WO1995030984A1

WO1995030984A1 - Tete magnetique et sa fabrication

Info

Publication number: WO1995030984A1
Application number: PCT/JP1995/000884
Authority: WO
Inventors: Mitsuharu Shouji; Hiroyuki Ohmori; Yasunari Sugiyama; Tetsuya Yamamoto
Original assignee: Sony Corporation
Priority date: 1994-05-09
Filing date: 1995-05-09
Publication date: 1995-11-16
Also published as: DE69521965T2; EP0709828B1; KR960704303A; EP0709828A4; EP0709828A1; US5796564A; DE69521965D1

Description

明細書磁気へッド及びその製造方法技術分野本発明は、ビデオテープレコーダや磁気ディスク装置等に好適な磁気へッドに関し、特にコイルを薄膜工程により形成してなる磁気へッド及びその製造方法に関する。背景技術ビデオテープレコーダ（ V T R ) や磁気ディスク装置等の磁気記録再生装置に使用される磁気へッドとしては、フェライトよりなる磁気コアの磁気ギヤップ形成面に金属磁性膜を成膜した、いわゆるメタル · イン · ギヤップ型磁気へッドゃ、一対の非磁性材料よりなる基板で金属磁性膜を挟み込んだ形の、いわゆるラミネート型磁気ヘッド等が使用されている。このような磁気ヘッドには、高画質化やデジタル化等に対応するために、特に高周波域でより良好な電磁変換特性を示すことが望まれている。

しかしながら、上記メタル · イン · ギャップ型磁気ヘッドは、ィンピ一ダンスが大きく、高周波数での使用には適さない。

また、上記ラミネート型磁気ヘッドは、高密度記録化のためにトラック幅を減少させると、磁路を構成する金属磁性膜の膜厚を減少させる必要があり、再生効率が低下する。さらに、磁路が金属磁性膜のみで形成されるため、金属磁性膜の磁気異方性の制御に問題があり、高い再生効率を得るのが困難である。なぜなら、一般に磁気へッドの磁気異方性は、磁化容易軸が磁束の方向に対して常に垂直方向であるのが理想であるが、金属磁性膜の磁化容易軸を磁束の方向に対して常に垂直方向になるようにすることは難しく、現状では異方性のない等方（無配向）膜か、異方性があっても一方向の一軸異方性を持つものしかないからである。

そこで、高周波対応の磁気ヘッドとして、例えば特開昭 6 3 — 2 3 1 7 1 3号公報ゃ特開平 3 — 2 4 8 3 0 5号公報に記載されるように、通常の磁気へッドよりも金属磁性膜で構成される磁路を小さくし、且つ薄膜工程を用いて磁気ギャップ形成面に薄膜コイルを形成した磁気へッドが提案されている。

しかしながら、特開昭 6 3 — 2 3 1 7 1 3号公報に記載されるような磁気ヘッドは、基板上に金属磁性膜を成膜後、金属磁性膜上に低融点のガラス等を充塡して平坦化する工程があるため、使用できる磁性膜に制限がある。すなわち、アモルファス磁性材料等のような熱処理を施せない材料からなる磁性膜は使用できない。また、窒化系磁性材料等のようなガラスと反応しやすい材料からなる磁性膜は、ガラスとの反応により発泡等が生じて、ガラスの充填が不十分となってしまうため適さない。もし、あえてガラスと反応しやすい磁性膜を用いる場合は、反応を抑えるための処理が必要となり、ェ程が増えるという問題点がある。そして更に、このようなタイプの磁気へッドでは、充填したガラス等が媒体摺動面に露出するため、耐摩耗性が劣ってしまうという問題もある。

一方、特開平 3— 2 4 8 3 0 5号に記載されるような磁気へッドは、基板上に金属磁性膜を絶縁層を介して積層した積層基板を複数作製して、これらの積層基板をガラス融着により接合しへッドブロックとして、このへッドブロックをもとに磁気へッドを作製するものである。このような磁気ヘッドでは、薄膜コイルを形成するための凹部を、基板及び磁性膜からなる面にイオンミリング等を施して形成するが、基板と磁性膜ではミリングレートが異なるため、一様な平面からなる凹部を形成するのは困難である。また、磁性膜の膜厚分布のむらや磁性膜の剝離等により、へッドブロック上に薄膜コィルを形成する際に、リソグラフィのマスクパターンのピッチが狂う可能性が大きく、歩止まりが大幅に低下するという問題がある。また、積層基板の接合部が全面に渡って磁性膜となるので、磁性膜と基板の応力の違いによって基板に反りが生じるという問題がある。さらに、このような反りが生じると、磁性膜、ガラス、及び基板の密着性が低下し接着強度が弱まってしまう。

本発明は、上述の従来の磁気へッドの有する欠点を解消すべく提案されたものであって、高周波域で良好な電磁変換特性を示す磁気へッド及びその製造方法であって、磁性膜上にガラス等を充填する必要がなく、信頼性が高く、耐摩耗性に優れた、歩止まりの良い磁気へッド及びその製造方法を提供することを目的とする。

さらに、本発明は、磁性膜の磁化容易軸が磁束の方向に対して常に略垂直方向で、再生効率に優れた磁気へッド及びその製造方法を提供することも目的とする。発明の開示上述の目的を達成するために完成された本発明に係る磁気ヘッドは、基板上に磁性膜が成膜された互いに対向する一対の磁気コア半体を有し、前記磁気コア半体の突き合わせ面の少なくとも一方の面に薄膜コイルが形成されてなる磁気へッドであって、前記基板上に磁気コア半体の磁路形状に対応する形状の凹部が形成され、前記凹部に前記磁性膜が成膜されるものである。

上記磁気ヘッドにおいて、凹部の形成は、基板上に磁気コア半体の磁路形状に対応する形状の凹部が形成されるならば、特に限定されるものではなく、例えばイオンミリングによって形成される。なお、凹部の形状は、薄膜コイル形成部を避けるような形状とすることが好ましい。また、磁性膜は互いに直交する磁化容易軸をもつ 2 種の磁性膜からなることが好ましく、このとき、互いに直交する磁化容易軸をもつ 2種の磁性膜のうち、一方の磁性膜の磁化容易軸が磁気ギヤップのデプス方向となっていることが望ましい。

