KR102548106B1 - 감광성 도전 페이스트 및 도전 패턴 형성용 필름 - Google Patents

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Abstract

4급 암모늄염 화합물(A), 카르복실기 함유 수지(B), 광중합 개시제(C), 불포화 이중결합을 갖는 반응성 모노머(D) 및 도전성 입자(E)를 갖는 감광성 도전 페이스트. 저온 또한 단시간에 도전성이 발현되고, 포토리소그래피법에 의해 고온 고습 환경에 노출된 후에 있어서의 ITO와의 밀착성 및 내굴곡성이 우수한 미세 배선의 형성이 가능한 감광성 도전 페이스트 및 도전 패턴 형성용 필름을 제공한다.

Description

감광성 도전 페이스트 및 도전 패턴 형성용 필름
본 발명은 감광성 도전 페이스트 및 이것을 사용한 도전 패턴 형성용 필름에 관한 것이다.
최근, 감광성 도전 페이스트를 사용한 포토리소그래피법에 의해, 내열성이 낮은 기재 위에 미세한 도전 패턴을 형성하는 기술이 제안되고 있다. 내열성이 낮은 기판에 도전 패턴을 형성하기 위해서는 고온 가열에 의해 유기물을 제거하는 소성 공정을 거치지 않고, 절연성을 갖는 유기물 중에 있어서 도전성 입자끼리를 접촉시켜서 도전 패스를 형성할 필요가 있다. 이러한 기술에 사용되는 감광성 도전 페이스트로서, 예를 들면 2 이상의 알콕시기를 갖는 화합물, 불포화 이중결합을 갖는 감광성 성분, 광중합 개시제, 도전성 필러를 포함하는 도전 페이스트(예를 들면 특허문헌 1 참조)나, 도전 분말, 유기 바인더, 광중합성 모노머, 광중합 개시제 및 용제를 포함하는 감광성 도전 페이스트(예를 들면 특허문헌 2 참조) 등이 제안되고 있다.
한편, 디카르복실산 및 그 산무수물, 불포화 이중결합을 갖고, 산가가 40∼200mgKOH/g의 범위인 감광성 성분, 광중합 개시제, 도전성 필러를 포함하는 감광성 도전 페이스트(예를 들면 특허문헌 3 참조) 등이 제안되고 있다.
일본 특허공개 2011-180580호 공보 국제공개 2004-061006호 국제공개 2012-124438호
그러나, 특허문헌 1, 2의 기술에 의해 얻어지는 도전 패턴은 단단하고, 내굴곡성이 낮다고 하는 과제가 있었다. 또한 특허문헌 3의 기술에 의해 얻어지는 도전 패턴은 ITO 등의 내산성이 낮은 기재의 경우, 고온 고습 환경에 노출되면 밀착성이 저하된다고 하는 과제를 갖고 있었다.
그래서 본 발명은 저온 또한 단시간에 도전성이 발현되고, 고온 고습 환경에 노출된 후에 있어서의 ITO와의 밀착성 및 내굴곡성이 우수한 미세 배선의 형성이 포토리소그래피법에 의해 가능한 감광성 도전 페이스트 및 도전 패턴 형성용 필름을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은 예의 검토한 결과, 감광성 도전 페이스트 및 도전 패턴 형성용 필름이 4급 암모늄염 화합물을 함유함으로써, 도전성 입자 표면으로부터의 금속원자의 확산을 촉진하고, 종래보다 저온 또한 단시간에 미세한 도전 패턴을 형성할 수 있음과 아울러, 기재의 변형을 억제하고, 고온 고습 환경에 노출된 후에 있어서의 ITO와의 밀착성 및 내굴곡성을 향상시킬 수 있는 것을 찾아내어 본 발명을 완성시켰다.
본 발명은 4급 암모늄염 화합물(A), 카르복실기 함유 수지(B), 광중합 개시제(C), 불포화 이중결합을 갖는 반응성 모노머(D) 및 도전성 입자(E)를 갖는 감광성 도전 페이스트 및 그것을 사용한 도전 패턴 형성용 필름이다.
본 발명에 의하면, 고온 고습 환경에 노출된 후에 있어서의 ITO와의 밀착성이 우수하고, 내굴곡성이 우수한 미세 배선의 형성이 가능한 감광성 도전 페이스트 및 도전 패턴 형성용 필름이 얻어진다. 이것을 사용하여 가공 방법이나 구성부재를 적당하게 조정함으로써 곡면이나 예각면에의 배선 형성이나 내구성이 높은 압력 센서를 얻을 수 있다.
도 1은 실시예의 비저항 평가에 사용한 평가 샘플의 모식도이다.
도 2는 실시예 38에서 제작한 압력 센서의 단면 모식도이다.
도 3은 실시예 39에서 제작한 압력 센서의 단면 모식도이다.
도 4는 실시예 40에서 제작한 비저항 측정용 회로기판의 단면, 끝면 및 상하면의 모식도이다.
도 5는 비교예 4에서 제작한 압력 센서의 단면 모식도이다.
본 발명의 감광성 도전 페이스트는 4급 암모늄염 화합물(A), 카르복실기 함유 수지(B), 광중합 개시제(C), 불포화 이중결합을 갖는 반응성 모노머(D) 및 도전성 입자(E)를 함유한다.
본 발명의 감광성 도전 페이스트에 의해 얻어지는 도전 패턴은 유기 성분과 무기 성분의 복합물로 되어 있고, 도전성 입자(E)끼리가 열 큐어시의 원자 확산 현상에 의해 서로 접촉함으로써 도전성이 발현되는 것이다. 4급 암모늄염 화합물(A)은 열 큐어시의 원자 확산 현상을 촉진하기 위해서, 감광성 도전 페이스트가 4급 암모늄염 화합물(A)을 함유함으로써, 저온 또한 단시간에 도전성을 발현할 수 있다. 그 때문에 본 발명의 감광성 도전 페이스트는 도전 패턴 형성시에 과도한 경화 수축을 억제하고, 고온 고습 환경에 노출된 후에 있어서의 도전 패턴과 기재의 밀착성이나 내굴곡성을 높게 유지할 수 있다. 이러한 효과는 4급 암모늄염 특유의 효과이다. 일반적으로 염기성이 높은 1급 아민 화합물이나 2급 아민 화합물을 첨가한 경우, 카르복실기 함유 수지(B)의 카르복실기와 중화 반응하므로 포토리소그래피 가공에 있어서의 미세 패터닝성이 손상된다. 또한 3급 아민 화합물을 첨가한 경우, 열 큐어시의 원자 확산 현상이 일어나지 않으므로, 저온 또한 단시간에서의 도전성 발현 효과가 얻어지지 않는다.
감광성 도전 페이스트가 카르복실기 함유 수지(B)를 함유함으로써, 포토리소그래피 가공에 있어서의 알칼리 현상성을 높여서 고해상도의 패턴 가공을 가능하게 한다. 감광성 도전 페이스트가 광중합 개시제(C) 및 불포화 이중결합을 갖는 반응성 모노머(D)를 함유함으로써, 포토리소그래피 가공시의 노광에 의한 광중합에 의해, 감광성 도전 페이스트가 알칼리에 불용화되어 미세 패터닝을 가능하게 한다.
4급 암모늄염 화합물(A)로서는 예를 들면 4급 암모늄 클로라이드 화합물, 4급 암모늄 브로마이드 화합물, 4급 암모늄 요오드 화합물이나, 이들의 수화물 등을 들 수 있다. 4급 암모늄 클로라이드 화합물로서는 예를 들면 벤질디메틸스테아릴암모늄 클로라이드, 디도데실디메틸암모늄 클로라이드, 벤질세틸디메틸암모늄 클로라이드, 벤잘코늄 클로라이드, 디데실디메틸암모늄 클로라이드, 벤질도데실디메틸암모늄 클로라이드, 헥사데실트리메틸암모늄 클로라이드, 트리메틸테트라데실암모늄 클로라이드, 테트라부틸암모늄 클로라이드, 도데실트리메틸암모늄 클로라이드, 벤조일클로린 클로라이드, 데실트리메틸암모늄 클로라이드, 벤질트리메틸암모늄 클로라이드, 테트라프로필암모늄 클로라이드, 벤질트리메틸암모늄 클로라이드, 아세틸콜린 클로라이드, 테트라에틸암모늄 클로라이드, 디알릴디메틸암모늄 클로라이드, 콜린 클로라이드, 테트라메틸암모늄 클로라이드 등을 들 수 있다. 4급 암모늄 브로마이드 화합물로서는 예를 들면 4급 암모늄 클로라이드 화합물로서 예시한 화합물의 염소를 브롬으로 치환한 화합물 등을 들 수 있다. 4급 요오드 화합물로서는 예를 들면 4급 암모늄 클로라이드 화합물로서 예시한 화합물의 염소를 요오드로 치환한 화합물 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 함유해도 좋다. 이들 중에서도, 4급 암모늄 클로라이드 화합물은 열 큐어시의 도전성 입자의 원자 확산 현상을 촉진시키기 쉽고, 단시간의 열 큐어에 의해 도전성을 보다 향상시킬 수 있으므로 바람직하다.
4급 암모늄염 화합물(A) 중에 있어서의 음이온의 비율(음이온의 원자량/4급 암모늄염 화합물의 분자량)은 10.0중량% 이상이 바람직하다. 음이온의 비율이 10.0중량% 이상이면, 음이온의 안정성이 높고, 열 큐어시의 도전성 입자의 원자 확산 현상을 촉진시키기 쉽고, 단시간의 열 큐어에 의해 도전성을 보다 향상시킬 수 있다. 한편, 음이온의 비율은 50.0중량% 이하가 바람직하다. 음이온의 비율이 50.0중량% 이하이면, 유기 성분에 대한 용해성을 향상시킬 수 있고, 4급 암모늄염 화합물(A)의 결정 석출을 억제할 수 있다. 또, 음이온의 비율이란 4급 암모늄염 화합물(A)의 분자량에 대한 4급 암모늄염 화합물(A)에 포함되는 음이온의 원자량의 중량비율이다.
4급 암모늄염 화합물(A)의 질소원자에 결합하는 기 중 적어도 3개가 CxH2x+1(x=1∼4)인 것이 바람직하다. 질소원자에 결합하는 기 중 적어도 3개가 CxH2x+1(x=1∼4)이면 음이온의 안정성이 높고, 열 큐어시의 도전성 입자의 원자 확산 현상을 촉진시키기 쉽고, 저온 또한 단시간의 열 큐어 조건에 있어서도 도전성을 향상시킬 수 있다.
