TWI571952B - Substrate processing device - Google Patents

Substrate processing device Download PDF

Info

Publication number
TWI571952B
TWI571952B TW104111106A TW104111106A TWI571952B TW I571952 B TWI571952 B TW I571952B TW 104111106 A TW104111106 A TW 104111106A TW 104111106 A TW104111106 A TW 104111106A TW I571952 B TWI571952 B TW I571952B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
chemical liquid
pipe
liquid
chemical
recovery
Prior art date
Application number
TW104111106A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201613012A (en
Inventor
Michinori Iwao
Original Assignee
Screen Holdings Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Screen Holdings Co Ltd filed Critical Screen Holdings Co Ltd
Publication of TW201613012A publication Critical patent/TW201613012A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI571952B publication Critical patent/TWI571952B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041Cleaning
    • H01L21/02043Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052Wet cleaning only
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05BSPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B13/00Machines or plants for applying liquids or other fluent materials to surfaces of objects or other work by spraying, not covered by groups B05B1/00 - B05B11/00
    • B05B13/02Means for supporting work; Arrangement or mounting of spray heads; Adaptation or arrangement of means for feeding work
    • B05B13/0221Means for supporting work; Arrangement or mounting of spray heads; Adaptation or arrangement of means for feeding work characterised by the means for moving or conveying the objects or other work, e.g. conveyor belts
    • B05B13/0242Means for supporting work; Arrangement or mounting of spray heads; Adaptation or arrangement of means for feeding work characterised by the means for moving or conveying the objects or other work, e.g. conveyor belts the objects being individually presented to the spray heads by a rotating element, e.g. turntable
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05CAPPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C13/00Means for manipulating or holding work, e.g. for separate articles
    • B05C13/02Means for manipulating or holding work, e.g. for separate articles for particular articles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02299Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
    • H01L21/02307Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a liquid
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Description

基板處理裝置
本發明係關於處理基板之基板處理裝置。作為處理對象之基板,例如包含半導體晶圓、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、FED(Field Emission Display)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板、太陽能電池用基板等。
專利文獻1揭示有一片一片地處理基板之單片式基板處理裝置。上述基板處理裝置包含:旋轉夾頭,其水平地保持基板且使之旋轉;藥液噴嘴,其朝保持於旋轉夾頭之基板之上面吐出藥液;及筒狀之杯體,其圍繞旋轉夾頭。上述基板處理裝置還包含:藥液槽,其貯存供給於藥液噴嘴之藥液;循環配管,其形成供藥液槽內之藥液循環之循環路徑;及回收配管,其將藥液自杯體朝藥液槽導引。
當停止來自藥液噴嘴之藥液之吐出時,藥液槽內之藥液於循環路徑內循環,而停止朝藥液噴嘴供給藥液。當執行來自藥液噴嘴之藥液之吐出時,將藥液槽內之藥液供給於藥液噴嘴。供給於基板之藥液藉由杯體所接取,且藉由回收配管被回收於藥液槽。若停止來自藥液噴嘴之藥液之吐出,則自杯體朝回收配管之藥液之供給也停止。
[先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1:日本專利特開2011-61034號公報
於半導體晶圓等之基板的處理中,有時會使用BHF(Buffered Hydrogen Fluoride:含有HF、NH4F及H2O之混合液)、或TMAH(Tetramethylammonium Hydroxide:氫氧化四甲銨)等之濃度容易變化之藥液。
於藥液為BHF之情況下,BHF中之NH4F被分解為HF與NH3。因此,BHF中之NH4F之濃度隨著時間之經過而降低,BHF中之NF之濃度隨著時間之經過而上昇。於BHF配置於密封空間之情況下,由於BHF中之氨(NH3)之揮發被抑制,因此較不容易發生上述分解反應。另一方面,於BHF配置於開放空間(氣體能出入之空間)之情況下,由於促進BHF中之氨之揮發,因此容易促使上述分解反應。亦即,於BHF配置於開放空間之情況下,BHF之濃度較容易變化。
於專利文獻1之基板處理裝置中,供給於基板之藥液自杯體供給於回收配管內。若來自藥液噴嘴之藥液之吐出停止,則朝回收配管之藥液之供給也停止。若再次執行來自藥液噴嘴之藥液之吐出,則供給於基板之藥液與殘留於回收配管內之藥液一併被回收於藥液槽。
於專利文獻1之藥液為例如BHF之情況下,若停止藥液之吐出之時間較長,則殘留於回收配管內之BHF中之HF之濃度會因分解反應而上昇。若HF之濃度變高,則有可能使以HF為主成分之結晶析出於液體中。若將此種BHF回收至藥液槽,則藥液槽內之BHF之濃度會變化。由於藥液槽內之BHF之量較殘留於回收配管內之BHF之量充分地大,因此,雖濃度變化較小,但此種濃度變化對基板之處理而言仍不希望發生。
