JP2742818B2 - 積層フィルムコンデンサの製造方法 - Google Patents
積層フィルムコンデンサの製造方法Info
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- JP2742818B2 JP2742818B2 JP19298989A JP19298989A JP2742818B2 JP 2742818 B2 JP2742818 B2 JP 2742818B2 JP 19298989 A JP19298989 A JP 19298989A JP 19298989 A JP19298989 A JP 19298989A JP 2742818 B2 JP2742818 B2 JP 2742818B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、電気機器および電子機器に広く用いられる
積層フィルムコンデンサの製造方法に関するものであ
る。
積層フィルムコンデンサの製造方法に関するものであ
る。
従来、この種の積層フィルムコンデンサは第６図に示
すように、ポリエチレンテレフタレート、ポリフェニレ
ンサルファイド等の高分子フィルム膜（21）の主表面に
アルミニウム、亜鉛等の金属膜（22）を蒸着してなる複
数枚の金属化プラスチックフィルム層（23）を積層して
母体コンデンサ（24）を形成し、この母体コンデンサ
（24）を回転鋸刃等の切断刃（Ｃ）を用いて機械的に切
断分割して複数個の単位コンデンサを得る方法により製
造されていた。なお、（25）は亜鉛からなるコンデンサ
電極であって、母体コンデンサ（24）の両側面に溶射に
より形成されるものである。
すように、ポリエチレンテレフタレート、ポリフェニレ
ンサルファイド等の高分子フィルム膜（21）の主表面に
アルミニウム、亜鉛等の金属膜（22）を蒸着してなる複
数枚の金属化プラスチックフィルム層（23）を積層して
母体コンデンサ（24）を形成し、この母体コンデンサ
（24）を回転鋸刃等の切断刃（Ｃ）を用いて機械的に切
断分割して複数個の単位コンデンサを得る方法により製
造されていた。なお、（25）は亜鉛からなるコンデンサ
電極であって、母体コンデンサ（24）の両側面に溶射に
より形成されるものである。
このような機械的な切断分割によって製造される積層
フィルムコンデンサは、両端面が切断分割による積層切
断面となっているが、これらの積層切断端面においては
第７図に示すように、同端面に表出した反対極性の金属
膜（22）どうしが付着したり、あるいは誘電体である各
層の高分子フィルム膜（21）が積層切断端面上で伸ばさ
れて溶融して金属膜（22）が覆われたりする。このよう
なコンデンサに電圧を印加すると、内部電極となる各層
の金属膜（22）間に短絡が生じたり、あるいは沿面放電
による絶縁抵抗の低下を来したりするという不都合があ
る。
フィルムコンデンサは、両端面が切断分割による積層切
断面となっているが、これらの積層切断端面においては
第７図に示すように、同端面に表出した反対極性の金属
膜（22）どうしが付着したり、あるいは誘電体である各
層の高分子フィルム膜（21）が積層切断端面上で伸ばさ
れて溶融して金属膜（22）が覆われたりする。このよう
なコンデンサに電圧を印加すると、内部電極となる各層
の金属膜（22）間に短絡が生じたり、あるいは沿面放電
による絶縁抵抗の低下を来したりするという不都合があ
る。
このような不都合の防止策として、従来では第８図に
示すように、両方のコンデンサ電極（24）にそれぞれ高
周波電源（26）の端子板（27）を接続して、両電極（2
4）間に、使用時の電圧よりも高い電圧を印加して、積
層切断端面に表出した金属膜（22）の不要部分を焼失さ
せる方法を採用していた。
示すように、両方のコンデンサ電極（24）にそれぞれ高
周波電源（26）の端子板（27）を接続して、両電極（2
4）間に、使用時の電圧よりも高い電圧を印加して、積
層切断端面に表出した金属膜（22）の不要部分を焼失さ
せる方法を採用していた。
しかしながら、このような従来方法の場合、積層切断
端面になお短絡部分が存在するときは絶縁が回復しな
い。また、高電圧を印加するため、逆に何等の不都合も
ない部分まで焼失して絶縁抵抗の低下をもたらす虞れが
あるという問題点があった。
端面になお短絡部分が存在するときは絶縁が回復しな
い。また、高電圧を印加するため、逆に何等の不都合も
ない部分まで焼失して絶縁抵抗の低下をもたらす虞れが
あるという問題点があった。
本発明は、このような問題点を解決するためになされ
たもので、積層フィルムコンデンサの絶縁抵抗を向上さ
せることが可能な積層フィルムコンデンサの製造方法を
提供することを目的とするものである。
たもので、積層フィルムコンデンサの絶縁抵抗を向上さ
せることが可能な積層フィルムコンデンサの製造方法を
提供することを目的とするものである。
このような目的を達成するために本発明は、誘電体と