4급 암모늄염 화합물(A)은 분자량이 350 이하인 것이 바람직하다. 분자량이 350 이하이면 음이온의 안정성이 높고, 열 큐어시의 도전성 입자의 원자 확산 현상을 촉진시키기 쉽고, 저온 또한 단시간의 열 큐어 조건에 있어서도 도전성을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 감광성 도전 페이스트에 있어서의 4급 암모늄염 화합물(A)의 함유량은 도전성 입자(E) 100중량부에 대해서 0.01∼5중량부가 바람직하다. 4급 암모늄염 화합물(A)의 함유량이 0.01중량부 이상이면 도전성 입자(E)의 원자 확산 현상을 촉진시키기 쉽고, 단시간의 열 큐어에 의해 도전성을 보다 향상시킬 수 있다. 4급 암모늄염 화합물(A)의 함유량은 0.05중량부 이상이 보다 바람직하고, 0.1중량부 이상이 더욱 바람직하다. 한편, 4급 암모늄염 화합물(A)의 함유량이 5중량부 이하이면 금속 할로겐화물의 생성을 억제하고, 도전성을 보다 향상시킬 수 있다.
카르복실기 함유 수지(B)로서는 예를 들면 아크릴계 공중합체, 카르복실산 변성 에폭시 수지, 카르복실산 변성 페놀 수지, 폴리아믹산, 카르복실산 변성 실록산 폴리머 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 함유해도 좋다. 이들 중에서도, 자외광 투과율이 높은 아크릴계 공중합체 또는 카르복실산 변성 에폭시 수지가 바람직하다.
아크릴계 공중합체로서는 아크릴계 모노머와 불포화산 또는 그 산무수물의 공중합체가 바람직하다.
아크릴계 모노머로서는 예를 들면 메틸아크릴레이트, 에틸아크릴레이트, 2-에틸헥실아크릴레이트, n-부틸아크릴레이트, iso-부틸아크릴레이트, iso-프로판아크릴레이트, 글리시딜아크릴레이트, 부톡시트리에틸렌글리콜아크릴레이트, 디시클로펜타닐아크릴레이트, 디시클로펜테닐아크릴레이트, 2-히드록시에틸아크릴레이트, 이소보르닐아크릴레이트, 2-히드록시프로필아크릴레이트, 이소덱실아크릴레이트, 이소옥틸아크릴레이트, 라우릴아크릴레이트, 2-메톡시에틸아크릴레이트, 메톡시에틸렌글리콜아크릴레이트, 메톡시디에틸렌글리콜아크릴레이트, 옥타플루오로펜틸아크릴레이트, 페녹시에틸아크릴레이트, 스테아릴아크릴레이트, 트리플루오로에틸아크릴레이트, 아미노에틸아크릴레이트, 페닐아크릴레이트, 페녹시에틸아크릴레이트, 1-나프틸아크릴레이트, 2-나프틸아크릴레이트, 티오페놀아크릴레이트, 벤질메르캅탄아크릴레이트, 알릴화 시클로헥실디아크릴레이트, 메톡시화 시클로헥실디아크릴레이트, 1,4-부탄디올디아크릴레이트, 1,3-부틸렌글리콜디아크릴레이트, 에틸렌글리콜디아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디아크릴레이트, 프로필렌글리콜디아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜디아크릴레이트, 트리글리세롤디아크릴레이트, 트리메티롤프로판트리아크릴레이트, 디메티롤프로판테트라아크릴레이트, 디펜타에리스리톨모노히드록시펜타아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사아크릴레이트, 아크릴아미드, N-메톡시메틸아크릴아미드, N-에톡시메틸아크릴아미드, N-n-부톡시메틸아크릴아미드, N-이소부톡시메틸아크릴아미드, 메타크릴페놀, 메타크릴아미드페놀, γ-아크릴옥시프로필트리메톡시실란, N-(2-히드록시페닐)아크릴아미드, N-(3-히드록시페닐)아크릴아미드, N-(4-히드록시페닐)아크릴아미드, o-히드록시페닐아크릴레이트, m-히드록시페닐아크릴레이트, p-히드록시페닐아크릴레이트, o-히드록시스티렌, m-히드록시스티렌, p-히드록시스티렌, 2-(2-히드록시페닐)에틸아크릴레이트, 2-(3-히드록시페닐)에틸아크릴레이트, 2-(4-히드록시페닐)에틸아크릴레이트 등의 페놀성 수산기 함유 모노머나, 이들 아크릴기를 메타크릴기로 치환한 화합물 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 에틸아크릴레이트, 2-히드록시에틸아크릴레이트 및 이소보르닐아크릴레이트로부터 선택된 모노머가 특히 바람직하다. 이들을 2종 이상 사용해도 좋다.
불포화산 또는 그 산무수물로서는 예를 들면 아크릴산, 메타크릴산, 이타콘산, 크로톤산, 말레산, 푸말산, 아세트산비닐이나, 이들의 산무수물 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 사용해도 좋다. 불포화산의 공중합비에 의해, 아크릴계 공중합체의 산가를 조정할 수 있다.
카르복실산 변성 에폭시 수지로서는 에폭시 화합물과, 불포화산 또는 불포화 산 무수물의 반응물이 바람직하다. 여기에서, 카르복실산 변성 에폭시 수지란 에폭시 화합물의 에폭시기를 카르복실산 또는 카르복실산 무수물로 변성한 것이고, 에폭시기는 포함되어 있지 않다.
에폭시 화합물로서는 예를 들면 글리시딜에테르류, 글리시딜아민류, 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 보다 구체적으로는 글리시딜에테르류로서는 예를 들면 메틸글리시딜에테르, 에틸글리시딜에테르, 부틸글리시딜에테르, 에틸렌글리콜디글리시딜에테르, 디에틸렌글리콜디글리시딜에테르, 프로필렌글리콜디글리시딜에테르, 트리프로필렌글리콜디글리시딜에테르, 네오펜틸글리콜디글리시딜에테르, 비스페놀A디글리시딜에테르, 수첨 비스페놀A디글리시딜에테르, 비스페놀F디글리시딜에테르, 비스페놀S디글리시딜에테르, 비스페놀플루오렌디글리시딜에테르, 비페놀디글리시딜에테르, 테트라메틸비페놀글리시딜에테르, 트리메티롤프로판트리글리시딜에테르, 3',4'-에폭시시클로헥실메틸-3,4-에폭시시클로헥산카르복실레이트 등을 들 수 있다. 글리시딜아민류로서는 예를 들면 tert-부틸글리시딜아민 등을 들 수 있다. 에폭시 수지로서는 예를 들면 비스페놀A형 에폭시 수지, 비스페놀F형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 노볼락형 에폭시 수지, 수첨 비스페놀A형 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 사용해도 좋다.
상술의 아크릴계 공중합체나 카르복실산 변성 에폭시 수지에 글리시딜(메타)아크릴레이트 등의 불포화 이중결합을 갖는 화합물을 반응시킴으로써, 불포화 이중결합을 도입할 수 있다. 카르복실기 함유 수지(B)에 불포화 이중결합을 도입함으로써, 노광시에 노광부의 가교밀도를 향상시킬 수 있고, 현상 마진을 넓게 할 수 있다.
카르복실기 함유 수지(B)로서는 우레탄 결합을 갖는 것도 바람직하게 사용할 수 있다. 카르복실기 함유 수지(B)가 우레탄 결합을 가짐으로써, 얻어지는 도전 패턴의 내굴곡성을 보다 향상시킬 수 있다. 카르복실기 함유 수지(B)에 우레탄 결합을 도입하는 방법으로서는 예를 들면 수산기를 갖는 아크릴계 공중합체나 수산기를 갖는 카르복실산 변성 에폭시 수지의 경우, 이들의 수산기에 디이소시아네이트 화합물을 반응시키는 방법을 들 수 있다. 디이소시아네이트 화합물로서는 예를 들면 헥사메틸렌디이소시아네이트, 테트라메틸크실렌디이소시아네이트, 나프탈렌-1,5-디이소시아네이트, 트리덴디이소시아네이트, 트리메틸헥사메틸렌디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트, 알릴시안디이소시아네이트, 노르보르난디이소시아네이트 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 사용해도 좋다.
카르복실기 함유 수지(B)는 페놀성 수산기를 갖는 것도 바람직하게 사용할 수 있다. 카르복실기 함유 수지(B)가 페놀성 수산기를 가짐으로써, 기재 표면의 수산기나 아미노기 등의 극성기와 수소결합을 형성하고, 얻어지는 도전 패턴과 기재의 밀착성을 보다 향상시킬 수 있다.
카르복실기 함유 수지(B)의 산가는 50∼250mgKOH/g이 바람직하다. 산가가 50mgKOH/g 이상이면, 현상액에의 용해도가 높아지고, 현상 잔사의 발생을 억제할 수 있다. 산가는 60mgKOH/g 이상이 보다 바람직하다. 한편, 산가가 250mgKOH/g 이하이면, 현상액에의 과도한 용해를 억제하고, 패턴 형성부의 막손실을 억제할 수 있다. 산가는 200mgKOH/g 이하가 보다 바람직하다. 또, 카르복실기 함유 수지(B)의 산가는 JIS K 0070(1992)에 준거해서 측정할 수 있다.
카르복실기 함유 수지(B)의 산가는 예를 들면 아크릴계 공중합체의 경우, 구성 성분 중의 불포화산의 비율에 의해 소망의 범위로 조정할 수 있다. 카르복실산 변성 에폭시 수지의 경우, 다염기산 무수물을 반응시킴으로써, 소망의 범위로 조정할 수 있다. 카르복실산 변성 페놀 수지의 경우, 구성 성분 중의 다염기산 무수물의 비율에 의해 소망의 범위로 조정할 수 있다.
