TWI596007B - Flexible substrate - Google Patents

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TWI596007B TW104111035A TW104111035A TWI596007B TW I596007 B TWI596007 B TW I596007B TW 104111035 A TW104111035 A TW 104111035A TW 104111035 A TW104111035 A TW 104111035A TW I596007 B TWI596007 B TW I596007B
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Yoshimasa Sakata
Tatsuki Nagatsuka
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Description

可撓性基板
本發明係關於一種可撓性基板。更詳細而言，本發明係關於一種氣體阻隔性優異之可撓性基板。
近年來，因影像通信技術發展，平板顯示器(flat panel display，FPD)之薄型化得以不斷推進。今後，對於實現追求逼真臨場感之大型面板之曲面顯示、及追求便攜性及便利性之捲繞型移動終端等之柔性化而言，兼具可撓性與耐衝擊性之基板變得不可或缺。
作為FPD用基板，廣泛使用的是玻璃基板。但是，若為了對玻璃基板賦予可撓性而使玻璃基板實現薄型化，則會產生如下問題，因耐衝擊性變得不充分，而導致玻璃基板在FPD之製造步驟中容易破裂等。
因此，研究使用耐衝擊性優異、輕量且柔軟性優異之樹脂膜作為FPD用基板，來代替玻璃基板。但是，若僅使用樹脂膜，則FPD用基板所需求之氣體阻隔性(例如，氧氣阻隔性、水蒸氣阻隔性)並不充分。
為提高氣體阻隔性，而提議有於基材上積層有金屬氧化物膜等與有機層之氣體阻隔性積層材(參照專利文獻1)。但是，在FPD中的要求高氣體阻隔性之有機電致發光顯示裝置中，專利文獻1之積層材的氣體阻隔性仍然不充分。
專利文獻1：日本專利特開2004-82598號公報
本發明係為解決上述先前之課題研製而成者，其目的在於提供一種柔軟性優異且氣體阻隔性優異之可撓性基板。
本發明之可撓性基板包括：基材，其包含無機玻璃、及分別配置於該無機玻璃之兩側之樹脂層；及無機薄膜，其配置於一該樹脂層的未配置有無機玻璃之側，且，該無機薄膜係形成於該基材之至少單面周緣部。
於較好之實施形態中，上述無機薄膜係形成於上述基材之整個單面。
於較好之實施形態中，進一步包括平滑化層，且該平滑化層係配置於上述無機薄膜之未配置有上述樹脂層之側。
於較好之實施形態中，進一步包括其他無機薄膜，且該其他無機薄膜係配置於上述平滑化層之未配置有上述樹脂層之側。
於較好之實施形態中，厚度(總厚)為600μm以下。
於較好之實施形態中，上述樹脂層係由以環氧系樹脂及/或環氧丁烷系樹脂作為主成分之樹脂組合物所形成。
於較好之實施形態中，上述樹脂層含有具有以通式(X)及/或(Y)所表示之重複單元的熱塑性樹脂： 式(X)中，R1為碳數6~24之取代或未取代之芳基、碳數4~14之伸環烷基或碳數1~8之直鏈狀或支鏈狀之伸烷基，R2為碳數6~24之取代或未取代之芳基、碳數1~8之直鏈狀或支鏈狀之烷基、碳數1~8之直鏈狀或支鏈狀之伸烷基、碳數5~12之環烷基、碳數5~12之伸環烷基或氫原子；式(Y)中，R3及R4分別獨立為碳數1~8之直鏈狀或支鏈狀之烷基、氫原子、碳數1~8之直鏈狀或支鏈狀之伸烷基、碳數5~12之環烷基或碳數5~12之伸環烷基，A為羰基或碳數1~8之直鏈狀或支鏈狀之伸烷基，m表示0~8之整數，n表示0~4之整數。
於較好之實施形態中，上述樹脂層含有具有1個以上之以通式(Z)所表示之重複單元的熱塑性樹脂： 式(Z)中，R1為碳數6~24之取代或未取代之芳基、碳數1~8之直鏈狀或支鏈狀之伸烷基、或碳數4~14之伸環烷基或氧原子，R2為碳數6~24之取代或未取代之芳基、碳數1~8之直鏈狀或支鏈狀之烷基、碳數1~8之直鏈狀或支鏈狀之伸烷基、碳數5~12之環烷基、碳數5~12之伸環烷基或氫原子。
於較好之實施形態中，上述樹脂層含有聚醚碸系樹脂。
於較好之實施形態中，上述無機薄膜含有選自由氧化物、氮化 物、氫化物及其複合化合物所組成之群中之至少1種無機化合物。於較好之實施形態中，上述無機化合物具有非晶結構。
於較好之實施形態中，上述無機薄膜係無機氧化物層/無機氮化物層/無機氧化物層之3層結構。
於較好之實施形態中，進一步包括透明電極，且該透明電極係配置於上述無機薄膜之未配置有上述樹脂層之側。
根據本發明之其他形態，提供一種有機電致發光顯示裝置。該有機電致發光顯示裝置包括上述可撓性基板。
根據本發明，可提供一種因具有無機玻璃、樹脂層及無機薄膜，故柔軟性優異且氣體阻隔性優異之可撓性基板。具體而言，配置於中央之無機玻璃可起到氣體阻隔層之作用。又，自樹脂層端部滲入之氣體或水分，可由無機薄膜層進行阻隔。其結果，可使氣體阻隔性優異。藉由使用如此之可撓性基板，可實現能夠長期維持良好之發光狀態(亦即具有優異之保存性)之有機電致發光(Electroluminescent，EL)顯示裝置。另一方面，無機玻璃可抑制具有高線膨脹係數之樹脂層之熱膨脹，從而獲得線膨脹係數較小之基板。一般而言，無機玻璃之斷裂係由應力集中於表面之微小缺陷而引起，越使厚度變薄則越容易產生斷裂，故難以實現薄型化。本發明之可撓性基板中，由於配置於無機玻璃之兩側之樹脂層使變形時朝向缺陷之撕裂方向上的應力得以緩和，因而可使無機玻璃實現薄型化、輕量化。其結果，柔軟性優異，故可使二次加工性及操作性優異。
10‧‧‧無機玻璃
11、11'‧‧‧樹脂層
12‧‧‧無機薄膜
13‧‧‧平滑化層
20‧‧‧基材
100‧‧‧可撓性基板
200‧‧‧有機EL顯示裝置
圖1係本發明之一實施形態之可撓性基板的概略剖面圖；圖2係本發明之另一實施形態之可撓性基板的概略剖面圖；圖3係本發明之進而另一實施形態之可撓性基板的概略剖面圖； 圖4係本發明之進而其他實施形態之可撓性基板的概略剖面圖；及圖5係本發明之一實施形態之有機EL顯示裝置的概略剖面圖。
A.可撓性基板之整體構成
圖1係本發明之較好實施形態之可撓性基板的概略剖面圖。該可撓性基板100包括基材20、及形成於基材20之至少單面上之無機薄膜12。基材20包含無機玻璃10、及分別配置於無機玻璃10兩側之樹脂層11、11'。無機薄膜12係配置於一樹脂層11的未配置有無機玻璃10之側。圖2係本發明之另一較好實施形態之可撓性基板的平面圖。該可撓性基板100中，無機薄膜12係形成於基材20之單面周緣部。無機薄膜既可如圖2所示僅形成於基材之單面周緣部，亦可如圖1所示形成於基材之整個單面上。藉由具有如此之構成，可獲得柔軟性優異、且氣體阻隔性優異之可撓性基板。於可撓性基板之形成有機EL元件之側的樹脂層內，含有該樹脂之單體、溶劑、水分、添加劑等成為逸氣之原因之成分的情形時，較好的是無機薄膜不僅形成於基材之整個單面(實質上為樹脂層表面)上，而且形成為覆蓋基材整體。
圖3係本發明之進而另一較好實施形態之可撓性基板的概略剖面圖。該可撓性基板100'除了包括無機玻璃10，樹脂層11、11'及無機薄膜12以外，進一步包括平滑化層13。平滑化層13係配置於無機薄膜12之未配置有樹脂層11之側。藉由設置平滑化層，可使無機薄膜表面之凹凸平滑化，從而獲得表面平滑性優異之可撓性基板。圖4係本發明之進而其他較好實施形態之可撓性基板的概略剖面圖。該可撓性基板100"於平滑化層13之表面，進一步包括其他無機薄膜12'及其他平滑化層13'。於本實施形態中，其他無機薄膜12'係配置於平滑化層13之未配置有樹脂層11之側。如此般，本發明之可撓性基板便可包含複數 層之無機薄膜。藉由設置複數層之無機薄膜，可獲得更優異之氣體阻隔性。又，本發明之可撓性基板可包含複數層之平滑化層。較好的是如圖示之例所示，將平滑化層配置於鄰接之無機薄膜的未配置有樹脂層之側。
