JPH05283281A - 薄膜コンデンサの製造方法 - Google Patents
薄膜コンデンサの製造方法Info
- Publication number
- JPH05283281A JPH05283281A JP8178492A JP8178492A JPH05283281A JP H05283281 A JPH05283281 A JP H05283281A JP 8178492 A JP8178492 A JP 8178492A JP 8178492 A JP8178492 A JP 8178492A JP H05283281 A JPH05283281 A JP H05283281A
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- Japan
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- insulating substrate
- capacitor
- capacitor elements
- chip
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 絶縁基板のブレイク方法を改善することによ
り、薄膜コンデンサの大幅な小形、軽量、量産、低コス
ト化を図った薄膜コンデンサの製造方法を提供すること
を目的とする。 【構成】 板状のセラミックからなる絶縁基板１上、あ
るいは、板状のセラミック上にガラスグレーズを塗布焼
付してなる絶縁基板１上に複数のコンデンサ素子２を形
成し、コンデンサ素子２ごとにチップブレイクするため
のブレイク溝３を形成後、絶縁基板１の両面あるいは、
片面に粘着テープ８を張り付けて、絶縁基板１をベルト
５の上に載せ、ローラー４とローラー４の間を通してチ
ップブレイクし、その後に、コンデンサ素子６を整列さ
せた後エアー吸着などで個々のコンデンサ素子６を取り
出して、引き出し端子となる外部電極は減圧プラズマ溶
射法などの方法で形成する。この方法により、薄膜コン
デンサの大幅な小形、軽量、量産、低コスト化を図るこ
とができる。
り、薄膜コンデンサの大幅な小形、軽量、量産、低コス
ト化を図った薄膜コンデンサの製造方法を提供すること
を目的とする。 【構成】 板状のセラミックからなる絶縁基板１上、あ
るいは、板状のセラミック上にガラスグレーズを塗布焼
付してなる絶縁基板１上に複数のコンデンサ素子２を形
成し、コンデンサ素子２ごとにチップブレイクするため
のブレイク溝３を形成後、絶縁基板１の両面あるいは、
片面に粘着テープ８を張り付けて、絶縁基板１をベルト
５の上に載せ、ローラー４とローラー４の間を通してチ
ップブレイクし、その後に、コンデンサ素子６を整列さ
せた後エアー吸着などで個々のコンデンサ素子６を取り
出して、引き出し端子となる外部電極は減圧プラズマ溶
射法などの方法で形成する。この方法により、薄膜コン
デンサの大幅な小形、軽量、量産、低コスト化を図るこ
とができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜コンデンサの製造
方法に関し、特に小形、軽量、量産、低コスト化を図っ
た薄膜コンデンサの製造方法に関する。
方法に関し、特に小形、軽量、量産、低コスト化を図っ
た薄膜コンデンサの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、機器の小形・軽量化志向、高集積
回路の採用による電子回路の高密度化あるいは、自動挿
入機の普及などにともない、電子部品に対する小形化の
要請がますます強くなってきている。その中にあって、
コンデンサも同様に小形化への種々の開発が試みられて
いる。
回路の採用による電子回路の高密度化あるいは、自動挿
入機の普及などにともない、電子部品に対する小形化の
要請がますます強くなってきている。その中にあって、
コンデンサも同様に小形化への種々の開発が試みられて
いる。
【０００３】周知のように、コンデンサの単位体積当た
りの静電容量は、誘電体の誘電率に比例し、誘電体の厚
さの二乗に反比例する。従って、コンデンサの小形化を
図るためには、誘電体の誘電率を大きくするか、または
誘電体の厚さを薄くすることにより大幅な小形化が実現
できることから薄膜コンデンサについては既に多くの検
討が行われてきた。
りの静電容量は、誘電体の誘電率に比例し、誘電体の厚
