TW201822903A - 回收配管洗淨方法以及基板處理裝置 - Google Patents

回收配管洗淨方法以及基板處理裝置 Download PDF

Info

Publication number
TW201822903A
TW201822903A TW106132275A TW106132275A TW201822903A TW 201822903 A TW201822903 A TW 201822903A TW 106132275 A TW106132275 A TW 106132275A TW 106132275 A TW106132275 A TW 106132275A TW 201822903 A TW201822903 A TW 201822903A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
liquid
cleaning
piping
recovery
pipe
Prior art date
Application number
TW106132275A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI668060B (zh
Inventor
土橋裕也
三浦淳靖
辻川裕貴
藤田和宏
池田昌秀
Original Assignee
日商斯庫林集團股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商斯庫林集團股份有限公司 filed Critical 日商斯庫林集團股份有限公司
Publication of TW201822903A publication Critical patent/TW201822903A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI668060B publication Critical patent/TWI668060B/zh

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B9/00—Cleaning hollow articles by methods or apparatus specially adapted thereto 
    • B08B9/02—Cleaning pipes or tubes or systems of pipes or tubes
    • B08B9/027—Cleaning the internal surfaces; Removal of blockages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B9/00—Cleaning hollow articles by methods or apparatus specially adapted thereto 
    • B08B9/02—Cleaning pipes or tubes or systems of pipes or tubes
    • B08B9/027—Cleaning the internal surfaces; Removal of blockages
    • B08B9/032—Cleaning the internal surfaces; Removal of blockages by the mechanical action of a moving fluid, e.g. by flushing
    • B08B9/0321—Cleaning the internal surfaces; Removal of blockages by the mechanical action of a moving fluid, e.g. by flushing using pressurised, pulsating or purging fluid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67023—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B9/00—Cleaning hollow articles by methods or apparatus specially adapted thereto 
    • B08B9/02—Cleaning pipes or tubes or systems of pipes or tubes
    • B08B9/027—Cleaning the internal surfaces; Removal of blockages
    • B08B9/032—Cleaning the internal surfaces; Removal of blockages by the mechanical action of a moving fluid, e.g. by flushing
    • B08B9/0321—Cleaning the internal surfaces; Removal of blockages by the mechanical action of a moving fluid, e.g. by flushing using pressurised, pulsating or purging fluid
    • B08B9/0325—Control mechanisms therefor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

一種回收配管洗淨方法，係洗淨回收配管的方法，該回收配管係可透過處理杯體來導引被用於基板之處理後的藥液且將被導引來的藥液導引至事先決定的藥液回收配管，該回收配管洗淨方法係包含：配管洗淨工序，係一邊對前述回收配管供給洗淨液一邊將被導引至前述回收配管的液體導引至與前述藥液回收配管不同的排液配管，藉此使用洗淨液來洗淨前述回收配管內部；以及洗淨用藥液供給工序，係在前述配管洗淨工序之後，為了使存在於前述回收配管內部的洗淨液置換成與前述藥液同種的洗淨用藥液，而一邊將被導引至前述回收配管的液體導引至前述排液配管一邊將來自連接於前述回收配管的洗淨用藥液供給配管之洗淨用藥液供給至前述回收配管。