分別配置於無機玻璃10之兩側之樹脂層11及11'，既可由相同材料構成，亦可由不同材料構成。較好的是由相同材料構成。可將樹脂層11及11'分別設定為任意之適當厚度。具體而言，既可設定為大致相同之厚度，亦可考慮到無機薄膜形成步驟時基材所承受之應力等而設定成不同厚度。較好的是，將形成無機薄膜之側之樹脂層的厚度設定為較厚。其原因在於，例如可防止於無機薄膜之形成步驟中，於無機薄膜側變成凸狀。藉由具有如此之構成，可獲得線膨脹係數較小，且操作性及二次加工性極其優異之可撓性基板。
樹脂層11、11'較好的是直接形成於無機玻璃10上。具體而言，樹脂層11、11'不經由接著層而形成於無機玻璃上。藉由具有如此之構成，可獲得更薄型之可撓性基板。再者，樹脂層11、11'亦可經由接著層而固著於無機玻璃上。該接著層係由任意之適當接著劑或黏著劑形成。
上述無機玻璃之厚度dg較好的是1~400μm，進而好的是10~200μm，特別好的是30~100μm。可藉由於無機玻璃之兩側配置樹脂層，而減小無機玻璃之厚度。
上述樹脂層之厚度dr較好的是1~250μm，進而好的是10~125μm。如上所述，樹脂層11、11'各自之厚度既可相同亦可不同。樹脂層之合計厚度drsum較好的是2~250μm，進而好的是20~250μm。
上述樹脂層之合計厚度drsum與上述無機玻璃之厚度dg之比drsum/dg較好的是0.01~10，進而好的是0.1~5，特別好的是0.8~2.5。可藉由使樹脂層之合計厚度與無機玻璃之厚度具有如此之關係，而利用無機玻 璃抑制樹脂層之熱膨脹，同時強化無機玻璃。其結果，可兼顧低線膨脹與機械強度。無機玻璃之厚度dg相對於各樹脂層之厚度dr與上述無機玻璃之厚度dg之差(dr-dg)的比{(dr-dg)/dg}，較好的是-0.95~1.5，進而好的是-0.6~0.3。因具有如此之關係，故所得之可撓性基板即便進行加熱處理，亦由於無機玻璃之兩面係均等地受到熱應力而極難產生翹曲或起伏。
上述無機薄膜之厚度較好的是1nm~20μm，進而好的是5nm~15μm，特別好的是10nm~10μm。藉由具有如此之厚度，可獲得更優異之氣體阻隔性。
上述平滑化層之厚度較好的是1nm~20μm，進而好的是5nm~10μm，特別好的是10nm~5μm。藉由設置如此厚度之平滑化層，可使無機薄膜表面之凹凸平滑化，從而獲得表面平滑性更優異之可撓性基板。
上述可撓性基板之厚度(總厚)可根據其構成而設定成任意之適當值。較好的是600μm以下，進而好的是1~400μm，特別好的是20~200μm。
上述可撓性基板之於170℃下之平均線膨脹係數較好的是20ppm℃-1以下，進而好的是10ppm℃-1以下。若為上述範圍，則即便例如用於複數個熱處理步驟，亦難以產生像素偏移或配線斷裂.龜裂。
使上述可撓性基板彎曲時之斷裂直徑較好的是30mm以下，進而好的是10mm以下。
上述可撓性基板之於波長550nm下之透過率較好的是85%以上，進而好的是90%以上。較好的是，上述可撓性基板以180℃實施2小時加熱處理後之透光率之減少率為5%以內。其原因在於，若為如此之減少率，則即便例如於FPD之製造製程中實施所需之加熱處理，亦能確保實際應用中可容許之透光率。一面採用樹脂層一面實現如此之特 性，係本發明之效果之一。
上述可撓性基板之表面粗糙度Ra(實質上為樹脂層、無機薄膜、或平滑化層之表面粗糙度Ra)較好的是5nm以下，進而好的是2nm以下。上述可撓性基板之起伏較好的是0.5μm以下，進而好的是0.1μm以下。若為如此特性之可撓性基板，則其品質優異。
B.無機玻璃
本發明之可撓性基板所用之無機玻璃之形狀，具有代表性的是板狀。根據成分來對無機玻璃進行分類，例如可列舉鈉鈣玻璃、硼酸玻璃、鋁矽酸玻璃、石英玻璃等。又，根據鹼成分來分類，可列舉無鹼玻璃、低鹼玻璃。上述無機玻璃之鹼金屬成分(例如Na2O、K2O、Li2O)之含量較好的是15重量%以下，進而好的是10重量%以下。
上述無機玻璃之波長550nm下之透過率較好的是90%以上。上述無機玻璃之波長550nm下之折射率ng較好的是1.4~1.6。
上述無機玻璃之平均熱膨脹係數較好的是10ppm℃-1~0.5ppm℃-1，進而好的是5ppm℃-1~0.5ppm℃-1。若為上述範圍之無機玻璃，則於高溫或低溫環境下均可有效地抑制樹脂層之尺寸變化。
上述無機玻璃之密度較好的是2.3g/cm3~3.0g/cm3，進而好的是2.3g/cm3~2.7g/cm3。若為上述範圍之無機玻璃，則可獲得輕量之可撓性基板。
上述無機玻璃之成形方法可採用任意之適當方法。具有代表性的是以如下方式製作上述無機玻璃：將包含二氧化矽或氧化鋁等主原料、芒硝或氧化銻等消泡劑、碳等還原劑的混合物，於1400℃~1600℃之溫度下熔融，成形為薄板狀之後進行冷卻。作為上述無機玻璃之薄板成形方法，例如可列舉流孔下引法、熔融法、浮式法等。對於藉由該等方法而成形為板狀之無機玻璃，為實現薄板化或提昇平滑性，可視需要利用氟酸等溶劑進行化學研磨。
上述無機玻璃可直接使用市售品，或對市售之無機玻璃進行研磨以使其達到所期望之厚度後使用。作為市售之無機玻璃，例如可列舉：康寧(CORNING)公司製造之「7059」、「1737」或「EAGLE2000」，旭硝子公司製造之「AN100」，NH TECHNO GLASS公司製造之「NA-35」，日本電氣硝子公司製造之「OA-10」，SCHOTT公司製造之「D263」或「AF45」等。
C.樹脂層
上述樹脂層之波長550nm下之透過率較好的是85%以上。上述樹脂層之波長550nm下之折射率(nr)較好的是1.3~1.7。上述樹脂層之折射率(nr)與上述無機玻璃之折射率(ng)之差較好的是0.2以下，進而好的是0.1以下。若為如此之範圍，則可防止無機玻璃與樹脂層之折射率差引起之對顯示特性之不良影響。
上述樹脂層之彈性模數(楊氏模量)分別較好的是1GPa以上，進而好的是1.5GPa以上。藉由設定為上述範圍，則即便於無機玻璃較薄之情形時，亦由於該樹脂層可使變形時朝向缺陷之撕裂方向上的應力得到緩和，而使得無機玻璃難以產生龜裂或斷裂。
作為形成上述樹脂層之樹脂組合物，可採用任意之適當樹脂組合物。較好的是，該樹脂組合物含有耐熱性優異之樹脂。該樹脂可為熱硬化型或紫外線硬化型之樹脂，亦可為熱塑性樹脂。作為熱硬化型或紫外線硬化型之樹脂，例如可列舉：聚芳酯系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、聚萘二甲酸乙二酯系樹脂、聚醚碸系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、環氧系樹脂、環氧丁烷系樹脂、丙烯酸系樹脂、聚烯烴系樹脂。該等樹脂中，任意之適當部位(例如，主鏈末端)可以任意之適當形式進行改性(例如，羥基改性)。又，該等樹脂既可單獨使用亦可組合使用。使用熱硬化型或紫外線硬化型之樹脂之情形時特別好的是，上述樹脂層由以環氧系樹脂及/或環氧丁烷系樹脂作為主成分之樹脂組合物所形 成。其原因在於能夠獲得表面平滑性優異且色度良好之樹脂層。又，較好的是，上述樹脂層由以末端經羥基改性之聚醚碸系樹脂及/或環氧丁烷系樹脂作為主成分之樹脂組合物所形成。
對於上述環氧系樹脂，只要為分子中具有環氧基者，則可使用任意之適當者。作為上述環氧系樹脂，例如可列舉：雙酚A型、雙酚F型、雙酚S型及其等之氫化物等雙酚型；苯酚酚醛清漆型或甲酚酚醛清漆型等酚醛清漆型；三縮水甘油基異氰尿酸酯型或乙內醯脲型等含氮環型；脂環式型；脂肪族型；萘型、聯苯型等芳香族型；縮水甘油醚型、縮水甘油胺型、縮水甘油酯型等縮水甘油基型；二環戊二烯型等雙環型；酯型；醚酯型；及該等之改性型等。該等環氧系樹脂可單獨或混合2種以上使用。