しての高分子フィルム膜上に金属膜を形成してなる複数
枚の金属化プラスチックフィルム層を積層して母体コン
デンサを形成し、この母体コンデンサを切断分割して複
数個の単位コンデンサを形成し、この各単位コンデンサ
の前記切断分割により形成された両積層切断端面に表出
した前記高分子フィルム膜の不要部分を化学的な選択に
より排除した後、前記積層切断端面にプラズマによるエ
ッチング処理を施して、同積層切断端面に表出した前記
金属膜の不要部分を除去することを特徴とするものであ
る。
しての高分子フィルム膜上に金属膜を形成してなる複数
枚の金属化プラスチックフィルム層を積層して母体コン
デンサを形成し、この母体コンデンサを切断分割して複
数個の単位コンデンサを形成し、この各単位コンデンサ
の前記切断分割により形成された両積層切断端面に表出
した前記高分子フィルム膜の不要部分を化学的な選択に
より排除した後、前記積層切断端面にプラズマによるエ
ッチング処理を施して、同積層切断端面に表出した前記
金属膜の不要部分を除去することを特徴とするものであ
る。
上記構成により、積層フィルムコンデンサの両積層切
断端面に表出した高分子フィルム膜の不要部分を化学的
に選択除去し、その後、反応性イオンエッチング法等に
よりエッチング処理を施すことにより、高分子フィルム
膜に覆われていて絶縁不良の原因となる金属膜もエッチ
ングにより不要部分を除去できるので、積層切断面の表
面から数μｍ内部までの金属膜の不要部分を除去あるい
は破砕することができる。したがって、積層切断端面に
おける反対極性の金属膜間の絶縁距離を充分に保持する
ことが可能となり、積層切断端面における短絡部分を除
去することができ、絶縁抵抗の低下を防ぐことができ
る。
断端面に表出した高分子フィルム膜の不要部分を化学的
に選択除去し、その後、反応性イオンエッチング法等に
よりエッチング処理を施すことにより、高分子フィルム
膜に覆われていて絶縁不良の原因となる金属膜もエッチ
ングにより不要部分を除去できるので、積層切断面の表
面から数μｍ内部までの金属膜の不要部分を除去あるい
は破砕することができる。したがって、積層切断端面に
おける反対極性の金属膜間の絶縁距離を充分に保持する
ことが可能となり、積層切断端面における短絡部分を除
去することができ、絶縁抵抗の低下を防ぐことができ
る。
以下、本発明の実施例を図面を参照しながら詳細に説
明する。第１図において、（１）は金属化プラスチック
フィルム層であって、誘電体としてのポリエチレンテレ
フタレートからなる高分子フィルム膜（２）の一方の主
表面にコンデンサの内部電極となるアルミニウムからな
る金属膜（３）を蒸着したものであり、この金属化プラ
スチックフィルム層（１）を複数枚積層して母体コンデ
ンサ（４）を形成する。次いで、この母体コンデンサ
（４）の両側面に亜鉛を溶射することによりコンデンサ
電極（５）を形成した後、これらコンデンサ電極（５）
を含む母体コンデンサ（４）を回転鋸刃などの切断刃
（Ｃ）を用いて切断分割して複数個の単位コンデンサ
（６）を形成する。
明する。第１図において、（１）は金属化プラスチック
フィルム層であって、誘電体としてのポリエチレンテレ
フタレートからなる高分子フィルム膜（２）の一方の主
表面にコンデンサの内部電極となるアルミニウムからな
る金属膜（３）を蒸着したものであり、この金属化プラ
スチックフィルム層（１）を複数枚積層して母体コンデ
ンサ（４）を形成する。次いで、この母体コンデンサ
（４）の両側面に亜鉛を溶射することによりコンデンサ
電極（５）を形成した後、これらコンデンサ電極（５）
を含む母体コンデンサ（４）を回転鋸刃などの切断刃
（Ｃ）を用いて切断分割して複数個の単位コンデンサ
（６）を形成する。
この単位コンデンサ（６）には切断分割により両端面
が共に積層切断面（７）となる。
が共に積層切断面（７）となる。
第２図（Ａ）はこの積層切断端面（７）を第１図にお
ける切断線II−IIに沿う断面方向から見た状態を示して
いる。
ける切断線II−IIに沿う断面方向から見た状態を示して
いる。
第３図はこの実施例で所望される酸素プラズマ処理装
置を示す。この図において、この酸素プラズマ処理装置
（８）は減圧保持可能な真空容器（９）に酸素ガス供給
路（10）と排気路（11）とを設けると共に、開口部を石
英窓（12）で覆い、この石英窓（12）の上面に電極（1
3）を形成して、この電極（13）に高周波電源（14）に
より高周波を印加するようにしたものであり、前記単位
コンデンサ（６）はこの酸素プラズマ処理装置（８）に
より両積層切断端面（７）に表出した高分子フィルム膜
（２）の不要部分を化学的な選択により排除される。
置を示す。この図において、この酸素プラズマ処理装置
（８）は減圧保持可能な真空容器（９）に酸素ガス供給
路（10）と排気路（11）とを設けると共に、開口部を石
英窓（12）で覆い、この石英窓（12）の上面に電極（1
3）を形成して、この電極（13）に高周波電源（14）に
