TWI586715B - 用於形成二氧化矽類層的組成物、二氧化矽類層及電子裝置 - Google Patents

用於形成二氧化矽類層的組成物、二氧化矽類層及電子裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI586715B
TWI586715B TW104130012A TW104130012A TWI586715B TW I586715 B TWI586715 B TW I586715B TW 104130012 A TW104130012 A TW 104130012A TW 104130012 A TW104130012 A TW 104130012A TW I586715 B TWI586715 B TW I586715B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
composition
forming
cerium
cerium oxide
based layer
Prior art date
Application number
TW104130012A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201623376A (zh
Inventor
張俊英
郭澤秀
金佑翰
尹熙燦
裵鎭希
金補宣
羅隆熙
朴璽美
李漢松
任浣熙
Original Assignee
三星Sdi 股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 三星Sdi 股份有限公司 filed Critical 三星Sdi 股份有限公司
Publication of TW201623376A publication Critical patent/TW201623376A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI586715B publication Critical patent/TWI586715B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D183/04—Polysiloxanes
    • C09D183/08—Polysiloxanes containing silicon bound to organic groups containing atoms other than carbon, hydrogen, and oxygen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/113—Silicon oxides; Hydrates thereof
    • C01B33/12—Silica; Hydrates thereof, e.g. lepidoic silicic acid
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D183/16—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers in which all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D7/00—Features of coating compositions, not provided for in group C09D5/00; Processes for incorporating ingredients in coating compositions
    • C09D7/20—Diluents or solvents
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
    • H01B3/18—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances
    • H01B3/30—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes
    • H01B3/46—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes silicones
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02126—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
    • H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
    • H01L21/02219—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and nitrogen
    • H01L21/02222—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and nitrogen the compound being a silazane
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02282—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/60—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule in which all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
    • C08G77/62—Nitrogen atoms

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)

Description

用於形成二氧化矽類層的組成物、二氧化矽類層及電子裝置
本申請案主張2014年12月19日在韓國智慧財產局提申的韓國專利申請案第10-2014-0184768號的優先權及權益，其全部內容併入本文參考。
本揭露涉及用於形成二氧化矽類層（silica based layer）的組成物、二氧化矽類層以及包括所述二氧化矽類層的電子裝置。
