JPH0467412A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

薄膜磁気ヘッドの製造方法

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JPH0467412A
JPH0467412A JP18112190A JP18112190A JPH0467412A JP H0467412 A JPH0467412 A JP H0467412A JP 18112190 A JP18112190 A JP 18112190A JP 18112190 A JP18112190 A JP 18112190A JP H0467412 A JPH0467412 A JP H0467412A
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江崎 城一朗
Shunichi Katase
駿一 片瀬
Mikio Matsuzaki
幹男 松崎
Toshiaki Yamashita
山下 俊朗
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、薄膜磁気ヘッド素子の製造方法に関し、ヘッ
ドピース集合体に整列して設けられた複数の薄膜磁気ヘ
ッド素子のポール部の長さが、薄膜磁気ヘッド素子毎に
異なるように、ヘッドピース集合体を研磨することによ
り、一つのへッドビース集合体から異なる電磁変換特性
を有する薄膜磁気ヘッドを取出すことができるようにし
たものである。
〈従来の技術〉 薄膜磁気ヘッドは、セラミック構造体でなるウェハー上
に多数の薄膜磁気ヘッド素子を格子状に配列して形成し
た後、ウェハーから列単位でヘッドピース集合体を取出
し、取出されたベツドピース集合体を研磨する工程を経
て製造される。研磨工程の1つの主要な目的は、電磁変
換特性に極めて大きな影響を及ぼすスロートハイト(ギ
ャップディブス)を設定することにある。薄膜磁気ヘッ
ド及びそのスロートハイトに関する技術を扱フた公知文
献としては、例えば特開昭55−84019号公報があ
る。薄膜磁気ヘッドは、上記公開公報に開示されている
ように、ギャップ膜を介して対向するポール部と、ポー
ル部に連続するヨーク部とを有している。ポール部はセ
ラミック構造体の面に対して実質的に平行となるように
形成された先端部領域の後方に、セラミック構造体の面
から離れる方向に立ち上が変位領域とを有し、変位領域
を経てヨークに連なっている。ポール部の先端から変位
点までの深さが、通常、スロートハイトまたはギャップ
ディブスと呼ばれている。スロートハイトは、例えば1
μm程度の微小寸法であって、電磁変換特性を定めるの
に極めて重要な部分である。
スロートハイトの設定に当って、従来は、ウェハーから
切出されたベットピース集合体の状態で、ポール部の端
部が現れる端面を、薄膜磁気ヘッド素子毎に設けられた
加工マークを基準にして、所定のスロートハイトが得ら
れる位置まで研磨していた。従って、同一のへッドビー
ス集合体から得られる薄膜磁気ヘッドは、はぼ同一のス
ロートハイト及び電磁変換特性を有する。
〈発明が解決しようとする課題〉 しかしながら、上述した従来の製造方法には次のような
問題点がある。
(A)要求される電磁変換特性に合う所定のスロートハ
イトが得られるように、ヘッドピース集合体毎に研磨量
を設定し、研磨しなければならないので、研磨工程に多
大の労力を必要とする。
(B)ウェハー間の製造条件は必ずしも一定ではなく、
ウェハー上でのフォトリソグラフィ工程におけるマスク
ずれや、層間絶縁膜のキュア条件の変動等によって、ウ
ェハー毎にかなりの変動を生じるのが普通であり、実際
に得られたベツドピース集合体に対して、設計上のデー
タに基づくスロートハイトとなるように研磨を施しても
、予定した一定の電磁変換特性が得られるとは限らない
。このため、はぼ同一の研磨量となるように研磨する従
来技術では、一定の電磁変換特性を有する薄膜磁気ヘッ
ドを、歩留よく製造することが困難であった。
そこで、本発明の課題は、上述する従来の問題点を解決
し、1つのへットビース集合体から電磁変換特性か少し
づつ変化する薄膜磁気ヘッドが得られるようにし、対応
できる電磁変換特性の幅を拡大すると共に、ウェハー全
体としての歩留を向上させ得るようにした薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法を提供することである。
く課題を解決するための手段〉 上述した課題解決のため、本発明は、セラミック構造体
でなるウェハー上に多数の薄膜磁気ヘッド素子を格子状
に配列して形成する工程と、前記ウェハーから列単位で
ヘッドピース集合体を取圧す工程と、前記へッドビース
集合体を研磨する工程とを含む薄膜磁気ヘッドの製造方
法であフて、 前記研磨工程は、前記薄膜磁気ヘッド素子のポール部の