較好的是，上述環氧系樹脂係雙酚A型環氧系樹脂、脂環式型環氧系樹脂、含氮環型環氧系樹脂、或縮水甘油基型環氧系樹脂。於上述環氧系樹脂為含氮環型之情形時，較好的是三縮水甘油基異氰尿酸酯型環氧系樹脂。該等環氧系樹脂之防變色性優異。
較好的是，上述樹脂層係選自由下述通式(I)、(II)、(III)及(IV)所組成之群中的至少1種環氧系預聚物之硬化層。
上述式(I)中，X1及X2分別獨立表示共價鍵、CH2基、C(CH3)2基、C(CF3)2基、CO基、氧原子、氮原子、SO2基、Si(CH2CH3)2基或N(CH3)基。Y1~Y4為取代基，a~d表示其取代數。Y1~Y4分別獨立表示氫原子、鹵素原子、碳數1~4之烷基、碳數1~4之取代烷基、硝基、氰基、硫代烷基、烷氧基、芳基、取代芳基、烷基酯基或取代烷基酯 基。a~d為0~4之整數，1為2以上之整數。
上述式(II)中，X3及X4分別獨立表示CH2基、C(CH3)2基、C(CF3)2基、CO基、氧原子、氮原子、SO2基、Si(CH2CH3)2基或N(CH3)基。Y5~Y7為取代基，e~g表示其取代數。Y5~Y7分別獨立表示氫原子、鹵素原子、碳數1~4之烷基、碳數1~4之取代烷基、硝基、氰基、硫代烷基、烷氧基、芳基、取代芳基、烷基酯基或取代烷基酯基。e及g為0~4之整數，f為0~3之整數，m為2以上之整數。
上述式(III)中，X5~X7分別獨立表示共價鍵、CH2基、C(CH3)2基、C(CF3)2基、CO基、氧原子、氮原子、SO2基、Si(CH2CH3)2基或 N(CH3)基。Y8為上述式(a)~(d)中之任一者。
上述式(IV)中，n及m分別表示1~6之任一整數。Y9為以上述式(a)或(b)所表示之部分。
作為上述環氧系樹脂，較好的是使用以下述通式(V)所表示之環氧樹脂。
上述式(V)中，R係具有z個活性氫基之有機化合物之殘基，該有機化合物係僅含有至少1個羥基作為活性氫基之化合物，或包含選自僅含有至少1個羥基作為活性氫基，且同時含有含不飽和雙鍵之基的不飽和醇中的1種或2種以上之混合物的化合物，n1、n2、...nz分別為0或1~30之整數，其相加之和為1~100，z為1~10之整數，表示R之活性氫基數，A係具有取代基X之環氧己烷骨架，且係下式(VI)所表示之基(式(VI)中，X表示環氧基)。
作為上述式(V)之R之具體例，可列舉：乙二醇、二乙二醇、三乙二醇、三羥甲基丙烷、三羥甲基三聚氰胺、異三聚氰酸之各殘基。該等之中，就易於獲取或作為樹脂易於處理之方面而言，可較佳地使用三羥甲基丙烷殘基。n1、n2、...nz之下標之最大值z表示R之活性氫基數，例如，乙二醇取2之值，三羥甲基丙烷取3之值。若z為0，則無法含有環氧基，故而無法獲得提高黏度之效果，另一方面，若z為11以上，則作為骨架之化合物難以獲取，而且價格亦變高，故而不經濟。
A所表示之含有環氧基之環己醚基之鍵結數目(鏈長)n1、n2、...nz分別為0或1~30之整數，其相加之和為1~100。於該n1、n2、...nz超過30而較多之情形時，環氧樹脂之黏度會變高而招致操作性惡化。又，若n1、n2、...nz之和為0則無反應性，超過100而較大之情形時，則將難以控制熔融混練時黏度增加之程度。於R為三羥甲基丙烷殘基之情形時，較好的是n1、n2、n3分別為5~30之整數，且其相加之和為15~90。
上述環氧系樹脂之環氧當量(每一個環氧基之質量)較好的是100g/eqiv.~1000g/eqiv.。若為上述範圍，則可提高所得之樹脂層之柔軟性或強度。
上述環氧系樹脂之軟化點較好的是120度以下。又，上述環氧系樹脂較好的是於常溫(例如，5~35℃)下為液體。進而好的是，上述環氧系樹脂係於塗佈溫度以下(尤其為常溫)為液體的雙液混合型環氧系樹脂。其原因在於，如此則形成樹脂層時之展開性或塗佈性優異。
作為上述環氧丁烷系樹脂，可使用分子中具有環氧丁烷環之任意之適當化合物。作為具體例，可列舉下述式(1)~(5)表示之環氧丁烷化合物。
上述樹脂組合物可根據目的而進一步含有任意之適當添加劑。作為上述添加劑，例如可列舉：硬化劑、硬化促進劑、稀釋劑、抗老化劑、變性劑、界面活性劑、染料、顏料、防變色劑、紫外線吸收劑、柔軟劑、穩定劑、塑化劑、消泡劑等。樹脂組合物中所含之添加劑之種類、種數及量可根據目的而適當設定。
上述樹脂組合物可直接使用市售品，亦可於市售品中添加任意之添加劑及/或樹脂進行使用。作為市售之環氧系樹脂(樹脂組合物)，例如可列舉：日本環氧樹脂(JAPAN EPOXY RESINS)公司製造之等級827及等級828，艾迪科(ADEKA)公司製造之EP系列及KR系列，DAICEL化學工業公司製造之CELLOXIDE 2021P及EHPE 3150等。作為市售之環氧丁烷系樹脂，例如可列舉東亞合成公司製造之OXT 221等。
作為上述熱塑性樹脂，例如可列舉具有以下述通式(X)及/或(Y) 所表示之重複單元之熱塑性樹脂(A)。藉由含有此種熱塑性樹脂，可獲得與上述無機玻璃之密著性優異，且韌性亦優異之樹脂層。其結果，可獲得切斷時龜裂難以擴展之可撓性基板。
式(X)中，R1為碳數6~24之取代或未取代之芳基、碳數4~14之伸環烷基或碳數1~8之直鏈狀或支鏈狀之伸烷基，較好的是碳數6~20之取代或未取代之芳基、碳數4~12之伸環烷基或碳數1~6之直鏈狀或支鏈狀之伸烷基，進而好的是碳數6~18之取代或未取代之芳基、碳數5~10之伸環烷基或碳數1~4之直鏈狀或支鏈狀之伸烷基。R2為碳數6~24之取代或未取代之芳基、碳數1~8之直鏈狀或支鏈狀之烷基、碳數1~8之直鏈狀或支鏈狀之伸烷基、碳數5~12之環烷基、碳數5~12之伸環烷基或氫原子，較好的是碳數6~20之取代或未取代之芳基、碳數1~6之直鏈狀或支鏈狀之烷基、碳數1~4之直鏈狀或支鏈狀之伸烷基、碳數5~10之環烷基、碳數5~10之伸環烷基或氫原子。式(Y)中，R3及R4分別獨 立為碳數1~8之直鏈狀或支鏈狀之烷基、氫原子、碳數1~8之直鏈狀或支鏈狀之伸烷基、碳數5~12之環烷基或碳數5~12之伸環烷基，較好的是碳數1~5之直鏈狀或支鏈狀之烷基、氫原子、碳數1~5之直鏈狀或支鏈狀之伸烷基、碳數5~10之環烷基或碳數5~10之伸環烷基，進而好的是碳數1~4之直鏈狀或支鏈狀之烷基、氫原子、碳數1~4之直鏈狀或支鏈狀之伸烷基、碳數5~8之環烷基或碳數5~8之伸環烷基。A為羰基或碳數1~8之直鏈狀或支鏈狀之伸烷基，較好的是羰基或碳數1~6之直鏈狀或支鏈狀之伸烷基，進而好的是羰基或碳數1~4之直鏈狀或支鏈狀之伸烷基。m表示0~8之整數，較好的是表示0~6之整數，進而好的是表示0~3之整數。n表示0~4之整數，較好的是表示0~2之整數。
上述熱塑性樹脂(A)之聚合度較好的是10~6000，進而好的是20~5000，特別好的是50~4000。
作為上述熱塑性樹脂(A)之具體例，可列舉苯乙烯-順丁烯二酸酐共聚物、含酯基之環烯烴聚合物。該等熱塑性樹脂可單獨或混合2種以上使用。
上述熱塑性樹脂(A)之玻璃轉移溫度較好的是110℃以上，進而好的是120℃以上，特別好的是120~350℃。若為如此之範圍，則可獲得耐熱性優異之可撓性基板。
作為上述熱塑性樹脂之其他具體例，可列舉具有1個以上之下述通式(Z)所表示之重複單元的熱塑性樹脂(B)。藉由含有此種熱塑性樹脂，可獲得與上述無機玻璃之密著性優異，且韌性亦優異之樹脂層。其結果，便可獲得切斷時龜裂難以擴展之可撓性基板。
式(Z)中，R1為碳數6~24之取代或未取代之芳基、碳數1~8之直鏈狀或支鏈狀之伸烷基、或碳數4~14之伸環烷基或氧原子，較好的是碳數6~20之取代或未取代之芳基、碳數1~6之直鏈狀或支鏈狀之伸烷基、碳數4~12之伸環烷基或氧原子，進而好的是碳數6~18之取代或未取代之芳基，碳數1~4之直鏈狀或支鏈狀之伸烷基、或碳數5~10之伸環烷基或氧原子。R2為碳數6~24之取代或未取代之芳基、碳數1~8之直鏈狀或支鏈狀之烷基、碳數1~8之直鏈狀或支鏈狀之伸烷基、碳數5~12之環烷基、碳數5~12之伸環烷基或氫原子，較好的是碳數6~20之取代或未取代之芳基、碳數1~6之直鏈狀或支鏈狀之烷基、碳數1~4之直鏈狀或支鏈狀之伸烷基、碳數5~10之環烷基、碳數5~10之伸環烷基者或氫原子。