因此,本發明之目的之一在於,抑制自基板回收之藥液之濃度之變化量。
本發明之一實施形態,提供一種基板處理裝置,其包含:基板保持單元,其一面保持基板一面使之旋轉;藥液噴嘴,其朝保持於上述基板保持單元之基板吐出藥液;筒狀之處理液捕獲單元,其接取自上述基板保持單元所保持之基板飛散之處理液;循環配管,其形成供藥液槽內之藥液循環之循環路徑,該藥液槽貯存供給至上述藥液噴嘴之藥液;供給配管,其將自上述藥液槽供給至上述循環配管之藥液朝上述藥液噴嘴導引;供給閥,其可切換為使於上述供給配管內朝上述藥液噴嘴流動之藥液通過之開放狀態、及停止自上述供給配管朝上述藥液噴嘴之藥液供給之關閉狀態;回收配管,其自上述處理液捕獲單元朝上述藥液槽導引藥液;及分歧配管,其將上述循環配管內之藥液朝上述回收配管導引。
根據該構成,若開放供給閥,則自藥液槽輸送給循環配管之藥液,通過供給配管被供給於藥液噴嘴,且自藥液噴嘴朝保持於基板保持單元之基板吐出。供給於基板之藥液,藉由基板之旋 轉自基板飛散之後,被處理液捕獲單元接取。被處理液捕獲單元接取之藥液通過回收配管返回藥液槽。因此,於開放供給閥之期間,藥液於回收配管內朝藥液槽流動。
若關閉供給閥,由於朝藥液噴嘴之藥液之供給停止,因此自處理液捕獲單元朝回收配管之藥液之供給也停止。此時,分歧配管之上游端連接於循環配管。因此,即使關閉供給閥,自藥液槽輸送至循環配管之藥液,仍通過分歧配管供給於回收配管。因此,於關閉供給閥之期間,藥液也於回收配管內朝藥液槽流動。
如此,本發明中,與供給閥是否開放無關,藥液皆於回收配管內朝藥液槽流動。因此,即使於關閉供給閥之期間較長之情況下,也可防止相同藥液長時間滯留於回收配管內。因此,即使於使用濃度容易變化之藥液之情況下,仍可抑制或防止殘留於回收配管內之藥液之濃度大幅變化、或結晶析出於藥液中之情況。藉此,可抑制或防止濃度大幅變化之藥液或含有析出物之藥液被回收於藥液槽內,而可使基板之處理品質更加穩定。
於上述一實施形態中,上述基板處理裝置還可進而包含回收閥,其可切換為使於上述回收配管內朝上述藥液槽流動之藥液通過之開放狀態、及停止自上述回收配管朝上述藥液槽之藥液供給之關閉狀態。
根據該構成,若關閉回收閥,則將自回收配管之上游部分(自回收配管之上游端至回收閥之回收配管之一部分)朝回收配管之下游部分(自回收閥至回收配管之下游端之回收配管之一部分)的空氣之流動截斷。藉此,殘留於回收配管之下游部分之藥液,自漂浮於回收配管之上游部分之空氣被截斷。如此,藉由關閉回收 閥,可提高回收配管之下游部分之密封度,因此可抑制殘留於回收配管之下游部分之藥液之濃度變化。
於上述一實施形態中,自上述回收配管之上游端至上述回收閥為止之上述回收配管之長度,也可較自上述回收閥至上述回收配管之下游端為止的上述回收配管之長度更短。
根據該構成,回收配管之上游部分較回收配管之下游部分短。若關閉回收閥,則殘留於回收配管之下游部分的藥液,自漂浮於回收配管之上游部分之空氣被截斷。另一方面,回收配管之上游部分曝露於自處理液捕獲單元流入回收配管之空氣中。因此,藉由縮短曝露於空氣中之部分(回收配管之上游部分),可減小容易產生藥液之濃度變化之區域。
於上述一實施形態中,上述處理液捕獲單元及回收閥,也可配置於上述基板處理裝置之外壁中,上述藥液槽也可配置於上述基板處理裝置之外壁外。
根據該構成,由於處理液捕獲單元及回收閥之雙方配置於基板處理裝置之外壁中,因此,與將回收閥配置於基板處理裝置之外壁外之情況比較,可縮小處理液捕獲單元及回收閥之間隔。因此,可縮短自回收配管之上游端至回收閥之距離,而可縮短曝露於空氣中之部分(回收配管之上游部分)。另一方面,由於藥液槽配置於基板處理裝置之外壁外,因此,較將藥液槽及回收閥之雙方配置於基板處理裝置之外壁中之情況,更可擴大藥液槽與回收閥之間隔。因此,可增長自回收配管之下游端至回收閥之距離,而可增長密封之部分(回收配管之下游部分)。
於上述一實施形態中,上述基板處理裝置還可進而包 含:洗淨液供給單元,其將洗淨液供給至上述處理液捕獲單元;及排液配管,其將在上述回收配管內朝上述回收閥流動至下游之液體,向上述回收配管外導引。洗淨液係以水為主成分之液體。洗淨液可為純水(脫離子水:Deionized water),也可為藥液濃度低之水溶液(例如,10~100ppm左右之水溶液)。上述洗淨液供給單元包括朝保持於上述基板保持單元之基板吐出洗淨液之噴嘴、朝上述基板保持單元吐出洗淨液之噴嘴、及朝上述處理液捕獲單元之內面吐出洗淨液之噴嘴中之至少一個。
根據該構成,藉由洗淨液供給單元供給於處理液捕獲單元之洗淨液,自處理液捕獲單元流入回收配管內。於關閉回收閥時,於回收配管內朝回收閥流動至下游之洗淨液,被回收閥截斷。因此,該洗淨液自回收配管排出於排液配管。殘留於回收配管之上游部分之藥液與洗淨液一併被朝排液配管排出。藉此,將回收配管之上游部分洗淨。因此,可抑制或防止濃度大幅變化之藥液或含有析出物之藥液被回收於藥液槽內。
於上述一實施形態中,上述基板處理裝置還可進而包含分歧閥,其可切換為使於上述分歧配管內朝上述回收配管流動之藥液通過之開放狀態、及停止自上述分歧配管朝上述回收配管之藥液供給之關閉狀態。
根據該構成,若開放分歧閥,自藥液槽輸送至循環配管之藥液,通過分歧閥自分歧配管供給於回收配管。另一方面,若關閉分歧閥,則自循環配管流入分歧配管之藥液被分歧閥截斷。由於對自分歧配管供給於回收配管之藥液施加泵等之供給壓,因此,於藥液自分歧配管朝回收配管流動之狀態下,有可能妨礙自處理液 捕獲單元朝回收配管之藥液之回收。因此,藉由利用分歧閥暫時截斷流動於分歧配管內之藥液,可確實地自處理液捕獲單元將藥液回收於回收配管內。
於上述一實施形態中,上述基板處理裝置還可進而包含洗淨液配管,其將洗淨液導引至上述供給配管之較上述供給閥下游之區域。洗淨液係以水為主成分之液體。
根據該構成,於關閉供給閥時,洗淨液配管內之洗淨液供給於供給配管之下游部分(自供給閥至供給配管之下游端之供給配管之一部分)。殘留於供給配管之下游部分之藥液,藉由洗淨液推壓流入藥液噴嘴,與洗淨液一併自藥液噴嘴吐出。藉此,將供給配管之下游部分與藥液噴嘴洗淨。因此,於進行基板之處理時,可抑制或防止濃度大幅變化之藥液或含有析出物之藥液自藥液噴嘴吐出。
於上述一實施形態中,上述基板處理裝置還可進而包含吸引配管,其將吸引力傳遞至上述供給配管之較上述供給閥更下游之區域。
根據該構成,殘留於供給配管之下游部分之液體被吸引配管吸引,而自供給配管之下游部分除去。此外,吸引力經由供給配管自吸引配管傳遞至藥液噴嘴,因此,殘留於藥液噴嘴之液體也被吸引配管吸引,而自藥液噴嘴除去。藉此,可抑制或防止殘留於供給配管之下游部分及藥液噴嘴之液體自藥液噴嘴之吐出口落下,附著於基板或基板保持單元等。此外,於進行基板之處理時,可抑制或防止殘留於供給配管之下游部分之液體自藥液噴嘴吐出。
於上述一實施形態中,上述基板處理裝置還可包含: 複數個上述基板保持單元;複數個上述藥液噴嘴,其分別與上述複數個基板保持單元對應;複數個上述處理液捕獲單元,其分別與上述複數個基板保持單元對應;複數個上述供給配管,其分別與上述複數個藥液噴嘴對應,將上述循環配管內之藥液導引至對應之上述藥液噴嘴;複數個上述供給閥,其分別設於上述複數個供給配管;複數個上述回收配管,其分別與上述複數個處理液捕獲單元對應,將藥液自對應之上述處理液捕獲單元導引至上述藥液槽;及複數個上述分歧配管,其分別與上述複數個回收配管對應,將上述循環配管內之藥液導引至對應之上述回收配管。
根據該構成,相同藥液槽內之藥液,經由循環配管及複數個供給配管供給於複數個藥液噴嘴。供給於保持在複數個基板保持單元之複數片基板之藥液,經由複數個處理液捕獲單元及複數個回收配管被回收於相同藥液槽內。循環配管內之藥液,經由複數個分歧配管被供給於複數個回收配管內。因此,可抑制或防止濃度大幅變化之藥液或含有析出物之藥液自複數個回收配管被回收於藥液槽內。
於上述一實施形態中,上述基板處理裝置還可進而包含:壓力計,其測量上述循環配管內之壓力;壓力調整閥,其變更上述循環配管內之壓力;及控制裝置,其基於上述壓力計之檢測值,對上述壓力調整閥之開度進行變更。
根據該構成,複數個供給配管連接於相同之循環配管,且複數個供給閥分別設於複數個供給配管。循環配管內之液壓係根據複數個供給閥之狀態、即開放中之閥之數量或哪一個閥處於開放中等而變化。此外,於分歧配管設置有分歧閥之情況下,分歧 閥之狀態也對循環配管內之液壓產生影響。若循環配管內之液壓發生變化,則自藥液噴嘴吐出之藥液的吐出流量也會發生變化。
控制裝置基於壓力計之檢測值對循環配管內之壓力(實際之壓力)是否較設定壓力低進行判斷。於循環配管內之壓力較設定壓力低之情況下,控制裝置使壓力調整閥增加循環配管內之壓力。具體而言,於壓力調整閥為流量調整閥之情況下,控制裝置使壓力調整閥之開度減小,進而使施加於欲通過壓力調整閥之藥液之阻力增加。因此,於壓力調整閥之上游,循環配管內之壓力上昇。藉此,減少循環配管內之壓力與設定壓力之差,以抑制或防止吐出流量之變化。