隨著半導體科技的發展，已做出具有高積集度與高速的半導體記憶體單元的研究，以便增加較小的半導體晶片中的積集度以及改善表現。然而，因為半導體需要高積集度，且導線之間的空間變得更窄，因此可能發生RC延遲、串音、回應速度劣化等，且因此關於半導體內連線造成問題。為了解決此問題，可需要裝置間的合適分隔。因此，藉由廣泛地在裝置間使用做為半導體裝置的層間絕緣層的由含矽材料形成的二氧化矽類層、平坦化層、鈍化膜、絕緣層等來進行裝置間的合適分隔。二氧化矽類層用作顯示裝置等以及半導體裝置的保護層、絕緣層等。舉例來說，韓國專利早期公開第2002-0025680號揭露一種包括氮化矽層的半導體裝置，且韓國專利早期公開第2005-0104610號揭露一種包括絕緣層做為矽層的顯示裝置。一般來說，二氧化矽類層是藉由在裝置的預定區域中塗佈含矽材料且將其固化來形成，且由於在含矽材料製備及塗佈期間產生氣泡，在二氧化矽類層上產生缺陷。因此，二氧化矽類層的良率降低，且因此裝置的製作成本可能增加。
一實施例提供一種用於形成二氧化矽類層的組成物，其能夠提供具有絕佳平坦化特徵的膜。
另一實施例提供一種使用用於形成二氧化矽類層的組成物的二氧化矽類層。
又一實施例提供一種包括二氧化矽類層的電子裝置。
一實施例提供一種用於形成二氧化矽類層的組成物，其包括多分散性為從3.0至30的含矽聚合物以及溶劑，且黏度為從1.30 cps到1.80 cps。
含矽聚合物的重量平均分子量可為4000至160000。
含矽聚合物的重量平均分子量可為20000至160000。
含矽聚合物可包括聚矽氮烷（polysilazane）、聚矽氧氮烷（polysiloxazane）或其組合。
溶劑可包括選自以下中的至少一者：苯、甲苯、二甲苯、乙苯、二乙苯、三甲苯、三乙苯、環己烷、環己烯、十氫萘（decahydro naphthalene）、雙戊烯（dipentene）、戊烷、己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷、乙基環己烷、甲基環已烷、對甲烷、二丙醚（dipropylether）、二丁醚、茴香醚（anisole）、乙酸丁酯、乙酸戊酯、甲基異丁基酮及其組合。
基於用於形成二氧化矽類層的組成物的總量，含矽聚合物的量可以是0.1重量%到30重量%。
根據另一實施例，提供一種使用用於形成二氧化矽類層的組成物製作的二氧化矽類層。
根據又一實施例，提供一種包含二氧化矽類層的電子裝置。
可實現最小化在表面上產生的缺陷且不在邊緣上產生珠泡（bead）的二氧化矽類層。
下文將詳細描述本發明的例示性實施例，且其可由具有相關技術常識的人員容易地執行。然而，本揭露可用許多不同形式實施，且不應理解為受限於本文所闡述的例示性實施例。
在下文中說明根據一實施例的用於形成二氧化矽類層的組成物。
根據一實施例的用於形成二氧化矽類層的組成物包括含矽聚合物和溶劑。
含矽聚合物可包括包含矽（Si）原子且多分散性在3.0到30的範圍內的任何聚合物而沒有特別限制，例如是聚矽氮烷、聚矽氧氮烷或其組合。
含矽聚合物的多分散性可以在3.0到30的範圍中，且具體而言在5.0到20的範圍中。
用於形成二氧化矽類層的組成物的黏度可為從1.30 cps到1.80 cps，且具體而言，從1.40 cps到1.80 cps。
根據一實施例，用於形成二氧化矽類層的組成物使用多分散性在預定範圍內的含矽聚合物，且將黏度控制在預定範圍內，且因此可最小化在塗佈期間產生的氣泡。因此，組成物可確保層的均勻度。
就此觀點而言，用於形成二氧化矽類層的組成物的黏度可為從1.40 cps到1.80 cps（在25°C下測量），但不限於此。
在此說明書中，在以下條件下測量黏度。 黏度計：LVDV-Ⅲ（布魯克菲爾德；BROOKFIELD） 心軸號碼：SP-40 力矩/RPM：30 %至60 %力矩/50 RPM 測量溫度（樣品杯溫度）：25°C
舉例來說，含矽聚合物的重量平均分子量可為從4000至160000或從20000至160000。
因此，包括重量平均分子量及多分散性在所述範圍內的含矽聚合物的組成物可確保絕佳蝕刻特徵且具有絕佳塗佈特性，且因此形成均勻的層。
舉例來說，含矽聚合物可以是氫化聚矽氧氮烷或氫化聚矽氮烷。
基於100重量%的氫化聚矽氧氮烷或氫化聚矽氮烷，氫化聚矽氧氮烷或氫化聚矽氮烷可具有從0.2重量%至3重量%的氧含量。
當在所述範圍內包括氫化聚矽氧氮烷或氫化聚矽氮烷時，所述組成物可避免在熱處理期間的收縮，且因此避免由其形成的填充圖案中產生裂紋。更具體而言，氫化聚矽氧氮烷或氫化聚矽氮烷可包括於0.4重量%至2重量%的範圍中。
此外，氫化聚矽氧氮烷或氫化聚矽氮烷在末端可包括由-SiH3 表示的部分，並且基於氫化聚矽氧氮烷或氫化聚矽氮烷中的Si-H鍵的總量，氫化聚矽氧氮烷或氫化聚矽氮烷的-SiH3 基團含量可為15%至40%。在本說明書中，氧含量是藉由使用FlashEA 1112（賽默飛世爾科技公司；Thermo Fisher Scientific Inc.）來測量，且SiH3 /SiH的比例是藉由使用200 MHz的質子NMR：AC-200（布魯克公司；Bruker Corp.）來測量。
基於用於形成二氧化矽類層的組成物的總量，可以以0.1重量%至30重量%的量包含氫化聚矽氧氮烷或氫化聚矽氮烷。當在所述範圍內包括氫化聚矽氧氮烷或氫化聚矽氮烷時，組成物可維持合適的黏度，且在填滿間隙期間形成平坦又均勻的層而不會形成空隙。
溶劑可使用芳香族化合物、脂肪族化合物、飽和烴化合物、醚類、酯類、酮類等，且具體地可以是選自苯、甲苯、二甲苯、乙苯、二乙苯、三甲苯、三乙苯、環己烷、環己烯、十氫萘、雙戊烯、戊烷、己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷、乙基環己烷、甲基環已烷、對甲烷、二丙醚、二丁醚、茴香醚、乙酸丁酯、乙酸戊酯、甲基異丁基酮以及其組合。
特別地，溶劑中的至少一種具有大於或等於130°C的高沸點。因此，層的平坦度可增加。
基於用於形成二氧化矽類層的組成物的總重量，除了所述組分之外，可以以餘量包括溶劑。
用於形成二氧化矽類層的組成物更可以包括熱酸產生劑（thermal acid generator；TAG）。
如果熱酸產生劑藉由熱產生酸（H+ ），其可以包括任何化合物而沒有特別限制。特別是，其可包括在90°C或更高溫被活化且產生足夠酸且亦具有低揮發性的化合物。這種熱酸產生劑可以是（例如）選自硝基苄甲苯磺酸酯（nitrobenzyl tosylate）、硝基苄苯磺酸酯（nitrobenzyl benzenesulfonate）、酚磺酸酯（phenol sulfonate）及其組合。
基於用於形成二氧化矽類層的組成物的總量，可以以0.01重量%至25重量%的量包含熱酸產生劑。
