KR20170009459A - 포토 에칭형 도전 페이스트 조성물 및 이를 이용한 도전 패턴의 제조방법 - Google Patents

포토 에칭형 도전 페이스트 조성물 및 이를 이용한 도전 패턴의 제조방법 Download PDF

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파낙스 이텍(주)
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Abstract

본 발명은 불포화 이중 결합을 가지고 산가가 45~180mgKOH/g인 포토 에칭 성분, 광중합 개시제 도전성 물질 및 4관능기 이하의 모노머 또는 올리고머를 포함하는 포토 에칭형 도전 페이스트 조성물을 이용하여 도전 패턴을 제조할 때, 저온 경화 조건으로도 비저항율이 낮은 도전 패턴을 형성할 수 있으며, 뛰어난 포토 에칭 능력에 의해 미세 패터닝이 가능하다는 효과가 있다.

Description

포토 에칭형 도전 페이스트 조성물 및 이를 이용한 도전 패턴의 제조방법{Conductive Paste Composition for Photo-Etching and Method of Preparing Conductive Pattern Using the Same}
본 발명은 포토 에칭형 도전 페이스트 조성물 및 이를 이용한 도전 패턴의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 불포화 이중 결합을 가지고 산가가 45~180mgKOH/g인 포토 에칭 성분, 광중합 개시제, 도전성 물질 및 4관능기 이하의 모노머 또는 올리고머를 포함하는 포토 에칭형 도전 페이스트 조성물 및 이를 이용한 도전 패턴의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 도전 패턴은 바인더를 포함하는 유기 성분과 도전성 물질로 이루어진 무기 성분을 혼합하여 패터닝된 것을 말한다.
종래에는 유-무기 복합 도전 패턴을 형성하기 위해서는 바인더나 접착제에 은 플레이크나 구리 분말 또는 은 코팅 구리분말, 카본 등을 혼합한 도전 페이스트가 실용화되었다. 실용화되어 있는 도전 페이스트의 대부분은 스크린 인쇄법에 의해 패턴을 형성하고, 열경화에 의해 도전 패턴이 형성된다.
한편, 100㎛ 미만의 패턴에서 패턴 직진성이 향상시키기 위해서 포토 에칭형 도전 페이스트를 사용한다. 포토 에칭형 페이스트의 경우에는 고온소성타입이며, 글라스와 같은 기재가 사용되어 미세 패턴 형성에는 용이하지만 비교적 저온에서 도전성이 낮으면서 필름과 같은 플렉서블 기판에는 도전 패턴을 형성하기가 어렵다는 문제점이 있다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 일본등록특허 제2654066호는 은(Ag) 도전성 분체, 아미노 수지 및 에폭시 수지와 비닐폴리머와의 그래프트 중합체 중에 탄소수 4 이상의 알킬기를 가지는 알킬아크릴레이트를 주체로 하는 도전성 은 페이스트 수지를 개시하고 있으며, 일본공개특허 제2005-267859호는 X선 회절법에 의한 피크의 폭을 제한한 은가루와 분해개시온도 및 용해도를 한정한 금속 화합물을 배합한 도전성 필러를 개시하고 있다.
또한, 일본공개특허 제2003-162921호는 감광성의 도전 조성물에 에폭시 화합물 등의 열경화 성분을 배합하고 도전성 분말의 배랍량을 용제를 제외하는 조성물 중에 70~90중량%의 비율로 함으로써 소성하는 일 없이 열경화하는 도전 회로 형성용 광경화성 열강화성 도전 조성물을 개시하고 있다.
그러나 기존의 스크린 인쇄법으로는 100㎛ 미만의 패턴에서 우수한 직진성을 갖도록 형성하는 것은 어렵다는 문제점이 있었다.
이에, 본 발명자들은 상기 문제점을 해결하기 위하여 예의 노력한 결과, 불포화 이중 결합을 가지고 산가가 45~180mgKOH/g인 포토 에칭 성분, 광중합 개시제, 도전성 물질 및 4관능기 이하의 모노머 또는 올리고머를 포함하는 포토 에칭형 도전 페이스트 조성물을 사용할 경우 미세 패터닝이 가능한 저온 경화에도 도전성이 나타나며, 유연성을 가진 플렉서블 기판에서 도전 패턴의 제작이 가능하다는 것을 확인하고, 본 발명을 완성하게 되었다.
본 발명의 목적은 고온소성타입인 종래의 포토 에칭형 페이스트의 단점을 개선하여 미세 패터닝이 가능한 저온 경화에도 도전성이 나타나며, 유연성을 가진 플렉서블 기판에서 도전 패턴의 제작이 가능한 포토 에칭형 도전 페이스트 조성물을 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 (A) 불포화 이중 결합을 가지고 산가가 45~180mgKOH/g인 포토 에칭 성분; (B) 광중합 개시제; (C) 도전성 물질; 및 (D) 4관능기 이하의 모노머 또는 올리고머를 포함하는 포토 에칭형 도전 페이스트 조성물을 제공한다.
본 발명은 또한 상기한 포토 에칭형 도전 페이스트 조성물을 기판 상에 도포, 건조, 노광 및 현상한 후에 100~270℃의 온도에서 경화시키는 것을 특징으로 하는 도전 패턴의 제조방법을 제공한다.
본 발명에 따르면, 저온 경화 조건으로도 비저항율이 낮은 도전 패턴을 형성할 수 있으며, 뛰어난 포토 에칭 능력에 의해 미세 패터닝이 가능하다는 효과를 가진다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 비저항률 측정용 도전 패턴 시편이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 부착력 평가용 도전 패턴 시펀이다.
달리 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용된 모든 기술적 및 과학적 용어들은 본 발명이 속하는 기술분야에서 숙련된 전문가에 의해서 통상적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 일반적으로, 본 명세서에서 사용된 명명법 및 이하에 기술하는 실험 방법은 본 기술분야에서 잘 알려져 있고 통상적으로 사용되는 것이다.
본 발명자들은 상기 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 예의 연구를 거듭한 결과, 불포화 이중 결합을 가지고 산가가 45~180mgKOH/g인 포토 에칭 성분, 광중합 개시제, 도전성 물질 및 4관능기 이하의 모노머 또는 올리고머를 포함하는 포토 에칭형 도전 페이스트 조성물을 사용할 경우 저온 경화 조건으로도 비저항율이 낮은 도전 패턴을 형성할 수 있으며, 뛰어난 포토 에칭 능력에 의해 미세 패터닝이 가능하다는 것을 확인하였다.