上述熱塑性樹脂(B)之聚合度較好的是10~6000，進而好的是20~5000，特別好的是50~4000。
作為上述熱塑性樹脂(B)之具體例，可列舉聚芳酯、聚酯、聚碳酸酯。該等熱塑性樹脂可單獨或混合2種以上使用。
上述熱塑性樹脂(B)之玻璃轉移溫度較好的是120℃以上，進而好的是150℃以上，特別好的是180~350℃。若為如此之範圍，則可獲得耐熱性優異之可撓性基板。
D.無機薄膜
上述無機薄膜係由任意之適當無機化合物所形成。無機薄膜較好的是含有選自由氧化物、氮化物、氫化物及其複合化合物所組成之群中之至少1種無機化合物。具體而言，無機化合物不僅可為氧化物、氮化物或氫化物單體，亦可為氧化物、氮化物及/或氫化物之複合化合物。藉由使用如此之化合物，可使透明性更優異。形成無機薄膜之無機化合物可具有任意之適當結構。具體而言，既可具有完全之結晶結構，亦可具有非晶結構。
作為構成上述無機化合物之元素，可列舉：碳(C)、矽(Si)、鋁(Al)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鉀(K)、錫(Sn)、鈉(Na)、硼(B)、鈦(Ti)、鉛(Pb)、鋯(Zr)及釔(Y)等。該等可單獨或組合2種以上使用。該等中，可較佳地使用碳、矽、鋁。作為無機化合物之具體例，可列舉：類鑽碳(DLC)、SiNx、SiOy、AlOz等。作為SiNx之x之值，較好的是0.3~2。作為SiOy之y之值，較好的是1.3~2.5。作為AlOz之z之值，較好的是0.7~2.3。
無機薄膜可採用任意之適當構成。具體而言，無機薄膜既可由單層形成，亦可為複數層之積層體。作為無機薄膜為積層體之情形時之具體例，可列舉：無機氧化物層/無機氮化物層/無機氧化物層(例如，SiOy層/SiNx層/SiOy層)之3層結構等。
E.平滑化層
作為上述平滑化層之形成材料，可採用任意之適當形成材料。舉一具體例，平滑化層由任意之適當樹脂組合物形成。該樹脂組合物較好的是含有熱硬化樹脂或光硬化性樹脂。
上述熱硬化樹脂可列舉藉由施加熱能便可硬化，且硬化後可形成透明且平坦之面之樹脂。作為代表例，可列舉聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸酯、鄰苯二甲酸甲酯均聚物或共聚物、聚對苯二甲酸乙二酯、聚苯乙烯、二乙二醇雙烯丙基碳酸酯、丙烯腈/苯乙烯共聚物、聚4-甲基戊烯-1、酚樹脂、環氧樹脂、氰酸酯樹脂、馬來醯亞胺樹脂、聚醯亞胺樹脂等，另外，可列舉對該等藉由聚乙烯丁醛、丙烯腈-丁二烯橡膠、多官能性丙烯酸酯化合物等加以改性所得者，或對該等藉由交聯聚乙烯樹脂、交聯聚乙烯/環氧樹脂、交聯聚乙烯/氰酸酯樹脂、聚苯醚/環氧樹脂、聚苯醚/氰酸酯樹脂等熱塑性樹脂加以改性所得之熱硬化性樹脂等。該等可單獨或組合2種以上使用。
作為上述光硬化性樹脂，可列舉：由具有自由基反應性不飽和 化合物之丙烯酸酯化合物構成之樹脂組合物，由丙烯酸酯化合物與具有硫醇基之巰基化合物所構成之樹脂組合物，及使環氧丙烯酸酯、丙烯酸胺基甲酸酯、聚酯丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯等低聚物溶解於多官能丙烯酸酯單體中所得之樹脂組合物等。該等可單獨或組合2種以上使用。
形成平滑化層之樹脂組合物可視需要而含有抗氧化劑、紫外線吸收劑、塑化劑等添加劑。又，可為提高成膜性及防止產生針孔等，而含有適當之樹脂或添加劑。
F.可撓性基板之製造方法
本發明之可撓性基板具有代表性的是包含：對上述無機玻璃塗佈樹脂組合物，並使該樹脂組合物硬化或進行乾燥．熱處理，而形成樹脂層的步驟；及於所得之樹脂層之表面形成上述無機薄膜的步驟。又，於設置平滑化層之情形時，進一步包含於無機薄膜表面形成上述平滑化層的步驟。
作為形成上述樹脂層之樹脂組合物之塗佈方法，例如可列舉：氣刀式塗佈(air doctor coating)、刮板塗佈(blade coating)、刮刀塗佈(knife coating)、反向塗佈、傳送輥塗佈、壓花輥筒式塗佈、接觸式塗佈、鑄塗、噴霧塗佈、槽孔塗佈、壓延塗佈、電泳塗佈、浸漬塗佈、模塗等之塗佈法；及柔版印刷等凸版印刷法，直接凹版印刷法、套版凹版印刷法等凹版印刷法，套版印刷法等平版印刷法，網版印刷法等孔版印刷法等之印刷法。
實施上述塗佈時，可視需要將矽油等調平劑或硬化劑等添加劑添加至樹脂組合物中，以提高塗佈液之塗佈適應性或油墨之印刷適應性。又，可藉由對無機玻璃表面實施電暈處理或矽烷處理，或藉由於樹脂組合物中混合矽烷偶合劑，而提高無機玻璃與樹脂組合物(最終而言為樹脂層)之密著性。
作為上述矽烷偶合劑，例如可使用：乙烯系、環氧系、苯乙烯系、甲基丙烯醯氧基系、丙烯醯氧基系、胺基系、脲基系、氯丙基系、巰基系、硫化物系、異氰酸酯系。於使用上述熱塑性樹脂(A)及/或(B)，作為形成上述樹脂層之樹脂之情形時，較好的是使用胺基系、環氧系、異氰酸酯系矽烷偶合劑。
上述樹脂組合物之硬化方法，可根據樹脂組合物中所含之樹脂之種類進行選擇。使用熱硬化型樹脂之情形時，可藉由加熱進行硬化。加熱條件可採用任意之適當條件。具體而言，加熱溫度較好的是80~250℃。加熱時間較好的是1~30分鐘。使用紫外線硬化型樹脂之情形時，可藉由照射紫外線而進行硬化。照射條件可採用任意之適當條件。具體而言，照射量較好的是100~600mJ/cm2。
上述乾燥可採用任意之適當乾燥方法(例如自然乾燥、送風乾燥、加熱乾燥)。例如，於加熱乾燥之情形時，乾燥溫度具有代表性的是100~200℃，乾燥時間具有代表性的是1~10分鐘。上述熱處理可採用任意之適當熱處理方法。具有代表性的是，熱處理溫度為100℃~300℃，熱處理時間為5~45分鐘。推測於使用上述矽烷偶合劑之情形時，藉由該熱處理可使偶合劑與熱塑性樹脂化學鍵結或相互作用。
作為上述無機薄膜之形成方法，可採用任意之適當方法。例如，可列舉：真空蒸鍍法、氧化反應蒸鍍法、濺鍍法、離子電鍍法等物理氣相沈積法(Physical Vapor Deposition法)；電漿化學氣相沈積法(Chemical Vapor Deposition法)等。具體而言，於形成含有矽化合物之無機薄膜之情形時，例如可使用以SiH4、四甲氧基矽烷(Tetramethoxysilane，TMOS)等有機矽化合物作為原料之電漿CVD法。於形成含有DLC之無機薄膜之情形時，例如可使用以甲烷、乙炔、乙烯、丁二烯等烴作為原料之電漿CVD法。
作為上述平滑化層之形成方法，可採用任意之適當方法。例如 可列舉：旋轉式塗佈法、噴霧法、刮板塗佈法、浸漬法、蒸鍍法等。形成平滑化層時，具有代表性的是使上述樹脂組合物溶解或分散於乙醇、氯仿、四氫呋喃、二烷等適當之稀釋溶劑中來形成薄膜。
G.用途
本發明之可撓性基板具有代表性的是可用於電致發光(EL)顯示器、電漿顯示器(plasma Display，PD)、場發射顯示器(FED：Field Emission Display)等自發光型顯示裝置，或液晶顯示裝置等。該等之中，本發明之可撓性基板可較佳地用於要求高氣體阻隔性之有機電致發光(EL)顯示裝置中。
圖5係本發明之較好實施形態之有機EL顯示裝置的概略剖面圖。該有機EL顯示裝置200包括：本發明之可撓性基板100，依序形成於可撓性基板100上之透明電極80、有機發光層30及對向電極40，以覆蓋該等之方式而配置之無機保護膜60及樹脂保護膜70。透明電極80係配置於可撓性基板100的未配置有無機薄膜之樹脂層之側(圖示之例中為上側)。透明電極80與對向電極40重疊之區域中之透明電極80、有機發光層30及對向電極40形成像素50。未圖示，亦可於可撓性基板100之未配置有透明電極80之側，配置硬塗層。本發明之有機EL顯示裝置之構成並不限定於圖示之例，而可採用任意之適當構成。例如，亦可以覆蓋無機保護膜60及有機保護膜70之方式配置本發明之可撓性基板，而將該可撓性基板用作密封構件。又，例如有機EL顯示裝置既可為頂部發光方式，亦可為底部發光方式。
