JP6762848B2 - ペースト組成物 - Google Patents
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 77
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 154
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 65
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 64
- CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N alumanylidynesilicon Chemical compound [Al].[Si] CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 41
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 40
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 39
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 39
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 claims description 36
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 claims description 36
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 25
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 24
- 238000007561 laser diffraction method Methods 0.000 claims description 5
- 238000000790 scattering method Methods 0.000 claims description 5
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 4
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 4
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 3
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 31
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 27
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 24
- -1 for example Substances 0.000 description 14
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 13
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 9
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 7
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 7
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 6
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 3
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 3
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 2
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUMBMVFBXHLACL-UHFFFAOYSA-N Melanin Chemical compound O=C1C(=O)C(C2=CNC3=C(C(C(=O)C4=C32)=O)C)=C2C4=CNC2=C1C XUMBMVFBXHLACL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 2
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical group [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 2
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 2
- 238000009689 gas atomisation Methods 0.000 description 2
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOCCOC(C)=O VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 3-(3-methoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound COCCCOCCCO QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 1
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- 229930182556 Polyacetal Natural products 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 239000002216 antistatic agent Substances 0.000 description 1
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Inorganic materials [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 1
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 1
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 1
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000007849 furan resin Substances 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 1
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- BSPSZRDIBCCYNN-UHFFFAOYSA-N phosphanylidynetin Chemical compound [Sn]#P BSPSZRDIBCCYNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920006380 polyphenylene oxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000136 polysorbate Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 239000011118 polyvinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000013049 sediment Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N strontium oxide Inorganic materials [O-2].[Sr+2] IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 description 1
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZFZQOKHLXAVJIF-UHFFFAOYSA-N zinc;boric acid;dihydroxy(dioxido)silane Chemical compound [Zn+2].OB(O)O.O[Si](O)([O-])[O-] ZFZQOKHLXAVJIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
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- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
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- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
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Description
項1.アルミニウム粒子及びアルミニウム−シリコン合金粒子の少なくとも一方の金属粒子と、ガラス粉末と、有機ビヒクルとを少なくとも含み、
前記金属粒子は、レーザー回折散乱法で測定される体積基準とした粒度分布曲線において、最小粒子径Dminが1.5μm以上2.0μm以下であり、前記粒度分布曲線において、50%目に該当する中心粒子径(D50)が4.0μm以上8.0μm以下であり、かつ、後記式(1)
D=D50/(D90−D10) (1)
(式(1)中、D50は前記中心粒子径であり、D90は、前記粒度分布曲線において90%目に該当する粒子径であり、D10は、前記粒度分布曲線において10%目に該当する粒子径である)
で表されるDの値が0.7以上である、ペースト組成物。
項2.前記ガラス粉末は、鉛(Pb)、ビスマス(Bi)、バナジウム(V)、ホウ素(B)、シリコン(Si)、スズ(Sn)、リン(P)及び亜鉛(Zn)からなる群より選択される1種以上の元素を含む、項1に記載のペースト組成物。
項3.前記金属粒子100質量部あたり、前記ガラス粉末の含有量が1質量部以上8質量部以下、前記有機ビヒクルの含有量が20質量部以上45質量部以下である、項1又は2に記載のペースト組成物。
図1(a)、(b)は、PERC型太陽電池セルの一般的な断面構造の模式図である。PERC型太陽電池セルは、シリコン半導体基板1、n型不純物層2、反射防止膜3、グリッド電極4、電極層5、合金層6、p+層7を構成要素として備えることができる。
次に、本実施形態のペースト組成物について詳述する。
D=D50/(D90−D10) (1)
(式(1)中、D50は前記中心粒子径であり、D90は、前記粒度分布曲線において90%目に該当する粒子径であり、D10は、前記粒度分布曲線において10%目に該当する粒子径である)
で表されるDの値が0.7以上である。
D=D50/(D90−D10) (1)
(式(1)中、D50は前記中心粒子径であり、D90は、前記粒度分布曲線において90%目に該当する粒子径であり、D10は、前記粒度分布曲線において10%目に該当する粒子径である)
で表されるDの値が0.7以上である。Dの値がこの範囲であることは、前記金属粒子は、微粉及び粗粉の割合が少なく、粒子径の分布が小さく、より均一な粒度を有することを意味する。Dの値が0.7未満であると、抵抗が低くなりにくく、変換効率が十分でない。Dの値の上限は、例えば、2.0とすることができ、この場合、生産性の低化が起こりにくくなる。好ましいDの値の上限は、1.4である。Dの値は、0.7〜1.0であることが特に好ましい。
ガスアトマイズ法により調製したアルミニウム粒子100質量部と、B2O3−Bi2O3−SrO−BaO−Sb2O3=40/40/10/5/5(mol%)の成分比を有するガラス粉末1.5質量部と、エチルセルロースをブチルジグリコールに溶解した樹脂液(有機ビヒクル)35質量部とを、既知の分散装置(ディスパー)を用いて混合することで、ペースト組成物を得た。使用したアルミニウム粒子のDmin、D10、D50及びD90は、後掲の表1の通りとした。
アルミニウム粒子を、表1に示すDmin、D10、D50及びD90を有するアルミニウム−シリコン合金粒子に変更したこと以外は、実施例1と同様にしてペースト組成物を得た。