長さが、前記薄膜磁気ヘッド素子の整列方向において薄
膜磁気ヘッド素子毎に異なるように、前記ポール部の先
端の現われる前記セラミック構造体の端面を研磨する工
程であることを特徴とする特 〈作用〉 ヘッドピース集合体の研磨工程において、薄膜磁気ヘッ
ド素子のポール部の長さが、薄膜磁気ヘッド素子の整列
方向において薄膜磁気ヘッド素子毎に異なるように、ポ
ール部の先端の現われるセラミック構造体の端面を研磨
すると、スロートハイトが薄膜磁気ヘッド素子の整列方
向において磁気ヘッド素子毎に異なるように研磨される
従って、1つのへッドビース集合体から電磁変換特性が
少しづつ変化する薄膜磁気ヘッドが得られる。このため
、対応できる電磁変換特性の幅が拡大されると共に、歩
留が向上する。
〈実施例〉 第1図は薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例を示している
。まず、第1図(a)に示すように、1面側に多数の薄
膜磁気ヘッド素子Ql−Qoを格子状に整列したウェハ
ー1を製造する。ウェハー1は、例えばAl2O3・T
iC等のセラミック構造体で構成されていて、薄膜磁気
ヘッド素子Q1〜Qnは、Al2O3等の絶縁膜を介し
て、ウェハー1の1面側に形成されている。
薄膜磁気ヘッド素子Q1〜Q、は、周知のように、IC
製造テクノロジーと同様の、フォトリソグラフィを主体
とした高精度パターン形成技術によって形成される。第
2図は薄膜磁気ヘッド素子Q1〜Qoの平面拡大部分破
断面図、第3図は同しく第2図A +  A +線上に
おける断面図を示している。第2図及び第3図はスケー
ルを異ならせて示しである。図において、ウェハー1は
A12Ch4iCでなる基体1aの表面にAl2O3で
なる絶縁膜1bを被着させ、この絶縁膜1bの上に、薄
膜磁気ヘッド素子Q、〜Qnを形成しである。
薄膜磁気ヘッド素子Q1〜Q、は、下部磁性膜2、ギャ
ップ@3、上部磁性膜4、コイル膜5及び層間絶縁膜6
の薄膜積層構造を有し、全体をAl2O3等の保護膜7
によって被覆した構造となっている。
下部磁性膜2及び上部磁性膜4はギャップ膜3を介して
対向するポール部21.41と、ポール部21.41に
連続するヨーク部22.42とを有している。上部磁性
膜4のポール部41はセラミック構造体であるウェハー
1の面に対して実質的に平行となるように形成された先
端部領域411の後方に、ウェハー1の面から離れる方
向に立ち上が変位領域412を有し、変位領域412を
経てヨーク42に連なっている。ポール部41の先端か
ら変位開始点Yまでの深さThがスロートハイトである
。ヨーク22及びヨーク42は後方領域で磁気回路を完
成するように結合されている。
薄膜磁気ヘッド素子Q1〜Qnのそれぞれは、第2図に
示すように、加工マーク8を有している。加工マーク8
は、薄膜磁気ヘッド素子Q1〜QI、のそれぞれにおい
て、スロートハイトThを定める基準となる変位開始点
Yに対して、所定の位置関係となるように付されている
再び、第1図を参照して説明する。ウェハー1を切断位
置(Xo  Xo)〜(X、−X、)で列単位で切断し
て、第1図(b)に示すように、複数の薄膜磁気ヘッド
素子Qr+、Qr2、Qr3. 、 、 、を含むバー
状のヘッドピース集合体Hを、列単位で取り出す。
次に、第1図(C)に示すようにレール溝人ね加工等の
所要の加工を施した後、第1図(d)に示すように、取
出されたヘッド集合体Hを、治具9に接着し、ポール部
21.41の端部か現れる端面2Aを研磨する。研磨に
当っては、スロートハイトTh  (第2図及び第3図
参照)が、薄膜磁気ヘッド素子Qr1、Qr2、Qrs
l、−−の整列方向において薄膜磁気ヘッド素子毎に異
なるように研磨する。通常は、変位開始点Yを間接的に
表示する加工マーク8の位置Y。に対して研磨面2Aが
ある角度で傾斜するように研磨する。鎖線Y□は最終研
磨位置の例を示している。
この研磨工程により、第1図(e)に示すように、スロ
ートハイトThが、薄膜磁気ヘッド素子Q rlx Q
 r2、Qrs−、−−の整列方向において薄膜磁気ヘ
ッド素子毎に異なるヘッドピース集合体Hが得られる。
従って、1つのへッドビース集合体H上に、電磁変換特
性が少しづつ変化する薄膜磁気ヘッド素子Qr+、Qr
2、Qr3 8.が形成される。
この後、第1図(f)に示すように、切断位置(y+ 
−Y+ )、(Y2  Y2)、  0.  で切断す
ることにより、1つのへラドピース集合体Hから、電磁
変換特性か少しつつ変化する薄膜磁気ヘッドを得ること
ができる。
ヘッドピース集合体Hの研磨は、特開平1−15326
4号公報、特開平1−153265号公報等に開示され
た技術を通用して実行できる。
第4図及び第5図はその1例をM略的に示す図である。
図において、10は回転体である。回転体10は図示し
ないモータ等により、矢印で示すa1方向に回転駆動さ
