분에서 절단해서, 제10a도에 도시한 바와 같이 친콘덴서소자(5)를 형성한다. 다음에, 콘덴서소자(5)의 전극인출단면을, 제4도에 도시한 산소플라즈마 처리장치에 의해서 발생시킨 산소라디칼에 접촉시켜서, 제10b도에 도시한 바와같이, 필름과 유전체(18b)의 전극인출단면쪽 부분을 마진폭(4)보다도 좁은 폭으로 선택적으로 제거한다. 그리고 제10c도에 도시한 바와같이, 상기 단면에 황동을 용사해서 단면전극(6)을 형성한 후, 마진(3)과 수직인 방향으로 친콘덴서소자(5)를 절단하여, 단위콘덴서소자를 얻는다.
이와같이, 본 실시예에서는, 친콘덴서소자(5)의 전극인출단면을 산소라디칼에 접촉시켜, 상기 필름(18)과 유전체(18b)의 단면쪽 부분을 선택적으로 제거해서 금속화필름(18)의 전극(18a)을 상기 단면으로부터 노출시키는 동시에, 전극인출단면부의 요철량이 0.2mm를 넘지 않는 범위에서 상기 단면중 90% 이상 있도록 형성하므로, 단면전극(6)을 형성할때, 전극(18a)과 단면전극(6)과의 양호한 전기적 접촉과, 단면전극(6)의 충분한 부착강도를 얻을 수 있다.
그런데, 종래의 유전체를 도포한 편면금속화필름을 적층해서 제조되는 필름콘덴서에 있어서는, 전극의 단면전극과 접촉하는 부분에 유전체가 도포되어 있지 않은, 패턴이 형성된 필름이 사용되고 있었으나, 본 실시예에서는 그와 같은 패턴을 형성할 필요가 없어지므로, 실시가 용이해지고, 양산성이 높아진다.
다음에, 본 발명의 제5실시예인 적층형 필름콘덴서의 제조방법에 대해서 설명한다.
제11도는 본 실시예의 공정의 일부를 도시한 것이다. 도면에 있어서, (20)은 폭이 넓은 PPS필름의 양면 금속화필름으로서, 복수개의 콘덴서요소를 가지고, 서로 인접하는 1조의 마진폭(4)의 사이가 각각, 양면의 전극(20a)이 되는 알루미늄 증착막의 금속화부에 의해서 1/2씩 어긋나 있다. PPS필름의 폭이 넓은 양면 금속화 필름의 양면에 PP0의 유전체(20b)가 패턴을 형성하지 않고 도포형성되어 있는 것이다.
먼저, 양면에 유전체(20b)가 도포되어 있는 폭이 넓은 양면금속화필름을, 제11도에 도시한 바와 같이, 한쪽면의 마진부(3)가 상하의 필름에 의해서 가지런히 일치되도록 두루감기 혹은 적층한다. 얻어진 두루마리물 혹은 적층물을 전극인출면부인 1조의 마진폭(4)의 중앙부분에서 절단해서, 제11a도에 도시한 바와 같은 친콘덴서소자(5)를 형성한다. 다음에, 친콘덴서소자(5)의 전극인출단면을 제4도에 도시한 장치에 의해서 발생시킨 SF6가스 혹은 CF4등의 불소계가스를 함유하는 플라즈마에 접촉시켜서, 제11b도에 도시한 바와 같이, 필름과 유전체(20b)의 전극인출단면부분을, 마진폭(4)보다도 좁은 폭으로 선택적으로 제거한다. 그리고, 제11c도에 도시한 바와 같이 상기 단면에 황동을 용사해서 단면전극(6)을 형성한 다음, 마진(3)과 수직인 방향으로 친콘덴서소자(5)를 절단해서, 단위콘덴서소자를 얻는다.
이와 같이, 본 실시예에서는, 친콘덴서소자(5)의 전극인출단면을, 불소계가스를 함유한 플라즈마에 접촉시켜서, 선택적 제거를 행하고, 양면금속화필름(20)의 전극(20a)을 상기 단면으로부터 노출시킴과 동시에, 전극인출단면부의 요철량이 0.2mm를 넘지 않는 범위에서 상기 단면중 90% 이상 있도록 형성하므로, 단면전극(6)을 형성할때에, 전극(20a)과 단면전극(6)과의 양호한 전기적 접촉과 단면전극(6)의 충분한 부착 강도를 얻을 수 있다.
