TWI591651B - Conductive paste, wiring formation method and electronic component, silicon solar cell - Google Patents
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Description
本發明，係關於以銅為主體之金屬粒子所成的導電性糊劑、使用該導電性糊劑形成配線的配線形成方法、及以該導電性糊劑製造的電子零件及矽太陽電池。
導電性糊劑，係使用於形成晶片電阻器、晶片電容器、太陽電池等電子零件，以及在形成印刷配線基板、通孔之基板等的電子封裝品中形成配線。同時，亦可使用在連接控制顯示器像素交換的電晶體上之電極及配線上。目前之情形大多之導電性糊劑，係使用耐酸性方面良好的銀糊劑，但因銀高價同時在微距配線中亦容易發生電遷移不良(electromigration defect)的問題，因此已在檢討製作銀由銅取代的銅糊劑，以可以銅糊劑燒成得到低電阻而信賴性高之配線構造。
舉例如，在專利文獻1中，係揭示以熱硬化性樹脂、有機羧酸化合物、及螯合劑為必須成分，而銅粒子平均粒徑為7.0μm至9.0μm的導電性銅糊劑。
在專利文獻2中，係揭示以銅粒子、金屬鹽、多元醇
類、環氧樹脂、及咪唑為必須成分的導電性銅糊劑。
在專利文獻3中，係揭示其銅粒子之平均粒徑為0.1μm至1.0μm，且在銅粒子表面以厚度為100nm以下SiO2施以膠體包覆的導電性銅糊劑。
在專利文獻4中，所揭示的導電性銅糊劑，銅粒子之粒徑未達0.5μm，且在粒子表面又以二丁基羥基甲苯抑制其氧化。
在專利文獻5中，所揭示的導電性銅糊劑，銅粒子之內部係含矽0.1原子百分比至10原子百分比。
在專利文獻6中，係揭示銅粒子含鋁的導電性銅糊劑。
在專利文獻7中，係揭示銅粒子含鉍及鎂的導電性銅糊劑。
在專利文獻8中，所揭示的導電性銅糊劑，係由平均粒徑0.1μm至0.3μm的銅薄片及平均粒徑1nm至100nm的銀粒子所構成。
在專利文獻9中，係揭示在銅粒子的表面形成銅氧化物之銅粉。
在專利文獻10中，所揭示的導電性銅糊劑，係由含磷銅粒子、或表面覆銀的銅粒子所構成，當中並含助焊劑、玻璃粒子。
在專利文獻11中，係揭示在銅粒子之外，又含有熱硬化性樹脂、鄰羥苯甲醇(salicyl alcohol)、鉛、鉛化合物、鉍、鉍化合物的導電性銅糊劑。
然而，在上述先前之導電性銅糊劑中，金屬粒子中亦混合扁平之薄片狀物體、及尖針狀物體。因此，使網版印刷時發生阻塞，同時在印刷後配線中金屬粒子的填充率亦變差因此而誘發燒成後配線之形狀下垂。同時，亦使孔隙率提高，使燒結性變差而成為燒成後配線電阻上昇的原因。
此外，如先前之銀糊劑在空氣下進行燒成時，由於黏結劑樹脂會與空氣反應，使燒成後配線中剩餘的樹脂量極度降低，因此可抑制因樹脂剩餘而使配線電阻上昇。相對於此，因銅在含氧之氣體下容易氧化，導電性銅糊劑，有在惰性氣體中或真空中燒成的必要，該情形時，又有因氧氣不足使黏結劑樹脂成分餘留在配線中而使燒結性變差，因而配線電阻上昇的問題。
此外，如上述之情形，由於銅容易氧化，導電性銅糊劑，必須在惰性氣體中或真空中燒成，而且，又難以適當地抑制銅粒子之氧化，因此有燒成時銅粒子受氧化，使配線電阻上昇的傾向。
專利文獻1：日本專利特開2008-130301號公報
專利文獻2：日本專利特開2008-226727號公報
專利文獻3：日本專利特開2009-79269號公報
專利文獻4：日本專利特開2009-146890號公報
專利文獻5：日本專利特開2010-13726號公報
專利文獻6：日本專利特開2010-161331號公報
專利文獻7：日本專利特開2011-26631號公報
專利文獻8：日本專利特開2011-44509號公報
專利文獻9：日本專利特開2011-94236號公報
專利文獻10：日本專利特開2011-171274號公報
專利文獻11：日本專利第4396134號公報
本發明鑑於此種狀況，目的在提供印刷性及燒結性優良，可減低燒成後之配線電阻的導電性糊劑、使用該導電性糊劑形成配線的配線形成方法、及使用該導電性糊劑所製造之電子零件及矽太陽電池。
為達成上述目的，
(1)本發明之第1發明，係一種以銅為主體之金屬粒子所成的導電性糊劑，其特徵係以金屬粒子的最大直徑(dmax)與最小直徑(dmin)之比例所定義的縱橫比(dmax/dmin)之平均值為1.0以上、小於2.2。
(2)本發明之第2發明，係如上述(1)項之發明，其中上述金屬粒子的90%粒徑大於0.3μm、小於7.0μm。
(3)本發明之第3發明，係如上述(2)項之發明，其中上述金屬粒子的50%粒徑大於0.1μm、小於3.4μm。
(4)本發明之第4發明，係如上述(1)至(3)中任1項之發明，其中上述金屬粒子中所含之氧濃度為0.05質量%以上、2.0質量%以下。
(5)本發明之第5發明，係如上述(1)至(4)中任1項之發明，其中上述金屬粒子中所含銅以外的金屬元素之總量濃度，為金屬粒子全體之1.0質量%以下。
(6)本發明之第6發明，係如上述(5)項之發明，其中上述金屬粒子中所含銅以外的金屬元素之中，氧化物標準生成吉布斯自由能(Gibbs free energy)小於鐵的元素之總量濃度，為金屬粒子全體之0.5質量%以下。
(7)本發明之第7發明，係如上述(5)或(6)項之發明，其中上述金屬粒子中所含銅以外的金屬元素之中，室溫下銅中固溶限度之0.1質量%以下的元素之總量濃度為金屬粒子全體之0.5質量%以下。
(8)本發明之第8發明，係如上述(1)至(7)中任1項之發明，其中上述導電性糊劑中所含有機媒劑中的黏結劑樹脂之質量%大於0.05%、小於17.0%。
(9)本發明之第9發明，係如上述(1)至(8)中任1項之發明，其中上述導電性糊劑中所含有機媒劑之質量%大於3.0%、小於19.0%。
(10)本發明之第10發明，係一種配線形成方法，其特徵係在將導電性糊劑印刷於基板並燒成形成配線之配線形成方法中，於上述導電性糊劑中，使用如上述(1)至(9)中任1項之導電性糊劑，上述燒成係以燒成氣體
為惰性氣體或真空且燒成氣體中氧分壓為10-3Pa以下之條件下進行。
(11)本發明之第11發明，係一種配線形成方法，其特徵係在將導電性糊劑印刷於基板並燒成形成配線之配線形成方法中，於上述導電性糊劑中，使用如上述(1)至(9)中任1項之導電性糊劑，上述燒成，係於燒成氣體為惰性氣體或真空，且燒成氣體中一氧化碳與二氧化碳之壓力比(CO/CO2)為10-8以上的條件下進行。