れる。この回転体10は、例えはスズ等の軟質金属部材
を用いて円板状に形成された研磨部材11の背面に、例
えばステンレス等の金属材料によって円板状に形成され
た支持部材12を、接着剤13によって一体的に面接合
させである。支持部材12は、機械的強度の不充分な研
磨部材11を支持するために設けられたものである。
研磨に当っては、回転体10を矢印a1方向に面回転さ
せ、かつ、研磨部材1!の表面(イ)にダイヤモンド粒
子等を含む研磨材を供給しながら、研磨部材11の表面
(イ)にヘッドピース集合体Hの下面を接触させる。治
具9は矢印b1またはb2で示す回転半径方向に平行8
動させ、研磨部材11の表面(イ)の全面で研磨か行な
われるようにする。矢印a2は治具9及びヘッドピース
集合体Hの自転の方向を示している。
実施例では、2つの素子を有する薄膜磁気ヘッド素子を
示したが、1つの素子だけを有する構造であってもよい
。また、媒体対向面側にレールを有するタイプのものに
も、レールを有しないタイプのものにも通用できる。
〈発明の効果〉 以上述べたように、本発明は、ウェハーから切断分割し
て得られたベツドピース集合体の研磨工程は、薄膜磁気
ヘッド素子のポール部の長さが、薄膜磁気ヘッド素子の
整列方向において薄膜磁気ヘッド素子毎に異なるように
、ポール部の先端の現われるセラミック構造体の端面を
研磨する工程であるから、1つのへラドピース集合体か
ら電磁変換特性が少しづつ変化する薄膜磁気ヘッドが得
られるようにし、対応できる電磁変換特性の幅を拡大す
ると共に、ウェハー全体としての歩留を向上させ得るよ
うにした薄膜磁気ヘッドの製造方法を提イ共することが
で診る。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)〜(f)は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの
製造方法を示す図、第2図はウェハー上のFiI膜磁気
ヘッド素子の平面拡大部分破断面図、第3図は同じく第
2図A、−A、線上における断面図、第4図はへラドピ
ース集合体を研磨する研磨装置の構成を概略的に示す平
面図、第5図は同じく正面図である。 1・・・ウェハー Q1〜Qo ・・・薄膜磁気ヘッド素子H・・・ヘッド
集合体  2・・・下部磁性膜3・・・ギャップ膜  
 4・・・上部磁性膜5・・・コイル膜 Th・・・スロートハイト Y・・・変位開始点 第1図 lb) ×0 第 図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)セラミック構造体でなるウェハー上に多数の薄膜
    磁気ヘッド素子を格子状に配列して形成する工程と、前
    記ウェハーから列単位でヘッドピース集合体を取出す工
    程と、前記ヘッドピース集合体を研磨する工程とを含む
    薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、 前記研磨工程は、前記薄膜磁気ヘッド素子のポール部の
    長さが、前記薄膜磁気ヘッド素子の整列方向において薄
    膜磁気ヘッド素子毎に異なるように、前記ポール部の先
    端の現われる前記セラミック構造体の端面を研磨する工
    程であることを特徴とする薄膜磁気ヘッド素子の製造方
    法。
  2. (2)前記薄膜磁気ヘッド素子のそれぞれは、磁気回路
    を構成する下部磁性膜、上部磁性膜及びコイル膜を有し
    ており、 前記下部磁性膜及び前記上部磁性膜は、ギャップ膜を介
    して対向するポール部と、前記ポール部に連なり後方領
    域おいて互いに結合されるヨーク部とを有しており、 前記上部磁性膜のポール部は、前記セラミック構造体の
    面に対して実質的に平行となるように形成された先端部
    領域の後方に、前記セラミック構造体の前記一面から離
    れる方向に立ち上がる変位領域を有し、前記変位領域を
    経て前記ヨーク部に連なっており、 前記研磨工程は、前記ポール部の先端から前記変位領域
    の変位開始点までの深さで与えられるスロートハイトが
    、前記薄膜磁気ヘッド素子の整列方向において薄膜磁気
    ヘッド素子毎に異なるように、前記ポール部の先端が現
    われる前記セラミック構造体の端面を研磨する工程であ
    ること を特徴とする請求項1に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
    法。
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JPS62149013A (ja) * 1985-12-24 1987-07-03 Canon Inc 薄膜磁気ヘツド

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