JPH0357205A - 積層フィルムコンデンサの製造方法 - Google Patents
積層フィルムコンデンサの製造方法Info
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- JPH0357205A JPH0357205A JP19298989A JP19298989A JPH0357205A JP H0357205 A JPH0357205 A JP H0357205A JP 19298989 A JP19298989 A JP 19298989A JP 19298989 A JP19298989 A JP 19298989A JP H0357205 A JPH0357205 A JP H0357205A
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Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電気機本および電Ｆ Ｍ！１ ’１４に広く
用いられる積層フィルムコンデンサの製造方法に関する
ものである。
用いられる積層フィルムコンデンサの製造方法に関する
ものである。
従来、この種の積層フィルムコンデンサは第６図に示す
ように、ポリエチレンテレフタレート、ポリフェニレン
サルファイド等の高分γフィルム膜（２０の主表面にア
ルミニウム、亜鉛等の金Ｆｒ４膜（２２）を蒸着してな
る複数枚の金属化プラスチックフィルム層（２３）を積
層して母体コンデンサ（２４）を形成し、この母体コン
デンサ（２４）を四転鋸刃等の切断刃（Ｃ）を用いて機
械的に切断分割して複数個のｒ￥位コンデンサを得る方
法により製造されていた。なお、（２５）は亜鉛からな
るコンデンサ電極であって、母体コンデンサ（２４）の
両側而に溶射により形成されるものである。
ように、ポリエチレンテレフタレート、ポリフェニレン
サルファイド等の高分γフィルム膜（２０の主表面にア
ルミニウム、亜鉛等の金Ｆｒ４膜（２２）を蒸着してな
る複数枚の金属化プラスチックフィルム層（２３）を積
層して母体コンデンサ（２４）を形成し、この母体コン
デンサ（２４）を四転鋸刃等の切断刃（Ｃ）を用いて機
械的に切断分割して複数個のｒ￥位コンデンサを得る方
法により製造されていた。なお、（２５）は亜鉛からな
るコンデンサ電極であって、母体コンデンサ（２４）の
両側而に溶射により形成されるものである。
このような機械的な切断分割によって製遣される積層フ
ィルムコンデンサは、両端面が切断分割による積層切断
而となっているが、これらの積層切断端面においては第
７図に示すように、同端面に表出した反対極件の金属膜
（２２）どうしが付着したり、あるいは誘電体である各
層の高分子フィルｌ・膜（２１）が積層切断端面上で伸
ばされて溶融して金属膜（２２）が覆われたりする。こ
のようなコンデンサに電圧を印加すると、内部電極とな
る各層の金属膜（２２）間に短絡が生したり、あるいは
沿而放電による絶縁抵抗の低下を来したりするという不
都合がある。
ィルムコンデンサは、両端面が切断分割による積層切断
而となっているが、これらの積層切断端面においては第
７図に示すように、同端面に表出した反対極件の金属膜
（２２）どうしが付着したり、あるいは誘電体である各
層の高分子フィルｌ・膜（２１）が積層切断端面上で伸
ばされて溶融して金属膜（２２）が覆われたりする。こ
のようなコンデンサに電圧を印加すると、内部電極とな
る各層の金属膜（２２）間に短絡が生したり、あるいは
沿而放電による絶縁抵抗の低下を来したりするという不
都合がある。
このような不都合の防ＩＩ：．策として、従来では第８
図に示すように、両方のコンデンサ電極（２４）にそれ
ぞれ高周波電源（２６）の端子板（２７）を接続して、
両電極（２４）間に、使用時の電圧よりも高い電圧を印
加して、積層切断端面に表出した金属膜（２２）の不要
部分を焼失させる方法を採用していた。
図に示すように、両方のコンデンサ電極（２４）にそれ
ぞれ高周波電源（２６）の端子板（２７）を接続して、
両電極（２４）間に、使用時の電圧よりも高い電圧を印
加して、積層切断端面に表出した金属膜（２２）の不要
部分を焼失させる方法を採用していた。
しかしながら、このような従来方法の場合、積Ｎｌ，Ｉ
Ｊ断端面になお短絡部分が在住するときは絶縁がｌｊｌ
復しない。また、高゛ｔａ ＥＥを印加するため、逆に