上記磁気ヘッドにおいて、薄膜コイルは、磁気コア半体にコイルパターン状に形成された凹部に形成されていてもよい。このとき、薄膜コイルは、一対の磁気コア半体の双方に形成され、これら薄膜コイル同士が電気的に接続して 1 個のコイルが構成されていることが好ましい。さらに、この薄膜コイルは、コイルパターン状に形成された凹部の開口に達しないレベル迄埋設されていることが好ましい。

上記磁気へッドにおいて、前記磁気コア半体の少なくとも一方に形成されている薄膜コイルは、第 1 の薄膜コイルと第 2 の薄膜コィルとから構成されていてもよい。このとき、第 1 の薄膜コイルと第 2 の薄膜コイルとは、互いに異なる面上に形成されていることが望ましく、また、第 1 の薄膜コイルと第 2 の薄膜コイルとは、電気的に接続して 1 個のコイルが構成されていることが望ましい。

また、このように薄膜コイルを第 1 の薄膜コイルと第 2の薄膜コィルとから構成する際には、第 1 の薄膜コイルと第 2 の薄膜コイルとは、絶縁層を介して絶縁分離されるように構成されていることが望ましい。

また、このように薄膜コイルを第 1 の薄膜コイルと第 2の薄膜コィルとから構成する際には、磁気コア半体の薄膜コイル形成側の面に凹部が設けられ、この凹部内に第 1 及び第 2 の薄膜コイルが形成されていることが望ましい。

また、このように薄膜コイルを第 1 の薄膜コイルと第 2の薄膜コィルとから構成する際は、第 1 及び第 2 の両薄膜コイルが、一対の磁気コア半体の双方に形成され、前記両薄膜コイルによつて構成された 1 個のコイル端子部が、各磁気コア半体の双方から取り出されるようになっていてもよい。

また、このように第 1 及び第 2 の両薄膜コイルを一対の磁気コア半体の双方に形成する際は、一対の磁気コア半体の夫々において、第 1 及び第 2 の薄膜コイルの巻き方向は、同じ方向とすることが望ましく、また、磁気ギャップ面から見たとき、両磁気コア半体における第 1 及び第 2 の薄膜コイルの巻き方向は、互いに同じ方向とすることが望ましい。

また、第 1 及び第 2 の両薄膜コイルを一対の磁気コア半体の双方に形成する際は、下層の薄膜コイルを第 1 の薄膜コイルとし、上層の薄膜コイルを第 2 の薄膜コイルとしたとき、第 1 の磁気コア半体の第 1 の薄膜コイルの外側終端が第 1 の端子部に接続し、前記第 1 の磁気コア半体の第 1 の薄膜コイルの内側終端が第 2 の磁気コア半体の第 2 の薄膜コイルの内側終端に接続し、前記第 2 の磁気コア半体の第 2 の薄膜コイルの外側終端が第 1 の磁気コア半体の第 2 の薄膜コイルの外側終端に接続し、前記第 1 の磁気コア半体の第 2 の薄膜コイルの内側終端が第 2 の磁気コア半体の第 1 の薄膜コイルの内側終端に接続し、前記第 2 の磁気コア半体の第 1 の薄膜コイルの外側終端が第 2 の端子部に接続するように、各薄膜コイルが接続していることが好ましい。

一方、本発明の磁気ヘッドの製造方法は、基板上に磁性膜が成膜された互いに対向する一対の磁気コア半体を有し、前記磁気コア半体の突き合わせ面の少なくとも一方の面に薄膜コイルが形成されてなる磁気へッドの製造方法において、前記基板上に前記磁性膜を成膜するに際し、予め前記基板に凹部を形成し、前記凹部に前記磁性膜を成膜するものである。

上記磁気ヘッドの製造方法において、凹部の形成方法は、磁性膜を成膜する所に凹部を形成するものならば特に限定されるものではなく、例えばイオンミリングが挙げられる。なお、凹部の形状は、薄膜コイル形成部を避けるような形状とすることが好ましい。

また、上記磁気ヘッドの製造方法において、磁性膜の成膜は、一方向に磁化容易軸を持つ磁性膜と、前記磁化容易軸と直交する磁化容易軸を持つ磁性膜との 2種の磁性膜の成膜であることが好ましい。そして、この場合は、互いに直交する磁化容易軸を持つこれら 2種の磁性膜の成膜に際して、一方の磁性膜の磁化容易軸を磁気ギヤップのデブス方向とすることが更に好ましい。

このような本発明に係る磁気へッド、及び本発明に係る磁気へッドの製造方法によって製造された磁気へッドにおいては、基板上に磁気コア半体の磁路形状に対応する形状の凹部が形成され、この凹部に磁性膜が成膜されるため、不要な開口や溝等が形成されることがなく、ガラス等を充塡する必要がない。したがって、本発明においては、窒化系磁性材料等のようなガラスと反応しやすい材料からなる磁性膜や、ァモルファス磁性材料等のような熱処理を施せない材料からなる磁性膜であっても問題なく使用可能である。さらに、この磁気へッドは、ガラス等の充塡材が媒体摺動面に露出することがないので、優れた耐摩耗性が得られる。

また、磁性膜が形成されるのは、凹部内だけなので、磁性膜と基板の応力の違いによって基板に反りが生じるようなことがほとんどない。そのため、磁性膜と基板の接着強度が高く、信頼性の高い磁気へッドが得られる。

また、前記凹部を、イオンミリングによって形成することにより、前記凹部を高速かつ正確に形成することができる。

また、前記凹部を、薄膜コイル形成部を避けるような形状とすることにより、薄膜コイルの形成は、磁性膜上ではなく、基板上において行われるようになる。したがって、薄膜コイルを形成するにあたって、主に基板に対して薄膜工程を施すこととなり、磁性膜に対して薄膜工程を施すことがなくなる。

さらに、磁性膜を、互いに直交する磁化容易軸をもつ 2種の磁性膜によって形成することにより、磁性膜の磁気異方性の制御が可能となる。特に、互いに直交する磁化容易軸をもつ 2種の磁性膜のうち、一方の磁性膜の磁化容易軸を磁気ギヤップのデプス方向とすることにより、磁性膜の磁化容易軸が磁束の方向に対して常に略垂直方向となり、磁気へッドの再生効率が向上する。図面の簡単な説明図 1 は、実施例 1 の磁気へッドの製造工程を工程順に示すものであり、基板への磁性膜用凹部の形成工程を示す概略斜視図である。図 2 は、金属磁性膜の成膜工程を示す概略斜視図である。

