JP6932000B2 - 基板処理装置、基板処理装置の制御方法およびプログラム - Google Patents

基板処理装置、基板処理装置の制御方法およびプログラム Download PDF

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Description

本発明は、基板処理装置、基板処理装置の制御方法およびプログラムに関する。処理対象となる基板には、例えば、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、FED(Field Emission Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板等が含まれる。
基板処理装置では、ノズルにつながっている配管の途中に設けられた吐出バルブによってノズルへの処理液の供給経路が開閉される。これにより、ノズルから基板に対する処理液の吐出が開始および停止される。
このような基板処理装置では、ノズルから基板に対する処理液の吐出が停止された後に、ノズルの先端部から基板上に処理液が落下する現象(ボタ落ちとも言う)が生じる場合がある。
このため、ノズルの先端部から基板へのボタ落ちを防止するために、ダイヤフラムの変形によってノズルの先端部から処理液を吸い戻す動作(ダイヤフラム方式のサックバックともいう)が行われている(例えば、特許文献1等)。
特開平5−82431号公報
上記ダイヤフラム方式のサックバックの速度の調整は、例えば、ダイヤフラムを用いたエアオペレート式のサックバック用のバルブ(吸い戻しバルブともいう)における制御ガスの供給または排出の速度が、速度制御弁(スピードコントローラ)等によって制御されることで、実現される。
ところが、例えば、速度制御弁からの制御ガスの供給速度、供給源から供給される制御ガスの圧力、および吸い戻しバルブにおける摺動抵抗等といった吸い戻しバルブの動作環境に変化が生じる場合があった。この場合、例えば、吸い戻しバルブの動作速度が変動して、サックバックの不良が生じ得る。
例えば、吸い戻しバルブの動作速度が早くなり過ぎると、図24で示されるように、ノズルNz0内に処理液Lq0の液滴Dr0が取り残され、該液滴Dr0が基板W0の上面Us0に落下するボタ落ちが発生する場合がある。一方、例えば、吸い戻しバルブの動作速度が遅くなり過ぎると、サックバックに要する時間が長くなり、基板W0に対する処理に要する時間(タクトタイム)が長くなるため、基板処理装置における生産効率が低下する。これらの問題は、例えば、ノズルから吐出される処理液を交換する際に、吐出バルブからノズルに至る経路に存在している処理液を吸い戻して排出する場合にも生じ得る。このような処理液の吸い戻しには、例えば、サイフォン方式のサックバックおよびコンバム方式のサックバックがある。
そこで、サックバックを適正に行うために、例えば、上記特許文献1で示されるように、ノズルの先端におけるサックバックの状態をカメラシステム等によって監視することが考えられる。
しかしながら、例えば、監視用のカメラシステムの設置に伴って基板処理装置の複雑化および大型化を招くおそれがある。さらに、例えば、監視用のカメラシステムには処理液の付着による汚れおよび腐食等が生じることも考えられる。このため、サックバックの不良の発生を防止することは容易でない。
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、ノズルから基板に対する処理液の吐出における不具合の発生を比較的簡易な構成で抑制することが可能な基板処理装置、基板処理装置の制御方法およびプログラムを提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、第1の態様に係る基板処理装置は、ノズルと、配管部と、複数のバルブと、発動部と、制御部と、検知部と、を備えている。前記ノズルは、基板に向けて処理液を吐出する。前記配管部は、前記ノズルにつながっている前記処理液の流路を形成する。前記複数のバルブは、前記配管部の途中部分に設けられ、前記配管部および前記ノズルにおける前記処理液の存在状態を変化させる。前記発動部は、前記複数のバルブを動作させる駆動力を前記複数のバルブに付与する。前記制御部は、トリガ信号を出力することで前記発動部によって前記複数のバルブを動作させる。前記検知部は、特定状態を検知する。前記複数のバルブは、前記配管部の途中部分に設けられ、前記ノズルに対して前記処理液を供給する液供給経路を開閉する吐出バルブと、前記配管部のうちの前記吐出バルブと前記ノズルとの間の特定部分または該特定部分から分岐した分岐配管部分に設けられた、少なくとも前記ノズルにおける前記処理液を吸い戻す液吸い戻し動作を行う吸い戻しバルブと、を含む。前記特定状態は、前記吸い戻しバルブの一部の領域の気圧が基準圧に到達した基準圧到達状態を含む。前記制御部は、前記トリガ信号を出力した第1タイミングから前記検知部が前記特定状態を検知した第2タイミングまでの前記吸い戻しバルブの実動作時間と、予め設定された基準動作時間との関係に応じて、前記発動部による前記吸い戻しバルブの動作の動作速度に係る設定の変更量を算出する。
第2の態様に係る基板処理装置は、ノズルと、配管部と、複数のバルブと、発動部と、制御部と、検知部と、を備えている。前記ノズルは、基板に向けて処理液を吐出する。前記配管部は、前記ノズルにつながっている前記処理液の流路を形成する。前記複数のバルブは、前記配管部の途中部分に設けられ、前記配管部および前記ノズルにおける前記処理液の存在状態を変化させる。前記発動部は、前記複数のバルブを動作させる駆動力を前記複数のバルブに付与する。前記制御部は、トリガ信号を出力することで前記発動部によって前記複数のバルブを動作させる。前記検知部は、特定状態を検知する。前記複数のバルブは、前記配管部の途中部分に設けられ、前記ノズルに対して前記処理液を供給する液供給経路を開閉する吐出バルブと、前記配管部のうちの前記吐出バルブと前記ノズルとの間の特定部分または該特定部分から分岐した分岐配管部分に設けられた、少なくとも前記ノズルにおける前記処理液を吸い戻す液吸い戻し動作を行う吸い戻しバルブと、を含む。前記特定状態は、前記吸い戻しバルブの開度に係る特定開度状態、前記分岐配管部分の特定位置まで前記処理液の液面が到達した特定吸い戻し状態、または前記分岐配管部分の特定位置における前記処理液の流速が特定の流速に到達した状態、を含む。前記制御部は、前記トリガ信号を出力した第1タイミングから前記検知部が前記特定状態を検知した第2タイミングまでの前記吸い戻しバルブの実動作時間と、予め設定された基準動作時間との関係に応じて、前記発動部による前記吸い戻しバルブの動作の動作速度に係る設定の変更量を算出する。
第3の態様に係る基板処理装置は、ノズルと、配管部と、バルブと、発動部と、制御部と、検知部と、を備えている。前記ノズルは、基板に向けて処理液を吐出する。前記配管部は、前記ノズルにつながっている前記処理液の流路を形成する。前記バルブは、前記配管部の途中部分に設けられ、前記配管部および前記ノズルにおける前記処理液の存在状態を変化させる。前記発動部は、前記バルブを動作させる駆動力を前記バルブに付与する。前記制御部は、トリガ信号を出力することで前記発動部によって前記バルブを動作させる。前記検知部は、特定状態を検知する。前記バルブは、前記配管部の途中部分に設けられ、前記ノズルに対して前記処理液を供給する液供給経路を開閉する吐出バルブを含む。前記特定状態は、前記配管部のうちの前記吐出バルブから前記ノズルにかけた部分における、特定位置まで前記処理液が到達した特定給液状態または前記処理液の流速が基準流速に到達した特定流れ状態、あるいは前記吐出バルブの開度に係る特定開度状態、を含む。前記制御部は、前記トリガ信号を出力した第1タイミングから前記検知部が前記特定状態を検知した第2タイミングまでの前記吐出バルブの実動作時間と、予め設定された基準動作時間との関係に応じて、前記発動部による前記吐出バルブの動作の動作速度に係る設定の変更量を算出する。
第4の態様に係る基板処理装置は、ノズルと、配管部と、バルブと、発動部と、制御部と、検知部と、を備えている。前記ノズルは、基板に向けて処理液を吐出する。前記配管部は、前記ノズルにつながっている前記処理液の流路を形成する。前記バルブは、前記配管部の途中部分に設けられ、前記配管部および前記ノズルにおける前記処理液の存在状態を変化させる。前記発動部は、前記バルブを動作させる駆動力を前記バルブに付与する。前記制御部は、トリガ信号を出力することで前記発動部によって前記バルブを動作させる。前記検知部は、特定状態を検知する。前記バルブは、前記配管部の途中部分に設けられ、前記ノズルに対して前記処理液を供給する液供給経路を開閉する吐出バルブを含む。前記特定状態は、前記吐出バルブの開度に係る特定開度状態、あるいは前記配管部における前記吐出バルブから前記ノズルに向けた前記処理液の流速が基準流速に到達した特定流れ状態、を含む。前記制御部は、前記トリガ信号を出力した第1タイミングから前記検知部が前記特定状態を検知した第2タイミングまでの前記吐出バルブの実動作時間と、予め設定された基準動作時間との関係に応じて、前記発動部による前記吐出バルブの動作の動作速度に係る設定の変更量を算出する。
の態様に係る基板処理装置は、第1または第2の態様に係る基板処理装置であって、前記制御部は、前記変更量に応じて、前記発動部による前記吸い戻しバルブの動作の前記動作速度に係る設定を変更する。
第6の態様に係る基板処理装置は、第3または第4の態様に係る基板処理装置であって、前記制御部は、前記変更量に応じて、前記発動部による前記吐出バルブの動作の前記動作速度に係る設定を変更する。
の態様に係る基板処理装置は、第1、第2およびの何れか1つの態様に係る基板処理装置であって、前記発動部は、前記制御部による前記トリガ信号の出力に応答して、前記吐出バルブを閉鎖する閉鎖動作と、前記吸い戻しバルブによる前記液吸い戻し動作と、を開始させる。
の態様に係る基板処理装置は、第の態様に係る基板処理装置であって、前記発動部は、前記制御部による前記トリガ信号の出力に応答して、前記吐出バルブを閉鎖する閉鎖動作と、前記吸い戻しバルブによる前記液吸い戻し動作と、を開始させ、前記吸い戻しバルブは、前記配管部内の前記液供給経路に連通している液吸い戻し領域を形成する弁箱部と、前記液吸い戻し領域に面し且つ該液吸い戻し領域の容積を変更可能に動作する弁体部と、前記弁体部を動作させる駆動機構と、を有し、前記駆動機構は、容器部と、前記容器部内の空間を第1領域と第2領域とに仕切っている仕切り部と、前記仕切り部と前記弁体部とを連結している連結部と、を有し、前記発動部は、前記第1領域へ気体を供給して前記仕切り部を動作させることで、前記連結部を介して前記液吸い戻し領域の容積が縮小するように前記弁体部を動作させるとともに、前記第1領域から気体を排出させて前記仕切り部を動作させることで、前記連結部を介して前記液吸い戻し領域の容積が拡大するように前記弁体部を動作させて前記吸い戻しバルブに前記液吸い戻し動作を実行させ、前記制御部は、前記トリガ信号を出力することで前記発動部によって前記第1領域からの気体の排出を開始させ、前記一部の領域は、前記第1領域を含み、前記動作速度に係る設定は、前記発動部による前記第1領域からの気体の排出の速度を調整する設定を含む。