Description

回收配管洗淨方法以及基板處理裝置
本發明係關於一種將可導引藉由處理杯體(cup)所承接到之藥液的回收配管洗淨的回收配管洗淨方法以及可執行如此之回收配管洗淨方法的基板處理裝置。在成為處理對象的基板之例中係包含有半導體晶圓(wafer)、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器(plasma display)用基板、FED(Field Emission Display；場發射顯示器)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩(photomask)用基板、陶瓷(ceramic)基板、太陽能電池用基板等。
在美國未審查專利申請(Unexamined Patent Application)No.US2008/142051 A1公報中，已有揭示一種逐片處理基板的單片式之基板處理裝置。基板處理裝置之處理單元係包含：旋轉夾盤(spin chuck)，係使基板保持於水平地旋轉；藥液噴嘴(nozzle)，係朝向由旋轉夾盤所保持的基板之上表面吐出藥液；以及筒狀之處理杯體，係包圍旋轉夾盤。又，處理單元係為了謀求藥液之消耗量的減低，而回收被用於基板之處理之後的藥液，並以可以將該回收來的藥液再利用於以後之處理的方式所構成。具體而言， 基板處理裝置係更包含：藥液槽，用以貯存供給至藥液噴嘴的藥液；回收配管，係可導引藉由處理杯體所承接到的藥液；以及藥液回收配管，用以將藥液從回收配管導引至藥液槽。
在美國未審查專利申請No.US2008/142051 A1公報中，已有提出以下之內容：為了防止或抑制已在處理杯體之內壁或回收配管之內壁結晶化的藥液供給至藥液槽，而在事先決定的時序(timing)，使用洗淨液來洗淨(杯體洗淨)處理杯體之內壁，且去除已附著於該內壁的附著物。然而，當在該杯體洗淨中洗淨液摻混於藥液槽中所積留的藥液內時藥液就會被稀釋，而起因於此會有基板處理時的處理速率(processing rate)降低的問題。為了迴避如此的問題，在美國未審查專利申請No.US2008/142051 A1公報中係採用以下的手法：在杯體洗淨後，藉由對處於旋轉狀態的虛設基板(dummy substrate)供給藥液來對處理杯體之內壁供給藥液，藉此，使已附著於處理杯體之內壁的洗淨液、以及已附著於回收配管之內壁的洗淨液，分別以與藥液同種的洗淨用藥液來置換。
然而，在美國未審查專利申請No.US2008/142051 A1公報所記載的手法中，由於為了對處理杯體供給洗淨用藥液，而要對基板等(基板或虛設基板)供給洗淨用藥液且會使洗淨用藥液從基板之周緣部飛散，所以往處理杯體的洗 淨用藥液之供給效率較低。
而且，本發明人等思考著：即便不以洗淨用藥液來置換已附著於處理杯體之內壁的洗淨液，只要僅將存在於回收配管內部的洗淨液置換成洗淨用藥液，仍可以獲得抑制前述之處理速率降低的功效。
從而，在美國未審查專利申請No.US2008/142051 A1公報所記載的手法中，恐有使洗淨用藥液的消耗量增大之虞。
有被要求謀求洗淨用藥液(亦即，藥液)之消耗量的減低。又，有被要求一邊謀求洗淨用藥液消耗量之減低，一邊使洗淨用藥液遍及於回收配管之寬範圍。
於是，本發明之目的係在於提供一種可以一邊防止或抑制洗淨液進入藥液回收配管一邊可以謀求洗淨用藥液之消耗量之減低的回收配管洗淨方法及基板處理裝置。
更且，本發明之另一目的係在於提供一種可以一邊謀求藥液消耗量之減低一邊可以使藥液遍及於回收配管之寬範圍的基板處理裝置。
本發明之第一態樣提供一種回收配管洗淨方法，係洗淨回收配管的方法，該回收配管係可透過處理杯體來導引被用於基板之處理後的藥液且將被導引來的藥液導引至事先決定的藥液回收配管，該回收配管洗淨方法係包含：配管洗淨工序，係一邊對前述回收配管供給洗淨液一邊將被導引至前述回收配管的液體導引至與前述藥液回收配管不同的排液配管，藉此使用洗淨液來洗淨前述回收配管內部； 以及洗淨用藥液供給工序，係在前述配管洗淨工序之後，為了使存在於前述回收配管內部的洗淨液置換成與前述藥液同種的洗淨用藥液，而一邊將被導引至前述回收配管的液體導引至前述排液配管一邊將來自連接於前述回收配管的洗淨用藥液供給配管之洗淨用藥液供給至前述回收配管。
依據本方法，在配管洗淨工序中，已用於回收配管內部之洗淨後的洗淨液係可從回收配管導引至排液配管並予以排出。在配管洗淨工序後，來自洗淨用藥液供給配管的洗淨用藥液被供給至回收配管，且存在於回收配管內部的洗淨液被置換成洗淨用藥液。包含洗淨液的洗淨用藥液係導引至排液配管。藉此，已用於回收配管內部之洗淨後的洗淨液可以防止或抑制洗淨液進入藥液回收配管。
又，由於將來自洗淨用藥液供給配管的洗淨用藥液直接供給至回收配管，所以與將來自藥液供給單元的藥液透過基板等(基板或虛設基板)及處理杯體作為洗淨用藥液供給至回收配管的情況相較，可以提高往回收配管的洗淨用藥液之供給效率，其結果，可以減低為了置換成洗淨用藥液所需的洗淨用藥液之量。
藉此，可以提供一種可以一邊防止或抑制洗淨液進入藥液回收配管一邊謀求洗淨用藥液之消耗量的減低的回收配管洗淨方法。
本發明的第二態樣提供一種基板處理裝置係包含：藥液供給單元，用以將被用於基板之處理的藥液供給至基板； 處理杯體，用以承接已供給至基板的藥液；回收配管，係可導引藉由前述處理杯體所承接到的藥液；藥液回收配管，用以回收被導引至前述回收配管的藥液；排液配管，用以排液被導引至前述回收配管的液體；切換單元，用以將被導引至前述回收配管的液體選擇性地導引至前述藥液回收配管和前述排液配管；洗淨液供給單元，用以供給用以洗淨前述回收配管內部的洗淨液；洗淨用藥液供給單元，係具有洗淨用藥液供給配管，該洗淨用藥液供給配管係連接於前述回收配管，且將與應透過前述回收配管而回收之前述藥液同種的洗淨用藥液供給至前述回收配管；以及控制裝置，用以控制前述藥液供給單元、前述洗淨用藥液供給單元、前述切換單元及前述洗淨液供給單元；前述控制裝置係執行以下的工序：配管洗淨工序，係一邊對前述回收配管供給洗淨液一邊將被導引至前述回收配管的液體導引至前述排液配管，藉此使用洗淨液來洗淨前述回收配管內部；以及洗淨用藥液供給工序，係在前述配管洗淨工序之後，為了使存在於前述回收配管的洗淨液置換成洗淨用藥液，而一邊將被導引至前述回收配管的液體導引至前述排液配管一邊將來自前述洗淨用藥液供給配管之洗淨用藥液供給至前述回收配管。
依據本構成，在配管洗淨工序中，已用於回收配管內部之洗淨後的洗淨液係可從回收配管導引至排液配管並予以排出。在配管洗淨工序後，來自洗淨用藥液供給配管的洗淨用藥液被供給至回收配管，且存在於回收配管內部的 洗淨液被置換成洗淨用藥液。包含洗淨液的洗淨用藥液係導引至排液配管。藉此，已用於回收配管內部之洗淨後的洗淨液可以防止或抑制洗淨液進入藥液回收配管。
又，由於將來自洗淨用藥液供給配管的洗淨用藥液直接供給至回收配管，所以與將來自藥液供給單元的藥液透過基板等(基板或虛設基板)及處理杯體作為洗淨用藥液供給至回收配管的情況相較，可以提高往回收配管的洗淨用藥液之供給效率，結果，可以減低為了置換成洗淨用藥液所需的洗淨用藥液之量。
藉此，可以提供一種可以一邊防止或抑制洗淨液進入藥液回收配管一邊謀求洗淨用藥液之消耗量的減低的基板處理裝置。
在本發明之一實施形態中，前述回收配管亦可具有：上下方向部，係連接於前述處理杯體且沿著上下方向延伸；以及橫方向部，係連接於前述上下方向部之下端且沿著橫方向延伸。在此情況下，前述洗淨用藥液供給配管亦可連接於前述橫方向部。前述洗淨用藥液供給單元係對前述橫方向部供給洗淨用藥液。
在本構成中，存在於上下方向部內的液體係藉由其本身重量朝向橫方向部移動。從而，在從配管洗淨工序結束起經過預定時間之後，存在於回收配管內部的洗淨液之大部分會存在於橫方向部，而在上下方向部幾乎不存在洗淨液。
依據本構成，來自洗淨用藥液供給配管的洗淨用藥液被供給至橫方向部，為此，洗淨用藥液能遍及於比橫方向部中的前述洗淨用藥液供給配管之連接位置更靠下游側之部分內。如前述般，在配管洗淨工序結束起經過預定時間之後，由於在上下方向部幾乎不存在洗淨液，所以藉由直接將洗淨用藥液供給至橫方向部，就可以以洗淨用藥液來置換存在於回收配管內部的洗淨液之大部分。在此情況下，由於應被置換成洗淨用藥液的配管部分之長度較短，所以與以洗淨用藥液來置換存在於上下方向部及橫方向部之雙方的洗淨液的情況相較，可以更加減低為了置換成洗淨用藥液所用的洗淨用藥液(亦即，藥液)的量。
前述回收配管亦可包含：上下方向部，係連接於前述處理杯體且沿著上下方向延伸；以及橫方向部，係連接於前述上下方向部之下端且沿著橫方向延伸。在此情況下，前述洗淨用藥液供給配管亦可連接於前述上下方向部，前述洗淨用藥液供給單元亦可對前述上下方向部供給藥液。
依據本構成，來自洗淨用藥液供給配管的洗淨用藥液被供給至上下方向部，為此，洗淨用藥液能遍及於比上下方向部中的前述洗淨用藥液供給配管之連接位置更靠下游側之部分及橫方向部內之全區。由此，於回收配管內之廣範圍，可以將存在於回收配管內之洗淨液置換為洗淨用藥液。因此，可以防止或更有效地抑制洗淨液進入藥液回收配管。
前述上下方向部亦可具有上端部。在此情況下，前述洗淨用藥液供給配管亦可連接於前述上下方向部之前述上端部。
依據本構成，由於洗淨用藥液供給配管連接於上下方向部之上端部，所以可以將來自洗淨用藥液供給配管的洗淨用藥液供給至上下方向部之上端部，為此，可以使洗淨用藥液遍及於回收配管內部之全區。藉此，可以在回收配管內部之全區實現洗淨用藥液之置換。因此，可以防止或更有效地抑制洗淨液進入藥液回收配管。
前述藥液供給單元亦可包含用以吐出藥液的藥液噴嘴。前述基板處理裝置亦可更包含：容器，係配置於前述處理杯體外部，用以接住從前述藥液噴嘴所吐出的藥液。前述洗淨用藥液供給配管亦可包含：連接配管，係連接於前述回收配管，且將已導引至前述容器的藥液作為洗淨用藥液來供給至前述回收配管。
依據本構成，從藥液噴嘴吐出且由容器所承接的藥液，會通過連接配管，並作為洗淨用藥液供給至回收配管。藉此，可以以簡單的構成來實現將洗淨用藥液直接供給至回收配管的構成。
前述藥液供給單元亦可包含：藥液噴嘴，用以吐出藥液；以及藥液配管，用以對前述藥液噴嘴供給藥液。在此情況下，前述洗淨用藥液供給配管亦可包含：分支配管，係連接於前述回收配管且從前述藥液配管分支。
依據本構成，來自藥液配管的藥液，會通過從藥液配管分支出的分支配管，並作為洗淨用藥液供給至回收配管。藉此，可以以簡單的構成來實現將洗淨用藥液直接供給至回收配管的構成。
本發明之第三態樣提供一種基板處理裝置係包含：藥液供給單元，用以將被用於基板之處理的藥液供給至基板；處理杯體，用以承接已供給至基板的藥液；容器，係配置於前述處理杯體外部，用以接住從藥液噴嘴所吐出的藥液；回收配管，係可導引藉由前述處理杯體所承接到的藥液，且具有上下方向部和橫方向部，該上下方向部係連接於前述處理杯體且沿著上下方向延伸，該橫方向部係連接於前述上下方向部之下端且沿著橫方向延伸；連接配管，係連接於前述上下方向部且將已導引至前述容器的藥液導引至前述上下方向部；藥液回收配管，用以回收被導引至前述回收配管的藥液；排液配管，用以排液被導引至前述回收配管的液體；以及切換單元，用以將被導引至前述回收配管的液體選擇性地導引至前述藥液回收配管和前述排液配管。
依據本構成，來自連接配管的藥液被供給至上下方向部，為此，可以使藥液遍及於比上下方向部中的連接配管之連接位置更靠下游側之部分及橫方向部內之全區域。