광중합 개시제(C)로서는 벤조페논 유도체, 아세토페논 유도체, 티옥산톤 유도체, 벤질 유도체, 벤조인 유도체, 옥심계 화합물, α-히드록시케톤계 화합물, α-아미노알킬페논계 화합물, 포스핀옥사이드계 화합물, 안트론 화합물, 안트라퀴논 화합물 등을 들 수 있다. 벤조페논 유도체로서는 예를 들면 벤조페논, O-벤조일벤조산 메틸, 4,4'-비스(디메틸아미노)벤조페논, 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논, 4,4'-디클로로벤조페논, 플루올레논, 4-벤조일-4'-메틸디페닐케톤 등을 들 수 있다. 아세토페논 유도체로서는 예를 들면, p-t-부틸디클로로아세토페논, 4-아지드벤잘아세토페논, 2,2'-디에톡시아세토페논 등을 들 수 있다. 티옥산톤 유도체로서는 예를 들면 티옥산톤, 2-메틸티옥산톤, 2-클로로티옥산톤, 2-이소프로필티옥산톤, 디에틸티옥산톤 등을 들 수 있다. 벤질 유도체로서는 예를 들면 벤질, 벤질디메틸케탈, 벤질-β-메톡시에틸아세탈 등을 들 수 있다. 벤조인 유도체로서는 예를 들면 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인부틸에테르 등을 들 수 있다. 옥심계 화합물로서는 예를 들면 1,2-옥탄디온-1-[4-(페닐티오)-2-(O-벤조일옥심)], 에탄온-1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-1-(O-아세틸옥심), 1-페닐-1,2-부탄디온-2-(O-메톡시카르보닐)옥심, 1-페닐-프로판디온-2-(O-에톡시카르보닐)옥심, 1-페닐-프로판디온-2-(O-벤조일)옥심, 1,3-디페닐-프로판트리온-2-(O-에톡시카르보닐)옥심, 1-페닐-3-에톡시-프로판트리온-2-(O-벤조일)옥심 등을 들 수 있다. α-히드록시케톤계 화합물로서는 예를 들면 2-히드록시-2-메틸-1-페닐-프로판-1-온, 1-[4-(2-히드록시에톡시)-페닐]-2-히드록시-2-메틸-1-프로판-1-온 등을 들 수 있다. α-아미노알킬페논계 화합물로서는 예를 들면 2-메틸-(4-메틸티오페닐)-2-모르폴리노프로판-1-온, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄-1-온, 2-디메틸아미노-2-(4-메틸벤질)-1-(4-모르폴린-4-일-페닐)부탄-1-온 등을 들 수 있다. 포스핀옥사이드계 화합물로서는 예를 들면 2,4,6-트리메틸벤조일-디페닐-포스핀옥사이드, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥사이드 등을 들 수 있다. 안트론 화합물로서는 안트론, 벤즈안트론, 디벤조수베론, 메틸렌안트론 등을 들 수 있다. 안트라퀴논 화합물로서는 예를 들면 안트라퀴논, 2-t-부틸안트라퀴논, 2-아밀안트라퀴논, β-클로로안트라퀴논 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 함유해도 좋다. 이들 중에서도, 광 감도가 높은 옥심계 화합물이 바람직하다.
본 발명의 감광성 도전 페이스트 중에 있어서의 광중합 개시제(C)의 함유량은 카르복실기 함유 수지(B) 100중량부에 대해서 0.05∼30중량부가 바람직하다. 광중합 개시제(C)의 함유량이 0.05중량부 이상이면 노광부의 경화 밀도가 상승하고, 현상후의 잔막율을 높게 할 수 있다. 광중합 개시제(C)의 함유량은 1중량부 이상이 보다 바람직하다. 한편, 광중합 개시제(C)의 함유량이 30중량부 이하이면 도전 페이스트를 도포해서 얻어지는 도포막 상부에 있어서의 광중합 개시제(C)에 의한 과잉의 광흡수가 억제된다. 그 결과, 도전 패턴을 용이하게 테이퍼 형상으로 할 수 있고, 기판과의 밀착성을 보다 향상시킬 수 있다.
불포화 이중결합을 갖는 반응성 모노머(D)로서는 예를 들면 에틸렌글리콜디메타크릴레이트, 디에틸렌글리콜디메타크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디메타크릴레이트, 1.4-부탄디올디메타크릴레이트, 네오펜틸글리콜디메타크릴레이트, 글리세린디메타크릴레이트, 2-히드록시-3-아크릴로일옥시프로필메타크릴레이트, 디메티롤-트리시클로데칸디메타크릴레이트, 트리프로필렌글리콜디아크릴레이트, 디옥산글리콜디아크릴레이트, 시클로헥산디메탄올디메타크릴레이트, 트리시클로데칸디메탄올디아크릴레이트, 에톡시화 (4)비스페놀A디아크릴레이트, 에톡시화 (10)비스페놀A디아크릴레이트, 에틸렌글리콜디글리시딜에테르의 아크릴산 부가물, 네오펜틸글리콜디글리시딜에테르의 아크릴산 부가물 등의 2관능 모노머; 펜타에리스리톨트리아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리아크릴레이트, 트리메티롤프로판트리아크릴레이트, 트리메티롤프로판에톡시트리아크릴레이트, 글리세린프로폭시트리아크릴레이트 등의 3관능 모노머; 디펜타에리스리톨헥사아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라아크릴레이트, 펜타에리스리톨에톡시테트라아크릴레이트, 디트리메티롤프로판테트라아크릴레이트등의 4관능 모노머; 다이셀 사이테크사제 EBECRYL204, EBECRYL210, EBECRYL220, EBECRYL264, EBECRYL265, EBECRYL284나 사토머사제 CN972, CN975, CN978 등의 우레탄 결합 함유 모노머 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 함유해도 좋다. 이들 중에서도, 우레탄 결합 함유 모노머는 도전 패턴의 내굴곡성을 보다 향상시킬 수 있는 점에서 바람직하다.
본 발명의 감광성 도전 페이스트 중에 있어서의 불포화 이중결합을 갖는 반응성 모노머(D)의 함유량은 카르복실기 함유 수지(B) 100중량부에 대해서 1∼100중량부가 바람직하다. 불포화 이중결합을 갖는 반응성 모노머(D)의 함유량이 1중량부 이상이이면 노광부의 가교밀도가 높아지고, 미노광부와 노광부의 현상액에 대한 용해도차를 크게 할 수 있고, 미세 패터닝성을 보다 향상시킬 수 있다. 한편, 불포화 이중결합을 갖는 반응성 모노머(D)의 함유량이 100중량부 이하이면 얻어지는 도전 패턴의 Tg를 억제하고, 내굴곡성을 보다 향상시킬 수 있다.
도전성 입자(E)로서는 예를 들면, 은, 금, 동, 백금, 납, 주석, 니켈, 알루미늄, 텅스텐, 몰리브덴, 크롬, 티타늄, 인듐이나 이들의 합금 등의 입자를 들 수 있다. 이들을 2종 이상 함유해도 좋다. 이들 중에서도, 도전성의 관점으로부터 은, 금 및 동으로부터 선택되는 금속의 입자가 바람직하고, 비용 및 안정성의 관점으로부터 은입자가 보다 바람직하다. 또한 도전성 입자(E)는 수지나 무기산화물 등에 의해 표면이 피복되어 있어도 좋다.
도전성 입자(E)의 장축길이를 단축길이로 나눈 값인 애스펙트비는 1.0∼3.0이 바람직하다. 도전성 입자(E)의 애스펙트비를 1.0 이상으로 함으로써, 도전성 입자(E)끼리의 접촉 확률을 높일 수 있다. 애스펙트비가 1.1 이상이면 접촉 확률을 보다 높일 수 있으므로, 보다 바람직하다. 한편, 도전성 입자(E)의 애스펙트비를 3.0 이하로 함으로써, 포토리소그래피법에 의해 도전 패턴을 형성하는 경우에 있어서, 노광광이 차폐되기 어렵고, 현상 마진을 넓게 할 수 있다. 도전성 입자(E)의 애스펙트비는 2.0 이하가 보다 바람직하다. 여기에서, 도전성 입자(E)의 애스펙트비는 주사형 전자현미경(SEM) 또는 투과형 전자현미경(TEM)을 이용하여 배율 15000배로 도전성 입자(E)를 관찰하고, 무작위로 선택한 100개의 도전성 입자의 1차입자에 대해서 각각의 장축길이 및 단축길이를 측정하고, 양자의 평균값으로부터 산출할 수 있다.
도전성 입자(E)의 입자지름은 0.05∼5.0㎛가 바람직하다. 도전성 입자(E)의 입자지름을 0.05㎛ 이상으로 함으로써, 입자간의 상호작용을 적당하게 억제하고, 감광성 도전 페이스트 중에 있어서의 도전성 입자(E)의 분산성을 향상시킬 수 있다. 도전성 입자(E)의 입자지름은 0.1㎛ 이상이 보다 바람직하다. 한편, 도전성 입자(E)의 입자지름을 5.0㎛ 이하로 함으로써, 얻어지는 도전 패턴의 표면 평활도, 패턴 정밀도 및 치수 정밀도를 향상시킬 수 있다. 도전성 입자(E)의 입자지름은 2.0㎛ 이하가 보다 바람직하다. 여기에서, 도전성 입자(E)의 입자지름은 레이저 조사형의 입도 분포계를 이용하여 측정할 수 있다. 측정에 의해 얻어진 입도분포의 D50의 값을 도전성 입자(E)의 입자지름(D50)으로 한다.
본 발명의 감광성 도전 페이스트 중에 있어서의 도전성 입자(E)의 함유량은 전체 고형분 중 65∼90중량%가 바람직하다. 도전성 입자(E)의 함유량이 65중량% 이상이이면 큐어시의 도전성 입자(E)끼리의 접촉 확률이 향상되고, 도전성을 보다 향상시켜서 단선 확률을 저감시킬 수 있다. 도전성 입자(E)의 함유량은 70중량% 이상이 보다 바람직하다. 한편, 도전성 입자(A)의 함유량이 90중량% 이하이면 노광 공정에 있어서의 도막의 투광성이 향상되고, 미세 패터닝성 및 내굴곡성을 보다 향상시킬 수 있다. 여기에서 전체 고형분이란 용제를 제외한 감광성 도전 페이스트의 전체 구성 성분을 말한다.
본 발명의 감광성 도전 페이스트는 광중합 개시제(C)와 함께 증감제를 함유할 수 있다. 증감제로서는 예를 들면 2,4-디에틸티옥산톤, 이소프로필티옥산톤, 2,3-비스(4-디에틸아미노벤잘)시클로펜탄온, 2,6-비스(4-디메틸아미노벤잘)시클로헥사논, 2,6-비스(4-디메틸아미노벤잘)-4-메틸시클로헥사논, 미힐러케톤, 4,4-비스(디에틸아미노)벤조페논, 4,4-비스(디메틸아미노)칼콘, 4,4-비스(디에틸아미노)칼콘, p-디메틸아미노신나밀리덴인다논, p-디메틸아미노벤질리덴인다논, 2-(p-디메틸아미노페닐비닐렌)이소나프토티아졸, 1,3-비스(4-디메틸아미노페닐비닐렌)이소나프토티아졸, 1,3-비스(4-디메틸아미노벤잘)아세톤, 1,3-카르보닐비스(4-디에틸아미노벤잘)아세톤, 3,3-카르보닐비스(7-디에틸아미노쿠마린), N-페닐-N-에틸에탄올아민, N-페닐에탄올아민, N-톨릴디에탄올아민, 디메틸아미노벤조산 이소아밀, 디에틸아미노벤조산 이소아밀, 3-페닐-5-벤조일티오테트라졸, 1-페닐-5-에톡시카르보닐티오테트라졸 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 함유해도 좋다.