さの二乗に反比例する。従って、コンデンサの小形化を
図るためには、誘電体の誘電率を大きくするか、または
誘電体の厚さを薄くすることにより大幅な小形化が実現
できることから薄膜コンデンサについては既に多くの検
討が行われてきた。
【０００４】以下に従来の薄膜コンデンサの製造方法に
ついて図面を参照して説明する。図７〜図１０におい
て、従来の薄膜コンデンサの製造方法は、図７に示すよ
うに、チップブレイクするためのブレイク用溝３をあら
かじめ格子状に作成したセラミックグリーンシートを焼
成して絶縁基板１を形成するか、あるいは、板状の絶縁
基板１の上にチップブレイクするためのブレイク溝３を
レーザービームで照射して作成した絶縁基板１を形成
し、絶縁基板１上にガラスグレーズを塗布焼付で形成す
るなりした上で（例えば、特願平２−１４４７７６号公
報に記載）、絶縁基板１の上に複数のコンデンサ素子２
を誘電体層と内部電極層とを交互に薄膜形成工法により
積層する。その後に、図８に示すように、絶縁基板１を
ベルト５上に載せてローラー４とローラー４の間に通し
てブレイク溝３に沿って図９に示すように、個々のコン
デンサ素子６にチップブレイクし、図１０に示すよう
に、コンデンサ素子６をパレット７に整列させた後、エ
アー吸着などでコンデンサ素子６を取り出して、引き出
し端子となる外部電極を導電ペーストを焼付するなどの
方法で形成している。
ついて図面を参照して説明する。図７〜図１０におい
て、従来の薄膜コンデンサの製造方法は、図７に示すよ
うに、チップブレイクするためのブレイク用溝３をあら
かじめ格子状に作成したセラミックグリーンシートを焼
成して絶縁基板１を形成するか、あるいは、板状の絶縁
基板１の上にチップブレイクするためのブレイク溝３を
レーザービームで照射して作成した絶縁基板１を形成
し、絶縁基板１上にガラスグレーズを塗布焼付で形成す
るなりした上で（例えば、特願平２−１４４７７６号公
報に記載）、絶縁基板１の上に複数のコンデンサ素子２
を誘電体層と内部電極層とを交互に薄膜形成工法により
積層する。その後に、図８に示すように、絶縁基板１を
ベルト５上に載せてローラー４とローラー４の間に通し
てブレイク溝３に沿って図９に示すように、個々のコン
デンサ素子６にチップブレイクし、図１０に示すよう
に、コンデンサ素子６をパレット７に整列させた後、エ
アー吸着などでコンデンサ素子６を取り出して、引き出
し端子となる外部電極を導電ペーストを焼付するなどの
方法で形成している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来の方法では、絶縁基板１をローラー４とローラー４
の間を通してチップブレイクした際に、絶縁基板１のセ
ラミックの粉末や、ガラスグレーズのガラスのチップが
発生してコンデンサ素子の破損につながり、また、設備
のトラブルにもつながる。また、個々のコンデンサにチ
ップブレイクすることにより、コンデンサ素子に外部電
極を形成する際に、コンデンサ素子を整列させる必要が
あり、コンデンサ素子が小形なものであればあるほど、
コンデンサ素子のハンドリングのむずかしさの問題が発
生する。
従来の方法では、絶縁基板１をローラー４とローラー４
の間を通してチップブレイクした際に、絶縁基板１のセ
ラミックの粉末や、ガラスグレーズのガラスのチップが
発生してコンデンサ素子の破損につながり、また、設備
のトラブルにもつながる。また、個々のコンデンサにチ
ップブレイクすることにより、コンデンサ素子に外部電
極を形成する際に、コンデンサ素子を整列させる必要が
あり、コンデンサ素子が小形なものであればあるほど、
コンデンサ素子のハンドリングのむずかしさの問題が発
生する。
【０００６】本発明は、このような従来の問題点を解決
するもので、薄膜コンデンサの大幅な小形、軽量、量
産、低コスト化を図った薄膜コンデンサの製造方法を提
供することを目的とする。
するもので、薄膜コンデンサの大幅な小形、軽量、量
産、低コスト化を図った薄膜コンデンサの製造方法を提
供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の薄膜コンデンサの製造方法は、板状のセラミ
ックからなる絶縁基板上、あるいは、板状のセラミック
上にガラスグレーズを塗布焼付してなる絶縁基板上に、
複数のコンデンサ素子を誘電体層と内部電極層を交互に
