TWI797313B - 感光性導電糊及使用其之圖案形成胚片之製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種感光性導電糊，其可在胚片上形成高精細的圖案，可抑制焙燒缺陷。該感光性導電糊含有導電性粉末(A)、鹼可溶性樹脂(B)、反應性化合物(C)及光聚合起始劑(D)，前述反應性化合物(C)在60℃的黏度為5.0~100.0Pa‧s。

Description

感光性導電糊及使用其之圖案形成胚片之製造方法
本發明關於感光性導電糊、其硬化物與焙燒體、使用其之電子零件與其製造方法，以及圖案形成胚片之製造方法及電子零件之製造方法。
近年來，隨著電子零件的高速化‧高頻化‧小型化進展，被要求也在安裝彼等用的陶瓷基板形成微細且高密度的導電圖案。在作為陶瓷基板之一的陶瓷胚片上形成導電圖案之方法，例如有提案一種在胚片上形成圖案之方法，其特徵為：將感光性樹脂組成物印刷於胚片上後，使其乾燥而形成感光性薄膜層，在該感光性薄膜層上裝載光罩，藉由曝光、顯像而形成圖案(例如參照專利文獻1)。又，形成導電圖案用的感光性導電糊，例如有提案：一種感光性導電糊，其含有導電性粉末、包含由玻璃料及陶瓷粉末所成的無機填料之無機成分、以及感光性有機成分(例如參照專利文獻2)；或一種感光性導電糊，其含有側鏈含離子性基之有機黏結劑、導電性粉體、光聚合性化合物、光聚合起始劑及有機溶劑，該離子性基係因光照射而變化成非離子性基(例如參照專利文獻3)等。
[先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本特開2004-264655號公報
專利文獻2：日本特開2011-204514號公報
專利文獻3：日本特開2016-194641號公報
然而，專利文獻1~3中記載之技術，由於感光性樹脂組成物或感光性導電糊中的感光性成分容易被胚片吸收，故而容易發生感度降低，有難以形成高精細的圖案之問題。
又，由於近年來導電圖案的微細化‧高密度化，致使焙燒缺陷之影響變得更加顯著，故而要求抑制焙燒缺陷。
因此，本發明之目的在於提供一種感光性導電糊，其可在胚片上形成高精細的圖案，可抑制焙燒缺陷。
上述課題係藉由以下之技術手段而達成。
一種感光性導電糊，其含有導電性粉末(A)、鹼可溶性樹脂(B)、反應性化合物(C)及光聚合起始劑(D)，前述反應性化合物(C)在60℃的黏度為5.0~100.0Pa‧s。
藉由本發明之感光性導電糊，可在胚片上形成高精細的導電圖案，可抑制焙燒缺陷。
[用以實施發明的形態]
本發明之感光性導電糊含有導電性粉末(A)、鹼可溶性樹脂(B)、反應性化合物(C)及光聚合起始劑(D)。由於含有導電性粉末(A)，導電性粉末(A)彼此可藉由焙燒而互相接觸，展現導電性。由於含有鹼可溶性樹脂(B)，可賦予在鹼顯像液中的溶解性，由於含有反應性化合物(C)及光聚合起始劑(D)，可提高微影術的圖案加工性。於本發明中，前述反應性化合物(C)在60℃的黏度為5.0~100.0Pa‧s係重要的。如前述，習知的感光性導電糊，其在胚片上形成圖案時，由於感光性成分容易被胚片吸收，故容易發生感度降低，有難以形成高精細的圖案之問題。依據本發明者們之檢討發現，被胚片吸收係與後述乾燥步驟中的反應性化合物之黏度有關係。因此，於本發明中，作為乾燥步驟中之反應性化合物的黏度之指標，著眼於乾燥步驟中在一般乾燥溫度60℃的黏度。於本發明中，藉由將反應性化合物(C)在60℃的黏度設為5.0Pa‧s以上，可抑制被胚片吸收，形成高精細的圖案。另一方面，若反應性化合物(C)在60℃的黏度過高，則在焙燒時殘存的反應性化合物(C)之脫離去除變困難，容易發生焙燒缺陷。於本發明中，藉由將反應性化合物(C)在60℃的黏度設為100.0Pa‧s以下，可抑制焙燒缺陷。
作為導電性粉末(A)，例如可舉出：銀、金、銅、鉑、鈀、錫、鎳、鋁、鎢、鉬、氧化釕、鉻、鈦、銦等之金屬或此等合金之粉末；碳粉末等。亦可含有2種以上的此等。於此等之中，從導電性之觀點來看，較佳為銀、銅、金，從成本及安定性之觀點來看，更佳為銀。
導電性粉末(A)之中值徑(D50)較佳為0.1~10μm。由於將導電性粉末(A)之D50設為0.1μm以上，可提高焙燒時導電性粉末(A)彼此之接觸機率，減低導電圖案之體積電阻率及斷線機率。又，於後述之曝光‧顯像步驟中，曝光光線的穿透性升高，故可容易形成更高精細的圖案。導電性粉末(A)之D50更佳為0.5μm以上。另一方面，由於將導電性粉末(A)之D50設為10μm以下，可抑制殘渣，容易形成更高精細的圖案。導電性粉末(A)之D50更佳為5μm以下。此外，導電性粉末(A)之D50可使用粒度分布測定裝置(Microtrac HRA Model No.9320-X100；日機裝(股)製)而藉由雷射光散射法測定。
感光性導電糊中的導電性粉末(A)之含量，在全部固體成分中，較佳為20~50體積%。由於將導電性粉末(A)之含量設為20體積%以上，可提高焙燒時的導電性粉末(A)彼此之接觸機率，減低導電圖案之體積電阻率及斷線機率。又，於後述之切割步驟中，可抑制晶片彼此之黏著。導電性粉末(A)之含量更佳為25體積%以上，更佳為35體積%以上。另一方面，由於將導電性粉末(A)之含量設為50體積%以下，於後述之曝光‧顯像步驟中，曝光光線的穿透性升高，故可容易形成更高精細的圖案。導電性粉末(A)之含量更佳為45體積%以下。此處，感光性導電糊的全部固體成分，就是指溶劑以外的感光性導電糊的全部構成成分。
感光性導電糊中的導電性粉末(A)之含量，可藉由將感光性糊塗布‧乾燥而去除溶劑後，對於與糊乾燥膜之膜面呈垂直的剖面利用穿透型電子顯微鏡(例如日本電子(股)製「JEM-4000EX」)觀察，依影像濃淡來區別導電性粉末(A)與其它成分來進行影像解析而求得。此時，穿透型電子顯微鏡之觀察面積為20μm×100μm左右，倍率為1,000~3,000倍左右。又，感光性導電糊之各成分的摻合量為已知時，亦可從摻合量算出導電性粉末(A)之含量。
於本發明之感光性導電糊中，鹼可溶性樹脂(B)，就是指具有鹼可溶性基的樹脂。作為鹼可溶性基，例如可舉出羧基、酚性羥基、磺酸基、硫醇基等。從在鹼顯像液中的溶解性高來看，較佳為羧基。
鹼可溶性樹脂(B)之玻璃轉移點較佳為80~160℃。由於將鹼可溶性樹脂(B)之玻璃轉移點設為80℃以上，於後述之乾燥步驟中即使加熱到70℃左右，也可進一步抑制鹼可溶性樹脂(B)軟化所造成被胚片吸收，容易形成更高精細的圖案。又，於後述之切割步驟中，可抑制晶片彼此之黏著。鹼可溶性樹脂(B)之玻璃轉移點更佳為100℃以上。另一方面，由於將鹼可溶性樹脂(B)之玻璃轉移點設為160℃以下，可提高熱分解性，進一步抑制焙燒時因殘存有機成分所造成的焙燒缺陷。鹼可溶性樹脂(B)之玻璃轉移點更佳為140℃以下。含有玻璃轉移點不同之2種以上鹼可溶性樹脂(B)時，全部的鹼可溶性樹脂(B)之玻璃轉移點較佳為在上述範圍。此外，鹼可溶性樹脂(B)之玻璃轉移點係可使用示差掃描熱量計(DSC-50；島津製作所(股))並藉由示差掃描熱量分析(DSC)而測定。
作為鹼可溶性樹脂(B)，較佳為丙烯酸樹脂，更佳為具有碳-碳雙鍵的丙烯酸系單體與其它單體之共聚物。作為具有碳-碳雙鍵的丙烯酸系單體，例如可舉出：丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸正丙酯、丙烯酸異丙酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸異丁酯、丙烯酸第三丁酯、丙烯酸正戊酯、丙烯酸異癸酯、丙烯酸異辛酯、丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸烯丙酯、丙烯酸月桂酯、丙烯酸十八酯等之具有碳數1~18的鏈狀脂肪族烴基之丙烯酸酯；丙烯酸苄酯、丙烯酸苯酯、丙烯酸1-萘酯、丙烯酸2-萘酯等之具 有碳數6~10的環狀芳香族烴基之丙烯酸酯；丙烯酸環己酯、丙烯酸二環戊酯、丙烯酸4-第三丁基環己酯、丙烯酸二環戊烯酯、丙烯酸二環戊二烯酯、丙烯酸異
Figure 108113344-A0202-12-0006-25
酯、丙烯酸3,3,5-三甲基環己酯等之具有碳數6~15的環狀脂肪族烴基之丙烯酸酯；將此等丙烯酸酯換成甲基丙烯酸酯者。亦可使用2種以上的此等。作為丙烯酸系單體以外之共聚合成分，例如可舉出：苯乙烯、鄰甲基苯乙烯、間甲基苯乙烯、對甲基苯乙烯、α-甲基苯乙烯、氯甲基苯乙烯、羥甲基苯乙烯等之苯乙烯類；丙烯酸、甲基丙烯酸、伊康酸、巴豆酸、馬來酸、富馬酸、乙烯基乙酸等之不飽和羧酸；此等之酸酐等。亦可使用2種以上的此等。