따라서, 본 발명은 일 관점에서 (A) 불포화 이중 결합을 가지고 산가가 45~180mgKOH/g인 포토 에칭 성분; (B) 광중합 개시제; (C) 도전성 물질; 및 (D) 4관능기 이하의 모노머 또는 올리고머를 포함하는 포토 에칭형 도전 페이스트 조성물에 관한 것이다.
본 발명의 포토 에칭형 도전 페이스트 조성물은 다음의 조성을 가진다.
본 발명의 포토 에칭형 도전 페이스트 조성물은 (A) 불포화 이중 결합을 가지고 산가가 45~180mgKOH/g인 포토 에칭 성분; (B) 광중합 개시제; (C) 도전성 물질; 및 (D) 4관능기 이하의 모노머 또는 올리고머를 포함한다. 또한, 바람직하게는 불포화 이중 결합을 가지면서 산가가 45~180mgKOH/g인 포토 에칭 성분, 모노머 또는 올리고머 단독 또는 혼합물, 광중합 개시제 단독 또는 혼합, 도전성 물질, 4관능기 이하의 모노머 또는 올리고머 및 패턴 조절용 첨가제를 포함한다.
(A) 포토 에칭 성분
본 발명의 포토 에칭형 도전 페이스트 조성물은 불포화 이중 결합을 가지고 산가가 45~180mgKOH/g의 범위의 포토 에칭 성분을 포함한다. 상기 포토 에칭 성분은 바람직하게는 유리 전이 온도가 -10~40℃의 범위이며, 분자량이 5,000~50,000의 범위일 수 있다.
본 발명의 포토 에칭 도전 페이스트 조성물은 불포화 이중 결합을 가지는 산가가 45~180mgKOH/g의 포토 에칭 성분에 1종 또는 혼합 형태의 모노머 또는 올리고머를 추가로 포함할 수 있다. 상기 올리고머는 4관능기 이하가 바람직하다.
본 발명의 포토 에칭 도전 페이스트 조성물은 불포화 이중 결합을 갖고 산가가 45~180㎎KOH/g의 범위의 포토 에칭 성분은 분자 내에 적어도 1개 이상의 불포화 이중 결합을 갖는 모노머, 올리고머 또는 폴리머인 것을 말하고, 1종 또는 2종 이상 사용할 수 있다.
상기 포토 에칭 성분의 구체예로서는 아크릴계 모노머, 아크릴계 올리고머, 아크릴계 폴리머 또는 아크릴계 모노머와 불포화 카복실산의 코폴리머일 수 있다.
바람직한 포토 에칭 성분으로 아크릴계 공중합체가 예시된다.
아크릴계 공중합체란 공중합 성분에 적어도 아크릴계 모노머를 포함하는 공중합체이며, 아크릴계 모노머의 구체예로서는 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 모든 화합물이 사용 가능하지만, 바람직하게는 메틸아크릴레이트, 아크릴산, 아크릴산 2-에틸헥실, 메타크릴산 에틸, n-부틸아크릴레이트, iso-부틸아크릴레이트, iso-프로판아크릴레이트, 글리시딜아크릴레이트, N-메톡시메틸아크릴아미드, N-에톡시메틸아크릴아미드, N-n-부톡시메틸아크릴아미드, N-이소부톡시메틸아크릴아미드, 부톡시트리에틸렌글리콜아크릴레이트, 디시클로펜타닐아크릴레이트, 디시클로펜테닐아크릴레이트, 2-히드록시에틸아크릴레이트, 이소보르닐아크릴레이트, 2-히드록시프로필아크릴레이트, 이소덱실아크릴레이트, 이소옥틸아크릴레이트, 라우릴아크릴레이트, 2-메톡시에틸아크릴레이트, 메톡시에틸렌글리콜아크릴레이트, 메톡시디에틸렌글리콜아크릴레이트, 옥타플루오로펜틸아크릴레이트, 페녹시에틸아크릴레이트, 스테아릴아크릴레이트, 트리플루오로에틸아크릴레이트, 아크릴아미드, 아미노에틸아크릴레이트, 페닐아크릴레이트, 페녹시에틸아크릴레이트, 1-나프틸아크릴레이트, 2-나프틸아크릴레이트, 티오페놀아크릴레이트, 벤질메르캅탄아크릴레이트 등의 아크릴계 모노머 및 이들 아크릴레이트를 메타크릴레이트로 바꾼 것이나 스티렌, p-메틸스티렌, o-메틸스티렌, m-메틸스티렌, α-메틸스티렌, 클로로메틸스티렌, 히드록시메틸스티렌 등의 스티렌류, γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 1-비닐-2-피롤리돈, 알릴화 시클로헥실디아크릴레이트, 1,4-부탄디올디아크릴레이트, 1,3-부틸렌글리콜디아크릴레이트, 에틸렌글리콜디아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라아크릴레이트, 디펜타에리스리톨모노히드록시펜타아크릴레이트, 디트리메틸올프로판테트라아크릴레이트, 글리세롤디아크릴레이트, 메톡시화 시클로헥실디아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디아크릴레이트, 프로필렌글리콜디아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜디아크릴레이트, 트리글리세롤디아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 그리고 비스페놀 A 디아크릴레이트, 비스페놀 F 디아크릴레이트, 비스페놀 A-에틸렌옥사이드 부가물의 디아크릴레이트, 비스페놀 F-에틸렌옥사이드 부가물의 디아크릴레이트, 비스페놀 A-프로필렌옥사이드 부가물의 디아크릴레이트 등의 에폭시아크릴레이트, 또는 상기 화합물의 아크릴기를 일부 또는 모든 메타크릴기로 바꾼 화합물 등이 예시된다.
또한, 아크릴계 공중합체에 알칼리 가용성을 부여하기 위해서는 모노머로서 불포화 카르복실산 등의 불포화산을 이용함으로써 달성된다. 불포화산의 구체적인 예로서는 아크릴산, 메타크릴산, 이타콘산, 크로톤산, 말레산, 푸마르산, 아세트산 비닐, 또는 이것들의 산 무수물 등이 예시된다. 이것들을 분자쇄에 부여함으로써 폴리머의 산가를 조정할 수 있다.
또한, 상술의 불포화 카르복실산 등의 불포화산을 모노머로서 사용하여 얻어진 아크릴 폴리머 중의 불포화산의 일부와, 글리시딜(메타)아크릴레이트 등의 불포화산과 반응하는 기와 불포화 이중 결합을 갖는 기의 양쪽을 갖는 화합물을 반응시킴으로써 얻어지는, 측쇄에 반응성의 불포화 이중 결합을 갖는 알칼리 가용성 폴리머를 제작할 수 있다.