본 발명의 감광성 도전 페이스트 중에 있어서의 증감제의 함유량은 카르복실기 함유 수지(B) 100중량부에 대해서 0.05∼10중량부가 바람직하다. 증감제의 함유량이 0.05중량부 이상이면, 광 감도가 향상된다. 한편, 증감제의 함유량이 10중량부 이하이면 감광성 도전 페이스트를 도포해서 얻어지는 도포막 상부에 있어서의 과잉의 광흡수가 억제된다. 그 결과, 도전 패턴을 용이하게 테이퍼 형상으로 할 수 있고, 기판과의 밀착성을 보다 향상시킬 수 있다.
본 발명의 감광성 도전 페이스트는 용제를 함유할 수 있다. 용제로서는 예를 들면 N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디메틸포름아미드, N-메틸-2-피롤리돈, 디메틸이미다졸리디논, 디메틸술폭시드, γ-부티로락톤, 락트산 에틸, 1-메톡시-2-프로판올, 1-에톡시-2-프로판올, 에틸렌글리콜모노-n-프로필에테르, 디아세톤알콜, 테트라히드로푸르푸릴알콜, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜, 2,2,4,-트리메틸-1,3-펜탄디올모노이소부틸레이트 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 함유해도 좋다. 용제의 비점은 150℃ 이상이 바람직하다. 비점이 150℃ 이상이이면 용제의 휘발이 억제되고, 감광성 도전 페이스트의 증점을 억제할 수 있다.
본 발명의 감광성 도전 페이스트는 에폭시 수지 등의 4급 암모늄염 화합물(A)에 의해 경화 반응을 일으키는 원료를 다량으로 존재하면 포토리소그래피법에 의한 패터닝성이 손상되므로 바람직하지 못하다.
본 발명의 감광성 도전 페이스트는 그 소망의 특성을 손상하지 않는 범위이면, 분자내에 불포화 이중결합을 갖지 않는 비감광성 폴리머, 가소제, 레벨링제, 계면활성제, 실란커플링제, 소포제, 안료 등의 첨가제를 함유할 수 있다.
비감광성 폴리머로서는 예를 들면 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리이미드 전구체, 기폐환 폴리이미드 등을 들 수 있다.
가소제로서는 예를 들면 디부틸프탈레이트, 디옥틸프탈레이트, 폴리에틸렌글리콜, 글리세린 등을 들 수 있다.
레벨링제로서는 예를 들면 특수 비닐계 중합체, 특수 아크릴계 중합체 등을 들 수 있다.
실란커플링제로서는 예를 들면 메틸트리메톡시실란, 디메틸디에톡시실란, 페닐트리에톡시실란, 헥사메틸디실라잔, 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 비닐트리메톡시실란 등을 들 수 있다.
본 발명의 감광성 도전 페이스트는 4급 암모늄염 화합물(A), 카르복실기 함유 수지(B), 광중합 개시제(C), 불포화 이중결합을 갖는 반응성 모노머(D), 도전성 입자(E) 및 필요에 따라서 용제나 첨가제를 혼합함으로써 제조할 수 있다. 혼합 장치로서는 예를 들면 3개 롤러밀, 볼밀, 유성식 볼밀 등의 분산기나 혼련기 등을 들 수 있다.
본 발명의 도전 패턴 형성용 필름은 이형성 필름 및 상술의 감광성 도전 페이스트의 건조막을 포함하고, 상기 이형성 필름 위에 상기 건조막이 적층된 것이다.
이형성 필름으로서는 필름 표면에 이형층을 갖는 것이 바람직하다. 이형층을 구성하는 이형제로서는 예를 들면 장쇄 알킬계 이형제, 실리콘계 이형제, 불소계 이형제 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 사용해도 좋다. 이들 중에서도, 전사시에 이형제 옮김이 발생한 경우이어도, 후공정, 특히 현상 공정에 있어서 현상액의 튕김 등의 현상을 발생시키기 어렵고, 면내 불균일을 억제해서 미세 패터닝성을 보다 향상시킬 수 있는 점에서 장쇄 알킬계 이형제가 바람직하다. 이형층의 두께는 50∼500nm가 바람직하다. 박리층의 두께가 50nm 이상이면, 전사시의 전사 불균일을 억제할 수 있고, 500nm 이하이면, 전사시의 이형제 옮김을 저감할 수 있다.
이형성 필름의 박리력은 500∼5000mN/20mm가 바람직하다. 박리력이 500mN/20mm 이상이면, 감광성 도전 페이스트의 건조막을 형성할 때에 튕김의 발생을 억제할 수 있다. 박리력이 5000mN/20mm 이하이면, 건조막의 기재에의 전사시의 프로세스 마진을 넓게 할 수 있다. 여기에서, 본 발명에 있어서의 이형성 필름의 박리력이란 이형성 필름의 박리층면에 닛토 덴코(주)제 아크릴 점착 테이프 「31B」를 2kg 롤러를 이용하여 첩부하고, 30분후에, 아크릴 점착 테이프를 박리각도 180°, 박리속도 0.3m/min으로 박리했을 때의 박리력을 가리킨다.
이형성 필름에 사용되는 필름 기재로서는 예를 들면 폴리에틸렌테레프탈레이트, 시클로올레핀, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 아라미드, 불소 수지, 아크릴계 수지 또는 폴리우레탄계 수지를 포함하는 필름 등을 들 수 있다. 광학 특성의 관점으로부터 폴리에틸렌테레프탈레이트, 시클로올레핀 또는 폴리카보네이트를 포함하는 필름이 바람직하다. 광학 특성이 높은 기재이면, 이형성 필름 너머로 노광할 수 있고, 건조막과 포토마스크가 접촉하지 않으므로 마스크 오염을 억제할 수 있다. 필름 기재의 두께는 5∼150㎛가 바람직하다. 필름 기재의 두께가 5㎛ 이상이면, 감광성 도전 페이스트의 건조막을 형성할 때에 필름 기재를 안정적으로 반송할 수 있고, 건조막의 두께 불균일을 억제할 수 있다. 필름 기재의 두께는 10㎛ 이상이 보다 바람직하다. 한편, 필름 기재의 두께가 150㎛ 이하이면, 이형성 필름 너머로의 노광시에 노광광의 회절의 영향을 작게 할 수 있고, 미세 패터닝성을 보다 향상시킬 수 있다. 필름 기재의 두께는 30㎛ 이하가 보다 바람직하다.
감광성 도전 페이스트의 건조막의 막두께는 0.5∼10.0㎛가 바람직하다. 건조막의 막두께가 0.5㎛ 이상이이면 배선마다의 저항값 불균일의 억제나, 요철이 있는 기재 상에 대해서도 용이하게 패턴 형성할 수 있다. 건조막의 막두께는 1.0㎛ 이상이 보다 바람직하다. 한편, 건조막의 막두께가 10.0㎛ 이하이면, 노광시에 광이 건조막의 막 심부까지 도달하기 쉬워져 현상 마진을 넓힐 수 있다. 건조막의 막두께는 5.0㎛ 이하가 보다 바람직하다. 또, 감광성 도전 페이스트의 건조막의 막두께는 예를 들면 "서프컴"(등록상표) 1400((주)도쿄 세이미츠제) 등의 촉침식 단차계를 이용하여 측정할 수 있다. 보다 구체적으로는 랜덤인 3개의 위치의 막두께를 촉침식 단차계(측장:1mm, 주사 속도:0.3mm/sec)로 각각 측정하고, 그 평균값을 막두께로 한다.
본 발명의 도전 패턴 형성용 필름은 상술의 감광성 도전 페이스트를 이형성 필름 위에 도포하고, 건조함으로써 제조할 수 있다. 도포 방법으로서는 예를 들면 스피너를 사용한 회전 도포, 스프레이 도포, 롤 코팅, 스크린 인쇄, 블레이드 코터, 다이 코터, 캘린더 코터, 메니스커스 코터 또는 바 코터를 사용한 도포 등을 들 수 있다. 건조 방법으로서는 예를 들면 오븐, 핫플레이트, 적외선 등에 의한 가열 건조나, 진공 건조 등을 들 수 있다. 건조 온도는 50∼180℃가 바람직하고, 건조 시간은 1분간∼수시간이 바람직하다.
다음에 본 발명의 감광성 도전 페이스트를 이용하여 기판 위에 도전 패턴을 형성하는 방법에 대해서 설명한다. 기판 위에 본 발명의 감광성 도전 페이스트의 건조막을 형성하고, 상기 건조막을 노광 및 현상함으로써 패턴 가공하고, 얻어진 패턴을 큐어함으로써, 기판 위에 도전 패턴을 형성할 수 있다. 감광성 도전 페이스트의 건조막은 본 발명의 감광성 도전 페이스트를 기판 위에 도포하고, 건조함으로써 형성해도 좋고, 상술의 도전 패턴 형성용 필름을 이용하여, 감광성 도전 페이스트의 건조막을 기판 위에 전사함으로써 형성해도 좋다.
기판으로서는 예를 들면 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름 등의 폴리에스테르 필름, 폴리이미드 필름, 아라미드 필름, 에폭시 수지 기판, 폴리에테르이미드 수지 기판, 폴리에테르케톤 수지 기판, 폴리설폰계 수지 기판, 유리 기판, 실리콘 웨이퍼, 알루미나 기판, 질화알루미늄 기판, 탄화규소 기판, 가식층 형성 기판, 절연층 형성 기판 등을 들 수 있다.
감광성 도전 페이스트의 도포 방법으로서는 도전 패턴 형성용 필름의 제조 방법에 있어서, 감광성 도전 페이스트의 도포 방법으로서 예시한 방법을 들 수 있다.
도포막 두께는 도포의 방법, 감광성 도전 페이스트의 고형분 농도나 점도 등에 따라 적당하게 결정할 수 있지만, 감광성 도전 페이스트의 건조막의 막두께가 0.1∼50.0㎛가 되도록 설정하는 것이 바람직하다. 건조막의 막두께가 0.1㎛ 이상이이면 배선마다의 저항값 불균일을 억제할 수 있다. 건조막의 막두께는 0.5㎛ 이상이 보다 바람직하고, 1.0㎛ 이상이 더욱 바람직하다. 한편, 건조막의 막두께가 50.0㎛ 이하이면, 노광시에 광이 건조막의 막 심부까지 도달하기 쉬워져 현상 마진을 넓힐 수 있다. 건조막의 막두께는 10.0㎛ 이하가 보다 바람직하다. 감광성 도전 페이스트의 건조막의 막두께는 도전 패턴 형성용 필름에 있어서의 감광성 도전 페이스트의 건조막의 막두께와 마찬가지로 측정할 수 있다.