또한, 본 실시예는, 제1∼제3실시예와 달리, 유전체와 필름의 선택적 제거시에 산소계의 가스를 사용하고 있지 않으므로, 전극의 산화염려가 없다. 단지, 산소계의 가스를 사용하였을 경우에 비해서 처리속도가 느리므로, 콘덴서의 사용목적에 따라서 실시하는 것이 바람직하다.
다음에 본 발명의 제6실시예인 두루마리형 필름콘덴서의 제조방법에 대해서 설명한다.
제12도는 본 실시예의 공정의 일부를 도시한 것이다. 도면에 있어서, (1)은 복수개의 콘덴서 요소를 가진 폭이 넓은 편면금속화 필름으로서, 제1및 제2실시예에서 사용한 필름과 동일한 구성의 것이다.
먼저, 제11도에 도시한 바와 같이, 폭이 넓은 편면금속화필름(1)을, 서로 인접하는 1조의 마진폭(4)의 사이가 각각, 2장의 필름에 의해서 1/2씩 어긋나게 해서 맞포개어지도록 두루 감는다. 얻어진 두루마리물을 전극인출면부인 1조의 마진폭(4)의 중앙부분에서 절단하여 단위콘덴서소자를 형성한 다음, 단위콘덴서 소자의 전극인출단면을, 제4도에 도시한 장치에 의해서 발생시킨 수소가스 플라즈마에 접촉시켜, 필름의 전극 인출단면쪽 부분을 마진폭(4)보다도 좁은 폭으로 선택적 제거를 행한다. 그리고, 상기 단면에 황동을 용사해서 단면전극(6)을 형성하여, 두루마리형 필름콘덴서소자를 얻는다.
이와 같이, 본 실시예에서는, 단면이 가지런히 일치된 두루마리형 필름콘덴서 소자의 전극인출단면을 수소가스 플라즈마에서 접촉시켜서 선택적으로 제거하고, 편면금속화 필름(1)의 전극(1a)을 상기 단면으로부터 노출시킴과 동시에, 전극 인출단면부의 요철량이 0.2mm를 넘지 않는 범위에서 상기 단면중 90% 이상 있도록 형성하므로, 단면전극(6)을 형성할때에, 전극(1a)과 단면전극(6)과의 양호한 전기적 접촉과, 단면전극의 충분한 부착강도를 얻을 수 있다. 그 위에, 단위콘덴서 요소로 절단, 분할하는 일 없이, 폭이 엷은 필름 그대로, 두루감을 수 있으므로 두루마리형콘덴서를 양산성 좋게 제조할 수 있다.
또한, 본 실시예는, 제3실시예와 마찬가지로 전극인출단면부분의 선택적 제거에 산소가스를 사용하지 않으므로, 전극이 산화되어 버릴 염려가 없으나, 산소가스를 사용하였을 경우에 비해서 처리속도가 느리므로 콘덴서의 용도에 따라서 실시하는 것이 바람직하다.
다음에, 본 발명의 제7실시예인 두루마리형 필름콘덴서의 제조방법에 대해서 설명한다.
제13도는 본 실시예의 공정의 일부를 도시한 것이다. 도면에 있어서, (16)은 복수개의 콘덴서 요소를 가진 PPS필름의 양면금속화 필름으로서, 서로 인접하는 1조의 마진폭의 사이가 각각, 양면의 금속화부에 의해서 1/2씩 어긋나게 해서 증착되어 있다. (17)은 폭이 넓은 PPS필름의 맞붙임 필름으로서, 이상은 제3의 실시예에서 사용한 필름과 동일한 것이다.
먼저, 제13도에 도시한 바와 같이, 폭이 넓은 양면금속화필름(16)과 맞붙임 필름(17)을 맞포개어 두루감아서, 얻어진 두루마리물을 1조의 마진폭(4)의 중앙 부분에서 절단해서, 단위콘덴서소자를 형성한다. 그리고, 단위콘덴서소자의 전극인출단면을, 제5도에 도시한 산소플라즈마 처리장치에 의해 발생시킨 산소 라디칼에 접촉시켜서, 필름전극인출단면쪽 부분을 마진폭(4)보다도 작은 폭으로 선택적 제거를 행한다. 그후, 상기 단면에 황동을 용사해서 단면전극을 형성하여, 두루마리형 필름콘덴서소자를 얻는다.