본 발명의 포토 에칭형 도전 페이스트 조성물에 포함되는 포토 에칭 성분의 산가는 알칼리 가용성이라는 관점에서 45~180㎎KOH/g일 필요가 있다. 산가가 45㎎KOH/g 미만이면 가용 부분의 현상액에 대한 용해성이 저하되는 문제가 있고, 반면에 산가가 180㎎KOH/g을 초과하면 현상 허용폭을 넓게 할 수 없다.
본 발명의 포토 에칭 성분의 유리 전이 온도(Tg)는 -10~40℃인 것이 바람직하고, 0~40℃인 것이 보다 바람직하다. Tg가 -10℃ 이상이면 건조막의 점착(tack)성을 억제할 수 있고, 온도 변화에 대한 형상 안정성이 높아진다. 또한, Tg가 40℃ 이하이면 실온에 있어서 굴곡성을 발현하고, 굴곡시의 내부 응력을 완화할 수 있어 특히 크랙의 발생을 억제할 수 있다.
(B) 광중합 개시제
본 발명의 포토 에칭형 도전 페이스트 조성물에 포함되는 광중합 개시제란 자외선 등의 단파장의 광을 흡수해서 분해되고, 라디칼을 생성하는 화합물이나 수소 인발 반응을 일으켜서 라디칼을 생성하는 화합물을 말한다.
상기 광중합 개시제의 구체예로서는 1,2-옥탄디온, 1-[4-(페닐티오)-2-(O-벤조일옥심)], 2,4,6-트리메틸벤조일-디페닐-포스핀옥사이드, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥사이드, 에탄온, 1-[9-에틸-6-2(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-1-(O-아세틸옥심), 벤조페논, o-벤조일벤조산 메틸, 4,4'-비스(디메틸아미노)벤조페논, 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논, 4,4'-디클로로벤조페논, 4-벤조일-4'-메틸디페닐케톤, 디벤질케톤, 플루오레논, 2,2'-디에톡시아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2-히드록시-2 -메틸프로피오페논, p-t-부틸디클로로아세토페논, 티옥산톤, 2-메틸티옥산톤, 2- 클로로티옥산톤, 2-이소프로필티옥산톤, 디에틸티옥산톤, 벤질, 벤질디메틸케탈, 벤질-β-메톡시에틸아세탈, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인부틸에테르, 안트라퀴논, 2-t-부틸안트라퀴논, 2-아밀안트라퀴논, β-클로로안트라퀴논, 안트론, 벤즈안트론, 디벤조수베론, 메틸렌안트론, 4-아지도벤잘아세토페논, 2,6-비스(p-아지도벤질리덴)시클로헥사논, 6-비스(p-아지도벤질리덴)-4-메틸시클로헥사논, 1-페닐-1,2-부탄디온-2-(o-메톡시카르보닐)옥심, 1-페닐-프로판디온-2-(o-에톡시카르보닐)옥심, 1-페닐-프로판디온-2-(o-벤조일)옥심, 1,3-디페닐-프로판트리온-2-(o-에톡시카르보닐)옥심, 1-페닐-3-에톡시-프로판트리온-2-(o-벤조일)옥심, 미힐러케톤, 2-메틸-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노-1-프로판온, 나프탈렌술포닐클로라이드, 퀴놀린술포닐클로라이드, N-페닐티오아크리돈, 4,4'-아조비스이소부티로니트릴, 디페닐디술피드, 벤조티아졸디술피드, 트리페닐포스핀, 캠포퀴논, 2,4-디에틸티옥산톤, 이소프로필티옥산톤, 사브롬화 탄소, 트리브로모페닐술폰, 과산화 벤조인, 및 에오신, 메틸렌블루 등의 광 환원성 색소와 아스코르브산, 트리에탄올아민 등의 환원제의 조합 등이 예시되지만, 특별히 이것들에 한정되지 않는다.
상기 광중합 개시제의 첨가량으로서는 불포화 이중 결합을 갖고 산가가 45~180㎎KOH/g인 포토 에칭 성분 100중량부에 대해, 0.05~20중량부가 첨가되고, 바람직하게는 0.5~10중량부가 첨가된다. 상기 포토 에칭 성분 100중량부에 대한 광중합 개시제의 첨가량이 0.05중량부 이상일 때, 노광부의 경화 밀도가 증가하고, 현상 후의 잔막률을 높게 할 수 있다. 또한, 상기 포토 에칭 성분 100중량부에 대한 광중합 개시제의 첨가량이 20중량부 이하일 때, 광중합 개시제에 의한 도포막 상부에서의 과잉한 광흡수를 억제하여 도전 패턴이 역 테이퍼 형상이 되어 기재와의 접착성이 저하되는 것을 억제할 수 있다.
(C) 도전성 물질
본 발명의 포토 에칭형 도전 페이스트 조성물에 포함되는 도전성 물질은 Ag, AgCu, Au, Cu, Pt, Pb, Sn, Ni, Al, W, Mo, 산화루테늄, Cr, Ti, 및 인듐 중 적어도 1종을 포함할 수 있으며, 이들 도전성 필러를 단독, 합금, 또는 혼합 분말로써 사용할 수 있다.
또한, 상술의 성분으로 절연성 입자 또는 도전성 입자의 표면을 피막한 도전성 입자도 이용할 수 있다. 그 중에서도, 도전성의 관점에서 Ag, AgCu, Cu 또는 Au가 바람직하고, 비용, 안정성의 관점에서 Ag나 AgCu가 보다 바람직하다.
도전성 물질의 체적 평균 입자지름은 0.1~10㎛가 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.5~5㎛이다. 체적 평균 입자지름이 0.1㎛ 이상이면 도전성 필러끼리의 접촉 확률이 향상되고, 제작되는 도전 패턴의 비저항값 및 단선 확률을 낮출 수 있고, 또한 노광시의 자외선이 막 중을 원활하게 투과할 수 있어 미세 패터닝이 용이해진다. 또한, 체적 평균 입자지름이 10㎛ 이하이면 인쇄 후의 회로 패턴의 표면 평활도, 패턴 정밀도, 치수 정밀도가 향상된다. 체적 평균 입자지름은 콜터 카운터법, 광자 상관법 및 레이저 회절법 등에 의해 구할 수 있다.
상기 도전성 물질의 첨가량은 포토 에칭형 도전 페이스트 조성물 중의 전체 고형분에 대해 70~95중량%의 범위 내인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 80~90중량%이다. 70중량% 이상으로 함으로써, 특히 경화시의 경화 수축에 있어서의 도전성 필러끼리의 접촉 확률이 향상되고, 제작되는 도전 패턴의 비저항값 및 단선 확률을 낮출 수 있다. 또한, 95중량% 이하로 함으로써 특히 노광시의 자외선이 막 중을 원활하게 투과할 수 있어 미세한 패터닝이 용이해진다. 여기서 고형분이란 포토 에칭형 도전 페이스트 조성물로부터 용매를 제거한 것이다.
