KR20180121875A - 감광성 도전 페이스트 및 도전 패턴이 있는 기판의 제조 방법 - Google Patents

감광성 도전 페이스트 및 도전 패턴이 있는 기판의 제조 방법 Download PDF

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KR20180121875A
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마리에 코야마
츠쿠루 미즈구치
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도레이 카부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 도전성 입자(A)와, 불포화 이중결합을 갖는 화합물(B)과, 광중합 개시제(C)와, 1분자 중에 히드록시피리딘 골격을 갖는 화합물(D)을 함유하는 감광성 도전 페이스트이다. 직진성이 양호하고, 또한 높은 도전성을 발현하는 미세한 도전 패턴을 제조하는 것이 가능한 감광성 도전 페이스트를 제공한다.

Description

감광성 도전 페이스트 및 도전 패턴이 있는 기판의 제조 방법
본 발명은 미세한 도전 패턴을 형성할 수 있는 감광성 도전 페이스트 및 이 감광성 도전 페이스트를 사용하여 이루어지는 도전 패턴이 있는 기판의 제조 방법 에 관한 것이다.
최근, 포토리소그래피법에 의해 미세한 도전 패턴을 제조하는 것이 가능하게 되고 있다. 사용하는 도전 페이스트로서, 감광성의 유기성분에 도전 필러를 분산시킨 감광성 도전 페이스트가 개발 제안되어 있다(특허문헌 1 및 2 참조). 이러한 감광성 도전 페이스트를 사용함으로써 피치 수십㎛ 정도의 도전 패턴의 형성은 가능하게 되지만, 피치의 협소화에 의해 도전 패턴간의 스페이스가 좁아지면 패턴간에서 단락의 가능성이 높아진다고 하는 과제가 있었다. 그래서, 자외선 흡수제를 첨가하는 방법으로, 노광 후의 도전 패턴의 선굵기를 억제하여 직진성이 좋은 도전 패턴을 형성하는 것이 제안되어 있다(특허문헌 3 참조).
국제공개 제2013/108696호 팜플렛 국제공개 제2013/146107호 팜플렛 일본 특허공개 2013-196998호 공보
그러나, 자외선 흡수제를 첨가함으로써 직진성이 좋은 미세한 도전 패턴을 형성했을 경우, 첨가 전과 비교해서 비저항값은 동등하여도 선폭이 보다 가늘게 되어 있어, 회로저항은 상승해 버리는 과제가 있었다.
본 발명은 직진성이 양호하고, 또한 미세한 도전 패턴을 형성함과 아울러 높은 도전성을 발현하는 감광성 도전 페이스트를 제공한다.
본 발명자들은 예의 검토한 결과, 유기성분의 반응성을 적절하게 떨어뜨리는 것이, 직진성이 좋은 미세한 도전 패턴의 형성과 높은 도전성의 발현의 양쪽에 기여하고 있는 것을 찾아냈다. 즉, 유기성분의 반응성을 적절하게 떨어뜨림으로써 노광시의 라디칼 중합의 폭주를 억제하여 직진성이 좋은 미세한 도전 패턴의 형성이 가능하게 된다. 또한, 노광 후의 시점에서 유기성분의 반응이 지나치게 진행되지 않으므로, 가열시의 경화 수축이 일어나 도전 필러끼리의 접촉 확률이 상승하고, 높은 도전성이 발현된다. 거기에 유기성분으로서 히드록시피리딘 골격을 갖는 화합물을 함유함으로써 유기성분의 반응성을 적절하게 억제할 수 있고, 직진성이 좋은 미세한 도전 패턴의 형성과 높은 도전성의 발현의 양쪽을 달성할 수 있는 것을 찾아내어 본 발명을 완성했다.
본 발명은 도전성 입자(A)와 불포화 이중결합을 갖는 화합물(B)과 광중합 개시제(C)와 1분자 중에 히드록시피리딘 골격을 갖는 화합물(D)을 함유하는 감광성 도전 페이스트이다.
본 발명의 감광성 도전 페이스트의 바람직한 형태에 의하면, 상기 1분자 중에 히드록시피리딘 골격을 갖는 화합물(D)은 메틸올기를 갖는 화합물이다.
본 발명의 감광성 도전 페이스트의 바람직한 형태에 의하면, 상기 1분자 중에 히드록시피리딘 골격을 갖는 화합물(D)의 함유량은 상기 불포화 이중결합을 갖는 화합물(B) 100질량부에 대하여 0.3∼10질량부이다.
본 발명의 감광성 도전 페이스트의 바람직한 형태에 의하면, 열경화성 수지(E)을 함유하는 것이다.
본 발명의 감광성 도전 페이스트의 바람직한 형태에 의하면, 상기 열경화성 수지(E)는 에폭시 당량 150∼500g/당량의 에폭시 수지이다.
본 발명은 상기 감광성 도전 페이스트를 기판 상에 도포한 후에, 온도 100∼300℃에서 큐어함으로써 도전 패턴이 있는 기판을 제조할 수 있다.
(발명의 효과)
본 발명에 의하면, 직진성이 양호하고, 또한 미세한 도전 패턴을 형성할 수 있는, 비저항값이 낮은 감광성 도전 페이스트가 얻어진다.
본 발명의 감광성 도전 페이스트는 터치패널용의 주위 배선 등의 도전 패턴의 제조를 위해서 바람직하게 이용할 수 있다.
도 1은 실시예의 직진성 평가에서의 측정 개소를 나타낸 모식도이다.
도 2는 실시예의 비저항 평가에 사용한 포토마스크의 투광 패턴을 나타낸 모식도이다.
본 발명의 감광성 도전 페이스트는, 도전성 입자(A)와 불포화 이중결합을 갖는 화합물(B)과 광중합 개시제(C)와 1분자 중에 히드록시피리딘 골격을 갖는 화합물(D)을 함유한다.
본 발명의 감광성 도전 페이스트에 의해 얻어진 도전 패턴은 유기성분과 무기성분의 복합물로 되어 있고, 도전성 입자(A)끼리가 열큐어시의 경화 수축에 의해서 서로 접촉함으로써 도전성이 발현되는 것이다.