用於形成二氧化矽類層的組成物可更包含表面活性劑。
表面活性劑沒有特別限制，且（例如）可以是：非離子型的表面活性劑，例如聚氧乙烯烷基醚類，例如聚氧乙烯月桂基醚、聚氧乙烯硬脂醚、聚氧乙烯十六烷基醚、聚氧乙烯油基醚等；聚氧乙烯烷基烯丙基醚類，例如聚氧乙烯壬基酚醚等；聚氧乙烯聚氧丙烯嵌段共聚物類；聚氧乙烯山梨糖醇脂肪酸酯（polyoxyethylene sorbitan fatty acid ester），例如山梨糖醇單月桂酸酯（sorbitan monolaurate）、山梨糖醇單棕櫚酸酯、山梨糖醇單硬脂酸酯、山梨糖醇單油酸酯、聚氧乙烯山梨糖醇單硬脂酸酯、聚氧乙烯山梨糖醇三油酸酯、聚氧乙烯山梨糖醇三硬脂酸酯等；EFTOP EF301、EF303、EF352的氟類表面活性劑（土懇產品有限公司；Tochem Products Co., Ltd.）、MEGAFACE F171、F173（大日本油墨化學工業株式會社；Dainippon Ink & Chem., Inc.）、FLUORAD FC430、FC431（住友3M；Sumitomo 3M）、Asahi guardAG710、Surflon S-382、SC101、SC102、SC103、SC104、SC105、SC106（朝日玻璃有限公司；Asahi Glass Co., Ltd.）等；其他矽酮類表面活性劑，例如有機矽氧烷聚合物KP341（信越化學有限公司；Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.）等。
基於用於形成二氧化矽類層的組成物的總量，可以以0.001重量%至10重量%的量包括表面活性劑。在所述範圍內，可同時改善溶液的分散度、層的均勻厚度以及填充特性。
根據另一實施例，提供一種使用用於形成二氧化矽類層的組成物製作的二氧化矽類層。
二氧化矽類層（例如）可以是絕緣層、填充層、保護層（例如硬塗層）等、半導體電容器等。絕緣層可（例如）用在電晶體裝置和位元線之間、電晶體裝置和電容器之間而沒有限制。
根據另一實施例，提供一種包含二氧化矽類層的電子裝置。所述電子裝置可包括顯示裝置、半導體、影像感測器等。
根據另一實施例，提供一種使用用於形成二氧化矽類層的組成物製作的二氧化矽類層。
製作二氧化矽類層的方法包括：將用於形成二氧化矽類層的組成物塗佈在基板上；乾燥塗佈有所述組成物的基板；以及固化基板。
用於形成二氧化矽類層的組成物可以是包括含矽聚合物以及溶劑的溶液的形式，且可使用溶液製程（例如旋轉塗佈、狹縫塗佈、絲網印刷、噴塗、滴下式注入法（one drop filling；ODF）或其組合）來塗佈。基板的固化製程可包括在一溫度（例如150°C或更高）下進行熱處理。
下文中，以下實例更詳細地說明本發明的實施例。然而，這些實施例僅是例示，且本揭露不限於此。用於形成二氧化矽類層的組成物的製備 [ 實例 1]
將乾燥氮氣置換在裝配有攪拌器和溫度控制器的2升反應器內部。接著，將2克純水注入1500克的乾燥吡啶，且接著使其充分混合，且將混合物放置於反應器中且維持5°C的暖度。接著，以超過一小時的時間將100克的二氯矽烷緩慢地注入其中。接著，以超過3小時的時間將70克的氨注入其中，同時攪拌混合物。接著，注入乾燥氮氣30分鐘，且移除殘餘在反應器中的氨。
獲得的白色漿態產品在乾燥氮氣環境下經由1微米鐵氟龍過濾器進行過濾，獲得1000克過濾後的溶液。接著，將1000克的乾燥二甲苯加到其中，並且藉由使用旋轉蒸發器重複三次用二甲苯取代吡啶的溶液置換，將混合物調整為具有20%的固體濃度，且接著用具有0.03微米的孔徑的鐵氟龍過濾器過濾。
最後，使用旋轉蒸發器同時加入水份小於或等於5 ppm的乾燥二正丁基醚，藉由重複三次用二正丁基醚取代二甲苯的溶液置換來調整所得物具有20%的固體濃度，且接著用具有0.03微米的孔徑的鐵氟龍過濾器過濾。藉由使用GPC、HPLC泵1515、RI偵測器2414（瓦特斯公司；Waters Corp.）以及管柱：LF804（Shodex）來測量產品的重量平均分子量。
經由所述製程，獲得重量平均分子量為23000且多分散性指數為13.6的聚矽氮烷。在本說明書中，藉由使用GPC（RID偵測器2414，瓦特斯公司）以及管柱：LF804（Shodex）來分別測量聚矽氮烷的重量平均分子量及多分散性。接著，將20克的聚矽氮烷溶解於109克的DBE（溶劑）中，且過濾溶液，製備用於形成二氧化矽類層的組成物（化合物含量：18.3重量%）。
接著，藉由使用黏度計（LVDV-III，布魯克菲爾德）在以上黏度測量條件下測量用於形成二氧化矽類層的組成物的黏度，且黏度為1.60 cps。[ 實例 2]
經由所述製程獲得重量平均分子量為37000且多分散性為11.7的聚矽氮烷。將20克的所獲得的聚矽氮烷溶解於114克的DBE（溶劑）中，且過濾溶液，獲得用於形成二氧化矽類層的組成物（化合物含量：17.5重量%）。
接著，以與實例1相同的方法測量用於形成二氧化矽類層的組成物的黏度，且黏度為1.50 cps。[ 實例 3]
經由所述製程獲得重量平均分子量為45000且多分散性為10.3的聚矽氮烷。將20克的聚矽氮烷溶解於123克的DBE（溶劑）中，且過濾溶液，製備用於形成二氧化矽類層的組成物（化合物含量：16.2重量%）。
接著，以與實例1相同的方法測量用於形成二氧化矽類層的組成物的黏度，且黏度為1.40 cps。[ 實例 4]
經由所述製程獲得重量平均分子量為61000且多分散性為7.0的聚矽氮烷。將20克的聚矽氮烷溶解於130克的DBE（溶劑）中，製備用於形成二氧化矽類層的組成物（化合物含量：15.4重量%）。
接著，以與實例1相同的方法測量用於形成二氧化矽類層的組成物的黏度，且黏度為1.35 cps。[ 比較實例 1]
經由所述製程獲得重量平均分子量為100000且多分散性為17.7的聚矽氮烷。
接著，將20克的聚矽氮烷溶解於132克的DBE（溶劑）中，且過濾溶液，製備用於形成二氧化矽類層的組成物（化合物含量：15.1重量%）。
接著，以與實例1相同的方法測量用於形成二氧化矽類層的組成物的黏度，且黏度為1.90 cps。[ 比較實例 2]
經由所述製程獲得重量平均分子量為8000且多分散性為2.9的聚矽氮烷。將20克的聚矽氮烷溶解於107克的DBE（溶劑）中，且過濾溶液，獲得用於形成二氧化矽類層的組成物（化合物含量：18.7重量%）。
接著，以與實例1相同的方法測量用於形成二氧化矽類層的組成物的黏度，且黏度為1.25 cps。評估 1 ：層表面的特徵