(D) 4관능기 이하의 모노머 또는 올리고머
본 발명의 포토 에칭형 도전 페이스트 조성물에 포함되는 모노머는 메틸아크릴레이트, 아크릴산, 아크릴산 2-에틸헥실, 메타크릴산 에틸, n-부틸아크릴레이트, iso-부틸아크릴레이트, iso-프로판아크릴레이트, 글리시딜아크릴레이트, N-메톡시메틸아크릴아미드, N-에톡시메틸아크릴아미드, N-n-부톡시메틸아크릴아미드, N-이소부톡시메틸아크릴아미드, 부톡시트리에틸렌글리콜아크릴레이트, 디시클로펜타닐아크릴레이트, 디시클로펜테닐아크릴레이트, 2-히드록시에틸아크릴레이트, 이소보르닐아크릴레이트, 2-히드록시프로필아크릴레이트, 이소덱실아크릴레이트, 이소옥틸아크릴레이트, 라우릴아크릴레이트, 2-메톡시에틸아크릴레이트, 메톡시에틸렌글리콜아크릴레이트, 메톡시디에틸렌글리콜아크릴레이트, 옥타플루오로펜틸아크릴레이트, 페녹시에틸아크릴레이트, 스테아릴아크릴레이트, 트리플루오로에틸아크릴레이트, 아크릴아미드, 아미노에틸아크릴레이트, 페닐아크릴레이트, 페녹시에틸아크릴레이트, 1-나프틸아크릴레이트, 2-나프틸아크릴레이트, 티오페놀아크릴레이트, 벤질메르캅탄아크릴레이트, 스티렌, p-메틸스티렌, o-메틸스티렌, m-메틸스티렌, α-메틸스티렌, 클로로메틸스티렌, 히드록시메틸스티렌, γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 1-비닐-2-피롤리돈, 알릴화 시클로헥실디아크릴레이트, 1,4-부탄디올디아크릴레이트, 1,3-부틸렌글리콜디아크릴레이트, 에틸렌글리콜디아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 디펜타에리스리톨펜타아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라아크릴레이트, 디펜타에리스리톨모노히드록시펜타아크릴레이트, 디트리메틸올프로판테트라아크릴레이트, 글리세롤디아크릴레이트, 메톡시화 시클로헥실디아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디아크릴레이트, 프로필렌글리콜디아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜디아크릴레이트, 트리글리세롤디아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 비스페놀 A 디아크릴레이트, 비스페놀 F 디아크릴레이트, 비스페놀 A-에틸렌옥사이드 부가물의 디아크릴레이트, 비스페놀 F-에틸렌옥사이드 부가물의 디아크릴레이트 및 비스페놀 A-프로필렌옥사이드 부가물의 디아크릴레이트로 구성된 군에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, 상기 4관능기 이하의 올리고머는 바람직하게는 2 내지 4관능기의 올리고머로서, 상기 모노머들의 결합으로 생성될 수 있다. 4관능기를 초과하는 경우, 가교결합(cross-link)이 과하게 이루어져 저항이 올라가거나 막부착력이 떨어지는 문제점이 있다.
본 발명의 포토 에칭 도전 페이스트 조성물은 30㎛ 이하의 선간/선폭을 구현하기 위해 패턴 조절용 첨가제를 사용하는 것이 바람직하다.
본 발명의 포토 에칭 도전 페이스트는 광중합 개시제와 함께 증감제를 첨가하여 감도를 향상시키거나, 반응에 유효한 파장 범위를 확대시킬 수 있다.
증감제의 구체예로서는 2,4-디에틸티옥산톤, 이소프로필티옥산톤, 2,3-비스(4-디에틸아미노벤잘)시클로펜타논, 2,6-비스(4-디메틸아미노벤잘)시클로 헥사논, 2,6-비스(4-디메틸아미노벤잘)-4-메틸시클로헥사논, 미힐러케톤, 4,4-비스(디에틸아미노)벤조페논, 4,4-비스(디메틸아미노)칼콘, 4,4-비스(디에틸아미노)칼콘, p-디메틸아미노신나밀리덴인단온, p-디메틸아미노벤질리덴인단온, 2-(p-디메틸아미노페닐비닐렌)이소나프토티아졸, 1,3-비스(4-디메틸아미노페닐비닐렌)이소나프토티아졸, 1,3-비스(4-디메틸아미노벤잘)아세톤, 1,3-카르보닐비스(4-디에틸아미노벤잘)아세톤, 3,3-카르보닐비스(7-디에틸아미노쿠마린), N-페닐-N-에틸에탄올아민, N-페닐에탄올아민, N-톨릴디에탄올아민, 디메틸아미노벤조산 이소아밀, 디에틸아미노벤조산 이소아밀, 3-페닐-5-벤조일티오테트라졸, 1-페닐-5-에톡시카르보닐티오테트라졸 등이 예시된다. 본 발명에서는 이들을 1종 또는 2종 이상 사용할 수 있다.
증감제를 본 발명의 포토 에칭형 도전 페이스트 조성물에 첨가하는 경우, 그 첨가량은 불포화 이중 결합을 갖고 산가가 45~180㎎KOH/g인 포토 에칭 성분 100중량부에 대해서 통상 0.05~10중량부의 범위 내인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.1~5중량부이다. 포토 에칭 성분 100중량부에 대한 첨가량이 0.05중량부 이상일 때, 광감도를 향상시키는 효과가 충분히 발휘되기 쉽고, 포토 에칭 성분 100중량부에 대한 첨가량이 10중량부 이하일 때, 도포막 상부에서의 과잉한 광흡수가 일어나 도전 패턴이 역 테이퍼 형상이 되어 기재와의 접착성이 저하되는 것을 억제할 수 있다.
본 발명의 포토 에칭형 도전 페이스트 조성물은 용제를 함유해도 좋다. 용제로서는 N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디메틸포름아미드, N-메틸-2-피롤리돈, 디메틸이미다졸리디논, 디메틸술폭시드, γ-부티로락톤, 락트산 에틸, 1-메톡시-2-프로판올, 1-에톡시-2-프로판올, 에틸렌글리콜모노-n-프로필에테르, 디아세톤알코올, 테트라히드로푸르푸릴알코올, 텍산올, 부틸카비톨, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 등이 예시된다. 용제는 1종을 단독으로 사용하거나 2종 이상을 혼합해서 사용할 수 있다. 용제는 페이스트 제작 후, 점도 조정을 목적으로 이후에 첨가해도 상관없다.