본 발명의 감광성 도전 페이스트에 포함되는 도전성 입자(A)로서는, 은, 금, 구리, 백금, 납, 주석, 니켈, 알루미늄, 텅스텐, 몰리브덴, 크롬, 티타늄 및 인듐 중 적어도 1종의 도전성 필러를 포함하는 것이 바람직하고, 이들 도전성 필러를 단독, 합금 또는 혼합 분말로서 사용할 수 있다. 또한, 상술의 성분에서 수지나 무기산화물 등의 절연성 입자 또는 도전성 입자의 표면을 피복한 도전성 입자도 마찬가지로 사용할 수 있다. 그 중에서도, 도전성의 관점으로부터 은, 금 또는 구리가 바람직하고, 비용 및 안정성의 관점으로부터 은이 보다 바람직하게 사용된다.
도전성 입자(A)의 형상으로서는, 장축 길이를 단축 길이로 나눈 값인 애스펙트비가 1.0∼3.0인 것이 바람직하고, 1.0∼2.0인 것이 보다 바람직한 형태이다. 도전성 입자(A)의 애스펙트비를 1.0 이상으로 해서 도전성 입자(A)끼리의 접촉 확률이 보다 높인다. 한편으로, 도전성 입자(A)의 애스펙트비를 2.0 이하로 해서 포토리소그래피법으로 배선을 형성할 경우에 있어서 노광광이 차폐되기 어렵고, 현상 마진을 넓게 할 수 있다.
도전성 입자(A)의 애스펙트비는 주사형 전자현미경(SEM) 또는 투과형 전자현미경(TEM)을 이용하여 배율 15000배로 도전성 입자(A)를 관찰하고, 무작위로 100개의 도전성 입자의 1차 입자를 선택하여 각각의 장축 길이 및 단축 길이를 측정하고, 양자의 평균값으로부터 애스펙트비를 구한다.
도전성 입자(A)의 입경은 0.05∼5.0㎛인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.1∼2.0㎛이다. 도전성 입자(A)의 입경을 0.05㎛ 이상으로 하면 입자간의 상호작용이 약하여 페이스트 중에서의 도전성 입자(A)의 분산 상태를 유지하기 쉽다. 도전성 입자(A)의 입경을 5.0㎛ 이하로 하면 제조된 도전 패턴의 표면 평활도, 패턴 정밀도 및 치수 정밀도를 향상시킬 수 있다.
감광성 도전 페이스트가 함유하는 도전성 입자(A)의 입경은, 전자현미경으로 관찰하고, 무작위로 20개의 도전성 입자의 1차 입자를 선택하여 각각의 최대 폭을 측정하고, 그것들의 평균값을 구함으로써 산출한다.
도전성 입자(A)의 함유량은 도전 페이스트 중의 전체 고형분에 대하여 60∼95질량%가 바람직하고, 75∼90질량%가 보다 바람직하다. 도전성 입자(A)의 전체 고형분에 대한 함유량이 60질량% 이상이면 큐어시의 도전성 입자(A)끼리의 접촉 확률이 향상되고, 제조된 도전 패턴의 비저항 및 단선 확률이 낮아진다. 도전성 입자(A)의 전체 고형분에 대한 함유량이 95질량% 이하이면 노광 공정에 있어서 도막의 투광성이 향상되고, 미세한 패터닝이 용이하게 된다. 여기에서 전체 고형분이란, 용제를 제외한 감광성 도전 페이스트의 전체 구성 성분을 말한다.
본 발명의 감광성 도전 페이스트에 포함되는 불포화 이중결합을 갖는 화합물(B)로서는, 예를 들면 스티렌, p-메틸스티렌, o-메틸스티렌, m-메틸스티렌, α-메틸스티렌, 클로로메틸스티렌 또는 히드록시메틸스티렌 등의 스티렌류, 아크릴계 모노머, 아크릴계 공중합체, 에폭시카르복실레이트 화합물, 및 1-비닐-2-피롤리돈을 들 수 있다.
아크릴계 모노머로서는, 예를 들면 아크릴산, 메틸아크릴레이트, 에틸아크릴레이트, 2-에틸헥실아크릴레이트, n-부틸아크릴레이트, iso-부틸아크릴레이트, iso-프로판아크릴레이트, 글리시딜아크릴레이트, 부톡시트리에틸렌글리콜아크릴레이트, 디시클로펜타닐아크릴레이트, 디시클로펜테닐아크릴레이트, 2-히드록시에틸아크릴레이트, 이소보르닐아크릴레이트, 2-히드록시프로필아크릴레이트, 이소데실아크릴레이트, 이소옥틸아크릴레이트, 라우릴아크릴레이트, 2-메톡시에틸아크릴레이트, 메톡시에틸렌글리콜아크릴레이트, 메톡시디에틸렌글리콜아크릴레이트, 옥타플루오로펜틸아크릴레이트, 페녹시에틸아크릴레이트, 스테아릴아크릴레이트, 트리플루오로에틸아크릴레이트, 아미노에틸아크릴레이트, 페닐아크릴레이트, 페녹시에틸아크릴레이트, 1-나프틸아크릴레이트, 2-나프틸아크릴레이트, 티오페놀아크릴레이트 또는 벤질메르캅탄아크릴레이트, 알릴화 시클로헥실디아크릴레이트, 메톡시화 시클로헥실디아크릴레이트, 1,4-부탄디올디아크릴레이트, 1,3-부틸렌글리콜디아크릴레이트, 에틸렌글리콜디아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디아크릴레이트, 프로필렌글리콜디아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜디아크릴레이트 또는 트리글리세롤디아크릴레이트, 트리메티롤프로판트리아크릴레이트, 디메틸올프로판테트라아크릴레이트, 디펜타에리스리톨모노히드록시펜타아크릴레이트 또는 디펜타에리스리톨헥사아크릴레이트, 아크릴아미드, N-메톡시메틸아크릴아미드, N-에톡시메틸아크릴아미드, N-n-부톡시메틸아크릴아미드 또는 N-이소부톡시메틸아크릴아미드, 에폭시기를 불포화산으로 개환시킨 수산기를 갖는 에틸렌글리콜디글리시딜에테르의 아크릴산 부가물, 디에틸렌글리콜디글리시딜에테르의 아크릴산 부가물, 네오펜틸글리콜디글리시딜에테르의 아크릴산 부가물, 글리세린디글리시딜에테르의 아크릴산 부가물, 비스페놀A 디글리시딜에테르의 아크릴산 부가물, 비스페놀F의 아크릴산 부가물 또는 크레졸노볼락의 아크릴산 부가물 등의 에폭시아크릴레이트 모노머 또는 γ-아크릴옥시프로필트리메톡시실란, 또는 그것들의 아크릴기를 메타크릴기로 치환한 화합물을 들 수 있다.