又，與將來自藥液供給單元的藥液透過基板等(基板或虛設基板)及處理杯體供給至回收配管的情況相較，由於可 以效率佳地供給至上下方向部，所以可以一邊謀求藥液之使用量的減低一邊對回收配管供給藥液。
藉由此等，可以提供一種可以一邊謀求藥液消耗量之減低一邊使藥液遍及於回收配管之寬範圍的基板處理裝置。
前述上下方向部亦可具有上端部。在此情況下，前述連接配管亦可連接於前述上下方向部之前述上端部。
依據本構成，由於連接配管連接於上下方向部之上端部，所以來自連接配管的藥液能供給至上下方向部之上端部，且可以使藥液遍及於回收配管內部的全區。
本發明中的前述之目的、特徵及功效以及更進一步之其他的目的、特徵及功效係能參照圖式並藉由以下所述的實施形態之說明而獲得明白。
1‧‧‧基板處理裝置
2、202、302‧‧‧處理單元
3‧‧‧控制裝置
4、15‧‧‧虛設基板保持台
5‧‧‧流體箱
6‧‧‧外壁
7‧‧‧貯存箱
8‧‧‧腔室
9‧‧‧旋轉夾盤
10‧‧‧藥液噴嘴
11‧‧‧沖洗液供給單元
12‧‧‧洗淨液供給單元
13‧‧‧處理杯體
13a‧‧‧上部開口
14‧‧‧隔壁
16‧‧‧排氣導管
17‧‧‧旋轉馬達
18‧‧‧旋轉軸
19‧‧‧旋轉基座
19a‧‧‧上表面
19B‧‧‧夾持構件
20‧‧‧藥液配管
20a、75a‧‧‧上游端
20b、46b、75b、86b‧‧‧下游端
21‧‧‧藥液閥
22‧‧‧噴嘴臂
23‧‧‧噴嘴移動單元
24‧‧‧沖洗液噴嘴
25‧‧‧沖洗液配管
26‧‧‧沖洗液閥
27‧‧‧洗淨液噴嘴
28‧‧‧洗淨液配管
29‧‧‧洗淨液閥
30‧‧‧圓筒構件
31‧‧‧第一杯體
32‧‧‧第二杯體
33‧‧‧第一防護罩
34‧‧‧第二防護罩
35‧‧‧第三防護罩
36‧‧‧防護罩升降單元
40‧‧‧第一槽
41、91‧‧‧排液口
42‧‧‧第一排液配管
43‧‧‧第二槽
44‧‧‧回收口
45‧‧‧回收配管
46‧‧‧藥液回收配管
47‧‧‧第二排液配管
48‧‧‧回收閥
49‧‧‧排液閥
53‧‧‧下端部
54‧‧‧筒狀部
55‧‧‧中段部
56、58、61‧‧‧上端部
57、60‧‧‧圓筒部
71‧‧‧藥液槽
72‧‧‧回收槽
73‧‧‧送液配管
74‧‧‧第一送液裝置
75‧‧‧循環配管
76‧‧‧第二送液裝置
77‧‧‧溫度調節器
78‧‧‧過濾器
80‧‧‧待機埠口
81‧‧‧外殼
82‧‧‧開口
83‧‧‧排出口
84‧‧‧連接配管
85‧‧‧上下方向部
85a‧‧‧上游端部
86‧‧‧橫方向部
86c‧‧‧下游側部分
86d‧‧‧連接位置
92‧‧‧第三排液配管
100‧‧‧藥液供給單元
101、301‧‧‧洗淨用藥液供給單元
303‧‧‧分支配管
304‧‧‧開閉閥
A1‧‧‧旋轉軸線
C‧‧‧載具
CR‧‧‧中心機器人
DW‧‧‧虛設基板
E1‧‧‧杯體洗淨工序
IR‧‧‧分度器機器人
LP‧‧‧裝載埠口
Q1‧‧‧循環路徑
S4‧‧‧藥液工序
S5‧‧‧沖洗工序
T11‧‧‧洗淨用藥液供給工序
W‧‧‧基板
圖1係從上方觀察本發明之第一實施形態的基板處理裝置的示意圖。
圖2係用以說明處理單元之構成例的圖解剖視圖。
圖3A至圖3C係用以說明防護罩(guard)之高度位置之變化的剖視圖。
圖4係顯示藥液供給單元的示意圖。
圖5係用以說明前述基板處理裝置中所備置的回收配管之構成的示意圖。
圖6係用以說明前述基板處理裝置之主要部分之電氣構成的方塊圖。
圖7係用以說明藉由前述處理單元所為的基板處理例的流程圖。
圖8係用以說明藉由前述處理單元所為的杯體洗淨處理之處理例的流程圖。
圖9係用以說明圖8所示的洗淨用藥液供給工序的流程圖。
圖10係用以說明本發明之第二實施形態的處理單元之構成例的圖解剖視圖。
圖11係用以說明本發明之第三實施形態的處理單元之構成例的圖解剖視圖。
圖1係從上方觀察本發明之第一實施形態的基板處理裝置1的示意圖。基板處理裝置1係指逐片處理半導體晶圓等的圓板狀之基板W的單片式之裝置。
基板處理裝置1係包含：複數個裝載埠口(load port)LP，係保持用以收容基板W的複數個載具(carrier)C；複數個(例如12台)處理單元2，係以藥液等的處理液來處理從複數個裝載埠口LP所搬運來的基板W；搬運機器人(robot)，用以將基板W從複數個裝載埠口LP搬運至複數個處理單元2；以及控制裝置3，用以控制基板處理裝置1。搬運機器人係包含：分度器機器人(indexer robot)IR，係在裝載埠口LP與處理單元2之間的路徑上搬運基板W；以及中心機器人(center robot)CR，係在分度器機器人IR與處理單元2之間的路徑上搬運基板W。
相對於中心機器人CR，在分度器機器人IR的相反側係配置有用以事先保持被用於後面所述之杯體洗淨處理的虛設基板DW的虛設基板保持台4。在虛設基板保持台4係能夠積層保持複數片(例如4片)虛設基板DW。中心機器人CR係可以從虛設基板保持台4取出虛設基板DW，或將使用完成的虛設基板DW收容於虛設基板保持台4。更且，中心機器人CR係可以使機械手(hand)進出於各個處理單元2，並對處理單元2搬出搬入虛設基板DW。
基板處理裝置1係包含用以收容藥液閥21(參照圖4等)等的複數個(四台)流體箱(fluid box)5。處理單元2及流體箱5係配置於基板處理裝置1的外壁6之中，且由基板處理裝置1的外壁6所覆蓋。收容藥液槽71(參照圖4)等的複數個(四台)貯存箱7係配置於基板處理裝置1的外壁6之外。貯存箱7係既可配置於基板處理裝置1之側方，又可配置於可供基板處理裝置1設置的無塵室(clean room)之下(地下)。
12台處理單元2係形成有在俯視觀察下以包圍中心機器人CR的方式所配置的四個塔。各個塔係包含上下積層所成的三台處理單元2。四台貯存箱7係分別對應於四個塔。同樣地，四台流體箱5係分別對應於四個塔。貯存於各個貯存箱7內之藥液槽71(參照圖4)的藥液係透過對應於該貯存箱7的流體箱5，供給至對應於該貯存箱7的三台處理單元2。又，在構成同一塔的三台處理單元2中供給至基板W的藥液係透過對應於該塔的流體箱5，回收至 對應於該塔的貯存箱7內之藥液槽71。又，複數個貯存箱7亦可配置於基板處理裝置1的外壁6之內部。
圖2係用以說明處理單元2之構成例的圖解剖視圖。圖3A至圖3C係用以說明防護罩之高度位置之變化的剖視圖。
如圖2所示，處理單元2係包含：箱形之腔室(chamber)8，係具有內部空間；旋轉夾盤9，係在腔室8內以水平之姿勢來保持一片基板W，並使基板W繞通過基板W之中心的鉛直之旋轉軸線A1旋轉；藥液噴嘴10，用以對由旋轉夾盤9所保持的基板W之上表面(表面)供給藥液；沖洗液供給單元11，用以對由旋轉夾盤9所保持的基板W之上表面供給沖洗液；洗淨液供給單元12，用以對由旋轉夾盤9所保持的基板W之上表面供給洗淨液；以及筒狀之處理杯體13，係包圍旋轉夾盤9。
如圖2所示，腔室8係包含：箱狀之隔壁14；作為送風單元的FFU(fan filter unit；風扇過濾器單元)15，用以將清淨空氣從隔壁14之上部送至隔壁14內部(相當於腔室8內部)；以及排氣裝置(未圖示)，用以將腔室8內部的氣體從隔壁14之下部排出。
如圖2所示，FFU15係配置於隔壁14之上方，且安裝於隔壁14之頂板。FFU15係將清淨空氣從隔壁14之頂板送至腔室8內部。排氣裝置(未圖示)係透過已連接於處理杯體13內的排氣導管16來連接於處理杯體13之底部，且從處理杯體13之底部抽吸處理杯體13之內部。藉由FFU15 及排氣裝置(未圖示)就能在腔室8內形成下向流(downflow)(下降流)。
如圖2所示，作為旋轉夾盤9，可採用將基板W包夾於水平方向以將基板W保持於水平的夾持式之夾盤。具體而言，旋轉夾盤9係包含：旋轉馬達(spin motor)17；旋轉軸18，係與該旋轉馬達17之驅動軸一體化；以及圓板狀之旋轉基座(spin base)19，係大致水平地安裝於旋轉軸18之上端。
旋轉基座19係包含水平的圓形之上表面19a，該上表面19a係具有比基板W之外徑更大的外徑。在上表面19a之周緣部係配置有複數個(三個以上。例如六個)夾持構件19B。複數個夾持構件19B係在與基板W之外周形狀對應的圓周上隔出適當的間隔並以例如等間隔配置於旋轉基座19之上表面周緣部。
又，作為旋轉夾盤9係不限於夾持式，例如亦可採用藉由真空吸附基板W之背面，以水平之姿勢保持基板W，進而在該狀態下繞鉛直之旋轉軸線旋轉，藉此使由旋轉夾盤9所保持的基板W旋轉的真空吸附式(vacuum chuck；真空夾盤)。
如圖2所示，在藥液噴嘴10係連接有用以將循環於循環配管75(參照圖4)(貯存於貯存箱7)的藥液供給至藥液噴嘴10的藥液配管20。在藥液配管20係夾設有用以開閉藥液配管20的藥液閥21。
處理單元2係更包含：噴嘴臂(nozzle arm)22，係在前 端部安裝有藥液噴嘴10；以及噴嘴移動單元23，用以移動噴嘴臂22，以使藥液噴嘴10移動。藥液噴嘴10係在將其吐出口朝向下方或斜下方的狀態下，安裝於朝向水平方向延伸的噴嘴臂22。
如圖2所示，沖洗液供給單元11係包含沖洗液噴嘴24。沖洗液噴嘴24係指例如在連續流之狀態下吐出液體的直管噴嘴(straight nozzle)，且將其吐出口朝向基板W之上表面中央部而固定地配置於旋轉夾盤9之上方。在沖洗液噴嘴24係連接有可供來自沖洗液供給源之沖洗液供給的沖洗液配管25。在沖洗液配管25之中途部係夾設有用以開閉沖洗液配管25的沖洗液閥26。當沖洗液閥26被開啟時，從沖洗液配管25供給至沖洗液噴嘴24的連續流之沖洗液，就會從設定於沖洗液噴嘴24之下端的吐出口吐出，且供給至基板W之上表面。又，當沖洗液閥26被關閉時，就停止從沖洗液配管25往沖洗液噴嘴24的沖洗液之供給，且停止來自沖洗液噴嘴24的沖洗液之吐出。從沖洗液配管25供給至沖洗液噴嘴24的沖洗液，例如是水。雖然水係指例如去離子水(DIW：deionized water)，但是並不限於DIW，亦可為碳酸水、電解離子水、氫水、臭氧水及稀釋濃度(例如，10ppm至100ppm左右)的鹽酸水之其中任一種。
又，沖洗液供給單元11亦可具備：沖洗液噴嘴移動裝置，係藉由使沖洗液噴嘴24移動，來使沖洗液相對於基板W之上表面的著液位置在基板W之面內掃描。
如圖2所示，洗淨液供給單元12係包含洗淨液噴嘴 27。洗淨液噴嘴27係指例如以連續流之狀態吐出液體的直管噴嘴，且將其吐出口朝向基板W之上表面中央部而固定地配置於旋轉夾盤9之上方。在洗淨液噴嘴27係連接有可供來自洗淨液供給源之洗淨液供給的洗淨液配管28。在洗淨液配管28之中途部係夾設有用以開閉洗淨液配管28的洗淨液閥29。當洗淨液閥29被開啟時，從洗淨液配管28供給至洗淨液噴嘴27的連續流之洗淨液，就會從設定於洗淨液噴嘴27之下端的吐出口吐出，且供給至基板W之上表面。又，當洗淨液閥29被關閉時，就停止從洗淨液配管28往洗淨液噴嘴27的洗淨液之供給，且停止來自洗淨液噴嘴27的洗淨液之吐出。從洗淨液配管28供給至洗淨液噴嘴27的洗淨液，例如是水。雖然水係指例如去離子水(DIW)，但是並不限於DIW，亦可為碳酸水、電解離子水、氫水、臭氧水及稀釋濃度(例如，10ppm至100ppm左右)的鹽酸水之其中任一種。
又，洗淨液供給單元12亦可具備：洗淨液噴嘴移動裝置，係藉由使洗淨液噴嘴27移動，來使洗淨液相對於基板W之上表面的著液位置在基板W之面內掃描。
又，使用去離子水(DIW)等之水作為洗淨液的情況下，可以使用沖洗液供給單元11來對基板W之上表面供給洗淨液。在此情況下，由於可以在相同的供給單元(沖洗液供給單元11)進行往基板W的沖洗液之供給、和往基板W的洗淨液之供給，所以可以廢除洗淨液供給單元12。