丙烯酸樹脂較佳為在側鏈或分子末端具有碳-碳雙鍵者，可提高曝光時的硬化反應速度(以下亦將具有碳-碳雙鍵的丙烯酸樹脂記載為丙烯酸樹脂(b-1))。作為碳-碳雙鍵之結構，例如可舉出：乙烯基、烯丙基、丙烯酸基、甲基丙烯酸基等。亦可具有2種以上的此等。作為在丙烯酸樹脂中導入碳-碳雙鍵之方法，例如可舉出：對於丙烯酸樹脂中的巰基、胺基、羥基、羧基，使具有環氧丙基或異氰酸酯基與碳-碳雙鍵的化合物、丙烯醯氯、甲基丙烯醯氯、烯丙氯等反應之方法等。
作為具有環氧丙基與碳-碳雙鍵的化合物，例如可舉出：甲基丙烯酸環氧丙酯、丙烯酸環氧丙酯、烯丙基環氧丙基醚、丙烯酸環氧丙基乙酯、巴豆醯基環氧丙基醚、巴豆酸環氧丙酯、異巴豆酸環氧丙酯、「Cyclomer(註冊商標)」M100、A200(以上DAICEL化學工業(股)製)等。作為具有異氰酸酯基與碳-碳雙鍵的化合物，例如可舉出：丙烯醯基異氰酸酯、甲基丙烯醯基異氰酸酯、丙烯醯基乙基異氰酸酯、甲基丙烯醯基乙基異氰酸酯等。 亦可使用2種以上的此等。
從在鹼顯像液中的溶解性之觀點來看，丙烯酸樹脂(b-1)之酸價較佳為50~150mgKOH/g。丙烯酸樹脂之酸價係可藉由不飽和酸之共聚合比而調整。此外，丙烯酸樹脂之酸價係可藉由使用氫氧化鉀水溶液進行之中和滴定而求出。
本發明之感光性導電糊較佳為除了含有前述丙烯酸樹脂(b-1)之外，還含有不具有碳-碳鍵之酸價為200~300mgKOH/g的丙烯酸樹脂(以下亦記載為丙烯酸樹脂(b-2))。由於不具有碳-碳雙鍵，不會發生曝光所致的交聯，故硬化前後的酸價變動少，可容易得到因酸價數值限定所產生的所欲效果。由於將丙烯酸樹脂(b-2)之酸價設為比200mgKOH/g大，可發揮丙烯酸樹脂彼此之氫鍵所致的相互作用，於後述之切割步驟中，可抑制接著。丙烯酸樹脂(b-2)之酸價更佳為220mgKOH/g以上。另一方面，由於將丙烯酸樹脂(b-2)之酸價設為300mgKOH/g以下，於後述之曝光‧顯像步驟中，可適度地抑制溶出速度，容易形成更高精細的圖案。丙烯酸樹脂(b-2)之酸價更佳為280mgKOH/g以下。
丙烯酸樹脂(b-2)之重量平均分子量(Mw)較佳為20,000~50,000，由於將丙烯酸樹脂(b-2)之Mw設為20,000以上，可進一步抑制切割步驟中的黏著。又，可抑制曝光‧顯像步驟中的圖案剝落，形成更微細的圖案。丙烯酸樹脂(b-2)之Mw更佳為23,000以上，尤佳為32,000以上。另一方面，由於將丙烯酸樹脂(b-2)之Mw設為50,000以下，可提高曝光‧顯像步驟中在顯像液中的溶解性，抑制殘渣，形成更微細的圖案。丙烯酸樹脂(b-2)之Mw更佳為45,000以下，尤佳為42,000以下。丙 烯酸樹脂(b-2)之Mw係聚苯乙烯換算值，可使用高速液體層析儀(Alliance 2695；Nihon Waters(股)製)等而測定。
丙烯酸樹脂之玻璃轉移點係可藉由例如聚合成分進行調整。作為構成玻璃轉移點高的丙烯酸樹脂之丙烯酸系單體，例如可舉出：甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸酯等之具有鏈狀脂肪族烴基的丙烯酸酯；甲基丙烯酸4-第三丁基環己酯、(甲基)丙烯酸二環戊酯、(甲基)丙烯酸二環戊二烯酯、(甲基)丙烯酸異
Figure 108113344-A0202-12-0008-26
酯、甲基丙烯酸3,3,5-三甲基環己酯等之具有碳數6~15的環狀脂肪族烴基之(甲基)丙烯酸酯等。作為構成玻璃轉移點高的丙烯酸樹脂之其它單體，例如可舉出：丙烯腈、丙烯醯胺、苯乙烯等。
作為玻璃轉移點為80~160℃的丙烯酸樹脂(b-1)，例如可舉出「Cyclomer(註冊商標)」P(ACA)Z200M、P(ACA)Z230AA、P(ACA)Z250、P(ACA)Z251、P(ACA)Z300、P(ACA)Z320、P(ACA)Z254F(以上DAICEL-ALLNEX(股)製)等。作為丙烯酸樹脂(b-2)，較佳為(甲基)丙烯酸/(甲基)丙烯酸甲酯/苯乙烯共聚物，可進一步抑制切割步驟中之黏著。
鹼可溶性樹脂(B)之重量平均分子量較佳為7,000~40,000。由於將鹼可溶性樹脂(B)之重量平均分子量設為7,000以上，可適度地提高感光性導電糊的黏度，抑制後述之乾燥膜的黏性(tack)。鹼可溶性樹脂(B)之重量平均分子量更佳為24,000以上。另一方面，由於將鹼可溶性樹脂(B)之重量平均分子量設為40,000以下，於後述之曝光‧顯像步驟中，可提高非曝光部在顯像液中的溶解性，縮短顯像時間。鹼可溶性樹脂(B)之重量 平均分子量較佳為32,000以下。包含2種以上的鹼可溶性樹脂(B)時，較佳為至少1種係含於上述範圍中，更佳為全部係含於上述範圍中。鹼可溶性樹脂之重量平均分子量係聚苯乙烯換算值，可使用高速液體層析儀(Alliance 2695；Nihon Waters(股)製)等而測定。
感光性導電糊中的鹼可溶性樹脂(B)之含量，在全部固體成分中，較佳為20~55體積%。由於將鹼可溶性樹脂(B)之含量設為20體積%以上，可在胚片上形成圖案時，進一步抑制被胚片吸收，容易形成更高精細的圖案。又，可進一步抑制切割步驟中的黏著。鹼可溶性樹脂(B)之含量更佳為30體積%以上。另一方面，由於將鹼可溶性樹脂(B)之含量設為55體積%以下，可適度地保持感光性導電糊的黏度，進一步抑制焙燒時因殘存有機成分所造成的焙燒缺陷。鹼可溶性樹脂(B)之含量更佳為45體積%以下。
感光性導電糊中的丙烯酸樹脂(b-1)之含量，在全部固體成分中，較佳為20~45體積%。由於將丙烯酸樹脂(b-1)之含量設為20體積%以上，可促進曝光‧顯像步驟中的交聯，抑制圖案剝落，形成更微細的圖案。另一方面，由於將丙烯酸樹脂(b-1)之含量設為45體積%以下，可進一步抑制切割步驟中的黏著。
感光性導電糊中的丙烯酸樹脂(b-2)之含量，在全部固體成分中，較佳為1~20體積%。由於將丙烯酸樹脂(b-2)之含量設為1體積%以上，可進一步抑制切割步驟中的黏著。丙烯酸樹脂(b-2)之含量更佳為7體積%以上。另一方面，由於將丙烯酸樹脂(b-2)之含量設為20體積%以下，可抑制顯像步驟中因丙烯酸樹脂(b-2)過量溶出所造成的圖案剝落，形成更微細的圖案。 丙烯酸樹脂(b-2)之含量更佳為15體積%以下。
又，相對於丙烯酸樹脂(b-1)與丙烯酸樹脂(b-2)之合計100體積份，較佳為含有20~40體積份的丙烯酸樹脂(b-2)。由於將丙烯酸樹脂(b-2)之含量設為20體積份以上，可進一步抑制切割步驟中的黏著。另一方面，由於將丙烯酸樹脂(b-2)之含量設為40體積份以下，可抑制顯像步驟中因丙烯酸樹脂(b-2)過量溶出所造成的圖案剝落，形成更微細的圖案。
本發明中的反應性化合物(C)，就是指具有碳-碳雙鍵的單體或寡聚物。
反應性化合物(C)在60℃的黏度為5.0~100.0Pa‧s係重要的。若反應性化合物(C)在60℃的黏度小於5.0Pa‧s，則於後述之乾燥步驟中，反應性化合物(C)容易被胚片吸收，故會因感度降低而難以形成高精細的圖案。反應性化合物(C)在60℃的黏度較佳為15.0Pa‧s以上。另一方面，若反應性化合物(C)在60℃的黏度超過100.0Pa‧s，則容易發生焙燒時因殘存有機成分所造成的焙燒缺陷。反應性化合物(C)在60℃的黏度較佳為50.0Pa‧s以下。本發明中的反應性化合物(C)在60℃的黏度，在含有黏度不同的2種以上反應性化合物(C)時，至少1種反應性化合物(C)的黏度係在上述範圍。此外，反應性化合物(C)在60℃的黏度，係指於大氣壓下，使用B型黏度計(布氏黏度計，型式HB DV-I；英弘精機(股)製)，以旋轉數3rpm測定而得之值。
作為在60℃的黏度為5.0~100.0Pa‧s之反應性化合物(C)，例如可舉出：胺基甲酸酯丙烯酸酯寡聚物、環氧丙烯酸酯寡聚物等。更具體而言，例如可舉出：「Sartomer(註冊商標)」 CN940、CN961、CN962、CN963、CN964、CN965、CN966、CN980、CN989、CN8881NS、CN8883NS、CN8884NS、CN9001、CN9004、CN9013、CN9025、CN9030、CN9893、CN971、CN973、CN9782、CN9783、CN2920、CN104(以上ARKEMA(股)製)、NK Oligo UA-122P、U-2PPA、U-6LPA、EA-1020、EA-1020LC3(以上新中村化學工業(股)製)、「KAYARAD(註冊商標)」UX-3204、UX-4101、UXT-6100、UX-6101、UX-7101、UX-8101、UXF-4002、UX-5103D(以上日本化藥(股)製)、「EBECRYL(註冊商標)」8465、8804(以上DAICEL-ALLNEX(股)製)等。