分別將根據實例1至實例4與比較實例1及比較實例2的用於形成二氧化矽類層的每一組成物進行旋轉塗佈，以在8吋直徑的矽晶圓上形成5500Å厚的薄膜，且接著在150°C下烘烤130秒。接著，使用掃描式電子顯微圖（SEM）檢視是否在薄膜邊緣上產生珠泡、以及在薄膜的表面上有多少缺陷，且在此，對直徑大於或等於175 nm的缺陷計量。
於表1中提供結果，且圖1提供掃描式電子顯微圖（SEM），其展示由根據比較實例1的用於形成二氧化矽類層的組成物形成的薄膜邊緣上產生珠泡。 [表1]
參照表1與圖1，分別由根據實例1至實例4的用於形成二氧化矽類層的組成物形成的各薄膜並未在邊緣上展示珠泡，而分別由根據比較實例1與比較實例2的用於形成二氧化矽類層的組成物形成的各薄膜在邊緣上展示珠泡。
此外，參照表1，相較於分別由根據比較實例1與比較實例2的用於形成二氧化矽類層的組成物形成的各薄膜，分別由根據實例1至實例4的用於形成二氧化矽類層的組成物形成的各薄膜展示數目銳減的缺陷。
因此，滿足預定黏度與分散性的由用於形成二氧化矽類層的組成物形成的二氧化矽類層展示絕佳的平坦化特徵。
雖然已結合目前認為是實用的示例性實施例對本發明進行描述，但是應理解到，本發明不限於所揭露的實施例，而是相反，旨在涵蓋包括在所附申請專利範圍的精神和範疇內的各種修改和等價配置。
無。
圖1是展示是否在薄膜的邊緣上產生珠泡的掃描式電子顯微圖（SEM）照片，所述薄膜由根據比較實例1的用於形成二氧化矽類層的組成物形成。

Claims (6)

  1. 一種用於形成二氧化矽類層的組成物，包括含矽聚合物以及溶劑，其中所述含矽聚合物的多分散性是從3.0到30，且當在以下條件下測量時，所述用於形成二氧化矽類層的組成物的黏度是從1.30cps到1.80cps，其中所述含矽聚合物的重量平均分子量為20000至160000，且所述含矽聚合物包括聚矽氮烷、聚矽氧氮烷或其組合，黏度測量條件為：黏度計為LVDV-Ⅲ，心軸號碼為SP-40，力矩/RPM為30%至60%力矩/50RPM，測量溫度為25℃。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的用於形成二氧化矽類層的組成物，其中所述溶劑包括選自以下中的至少一者：苯、甲苯、二甲苯、乙苯、二乙苯、三甲苯、三乙苯、環己烷、環己烯、十氫萘、雙戊烯、戊烷、己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷、乙基環己烷、甲基環已烷、對甲烷、二丙醚、二丁醚、茴香醚、乙酸丁酯、乙酸戊酯、甲基異丁基酮及其組合。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的用於形成二氧化矽類層的組成物，其中基於所述組成物的總量，所述含矽聚合物的量為0.1重量%至30重量%。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的用於形成二氧化矽類層的組成物，其中所述含矽聚合物包括氫化的聚矽氮烷、氫化的聚矽 氧氮烷或其組合。
  5. 一種二氧化矽類層，使用如申請專利範圍第1項所述的用於形成二氧化矽類層的組成物製作。
  6. 一種電子裝置，包括如申請專利範圍第5項所述的二氧化矽類層。
TW104130012A 2014-12-19 2015-09-11 用於形成二氧化矽類層的組成物、二氧化矽類層及電子裝置 TWI586715B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140184768A KR101837971B1 (ko) 2014-12-19 2014-12-19 실리카계 막 형성용　조성물, 실리카계 막, 및 전자 디바이스

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201623376A TW201623376A (zh) 2016-07-01
TWI586715B true TWI586715B (zh) 2017-06-11

Family

ID=56128629

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104130012A TWI586715B (zh) 2014-12-19 2015-09-11 用於形成二氧化矽類層的組成物、二氧化矽類層及電子裝置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10427944B2 (zh)
KR (1) KR101837971B1 (zh)
CN (1) CN105720041B (zh)
TW (1) TWI586715B (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101556672B1 (ko) * 2012-12-27 2015-10-01 제일모직 주식회사 실리카계 절연층 형성용 조성물, 실리카계 절연층 형성용 조성물의 제조방법, 실리카계 절연층 및 실리카계 절연층의 제조방법
US10647578B2 (en) 2016-12-11 2020-05-12 L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude N—H free and SI-rich per-hydridopolysilzane compositions, their synthesis, and applications
KR102471747B1 (ko) * 2017-12-26 2022-11-25 삼성에스디아이 주식회사 실리카 막 형성용 조성물, 실리카 막, 및 전자소자
TWI799516B (zh) 2018-02-21 2023-04-21 法商液態空氣喬治斯克勞帝方法研究開發股份有限公司 全氫聚矽氮烷組成物和用於使用其形成氧化物膜之方法
KR102446983B1 (ko) * 2018-04-27 2022-09-22 삼성에스디아이 주식회사 실리카 막 형성용 조성물 및 실리카 막
KR102432933B1 (ko) * 2019-05-17 2022-08-12 삼성에스디아이 주식회사 실리카 막 형성용 조성물, 그로부터 형성된 실리카 막, 및 상기 실리카 막을 포함하는 전자 소자
KR20230020810A (ko) * 2021-08-04 2023-02-13 삼성에스디아이 주식회사 실리카 막 형성용 조성물, 실리카 막, 및 전자소자