の態様に係る基板処理装置は、第の態様に係る基板処理装置であって、前記発動部は、前記制御部による前記トリガ信号の出力に応答して、前記吐出バルブを閉鎖する閉鎖動作と、前記吸い戻しバルブによる前記液吸い戻し動作と、を開始させ、前記吸い戻しバルブは、前記特定部分または前記分岐配管部分の途中部分に設けられ、前記ノズルおよび前記配管部のうちの前記ノズルから前記吐出バルブにかけた領域に存在している前記処理液を吸い戻す液吸い戻し経路を開閉し、前記動作速度は、前記吸い戻しバルブによって前記液吸い戻し経路を開放する速度を含む。
10の態様に係る基板処理装置は、第の態様に係る基板処理装置であって、前記吸い戻しバルブは、前記液吸い戻し経路を開閉する弁体部と、前記弁体部を動作させる駆動機構と、を有し、前記駆動機構は、容器部と、前記容器内の空間を第1領域と第2領域とに仕切っている仕切り部と、前記仕切り部と前記弁体部とを連結している連結部と、を有し、前記発動部は、前記第1領域への気体の供給および前記第1領域からの気体の排出によって前記仕切り部を動作させることで、前記連結部を介して前記弁体部を動作させ、前記制御部は、前記トリガ信号を出力することで前記発動部によって前記弁体部の動作による液吸い戻し経路の開放を開始させることで前記吸い戻しを開始させ、前記動作速度に係る設定は、前記発動部による前記第1領域への気体の供給の速度または前記第1領域からの気体の排出の速度を調整する設定を含む。
11の態様に係る基板処理装置は、第の態様に係る基板処理装置であって、前記吸い戻しバルブは、前記液吸い戻し経路を開閉する弁体部を有し、前記発動部は、前記吸い戻しバルブに駆動力を付与するモータを含み、前記制御部は、前記トリガ信号を出力することで前記モータによって前記吸い戻しバルブによる前記液吸い戻し経路の開放を開始させることで前記吸い戻しを開始させ、前記動作速度に係る設定は、前記モータによる前記吸い戻しバルブの開放の速度を調整する設定を含む。
12の態様に係る基板処理装置は、第の態様に係る基板処理装置であって、前記発動部は、前記吐出バルブによって前記液供給経路を開閉させる駆動力を前記吐出バルブに付与し、前記制御部は、前記トリガ信号を出力することで前記発動部によって前記吐出バルブによる前記液供給経路の開放を開始させ、前記動作速度は、前記吐出バルブによる前記液供給経路の開放の速度を含む。
13の態様に係る基板処理装置は、第12の態様に係る基板処理装置であって、前記発動部は、前記吐出バルブによって前記液供給経路を開閉させる駆動力を前記吐出バルブに付与するモータを含み、前記制御部は、前記トリガ信号を出力することで前記モータによって前記吐出バルブによる前記液供給経路の開放を開始させ、前記動作速度に係る設定は、前記モータによる前記吐出バルブの開放の速度を調整する設定を含む。
14の態様に係る基板処理装置は、第12の態様に係る基板処理装置であって、前記吐出バルブは、前記液供給経路を開閉する弁体部と、前記弁体部を動作させる駆動機構と、を有し、前記駆動機構は、容器部と、前記容器部内の空間を第1領域と第2領域とに仕切っている仕切り部と、前記仕切り部と前記弁体部とを連結している連結部と、を有し、前記発動部は、前記第1領域への気体の供給および前記第1領域からの気体の排出によって前記仕切り部を動作させることで、前記連結部を介して前記弁体部を動作させ、前記制御部は、前記トリガ信号を出力することで前記発動部によって前記弁体部による前記液供給経路の開放を開始させ、前記動作速度に係る設定は、前記発動部による前記第1領域への気体の供給の速度または前記第1領域からの気体の排出の速度を調整する設定を含む。
15の態様に係る基板処理装置は、第の態様に係る基板処理装置であって、前記発動部は、前記吐出バルブによって前記液供給経路を開閉させる駆動力を前記吐出バルブに付与し、前記制御部は、前記トリガ信号を出力することで前記発動部によって前記吐出バルブによる前記液供給経路の閉鎖を開始させ、前記動作速度に係る設定は、前記吐出バルブによる前記液供給経路の閉鎖の速度を調整する設定を含む。
16の態様に係る基板処理装置は、第15の態様に係る基板処理装置であって、前記吐出バルブは、前記液供給経路を開閉する弁体部と、前記弁体部を動作させる駆動機構と、を有し、前記駆動機構は、容器部と、前記容器部内の空間を第1領域と第2領域とに仕切っている仕切り部と、前記仕切り部と前記弁体部とを連結している連結部と、を有し、前記発動部は、前記第1領域への気体の供給および前記第1領域からの気体の排出によって前記仕切り部を動作させることで、前記連結部を介して前記弁体部を動作させ、前記制御部は、前記トリガ信号を出力することで前記発動部によって前記弁体部による前記液供給経路の閉鎖を開始させ、前記動作速度に係る設定は、前記発動部による前記第1領域への気体の供給の速度または前記第1領域からの気体の排出の速度を調整する設定を含む。
17の態様に係る基板処理装置は、第12から第14の何れか1つの態様に係る基板処理装置であって、前記制御部は、第1トリガ信号を出力することで前記発動部によって前記吐出バルブによる前記液供給経路の開放を開始させ、第2トリガ信号を出力することで前記発動部によって前記吐出バルブによる前記液供給経路の閉鎖を開始させ、前記検知部は、前記配管部のうちの前記吐出バルブから前記ノズルにかけた部分における、前記処理液の到達または流速、あるいは前記吐出バルブの開度に係る第1特定状態を検知するとともに、前記吐出バルブの開度または前記配管部のうちの前記吐出バルブから前記ノズルに向けた前記処理液の流速に係る第2特定状態を検知し、前記制御部は、前記第1トリガ信号を出力した第1開放タイミングから前記検知部が前記第1特定状態を検知した第2開放タイミングまでの実開放動作時間と、予め設定された基準開放動作時間との関係に応じて、前記発動部による前記吐出バルブの開放の速度に係る設定の変更量を算出するとともに、前記第2トリガ信号を出力した第1閉鎖タイミングから前記検知部が前記第2特定状態を検知した第2閉鎖タイミングまでの実閉鎖動作時間と、予め設定された基準閉鎖動作時間との関係に応じて、前記発動部による前記吐出バルブの閉鎖の速度に係る設定の変更量を算出する。
18の態様に係る基板処理装置は、第1、第2、第5および第7から第11の何れか1つの態様に係る基板処理装置であって、前記トリガ信号が出力されるタイミングから前記特定状態が実現されるタイミングまでの時間と、前記発動部による前記吸い戻しバルブの動作の速度に係る設定値との間における基準の関係を示す基準関係情報を記憶する記憶部、をさらに備え、前記制御部は、前記基準の関係における、前記基準動作時間と前記実動作時間との差に対応する設定値のズレ量に応じて、前記発動部による前記吸い戻しバルブの動作の速度に係る設定の変更量を算出する。
第19の態様に係る基板処理装置は、第3、第4、第6および第12から第17の何れか1つの態様に係る基板処理装置であって、前記トリガ信号が出力されるタイミングから前記特定状態が実現されるタイミングまでの時間と、前記発動部による前記吐出バルブの動作の速度に係る設定値との間における基準の関係を示す基準関係情報を記憶する記憶部、をさらに備え、前記制御部は、前記基準の関係における、前記基準動作時間と前記実動作時間との差に対応する設定値のズレ量に応じて、前記発動部による前記吐出バルブの動作の速度に係る設定の変更量を算出する。
20の態様に係る基板処理装置は、第1、第2、第5および第7から第11の何れか1つの態様に係る基板処理装置であって、前記トリガ信号が出力されるタイミングから前記特定状態が実現されるタイミングまでの時間と、前記発動部による前記吸い戻しバルブの動作の速度に係る設定値との間における比例または反比例の関係を示す情報を記憶する記憶部、をさらに備え、前記制御部は、前記比例または前記反比例の関係における、前記基準動作時間と前記実動作時間との差に対応する前記設定値のズレ量に応じて、前記発動部による前記吸い戻しバルブの動作の速度に係る設定の変更量を算出する。
第21の態様に係る基板処理装置は、第3、第4、第6および第12から第17の何れか1つの態様に係る基板処理装置であって、前記トリガ信号が出力されるタイミングから前記特定状態が実現されるタイミングまでの時間と、前記発動部による前記吐出バルブの動作の速度に係る設定値との間における比例または反比例の関係を示す情報を記憶する記憶部、をさらに備え、前記制御部は、前記比例または前記反比例の関係における、前記基準動作時間と前記実動作時間との差に対応する前記設定値のズレ量に応じて、前記発動部による前記吐出バルブの動作の速度に係る設定の変更量を算出する。
22の態様に係る基板処理装置は、第1、第2、第5および第7から第11の何れか1つの態様に係る基板処理装置であって、前記制御部は、前記基準動作時間よりも前記実動作時間が短ければ、前記発動部による前記吸い戻しバルブの動作の速度が小さくなるような前記変更量を算出し、前記基準動作時間よりも前記実動作時間が長ければ、前記発動部による前記吸い戻しバルブの動作の速度が大きくなるような前記変更量を算出する。
第23の態様に係る基板処理装置は、第3、第4、第6および第12から第17の何れか1つの態様に係る基板処理装置であって、前記制御部は、前記基準動作時間よりも前記実動作時間が短ければ、前記発動部による前記吐出バルブの動作の速度が小さくなるような前記変更量を算出し、前記基準動作時間よりも前記実動作時間が長ければ、前記発動部による前記吐出バルブの動作の速度が大きくなるような前記変更量を算出する。
24の態様に係る基板処理装置は、基板に向けて処理液を吐出するノズルと、前記ノズルにつながった前記処理液の流路を形成する配管部と、前記配管部の途中部分に設けられ、前記ノズルに対して前記処理液を供給する液供給経路を開閉する吐出バルブと、前記配管部のうちの前記吐出バルブと前記ノズルとの間の特定部分または該特定部分から分岐した分岐配管部分に設けられた、少なくとも前記ノズルにおける前記処理液を吸い戻す液吸い戻し動作を行う吸い戻しバルブと、前記吐出バルブおよび前記吸い戻しバルブのそれぞれを動作させる駆動力を前記吐出バルブおよび前記吸い戻しバルブに付与する発動部と、トリガ信号を出力することで前記発動部によって前記吐出バルブおよび前記吸い戻しバルブのそれぞれを動作させる制御部と、第1特定状態を検知する第1検知部と、第2特定状態を検知する第2検知部と、を備え、前記制御部は、前記第1検知部が前記第1特定状態を検知した第1タイミングから前記第2検知部が前記第2特定状態を検知した第2タイミングまでの実動作時間と、予め設定された基準動作時間との関係に応じて、前記発動部による前記吸い戻しバルブの動作の速度に係る設定の変更量を算出し、前記第1特定状態は、前記吐出バルブの開度に係る特定状態、または前記配管部のうちの前記吐出バルブと前記ノズルとの間における前記処理液の流速が特定の流速に到達した状態、を含み、前記第2特定状態は、前記吸い戻しバルブの開度に係る特定開度状態、前記分岐配管部分の特定位置まで前記処理液の液面が到達した特定吸い戻し状態、または前記分岐配管部分の特定位置における前記処理液の流速が特定の流速に到達した状態、を含む