反應性化合物(C)較佳為具有胺基甲酸酯結構及/或酯結構。由於具有胺基甲酸酯結構及/或酯結構，可提高柔軟性，容易形成更高精細的圖案。較佳為具有胺基甲酸酯結構及酯結構。作為具有胺基甲酸酯結構的反應性化合物(C)，例如可舉出：「Sartomer(註冊商標)」CN940、CN961、CN962、CN963、CN964、CN965、CN966、NK Oligo UA-122P、U-2PPA、U-6LPA、「KAYARAD(註冊商標)」UX-3204、UX-4101、UXT-6100、UX-6101、UX-7101、UX-8101、UXF-4002、「EBECRYL(註冊商標)」8465、8804等。作為具有酯結構的反應性化合物(C)，例如可舉出：「Sartomer(註冊商標)」CN961、CN962、「KAYARAD(註冊商標)」UX-3204、UX-4101、UXT-6100、UX-6101、UX-7101、UX-8101、NK Oligo UA-122P等。
反應性化合物(C)之重量平均分子量較佳為5,000~45,000。由於將反應性化合物(C)之重量平均分子量設為5,000 以上，在胚片上形成圖案形成時，進一步抑制被胚片吸收，即使乾燥後靜置時間更長時，也可容易形成更高精細的圖案。反應性化合物(C)之重量平均分子量更佳為10,000以上，尤佳為15,000以上。另一方面，由於將反應性化合物(C)之重量平均分子量設為45,000以下，可適度地保持感光性導電糊的黏度，進一步抑制焙燒時因殘存有機成分所造成的焙燒缺陷。反應性化合物(C)之重量平均分子量更佳為40,000以下。作為重量平均分子量為5,000~45,000的反應性化合物(C)，例如可對於聚醚二醇、聚碳酸酯二醇等之多元醇與異佛爾酮二異氰酸酯等之聚異氰酸酯的聚合物，使具有碳-碳雙鍵的醇反應而得到。又，作為市場上可取得的反應性化合物(C)，例如可舉出「KAYARAD(註冊商標)」UX-3204、UX-4101、UXT-6100、UX-6101、UXF-4002等。
反應性化合物(C)之溶解度參數(SP值)較佳為21.5~28.7(J/cm3)1/2。由於將SP值設為該範圍，可進一步抑制被胚片吸收，容易形成高精細的圖案。再者，反應性化合物(C)之SP值係可從分子結構，使用飛道司(Fedors)的計算方法算出。
感光性導電糊中的反應性化合物(C)之含量，在全部固體成分中，較佳為5~30體積%。由於將反應性化合物(C)之含量設為5體積%以上，可提高後述之曝光‧顯像步驟中的感度，可容易形成更高精細的圖案。反應性化合物(C)之含量更佳為10體積%以上。另一方面，由於將反應性化合物(C)之含量設為30體積%以下，可適度地保持感光性導電糊的黏度，進一步抑制焙燒時因殘存有機成分所造成的焙燒缺陷。反應性化合物(C)之含量更佳為20體積%以下。
本發明中的光聚合起始劑(D)，就是指吸收紫外線等短波長之光而分解之化合物，或藉由脫氫反應而產生自由基之化合物。作為吸收紫外線等之光而分解的光聚合起始劑(D)，例如可舉出：1,2-辛二酮、二苯基酮、鄰苯甲醯基苯甲酸甲酯、4,4’-雙(二甲基胺基)二苯基酮、4,4’-雙(二乙基胺基)二苯基酮、4-苯甲醯基-4’-甲基二苯基酮、二苄基酮、2,2’-二乙氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2-羥基-2-甲基苯丙酮、米其勒酮、2-甲基-[4-(甲硫基)苯基]-2-嗎啉基-1-丙酮、4-疊氮亞苄基苯乙酮、2,6-雙(對疊氮亞苄基)環環己酮、6-雙(對疊氮亞苄基)-4-甲基環環己酮等之烷基苯酮系光聚合起始劑；2,4,6-三甲基苯甲醯基-二苯基-膦氧化物、雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)-苯基膦氧化物等之醯基膦氧化物系光聚合起始劑；1-[4-(苯硫基)-2-(O-苯甲醯基肟)]、乙酮,1-[9-乙基-6-2(2-甲基苯甲醯基)-9H-咔唑-3-基]-1-(O-乙醯基肟)、1-苯基-1,2-丁二酮-2-(O-甲氧基羰基)肟、1-苯基-丙二酮-2-(O-乙氧基羰基)肟、1-苯基-丙二酮-2-(O-苯甲醯基)肟、1,3-二苯基-丙三酮-2-(O-乙氧基羰基)肟、1-苯基-3-乙氧基-丙三酮-2-(O-苯甲醯基)肟之肟酯系光聚合起始劑等。作為藉由脫氫反應而產生自由基之光聚合起始劑(D)，例如可舉出：二苯基酮、蒽醌、噻噸酮、苯基乙醛酸甲酯等。亦可含有2種以上的此等。
感光性導電糊中的光聚合起始劑(D)之含量較佳為0.1~5.0體積%。由於將光聚合起始劑(D)之含量設為0.1體積%以上，可提高後述之曝光‧顯像步驟中的感度，可容易形成更高精細的圖案。光聚合起始劑(D)之含量更佳為0.2體積%以上。另一方面，由於將光聚合起始劑(D)之含量設為5.0體積%以下， 可適度地抑制後述之曝光‧顯像步驟中的乾燥膜表面之光吸收，抑制殘渣，容易形成更高精細的圖案。光聚合起始劑(D)之含量更佳為3.0體積%以下。
又，相對於感光性導電糊中之鹼可溶性樹脂(B)、反應性化合物(C)及光聚合起始劑(D)之合計100體積份，較佳為含有合計90.0~99.0體積份的鹼可溶性樹脂(B)及反應性化合物(C)。由於將鹼可溶性樹脂(B)及反應性化合物(C)之合計含量設為90.0體積份以上，可適度地抑制後述之曝光‧顯像步驟中的乾燥膜表面之光吸收，抑制殘渣，容易形成更高精細的圖案。另一方面，由於將鹼可溶性樹脂(B)及反應性化合物(C)之合計含量設為99.0體積份以下，可提高後述之曝光‧顯像步驟中的感度，容易形成更高精細的圖案。又，可適度地保持感光性導電糊的黏度，進一步抑制焙燒缺陷。
本發明之感光性導電糊中的在23℃的固體成分有機成分之中，分子量5,000以下的有機成分之含量較佳為4.0~15.0體積%。分子量5,000以下的有機成分係在感光性導電糊中容易移動，且曝光時的反應性高，惟另一方面也容易被胚片吸收。因此，藉由規定分子量5,000以下的有機成分含量的數值，可更容易得到所欲的效果。由於將分子量5,000以下的有機成分之含量設為4.0體積%以上，可提高後述之曝光‧顯像步驟中的感度，即使乾燥後靜置時間更長時，也可容易形成更高精細的圖案。另一方面，由於將分子量5,000以下的有機成分之含量設為15.0重量%以下，於胚片上形成圖案時可進一步抑制被胚片吸收，即使乾燥後靜置時間更長時，也可容易形成更高精細的圖案。
本發明之感光性導電糊中的在23℃的固體成分之 中，有機成分之重量平均分子量較佳為30,000~45,000。由於將有機成分之重量平均分子量設為30,000以上，可適度地抑制有機成分之活動，故於胚片上形成圖案時，可進一步抑制被胚片吸收，即使乾燥後靜置時間更長時，也可容易形成更高精細的圖案。另一方面，由於將有機成分之重量平均分子量設為45,000以下，可適度地保持感光性導電糊的黏度，進一步抑制焙燒時因殘存有機成分所造成的焙燒缺陷。有機成分之重量平均分子量更佳為37,000以下。
本發明之感光性導電糊較佳為進一步包含粒徑為1~100nm的微粒子(E)，可抑制焙燒時的圖案收縮。此處，微粒子(E)係前述之導電性粉末(A)以外的成分。作為微粒子(E)，例如可舉出：氧化鋁(Al2O3)、氧化鋯(ZrO2)、氧化鎂(MgO)、氧化鈹(BeO)、莫來石(3Al2O3‧2SiO2)、堇青石(5SiO2‧2Al2O3‧2MgO)、尖晶石(MgO‧Al2O3)、鎂橄欖石(2MgO‧SiO2)、鈣長石(CaO‧Al2O3‧2SiO2)、鋇長石(BaO‧Al2O3‧2SiO2)、矽石(SiO2)、氮化鋁(AlN)、肥粒鐵(石榴石型：Y3Fe5O12系，尖晶石型：MeFe2O4系)SiO2、Al2O3、CaO、B2O3、MgO及/或TiO2等之玻璃粉末；氧化鋁、氧化鋯、氧化鎂、氧化鈹、莫來石、堇青石、尖晶石、鎂橄欖石、鈣長石、鋇長石、矽石、氮化鋁等之無機填料粉末等。亦可含有2種以上的此等。於此等之中，從進一步抑制焙燒缺陷之觀點來看，較佳為氧化鈦、氧化鋁、矽石、堇青石、莫來石、尖晶石、鈦酸鋇、氧化鋯。
本發明中的微粒子(E)係指粒徑為1~100nm者，但各個地界定微粒子(E)之粒徑者為困難，較佳為其體積平均粒徑是1~100nm者。由於將微粒子(E)之體積平均粒徑設為1nm以 上，可調整焙燒時的導電性粉末(A)之燒結速度，進一步抑制焙燒缺陷。另一方面，由於將微粒子(E)之體積平均粒徑設為100nm以下，可藉由微粒子(E)與鹼可溶性樹脂(B)、反應性化合物(C)及光聚合起始劑(D)之相互作用而抑制被胚片吸收，可形成更高精細的圖案。又，可減低圖案之體積電阻率。微粒子(E)之體積平均粒徑更佳為50nm以下。再者，微粒子(E)之體積平均粒徑係可藉由將微粒子(E)加到水中，進行300秒的超音波處理後，使用Nanotrac WaveII-UZ251(MicrotracBEL公司製)而藉由動態光散射法求出。再者，由於微粒子(E)之體積平均粒徑係在感光性導電糊摻合前後沒有變化，可對於感光性導電糊摻合前的微粒子(E)進行測定，也可從感光性導電糊中採集微粒子(E)而測定。