薄膜形成工法により積層して形成し、コンデンサ素子ご
とにチップブレイクするためのブレイク溝を形成後、絶
縁基板の両面あるいは、片面に、粘着テープを張りつ
け、絶縁基板をローラーとローラーの間に通すことによ
りチップブレイクするものである。
に本発明の薄膜コンデンサの製造方法は、板状のセラミ
ックからなる絶縁基板上、あるいは、板状のセラミック
上にガラスグレーズを塗布焼付してなる絶縁基板上に、
複数のコンデンサ素子を誘電体層と内部電極層を交互に
薄膜形成工法により積層して形成し、コンデンサ素子ご
とにチップブレイクするためのブレイク溝を形成後、絶
縁基板の両面あるいは、片面に、粘着テープを張りつ
け、絶縁基板をローラーとローラーの間に通すことによ
りチップブレイクするものである。
【０００８】
【作用】この製造方法を採用することにより、セラミッ
ク絶縁基板を、ローラーとローラーの間を通してチップ
ブレイクする際に、絶縁基板のセラミックの粉末や、ガ
ラスグレーズのガラスのチップが発生しても、粘着テー
プに付着するためにダストの量が軽減される。また、個
々のコンデンサにチップブレイクする時に絶縁基板にテ
ープを張り付けているために、コンデンサ素子がばらば
らにならずに整列された形になるのでコンデンサ素子の
外部電極を形成する際に、コンデンサ素子を整列させる
必要がなくなり、コンデンサ素子のハンドリングのむず
かしさの問題が軽減される。
ク絶縁基板を、ローラーとローラーの間を通してチップ
ブレイクする際に、絶縁基板のセラミックの粉末や、ガ
ラスグレーズのガラスのチップが発生しても、粘着テー
プに付着するためにダストの量が軽減される。また、個
々のコンデンサにチップブレイクする時に絶縁基板にテ
ープを張り付けているために、コンデンサ素子がばらば
らにならずに整列された形になるのでコンデンサ素子の
外部電極を形成する際に、コンデンサ素子を整列させる
必要がなくなり、コンデンサ素子のハンドリングのむず
かしさの問題が軽減される。
【０００９】
（実施例１）以下本発明の実施例１の薄膜コンデンサの
製造方法について、図面を参照しながら説明する。
製造方法について、図面を参照しながら説明する。
【００１０】図１・図２・図３・図７において、実施例
１の薄膜コンデンサの製造手順を説明する。
１の薄膜コンデンサの製造手順を説明する。
【００１１】まず、図７に示すように、板状のセラミッ
クからなる絶縁基板１上、あるいは、板状のセラミック
上にガラスグレーズを塗布焼付してなる絶縁基板１上に
コンデンサ素子２を形成し個々のコンデンサ素子２ごと
にチップブレイクするためのブレイク溝３を形成する。
次に図１に示すように絶縁基板１の表面あるいは、裏面
に粘着テープ８を張り付けて図２に示すように、絶縁基
板１をベルト５上に載せてローラー４とローラー４の間
を通して図３に示すように絶縁基板１のブレイク溝３に
沿ってチップブレイクする。その後にエアー吸着などで
個々のコンデンサ素子６を取り出して、引き出し端子と
なる外部電極は減圧プラズマ溶射法などの方法で形成す
る。
クからなる絶縁基板１上、あるいは、板状のセラミック
上にガラスグレーズを塗布焼付してなる絶縁基板１上に
コンデンサ素子２を形成し個々のコンデンサ素子２ごと
にチップブレイクするためのブレイク溝３を形成する。
次に図１に示すように絶縁基板１の表面あるいは、裏面
に粘着テープ８を張り付けて図２に示すように、絶縁基
板１をベルト５上に載せてローラー４とローラー４の間
を通して図３に示すように絶縁基板１のブレイク溝３に
沿ってチップブレイクする。その後にエアー吸着などで
個々のコンデンサ素子６を取り出して、引き出し端子と
なる外部電極は減圧プラズマ溶射法などの方法で形成す
る。
【００１２】（実施例２）以下本発明の実施例２の薄膜
コンデンサの製造方法について、図面を参照しながら説
明する。
コンデンサの製造方法について、図面を参照しながら説
明する。
【００１３】図４・図５・図６・図７において、実施例
２の薄膜コンデンサの製造手順を説明する。
２の薄膜コンデンサの製造手順を説明する。
【００１４】まず、図７に示すように、板状のセラミッ
クからなる絶縁基板１上、あるいは、板状のセラミック
上にガラスグレーズを塗布焼付してなる絶縁基板１上に
コンデンサ素子２を形成し、個々のコンデンサ素子２ご
とにチップブレイクするためのブレイク溝３を形成す
る。次に図４に示すように、絶縁基板１の両面に粘着テ