何専の不都合もない部分まで焼失して絶縁抵抗の低下を
もたらす虜れがあるという問題点があった。
Ｊ断端面になお短絡部分が在住するときは絶縁がｌｊｌ
復しない。また、高゛ｔａ ＥＥを印加するため、逆に
何専の不都合もない部分まで焼失して絶縁抵抗の低下を
もたらす虜れがあるという問題点があった。
木発明は、このような問題点を解決するためになされた
もので、積層フィルムコンデンサの絶縁抵抗を向上させ
ることが可能な積層フィルムコンデンサの製造方法を提
供することを目的とするものである。
もので、積層フィルムコンデンサの絶縁抵抗を向上させ
ることが可能な積層フィルムコンデンサの製造方法を提
供することを目的とするものである。
このような目的を達成するために本発明は、誘電体とし
ての高分子フィルム膜上に金属膜を形成してなる複数枚
の金属化プラスチックフィルム層を積層して母体コンデ
ンサを形成し、この母体コンデンサを切断分割して複数
個の単位コンデンサを形成し、この各単位コンデンサの
前記切断分割により形成された両積層切断端面に表出し
た前記高分子フィルム膜の不要部分を化学的な選択によ
りυＦ除した後、０；■記積層切断端面にプラズマによ
るエッチング処理を施して、同積層切断端面に表出した
＋１ｉｆ記金属膜の不？ｆｆｉ（分を除去することを特
徴とするものである。
ての高分子フィルム膜上に金属膜を形成してなる複数枚
の金属化プラスチックフィルム層を積層して母体コンデ
ンサを形成し、この母体コンデンサを切断分割して複数
個の単位コンデンサを形成し、この各単位コンデンサの
前記切断分割により形成された両積層切断端面に表出し
た前記高分子フィルム膜の不要部分を化学的な選択によ
りυＦ除した後、０；■記積層切断端面にプラズマによ
るエッチング処理を施して、同積層切断端面に表出した
＋１ｉｆ記金属膜の不？ｆｆｉ（分を除去することを特
徴とするものである。
ｈ ３ｄ ＋Ｒ成により、積層フィルムコンデンサの両
積層切断端面に表出した高分子フィルム膜の不霞部分を
化学的に選択除夫し、その後、反応性イオンエノチング
法等によりエッチング処理を施すことにより、高分子フ
ィルム膜に覆われていて絶縁不良の原因となる金属膜も
エッチングにより不要部分を除去できるので、積層切断
而の表而から数μｍ内部までの金属膜の不要部分を除去
あるいは破砕することができる。したがって、積層切断
端面における反対極性の金属膜間の絶縁距離を充分に保
持することが可能となり、積層切断端面における短絡部
分を除去することができ、絶縁抵抗の低下を防ぐことが
できる。
積層切断端面に表出した高分子フィルム膜の不霞部分を
化学的に選択除夫し、その後、反応性イオンエノチング
法等によりエッチング処理を施すことにより、高分子フ
ィルム膜に覆われていて絶縁不良の原因となる金属膜も
エッチングにより不要部分を除去できるので、積層切断
而の表而から数μｍ内部までの金属膜の不要部分を除去
あるいは破砕することができる。したがって、積層切断
端面における反対極性の金属膜間の絶縁距離を充分に保
持することが可能となり、積層切断端面における短絡部
分を除去することができ、絶縁抵抗の低下を防ぐことが
できる。
以下、本発明の実胞例を図而を参照しながら詳細に説明
する。第１図において、（１）は金属化プラスチックフ
ィルム層であって、ｇ＊体としてのポリエチレンテレフ
タレートからなる高分子フィルム膜（２）の・方のＥ表
面にコンデンサの内部電極となるアルミニウムからなる
金属膜（３）を蒸着したものであり、この金属化プラス
チックフィルム屑０〉を複数枚積層して母体コンデンサ
（４）を形成する。次いで、この母体コンデンサ（４）
の両側面に亜鉛を溶射することによりコンデンサ電極（
５）を形戚した後、これらコンデンサ電極（５）を含む
母体コンデンサ（４冫を回転鋸刃などの切断刃（Ｃ）を
用いて切断分割して複数個の単位コンデンサ（６）を形
成する。
する。第１図において、（１）は金属化プラスチックフ
ィルム層であって、ｇ＊体としてのポリエチレンテレフ
タレートからなる高分子フィルム膜（２）の・方のＥ表
面にコンデンサの内部電極となるアルミニウムからなる
金属膜（３）を蒸着したものであり、この金属化プラス
チックフィルム屑０〉を複数枚積層して母体コンデンサ
（４）を形成する。次いで、この母体コンデンサ（４）
の両側面に亜鉛を溶射することによりコンデンサ電極（
５）を形戚した後、これらコンデンサ電極（５）を含む
母体コンデンサ（４冫を回転鋸刃などの切断刃（Ｃ）を