微粒子(E)較佳為親水性，可抑制後述之曝光‧顯像步驟中的殘渣，容易形成更微細的圖案。於本發明中，親水性，就是指在表面具有親水性基。作為親水性基，例如可舉出羥基或羧基等。在表面具有羥基的微粒子(E)係藉由高溫水解法等而得。更具體而言，例如可舉出：「AEROSIL(註冊商標)」OX50、50、90G、130、150、200、200CF、200V、300、380、TT600、「AEROXIDE(註冊商標)」AluC、Alu65、Alu130(以上日本AEROSIL(股)製)、「Seahostar(註冊商標)」KE-S10(日本觸媒(股)製)等。作為在表面具有羥基的微粒子(E)，例如可藉由將微粒子予以濕式表面處理等而得。
相對於100體積份的導電性粉末(A)，感光性導電糊中的微粒子(E)之含量較佳為0.1~25.0體積份。由於將微粒子(E)之含量設為0.1體積份以上，可調整焙燒時的導電性粉末(A)之燒結速度，進一步抑制焙燒缺陷。又，於後述之曝光‧顯像步 驟中，由於曝光光線的穿透性升高，可容易形成更高精細的圖案。微粒子(E)之含量更佳為1.0體積份以上。另一方面，由於將微粒子(E)之含量設為25.0體積份以下，可減低圖案之體積電阻率。微粒子(E)之含量更佳為10.0體積份以下。
本發明之感光性導電糊較佳為進一步含有溶劑(F)。作為溶劑(F)，例如可舉出：N,N-二甲基乙醯胺、N,N-二甲基甲醯胺、N-甲基-2-吡咯啶酮、二甲基咪唑啉酮、二甲亞碸、二乙二醇單乙基醚、二丙二醇甲基醚、二丙二醇正丙基醚、二丙二醇正丁基醚、三丙二醇甲基醚、三丙二醇正丁基醚、二乙二醇單乙基醚乙酸酯、二丙二醇甲基醚乙酸酯、丙二醇苯基醚、二乙二醇單甲基醚乙酸酯、二乙二醇單丁基醚、二乙二醇單丁基醚乙酸酯、γ-丁內酯、乳酸乙酯、1-甲氧基-2-丙醇、1-乙氧基-2-丙醇、乙二醇單正丙基醚、二丙酮醇、四氫糠醇、丙二醇單甲基醚乙酸酯、環己醇乙酸酯等。亦可含有2種以上的此等。
從前述鹼可溶性樹脂(B)、反應性化合物(C)、光聚合起始劑(D)及視需要的其它成分的溶解性之觀點，及從進一步抑制殘渣、容易形成高精細的圖案之觀點來看，溶劑(F)之SP值較佳為19.5~21.3(J/cm3)1/2。作為SP值為19.5~21.3(J/cm3)1/2的溶劑(F)，例如可舉出：N,N-二甲基甲醯胺、N-甲基-2-吡咯啶酮、二甲基咪唑啉酮、二丙二醇正丙基醚、二丙二醇正丁基醚、三丙二醇甲基醚、三丙二醇正丁基醚、二乙二醇單甲基醚乙酸酯、環己醇乙酸酯等。再者，溶劑之SP值係可從分子結構，使用Fedors的計算方法算出。
溶劑(F)較佳為分別包含沸點150℃以上且低於200℃之範圍的低沸點溶劑(f-1)與沸點200℃以上250℃以下之 範圍的高沸點溶劑(f-2)。由於包含低沸點溶劑(f-1)，可減少乾燥後的殘存溶劑，進一步抑制低溫乾燥時的黏著及切割步驟中的黏著。另一方面，由於包含高沸點溶劑(f-2)，可抑制塗布步驟中溶劑的過量揮發，黏度上升。作為低沸點溶劑(f-1)，例如可舉出：N,N-二甲基乙醯胺(165℃)、N,N-二甲基甲醯胺(153℃)、二甲亞碸(189℃)、二丙二醇甲基醚(190℃)、乳酸乙酯(154℃)、乙二醇單正丙基醚(151℃)、二丙酮醇(166℃)、四氫糠醇(176℃)、環己醇乙酸酯(173℃)等。作為高沸點溶劑(f-2)，例如可舉出N-甲基-2-吡咯啶酮(202℃)、二甲基咪唑啉酮(225℃)、二乙二醇單乙基醚(202℃)、二丙二醇正丙基醚(212℃)、二丙二醇正丁基醚(230℃)、三丙二醇甲基醚(242℃)、二乙二醇單乙基醚乙酸酯(217℃)、二丙二醇甲基醚乙酸酯(213℃)、丙二醇苯基醚(243℃)、二乙二醇單丁基醚(230℃)、二乙二醇單丁基醚乙酸酯(247℃)、γ-丁內酯(204℃)等。此處，溶劑(F)之沸點係揭示於各種文獻中。
本發明之感光性導電糊中的低沸點溶劑(f-1)之含量較佳為1.0~15.0體積%。由於將低沸點溶劑(f-1)之含量設為1.0體積%以上，可減少乾燥後的溶劑(F)殘存量，進一步抑制低溫乾燥時的黏著及切割步驟中的黏著。另一方面，由於將低沸點溶劑(f-1)之含量設為15.0體積%以下，可抑制塗布步驟中因溶劑(F)過量揮發所造成的黏度上升。
本發明之感光性導電糊中的高沸點溶劑(f-2)之含量較佳為1.0~15.0體積%。由於將高沸點溶劑(f-2)之含量設為1.0體積%以上，可抑制塗布步驟中因溶劑(F)過量揮發所造成的黏度上升。另一方面，由於將高沸點溶劑(f-2)之含量設為15.0 體積%以下，可減少乾燥後的溶劑(F)殘存量，進一步抑制低溫乾燥時的黏著及切割步驟中的黏著。
又，相對於感光性糊中的低沸點溶劑(f-1)與高沸點溶劑(f-2)之合計100體積份，較佳為含有25~65體積份的低沸點溶劑(f-1)。由於將低沸點溶劑(f-1)之含量設為25體積份以上，可減少乾燥後的溶劑(F)殘存量，進一步抑制低溫乾燥時的黏著及切割步驟中的黏著。低沸點溶劑(f-1)之含量更佳為35體積份以上。另一方面，由於將低沸點溶劑(f-1)之含量設為65體積份以下，可抑制塗布步驟中的連續印刷時因溶劑(F)過量揮發所造成的黏度上升，提高連續印刷性。低沸點溶劑(f-1)之含量更佳為55體積份以下。
本發明之感光性導電糊，只要不妨礙本發明之效果，則除了包含前述反應性化合物(C)之外，還可包含在60℃的黏度小於5.0Pa‧s或超過100.0Pa‧s之反應性化合物。作為在60℃的黏度小於5.0Pa‧s或超過100.0Pa‧s之反應性化合物，例如可舉出：烯丙基化環己基二丙烯酸酯、1,4-丁二醇二丙烯酸酯、1,3-丁二醇二丙烯酸酯、乙二醇二丙烯酸酯、二乙二醇二丙烯酸酯、三乙二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五丙烯酸酯、雙三羥甲基丙烷四丙烯酸酯、甘油二丙烯酸酯、甲氧基化環己基二丙烯酸酯、新戊二醇二丙烯酸酯、丙二醇二丙烯酸酯、聚丙二醇二丙烯酸酯、三甘油二丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、雙酚A二丙烯酸酯、異三聚氰酸EO改質三丙烯酸酯、環氧丙烯酸酯、胺基甲酸酯丙烯酸酯等之丙烯酸酯；將此等之丙烯酸酯換成甲基丙烯酸酯者；「Imilex(註冊商標)」P(N-苯基馬來醯亞胺)、「Imilex」C(N- 環己基馬來醯亞胺)(以上為商品名，日本觸媒(股)製)、BMI-1000(4,4-二苯基甲烷雙馬來醯亞胺)、BMI-2000(苯基甲烷馬來醯亞胺)、BMI-4000(雙酚A二苯基醚雙馬來醯亞胺)、BMI-7000(4-甲基-1,3-伸苯基雙馬來醯亞胺)(以上為商品名，大和化成工業(股)製)等之馬來醯亞胺化合物等。亦可含有2種以上的此等。於此等之中，從進一步抑制切割步驟中的黏著之觀點來看，較佳為包含N-苯基馬來醯亞胺。在不損害所欲的特性之範圍內，本發明之感光性導電糊亦可含有可塑劑、調平劑、增感劑、分散劑、矽烷偶合劑、消泡劑、顏料等之添加劑。
作為可塑劑，例如可舉出：鄰苯二甲酸二丁酯、鄰苯二甲酸二辛酯、聚乙二醇、甘油等。亦可含有2種以上的此等。
作為調平劑，例如可舉出：「BYK(註冊商標)」-300、310、320、322、323、324、325、330、331、344、370、371、354、358、361(以上BYK化學公司製)、「Disparon(註冊商標)」L-1980N、L-1980-50、L-1982-50、L-1983-50、L-1984-50、L-1985-50、# 1970、# 230、LC-900、LC-951、# 1920N、# 1925N、P-410(以上楠本化成(股)製)等。亦可含有2種以上的此等。
作為增感劑，例如可舉出：2,4-二乙基噻噸酮、異丙基噻噸酮、2,3-雙(4-二乙基胺基亞苄基)環戊酮、2,6-雙(4-二甲基胺基亞苄基)環環己酮、2,6-雙(4-二甲基胺基亞苄基)-4-甲基環環己酮、米其勒酮、4,4-雙(二乙基胺基)二苯基酮、4,4-雙(二甲基胺基)查耳酮、4,4-雙(二乙基胺基)查耳酮、對二甲基胺基亞桂皮基二氫茚酮等。亦可含有2種以上的此等。
作為分散劑，例如可舉出：Flowlen G-100SF、G-500、G-700、G-700(以上共榮社化學(股)製)、「Nopcosperse(註冊商標)」092、SN Dispersant 9228、SN Sperse 2190(以上SAN NOPCO(股)製)等。亦可含有2種以上的此等。
本發明之感光性導電糊，例如可藉由使前述之(A)~(D)成分、視需要的(E)成分及其它添加劑溶解及/或分散於溶劑中而得。作為使其溶解及/或分散的裝置，例如可舉出：三輥機、球磨機等之分散機或混煉機等。
接著，說明本發明之硬化物。本發明之硬化物係將本發明之感光性導電糊硬化而成者，其形狀係不拘。硬化物之厚度較佳為5~30μm。由於將硬化物之厚度設為5μm以上，可減低體積電阻率。另一方面，由於將硬化物之厚度設為30μm以下，可抑制後述之曝光‧顯像步驟中的剝落，容易形成更高精細的圖案。