第25の態様に係る基板処理装置は、基板に向けて処理液を吐出するノズルと、前記ノズルにつながった前記処理液の流路を形成する配管部と、前記配管部の途中部分に設けられ、前記ノズルに対して前記処理液を供給する液供給経路を開閉する吐出バルブと、前記配管部のうちの前記吐出バルブと前記ノズルとの間の特定部分または該特定部分から分岐した分岐配管部分に設けられた、少なくとも前記ノズルにおける前記処理液を吸い戻す液吸い戻し動作を行う吸い戻しバルブと、前記吐出バルブおよび前記吸い戻しバルブのそれぞれを動作させる駆動力を前記吐出バルブおよび前記吸い戻しバルブに付与する発動部と、トリガ信号を出力することで前記発動部によって前記吐出バルブおよび前記吸い戻しバルブのそれぞれを動作させる制御部と、第1特定状態を検知する第1検知部と、第2特定状態を検知する第2検知部と、を備え、前記制御部は、前記第1検知部が前記第1特定状態を検知した第1タイミングから前記第2検知部が前記第2特定状態を検知した第2タイミングまでの実動作時間と、予め設定された基準動作時間との関係に応じて、前記発動部による前記吸い戻しバルブの動作の速度に係る設定の変更量を算出し、前記第1特定状態は、前記吐出バルブの開度に係る特定状態、または前記配管部のうちの前記吐出バルブと前記ノズルとの間における前記処理液の流速が特定の流速に到達した状態、を含み、前記第2特定状態は、前記吸い戻しバルブの一部の領域の気圧が基準圧に到達した基準圧到達状態、を含む。
26の態様に係る基板処理装置は、第24または25の態様に係る基板処理装置であって、前記制御部は、前記変更量に応じて、前記発動部による前記吸い戻しバルブの動作の速度に係る設定を変更する。
27の態様に係る基板処理装置は、第25の態様に係る基板処理装置であって、前記吸い戻しバルブは、前記配管部内の前記液供給経路に連通している液吸い戻し領域を形成する弁箱部と、前記液吸い戻し領域に面し且つ該液吸い戻し領域の容積を変更可能に動作する弁体部と、前記弁体部を動作させる駆動機構と、を有し、前記駆動機構は、容器部と、前記容器部内の空間を第1領域と第2領域とに仕切っている仕切り部と、前記仕切り部と前記弁体部とを連結している連結部と、を有し、前記発動部は、前記第1領域へ気体を供給して前記仕切り部を動作させることで、前記連結部を介して前記液吸い戻し領域の容積が縮小するように前記弁体部を動作させるとともに、前記第1領域から気体を排出させて前記仕切り部を動作させることで、前記連結部を介して前記液吸い戻し領域の容積が拡大するように前記弁体部を動作させて前記吸い戻しバルブに前記液吸い戻し動作を実行させ、前記一部の領域は、前記第1領域を含み、前記制御部は、前記第1タイミングから前記検知部が前記基準圧到達状態を検知した前記第2タイミングまでの実動作時間と、予め設定された基準動作時間との関係に応じて、前記発動部による前記第1領域からの気体の排出の速度を調整する設定の変更量を算出する。
28の態様に係る基板処理装置は、第24から第27の何れか1つの態様に係る基板処理装置であって、前記第1特定状態が実現されるタイミングから前記第2特定状態が実現されるタイミングまでの時間と、前記発動部による前記吸い戻しバルブの動作の速度に係る設定値との間における基準の関係を示す基準関係情報を記憶する記憶部、をさらに備え、前記制御部は、前記基準の関係における、前記基準動作時間と前記実動作時間との差に対応する設定値のズレ量に応じて、前記発動部による前記吸い戻しバルブの動作の速度に係る設定の変更量を算出する。
29の態様に係る基板処理装置は、第24から第27の何れか1つの態様に係る基板処理装置であって、前記第1特定状態が実現されるタイミングから前記第2特定状態が実現されるタイミングまでの時間と、前記発動部による前記吸い戻しバルブの動作の速度に係る設定値と、の間における比例または反比例の関係を示す情報を記憶する記憶部、をさらに備え、前記制御部は、前記比例または反比例の関係における、前記基準動作時間と前記実動作時間との差に対応する前記設定値のズレ量に応じて、前記発動部による前記吸い戻しバルブの動作の速度に係る設定の変更量を算出する。
30の態様に係る基板処理装置は、第24から第27の何れか1つの態様に係る基板処理装置であって、前記制御部は、前記基準動作時間よりも前記実動作時間が短ければ、前記発動部による前記吸い戻しバルブの動作の速度が小さくなるような前記変更量を算出し、前記基準動作時間よりも前記実動作時間が長ければ、前記発動部による前記吸い戻しバルブの動作の速度が大きくなるような前記変更量を算出する。
31の態様に係る基板処理装置の制御方法は、基板に向けて処理液を吐出するノズルと、該ノズルにつながった前記処理液の流路を形成する配管部と、該配管部の途中部分に設けられた複数のバルブと、該複数のバルブを動作させる駆動力を前記複数のバルブに付与する発動部と、制御部と、を備える基板処理装置の制御方法であって、前記複数のバルブは、前記配管部の途中部分に設けられ、前記ノズルに対して前記処理液を供給する液供給経路を開閉する吐出バルブと、前記配管部のうちの前記吐出バルブと前記ノズルとの間の特定部分または該特定部分から分岐した分岐配管部分に設けられた、少なくとも前記ノズルにおける前記処理液を吸い戻す液吸い戻し動作を行う吸い戻しバルブと、を含み、前記制御部によるトリガ信号の出力に応答して、前記発動部によって前記複数のバルブを動作させ始めることで、前記配管部および前記ノズルにおける前記処理液の存在状態を変化させ始める第1工程と、特定状態を検知する第2工程と、前記制御部によって、前記第1工程において前記トリガ信号が出力された第1タイミングから前記第2工程において前記特定状態が検知された第2タイミングまでの前記吸い戻しバルブの実動作時間と、予め設定された基準動作時間との関係に応じて、前記発動部による前記吸い戻しバルブの動作の速度に係る設定の変更量を算出する第3工程と、を有し、前記特定状態は、前記吸い戻しバルブの一部の領域の気圧が基準圧に到達した基準圧到達状態を含む
第32の態様に係る基板処理装置の制御方法は、基板に向けて処理液を吐出するノズルと、該ノズルにつながった前記処理液の流路を形成する配管部と、該配管部の途中部分に設けられた複数のバルブと、該複数のバルブを動作させる駆動力を前記複数のバルブに付与する発動部と、制御部と、を備える基板処理装置の制御方法であって、前記複数のバルブは、前記配管部の途中部分に設けられ、前記ノズルに対して前記処理液を供給する液供給経路を開閉する吐出バルブと、前記配管部のうちの前記吐出バルブと前記ノズルとの間の特定部分または該特定部分から分岐した分岐配管部分に設けられた、少なくとも前記ノズルにおける前記処理液を吸い戻す液吸い戻し動作を行う吸い戻しバルブと、を含み、前記制御部によるトリガ信号の出力に応答して、前記発動部によって前記複数のバルブを動作させ始めることで、前記配管部および前記ノズルにおける前記処理液の存在状態を変化させ始める第1工程と、特定状態を検知する第2工程と、前記制御部によって、前記第1工程において前記トリガ信号が出力された第1タイミングから前記第2工程において前記特定状態が検知された第2タイミングまでの前記吸い戻しバルブの実動作時間と、予め設定された基準動作時間との関係に応じて、前記発動部による前記吸い戻しバルブの動作の速度に係る設定の変更量を算出する第3工程と、を有し、前記特定状態は、前記吸い戻しバルブの開度に係る特定開度状態、前記分岐配管部分の特定位置まで前記処理液の液面が到達した特定吸い戻し状態、または前記分岐配管部分の特定位置における前記処理液の流速が特定の流速に到達した状態、を含む。
第33の態様に係る基板処理装置の制御方法は、基板に向けて処理液を吐出するノズルと、該ノズルにつながった前記処理液の流路を形成する配管部と、該配管部の途中部分に設けられたバルブと、該バルブを動作させる駆動力を前記バルブに付与する発動部と、制御部と、を備える基板処理装置の制御方法であって、前記バルブは、前記配管部の途中部分に設けられ、前記ノズルに対して前記処理液を供給する液供給経路を開閉する吐出バルブを含み、前記制御部によるトリガ信号の出力に応答して、前記発動部によって前記吐出バルブを動作させ始めることで、前記配管部および前記ノズルにおける前記処理液の存在状態を変化させ始める第1工程と、特定状態を検知する第2工程と、前記制御部によって、前記第1工程において前記トリガ信号が出力された第1タイミングから前記第2工程において前記特定状態が検知された第2タイミングまでの前記吐出バルブの実動作時間と、予め設定された基準動作時間との関係に応じて、前記発動部による前記吐出バルブの動作の速度に係る設定の変更量を算出する第3工程と、を有し、前記特定状態は、前記配管部のうちの前記吐出バルブから前記ノズルにかけた部分における、特定位置まで前記処理液が到達した特定給液状態または前記処理液の流速が基準流速に到達した特定流れ状態、あるいは前記吐出バルブの開度に係る特定開度状態、を含む。
第34の態様に係る基板処理装置の制御方法は、基板に向けて処理液を吐出するノズルと、該ノズルにつながった前記処理液の流路を形成する配管部と、該配管部の途中部分に設けられたバルブと、該バルブを動作させる駆動力を前記バルブに付与する発動部と、制御部と、を備える基板処理装置の制御方法であって、前記バルブは、前記配管部の途中部分に設けられ、前記ノズルに対して前記処理液を供給する液供給経路を開閉する吐出バルブを含み、前記制御部によるトリガ信号の出力に応答して、前記発動部によって前記吐出バルブを動作させ始めることで、前記配管部および前記ノズルにおける前記処理液の存在状態を変化させ始める第1工程と、特定状態を検知する第2工程と、前記制御部によって、前記第1工程において前記トリガ信号が出力された第1タイミングから前記第2工程において前記特定状態が検知された第2タイミングまでの前記吐出バルブの実動作時間と、予め設定された基準動作時間との関係に応じて、前記発動部による前記吐出バルブの動作の速度に係る設定の変更量を算出する第3工程と、を有し、前記特定状態は、前記吐出バルブの開度に係る特定開度状態、あるいは前記配管部における前記吐出バルブから前記ノズルに向けた前記処理液の流速が基準流速に到達した特定流れ状態、を含む。
35の態様に係る基板処理装置の制御方法は、第31または第32の態様に係る基板処理装置の制御方法であって、前記第3工程で算出された前記変更量に応じて、前記発動部による前記吸い戻しバルブの動作の速度に係る設定を変更する第4工程、をさらに有する。
第36の態様に係る基板処理装置の制御方法は、第33または第34の態様に係る基板処理装置の制御方法であって、前記第3工程で算出された前記変更量に応じて、前記発動部による前記吐出バルブの動作の速度に係る設定を変更する第4工程、をさらに有する。
37の態様に係る基板処理装置の制御方法は、第31、第32および35の何れか1つの態様に係る基板処理装置の制御方法であって、前記第1工程において、前記発動部によって、前記制御部による前記トリガ信号の出力に応答して、前記吐出バルブを閉鎖する閉鎖動作と、前記吸い戻しバルブによる前記液吸い戻し動作と、を開始させる。