図 3 は、不要な金属磁性膜を取り除く工程を示す概略斜視図である。

図 4 は、短冊状基板の作製工程を示す概略斜視図である。

図 5 は、接合基板の作製工程を示す概略斜視図である。

図 6 は、薄膜コイル用凹部の形成工程を示す概略平面図である。図 7 は、薄膜コイルの形成工程を示す概略平面図である。

図 8 は、薄膜コイルの保護層である絶縁膜の形成工程を示す概略平面図である。

図 9 は、鏡面加工を施し、バックギャップ部と電極接点部を露呈させる工程を示す概略平面図である。

図 1 0は、磁気ギャップ形成用及び磁気コア半体接合用の良導体金属膜の成膜工程を示す概略平面図である。

図 1 1 は、一対の磁気コア半体の突き合わせ工程を示す概略斜視図である。

図 1 2 は、一対の磁気コア半体の接合状態を示す概略斜視図である。

図 1 3 は、実施例 1 で得られる磁気へッドを示す概略斜視図である。図 1 4 は、実施例 2の磁気へッドの製造工程を工程順に示すものであり、基板への磁性膜用凹部である縦溝の形成工程を示す概略斜視図である。

図 1 5は、縱溝への金属磁性膜の成膜工程を示す概略斜視図である。

図 1 6は、不要な金属磁性膜を取り除く工程を示す概略斜視図である。

図 1 7は、基板への磁性膜用凹部である横溝の形成工程を示す概略斜視図である。

図 1 8は、横溝への金属磁性膜の成膜工程を示す概略斜視図である。

図 1 9は、不要な金属磁性膜を取り除く工程を示す概略斜視図である。

図 2 0は、短冊状基板の作製工程を示す概略斜視図である。

図 2 1 は、接合基板の作製工程を示す概略斜視図である。

図 2 2は、実施例 2で得られる磁気へッドを示す概略斜視図である。

図 2 3は、図 2 2 に示す磁気へッドの磁気コアの磁化容易軸を示す模式的断面図である。

図 2 4 は、一対の磁気コア半体の一例を示す平面図である。

図 2 5は、図 2 4 に示す一対の磁気コア半体を接合してなる磁気へッドを、図 2 4の I b — I b線に沿う平面において切断した要部拡大断面図である。

図 2 6は、図 2 4 に示す一対の磁気コア半体を接合してなる磁気へッドを、図 2 4の I c一 I c線に沿う平面において切断した要部拡大断面図である。

図 2 7 は、一対の磁気コア半体の他の例を示す平面図である。図 2 8 は、図 2 7 に示す一対の磁気コア半体を接合してなる磁気へッドを、図 2 7の I d— I d線に沿う平面において切断した要部拡大断面図である。

図 2 9 は、図 2 7 に示す一対の磁気コア半体を接合してなる磁気へッドを、図 2 7の I e — I e線に沿う平面において切断した要部拡大断面図である。

図 3 0は、磁気へッドの他の例を示す要部拡大断面図である。図 3 1 は、薄膜コイルの接続の状態の一例を示す模式図である。図 3 2 は、磁気へッドの他の例を示す要部拡大断面図である。発明を実施するための最良の形態以下、本発明を適用した具体的な実施例について、図面を参照しながら詳細に説明する。

実施例 1

本実施例の磁気へッドは、基板上に磁気コア半体の磁路形状に対応する形状の凹部が形成され、この凹部に磁性膜が成膜されてなる磁気へッドである。

本実施例の磁気ヘッドを製造する際は、先ず、結晶化ガラスや非磁性セラミックス等の非磁性体よりなる平板状の基板を用意する。そして、図 1 に示すように、基板 1 の一主面 l a に対して、フォトリソグラフィ技術を用いてパ夕一ニングを行い、イオンミリング等により、磁気コア半体の磁路形状に対応する形状の磁性膜用凹部 2 を形成する。なお、磁性膜用凹部 2は、その深さを、所望するトラック幅以上とし、その形状を、後の工程で薄膜コイルが基板上に形成されるようにするため、薄膜コイル形成部を避けるような略コ字形状とする。

次に、図 2 に示すように、磁性膜用凹部 2を形成した基板 1 の主面 l a上に、金属磁性膜 3を、磁性膜用凹部内 2を含めて、スパッ夕法や真空蒸着法等により成膜する。なお、金属磁性膜 3 としては、高飽和磁束密度を有し、良好な軟磁気特性を有するものであれば如何なるものであってもよく、例えば、厚さ数 mの、 F e A I S i 膜、 F e R u G a S i 膜、 F e H f T a N膜、 F e A I N膜、ァモルファス膜等が挙げられる。また、この金属磁性膜 3は、単層膜でも、 S i 0₂ 等の絶縁膜を介して積層した積層膜であってもよい。次に、図 3 に示すように、金属磁性膜 3を成膜した面に、イオンミリングゃ鏡面加工等を施して金属磁性膜 3の不要部分を取り除いた上で、鏡面加工を施す。このとき、金属磁性膜 3は、磁性膜用凹部内 2だけに残るように、且つ残った部分の膜厚がトラック幅となるようにする。

次に、図 4 に示すように、金属磁性膜 4が成膜された基板 1 を短冊状に切断して短冊状基板 4 を作製する。このとき、一方の切断面 1 bが磁気コア半体同士の突き合わせ面となるように、且つ他の切断面 1 cが前記突き合わせ面の反対側の面となるようにする。

次に、図 5 に示すように、複数の短冊状基板 4 を接合一体化して接合基板 5を作製する。このとき、前記突き合わせ面が上部主面 1 b となるように接合する。なお、接合は、ガラス融着ゃ低温メタル接合（例えば金の拡散接合）等によって行う。次に、接合基板 5 に、薄膜工程によって薄膜コイルを形成する。なお、磁気コア半体は一つの接合基板 5 から複数作製されるものであり、個々の磁気コア半体に対応して薄膜コイルが形成される力以下の説明では便宜上、接合基板の内の一つの磁気コア半体に対応する部分（図 5 中の破線 Aで囲まれた部分）を拡大して説明する。

まず、図 6 に示すように、磁気コア半体同士の突き合わせ面となる面に、薄膜コイルの略中心に位置することになるバックギヤップ部 6 と、一対の磁気コア半体を接合一体化するときに各磁気コア半体の薄膜コイル同士を接続することになる電極接点部 7 を、フォトリソグラフィ技術を用いてパ夕一ニングを行った上で、イオンミリング等により、薄膜コイルの形成部位に薄膜コイル用凹部 8 を形成する。このとき、電極接点部 7 はバックギャップ部 6 より 2〜 3 〃 m低くしておく。