於上述一實施形態中,藥液也可為BHF(含有HF、NH4F及H2O之混合液)。
本發明之上述或者其他之目的、特徵及功效,藉由參照所附圖式及以下陳述之實施形態之說明,自可明確瞭解。
1‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧處理單元
3‧‧‧控制裝置
4‧‧‧外壁
5‧‧‧貯存箱
6‧‧‧閥箱
7‧‧‧腔體
8‧‧‧旋轉夾頭
9‧‧‧旋轉基底
10‧‧‧夾頭銷
11‧‧‧旋轉軸
12‧‧‧旋轉馬達
13‧‧‧藥液噴嘴
14‧‧‧噴嘴移動單元
15‧‧‧待機罐
16‧‧‧清洗液噴嘴
17‧‧‧清洗液配管
18‧‧‧清洗液閥
19‧‧‧杯體
20‧‧‧傾斜部
21‧‧‧導引部
22‧‧‧液體接取部
31‧‧‧藥液槽
32‧‧‧溫度調節器
33‧‧‧輸液裝置
34‧‧‧過濾器
35‧‧‧循環配管
35a‧‧‧上游端
35b‧‧‧下游端
36‧‧‧供給配管
36a‧‧‧上游端
36b‧‧‧下游端
37‧‧‧供給閥
38‧‧‧洗淨液配管
39‧‧‧洗淨液閥
40‧‧‧吸引配管
41‧‧‧吸引閥
42‧‧‧吸引裝置
43‧‧‧回收配管
43a‧‧‧上游端
43b‧‧‧下游端
44‧‧‧回收閥
45‧‧‧排液配管
45a‧‧‧上游端
46‧‧‧排液閥
47‧‧‧分歧配管
47a‧‧‧上游端
47b‧‧‧下游端
48‧‧‧分歧閥
49‧‧‧壓力計
50‧‧‧壓力調整閥
A1‧‧‧旋轉軸線
C‧‧‧運載器
CR‧‧‧中央機器人
IR‧‧‧分度機器人
LP‧‧‧裝載口
P1‧‧‧循環路徑
W‧‧‧基板
圖1為自上方觀察本發明之一實施形態之基板處理裝置之示意圖。
圖2為水平觀察圖1所示之處理單元之內部之示意圖。
圖3為顯示藥液供給系統之示意圖。
圖4為自停止來自藥液噴嘴之藥液吐出之吐出待機中轉移至藥液噴嘴吐出藥液之吐出執行中時之時序圖。
圖5為顯示吐出待機中之藥液供給系統之示意圖。
圖6為顯示吐出執行中之藥液供給系統之示意圖。
圖1為自上方觀察本發明之一實施形態之基板處理裝置1之示意圖。
基板處理裝置1係一片一片地處理半導體晶圓等之圓板狀之基板W之單片式裝置。
基板處理裝置1包含:複數個裝載口LP,其保持收容基板W之複數個運載器C;複數個(例如12台)處理單元2,其以藥液等之處理液對自複數個裝載口LP搬送來之基板W進行處理;搬送機器人,其將基板W自複數個裝載口LP朝複數個處理單元2搬送;及控制裝置3,其控制基板處理裝置1。搬送機器人包括:分度機器人IR,其於裝載口LP與處理單元2之間的路徑上搬送基板W;及中央機器人CR,其於分度機器人IR與處理單元2之間的路徑上搬送基板W。
基板處理裝置1包含複數台(4台)收容後述之供給閥37等之閥箱6。處理單元2及閥箱6係配置於基板處理裝置1之外壁4中,且由基板處理裝置1之外壁4包覆。收容後述之藥液槽31等之複數台(4台)之貯存箱5,係配置於基板處理裝置1之外壁4外部。貯存箱5既可配置於基板處理裝置1之側面,也可配置於設置有基板處理裝置1之無塵室之下方(地下)。
12台之處理單元2形成俯視時以圍繞中央機器人CR之方式配置之4個塔。各塔包含上下堆疊之3台處理單元2。4台貯存箱5分別與4個塔對應。同樣地,4台閥箱6分別與4個塔對應。貯存於貯存箱5內之藥液槽31之藥液,經由與該貯存箱5對應之閥箱6,供給於與該貯存箱5對應之3台處理單元2。此外, 以構成同一之塔之3台處理單元2供給於基板W之藥液,經由與該塔對應之閥箱6,被回收至與該塔對應之貯存箱5內之藥液槽31。
圖2為水平觀察處理單元2之內部之示意圖。
處理單元2包含:箱形之腔體7;旋轉夾頭8,其於腔體7內一面水平保持基板W一面使基板W繞通過基板W之中央部之鉛垂之旋轉軸線A1旋轉;複數個處理液噴嘴,其朝保持於旋轉夾頭8之基板W吐出處理液;及筒狀之杯體19,其接取自基板W排出之處理液。
旋轉夾頭8包含:以水平姿勢保持之圓板狀之旋轉基底9;複數個夾頭銷10,其於旋轉基底9之上方以水平姿勢保持基板W;旋轉軸11,其自旋轉基底9之中央部朝下方延伸;及旋轉馬達12,其藉由使旋轉軸11旋轉而使基板W及旋轉基底9繞旋轉軸線A1旋轉。旋轉夾頭8不限於使複數個夾頭銷10接觸於基板W之圓周端面之挾持式之夾頭,也可為藉由使非元件形成面即基板W之背面(下面)吸附於旋轉基底9之上面而水平地保持基板W之真空吸附式之夾頭。
處理單元2包含:藥液噴嘴13,其朝下方對保持於旋轉夾頭8之基板W之上面吐出藥液;噴嘴移動單元14,其使藥液噴嘴13於處理位置(圖2中以實線所示之位置)與退避位置(圖2中以二點鏈線所示之位置)之間移動;及有底筒狀之待機罐15,其配置於藥液噴嘴13之退避位置之下方。藥液噴嘴13及待機罐15係配置於腔體7內。處理位置係將自藥液噴嘴13吐出之藥液液體附著於基板W之上面之位置,退避位置係使藥液噴嘴13退避至俯視時藥液噴嘴13及基板W不會重疊之位置。藥液例如為BHF。
處理單元2包含朝下方對保持於旋轉夾頭8之基板W之上面吐出清洗液之清洗液噴嘴16。清洗液噴嘴16係配置於腔體7內。處理單元2也可具備使清洗液噴嘴16於處理位置與退避位置之間移動之噴嘴移動單元。清洗液噴嘴16連接於介設有清洗液閥18之清洗液配管17。若開放清洗液閥18,則清洗液自清洗液配管17供給於清洗液噴嘴16,自清洗液噴嘴16吐出。清洗液例如為純水(去離子水:Deionized water)。清洗液不限於純水,也可為碳酸水、電解離子水、氫水、臭氧水、及稀釋濃度(例如,10~100ppm左右)之鹽酸水中之任一種。
杯體19係配置於腔體7內。杯體19包含:筒狀之傾斜部20,其朝著旋轉軸線A1向斜上方延伸;圓筒狀之導引部21,其自傾斜部20之下端部(外端部)朝下方延伸;及液體接取部22,其形成向上方開放之環狀之溝。傾斜部20包含具有較基板W及旋轉基底9大之內徑之圓環狀之上端。傾斜部20之上端相當於杯體19之上端。杯體19之上端俯視時圍繞基板W及旋轉基底9。於將處理液供給於基板W時,杯體19之上端較基板W配置於上方。自基板W朝外側飛散之處理液,藉由傾斜部20接取之後,由導引部21匯聚至液體接取部22內。
控制裝置3係電腦。於處理基板W時,控制裝置3係於旋轉夾頭8使基板W旋轉。然後,控制裝置3使藥液之一例即BHF於藥液噴嘴13朝旋轉之基板W之上面吐出。藉此,BHF被供給於基板W之上面全域(藥液供部步驟)。藉由基板W之旋轉自基板W朝外側飛散之BHF,匯聚於液體接取部22。
控制裝置3於使來自藥液噴嘴13之BHF之吐出停止 之後,使清洗液之一例即純水於清洗液噴嘴16朝旋轉之基板W吐出。藉此,純水被供給於基板W之上面全域,對附著於基板W上之BHF進行沖洗(清洗液供給步驟)。藉由基板W之旋轉自基板W朝外側飛散之純水,匯聚於液體接取部22。
控制裝置3於使來自清洗液噴嘴16之純水之吐出停止之後,於旋轉夾頭8以高旋轉速度使基板W旋轉。藉此,附著於基板W之純水藉由離心力而被向基板W之周圍甩出。因此,自基板W上除去純水,將基板W乾燥(乾燥步驟)。如此,利用各處理單元2對基板W進行處理。
圖3為顯示藥液供給系統之示意圖。
基板處理裝置1包含:藥液槽31,其貯存供給於藥液噴嘴13之藥液;循環配管35,其形成供藥液槽31內之藥液循環之循環路徑P1;輸液裝置33,其將藥液槽31內之藥液向循環配管35輸送;溫度調節器32,其調節自藥液槽31供給於藥液噴嘴13之藥液之溫度;及過濾器34,其除去自藥液槽31供給於藥液噴嘴13之藥液中之異物。藥液槽31、輸液裝置33、溫度調節器32及過濾器34係配置於貯存箱5內。
循環配管35之上游端35a及下游端35b係與藥液槽31內連接。循環配管35包含:供給部,其將藥液槽31內之藥液朝3個供給配管36導引;連接部,其連接3個供給配管36;及歸還部,其將通過連接部之藥液朝藥液槽31導引。溫度調節器32係介設於循環配管35之供給部。溫度調節器32也可配置於藥液槽31內。溫度調節器32係以自較室溫(例如,20℃~30℃)高之溫度至較室溫低之溫度之範圍內之溫度對藥液進行加熱或冷卻。藉由輸液裝 置33自藥液槽31輸送至循環配管35之藥液,藉由溫度調節器32加熱或冷卻之後,返回至藥液槽31。輸液裝置33係吸入藥液槽31內之藥液並吐出吸入之藥液之泵。輸液裝置33也可為藉由使藥液槽31內之氣壓上昇而將藥液槽31內之藥液朝循環配管35輸送之加壓裝置。
基板處理裝置1包含:供給配管36,其將循環配管35內之藥液朝藥液噴嘴13導引;供給閥37,其用以開閉供給配管36之內部;洗淨液配管38,其將洗淨液供給於供給配管36;洗淨液閥39,其用以開閉洗淨液配管38之內部;吸引裝置42,其產生吸引力;吸引配管40,其將吸引裝置42之吸引力傳遞至供給配管36之內部;及吸引閥41,其用以開閉吸引配管40之內部。供給閥37、洗淨液閥39、及吸引閥41係配置於閥箱6內。