본 발명의 포토 에칭형 도전 페이스트 조성물은 그 소망하는 특성을 손상하지 않는 범위이면 분자 내에 불포화 이중 결합을 갖지 않는 비감광성 폴리머, 가소제, 레벨링제, 계면활성제, 실란 커플링제, 소포제, 안료 등의 첨가제를 배합할 수도 있다. 비감광성 폴리머의 구체예로서는 에폭시 수지, 노볼락 수지, 페놀 수지, 폴리이미드 전구체, 기폐환 폴리이미드 등이 예시된다.
가소제의 구체예로서는 디부틸프탈레이트, 디옥틸프탈레이트, 폴리에틸렌글리콜, 글리세린 등이 예시된다. 레벨링제의 구체예로서는 특수 비닐계 중합물, 특수 아크릴계 중합물 등이 예시된다.
실란 커플링제로서는 메틸트리메톡시실란, 디메틸디에톡시실란, 페닐트리에톡시실란, 헥사메틸디실라잔, 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-글리시드옥시프로필트리메톡시실란, 비닐트리메톡시실란 등이 예시된다.
본 발명의 포토 에칭형 도전 페이스트 조성물은 분산기, 혼련기 등을 이용하여 제작된다. 이것들의 구체예로서는 삼단 롤러, 볼밀, 유성식 볼밀 등이 예시되지만, 이것들에 한정되지 않는다.
상기와 같이, 본 발명의 포토 에칭형 도전 페이스트 조성물은 불포화 이중 결합을 갖고 산가가 45~180㎎KOH/g인 포토 에칭 성분, 모노머 또는 올리고머 단독 또는 혼합물, 광중합 개시제 단독 또는 혼합물, 도전성 물질, 4관능기 이하의 모노머 또는 올리고머, 패턴 조절용 첨가제를 혼합하여 분산시킨 것이다.
상기 페이스트 조성물을 기판 상에 도포하고, 필요에 따라 건조시켜서 용매를 제거한 후, 노광, 현상, 100~270℃의 온도에서의 경화 공정을 거침으로써 기판 상에 소망하는 도전 패턴을 얻을 수 있는 포토 에칭형 도전 페이스트이다. 본 발명의 페이스트를 사용하여 얻어진 도전 패턴은 유기 성분과 무기 성분의 복합물로 되어 있고, 도전성 물질 간의 경화시의 경화 수축에 의해 서로 접촉함으로써 도전성이 발현된다.
또한, 본 발명은 다른 관점에서 상기한 포토 에칭형 도전 페이스트 조성물을 기판 상에 도포, 건조, 노광 및 현상한 후에 100~270℃의 온도에서 경화시키는 것을 특징으로 하는 도전 패턴의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 포토 에칭형 도전 페이스트 조성물을 사용한 도전 패턴의 제조방법에 대해서 하기에 설명한다.
도전 패턴을 제작하기 위해서는 본 발명의 페이스트 조성물을 기판 상에 도포하고, 가열하여 용제를 휘발시켜 건조한다. 그 후, 패턴 형성용 마스크를 통해 노광하고 현상 공정을 거침으로써 기판 상에 소망하는 패턴을 형성한다. 그리고, 100~270℃의 온도에서 경화하여 도전 패턴을 제작한다. 경화 온도는 바람직하게는 110~160℃이다. 가열온도를 100℃ 미만으로 하면 수지의 체적 수축량을 크게 할 수 없어 비저항률을 작게 할 수 없다. 한편, 가열온도가 270℃를 초과하면 내열성이 낮은 기판 상에 사용할 수는 없어 내열성이 낮은 재료와 병용해서 사용할 수 없다.
본 발명에서 사용되는 기판은, 예를 들면 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(PET 필름), 폴리이미드 필름, 폴리에스테르 필름, 아라미드 필름, 에폭시 수지 기판, 폴리에테르이미드 수지 기판, 폴리에테르케톤 수지기판, 폴리술폰계 수지 기판, 유리 기판, 규소 웨이퍼, 알루미나 기판, 질화 알루미늄 기판, 탄화 규소 기판 등이 예시되지만, 이것들에 한정되지 않는다.
본 발명의 포토 에칭형 도전 페이스트 조성물을 기판에 도포하는 방법으로서는 스피너를 이용한 회전 도포, 스프레이 도포, 롤 코팅, 스크린 인쇄, 블레이드 코터, 다이 코터, 캘린더 코터, 메니스커즈 코터, 바 코터 등의 방법이 있다.
또한, 도포막 두께는 도포 방법, 조성물의 고형분 농도, 점도 등에 따라서 다르지만, 통상 건조 후의 막두께가 0.1~50㎛의 범위 내가 되도록 도포된다.
이어서, 기판 상에 도포된 도포막으로부터 용제를 제거한다. 용제를 제거하는 방법으로서는, 오븐, 핫플레이트, 적외선 등에 의한 가열 건조나 진공 건조 등이 예시된다. 가열 건조는 50~180℃의 범위에서 1분~수 시간 행하는 것이 바람직하다.
용제 제거 후의 도포막 상에 포토리소그래피법에 의해 패턴 가공을 행한다. 노광에 사용되는 광원으로서는 수은등의 i선(365㎚), h선(405㎚), g선(436㎚)을 이용하는 것이 바람직하다.
노광 후, 현상액을 사용하여 미노광부를 제거함으로써 소망하는 패턴이 얻어진다. 알칼리 현상을 행하는 경우의 현상액으로서는 수산화테트라메틸암모늄, 디에탄올아민, 디에틸아미노에탄올, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산 나트륨, 탄산 칼륨, 트리에틸아민, 디에틸아민, 메틸아민, 디메틸아민, 아세트산 디메틸아미노에틸, 디메틸아미노에탄올, 디메틸아미노에틸메타크릴레이트, 시클로헥실아민, 에틸렌디아민, 헥사메틸렌디아민 등의 화합물의 수용액이 바람직하다. 또한, 경우에 따라서는 이들 수용액에 N-메틸-2-피롤리돈, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, 디메틸술폭시드, γ-부티로락톤 등의 극성 용매, 메탄올, 에탄올, 이소프로판올 등의 알코올류, 락트산 에틸, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 등의 에스테르류, 시클로펜타논, 시클로헥사논, 이소부틸케톤, 메틸이소부틸케톤 등의 케톤류 등을 단독 또는 복수종 첨가한 것을 현상액으로서 사용해도 좋다. 또한, 이들 알칼리 수용액에 계면활성제를 첨가한 것을 현상액으로서 사용할 수도 있다. 유기 현상을 행하는 경우의 현상액으로서는 N-메틸-2-피롤리돈, N-아세틸-2-피롤리돈, N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디메틸포름아미드, 디메틸술폭시드, 헥사메틸포스포르트리아미드 등의 극성 용매를 단독, 또는 메탄올, 에탄올, 이소프로필알코올, 크실렌, 물, 메틸카르비톨, 에틸카르비톨 등과 조합한 혼합 용액이 사용될 수 있다.