도포막을 형성한 후, 도포막을 건조해서 용제를 휘발시키는 것이 바람직하다. 건조 방법으로서는 도전 패턴 형성용 필름에 있어서의 감광성 도전 페이스트의 건조 방법으로서 예시한 방법을 들 수 있다.
기판 위에 본 발명의 도전 패턴 형성용 필름을 전사하는 방법으로서는 예를 들면 기판에 감광성 도전 페이스트의 건조막이 접하도록 기판 위에 본 발명의 도전 패턴 형성용 필름을 적층한 후, 닙 롤러 등을 이용하여 가열 가압함으로써 전사하는 방법을 들 수 있다. 이하, 이 방법을 열전사라고 부른다. 전사성을 향상시키기 위해서는 닙 롤러를 50∼120℃로 가열해서 전사하는 것이 바람직하다.
포토리소그래피법에 의해 도전 패턴을 형성하는 경우에 있어서, 감광성 도전 페이스트의 건조막에 임의의 패턴 형성용 마스크를 통해 노광하는 것이 바람직하다. 본 발명의 도전 패턴 형성용 필름을 전사함으로써 건조막을 형성하는 방법을 사용한 경우에는 도전 패턴 형성용 필름의 이형성 필름 너머로 노광해도 좋고, 이형성 필름을 박리한 후에 노광해도 좋다. 노광의 광원으로서는 수은등의 i선(365nm), h선(405nm) 또는 g선(436nm)이 바람직하게 사용된다.
노광후, 현상액을 이용하여 현상함으로써, 미노광부를 용해 제거해서 소망의 패턴을 얻는다. 본 발명의 도전 패턴 형성용 필름을 전사함으로써 건조막을 형성하는 방법을 사용한 경우에는 이형성 필름을 박리한 후에 현상을 행하는 것이 바람직하다. 다른 양태로서 본 발명의 도전 패턴 형성용 필름에 대해서 건조막의 노광 및 현상을 상기와 동일하게 행한 후, 얻어진 패턴을 기재에 전사하는 방법도 채용할 수 있다.
알칼리 현상을 행하는 경우의 현상액으로서는 예를 들면 수산화테트라메틸암모늄, 디에탄올아민, 디에틸아미노에탄올, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산나트륨, 탄산칼륨, 트리에틸아민, 디에틸아민, 메틸아민, 디메틸아민, 아세트산 디메틸아미노에틸, 디메틸아미노에탄올, 디메틸아미노에틸메타크릴레이트, 시클로헥실아민, 에틸렌디아민, 헥사메틸렌디아민 등의 수용액을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 사용해도 좋다. 또한 경우에 따라서는 이들의 수용액에 N-메틸-2-피롤리돈, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, 디메틸술폭시드, γ-부티로락톤 등의 극성 용제; 메탄올, 에탄올, 이소프로판올 등의 알콜류; 락트산 에틸, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 등의 에스테르류; 시클로펜탄온, 시클로헥사논, 이소부틸케톤, 메틸이소부틸케톤 등의 케톤류; 계면활성제 등을 1종 이상 첨가해도 좋다.
현상 방법으로서는 예를 들면 노광한 감광성 도전 페이스트의 건조막을 갖는 기판을 정치 또는 회전시키면서 현상액을 건조막면에 스프레이하는 방법, 노광한 감광성 도전 페이스트의 건조막을 갖는 기판을 현상액 중에 침지하는 방법, 노광한 감광성 도전 페이스트의 건조막을 갖는 기판을 현상액 중에 침지하면서 초음파를 가하는 방법 등을 들 수 있다.
현상 후, 린스액에 의한 린스 처리를 실시해도 좋다. 린스액으로서는 예를 들면 물, 또는 물에 에탄올, 이소프로필알콜 등의 알콜류 또는 락트산 에틸, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 등의 에스테르류를 첨가한 수용액 등을 들 수 있다.
현상에 의해 얻어진 패턴을 가열해서 큐어함으로써, 도전 패턴을 얻을 수 있다. 큐어 온도는 100∼200℃가 바람직하다. 큐어 온도가 100℃ 이상이면, 원자 확산을 충분하게 유기해서 도전성을 보다 향상시킬 수 있다. 큐어 온도는 120℃ 이상이 보다 바람직하다. 한편, 큐어 온도를 200℃ 이하로 함으로써, 기재의 선택 자유도를 높일 수 있다. 큐어 온도는 150℃ 이하가 보다 바람직하다.
큐어 방법으로서는 예를 들면 오븐, 이너트 오븐, 핫플레이트에 의한 가열 건조, 자외선 램프, 적외선 히터, 할로겐 히터, 크세논 플래시 램프 등의 전자파나 마이크로파에 의한 가열 건조, 진공건조 등을 들 수 있다. 가열에 의해, 도전 패턴의 경도가 높아지는 점에서 다른 부재와의 접촉에 의한 깨짐이나 박리 등을 억제하고, 또한 도전 패턴과 기판의 밀착성을 보다 향상시킬 수 있다.
본 발명의 감광성 도전 페이스트 또는 도전 패턴 형성용 필름을 이용하여 얻어지는 도전 패턴은 터치패널, 적층 세라믹 콘덴서, 적층 인덕터, 태양 전지 등에 사용되는 배선 부착 기판 용도에 적합하게 사용된다. 그 중에서도, 협테두리화를 위해서 미세화가 요구되는 터치패널용 주위 배선이나 터치패널의 뷰 에리어 전극으로서 보다 적합하게 사용된다.
또한 본 발명의 도전 패턴 형성용 필름을 사용함으로써, 곡면형상의 기판이나 기판 끝면 등의 예각면에의 배선 형성을 용이하게 행할 수 있다. 본 발명의 도전 패턴 형성용 필름에 있어서의 본 발명의 감광성 도전 페이스트의 건조막에 대해서 노광 및 현상을 행하고, 이형성 필름 위에 패턴을 형성한다. 배선 형성을 행하고 싶은 곡면이나 기판 끝면에 상기 패턴이 접하도록 기판에 도전 패턴 형성용 필름을 적층한다. 이 적층체를 가열 가압함으로써, 상기 패턴을 기판 위에 열전사한 후, 상기 패턴을 가열해서 큐어함으로써 배선을 곡면이나 기판 끝면에도 형성할 수 있다. 또한 이 방법을 이용하여 상기 패턴을 기판의 양면 및 끝면에 열전사한 후, 상기 패턴을 가열해서 큐어함으로써 배선이 기판 끝면을 경유해서 기판의 양면에 형성된 양면 배선 부착 기판의 제작이 가능하게 된다. 이형성 필름 위에 형성한 패턴을 열전사하는 방법으로서는 히트 롤이나 금형을 사용한 열압착 등을 들 수 있다.
또한 본 발명의 감광성 도전 페이스트 또는 도전 패턴 형성용 필름을 이용하여 내구성이 높은 압력 센서를 제작할 수 있다.
압력 센서는 압력에 의해 막두께가 변형하는 탄성체의 양측에 전극을 배치하고, 전극간에 생기는 정전 용량 변화를 판독함으로써 센싱을 행한다. 즉 압력에 의한 탄성체의 막두께 변화의 비율이 클수록 압력 센서의 센싱성이 높아진다.
압력 센서에 사용하는 탄성체의 재료로서는 예를 들면 우레탄계 엘라스토머, 폴리아미드계 엘라스토머, 올레핀계 엘라스토머, 폴리에테르에스테르 엘라스토머를 들 수 있다. 탄성체는 융점이 140℃ 이상인 것이 바람직하다. 탄성체에 발포체 처리나 표면 엠보싱 가공 처리를 해서 사용해도 좋다. 그 중에서도 폴리에테르에스테르엘라스토머의 표면 엠보싱 가공품이 센싱성 및 환경 부하 내성이 높으므로 바람직하다.
압력 센서에 사용하는 탄성체의 두께는 10∼200㎛가 바람직하다. 탄성체의 두께가 10㎛ 이상이면 압력 인가시의 막두께의 변위량을 크게 할 수 있고, 정전 용량값의 불균일을 억제할 수 있다. 또한 탄성체의 두께가 200㎛ 이하이면 압력 센서의 박막화 및 경량화가 가능하게 된다.
탄성체 표면에 본 발명의 감광성 도전 페이스트를 도포하고, 건조, 노광, 현상 및 큐어를 행하는 방법, 또는 탄성체 표면에 본 발명의 도전 패턴 형성용 필름을 전사하고, 노광, 현상 및 큐어를 행하는 방법에 의해, 탄성체의 표면에 본 발명의 감광성 도전 페이스트의 경화물로 이루어지는 전극을 직접 형성할 수 있다. 또한 다른 방법으로서는 전극 패턴을 PET 필름 등의 기판 위에 형성한 것을 점착제를 이용하여 탄성체에 부착해도 좋다. 본 발명의 감광성 도전 페이스트 또는 본 발명의 도전 패턴 형성용 필름을 이용하여 전극을 형성하는 방법이 압력 센서 전체의 박막화의 관점으로부터 바람직하다. 탄성체의 한쪽의 표면에 본 발명의 감광성 도전 페이스트 또는 본 발명의 도전 패턴 형성용 필름을 이용하여 전극을 형성하고, 반대측의 표면에 다른 방법을 이용하여 전극을 형성해도 좋다.
실시예
다음에 본 발명의 감광성 도전 페이스트에 대해서 실시예에 의해 설명한다.
각 실시예에 있어서의 평가 방법은 다음과 같다.
<미세 패터닝성(미세 배선의 형성)>
실시예 1∼36 및 비교예 1∼3에 대해서는 막두께 50㎛의 PET 필름 "루미러(등록상표)" T60(도레이(주)제) 상에 실시예 1∼36 및 비교예 1∼3에 의해 얻어진 감광성 도전 페이스트를 건조후의 막두께가 2㎛가 되도록 도포하고, 100℃의 건조 오븐내에서 5분간 건조했다.
실시예 37, 40 및 비교예 6에 대해서는 이형성 필름 AL-5(린텍사(주)제, 박리력 1480mN/20mm, 막두께 16㎛)의 박리층면 위에 실시예 37 또는 비교예 1에 의해 얻어진 감광성 도전 페이스트를 건조후의 막두께가 2㎛가 되도록 도포하고, 100℃의 건조 오븐내에서 5분간 건조하고, 도전 패턴 형성용 필름을 얻었다. 계속해서, 건조막이 PET 필름 "루미러(등록상표)" T60(도레이(주)제)에 접하도록 라미네이터를 이용하여 60℃, 1.0m/분의 속도로 PET 필름과 도전 패턴 형성용 필름을 열압착했다.
