JP6214400B2 - ペースト組成物 - Google Patents

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Description

本発明は、一般的にはペースト組成物に関し、特定的には、太陽電池セルにおけるp型拡散領域とn型拡散領域に電気的に接触する電極を形成するためのペースト組成物に関するものである。
従来から、結晶系太陽電池では、p型シリコン基板の受光面にはn型不純物層を介して反射防止膜とグリッド電極が形成されるとともに、受光面と反対側の裏面にはp型拡散領域と電極が形成されている。このような電極を形成するために導電成分としてアルミニウムを含むアルミニウムペーストの組成について種々検討されており、たとえば、太陽電池用アルミニウムペーストが、特開2011‐66353号公報(特許文献1)に開示されている。
また、高い変換効率の結晶系太陽電池として、n型シリコン基板の受光面と反対側の裏面にのみ、n型拡散領域とそれに接触するn型用電極、および、p型拡散領域とそれに接触するp型用電極が形成された太陽電池が、たとえば、特開2011‐233657号公報(特許文献2)に開示されているように、開発されている。
このような構造を有する太陽電池セルでは、たとえば、特表2007‐525008号公報(特許文献3)に開示されているように、通常、シリコン基板とのコンタクト抵抗を十分に小さくするために、電極の導電成分としてアルミニウムよりも導電性に優れた銀を含む銀ペーストが用いられている。
特開2011‐66353号公報 特開2011‐233657号公報 特表2007‐525008号公報
太陽電池は、屋外に設置されるので、その使用環境下において高い湿度の雰囲気中にさらされることが多い。このため、特許文献2に開示されたような構造を有する太陽電池においてp型用電極とn型用電極を形成するために銀ペーストを用いた場合、p型用電極とn型用電極との間での微弱な電位差により、銀のマイグレーションが生じる。その結果、p型拡散領域とn型拡散領域を介して、p型用電極とn型用電極との間で短絡が生じ、太陽電池からの電気エネルギーの取り出し不良を起こしやすくなる。また、製造コストと資源リスクの観点からも、銀を使用することは好ましくない。
そこで、本発明の目的は、太陽電池におけるp型拡散領域とn型拡散領域に電気的に接触する電極を形成するための導電成分として銀を用いることなく、耐環境性に優れるとともに、導電成分のシリコン基板への拡散を防止し、かつ、シリコン基板とのコンタクト抵抗を低くすることが可能なペースト組成物を提供することである。
本発明者らは、太陽電池におけるp型拡散領域とn型拡散領域に電気的に接触する電極を形成するために用いる導電性ペーストの組成について種々検討した。その結果、導電成分としてアルミニウム‐シリコン合金粉末を用いることによって耐環境性に優れるとともに、導電成分のシリコン基板への拡散を防止し、シリコン基板とのコンタクト抵抗を低くすることができることを見出した。この知見に基づいて、本発明に従ったペースト組成物は、次のような特徴を備えている。
本発明に従ったペースト組成物は、太陽電池におけるp型拡散領域とn型拡散領域に電気的に接触する電極を形成するためのペースト組成物であって、アルミニウム‐シリコン合金粉末と、ガラス粉末と、有機ビヒクルとを含み、アルミニウム‐シリコン合金粉末が、シリコンを25質量%以上30質量%以下含み、前記アルミニウム−シリコン合金粉末は、過共晶組成のアルミニウム−シリコン合金からなる。
本発明のペースト組成物において、アルミニウム‐シリコン合金粉末を構成する粒子が、鱗片状の形状を有することが好ましい。
また、本発明のペースト組成物において、アルミニウム‐シリコン合金粉末を構成する粒子が短径と長径とを有し、短径に対する長径の比率が1以上100以下であることが好ましい。
さらに、本発明のペースト組成物において、アルミニウム‐シリコン合金粉末100質量部に対して、ガラス粉末を0.5質量部以上40質量部以下、有機ビヒクルを30質量部以上100質量部以下、含むことが好ましい。
以上のように、本発明のペースト組成物を用いることにより、太陽電池におけるp型拡散領域とn型拡散領域に電気的に接触する電極を形成するための導電成分として銀を用いることなく、電極が耐環境性に優れるとともに、導電成分のシリコン基板への拡散を防止し、かつ、シリコン基板とのコンタクト抵抗を低くすることができる。
一つの実施の形態として本発明が適用される太陽電池素子の一般的な断面構造を模式的に示す断面図である。 本発明の実施例と比較例において作製された電極パターンを示す平面図である。 本発明の実施例と比較例において作製された電極構造の断面を模式的に示す断面図である。