ープ８を張り付けて図５に示すように、絶縁基板１をベ
ルト５に載せて、ローラー４とローラー４の間を通して
図６に示すように絶縁基板１をブレイク溝３に沿ってチ
ップブレイクする。その後に表面、あるいは、裏面のテ
ープ８のどちらかを剥離して、エアー吸着などで個々の
コンデンサ素子６を取り出して、引き出し端子となる外
部電極を減圧プラズマ溶射法などの方法で形成する。
クからなる絶縁基板１上、あるいは、板状のセラミック
上にガラスグレーズを塗布焼付してなる絶縁基板１上に
コンデンサ素子２を形成し、個々のコンデンサ素子２ご
とにチップブレイクするためのブレイク溝３を形成す
る。次に図４に示すように、絶縁基板１の両面に粘着テ
ープ８を張り付けて図５に示すように、絶縁基板１をベ
ルト５に載せて、ローラー４とローラー４の間を通して
図６に示すように絶縁基板１をブレイク溝３に沿ってチ
ップブレイクする。その後に表面、あるいは、裏面のテ
ープ８のどちらかを剥離して、エアー吸着などで個々の
コンデンサ素子６を取り出して、引き出し端子となる外
部電極を減圧プラズマ溶射法などの方法で形成する。
【００１５】なお、実施例１および２において、ローラ
ー４は、金属ローラー・樹脂ローラー・エアー圧力を利
用したローラーなどが使用できる。
ー４は、金属ローラー・樹脂ローラー・エアー圧力を利
用したローラーなどが使用できる。
【００１６】また、引き出し端子となる外部電極は導電
ペーストを焼付する方法で形成してもよい。
ペーストを焼付する方法で形成してもよい。
【００１７】また、粘着テープ８は、熱を加えるか、あ
るいは、ＵＶを照射することにより粘着力が低下するも
のを使うと、粘着テープからコンデンサ素子を剥離する
ときに、剥離が容易になる。
るいは、ＵＶを照射することにより粘着力が低下するも
のを使うと、粘着テープからコンデンサ素子を剥離する
ときに、剥離が容易になる。
【００１８】
【発明の効果】以上の実施例の説明により明らかなよう
に本発明の薄膜コンデンサの製造方法によれば、板状の
セラミックからなる絶縁基板上、あるいは、板状のセラ
ミック上にガラスグレーズを塗布焼付してなる絶縁基板
上に複数のコンデンサ素子を、誘電体層と内部電極層を
交互に積層して形成し、個々のコンデンサ素子ごとにチ
ップブレイクするためのブレイク溝を形成し、前記絶縁
基板の両面あるいは、片面に粘着テープを張りつけた後
に、絶縁基板をローラーとローラーの間に通してブレイ
ク溝に沿ってチップブレイクする。その際に、絶縁基板
のセラミックの粉末や、ガラスグレーズのガラスのチッ
プが発生しても、粘着テープに付着するために、ダスト
の量が大きく軽減される。また、個々のコンデンサにチ
ップブレイクする時に絶縁基板にテープを張り付けてい
るために、コンデンサ素子がばらばらにならずに整列さ
れた形になるのでコンデンサ素子の外部電極を形成する
際に、コンデンサ素子を整列させる必要がなくなり、コ
ンデンサ素子のハンドリングのむずかしさの問題が軽減
される。これにより、積層薄膜コンデンサの大幅な小
形、軽量、量産、低コスト化を図ることができ、その産
業利用上の効果は大なるものである。
に本発明の薄膜コンデンサの製造方法によれば、板状の
セラミックからなる絶縁基板上、あるいは、板状のセラ
ミック上にガラスグレーズを塗布焼付してなる絶縁基板
上に複数のコンデンサ素子を、誘電体層と内部電極層を
交互に積層して形成し、個々のコンデンサ素子ごとにチ
ップブレイクするためのブレイク溝を形成し、前記絶縁
基板の両面あるいは、片面に粘着テープを張りつけた後
に、絶縁基板をローラーとローラーの間に通してブレイ
ク溝に沿ってチップブレイクする。その際に、絶縁基板
のセラミックの粉末や、ガラスグレーズのガラスのチッ
プが発生しても、粘着テープに付着するために、ダスト
の量が大きく軽減される。また、個々のコンデンサにチ
ップブレイクする時に絶縁基板にテープを張り付けてい
るために、コンデンサ素子がばらばらにならずに整列さ
れた形になるのでコンデンサ素子の外部電極を形成する
際に、コンデンサ素子を整列させる必要がなくなり、コ
ンデンサ素子のハンドリングのむずかしさの問題が軽減
される。これにより、積層薄膜コンデンサの大幅な小
形、軽量、量産、低コスト化を図ることができ、その産
業利用上の効果は大なるものである。
【図１】本発明の実施例１の薄膜コンデンサの製造方法
の絶縁基板の片面に粘着テープを張り付けた状態を示す