より高周波を印加するようにしたものであり、前記単位
コンデンサ（６）はこの酸素プラズマ処理装置（８）に
より両積層切断端面（７）に表出した高分子フィルム膜
（２）の不要部分を化学的な選択により排除される。
すなわち、前記単位コンデンサ（６）の上下面をアル
ミニウムからなるマスク（13）により覆った状態で真空
容器（９）中に収納した後、両積層切断端面（７）を酸
素ガスプラズマに接触させて第２図（Ａ）に示す高分子
フィルム膜（２）の溶融部分（2a）を第２図（Ｂ）に示
すように化学的に選択除去する。
ミニウムからなるマスク（13）により覆った状態で真空
容器（９）中に収納した後、両積層切断端面（７）を酸
素ガスプラズマに接触させて第２図（Ａ）に示す高分子
フィルム膜（２）の溶融部分（2a）を第２図（Ｂ）に示
すように化学的に選択除去する。
第４図は塩素プラズマ処理装置（15）であって、その
構成は前記酸素プラズマ処理装置（８）と同様であり、
（16）は真空容器、（17）は塩素ガス供給路、（18）は
排気路、（19）は石英窓、（20）は高周波電源である。
構成は前記酸素プラズマ処理装置（８）と同様であり、
（16）は真空容器、（17）は塩素ガス供給路、（18）は
排気路、（19）は石英窓、（20）は高周波電源である。
酸素プラズマ処理装置（８）によって積層切断端子
（７）に表出した高分子フィルム膜（２）の不要部分を
排除した単位コンデンサ（６）は、次いで塩素プラズマ
処理装置（15）の真空容器（16）中に収納した後、両積
層切断端面（７）を塩素ガスプラズマに接触させてエッ
チング処理を施し、第２図（Ｃ）に示すように、金属部
分（3a）を除去することにより切断端面の処理を完了す
る。
（７）に表出した高分子フィルム膜（２）の不要部分を
排除した単位コンデンサ（６）は、次いで塩素プラズマ
処理装置（15）の真空容器（16）中に収納した後、両積
層切断端面（７）を塩素ガスプラズマに接触させてエッ
チング処理を施し、第２図（Ｃ）に示すように、金属部
分（3a）を除去することにより切断端面の処理を完了す
る。
また、参考までに第２図（Ｄ）に酸素プラズマ処理て
行わないで、エッチング処理のみを行ったときの切断端
面の仕上がり状態を示したが、この場合、高分子フィル
ム膜（２）の存在により塩素プラズマが入らず、エッチ
ング処理が効果的に行えなくなっている。
行わないで、エッチング処理のみを行ったときの切断端
面の仕上がり状態を示したが、この場合、高分子フィル
ム膜（２）の存在により塩素プラズマが入らず、エッチ
ング処理が効果的に行えなくなっている。
第５図はこの実施例方法に従って、 （イ）酸素ガスプラズマによる化学的に選択除去を行っ
た後、塩素ガスプラズマによるエッチング処理を行った
もの （ロ）塩素ガスプラズマによるエッチング処理のみ行っ
たもの、 （ハ）未処理、 の都合３種類の積層フィルムコンデンサの絶縁抵抗分布
を示したものである。第５図に示すように、酸素ガスプ
ラズマによる化学的に選択除去を行い、塩素ガスプラズ
マによるエッチング処理を行ったコンデンサの絶縁抵抗
は他の二者に比べ、良好であることが分かる。
た後、塩素ガスプラズマによるエッチング処理を行った
もの （ロ）塩素ガスプラズマによるエッチング処理のみ行っ
たもの、 （ハ）未処理、 の都合３種類の積層フィルムコンデンサの絶縁抵抗分布
を示したものである。第５図に示すように、酸素ガスプ
ラズマによる化学的に選択除去を行い、塩素ガスプラズ
マによるエッチング処理を行ったコンデンサの絶縁抵抗
は他の二者に比べ、良好であることが分かる。
また、本発明の実施後、更に切断端面に絶縁被覆形成
することにより絶縁抵抗を更に向上させることが可能な
ことは明らかである。
することにより絶縁抵抗を更に向上させることが可能な
ことは明らかである。
以上説明したように本発明の積層フィルムコンデンサ
の製造方法によるときは、単位コンデンサの切断分割に
より形成された両積層切断端面に表出した前記高分子フ
ィルム膜の不要部分を化学的な選択により排除してか
ら、積層切断端面にプラズマによるエッチング処理を施
して、同積層切断端面に表出した金属膜の不要部分を除
去するようにしたので、金属膜の不要部分は溶融して同
金属膜を覆う高分子フィルム膜の不要部分にエッチング
処理を妨げられることなく、確実に除去できるので、絶
縁抵抗をはじめとして極めて品質の優れた積層フィルム
コンデンサを得ることができるという優れた効果を奏す
るに至った。
の製造方法によるときは、単位コンデンサの切断分割に
より形成された両積層切断端面に表出した前記高分子フ
ィルム膜の不要部分を化学的な選択により排除してか
ら、積層切断端面にプラズマによるエッチング処理を施
して、同積層切断端面に表出した金属膜の不要部分を除
去するようにしたので、金属膜の不要部分は溶融して同
金属膜を覆う高分子フィルム膜の不要部分にエッチング
処理を妨げられることなく、確実に除去できるので、絶
縁抵抗をはじめとして極めて品質の優れた積層フィルム