이와 같이, 본 실시예에서는 두루마리형 필름콘덴서소자의 전극인출단면을 산소 라디칼에 접촉시켜서 선택적으로 제거해서, 전극(16a)을 상기 단면으로부터 노출시킴과 동시에, 전극인출단면부의 요철량이 0.2mm를 넘지 않는 범위에서 사이 단면중 90% 이상 있도록 형성하므로, 단면전극(6)을 형성할때에 전극(16a)과 단면전극(6)과의 양호한 전기적 접촉과, 단면전극의 충분한 부착강도를 얻을 수 있다. 또, 본 실시예에 의하면, 단위콘덴서요소로 절단, 분할하는 일없이, 폭이 넓은 필름 그대로, 두루감기할 수 있으므로 두루마리형 필름콘덴서를 양산성 좋게 제조할 수 있다.
다음에 본 발명의 제8실시예인 두루마리형 필름콘덴서의 제조방법에 대해서 설명한다.
제14도는 본 실시예의 공정의 일부를 도시한 것이다.
도면에 있어서, (18)은 복수개의 콘덴서 요소를 가진, PPS필름의 폭이 넓은 편면금속화 필름이며, 그 금속화면쪽에 PPO의 유전체층이 도포형성되어 있는 것으로서, 제4실시예에서 사용한 필름과 동일한 것이다.
먼저 제14도에 도시한 바와 같이, 2장의 폭이 넓은 필름(18)을 서로 인접하는 1조의 마진폭(4)의 사이가 각각, 2장의 필름에 의해서 1/2씩 어긋나게 해서 맞포개지도록 두루감는다. 얻어진 두루마리물을 상기 1조의 마진폭(4)의 중앙 부분에서 절단하여, 단위콘덴서소자를 형성한다. 그리고, 단위콘덴서소자의 전극인출 단면을, 제5도에 도시한 장치에 의해서 발생시킨 산소라디칼에 접촉시켜서, 필름의 전극인출단면쪽 부분을 마진폭(4)보다도 좁은 폭으로 선택적 제거를 행한다. 그후, 상기 단면에 황동을 용사해서 단면전극을 형성하여, 두루마리형 필름콘덴서소자를 얻는다.
이와 같이, 본 실시예에서는, 두루마리형 필름콘덴서소장의 전극인출단면을 산소라디칼에 접촉시켜서 선택적으로 제거하고, 편면금속화필름(18)의 전극(18a)을 상기 단면으로부터 노출시킴과 동시에, 전극인출단면부의 요철량이 0.2mm를 넘지 않는 범위에서 상기 단면중 90% 이상 있도록 형성하므로, 단면전극(6)을 형성할때에, 전극(18a)과 단면전극(6)과의 양호한 전기적 접촉과 단면전극의 충분한 부착강도를 얻을 수 있다. 또, 본 실시예에 의하면 단위콘덴서요소로 절단하는 일없이, 폭이 넓은 필름그대로, 두루감기할 수 있으므로, 두루마리형 필름콘덴서를 양산성 좋게 제조할 수 있다.
다음에, 본 발명의 제9실시예인 두루마리형 필름콘덴서의 제조방법에 대해서 설명한다.
제15도는 본 실시예의 공정의 일부를 도시한 것이다. 도면에 있어서, (20)은 복수개의 콘덴서요소를 가진, PPS필름을 사용한 양면금속화 필름으로서, 서로 인접하는 1조의 마진폭(4)의 사이가 각각, 양면의 금속화부에 의해서 1/2씩 어긋나 있고, 또한 그 양면에는 PPO의 유전체가 도포되어 있다. 이것은 제4실시예에 사용한 필름과 동일한 것이다.
먼저, 제15도에 도시한 바와 같이, 필름(20)을 두루감아서 두루마리물을 얻고, 그것을 1조의 마진폭(4)의 중앙부분에서 절단하여, 단위콘덴서소자를 형성한다. 다음에 상기 단위콘덴서소자의 전극인출단면을, 제4도에 도시한 산소플라즈마 처리장치에 의해 발생시킨 산소라디칼에 접촉시켜서, 필름과 유전체(20b)의 전극인출단면쪽 부분을 마진폭(4)보다도 좁은 폭으로 선택적 제거를 행한다. 그 다음에, 상기 단면에 황동을 용사해서 단면전극을 형성하여, 두루마리형 필름 콘덴서소자를 얻는다.