(12)本發明之第12發明，係如上述(10)或(11)項之任1項之發明，其中上述惰性氣體為氮氣或氬氣，並含3500ppm以下之氧，且在導入燒成爐之前通過醇液中。
(13)本發明之第13發明，係如上述(10)至(12)中任1項之發明，其中上述燒成，燒成溫度為200℃以上850℃以下、燒成時間為1分鐘以上60分鐘以下。
(14)本發明之第14發明，係如上述(10)或(11)項之發明，其中上述燒成，係在燒成溫度300℃以上500℃以下、燒成時間1分鐘以上7分鐘以下之條件下進行，且上述惰性氣體不通過醇液中即導入燒成爐。
(15)本發明之第15發明，係一種電子零件，其特徵係使用以如上述(1)至(9)中任1項之導電性糊劑在基板上形成的配線所製造。
(16)本發明之第16發明，係一種矽太陽電池，其
特徵係使用以如上述(1)至(9)中任1項之導電性糊劑在基板上形成的配線所製造。
本發明之第1發明中，該導電性糊劑中，以銅為主體之金屬粒子以最大直徑(dmax)與最小直徑(dmin)比例所定義之縱橫比(dmax/dmin)的平均值係1.0以上、小於2.2。金屬粒子之平均縱橫比在超過2.2時，會使粒子形狀為極度扁平之薄片狀、或極尖之針狀粒子，因此在網版印刷時會發生阻塞。而且，亦使印刷後配線中金屬粒子的填充率變差因此誘發配線形狀下垂，同時由於會增加孔隙率，使燒結性變差成為燒成後配線電阻上昇的原因。另一方面，在使平均縱橫比為1.0以上、小於2.2時，可避免因扁平粒子及針狀粒子而在印刷時發生阻塞，同時可抑制印刷後配線形狀下垂，改善燒成後粒子間之燒結性，而可提供具有優良配線形狀的低電阻配線。
本發明之第2發明中，金屬粒子的90%粒徑係大於0.3μm、小於7.0μm。在以導電性糊劑在網版印刷形成配線形狀時，在90%粒徑超過7.0μm時，會成為網版印刷時發生阻塞的原因。因此以90%粒徑值小為佳，但亦會由於未達0.3μm，使以水霧化法(water atomization process)等所製作的粒子大部分因分級而被排除廢棄，使導電性糊劑原料的金屬粒子之成本無謂地提高。所以，使90%粒徑大於0.3μm、小於7.0μm，可使原料成本不致無謂地提
高，而又可提供印刷時不發生阻塞的導電性糊劑。
本發明之第3發明中，金屬粒子的50%粒徑係大於0.1μm、小於3.4μm。在小於3.4μm時，在與有機媒劑混拌時，即使黏結劑樹脂含有率較先前之導電性糊劑低，導電性糊劑亦可得到必要之黏性(150至350Pa．s)。因此，在惰性氣體或真空中燒成時，可減低來自於黏結劑樹脂成分的剩餘碳量，可形成燒結性優良之低電阻配線。在50%粒徑超過3.4μm時，有必要為維持最適黏性而增加黏結劑樹脂的含量，且燒成後會餘留碳而阻礙配線之低電阻化。同時，在未達0.1μm時，不只會使原料成本無謂地提高，亦會使相對粒子表面的銅氧化物粒子全體體積之相對量增加，因存在剩餘之氧而使燒結性變差，而提高配線電阻。
本發明之第4發明中，金屬粒子中所含之氧濃度係0.05質量%以上、2.0質量%以下，因此可達到印刷性之改善、配線電阻之減低、以及成本之抑制。在氧濃度超過2.0質量%時會使金屬粒子之氧化程度顯著，在導電性糊劑中凝集之傾向提高，使印刷性變差而不佳。同時，之後再燒成亦無法完全還原氧化金屬，而使燒成後之配線電阻增加因此不佳。因而，以不可避免而含之氧濃度可能的限度減低為佳，為使以霧化法等所製作的金屬粒子中氧濃度未達0.05質量%，必須在還原性氣體中處理，但又會使成本提高而不佳。
本發明之第5發明中，金屬粒子中所含銅以外的金屬
元素之總量濃度係1.0質量%以下。一般，以霧化法等所製作的金屬粒子，亦接收原料中所含的金屬不純物。一般廣泛所知金屬粒子中含不純物會使電阻提高而不佳，但在導電性糊劑之情形燒成後配線中存在孔隙而影響電阻增加之情形多，因此含不純物而使電阻上昇的效果較小，但至整體電阻(bulk resistance)的10倍為止亦可容許。本發明中，由於該不純物的銅以外之金屬元素的總量濃度為1.0質量%以下，來自於不純物的電阻上昇仍包含在容許範圍內。
本發明之第6發明中，金屬粒子中所含銅以外的金屬元素之中，氧化物標準生成吉布斯自由能小於鐵的元素之總量濃度，係金屬粒子全體之0.5質量%以下。金屬元素之氧化物標準生成吉布斯自由能(△G0)可以Ellingham圖表示，即△G0越小形成氧化物之傾向越強。△G0小於鐵的元素，係錳(Mn)、矽(Si)、硼(B)、鈦(Ti)、鈰(Ce)、鋁(Al)、鎂(Mg)、鈣(Ca)，此類元素，會在粒子製造步驟、導電性糊劑製造步驟及導電性糊劑燒成步驟中受氧化而在金屬粒子之表面及內部以氧化物粒子析出。結果，不只使粒子本身之電阻上昇，且在燒成時使粒子間之燒結性變差而使配線電阻上昇。因此，在以銅為主體之金屬粒子中所含的此類元素之總量為0.5質量%以下時，即可無視於氧化物之影響。
本發明之第7發明中，金屬粒子中所含銅以外的金屬元素之中，室溫下銅中固溶限度為0.1質量%以下的元素
之總量濃度，係金屬粒子全體之0.5質量%以下。滿足此條件的元素，為銀(Ag)、鉍(Bi)、鈷(Co)、鉻(Cr)、鐵(Fe)、鉬(Mo)、鈮(Nb)、鉛(Pb)、釕(Ru)、鉭(Ta)、鎢(W)、釩(V)，由於固溶限度小而有離析於銅粒子之表面及粒界的傾向。在發生表面離析時不只會使燒成時之燒結性變差，亦會使燒結界面之電阻上昇。同時，發生粒界離析時亦會使電子之粒界散射效應增大，因此使配線電阻上昇。是故，在以銅為主體的金屬粒子中所含的此類元素之總量為0.5質量%以下時即可無視於離析的不良影響。
本發明之第8發明中，導電性糊劑中所含有機媒劑中的黏結劑樹脂之質量%係大於0.05%、小於17.0%。在如先前之銀糊劑在空氣下進行燒成之情形時，係以黏結劑樹脂與空氣反應，而極力減少燒成後餘留在配線中的樹脂量，以抑制因剩餘樹脂而使配線電阻上昇。相對地，由於由銅粒子所構成之導電性糊劑係在惰性氣體中或真空中燒成，使黏結劑樹脂成分餘留在配線中，而使燒結性變差同時使配線電阻上昇。因此，在有機媒劑中黏結劑樹脂之質量%小於17.0%時，即可無視於燒成後餘留在配線中的黏結劑樹脂成分對配線電阻的影響。另一方面，在有機媒劑中黏結劑樹脂之質量%未達0.05%時，會使導電性糊劑之黏度減低，而使印刷性變差。是故，以大於0.05%、小於17.0%為佳。