아크릴계 공중합체로서는, 사용되는 모노머, 즉 공중합 성분에 아크릴계 모노머를 포함하는 공중합체를 말한다. 카르복실기를 갖는 알칼리 가용성의 아크릴계 공중합체는 모노머로서 불포화 카르복실산 등의 불포화산을 사용함으로써 얻어진다. 불포화산으로서는, 예를 들면 아크릴산, 메타크릴산, 이타콘산, 크로톤산, 말레산, 푸말산 또는 아세트산 비닐, 및 이것들의 산무수물을 들 수 있다. 사용되는 불포화산의 많고 적음에 의해, 얻어지는 아크릴계 공중합체의 산가를 조정할 수 있다. 또한, 상기 아크릴계 공중합체가 갖는 카르복실기와, 글리시딜(메타)아크릴레이트 등의 불포화 이중결합을 갖는 화합물을 반응시킴으로써, 측쇄에 반응성의 불포화 이중결합을 갖는 알칼리 가용성의 아크릴계 공중합체가 얻어진다.
에폭시카르복실레이트 화합물로서는, 에폭시 화합물과, 불포화 이중결합을 갖는 카르복실 화합물을 출발 원료로 해서 합성할 수 있는 화합물을 말한다. 출발 원료가 될 수 있는 에폭시 화합물로서는, 예를 들면 글리시딜에테르류, 지환식 에폭시 수지, 글리시딜에스테르류, 글리시딜아민류 또는 에폭시 수지를 들 수 있지만, 보다 구체적으로는, 메틸글리시딜에테르, 에틸글리시딜에테르, 부틸글리시딜에테르, 에틸렌글리콜디글리시딜에테르, 디에틸렌글리콜디글리시딜에테르, 프로필렌글리콜디글리시딜에테르, 트리프로필렌글리콜디글리시딜에테르, 네오펜틸글리콜디글리시딜에테르, 비스페놀A 디글리시딜에테르, 수소첨가 비스페놀A 디글리시딜에테르, 비스페놀F 디글리시딜에테르, 비스페놀S 디글리시딜에테르, 비스페놀플루오렌디글리시딜에테르, 비페놀디글리시딜에테르, 테트라메틸비페놀글리시딜에테르, 트리메틸올프로판트리글리시딜에테르, 3',4'-에폭시시클로헥실메틸-3,4-에폭시시클로헥산카르복실레이트, 및 tert-부틸글리시딜아민을 들 수 있다. 또한, 불포화 이중결합을 갖는 카르복실 화합물로서는, 예를 들면 (메타)아크릴산, 크로톤산, 계피산 및 α-시아노계피산을 들 수 있다.
에폭시카르복실레이트 화합물과 다염기산 무수물을 반응시켜서 에폭시카르복실레이트 화합물의 산가를 조정할 수 있다. 다염기산 무수물로서는, 예를 들면 무수 숙신산, 무수 프탈산, 테트라히드로 무수 프탈산, 헥사히드로 무수 프탈산, 무수 이타콘산, 3-메틸테트라히드로 무수 프탈산, 4-메틸-헥사히드로 무수 프탈산, 무수 트리멜리트산, 및 무수 말레산을 들 수 있다. 상기 다염기산 무수물과 반응시킨 에폭시카르복실레이트 화합물이 갖는 카르복실기와, 글리시딜(메타)아크릴레이트 등의 불포화 이중결합을 갖는 화합물을 반응시킴으로써, 에폭시카르복실레이트 화합물이 갖는 반응성의 불포화 이중결합의 양을 조정할 수 있다.
에폭시카르복실레이트 화합물이 갖는 히드록시기와, 디이소시아네이트 화합물을 반응시킴으로써 우레탄화를 할 수 있다. 디이소시아네이트 화합물로서는, 예를 들면 헥사메틸렌디이소시아네이트, 테트라메틸크실렌디이소시아네이트, 나프탈렌-1,5-디이소시아네이트, 트리덴디이소시아네이트, 트리메틸헥사메틸렌디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트, 알릴시안디이소시아네이트, 및 노보네인디이소시아네이트를 들 수 있다.
불포화 이중결합을 갖는 화합물(B)의 산가는, 알칼리 가용성을 조건에 적합한 것으로 하기 위해서 30∼250mgKOH/g인 것이 바람직하다. 불포화 이중결합을 갖는 화합물(B)의 산가가 30mgKOH/g 이상에서는 가용 부분의 용해성을 억제할 수 있다. 불포화 이중결합을 갖는 화합물(B)의 산가가 250mgKOH/g 이하에서는 현상 허용 폭을 유지할 수 있다. 불포화 이중결합을 갖는 화합물(B)의 산가는, JIS K 0070(1992)에 준거해서 측정할 수 있다.