如圖2及圖3A至圖3C所示，處理杯體13係包含： 圓筒構件30；複數個杯體31、32(第一杯體31及第二杯體32)，係以雙層包圍旋轉夾盤9的方式固定地配置於圓筒構件30之內側；複數個防護罩33至35(第一防護罩33、第二防護罩34及第三防護罩35)，用以接住已飛散至基板W之周圍的處理液(藥液或沖洗液)；以及防護罩升降單元36，用以使各個第一防護罩33、第二防護罩34及第三防護罩35獨立升降。防護罩升降單元36係指包含例如滾珠螺桿(ball screw)機構的構成。
處理杯體13係能夠折疊，且能藉由使防護罩升降單元36之第一防護罩33、第二防護罩34及第三防護罩35等三個中之至少一方升降，來進行處理杯體13之展開及折疊。
如圖2所示，第一杯體31係構成圓環狀，且在旋轉夾盤9與圓筒構件30之間包圍旋轉夾盤9之周圍。第一杯體31係相對於基板W之旋轉軸線A1具有大致旋轉對稱的形狀。第一杯體31係構成剖面U字狀，且劃分出用以集中已使用於基板W之處理後的處理液並予以排液的第一槽40。在第一槽40之底部之最低的部位係開設有排液口41，在排液口41係連接有第一排液配管42。第一排液配管42之下游端係連接於排液裝置(未圖示。亦可為廢棄裝置)，被導入於第一排液配管42的處理液係送至排液裝置，且在排液裝置中進行排液處理(廢液處理)。
如圖2所示，第二杯體32係構成圓環狀，且包圍第一杯體31之周圍。第二杯體32係相對於基板W之旋轉軸線A1具有大致旋轉對稱的形狀。第二杯體32係構成剖面U 字狀，且劃分出用以集中已使用於基板W之處理後的處理液並予以回收的第二槽43。在第二槽43之底部之最低的部位係開設有回收口44，在回收口44係連接有回收配管45。在回收配管45係分別連接有藥液回收配管46及第二排液配管47。藥液回收配管46之下游端係連接於回收槽72(參照圖4)。在藥液回收配管46係夾設有回收閥48。
第二排液配管47之下游端係連接於排液裝置(未圖示。亦可為廢棄裝置)，被導入於第二排液配管47的處理液係送至排液裝置，且在排液裝置中進行排液處理(廢液處理)。在第二排液配管47係夾設有用以開閉第二排液配管47的排液閥49。
藉由一邊關閉排液閥49一邊開啟回收閥48，就能將通過回收配管45的液體導引至藥液回收配管46。又，藉由一邊關閉回收閥48一邊開啟排液閥49，就能將通過回收配管45的液體導引至第二排液配管47。亦即，回收閥48及排液閥49係具有作為切換單元的功能，該切換單元係將通過回收配管45的液體之流通端在藥液回收配管46與第二排液配管47之間進行切換。
如圖2所示，最內側之第一防護罩33係包圍旋轉夾盤9之周圍，且相對於藉由旋轉夾盤9所致的基板W之旋轉軸線A1具有大致旋轉對稱的形狀。第一防護罩33係包含：圓筒狀之下端部53，係包圍旋轉夾盤9之周圍；筒狀部54，係從下端部53之上端朝向外方(遠離基板W之旋轉軸線A1的方向)延伸；圓筒狀之中段部55，係從筒狀部54之上表 面外周部朝向鉛直上方延伸；以及圓環狀之上端部56，係從中段部55之上端朝向內方(接近基板W之旋轉軸線A1的方向)往斜上方延伸。下端部53係位於第一槽40上，且在第一防護罩33與第一杯體31最鄰近的狀態下，收容於第一槽40之內部。上端部56之內周端係在俯視觀察下構成比由旋轉夾盤9所保持的基板W更大徑的圓形。又，如圖2等所示，上端部56之剖面形狀係既可為直線狀，又可一邊描繪例如平滑之圓弧一邊延伸。
如圖2所示，從內側起算第二個的第二防護罩34係位在第一防護罩33之外側，並包圍旋轉夾盤9之周圍，且相對於藉由旋轉夾盤9所致的基板W之旋轉軸線A1具有大致旋轉對稱的形狀。第二防護罩34係具有：圓筒部57，係與第一防護罩33同軸；以及上端部58，係從圓筒部57之上端朝向中心側(接近基板W之旋轉軸線A1的方向)往斜上方延伸。上端部58之內周端係在俯視觀察下構成比由旋轉夾盤9所保持的基板W更大徑的圓形。再者，如圖2等所示，上端部58之剖面形狀係既可為直線狀，又可一邊描繪例如平滑之圓弧一邊延伸。上端部58之前端係劃分出處理杯體13之上部開口13a。
圓筒部57係位於第二槽43上。又，上端部58係以與第一防護罩33之上端部56重疊於上下方向的方式所設置，且以第一防護罩33與第二防護罩34最鄰近之狀態下相對於上端部56保持微少之間隙而鄰近的方式所形成。
如圖2所示，最外側之第三防護罩35係位在第二防護 罩34之外側，並包圍旋轉夾盤9之周圍，且相對於藉由旋轉夾盤9所致的基板W之旋轉軸線A1具有大致旋轉對稱的形狀。第三防護罩35係具有：圓筒部60，係與第二防護罩34同軸；以及上端部61，係從圓筒部60之上端朝向中心側(接近基板W之旋轉軸線A1的方向)往斜上方延伸。上端部61之內周端係在俯視觀察下構成比由旋轉夾盤9所保持的基板W更大徑的圓形。再者，如圖2等所示，上端部61之剖面形狀係既可為直線狀，又可一邊描繪例如平滑之圓弧一邊延伸。
如圖2及圖3A至圖3C所示，防護罩升降單元36係使各個第一防護罩33、第二防護罩34、第三防護罩35，在防護罩之上端部位於比基板W還上方的上位置、與防護罩之上端部位於比基板W還下方的下位置之間進行升降。防護罩升降單元36係能夠在上位置與下位置之間的任意位置保持各個第一防護罩33、第二防護罩34、第三防護罩35。往基板W的處理液之供給或基板W之乾燥係在第一防護罩33、第二防護罩34、第三防護罩35中之任一個對向於基板W之周端面的狀態下進行。
如圖3A所示，在使最內側之第一防護罩33對向於基板W之周端面的情況下，第一防護罩33、第二防護罩34、第三防護罩35之全部係配置於上位置。
如圖3B所示，在使從內側起算第二個之第二防護罩34對向於基板W之周端面的情況下，第二防護罩34及第三防護罩35係配置於上位置，且第一防護罩33係配置於 下位置。
如圖3C所示，在使最外側之第三防護罩35對向於基板W之周端面的情況下，第三防護罩35係配置於上位置，且第一防護罩33及第二防護罩34係配置於下位置。
如圖2所示，在腔室8之底壁係形成有排液口91。在排液口91係連接有第三排液配管92。第三排液配管92之下游端係連接於排液裝置(未圖示。亦可為廢棄裝置)，被導入於第三排液配管92的處理液係送至排液裝置，且在排液裝置進行排液處理(廢液處理)。
圖4係顯示藥液供給單元100的示意圖。
基板處理裝置1係更包含：藥液槽71，用以貯存被供給至藥液噴嘴10的藥液；回收槽72，用以貯存從處理杯體13回收來的藥液；送液配管73，用以將貯存於回收槽72的藥液送至藥液槽71；第一送液裝置74，用以使回收槽72內部的藥液移動至送液配管73；循環配管75，係形成使藥液槽71內部之藥液循環的循環路徑Q1；第二送液裝置76，用以將藥液槽71內部的藥液送至循環配管75；溫度調節器77，用以調節從藥液槽71供給至藥液噴嘴10的藥液之溫度；以及過濾器78，用以去除從藥液槽71供給至藥液噴嘴10的藥液中之異物。藥液槽71、回收槽72、第一送液裝置74、第二送液裝置76、溫度調節器77及過濾器78係配置於貯存箱7內。在本實施形態中，藥液噴嘴10、藥液配管20、藥液槽71、回收槽72、送液配管73、第一送液裝置74、循環配管75、第二送液裝置76、溫度 調節器77及過濾器78係構成藥液供給單元100。
循環配管75之上游端75a及下游端75b係連接於藥液槽71內部。循環配管75係包含：供給部，用以將藥液槽71內部的藥液導引至三個藥液配管20；連接部，係連接有三個藥液配管20；以及返回部，用以將已通過連接部後的藥液導引至藥液槽71。溫度調節器77係夾設於循環配管75之供給部。溫度調節器77亦可配置於藥液槽71內。溫度調節器77係以從比室溫(例如約23℃)更高的溫度至比室溫更低的溫度為止之範圍內的溫度來調節(加熱或冷卻)藥液溫度。藉由第一送液裝置74從藥液槽71送至循環配管75的藥液係在藉由溫度調節器77加熱或冷卻之後，回送到藥液槽71。第一送液裝置74係指吸入回收槽72內部的藥液，且將該吸入的藥液予以吐出的泵浦(pump)。第一送液裝置74亦可為藉由使回收槽72內部之氣壓上升來將回收槽72內部的藥液送至送液配管73的加壓裝置。第二送液裝置76係指吸入藥液槽71內部的藥液，且將該吸入的藥液予以吐出的泵浦。第二送液裝置76亦可為藉由使藥液槽71內部之氣壓上升來將藥液槽71內部的藥液送至循環配管75的加壓裝置。
循環於循環配管75的藥液之一例，為BHF(Buffered Hydrogen Fluoride；氫氟酸緩衝液)。如前述般，循環於循環配管75的藥液係供給至三個處理單元2。在各個處理單元2中所備置的藥液配管20之上游端20a係連接於循環配管75。藥液配管20之下游端20b係連接於藥液噴嘴10。 藥液閥21係配置於流體箱5內。有關其他的二個藥液配管20亦為同樣。當藥液閥21被開啟時，流動於循環配管75內部的藥液會通過藥液配管20並供給至藥液噴嘴10，藥液能從藥液噴嘴10之吐出口吐出。藥液閥21係配置於流體箱5內部。
三個藥液回收配管46係分別對應於與構成同一塔的三台處理單元2。藥液回收配管46之下游端46b係連接於回收槽72。回收閥48及排液閥49係配置於流體箱5內。有關其他的二個藥液回收配管46亦為同樣。當回收閥48被開啟時，流動於回收配管45的藥液會通過藥液回收配管46並供給至回收槽72。
如圖2所示，處理單元2係包含在俯視觀察下配置於旋轉夾盤9之周圍的待機埠口(容器)80。待機埠口80係指用以接住從藥液噴嘴10所吐出的藥液的埠口，該藥液噴嘴10係配置於已從基板W之上方退避開的起始位置。待機埠口80係包含箱狀之外殼(housing)81。外殼81係具有：開口82，係形成於外殼81之上表面；以及排出口83，係形成於外殼81之底壁。在待機埠口80之排出口83係連接有將與藥液同種之洗淨用藥液供給至回收配管45之作為洗淨用藥液供給配管的連接配管84之上游端部。連接配管84之下游端部係連接於回收配管45。從位於起始位置的藥液噴嘴10所吐出的藥液係透過開口82流入於外殼81之內部，且由待機埠口80所接住。由待機埠口80所接住的藥液係透過連接配管84供給至回收配管45內部。
在本實施形態中，從藥液噴嘴10透過待機埠口80及連接配管84供給至回收配管45的藥液係為了置換回收配管45內部的洗淨液而作為洗淨用藥液來使用。換句話說，洗淨用藥液係指與藥液同種的液體。又，從藥液噴嘴10至待機埠口80及連接配管84係包含於洗淨用藥液供給單元101中。洗淨用藥液供給單元101係包含藥液供給單元100、待機埠口80及連接配管84。
圖5係用以說明回收配管45之構成的示意圖。
回收配管45係例如L字配管，且具有：上下方向部85，係由沿著上下方向(大致鉛直方向)延伸的圓管所構成；以及橫方向部86，係由從上下方向部85之下游端(下端)85b沿著橫方向(大致水平方向)延伸的圓管所構成。在橫方向部86亦可附有下坡之微小斜度(例如0°至5°)。上下方向部85之上游端係連接於回收口44(參照圖2)。藥液回收配管46之上游端及第二排液配管47之上游端係分別連接於橫方向部86之下游端86b。在本實施形態中，上下方向部85之尺寸係內徑約1.6cm，長度約20cm。橫方向部86之尺寸係內徑約1.6cm，長度L約40cm。
又，如前述般，連接配管84之下游端係連接於橫方向部86之靠下游側之事先決定的位置。橫方向部86中之比連接位置86d更靠下游側的部分(已下，簡稱為「下游側部分」)86c之長度L1約7.5cm，其內部的容積約15cc。
存在於上下方向部85內部的液體(附著於上下方向部85之內壁的液體)係藉由其本身重量朝向下方(亦即，朝向 橫方向部86)移動。
圖6係用以說明基板處理裝置1之主要部分之電氣構成的方塊圖。