供給配管36之上游端36a係連接於循環配管35。供給配管36之下游端36b係連接於藥液噴嘴13。其他之2個供給配管36之上游端36a也連接於循環配管35。於其他之2個供給配管36分別設置有供給閥37。3個供給配管36分別與構成同一之塔之3台處理單元2對應。溫度調節器32係於較任一之供給配管36之上游端36a上游之位置連接於循環配管35。
洗淨液配管38之上游端連接於洗淨液供給源。洗淨液係以水為主成分之液體(例如純水)。洗淨液配管38之下游端係於較供給閥37下游之位置連接於供給配管36。吸引配管40之上游端係連接於吸引裝置42。吸引配管40之下游端係於較供給配管36及洗淨液配管38之連接位置下游之位置連接於供給配管36。
基板處理裝置1包含:回收配管43,其將杯體19內 之藥液朝藥液槽31導引;回收閥44,其用以開閉回收配管43之內部;排液配管45,其自回收配管43排出自杯體19流入回收配管43之液體;排液閥46,其用以開閉排液配管45之內部;分歧配管47,其將循環配管35內之藥液朝回收配管43導引;及分歧閥48,其用以開閉分歧配管47之內部。回收閥44、排液閥46及分歧閥48係配置於閥箱6內。
回收配管43之上游端43a連接於杯體19。回收配管43之下游端43b係與藥液槽31內連接。其他2個回收配管43之上游端43a連接於另外2個杯體19,其他2個回收配管43之下游端43b係與相同之藥液槽31內連接。3個回收配管43分別與構成同一之塔之3台處理單元2對應。排液配管45之上游端45a係於較回收閥44上游之位置連接於回收配管43。排液配管45之下游端連接於未圖示之排液裝置。
分歧配管47之上游端47a係於較任一之供給配管36下游之位置連接於循環配管35。分歧配管47之下游端47b係於較回收閥44下游之位置連接於回收配管43。其他之2個分歧配管47之上游端47a係於較任一之供給配管36下游之位置連接於循環配管35。其他之2個分歧配管47之下游端47b係於較回收閥44下游之位置連接於其他2個回收配管43。
基板處理裝置1包含:壓力計49,其測量循環配管35內之壓力;及壓力調整閥50,其調整循環配管35內之壓力。壓力計49及壓力調整閥50係配置於閥箱6內。
壓力計49係於較任一之供給配管36之上游端36a上游之位置連接於循環配管35。壓力計49係於該位置對循環配管35 內之壓力進行測量。壓力調整閥50係於較任一之分歧配管47之上游端47a下游之位置連接於循環配管35。壓力調整閥50例如為對通過其內部之液體之流量進行變更之流量調整閥。壓力計49及壓力調整閥50連接於控制裝置3。壓力調整閥50之開度藉由控制裝置3而變更。
如前述,複數個供給配管36連接於相同之循環配管35,複數個供給閥37分別設於複數個供給配管36。循環配管35內之液壓係根據複數之供給閥37之狀態、即開放中之閥之數量及哪一閥處於開放中等而變化。此外,由於在分歧配管47設置有分歧閥48,因而分歧閥48之狀態也會對循環配管35內之液壓產生影響。若循環配管35內之液壓發生變化,則自藥液噴嘴13吐出之藥液之吐出流量也會發生變化。
控制裝置3係基於壓力計49之檢測值使壓力調整閥50之開度增加或減小,以使循環配管35內之壓力(實際之壓力)與設定壓力之差減少。具體而言,控制裝置3基於壓力計49之檢測值來判斷循環配管35內之壓力是否較設定壓力低。於循環配管35內之壓力較設定壓力低之情況下,控制裝置3使壓力調整閥50之開度減少,使施加於欲通過壓力調整閥50之藥液之阻力增加。因此,於壓力調整閥50之上游,循環配管35內之壓力上昇。藉此,減小循環配管35內之壓力與設定壓力之差,以抑制或防止吐出流量之變化。
圖4為自停止來自藥液噴嘴13之藥液吐出之吐出待機中轉移至藥液噴嘴13吐出藥液之吐出執行中時之時序圖。圖5為顯示吐出待機中之藥液供給系統之示意圖。圖6為顯示吐出執行 中之藥液供給系統之示意圖。
圖5及圖6中,以黑色顯示開放中之閥,以白色顯示關閉中之閥。圖5及圖6之粗線顯示有藥液存在於配管內。此外,圖4中,同時期執行之動作,以於同時刻執行之方式描繪。例如,於時刻T1,以執行自排液閥46之開放狀態朝關閉狀態之切換、及自分歧閥48之開放狀態朝關閉狀態之切換之方式描繪。然而,該2個切換亦可不嚴密地於相同時刻執行。其他之動作也同樣。
以下,參照圖3及圖4,並適宜參照圖5及圖6。
於自停止來自藥液噴嘴13之藥液吐出之吐出待機中轉移至藥液噴嘴13吐出藥液之吐出執行中時,於藥液噴嘴13位於處理位置之狀態下,將供給閥37開放(圖4之時刻T1)。藉此,如圖6所示,循環配管35內之藥液通過供給配管36及供給閥37供給於藥液噴嘴13。因此,藥液之一例即BHF自藥液噴嘴13朝旋轉之基板W之上面吐出(前述之藥液供給步驟)。此外,於時刻T1~時刻T2之期間,由於分歧閥48處於關閉中,因此自循環配管35流入分歧配管47之藥液,被分歧閥48截斷。因此,於吐出執行中,停止自分歧配管47朝回收配管43之藥液之供給。
自藥液噴嘴13吐出之藥液液體附著於旋轉之基板W之上面之後,被自基板W朝外側甩出。自基板W排出之藥液藉由杯體19接取之後,排出於回收配管43。於時刻T1~時刻T2之期間,由於排液閥46處於關閉中,因此如圖6所示,自回收配管43流入排液配管45之藥液,被排液閥46截斷。另一方面,於該期間,由於回收閥44處於開放中,因此如圖6所示,回收配管43內之藥液,通過回收配管43及回收閥44被回收於藥液槽31。因此,於吐 出執行中,自回收配管43之上游端43a至回收配管43之下游端43b之區域由藥液所填滿。
若自藥液之吐出開始經過了規定時間,則將供給閥37關閉(圖4之時刻T2)。因此,如圖5所示,自循環配管35流入供給配管36之藥液由供給閥37所截斷。此外,若供給閥37關閉,則回收閥44關閉,排液閥46及分歧閥48開放。因此,自循環配管35流入分歧配管47之藥液,通過分歧閥48流入回收配管43。流入回收配管43之藥液,自分歧配管47及回收配管43之連接位置朝下流流動,返回至藥液槽31。此外,由於回收閥44處於關閉中,因此如圖5所示,於回收配管43內朝排液配管45側逆流之藥液,由回收閥44截斷。因此,於吐出待機中,回收配管43之下游部分(自回收閥44至回收配管43之下游端43b之回收配管43之一部分)由藥液所填滿。
於停止藥液吐出之後,將清洗液閥18開放(圖4之時刻T6)。藉此,清洗液之一例即純水,自清洗液噴嘴16朝旋轉之基板W之上面吐出(前述之清洗液供給步驟)。供給於基板W之純水,藉由杯體19接取之後,排出於回收配管43。此時,由於回收閥44處於關閉中,因此流入回收配管43之純水,被回收閥44截斷。另一方面,由於排液閥46處於開放中,因此,自回收配管43流入排液配管45之純水,通過排液閥46自排液配管45排出。藉此,殘留於回收配管43之上游部分(自回收配管43之上游端43a至回收閥44之回收配管43之一部分)之藥液,由純水所沖洗。
此外,若關閉供給閥37,則與此相對應地,吸引閥41被開放(圖4之時刻T2)。藉此,吸引裝置42之吸引力經由吸引 配管40而傳遞至供給配管36。因此,殘留於自供給閥37至藥液噴嘴13之區域之藥液,經由吸引配管40被朝吸引裝置42吸引。若自殘留於供給配管36及藥液噴嘴13之藥液之排出開始經過了規定時間,則噴嘴移動單元14使藥液噴嘴13自處理位置朝退避位置移動(圖4之時刻T3)。藉此,藥液噴嘴13配置於待機罐15之上方。
若藥液噴嘴13配置於待機罐15之上方,則開放洗淨液閥39(圖4之時刻T3)。藉此,洗淨液之一例即純水,通過洗淨液配管38及供給配管36供給於藥液噴嘴13,自藥液噴嘴13朝待機罐15之開口部吐出。因此,殘留於自供給閥37至藥液噴嘴13之區域之藥液,由純水沖洗。自藥液噴嘴13吐出之液體(含有純水及藥液之至少一者之液體),藉由待機罐15所接取。此外,於時刻T3~時刻T4之期間,由於吸引閥41處於開放中,因此供給配管36內之純水,經由吸引配管40被吸引於吸引裝置42。藉此,殘留於吸引配管40內之藥液藉由純水所沖洗。
若自洗淨液之供給開始經過了規定時間,則關閉洗淨液閥39(圖4之時刻T4)。然後,將吸引閥41關閉(圖4之時刻T5)。藉由關閉洗淨液閥39,停止朝藥液噴嘴13、供給配管36及吸引配管40之純水之供給。此外,於將洗淨液閥39關閉之後,由於吸引閥41被關閉,因此殘留於自供給閥37至藥液噴嘴13之區域之純水,經由吸引配管40被吸引裝置42吸引。同樣地,殘留於自洗淨液閥39至洗淨液配管38之下游端之區域之洗淨液,經由吸引配管40被吸引裝置42吸引。藉此,將殘留於這些區域之純水排出。
如上述,本實施形態中,若開放供給閥37,則自藥液槽31輸送給循環配管35之藥液,通過供給配管36供給於藥液 噴嘴13,自藥液噴嘴13朝保持於旋轉夾頭8之基板W吐出。供給於基板W之藥液,藉由基板W之旋轉而自基板W飛散之後,由杯體19接取。杯體19接取之藥液,通過回收配管43返回至藥液槽31。因此,於供給閥37開放之期間,藥液於回收配管43內朝藥液槽31流動。