현상은 기판을 정치 또는 회전시키면서 상기 현상액을 도포막 면에 스프레이하고, 기판을 현상액 중에 침지하고, 또는 침지하면서 초음파를 가하는 등의 방법에 의해서 행할 수 있다.
현상 후, 물에 의한 린스 처리를 실시해도 좋다. 여기에서도 에탄올, 이소프로필알코올 등의 알코올류, 락트산에틸, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 등의 에스테르류 등을 물에 첨가하여 린스 처리를 해도 좋다.
이어서, 도전성을 발현시키기 위해서 페이스트 조성물막을 경화한다. 경화하는 방법으로서는 오븐, 이너트 오븐, 핫 플레이트, 적외선 등에 의한 가열 건조나 진공 건조 등이 예시된다. 이와 같이, 경화 공정을 거쳐 도전 패턴을 제작할 수 있다.
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하고자 한다. 이들 실시예는 오로지 본 발명을 예시하기 위한 것으로, 본 발명의 범위가 이들 실시예에 의해 제한되는 것으로 해석되지 않는 것은 당업계에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어서 자명할 것이다.
[실시예]
실시예 및 비교예에서 이용한 재료 및 평가 방법은 이하와 같다.
(A) 불포화 이중 결합을 가지면서 산가가 45~180 mgKOH /g 포토 에칭 성분
산가는 99.30mgKOH/g, 고형분은 47%, 점도는 67,000인 아크릴레이트
(B) 광중합 개시제
IRGACURE 369(바스프 제)
(C) 도전성 필러
표 1에 기재한 재료, 평균 입자지름의 것을 사용했다.
(D) 4관능기 이하의 모노머 또는 올리고머
- PETIA(에스케이싸이텍 제): 펜타에리스리톨트리아크릴레이트(Penta Erythritol Triacylate)와 펜타에리스리톨테트라아크릴레이트(Penta Erythritol Tetraacylate)의 혼합물
- TMPTA(에스케이싸이텍 제): 트리메틸올프로판트리아크릴레이트(TrimethylolPropane Triacrylate)
- DPHA(에스케이싸이텍 제): 디펜타에리스리톨펜타아크릴레이트(Dipentaerythritol Pentaacrylate)와 디펜타에리스리톨헥사아크릴레이트(Dipentaerythritol Hexaacrylate)의 혼합물
용제
2,2,4-Trimetyl-1,3-Pentanediol-Monoisobutyrate(시그마 제)
<패터닝성의 평가 방법>
PET 필름 상에 포토 에칭형 도전 페이스트 조성물을 건조 두께가 6㎛가 되도록 도포, 100℃의 건조 오븐 내에서 4분간 건조하여 일정한 선폭/선간으로 배열하는 직선군을 하나의 유닛으로 하고, 선폭/선간의 값이 다른 4종류의 유닛을 갖는 투광 패턴을 갖는 포토마스크를 통해서 노광, 현상하고, 그 후 140℃에서 30분 건조 오븐 내에서 경화함으로써 도전 패턴을 얻었다. 각 유닛의 선폭/선간의 값은 50/50, 30/30, 20/20, 10/10로 했다(각각 선폭(㎛)/선간(㎛)을 나타냄). 패턴을 광학 현미경에 의해 관찰하여 패턴 사이에 잔사가 없고 또한 패턴 박리가 없는 최소의 선폭/선간의 값을 갖는 패턴을 확인하고, 이 최소의 선폭/선간의 값을 현상 가능한 선폭/선간으로 했다.
<비저항 평가 방법>
100℃의 건조 오븐 내에서 4분간 건조하고, 도 1에 나타내는 패턴의 투광부 A를 갖는 포토마스크를 통해서 노광하고, 현상하고, 그 후 140℃에서 30분간 건조 오븐 내에서 경화함으로써 비저항률 측정용 도전성 패턴을 얻었다. 도전성 패턴의 라인 폭은 1㎜, 선 길이는 153㎜이다. 얻어진 패턴의 단부를 저저항계에 연결하여 선 저항값을 측정하고, 다음의 계산식에 적용시켜서 비저항률을 산출했다.
비저항=선저항값×두께×선폭/선 길이
또한, 막두께의 측정은 촉침식 단차계 "DektakXT"(BRUKER제)을 사용해서 행했다. 막두께의 측정은 랜덤으로 3개소의 위치에서 측정 하고, 그 3점의 평균값을 막두께로 했다. 측정은 2㎜, 주사 속도는 133.333㎛/sec로 했다. 선폭은 패턴을 광학현미경으로 랜덤으로 3개소의 위치를 관찰하고, 화상 데이터를 분석하여 얻어진 3점의 평균값을 선폭으로 했다.
<부착력 평가 방법>
100℃의 건조 오븐 내에서 4분간 건조하고, 도 1에 나타내는 패턴의 투광부 A를 갖는 포토마스크를 통해서 노광하고, 현상하고, 그 후 140℃에서 30분간 건조 오븐 내에서 경화함으로써 비저항률 측정용 도전성 패턴을 얻었다. 이 패턴 중 가로×세로, 2㎝×2㎝ 패턴에 Cross cutter를 이용하여 1㎜ 간격으로 100칸을 만들어 3M #610 테이프를 이용하여 부착력을 평가하였다.
실시예 1
150㎖ 클린 바틀에 포토 에칭 성분을 13.0g, 광중합 개시제 IRGACURE 369(바스프 제)를0.60g, 2,2,4-Trimetyl-1,3-Pentanediol-Monoisobutyrate 를 3.0g 넣고, ARE-310(THINKY 제)로 혼합해서 포토 에칭 수지 용액 16.6g을 얻었다.
얻은 포토 에칭 수지 용액 16.6g과 평균 입자지름 2㎛의 Ag 입자를 80g과 모노머를 혼합시키고, 삼단 롤러 EXAKT M-50I(EXAKT사제)를 사용해서 혼련하여 100g의 포토 에칭형 도전 페이스트 조성물을 얻었다.