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201132716A (en) * 2010-01-07 2011-10-01 Az Electronic Materials Japan Coating composition containing polysilazane

Family Cites Families (110)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3170962A (en) 1955-01-14 1965-02-23 Dow Corning Organosilicon-epoxy resin compositions
US3453304A (en) 1966-12-19 1969-07-01 Gen Electric Process for preparing siloxane diolates
US3758624A (en) 1971-05-26 1973-09-11 Ethyl Corp Gasoline compositions
US5151390A (en) 1986-06-13 1992-09-29 Toa Nenryo Kogyo Kabushiki Kaisha Silicon nitride-based fibers and composite material reinforced with fibers
US4975512A (en) 1987-08-13 1990-12-04 Petroleum Energy Center Reformed polysilazane and method of producing same
US5354506A (en) 1989-09-28 1994-10-11 Albemarle Corporation Preceramic compositions and ceramic products
US4992108A (en) 1990-01-18 1991-02-12 Ward Irl E Photoresist stripping compositions
US5688864A (en) 1990-04-03 1997-11-18 Ppg Industries, Inc. Autophobic water repellent surface treatment
JPH05243223A (ja) 1992-02-28 1993-09-21 Fujitsu Ltd 集積回路装置の製造方法
US5459114A (en) 1992-11-26 1995-10-17 Tonen Corporation Method for producing ceramic products
US5747623A (en) 1994-10-14 1998-05-05 Tonen Corporation Method and composition for forming ceramics and article coated with the ceramics
JP3516815B2 (ja) 1996-08-06 2004-04-05 触媒化成工業株式会社 シリカ系被膜形成用塗布液および被膜付基材
JP3912697B2 (ja) 1996-08-14 2007-05-09 東京応化工業株式会社 層間絶縁膜形成用塗布液及びそれを用いた絶縁膜の形成方法
JP4101322B2 (ja) 1996-12-27 2008-06-18 Ａｚエレクトロニックマテリアルズ株式会社 低誘電率セラミックス材料及びその製造方法
US6218497B1 (en) 1997-04-21 2001-04-17 Alliedsignal Inc. Organohydridosiloxane resins with low organic content
JPH10321719A (ja) 1997-05-19 1998-12-04 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置およびその製造方法
JP3760028B2 (ja) 1997-07-03 2006-03-29 関西ペイント株式会社 複層塗膜形成法
CN1115572C (zh) 1998-02-18 2003-07-23 精工爱普生株式会社 分布反射型多层膜镜的制造方法
US6177199B1 (en) 1999-01-07 2001-01-23 Alliedsignal Inc. Dielectric films from organohydridosiloxane resins with low organic content
US6200947B1 (en) 1999-01-20 2001-03-13 Sumitomo Chemical Company, Limited Metal-corrosion inhibitor and cleaning liquid
US6413202B1 (en) 1999-01-21 2002-07-02 Alliedsignal, Inc. Solvent systems for polymeric dielectric materials
WO2000059267A1 (fr) 1999-03-29 2000-10-05 Seiko Epson Corporation Composition, procede de preparation d'un film, et element fonctionnel et son procede de preparation
US6359096B1 (en) 1999-10-25 2002-03-19 Dow Corning Corporation Silicone resin compositions having good solution solubility and stability
CN1318509C (zh) 1999-12-16 2007-05-30 旭硝子株式会社 聚硅氮烷组合物以及具有该固化材料的涂覆成形制品
JP5020425B2 (ja) 2000-04-25 2012-09-05 Ａｚエレクトロニックマテリアルズ株式会社 微細溝をシリカ質材料で埋封する方法
KR100362834B1 (ko) 2000-05-02 2002-11-29 삼성전자 주식회사 반도체 장치의 산화막 형성 방법 및 이에 의하여 제조된 반도체 장치
KR100797202B1 (ko) 2000-06-23 2008-01-23 허니웰 인터내셔널 인코포레이티드 손상된 실리카 유전 필름에 소수성을 부여하는 방법 및 손상된 실리카 유전 필름 처리 방법