이와 같이, 본 실시예에서는, 두루마리형 필름콘덴서소자의 전극인출단면을 산소라디칼에 접촉시켜서 선택적으로 제거하여, 전극(20a)을 상기 단면으로부터 노출시킴과 동시에, 전극인출단면부의 요철량이 0.2mm를 넘지 않는 범위에서 상기 단면중 90% 이상 있도록 형성하므로, 단면전극(6)을 형성할때에, 전극(20a)과 단면전극과의 양호한 전기적 접촉과 단면전극의 충분한 부착강도를 얻을 수 있다. 또, 본 실시예에 의하면, 단위콘덴서요소로 절단, 분할하는 일 없이, 폭이 넓은 필름 그대로 두루감기할 수 있으므로 두루마리형 필름콘덴서를 양산성 좋게 제조할 수 있다.
다음에, 제16도는 본 발명의 제10실시예인 적층형 필름콘덴서의 단면도이다. 동도면에 있어서, (1)은 PPS필름의 편면금속화 필름, (1a)는 전극이 되는 알루미늄 증착막, (3)은 마진부, (4)는 마진폭, (6)은 단면전극으로서, 이상은 제1도에 도시한 필름콘덴서와 마찬가지의 구성을 하고 있다. 제1도에 도시한 구성과 다른 점은 전극인출을 해야 할 단면과 용사에 의해 형성되는 황동의 도전층(8)과의 사이에, 저온 스퍼터링법에 의해서 형성된 두께 3㎛의 알루미늄 콘택트층(7)을 형성하고 있는 점이다.
이 구조의 적층형 필름콘덴서는, 다음과 같이 해서 제작된다.
제1실시예와 마찬가지로 해서 단위콘덴서소자(5)를 형성하고, 제2실시예에서 사용한 산소플라즈마 처리 장치에 의해 단위콘덴서소자(5)의 전극인출을 해야 할 단면을 산소라디칼에 접촉시켜서, 상기 필름의 단면 부분만을 마진폭(4)보다 좁은 폭으로 선택적 제거를 행하여, 편면금속화 필름(1)의 전극(1a)을 상기 단면으로부터 노출시킴과 동시에, 전극인출단면부에 요철을 형성하고, 그 요철량이 0.2mm을 넘지 않는 범위에서 상기 단면중 90% 이상 있도록 형성한다. 이상은 제2실시예에 표시한 방법과 마찬가지이나, 본 실시예에서는, 또, 편면금속화 필름(1)의 전극(1a)이 노출된 상기 단면에 저온 스퍼터링법에 의해서 두께 3㎛의 알루미늄 콘택트층(7)을 형성한 다음 황동을 용사해서, 단면전극(6)을 형성한다.
이와 같이, 산소플라즈마 처리에 의해 필름을 화학적으로 선택적 제거한 단면과, 용사에 의해 형성되는 황동의 도전층(8)과의 사이에, 저온 스퍼터링법에 의해서 3㎛의 알루미늄 콘택트층(7)을 형성하므로서, 필름콘덴서의 tanδ특성을 더욱 향상시킬 수 있다.
제17도는 제2실시예와 제10실시예에 의해 제조된 필름콘덴서의 필름 두께와 tanδ특성의 관계를 비교해서 표시한 도면이다.
또한, 단면전극의 형성에 관해서 제1∼제10실시예에서는 황동의 용사에 의해서 형성하고 있으나, 그 이외에도, 알루미늄과 공결정을 형성하는 금속이나 고용체를 용사해서 단면전극을 형성해도 되며, 또, 도전성도료를 도포하거나, 필름콘덴서의 내열온도이하의 융점을 가진 저융점 금속을 융용도금하거나, 혹은, 저온 스퍼터링이나 진공증착등과 같은 진공도금 가공기술에 의해서 단면전극을 형성하거나 해도 된다. 또, 제10실시예에서는, 전극인출단면과 용사에 의해 형성되는 황동의 도전층과의 사이의 콘택트층을, 알루미늄의 저온 스퍼터링에 의해서 형성하고 있으나, 알루미늄 이외에 그것과 공결정을 형성하는 금속 혹은 고용체를 저온 스퍼터링하여 콘택트층을 형성해도 되며, 혹은 금속의 진공증착 가공등의 진공도금법에 의해서 콘택트층을 형성해도 된다.