얻은 페이스트를 스크린 인쇄로 두께 100㎛의 PET 필름 상에 도포하고, 건조 오븐에서 100℃, 4분간 건조했다. 그 후, 노광 장치 Exposer(3D PLUS제)를 사용하여 노광량 300mJ/㎠(파장 365㎚ 환산)으로 하드 콘택(hard contact) 노광을 행하고, 0.20% Na2CO3 용액으로 스핀 현상기(Spin Developer)를 이용하고 스핀현상을 행하고, 초순수로 린스 후 건조 오븐에서 140℃, 1시간 경화를 행했다. 패턴 가공된 도전 패턴의 막두께는 10㎛이었다. 도전 패턴의 선폭/선간 패턴을 광학 현미경에 의해 검토한 결과, 선폭/선간 20/20㎛까지 패턴간 잔사, 패턴 박리가 없이 양호하게 패턴 가공되어 있는 것을 확인했다. 그리고 도전 패턴의 비저항률을 측정한 결과 5.4×10-5Ωcm였다. 또한, 굴곡성에 대해서도 시험 후 크랙이나 단선 등이 생기지 않고 양호한 결과가 얻어졌다. 또한 부착력 평가를 진행하여 5B의 결과를 보였다.
실시예 2~ 실시예 3
표 1에 나타낸 조성의 포토 에칭형 도전 페이스트 조성물을 실시예 1과 동일한 방법으로 제조하고, 평가 결과를 표 2에 나타내었다.
비교예 1
표 1에 나타낸 조성의 포토 에칭형 도전 페이스트 조성물을 실시예 1과 동일한 방법으로 제조하고, 평가 결과를 표 2에 나타내었다.
본원 발명의 요건을 충족하는 실시예 1~실시예 3에서는 파인 패턴(fine pattern)을 형성할 수 있고, 또한 140℃에서의 경화에 의해서 저저항의 도전 패턴 및 5B의 부착력을 얻을 수 있었지만, 4관능기를 초과하는 6관능기의 모노머를 포함하는 비교예 1에서는 파인 패턴 및 저저항의 도전 패턴을 얻을 수 없었다.
실시예 1 실시예 2 실시예 3 비교예 1
포토 에칭 성분 13 12 14 13
광중합 개시제
IRGACURE 369		 0.6 0.6 0.6 0.6
2,2,4-Trimetyl-1,3-Pentanediol-Monoisobutyrate 3 3.4 2.6 3
Ag 2㎛ 80 80 80 80
모노머 PETIA 3.4 4 2.8
모노머 DPHA 3.4
실시예 1 실시예 2 실시예 3 비교예 1
경화조건 140℃×
30min		 140℃×
30min		 140℃×
30min		 140℃×
30min
기재 PET PET PET PET
현상 가능한 선폭/선간(㎛) 20/20 20/20 30/30 20/20
비저항률(Ωcm) 5.4×10-5 4.8×10-5 6.2×10-5 3.1×10-3
부착력 5B 5B 5B 4B
잔사유무 無 無 無 無
이상으로 본 발명 내용의 특정한 부분을 상세히 기술하였는바, 당업계의 통상의 지식을 가진 자에게 있어서 이러한 구체적 기술은 단지 바람직한 실시 양태일 뿐이며, 이에 의해 본 발명의 범위가 제한되는 것이 아닌 점은 명백할 것이다. 따라서, 본 발명의 실질적인 범위는 청구항들과 그것들의 등가물에 의하여 정의된다고 할 것이다.

Claims (13)

  1. 다음을 포함하는 포토 에칭형 도전 페이스트 조성물:
    (A) 불포화 이중 결합을 가지고 산가가 45~180mgKOH/g인 포토 에칭 성분;
    (B) 광중합 개시제;
    (C) 도전성 물질; 및
    (D) 4관능기 이하의 모노머 또는 올리고머.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 (A) 포토 에칭 성분은 분자 내에 적어도 1개 이상의 불포화 이중 결합을 갖는 모노머, 올리고머 또는 폴리머인 것을 특징으로 하는 특징으로 하는 포토 에칭형 도전 페이스트 조성물.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 (A) 포토 에칭 성분은 아크릴계 모노머, 아크릴계 올리고머, 아크릴계 폴리머 또는 아크릴계 모노머와 불포화 카복실산의 코폴리머인 것을 특징으로 하는 포토 에칭형 도전 페이스트 조성물.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 (A) 포토 에칭 성분의 유리전이온도는 -10~40℃이고 분자량은 5,000~50,000인 것을 특징으로 하는 포토 에칭형 도전 페이스트 조성물.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 아크릴계 모노머는 메틸아크릴레이트, 아크릴산, 아크릴산 2-에틸헥실, 메타크릴산 에틸, n-부틸아크릴레이트, iso-부틸아크릴레이트, iso-프로판아크릴레이트, 글리시딜아크릴레이트, N-메톡시메틸아크릴아미드, N-에톡시메틸아크릴아미드, N-n-부톡시메틸아크릴아미드, N-이소부톡시메틸아크릴아미드, 부톡시트리에틸렌글리콜아크릴레이트, 디시클로펜타닐아크릴레이트, 디시클로펜테닐아크릴레이트, 2-히드록시에틸아크릴레이트, 이소보르닐아크릴레이트, 2-히드록시프로필아크릴레이트, 이소덱실아크릴레이트, 이소옥틸아크릴레이트, 라우릴아크릴레이트, 2-메톡시에틸아크릴레이트, 메톡시에틸렌글리콜아크릴레이트, 메톡시디에틸렌글리콜아크릴레이트, 옥타플루오로펜틸아크릴레이트, 페녹시에틸아크릴레이트, 스테아릴아크릴레이트, 트리플루오로에틸아크릴레이트, 아크릴아미드, 아미노에틸아크릴레이트, 페닐아크릴레이트, 페녹시에틸아크릴레이트, 1-나프틸아크릴레이트, 2-나프틸아크릴레이트, 티오페놀아크릴레이트, 벤질메르캅탄아크릴레이트, 스티렌, p-메틸스티렌, o-메틸스티렌, m-메틸스티렌, α-메틸스티렌, 클로로메틸스티렌, 히드록시메틸스티렌, γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 1-비닐-2-피롤리돈, 알릴화 시클로헥실디아크릴레이트, 1,4-부탄디올디아크릴레이트, 1,3-부틸렌글리콜디아크릴레이트, 에틸렌글리콜디아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 디펜타에리스리톨펜타아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라아크릴레이트, 디펜타에리스리톨모노히드록시펜타아크릴레이트, 디트리메틸올프로판테트라아크릴레이트, 글리세롤디아크릴레이트, 메톡시화 시클로헥실디아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디아크릴레이트, 프로필렌글리콜디아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜디아크릴레이트, 트리글리세롤디아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 비스페놀 A 디아크릴레이트, 비스페놀 F 디아크릴레이트, 비스페놀 A-에틸렌옥사이드 부가물의 디아크릴레이트, 비스페놀 F-에틸렌옥사이드 부가물의 디아크릴레이트 및 비스페놀 A-프로필렌옥사이드 부가물의 디아크릴레이트로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 포토 에칭형 도전 페이스트 조성물.