본 발명의 감광성 도전 페이스트에 포함되는 광중합 개시제(C)로서는, 예를 들면 벤조페논, O-벤조일벤조산 메틸, 4,4'-비스(디메틸아미노)벤조페논, 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논, 4,4'-디클로로벤조페논, 4-벤조일-4'-메틸디페닐케톤, 플루올레논 등의 벤조페논 유도체, p-t-부틸디클로로아세토페논, 4-아지드벤잘아세토페논, 2,2'-디에톡시아세토페논 등의 아세토페논 유도체, 티오크산톤, 2-메틸티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 2-이소프로필티오크산톤, 디에틸티오크산톤 등의 티오크산톤 유도체, 벤질, 벤질디메틸케탈, 벤질-β-메톡시에틸아세탈 등의 벤질 유도체, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인부틸에테르 등의 벤조인 유도체, 1,2-옥탄디온-1-[4-(페닐티오)-2-(O-벤조일옥심)], 에탄온-1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-1-(O-아세틸옥심), 1-페닐-1,2-부탄디온-2-(O-메톡시카르보닐)옥심, 1-페닐-프로판디온-2-(O-에톡시카르보닐)옥심, 1-페닐-프로판디온-2-(O-벤조일)옥심, 1,3-디페닐-프로판트리온-2-(O-에톡시카르보닐)옥심, 1-페닐-3-에톡시-프로판트리온-2-(O-벤조일)옥심 등의 옥심계 화합물, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐-프로판-1-온 1-[4-(2-히드록시에톡시)-페닐]-2-히드록시-2-메틸-1-프로판-1-온 등의 α-히드록시케톤계 화합물, 2-메틸-(4-메틸티오페닐)-2-모르폴리노프로판-1-온, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄-1-온, 2-디메틸아미노-2-(4-메틸벤질)-1-(4-모르폴린-4-일-페닐)부탄-1-온 등의 α-아미노알킬페논계 화합물, 2,4,6-트리메틸벤조일-디페닐-포스핀옥사이드, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥사이드 등의 포스핀옥사이드계 화합물, 나프탈렌술포닐클로라이드, 퀴놀린술포닐클로라이드 등의 방향족 술포닐클로라이드계 화합물, 안트라퀴논, 2-t-부틸안트라퀴논, 2-아밀안트라퀴논, β-클로르안트라퀴논, 안트론, 벤즈안트론, 디벤조스베론, 메틸렌안트론, 2,6-비스(p-아지드벤질리덴)시클로헥산온, 6-비스(p-아지드벤질리덴)-4-메틸시클로헥산온, 2,6-비스(p-아지드벤질리덴)시클로헥산온, 6-비스(p-아지드벤질리덴)-4-메틸시클로헥산온, N-페닐티오아크리돈, 4,4'-아조비스이소부틸로니트릴, 디페닐디술피드, 벤즈티아졸디술피드, 트리페닐포스핀, 캠퍼퀴논, 4브롬화탄소, 트리브로모페닐술폰, 과산화벤조일 등을 들 수 있고, 광 감도가 높은 옥심계 화합물이 특히 바람직하게 사용된다.
광중합 개시제(C)의 함유량은, 불포화 이중결합을 갖는 화합물(B) 100질량부에 대하여 0.05∼30질량부인 것이 바람직하고, 1∼10질량부인 것이 보다 바람직하다. 광중합 개시제(C)의 함유량은, 불포화 이중결합을 갖는 화합물(B) 100질량부에 대하여 0.05질량부 이상으로 되면 노광부의 경화 밀도가 상승하고, 현상 후의 잔막률을 높게 할 수 있다. 광중합 개시제(C)의 함유량은, 불포화 이중결합을 갖는 화합물(B) 100질량부에 대하여 30질량부 이하로 되면 도전 페이스트를 도포해서 얻어진 도포막 상부에서의 광중합 개시제(C)에 의한 과잉한 광흡수가 억제된다. 그 결과, 제조된 도전 패턴이 역테이퍼 형상으로 되는 것에 의한 기판과의 밀착성 저하가 억제된다.
본 발명의 감광성 도전 페이스트는 광중합 개시제(C)와 함께 증감제를 함유시킬 수 있다.
증감제로서는, 예를 들면 2,4-디에틸티오크산톤, 이소프로필티오크산톤, 2,3-비스(4-디에틸아미노벤잘)시클로펜탄온, 2,6-비스(4-디메틸아미노벤잘)시클로헥산온, 2,6-비스(4-디메틸아미노벤잘)-4-메틸시클로헥산온, 미힐러케톤, 4,4-비스(디에틸아미노)벤조페논, 4,4-비스(디메틸아미노)칼콘, 4,4-비스(디에틸아미노)칼콘, p-디메틸아미노신나밀리덴인다논, p-디메틸아미노벤질리덴인다논, 2-(p-디메틸아미노페닐비닐렌)이소나프토티아졸, 1,3-비스(4-디메틸아미노페닐비닐렌)이소나프토티아졸, 1,3-비스(4-디메틸아미노벤잘)아세톤, 1,3-카르보닐비스(4-디에틸아미노벤잘)아세톤, 3,3-카르보닐비스(7-디에틸아미노쿠마린), N-페닐-N-에틸에탄올아민, N-페닐에탄올아민, N-톨릴디에탄올아민, 디메틸아미노벤조산 이소아밀, 디에틸아미노벤조산 이소아밀, 3-페닐-5-벤조일티오테트라졸, 및 1-페닐-5-에톡시카르보닐티오테트라졸을 들 수 있다.
증감제의 함유량은, 불포화 이중결합을 갖는 화합물(B) 100질량부에 대하여 0.05∼10질량부인 것이 바람직하다. 증감제의 함유량은, 불포화 이중결합을 갖는 화합물(B) 100질량부에 대하여 0.05질량부 이상으로 되면 광 감도가 향상한다. 증감제의 함유량은, 불포화 이중결합을 갖는 화합물(B) 100질량부에 대하여 10질량부 이하로 되면, 도전 페이스트를 도포해서 얻어진 도포막 상부에서의 과잉한 광흡수가 억제된다. 그 결과, 제조된 도전 패턴이 역테이퍼 형상으로 되는 것에 의한 기판과의 밀착성 저하가 억제된다.
본 발명의 감광성 도전 페이스트에 포함되는 1분자 중에 히드록시피리딘 골격을 갖는 화합물(D)로서는, 예를 들면 2-히드록시피리딘, 3-히드록시피리딘, 4-히드록시피리딘, 2,4-디히드록시피리딘, 2,4-디히드록시퀴놀린, 2,6-디히드록시퀴놀린, 2,8-디히드록시퀴놀린, 5-히드록시-2-메틸피리딘, 2-히드록시-4-메틸피리딘, 2-히드록시-5-메틸피리딘, 2-히드록시-6-메틸피리딘, 2,4-디히드록시-6-메틸피리딘, 2-에틸-3-히드록시-6-메틸피리딘, 4-브로모-2-히드록시피리딘, 4-클로로-2-히드록시피리딘, 2-히드록시-5-요오드피리딘, 3-히드록시이소퀴놀린, 2-퀴놀리놀, 3-퀴놀리놀, 2-메틸-4-퀴놀리놀, 피리독살-5-포스페이트, 시트라진산, 6-히드록시니코틴산, 및 이것들의 염을 들 수 있다.