於有機EL顯示裝置中，為將有機發光層30之發光導出，必需使至少1個電極(具有代表性的是陽極)為透明電極。作為透明電極之形成材料，可使用：銦錫氧化物(lTO)、銦鋅氧化物(IZO)、添加有氧化矽之銦錫氧化物(ITSO)、含氧化鎢之銦氧化物(IWO)、含氧化鎢之銦鋅氧化物(IWZO)、含氧化鈦之銦氧化物(ITiO)、含氧化鈦之銦錫氧化 物(ITTiO)、含鉬之氧化銦錫(ITMO)等。
另一方面，為使得易於佈植電子從而提昇發光效率，重要的是陰極使用功函數較小之物質。因此具有代表性的是，對向電極40由Mg-Ag、Al-Li等金屬膜構成，並用作陰極。
有機發光層30係各種有機薄膜之積層體。圖示之例中，有機發光層30包含：電洞佈植層31，由電洞佈植性有機材料(例如，三苯基胺衍生物)形成，且係為提高自陽極之電洞佈植效率而設置；發光層32，由發光性有機物質(例如蒽)形成；及電子佈植層33，由電子佈植性材料(例如，苝衍生物)形成，且係為提高自陰極之電子佈植效率而設置。有機發光層30並不限於圖示之例，其可採用能夠使電子與電洞在發光層32中再結合而產生發光的任意之適當有機薄膜之組合。例如，可採用包含第1電洞傳輸層(例如，銅酞菁)、第2電洞傳輸層(例如，N,N'-二苯基-N,N'-二萘基聯苯胺)及電子傳輸層兼發光層(例如，三(8-羥基喹啉基)鋁)之構成。
當於透明電極-對向電極間施加臨限值以上之電壓時，電洞自陽極供給，然後經由電洞佈植層31而到達發光層32。另一方面，電子自陰極供給，然後經由電子佈植層33而到達發光層32。於發光層32中，電洞與電子再結合所產生之能量激發發光層中之發光性有機物質，並於受到激發之發光性有機物質復原為基態時放射光，從而發光。可藉由對每一個所需之像素施加電壓而使有機發光層發光，來進行圖像顯示。於進行彩色顯示之情形時，例如可分別由表現紅(R)、綠(G)及藍(B)發光之發光性有機物質來形成鄰接之3個像素之發光層，亦可將任意之適當濾光片設置於發光層上。
於如此之有機EL顯示裝置中，較好的是使有機發光層30之厚度儘量較薄。其原因在於需要使所發出之光儘可能地透過。有機發光層30例如可由厚度為10nm左右之極薄之膜構成。其結果，於不發光時 (黑狀態)，自可撓性基板100之下面側入射，透過透明電極80及有機發光層30後由對向電極40反射之光，將再次朝可撓性基板100之下面側射出。
上述硬塗層由任意之適當形成材料所形成。具有代表性的是，由與上述平滑化層相同之樹脂組合物所形成。
實施例
以下，藉由實施例具體地說明本發明，但本發明不受該等實施例之任何限定。
[實施例1] <基材(樹脂層/無機玻璃/樹脂層)之製作>
使用甲基乙基酮(MEK)清洗厚度為50μm之板狀無機玻璃(SCHOTT公司製造，「D263」)，對其兩面實施電暈處理。其後，將矽烷偶合劑(信越化學工業公司製造，KBM-403)塗佈於無機玻璃之兩面，於110℃下實施5分鐘熱處理。
繼而，製備下述式(a)所表示之環氧樹脂1(DAICEL化學工業公司製造，CELLOXIDE 2021P)、環氧樹脂2(2,2-雙(羥基甲基)-1-丁醇之1,2-環氧-4-(2-環氧乙烷基)環己烷加成物，DAICEL化學工業公司製造，EHPE 3150)、下述式(5)所表示之環氧丁烷樹脂(東亞合成公司製造，OXT 221)及聚合起始劑(艾迪科製造，SP-170)之混合液。將所得之混合液塗佈於無機玻璃表面後，照射300mJ/cm2以上之UV(ultraviolet，紫外線)光使樹脂硬化，形成厚度為25μm之樹脂層。以同樣之方式，亦於無機玻璃背面形成厚度為25μm之樹脂層，然後於150℃下實施30分鐘熱處理。
如此，製作出厚度為100μm之基材。
(無機薄膜之形成)
於上述所得之基材之單面，藉由電漿CVD法形成SiNx膜(厚度為100nm)。SiNx膜之形成條件如下所示。如此，製作出可撓性基板。
真空度：0.3Pa(2.25×10-3Torr)
SiH4氣體流量：50sccm
氮氣流量：50sccm
頻率：13.56MHz
功率：700W
[實施例2]
除了於基材之單面，藉由電漿CVD法形成SiOy膜(厚度為100nm)以外，以與實施例1相同之方式製作可撓性基板。SiOx膜之形成條件如下所述。
真空度：0.3Pa(2.25×10-3Torr)
SiH4氣體流量：10sccm
氧氣流量：20sccm
氮氣流量：50sccm
頻率：13.56MHz
功率：500W
[實施例3]
除了於基材之單面，藉由電漿CVD法形成類鑽碳(DLC)膜(厚度為100nm)以外，以與實施例1相同之方式製作可撓性基板。DLC膜之形成條件如下所述。
真空度：0.3Pa(2.25×10-3Torr)
CH4氣體流量：200sccm
頻率：13.56MHz
功率：1000W
電極直流電壓：300V
[實施例4]
除了於基材之單面，藉由電漿CVD法依序形成SiOy膜(厚度為100nm)、SiNx膜(厚度為100nm)及SiOy膜(厚度為100nm)，從而形成SiOy/SiNx/SiOy之積層體以外，以與實施例1相同之方式製作可撓性基板。再者，SiOy膜及SiNx膜之形成條件如上所述。
[實施例5]
除了使用以下之基材以外，以與實施例1相同之方式製作可撓性基板。
(基材)
以達到20重量%之方式，將苯乙烯-順丁烯二酸酐共聚物(ALDRICH公司製造，重量平均分子量為220000)溶解於甲基異丁基酮中。
另使用甲基乙基酮，對厚度為50μm、縱10cm×橫4cm之無機玻璃(SCHOTT公司製造，「D263」)之單面表面進行清洗後，實施電暈處理，繼而塗佈含胺基之偶合劑(KBM-603，信越化學工業公司製造)，於110℃下實施5分鐘熱處理。對經偶合處理之上述無機玻璃表面塗佈上述苯乙烯-順丁烯二酸酐溶液，於160℃下乾燥10分鐘後，於 200℃下實施30分鐘熱處理。亦對無機玻璃之另一表面實施相同之處理，獲得總厚度為60μm的無機玻璃、含胺基之偶合劑層與熱塑性樹脂層之積層體。
進而，對該積層體之單面表面，塗佈下述參考例1中合成的7重量%之聚醯胺醯亞胺之甲基異丁基酮溶液，於160℃下乾燥10分鐘後，於200℃下實施30分鐘熱處理。亦對無機玻璃之另一表面實施相同之處理，獲得總厚度為120μm之基材。
(參考例1)聚醯胺醯亞胺之合成
藉由2,2'-雙(3,4-二羧基苯基)六氟丙烷二酐(6FDA)、偏苯三甲酸酐(TMA)、2,2'-雙(三氟甲基)-4,4'-二胺基聯苯(TFMB)，來合成聚醯胺醯亞胺。重量平均分子量約為110000。
[實施例6]
於實施例5中所用之基材上，以與實施例2相同之方式形成無機薄膜，藉此製作可撓性基板。
[實施例7]
於實施例5中所用之基材上，以與實施例3相同之方式形成無機薄膜，藉此製作可撓性基板。
[實施例8]
於實施例5中所用之基材上，以與實施例4相同之方式形成無機薄膜，藉此製作可撓性基板。
[實施例9]
除了使用以下之基材以外，以與實施例1相同之方式製作可撓性基板。
(基材)
將20重量%之聚芳酯(U-polymer U-100，UNITIKA公司製造)之二氯甲烷溶液與環戊酮混合，獲得14.5重量%之澆鑄溶液。
另使用甲基乙基酮，對厚度為50μm之無機玻璃(SCHOTT公司製造，「D263」)之單面表面進行清洗後，實施電暈處理，繼而塗佈含胺基之偶合劑(KBM-603，信越化學工業公司製造)，於110℃下實施5分鐘熱處理。對經偶合處理之上述無機玻璃表面塗佈上述澆鑄溶液，於160℃下乾燥10分鐘後，於200℃下實施30分鐘熱處理。亦對無機玻璃之另一表面實施相同之處理，獲得總厚度為120μm之基材。
[實施例10]