本發明之硬化物可具有指定的圖案形狀。圖案形狀，例如可舉出直線形狀、漩渦形狀等。關於圖案形狀，最小寬度較佳為10~30μm。由於將圖案寬度設為10μm以上，可減低體積電阻率。另一方面，由於將圖案寬度設為30μm以下，可容易形成更高精細的圖案。
本發明之硬化物，例如可藉由將本發明之感光性導電糊塗布於基材上並乾燥，藉由曝光使其光硬化而得。製造具有圖案形狀的硬化物時，可藉由於圖案曝光後進行顯像而形成圖案。
作為塗布步驟中的塗布方法，例如可舉出：噴霧塗布、輥塗、網版印刷，或使用刮刀塗布機、模塗機、簾幕塗布機、彎月塗布機、棒塗機之塗布方法等。塗布膜之膜厚可按照塗布方法、感光性導電糊的固體成分濃度或黏度等而適宜選擇。
作為乾燥方法，例如可舉出使用烘箱、熱板、紅外線等的加熱裝置之加熱乾燥或真空乾燥等。加熱溫度較佳為60~120℃。由於將乾燥溫度設為60℃以上，可高效率地揮發去除溶劑。另一方面，由於將乾燥溫度設為120℃以下，可抑制感光性導電糊的熱交聯，減少後述之曝光‧顯像步驟中的非曝光部的殘渣，容易形成更高精細的圖案。加熱時間較佳為5分鐘~數小時。
作為曝光方法，有隔著光罩進行曝光之方法、不用光罩之曝光方法，作為不用光罩之曝光方法，可舉出：全面曝光之方法、使用雷射光等直接描繪之方法等。作為曝光裝置，例如可舉出：步進曝光機、近接曝光機等。作為曝光的活性光線，例如可舉出：近紫外線、紫外線、電子線、X射線、雷射光等，較佳為紫外線。作為紫外線之光源，例如可舉出：低壓水銀燈、高壓水銀燈、超高壓水銀燈、鹵素燈、殺菌燈等，較佳為超高壓水銀燈。
作為進行鹼顯像時的顯像液，例如可舉出：氫氧化四甲銨、二乙醇胺、二乙基胺基乙醇、氫氧化鈉、氫氧化鉀、碳酸鈉、碳酸鉀、三乙胺、二乙胺、甲胺、二甲胺、乙酸二甲基胺基乙酯、二甲基胺基乙醇、二甲基胺基乙基甲基丙烯酸酯、環己胺、乙二胺、己二胺等之水溶液。於此等之水溶液中，亦可添加：N-甲基-2-吡咯啶酮、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、二甲亞碸、γ-丁內酯等之極性溶劑；甲醇、乙醇、異丙醇等之醇類；乳酸乙酯、丙二醇單甲基醚乙酸酯等之酯類；環戊酮、環己酮、異丁酮；甲基異丁基酮等之酮類；界面活性劑等。
作為顯像方法，例如可舉出：一邊使形成有乾燥膜的基材靜置或旋轉，一邊將顯像液噴霧至曝光後的乾燥膜之方法； 將曝光後之形成有乾燥膜的基材浸漬顯像液中之方法；一邊將曝光後之形成有乾燥膜的基材浸漬於顯像液中，一邊施加超音波之方法等。
對於經由顯像所得之硬化物，可施予沖洗液的沖洗處理。作為沖洗液，例如可舉出：水；乙醇、異丙醇等醇類之水溶液；乳酸乙酯、丙二醇單甲基醚乙酸酯等酯類之水溶液等。
亦將本發明之硬化物積層而形成積層體。積層數較佳為1~30層。由於將積層數設為1層以上，可增大指定圖案之厚度。另一方面，由於將積層數設為30層以下，可減小層間的對準誤差之影響。
接著，說明本發明之焙燒體。本發明之焙燒體係將本發明之感光性導電體糊焙燒而成，其形狀係不拘。焙燒體之厚度較佳為2~20μm。由於將焙燒體之厚度設為2μm以上，可抑制焙燒時的斷線。另一方面，由於將焙燒體之厚度設為20μm以下，可進一步抑制焙燒時的鼓起。
本發明之焙燒體的線寬較佳為5~20μm。由於將焙燒體之線寬設為5μm以上，可抑制焙燒時的斷線。另一方面，由於將焙燒體的線寬設為20μm以下，可容易形成更高精細的圖案。
本發明之焙燒體，例如可藉由將前述本發明之硬化物或其積層體焙燒而得。作為焙燒方法，例如可舉出：在300~600℃熱處理5分鐘~數小時後，在850~900℃進一步熱處理5分鐘~數小時之方法等。
接著，說明本發明之圖案形成胚片之製造方法。其較佳為具有：將本發明之感光性導電糊塗布於胚片上而得到塗布膜之塗布步驟；將前述塗布膜乾燥而得到乾燥膜之乾燥步驟；以及 將前述乾燥膜曝光及顯像而得到圖案之曝光‧顯像步驟。
胚片較佳含有絕緣性陶瓷粉末、黏結劑樹脂及可塑劑。作為絕緣性陶瓷粉末，例如可舉出：「Pureceram(註冊商標)」BT149(製品名；日本化學工業(股)製)、SG-200(製品名；日本滑石(股)製)等。亦可含有2種以上的此等。作為黏結劑樹脂，例如可舉出：丙烯酸樹脂、聚乙烯縮丁醛樹脂、聚乙烯醇樹脂、纖維素樹脂、甲基纖維素樹脂等。亦可含有2種以上的此等。黏結劑樹脂之SP值與光性導電糊中的反應性化合物(C)之SP值之差，較佳為1.0~8.6(J/cm3)1/2。由於將SP值差設為1.0(J/cm3)1/2以上，可進一步抑制反應性化合物(C)被胚片吸收，容易形成更高精細的圖案。另一方面，由於將SP值差設為8.6(J/cm3)1/2以下，可提高感光性導電糊對於胚片之密著性，容易形成更高精細的圖案。黏結劑樹脂之SP值與感光性導電糊中的反應性化合物(C)之SP值之差，更佳為5.0(J/cm3)1/2以下。
作為塗布步驟中的塗布方法，可舉出：前述硬化物之製造方法中的塗布方法所例示之方法。塗布膜之膜厚，可按照塗布方法、感光性導電糊的固體成分濃度或黏度等而適宜選擇，較佳為以後述之乾燥步驟中的乾燥膜之膜厚成為5~30μm之方式設定。再者，乾燥膜之膜厚可使用觸針式階差計(例如「Surfcom(註冊商標)」1400；東京精密(股)製)而測定。更具體而言，可藉由以觸針式階差計(測長：1mm，掃描速度：0.3mm/s)分別測定經任意選擇的3個位置之膜厚，算出彼等的平均值而求出。
作為乾燥步驟中的乾燥方法，可舉出：前述硬化物之製造方法中的乾燥方法所例示之方法。
作為曝光‧顯像步驟中的曝光方法，可舉出：前述硬化物之製造方法中的曝光方法所例示之方法。
藉由使用顯像液，將曝光後的乾燥膜顯像，溶解去除非曝光部，可形成所欲的圖案。作為顯像液，可舉出：前述硬化物之製造方法中的顯像液所例示者。
作為顯像方法，例如可舉出：一邊使胚片靜置或旋轉，一邊將顯像液噴霧至曝光後的乾燥膜之方法；將曝光後之具有乾燥膜的胚片浸漬於顯像液中之方法；一邊將曝光後之具有乾燥膜會胚片浸漬於顯像液中，一邊施加超音波之方法等。
對於經由顯像所得之圖案，可施予沖洗液的沖洗處理。作為沖洗液，例如可舉出：前述硬化物之製造方法中的沖洗液所例示者。
亦可將所得之圖案形成胚片予以積層而形成積層體。
較佳為將所得之圖案形成胚片焙燒而形成焙燒體。作為焙燒方法，可舉出：焙燒體之製造方法中的焙燒方法所例示之方法。在胚片上所形成的圖案係「導電性粉末(A)」與「包含鹼可溶性樹脂(B)、反應性化合物(C)、光聚合起始劑(D)之有機成分的硬化物」之複合物，其藉由在焙燒時導電性粉末(A)彼此接觸而展現導電性。該導電性圖案可適使用作為電子零件等的內部配線。
本發明之硬化物、焙燒體及藉由本發明的圖案形成胚片之製造方法而得的圖案形成胚片，可適宜使用於電子零件。
本發明之電子零件較佳具有焙燒體、絕緣性陶瓷層及端子電極。焙燒體，較佳為前述本發明之焙燒體，且焙燒體及 絕緣性陶瓷層，較佳為將藉由前述製造方法所得之圖案形成胚片焙燒而成者。由於具有絕緣性陶瓷層，可抑制焙燒體間之意外的短路。端子電極較佳為設置在焙燒體與絕緣性陶瓷層之外部。作為構成端子電極之材料，例如可舉出：鎳和錫等。
本發明之電子零件之製造方法較佳為具有：藉由前述方法得到複數的圖案形成胚片，且將彼等積層並熱壓接而得到積層體之積層步驟；以及將前述積層體焙燒而得到電子零件之焙燒步驟。作為本發明之電子零件之製造方法的一例，以下說明積層晶片電感器之製造方法。
首先，在胚片上形成通孔，藉由在通孔中埋入導體，而形成層間連接配線。作為通孔形成方法，例如可舉出：雷射照射等。作為在通孔中埋入導體方法，例如可舉出：藉由網版印刷法埋入導體糊，進行乾燥之方法等。作為導體糊，例如可舉出：含有銅、銀、銀-鈀合金的糊。從可將層間連接配線與內部配線一次地形成而簡化程序來看，較佳為前述本發明之感光性導電糊。
於形成有層間連接配線之胚片上，形成內部配線。作為內部配線之形成方法，例如可舉出：使用感光性導電糊之微影法等。作為感光性導電糊，從能容易地形成高精細的圖案來看，可較宜使用前述本發明之感光性導電糊。視需要進一步形成介電體圖案或絕緣體圖案。作為形成介電體圖案及絕緣體圖案之形成方法，例如可舉出：網版印刷法等。
接著，將形成有層間連接配線及內部配線的胚片予以複數片積層，熱壓接而得到積層體。作為積層方法，例如可舉出：使用導引孔而堆疊胚片之方法等。作為熱壓接裝置，例如可舉出：油壓式加壓機等。熱壓接溫度較佳為90~130℃，熱壓接 壓力較佳為5~20MPa。
藉由將所得之積層體切割成所欲的晶片尺寸，進行焙燒，塗布端子電極，進行鍍敷處理，可得到積層晶片電感器。作為切割裝置，例如可舉出：模切機等。作為焙燒方法，例如可舉出：在300~600℃熱處理5分鐘~數小時後，在850~900℃進一步熱處理5分鐘~數小時之方法等。作為端子電極之塗布方法，例如可舉出：濺鍍法等。作為用於鍍敷處理之金屬，例如可舉出：鎳、錫等。