  6. 제3항에 있어서,
    상기 (B) 광중합 개시제는 1,2-옥탄디온, 1-[4-(페닐티오)-2-(O-벤조일옥심)], 2,4,6-트리메틸벤조일-디페닐-포스핀옥사이드, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥사이드, 에탄온, 1-[9-에틸-6-2(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-1-(O-아세틸옥심), 벤조페논, o-벤조일벤조산 메틸, 4,4'-비스(디메틸아미노)벤조페논, 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논, 4,4'-디클로로벤조페논, 4-벤조일-4'-메틸디페닐케톤, 디벤질케톤, 플루오레논, 2,2'-디에톡시아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2-히드록시-2 -메틸프로피오페논, p-t-부틸디클로로아세토페논, 티옥산톤, 2-메틸티옥산톤, 2-클로로티옥산톤, 2-이소프로필티옥산톤, 디에틸티옥산톤, 벤질, 벤질디메틸케탈, 벤질-β-메톡시에틸아세탈, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인부틸에테르, 안트라퀴논, 2-t-부틸안트라퀴논, 2-아밀안트라퀴논, β-클로로안트라퀴논, 안트론, 벤즈안트론, 디벤조수베론, 메틸렌안트론, 4-아지도벤잘아세토페논, 2,6-비스(p-아지도벤질리덴)시클로헥사논, 6-비스(p-아지도벤질리덴)-4-메틸시클로헥사논, 1-페닐-1,2-부탄디온-2-(o-메톡시카르보닐)옥심, 1-페닐-프로판디온-2-(o-에톡시카르보닐)옥심, 1-페닐-프로판디온-2-(o-벤조일)옥심, 1,3-디페닐-프로판트리온-2-(o-에톡시카르보닐)옥심, 1-페닐-3-에톡시-프로판트리온-2-(o-벤조일)옥심, 미힐러케톤, 2-메틸-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노-1-프로판온, 나프탈렌술포닐클로라이드, 퀴놀린술포닐클로라이드, N-페닐티오아크리돈, 4,4'-아조비스이소부티로니트릴, 디페닐디술피드, 벤조티아졸디술피드, 트리페닐포스핀, 캠포퀴논, 2,4-디에틸티옥산톤, 이소프로필티옥산톤, 사브롬화 탄소, 트리브로모페닐술폰, 과산화 벤조인, 에오신 및 메틸렌블루로 구성된 군에서 선택된 광환원성 색소; 또는 아스코르브산 및 트리에탄올아민으로 구성된 군에서 선택되는 환원제인 것을 특징으로 하는 포토 에칭형 도전 페이스트 조성물.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 (B) 광중합 개시제의 첨가량은 상기 (A) 포토 에칭 성분 100중량부에 대하여 0.05~20중량부인 것을 특징으로 하는 포토 에칭형 도전 페이스트 조성물.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 (C) 도전성 물질의 체적 평균 입자지름은 0.1~10㎛인 것을 특징으로 하는 포토 에칭형 도전 페이스트 조성물.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 (C) 도전성 물질은 Ag, AgCu, Au, Cu, Pt, Pb, Sn, Ni, Al, W, Mo, 산화루테늄, Cr, Ti 및 인듐으로 구성된 군에서 1종 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 포토 에칭형 도전 페이스트 조성물.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 (C) 도전성 물질은 포토 에칭형 페이스트 조성물 중의 전체 고형분에 대하여 70~95중량%인 것을 특징으로 하는 포토 에칭형 도전 페이스트 조성물.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 (D) 모노머는 메틸아크릴레이트, 아크릴산, 아크릴산 2-에틸헥실, 메타크릴산 에틸, n-부틸아크릴레이트, iso-부틸아크릴레이트, iso-프로판아크릴레이트, 글리시딜아크릴레이트, N-메톡시메틸아크릴아미드, N-에톡시메틸아크릴아미드, N-n-부톡시메틸아크릴아미드, N-이소부톡시메틸아크릴아미드, 부톡시트리에틸렌글리콜아크릴레이트, 디시클로펜타닐아크릴레이트, 디시클로펜테닐아크릴레이트, 2-히드록시에틸아크릴레이트, 이소보르닐아크릴레이트, 2-히드록시프로필아크릴레이트, 이소덱실아크릴레이트, 이소옥틸아크릴레이트, 라우릴아크릴레이트, 2-메톡시에틸아크릴레이트, 메톡시에틸렌글리콜아크릴레이트, 메톡시디에틸렌글리콜아크릴레이트, 옥타플루오로펜틸아크릴레이트, 페녹시에틸아크릴레이트, 스테아릴아크릴레이트, 트리플루오로에틸아크릴레이트, 아크릴아미드, 아미노에틸아크릴레이트, 페닐아크릴레이트, 페녹시에틸아크릴레이트, 1-나프틸아크릴레이트, 2-나프틸아크릴레이트, 티오페놀아크릴레이트, 벤질메르캅탄아크릴레이트, 스티렌, p-메틸스티렌, o-메틸스티렌, m-메틸스티렌, α-메틸스티렌, 클로로메틸스티렌, 히드록시메틸스티렌, γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 1-비닐-2-피롤리돈, 알릴화 시클로헥실디아크릴레이트, 1,4-부탄디올디아크릴레이트, 1,3-부틸렌글리콜디아크릴레이트, 에틸렌글리콜디아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 디펜타에리스리톨펜타아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라아크릴레이트, 디펜타에리스리톨모노히드록시펜타아크릴레이트, 디트리메틸올프로판테트라아크릴레이트, 글리세롤디아크릴레이트, 메톡시화 시클로헥실디아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디아크릴레이트, 프로필렌글리콜디아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜디아크릴레이트, 트리글리세롤디아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 비스페놀 A 디아크릴레이트, 비스페놀 F 디아크릴레이트, 비스페놀 A-에틸렌옥사이드 부가물의 디아크릴레이트, 비스페놀 F-에틸렌옥사이드 부가물의 디아크릴레이트 및 비스페놀 A-프로필렌옥사이드 부가물의 디아크릴레이트로 구성된 군에서 선택되고 상기 4관능기 이하의 올리고머는 상기 모노머들의 결합으로 생성된 것을 특징으로 하는 포토 에칭형 도전 페이스트 조성물.
  12. 제1항에 있어서,
    증감제, 비감광성 폴리머, 가소제, 레벨링제, 계면활성제, 실란 커플링제, 소포제 및 안료로 구성된 군에서 선택되는 1종 이상의 첨가제를 추가로 포함하는 포토 에칭형 도전 페이스트 조성물.
  13. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항의 포토 에칭형 도전 페이스트 조성물을 기판 상에 도포, 건조, 노광 및 현상한 후에 100~270℃의 온도에서 경화시키는 것을 특징으로 하는 도전 패턴의 제조방법.
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