JP3548512B2 (ja) 2000-09-28 2004-07-28 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
US6451955B1 (en) 2000-09-28 2002-09-17 Sumitomo Bakelite Company Limited Method of making a polyimide in a low-boiling solvent
US7270886B2 (en) * 2000-10-12 2007-09-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Spin-on glass composition and method of forming silicon oxide layer in semiconductor manufacturing process using the same
KR100364026B1 (ko) 2001-02-22 2002-12-11 삼성전자 주식회사 층간 절연막 형성방법
WO2002078842A1 (en) 2001-03-30 2002-10-10 Council Of Scientific And Industrial Research A novel catalytic formulation and its preparation
JP3479648B2 (ja) 2001-12-27 2003-12-15 クラリアント インターナショナル リミテッド ポリシラザン処理溶剤およびこの溶剤を用いるポリシラザンの処理方法
JP3631236B2 (ja) 2002-07-12 2005-03-23 東京応化工業株式会社 シリカ系有機被膜の製造方法
SI1570014T1 (sl) 2002-11-01 2013-06-28 Az Electronic Materials Usa Corp., Premazna raztopina, ki vsebuje polisilazan
KR100503527B1 (ko) 2003-02-12 2005-07-26 삼성전자주식회사 퍼하이드로 폴리실라잔을 포함하는 반도체 소자 제조용조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법
KR100464859B1 (ko) 2003-02-26 2005-01-06 삼성전자주식회사 스핀온글래스 조성물을 이용한 캐패시터 형성 방법
JP4574124B2 (ja) 2003-05-01 2010-11-04 Ａｚエレクトロニックマテリアルズ株式会社 コーティング組成物、多孔質シリカ質膜、多孔質シリカ質膜の製造方法及び半導体装置
US7192891B2 (en) * 2003-08-01 2007-03-20 Samsung Electronics, Co., Ltd. Method for forming a silicon oxide layer using spin-on glass
KR100611115B1 (ko) 2003-11-11 2006-08-09 삼성전자주식회사 스핀온글래스 조성물 및 이를 이용한 실리콘 산화막형성방법
JP5128044B2 (ja) 2003-12-10 2013-01-23 東京応化工業株式会社 シリコン基板又は金属配線パターンが設けられたシリコン基板被覆用シリカ系被膜形成用材料の製造方法
TWI276929B (en) 2003-12-16 2007-03-21 Showa Denko Kk Photosensitive composition remover
JP2005260040A (ja) 2004-02-12 2005-09-22 Sony Corp ドーピング方法、半導体装置の製造方法および電子応用装置の製造方法
DE102004011212A1 (de) 2004-03-04 2005-09-29 Clariant International Limited Perhydropolysilazane enthaltende Beschichtungen für Metall- und Polymeroberflächen
KR100619660B1 (ko) 2004-04-27 2006-09-06 캐논 가부시끼가이샤 현상 방법 및 이를 이용한 현상 장치
KR100599727B1 (ko) 2004-04-29 2006-07-12 삼성에스디아이 주식회사 유기 ｅｌ 발광셀의 커패시터 및 그 제조 방법
JP2005347636A (ja) 2004-06-04 2005-12-15 Az Electronic Materials Kk トレンチ・アイソレーション構造の形成方法
JP4578993B2 (ja) 2005-02-02 2010-11-10 Ａｚエレクトロニックマテリアルズ株式会社 ポリシラザン処理溶剤およびこの溶剤を用いるポリシラザンの処理方法
JP4672400B2 (ja) 2005-03-09 2011-04-20 株式会社東芝 過水素化ポリシラザン溶液およびそれを用いた半導体装置の製造方法
GT200600381A (es) 2005-08-25 2007-03-28 Compuestos organicos
JP4349390B2 (ja) 2006-07-31 2009-10-21 日立化成工業株式会社 シリコーン系材料組成物、シリカ系被膜及び半導体装置
JP4965953B2 (ja) 2006-09-29 2012-07-04 株式会社東芝 ポリシラザンまたはポリシラザン溶液の取り扱い方法、ポリシラザン溶液、半導体装置の製造方法
JP5250813B2 (ja) 2007-03-25 2013-07-31 国立大学法人徳島大学 撥水処理方法および撥水性シリカ層を有する基材
JP2008305974A (ja) 2007-06-07 2008-12-18 Elpida Memory Inc 酸化膜形成用塗布組成物およびそれを用いた半導体装置の製造方法
BE1017674A3 (fr) 2007-07-05 2009-03-03 Fib Services Internat Composition de traitement de chambre a parois refractaires et son procede de mise en oeuvre.