次に、図 7 に示すように、薄膜コイル用凹部 8 内に、フォトリソグラフィ技術を用いてパ夕一ニングを行い、真空蒸着法ゃメツキ等により薄膜コイル 9 を形成する。なお、薄膜コイル 9 の材料としては、良導体であれば如何なるものであってもよく、例えば、 A u、 A g、 C u、 A I 等が挙げられる。

次に、図 8 に示すように、前記薄膜コイル用凹部 8 内を、薄膜コィル 9 の保護膜となる絶縁膜 1 0 によって埋める。ただし、薄膜コィル 9 の引き出し電極部 9 a は露出したままとする。なお、絶縁膜の材料としては、 S i 0 z や A 1 ₂ 0 等が挙げられる。

次に、図 9 に示すように、バックギャップ部 6及び電極接点部 7 が露出するまで、絶縁膜 1 0が形成された面に鏡面加工を施す。次に、図 1 0 に示すように、前記薄膜コイル用凹部 8以外の部分と、ノックギャップ部 6 と、電極接点部 7 に、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングを行い、磁気ギャップの形成、及び一対の磁気コア半体を接合するときの接着に用いるための、良導体金属膜 1 1 を成膜する。なお、ここで用いる良導体金属としては、例えば、 A u、 S n等が挙げられる。

次に、以上のように作製された、基板 1 上に磁性膜 3及び薄膜コィル 9が形成された磁気コア半体 1 2から磁気へッドを作製する。まず、一対の磁気コア半体 1 2 a , 1 2 b を、図 1 1 に示すように、薄膜コイル 9 を形成した面 l b 同士を突き合わせ、加圧しながら適当な温度で接着し、図 1 2 に示すように接合一体化する。このとき、薄膜コイル 9が形成された薄膜コイル用凹部 8 内は、絶縁膜 1 0 によって保護されているため、不用意な断線や短絡が発生することはない。なお、一対の磁気コア半体 1 2 a , 1 2 b を突き合わせるに際しては、一方の磁気コア半体 1 2 aの側面側の突出した薄膜コイル 9の引き出し電極を切断して短くし、他方の磁気コア半体 1 2 b に形成した薄膜コイルの引き出し電極部 9 aが外部に露呈するように設定する。

最後に、図 1 3 に示すように、スライシング加工によってチップ切断し、各磁気ヘッド単位に切り出し、磁気ヘッド 1 3が作製される。

このような本実施例の磁気へッドにおいては、薄膜コイルが既に形成されており、後から巻線を施す必要がない。

また、従来の磁気ヘッドと異なり、不要な開口や溝等が形成されることがなく、ガラス等を充塡する必要がない。そのため、ガラス等と反応しやすい磁性膜であっても使用できる。また、ガラス等を充塡するための熱処理が不要なので、熟処理を行うと特性が悪化する磁性膜であっても使用できる。なお、熱処理を行うと特性が悪化する磁性膜を用いる場合には、短冊状基板の接合を低温メタル接合 (例えば、金の拡散接合）等で行うことが望ましい。

また、薄膜コイルを形成するにあたって、磁性膜に対して薄膜ェ程を施すことがなく、主に基板に対して薄膜工程を施すため、薄膜コイルの形成が容易である。

更に、充塡されたガラス等が媒体摺動面に露出するようなこともないので、耐摩耗性にも優れている。

実施例 2

本実施例の磁気へッドは、磁性膜が互いに直交する磁化容易軸をもつ 2種の磁性膜からなる磁気へッドである。

本実施例の磁気ヘッドを製造する際は、先ず、結晶化ガラスや非磁性セラミックス等の非磁性体よりなる平板状の基板を用意する。そして、図 1 4 に示すように、基板 2 1 の一主面 2 l a に対して、磁性膜用凹部として、複数の縱溝 2 2 a を形成する。なお、前記縦溝 2 2 a の形成は、機械加工によって形成しても、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングを行いイオンミリング等により形成してもよい。また、この縱溝 2 2 a は、所望する磁気ギャップのデブス方向に平行、且つ所望するトラック幅以上の深さとなるように形成する。

次に、図 1 5 に示すように、縱溝 2 2 a を形成した基板 2 1 の主面 2 l a上に、一軸性の磁気異方性を持つ金属磁性膜 2 3 a を、磁化容易軸 M 1 が図中矢印で示すように縱溝 2 2 a の形成方向と垂直となるように、縦溝 2 2 a の内部を含めて、スパッ夕法や真空蒸着法等により成膜する。なお、磁化容易軸 M l を付与する方法としては、例えば、磁界中で成膜を行う方法や、基板を傾斜させてスパッ夕粒子の入射方向を変えて異方性をつける方法等が挙げられる。次に、図 1 6 に示すように、金属磁性膜 2 3 aを成膜した面に、イオンミリングゃ鏡面加工等を施して金属磁性膜 2 3 aの不要部分を取り除いた上で、鏡面加工を施す。このとき、金属磁性膜 2 3 a は、縦溝 2 2 a内だけに残るように、且つ残った部分の膜厚がトラック幅以上となるようにする。

次に、図 1 7 に示すように、縦溝 2 2 a内に金属磁性膜 2 3 aを形成した基板 2 1 の主面 2 l aに対して、磁性膜用凹部として、縦溝 2 2 a と直交する複数の横溝 2 2 bを形成する。なお、前記横溝 2 2 bの形成は、縦軸 2 2 aの形成と同様、機械加工によって形成しても、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングを行いィォンミリング等により形成してもよい。また、この横溝 2 2 bは、縦溝 2 2 a と同じ深さとなるように形成する。

次に、図 1 8 に示すように、横溝 2 2 b を形成した基板 2 1 の主面 2 l a上に、一軸性の磁気異方性を持つ金属磁性膜 2 3 b を、磁化容易軸 M 2が図中矢印で示すように横溝 2 2 bの形成方向と垂直となるように、横溝 2 2 bの内部を含めて、スパッタ法ゃ真空蒸着法等により成膜する。なお、磁化容易軸 M 2を付与する方法は縦軸 2 2 a内に金属磁性膜 2 3 a を成膜した場合と同様である。