本發明之第9發明中，由於導電性糊劑中所含有機媒
劑之質量%係大於3.0%、小於19.0%，因此可保持配線形狀良好。有機媒劑，係指以黏結劑樹脂、溶劑及其他視必要所添加的有機物之全部混合的液體，使有機媒劑之質量%為19.0%以上時，會使導電性糊劑的黏度減低，因此發生印刷配線形狀下垂而不佳。另一方面，在有機媒劑之質量%未達3.0%時，會使導電性糊劑的黏度過高，因此無法形成形狀一致的配線亦不佳。
本發明之第10發明中，在以本發明之導電性糊劑印刷於基板並燒成形成配線時，當中之燒成，燒成之氣體為惰性氣體或真空，而在燒成氣體中氧分壓為10-3Pa以下之條件下進行。當中之真空，係指壓力為10-2Pa以下之情形。在氧分壓超過10-3Pa時，燒成時會使銅粒子氧化。另一方面，在氧分壓為10-3Pa以下時，可防止燒成時銅粒子的氧化。同時，在含10-3Pa以下的微量氧時，不會與黏結劑樹脂發生反應，使黏結劑樹脂成分幾乎不餘留在配線中，因此可無視於剩餘黏結劑樹脂之影響。
本發明之第11發明中，在將本發明之導電性糊劑印刷於基板並燒成形成配線時，當中燒成，係在燒成氣體為惰性氣體或真空下，在該燒成氣體中一氧化碳與二氧化碳之壓力比(CO/CO2)為10-8以上之條件下進行。當中之真空，係指壓力為10-2Pa以下之情形。在(CO/CO2)未達10-8時，燒成時會使銅粒子氧化。另一方面，在(CO/CO2)為10-8以上時，由於CO之還原作用，可防止燒成時銅粒子之氧化。即使部分燒成前的銅粒子受氧化，
氧化銅亦會還原為銅，因此可表現良好的燒結性。
本發明之第12發明中，惰性氣體係氮氣或氬氣，而含3500ppm以下之氧，且在導入燒成爐之前通過醇液中。如此，不只可使醇分子與氧在燒成爐中分解消除黏結劑樹脂，同時可使銅粒子表面上無可避免形成之銅氧化物還原，因此在200℃之低溫下亦可達到銅粒子之燒結，而得到低電阻配線。同時，氫氣下銅氧化物亦有還原作用，可作為燒成氣體使用，但無法達到黏結劑樹脂成分之分解消除，因此不佳。
本發明之第13發明中，燒成條件，燒成溫度為200℃以上850℃以下、燒成時間為1分鐘以上60分鐘以下，可因此保持良好之燒結性，確實防止因氧化而高電阻化，並可維持高生產性。燒成溫度未達200℃時會使銅粒子之燒結性不足，超過850℃時又會使銅粒子氧化而不佳。同時，燒成時間為1分鐘以上時可得到充分之燒結性。燒成時間超過60分鐘時會降低生產性而不佳。
本發明之第14發明中，燒成條件，燒成溫度為300℃以上500℃以下、燒成時間為1分鐘以上7分鐘以下，且惰性氣體不通過醇液中而導入燒成爐。在設定之燒成條件下，以惰性氣體不通過醇液中而導入燒成爐中，可表現良好的燒結性，得到低電阻配線。
本發明之第15發明中，係使用本發明之導電性糊劑製造電子零件，而可在製造階段改善印刷性及燒結性，因此，可製造配線電阻低的電子零件。同時，可抑制在基板
界面上形成該元素之氧化物，因此可提供具備與基板之密接性優良的配線之電子零件。具有該配線的電子零件，可減低零件整體之直流電阻成分，因此可達到省電、高效、且為高信賴性。
本發明之第16發明中，係使用本發明之導電性糊劑製造矽太陽電池，而可在製造階段改善印刷性及燒結性，因此，可製造配線電阻低的矽太陽電池。同時，可抑制在基板界面上形成該元素之氧化物，因此可提供具備與基板之密接性優良的配線之矽太陽電池。具有該配線的矽太陽電池，可減低零件整體之直流電阻成分，因此可達到省電、高效、且為高信賴性。
第1圖，係表示在矽基板上印刷銅糊劑再以各種溫度及時間燒成時配線之電阻率圖。
第2圖，係表示在矽基板上印刷銅糊劑，再於500℃下進行燒成10分鐘時配線之截面組織圖。
以下再詳細說明本發明之實施形態。
本發明之導電性糊劑中所含之金屬粒子，以係以氣體霧化法、或水霧化法等方法所製造之球狀粒子為佳。當中
球狀粒子並無必要為完全球形，但粒子最大直徑(dmax)與最小直徑(dmin)比例所定義之縱橫比(dmax/dmin)的平均值以1.0以上、小於2.2為佳，1.0以上2.0以下更佳。
在金屬粒子之平均縱橫比超過2.2時，會使粒子形狀形成極度扁平之薄片狀、極尖之針狀粒子，因此在網版印刷時會發生阻塞。同時，使印刷後在配線上金屬粒子之填充率變差而誘發配線形狀下垂，並同時提高孔隙率，成為燒結性減低而燒成後配線電阻上昇之原因。
本發明中，使平均縱橫為1.0以上、小於2.2，而可避免扁平粒子及針狀粒子在印刷時阻塞，並同時抑制印刷後配線形狀下垂，改善燒成後粒子間之燒結性，因此可提供具有優良配線形狀的低電阻配線。在平均縱橫比為1.0以上2.0以下時，即可確實得到該效果。
再者，在技術上難以完全排除平均縱橫比超過2.2之粒子，但在粒子數比例在5%以內時即使含超過2.2之粒子，亦不致對之後製作的糊劑之特性造成不良影響。
體積基準之球相當徑的範圍，以使90%粒徑大於0.3μm、小於7.0μm為佳。在以導電性糊劑經由網版印刷形成配線形狀時，在90%粒徑超過7.0μm時，會成為網版印刷時發生阻塞的原因。因此以90%粒徑值較小為佳，在使其未達0.3μm時，則須藉由分級排除廢棄以水霧化法等製作之粒子的大部分，因此會使導電性糊劑原料的金屬粒子之成本無謂地提高。是故，使90%粒徑大於0.3μm、小
於7.0μm，可不使原料成本無謂地提高，而可提供印刷時不發生阻塞的導電性糊劑。
再者，體積基準之球相當徑的範圍，又以50%粒徑大於0.1μm、小於3.4μm更佳。在小於3.4μm時，在與有機媒劑混拌時，即使在黏結劑樹脂含有率低於先前之導電性糊劑時，亦可得到導電性糊劑所必要的黏性(150至350Pa．s)。因此，在於惰性氣體及真空中燒成時，亦可減低來自於黏結劑樹脂成分的剩餘碳量，因此可形成燒結性優良之低電阻配線。在50%粒徑超過3.4μm時，為維持最適之黏性而有增加黏結劑樹脂含量的必要，在燒成後餘留碳而阻礙配線之低電阻化。此外，在未達0.1μm時，不只無謂地提高原料成本，亦增加粒子表面銅氧化物相對粒子全體積的相對量，因剩餘氧之存在使燒結性降低，而增加配線電阻。
90%粒徑大於0.3μm、小於7.0μm的粒子，或50%粒徑大於0.1μm、小於3.4μm的粒子，可利用濾篩及氣流分級器等方法得到。同時，可在導電性糊劑乾燥後以掃瞄式電子顯微鏡觀察組織測定漿劑中銅粒子的縱橫比、粒徑、粒子數比例。