그 중에서도, 메틸올기를 갖는 피리독신, 4-디옥시피리독신, 피리독살, 피리독사민, 4-피리독신산, 이소피리독살, 2-히드록시메틸-3-피리디놀, 2-히드록시메틸-6-메틸-3-피리디놀, 2,6-비스(히드록시메틸)-3-피리디놀, 징코톡신, 디카프릴산 피리독신, 피리독살옥심, 6-(히드록시메틸)-3,4-피리딘디올, 2-브로모-6-(히드록시메틸)-3-피리디놀, 2,5-디클로로-6-(히드록시메틸)-3-피리디놀, 2-클로로-6-(히드록시메틸)-4-요오드-3-피리디놀, 3-(히드록시메틸)-6-메틸-4-퀴놀리놀, 피리독신-3,4-디팔미테이트, 및 이것들의 염은, 유기성분의 반응 억제 효과가 지나치게 강하지 않기 때문에 도전 패턴의 현상 마진 악화가 생기기 어렵다.
1분자 중에 히드록시피리딘 골격을 갖는 화합물(D)의 함유량은 불포화 이중결합을 갖는 화합물(B) 100질량부에 대하여 0.3∼10질량부 함유하는 것이 바람직하고, 0.5∼5중량부 함유하는 것이 보다 바람직하다. 1분자 중에 히드록시피리딘 골격을 갖는 화합물(D)의 함유량은, 불포화 이중결합을 갖는 화합물(B) 100질량부에 대하여 0.3질량부 이상으로 되면 노광시의 광라디칼 반응의 폭주를 막기 때문에 도전 패턴의 직진성이 향상하고, 또한 큐어 전의 시점에서 도전 패턴의 수지 성분의 경화가 지나치게 진행하지 않음으로써, 큐어시의 경화 수축을 저해하지 않고 도전성 입자(A)끼리의 접촉 확률이 상승하여 비저항값이 저하한다. 1분자 중에 히드록시피리딘 골격을 갖는 화합물(D)의 함유량은, 불포화 이중결합을 갖는 화합물(B) 100질량부에 대하여 10질량부 이하로 되면 광라디칼 반응이 과도하게 억제되지 않기 때문에 미세한 패터닝이 가능해진다.
본 발명의 감광성 도전 페이스트에는 열경화성 수지(E)를 함유시킬 수 있다. 열경화성 수지(E)로서는 에폭시 수지, 페놀 수지, 우레아 수지, 멜라민 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 규소 수지, 및 폴리우레탄 등을 들 수 있다. 열경화성 수지(E)로서는, 그 중에서도 에폭시 수지가 바람직하고, 에폭시 수지 중에서도 에폭시 당량이 150∼500g/당량인 에폭시 수지가 바람직하다. 에폭시 수지의 에폭시 당량을 150g/당량 이상으로 함으로써 도포막의 보존 안정성이 감광성 도전 페이스트를 얻을 수 있다. 에폭시 수지의 에폭시 당량을 500g/당량 이하로 함으로써 수지 필름이나 유리 기판과 같은 각종 기판과의 밀착성이 높은 도전 패턴을 얻을 수 있다.
에폭시 당량이란 1당량의 에폭시기를 포함하는 수지의 질량을 가리키고, 구조식으로부터 구한 분자량을, 그 구조 중에 포함되는 에폭시기의 수로 나누어서 구한다.
에폭시 수지의 함유량은 불포화 이중결합을 갖는 화합물(B) 100질량부에 대하여 1∼100질량부의 범위 내인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 30∼80질량부이다. 에폭시 수지의 함유량은, 불포화 이중결합을 갖는 화합물(B) 100중량부에 대하여 1질량부 이상으로 함으로써 밀착성을 향상시키는 효과가 충분하게 발휘되기 쉽고, 불포화 이중결합을 갖는 화합물(B) 100중량부에 대한 함유량을 100질량부 이하로 함으로써 도포막의 보존 안정성이 특히 높은 감광성 도전 페이스트를 얻을 수 있다.
에폭시 수지로서는, 에폭시 당량이 150∼500g/당량의 범위 내인 것이 바람직하고, 200∼500g/당량의 범위 내인 것이 보다 바람직하다. 구체예로서는, 에틸렌글리콜 변성 에폭시 수지, 비스페놀A형 에폭시 수지, 브롬화 에폭시 수지, 비스페놀F형 에폭시 수지, 노볼락형 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 글리시딜에테르형 에폭시 수지, 및 복소환식 에폭시 수지 등을 들 수 있다.
본 발명의 감광성 도전 페이스트에는 용제를 함유시킬 수 있다. 용제로서는, 예를 들면 N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디메틸포름아미드, N-메틸-2-피롤리돈, 디메틸이미다졸리디논, 디메틸술폭시드, γ-부티로락톤, 락트산 에틸, 1-메톡시-2-프로판올, 1-에톡시-2-프로판올, 에틸렌글리콜모노-n-프로필에테르, 디아세톤알콜, 테트라히드로푸르푸릴알콜, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트(이하, 「DMEA」), 디에틸렌글리콜모노부틸에테르, 디에틸렌글리코, 및 2,2,4,-트리메틸-1,3-펜탄디올모노이소부틸레이트를 들 수 있지만, 비점이 150℃ 이상의 용제인 것이 바람직하다. 비점이 150℃ 이상이면 용제의 휘발이 억제되어 도전 페이스트의 증점을 억제할 수 있다.
본 발명의 감광성 도전 페이스트는, 그 소망의 특성을 손상하지 않는 범위이면, 분자 내에 불포화 이중결합을 갖지 않는 비감광성 폴리머, 가소제, 레벨링제, 계면활성제, 실란커플링제, 소포제, 및 안료 등의 첨가제를 함유시킬 수 있다.
비감광성 폴리머로서는, 예를 들면 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리이미드 전구체 및 기폐환 폴리이미드를 들 수 있다.
가소제로서는, 예를 들면 디부틸프탈레이트, 디옥틸프탈레이트, 폴리에틸렌글리콜 및 글리세린을 들 수 있다.
레벨링제로서는, 예를 들면 특수 비닐계 중합물 및 특수 아크릴계 중합물을 들 수 있다.
실란커플링제로서는, 예를 들면 메틸트리메톡시실란, 디메틸디에톡시실란, 페닐트리에톡시실란, 헥사메틸디실라잔, 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 및 비닐트리메톡시실란을 들 수 있다.