<太陽電池素子>
図1に示すように、太陽電池素子は、たとえば、厚みが180〜250μmのn型シリコン半導体基板1を用いて構成される。n型シリコン半導体基板1の受光面側には、たとえば、窒化シリコン膜からなる受光面パッシベーション膜2が形成されている。
n型シリコン半導体基板1の受光面と反対側の裏面には、たとえば、窒化シリコン膜からなる裏面パッシベーション膜3が形成されている。また、n型シリコン半導体基板1の裏面側には、n+拡散領域4とp+拡散領域5とが交互に隣接して形成されている。裏面パッシベーション膜3を貫通してn型シリコン半導体基板1の表面に到達する複数のコンタクト孔が形成され、各コンタクト孔を通じてn+拡散領域4とp+拡散領域5のそれぞれの表面に接触するように所定のパターン形状に従ったn型用電極6とp型用電極7が形成されている。n型用電極6とp型用電極7の各々は、過共晶組成のアルミニウム‐シリコン(Al‐Si)合金粉末、具体的には、シリコンを12質量%以上30質量%以下含むアルミニウム‐シリコン(Al‐Si)合金粉末と、ガラス粉末と、有機ビヒクルを含むペースト組成物をスクリーン印刷等によって塗布し、乾燥させた後、577℃以下(アルミニウムとシリコンの固相線温度以下)の温度にて焼成することによって形成されている。上記の組成を有するペースト組成物が、太陽電池セルの一方面に交互に形成されたn+拡散領域4とp+拡散領域5に電気的に接触するようにn型用電極6とp型用電極7を形成するために用いられることにより、n型用電極6とp型用電極7が耐環境性に優れるとともに、導電成分のn型シリコン半導体基板1への拡散を防止し、かつ、n型シリコン半導体基板1とのコンタクト抵抗を低くすることができる。
<ペースト組成物>
ペースト組成物は、上記のn型用電極6とp型用電極7を形成するために、裏面パッシベーション膜3の上に塗工され、かつ、裏面パッシベーション膜3に形成されたコンタクト孔を通じてn型シリコン半導体基板1の表面、すなわち、n+拡散領域4とp+拡散領域5のそれぞれの表面に電気的に接触(オーミックコンタクト)するように塗工される導電性のペースト組成物であり、アルミニウム‐シリコン合金粉末、ガラス粉末、および、有機ビヒクルを含有する。
<アルミニウム‐シリコン合金粉末>
ペースト組成物に含まれるアルミニウム‐シリコン合金粉末は、ペースト組成物を焼成することによって形成されたn型用電極6とp型用電極7において導電性を発揮する。また、アルミニウム‐シリコン合金粉末をペースト組成物に含ませることにより、n型シリコン半導体基板1内へのアルミニウムの拡散を防ぐことができる。
アルミニウム‐シリコン合金粉末を構成するアルミニウム‐シリコン合金粒子の形状は特に限定されない。アルミニウム‐シリコン合金粉末を構成するアルミニウム‐シリコン合金粒子の平均粒子径は1μm以上10μm以下であることが好ましい。平均粒子径が1μm未満では、アルミニウム‐シリコン合金粒子同士が凝集するおそれがあるので、ペースト中での分散性が悪化する。平均粒子径が10μmを越えると、反応性が低下してしまう。
また、アルミニウム‐シリコン合金粉末は、過共晶組成のアルミニウム‐シリコン合金からなるのが好ましく、具体的には、シリコンを12質量%以上30質量%以下含む。アルミニウム‐シリコン合金粉末中のシリコン含有量が12質量%未満では、焼成後に形成されたn型用電極6とp型用電極7からn型シリコン半導体基板1中にアルミニウムが拡散してしまい、p‐nジャンクションを破壊してしまう。また、シリコン含有量が30質量%を越えると、n型用電極6とp型用電極7の電気抵抗が増加してしまう。
さらに、アルミニウム‐シリコン合金粉末を構成する粒子が、球状または鱗片状の形状を有することが好ましいが、特に鱗片状の形状を有することが好ましい。アルミニウム‐シリコン合金粉末を構成する粒子が鱗片状の形状を有することによって、n型シリコン半導体基板1との接触面積が大きくなり、コンタクト抵抗をより低下させることができる。この場合、アルミニウム‐シリコン合金粉末を構成する粒子が短径と長径とを有し、短径に対する長径の比率が1以上100以下であることが好ましい。
<ガラス粉末>
ガラス粉末は、アルミニウム粉末とシリコンとの反応と、アルミニウム粉末自身の焼結とを助ける作用があるとされている。