於實施例9中所用之基材上，以與實施例2相同之方式形成無機薄膜，藉此製作可撓性基板。
[實施例11]
於實施例9中所用之基材上，以與實施例3相同之方式形成無機薄膜，藉此製作可撓性基板。
[實施例12]
於實施例9中所用之基材上，以與實施例4相同之方式形成無機薄膜，藉此製作可撓性基板。
[實施例13]
除了使用以下之基材以外，以與實施例1相同之方式製作可撓性基板。
(基材)
將末端經羥基改性之聚醚碸(SUMIKAEXCEL 5003P，住友化學公司製造)、環戊酮、二甲亞碸及調平劑(BYK-307，BYK-Chemie公司製造)，以重量比140：658：42：0.105之比例混合，製成澆鑄溶液。
另使用甲基乙基酮，對厚度為50μm、縱10cm×橫4cm之無機玻璃(SCHOTT公司製造，「D263」)之單面表面進行清洗後，實施電暈處理，繼而塗佈末端為環氧基之偶合劑(KBM-403，信越化學工業公司製造)後，於110℃下實施5分鐘熱處理。對經上述偶合處理之無機 玻璃表面塗佈上述澆鑄溶液，於160℃下乾燥10分鐘後，於200℃下實施30分鐘熱處理，形成厚度為35μm之樹脂層。
亦對上述無機玻璃之另一表面進行相同之處理，獲得總厚度為120μm之基材。
[實施例14]
於實施例13中所用之基材上，以與實施例2相同之方式形成無機薄膜，藉此製作可撓性基板。
[實施例15]
於實施例13中所用之基材上，以與實施例3相同之方式形成無機薄膜，藉此製作可撓性基板。
[實施例16]
於實施例13中所用之基材上，以與實施例4相同之方式形成無機薄膜，藉此製作可撓性基板。
[實施例17]
藉由以下方法製作有機EL元件，並使用實施例11之可撓性基板進行密封，獲得有機EL顯示裝置。
利用異丙醇，對具有銦錫複合氧化物(ITO)層之玻璃基板(表面電阻值：10Ω/□)之ITO層表面進行清洗之後，實施15分鐘紫外線-臭氧處理，將ITO層作為透明電極(陽極)。使用真空蒸鍍法，於陽極上依序形成下述有機化合物層：第1電洞傳輸層：銅酞菁(膜厚：10nm)
第2電洞傳輸層：N,N'-二苯基-N,N'-二萘基聯苯胺(膜厚：40nm)
電子傳輸層兼發光層：三(8-羥基喹啉基)鋁(膜厚：60nm)
接著，依序蒸鍍膜厚為1nm之氟化鋰、及膜厚為100nm之鋁，形成對向電極(陰極)。經由紫外線硬化型環氧系接著劑，以實施例11中所得之可撓性基板(於110℃下經15分鐘退火處理者)對鋁表面進行 密封，自可撓性基板側照射紫外線而使接著劑硬化，獲得有機EL顯示裝置。
[實施例18]
除了使用實施例15中所得之可撓性基板(於110℃下經15分鐘退火處理者)進行密封以外，以與實施例17相同之方式製作有機EL顯示裝置。
[比較例1]
除了不形成無機薄膜(DLC膜)以外，以與實施例11相同之方式獲得積層體。
[比較例2]
除了不形成無機薄膜(DLC膜)以外，以與實施例15相同之方式獲得積層體。
[比較例3]
除了使用比較例1中所得之積層體(於110℃下經15分鐘退火處理者)進行密封以外，以與實施例17相同之方式製作有機EL顯示裝置。
[比較例4]
除了使用比較例2中所得之積層體(於110℃下經15分鐘退火處理者)進行密封以外，以與實施例17相同之方式製作有機EL顯示裝置。
[評價] (1)水蒸氣透過率
藉由依據JIS K 7129B之MOCON測定法，對實施例1至16中所得之可撓性基板之水蒸氣透過率進行評價。具體而言，利用MOCON公司製造之水蒸氣透過度測定裝置「PERMATRAN W3/33MG型(附有HRH-1D型高精密流量控制裝置)」進行測定。濕度條件為40℃90%RH，氣體流量為10.0±0.5cc/min，測定時間為20小時以上。
實施例1至16中所得之可撓性基板中，水蒸氣透過率均少於測定 極限(10-2g/m2．day)。
(2)保存性
對實施例17及18、及比較例3及4之有機EL顯示裝置，施加7V之直流電壓使之發光。所有顯示裝置中均未觀測到暗點，呈均勻之發光狀態。其後，於常溫常壓之大氣下進行保存，定期觀測發光狀態。將7天後、30天後、60天後之發光狀態示於表1。評價基準如下所述。
○：均勻之發光狀態
△：產生暗點
×：不點亮
由表1可知，使用本發明之實施例之可撓性基板的有機EL顯示裝置，與比較例之有機EL顯示裝置相比，保存性顯著優異。更具體而言，比較例之有機EL顯示裝置於30天後產生暗點，於60天後不再點亮，相對於此，實施例之有機EL顯示裝置於60天後仍然維持均勻之發光狀態。如此可知，藉由於可撓性基板上形成無機薄膜，可使保存性得到顯著改善。
產業上之可利用性
本發明之可撓性基板可較佳地用於有機電致發光(EL)顯示裝置。
10‧‧‧無機玻璃
11、11'‧‧‧樹脂層
12‧‧‧無機薄膜
20‧‧‧基材
100‧‧‧可撓性基板

Claims (12)

  1. 一種可撓性基板，其包括：基材，其包含無機玻璃、及分別配置於該無機玻璃之兩側之樹脂層；無機薄膜，其配置於一該樹脂層的未配置有該無機玻璃之側；及透明電極，其配置於該無機薄膜之未配置有該樹脂層之側；且該樹脂層之合計厚度drsum與該無機玻璃之厚度dg之比drsum/dg為0.8~2.5；該無機薄膜係形成於上述基材之整個單面；該無機薄膜含有選自由碳、矽、鋁、鎂、鈣、鉀、錫、鈉、硼、鈦、鉛、鋯及釔所組成之群中之至少1種所構成之無機化合物；該無機薄膜之厚度為1nm~300nm。
  2. 如請求項1之可撓性基板，其進一步包括平滑化層，該平滑化層係配置於上述無機薄膜之未配置有上述樹脂層之側，且配置於該無機薄膜與上述透明電極之間。
  3. 如請求項2之可撓性基板，其進一步包括其他無機薄膜，該其他無機薄膜係配置於上述平滑化層之未配置有上述樹脂層之側，且配置於該平滑化層與上述透明電極之間。
  4. 如請求項1至3中任一項之可撓性基板，其厚度(總厚)為600μm以下。
  5. 如請求項1至3中任一項之可撓性基板，其中上述樹脂層係由以環氧系樹脂及/或環氧丁烷(oxetane)系樹脂作為主成分之樹脂組 合物所形成。
  6. 如請求項1至3中任一項之可撓性基板，其中上述樹脂層含有具有以通式(X)及/或(Y)所表示之重複單元的熱塑性樹脂： 式(X)中，R1為碳數6~24之經取代或未取代之芳基、碳數4~14之伸環烷基或碳數1~8之直鏈狀或支鏈狀之伸烷基，R2為碳數6~24之經取代或未取代之芳基、碳數1~8之直鏈狀或支鏈狀之烷基、碳數1~8之直鏈狀或支鏈狀之伸烷基、碳數5~12之環烷基、碳數5~12之伸環烷基或氫原子；式(Y)中，R3及R4分別獨立為碳數1~8之直鏈狀或支鏈狀之烷基、氫原子、碳數1~8之直鏈狀或支鏈狀之伸烷基、碳數5~12之環烷基或碳數5~12之伸環烷基，A為羰基或碳數1~8之直鏈狀或支鏈狀之伸烷基，m表示0~8之整數，n表示0~4之整數。
  7. 如請求項1至3中任一項之可撓性基板，其中上述樹脂層含有具有1個以上之以通式(Z)所表示之重複單元的熱塑性樹脂：[化2] 式(Z)中，R1為碳數6~24之經取代或未取代之芳基、碳數1~8之直鏈狀或支鏈狀之伸烷基、或碳數4~14之伸環烷基或氧原子，R2為碳數6~24之經取代或未取代之芳基、碳數1~8之直鏈狀或支鏈狀之烷基、碳數1~8之直鏈狀或支鏈狀之伸烷基、碳數5~12之環烷基、碳數5~12之伸環烷基或氫原子。
  8. 如請求項1至3中任一項之可撓性基板，其中上述樹脂層含有聚醚碸系樹脂。
  9. 如請求項1至3中任一項之可撓性基板，其中上述無機薄膜含有選自由氧化物、氮化物、氫化物及其複合化合物所組成之群中之至少1種無機化合物。
  10. 如請求項9之可撓性基板，其中上述無機化合物具有非晶結構。
  11. 如請求項1至3中任一項之可撓性基板，其中上述無機薄膜係無機氧化物層/無機氮化物層/無機氧化物層之3層結構。
  12. 一種有機電致發光顯示裝置，其包括如請求項1至11中任一項之可撓性基板。