控制裝置3，例如是使用微電腦(microcomputer)所構成。控制裝置3係具有CPU(Central Processing Unit；中央處理單元)等的運算單元、固定記憶體裝置(memory device)、硬碟驅動裝置(hard disc drive)等的記憶單元、以及輸出入單元(未圖示)。在記憶單元係記憶有運算單元所執行的程式(program)。
又，在控制裝置3係連接有旋轉馬達17、噴嘴移動單元23、防護罩升降單元36、藥液閥21、沖洗液閥26、洗淨液閥29、回收閥48、排液閥49等，作為控制對象。控制裝置3係控制旋轉馬達17、噴嘴移動單元23、防護罩升降單元36等的動作。控制裝置3係開閉藥液閥21、沖洗液閥26、洗淨液閥29、回收閥48、排液閥49等。
圖7係用以說明藉由處理單元2所為的基板處理例的流程圖。一邊參照圖1至圖7一邊針對基板處理例加以說明。該基板處理例係對基板W之表面供給藥液以處理基板W的藥液處理之例。藥液處理係包含蝕刻處理或洗淨處理。
未處理的圓形之基板W係藉由分度器機器人IR及中心機器人CR從載具C搬入於處理單元2之腔室8內(步驟S1)，基板W在其表面(處理對象面)已朝向上方的狀態下轉移至旋轉夾盤9，且使基板W保持於旋轉夾盤9(步驟S2)。 在基板W之搬入前，藥液噴嘴10係先退避至已設定於旋轉夾盤9之側方的起始位置。排液閥49係被關閉，且回收閥48係被開啟。為此，被導引至回收配管45的液體可導引至藥液回收配管46。
當基板W保持於旋轉夾盤9時，控制裝置3係控制旋轉馬達17以使旋轉基座19開始旋轉，藉此使基板W開始旋轉(步驟S3)。基板W之轉速係上升至事先決定的液體處理速度為止，且維持於該液體處理速度。
控制裝置3係控制噴嘴移動單元23以使藥液噴嘴10從起始位置移動至基板W之上方。
又，控制裝置3係控制防護罩升降單元36以使第二防護罩34及第三防護罩35分別上升至上位置，並如圖3B所示，使第二防護罩34對向於基板W之周端面。
接著，控制裝置3係進行將藥液供給至基板W之上表面的藥液工序(步驟S4)。之後，控制裝置3係開啟藥液閥21，並從藥液噴嘴10朝向基板W之上表面中央部吐出藥液。供給至基板W之上表面的藥液係接受藉由基板W之旋轉所致的離心力而朝向基板W之周緣部移動，且從基板W之周緣部朝向基板W之側方飛散。
從基板W之周緣部飛散的藥液係由第二防護罩34之內壁所接住，且順著第二防護罩34之內壁流下，在通過第二槽43之後，導引至回收配管45。被導引至回收配管45的藥液係通過藥液回收配管46送往回收槽72。
當藥液之吐出開始後經過事先決定的期間時，就結束 藥液工序S4。具體而言，控制裝置3係關閉藥液閥21以停止來自藥液噴嘴10的藥液之吐出。
又，控制裝置3係控制噴嘴移動單元23以使藥液噴嘴10往起始位置退避。
又，控制裝置3係控制防護罩升降單元36，一邊使第二防護罩34及第三防護罩35分別保持於上位置，一邊使第一防護罩33上升至上位置，並如圖3A所示，使第一防護罩33對向於基板W之周端面。
接著，進行將沖洗液供給至基板W之上表面的沖洗工序(步驟S5)。具體而言，控制裝置3係開啟沖洗液閥26。從沖洗液噴嘴24所吐出的沖洗液係著液於基板W之上表面中央部，且接受藉由基板W之旋轉所致的離心力而朝向基板W之周緣部流動於基板W之上表面上。基板W上的藥液係被置換成沖洗液。流動於基板W之上表面的沖洗液係從基板W之周緣部朝向基板W之側方飛散，且由第一防護罩33之內壁所接住。然後，順著第一防護罩33之內壁流下的沖洗液係在集中於第一槽40之後被導引至第一排液配管42，之後，導引至用以對處理液進行排液處理的排液處理裝置(未圖示)。
當水之吐出開始後經過事先決定的期間時，控制裝置3係關閉沖洗液閥26以停止來自沖洗液噴嘴24的沖洗液之吐出。藉此，結束沖洗工序S5。又，控制裝置3係控制防護罩升降單元36，並在將第三防護罩35保持於上位置的狀態下，使第一防護罩33及第二防護罩34下降至下位 置，並如圖3C所示，使第三防護罩35對向於基板W之周端面。
接著，進行使基板W乾燥的旋乾(spin dry)工序(步驟S6)。具體而言，控制裝置3係藉由控制旋轉馬達17來使基板W加速至比藥液工序S4及沖洗工序S5中之轉速更大的乾燥轉速(例如數千rpm)為止，且以該乾燥轉速來使基板W旋轉。藉此，較大的離心力就會施加於基板W上之液體，已附著於基板W的液體會朝向基板W之周圍甩開。如此，能使液體從基板W去除，且使基板W乾燥。
當基板W之高速旋轉開始後經過事先決定的期間時，控制裝置3係藉由控制旋轉馬達17來停止藉由旋轉夾盤9所為的基板W之旋轉(步驟S7)。之後，控制裝置3係控制防護罩升降單元36，並在將第一防護罩33及第二防護罩34保持於下位置的狀態下，使第三防護罩35下降至下位置。藉此，第一防護罩33、第二防護罩34、第三防護罩35之上端都是配置於比基板W之保持位置更下方(圖2所示之狀態)。
其次，從腔室8內搬出基板W(步驟S8)。具體而言，控制裝置3係使中心機器人CR之機械手進入腔室8之內部。然後，控制裝置3係使旋轉夾盤9上的基板W保持於中心機器人CR之機械手。之後，控制裝置3係使中心機器人CR之機械手從腔室8之內部退避開。藉此，能使藥液處理後的基板W從腔室8搬出。
在基板W搬出後，有時進行杯體洗淨處理。例如每次 在對1批量(lot)之基板W(收容於一個載具的全部基板W)的處理結束時，執行以下所述的杯體洗淨處理。
圖8係用以說明藉由處理單元2所為的杯體洗淨處理之處理例的流程圖。一邊參照圖1至圖6及圖8一邊針對杯體洗淨處理之處理例加以說明。在本實施形態中，杯體洗淨處理係包含杯體洗淨工序(配管洗淨工序)E1和洗淨用藥液供給工序T11。
在基板處理裝置1中，通常是處於排液閥49被關閉且回收閥48被開啟後的狀態，即便是在杯體洗淨處理開始時仍是處於如此的狀態。為此，通過回收配管45的液體能導引至藥液回收配管46。
在杯體洗淨處理中，例如是使SiC(碳化矽)製造的虛設基板DM保持於旋轉夾盤9，且使洗淨液或洗淨用藥液(與藥液同種的洗淨用藥液)供給至處於旋轉狀態的虛設基板DW來進行。虛設基板DW係形成與藉由處理單元2所為的藥液處理之對象的基板W相同的形狀及尺寸，為此，從虛設基板DW之周緣飛散的洗淨液，會在與從藥液處理時的基板W之周緣飛散的處理液(藥液或沖洗液)相同的位置被接住。
中心機器人CR係從虛設基板保持台4取出虛設基板DW，搬入於處理單元2之腔室8內部(步驟T1)，且使其保持於旋轉夾盤9(步驟T2)。在虛設基板DW搬入之前，藥液噴嘴10係先退避至已設定於旋轉夾盤9之側方的起始位置。
當虛設基板DW保持於旋轉夾盤9時，控制裝置3就控制旋轉馬達17以使旋轉基座19開始旋轉，藉此能使虛設基板W開始旋轉(步驟T3)。
又，控制裝置3係控制防護罩升降單元36，使第一防護罩33、第二防護罩34、第三防護罩35中之事先決定的防護罩，對向於虛設基板DW之周端面(步驟T4)。在對向於虛設基板DW之周端面的防護罩，如圖3A所示為第一防護至33的情況下，使第一防護罩33、第二防護罩34、第三防護罩35分別上升至上位置。
又，控制裝置3係關閉回收閥48且開啟排液閥49(步驟T5)。因而，在此以後通過回收配管45的液體能導引至第一排液配管42。
當虛設基板DW之轉速到達事先決定的速度時，控制裝置3就開啟洗淨液閥29。為此，洗淨液能從洗淨液噴嘴27吐出，藉此，洗淨液被供給至虛設基板DW之上表面(步驟T6)。從洗淨液噴嘴27所吐出的洗淨液係著液於虛設基板DW之上表面中央部，且接受藉由虛設基板DW之旋轉所致的離心力朝向虛設基板DW之周緣部流動於虛設基板DW之上表面上，且從虛設基板DW之周緣部朝向虛設基板DW之側方飛散。
在此情況下，從虛設基板DW之周緣部飛散的洗淨液係由第一防護罩33之內側的面所接住。該洗淨液係順著第一防護罩33之內壁流下，且在集中於第一槽40之後被導引至第一排液配管42，之後，往排液處理裝置(未圖示)導 引。亦即，能使用洗淨液來洗淨第一防護罩33之內壁及第一槽40。
當洗淨液之吐出開始後經過事先決定的期間時，控制裝置3就控制防護罩升降單元36來變更對向於虛設基板DW之周端面的防護罩(步驟T7)。例如，在將對向於虛設基板DW之周端面的防護罩，從第一防護罩33變更為第二防護罩34的情況下，使第一防護罩33從上位置下降至下位置。藉此，如圖3B所示，第二防護罩34就會對向於虛設基板DW之周端面。
在此情況下，從虛設基板DW之周緣部飛散的洗淨液係由第二防護罩34之內壁或第一防護罩33之外側的面所接住。此等的洗淨液係順著第二防護罩34之內壁或第一防護罩33之外側的面流下，且在集中於第二槽43之後，被導引至回收配管45。亦即，能使用洗淨液來洗淨第二防護罩34之內壁、第一防護罩33之外側的面、第二槽43及回收配管45。被用於處理杯體13及回收配管45內部之洗淨的洗淨液係從回收配管45導引至第二排液配管47，之後，往排液處理裝置(未圖示)導引。
當從防護罩變更後經過事先決定的期間時，控制裝置3就控制防護罩升降單元36以進一步變更對向於虛設基板DW之周端面的防護罩(步驟T7)。例如，在將對向於虛設基板DW之周端面的防護罩，從第二防護罩34變更為第三防護罩35的情況下，使第二防護罩34從上位置下降至下位置。藉此，如圖3C所示，第三防護罩35就會對向於虛 設基板DW之周端面。
在此情況下，從虛設基板DW之周緣部飛散的洗淨液係由第三防護罩35之內壁或第二防護罩34之外側的面所接住。此等的洗淨液係順著第三防護罩35之內壁或第二防護罩34之外側的面流下，且在供給至腔室8之底壁之後，被導引至第三排液配管92，之後，往排液處理裝置(未圖示)導引。亦即，能使用洗淨液來洗淨第三防護罩35之內壁及第二防護罩34之外側的面。
當從防護罩變更後經過事先決定的期間時，控制裝置3就控制防護罩升降單元36以使第三防護罩35從上位置下降至下位置。藉此，防護罩會成為第一防護罩33、第二防護罩34、第三防護罩35之全部被配置於下位置的狀態。
在此情況下，從虛設基板DW之周緣部飛散的洗淨液係供給至第三防護罩35之外側的面，藉此，能使用洗淨液來洗淨第三防護罩35之外側的面。
又，在第一防護罩33對向於虛設基板DW之周端面的狀態、第二防護罩34對向於虛設基板DW之周端面的狀態、以及第三防護罩35對向於虛設基板DW之周端面的狀態之各個狀態中，為了使來自虛設基板DW之周緣的洗淨液之飛散方向變化，較佳是使虛設基板DW之轉速變化。
又，使第一防護罩33對向於虛設基板DW之周端面的工序、使第二防護罩34對向於虛設基板DW之周端面的工序、以及使第三防護罩35對向於虛設基板DW之周端面的工序之順序係可以適當設定。
當從防護罩下降後經過事先決定的期間時，控制裝置3就關閉洗淨液閥29，並停止往虛設基板W的洗淨液之供給(步驟T8)。又，控制裝置3係控制旋轉馬達17以使虛設基板DW之旋轉停止(步驟T9)。
之後，使用完成的虛設基板DW係藉由中心機器人CR朝向處理單元2外部搬出(步驟T10)，且收容於虛設基板保持台4。藉此，結束杯體洗淨工序E1。
在杯體洗淨工序E1結束之後，接著，為了將存在於回收配管45內部的洗淨液置換成洗淨用藥液，而執行將洗淨用藥液供給至回收配管45的洗淨用藥液供給工序(步驟T11)。在洗淨用藥液供給工序T11中係一邊將被導引至回收配管45的液體導引至排液配管一邊將來自已連接於回收配管45之連接配管84的洗淨用藥液供給至回收配管45。當洗淨用藥液供給工序T11結束時，圖8的杯體洗淨處理就會結束。
圖9係用以說明圖8所示的洗淨用藥液供給工序T11的流程圖。一邊參照圖1至圖6、圖8及圖9一邊針對洗淨用藥液供給工序T11加以說明。