導電性糊劑中所含之銅粒子，以粒子中之氧濃度為0.05質量%以上、2.0質量%以下為佳。更佳者，為上限濃度為1.0質量%以下者。所以規定此類粒子中之氧濃度，係由於氧濃度超過2.0質量%時會使金屬粒子氧化程度顯著，使導電性糊劑中凝集之傾向增大，而降低印刷性之
故。同時，亦為防止由於之後之燒成無法使氧化金屬完全還原而增加燒成後的配線電阻之故。另一方面，可能之限度以低氧濃度為佳，為使以霧化法等所製作之金屬粒子中氧濃度未達0.05質量%，而有在還原氣體中處理的必要，但會提高成本而不佳。
粒子中所含銅以外的金屬元素之總量濃度以係1.0質量%以下為佳，抑制為0.8質量%以下更佳。
一般，以霧化法等所製作之金屬粒子，亦接受原料中所含之金屬不純物。一般已知金屬粒子在含金屬不純物時會提高電阻而不佳，但在導電性糊劑之情形燒成後配線中存在的孔隙使電阻上昇之影響較強，因此來自於所含之不純物而使電阻上昇的效果較小，但至整體電阻的10倍仍可容許。本發明中，由於該不純物之銅以外的金屬元素之總量濃度為1.0質量%以下，來自於不純物的電阻上昇仍包含在容許範圍內。
該銅以外的金屬元素中，氧化物標準生成吉布斯自由能小於鐵的元素之總量濃度，係金屬粒子全體之0.5質量%以下。金屬元素之氧化物標準生成吉布斯自由能(△G0)可以Ellingham圖表示，△G0越小形成氧化物的傾向越強。具體地，以Ellingham圖及熱力學資料庫記載之值等比較檢討的結果，可抑制總量濃度的對象之元素，係錳(Mn)、矽(Si)、硼(B)、鈦(Ti)、鈰(Ce)、鋁(Al)、鎂(Mg)、鈣(Ca)。
此類元素，會在粒子製造步驟、導電性糊劑製造步驟
及導電性糊劑燒成步驟中受氧化而在金屬粒子之表面及內部以氧化物粒子析出。結果，不只使粒子本身之電阻上昇，且在燒成時使粒子間之燒結性變差而使配線電阻上昇。因此，在以銅為主體之金屬粒子中所含的此類元素之總量為0.5質量%以下時，即使形成氧化物，亦可無視於其影響，抑制為低配線電阻。
此外，在該銅以外的金屬元素中，室溫下銅中固溶限度為0.1質量%以下的元素，其總量濃度，係金屬粒子全體之0.5質量%以下。具體地，以二元相圖中記載之資訊比較檢討的結果，可為對象之元素，係銀(Ag)、鉍(Bi)、鈷(Co)、鉻(Cr)、鐵(Fe)、鉬(Mo)、鈮(Nb)、鉛(Pb)、釕(Ru)、鉭(Ta)、鎢(W)、釩(V)。
此類元素，由於固溶限度小而有離析於銅粒子之表面及粒界的傾向。在發生表面離析時不只會使燒成時之燒結性變差，亦會使燒結界面之電阻上昇。同時，發生粒界離析時亦會使電子之粒界散射效應增大，因此使配線電阻上昇。是故，使以銅為主體的金屬粒子中所含的此類元素之總量為0.5質量%以下時即可無視於離析的不良影響，而抑制為低配線電阻。
再者，上述之氧濃度及金屬濃度，可以高頻感應偶合電漿分光分析、螢光X射線分光分析、X射線能量分光分析等一般已知之分析方法分析。
導電性糊劑中所含有機媒劑中之黏結劑樹脂的質量%係大於0.05%、小於17.0%。黏結劑樹脂只要為可以本發明中記載之燒成法分解的樹脂即可。可例舉如甲基纖維素、乙基纖維素、羧甲基纖維素等之纖維素樹脂，聚丙烯樹脂、丁醛樹脂、醇酸樹脂、環氧樹脂、酚樹脂等。當中，以使用有容易地與在燒成氣體中所含的微量氧或微量一氧化碳反應而在導電性糊劑中消失之傾向的纖維素系樹脂為佳。更佳者，在纖維素系樹脂中，以使用乙基纖維素較佳。
在如先前之銀糊劑在空氣中進行燒成之情形時，可以黏結劑樹脂與空氣反應，極力減低燒成後餘留在配線中的樹脂量，而抑制餘留樹脂使配線電阻上昇。相對於此，由於銅粒子構成之導電性糊劑係在惰性氣體或真空中燒成，而在配線中餘留黏結劑樹脂成分，因此會降低燒結性同時提高配線電阻。是故，使有機媒劑中黏結劑樹脂的質量%小於17.0%時，即可無視於燒成後餘留在配線中的黏結劑樹脂成分對配線電阻所造成之影響。另一方面，在使有機媒劑中黏結劑樹脂的質量%未達0.05%時，又會使導電性糊劑的黏度降低，而使印刷性變差。因此，本發明中，使導電性糊劑中所含有機媒劑中黏結劑樹脂之質量%大於0.05%、小於17.0%。
導電性糊劑中所含的溶劑，只要為具有適當之沸點、蒸氣壓、黏性者即可，並無特別之限定。可例舉如烴系溶劑、氯化烴系溶劑、環醚系溶劑、醯胺系溶劑、亞碸系溶劑、酮系溶劑、醇系溶劑、多元醇酯系溶劑、多元醇醚系溶劑、萜烯系溶劑、及其混合物。其中，以使用沸點接近200℃之酯醇12(texanol)、丁基卡必醇、丁基卡必醇乙酸酯、松脂醇(terpineol)較佳。
有機媒劑，係指將黏結劑樹脂、溶劑及其他依必要所添加的有機物全部混合之液體。在於本發明中所載之氣體中燒成之情形時，使用以黏結劑樹脂及溶劑混合所製作之有機媒劑即已充足，但亦可再依照必要混合金屬鹽及多元醇。當中金屬鹽之例可舉如乙酸銅(Ⅱ)、苯甲酸銅(Ⅱ)、雙(乙醯丙酮)銅(Ⅱ)。同時，多元醇之例可舉如乙二醇、二乙二醇、三亞甲基二醇、丙二醇、四亞乙基二醇。添加此些物質，在燒成時多元醇可還原金屬鹽，而在粒子間之孔隙析出受還原之金屬，因此有提高粒子間電導性之作用。
導電性糊劑中所含的上述有機媒劑之質量%，以大於3.0%、小於19.0%為佳。更佳者，以8.0%以上15.0%以下更佳。
在導電性糊劑中所含的上述有機媒劑之質量%，為大於3.0%、小於19.0%時，可保持配線形狀良好。在有機媒
劑的質量%為19.0%以上時，可使導電性糊劑的黏性降低，因此使印刷之配線形狀產生下垂而不佳。另一方面，在有機媒劑的質量%未達3.0%時，可使導電性糊劑的黏性過高，因此無法形成形狀一致的配線亦不佳。
導電性糊劑的製作，可以黏結劑樹脂混合溶劑，再添加銅粒子，並以行星式攪拌機(planetary mixer)等之裝置混拌。再者，亦可再添加質量比相對銅粒子質量為10%以下的玻璃粉末。同時，視必要亦可使用以三輥滾壓機提高粒子分散性的方法。
上述中之導電性糊劑，可製作成以網版印刷法等方法在基板上印刷成配線形狀。之後再以惰性氣體或在真空之環境中燒成，使金屬粒子燒結成配線。在此真空，係指壓力10-2Pa以下之情形。此可在燒成氣體中，使存在的氧分壓為10-3Pa以下。
在氧分壓超過10-3Pa時，在燒成時會使銅粒子氧化。另一方面，在氧分壓為10-3Pa以下時，在燒成時可抑制銅粒子之氧化。同時，在含10-3Pa以下的微量氧時，不會與黏結劑樹脂發生反應，因此黏結劑樹脂成分幾乎不餘留在配線中，可無視於餘留黏結劑樹脂之影響。
同時，本發明中，亦可在燒成氣體中CO/CO2壓力為