38の態様に係る基板処理装置の制御方法は、第31の態様に係る基板処理装置の制御方法であって、前記第1工程において、前記発動部によって、前記制御部による前記トリガ信号の出力に応答して、前記吐出バルブを閉鎖する閉鎖動作と、前記吸い戻しバルブによる前記液吸い戻し動作と、を開始させ、前記吸い戻しバルブは、前記配管部内の前記液供給経路に連通している液吸い戻し領域を形成する弁箱部と、前記液吸い戻し領域に面し且つ該液吸い戻し領域の容積を変更可能に動作する弁体部と、該弁体部を動作させる駆動機構と、を含み、前記駆動機構は、容器部と、該容器部内の空間を第1領域と第2領域とに仕切っている仕切り部と、該仕切り部と前記弁体部とを連結している連結部と、を含み、前記第1工程において、前記発動部によって、前記制御部による前記トリガ信号の出力に応答して、前記第1領域から気体を排出させて前記仕切り部を動作させることで、前記連結部を介して前記液吸い戻し領域の容積が拡大するように前記弁体部を動作させて前記吸い戻しバルブに前記液吸い戻し動作を開始させ、前記一部の領域は、前記第1領域を含み、前記第3工程において、前記制御部によって、前記実動作時間と前記基準動作時間との関係に応じて、前記発動部による前記第1領域からの気体の排出の速度を調整する設定の変更量を算出する。
39の態様に係る基板処理装置の制御方法は、第32の態様に係る基板処理装置の制御方法であって、前記第1工程において、前記発動部によって、前記制御部による前記トリガ信号の出力に応答して、前記吐出バルブを閉鎖する閉鎖動作と、前記吸い戻しバルブによる前記液吸い戻し動作と、を開始させ、前記吸い戻しバルブは、前記特定部分または前記分岐配管部分の途中部分に設けられており、前記第1工程において、前記発動部によって、前記制御部による前記トリガ信号の出力に応答して、前記吸い戻しバルブに、前記ノズルおよび前記配管部のうちの前記ノズルから前記吐出バルブにかけた領域に存在している前記処理液を吸い戻す液吸い戻し経路を開放させ始め、前記第3工程において、前記制御部によって、前記実動作時間と前記基準動作時間との関係に応じて、前記発動部による前記吸い戻しバルブによる前記液吸い戻し経路の開放の速度に係る設定の変更量を算出する。
40の態様に係る基板処理装置の制御方法は、第33の態様に係る基板処理装置の制御方法であって、前記発動部は、前記吐出バルブによって前記液供給経路を開閉させる駆動力を前記吐出バルブに付与し、前記第1工程において、前記発動部によって、前記制御部による前記トリガ信号の出力に応答して、前記吐出バルブによる前記液供給経路の開放を開始させ、前記第3工程において、前記制御部によって、前記実動作時間と前記基準動作時間との関係に応じて、前記発動部による前記吐出バルブによる前記液供給経路の開放の速度を調整する設定の変更量を算出する。
41の態様に係る基板処理装置の制御方法は、第34の態様に係る基板処理装置の制御方法であって、前記発動部は、前記吐出バルブによって前記液供給経路を開閉させる駆動力を前記吐出バルブに付与し、前記第1工程において、前記発動部によって、前記制御部による前記トリガ信号の出力に応答して、前記吐出バルブによる前記液供給経路の閉鎖を開始させ、前記第3工程において、前記制御部によって、前記実動作時間と前記基準動作時間との関係に応じて、前記発動部による前記吐出バルブによる前記液供給経路の閉鎖の速度を調整する設定の変更量を算出する。
42の態様に係る基板処理装置の制御方法は、第40の態様に係る基板処理装置の制御方法であって、前記第1工程において、前記制御部が第1トリガ信号を出力することで前記発動部によって前記吐出バルブによる前記液供給経路の開放を開始させ、前記第2工程において、前記配管部のうちの前記吐出バルブから前記ノズルにかけた部分における、前記処理液の到達または流速、あるいは前記吐出バルブの開度に係る第1特定状態を検知し、前記第3工程において、前記制御部によって、前記第1工程において前記制御部が前記第1トリガ信号を出力した第1開放タイミングから、前記第2工程において前記第1特定状態を検知した第2開放タイミングまでの実開放動作時間と、予め設定された基準開放動作時間との関係に応じて、前記発動部による前記吐出バルブの開放の速度に係る設定の変更量を算出し、前記基板処理装置の制御方法は、さらに、前記制御部が第2トリガ信号を出力することで前記発動部によって前記吐出バルブによる前記液供給経路の閉鎖を開始させる第5工程と、前記吐出バルブの開度あるいは前記配管部のうちの前記吐出バルブから前記ノズルに向けた前記処理液の流速に係る第2特定状態を検知する第6工程と、前記制御部によって、前記第5工程において前記制御部が前記第2トリガ信号を出力した第1閉鎖タイミングから前記第6工程において前記第2特定状態を検知した第2閉鎖タイミングまでの実閉鎖動作時間と、予め設定された基準閉鎖動作時間との関係に応じて、前記発動部による前記吐出バルブの閉鎖の速度に係る設定の変更量を算出する第7工程と、を有する。
43の態様に係る基板処理装置の制御方法は、第31、第32、第35および第37から第39の何れか1つの態様に係る基板処理装置の制御方法であって、前記第3工程において、前記制御部によって、前記トリガ信号を出力するタイミングから前記特定状態が実現されるタイミングまでの時間と、前記発動部による前記吸い戻しバルブの動作の速度に係る設定値との間における基準の関係における、前記基準動作時間と前記実動作時間との差に対応する設定値のズレ量に応じて、前記発動部による前記吸い戻しバルブの動作の速度に係る設定の変更量を算出する。
第44の態様に係る基板処理装置の制御方法は、第33、第34、第36および第40から第42の何れか1つの態様に係る基板処理装置の制御方法であって、前記第3工程において、前記制御部によって、前記トリガ信号を出力するタイミングから前記特定状態が実現されるタイミングまでの時間と、前記発動部による前記吐出バルブの動作の速度に係る設定値との間における基準の関係における、前記基準動作時間と前記実動作時間との差に対応する設定値のズレ量に応じて、前記発動部による前記吐出バルブの動作の速度に係る設定の変更量を算出する。
45の態様に係る基板処理装置の制御方法は、第31、第32、第35および第37から第39の何れか1つの態様に係る基板処理装置の制御方法であって、前記第3工程において、前記制御部によって、前記トリガ信号を出力するタイミングから前記特定状態が実現されるタイミングまでの時間と、前記発動部による前記吸い戻しバルブの動作の速度に係る設定値との間における比例または反比例の関係における、前記基準動作時間と前記実動作時間との差に対応する前記設定値のズレ量に応じて、前記発動部による前記吸い戻しバルブの動作の速度に係る設定の変更量を算出する。
第46の態様に係る基板処理装置の制御方法は、第33、第34、第36および第40から第42の何れか1つの態様に係る基板処理装置の制御方法であって、前記第3工程において、前記制御部によって、前記トリガ信号を出力するタイミングから前記特定状態が実現されるタイミングまでの時間と、前記発動部による前記吐出バルブの動作の速度に係る設定値との間における比例または反比例の関係における、前記基準動作時間と前記実動作時間との差に対応する前記設定値のズレ量に応じて、前記発動部による前記吐出バルブの動作の速度に係る設定の変更量を算出する。
47の態様に係る基板処理装置の制御方法は、第31、第32、第35および第37から第39の何れか1つの態様に係る基板処理装置の制御方法であって、前記第3工程において、前記制御部によって、前記基準動作時間よりも前記実動作時間が短ければ、前記発動部による前記吸い戻しバルブの動作の速度が小さくなるような前記変更量を算出し、前記基準動作時間よりも前記実動作時間が長ければ、前記発動部による前記吸い戻しバルブの動作の速度が大きくなるような前記変更量を算出する。
第48の態様に係る基板処理装置の制御方法は、第33、第34、第36および第40から第42の何れか1つの態様に係る基板処理装置の制御方法であって、前記第3工程において、前記制御部によって、前記基準動作時間よりも前記実動作時間が短ければ、前記発動部による前記吐出バルブの動作の速度が小さくなるような前記変更量を算出し、前記基準動作時間よりも前記実動作時間が長ければ、前記発動部による前記吐出バルブの動作の速度が大きくなるような前記変更量を算出する。
49の態様に係る基板処理装置の制御方法は、基板に向けて処理液を吐出するノズルと、該ノズルにつながった前記処理液の流路を形成する配管部と、該配管部の途中部分に設けられ、前記ノズルに対して前記処理液を供給する液供給経路を開閉する吐出バルブと、前記配管部のうちの前記吐出バルブと前記ノズルとの間の特定部分または該特定部分から分岐した分岐配管部分に設けられた、少なくとも前記ノズルにおける前記処理液を吸い戻す液吸い戻し動作を行う吸い戻しバルブと、前記吐出バルブおよび前記吸い戻しバルブのそれぞれを動作させる駆動力を前記吐出バルブおよび前記吸い戻しバルブのそれぞれに付与する発動部と、制御部と、を有する基板処理装置の制御方法であって、前記発動部によって、前記制御部によるトリガ信号の出力に応答して、前記吐出バルブおよび前記吸い戻しバルブのそれぞれを動作させ始める第1工程と、第1特定状態を検知する第2工程と、第2特定状態を検知する第3工程と、前記制御部によって、前記第2工程で前記第1特定状態を検知した第1タイミングから前記第3工程で前記第2特定状態を検知した第2タイミングまでの実動作時間と、予め設定された基準動作時間との関係に応じて、前記発動部による前記吸い戻しバルブの動作の速度に係る設定の変更量を算出する第4工程と、を有し、前記第1特定状態は、前記吐出バルブの開度に係る特定状態、または前記配管部のうちの前記吐出バルブと前記ノズルとの間における前記処理液の流速が特定の流速に到達した状態、を含み、前記第2特定状態は、前記吸い戻しバルブの開度に係る特定開度状態、前記分岐配管部分の特定位置まで前記処理液の液面が到達した特定吸い戻し状態、または前記分岐配管部分の特定位置における前記処理液の流速が特定の流速に到達した状態、を含む
第50の態様に係る基板処理装置の制御方法は、基板に向けて処理液を吐出するノズルと、該ノズルにつながった前記処理液の流路を形成する配管部と、該配管部の途中部分に設けられ、前記ノズルに対して前記処理液を供給する液供給経路を開閉する吐出バルブと、前記配管部のうちの前記吐出バルブと前記ノズルとの間の特定部分または該特定部分から分岐した分岐配管部分に設けられた、少なくとも前記ノズルにおける前記処理液を吸い戻す液吸い戻し動作を行う吸い戻しバルブと、前記吐出バルブおよび前記吸い戻しバルブのそれぞれを動作させる駆動力を前記吐出バルブおよび前記吸い戻しバルブのそれぞれに付与する発動部と、制御部と、を有する基板処理装置の制御方法であって、前記発動部によって、前記制御部によるトリガ信号の出力に応答して、前記吐出バルブおよび前記吸い戻しバルブのそれぞれを動作させ始める第1工程と、第1特定状態を検知する第2工程と、第2特定状態を検知する第3工程と、前記制御部によって、前記第2工程で前記第1特定状態を検知した第1タイミングから前記第3工程で前記第2特定状態を検知した第2タイミングまでの実動作時間と、予め設定された基準動作時間との関係に応じて、前記発動部による前記吸い戻しバルブの動作の速度に係る設定の変更量を算出する第4工程と、を有し、前記第1特定状態は、前記吐出バルブの開度に係る特定状態、または前記配管部のうちの前記吐出バルブと前記ノズルとの間における前記処理液の流速が特定の流速に到達した状態、を含み、前記第2特定状態は、前記吸い戻しバルブの一部の領域の気圧が基準圧に到達した基準圧到達状態、を含む。
51の態様に係る基板処理装置の制御方法は、第49または50の態様に係る基板処理装置の制御方法であって、前記制御部によって、前記第4工程において算出された前記変更量に応じて、前記発動部による前記吸い戻しバルブの動作の速度に係る設定を変更する第5工程、をさらに有する。