在執行洗淨用藥液供給工序T11時，控制裝置3會確認藥液噴嘴10位於起始位置(步驟P1中的「是」)，而且，開啟藥液閥21以使藥液從藥液噴嘴10開始吐出(步驟P3)。又，在藥液噴嘴10未位於起始位置的情況下(步驟P1中的「否」)，控制裝置3會控制噴嘴移動單元23，並將藥液噴嘴10配置於起始位置(步驟P2)，之後，開啟藥液噴嘴21 以使藥液從藥液噴嘴10開始吐出(步驟P3)。從位於起始位置的藥液噴嘴10所吐出的藥液係透過開口82流入於外殼81之內部，且由待機埠口80所接住。由待機埠口80所接住的藥液係通過連接配管84並經由上下方向部85，作為洗淨用藥液來供給至回收配管45之橫方向部86內部。藉此，洗淨用藥亦能遍及於橫方向部86中的下游側部分86c內部，而存在於下游側部分86c內部的洗淨液被置換成洗淨用藥液。
在杯體洗淨工序E1結束並經過預定時間之後，已附著於上下方向部85之內壁的洗淨液係藉由其本身重量朝向橫方向部86移動。從而，在配管洗淨工序結束並經過預定時間之後，存在於回收配管45內部的洗淨液之大部分係存在於橫方向部86，而在上下方向部85幾乎不存在洗淨液。而且，存在於回收配管45內部的洗淨液之大部分係存在於橫方向部86之下游端86b之近旁的區域(亦即，下游側部分86c)。特別是，下坡之微小斜度(例如0°至5°)附加於橫方向部86的情況下，該傾向很強。
藉由以上，藉由直接將洗淨用藥液供給至橫方向部86之下游側部分86c，就可以以洗淨用藥液來置換存在於回收配管45內的洗淨液之大部分。藉此，可以謀求洗淨用藥液之消耗量的減低。
又，供給至回收配管45的洗淨用藥液係導引至第二排液配管47。亦即，可以將洗淨用藥液良好地供給至第二排液配管47。
藉由將存在於回收配管45內部的洗淨液置換成洗淨用藥液，就可以在杯體洗淨處理後之藥液處理中，抑制伴隨藥液被稀釋而來的處理速率之降低。
當開啟藥液閥21之後經過事先決定的期間時(步驟P4中的「是」)，控制裝置3就關閉藥液閥21以使來自藥液噴嘴10的藥液之吐出停止(步驟P5)。藉此，能停止作為洗淨用藥液的藥液往回收配管45內部供給。
橫方向部86中的下游側部分86c之容積係如前述般約15cc。為此，只要將超過該15cc之量的洗淨用藥液供給至回收配管45，就可以將存在於回收配管45內部的洗淨液置換成洗淨用藥液。為此，可以謀求洗淨用藥液之消耗量的減低。
之後，控制裝置3係關閉排液閥49且開啟回收閥48(步驟P6)。藉此，結束洗淨用藥液供給工序T11。
藉由以上，依據本實施形態，在杯體洗淨工序E1中，被用於處理杯體13及回收配管45內部之洗淨後的洗淨液係從回收配管45導引至第二排液配管47來排液。在杯體洗淨工序E1後，來自連接配管84的洗淨用藥液被供給至回收配管45，且存在於回收配管45內部的洗淨液被置換成洗淨用藥液。包含洗淨液的洗淨用藥液係被導引至第二排液配管47。藉此，能防止或抑制被用於回收配管45內部之洗淨後的洗淨液進入藥液回收配管46。
又，由於將來自連接配管84的洗淨用藥液直接供給至回收配管45，所以與將來自藥液噴嘴10的藥液透過基板 等(虛設基板DW等)及處理杯體13作為洗淨用藥液供給至回收配管45的情況相較，還可以提高往回收配管45的洗淨用藥液之供給效率，結果，可以減低為了置換成洗淨用藥液所需要的洗淨用藥液之量。藉此，可以提供一種可以一邊防止或抑制洗淨液進入藥液回收配管46一邊謀求洗淨用藥液之消耗量之減低的基板處理裝置1。
又，來自連接配管84的洗淨用藥液被供給至橫方向部86，為此，洗淨用藥液能遍及於橫方向部86中的下游側部分86c內部。從杯體洗淨工序E1結束並經過預定時間之後，由於洗淨液幾乎不存在於上下方向部85，所以藉由對橫方向部86直接供給洗淨用藥液，就可以以洗淨用藥液來置換存在於回收配管45內部的洗淨液之大部分。在此情況下，由於應置換成洗淨用藥液的配管部分之長度較短，所以與以洗淨用藥液來置換存在於上下方向部85及橫方向部86之雙方的洗淨液的情況相較，還可以更加減低為了置換成洗淨用藥液而所用的洗淨用藥液(亦即，藥液)之量。
又，從藥液噴嘴10吐出且由待機埠口80所承接到的藥液，會通過連接配管84並作為洗淨用藥液供給至回收配管45。藉此可以以簡單的構成來實現將洗淨用藥液直接供給至回收配管45的構成。
圖10係用以說明本發明之第二實施形態的處理單元202之構成例的圖解剖視圖。
在圖10中，在與第一實施形態所示之各部對應的部分係附記與圖1至圖9之情況相同的參照符號來顯示，且省 略說明。
第二實施形態的處理單元202與第一實施形態的處理單元2之差異點係在於：連接配管84之下游端連接於上下方向部85之上游端部85a(上端部。包含上下方向部85中之上游端的周圍之部分。從上下方向部85中之上游端距離1/10至1/5左右的區域)。在此情況下，從位於起始位置的藥液噴嘴10所吐出的藥液係通過待機埠口80及連接配管84，來供給至上下方向部85之上游端部85a內部。
在本實施形態中，除了與第一實施形態中所說明的作用功效同等的作用功效以外，還達成如下所述的作用功效。亦即，由於連接配管84連接於上下方向部85之上游端部85a，所以可以將來自連接配管84之洗淨用藥液供給至上下方向部85之上游端部85a，為此，可以使洗淨用藥液遍及於回收配管45內部之全區。藉此，可以在回收配管45內部之全區實現洗淨用藥液之置換。因此，可以防止或更有效地抑制在藥液處理開始後洗淨液進入藥液回收配管46。
圖11係用以說明本發明之第三實施形態的處理單元302之構成例的圖解剖視圖。
在圖11中，在與第一實施形態所示之各部對應的部分係附記與圖1至圖9之情況相同的參照符號，且省略說明。
第三實施形態的處理單元302與第一實施形態的處理單元2之差異點係在於：通過從藥液配管20分支出的分支配管303，將藥液作為洗淨用藥液供給至回收配管45。具 體而言，分支配管303之上游端係分支連接於各個藥液配管20之中途部，分支配管303之下游端係分支連接於橫方向部86中的連接位置86d。在分支配管303之中途部係夾設有用以開閉分支配管303的開閉閥304。開閉閥304係連接於控制裝置3。亦即，第三實施形態的洗淨用藥液供給單元301係包含藥液供給單元100、分支配管303及開閉閥304。
在洗淨用藥液供給工序T11中，在洗淨用藥液往回收配管45供給時，控制裝置3係開啟開閉閥304。藉此，流動於藥液配管20的藥液係通過分支配管303往回收配管45供給。
在本實施形態中，除了與第一實施形態中所說明之作用功效同等的作用功效以外，還達成如下所述的作用功效。亦即，來自藥液配管20的藥液會通過從藥液配管20分支出的分支配管303，作為洗淨用藥液供給至回收配管45。藉此，可以以簡單的構成來實現將洗淨用藥液直接供給至回收配管45的構成。
以上，雖然已針對本發明之三個實施形態加以說明，但是本發明亦可以更進一步以其他的形態來實施。以下例示性地列舉本發明之範圍中所包含的幾個形態。
例如，在第二實施形態中，連接配管84之下游端並非是連接於上下方向部85之上游端部85a，而是亦可連接於上下方向部85之中途部(從上下方向部85之上端隔離出的區域)。在此情況下，來自連接配管84的洗淨用藥液被供 給至上下方向部85之中途部，為此，洗淨用藥液能遍及於比上下方向部85中的連接配管84之連接位置更靠下游側之部分及橫方向部86內部之全區。從而，即便是在此情況下，仍可以在回收配管45內的寬範圍中，使存在於回收配管45內部的洗淨液置換成洗淨用藥液。
又，亦可組合第二實施形態和第三實施形態。亦即，分支配管303之下游端亦可連接於上下方向部85之上游端部85a。在此情況下，能達成與第二實施形態關聯的作用功效、以及與第三實施形態關聯的作用功效。
又，在前述的實施形態中，雖然已說明洗淨液即將開始吐出(圖8之步驟T6)前，關閉回收閥48且開啟排液閥49(圖8之步驟T5)，但是只要是在開始杯體洗淨處理(之順序)之後，比洗淨液之吐出開始更早，就可以在適當的時序關閉回收閥48且開啟排液閥49。
又，在前述的實施形態中，雖然已說明洗淨用藥液供給工序T11包含於杯體洗淨處理(之順序)中，但是洗淨用藥液供給工序T11亦可與杯體洗淨處理另外地執行。
具體而言，洗淨用藥液供給工序T11亦可不在杯體洗淨處理結束後立即開始，而是在經過事先決定的期間後之時序開始。又，洗淨用藥液供給工序T11亦可在一系列的藥液處理之開始之前先行執行。
例如，在藥液處理中，為了在藥液工序(圖7之步驟S4)開始前，先行排出藥液噴嘴10或藥液配管20內部之藥液，有時會從藥液噴嘴10吐出藥液(預分配(pre-dispensed))。 此時，亦可將從藥液噴嘴10所排出的藥液，透過待機埠口80及連接配管84作為洗淨用藥液供給至回收配管45，藉此，將回收配管45內部的洗淨液置換成洗淨用藥液。換句話說，能在藥液工序(圖7之步驟S4)開始前事先伴隨預分配來執行洗淨用藥液供給工序T11。
又，在前述的各個實施形態中係已說明在使虛設基板DW保持於旋轉夾盤9的狀態下執行杯體洗淨工序E1。但是，亦可在使基板W保持於旋轉夾盤9的狀態下執行杯體洗淨工序E1。在此情況下，在杯體洗淨工序E1中，並非是對虛設基板DW而是對基板W供給洗淨液。又，在此情況下，亦可以從基板處理裝置1中廢除虛設基板保持台4(參照圖1)的構成。
又，在前述的各個實施形態中，雖然已說明每次在結束對1批量之基板W的處理時執行杯體洗淨處理，但是杯體洗淨處理之實施時序係能夠相應於處理杯體13之髒污程度做適當設定。例如既可在1批量之開始前執行杯體洗淨處理，又可在1批量之開始前和開始後之雙方執行杯體洗淨處理。又，亦可不被限於1批量之前後，而例如是在1天之事先決定的時間帶進行。
更且，亦可與杯體洗淨處理之執行同時進行腔室8內部的洗淨(腔室洗淨)。在此情況下，亦可更進一步同時進行藥液噴嘴10之洗淨、或其他的周邊構件之洗淨。
又，杯體洗淨處理亦可不以處理杯體13之洗淨為目的，而是以回收配管45內部之洗淨為主要目的(回收配管洗 淨)。
又，作為從藥液供給單元100供給至基板W的藥液，雖然已例示BHF(氫氟酸緩衝液)，但是除此以外，較佳是使用SPM(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture；硫酸與過氧化氫水的混合液)、有機溶劑(NMP(N-methylpyrrolidone；N-甲基吡咯烷酮)等)等的阻劑殘渣去除液作為藥液。又，其他可以使用SC1(ammonia-hydrogen peroxide mixture；氨水與過氧化氫水與水的混合液)等的洗淨用藥液、或蝕刻液作為藥液。
又，在前述的各個實施形態中，亦可省略回收槽72之構成，而採用從處理杯體13所回收到的藥液直接供給至藥液槽71的構成。
又，在前述的各個實施形態中，切換單元亦可非為二個開閉閥(回收閥48及排液閥49)，而是藉由三通閥所構成。
又，在各個實施形態中，藥液回收配管46不僅與第二槽43關聯地設置，而亦可與第一槽40關聯地設置。
又，雖然已舉例處理杯體13為三層來加以說明，但是處理杯體13係既可為一層(單一杯體)或二層，又可為四層以上的多層杯體。
又，在前述的各個實施形態中，雖然已針對基板處理裝置1為處理圓板狀之基板的裝置的情況加以說明，但是基板處理裝置1亦可為處理液晶顯示裝置用玻璃基板等之多角形基板的裝置。
雖然已針對本發明之實施形態加以詳細說明，但是此等只不過是為了明白本發明之技術內容所用的具體例，本發明不應被解釋限定於此等的具體例，本發明之範圍係僅藉由所附的申請專利範圍所限定。
本申請案係對應於2016年9月26日在日本特許廳所提出的日本發明專利申請特願2016-187139號，且該申請案的全部揭示係藉由引用而編入於此。