본 발명의 감광성 도전 페이스트는, 예를 들면 쓰리롤러밀, 볼밀 또는 유성식 볼밀 등의 분산기 또는 혼련기를 이용하여 제조된다.
본 발명의 도전 패턴이 있는 기판의 제조 방법은, 본 발명의 감광성 도전 페이스트를 기판 상에 도포하고, 건조하고 노광하고 현상한 후에, 온도 100∼300℃에서 큐어한다.
본 발명의 감광성 도전 페이스트를 기판 상에 도포함으로써 도포막을 얻는다. 감광성 도전 페이스트를 도포하는 기판으로서는, 예를 들면 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(이하, PET 필름이라고 칭한다), 폴리이미드 필름, 폴리에스테르 필름, 아라미드 필름, 에폭시 수지 기판, 폴리에테르이미드 수지 기판, 폴리에테르케톤 수지 기판, 폴리술폰계 수지 기판, 유리 기판, 규소 웨이퍼, 알루미나 기판, 질화알루미늄 기판, 탄화규소 기판, 가식층 형성 기판, 및 절연층 형성 기판을 들 수 있다.
본 발명의 감광성 도전 페이스트를 기판에 도포하는 방법으로서는, 예를 들면 스피너를 사용한 회전 도포, 스프레이 도포, 롤 코팅, 스크린 인쇄 또는 블레이드 코터, 다이 코터, 캘린더 코터, 메니스커스 코터 또는 바 코터를 사용한 도포를 들 수 있다.
얻어지는 도포막의 막두께는 도포의 방법 또는 감광성 도전 페이스트의 전체 고형분 농도 또는 점도 등에 따라 적당하게 결정할 수 있지만, 건조 후의 막두께가 0.1∼50㎛로 되는 것이 바람직하다. 막두께는 서프컴(등록상표) 1400((주)도쿄 세이미츠제)과 같은 촉침식 단차계를 이용하여 측정할 수 있다. 보다 구체적으로는, 무작위로 선택한 3개의 위치의 막두께를, 촉침식 단차계(측장: 1㎜, 주사속도: 0.3㎜/초)로 각각 측정하고, 그것들의 평균값을 구함으로써 산출한다.
도포막은 건조해서 용제를 휘발시킨다. 도포막을 건조해서 용제를 휘발 제거하는 방법으로서는, 예를 들면 오븐, 핫플레이트 또는 적외선 등에 의한 가열 건조 및 진공 건조를 들 수 있다. 가열 온도는 50∼180℃인 것이 바람직하고, 가열 시간은 1분∼수시간인 것이 바람직하다.
건조 후의 도포막은 임의의 패턴 형성용 마스크를 통해서 포토리소그래피법에 의해 노광한다. 노광의 광원으로서는 수은등의 i선(365㎚), h선(405㎚) 또는 g선(436㎚)이 바람직하게 사용된다.
노광 후의 도포막은 현상액을 이용하여 현상하고, 미노광부를 용해 제거하여 소망의 패턴을 얻는다. 알칼리 현상을 행할 경우의 현상액으로서는, 예를 들면 수산화테트라메틸암모늄, 디에탄올아민, 디에틸아미노에탄올, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산나트륨, 탄산칼륨, 트리에틸아민, 디에틸아민, 메틸아민, 디메틸아민, 아세트산 디메틸아미노에틸, 디메틸아미노에탄올, 디메틸아미노에틸메타크릴레이트, 시클로헥실아민, 에틸렌디아민 또는 헥사메틸렌디아민의 수용액을 들 수 있다.
이들 수용액에 N-메틸-2-피롤리돈, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, 디메틸술폭시드 또는 γ-부티로락톤 등의 극성용제, 메탄올, 에탄올 또는 이소프로판올 등의 알콜류, 락트산 에틸 또는 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 등의 에스테르류, 시클로펜탄온, 시클로헥산온, 이소부틸케톤 또는 메틸이소부틸케톤 등의 케톤류, 및 계면활성제를 첨가할 수 있다.
유기 현상을 행할 경우의 현상액으로서는, 예를 들면 N-메틸-2-피롤리돈, N-아세틸-2-피롤리돈, N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디메틸포름아미드, 디메틸술폭시드 또는 헥사메틸포스포르트리아미드 등의 극성용제 또는 이들 극성용제와 메탄올, 에탄올, 이소프로필알콜, 크실렌, 물, 메틸카르비톨, 및 에틸카르비톨의 혼합 용액을 들 수 있다.
현상의 방법으로서는, 예를 들면 기판을 정치 또는 회전시키면서 현상액을 도포막 면에 스프레이하는 방법, 기판을 현상액 중에 침지하는 방법, 및 기판을 현상액 중에 침지하면서 초음파를 가하는 방법을 들 수 있다.
현상에 의해 얻어진 도전 패턴은 린스액에 의한 린스 처리를 실시할 수 있다. 여기에서 린스액으로서는, 예를 들면 물 또는 물에 에탄올 또는 이소프로필알콜 등의 알콜류 또는 락트산 에틸 또는 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 등의 에스테르류를 첨가한 수용액을 들 수 있다.
얻어진 도전 패턴은 온도 100∼300℃에서 큐어한다. 큐어의 온도는 120∼180℃인 것이 바람직하다. 큐어 온도가 100℃ 미만에서는 수지 성분의 체적 수축량이 커지지 않고, 비저항이 충분하게 낮아지지 않는다. 큐어의 온도가 300℃를 초과하면 내열성이 낮은 기판 등의 재료 상에 도전 패턴을 제조하는 것이 곤란하게 된다.
얻어진 도전 패턴을 큐어하는 방법으로서는, 예를 들면 오븐, 이너트 오븐 또는 핫플레이트에 의한 가열 건조, 자외선 램프, 적외선 히터, 할로겐 히터 또는 크세논 플래쉬 램프 등의 전자파, 또는 마이크로파에 의한 가열 건조, 또는 진공 건조를 들 수 있다. 가열에 의해, 제조되는 도전 패턴의 경도가 높아지고, 다른 부재와의 접촉에 의한 깨짐이나 박리 등을 억제할 수 있으며, 또한 기판과의 밀착성을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 감광성 도전 페이스트를 이용하여 얻어지는 도전 패턴은, 터치패널, 적층 세라믹 콘덴서, 적층 인덕터, 태양전지 등에 적합하게 사용되지만, 그 중에서도, 협프레임화를 위해서 미세화가 요구되는 터치패널용 주위 배선에서 보다 바람직하게 사용된다.