52の態様に係る基板処理装置の制御方法は、第50の態様に係る基板処理装置の制御方法であって、前記吸い戻しバルブは、前記配管部内の前記液供給経路に連通している液吸い戻し領域を形成する弁箱部と、前記液吸い戻し領域に面し且つ該液吸い戻し領域の容積を変更可能に動作する弁体部と、該弁体部を動作させる駆動機構と、を有し、前記駆動機構は、容器部と、該容器部内の空間を第1領域と第2領域とに仕切っている仕切り部と、該仕切り部と前記弁体部とを連結している連結部と、を有し、前記第1工程において、前記発動部によって、前記制御部によるトリガ信号の出力に応答して、前記第1領域から気体を排出させて前記仕切り部を動作させ始めることで、前記連結部を介して前記液吸い戻し領域の容積が拡大するように前記弁体部を動作させ始めて前記吸い戻しバルブに前記液吸い戻し動作を実行させ始め、前記一部の領域は、前記第1領域を含み、前記第4工程において、前記制御部によって、前記実動作時間と予め設定された基準動作時間との関係に応じて、前記発動部による前記第1領域からの気体の排出の速度を調整する設定の変更量を算出する。
53の態様に係る基板処理装置の制御方法は、第49から第52の何れか1つの態様に係る基板処理装置の制御方法であって、前記第4工程において、前記制御部によって、前記第1特定状態が実現されるタイミングから第2特定状態が実現されるタイミングまでの時間と、前記発動部による前記吸い戻しバルブの動作の速度に係る設定値との間についての基準の関係における、前記基準動作時間と前記実動作時間との差に対応する設定値のズレ量に応じて、前記発動部による前記吸い戻しバルブの動作の速度に係る設定の変更量を算出する。
54の態様に係る基板処理装置の制御方法は、第49から第52の何れか1つの態様に係る基板処理装置の制御方法であって、前記第4工程において、前記制御部によって、前記第1特定状態が実現されるタイミングから第2特定状態が実現されるタイミングまでの時間と、前記発動部による前記吸い戻しバルブの動作の速度に係る設定値と、の間についての比例または反比例の関係における、前記基準動作時間と前記実動作時間との差に対応する設定値のズレ量に応じて、前記発動部による前記吸い戻しバルブの動作の速度に係る設定の変更量を算出する。
55の態様に係る基板処理装置の制御方法は、第49から第52の何れか1つの態様に係る基板処理装置の制御方法であって、前記第4工程において、前記制御部によって、前記基準動作時間よりも前記実動作時間が短ければ、前記発動部による前記吸い戻しバルブの動作の速度が小さくなるような前記変更量を算出し、前記基準動作時間よりも前記実動作時間が長ければ、前記発動部による前記バルブの動作の速度が大きくなるような前記変更量を算出する。
56の態様に係るプログラムは、基板処理装置に含まれる演算処理部によって実行されることで、該基板処理装置を、第1から第30の何れか1つの態様に係る基板処理装置として機能させる。
第1から第23の態様に係る基板処理装置および第31から第48の態様に係る基板処理装置の制御方法の何れによっても、例えば、ノズルにつながっている配管部の途中に設けられたバルブを動作させる信号が出力されたタイミングから、特定状態が検知された第2タイミングまでの実動作時間と、基準動作時間との関係に応じて、バルブの動作速度に係る設定の変更量が算出される。これにより、例えば、バルブの動作環境に変化が生じても、次回以降の基板処理では、ノズルから基板に対する処理液の吐出における不具合の発生を比較的簡易な構成で抑制することができる。
から第11の態様に係る基板処理装置および第37から第39の態様に係る基板処理装置の制御方法の何れによっても、例えば、吸い戻しバルブの動作環境に変化が生じても、次回以降の基板処理では、ノズルから基板に対する処理液のボタ落ちの発生を比較的簡易な構成で抑制することができる。
12から第14の態様に係る基板処理装置および第40の態様に係る基板処理装置の制御方法の何れによっても、例えば、吐出バルブの動作環境に変化が生じても、次回以降の基板処理では、ノズルから基板に対する処理液の吐出におけるスプラッシュの発生を比較的簡易な構成で抑制することができる。
15および第16の態様に係る基板処理装置ならびに第41の態様に係る基板処理装置の制御方法の何れによっても、例えば、吐出バルブの動作環境に変化が生じても、次回以降の基板処理では、ノズルから基板に対するウォーターハンマーによる処理液のボタ落ちの発生を比較的簡易な構成で抑制することができる。
17の態様に係る基板処理装置および第42の態様に係る基板処理装置の制御方法の何れによっても、例えば、吐出バルブの動作環境に変化が生じても、次回以降の基板処理では、ノズルから基板に対する処理液の吐出におけるスプラッシュおよびウォーターハンマーによる処理液のボタ落ちの発生の両方を比較的簡易な構成で抑制することができる。
18および第19の態様に係る基板処理装置ならびに43および第44の態様に係る基板処理装置の制御方法の何れによっても、例えば、バルブの動作時間とバルブの動作速度に係る設定値との間における基準の関係と、実測されたバルブの実動作時間とに基づいて、バルブの動作速度に係る設定の変更量が算出されるため、ノズルから基板に対する処理液の吐出における不具合の発生を容易に抑制することができる。
20および第21の態様に係る基板処理装置ならびに45および第46の態様に係る基板処理装置の制御方法の何れによっても、例えば、バルブの動作時間とバルブの動作速度に係る設定値との間における比例または反比例の関係と、実測されたバルブの実動作時間とに基づいて、バルブの動作速度に係る設定の変更量が算出されるため、ノズルから基板に対する処理液の吐出における不具合の発生を容易に抑制することができる。
22および第23の態様に係る基板処理装置ならびに47および第48の態様に係る基板処理装置の制御方法の何れによっても、例えば、基準動作時間よりも実動作時間が短ければ、発動部によるバルブの動作の速度が小さくなるような変更量が算出され、基準動作時間よりも実動作時間が長ければ、発動部によるバルブの動作の速度が大きくなるような変更量が算出されるため、ノズルから基板に対する処理液の吐出における不具合の発生を容易に抑制することができる。
24から第30の態様に係る基板処理装置および第49から第55の態様に係る基板処理装置の制御方法の何れによっても、例えば、吐出バルブの開度に係る第1特定状態が検知されたタイミングから、第2特定状態が検知されたタイミングまでの吸い戻しバルブの実動作時間と、基準動作時間との関係に応じて、吸い戻しバルブの動作速度に係る設定の変更量が算出される。これにより、例えば、吸い戻しバルブの動作環境に変化が生じても、次回以降の基板処理では、ノズルから基板に対する処理液の吐出における不具合の発生を比較的簡易な構成で抑制することができる。
27の態様に係る基板処理装置および第52の態様に係る基板処理装置の制御方法の何れによっても、例えば、吸い戻しバルブの動作環境に変化が生じても、次回以降の基板処理では、ノズルから基板に対する処理液のボタ落ちの発生を比較的簡易な構成で抑制することができる。
28の態様に係る基板処理装置および第53の態様に係る基板処理装置の制御方法の何れによっても、例えば、吸い戻しバルブの動作時間と吸い戻しバルブの動作速度に係る設定値との間における基準の関係と、実測された吸い戻しバルブの実動作時間とに基づいて、吸い戻しバルブの動作速度に係る設定の変更量が算出されるため、ノズルから基板に対する処理液の吐出における不具合の発生を容易に抑制することができる。
29の態様に係る基板処理装置および第54の態様に係る基板処理装置の制御方法の何れによっても、例えば、吸い戻しバルブの動作時間と吸い戻しバルブの動作速度に係る設定値との間における比例または反比例の関係と、実測された吸い戻しバルブの実動作時間とに基づいて、吸い戻しバルブの動作速度に係る設定の変更量が算出されるため、ノズルから基板に対する処理液の吐出における不具合の発生を容易に抑制することができる。
30の態様に係る基板処理装置および第55の態様に係る基板処理装置の制御方法の何れによっても、例えば、基準動作時間よりも実動作時間が短ければ、発動部による吸い戻しバルブの動作の速度が小さくなるような変更量が算出され、基準動作時間よりも実動作時間が長ければ、発動部による吸い戻しバルブの動作の速度が大きくなるような変更量が算出される。このため、ノズルから基板に対する処理液の吐出における不具合の発生を容易に抑制することができる。
56の態様に係るプログラムによれば、例えば、バルブの動作環境に変化が生じても、次回以降の基板処理では、ノズルから基板に対する処理液の吐出における不具合の発生を比較的簡易な構成で抑制することができる。
各実施形態に係る基板処理装置の全体構成の一例を模式的に示す図である。 第1実施形態に係る処理ユニットの一構成例を模式的に示す図である。 エアオペレートバルブの一例を模式的に示す断面図である。 タイヤフラム型のサックバックバルブの一例を模式的に示す断面図である。 第1制御部および第2制御部の機能的な構成の一例を示すブロック図である。 制御対象のバルブの動作時間とスピードコントローラの流量制御弁の開度を変更するモータの位置との基準の関係の一例を示すグラフである。 制御対象のバルブの動作時間とスピードコントローラの流量制御弁の開度を変更するモータの位置との基準の関係の一例を示すテーブルである。 第1実施形態に係る処理ユニットの制御フローの一例を示す流れ図である。 第2実施形態に係る処理ユニットの一構成例を模式的に示す図である。 第1検知部の一例を模式的に示す断面図である。 第2実施形態に係る処理ユニットの制御フローの一例を示す流れ図である。 第3実施形態に係る処理ユニットの一構成例を模式的に示す図である。 第4実施形態に係る処理ユニットの一構成例を模式的に示す図である。 第5実施形態に係る処理ユニットの一構成例を模式的に示す図である。 モータニードルバルブの一例を模式的に示す断面図である。 第6実施形態に係る処理ユニットの一構成例を模式的に示す図である。 第6実施形態に係る処理ユニットの制御フローの一例を示す流れ図である。 第7実施形態に係る処理ユニットの一構成例を模式的に示す図である。 第8実施形態に係る処理ユニットの一構成例を模式的に示す図である。 第8実施形態に係る処理ユニットの制御フローの一例を示す流れ図である。 第9実施形態に係る処理ユニットの一構成例を模式的に示す図である。 第9実施形態に係る処理ユニットの制御フローの一例を示す流れ図である。 一変形例に係る処理ユニットの一構成例を模式的に示す図である。 サックバックの不良の一例を模式的に示す図である。 処理液の吐出停止時におけるウォーターハンマーによる処理液のボタ落ちの一例を模式的に示す図である。 処理液の吐出開始時におけるスプラッシュの一例を模式的に示す図である。
以下、本発明の各実施形態を図面に基づいて説明する。図面においては同様な構成および機能を有する部分については同じ符号が付されており、下記説明では重複説明が省略される。また、図面は模式的に示されたものであり、各図における各種構造のサイズおよび位置関係等は正確に図示されたものではない。
<1.第1実施形態>
<1−1.基板処理装置の概略構成>