ガラス粉末としては、鉛(Pb)、ビスマス(Bi)、バナジウム(V)、ホウ素(B)、シリコン(Si)、スズ(Sn)、リン(P)、および、亜鉛(Zn)からなる群より選ばれた1種、または2種以上を含有してもよい。また、鉛を含むガラス粉末、または、ビスマス系、バナジウム系、スズ‐リン系、ホウケイ酸亜鉛系、アルカリホウケイ酸系等の無鉛のガラス粉末を用いることができる。特に人体への影響を考慮すると、無鉛のガラス粉末を用いることが望ましい。
また、ガラス粉末の軟化点は750℃以下であることが好ましい。
さらに、ガラス粉末を構成するガラス粒子の平均粒子径は、1μm以上3μm以下であることが好ましい。
なお、本発明のペースト組成物中に含まれるガラス粉末の含有比率は、特に限定されないが、アルミニウム‐シリコン合金粉末100質量部に対して、0.5質量部以上40質量部以下であることが好ましい。ガラス粉末の含有比率がアルミニウム‐シリコン合金粉末100質量部に対して、0.5質量部未満ではn型シリコン半導体基板1および裏面パッシベーション膜3との密着性が低下し、40質量部を越えるとn型用電極6とp型用電極7の電気抵抗が増加してしまう。
<有機ビヒクル>
有機ビヒクルとしては、溶剤に、必要に応じて各種添加剤および樹脂を溶解したものが使用される。溶剤としては公知のものが使用可能であり、具体的には、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル等が挙げられる。各種添加剤としては、たとえば、酸化防止剤、腐食抑制剤、消泡剤、増粘剤、タックファイヤー、カップリング剤、静電付与剤、重合禁止剤、チキソトロピー剤、沈降防止剤等を使用することができる。具体的には、たとえば、ポリエチレングリコールエステル化合物、ポリエチレングリコールエーテル化合物、ポリオキシエチレンソルビタンエステル化合物、ソルビタンアルキルエステル化合物、脂肪族多価カルボン酸化合物、燐酸エステル化合物、ポリエステル酸のアマイドアミン塩、酸化ポリエチレン系化合物、脂肪酸アマイドワックス等を使用することができる。樹脂としては公知のものが使用可能であり、エチルセルロース、ニトロセルロース、ポリビニールブチラール、フェノール樹脂、メラニン樹脂、ユリア樹脂、キシレン樹脂、アルキッド樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、フラン樹脂、ウレタン樹脂、イソシアネート化合物、シアネート化合物等の熱硬化樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ABS樹脂、ポリメタクリル酸メチル、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルアルコール、ポリアセタール、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリフェニレンオキサイド、ポリスルフォン、ポリイミド、ポリエーテルスルフォン、ポリアリレート、ポリエーテルエーテルケトン、ポリ4フッ化エチレン、シリコン樹脂等の二種以上を組み合わせて用いることができる。本発明のペースト組成物に含められる有機ビヒクルとして、溶剤に溶解させないで樹脂を用いてもよい。
なお、本発明のペースト組成物中に含まれる有機ビヒクルの含有比率は、特に限定されないが、アルミニウム‐シリコン合金粉末100質量部に対して、30質量部以上100質量部以下であることが好ましい。有機ビヒクルの含有比率がアルミニウム‐シリコン合金粉末100質量部に対して、30質量部未満、または、100質量部を越えると、ペースト組成物の印刷性が低下するおそれがある。
以下、本発明の実施例と比較例について説明する。
(ペースト組成物の準備)
実施例1〜3と比較例1〜3のペースト組成物を次のようにして準備した。
(実施例1)
球状のアルミニウム‐15質量%シリコン合金粉末100質量部に対して、ガラス粉末を7.5質量部、および、有機ビヒクルを70質量部加えて、周知の混合機にて混合した。
(実施例2)
鱗片状のアルミニウム‐15質量%シリコン合金粉末100質量部に対して、ガラス粉末を7.5質量部、および、有機ビヒクルを70質量部加えて、周知の混合機にて混合した。
(実施例3)
球状のアルミニウム‐25質量%シリコン合金粉末100質量部に対して、ガラス粉末を7.5質量部、および、有機ビヒクルを70質量部加えて、周知の混合機にて混合した。
(比較例1)
球状のアルミニウム‐10質量%シリコン合金粉末100質量部に対して、ガラス粉末を7.5質量部、および、有機ビヒクルを70質量部加えて、周知の混合機にて混合した。
(比較例2)
球状のアルミニウム‐32質量%シリコン合金粉末100質量部に対して、ガラス粉末を7.5質量部、および、有機ビヒクルを70質量部加えて、周知の混合機にて混合した。