Claims (9)

  1. 一種回收配管洗淨方法，係洗淨回收配管的方法，該回收配管係可透過處理杯體來導引被用於基板之處理後的藥液且將被導引來的藥液導引至事先決定的藥液回收配管，該回收配管洗淨方法係包含：配管洗淨工序，係一邊對前述回收配管供給洗淨液一邊將被導引至前述回收配管的液體導引至與前述藥液回收配管不同的排液配管，藉此使用洗淨液來洗淨前述回收配管內部；以及洗淨用藥液供給工序，係在前述配管洗淨工序之後，為了使存在於前述回收配管內部的洗淨液置換成與前述藥液同種的洗淨用藥液，而一邊將被導引至前述回收配管的液體導引至前述排液配管一邊將來自連接於前述回收配管的洗淨用藥液供給配管之洗淨用藥液供給至前述回收配管。
  2. 一種基板處理裝置，係包含：藥液供給單元，用以將被用於基板之處理的藥液供給至基板；處理杯體，用以承接已供給至基板的藥液；回收配管，係可導引藉由前述處理杯體所承接到的藥液；藥液回收配管，用以回收被導引至前述回收配管的藥液； 排液配管，用以排除被導引至前述回收配管的液體；切換單元，用以將被導引至前述回收配管的液體選擇性地導引至前述藥液回收配管和前述排液配管；洗淨液供給單元，用以供給用以洗淨前述回收配管內部的洗淨液；洗淨用藥液供給單元，係具有洗淨用藥液供給配管，該洗淨用藥液供給配管係連接於前述回收配管，且將與應透過前述回收配管而回收之前述藥液同種的洗淨用藥液供給至前述回收配管；以及控制裝置，用以控制前述藥液供給單元、前述洗淨用藥液供給單元、前述切換單元及前述洗淨液供給單元；前述控制裝置係執行以下的工序：配管洗淨工序，係一邊對前述回收配管供給洗淨液一邊將被導引至前述回收配管的液體導引至前述排液配管，藉此使用洗淨液來洗淨前述回收配管內部；以及洗淨用藥液供給工序，係在前述配管洗淨工序之後，為了使存在於前述回收配管的洗淨液置換成洗淨用藥液，而一邊將被導引至前述回收配管的液體導引至前述排液配管一邊將來自前述洗淨用藥液供給配管之洗淨用藥液供給至前述回收配管。
  3. 如請求項2所記載之基板處理裝置，其中前述回收配管係具有：上下方向部，係連接於前述處理杯體且沿著上下方向延伸；以及橫方向部，係連接於前述上下方向部之下端且沿著橫方向延伸；前述洗淨用藥液供給配管係連接於前述橫方向部，前述洗淨用藥液供給單元係對前述橫方向部供給洗淨用藥液。
  4. 如請求項2所記載之基板處理裝置，其中前述回收配管係包含：上下方向部，係連接於前述處理杯體且沿著上下方向延伸；以及橫方向部，係連接於前述上下方向部之下端且沿著橫方向延伸；前述洗淨用藥液供給配管係連接於前述上下方向部，前述洗淨用藥液供給單元係對前述上下方向部供給藥液。
  5. 如請求項4所記載之基板處理裝置，其中前述上下方向部係具有上端部；前述洗淨用藥液供給配管係連接於前述上下方向部之前述上端部。
  6. 如請求項2至5中任一項所記載之基板處理裝置，其中前述藥液供給單元係包含用以吐出藥液的藥液噴嘴；前述基板處理裝置係更包含：容器，係配置於前述處理杯體外部，用以接住從前述藥液噴嘴所吐出的藥液； 前述洗淨用藥液供給配管係包含：連接配管，係連接於前述回收配管，且將已導引至前述容器的藥液作為洗淨用藥液來供給至前述回收配管。
  7. 如請求項2至5中任一項所記載之基板處理裝置，其中前述藥液供給單元係包含：藥液噴嘴，用以吐出藥液；以及藥液配管，用以對前述藥液噴嘴供給藥液；前述洗淨用藥液供給配管係包含：分支配管，係連接於前述回收配管且從前述藥液配管分支。
  8. 一種基板處理裝置，係包含：藥液供給單元，用以將被用於基板之處理的藥液供給至基板；處理杯體，用以承接已供給至基板的藥液；容器，係配置於前述處理杯體外部，用以接住從藥液噴嘴所吐出的藥液；回收配管，係可導引藉由前述處理杯體所承接到的藥液，且具有上下方向部和橫方向部，該上下方向部係連接於前述處理杯體且沿著上下方向延伸，該橫方向部係連接於前述上下方向部之下端且沿著橫方向延伸；連接配管，係連接於前述上下方向部且將已導引至前述容器的藥液導引至前述上下方向部；藥液回收配管，用以回收被導引至前述回收配管的藥液； 排液配管，用以排液被導引至前述回收配管的液體；以及切換單元，用以將被導引至前述回收配管的液體選擇性地導引至前述藥液回收配管和前述排液配管。
  9. 如請求項8所記載之基板處理裝置，其中前述上下方向部係具有上端部；前述連接配管係連接於前述上下方向部之前述上端部。
TW106132275A 2016-09-26 2017-09-20 回收配管洗淨方法以及基板處理裝置 TWI668060B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016187139A JP6762184B2 (ja) 2016-09-26 2016-09-26 回収配管洗浄方法および基板処理装置
JP2016-187139 2016-09-26