図1は、第1実施形態に係る基板処理装置1の概略構成の一例を示す模式的な平面図である。基板処理装置1は、例えば、基板Wの一例としての半導体基板(ウエハ)の表面に対して処理液を供給することで各種処理を行うことができる枚葉式の装置である。各種処理には、例えば、薬液等でエッチングを施す薬液処理、液体で汚れを除去する洗浄処理、水で洗い流すリンス処理およびレジスト等を塗布する塗布処理等が含まれる。
基板処理装置1は、収容器としての複数のキャリアCを保持する収容器保持機構としてのロードポートLPと、基板Wを処理する複数(この実施形態では、12台)の処理ユニット100と、を含む。具体的には、例えば、平面的に配置されている4台の処理ユニット100でそれぞれ構成されている3組の処理ユニット100が、上下方向に積層するように配置されている。
基板処理装置1は、さらに、例えば、インデクサロボットIRと、センターロボットCRと、第1制御部91と、を含む。インデクサロボットIRは、例えば、ロードポートLPとセンターロボットCRとの間で基板Wを搬送することができる。センターロボットCRは、例えば、インデクサロボットIRと各処理ユニット100との間で基板Wを搬送することができる。第1制御部91は、例えば、基板処理装置1に備えられた各部の動作およびバルブの開閉等を制御することができる。
ここでは、図1で示されるように、ロードポートLPと各処理ユニット100とは、水平方向に間隔を空けて配置されている。ロードポートLPにおいて、複数枚の基板Wを収容する複数のキャリアCは、平面視したときに水平な配列方向Dに沿って配列されている。ここで、インデクサロボットIRは、例えば、キャリアCからセンターロボットCRに複数枚の基板Wを一枚ずつ搬送することができるとともに、センターロボットCRからキャリアCに複数枚の基板Wを一枚ずつ搬送することができる。同様に、センターロボットCRは、例えば、インデクサロボットIRから各処理ユニット100に複数枚の基板Wを一枚ずつ搬入することができるとともに、各処理ユニット100からインデクサロボットIRに複数枚の基板Wを一枚ずつ搬送することができる。また、例えば、センターロボットCRは、必要に応じて複数の処理ユニット100の間において基板Wを搬送することができる。
図1の例では、インデクサロボットIRは、平面視U字状の2つのハンドHを有している。2つのハンドHは、異なる高さに配置されている。各ハンドHは、基板Wを水平な姿勢で支持することができる。インデクサロボットIRは、ハンドHを水平方向および鉛直方向に移動させることができる。さらに、インデクサロボットIRは、鉛直方向に沿った軸を中心として回転(自転)することで、ハンドHの向きを変更することができる。インデクサロボットIRは、受渡位置(図1でインデクサロボットIRが描かれている位置)を通る経路において配列方向Dに沿って移動する。受渡位置は、平面視したときにインデクサロボットIRとセンターロボットCRとが配列方向Dに直交する方向において対向する位置である。インデクサロボットIRは、任意のキャリアCおよびセンターロボットCRにそれぞれハンドHを対向させることができる。ここで、例えば、インデクサロボットIRは、ハンドHを移動させることにより、キャリアCに基板Wを搬入する搬入動作と、キャリアCから基板Wを搬出する搬出動作と、を行うことができる。また、例えば、インデクサロボットIRは、センターロボットCRと協働して、インデクサロボットIRおよびセンターロボットCRの一方から他方に基板Wを移動させる受渡動作を受渡位置で行うことができる。
図1の例では、センターロボットCRは、インデクサロボットIRと同様に、平面視U字状の2つのハンドHを有している。2つのハンドHは、異なる高さに配置されている。各ハンドHは、基板Wを水平な姿勢で支持することができる。センターロボットCRは、各ハンドHを水平方向および鉛直方向に移動させることができる。さらに、センターロボットCRは、鉛直方向に沿った軸を中心として回転(自転)することで、ハンドHの向きを変更することができる。センターロボットCRは、平面視したときに、複数台の処理ユニット100に取り囲まれている。センターロボットCRは、任意の処理ユニット100およびインデクサロボットIRの何れかにハンドHを対向させることができる。ここで、例えば、センターロボットCRは、ハンドHを移動させることにより、各処理ユニット100に基板Wを搬入する搬入動作と、各処理ユニット100から基板Wを搬出する搬出動作と、を行うことができる。また、例えば、センターロボットCRは、インデクサロボットIRと協働して、インデクサロボットIRおよびセンターロボットCRの一方から他方に基板Wを移動させる受渡動作を行うことができる。
<1−2.処理ユニットの構成>
図2は、第1実施形態に係る処理ユニット100の一構成例を模式的に示す図である。処理ユニット100は、例えば、平面内で回転している基板Wの一主面上(上面ともいう)Us1に処理液Lq1を供給することで、基板Wの上面Us1に対して各種処理を施すことができる。処理液Lq1には、例えば、粘度が比較的低い水または薬液あるいは粘度が比較的高い有機系のレジストまたはペースト等、流動性を有する液体一般が適用される。
図2で示されるように、処理ユニット100は、例えば、保持部3と、回転機構4と、処理液供給系5と、第2制御部92と、を備えている。第2制御部92は、第1制御部91とともに、制御部9を構成する。
<1−2−1.保持部>
保持部3は、例えば、基板Wを略水平姿勢で保持して回転させることができる。保持部3には、例えば、基板Wの上面Us1の逆の他の一主面(下面ともいう)Bs1を真空吸着可能な上面3ufを有する真空チャック、または基板Wの周縁部を挟持可能な複数個のチャックピンを有する挟持式のチャック等が適用される。
<1−2−2.回転機構>
回転機構4は、保持部3を回転させることができる。回転機構4には、例えば、上端部に保持部3が連結されて鉛直方向に沿って延在している回転支軸4sと、該回転支軸4sを鉛直方向に沿った仮想的な回転軸Ax1を中心として回転させることが可能なモータ等を有する回転駆動部4mと、を有する構成が適用される。ここでは、例えば、回転駆動部4mによって回転支軸4sが回転軸Ax1を中心として回転されることで、保持部3が略水平面内で回転される。これにより、例えば、保持部3上に保持されている基板Wが、回転軸Ax1を中心として回転される。ここで、基板Wの上面Us1および下面Bs1が略円形であれば、回転軸Ax1は、例えば、基板Wの上面Us1および下面Bs1の中心を通る。回転駆動部4mによる回転支軸4sの回転、すなわち保持部3および基板Wの回転の有無および速度は、例えば、第1制御部91および第2制御部92を含む制御部9によって制御される。
<1−2−3.処理液供給系>
処理液供給系5は、ノズルNz1と、処理液用の配管部P1と、ガス用の配管部P2と、吐出バルブ51と、吸い戻しバルブ52と、発動部53と、検知部55と、を備えている。
<1−2−3−1.ノズル>
ノズルNz1は、保持部3に保持された基板Wに向けて処理液Lq1を吐出することができる。例えば、処理液Lq1が、リンス水または薬液である場合には、ノズルNz1としては、連続流の状態で処理液Lq1を吐出するストレートノズルが採用され得る。なお、処理ユニット100の隔壁で区画された処理室(チャンバー)2(図1参照)内には、例えば、少なくともノズルNz1と保持部3とが配置されていればよい。
<1−2−3−2.処理液用の配管部>
処理液用の配管部P1は、ノズルNz1につながっており、処理液Lq1が流れる経路(流路ともいう)を形成している。図2の例では、配管部P1は、第1配管部分P1aと、第2配管部分P1bと、第3配管部分P1cと、を含んでいる。第1配管部分P1aは、処理ユニット100に対して処理液Lq1を供給する液供給部7と吐出バルブ51とをつないでいる。液供給部7は、例えば、基板処理装置1の外部に設けられ、処理液Lq1を貯留するタンクと、該タンクから処理液Lq1を基板処理装置1の第1配管部分P1aに向けて送給するポンプと、を有する。第2配管部分P1bは、吐出バルブ51と吸い戻しバルブ52とをつないでいる。第3配管部分P1cは、吸い戻しバルブ52とノズルNz1とをつないでいる。
<1−2−3−3.ガス用の配管部>
ガス用の配管部P2は、発動部53と吐出バルブ51とをつないでいるとともに、発動部53と吸い戻しバルブ52とをつないでいる。そして、配管部P2は、発動部53と吐出バルブ51との間において、吐出バルブ51の動作を制御するための制御ガスGs1が導入または排出される経路を形成し、発動部53と吸い戻しバルブ52との間において、吸い戻しバルブ52の動作を制御するための制御ガスGs1が導入または排出される経路を形成している。図2の例では、配管部P2は、第1配管部分P2aと、第2配管部分P2bと、第3配管部分P2cと、第4配管部分P2dと、第5配管部分P2eと、を含んでいる。
第1配管部分P2aは、処理ユニット100に対して制御ガスGs1を供給する気体供給部6と発動部53とをつないでいる。気体供給部6は、例えば、基板処理装置1の外部に設けられ、高圧の制御ガスGs1を格納するボンベと、該ボンベから導出される制御ガスGs1の圧力を一定値まで下げるバルブ(圧力レギュレーターともいう)と、を有する。第2配管部分P2bは、発動部53内に位置している。第3配管部分P2cは、発動部53と吐出バルブ51とをつないでいる。第4配管部分P2dは、発動部53と吸い戻しバルブ52とをつないでいる。第5配管部分P2eは、発動部53と処理ユニット100の外部空間とをつないでいる。
<1−2−3−4.吐出バルブ>
吐出バルブ51は、配管部P1の途中部分に設けられ、液供給部7からノズルNz1に対して処理液Lq1を供給する経路(液供給経路ともいう)PA1を開閉することができる。これにより、配管部P1およびノズルNz1における処理液の存在状態を変化させることができる。図2の例では、吐出バルブ51として、制御ガスの供給および排出に応じて液供給経路PA1を開閉するエアオペレート方式のバルブ(エアオペレートバルブともいう)Vaoが適用されている。より具体的には、エアオペレートバルブVaoとして、制御ガスが排出されている標準状態において液供給経路PA1を閉鎖するタイプ(ノーマル閉型ともいう)のエアオペレートバルブが採用されている。
図3は、ノーマル閉型のエアオペレートバルブVaoの一例を模式的に示す断面図である。図3で示されるように、エアオペレートバルブVaoは、本体部VM1と、駆動機構DR1と、を有している。
本体部VM1は、液供給経路PA1を形成する貫通孔(液通過孔ともいう)Lh1を開閉する弁体部Vb1を有している。図3の例では、本体部VM1は、弁箱部Vx1と、弁座部Vs1と、弁体部Vb1と、を有している。
弁箱部Vx1は、処理液Lq1が通過可能に貫通している液通過孔Lh1と、該液通過孔Lh1に交差し且つ弁体部Vb1が摺動可能な孔(弁摺動孔ともいう)Hv1と、を形成している。また、弁箱部Vx1は、液通過孔Lh1の外部に開口している一方の開口部(第1開口部ともいう)Pi1と、液通過孔Lh1の外部に開口している他方の開口部(第2開口部ともいう)Po1と、を有している。図2の例では、第1開口部Pi1に第1配管部分P1aが接続され、第2開口部Po1に第2配管部分P1bが接続されている。
弁座部Vs1は、弁箱部Vx1のうちの液通過孔Lh1と弁摺動孔Hv1とが交差している部分に位置する環状の部分である。