斜視図
の絶縁基板の片面に粘着テープを張り付けた状態を示す
斜視図
【図２】同個々のコンデンサにチップブレイクする工程
を示す斜視図
を示す斜視図
【図３】同個々のコンデンサ素子にチップブレイクした
状態を示す斜視図
状態を示す斜視図
【図４】本発明の実施例２の薄膜コンデンサの製造方法
の絶縁基板の両面に粘着テープを張り付けた状態を示す
斜視図
の絶縁基板の両面に粘着テープを張り付けた状態を示す
斜視図
【図５】同個々のコンデンサにチップブレイクする工程
を示す斜視図
を示す斜視図
【図６】同個々のコンデンサ素子にチップブレイクした
状態を示す斜視図
状態を示す斜視図
【図７】本発明および従来の薄膜コンデンサの製造方法
のチップブレイクする以前の絶縁基板の状態を示す斜視
図
のチップブレイクする以前の絶縁基板の状態を示す斜視
図
【図８】同個々のコンデンサにチップブレイクする工程
を示す斜視図
を示す斜視図
【図９】同個々のコンデンサ素子にチップブレイクした
状態を示す斜視図
状態を示す斜視図
【図１０】同個々のコンデンサ素子を整列させた状態を
示す斜視図
示す斜視図
１ 絶縁基板 ２，６ コンデンサ素子 ３ ブレイク溝 ４ ローラー ８ 粘着テープ
フロントページの続き (72)発明者 近藤 利文 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】板状のセラミックからなる絶縁基板上、あ
るいは、板状のセラミック上にガラスグレーズを塗布焼
付してなる絶縁基板上に、複数のコンデンサ素子を誘電
体層と内部電極層を交互に薄膜形成工法により積層して
形成し、個々のコンデンサ素子ごとにチップブレイクす
るブレイク溝を形成後、前記絶縁基板の両面あるいは、
片面に粘着テープを張りつけた後、前記絶縁基板をロー
ラーとローラーの間に通すことによってチップブレイク
する薄膜コンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8178492A JPH05283281A (ja) | 1992-04-03 | 1992-04-03 | 薄膜コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8178492A JPH05283281A (ja) | 1992-04-03 | 1992-04-03 | 薄膜コンデンサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05283281A true JPH05283281A (ja) | 1993-10-29 |
Family
ID=13756114
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8178492A Pending JPH05283281A (ja) | 1992-04-03 | 1992-04-03 | 薄膜コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05283281A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009238920A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Tdk Corp | 電子部品の製造方法 |
| CN113921278A (zh) * | 2021-06-30 | 2022-01-11 | 湖州新江浩电子有限公司 | 一种新型非破坏性电极引出方式的薄膜电容器及其制造方法 |
-
1992
- 1992-04-03 JP JP8178492A patent/JPH05283281A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009238920A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Tdk Corp | 電子部品の製造方法 |
| CN113921278A (zh) * | 2021-06-30 | 2022-01-11 | 湖州新江浩电子有限公司 | 一种新型非破坏性电极引出方式的薄膜电容器及其制造方法 |
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