10-8以上之條件下進行燒成。在(CO/CO2)未達10-8時，在燒成時會使銅粒子氧化。另一方面，在(CO/CO2)為10-8以上時，其還原作用，可確實防止燒成時銅粒子的氧化。即使部分燒成前的銅粒子受氧化，氧化銅亦會還原為銅，因此可表現良好的燒結性。
如此，本發明，可以在惰性氣體或真空之燒成環境下，使氧分壓為10-3Pa以下，或CO/CO2壓力比為10-8以上，同時惰性氣體中，係採用含氧為3500ppm以下之氮氣，並在導入燒成爐前通過醇液，因此可達到更為良好之燒結性。亦即，以氮氣通過醇液中，可使醇分子與氧在燒成爐中分解消除黏結劑樹脂，並同時還原在銅粒子表面不可避免而形成的銅氧化物，即使在200℃之低溫下亦可達到銅粒子的燒結，因此可得到低電阻配線。再者，由於氫氣氣體具有還原銅氧化物之作用，亦有使用為燒成氣體者，但並無法達到黏結劑樹脂的分解消除，因此並不佳。
同時，上述說明中，雖然惰性氣體係使用氮氣，但亦可使用含氧為3500ppm以下之氬氣。
以上述配線形成方法，即可在由絕緣性陶磁、導電性陶磁、半導體之任一種所構成的基板上形成金屬配線，成為電子零件。絕緣性陶磁基板，係使用在電阻器及電容器等之中，導電性陶磁基板，係使用在觸控面板及太陽電池之表面電極等之中，半導體基板係使用在平板顯示器之像
素電晶體及太陽電池等之中。由於此類基板電子零件係使用本發明的導電性糊劑製造，因此可在製造階段中改善印刷性及燒結性，因而，可為配線電阻低的電子零件。同時，具有此類配線之電子零件，可抑制零件全體之直流電阻成分，而為具有省電、高效、高性能且高信賴性特點的電子零件。
再者，使配線中所含銅以外的金屬元素之總量濃度為1.0質量%以下時，又可抑制配線電阻上昇。特別，使銅以外之金屬元素中，其氧化物標準生成吉布斯自由能，小於鐵的元素之總量濃度，為金屬粒子全體之0.5質量%以下時，即可抑制配線中高電阻氧化物形成，因此可提供低電阻配線。同時，又可抑制基板界面上形成該元素之氧化物，因此可提供與基板之密接性優良的高信賴性配線。
此外，使配線中所含銅以外的金屬元素之總量濃度為1.0質量%以下，並使該銅以外的金屬元素中，室溫下銅中之固溶限度為0.1質量%以下的元素，在金屬粒子全體之0.5質量%以下時，即可抑制在燒成所得之配線與粒界及孔隙相接之表面、及與基板之界面上使該元素離析、及此類元素氧化物之存在，因此，可提供低電阻配線，同時並提供與基板密接性優良而高信賴性之配線。
絕緣性陶磁基板，如上所述，可使用於電阻器及電容器等之中，使用本發明之銅電子糊劑，亦可提供廉價而信賴性優良之電子零件。
導電性陶磁基板，係具有在玻璃表面以銦錫氧化物
(ITO)等成膜之基板，可作為觸控面板等之電子零件。在觸控面板中金屬配線係作為支架電極(frame electrode)使用，而在使用本發明之導電性糊劑時，可使觸控面板快速回應，減少支架面積，因此可使畫面尺寸更大。
導電性陶磁基板上，除ITO之外亦有以錫氧化物、鋅氧化物、及此類氧化物中添加價數不同之其他金屬者，而可使用在太陽電池中有效率地收集生成之電子的表面透明電極上。在此類導電性陶磁基板上以本發明之導電性糊劑形成配線，可提高基板與配線界面之密接性，減低界面接觸電阻，並同時提高釋放電流，使發電效率提高，因此可提供電遷移耐性優良之太陽電池。
半導體基板方面，係有在大型顯示器進行像素交換的銦鎵鋅氧化物(IGZO)。在IGZO半導體上以本發明的銅糊劑形成閘電極、源電極、汲電極以及配線，可提供比較先前以真空蒸鍍、蝕刻法、光蝕步驟的配線形成法，廉價而具有同等性能之電極及配線的顯示器。
其他的半導體基板方面，係有矽等太陽電池射極(emitter)之材料。金屬糊劑，係可用於受光表面及內面之集電電極。在該集電電極中使用本發明的銅糊劑，可提高基板與配線界面之密接性，降低界面接觸電阻，並同時提高釋放電流，因此可提供發電效率優良、電遷移耐性亦佳之太陽電池。
以下再舉實施例，更詳細說明本發明，惟本發明並不限定於此等實施例。
當中銅糊劑之製作係如下進行。其銅粒子係使用高壓水霧化法所形成者。銅粒子之10%粒徑為0.7μm、50%粒徑為1.3μm、90%粒徑為2.2μm。同時，銅粒子之平均縱橫比為1.2。以螢光X射線分析法測定銅粒子組成之結果，銅濃度為99.8質量%，鋅(Zn)、錫(Sn)、鐵(Fe)、鈹(Be)、鎳(Ni)、錳(Mn)之總量濃度為0.2質量%。
其次，再製作有機媒劑，有機媒劑中稱取之乙基纖維素質量%為5%、酯醇12之質量%為95%，並於玻璃容器中攪拌混合。之後再稱取操作所得的有機媒劑12%質量%、銅粒子88%質量%，並以行星式攪拌機混拌，成為銅糊劑。
該銅糊劑再以自動網版印刷機，印刷為配線形狀。當中使用之基板為以鹼蝕刻法在表面形成織質結構(texture)的單晶矽晶片，形狀，為單邊長度125mm的正方形。印刷使用之網版為不銹鋼製，開口面上並具有線寬70μm、線間隔3mm的平行開口面。
印刷所形成之配線在室溫下乾燥後，以目視及光學顯微鏡觀察之結果，配線之寬及形狀一致，並確定無斷線、突出部分。同時，切開基板觀察配線截面之結果，配線厚
度為23μm，與基板相接之配線底邊長度為73μm。在以同樣之條件而以銀糊劑印刷時，其底邊長度為99μm，開發之銅糊劑，可抑制因糊劑下垂使底邊長度增長，而可減低使用在太陽電池時之遮光損失。同時，網版開口面線寬，即使變換為60μm、50μm、40μm、30μm亦可印刷為具有一致寬度及截面形狀的配線。同時在所有之情形，配線之底面長度，均在網版開口面線寬之1.01倍以上、1.65倍以下的範圍。此外，配線之厚度以配線之底面長度除所得之配線截面縱橫比，係0.18以上、0.35以下。因此本發明，可製作成可表現良好印刷性的銅糊劑。
其次，再配置以上述銅糊劑印刷的矽基板在燒成爐中，並排氣使爐內壓力為10-2Pa以下。之後，於150℃下加熱5分鐘進行糊劑之乾燥。然後，再使爐溫度由300℃上昇至500℃範圍的各種溫度，並以通過乙醇而含1000ppm氧之氮氣導入爐內，進行燒成1分鐘至10分鐘。第1圖中，係顯示如此操作所燒成的矽基板上配線電阻率與燒成溫度及燒成時間的相關性。在燒成溫度300℃下配線電阻率為20μΩ．cm程度，在燒成時間350℃以上時，配線電阻率為10μΩ．cm以下。同時，在燒成時間1分鐘至10分鐘之範圍下，並未觀察到電阻率顯著為時間相關性。因此，在燒成時間60分鐘時亦相同。