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201822903A true TW201822903A (zh) 2018-07-01
TWI668060B TWI668060B (zh) 2019-08-11

Family

ID=61687459

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106132275A TWI668060B (zh) 2016-09-26 2017-09-20 回收配管洗淨方法以及基板處理裝置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10639683B2 (zh)
JP (1) JP6762184B2 (zh)
KR (1) KR102020712B1 (zh)
CN (1) CN107871692B (zh)
TW (1) TWI668060B (zh)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7149087B2 (ja) 2018-03-26 2022-10-06 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
KR102099105B1 (ko) * 2018-07-18 2020-05-15 세메스 주식회사 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
JP7412134B2 (ja) 2019-11-01 2024-01-12 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP7292417B2 (ja) * 2019-12-06 2023-06-16 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置
JP7299833B2 (ja) * 2019-12-24 2023-06-28 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP7364460B2 (ja) 2019-12-25 2023-10-18 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP2022131885A (ja) * 2021-02-26 2022-09-07 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 処理液循環方法、及び、基板処理方法
JP2023004684A (ja) * 2021-06-28 2023-01-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100265286B1 (ko) * 1998-04-20 2000-10-02 윤종용 반도체장치 제조용 케미컬 순환공급장치 및 이의 구동방법
JP2001271188A (ja) 2000-03-24 2001-10-02 Ses Co Ltd 基板処理装置
JP2004267965A (ja) * 2003-03-11 2004-09-30 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置及び処理液切替方法
JP2007149891A (ja) * 2005-11-25 2007-06-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2007258462A (ja) * 2006-03-23 2007-10-04 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2008153521A (ja) 2006-12-19 2008-07-03 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 回収カップ洗浄方法および基板処理装置
JP5006274B2 (ja) * 2008-06-25 2012-08-22 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP5401255B2 (ja) 2008-11-05 2014-01-29 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置、洗浄方法、および記憶媒体
KR102030681B1 (ko) * 2014-09-02 2019-10-10 주식회사 제우스 기판 액처리 장치 및 기판 액처리 방법
JP6359925B2 (ja) * 2014-09-18 2018-07-18 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
EP3035375B1 (en) 2014-12-19 2017-05-03 ATOTECH Deutschland GmbH Treating module of an apparatus for horizontal wet-chemical treatment of large-scale substrates
US10134615B2 (en) 2015-02-13 2018-11-20 Applied Materials, Inc. Substrate support with improved RF return
CN112768385A (zh) 2015-02-25 2021-05-07 株式会社国际电气 衬底处理装置、加热器、存储介质及衬底处理方法

Also Published As

Publication number Publication date
US10639683B2 (en) 2020-05-05
KR20180034244A (ko) 2018-04-04
JP6762184B2 (ja) 2020-09-30
TWI668060B (zh) 2019-08-11
CN107871692B (zh) 2021-12-21
CN107871692A (zh) 2018-04-03
US20180085795A1 (en) 2018-03-29
JP2018056187A (ja) 2018-04-05
KR102020712B1 (ko) 2019-09-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI668060B (zh) 回收配管洗淨方法以及基板處理裝置
KR102208292B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
TWI681452B (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
KR102189980B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
TWI736934B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
TW201246441A (en) Liquid Processing Apparatus and Liquid Processing Method
JP5318010B2 (ja) 基板処理装置
TWI707394B (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
TWI749295B (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
JP2016042518A (ja) 基板処理装置および基板処理方法