(실시예)
이어서, 본 발명의 감광성 도전 페이스트에 대해서 실시예에 의해 설명한다. 각 실시예에서 사용한 평가 방법은 다음과 같다.
<패터닝성의 평가 방법>
PET 필름 상에 감광성 도전 페이스트를 건조 후의 막두께가 4㎛로 되도록 도포하고, 100℃의 건조 오븐 내에서 5분간 건조했다. 일정한 라인 앤드 스페이스(이하, L/S라고 칭한다)로 배열된 직선군, 즉 투광 패턴을 1개의 유닛으로 하고, L/S의 값이 다른 10종류의 유닛을 각각 갖는 포토마스크를 통해서, 건조 후의 도포막을 노광 및 현상하여 L/S의 값이 다른 10종류의 패턴을 각각 얻었다. 그 후, 얻어진 10의 패턴을 30분간, 140℃의 온도의 건조 오븐 내에서 모두 큐어하여 L/S의 값이 다른 10종류의 도전 패턴을 각각 얻었다. 포토마스크가 갖는 각 유닛의 L/S의 값은 라인 폭[L(㎛)]/간격[S(㎛)]이 250/250, 100/100, 50/50, 40/40, 30/30, 25/25, 20/20, 15/15, 10/10, 및 7/7이다. 얻어진 도전 패턴을 광학 현미경으로 관찰했다. 패턴 사이에 잔사가 없고, 또한 패턴 박리가 없는, L/S의 값이 최소인 도전 패턴을 확인했다. 그 L/S의 값을, 현상 가능한 L/S의 값으로 했다.
노광은 노광 장치(PEM-6M; 유니온 코가쿠 가부시키가이샤제)를 이용하여 노광량 150mJ/㎠(파장 365㎚ 환산)로 전체 선노광을 행하고, 현상은 0.2질량%의 Na2CO3 용액에 기판을 30초 침지시킨 후, 초순수에 의한 린스 처리를 실시해 행하였다.
<직진성의 평가 방법>
상기 패터닝성의 평가에 사용한 도전 패턴의, L/S의 값이 20/20으로 되는 투광 패턴 B에 대해서, 도 1에 나타내는 가장 선폭이 굵은 최대 선폭(1)과, 가장 선폭이 가는 최소 선폭(2)을, 각각 무작위로 10개소 측정하고, 각각의 평균값을 구했다. 얻어진 「평균 최대 선폭」과 「평균 최소 선폭」을 이용하여, 하기의 식(1)에 의거하여 패턴으로부터 나오는 돌기의 길이를 산출했다. 직진성에 대해서, 돌기의 길이가 2㎛ 미만인 것을 「A 매우 좋음」, 2㎛ 이상 4㎛ 미만의 것을 「B 좋음」, 4㎛ 이상의 것을 「C 나쁨」으로 하고, 「A 매우 좋음」, 「B 좋음」을 합격으로 했다.
돌기의 길이=(평균 최대 선폭-평균 최소 선폭)/2 …식(1).
<비저항의 평가 방법>
PET 필름 상에 감광성 도전 페이스트를 건조 후의 막두께가 4㎛로 되도록 도포하고, 도포막을 100℃의 온도의 건조 오븐 내에서 5분간 건조했다. 도 2에 나타내는 투광 패턴 A를 갖는 포토마스크를 통해서, 건조 후의 도포막을 노광 및 현상하여 도전 패턴을 얻었다. 그 후, 얻어진 도전 패턴을 30분간, 140℃의 온도의 건조 오븐 내에서 큐어하여 비저항 측정용의 도전 패턴을 얻었다. 얻어진 도전 패턴의 선폭은 20㎛이며, 라인 길이는 80㎜이었다.
노광 및 현상의 조건은, 상기 패터닝성의 평가 방법과 같은 방법으로 했다. 얻어진 비저항 측정용의 도전 패턴의 각각의 단부를 저항계로 연결하여 저항값을 측정하고, 하기의 식(2)에 의거하여 비저항을 산출했다.
비저항=저항값×막두께×선폭/라인 길이 …식(2).
각 실시예에서 사용한 재료는 다음과 같다.
[도전성 입자(A)]
체적평균 입자지름이 1.0㎛인 Ag 입자.
[불포화 이중결합을 갖는 화합물(B)]
(합성예 1: 화합물(B-1))
공중합 비율(질량기준): 에틸아크릴레이트(이하, EA라고 칭한다)/메타크릴산 2-에틸헥실(이하, 2-EHMA라고 칭한다)/스티렌(이하, St라고 칭한다)/글리시딜메타크릴레이트(이하, GMA라고 칭한다)/아크릴산(이하, AA라고 칭한다)=20/40/20/5/15.
질소분위기의 반응 용기 중에, 150g의 DMEA를 투입하고, 오일 배스를 이용하여 80℃의 온도까지 승온했다. 이것에 20g의 EA, 40g의 2-EHMA, 20g의 St, 15g의 AA, 0.8g의 2,2'-아조비스이소부틸로니트릴 및 10g의 DMEA로 이루어지는 혼합물을 1시간 걸쳐서 적하했다. 적하 종료 후, 6시간 더 중합반응을 행하였다. 그 후, 1g의 하이드로퀴논모노메틸에테르를 첨가하여 중합반응을 정지했다. 계속해서, 5g의 GMA, 1g의 트리에틸벤질암모늄클로라이드 및 10g의 DMEA로 이루어지는 혼합물을 0.5시간 걸쳐서 적하했다. 적하 종료 후, 2시간 더 부가반응을 행하였다. 얻어진 반응 용액을 메탄올로 정제함으로써 미반응 불순물을 제거하고, 또한 24시간 진공건조함으로써 화합물(B-1)을 얻었다. 얻어진 화합물(B-1)의 산가는 103mgKOH/g이었다.