在於前述300℃至500℃之範圍下燒成時，亦可以含較3500ppm為低之氧的氮氣，不通過乙醇而直接導入爐內進行燒成。該情形時，由於氮氣中所含的氧可使銅粒子
徐徐氧化，在燒成時間為7分鐘以上時配線的電阻率會超過10μΩ．cm，因此結果不佳。另一方面，在350℃以上之燒成溫度下，在燒成時間較6分鐘以下時，可得到較10μΩ．cm為低的配線電阻率。
同時，在前述300℃至500℃的範圍下燒成時，亦可以含3500ppm以下的氧之氮氣導入，並同時導入一氧化碳氣體，而在燒成氣體中一氧化碳與二氧化碳壓力比(CO/CO2)為10-8以上之條件下進行燒成。在該燒成氣體下，在爐內溫度由300℃上昇至500℃範圍的各種溫度，進行燒成1分鐘至10分鐘之結果，可得到如第1圖所示相同的結果。亦即，在燒成溫度300℃下配線電阻率為20μΩ．cm程度，在燒成溫度為350℃以上時，配線電阻率為10μΩ．cm以下。
第2圖中，係表示在以氮氣通過乙醇後導入爐內，並在500℃下進行燒成10分鐘的配線截面組織。結果銅粒子燒結而粒子間相連結，但孔隙中並未觀察到樹脂成分的餘留物。而且，該配線再以高頻感應偶合電漿分光分析法分析組成之結果，所含銅以外之金屬元素的濃度，與純度99.8%之原料粒子的濃度比較並無有意義之差。同時，在與基板之界面上銅粒子顯著地有平坦的部分，顯示與基板之接觸良好。第2圖中之基板係矽基板，但其他之絕緣性陶磁基板、導電性陶磁基板、半導體基板亦為相同之組織形態。
係在上述實施例1之條件下，改變銅粒子之平均縱橫比，在切變-應變速度為每秒1而在25℃下測定糊劑黏度(η)、及試驗燒成後之配線電阻率(ρ)的結果如下述〔表1〕所示。改變平均縱橫比的方法，係在以氣體霧化法或水霧化法製作銅粒子時，改變氣體或水之噴霧條件及冷卻條件的方法。此外，亦有使霧化法所得之粒子(霧化粒子)以球磨法成為薄片狀之後，再與霧化粒子混合、或以溶液析出法所製作的桿狀粒子混合在霧化粒子中的方法。在此，所示係以改變水霧化法中噴霧條件及冷卻條件以改變平均縱橫比時之結果。在以薄片狀及桿狀粒子混合時結果其優劣並無不同。所得之結果，可判定黏度為150Pa．s以上、350Pa．s以下，而且，配線之電阻率為10μΩ．cm以下時為良品，其他為非良品。
由以上可知，銅粒子之平均縱橫比若為1.0以上、小於2.2時即可，1.0以上、2.0以下時為佳。
係在上述實施例1之條件下，改變銅粒子之平均粒徑
(50%粒徑=d50、90%粒徑=d90)，再測定印刷配線之連續性、相對於網版開口面寬之配線底邊長度之比(底邊長度/開口面寬=L/W)、及燒成後之配線電阻率的結果如下述〔表2〕所示。由所得之結果可知，目視下印刷配線中無斷線，而且，L/W為1.4以下，同時，配線電阻率為10μΩ．cm以下之情形判斷為良品，其他為非良品。
由以上可知，在銅粒子50%粒徑大於0.1μm、小於3.4μm時為佳，0.5μm以上、3.0μm以下時更佳。同時，90%粒徑在大於0.3μm、小於7.0μm時為佳，1.5μm以上、6.0μm以下時更佳。
係在上述實施例1之條件下，取代構成有機媒劑之黏結劑樹脂的乙基纖維素使用羧甲基纖維素、取代溶劑之酯醇12使用丁基卡必醇。同時，在有機媒劑之製作方面，係稱取在有機媒劑中質量%為X%(X=0.05至17.0)之羧甲基纖維素、丁基卡必醇為〔100-X〕%，並於玻璃容器
中攪拌混合。之後再以質量%為12%稱取該操作所得的有機媒劑、銅粒子88%，並以行星式攪拌機混拌，成為銅糊劑。該銅糊劑再以如實施例1所載之條件印刷/燒成，即可得到配線。如此操作，可改變有機媒劑中所含之樹脂量，在切變-應變速度為每秒1而在25℃下測定糊劑黏度(η)、及試驗燒成後之配線電阻率(ρ)的結果如下述〔表3〕所示。所得之結果，可判定黏度為150Pa．s以上、350Pa．s以下，而且配線之電阻率為10μΩ．cm以下時為良品，其他為非良品。
由以上可知，在有機媒劑中黏結劑樹脂濃度，在質量%大於0.05%、小於17.0%時即可，0.1%以上、13.0%以下時為佳。
係在上述實施例1之條件下，取代構成有機媒劑黏結劑樹脂之乙基纖維素使用甲基纖維素、取代溶劑之酯醇12使用松脂醇。同時，在有機媒劑之製作方面，稱取質量%為5%之甲基纖維素、95%之松脂醇，並於玻璃容器中
攪拌混合。之後再以該有機媒劑以質量%為X%(X=3.0至22)、銅粉末為〔100-X〕%製作銅糊劑。該銅糊劑再以如實施例1之條件印刷/燒成，即可得到配線。如此操作，可改變有機媒劑中所含之樹脂量，在切變-應變速度為每秒1而在25℃下測定糊劑黏度(η)、及試驗燒成後之配線電阻率(ρ)的結果如下述〔表4〕所示。所得之結果，可判定黏度為150Pa．s以上、350Pa．s以下，而且，配線之電阻率為10μΩ．cm以下時為良品，其他為非良品。
由以上可知，在銅糊劑中所含之有機媒劑的質量%，大於3.0%、小於19.0%時即可，在5.0%以上、18.0%以下時為佳。
先如下操作，製作含玻璃粉末的銅糊劑。當中所使用之銅粒子，係與上述實施例1中所載者相同。玻璃粉末，可使用如日本專利第3050064號公報、日本專利特開2006-313744號公報、日本專利特開2009-188281號公報
等之中，所載之鉛玻璃及無鉛玻璃。當中，係使用鉛玻璃。鉛玻璃之質量比，相對於銅粒子之質量為1.5%。上述實施例1中所載之有機媒劑質量%為14%，累計銅粒子與玻璃粉末之質量%為86%，並以行星式攪拌機混拌。同時，再經過三輥滾壓機混拌，以使銅粒子與玻璃粉末之分散性均一。再將所得之導電性糊劑以自動網版印刷機，在絕緣性氧化鋁基板、絕緣性鋁氮化物基板、及利用化學氣相層積法以氮化矽在表面上成膜之矽基板上印刷之結果，在所有的基板上，均可達到與上述實施例1同等之良好印刷性。
其次將以導電性糊劑印刷在絕緣性氧化鋁基板及絕緣性鋁氮化物基板上之試驗品配置在燒成爐中，並排氣至爐內壓力為10-5Pa以下。之後，於150℃下加熱5分鐘進行糊劑乾燥。然後，再使爐溫度上昇至850℃，並由氧氣筒導入氧氣，之後調整爐內壓力為5×10-4Pa，再於該條件下保持2分鐘。之後於冷卻至室溫後以直流四端測定法測定試驗品之電阻率，其結果為4μΩ．cm。再者，配線末端在以銳利之金屬棒刮取時，並未自基板剝離。
先如下製作，含以銅糊劑經過網版印刷法所形成之銅配線的矽太陽電池。當中，以p型矽基板之上部擴散磷(P)形成n型區域之p/n接合元件為例說明。即係其接光面表面已形成織質結構、鈍化層、抗反射膜(ARC)，