アルミニウム粒子を、表1に示すDmin、D10、D50及びD90を有するアルミニウム粒子に変更したこと以外は、実施例1と同様にしてペースト組成物を得た。
アルミニウム粒子を、表1に示すDmin、D10、D50及びD90を有するアルミニウム−シリコン合金粒子に変更したこと以外は、実施例1と同様にしてペースト組成物を得た。
アルミニウム粒子を、表1に示すDmin、D10、D50及びD90を有するアルミニウム粒子及びアルミニウム−シリコン合金粒子の混合粒子に変更したこと以外は、実施例1と同様にしてペースト組成物を得た。前記混合粒子中、アルミニウム粒子とアルミニウム−シリコン合金粒子との質量比率は1:1であった。
アルミニウム粒子を、表1に示すDmin、D10、D50及びD90を有するアルミニウム粒子及びアルミニウム−シリコン合金粒子の混合粒子に変更したこと以外は、実施例1と同様にしてペースト組成物を得た。前記混合粒子中、アルミニウム粒子とアルミニウム−シリコン合金粒子との質量比率は1:1であった。
アルミニウム粒子を、表1に示すDmin、D10、D50及びD90を有するアルミニウム粒子に変更したこと以外は、実施例1と同様にしてペースト組成物を得た。
アルミニウム粒子を、表1に示すDmin、D10、D50及びD90を有するアルミニウム−シリコン合金粒子に変更したこと以外は、実施例1と同様にしてペースト組成物を得た。
アルミニウム粒子を、表1に示すDmin、D10、D50及びD90を有するアルミニウム粒子に変更したこと以外は、実施例1と同様にしてペースト組成物を得た。
アルミニウム粒子を、表1に示すDmin、D10、D50及びD90を有するアルミニウム粒子に変更したこと以外は、実施例1と同様にしてペースト組成物を得た。
アルミニウム粒子を、表1に示すDmin、D10、D50及びD90を有するアルミニウム−シリコン合金粒子に変更したこと以外は、実施例1と同様にしてペースト組成物を得た。
アルミニウム粒子を、表1に示すDmin、D10、D50及びD90を有するアルミニウム粒子及びアルミニウム−シリコン合金粒子の混合粒子に変更したこと以外は、実施例1と同様にしてペースト組成物を得た。前記混合粒子中、アルミニウム粒子とアルミニウム−シリコン合金粒子との質量比率は1:1であった。
アルミニウム粒子を、表1に示すDmin、D10、D50及びD90を有するアルミニウム粒子に変更したこと以外は、実施例1と同様にしてペースト組成物を得た。
アルミニウム粒子を、表1に示すDmin、D10、D50及びD90を有するアルミニウム粒子に変更したこと以外は、実施例1と同様にしてペースト組成物を得た。
アルミニウム粒子を、表1に示すDmin、D10、D50及びD90を有するアルミニウム粒子に変更したこと以外は、実施例1と同様にしてペースト組成物を得た。
アルミニウム粒子を、表1に示すDmin、D10、D50及びD90を有するアルミニウム粒子に変更したこと以外は、実施例1と同様にしてペースト組成物を得た。
評価用の太陽電池セルである焼成基板を次のように製作した。まず、図2の(A)に示すように、まず、厚みが180μmのシリコン半導体基板1を準備した。そして、図2の(B)に示すように、レーザー発振器として波長が532nmのYAGレーザーを用いて、直径Dが100μm、深さが1μmのコンタクト孔9をシリコン半導体基板1の表面に形成した。このシリコン半導体基板1は、抵抗値3Ω・cmであり、裏面パッシベーション型単結晶であった。
2:n型不純物層
3:反射防止膜(パッシベーション膜)
4:グリッド電極
5:電極層
6:合金層
7:p+層
8:裏面電極
9:コンタクト孔
10:ペースト組成物
Claims (3)
- アルミニウム粒子及びアルミニウム−シリコン合金粒子の少なくとも一方の金属粒子と、ガラス粉末と、有機ビヒクルとを少なくとも含み、
前記金属粒子は、レーザー回折散乱法で測定される体積基準とした粒度分布曲線において、最小粒子径Dminが1.5μm以上2.0μm以下であり、前記粒度分布曲線において、50%目に該当する中心粒子径(D50)が4.0μm以上8.0μm以下であり、かつ、後記式(1)
D=D50/(D90−D10) (1)
(式(1)中、D50は前記中心粒子径であり、D90は、前記粒度分布曲線において90%目に該当する粒子径であり、D10は、前記粒度分布曲線において10%目に該当する粒子径である)
で表されるDの値が0.7以上である、ペースト組成物。 - 前記ガラス粉末は、鉛(Pb)、ビスマス(Bi)、バナジウム(V)、ホウ素(B)、シリコン(Si)、スズ(Sn)、リン(P)及び亜鉛(Zn)からなる群より選択される1種以上の元素を含む、請求項1に記載のペースト組成物。
- 前記金属粒子100質量部あたり、前記ガラス粉末の含有量が1質量部以上8質量部以下、前記有機ビヒクルの含有量が20質量部以上45質量部以下である、請求項1又は2に記載のペースト組成物。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016215228A JP6762848B2 (ja) | 2016-11-02 | 2016-11-02 | ペースト組成物 |
TW106137170A TWI726167B (zh) | 2016-11-02 | 2017-10-27 | 膏狀組成物 |
CN201711057979.6A CN108022672B (zh) | 2016-11-02 | 2017-11-01 | 膏状组合物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016215228A JP6762848B2 (ja) | 2016-11-02 | 2016-11-02 | ペースト組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018074078A JP2018074078A (ja) | 2018-05-10 |
JP6762848B2 true JP6762848B2 (ja) | 2020-09-30 |
Family
ID=62080409
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016215228A Active JP6762848B2 (ja) | 2016-11-02 | 2016-11-02 | ペースト組成物 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6762848B2 (ja) |
CN (1) | CN108022672B (ja) |