US20100136237A1 (en) 2007-07-05 2010-06-03 Nippon Soda Co., Ltd. Solvent for cleaning of organic thin film
JP5405031B2 (ja) 2008-03-06 2014-02-05 ＡｚエレクトロニックマテリアルズＩｐ株式会社 シリカ質膜の製造に用いる浸漬用溶液およびそれを用いたシリカ質膜の製造法
KR101570891B1 (ko) 2008-03-06 2015-11-20 메르크 파텐트 게엠베하 유기 반도체 조성물
JP2010061722A (ja) 2008-09-02 2010-03-18 Konica Minolta Opto Inc 基板の製造方法、前記方法により製造される基板、及び前記基板を用いた磁気記録媒体
JP2010059280A (ja) 2008-09-02 2010-03-18 Toppan Printing Co Ltd ハードコート塗液、ハードコートフィルムおよびタッチパネル用上部電極板
US8858720B2 (en) 2008-12-09 2014-10-14 Chevron Belgium Nv Method for cleaning deposits from turbocharger and supercharger compressors
JP2010171362A (ja) 2008-12-26 2010-08-05 Fujifilm Corp 半導体デバイス用洗浄剤及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法
KR20100082170A (ko) * 2009-01-08 2010-07-16 삼성전자주식회사 실리콘 산화막 패턴 및 소자 분리막 형성 방법
JP5700615B2 (ja) 2009-02-02 2015-04-15 旭化成イーマテリアルズ株式会社 ポリシラザン系トレンチ埋め込み用組成物
JP5535583B2 (ja) 2009-05-25 2014-07-02 ＡｚエレクトロニックマテリアルズＩｐ株式会社 トレンチ・アイソレーション構造の形成方法
KR101178215B1 (ko) 2009-07-13 2012-08-29 (주)디엔에프 폴리실라잔 처리 용제 및 이를 이용한 폴리실라잔 처리 방법
KR20110012574A (ko) 2009-07-31 2011-02-09 (주)디엔에프 아미노실란을 포함하는 폴리실라잔 조성물
KR20110023411A (ko) 2009-08-31 2011-03-08 주식회사 동진쎄미켐 반도체 소자의 절연막 형성용 조성물
KR101288574B1 (ko) 2009-12-02 2013-07-22 제일모직주식회사 갭필용 충전제 및 상기 충전제를 사용한 반도체 캐패시터의 제조 방법
KR101178214B1 (ko) 2009-12-23 2012-08-29 (주)디엔에프 폴리실라잔 처리 용제 및 이를 이용한 폴리실라잔 처리 방법
JP5691175B2 (ja) 2010-01-13 2015-04-01 コニカミノルタ株式会社 ガスバリアフィルムの製造方法、ガスバリアフィルム及び有機光電変換素子
KR101142369B1 (ko) 2010-01-18 2012-05-18 강원대학교산학협력단 무기 실리카 바인더로 고정된 광촉매층을 갖는 플라스틱 성형체 및 그의 제조방법
US8193027B2 (en) 2010-02-23 2012-06-05 Air Products And Chemicals, Inc. Method of making a multicomponent film
KR101118625B1 (ko) 2010-03-24 2012-03-06 회명산업 주식회사 수용성 절삭유
KR101644349B1 (ko) 2010-04-23 2016-08-01 헨켈 아이피 앤드 홀딩 게엠베하 실리콘-아크릴 공중합체
US8382270B2 (en) 2010-06-14 2013-02-26 Xerox Corporation Contact leveling using low surface tension aqueous solutions
SG187915A1 (en) 2010-08-25 2013-03-28 Dow Global Technologies Llc Copolymers
JP2012094739A (ja) 2010-10-28 2012-05-17 Sharp Corp 製膜方法および半導体装置の製造方法
CN102569060B (zh) 2010-12-22 2015-03-11 第一毛织株式会社 形成硅氧层的组合物及其生产方法、利用其的硅氧层及生产硅氧层的方法
KR101443758B1 (ko) 2010-12-22 2014-09-26 제일모직주식회사 실리카층 형성용 조성물, 그 제조방법, 이를 이용한 실리카층 및 실리카층 제조방법
KR101387740B1 (ko) 2011-01-07 2014-04-21 제일모직주식회사 실리카계 절연층 형성용 조성물, 실리카계 절연층 형성용 조성물의 제조방법, 실리카계 절연층 및 실리카계 절연층의 제조방법
JP5781323B2 (ja) * 2011-02-18 2015-09-16 メルク、パテント、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツングＭｅｒｃｋ Ｐａｔｅｎｔ ＧｍｂＨ 絶縁膜の形成方法
JP2013001721A (ja) 2011-06-13 2013-01-07 Adeka Corp 無機ポリシラザン、これを含有してなるシリカ膜形成用塗布液及びシリカ膜の形成方法
KR101432606B1 (ko) 2011-07-15 2014-08-21 제일모직주식회사 갭필용 충전제, 이의 제조 방법 및 이를 사용한 반도체 캐패시터의 제조 방법
KR101921131B1 (ko) 2011-09-08 2018-11-22 린텍 가부시키가이샤 변성 폴리실라잔 필름, 및, 가스 배리어 필름의 제조 방법
US8252101B1 (en) 2011-11-11 2012-08-28 Glemba Jr Roman A Method and composition for polishing surfaces
DE102011087931A1 (de) 2011-12-07 2013-06-13 Wacker Chemie Ag Herstellung hochmolekularer Siliconharze
JP5970197B2 (ja) 2012-02-08 2016-08-17 メルクパフォーマンスマテリアルズマニュファクチャリング合同会社 無機ポリシラザン樹脂
FR2988520B1 (fr) 2012-03-23 2014-03-14 Arkema France Utilisation d'une structure multicouche a base de polymere halogene comme feuille de protection de module photovoltaique