以及內面的鋁之背表面電場(BSF)等，配線形成以外之製程已完了者。
先以飛秒雷射去除部分前述p/n接合元件接光面表面上所形成的ARC。已去除之部分以鎳經過無電鍍鎳法形成後，再於真空或惰性氣體中在300℃至400℃之溫度範圍加熱，形成鎳矽化物。該鎳矽化物係可使其與矽歐姆接觸者，同時亦為防止銅與矽相互擴散所必需者。
之後以上述實施例中所示之任意的銅糊劑，經由網版將銅印刷在鎳矽化物上。之後，再以上述實施例中所示的方法燒成，即可得到具有銅配線之矽太陽電池。該所得之銅配線的平均結晶粒徑，為0.5μm以上、3μm以下。同時，銅配線中所含銅以外金屬元素的總量為0.2質量%以下。
經此所得之含銅配線矽太陽電池，比較含銀配線者轉換效率可改善2%以上。
本發明之銅糊劑亦可使用在電池的兩面上具有透明導電氧化物膜(TCO)之HIT(Heterojunction with Intrinsic Thin Layer)型太陽電池中。TCO中包含銦錫氧化物(ITO)、錫氧化物(SnO1-X)、鋅氧化物(ZnO1-X)、加鋁鋅氧化物(AZO)等多種，在此以AZO為例說明。當中並依照先前之方法在n型矽的兩面上形成非晶質之p型層、本質層、n型層、及在最表面上形成AZO。
之後以上述實施例中所示的任意之銅糊劑，經由網版將銅印刷在AZO上。之後，再以上述實施例中所示之方法燒成，即可得到具有銅配線的HIT型矽太陽電池。該所得之銅配線的平均結晶粒徑，為0.5μm以上、3μm以下。同時，銅配線中所含銅以外金屬元素的總量為0.2質量%以下。
經此所得之含銅配線矽太陽電池，比較含銀配線者轉換效率可改善2%以上。
Claims (11)
- 一種導電性糊劑，係一種包含以銅為主體之金屬粒子與包含黏結劑樹脂之有機媒劑的導電性糊劑，其特徵係以上述金屬粒子的最大直徑(dmax)與最小直徑(dmin)之比例所定義之縱橫比(dmax/dmin)的平均值為1.0以上、小於2.2，上述金屬粒子中所含銅以外的金屬元素之總量濃度，為金屬粒子全體之1.0質量%以下，上述金屬粒子中所含銅以外的金屬元素之中，錳(Mn)、矽(Si)、硼(B)、鈦(Ti)、鈰(Ce)、鋁(Al)、鎂(Mg)、及鈣(Ca)之總量濃度，定為金屬粒子全體之0.5質量%以下，上述金屬粒子中所含銅以外的金屬元素之中，銀(Ag)、鉍(Bi)、鈷(Co)、鉻(Cr)、鐵(Fe)、鉬(Mo)、鈮(Nb)、鉛(Pb)、釕(Ru)、鉭(Ta)、鎢(W)、及釩(V)之總量濃度，為金屬粒子全體之0.5質量%以下，上述導電性糊劑中所含有機媒劑之質量%大於3.0%、小於19.0%，上述導電性糊劑中所含有機媒劑中的黏結劑樹脂的質量%大於0.05%、小於17.0%。
- 如請求項1之導電性糊劑，其中上述金屬粒子的90%粒徑係大於0.3μm、小於7.0μm。
- 如請求項2之導電性糊劑，其中上述金屬粒子的 50%粒徑係大於0.1μm、小於3.4μm。
- 如請求項1至3中任1項之導電性糊劑，其中上述金屬粒子中所含之氧濃度為0.05質量%以上、2.0質量%以下。
- 一種配線形成方法，其特徵係在將導電性糊劑印刷於基板並燒成形成配線之配線形成方法中，於上述導電性糊劑中，使用如請求項1至4中任1項之導電性糊劑，上述燒成係於使燒成氣體成惰性氣體或真空且燒成氣體中氧分壓為10-3Pa以下之條件下進行。
- 一種配線形成方法，其特徵係在將導電性糊劑印刷於基板並燒成形成配線之配線形成方法中，於上述導電性糊劑中，使用如請求項1至4中任1項之導電性糊劑，上述燒成係於使燒成氣體成惰性氣體或真空且燒成氣體中一氧化碳與二氧化碳之壓力比(CO/CO2)為10-8以上之條件下進行。
- 如請求項5或6之配線形成方法，其中上述惰性氣體為氮氣或氬氣，而含3500ppm以下之氧，且在導入燒成爐之前通過醇液中。
- 如請求項5或6之配線形成方法，其中上述燒成係燒成溫度為200℃以上850℃以下、燒成時間為1分鐘以上60分鐘以下。
- 如請求項5或6之配線形成方法，其中上述燒成係在燒成溫度為300℃以上500℃以下、燒成時間1分鐘以上7分鐘以下之條件下進行，且上述惰性氣體不通過醇液 中即導入燒成爐。
- 一種電子零件，其特徵係使用如請求項1至4中任1項之導電性糊劑所製造。
- 一種矽太陽電池，其特徵係使用如請求項1至4中任1項之導電性糊劑所製造。
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| KR102509767B1 (ko) * | 2015-09-07 | 2023-03-14 | 레조낙 가부시끼가이샤 | 접합용 구리 페이스트, 접합체의 제조 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| EP3348338B1 (en) * | 2015-09-07 | 2020-06-10 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Copper paste for joining, method for producing joined body, and method for producing semiconductor device |
| JP6654880B2 (ja) * | 2015-12-07 | 2020-02-26 | 山陽特殊製鋼株式会社 | 導電フィラー用粉末 |
| JP6722495B2 (ja) * | 2016-04-12 | 2020-07-15 | Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 | 銀被覆銅粉およびその製造方法 |
| US10748865B2 (en) * | 2016-04-28 | 2020-08-18 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Copper paste for joining, method for manufacturing joined body, and method for manufacturing semiconductor device |
| JP7064823B2 (ja) | 2016-08-31 | 2022-05-11 | 株式会社マテリアル・コンセプト | 太陽電池及びその製造方法 |