노광부의 선 굵기량을 고려해서 얻어지는 도전 패턴이 일정한 라인 앤드 스페이스(이하, L/S라고 칭한다)가 되도록 조정한 포토마스크를 통해 초고압 수은 램프를 갖는 노광 장치(PEM-6M;유니온 코우가쿠(주)제)를 이용하여, 실시예 1∼36 및 비교예 1∼3은 노광량 400mJ/㎠(파장 365nm 환산)로 전선 노광을 행했다. 실시예 37, 40 및 비교예 6은 이형성 필름면에 포토마스크를 밀착시키고, 마찬가지로 노광량 50mJ/㎠(파장 365nm 환산)로 전선 노광했다.
노광후, 0.1중량%의 Na2CO3 수용액을 이용하여, 20초간 스프레이 현상하고, 초순수에 의해 린스 처리를 행했다. 그 후에 열풍 오븐을 이용하여, 140℃에서 30분간 가열 처리(큐어)를 행하고, 5종류의 L/S의 값이 다른 도전 패턴을 각각 얻었다. 각 유닛의 L/S의 값은 30/30, 20/20, 15/15, 10/10 및 7/7이다. 얻어진 도전 패턴을 광학 현미경으로 관찰했다. 패턴간에 잔사가 없고, 또한 패턴 벗겨짐이 없는 도전 패턴 중, 가장 작은 L/S의 값을 현상 가능한 L/S의 값으로 하고, 미세 패터닝성을 평가했다.
<도전성(비저항)>
실시예 1∼36 및 비교예 1∼3에 대해서는 막두께 50㎛의 PET 필름 "루미러(등록상표)" T60 위에 실시예 1∼36 및 비교예 1∼3에 의해 얻어진 감광성 도전 페이스트를 건조후의 막두께가 2㎛가 되도록 도포하고, 도포막을 100℃의 온도의 건조 오븐내에서 5분간 건조했다.
실시예 37, 40 및 비교예 6에 대해서는 상기 이형성 필름 AL-5의 박리층면 위에 실시예 37 또는 비교예 1에 의해 얻어진 감광성 도전 페이스트를 건조후의 막두께가 2㎛가 되도록 도포하고, 100℃의 건조 오븐내에서 5분간 건조하고, 도전 패턴 형성용 필름을 얻었다. 계속해서, 건조막이 PET 필름 "루미러(등록상표)" T60에 접하도록 라미네이터를 이용하여 60℃, 1.0m/분의 속도로 PET 필름과 도전 패턴 형성용 필름을 열압착했다.
포토마스크를 통해 상기 <미세 패터닝성>에 기재된 조건으로 노광 및 현상을 행하고, 배선 패턴을 얻었다. 얻어진 배선 패턴 각 4샘플에 대해서, 그 중 3샘플을 140℃의 열풍 오븐내에서, 각각 15분간, 30분간 및 60분간 가열 처리(큐어)해서 큐어시간이 다른 도 1에 나타내는 비저항 측정용 샘플을 얻었다. 나머지의 1샘플에 대해서는 120℃의 열풍 오븐내에서, 30분간 가열 처리하고, 도 1에 나타내는 비저항 측정용 샘플을 얻었다. 도 1에 있어서, 부호 1은 도전 패턴, 부호 2는 PET 필름을 나타낸다. 얻어진 비저항 측정용 샘플의 각각의 도전 패턴 1의 단부를 저항계로 연결시켜서 저항값을 측정하고, 하기 식(1)에 의거하여 비저항을 산출하고, 도전성을 평가했다.
비저항(Ω·cm)={저항값(Ω)×막두께(m)×선폭(m)}/{라인길이(m)×100}…(1).
<내굴곡성>
상기 <도전성(비저항)>에 기재된 방법에 의해 얻어진 도 1에 나타내는 비저항 측정용 샘플을 면상태 무부하 U자 신축 시험기 DLDMLH-FS(유아사 시스템 키키(주))에 도전 패턴이 산모양이 되도록 셋트하고, 도 1에 나타내는 단변(A)과 단변(B)의 거리가 10mm가 될 때까지 가깝게 해서는 원래로 되돌아가는 굴곡동작을 1만회 반복했다. 시험 전후의 배선 저항값을 측정하고, 하기의 식(2)에 나타내는 변화율로부터 내굴곡성을 평가했다.
변화율(%)={시험후의 배선 저항값(Ω)/시험전의 배선 저항값(Ω)}×100…(2).
<고온 고습 환경 시험후에 있어서의 ITO와의 밀착성>
실시예 1∼36 및 비교예 1∼3에 대해서는 ITO 부착 PET 필름 "ELECRYSTA"(등록상표) V150A-OFSD5C5(닛토 덴코(주)제) 상에 실시예 1∼36 및 비교예 1∼3에 의해 얻어진 감광성 도전 페이스트를 건조후의 막두께가 2㎛가 되도록 도포하고, 100℃의 건조 오븐내에서 5분간 건조했다.
실시예 37, 40 및 비교예 6에 대해서는 상기 이형성 필름 AL-5의 박리층면 위에 실시예 37 또는 비교예 1에 의해 얻어진 감광성 도전 페이스트를 건조후의 막두께가 2㎛가 되도록 도포하고, 100℃의 건조 오븐내에서 5분간 건조하고, 도전 패턴 형성용 필름을 얻었다. 건조막이 ITO 부착 PET 필름 "ELECRYSTA"(등록상표) V150A-OFSD5C5(닛토 덴코(주)제)에 접하도록 60℃, 1.0m/분의 속도로 PET 필름과 도전 패턴 형성용 필름을 열압착했다.
얻어진 각 적층체의 인쇄면을 전면 노광한 후, 140℃의 건조 오븐내에서 30분간 큐어한 후, 1mm 폭으로 10×10의 격자무늬 형상으로 커터로 절개선을 넣고, 85℃, 85% RH의 항온 항습조 SH-661(에스펙(주)제)에 240시간 투입했다. 그 후에 샘플을 꺼내고, 격자무늬 형상의 개소에 셀로판테이프(니치반(주)제)를 점착해서 박리하고, 잔존 매스수를 육안으로 계수하고, 밀착성을 평가했다.
<압력 센서의 센싱성>
제작한 압력 센서를 두께 1mm의 슬라이드 유리로 끼우고, 직경 10mm의 원기둥으로 샘플 중앙부를 500gf(4.9N)의 힘으로 밀어넣고, 밀어넣기 전후의 막두께로부터 압축 변위율(%)((밀어넣기전 막두께-밀어넣기후 막두께)/밀어넣기전 막두께×100)을 측정했다.
<압력 센서의 환경 부하 내성>
제작한 압력 센서를 두께 1mm의 슬라이드 유리로 끼우고, 85℃, 85% RH의 환경조에 240h 투입한 후, 직경 10mm의 원기둥으로 샘플 중앙부를 500gf(4.9N)의 힘으로 밀어넣고, 밀어넣기 전후의 막두께로부터 압축 변위율(%)((밀어넣기전 막두께-밀어넣기후 막두께)/밀어넣기전 막두께×100)을 측정했다.
<압력 센서의 정전 용량 측정>
제작한 압력 센서에 100kHz, 3V의 교류전압을 인가하고, 정전 용량값이 10pF 이상이면 양호로 하고, 10pF 미만이면 불량으로 했다.
실시예, 비교예에서 사용한 재료는 이하와 같다.
[4급 암모늄염 화합물(A)]
·테트라메틸암모늄 클로라이드(분자량:109)
·콜린 클로라이드(분자량:139)
·트리에틸메틸암모늄 클로라이드(분자량:151)
·디알릴디메틸암모늄 클로라이드(분자량:161)
·테트라에틸암모늄 클로라이드(분자량:165)
·아세틸콜린 클로라이드(분자량:181)
·벤질트리메틸암모늄 클로라이드(분자량:185)
·테트라프로필암모늄 클로라이드(분자량:221)
·벤질트리에틸암모늄 클로라이드(분자량:227)
·데실트리메틸암모늄 클로라이드(분자량:235)
·벤조일클로린 클로라이드(분자량:243)
·도데실트리메틸암모늄 클로라이드(분자량:263)
·테트라부틸암모늄 클로라이드(분자량:277)
·트리메틸테트라데실암모늄 클로라이드(분자량:291)
·헥사데실트리메틸암모늄 클로라이드(분자량:320)
·벤질도데실디메틸암모늄 클로라이드(분자량:339)
·디데실디메틸암모늄 클로라이드(분자량:362)
·벤잘코늄 클로라이드(분자량:368)
·벤질세틸디메틸암모늄 클로라이드(분자량:396)
·디도데실디메틸암모늄 클로라이드(분자량:418)
·벤질디메틸스테아릴암모늄 클로라이드(분자량:424)
·테트라부틸암모늄 브로마이드(분자량:322)
·테트라부틸암모늄 요오드(분자량:369).
[카르복실기 함유 수지(B)]
(합성예 1) 카르복실기 함유 아크릴계 공중합체(B-1)
질소 분위기의 반응 용기 중에 150g의 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트(이하, 「DMEA」)를 투입하고, 오일 배스를 이용하여 80℃까지 승온했다. 이것에 20g의 에틸아크릴레이트(이하, 「EA」), 20g의 메타크릴산 2-에틸헥실(이하, 「2-EHMA」), 20g의 n-부틸아크릴레이트(이하, 「BA」), 15g의 N-메티롤아크릴아미드(이하, 「MAA」), 25g의 아크릴산(이하, 「AA」), 0.8g의 2,2'-아조비스이소부틸로니트릴 및 10g의 DMEA로 이루어지는 혼합물을 1시간에 걸쳐서 적하했다. 적하 종료후, 또한 80℃에서 6시간 가열해서 중합반응을 행했다. 그 후에 1g의 하이드로퀴논모노메틸에테르를 첨가하고, 중합반응을 정지했다. 얻어진 반응 용액을 메탄올로 정제함으로써 미반응 불순물을 제거하고, 또한 24시간 진공 건조함으로써, 공중합 비율(중량기준):EA/2-EHMA/BA/MAA/AA=20/20/20/15/25의 카르복실기 함유 아크릴계 공중합체(B-1)를 얻었다. 얻어진 카르복실기 함유 수지(B-1)의 산가는 153mgKOH/g이었다.