필름에 관해선, 제1∼제10실시예에서는 PPS를 사용하고 있으나, 폴리 에틸렌테레프탈레이트 혹은 폴리프로필렌등을 사용해도 된다. 또, 제4,제5,제7 및 제8실시예에 있어서, 금속화 필름에 코팅하는 유전체로서 PPO를 사용하고 있으나, 그 대신에 폴리카보네이트를 사용해도 된다. 전극인출단면의 화학적인 선택적 제거에 관해서는 제1∼제10실시예에 있어서, 산소플라즈마를 사용하는 방법, 산소플라즈마로부터 인출한 산소라디칼을 사용하는 방법, 오즌을 사용하는 방법, 불소계의 가스플라즈마를 사용하는 방법 및 수수 가스플라즈마를 사용하는 방법의 어느 하나의 방법을 사용해도 된다. 또, 제1,제2 및 제7∼10실시예에 있어서, 유전체의 제거속도를 높이기 위해서 산소가스중에 CF4,SF6및 N2O중 적어도 1개의 성분을 첨가해도 된다.
또, 제3실시예에 있어서는, 오존가스중에 소량의 NO2를 첨가하거나, 혹은 자외선을 조사하므로서, 유전체의 제거속도를 향상시킬 수 있다.
또, 제1∼제10실시예에 있어서 사용한 필름콘덴서소자의 마진부분(4)을, 예를들면 제22도에 도시한 바와 같이 교호로 한쪽의 끝가장자리쪽에 배치한 구성으로 해도 된다.
이상과 같이 본 발명은, 필름콘덴서소자의 전극인출을 행하는 단면이 가지런히 일치한 단면을 유기재료와 반응성가스를 적어도 함유하는 가스에 접촉시켜, 유전체의 전극인출단면쪽 부분을 화학적으로 선택적 제거를 실시하고, 전극을 상기 단면으로부터 노출시킴과 동시에, 전극인출단면부의 요철량이 0.2mm를 넘지 않는 범위에서 상기 단면중 90% 이상 있도록 형성하므로서 전극과 단면전극과의 양호한 전기적인 접촉과 단면전극의 충분한 부착강도를 얻을 수 있고, 특성이 뛰어난 적층형 혹은 두루마리형 필름콘덴서를 양산성 좋게 생산할 수 있다.

Claims (20)

  1. 복수개의 전극과, 상기 전극 사이에 배치되어 있는, 적어도 1층 이상의 유기재료로 이루어진 유전체와, 전극인출단면에 각각 부여되고, 상기 전극과 교호로 접속되어 있는 단면전극을 구비하고, 상기 전극인출단면부에 있어서 서로 인접하는 유전체의 단면이 요철면을 이룬 것을 특징으로 하는 필름콘덴서.
  2. 제1항에 있어서, 단면전극의 적어도 일부분이, 전극인출단면으로부터 5㎛이상 돌출하는 전극끝가장자리부분 사이에 삽입개재되어 있는 것을 특징으로 하는 필름콘덴서.
  3. 복수개의 전극과, 상기 전극 사이에 배치되어 있는, 적어도 1층 이상의, 유기재료로 이루어진 유전체와의 적층물 혹은 두루마리물에 있어서의 상기 유전체의 단면이 가지런히 일치되어 있는 전극인출단면을, 상기 유기 재료와 반응성이 있는 성분을 적어도 함유하는 가스에 접촉시켜서, 상기 유전체의 상기 전극인출단면쪽 부분을 화학적으로 선택적 제거를 행한 후에, 단면전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 필름콘덴서의 제조방법.
  4. 제3항에 있어서, 유전체의 전극인출단면쪽 부분을 적어도 산소를 함유하는 플라즈마에 의해서 선택적 제거를 하는 것을 특징으로 하는 필름콘덴서의 제조방법.
  5. 제3항에 있어서, 유전체의 전극인출단면쪽 부분을, 산소를 함유하는 CF4,SF6및 N2O중의 적어도 1종을 첨가한 플라즈마에 의해서 선택적 제거를 하는 것을 특징으로 하는 필름콘덴서의 제조방법.
  6. 제3항에 있어서, 유전체의 전극인출단면쪽 부분을, 적어도 산소를 함유하는 플라즈마로부터 인출한 산소라디칼에 의해서 선택적 제거를 하는 것을 특징으로 하는 필름콘덴서의 제조방법.
  7. 제3항에 있어서, 유전체의 전극인출단면쪽 부분을, 적어도 오존을 함유하는 가스에 의해서 선택적 제거를 하는 것을 특징으로 하는 필름콘덴서의 제조방법.