WO2013148639A1 (en) 2012-03-26 2013-10-03 The Procter & Gamble Company Cleaning compositions comprising ph-switchable amine surfactants
KR101332306B1 (ko) 2012-03-30 2013-11-22 한국기계연구원 프리스탠딩 나노 박막 제조방법
KR20140011506A (ko) 2012-06-20 2014-01-29 제일모직주식회사 가스 배리어 필름, 그 제조방법 및 이를 포함하는 디스플레이 부재
US20140057003A1 (en) 2012-08-24 2014-02-27 Raymond C. Johnson Augmenting Cleaning Chemicals
US20140099510A1 (en) 2012-10-04 2014-04-10 Hendrich Chiong Methods of manufacture of bis(phthalimide)s and polyetherimides, and bis(phthalimide)s, and polyetherimides formed therefrom
US9754728B2 (en) 2012-10-09 2017-09-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Material for electrode of power storage device, power storage device, and electrical appliance
JP6177055B2 (ja) 2012-10-29 2017-08-09 キヤノン株式会社 塗工装置、塗工方法、定着部材の製造装置、定着部材の製造方法
KR101622001B1 (ko) 2012-12-27 2016-05-17 제일모직주식회사 하드코팅 필름 및 그 제조방법
KR101556672B1 (ko) 2012-12-27 2015-10-01 제일모직 주식회사 실리카계 절연층 형성용 조성물, 실리카계 절연층 형성용 조성물의 제조방법, 실리카계 절연층 및 실리카계 절연층의 제조방법
CN103910885A (zh) 2012-12-31 2014-07-09 第一毛织株式会社 制备间隙填充剂的方法、用其制备的间隙填充剂和使用间隙填充剂制造半导体电容器的方法
KR101583225B1 (ko) 2012-12-31 2016-01-07 제일모직 주식회사 실리카계 절연층 형성용 조성물, 실리카계 절연층 및 실리카계 절연층의 제조방법
WO2014104510A1 (ko) 2012-12-31 2014-07-03 제일모직 주식회사 개질 수소화 폴리실록사잔, 이를 포함하는 실리카계 절연층 형성용 조성물, 실리카계 절연층 형성용 조성물의 제조방법, 실리카계 절연층 및 실리카계 절연층의 제조방법
TWI575326B (zh) 2013-04-09 2017-03-21 Jsr Corp A method for forming a resist film and a pattern forming method
KR101692757B1 (ko) 2013-04-18 2017-01-04 제일모직 주식회사 절연막용 린스액 및 절연막의 린스 방법
KR101653336B1 (ko) 2013-05-28 2016-09-01 제일모직주식회사 수소화폴리실록사잔 박막용 린스액 및 이를 이용한 수소화폴리실록사잔 박막의 패턴 형성 방법
KR20150019949A (ko) 2013-08-16 2015-02-25 제일모직주식회사 절연막의 제조방법
JP6183097B2 (ja) 2013-09-20 2017-08-23 株式会社村田製作所 表面平滑化液晶ポリマーフィルムおよびガスバリアフィルム
KR20150039084A (ko) 2013-10-01 2015-04-09 제일모직주식회사 실리카계 막 형성용 조성물, 실리카계 막 및 실리카계 막의 제조방법
US20150093545A1 (en) 2013-10-01 2015-04-02 Samsung Sdi Co., Ltd. Composition for a silica based layer, silica based layer, and method of manufacturing a silica based layer
US9871225B2 (en) 2013-12-06 2018-01-16 Konica Minolta, Inc. Organic electroluminescence element
JP6267533B2 (ja) 2014-02-14 2018-01-24 信越化学工業株式会社 パターン形成方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201132716A (en) * 2010-01-07 2011-10-01 Az Electronic Materials Japan Coating composition containing polysilazane

Also Published As

Publication number Publication date
CN105720041A (zh) 2016-06-29
US20160176718A1 (en) 2016-06-23
KR20160075148A (ko) 2016-06-29
TW201623376A (zh) 2016-07-01
CN105720041B (zh) 2019-12-31
US10427944B2 (en) 2019-10-01
KR101837971B1 (ko) 2018-03-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI586715B (zh) 用於形成二氧化矽類層的組成物、二氧化矽類層及電子裝置
TWI621666B (zh) 用於形成氧化矽層的組成物、製造氧化矽層的方法、氧化矽層及電子裝置
TWI575024B (zh) 用於形成二氧化矽層的組成物、二氧化矽層及電子裝置
TWI553060B (zh) 用於形成二氧化矽基層的組成物、二氧化矽基層及二氧化矽基層的製造方法
JP6795331B2 (ja) シリカ膜の製造方法、シリカ膜および電子素子
JP2021034727A (ja) シリカ膜形成用組成物およびシリカ膜
TWI658003B (zh) 用於形成二氧化矽層的組成物、二氧化矽層和電子裝置
TWI653304B (zh) 用於形成矽氧層的組成物、製造矽氧層的方法以及電子裝置
TWI777165B (zh) 用於形成二氧化矽層的組成物、二氧化矽層及電子裝置
CN115572540B (zh) 用于形成二氧化硅层的组合物、二氧化硅层以及电子装置
KR20190041822A (ko) 실리카 막 형성용 조성물, 실리카 막의 제조방법 및 실리카 막
KR20240024543A (ko) 실리카 막 형성용 조성물, 그로부터 형성된 실리카 막, 및 상기 실리카 막을 포함하는 전자 소자
KR101833801B1 (ko) 실리카계 막 형성용　조성물, 실리카계 막, 및 전자 디바이스
KR20240005484A (ko) 실리카 막 형성용 조성물, 그로부터 형성된 실리카 막, 및 상기 실리카 막을 포함하는 전자 소자