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Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011086500A2 (en) * 2010-01-12 2011-07-21 Koninklijke Philips Electronics N.V. Sealed thin-film device, oled and solar cell
JP2011181590A (ja) * 2010-02-26 2011-09-15 Technology Research Association For Advanced Display Materials 有機ｅｌディスプレイ及び有機ｅｌディスプレイの製造方法
KR101374372B1 (ko) * 2011-05-12 2014-03-17 한국생산기술연구원 복합시트 및 이를 이용한 디스플레이 기판
KR101973826B1 (ko) * 2011-10-18 2019-08-26 에이지씨 가부시키가이샤 적층체, 적층체의 제조 방법 및 전자 디바이스용 부재가 부착된 유리 기판의 제조 방법
JP5907722B2 (ja) 2011-12-23 2016-04-26 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
JP5883333B2 (ja) * 2012-04-02 2016-03-15 日東電工株式会社 透明シートおよびその製造方法
US9403947B2 (en) * 2012-06-19 2016-08-02 Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd. Display device, method for manufacturing same, polyimide film for display device supporting bases, and method for producing polyimide film for display device supporting bases
CN102891115B (zh) * 2012-10-11 2016-08-17 京东方科技集团股份有限公司 基板及其制备方法
KR102072805B1 (ko) * 2013-04-15 2020-02-04 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그의 제조방법
US20150029681A1 (en) * 2013-07-29 2015-01-29 Evonik Industries Ag Flexible composite, production thereof and use thereof
JP2015050143A (ja) * 2013-09-04 2015-03-16 積水化学工業株式会社 有機エレクトロルミネッセンス表示素子用封止剤
KR20160085309A (ko) * 2013-11-12 2016-07-15 피피지 인더스트리즈 오하이오 인코포레이티드 광기전 시스템 및 광기전 시스템을 제조하기 위한 분무 코팅 방법
JP2015195106A (ja) * 2014-03-31 2015-11-05 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置及びその製造方法
JP6288774B2 (ja) * 2014-06-30 2018-03-07 トーカロ株式会社 防汚性に優れた高分子エラストマー部材およびそれを用いたロール部材
JP6520497B2 (ja) * 2014-07-09 2019-05-29 Tdk株式会社 リチウムイオン二次電池用負極活物質、リチウムイオン二次電池用負極およびリチウムイオン二次電池
JP6592883B2 (ja) * 2014-08-06 2019-10-23 三菱ケミカル株式会社 有機ｅｌ素子及びそれを用いた有機ｅｌ照明装置
KR102300025B1 (ko) * 2014-10-08 2021-09-09 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
JP2016159585A (ja) * 2015-03-04 2016-09-05 三菱化学株式会社 フレキシブル基板、それを用いた有機ｅｌ素子及び有機ｅｌ照明装置
JP6445358B2 (ja) * 2015-03-17 2018-12-26 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置の製造方法
JP6743420B2 (ja) * 2016-03-01 2020-08-19 三菱ケミカル株式会社 フレキシブル基板、電子デバイス製造用基板及び電子デバイス
CN106206945A (zh) 2016-09-08 2016-12-07 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性基板及其制备方法、柔性显示装置
US11374184B2 (en) 2016-09-08 2022-06-28 Boe Technology Group Co., Ltd. Flexible substrate and fabrication method thereof, and flexible display apparatus
CN107958879B (zh) * 2016-10-14 2020-06-05 财团法人工业技术研究院 柔性电子装置
US10275062B2 (en) * 2016-10-14 2019-04-30 Industrial Technology Research Institute Flexible electronic device having barrier planarization layer including nitrogen-rich region and oxygen-rich region
CN106848089B (zh) * 2016-12-23 2018-12-21 汇精（厦门）电子科技有限公司 一种柔性oled显示屏薄膜的制备方法
TWI692002B (zh) * 2017-02-28 2020-04-21 財團法人國家實驗研究院 可撓式基板結構、可撓式電晶體及其製造方法
CN106847832B (zh) * 2017-03-23 2019-04-26 武汉华星光电技术有限公司 柔性基板及柔性显示器
TWI634468B (zh) * 2017-08-18 2018-09-01 財團法人工業技術研究院 透明顯示裝置
US10396256B2 (en) 2017-08-18 2019-08-27 Industrial Technology Research Institute Electronic device package
CN109411417B (zh) 2017-08-18 2020-09-11 财团法人工业技术研究院 电子组件封装体以及显示面板
JP6782211B2 (ja) * 2017-09-08 2020-11-11 株式会社東芝 透明電極、それを用いた素子、および素子の製造方法
JP2018006351A (ja) * 2017-09-11 2018-01-11 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
TWI791631B (zh) * 2017-09-29 2023-02-11 日商大日本印刷股份有限公司 光學膜及影像顯示裝置