若關閉供給閥37,則停止朝藥液噴嘴13之藥液之供給,因此,也停止自杯體19朝回收配管43之藥液之供給。分歧配管47之上游端47a連接於循環配管35。因此,即使供給閥37關閉,自藥液槽31輸送至循環配管35之藥液,仍通過分歧配管47供給於回收配管43。因此,於供給閥37關閉之期間,藥液也於回收配管43內朝藥液槽31流動。
如此,本實施形態中,與供給閥37是否開放無關,藥液皆於回收配管43內朝藥液槽31流動。因此,即使於關閉供給閥37之期間較長之情況下,仍可防止相同藥液長時間地滯留於回收配管43內。因此,即使於使用濃度容易變化之藥液之情況下,仍可抑制或防止殘留於回收配管43內之藥液之濃度大幅變化、或結晶析出於藥液中之情況。藉此,可抑制或防止濃度大幅變化之藥液或含有析出物之藥液被回收於藥液槽31內,可使基板W之處理品質更加穩定。
此外,本實施形態中,若關閉回收閥44,則將自回收配管43之上游部分(自回收配管43之上游端43a至回收閥44的回收配管43之一部分)朝回收配管43之下游部分(自回收閥44至回收配管43之下游端43b的回收配管43之一部分)之空氣之流動遮斷。藉此,殘留於回收配管43之下游部分之藥液,被自漂浮於回 收配管43之上游部分之空氣遮斷。如此,藉由關閉回收閥44,可提高回收配管43之下游部分之密封度,因此,可抑制殘留於回收配管43之下游部分之藥液之濃度變化。
此外,本實施形態中,回收配管43之上游部分係較回收配管43之下游部分短。若關閉回收閥44,則殘留於回收配管43之下游部分之藥液,被自漂浮於回收配管43之上游部分之空氣遮斷。另一方面,回收配管43之上游部分曝露於自杯體19流入回收配管43之空氣中。因此,藉由縮短曝露於空氣中之部分(回收配管43之上游部分),可減小容易產生藥液之濃度變化之區域。
此外,本實施形態中,由於杯體19及回收閥44之雙方配置於基板處理裝置1之外壁4中,因此,與回收閥44配置於基板處理裝置1之外壁4外之情況比較,可縮小杯體19及回收閥44之間隔。因此,可縮短自回收配管43之上游端43a至回收閥44之距離,可縮短曝露於空氣中之部分(回收配管43之上游部分)。另一方面,由於藥液槽31配置於基板處理裝置1之外壁4外,因此,較藥液槽31及回收閥44之雙方配置於基板處理裝置1之外壁4中之情況,可擴大藥液槽31與回收閥44之間隔。因此,可增長回收配管43之下游端43b至回收閥44之距離,而可增長密封之部分(回收配管43之下游部分)。
此外,本實施形態中,洗淨液之一例即純水,經由基板W自清洗液噴嘴16供給於杯體19。藉由清洗液噴嘴16供給於杯體19之純水,自杯體19流入回收配管43。於回收閥44關閉,且排液閥46開放時,於回收配管43內朝回收閥44向下游流動之純水,被回收閥44截斷。因此,該純水自回收配管43排出於排液 配管45。殘留於回收配管43之上游部分之藥液與純水一併向排液配管45排出。藉此,將回收配管43之上游部分洗淨。因此,可抑制或防止濃度大幅變化之藥液或含有析出物之藥液被回收於藥液槽31內之情形。
此外,本實施形態中,若開放分歧閥48,則自藥液槽31輸送至循環配管35之藥液,通過分歧閥48自分歧配管47供給於回收配管43。另一方面,若關閉分歧閥48,則自循環配管35流入分歧配管47之藥液被分歧閥48截斷。由於對自分歧配管47供給於回收配管43之藥液施加輸液裝置33之供給壓,因此,於藥液自分歧配管47朝回收配管43流動之狀態下,有可能妨礙自杯體19朝回收配管43之藥液之回收。因此,藉由利用分歧閥48暫時截斷流動於分歧配管47內之藥液,可確實地自杯體19將藥液回收於回收配管43內。
此外,本實施形態中,於關閉供給閥37時,洗淨液之一例即純水,自洗淨液配管38供給於供給配管36之下游部分(自供給閥37至供給配管36之下游端36b之供給配管36之一部分)。殘留於供給配管36之下游部分之藥液,藉由純水推壓流入藥液噴嘴13,與純水一併自藥液噴嘴13吐出。藉此,將供給配管36之下游部分與藥液噴嘴13洗淨。因此,於進行基板W之處理時,可抑制或防止濃度大幅變化之藥液或含有析出物之藥液自藥液噴嘴13吐出之情形。
此外,本實施形態中,殘留於供給配管36之下游部分之液體被吸引配管40吸引,且自供給配管36之下游部分除去。此外,吸引力經由供給配管36自吸引配管40傳遞至藥液噴嘴13, 因此,殘留於藥液噴嘴13之液體,也被吸引配管40吸引,自藥液噴嘴13除去。藉此,可抑制或防止殘留於供給配管36之下游部分及藥液噴嘴13之液體自藥液噴嘴13之吐出口落下,附著於基板W或旋轉夾頭8等之情形。
此外,本實施形態中,相同藥液槽31內之藥液,經由循環配管35及複數個供給配管36供給於複數個藥液噴嘴13。供給於保持於複數個旋轉夾頭8之複數片基板W之藥液,經由複數個杯體19及複數個回收配管43被回收於相同藥液槽31內。循環配管35內之藥液,經由複數之分歧配管47供給於複數個回收配管43內。因此,可抑制或防止濃度大幅變化之藥液或含有析出物之藥液自複數個回收配管43被回收於藥液槽31內之情形。
此外,本實施形態中,由於經溫度調節後之藥液常流動於回收配管43內,因此,回收配管43之溫度維持為與自基板W回收之藥液大致相同之溫度。因此,可減小回收配管43內之藥液之溫度之變化量。藉此,可降低藥液槽31內之藥液與回收於藥液槽31內之藥液之溫度差。因此,可減小藥液槽31內之藥液之溫度之變化量。此外,有會有根據藥液而因溫度降低產生析出物之情形。但本實施形態中,由於抑制了回收配管43之溫度降低,因此可防止自藥液產生析出物。
以上內容為本發明之實施形態之說明,但本發明不限於上述實施形態之內容,也可於本發明之範圍內進行各種之變更。
例如,上述實施形態中,對回收配管43之上游部分較回收配管43之下游部分短之情況進行了說明,但回收配管43之上游部分之長度,也可與回收配管43之下游部分之長度相等或較 其長。
上述實施形態中,對收容回收閥44等之閥箱6配置於基板處理裝置1之外壁4中,收容藥液槽31等之貯存箱5配置於基板處理裝置1之外壁4外之情況進行了說明,然而,閥箱6也可配置於基板處理裝置1之外壁4外。貯存箱5也可配置於基板處理裝置1之外壁4中。
上述實施形態中,對以自清洗液噴嘴16朝保持於旋轉夾頭8之基板W吐出之清洗液洗淨回收配管43之上游部分之情況進行了說明,但也可利用洗淨腔體7之內部時所使用之純水對回收配管43之上游部分進行洗淨。該情況下,既可將自洗淨液噴嘴朝旋轉之旋轉基底9之上面吐出之純水經由杯體19供給於回收配管43之上游部分,也可將自洗淨液噴嘴朝杯體19之內面吐出之純水供給於回收配管43之上游部分。
上述實施形態中,對排液配管45連接於回收配管43之情況進行了說明,但於複數個液體接取部22設於杯體19,根據處理液之種類將自基板W飛散之處理液匯聚於各個液體接取部22之情況,也可不將排液配管45連接於回收配管43。
上述實施形態中,對洗淨液配管38連接於供給配管36之情況進行了說明,但也可省略洗淨液配管38。此外,對分歧閥48介設於分歧配管47之情況進行了說明,但也可省略分歧閥48。亦即,也可為循環配管35內之藥液常經由分歧配管47供給於回收配管43。
上述實施形態中,對一個藥液槽31內之藥液供給於複數個處理單元2之情況進行了說明,但一個藥液槽31內之藥液 也可僅供給於一台處理單元2。該情況下,也可不設壓力計49及壓力調整閥50。
上述實施形態中,對供給閥37介設於供給配管36,且洗淨液閥39介設於洗淨液配管38之情況進行了說明,但也可取代供給閥37及洗淨液閥39,將三通閥配置於供給配管36及洗淨液配管38之連接位置。同樣地,也可取代介設於相互連接之2個配管之2個閥,於該2個配管之連接位置配置三通閥。例如,也可取代回收閥44及排液閥46,於回收配管43及排液配管45之連接位置配置三通閥。
上述實施形態中,對3個回收配管43之下游端43b連接於相同藥液槽31之情況進行了說明,但也可將一個回收配管43之下游端43b連接於藥液槽31,將剩餘之2個回收配管43之下游端43b連接於上述一個回收配管43。亦即,3個回收配管43既可分別獨立連接於相同之藥液槽31,也可於較藥液槽31上游之位置集中。
上述實施形態中,如圖4所示,對至時刻T2~時刻T5之前將吸引閥41開放之情況進行了說明,但也可於藥液噴嘴13到達退避位置之前暫時將吸引閥41關閉,且於時刻T4將洗淨液閥39關閉之前,再將吸引閥41開放。
上述實施形態中,對將BHF供給於藥液噴嘴13之情況進行了說明,但也可將TMAH等之其他藥液供給於藥液噴嘴13。
對基板處理裝置1為處理圓板狀之基板之裝置之情況進行了說明,但基板處理裝置1也可為對多邊形之基板進行處理之裝置。
也可將上述所有構成之2個以上之構成組合。