用いて切断分割して複数個の単位コンデンサ（６）を形
成する。
この単位コンデンサ（６）には切断分割により両端面が
共に積層切断面（７）となる。
共に積層切断面（７）となる。
第２図（Ａ）はこの積層切断端面（７）を第ｌ図におけ
る切断線■一Ｈに沿う断面方向から見た状態を示してい
る。
る切断線■一Ｈに沿う断面方向から見た状態を示してい
る。
筆３図はこの実施例で所望される酸素プラズマ処理装置
を示す。この図において、この酸素プラズマ処珪装置（
８）は減圧保持可能な真空容器（９）に酸素ガス供給路
（ＩＯ）とり［気路（１１）とを設けるとノ（に、開「
１部を石英窓（１２）で覆い、この石英窓（１２）の１
二面に電棒（１３）を形成して、この電棒（！３）に高
周波電源（Ｉ４）により高周波を印加するようにしたも
のであり、０１ｆ記？社｛αコンデンサ（６）はこの酸
素プラズマ処ｉｊｌｉ装ｆｉ （ ８ ）により両積層
切断端面（７）に表出した高分ｒ−フィルム膜（２）の
不安部分を化学的な選択により排除される。
を示す。この図において、この酸素プラズマ処珪装置（
８）は減圧保持可能な真空容器（９）に酸素ガス供給路
（ＩＯ）とり［気路（１１）とを設けるとノ（に、開「
１部を石英窓（１２）で覆い、この石英窓（１２）の１
二面に電棒（１３）を形成して、この電棒（！３）に高
周波電源（Ｉ４）により高周波を印加するようにしたも
のであり、０１ｆ記？社｛αコンデンサ（６）はこの酸
素プラズマ処ｉｊｌｉ装ｆｉ （ ８ ）により両積層
切断端面（７）に表出した高分ｒ−フィルム膜（２）の
不安部分を化学的な選択により排除される。
すなわち、前記単位コンデンサ（６）の１二ド而をアル
ミニウムからなるマスク（ｌ３）により覆った状態で真
空容本（９）中に収納した後、両積層切断端面（７）を
酸素ガスプラズマに接触させて第２図（Ａ）に示す高分
子フィルム膜（２）の溶融部分（２ａ）を第２図（Ｂ）
に示すように化学的に選択除去する。
ミニウムからなるマスク（ｌ３）により覆った状態で真
空容本（９）中に収納した後、両積層切断端面（７）を
酸素ガスプラズマに接触させて第２図（Ａ）に示す高分
子フィルム膜（２）の溶融部分（２ａ）を第２図（Ｂ）
に示すように化学的に選択除去する。
第４図は塩素プラズマ処理装置（Ｉ５）であって、その
構成は前記酸素プラズマ処理装置（８）と同様であり、
（１Ｇ）は真空容本、（１７）は塩素ガス供給路、（１
８）は排気路、（１９）は石英窓、（２０）は高周波電
源である。
構成は前記酸素プラズマ処理装置（８）と同様であり、
（１Ｇ）は真空容本、（１７）は塩素ガス供給路、（１
８）は排気路、（１９）は石英窓、（２０）は高周波電
源である。
酸素プラズマ処程装置（８）によって積層切断端面（７
）に表出した高分ｒフィルム膜（２）の不要部分を排除
したｌｉ位コンデンサ（６）は、次いで塩素プラズマ処
理装置（！５）の真空容器（１６）中に収納した後、両
積層切断端面（７）を塩素ガスプラズマに接触させてエ
ッチング処理を施し、第２図（Ｃ）に示すように、金属
部分（３ａ）を除去することによりυノ断端面の処理を
完ｒする。
）に表出した高分ｒフィルム膜（２）の不要部分を排除
したｌｉ位コンデンサ（６）は、次いで塩素プラズマ処
理装置（！５）の真空容器（１６）中に収納した後、両
積層切断端面（７）を塩素ガスプラズマに接触させてエ
ッチング処理を施し、第２図（Ｃ）に示すように、金属
部分（３ａ）を除去することによりυノ断端面の処理を
完ｒする。
また、参考までに第２図（Ｄ）に酸素プラズマ処裡で行
わないで、エンチング処ｐｌのみを行ったときの切断端
面の什上がり状態を示したが、この場合、高分子フィル
ム膜（２）の存在により塩素プラズマが入らず、エッチ
ング処理が効果的に行えなくなっている。
わないで、エンチング処ｐｌのみを行ったときの切断端
面の什上がり状態を示したが、この場合、高分子フィル
ム膜（２）の存在により塩素プラズマが入らず、エッチ
ング処理が効果的に行えなくなっている。
第５図はこの実施例方法に従って、
（イ）酸素ガスプラズマによる化学的に選択除去を行っ
た後、塩素ガスプラズマによるエッチング処理を行った
もの （ロ）塩素ガスプラズマによるエッチング処郎のみ行っ
たもの、 （ハ）未処理、 の都合３種預の積層フィルムコンデンサの絶縁抵抗分布
を示したものである。第５図に示すように、酸素ガスプ
ラズマによる化学的に選択除去を行い、塩素ガスプラズ