コンデンサを得ることができるという優れた効果を奏す
るに至った。
第１図〜第５図は本発明の実施例に係る製造方法を示し
ており、第１図は母体コンデンサから単位コンデンサを
切断分割により形成する状態を示す斜視図、第２図
（Ａ）〜（Ｄ）はそれぞれ第１図における切断線II−II
に沿う断面において、積層切断端面の加工状態を示す
図、第３図は酸素プラズマ処理装置の概略断面図、第４
図は塩素プラズマ処理装置の概略断面図、第５図はそれ
ぞれ異なる処理状態における絶縁抵抗分布を示す線図で
ある。第６図〜第８図は従来例に係る製造方法を示して
おり、第６図は母体コンデンサから単位コンデンサを切
断分割により形成する状態を示す斜視図、第７図は単位
コンデンサの積層切断端面を示す断面図、第８図は高周
波印加による金属膜の焼失手法を示す説明図である。 （１）……金属化プラスチックフィルム層、（２）……
高分子フィルム膜、（３）……金属膜、（４）……母体
コンデンサ、（６）……単位コンデンサ、（７）……積
層切断端面。
ており、第１図は母体コンデンサから単位コンデンサを
切断分割により形成する状態を示す斜視図、第２図
（Ａ）〜（Ｄ）はそれぞれ第１図における切断線II−II
に沿う断面において、積層切断端面の加工状態を示す
図、第３図は酸素プラズマ処理装置の概略断面図、第４
図は塩素プラズマ処理装置の概略断面図、第５図はそれ
ぞれ異なる処理状態における絶縁抵抗分布を示す線図で
ある。第６図〜第８図は従来例に係る製造方法を示して
おり、第６図は母体コンデンサから単位コンデンサを切
断分割により形成する状態を示す斜視図、第７図は単位
コンデンサの積層切断端面を示す断面図、第８図は高周
波印加による金属膜の焼失手法を示す説明図である。 （１）……金属化プラスチックフィルム層、（２）……
高分子フィルム膜、（３）……金属膜、（４）……母体
コンデンサ、（６）……単位コンデンサ、（７）……積
層切断端面。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 菊地 稔 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 平２−192709（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】誘電体としての高分子フィルム膜上に金属
膜を形成してなる複数枚の金属化プラスチックフィルム
層を積層して母体コンデンサを形成し、この母体コンデ
ンサを切断分割して複数個の単位コンデンサを形成し、
この各単位コンデンサの前記切断分割により形成された
両積層切断端面に表出した前記高分子フィルム膜の不要
部分を化学的な選択により排除した後、前記積層切断端
面にプラズマによるエッチング処理を施して、同積層切
断端面に表出した前記金属膜の不要部分を除去すること
を特徴とする積層フィルムコンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19298989A JP2742818B2 (ja) | 1989-07-25 | 1989-07-25 | 積層フィルムコンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19298989A JP2742818B2 (ja) | 1989-07-25 | 1989-07-25 | 積層フィルムコンデンサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0357205A JPH0357205A (ja) | 1991-03-12 |
| JP2742818B2 true JP2742818B2 (ja) | 1998-04-22 |
Family
ID=16300379
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19298989A Expired - Lifetime JP2742818B2 (ja) | 1989-07-25 | 1989-07-25 | 積層フィルムコンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2742818B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3023431B2 (ja) * | 1996-02-23 | 2000-03-21 | 株式会社山嘉精練 | 先染絹生糸を用いる織編物の製造方法及びそれによって製造された織編物 |
-
1989
- 1989-07-25 JP JP19298989A patent/JP2742818B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0357205A (ja) | 1991-03-12 |
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