(합성예 2: 화합물(B-2))
질소 분위기의 반응 용액 중에 164g의 카르비톨아세테이트, 287g의 EOCN-103S(니폰카야쿠(주)제), 96g의 AA, 2g의 2,6-디-tert-부틸-p-크레졸 및 2g의 트리페닐포스핀을 투입하고, 98℃의 온도에서 반응액의 산가가 0.5mgKOH/g 이하로 될 때까지 반응시켜 에폭시카르복실레이트 화합물을 얻었다. 계속해서, 이 반응액에 57g의 카르비톨아세테이트 및 137g의 테트라히드로 무수 프탈산을 투입하고, 95℃의 온도에서 4시간 반응시켜 화합물(B-2)을 얻었다. 얻어진 화합물(B-2)의 산가는 97mgKOH/g이었다.
(합성예 3: 화합물(B-3))
질소 분위기의 반응 용기 중에, 123g의 RE-310S(니폰카야쿠(주)제), 47g의 AA, 0.3g의 하이드로퀴논모노메틸에테르 및 0.5g의 트리페닐포스핀을 투입하고, 98℃의 온도에서 반응액의 산가가 0.5mgKOH/g 이하로 될 때까지 반응시켜 에폭시카르복실레이트 화합물을 얻었다. 그 후, 이 반응 용액에 252g의 카르비톨아세테이트, 89g의 2,2-비스(디메틸올)-프로피온산, 0.4g의 2-메틸하이드로퀴논 및 47g의 스피로글리콜을 첨가하여 45℃의 온도로 승온했다. 이 용액에 162g의 트리메틸헥사메틸렌디이소시아네이트를, 반응 온도가 65℃를 초과하지 않도록 서서히 적하했다. 적하 종료 후, 반응온도를 80℃로 상승시키고, 적외 흡수 스펙트럼 측정법에 의해 2250cm-1 부근의 흡수가 없어질 때까지 6시간 반응시켜 화합물(B-3)을 얻었다. 얻어진 화합물(B-3)의 산가는 80.0mgKOH/g이었다.
[광중합 개시제(C)]
IRGACURE(등록상표) OXE01(치바 재팬(주)제, 옥심계 화합물)(이하, OXE01이라고 칭한다)
IRGACURE(등록상표) 369(치바 재팬(주)제, α-아미노알킬페논계 화합물)(이하, IC369라고 칭한다).
[열경화성 수지(E)]
에폭시 수지(E-1): 미쓰비시 카가쿠(주)제, JER(등록상표) 828(에폭시 당량 188)
에폭시 수지(E-2): (주)ADEKA제, 아데카레진(등록상표) EPR-4030(에폭시 당량 380)
에폭시 수지(E-3): 미쓰비시 카가쿠(주)제, JER(등록상표) 1002(에폭시 당량 650).
[실시예 1]
100mL 클린 보틀에 10.0g의 화합물(B-1), 0.50g의 OXE01, 5.0g의 DMEA 및 0.5g의 2-히드록시피리딘을 넣고, 자전-공전 진공 믹서 "아와토리 렌타로" ARE-310(등록상표; (주)신키제)로 혼합하여 16.0g의 수지 용액(고형분 68.8질량%)을 얻었다.
얻어진 16.0g의 수지 용액과 62.3g의 Ag 입자를 혼합하고, 쓰리롤러밀(EXAKT M-50; EXAKT사제)을 이용하여 혼련하고, 78.3g의 감광성 도전 페이스트를 얻었다. 표 1에 감광성 도전 페이스트의 조성을 나타낸다.
얻어진 감광성 도전 페이스트를 이용하여 도전 패턴의 패터닝성, 직진성 및 비저항을 각각 평가했다. 패터닝성의 평가 지표가 되는 현상 가능한 L/S의 값은 15/15이며, 양호한 패턴 가공이 되어 있는 것이 확인되었다. 또한, 도전 패턴의 돌기의 길이는 2.7㎛이며, 직진성은 「좋은」 것이 확인되었다. 또한, 도전 패턴의 비저항은 6.0×10-5Ω㎝이었다. 평가 결과를 표 2에 나타낸다.
[실시예 2∼11]
표 1에 나타내는 조성의 감광성 도전 페이스트를 실시예 1과 같은 방법으로 제작하고, 실시예 1과 마찬가지로 해서 평가를 행하였다. 평가 결과를 표 2에 나타낸다.
[비교예 1∼2]
표 1에 나타내는 조성의 감광성 도전 페이스트를, 실시예 1과 같은 방법으로 제조하고, 실시예 1과 마찬가지로 해서 평가를 행하였다. 평가 결과를 표 2에 나타낸다.
Figure pct00001
Figure pct00002
표 2에 나타내어지는 바와 같이, 실시예 1∼11의 감광성 도전 페이스트에서는 어느 것이나 패터닝성, 직진성 및 도전성이 우수한 도전 패턴을 제조할 수 있었다. 한편, 비교예 1 및 2의 감광성 도전 페이스트에서는 직진성이 우수한 도전 패턴을 제작할 수 없고, 또한 비저항이 높았다.
(산업상의 이용 가능성)
본 발명의 감광성 도전 페이스트는 터치패널용의 주위 배선 등의 도전 패턴의 제조를 위해서 바람직하게 이용할 수 있다.
1 : 최대 선폭
2 : 최소 선폭
A : 투광 패턴
B : L/S=20/20의 포토마스크를 이용하여 제작한 도전 패턴

Claims (6)

  1. 도전성 입자(A)와 불포화 이중결합을 갖는 화합물(B)과 광중합 개시제(C)와 1분자 중에 히드록시피리딘 골격을 갖는 화합물(D)을 함유하는 감광성 도전 페이스트.
  2. 제 1 항에 있어서,
    1분자 중에 히드록시피리딘 골격을 갖는 화합물(D)이 메틸올기를 갖는 감광성 도전 페이스트.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    1분자 중에 히드록시피리딘 골격을 갖는 화합물(D)의 함유량이 불포화 이중결합을 갖는 화합물(B) 100질량부에 대하여 0.3∼10질량부인 감광성 도전 페이스트.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    열경화성 수지(E)를 함유하는 감광성 도전 페이스트.
  5. 제 4 항에 있어서,
    열경화성 수지(E)가 에폭시 당량 150∼500g/당량의 에폭시 수지인 감광성 도전 페이스트.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 기재된 감광성 도전 페이스트를 기판 상에 도포한 후에, 온도 100∼300℃에서 큐어하는 도전 패턴이 있는 기판의 제조 방법.
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