(합성예 2) 불포화 이중결합을 갖는 카르복실기 함유 아크릴계 공중합체(B-2)
질소 분위기의 반응 용기 중에 150g의 DMEA를 투입하고, 오일 배스를 이용하여 80℃까지 승온했다. 이것에 20g의 EA, 40g의 2-EHMA, 20g의 BA, 15g의 AA, 0.8g의 2,2'-아조비스이소부틸로니트릴 및 10g의 DMEA로 이루어지는 혼합물을 1시간에 걸쳐서 적하했다. 적하 종료후, 또한 80℃에서 6시간 가열해서 중합반응을 행했다. 그 후에 1g의 하이드로퀴논모노메틸에테르를 첨가하고, 중합반응을 정지했다. 계속해서, 5g의 글리시딜메타크릴레이트(이하, 「GMA」), 1g의 트리에틸벤질암모늄 클로라이드 및 10g의 DMEA로 이루어지는 혼합물을 0.5시간에 걸쳐서 적하했다. 적하 종료후, 또한 2시간 가열해서 부가반응을 행했다. 얻어진 반응 용액을 메탄올로 정제함으로써 미반응 불순물을 제거하고, 또한 24시간 진공 건조함으로써, 공중합 비율(질량기준):EA/2-EHMA/BA/GMA/AA=20/40/20/5/15의 불포화 이중결합을 갖는 카르복실기 함유 아크릴계 공중합체(B-2)를 얻었다. 얻어진 카르복실기 함유 수지(B-2)의 산가는 107mgKOH/g이었다.
(합성예 3) 카르복실산 변성 에폭시 수지(B-3)
질소 분위기의 반응 용기 중에, 492.1g의 DMEA, 860.0g의 EOCN-103S(니폰 카야쿠(주)제; 크레졸 노볼락형 에폭시 수지; 에폭시 당량:215.0g/당량), 288.3g의 AA, 4.92g의 2,6-디-tert-부틸-p-크레졸 및 4.92g의 트리페닐포스핀을 투입하고, 98℃의 온도에서 반응액의 산가가 0.5mg·KOH/g 이하가 될 때까지 가열해서 반응시켜서 에폭시카르복실레이트 화합물을 얻었다. 계속해서, 이 반응액에 169.8g의 DMEA 및 201.6g의 테트라히드로 무수 프탈산을 투입하고, 95℃에서 4시간 가열해서 반응시켜서 카르복실산 변성 에폭시 수지(B-3)를 얻었다. 얻어진 카르복실기 함유 수지(B-3)의 산가는 104mgKOH/g이었다.
(합성예 4) 우레탄 결합을 갖는 카르복실기 함유 수지(B-4)
질소 분위기의 반응 용기 중에 368.0g의 RE-310S(니폰 카야쿠(주)제;에폭시 당량:184.0g/당량), 141.2g의 AA, 1.02g의 하이드로퀴논모노메틸에테르 및 1.53g의 트리페닐포스핀을 투입하고, 98℃의 온도에서 반응액의 산가가 0.5mgKOH/g 이하가 될 때까지 가열해서 반응시켜서 에폭시카르복실레이트 화합물을 얻었다. 그 후에 이 반응 용액에 755.5g의 DMEA, 268.3g의 2,2-비스(디메티롤)-프로피온산, 1.08g의 2-메틸하이드로퀴논 및 140.3g의 스피로글리콜을 첨가하고, 45℃로 승온했다. 이 용액에 485.2g의 트리메틸헥사메틸렌디이소시아네이트를 반응온도가 65℃를 초과하지 않도록 서서히 적하했다. 적하 종료후, 반응온도를 80℃로 상승시키고, 적외 흡수 스펙트럼 측정법에 의해, 2250cm-1 부근의 흡수가 없어질 때까지 6시간 가열해서 반응시켜서 우레탄 결합을 갖는 카르복실기 함유 수지(B-4)를 얻었다. 얻어진 우레탄 결합을 갖는 카르복실기 함유 수지(B-4)의 산가는 80.0mgKOH/g이었다.
[광중합 개시제(C)]
· "IRGACURE"(등록상표) OXE01(BASF 재팬(주)제, 옥심계 화합물)(이하, OXE01이라고 칭한다).
[불포화 이중결합을 갖는 반응성 모노머(D)]
·라이트 아크릴레이트 BP-4EA(교에이샤 가가쿠(주)제)
·CN972(우레탄 결합 함유 광중합성 화합물 사토머(주)제).
[도전성 입자(E)]
·입자지름(D50) 0.7㎛, 애스펙트비 1.1의 Ag 입자
·입자지름(D50) 0.7㎛, 애스펙트비 2.2의 Ag 입자.
[탄성체]
·하이트렐(등록상표) 4047N(융점:182℃, 도레이 듀퐁(주)제)
·편면 엠보싱 가공 하이트렐(등록상표) 4047N(직경 100㎛ 깊이 30㎛)(융점 182℃, 도레이 듀퐁(주)제)
·미랙트랜(등록상표) E394POTA(융점 130℃, 토소(주)제).
(실시예 1)
100mL 클린 병에 10.0g의 불포화 이중결합을 갖는 카르복실기 함유 아크릴계 공중합체(B-2), 0.50g의 OXE01, 5g의 라이트 아크릴레이트 BP-4EA, 10.0g의 DMEA 및 0.24g의 테트라메틸암모늄 클로라이드를 넣고, 자전-공전 진공 믹서 "아와토리 렌타로"(등록상표) ARE-310((주)신키제)을 이용하여 혼합하고, 25.74g의 수지 용액(고형분 61.1질량%)을 얻었다.
얻어진 25.74g의 수지 용액과, 입자지름(D50) 0.7㎛, 애스펙트비 1.1의 Ag 입자 47.22g을 혼합하고, 3개 롤러밀(EXAKT M-50;EXAKT사제)을 이용하여 혼련하고, 72.96g의 감광성 도전 페이스트를 얻었다. 표 1에 감광성 도전 페이스트의 조성을 나타낸다.
얻어진 감광성 도전 페이스트를 이용하여, 상술의 방법에 의해, 미세 패터닝성, 도전성, 고온 고습 환경 시험 후에 있어서의 ITO와의 밀착성 및 내굴곡성을 각각 평가했다. 미세 패터닝성의 평가 지표가 되는 현상 가능한 L/S의 값은 10/10이며, 양호한 패턴 가공이 되어 있는 것이 확인되었다. 도전 패턴의 비저항은 60분 큐어에서 7.1×10-5Ωcm, 30분 큐어에서 7.5×10-5Ωcm, 15분 큐어에서 8.1×10-5Ωcm였다. 고온 고습 환경 시험후에 있어서의 ITO와의 밀착성 평가 결과는 잔존 매스수 100이었다. 내굴곡성은 변화율 120%였다. 평가 결과를 표 5에 나타낸다.
(실시예 2∼36)
표 1∼4에 나타내는 조성의 감광성 도전 페이스트를 실시예 1과 같은 방법으로 제작하고, 실시예 1과 동일하게 해서 평가를 행했다. 평가 결과를 표 5에 나타낸다.
(실시예 37)
100mL 클린 병에 10.0g의 우레탄 결합을 갖는 카르복실기 함유 수지(B-4), 0.5g의 OXE-01, 5g의 CN972, 30.0g의 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(이하, PMAC라고 칭한다) 및 0.24g의 벤질트리에틸암모늄 클로라이드를 넣고, 자전-공전 진공 믹서 "아와토리 렌타로"(등록상표) ARE-310((주)신키제)을 이용하여 혼합하고, 45.74g의 수지 용액(고형분 34.4질량%)을 얻었다.
얻어진 45.74g의 수지 용액과, 입자지름(D50) 0.7㎛, 애스펙트비 1.1의 Ag 입자 47.22g을 혼합하고, 3개 롤러밀(EXAKT M-50;EXAKT사제)을 이용하여 혼련하고, 92.96g의 감광성 도전 페이스트 A37을 얻었다. 실시예 1과 동일하게 해서 평가를 행했다. 평가 결과를 표 5에 나타낸다.
(비교예 1)
4급 암모늄염 화합물을 첨가하지 않은 이외는 실시예 1과 마찬가지로 감광성 도전 페이스트 제조하고, 실시예 1과 동일하게 해서 평가를 행했다. 평가 결과를 표 5에 나타낸다.
(비교예 2∼3)
4급 암모늄염 화합물 대신에 표 4에 나타내는 화합물을 사용한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 감광성 도전 페이스트를 제조하고, 실시예 1과 동일하게 해서 평가를 행했다. 평가 결과를 표 5에 나타낸다.
(실시예 38)
도 2에 나타내는 압력 센서를 작성했다. 탄성체(3)로서 두께 100㎛의 하이트렐(등록상표) 4047N을 사용했다. 실시예 1에서 사용한 감광성 도전 페이스트를 이용하여 실시예 1과 같은 조건으로 탄성체(3)의 편면에 직경 30mm의 원형 전극 패턴(1)을 형성했다. 또한 실시예 1에서 사용한 감광성 도전 페이스트를 이용하여, 두께 50㎛의 PET 필름(2) 위에 직경 30mm의 원형 전극 패턴(1)을 형성했다. 도 2에 나타내듯이, 원형 전극 패턴(1)을 형성한 PET 필름(2)을 두께 10㎛의 점착층(4)을 통해 상기 편면 전극 형성 완료의 탄성체(3)에 전극끼리가 평행 또한, 상하 위치가 겹쳐지도록 접착하여 압력 센서를 얻었다. 얻어진 압력 센서의 센싱성과 환경 부하 내성의 평가를 행했다. 평가 결과를 표 6에 나타낸다.
(실시예 39)
도 3에 나타내는 압력 센서를 작성했다. 탄성체(3)로서 두께 100㎛의 편면 엠보싱 부착 하이트렐(등록상표) 4047N을 사용했다. 실시예 1에서 사용한 감광성 도전 페이스트를 이용하여, 실시예 1과 같은 조건으로 탄성체(3)의 플랫면에 직경 30mm의 원형 전극 패턴(1)을 형성했다. 또한 실시예 1에서 사용한 감광성 도전 페이스트를 이용하여, 두께 50㎛의 PET 필름(2) 위에 직경 30mm의 원형 전극 패턴을 형성했다. 도 3에 나타내듯이, 원형 전극 패턴(1)을 형성한 PET 필름(2)을 두께 10㎛의 점착층(4)을 통해 상기 편면 전극 형성 완료의 탄성체(3)의 엠보싱 가공면에 전극끼리가 평행 또한, 상하 위치가 겹쳐지도록 부착하여 압력 센서를 얻었다. 얻어진 압력 센서의 센싱성과 환경 부하 내성의 평가를 행했다. 평가 결과를 표 6에 나타낸다.