[實施例]
以下，舉出實施例及比較例，更詳細地說明本發明，惟本發明不受此等所限定。
<感光性導電糊之原料>
所用的原料如下。
導電性粉末(A)
導電性粉末(A-1)：D50為2.5μm的Ag粉末
導電性粉末(A-2)：D50為0.3μm的Ag粉末
導電性粉末(A-3)：D50為0.8μm的Ag粉末
導電性粉末(A-4)：D50為4.2μm的Ag粉末
導電性粉末(A-5)：D50為5.3μm的Ag粉末
再者，導電性粉末之D50係使用粒度分布測定裝置(Microtrac HRA Model No.9320-X100；日機裝(股)製)，藉由雷射光散射法測定。
鹼可溶性樹脂(B)
鹼可溶性樹脂(b-1a)：對於甲基丙烯酸/甲基丙烯酸甲酯/苯乙烯=54/23/23(莫耳比)的共聚物之羧基100莫耳份，使40莫耳份的甲基丙烯酸環氧丙酯進行加成反應而成之丙烯酸樹脂(Mw30,000、玻璃轉移點110℃、酸價100mgKOH/g)
鹼可溶性樹脂(b-1b)：「ARUFON(註冊商標)」UC-3910(丙烯酸樹脂、Mw8,500、玻璃轉移點85℃、酸價200mgKOH/g；東亞合成(股)製)
鹼可溶性樹脂(b-1c)：「Art Cure(註冊商標)」RA-3953MP(丙烯酸樹脂、Mw40,000、玻璃轉移點139℃、酸價60mgKOH/g：根上工業(股)製)
鹼可溶性樹脂(b-1d)：「ARUFON」UC-3000(丙烯酸樹脂、Mw10,000、玻璃轉移點65℃、酸價74mgKOH/g；東亞合成(股)製)
鹼可溶性樹脂(b-1e)：「Art Cure」RA-4101(丙烯酸樹脂、Mw40,000、玻璃轉移點190℃、酸價90mgKOH/g；根上工業(股)製)
鹼可溶性樹脂(b-1f)：對於甲基丙烯酸/甲基丙烯酸甲酯/苯乙烯=50/25/25(莫耳比)的共聚物之羧基100莫耳份，使50莫耳份的甲基丙烯酸環氧丙酯進行加成反應而成之丙烯酸樹脂(Mw22,000、玻璃轉移點110℃、酸價60mgKOH/g)
鹼可溶性樹脂(b-1g)：對於甲基丙烯酸/甲基丙烯酸甲酯/苯乙烯=60/20/20(莫耳比)的共聚物之羧基100莫耳份，使5莫耳份的甲基丙烯酸環氧丙酯進行加成反應而成之丙烯酸樹脂(Mw40,000、玻璃轉移點110℃、酸價100mgKOH/g)
鹼可溶性樹脂(b-2a)：以甲基丙烯酸/甲基丙烯酸甲酯/苯乙 烯=54/23/23(莫耳比)共聚合成之丙烯酸樹脂(Mw40,000、玻璃轉移點140℃、酸價250mgKOH/g)
鹼可溶性樹脂(b-1h)：「Cyclomer(註冊商標)」P(ACA)Z250(丙烯酸樹脂、Mw22,000、玻璃轉移點136℃、酸價60mgKOH/g)
鹼可溶性樹脂(b-2b)：以甲基丙烯酸/甲基丙烯酸甲酯/苯乙烯=50/27/23(莫耳比)共聚合成之丙烯酸樹脂(Mw40,000、玻璃轉移點133℃、酸價220mgKOH/g)
鹼可溶性樹脂(b-2c)：以甲基丙烯酸/甲基丙烯酸甲酯/苯乙烯=58/19/23(莫耳比)共聚合成之丙烯酸樹脂(Mw40,000、玻璃轉移點146℃、酸價280mgKOH/g)
鹼可溶性樹脂(b-2d)：以甲基丙烯酸/甲基丙烯酸甲酯/苯乙烯=47/30/23(莫耳比)共聚合成之丙烯酸樹脂(Mw40,000、玻璃轉移點130℃、酸價205mgKOH/g)
鹼可溶性樹脂(b-2e)：以甲基丙烯酸/甲基丙烯酸甲酯/苯乙烯=62/19/19(莫耳比)共聚合成之丙烯酸樹脂(Mw40,000、玻璃轉移點152℃、酸價300mgKOH/g)
鹼可溶性樹脂(b-2f)：以甲基丙烯酸/甲基丙烯酸甲酯/苯乙烯=54/20/26(莫耳比)共聚合成之丙烯酸樹脂(Mw32,000、玻璃轉移點140℃、酸價250mgKOH/g)
鹼可溶性樹脂(b-2g)：以甲基丙烯酸/甲基丙烯酸甲酯/苯乙烯=54/26/20(莫耳比)共聚合成之丙烯酸樹脂(Mw42,000、玻璃轉移點140℃、酸價250mgKOH/g)
鹼可溶性樹脂(b-2h)：以甲基丙烯酸/甲基丙烯酸甲酯/苯乙烯=54/16/30(莫耳比)共聚合成之丙烯酸樹脂(Mw22,000、玻璃 轉移點140℃、酸價250mgKOH/g)
鹼可溶性樹脂(b-2i)：以甲基丙烯酸/甲基丙烯酸甲酯/苯乙烯=54/30/16(莫耳比)共聚合成之丙烯酸樹脂(Mw46,000、玻璃轉移點140℃、酸價250mgKOH/g)
鹼可溶性樹脂(b-2j)：以甲基丙烯酸/甲基丙烯酸甲酯/苯乙烯=54/6/46(莫耳比)共聚合成之丙烯酸樹脂(Mw16,000、玻璃轉移點140℃、酸價250mgKOH/g)
鹼可溶性樹脂(b-2k)：以甲基丙烯酸/甲基丙烯酸甲酯/苯乙烯=54/40/6(莫耳比)共聚合成之丙烯酸樹脂(Mw66,000、玻璃轉移點140℃、酸價250mgKOH/g)
鹼可溶性樹脂(b-1i)：以甲基丙烯酸/甲基丙烯酸甲酯/苯乙烯=30/35/35(莫耳比)共聚合成之丙烯酸樹脂(Mw40,000、玻璃轉移點110℃、酸價100mgKOH/g)
鹼可溶性樹脂(b-1j)：以甲基丙烯酸/甲基丙烯酸甲酯/苯乙烯=85/8/7(莫耳比)共聚合成之丙烯酸樹脂(Mw40,000、玻璃轉移點160℃、酸價400mgKOH/g)
再者，鹼可溶性樹脂之重量平均分子量Mw係藉由高速液體層析儀(Alliance 2695；Nihon Waters(股)製)所測定之聚苯乙烯換算值。又，鹼可溶性樹脂之玻璃轉移點係使用示差掃描熱量計(DSC-50；島津製作所(股))測定。
反應性化合物(C)、(C’)
反應性化合物(C-1)：NK Oligo UA-122P(含有酯結構的胺基甲酸酯丙烯酸酯、在60℃的黏度7.0Pa‧s、重量平均分子量1,100、SP值27.1(J/cm3)1/2；新中村化學工業(股)製)
反應性化合物(C-2)：「KAYARAD」UX-3204(含有酯結構的胺基甲酸酯丙烯酸酯、在60℃的黏度16.0Pa‧s、重量平均分子量13,000、SP值25.2(J/cm3)1/2；日本化藥(股)製)
反應性化合物(C-3)：「KAYARAD」UXF-4002(不含酯結構的胺基甲酸酯丙烯酸酯、在60℃的黏度26.0Pa‧s、重量平均分子量12,000、SP值24.4(J/cm3)1/2；日本化藥(股)製)
反應性化合物(C-4)：「KAYARAD」UX-4101(含有酯結構的胺基甲酸酯丙烯酸酯、在60℃的黏度40.0Pa‧s、重量平均分子量6,500、SP值25.2(J/cm3)1/2；日本化藥(股)製)
反應性化合物(C-5)：「Sartomer」CN966(含有酯結構的胺基甲酸酯丙烯酸酯、在60℃的黏度70.0Pa‧s、重量平均分子量3,000、SP值28.1(J/cm3)1/2；ARKEMA(股)製)
反應性化合物(C’-6)：「Sartomer」CN9178(含有酯結構的胺基甲酸酯丙烯酸酯、在60℃的黏度2.0Pa‧s、重量平均分子量1,000、SP值28.1(J/cm3)1/2；ARKEMA(股)製)
反應性化合物(C’-7)：「Sartomer」CN8882NS(含有酯結構的胺基甲酸酯丙烯酸酯、在60℃的黏度105.0Pa‧s、重量平均分子量4,000、SP值28.1(J/cm3)1/2；ARKEMA(股)製)
反應性化合物(C-8)：「KAYARAD」UX-8101(含有酯結構的胺基甲酸酯丙烯酸酯、在60℃的黏度28.0Pa‧s、重量平均分子量3,000、SP值24.8(J/cm3)1/2；日本化藥(股)製)
製造例1：反應性化合物(C-9)
使1000莫耳份的Kuraray Polyol P-1010(聚碳酸酯二醇，KURARAY(股)製)與1400莫耳份的異佛爾酮二異氰酸酯在70℃反應6小時後，添加1000莫耳份的4HBA(丙烯酸4-羥基 丁酯，三菱化學控股(股)公司製)、0.1莫耳份的4-甲氧基苯酚、0.006莫耳的二月桂酸二丁錫份，使其反應2小時，得到反應性化合物(C-9)。所得之反應性化合物係含有酯結構的胺基甲酸酯丙烯酸酯，在60℃的黏度為18.0Pa‧s。重量平均分子量為21,000。又，SP值為23.0(J/cm3)1/2。
製造例2：反應性化合物(C-10)
除了將異佛爾酮二異氰酸酯之量變更為1500莫耳份以外，於與製造例1同樣之條件下反應，得到反應性化合物(C-10)。(含有酯結構的胺基甲酸酯丙烯酸酯、在60℃的黏度32.0Pa‧s、重量平均分子量29,000、SP值23.0(J/cm3)1/2)
製造例3：反應性化合物(C-11)
除了將Kuraray Polyol P-1010變更為Kuraray Polyol P-3010以外，於與製造例2同樣之條件下反應，得到反應性化合物(C-11)。(含有酯結構的胺基甲酸酯丙烯酸酯、在60℃的黏度40.0Pa‧s、重量平均分子量38,000、SP值23.0(J/cm3)1/2)