ただし、横軸 2 2 b形成後に成膜した金属磁性膜 2 3 b に、磁気異方性を付与するに際して、磁界をかけることにより磁気異方性を付与する場合は、縦軸 2 2 a に形成した金属磁性膜 2 3 aの異方性の方向を乱さないように、且つ横軸 2 2 b形成後に成膜した金属磁性膜 2 3 b に異方性を付与できるように金属磁性膜を選択する必要がある。このような金属磁性膜の選択としては、例えば、縦軸 2 2 a に形成する金属磁性膜 2 3 a を F e A 1 S i 膜として、横軸 2 2 b形成後に成膜する金属磁性膜 2 3 b をァモルファス膜とすればよい。

次に、図 1 9 に示すように、金属磁性膜 2 3 b を成膜した面に、イオンミリングや鏡面加工等を施して金属磁性膜 2 3 b の不要部分を取り除いた上で、鏡面加工を施す。このとき、金属磁性膜 2 3 b は、横溝 2 2 b 内だけに残るように、且つ残った部分の膜厚がトラック幅となるようにする。

次に、図 2 0 に示すように、基板 2 1 を短冊状に切断して短冊状基板 2 4 を作製する。このとき、一方の切断面 2 l b が磁気コア半体同士の突き合わせ面となるように、且つ他の切断面 2 1 c が前記突き合わせ面の反対側の面となるようにする。

次に、図 2 1 に示すように、複数の短冊状基板 2 4 を接合一体化して接合基板 2 5 を作製する。このとき、前記突き合わせ面が上部主面 2 l b となるように接合する。なお、接合は、ガラス融着ゃ低温メタル接合（例えば金の拡散接合）等によって行う。

この接合基板 2 5 を用いて、実施例 1 と同様に、薄膜コイルの形成、一対の磁気コア半体の接合一体化等の工程を経て、図 2 2 に示すような、磁気ヘッド 2 6 を作製する。

このような本実施例の磁気へッドは、実施例 1 の磁気へッドの効果に加えて、高い再生効率を得ることができるという効果が得られる。なぜなら、本実施例の磁気ヘッドは、図 2 3 に示すように、磁気コアが、磁化容易軸 M 2 が磁気ギヤップ g のデプス方向に平行な、縱溝 2 2 aに形成された金属磁性膜 2 3 a と、磁化容易軸 M l が磁気ギヤップ gのデプス方向に垂直な、横溝 2 2 b に形成された金属磁性膜 2 3 b とからなっており、各金属磁性膜 2 3 a, 2 3 bの磁化容易軸 M 1， M 2は磁束の方向に対して常に略垂直方向になっているからである。

実施例 3

本実施例の磁気ヘッドは、一対の基板の夫々に、薄膜形成手法によって渦巻き状に薄膜コイルを形成してなる一対の磁気コア半体を貼り合わせて構成される。本実施例の磁気ヘッドは、薄膜コイルのパターンに特徴がある磁気へッドであり、薄膜コイルのパターン以外については、実施例 1 又は実施例 2とほぼ同様に構成される。したがって、以下の説明では、主に薄膜コイルのパターンについて説明する。

図 2 4, 2 5， 2 6は、本実施例の磁気ヘッドを構成する一対の磁気コア半体を示しており、図 2 4 は、一対の磁気コア半体の平面図であり、図 2 5は、図 2 4の一対の磁気コア半体を貼り合わせてなる磁気へッドについて、図 2 4の I b — I b線に沿う平面で切断した様子を示す要部拡大断面図であり、図 2 6は、同じく図 2 4の一対の磁気コア半体を貼り合わせてなる磁気へッドについて、図 2 4の I c 一 I c線に沿う平面で切断した様子を示す要部拡大断面図である。図 2 4 に矢印で示すように、一方の磁気コア半体 1 0 9に、略同様の形状を呈する他方の磁気コア半体 1 3 9が貼り合わされ、磁気ヘッドが構成される。

上記磁気コア半体 1 0 9は、次のように構成されている。セラミックの基板 1 0 1上にコイルパターン状に凹部 1 1 0が形成され、凹部 1 1 0内に薄膜コイル 1 1 1 が形成されている。薄膜コイル 1 1 1 の内側先端部 1 1 l aの近傍には金属磁性層 1 0 3のバックギャップ 1 0 3 b となる部分が基板 1 0 1 上に露呈している。金属磁性層 1 0 3は、ノックギヤップ 1 0 3 b となる部分から基板 1 0 1 の一方の端面側に亘つて埋設され、この端面側がフロントギヤップ 1 0 3 a となる部分になる。

薄膜コイル 1 1 1 の外側先端部には基板 1 0 1 の他方の端面側に至る一方の端子部 1 1 2が延設され、薄膜コイル 1 1 1 とは離間した他方の端子部 1 1 3が端子部 1 1 2 と平行に設けられている。金属磁性層 1 0 3は、基板 1 0 1 に設けられた溝の傾斜面上に形成される。

薄膜コイル 1 1 1 の周囲には金の膜 1 1 4カ金属磁性層 1 0 3 のバックギャップ部分 1 0 3 b上には金の膜 1 1 5力、薄膜コイル 1 1 1 の内側先端部 1 1 1 a上には金の膜 1 1 6力薄膜コイル 1 1 1 の端子部 1 1 2 との接続部分上には金の膜 1 1 7カ、端子部 1 1 3の内側先端部上には金の膜 1 1 8が夫々被着している。

なお、磁気コア半体 1 3 9は、磁気コア半体 1 0 9 とほぼ同様な構造とされており、磁気コア半体 1 3 9を構成する各部分には、磁気コア半体 1 0 9のこれらと対応する部分の符号に「 3 0」をプラスした符号を付して表してある。また、図 2 4 において、 1 1 2 a, 1 1 3 a, 1 4 2 a, 1 4 3 aは L字形の端子接続部、 1 1 2 b, 1 1 3 , 1 4 2 b, 1 4 3 bは端子部である。

図 2 4， 2 5, 2 6から解るように、磁気コア半体 1 0 9, 1 3 9を貼り合わせると、金属磁性膜 1 0 3， 1 3 3が閉磁路を形成し、金の膜 1 1 4, 1 4 4 によってフロントギャップ 1 1 4 A力、金の膜 1 1 5, 1 4 5によってノ、' ックギャップ 1 1 5 Aが夫々形成される。そして、金の膜 1 1 6, 1 4 6からなる金の膜 1 1 6 Aを介して薄膜コイル 1 1 1 , 1 4 1 が接続し、 1 個のコイルを構成する。かくして、端子部 1 1 2から入力された電流は、薄膜コイル 1 1 1、金の膜 1 1 6, 1 4 6、薄膜コイル 1 4 1、接続部 1 4 3の金の膜 1 4 8を順次経由し、端子部 1 1 3へと流れる。なお、当然のことながら、電流はこれとは逆方向にも流れ得る。金の膜 1 1 7， 1 4 7は、薄膜コイルの電気的接続に必要なものではないが、磁気コア半体 1 0 9, 1 3 9の張り合わせの際に、がたつきを防止するのに役立つ。