  8. 제3항에 있어서, 유전체의 전극인출단면쪽 부분을, 적어도 오존을 함유하는 가스에 N2O를 첨가한 가스에 의해서 선택적 제거를 하는 것을 특징으로 하는 필름콘덴서의 제조방법.
  9. 제7항에 또는 제8항에 있어서, 유전체의 전극인출단면쪽 부분을 선택적 제거할때에, 자외선을 조사하는 것을 특징으로 하는 필름콘덴서의 제조방법.
  10. 제3항에 있어서, 유전체의 전극인출단면쪽 부분을, 적어도 불소 또는 수소를 함유하는 가스플라즈마에 의해서 선택적 제거를 하는 것을 특징으로 하는 필름 콘덴서의 제조방법.
  11. 복수개의 콘덴서 요소를 가진 폭이 넓은 편면금속화 필름을 두루감기 또는 적층하는 공정과, 상기 공정에서 얻어진 두루마리물 혹은 적층물을 전극인출단면 부분에서 절단하는 공정과, 상기 전극인출단면을, 상기 필름을 구성하는 유기재료와 반응성이 있는 성분을 적어도 함유하는 가스에 접촉시켜서, 상기 필름의 상기 전극인출단면쪽 부분을 선택적으로 제거하는 공정과, 상기 전극인출단면 부분에 단면전극을 형성하는 공정을 가진 것을 특징으로 하는 적층형 필름콘덴서의 제조방법.
  12. 복수개의 콘덴서 요소를 가진, 폭이 넓은 양면금속화필름과 폭이 넓은 맞붙임 필름을 교호로 맞포개어지도록 두루감거나 또는 적층하는 공정과, 상기 공정에서 얻어진 두루마리물 혹은 적층물을 전극인출단면 부분에서 절단하는 공정과, 상기 전극인출단면을, 상기 필름을 구성하는 유기재료와 반응성이 있는 성분을 적어도 함유하는 가스에 접촉시켜서, 상기 필름의 상기 전극인출단면쪽 부분을 선택적으로 제거하는 공정과, 상기 전극인출단면 부분에 단면전극을 형성하는 공정을 가진 것을 특징으로 하는 적층형 필름콘덴서의 제조방법.
  13. 복수개의 콘덴서 요소를 가진 폭이 넓은 편면금속화 필름의 금속 화면쪽에 유기재료로 이루어진 유전체층을 형성하는 공정과, 상기 유전체층을 가진 편면금속화 필름을 두루감기 또는 적층하는 공정과, 상기 공정에서 얻어진 두루마리물 혹은 적층물을 전극인출단면 부분에서 절단하는 공정과, 상기 전극인출단면을, 상기 필름 및 상기 유전체를 구성하는 유기재료와 반응성이 있는 성분을 적어도 함유하는 가스에 접촉시켜서, 상기 필름 및 상기 유전체의 상기 전극인출단면쪽 부분을 선택적으로 제거하는 공정과, 상기 전극인출단면 부분에 단면전극을 형성하는 공정을 가진 것을 특징으로 하는 적층형 필름콘덴서의 제조방법.
  14. 복수개의 콘덴서 요소를 가진 폭이 넓은 양면금속화 필름의 양면에, 유기재료로 이루어진 유전체층을 형성하는 공정과, 상기 유전체층을 가진 양면금속화 필름을 두루감기 또는 적층하는 공정과, 상기 공정에서 얻어진 두루마리물 혹은 적층물을 전극인출단면 부분에서 절단하는 공정과, 상기 전극인출단면을, 상기 필름 및 상기 유전체를 각각 구성하는 유기재료와 반응성이 있는 성분을 적어도 함유하는 가스에 접촉시켜서, 상기 필름 및 상기 유전체의 상기 전극인출단면쪽 부분을 선택적으로 제거하는 공정과, 상기 전극인출단면 부분에 단면전극을 형성하는 공정을 가진 것을 특징으로 하는 적층형 필름콘덴서의 제조방법.
  15. 복수개의 콘덴서 요소를 가진 폭이 넓은 편면금속화 필름 2장을 맞포개어지도록 두루감는 공정과 상기 공정에서 얻어진 두루마리물을 전극인출 단면 부분에서 절단하는 공정과, 상기 전극인출단면을, 상기 필름을 구성하는 유기재료와 반응성이 있는 성분을 적어도 함유하는 가스에 접촉시켜서, 상기 필름의 상기 전극인출단면쪽 부분을 선택적으로 제거하는 공정과, 상기 전극인출단면 부분에 단면전극을 형성하는 공정을 가진 것을 특징으로 하는 두루마리형 필름콘덴서의 제조방법.