| JP6762848B2 (ja) * | 2016-11-02 | 2020-09-30 | 東洋アルミニウム株式会社 | ペースト組成物 |
| KR102397204B1 (ko) * | 2016-12-28 | 2022-05-11 | 도와 일렉트로닉스 가부시키가이샤 | 구리 분말 및 그의 제조 방법 |
| JP7039126B2 (ja) * | 2016-12-28 | 2022-03-22 | Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 | 銅粉およびその製造方法 |
| JP6526889B1 (ja) * | 2018-08-01 | 2019-06-05 | Ｊｘ金属株式会社 | セラミックス層と銅粉ペースト焼結体の積層体 |
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Family Cites Families (38)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63118466A (ja) | 1986-11-04 | 1988-05-23 | 富士変速機株式会社 | 横行格納台車の横行駆動装置 |
| JP2555770B2 (ja) | 1989-12-29 | 1996-11-20 | 住友金属工業株式会社 | 銅厚膜回路用基板及びその製造方法 |
| JP3223199B2 (ja) * | 1991-10-25 | 2001-10-29 | ティーディーケイ株式会社 | 多層セラミック部品の製造方法および多層セラミック部品 |
| AU4269697A (en) | 1997-02-20 | 1998-09-09 | Partnerships Limited, Inc. | Low temperature method and compositions for producing electrical conductors |
| US6379745B1 (en) | 1997-02-20 | 2002-04-30 | Parelec, Inc. | Low temperature method and compositions for producing electrical conductors |
| JP3690552B2 (ja) | 1997-05-02 | 2005-08-31 | 株式会社アルバック | 金属ペーストの焼成方法 |
| JP4342746B2 (ja) * | 2001-05-15 | 2009-10-14 | 三井金属鉱業株式会社 | 導電ペースト用銅粉の製造方法 |
| JP2003277170A (ja) * | 2002-03-26 | 2003-10-02 | Kyocera Corp | 配線導体用組成物 |
| JP2004027246A (ja) * | 2002-06-21 | 2004-01-29 | Fukuda Metal Foil & Powder Co Ltd | 導電ペースト用銅粉及びその製造方法 |
| JP2004204290A (ja) * | 2002-12-25 | 2004-07-22 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 銅粉の製造方法 |
| JP2004217959A (ja) * | 2003-01-10 | 2004-08-05 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 銅微粒子の製造方法 |
| JP4396134B2 (ja) | 2003-05-09 | 2010-01-13 | 藤倉化成株式会社 | 導電性銅ペースト組成物 |
| EP1626614B1 (en) * | 2003-05-16 | 2013-08-28 | Harima Chemicals, Inc. | Method for forming fine copper particle sintered product type of electric conductor having fine shape, method for forming fine copper wiring and thin copper film |
| JP2006073280A (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-16 | Ngk Spark Plug Co Ltd | メタライズ組成物及びセラミック配線基板 |
| US7494607B2 (en) | 2005-04-14 | 2009-02-24 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Electroconductive thick film composition(s), electrode(s), and semiconductor device(s) formed therefrom |
| JP2007053212A (ja) | 2005-08-17 | 2007-03-01 | Denso Corp | 回路基板の製造方法 |
| JP2007194580A (ja) * | 2005-12-21 | 2007-08-02 | E I Du Pont De Nemours & Co | 太陽電池電極用ペースト |
| JP4888769B2 (ja) * | 2006-10-16 | 2012-02-29 | 新東工業株式会社 | 銅粉末およびその製造方法 |
| JP4840097B2 (ja) | 2006-11-20 | 2011-12-21 | 住友ベークライト株式会社 | 導電性銅ペースト |
| WO2008078374A1 (ja) | 2006-12-25 | 2008-07-03 | Namics Corporation | 太陽電池用導電性ペースト |
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