マによるエッチング処理を行ったコンデンサの絶縁抵抗
は他の二者に比べ、良好であることが分かる。
た後、塩素ガスプラズマによるエッチング処理を行った
もの （ロ）塩素ガスプラズマによるエッチング処郎のみ行っ
たもの、 （ハ）未処理、 の都合３種預の積層フィルムコンデンサの絶縁抵抗分布
を示したものである。第５図に示すように、酸素ガスプ
ラズマによる化学的に選択除去を行い、塩素ガスプラズ
マによるエッチング処理を行ったコンデンサの絶縁抵抗
は他の二者に比べ、良好であることが分かる。
また、本発明の実施後、史に切断端面に絶縁被覆形成す
ることにより絶縁抵抗を更に向−ＩＩさせることが可能
なことは明らかである。
ることにより絶縁抵抗を更に向−ＩＩさせることが可能
なことは明らかである。
〔発明の効果〕
以Ｅ説明したように本発明の積層フィルムコンデンサの
製造方法によるときは、単位コンデンサの切断分割によ
り形成された両積層切断端面に表出した前記高分子フィ
ルム膜の不要部分を化学的な選択により排除してから、
積層切断端面にプラズマによるエッチング処理を施して
、同積層切断端面に表出した金属膜の不要部分を除去す
るようにしたので、金属膜の不要部分は溶融して同金属
膜を覆う高分子フィルム膜の不要部分にエソチング処理
を妨げられることなく、確実に除去できるので、絶縁低
抗をはじめとして極めて品質の優れた梢層フィルムコン
デンサを得ることができるという優れた効果を奏するに
至った。
製造方法によるときは、単位コンデンサの切断分割によ
り形成された両積層切断端面に表出した前記高分子フィ
ルム膜の不要部分を化学的な選択により排除してから、
積層切断端面にプラズマによるエッチング処理を施して
、同積層切断端面に表出した金属膜の不要部分を除去す
るようにしたので、金属膜の不要部分は溶融して同金属
膜を覆う高分子フィルム膜の不要部分にエソチング処理
を妨げられることなく、確実に除去できるので、絶縁低
抗をはじめとして極めて品質の優れた梢層フィルムコン
デンサを得ることができるという優れた効果を奏するに
至った。
第１図〜第５閏は本発明の失施例に係る製造方法を示し
ており、第１図は母体コンデンサから単４＋’ｔ．コン
デンサを切断分割により形成する状態をふす斜視図、第
２図（Ａ）〜（Ｄ）はそれぞれ第１図における切断線■
−■に沿う断面において、積層切断端面の加Ｅ状態を示
す図、第３図は酸素プラズマ処縄装置の概略断曲図、第
４図は塩素プラズマ処理装置の概略断面図、第５図（イ
）〜（ハ）はそれぞれ異なる処理状態における絶縁抵抗
分布を示す線図である。第６図〜第８図は従来例に係る
製造方法を示しており、第６図は母体コンデンサから中
位コンデンサを切断分割により形成する状態をホす斜視
図、第７図は単位コンデンサの積層切断端面を示す断而
図、第８図は高周波印加による金属膜の焼失手法を示す
説明図である。 （＋）・・・金属化プラスチックフィルム層、（２）・
・・高分ｒフィルム膜、（３）・・・金属膜、（４）・
・・母体コンデンサ、（６）・・・単位コンデンサ、（
７）・・・Ｍ層切断端面。 第１ 図 ７ ４シ６イヒブラス千ツフフィノレＪ２高今−｝フイ
ルム横 ３ 嚢漕σ院 ４＃Ｊ＃．］−デ：Ｊ＋ｉ ６ 重ノ立．］ンテ゛冫フ ７４ 孝瞥７曇し刀＃ｒ軒６面 第４図 第６図 ［ 来赳理 第５ 図 エヴナンフ
ており、第１図は母体コンデンサから単４＋’ｔ．コン
デンサを切断分割により形成する状態をふす斜視図、第
２図（Ａ）〜（Ｄ）はそれぞれ第１図における切断線■
−■に沿う断面において、積層切断端面の加Ｅ状態を示
す図、第３図は酸素プラズマ処縄装置の概略断曲図、第
４図は塩素プラズマ処理装置の概略断面図、第５図（イ
）〜（ハ）はそれぞれ異なる処理状態における絶縁抵抗
分布を示す線図である。第６図〜第８図は従来例に係る
製造方法を示しており、第６図は母体コンデンサから中
位コンデンサを切断分割により形成する状態をホす斜視
図、第７図は単位コンデンサの積層切断端面を示す断而
図、第８図は高周波印加による金属膜の焼失手法を示す
説明図である。 （＋）・・・金属化プラスチックフィルム層、（２）・
・・高分ｒフィルム膜、（３）・・・金属膜、（４）・
・・母体コンデンサ、（６）・・・単位コンデンサ、（
７）・・・Ｍ層切断端面。 第１ 図 ７ ４シ６イヒブラス千ツフフィノレＪ２高今−｝フイ
ルム横 ３ 嚢漕σ院 ４＃Ｊ＃．］−デ：Ｊ＋ｉ ６ 重ノ立．］ンテ゛冫フ ７４ 孝瞥７曇し刀＃ｒ軒６面 第４図 第６図 ［ 来赳理 第５ 図 エヴナンフ