(실시예 40)
도 4에 나타내는 비저항 측정용 샘플을 작성했다. 실시예 37에서 제작한 도전 패턴 형성용 필름을 포토마스크를 통해 상기 <미세 패터닝성>에 기재된 조건으로 노광 및 현상하고, 이형성 필름 위에 배선 패턴을 형성했다. 두께 1mm의 유리 기판(5)의 양면 및 끝면에 상기 패턴 형성 완료의 도전 패턴 형성용 필름을 이용하여, 150℃에서 배선 패턴을 열전사한 후, 이형성 필름을 박리했다. 계속해서, 140℃의 건조 오븐내에서 30분간 큐어함으로써, 도 4에 나타내는 비저항 측정용 샘플을 얻었다. 얻어진 비저항 측정용 샘플을 이용하여 상기 <미세 패터닝성>에 기재된 방법으로 비저항을 산출하고, 도전성을 평가했다. 평가 결과를 표 5에 나타낸다.
(비교예 4)
도 5에 나타내는 압력 센서를 작성했다. 탄성체(3)로서 두께 100㎛의 하이트렐(등록상표) 4047N을 사용했다. 비교예 1에서 사용한 감광성 도전 페이스트를 이용하여, 두께 50㎛의 PET 필름(2) 위에 전극 패턴(1)을 형성한 것을 2매 제작했다. 도 5에 나타내듯이, 2매의 원형 전극 패턴(1)을 형성한 PET 필름(2)을 두께 10㎛의 점착층(4)을 통해 탄성체(3)의 양면에 부착하여 압력 센서를 얻었다.
(비교예 5)
감광성 도전 페이스트로서 비교예 1에서 사용한 감광성 도전 페이스트를 사용하고, 탄성체(3)로서 미랙트랜(등록상표) E394POTA를 사용한 것 이외는 실시예 38과 같은 방법으로 압력 센서를 제조하고, 실시예 38과 동일하게 해서 평가를 행했다. 평가 결과를 표 6에 나타낸다.
(비교예 6)
비교예 1에서 사용한 감광성 도전 페이스트를 사용하고, 실시예 40과 동일하게 해서 평가를 행했다. 평가 결과를 표 5에 나타낸다.
Figure 112020021857841-pct00001
Figure 112020021857841-pct00002
Figure 112020021857841-pct00003
Figure 112020021857841-pct00004
Figure 112020021857841-pct00005
Figure 112020021857841-pct00006
실시예 1∼37의 감광성 도전 페이스트는 모두 미세 패터닝성이 우수하고, 단시간의 큐어에 의해, 도전성, 고온 고습 환경 시험후에 있어서의 ITO와의 밀착성 및 굴곡내성이 우수한 도전 패턴을 제조할 수 있었다. 한편, 4급 암모늄염 화합물을 함유하지 않는 비교예 1∼3의 감광성 도전 페이스트는 단시간의 큐어에 의한 도전성, 고온 고습 환경 시험후에 있어서의 ITO와의 밀착성 및 내굴곡성을 양립할 수는 없었다.
본 발명의 감광성 도전 페이스트 및 도전 패턴 형성용 필름은 터치패널용의 주위 배선, 뷰 에리어용 전극, 압력 센서, 배선 부착 기판의 도전 패턴 등의 제조를 위해서 적합하게 이용할 수 있다.
1:도전 패턴
2:PET 필름
A:비저항 측정용 샘플의 단변
B:비저항 측정용 샘플의 반대측의 단변
3:탄성체
4:점착층
5:유리 기판

Claims (8)

  1. 4급 암모늄염 화합물(A), 카르복실기 함유 수지(B), 광중합 개시제(C), 불포화 이중결합을 갖는 반응성 모노머(D) 및 도전성 입자(E)를 갖는 감광성 도전 페이스트로서, 상기 4급 암모늄염 화합물(A)이 4급 암모늄 클로라이드 화합물, 4급 암모늄 브로마이드 화합물 및 4급 암모늄 요오드 화합물로부터 선택된 어느 하나의 화합물인 감광성 도전 페이스트.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 도전성 입자(E) 100중량부에 대해서 상기 4급 암모늄염 화합물(A)을 0.01∼5중량부 함유하는 감광성 도전 페이스트.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 4급 암모늄염 화합물(A) 중에 있어서의 음이온의 비율이 10.0중량% 이상인 감광성 도전 페이스트.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 4급 암모늄염 화합물(A)의 분자량이 350 이하인 감광성 도전 페이스트.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 4급 암모늄염 화합물(A)의 질소원자에 결합하는 기 중 적어도 3개가 CxH2x+1(x=1∼4)인 감광성 도전 페이스트.
  6. 이형성 필름 및 제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 감광성 도전 페이스트의 건조막을 포함하고, 상기 이형성 필름 위에 상기 건조막이 적층된 도전 패턴 형성용 필름.
  7. 융점이 140℃ 이상인 탄성체의 적어도 한쪽의 표면에 제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 감광성 도전 페이스트의 경화물로 이루어지는 전극을 갖는 압력 센서.
  8. 제 6 항에 기재된 도전 패턴 형성용 필름에 있어서의, 건조막에 대해서 노광 및 현상을 행하고, 이형성 필름 위에 패턴을 형성한 후, 상기 패턴이 기판에 접하도록 도전 패턴 형성용 필름을 기판에 적층하고, 이 적층체를 가열 가압함으로써, 상기 패턴을 기판의 양면 및 끝면에 전사하고, 또한 상기 패턴을 가열해서 큐어함으로써, 배선이 기판 끝면을 경유해서 기판의 양면에 형성된 양면 배선 부착 기판을 얻는 배선 부착 기판의 제조 방법.
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2021246251A1 (ko) * 2020-06-02 2021-12-09
WO2022030324A1 (ja) * 2020-08-07 2022-02-10 東レ株式会社 導電ペースト、プリント配線板、プリント配線板の製造方法、プリント回路板の製造方法
JP1715411S (ja) * 2020-12-07 2022-05-19 空気清浄機
WO2022163701A1 (ja) * 2021-01-28 2022-08-04 太陽インキ製造株式会社 感光性樹脂組成物およびプリント配線板の製造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014126609A (ja) * 2012-12-25 2014-07-07 Taiyo Ink Mfg Ltd 導電性樹脂組成物及び導電回路
WO2015159655A1 (ja) * 2014-04-16 2015-10-22 東レ株式会社 感光性樹脂組成物、導電性パターンの製造方法、基板、素子およびタッチパネル
JP2016184084A (ja) * 2015-03-26 2016-10-20 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 感光性導電性インキ、およびその利用
JP2017156652A (ja) * 2016-03-04 2017-09-07 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 カラーフィルタ用着色組成物及びカラーフィルタ

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3119060B2 (ja) * 1993-12-28 2000-12-18 富士電機株式会社 電子写真感光体
JPH0894470A (ja) * 1994-09-21 1996-04-12 Hokuriku Electric Ind Co Ltd 静電容量型圧力センサ
DE69823706T2 (de) * 1997-10-23 2005-04-28 Fuji Photo Film Co. Ltd., Minamiashigara Fotoelektrische Umwandlungsanordnung und fotoelektrochemische Zelle
JP2000305265A (ja) * 1999-04-20 2000-11-02 Taiyo Ink Mfg Ltd 感光性ペースト組成物及びそれを用いて焼成物パターンを形成したパネル
US7346126B2 (en) 2001-11-28 2008-03-18 Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) Method and apparatus for channel estimation using plural channels
JP4683182B2 (ja) * 2004-09-28 2011-05-11 山栄化学株式会社 感光性熱硬化性樹脂組成物、並びにレジスト被覆プリント配線板及びその製造法
US7153636B1 (en) * 2005-08-01 2006-12-26 Eastman Kodak Company Thermally developable materials with abrasion-resistant backside coatings
JP4464907B2 (ja) * 2005-11-16 2010-05-19 株式会社日本触媒 感光性樹脂組成物
JP2007329452A (ja) * 2006-05-09 2007-12-20 Canon Inc 配線モジュール、配線モジュールの製造装置および配線モジュールの製造方法
JP5256646B2 (ja) * 2006-05-31 2013-08-07 三菱化学株式会社 液晶表示装置
JP4913556B2 (ja) * 2006-11-09 2012-04-11 富士フイルム株式会社 感光性組成物、感光性フィルム、永久パターン形成方法、及びプリント基板
JP5050506B2 (ja) * 2006-11-29 2012-10-17 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 着色組成物およびその製造方法
JP5239612B2 (ja) * 2008-08-14 2013-07-17 Ｊｓｒ株式会社 感光性ペースト組成物およびパターン形成方法
JP2010271477A (ja) * 2009-05-20 2010-12-02 Eastman Kodak Co 平版印刷版原版の現像装置用洗浄組成物および洗浄方法
JP5764931B2 (ja) 2010-02-02 2015-08-19 東レ株式会社 有機−無機複合導電性パターン形成用感光性ペーストおよび有機−無機複合導電性パターンの製造方法
JP4788828B2 (ja) 2010-02-09 2011-10-05 住友化学株式会社 発光装置の製造方法
JP5955339B2 (ja) * 2011-01-28 2016-07-20 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアＢａｓｆ Ｓｅ 熱硬化剤としてオキシムスルホネートを含む重合性組成物
KR101774307B1 (ko) * 2011-03-14 2017-09-05 도레이 카부시키가이샤 감광성 도전 페이스트 및 도전 패턴의 제조 방법
KR20130120846A (ko) * 2012-04-26 2013-11-05 주식회사 세원 고효율 염료감응 태양전지용 전해질
JP6171677B2 (ja) * 2013-07-26 2017-08-02 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 光硬化性樹脂組成物
JP6331447B2 (ja) * 2014-02-14 2018-05-30 オムロン株式会社 静電容量型圧力センサ及び入力装置
JP6385852B2 (ja) * 2015-02-20 2018-09-05 富士フイルム株式会社 感光性樹脂組成物、硬化膜の製造方法、硬化膜、タッチパネル、タッチパネル表示装置、液晶表示装置、及び、有機ｅｌ表示装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014126609A (ja) * 2012-12-25 2014-07-07 Taiyo Ink Mfg Ltd 導電性樹脂組成物及び導電回路
WO2015159655A1 (ja) * 2014-04-16 2015-10-22 東レ株式会社 感光性樹脂組成物、導電性パターンの製造方法、基板、素子およびタッチパネル
JP2016184084A (ja) * 2015-03-26 2016-10-20 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 感光性導電性インキ、およびその利用
JP2017156652A (ja) * 2016-03-04 2017-09-07 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 カラーフィルタ用着色組成物及びカラーフィルタ

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