TW (1) | TWI726167B (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020080341A (ja) * | 2018-11-12 | 2020-05-28 | 東洋アルミニウム株式会社 | ペースト組成物 |
CN110491545B (zh) * | 2019-09-04 | 2021-05-18 | 南通天盛新能源股份有限公司 | 一种n型太阳能电池正面细栅浆料及其制备方法 |
CN111969071B (zh) * | 2020-08-25 | 2022-03-15 | 常州时创能源股份有限公司 | 一种金属化方法和太阳能电池 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003277170A (ja) * | 2002-03-26 | 2003-10-02 | Kyocera Corp | 配線導体用組成物 |
JP4178374B2 (ja) * | 2002-08-08 | 2008-11-12 | 三井金属鉱業株式会社 | 銀コートフレーク銅粉及びその銀コートフレーク銅粉の製造方法並びにその銀コートフレーク銅粉を用いた導電性ペースト |
JP2005019248A (ja) * | 2003-06-26 | 2005-01-20 | Mitsubishi Paper Mills Ltd | 含金属ペースト、及び層間接続方法 |
JP4373774B2 (ja) * | 2003-12-24 | 2009-11-25 | 京セラ株式会社 | 太陽電池素子の製造方法 |
JP4660701B2 (ja) * | 2004-12-03 | 2011-03-30 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 銀被覆銅粉およびその製造方法並びに導電ペースト |
JP2008004514A (ja) * | 2006-05-24 | 2008-01-10 | Murata Mfg Co Ltd | 導電性ペーストおよびそれを用いたセラミック多層基板の製造方法 |
JP4840097B2 (ja) * | 2006-11-20 | 2011-12-21 | 住友ベークライト株式会社 | 導電性銅ペースト |
KR20090053667A (ko) * | 2007-11-22 | 2009-05-27 | 제일모직주식회사 | 입도분포 및 크기가 제어된 알루미늄 분말을 포함하는전극형성용 조성물과 이를 이용하여 제조되는 전극 |
JP2009146578A (ja) * | 2007-12-11 | 2009-07-02 | Noritake Co Ltd | 太陽電池および太陽電池用アルミニウムペースト |
JP2011052300A (ja) * | 2009-09-04 | 2011-03-17 | Dowa Electronics Materials Co Ltd | フレーク状銀粉及びその製造方法、並びに導電性ペースト |
TWI530963B (zh) * | 2011-04-28 | 2016-04-21 | Dowa Electronics Materials Co | Sheet-like silver microparticles and methods for producing the same, and a paste using the same and a paste |
JP6090706B2 (ja) * | 2012-01-06 | 2017-03-08 | 日本電気硝子株式会社 | 電極形成用ガラス及びこれを用いた電極形成材料 |
US20130183795A1 (en) * | 2012-01-16 | 2013-07-18 | E I Du Pont De Nemours And Company | Solar cell back side electrode |
CN104185874A (zh) * | 2012-01-16 | 2014-12-03 | 赫劳斯贵金属北美康舍霍肯有限责任公司 | 用于具有局部打开的通孔的背面钝化的电池的铝导体浆料 |
JP6214400B2 (ja) * | 2012-02-02 | 2017-10-18 | 東洋アルミニウム株式会社 | ペースト組成物 |
JP5598739B2 (ja) * | 2012-05-18 | 2014-10-01 | 株式会社マテリアル・コンセプト | 導電性ペースト |
WO2016067142A1 (en) * | 2014-10-27 | 2016-05-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Particle, electrode, power storage device, electronic device, and method for manufacturing electrode |
JP5957546B2 (ja) * | 2015-01-07 | 2016-07-27 | 株式会社ノリタケカンパニーリミテド | 導電性組成物 |
-
2016
- 2016-11-02 JP JP2016215228A patent/JP6762848B2/ja active Active
-
2017
- 2017-10-27 TW TW106137170A patent/TWI726167B/zh active
- 2017-11-01 CN CN201711057979.6A patent/CN108022672B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201818558A (zh) | 2018-05-16 |
JP2018074078A (ja) | 2018-05-10 |
CN108022672A (zh) | 2018-05-11 |
CN108022672B (zh) | 2020-03-20 |
TWI726167B (zh) | 2021-05-01 |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190805 |
|
A977 | Report on retrieval |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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