Claims (1)
- １ 誘電体としての高分子フィルム膜上に金属膜を形成
してなる複数枚の金属化プラスチックフィルム層を積層
して母体コンデンサを形成し、この母体コンデンサを切
断分割して複数個の単位コンデンサを形成し、この各単
位コンデンサの前記切断分割により形成された両積層切
断端面に表出した前記高分子フィルム膜の不要部分を化
学的な選択により排除した後、前記積層切断端面にプラ
ズマによるエッチング処理を施して、同積層切断端面に
表出した前記金属膜の不要部分を除去することを特徴と
する積層フィルムコンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19298989A JP2742818B2 (ja) | 1989-07-25 | 1989-07-25 | 積層フィルムコンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19298989A JP2742818B2 (ja) | 1989-07-25 | 1989-07-25 | 積層フィルムコンデンサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0357205A true JPH0357205A (ja) | 1991-03-12 |
| JP2742818B2 JP2742818B2 (ja) | 1998-04-22 |
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ID=16300379
Family Applications (1)
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| JP (1) | JP2742818B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5849040A (en) * | 1996-02-23 | 1998-12-15 | Kanehisa Inc. | Process for manufacturing woven or knit fabrics using yarn dyed raw silk and the woven or knit fabrics manufactured by the same process |
-
1989
- 1989-07-25 JP JP19298989A patent/JP2742818B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5849040A (en) * | 1996-02-23 | 1998-12-15 | Kanehisa Inc. | Process for manufacturing woven or knit fabrics using yarn dyed raw silk and the woven or knit fabrics manufactured by the same process |
| US6080689A (en) * | 1996-02-23 | 2000-06-27 | Sumitomo Corporation | Woven or knit fabrics manufactured using yarn dyed raw silk |
| US6302922B1 (en) | 1996-02-23 | 2001-10-16 | Sumitomo Corporation | Process for manufacturing woven or knit fabrics having excellent shrink and crease resistance and shape stability by using sericin fixed yarns of raw silks and the woven or knit fabrics manufactured by the same process |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2742818B2 (ja) | 1998-04-22 |
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