(比較例3)
シリコンの含有量が0質量%の球状のアルミニウム粉末100質量部に対して、ガラス粉末を7.5質量部、および、有機ビヒクルを70質量部加えて、周知の混合機にて混合した。
(電極の形成)
図2と図3に示すように、まず、n+拡散領域4が予め形成された厚みが180μmのn型シリコン半導体基板1の上に、上記で得られた実施例1〜3と比較例1〜3の各ペース組成物を、スクリーン印刷機を用いて、厚みが20μm、幅が500μm、長さが30mmの線状パターン8で、線間隔が1mmとなるように等間隔で塗布した。そして、ペースト組成物が塗布されたn型シリコン半導体基板1を、100℃の温度で10分間乾燥させた後、イメージ炉(株式会社アルバック製、型番:VHC‐610CP)の炉内温度を560℃に設定して、焼成した。この焼成により、図3に示すように、n型用電極6が形成された。
以上のようにして実施例1〜3と比較例1〜3の焼成基板の試料を作製した。
(コンタクト抵抗の評価)
日置電機株式会社製の抵抗測定器(製品名:ミリオームハイテスタHiTESTER 3540)を用いて、得られた焼成基板の各試料の電気抵抗を測定し、TLM(Transmission line method)法により、n型用電極6とn型シリコン半導体基板1とのコンタクト抵抗を算出した。
(シリコン基板へのアルミニウムの拡散の評価)
また、各試料の断面を光学顕微鏡(200倍)で観察し、n型シリコン半導体基板1にアルミニウム‐シリコン合金層が形成されているか否かを評価した。n型シリコン半導体基板1の表面上に、アルミニウム‐シリコン合金層が形成されていなかったものを「○」、アルミニウム‐シリコン合金層が形成されていたものを「△」、アルミニウム‐シリコン合金層が全体に形成されていたものを「×」と評価した。
以上の評価結果を表1に示す。
Figure 0006214400
表1から、アルミニウム粉末に、シリコンを12質量%以上20質量%以下含むアルミニウム‐シリコン合金粉末を主成分とする実施例1〜3のペースト組成物を用いてn型用電極6を形成すると、n型シリコン半導体基板1中にアルミニウムが拡散することがなく、かつ、n型シリコン半導体基板1とのコンタクト抵抗を低くすることができることがわかる。特に、鱗片状の形状を有する粒子からなるアルミニウム‐シリコン合金粉末を主成分とする実施例3のペースト組成物を用いてn型用電極6を形成すると、n型シリコン半導体基板1とのコンタクト抵抗をさらに低くすることができることがわかる。
以上に開示された実施の形態と実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考慮されるべきである。本発明の範囲は、以上の実施の形態と実施例ではなく、請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての修正と変形を含むものと意図される。
本発明のペースト組成物を用いることにより、太陽電池におけるp型拡散領域とn型拡散領域に電気的に接触する電極を形成するための導電成分として銀を用いることなく、電極が耐環境性に優れるとともに、導電成分のシリコン基板への拡散を防止し、かつ、シリコン基板とのコンタクト抵抗を低くすることができる。
1:n型シリコン半導体基板、2:受光面パッシベーション膜、3:裏面パッシベーション膜、4:n+拡散領域、5:p+拡散領域、6:n型用電極、7:p型用電極。

Claims (4)

  1. 太陽電池セルにおけるp型拡散領域(5)とn型拡散領域(4)に電気的に接触する電極を形成するためのペースト組成物であって、
    アルミニウム‐シリコン合金粉末と、ガラス粉末と、有機ビヒクルとを含み、
    前記アルミニウム‐シリコン合金粉末が、シリコンを25質量%以上30質量%以下含み、
    前記アルミニウム‐シリコン合金粉末は、過共晶組成のアルミニウム−シリコン合金からなる、ペースト組成物。
  2. 前記アルミニウム‐シリコン合金粉末を構成する粒子が、鱗片状の形状を有する、請求項1に記載のペースト組成物。
  3. 前記アルミニウム‐シリコン合金粉末を構成する粒子が短径と長径とを有し、短径に対する長径の比率が1以上100以下である、請求項1に記載のペースト組成物。
  4. 前記アルミニウム‐シリコン合金粉末100質量部に対して、前記ガラス粉末を0.5質量部以上40質量部以下、前記有機ビヒクルを30質量部以上100質量部以下、含む、請求項1に記載のペースト組成物。
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