弁体部Vb1は、弁摺動孔Hv1の内壁に嵌まった状態で、弁座部Vs1に対して離接可能に移動することができる。図3の例では、弁体部Vb1は、弁摺動孔Hv1の内壁に沿って上下に摺動することで、弁座部Vs1に対して離接する。これにより、弁体部Vb1は、液供給経路PA1を形成する液通過孔Lh1を開閉することができる。
駆動機構DR1は、弁体部Vb1を動作させることができる。図3の例では、駆動機構DR1は、例えば、容器部Bx1と、仕切り部Pd1と、弾性体Eb1と、連結部Vh1と、を有している。
容器部Bx1は、例えば、内部空間Is1と、ガス通過孔Gh1と、挿通孔Hh1と、を形成している。内部空間Is1は、容器部Bx1の内部に位置する中空の空間である。ガス通過孔Gh1は、該内部空間Is1と外部空間とをつなぎ且つ制御ガスGs1を通過させることができる。図2の例では、ガス通過孔Gh1にガス用の第3配管部分P2cが接続されている。挿通孔Hh1は、連結部Vh1が摺動可能に挿通されている貫通孔である。図3の例では、容器部Bx1の側壁部にガス通過孔Gh1が設けられ、容器部Bx1の底壁部に挿通孔Hh1が設けられている。
仕切り部Pd1は、例えば、容器部Bx1内の内部空間Is1を第1領域Aa1と第2領域Ab1とに仕切っている。図3の例では、第1領域Aa1は、容器部Bx1内の内部空間Is1のうち、仕切り部Pd1よりも下方に位置している。第2領域Ab1は、容器部Bx1内の内部空間Is1のうち、仕切り部Pd1よりも上方に位置している。また、仕切り部Pd1は、容器部Bx1の内壁面に対して摺動可能に移動することができる。仕切り部Pd1としては、例えば、容器部Bx1の内壁部に対して摺動可能に設けられた板状の部材(仕切り板)が採用される。
弾性体Eb1は、例えば、仕切り部Pd1と容器部Bx1の内壁部との間に設けられている。弾性体Eb1は、例えば、仕切り部Pd1の移動に対する抵抗力としての弾性力を生じ得る。図3の例では、弾性体Eb1は、容器部Bx1の内部空間Is1内の第2領域Ab1に設けられており、容器部Bx1の上方の内壁面と仕切り部Pd1の上方の面とに接続するように位置している。弾性体Eb1としては、例えば、バネ等が採用される。
連結部Vh1は、仕切り部Pd1と弁体部Vb1とを連結している。連結部Vh1は、例えば、挿通孔Hh1の貫通方向に沿って摺動することができる。連結部Vh1としては、例えば、長手方向に垂直な断面が挿通孔Hh1の形状に合わせた形状を有する棒状の部材が採用される。例えば、挿通孔Hh1の貫通方向に垂直な断面が円形であれば、連結部Vh1の長手方向に垂直な断面も円形となる。これにより、連結部Vh1は、該連結部Vh1の長手方向に沿って、挿通孔Hh1の内壁面に対して摺動することができる。
上記構成を有するエアオペレートバルブVaoでは、例えば、ガス通過孔Gh1から第1領域Aa1に制御ガスGs1が導入されると、弾性体Eb1の弾性力に抗して、第1領域Aa1が拡がる方向に仕切り部Pd1が、容器部Bx1の内壁面に沿って摺動する。このとき、仕切り部Pd1に連結部Vh1を介して連結されている弁体部Vb1が、弁摺動孔Hv1の内壁に沿って上方に摺動することができる。これにより、弁体部Vb1が弁座部Vs1から離れている状態となり、液供給経路PA1を形成する液通過孔Lh1が開放される。すなわち、エアオペレートバルブVaoの液供給経路PA1を形成する液通過孔Lh1を処理液Lq1が通過できる状態となる。
一方、例えば、第1領域Aa1からガス通過孔Gh1を介して制御ガスGs1が外部空間に排出されると、弾性体Eb1の弾性力によって、第1領域Aa1が狭まる方向に仕切り部Pd1が、容器部Bx1の内壁面に沿って摺動する。このとき、仕切り部Pd1に連結部Vh1を介して連結されている弁体部Vb1が、弁摺動孔Hv1の内壁に沿って下方に摺動することができる。これにより、弁体部Vb1が弁座部Vs1に接している状態となり、液供給経路PA1を形成する液通過孔Lh1が閉鎖される。すなわち、エアオペレートバルブVaoの液供給経路PA1を形成する液通過孔Lh1を処理液Lq1が通過できない状態となる。
なお、駆動機構DR1では、例えば、第1領域Aa1と第2領域Ab1とが入れ替えられる構成も考えられる。この場合、例えば、第1領域Aa1が、内部空間Is1のうちの仕切り部Pd1よりも上方に位置し、第2領域Ab1が、内部空間Is1のうちの仕切り部Pd1よりも下方に位置しており、弾性体Eb1が、容器部Bx1の下方の内壁面と仕切り部Pd1の下方の面とに接続するように位置する形態が採用される。この形態では、例えば、第1領域Aa1に対して制御ガスGs1が導入されれば、弾性体Eb1の弾性力に抗して仕切り部Pd1が第1領域Aa1を拡げるように容器部Bx1の内壁面に沿って摺動する。このとき、仕切り部Pd1に連結部Vh1を介して連結されている弁体部Vb1が、弁摺動孔Hv1の内壁に沿って下方に摺動することができる。これにより、弁体部Vb1が弁座部Vs1に接している状態となり、液供給経路PA1を形成する液通過孔Lh1が閉鎖される。また、例えば、第1領域Aa1から制御ガスGs1が排出されれば、弾性体Eb1の弾性力によって仕切り部Pd1が第1領域Aa1を狭めるように容器部Bx1の内壁面に沿って摺動する。このとき、仕切り部Pd1に連結部Vh1を介して連結されている弁体部Vb1が、弁摺動孔Hv1の内壁に沿って上方に摺動することができる。これにより、弁体部Vb1が弁座部Vs1から離れた状態となり、液供給経路PA1を形成する液通過孔Lh1が開放される。
<1−2−3−5.吸い戻しバルブ>
吸い戻しバルブ52は、配管部P1の途中部分に設けられ、第3配管部分P1cおよびノズルNz1における処理液Lq1の存在状態を変化させることができる。図2の例では、吸い戻しバルブ52は、配管部P1のうちの吐出バルブ51とノズルNz1との間の特定部分に設けられており、ノズルNz1および第3配管部分P1cにおける処理液を吸い戻す動作(液吸い戻し動作ともいう)を行うことができる。これにより、配管部P1およびノズルNz1における処理液の存在状態を変化させることができる。また、図2の例では、吸い戻しバルブ52として、制御ガスの供給および排出に応じて、液吸い戻し動作と、第3配管部分P1cへ処理液Lq1を押し出す動作(液押し出し動作ともいう)と、を行う、エアオペレート方式の吸い戻しバルブ(エア制御吸い戻しバルブともいう)Vsbが適用されている。より具体的には、エア制御吸い戻しバルブVsbとして、制御ガスGs1が排出されている標準状態において処理液Lq1が吸い戻されている状態となるタイプ(ノーマル吸い戻し型ともいう)のエア制御吸い戻しバルブが採用されている。
図4は、ノーマル吸い戻し型のエア制御吸い戻しバルブVsbの一例を模式的に示す断面図である。図4で示されるように、エア制御吸い戻しバルブVsbは、本体部VM2と、駆動機構DR2と、を有している。
図4で示されるように、本体部VM2は、弁箱部Vx2と、弁体部Vb2と、を有している。
弁箱部Vx2は、処理液Lq1が通過可能に貫通している孔(液通過孔ともいう)Lh2と、該液通過孔Lh2に交差し且つ弁体部Vb2が設けられている孔(弁設置孔ともいう)Hv2と、を形成している。また、弁箱部Vx2は、液通過孔Lh1の外部に開口している一方の開口部(第3開口部ともいう)Pi2と、液通過孔Lh1の外部に開口している他方の開口部(第4開口部ともいう)Po2と、を有している。図2の例では、第3開口部Pi2に第2配管部分P1bが接続され、第4開口部Po2に第3配管部分P1cが接続されている。
弁体部Vb2は、弁設置孔Hv2を液通過孔Lh2側の領域と駆動機構DR2側の領域とに区切るように設けられている。図4の例では、弁体部Vb2として、弁設置孔Hv2の深さ方向における途中の部分において該弁設置孔Hv2を形成する内壁面IW2に固定されている、ダイヤフラムが採用されている。これにより、弁箱部Vx2は、弁設置孔Hv2内のうち、配管部P1内の液供給経路PA1を形成する液通過孔Lh2に連通している領域(液吸い戻し領域ともいう)AS2を形成している。このとき、弁体部Vb2は、液吸い戻し領域AS2に面している。また、例えば、ダイヤフラムが、弾性変形が可能なシート状あるいは膜状の部材によって構成されていれば、駆動機構DR2によって、液通過孔Lh2に近づく方向および液通過孔Lh2から遠ざかる方向に、弁体部Vb2を弾性変形させることができる。このため、例えば、弁体部Vb2は、液吸い戻し領域AS2の容積を変更可能に動作することができる。
駆動機構DR2は、弁体部Vb2を動作させることができる。図4の例では、駆動機構DR2は、例えば、容器部Bx2と、仕切り部Pd2と、弾性体Eb2と、連結部Vh2と、を有している。
容器部Bx2は、例えば、内部空間Is2と、ガス通過孔Gh2と、挿通孔Hh2と、を形成している。内部空間Is2は、容器部Bx2の内部に位置する中空の空間である。ガス通過孔Gh2は、内部空間Is2と外部空間とをつなぎ且つ制御ガスGs1を通過させることができる。図4の例では、ガス通過孔Gh2にガス用の第4配管部分P2dが接続されている。挿通孔Hh2は、連結部Vh2が摺動可能に挿通されている貫通孔である。図4の例では、容器部Bx2の側壁部にガス通過孔Gh2が設けられ、容器部Bx2の底壁部に挿通孔Hh2が設けられている。
仕切り部Pd2は、例えば、容器部Bx2内の内部空間Is2を第1領域Aa2と第2領域Ab2とに仕切っている。図4の例では、第1領域Aa2は、容器部Bx1内の内部空間Is2のうち、仕切り部Pd2よりも上方に位置している。第2領域Ab2は、容器部Bx2内の内部空間Is2のうち、仕切り部Pd2よりも下方に位置している。また、仕切り部Pd2は、容器部Bx2の内壁面に対して摺動可能に移動することができる。仕切り部Pd2としては、例えば、容器部Bx2の内壁部に対して摺動可能に設けられた板状の部材(仕切り板)が採用される。
弾性体Eb2は、例えば、仕切り部Pd2と容器部Bx2の内壁部との間に設けられている。弾性体Eb2は、例えば、仕切り部Pd2の移動に対する抵抗力としての弾性力を生じ得る。図4の例では、弾性体Eb2は、容器部Bx2の内部空間Is2内の第2領域Ab2に設けられており、容器部Bx2の下方の内壁面と仕切り部Pd2の下方の面とに接続するように位置している。弾性体Eb2としては、例えば、バネ等が採用される。
連結部Vh2は、仕切り部Pd2と弁体部Vb2とを連結している。連結部Vh2は、例えば、挿通孔Hh2の貫通方向に沿って摺動することができる。連結部Vh2としては、例えば、長手方向に垂直な断面が挿通孔Hh2の形状に合わせた形状を有する棒状の部材が採用される。例えば、挿通孔Hh2の貫通方向に垂直な断面が円形であれば、連結部Vh2の長手方向に垂直な断面も円形となる。これにより、連結部Vh2は、該連結部Vh2の長手方向に沿って、挿通孔Hh2の内壁面に対して摺動することができる。
上記構成を有するエア制御吸い戻しバルブVsbでは、例えば、ガス通過孔Gh2から第1領域Aa2に制御ガスGs1が導入されると、弾性体Eb2の弾性力に抗して、第1領域Aa2が拡がる方向に仕切り部Pd2が、容器部Bx2の内壁面に沿って摺動する。このとき、仕切り部Pd2に連結部Vh2を介して連結されている弁体部Vb2が液通過孔Lh2側に向けて張り出す方向に弾性変形する。これにより、弁体部Vb2が、液吸い戻し領域AS2の容積を縮小させる。このとき、例えば、液吸い戻し領域AS2に処理液Lq1が存在していれば、該液吸い戻し領域AS2から液通過孔Lh2を介して配管部P1へ処理液Lq1を押し出す液押し出し動作が行われる。