JP6406413B2 (ja) * 2017-11-01 2018-10-17 味の素株式会社 シート材
KR102429769B1 (ko) * 2017-12-11 2022-08-04 엘지디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 이를 포함하는 롤러블 디스플레이 시스템
CN109192878B (zh) * 2018-08-30 2019-11-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性oled显示面板
CN114953663B (zh) * 2019-03-29 2024-04-02 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性盖板、显示装置及柔性盖板的制备方法
JP2020181833A (ja) * 2020-08-05 2020-11-05 パイオニア株式会社 発光装置
WO2024116892A1 (ja) * 2022-11-29 2024-06-06 コニカミノルタ株式会社 積層体及び表示装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002297054A (ja) * 2001-03-29 2002-10-09 Sumitomo Bakelite Co Ltd 表示素子用基板
JP2005342898A (ja) * 2004-05-31 2005-12-15 Keiwa Inc 高バリア性シート

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3412213B2 (ja) * 1993-12-07 2003-06-03 東ソー株式会社 散光性合せガラス
US6287674B1 (en) * 1997-10-24 2001-09-11 Agfa-Gevaert Laminate comprising a thin borosilicate glass substrate as a constituting layer
JPH11195487A (ja) * 1997-12-27 1999-07-21 Tdk Corp 有機ｅｌ素子
GB2335884A (en) * 1998-04-02 1999-10-06 Cambridge Display Tech Ltd Flexible substrates for electronic or optoelectronic devices
EP1037862B1 (en) 1998-07-20 2005-07-13 Koninklijke Philips Electronics N.V. Flexible substrate
US6689626B2 (en) 1998-07-20 2004-02-10 Koninklijke Philips Electronics N.V. Flexible substrate
KR20010101433A (ko) * 1999-01-11 2001-11-14 암라인, 립퍼 평면 광원
JP2002534305A (ja) * 1999-01-11 2002-10-15 ショット・ディスプレイ・グラース・ゲーエムベーハー ポリマー被覆薄層ガラスフィルム基板
EP1048628A1 (de) 1999-04-30 2000-11-02 Schott Glas Polymerbeschichtete Dünnglasfoliensubstrate
JP2002299041A (ja) * 2001-03-30 2002-10-11 Hitachi Ltd 有機ｅｌ装置に用いるフィルム基材及び有機ｅｌ素子
US6944906B2 (en) * 2002-05-15 2005-09-20 Trico Products Corporation Direct drive windshield wiper assembly
JP2004079432A (ja) * 2002-08-21 2004-03-11 Nitto Denko Corp 透明ガスバリア性部材及びこれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2004082598A (ja) * 2002-08-28 2004-03-18 Dainippon Printing Co Ltd ガスバリア性積層材及びその製造方法
US7229703B2 (en) * 2003-03-31 2007-06-12 Dai Nippon Printing Co. Ltd. Gas barrier substrate
JP4363145B2 (ja) * 2003-09-30 2009-11-11 Ｊｓｒ株式会社 積層体および積層体の製造方法
US7075103B2 (en) * 2003-12-19 2006-07-11 General Electric Company Multilayer device and method of making
US20050269943A1 (en) * 2004-06-04 2005-12-08 Michael Hack Protected organic electronic devices and methods for making the same
JP4941295B2 (ja) * 2005-03-29 2012-05-30 株式会社スリーボンド 有機ｅｌ素子封止用フィルム及び有機ｅｌ素子の封止構造体
JP4982976B2 (ja) * 2005-06-29 2012-07-25 住友化学株式会社 フレキシブル基板の製造方法及びディスプレイ素子
JP4911445B2 (ja) * 2005-06-29 2012-04-04 富士フイルム株式会社 有機と無機のハイブリッド光電変換素子
US20070020451A1 (en) * 2005-07-20 2007-01-25 3M Innovative Properties Company Moisture barrier coatings
JP4906289B2 (ja) * 2005-08-26 2012-03-28 日本合成化学工業株式会社 樹脂成形体、及びその用途
US8758903B2 (en) * 2005-10-31 2014-06-24 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescent element, display device and lighting device
JP4957002B2 (ja) * 2006-01-31 2012-06-20 住友ベークライト株式会社 透明樹脂積層シート
DE102006046196A1 (de) * 2006-09-29 2008-04-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtmittel
JP2008107510A (ja) * 2006-10-25 2008-05-08 Nitto Denko Corp 表示素子用基板およびその製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002297054A (ja) * 2001-03-29 2002-10-09 Sumitomo Bakelite Co Ltd 表示素子用基板
JP2005342898A (ja) * 2004-05-31 2005-12-15 Keiwa Inc 高バリア性シート

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