對本發明之實施形態詳細地進行了說明,惟該等只是為了瞭解本發明之技術內容而使用之具體例而已,本發明之解釋不應受限於該等具體例,本發明之精神及範圍僅由本發明之申請專利範圍所限制。
本申請案係與於2014年9月18日向日本專利廳提出申請之日本專利特願2014-190106號對應,該申請案之全部揭示內容皆藉由引用而組入本說明書中。
1‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧處理單元
3‧‧‧控制裝置
5‧‧‧貯存箱
6‧‧‧閥箱
7‧‧‧腔體
8‧‧‧旋轉夾頭
9‧‧‧旋轉基底
10‧‧‧夾頭銷
11‧‧‧旋轉軸
12‧‧‧旋轉馬達
13‧‧‧藥液噴嘴
15‧‧‧待機罐
19‧‧‧杯體
20‧‧‧傾斜部
21‧‧‧導引部
22‧‧‧液體接取部
31‧‧‧藥液槽
32‧‧‧溫度調節器
33‧‧‧輸液裝置
34‧‧‧過濾器
35‧‧‧循環配管
35a‧‧‧上游端
35b‧‧‧下游端
36‧‧‧供給配管
36a‧‧‧上游端
36b‧‧‧下游端
37‧‧‧供給閥
38‧‧‧洗淨液配管
39‧‧‧洗淨液閥
40‧‧‧吸引配管
41‧‧‧吸引閥
42‧‧‧吸引裝置
43‧‧‧回收配管
43a‧‧‧上游端
43b‧‧‧下游端
44‧‧‧回收閥
45‧‧‧排液配管
45a‧‧‧上游端
46‧‧‧排液閥
47‧‧‧分歧配管
47a‧‧‧上游端
47b‧‧‧下游端
48‧‧‧分歧閥
49‧‧‧壓力計
50‧‧‧壓力調整閥
A1‧‧‧旋轉軸線
P1‧‧‧循環路徑
W‧‧‧基板

Claims (9)

  1. 一種基板處理裝置,其包含:基板保持單元,其一面保持基板一面使之旋轉;藥液噴嘴,其朝保持於上述基板保持單元之基板吐出藥液;筒狀之處理液捕獲單元,其接取自上述基板保持單元所保持之基板飛散之處理液;循環配管,其形成供藥液槽內之藥液循環之循環路徑,該藥液槽貯存供給至上述藥液噴嘴之藥液;供給配管,其將自上述藥液槽供給至上述循環配管之藥液朝上述藥液噴嘴導引;供給閥,其可切換為使於上述供給配管內朝上述藥液噴嘴流動之藥液通過之開放狀態、及停止自上述供給配管朝上述藥液噴嘴之藥液供給之關閉狀態;回收配管,其自上述處理液捕獲單元朝上述藥液槽導引藥液;分歧配管,其將上述循環配管內之藥液朝上述回收配管導引;回收閥,其可切換為使於上述回收配管內朝上述藥液槽流動之藥液通過之開放狀態、及停止自上述回收配管朝上述藥液槽之藥液供給之關閉狀態;洗淨液供給單元,其將洗淨液供給至上述處理液捕獲單元;及排液配管,其將在上述回收配管內朝上述回收閥流動至下游之液體,向上述回收配管外導引。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置,其中,自上述回收配管之上游端至上述回收閥為止之上述回收配管之長度,係較自上述回收閥至上述回收配管之下游端為止的上述回收配管之長度更短。
  3. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置,其中,上述處理液捕獲單元及回收閥,係配置於上述基板處理裝置之外壁中,上述藥液槽係配置於上述基板處理裝置之外壁外。
  4. 一種基板處理裝置,其包含:基板保持單元,其一面保持基板一面使之旋轉;藥液噴嘴,其朝保持於上述基板保持單元之基板吐出藥液;筒狀之處理液捕獲單元,其接取自上述基板保持單元所保持之基板飛散之處理液;循環配管,其形成供藥液槽內之藥液循環之循環路徑,該藥液槽貯存供給至上述藥液噴嘴之藥液;供給配管,其將自上述藥液槽供給至上述循環配管之藥液朝上述藥液噴嘴導引;供給閥,其可切換為使於上述供給配管內朝上述藥液噴嘴流動之藥液通過之開放狀態、及停止自上述供給配管朝上述藥液噴嘴之藥液供給之關閉狀態;回收配管,其自上述處理液捕獲單元朝上述藥液槽導引藥液;分歧配管,其將上述循環配管內之藥液朝上述回收配管導引;及分歧閥,其可切換為使於上述分歧配管內朝上述回收配管流動之藥液通過之開放狀態、及停止自上述分歧配管朝上述回收配管之藥液供給之關閉狀態。
  5. 一種基板處理裝置,其包含:基板保持單元,其一面保持基板一面使之旋轉;藥液噴嘴,其朝保持於上述基板保持單元之基板吐出藥液;筒狀之處理液捕獲單元,其接取自上述基板保持單元所保持之基 板飛散之處理液;循環配管,其形成供藥液槽內之藥液循環之循環路徑,該藥液槽貯存供給至上述藥液噴嘴之藥液;供給配管,其將自上述藥液槽供給至上述循環配管之藥液朝上述藥液噴嘴導引;供給閥,其可切換為使於上述供給配管內朝上述藥液噴嘴流動之藥液通過之開放狀態、及停止自上述供給配管朝上述藥液噴嘴之藥液供給之關閉狀態;回收配管,其自上述處理液捕獲單元朝上述藥液槽導引藥液;分歧配管,其將上述循環配管內之藥液朝上述回收配管導引;及洗淨液配管,其將洗淨液導引至上述供給配管之較上述供給閥下游之區域。
  6. 一種基板處理裝置,其包含:基板保持單元,其一面保持基板一面使之旋轉;藥液噴嘴,其朝保持於上述基板保持單元之基板吐出藥液;筒狀之處理液捕獲單元,其接取自上述基板保持單元所保持之基板飛散之處理液;循環配管,其形成供藥液槽內之藥液循環之循環路徑,該藥液槽貯存供給至上述藥液噴嘴之藥液;供給配管,其將自上述藥液槽供給至上述循環配管之藥液朝上述藥液噴嘴導引;供給閥,其可切換為使於上述供給配管內朝上述藥液噴嘴流動之藥液通過之開放狀態、及停止自上述供給配管朝上述藥液噴嘴之藥液供給之關閉狀態; 回收配管,其自上述處理液捕獲單元朝上述藥液槽導引藥液;分歧配管,其將上述循環配管內之藥液朝上述回收配管導引;及吸引配管,其將吸引力傳遞至上述供給配管之較上述供給閥更下游之區域。
  7. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置,其中包含:複數個上述基板保持單元;複數個上述藥液噴嘴,其分別與上述複數個基板保持單元對應;複數個上述處理液捕獲單元,其分別與上述複數個基板保持單元對應;複數個上述供給配管,其分別與上述複數個藥液噴嘴對應,將上述循環配管內之藥液導引至對應之上述藥液噴嘴;複數個上述供給閥,其分別設於上述複數個供給配管;複數個上述回收配管,其分別與上述複數個處理液捕獲單元對應,將藥液自對應之上述處理液捕獲單元導引至上述藥液槽;及複數個上述分歧配管,其分別與上述複數個回收配管對應,將上述循環配管內之藥液導引至對應之上述回收配管。
  8. 如申請專利範圍第7項之基板處理裝置,其中,進一步包含:壓力計,其測量上述循環配管內之壓力;壓力調整閥,其變更上述循環配管內之壓力;及控制裝置,其基於上述壓力計之檢測值,對上述壓力調整閥之開度進行變更。
  9. 如申請專利範圍第1至8項中任一項之基板處理裝置,其中,藥液係BHF(含有HF、NH4F及H2O之混合液)。
TW104111106A 2014-09-18 2015-04-07 Substrate processing device TWI571952B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014190106A JP6359925B2 (ja) 2014-09-18 2014-09-18 基板処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201613012A TW201613012A (en) 2016-04-01
TWI571952B true TWI571952B (zh) 2017-02-21

Family

ID=55532855

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104111106A TWI571952B (zh) 2014-09-18 2015-04-07 Substrate processing device

Country Status (5)

Country Link
US (2) US11043398B2 (zh)
JP (1) JP6359925B2 (zh)
KR (1) KR101932869B1 (zh)
TW (1) TWI571952B (zh)
WO (1) WO2016042806A1 (zh)

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6359925B2 (ja) * 2014-09-18 2018-07-18 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
JP6383254B2 (ja) * 2014-11-04 2018-08-29 株式会社東芝 処理装置および処理方法
JP6494807B2 (ja) * 2016-02-03 2019-04-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP6762184B2 (ja) * 2016-09-26 2020-09-30 株式会社Screenホールディングス 回収配管洗浄方法および基板処理装置