凹部 1 1 0, 1 4 0内の薄膜コイル 1 1 1 , 1 4 1 は、中央端部 1 1 1 a, 1 4 l a以外の領域で凹部 1 1 0, 1 4 0に完全には充塡されておらず、図 2 5， 2 6に示すように、凹部開口側部分に空間 1 1 0 a, 1 4 0 aが形成されている。即ち、薄膜コイル 1 1 1 , 1 4 1 の上面は、上記領域では凹部 1 1 0, 1 4 0の開口に達しないレベルに位置させてある。

上記空間 1 1 0 a, 1 4 0 aを設けることにより、磁気コア半体 1 0 9, 1 3 9を貼り合わせた状態で、薄膜コイル 1 1 1 , 1 4 1 間の間隙を充分にとることができ、両薄膜コイル 1 1 1， 1 4 1 間での電流のリークを起こす恐れがなくなる。

本実施例の磁気へッドのように、磁気コア半体の基板部分にコィルパターン状の凹部を設け、この凹部に薄膜コイルを形成すると、薄膜コイルは基板によって保護されることとなる。したがって、磁気コア半体に加工（例えば磁気コア半体の接合）を施す際に、加工によって薄膜コイルがダメージを受けることがなく、高い信頼性が得られる。

実施例 4

本実施例の磁気ヘッドは、磁性層と、 2層に形成された薄膜コィルとを設けた一対の磁気コア半体が接合されて構成される。本実施例の磁気へッドは、薄膜コイルが 2 層に形成されていることに特徴がある磁気ヘッドであり、薄膜コイル以外については、実施例 1 又は実施例 2 と同様に構成される。したがって、以下の説明では、主に薄膜コイルについて説明する。

図 2 7 , 2 8 , 2 9 は、本実施例の磁気ヘッドを構成する一対の磁気コア半体を示しており、図 2 7 は、一対の磁気コア半体の拡大平面図であり、図 2 8は、図 2 7 の一対の磁気コア半体を貼り合わせてなる磁気へッドについて、図 2 7の I d — I d線に沿う平面で切断した様子を示す要部拡大断面図であり、図 2 9 は、同じく図 2 7 の一対の磁気コア半体を貼り合わせてなる磁気ヘッドについて、図 2 7 の I e — I e 線に沿う平面で切断した様子を示す要部拡大断面図である。図 2 7 に矢印で示すように、一方の磁気コア半体 2 2 9 に、略同様の形状を呈する他方の磁気コア半体 2 4 9が貼り合わされ、磁気ヘッドが構成される。

なお、磁気コア半体 2 4 9 は、磁気コア半体 2 2 9 とほぼ同様な構造であり、磁気コア半体 2 4 9 を構成する各部分には、磁気コア半体 2 2 9のこれらと対応する部分の符号に「 2 0」をプラスした符号を付して表してある。また、図 2 7 において、 [ A ] を付した符号は下層側部分を、 [ B ] を付した符号は上層側部分を示している。

磁気コア半体 2 2 9のセラミックス基板 2 1 7上に設けられた窪み（凹部） 2 1 3内に薄膜コイル 2 1 9 A, 2 1 9 B及び端子部 2

2 3 A, 2 2 3 B, 2 2 4 A, 2 2 4 Bが配置される。同様に、磁気コア半体 2 4 9のセラミックス基板 2 3 7上に設けられた凹部 2 3 3内に薄膜コイル 2 3 9 A, 2 3 9 B及び端子部 2 4 3 A, 2 4 3 B, 2 4 4 A, 2 4 4 Bが配置される。薄膜コイル 2 1 9 A, 2 1 9 B及び 2 3 9 A， 2 3 9 Bは、夫々凹部 2 1 3, 2 3 3内に充塡された絶縁充塡材 2 3 0， 2 5 0 によつて互いに離間されている。磁気コア半体 2 2 9では、第 1 の薄膜コイル 2 1 9 Aの外側終端が第 1 の端子部 2 2 3 A， 2 2 3 Bに接続し、内側終端が接点 2 2 0に接続している。また、第 2の薄膜コイル 2 1 9 Bの外側終端が接点 2 2 2に接続し、内側終端が接点 2 2 1 に接続している。磁気コア半体 2 4 9では、第 1 の薄膜コイル 2 3 9 Aの外側終端が第 2 の端子部 2 4 4 A， 2 4 4 Bに接続し、内側終端が接点 2 4 1 に接続している。また、第 2の薄膜コイル 2 3 9 Bの外側終端が接点 2 4 2 に接続し、内側終端が接点 2 4 0に接続している。

磁気コア半体 2 2 9, 2 4 9を接合すると、図 2 8 に示すように、磁気コア半体 2 2 9の第 1 の薄膜コイル 2 1 9 Aの内側終端 2 1 9 aが磁気コア半体 2 4 9の第 2の薄膜コイル 2 3 9 Bの内側先端 2

3 9 b に接点 2 2 0 A (図 2 7の接点 2 2 0 と接点 2 4 0 とが圧着してなる）を介して接続する。同様に、磁気コア半体 2 2 9の第 2 の薄膜コイル 2 1 9 Bの内側終端 2 1 9 bが磁気コア半体 2 4 9の第 1 の薄膜コイル 2 3 9 Aの内側終端 2 3 9 a に接点 2 2 1 A (図 2 7の接点 2 2 1 と接点 2 4 1 とが圧着してなる）を介して接続する。

更に、図 2 9 に示すように、磁気コア半体 2 4 9の第 2の薄膜コィル 2 3 9 Bの外側終端 2 3 9 cが磁気コア半体 2 2 9の第 2の薄膜コイル 2 1 9 Bの外側終端 2 1 9 c に接点 2 2 2 A (図 2 7の接点 2 2 2 と接点 2 4 2 とが圧着してなる）を介して接続する。