製造例4：反應性化合物(C-12)
除了將Kuraray Polyol P-1010變更為Kuraray Polyol P-5010以外，於與製造例2同樣之條件下反應，得到反應性化合物(C-12)。(含有酯結構的胺基甲酸酯丙烯酸酯、在60℃的黏度45.0Pa‧s、重量平均分子量42,000、SP值23.0(J/cm3)1/2)
製造例5：反應性化合物(C’-13)
添加20重量份的季戊四醇四(巰基乙酸酯)、138重量份的二季戊四醇六丙烯酸酯、74重量份的二季戊四醇五丙烯酸酯、0.10重量份的氫醌、0.02重量份的苄基二甲基胺，在60℃反應12小時，得到反應性化合物(C’-13)。(含有酯結構的丙烯酸酯、 在60℃的黏度4.0Pa‧s、重量平均分子量33,000、SP值22.7(J/cm3)1/2)
反應性化合物(C’-14)：「Aronix(註冊商標)」M-1200(胺基甲酸酯丙烯酸酯、在60℃的黏度105.0Pa‧s、重量平均分子量3,000、SP值26.2(J/cm3)1/2)
反應性化合物(C’-15)：「Aronix(註冊商標)」M-402(二季戊四醇五及六丙烯酸酯(含有酯結構的丙烯酸酯、在60℃的黏度1.0Pa‧s、重量平均分子量570、SP值22.7(J/cm3)1/2)
再者，反應性化合物的黏度係使用60℃的恒溫槽，將反應性化合物調溫3分鐘後，於大氣壓下，使用B型黏度計(布氏黏度計，型式HB DV-I；英弘精機(股)製)，以旋轉數3rpm進行測定。反應性化合物之重量平均分子量係藉由高速液體層析儀(Alliance 2695；Nihon Waters(股)製)所測定之聚苯乙烯換算值。又，反應性化合物之SP值係從分子結構，使用Fedors的計算方法算出。
光聚合起始劑(D)
光聚合起始劑(D)：Adeka Optomer N-1919(肟系光聚合起始劑；ADEKA(股)製)。
微粒子(E)
微粒子(E-1)：「AEROSIL」200(體積平均粒徑12nm、親水性矽石；日本AEROSIL(股)製)
微粒子(E-2)：「AEROXIDE」AluC(體積平均粒徑13nm、親水性氧化鋁；日本AEROSIL(股)製)
微粒子(E-3)：「AEROSIL」R972(體積平均粒徑12nm、疏水性矽石；日本AEROSIL(股)製)
微粒子(E-4)：「AEROSIL」OX50(體積平均粒徑40nm、親水性矽石；日本AEROSIL(股)製)
微粒子(E-5)：「Seahostar」KE-S10(體積平均粒徑100nm、親水性矽石；日本觸媒(股)製)
再者，微粒子之體積平均粒徑係將微粒子加到水中，進行300秒的超音波處理後，使用Nanotrac WaveII-UZ251(MicrotracBEL公司製)，藉由動態光散射法測定。
調平劑：「Disparon(註冊商標)」L-1980N(楠本化成(股)製)。
分散劑：Flowlen G-700(共榮社化學(股)製)。
溶劑(F)、(F’)
溶劑(f-2a)：「Celtol(註冊商標)」DPNB(二丙二醇正丁基醚、沸點230℃、SP值20.9(J/cm3)1/2；DAICEL(股)製)
溶劑(f-1a)：「Celtol」CHXA(環己醇乙酸酯、沸點173℃、SP值19.5(J/cm3)1/2；DAICEL(股)製)
溶劑(f’-2b)：「Butyzenol(註冊商標)」20(二乙二醇單丁基醚、沸點230℃、SP值21.5(J/cm3)1/2；KH Neochem(股)製)
溶劑(f’-2c)：「Celtol」DPMA(二丙二醇單甲基醚乙酸酯、沸點213℃、SP值18.5(J/cm3)1/2；DAICEL(股)製)
溶劑(f’-1b)：「Arcosorb」DPM(二丙二醇甲基醚、沸點190℃、SP值21.9(J/cm3)1/2)
溶劑之SP值係從分子結構，使用Fedors的計算方法算出。
<陶瓷胚片之製作> (製造例1：陶瓷胚片(S1))
混合100體積份作為絕緣性陶瓷粉末的「Pureceram」BT149(日本化學工業(股)製)、240體積份作為黏結劑樹脂的聚乙烯縮丁醛樹脂(SP值19.1(J/cm3)1/2)、80體積份作為可塑劑的鄰苯二甲酸二丁酯、160體積份作為溶劑的乙二醇單丁基醚，藉由刮刀法製作陶瓷胚片S1。
(製造例2：陶瓷胚片(S2))
除了將聚乙烯縮丁醛樹脂變更為80%皂化聚乙烯縮丁醛樹脂(SP值23.6(J/cm3)1/2)以外，與製造例1同樣地製作陶瓷胚片S2。
(製造例3：陶瓷胚片(S3))
除了將聚乙烯縮丁醛樹脂變更為聚乙烯醇樹脂(SP值30.8(J/cm3)1/2)以外，與製造例1同樣地製作陶瓷胚片S3。
(製造例4：陶瓷胚片(S4))
除了將聚乙烯縮丁醛樹脂變更為甲基纖維素樹脂(SP值30.5(J/cm3)1/2)以外，與製造例1同樣地製作陶瓷胚片S4。
(製造例5：陶瓷胚片(S5))
除了將聚乙烯縮丁醛樹脂變更為丙烯酸樹脂(SP值28.7(J/cm3)1/2)以外，與製造例1同樣地製作陶瓷胚片S5。
以下顯示各實施例及比較例中的評價方法。
<溶解性>
目視觀察由實施例1~106及比較例1~5所得之在60℃攪拌2小時後的感光性有機成分溶液，觀察有無不溶殘留物。未看見不溶殘留物時，將溶解性(溶解時間)評價為「2小時」。看見不溶殘留物時，更在60℃攪拌2小時後，目視觀察，同樣地觀察有無不溶殘留物。未看見不溶殘留物時，將溶解性(溶解時間)評價「4小時」。溶解時間愈短，溶解性愈高，可提高生產性。
<高精細圖案形成>
準備形成有實施例1~111及比較例1~5所得之乾燥膜的胚片各2片，對於乾燥膜，各自隔著線圈狀圖案之線寬/間隙寬(以下，「L/S」)為20μm/20μm、15μm/15μm之2種類的曝光遮罩，皆藉由21mW/cm2的輸出之超高壓水銀燈，進行照射量400mJ/cm2之曝光(波長365nm換算)。
然後，將0.1質量%碳酸鈉水溶液當作顯像液，噴淋顯像直到非曝光部完全溶解之時間(以下，「總溶解時間」)為止，製造L/S不同的2種類之圖案形成片。
將L/S不同的2種之圖案形成片，分別使用光學顯微鏡，以倍率10倍放大觀察，從有無圖案之斷線‧短路、圖案間之填埋‧殘渣，藉由下述之基準進行評價。
未看見圖案之斷線‧短路及圖案間之填埋‧殘渣：○
看見圖案之斷線及短路：剝落
看見圖案間之填埋‧殘渣：殘渣。
除了對於L/S=20μm/20μm之圖案，將噴淋顯像的時間延長至總溶解時間的1.1倍、1.2倍、1.3倍、1.4倍以外，重複同樣的操作，同樣地進行評價。又，除了對於L/S=15μm/15μm之圖案，將噴淋顯像的時間延長至總溶解時間的1.1倍、1.2倍以外，重複同樣的操作，同樣地進行評價。再者，至以上為止的評價係在乾燥後30分鐘以內，實施顯像。
再者，準備數片的使乾燥後靜置時間變化之乾燥膜，形成L/S=15μm/15μm之圖案，將噴淋顯像的時間設為總溶解時間的1.1倍，用上述基準進行評價。記錄在無剝落或殘渣下能形成圖案形成的乾燥後靜置時間。
於總溶解時間內未看見殘渣，在愈更長的顯像時間看不到剝落，或即使增長乾燥後靜置的時間，也看不到渣或剝落，愈能抑制顯像中的缺陷發生，提高生產性。愈能形成L/S小的圖案，愈可形成高精細圖案，可提高生產性。
<焙燒缺陷>
使用形成有由實施例1~111及比較例1~5所得之乾燥膜的胚片，藉由前述<高精細圖案形成>之方法，準備各10片的使用L/S為20μm/20μm及15μm/15μm的曝光遮罩之圖案形成片。使用導引孔，堆疊10片的彼等之圖案形成片，使用油壓式加壓機，於溫度90℃、壓力15MPa之條件下壓接，製造10層積層片。
使用模切機，將所得之10層積層片切割成0.3mm×0.6mm×0.3mm之尺寸，在350℃熱處理10小時後，更在880℃熱處理10分鐘而焙燒，製造10層積層焙燒片。
使用掃描型電子顯微鏡(S2400；日立製作所(股)製)，以倍率500倍放大觀察積層焙燒片之剖面，藉由下述之基準評價。
在層內未看見龜裂等的缺陷：○
在層內看見龜裂等的斷線缺陷：斷線
在層間看見鼓起：鼓起。
若於焙燒後未看見斷線或鼓起，則可抑制用於電子零件之際的焙燒時之缺陷發生，提高生產性。
再者，本發明之感光性導電糊係在L/S=20μm/20μm之圖案中，可以<高精細圖案形成>進行加工，且在<焙燒缺陷>中，於焙燒後沒有斷線或鼓起。
<體積電阻率>