CN107051767A (zh) * 2016-12-01 2017-08-18 无锡溥汇机械科技有限公司 一种锂电池隔离膜喷涂机泵料系统
JP6932000B2 (ja) 2017-02-08 2021-09-08 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置、基板処理装置の制御方法およびプログラム
JP6975018B2 (ja) 2017-02-22 2021-12-01 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
JP6959743B2 (ja) * 2017-02-22 2021-11-05 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
JP6916633B2 (ja) * 2017-02-24 2021-08-11 株式会社Screenホールディングス 処理液供給装置、基板処理装置、および処理液供給方法
JP6887836B2 (ja) * 2017-03-16 2021-06-16 株式会社Screenホールディングス 処理液供給装置、基板処理装置、および処理液供給方法
JP6817860B2 (ja) * 2017-03-21 2021-01-20 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6861553B2 (ja) 2017-03-24 2021-04-21 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
JP7042704B2 (ja) * 2017-06-30 2022-03-28 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
KR20190019229A (ko) * 2017-08-16 2019-02-27 세메스 주식회사 세정액 공급 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 세정액 공급 방법
JP6983008B2 (ja) * 2017-08-28 2021-12-17 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
JP6979852B2 (ja) * 2017-10-26 2021-12-15 株式会社Screenホールディングス 処理液供給装置、基板処理装置、および処理液供給方法
JP7019494B2 (ja) * 2018-04-05 2022-02-15 株式会社荏原製作所 洗浄液供給システム、基板処理装置および基板処理システム
JP7312304B2 (ja) * 2018-09-21 2023-07-20 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置、及び基板処理方法
JP7190892B2 (ja) * 2018-12-12 2022-12-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および処理液濃縮方法
KR102346529B1 (ko) 2019-06-24 2021-12-31 세메스 주식회사 액 공급 유닛, 그리고 이를 가지는 기판 처리 장치 및 방법
CN110468423B (zh) * 2019-08-07 2021-10-22 江苏斯德雷特通光光纤有限公司 一种酸洗设备的hf残液回收装置及使用方法
JP7321052B2 (ja) * 2019-10-17 2023-08-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および装置洗浄方法
JP7412134B2 (ja) 2019-11-01 2024-01-12 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP7384658B2 (ja) * 2019-12-24 2023-11-21 株式会社Screenホールディングス 配管洗浄方法
JP7461288B2 (ja) * 2020-12-28 2024-04-03 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置、洗浄ユニット、および、多連弁洗浄方法
JP2023098079A (ja) * 2021-12-28 2023-07-10 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置及び基板処理方法
JP2023141806A (ja) * 2022-03-24 2023-10-05 株式会社Screenホールディングス 循環装置、循環装置の制御方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4224733A (en) * 1977-10-11 1980-09-30 Fujitsu Limited Ion implantation method
US4563367A (en) * 1984-05-29 1986-01-07 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for high rate deposition and etching
TW200921771A (en) * 2007-07-31 2009-05-16 Tokyo Electron Ltd Substrate processing apparatus
JP2009206419A (ja) * 2008-02-29 2009-09-10 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2698437B2 (ja) * 1989-07-06 1998-01-19 森松工業株式会社 蓄熱槽
JPH0339838U (zh) * 1989-08-29 1991-04-17
US5730162A (en) * 1995-01-12 1998-03-24 Tokyo Electron Limited Apparatus and method for washing substrates
JPH1076153A (ja) 1996-09-05 1998-03-24 Fujitsu Ltd 液体自動供給装置及びその異常検出装置
JPH10303164A (ja) 1997-04-30 1998-11-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
KR100265286B1 (ko) 1998-04-20 2000-10-02 윤종용 반도체장치 제조용 케미컬 순환공급장치 및 이의 구동방법
JP2000133630A (ja) 1998-10-23 2000-05-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP4098908B2 (ja) 1999-01-29 2008-06-11 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP2003215002A (ja) * 2002-01-17 2003-07-30 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
EP1347496A3 (en) * 2002-03-12 2006-05-03 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treating apparatus and substrate treating method
US20080185459A1 (en) 2004-12-31 2008-08-07 An Doo-Keun Fluid Supply System Used in an Apparatus for Manufacturing Integrated Circuits
JP2007149891A (ja) 2005-11-25 2007-06-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP4739142B2 (ja) * 2006-07-28 2011-08-03 東京エレクトロン株式会社 薬液処理装置及び薬液供給方法並びに薬液供給プログラム