以上にようにして、薄膜コイルの接続がなされる。

磁気コア半体 2 2 9, 2 4 9の上記接合により、磁性層 2 1 4, 2 3 4の先端部 2 1 4 a, 2 3 4 aが金属薄膜 2 2 7 A (図 2 7の金属薄膜 2 2 7， 2 4 7が互いに圧着してなる）を介して接合し、金属薄膜 2 2 7 Aによってフロントギヤップが形成される。同様に、磁性層 2 1 4, 2 3 4の後端部 2 1 4 b， 2 3 4 bが金属薄膜 2 2 7 Aを介して接合し、金属薄膜 2 2 7 Aによってバックギヤップが形成される。

このような磁気へッドでは、磁気コア半体に形成される薄膜コィルを、第 1 の薄膜コイルと第 2の薄膜コイルとから構成しているた、コイルの巻き数が多くなつている。したがって、本実施例の磁気へッドでは、コイルの巻き数が多いため高出力が得られる。ここで、第 1 及び第 2の薄膜コイルは、いずれもフォトリソグラフィ技術によって所定のパターンに形成できるので、このようなコイルの巻き数増加は容易に達成することができる。

なお、磁性層は、図 3 0に示すように、積層構造を有する金属磁性層 3 1 4, 3 3 4 としてもよい。ここで、金属磁性層 3 1 4， 3 3 4は、金属磁性膜 3 0 3が絶縁膜 3 0 4 を介して積層されてなつている。このとき、金属磁性膜 3 0 3の厚さは 3〜 1 0 〃 m程度、その総厚は 5〜 1 0 〃 m程度、絶縁層 3 0 4の厚さは 7 0〜 2 0 0 n m程度とすればよい。絶縁層 3 0 4 には、 A 1 ₂0₃、 S i 0₂、 T i 0₂、 S i ₃N ₄等の化学的に安定で絶縁性の良いものが好適である, このように、金属磁性膜 3 0 3を酸化物或いは窒化物等の絶縁膜によって分離することにより、高周波領域における記録再生特性に優れた磁気ヘッドを得ることが出来る。何故なら、磁性層を薄い磁性層に分離することにより、渦電流による磁気的損失が避けられるからである。

以上のように接続された薄膜コイルの様子を、図 3 1 に模式的に示す。図 3 1 に示すように、磁気コア半体 2 2 9, 2 4 9には、薄膜コイルが上下に分離して 2層ずつ形成され、これら薄膜コイルは磁気ギャップ面（磁気コア半体の接合面）から見て同じ方向（この例では反時計方向）に巻かれている。

第 1 の磁気コア半体 2 2 9の下層側の薄膜コイル（第 1 の薄膜コィル） 2 1 9 Aの外側終端は端子部 2 2 3 に接続し、内側終端は第 1 の接点 2 2 O Aを介して第 2の磁気コア半体 2 4 9の上層側の薄膜コイル（第 2の薄膜コイル） 2 3 9 Bの内側終端に接続している。この第 2の薄膜コイル 2 3 9 Bの外側終端 2 3 9 Cは第 3の接点 2 2 2 Aを介して第 1 のへッド半体 2 2 9の第 2の薄膜コイル 2 1 9 Bの外側終端 2 1 9 Cに接続し、この第 2の薄膜コイル 2 1 9 Bの内側終端は第 2の接点 2 2 1 Aを介して第 2の磁気コア半体 2 4 9 の第 1 の薄膜コイル 2 3 9 Aの内側終端に接続し、この第 1 の薄膜コイル 2 3 9 Aの外側終端は第 2の端子部 2 2 4 に接続している。各薄膜コイルの巻き方向及び接続を上記のようにすることにより、第 1 の端子部 2 2 3から送られてきた電流は、各薄膜コイルにて同じ方向（この例では時計方向）に流れて第 2の端子部 2 2 4 に至り、磁性層 2 1 4, 2 3 4 を通る磁束の向きが同じになる。したがって、薄膜コイルを 1 層ずつ設けた場合の 2倍の出力が得られる。また、各コイルが立体的に交差する（上層側のコイルが下層側のコイルを跨ぐ）ことがなく、薄膜コイルのパターニングが容易かつ正確になる。薄膜コイル同士が立体的に交差する箇所があると、上層の薄膜コイルをフォトリソグラフィによってパターニングするためのマスクがずれて露光が不均一になり易く、寸法精度が悪くなり易い。なお、薄膜コイルは、各磁気コア半体に 3層又は 4 層以上設けることもできる。図 3 2 は、各磁気コア半体に薄膜コイルを 3層ずつ設けた磁気へッドについて、図 2 8 と同様に示す要部拡大断面図である。

この例による磁気へッドでは、第 1 の端子部が磁気コア半体 3 2 9 の下層側の薄膜コイル 2 1 9 Aの外側終端に接続し、その内側終端が磁気コア半体 3 4 9 の中間の薄膜コイル 2 3 9 Bの内側終端に金属薄膜 3 2 0 を介して接続している。そして、薄膜コイル 2 3 9 Bの外側終端が磁気コア半体 3 2 9 の上層側の薄膜コイル 2 1 9 C の外側終端に接続し、その内側終端が磁気コア半体 3 4 9の下層側の薄膜コイル 2 3 9 Aの内側終端に金属薄膜 3 2 2 を介して接続している。

そして、薄膜コイル 2 3 9 Aの外側終端が磁気コア半体 3 2 9の中間の薄膜コイル 2 1 9 Bの外側終端に接続し、その内側終端が磁気コア半体 3 4 9 の上層側の薄膜コイル 2 3 9 Cの内側終端に金属薄膜 3 2 1 を介して接続し、その外側終端が第 2 の端子部に接続している。

薄膜コイルの外側終端同士の接続は、上述した方法に準じて、各磁気コア半体毎に 2箇所に設けられた金属薄膜（図示せず）によつてなされる。このようにすると、コイルの総巻き数を上述の磁気へッドの 1 . 5倍に増加することができ、出力も 1 . 5倍となる。産業上の利用可能性以上の説明からも明らかなように、本発明に係る磁気へッド、及び本発明に係る磁気ヘッドの製造方法によって製造された磁気へッドにおいては、不要な開口や溝等が形成されることがなく、ガラス等を充填する必要がない。したがって、ガラス等と反応しやすい磁性膜であっても使用できる。また、ガラス等を充塡するための熱処理が不要なので、熱処理を行うと特性が悪化する磁性膜であっても使用できる。更に、充填されたガラス等が媒体摺動面に露出するようなことがないので、耐摩耗性にも優れている。