於氧化鋁基板(100mm×100mm×厚度0.5mm)上，以網版印刷法塗布由實施例1~106及比較例1~5所得之感光性導電糊，使乾燥後膜厚成為10μm，以80℃的熱風乾燥機將所得之塗布膜乾燥10分鐘，得到乾燥膜。除了使用指定圖案的曝光遮罩(長度5cm×線寬1mm，在兩端附有1cm見方的焊墊之圖案)以外，以與前述<高精細圖案形成>之方法同樣地進行曝光‧顯像，得到電阻測定用圖案形成片。將所得之電阻測定用圖案形成片，在880℃熱處理10分鐘而焙燒，測定形成有電阻測定用圖案的焙燒體。對於所得之電阻測定用圖案形成焙燒體，使用掃描型電子顯微鏡(S2400；日立製作所(股)製)，以倍率2000倍放大觀察，測定焙燒體之線寬與膜厚。又，使用數位萬用電表(CDM-16D；CUSTOM公司製)，測定上述電阻測定用圖案焙燒體之電阻值， 由下述式算出體積電阻率。
體積電阻率(μΩ‧cm)=實際電阻值(Ω)×1000×圖案線寬(cm)×圖案厚度(cm)÷圖案長度(cm)
體積電阻率愈小，用於電子零件之際的電氣特性愈良好。
<低溫乾燥性>
於PET薄膜(S10「Lumirror(註冊商標)」# 125；東麗(股)製)上，藉由網版印刷法塗布複數片的由各實施例及比較例所得之感光性導電糊，使乾燥後膜厚成為12μm，各自以55℃、60℃、65℃、70℃、75℃之熱風乾燥機乾燥10分鐘，得到PET薄膜上之乾燥膜。觸診此等乾燥膜之塗布面，確認有無黏著，記錄未看見黏著的最低乾燥溫度。
於本評價中，在愈更低溫的乾燥條件下看不到塗膜表面的黏著，愈抑制黏著，可提高生產性。
<切割步驟中的黏著>
將上述低溫乾燥性評價所得之各實施例及比較例中的能乾燥的最低溫度之乾燥膜，各自切成1cm寬的長方形，疊合塗布面，從上部設置50g的不銹鋼板。在該狀態下，以經加熱到80℃、85℃、90℃、95℃、100℃的熱風乾燥機，加熱1分鐘。然後目視觀察塗膜表面，記錄未看見黏著的最高溫度。
於本評價中，在愈更高溫的條件下看不到塗膜表面的黏著，愈抑制黏著，抑制切割步驟中的黏著，可提高生產性。
<連續印刷性>
於PET薄膜(S10「Lumirror(註冊商標)」# 125；東麗(股)製)上，將由各實施例及比較例所得之感光性導電糊，使用25℃的恒溫槽，調溫3分鐘後，於大氣壓下，使用B型黏度計(布氏黏度計、型式HB DV-I；英弘精機(股)製)，以旋轉數10rpm測定黏度。
重複以網版印刷法塗布由各實施例及比較例所得之感光性導電糊，回收100次、200次、500次印刷後之糊。對於各自的糊，藉由前述方法測定黏度，算出其相對於印刷前的黏度之比(印刷後黏度/印刷前黏度)。於本評價中，黏度比愈接近1，連續印刷性愈良好，可提高生產性。
(實施例1)
於玻璃燒瓶中，以成為表1記載之組成比之方式，置入鹼可溶性樹脂(B)、反應性化合物(C)、光聚合起始劑(D)、調平劑、分散劑及溶劑(F)，在60℃攪拌2小時，得到感光性有機成分溶液。於該感光性有機成分溶液中，更以成為表1記載之組成比之方式，添加導電性粉末(A)、微粒子(E)，於攪拌後，使用三輥機(EXAKT M-50；EXAKT公司製)進行混煉，製造感光性導電糊P1。表11中顯示對於所得之感光性導電糊P-1，藉由前述方法評價之結果。
於胚片(GCS71F；Yamamura Photonics(股)製)上，藉由網版印刷法塗布所得之感光性導電糊P-1，使乾燥後膜厚成為10μm，得到塗布膜。使用80℃的熱風乾燥機，將所得之塗布膜乾燥10分鐘，而在胚片上形成乾燥膜。重複同樣之操作，準備複數之形成有乾燥膜的胚片。
(實施例2~106、比較例1~5)
除了將感光性導電糊之組成變更為如表1~10中記載以外，與實施例1同樣地，得到感光性導電糊P-2~P-111。惟，於實施例22~23中，由於在60℃ 2小時攪拌後的感光性有機成分溶液中看見不溶殘留物，故更在60℃攪拌2小時。使用所得之感光性導電糊P-2~P-111，與實施例1同樣地得到形成有乾燥膜的胚片。表11~22中顯示藉由前述方法評價之結果。
Figure 108113344-A0202-12-0042-1
Figure 108113344-A0202-12-0043-2
Figure 108113344-A0202-12-0044-3
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Figure 108113344-A0202-12-0062-22
Figure 108113344-A0202-12-0063-23
(實施例107~111)
除了各自使用由製造例1~5所得之陶瓷胚片S1~S5來代替胚片(GCS71F)以外，與實施例2同樣地得到形成有感光性導電糊及乾燥膜之胚片。表23中顯示藉由前述方法評價之結果。
Figure 108113344-A0202-12-0065-24
(實施例112)
於已形成通孔的胚片(GCS71F；Yamamura Photonics公司製)上，藉由網版印刷法塗布由實施例2所得之感光性導電糊P-2，使乾燥後膜厚成為13μm，得到塗布膜。使用80℃的熱風乾燥機，將所得之塗布膜乾燥10分鐘，一邊將導體埋入通孔，一邊在胚片上形成乾燥膜。對於乾燥膜，隔著線圈狀圖案L/S為20/20μm之曝光遮罩，藉由21mW/cm2之輸出的超高壓水銀燈，進行照射量400mJ/cm2之曝光(波長365nm換算)。然後，將0.1質量%碳酸鈉水溶液當作顯像液，噴淋顯像直到總溶解時間為止，製造圖案形成片。準備20片的該圖案形成片，使用導引孔進行堆疊，使用油壓式加壓機，在溫度90℃、壓力15MPa之條件下壓接，製造20層積層片。使用模切機，將所得之20層積層片切割成0.3mm×0.6mm×0.3mm之尺寸，在350℃熱處理10小時後，更在880℃保持10分鐘而焙燒，製造20層積層焙燒片。
於所得之20層積層焙燒片上，以濺鍍來塗布端子電極後，藉由鎳及錫進行鍍敷處理，製造積層晶片電感器。對於該積層晶片電感器，以焊錫在端子電極兩端連接銅配線，使用數位萬用電表(CDM-16D；CUSTOM公司製)，評價導通，結果無問題地導通。
[產業上利用之可能性]
本發明之感光性導電糊係可適宜地利用於製造電子零件等之內部配線圖案。

Claims (18)

  1. 一種感光性導電糊，其含有導電性粉末(A)、鹼可溶性樹脂(B)、反應性化合物(C)及光聚合起始劑(D)，前述反應性化合物(C)在60℃的黏度為5.0~100.0Pa‧s，在23℃的固體成分之中，有機成分之重量平均分子量為30,000~45,000。
  2. 如請求項1之感光性導電糊，其中該反應性化合物(C)具有胺基甲酸酯結構。
  3. 如請求項1或2之感光性導電糊，其中該反應性化合物(C)具有酯結構。
  4. 如請求項1或2之感光性導電糊，其中該反應性化合物(C)之重量平均分子量為5000~45000。
  5. 如請求項1或2之感光性導電糊，其中在23℃的固體成分有機成分之中，分子量為5000以下的有機成分之含量為4.0~15.0體積%。
  6. 如請求項1之感光性導電糊，其進一步含有粒徑為1~100nm的微粒子(E)，微粒子(E)之體積平均粒徑為1~100nm。
  7. 如請求項6之感光性導電糊，其中相對於100體積份的該導電性粉末(A)，含有0.1~25.0體積份的該微粒子(E)。
  8. 如請求項6或7之感光性導電糊，其中該微粒子(E)含有選自由氧化鈦、氧化鋁、矽石、堇青石、莫來石、尖晶石、鈦酸鋇、氧化鋯所組成之群組的至少一者。
  9. 如請求項6或7之感光性導電糊，其中該微粒子(E)係親水性。
  10. 如請求項1或2之感光性導電糊，其中相對於該鹼可 溶性樹脂(B)、反應性化合物(C)及光聚合起始劑(D)之合計100體積份，含有合計90.0~99.0體積份的該鹼可溶性樹脂(B)及反應性化合物(C)。
  11. 如請求項1或2之感光性導電糊，其中該反應性化合物(C)之SP值為21.5~28.7(J/cm3)1/2。
  12. 如請求項1或2之感光性導電糊，其進一步含有SP值為19.5~21.3(J/cm3)1/2的溶劑(F)。
  13. 一種硬化物，其係將如請求項1至12中任一項之感光性導電糊硬化而成。
  14. 一種焙燒體，其係將如請求項1至12中任一項之感光性導電糊焙燒而成。
  15. 一種電子零件，其包含如請求項14之焙燒體與絕緣性陶瓷層及端子電極。
  16. 一種圖案形成胚片之製造方法，其具有：將如請求項1至12中任一項之感光性導電糊塗布於胚片上而得到塗布膜之塗布步驟；將該塗布膜乾燥而得到乾燥膜之乾燥步驟；以及將該乾燥膜曝光及顯像而得到圖案之曝光‧顯像步驟。
  17. 如請求項16之圖案形成胚片之製造方法，其中該胚片含有黏結劑樹脂，該反應性化合物(C)之SP值與胚片中的黏結劑之SP值之差為1.0~8.6(J/cm3)1/2。
  18. 一種如請求項15之電子零件之製造方法，其具有：藉由如請求項16或17之圖案形成胚片之製造方法得到複數的圖案形成胚片，且將彼等積層並熱壓接而得到積層體之積層步驟；以及將該積層體焙燒而得到電子零件之焙燒步驟。
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