JP2008066351A (ja) 2006-09-05 2008-03-21 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2008130835A (ja) * 2006-11-21 2008-06-05 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2008153521A (ja) * 2006-12-19 2008-07-03 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 回収カップ洗浄方法および基板処理装置
TWI439571B (zh) * 2007-01-15 2014-06-01 Shibaura Mechatronics Corp Sulfuric acid electrolysis device, electrolysis method and substrate processing device
JP5030767B2 (ja) 2007-12-25 2012-09-19 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置、および基板処理装置の異常処理方法
JP5173500B2 (ja) 2008-03-11 2013-04-03 大日本スクリーン製造株式会社 処理液供給装置およびそれを備えた基板処理装置
JP5245628B2 (ja) * 2008-08-05 2013-07-24 富士通セミコンダクター株式会社 半導体製造装置
JP5033108B2 (ja) * 2008-11-05 2012-09-26 東京エレクトロン株式会社 液処理方法、液処理装置、および記憶媒体
JP2011061034A (ja) * 2009-09-10 2011-03-24 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2012074601A (ja) * 2010-09-29 2012-04-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP5439579B2 (ja) 2012-02-27 2014-03-12 東京エレクトロン株式会社 液処理装置及び液処理方法
US20130269599A1 (en) * 2012-04-13 2013-10-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Methods and Apparatus for Continuous Pressure Control Processing
JP6502633B2 (ja) * 2013-09-30 2019-04-17 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
KR102049193B1 (ko) * 2014-03-10 2019-11-26 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 시스템 및 배관 세정 방법
TWI630652B (zh) * 2014-03-17 2018-07-21 斯克林集團公司 基板處理裝置及使用基板處理裝置之基板處理方法
JP6385714B2 (ja) * 2014-05-16 2018-09-05 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置、基板液処理装置の洗浄方法及び記憶媒体
JP6359925B2 (ja) * 2014-09-18 2018-07-18 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
JP6499414B2 (ja) * 2014-09-30 2019-04-10 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
US9972513B2 (en) * 2016-03-07 2018-05-15 Shibaura Mechatronics Corporation Device and method for treating a substrate with hydrofluoric and nitric acid

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4224733A (en) * 1977-10-11 1980-09-30 Fujitsu Limited Ion implantation method
US4563367A (en) * 1984-05-29 1986-01-07 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for high rate deposition and etching
TW200921771A (en) * 2007-07-31 2009-05-16 Tokyo Electron Ltd Substrate processing apparatus
JP2009206419A (ja) * 2008-02-29 2009-09-10 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP6359925B2 (ja) 2018-07-18
KR101932869B1 (ko) 2018-12-26
US11043398B2 (en) 2021-06-22
JP2016063074A (ja) 2016-04-25
WO2016042806A1 (ja) 2016-03-24
US20170256426A1 (en) 2017-09-07
TW201613012A (en) 2016-04-01
US11935763B2 (en) 2024-03-19
KR20170060065A (ko) 2017-05-31
US20210225667A1 (en) 2021-07-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI571952B (zh) Substrate processing device
US10504718B2 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium
TWI531423B (zh) 處理杯洗淨方法,基板處理方法及基板處理裝置
TWI441246B (zh) 基板處理裝置
TW201541512A (zh) 基板處理裝置
JP6059087B2 (ja) 液処理装置、液処理方法および記憶媒体
TWI394210B (zh) 液體處理裝置及液體處理方法
TWI764683B (zh) 基板處理裝置
TWI661871B (zh) 基板處理裝置以及基板處理方法
TW201841689A (zh) 基板處理裝置
TW201822903A (zh) 回收配管洗淨方法以及基板處理裝置
TW201911400A (zh) 處理液除電方法、基板處理方法以及基板處理系統
CN107851567B (zh) 基板处理装置及基板处理方法
TW201604950A (zh) 基板液體處理裝置及基板液體處理方法
KR101507485B1 (ko) 액 처리 장치 및 액 처리 방법
CN112838028A (zh) 基板处理装置和基板处理方法
TW202100255A (zh) 用於供應液體之單元、用於處理具有該單元之基板的設備及方法
TWI603379B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
TW201936272A (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
JP5265943B2 (ja) 基板処理装置
TWI733075B (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
WO2017204088A1 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP6538927B2 (ja) 基板処理装置
KR102215990B1 (ko) 기판 처리 방법, 송액 방법, 및 기판 처리 장치
JP6953189B2 (ja) 基板処理装置