また、磁性膜を成膜する凹部を、薄膜コイル形成部を避けるような形状とすることにより、薄膜コイルの形成が基板上で行われるようになるため、薄膜コイルを形成するにあたって、主に基板に対して薄膜工程を施すこととなり磁性膜に対して薄膜工程を施すことがなくなる。したがって、薄膜コイルの形成が容易であり、歩止まりが大幅に向上する。

また、磁性膜を成膜する凹部を、イオンミリングによって形成することにより、前記凹部を高速かつ正確に形成することができる。また、磁性膜が形成されるのは、予め形成された凹部内だけなので、磁性膜と基板の応力の違いによって基板に反りが生じることがほとんどない。そのため、接着強度が強く信頼性の高い磁気ヘッドとなる。

さらに、磁性膜を、互いに直交する磁化容易軸をもつ 2種の磁性膜によって形成することにより、磁性膜の磁気異方性の制御が可能となる。特に、互いに直交する磁化容易軸をもつ 2種の磁性膜のうち、一方の磁性膜の磁化容易軸を磁気ギヤップのデプス方向として、磁性膜の磁化容易軸を磁束の方向に対して常に略垂直方向となるようにすることにより、磁気へッドの再生効率が向上する。

Claims

請求の範囲

1 . 基板上に磁性膜が成膜された互いに対向する一対の磁気コア半体を有し、前記磁気コア半体の突き合わせ面の少なくとも一方の面に薄膜コイルが形成されてなる磁気ヘッドにおいて、

前記基板上に磁気コア半体の磁路形状に対応する形状の凹部が形成され、前記凹部に前記磁性膜が成膜されていることを特徴とする磁気へッド。

2 . 前記凹部がイオンミリングによって形成されていることを特徴とする請求項 1 記載の磁気へッド。

3 . 前記磁性膜が互いに直交する磁化容易軸をもつ 2種の磁性膜からなることを特徴とする請求項 1 記載の磁気へッド。

4 . 互いに直交する磁化容易軸をもつ 2種の磁性膜のうち、一方の磁性膜の磁化容易軸が磁気ギャップのデプス方向であることを特徴とする請求項 3記載の磁気へッド。

5 . 前記薄膜コイルが、磁気コア半体にコイルパターン状に形成された凹部に形成されていることを特徴とする請求項 1 記載の磁気へッ卜。

6 . 前記薄膜コイルが一対の磁気コア半体の双方に形成され、これら薄膜コイル同士が電気的に接続して 1 個のコイルが構成されていることを特徴とする請求項 5記載の磁気へッド。

7 . 前記コイルパターン状に形成された凹部の開口に達しないレべル迄薄膜コイルが埋設されていることを特徴とする請求項 5記載の磁気へッド。

8 . 前記磁気コア半体の少なくとも一方に形成されている薄膜コィルが、第 1 の薄膜コイルと第 2の薄膜コイルとからなることを特徴とする請求項 1 記載の磁気へッド。

9 . 前記第 1 の薄膜コイルと第 2 の薄膜コイルと力互いに異なる面上に形成されていることを特徴とする請求項 8記載の磁気ヘッド。

1 0 . 前記第 1 の薄膜コイルと第 2 の薄膜コイルと力電気的に接続して 1 個のコイルが構成されていることを特徴とする請求項 8記載の磁気へッド。

1 1 . 前記第 1 の薄膜コイルと第 2 の薄膜コイルと力絶縁層を介して絶縁分離されていることを特徴とする請求項 8記載の磁気へッ

K。

1 2 . 磁気コア半体の薄膜コイル形成側の面に凹部が設けられ、この凹部内に第 1 及び第 2 の薄膜コイルが形成されていることを特徴とする請求項 8記載の磁気へッド。

1 3 . 前記第 1 及び第 2の両薄膜コイルが、一対の磁気コア半体の双方に形成され、前記両薄膜コイルによって構成された 1 個のコィル端子部が、各磁気コア半体の双方から取り出されていることを特徴とする請求項 8記載の磁気へッド。

1 4 . 一対の磁気コア半体の夫々において、第 1 及び第 2の薄膜コィルの巻き方向が同じ方向であることを特徴とする請求項 1 3記載の磁気へッド。

1 5 . 磁気ギャップ面から見たとき、両磁気コア半体における第 1 及び第 2 の薄膜コイルの巻き方向が互いに同じ方向であることを特徴とする請求項 1 3記載の磁気へッド。

1 6 . 下層の薄膜コイルを第 1 の薄膜コイルとし、上層の薄膜コィルを第 2 の薄膜コイルとしたとき、第 1 の磁気コア半体の第 1 の薄膜コイルの外側終端が第 1 の端子部に接続し、前記第 1 の磁気コア半体の第 1 の薄膜コイルの内側終端が第 2の磁気コア半体の第 2の薄膜コイルの内側終端に接続し、前記第 2 の磁気コア半体の第 2の薄膜コイルの外側終端が第 1 の磁気コア半体の第 2の薄膜コイルの外側終端に接続し、前記第 1 の磁気コア半体の第 2の薄膜コイルの内側終端が第 2 の磁気コア半体の第 1 の薄膜コイルの内側終端に接続し、前記第 2 の磁気コア半体の第 1 の薄膜コイルの外側終端が第 2 の端子部に接続していることを特徴とする請求項 1 3記載の磁気へッド。

1 7 . 基板上に磁性膜が成膜された互いに対向する一対の磁気コア半体を有し、前記磁気コア半体の突き合わせ面の少なくとも一方の面に薄膜コイルが形成されてなる磁気ヘッドの製造方法において、前記基板上に前記磁性膜を成膜するに際し、予め前記基板に凹部を形成し、前記凹部に前記磁性膜を成膜することを特徴とする磁気へッドの製造方法。

1 8 . 前記凹部をイオンミリングによって形成することを特徴とする請求項 1 7記載の磁気へッドの製造方法。

1 9 . 前記磁性膜の成膜が、一方向に磁化容易軸を持つ磁性膜と、前記磁化容易軸と直交する磁化容易軸を持つ磁性膜との 2種の磁性膜の成膜であることを特徴とする請求項 1 7記載の磁気へッドの製造方法。

2 0 . 互いに直交する磁化容易軸を持つ 2種の磁性膜の成膜に際し、一方の磁性膜の磁化容易軸を磁気ギャップのデプス方向とすることを特徴とする請求項 1 9記載の磁気へッドの製造方法。