  16. 복수개의 콘덴서 요소를 가진 폭이 넓은 양면금속화필름과 폭이 넓은 맞붙임 필름을 맞포개어지도록 두루감는 공정과, 상기 공정에서 얻어진 두루마리물을 전극인출단면 부분에서 절단하는 공정과, 상기 전극 인출 단면을, 상기 필름을 구성하는 유기재료와 반응성이 있는 성분을 적어도 함유하는 가스에 접촉시켜서, 상기 필름의 상기 전극인출단면쪽 부분을 선택적으로 제거하는 공정과, 상기 전극인출단면부분에 단면전극을 형성하는 공정을 가진 것을 특징으로 하는 두루마리형 필름콘덴서의 제조방법.
  17. 복수개의 콘덴서 요소를 가진 폭이 넓은 편면금속화 필름의 금속화면쪽에 유지재료로 이루어지는 유전체를 도포하는 공정과 상기 유전체가 도포된 편면금속화필름 2장을 맞포개어 두루감는 공정과, 상기 공정에서 얻어진 두루마리물을 전극인출단면 부분에서 절단하는 공정과, 상기 전극인출단면을, 상기 필름 및 상기 유전체를 구성하는 유기재료와 반응성이 있는 성분을 적어도 함유하는 가스에 접촉시켜서, 상기 필름 및 상기 유전체의 전극 인출 단면쪽 부분을 선택적으로 제거하는 공정과, 상기 전극인출단면에 단면전극을 형성하는 공정을 가진 것을 특징으로 하는 두루마리형 필름콘덴서의 제조방법.
  18. 복수개의 콘덴서요소를 가진 폭이 넓은 양면금속과 필름의 양면에 유기 재료로 이루어진 유전체층을 형성하는 공정과, 상기 유전체층을 가진 양면 금속화 필름을 두루감는 공정과, 상기 공정에서 얻어진 두루마리물을 전극 인출단면부분에서 절단하는 공정과, 상기 전극인출단면을, 상기 필름 및 상기 유전체를 구성하는 유기재료와 반응성이 있는 성분을 적어도 함유하는 가스에 접촉시켜서, 상기 필름 및 상기 유전체의 전극인출단면쪽부분을 선택적으로 제거하는 공정과, 상기 전극인출단면부분에 단면전극을 형성하는 공정을 가진 것을 특징으로 하는 두루마리형 필름콘덴서의 제조방법.
  19. 제3항에 있어서, 상기 진공도금가공에 의해 형성되는 콘텍트층과, 용사에 의해 형성되는 도전제 층으로 단면전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 필름콘덴서의 제조방법.
  20. 복수개의 전극과, 상기 전극간에 설치되어 있는 적어도 1층 이상의, 유기 재료로 이루어지는 유전체와의 적층물 또는 두루마리물의, 상기 유전체의 위치가 단면이 가지런히 일치하고 있는 전극인출단면을, 상기 유기재료와 반응성이 있는 성분을 적어도 함유하는 가스에 접촉시켜서, 상기 유전체의 상기 전극인출단면쪽 부분을 선택적으로 제거하는 것을 특징으로 하는 필름콘덴서의 제조방법.
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Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02146715A (ja) * 1988-11-28 1990-06-05 Hitachi Condenser Co Ltd フィルムコンデンサ
JPH0793238B2 (ja) * 1989-06-30 1995-10-09 松下電器産業株式会社 フィルムコンデンサの製造方法
JPH0793239B2 (ja) * 1990-02-13 1995-10-09 松下電器産業株式会社 金属化プラスチックフィルムコンデンサの製造方法
WO1993014881A1 (en) * 1992-02-03 1993-08-05 The United States Of America Secretary Of The Army, The Pentagon Polymer based film capacitor with increased dielectric breakdown strengths
US5548474A (en) * 1994-03-01 1996-08-20 Avx Corporation Electrical components such as capacitors having electrodes with an insulating edge
CN100419925C (zh) 1997-11-18 2008-09-17 松下电器产业株式会社 层叠体及电容器
CN1257053C (zh) * 1997-11-18 2006-05-24 松下电器产业株式会社 层叠体和电容器
JP4814408B2 (ja) * 1998-10-20 2011-11-16 パナソニック株式会社 フィルムコンデンサの製造方法及びその製造装置
US6483692B2 (en) 2000-12-19 2002-11-19 Intel Corporation Capacitor with extended surface lands and method of fabrication therefor
US6785797B2 (en) 2000-12-19 2004-08-31 Intel Corporation Address predicting apparatus and methods
JP2003332169A (ja) * 2002-05-15 2003-11-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 積層コンデンサ及びその製造方法
US7700984B2 (en) * 2005-05-20 2010-04-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Semiconductor device including memory cell
WO2007139165A1 (ja) * 2006-05-31 2007-12-06 Soshin Electric Co., Ltd. フィルムコンデンサ
CN101197232B (zh) * 2007-12-28 2010-10-13 南京华显高科有限公司 等离子体显示器中介质层的制作方法
DE102012104033A1 (de) * 2012-05-08 2013-11-14 Epcos Ag Keramischer Vielschichtkondensator
JP2013247206A (ja) * 2012-05-25 2013-12-09 Kojima Press Industry Co Ltd フィルムコンデンサ素子及びフィルムコンデンサ並びにフィルムコンデンサ素子の製造方法
JP2015170695A (ja) * 2014-03-06 2015-09-28 株式会社村田製作所 積層型フィルムコンデンサ、コンデンサモジュール、および電力変換システム
DE102015219696A1 (de) * 2014-10-13 2016-04-14 Leibniz-Institut Für Festkörper- Und Werkstoffforschung Dresden E.V. Verfahren zur Herstellung eines kompakten Mikro- oder Nano-Kondensators und kompakter Mikro- oder Nano-Kondensator
WO2019023307A1 (en) * 2017-07-27 2019-01-31 Kemet Electronics Corporation INCREASING THE OPERATING TEMPERATURE OF BOPP-BASED CAPACITORS BY FLUORATING A FILM
WO2021085218A1 (ja) * 2019-10-30 2021-05-06 京セラ株式会社 フィルムコンデンサ素子

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB480713A (en) * 1936-08-28 1938-02-28 John James Victor Armstrong Improvements in or relating to electrical condensers
US3257305A (en) * 1961-08-14 1966-06-21 Texas Instruments Inc Method of manufacturing a capacitor by reactive sputtering of tantalum oxide onto a silicon substrate
US3397085A (en) * 1962-12-27 1968-08-13 Union Carbide Corp Thin film capacitors
US3783480A (en) * 1972-03-09 1974-01-08 Mallory & Co Inc P R Method of making a capacitor
DE2235701A1 (de) * 1972-07-20 1974-01-31 Siemens Ag Verfahren zur herstellung eines elektrischen kondensators, insbesondere stapel- oder schichtkondensators
DE2324496A1 (de) * 1973-05-15 1974-12-05 Siemens Ag Elektrischer kondensator
US4102021A (en) * 1975-10-06 1978-07-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for making capacitors with plated terminals
DE3224194A1 (de) * 1982-06-29 1983-12-29 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Stirnkontaktierter elektrischer wickelkondensator und verfahren zu seiner herstellung
JPS5937564A (ja) * 1982-08-27 1984-03-01 Canon Inc 転写材搬送装置
JPH0232775B2 (ja) * 1983-02-25 1990-07-23 Marukon Denshi Kk Sekisogatafuirumukondensanoseizohoho
JPS59163826A (ja) * 1983-03-08 1984-09-14 Toshiba Corp ドライエツチング方法
JPS59165423A (ja) * 1983-03-11 1984-09-18 Comput Basic Mach Technol Res Assoc 有機樹脂膜のテ−パ−エツチング方法
US4613518A (en) * 1984-04-16 1986-09-23 Sfe Technologies Monolithic capacitor edge termination
JPS62190828A (ja) * 1986-02-18 1987-08-21 松下電器産業株式会社 金属化フイルムコンデンサの製造方法
JPS62272539A (ja) * 1986-05-20 1987-11-26 Fujitsu Ltd レジスト除去方法
JPS63262843A (ja) * 1987-04-20 1988-10-31 Nec Corp ガスプラズマエツチング法

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Publication number Publication date
EP0335358B1 (en) 1993-11-03
DE68910356T2 (de) 1994-05-19
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DE68910356D1 (de) 1993-12-09
JPH01248607A (ja) 1989-10-04
US4959748A (en) 1990-09-25
EP0335358A2 (en) 1989-10-04
EP0335358A3 (en) 1990-05-30
KR890015317A (ko) 1989-10-28

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