一方、例えば、第1領域Aa2からガス通過孔Gh2を介して制御ガスGs1が外部空間に排出されると、弾性体Eb2の弾性力によって、第1領域Aa2が狭まる方向に仕切り部Pd2が、容器部Bx2の内壁面に沿って摺動する。このとき、仕切り部Pd2に連結部Vh2を介して連結されている弁体部Vb2が、液通過孔Lh2から遠ざかる方向に弾性変形する。これにより、弁体部Vb2が、液吸い戻し領域AS2の容積を拡大させる。このとき、例えば、ノズルNz1および第3配管部分P1cに処理液Lq1が存在していれば、ノズルNz1および第3配管部分P1cに存在している処理液Lq1を吸い戻す液吸い戻し動作が行われる。
なお、駆動機構DR2でも、例えば、第1領域Aa2と第2領域Ab2とが入れ替えられる構成が考えられる。この場合、例えば、第1領域Aa2が、内部空間Is1のうちの仕切り部Pd2よりも下方に位置し、第2領域Ab2が、内部空間Is1のうちの仕切り部Pd2よりも上方に位置しており、弾性体Eb2が、容器部Bx2の上方の内壁面と仕切り部Pd2の上方の面とに接続するように位置する形態が採用される。この形態では、例えば、第1領域Aa1に対して制御ガスGs1が導入されれば、弾性体Eb2の弾性力に抗して仕切り部Pd2が第1領域Aa2を拡げるように容器部Bx2の内壁面に沿って摺動する。このとき、仕切り部Pd2に連結部Vh2を介して連結されている弁体部Vb2が、液吸い戻し領域AS2の容積が拡大するように弾性変形する。これにより、液吸い戻し動作が行われ得る。一方、例えば、第1領域Aa2から制御ガスGs1が排出されれば、弾性体Eb2の弾性力によって仕切り部Pd2が第1領域Aa2を狭めるように容器部Bx2の内壁面に沿って摺動する。このとき、仕切り部Pd2に連結部Vh2を介して連結されている弁体部Vb2が、液吸い戻し領域AS2の容積が縮小するように弾性変形する。これにより、液押し出し動作が行われ得る。
また、ここで、例えば、弁体部Vb2は、弾性変形を行わず、弁設置孔Hv2に対して摺動することで、液吸い戻し領域AS2の容積を変更(拡大および縮小)することができるように動作する構成が採用されてもよい。
<1−2−3−6.発動部>
発動部53は、吐出バルブ51を動作させる駆動力を該吐出バルブ51に付与するとともに、吸い戻しバルブ52を動作させる駆動力を該吸い戻しバルブ52に付与することができる。
図2の例では、発動部53は、電磁弁53aと、スピードコントローラ53bと、を有している。電磁弁53aには、例えば、第1配管部分P2aが接続されており、気体供給部6から電磁弁53aに制御ガスGs1が供給される。電磁弁53aには、外部空間への制御ガスGs1の排出(排気)を行うための第5配管部分P2eが接続されている。電磁弁53aとスピードコントローラ53bとが第2配管部分P2bによって接続されている。また、第2配管部分P2bは、該第2配管部分P2bから分岐されている第3配管部分P2cを介して吐出バルブ51に接続されている。また、スピードコントローラ53bは、第4配管部分P2dを介して吸い戻しバルブ52に接続されている。
電磁弁53aは、例えば、制御部9からの信号に応答して、気体供給部6から第1配管部分P2aを介して供給される制御ガスGs1を通過させることができる。このとき、例えば、第2配管部分P2bおよび第3配管部分P2cを介して吐出バルブ51に制御ガスGs1が供給されるとともに、第2配管部分P2bとスピードコントローラ53bと第4配管部分P2dとを介して吸い戻しバルブ52に制御ガスGs1が供給される。また、電磁弁53aは、例えば、制御部9からの信号に応答して、第5配管部分P2eに向けて制御ガスGs1を通過させることができる。このため、電磁弁53aは、例えば、制御部9からのトリガ信号に応答して、気体供給部6から第1配管部分P2aを介して供給される制御ガスGs1を通過させる状態(ガス供給状態ともいう)と、第5配管部分P2eに向けて制御ガスGs1を排出する状態(ガス排出状態ともいう)と、の間で状態が切り替えられる。
スピードコントローラ53bは、例えば、流量制御弁としての絞り弁と、逆止め弁とが並列に配置された構造を有している。スピードコントローラ53bでは、例えば、流量制御弁の絞り度合い(開度ともいう)によって、吸い戻しバルブ52から電磁弁53aに向けた制御ガスGs1の排出速度の制御(メータアウト制御とも言う)が行われる。スピードコントローラ53bでは、流量制御弁の開度は、例えば、制御部9(図2の例では第2制御部92)からの信号に応じて調整され得る。
上記構成を有する発動部53は、例えば、制御部9によるトリガ信号の出力に応答して、吐出バルブ51において液供給経路PA1を開放する動作(開放動作ともいう)と、吸い戻しバルブ52による液押し出し動作と、を開始させることができる。具体的には、例えば、制御部9からの第1トリガ信号に応答して、電磁弁53aがガス供給状態となる。このとき、気体供給部6から第1配管部分P2aを介して供給される制御ガスGs1が、吐出バルブ51に供給されるとともに、スピードコントローラ53bを介して吸い戻しバルブ52に供給される。
具体的には、例えば、発動部53は、駆動機構DR1の第1領域Aa1への制御ガスGs1の供給によって仕切り部Pd1を動作させることで、連結部Vh1を介して弁体部Vb1を動作させる。また、例えば、発動部53は、駆動機構DR2の第1領域Aa2への制御ガスGs1の供給によって仕切り部Pd2を動作させることで、連結部Vh2を介して液吸い戻し領域AS2の容積が縮小するように弁体部Vb2を動作させる。
これにより、例えば、吐出バルブ51は、駆動機構DR1によって、液供給経路PA1の開放動作を開始するとともに、吸い戻しバルブ52は、駆動機構DR2によって、液押し出し動作を開始する。ここで、例えば、スピードコントローラ53bは、メータアウト制御を行うものであるため、吐出バルブ51への制御ガスGs1の供給による吐出バルブ51の開放動作と、吸い戻しバルブ52への制御ガスGs1の供給による液押し出し動作と、が比較的短時間の間に並行して実行される。
また、例えば、発動部53は、制御部9によるトリガ信号の出力に応答して、吐出バルブ51において液供給経路PA1を閉鎖する動作(閉鎖動作ともいう)と、吸い戻しバルブ52による液吸い戻し動作と、を開始させることができる。具体的には、例えば、制御部9からの第2トリガ信号に応答して、電磁弁53aがガス排出状態となる。このとき、吐出バルブ51から第3配管部分P2cと第2配管部分P2bと第5配管部分P2eとを介して制御ガスGs1が排出される。また、例えば、吸い戻しバルブ52から第4配管部分P2dとスピードコントローラ53bと第2配管部分P2bと第5配管部分P2eとを介して制御ガスGs1が排出される。
具体的には、例えば、発動部53は、駆動機構DR1の第1領域Aa1からの制御ガスGs1の排出によって仕切り部Pd1を動作させることで、連結部Vh1を介して弁体部Vb1を動作させる。また、例えば、発動部53は、駆動機構DR2の第1領域Aa2から制御ガスGs1を排出させて仕切り部Pd2を動作させることで、連結部Vh2を介して液吸い出し領域AS2の容積が拡大するように弁体部Vb2を動作させる。
これにより、例えば、吐出バルブ51は、駆動機構DR1によって、液供給経路PA1の閉鎖動作を開始するとともに、吸い戻しバルブ52は、駆動機構DR2によって、液吸い戻し動作を開始する。ここで、例えば、スピードコントローラ53bは、メータアウト制御を行うことができるため、吐出バルブ51からの制御ガスGs1の排出による吐出バルブ51の閉鎖動作よりも、吸い戻しバルブ52からの制御ガスGs1の排出による液吸い戻し動作の方が、比較的ゆっくりと進行する。その結果、例えば、制御部9から第2トリガ信号が出力されるタイミングを基準として、閉鎖動作が比較的速やかに完了し、その後、若干遅れて液吸い戻し動作が完了する。
<1−2−3−7.検知部>
検知部55は、吸い戻しバルブ52の動作に係る特定状態を検知することができる。ここで、特定状態として、例えば、吸い戻しバルブ52における駆動機構DR2の第1領域Aa2の気圧が基準の圧力(基準圧ともいう)に到達した状態(基準圧到達状態ともいう)が採用される。図2の例では、検知部55として、駆動機構DR2の第1領域Aa2に接続された第4配管部分P2dにおける制御ガスGs1の圧力を計測可能な圧力計が採用されている。この圧力計で計測される計測結果を示す信号は、例えば、第2制御部92に出力される。
ここで、吐出バルブ51の閉鎖動作が行われる際には、吸い戻しバルブ52では、スピードコントローラ53bによるメータアウト制御によって、駆動機構DR2の第1領域Aa2から制御ガスGs1がある程度の時間(例えば、1秒間程度)において排出される。これにより、吐出バルブ51によって配管部P1のうちの第2配管部分P1bからノズルNz1にかけた領域に対する処理液Lq1の供給が完全に停止された後に、吸い戻しバルブ52による液吸い戻し動作が行われ得る。また、このとき、駆動機構DR2では、第1領域Aa2から制御ガスGs1が排出されるにしたがって、第1領域Aa2における制御ガスGs1の圧力が低下し、吸い戻しバルブ52による液吸い戻し動作が進行する。ここで、第1領域Aa2の制御ガスGs1の圧力の変化は、検知部55によって第4配管部分P2dにおける制御ガスGs1の圧力を計測することで検知され得る。
ここでは、例えば、検知部55において、制御ガスGs1の圧力が基準圧まで低下したタイミングを、吸い戻しバルブ52による液吸い戻し動作が完了あるいはある程度進行したタイミングとみなすことができる。このとき、制御部9から第2トリガ信号が出力された第1タイミングから、検知部55において基準圧が検知された第2タイミングに至るまでの時間に基づいて、液吸い戻し動作の速度が認識され得る。
検知部55では、例えば、吸い戻しバルブ52の第1領域Aa2における制御ガスGs1の圧力が時間的に連続的に計測される。そして、検知部55では、例えば、計測結果としての全ての圧力を示す信号が即時に第2制御部92に出力され続けてもよいし、計測結果としての圧力が基準圧に到達したことに応答して特定の信号を第2制御部92に出力してもよい。
<1−2−4.制御部>
制御部9は、処理ユニット100の動作を統括的に制御することができる。制御部9は、基板処理装置1の全体の制御を行う第1制御部91と、各処理ユニット100のスピードコントローラ53bの制御用に設けられた第2制御部92と、を有している。
図5は、第1制御部91および第2制御部92の機能的な構成の一例を示すブロック図である。
図5で示されるように、第1制御部91は、例えば、演算処理部91aと、メモリ91bと、記憶部91cと、を含む。演算処理部91aは、プロセッサーとして働くことができる。演算処理部91aとしては、例えば、中央演算部(CPU)等の電子回路が採用される。メモリ91bは、情報を一時的に記憶することができる。メモリ91bとしては、例えば、ランダムアクセスメモリ(RAM)等が採用される。記憶部91cは、プログラムPg1および各種のデータD1等を記憶することができる。記憶部91cとしては、例えば、フラッシュメモリあるいはハードディスク等の記憶媒体が採用される。第1制御部91では、例えば、記憶部91cに記憶されているプログラムPg1が演算処理部91aに読み込まれて実行されることで、基板処理装置1における各種基板処理および各種動作が統括的に制御される。図2の例では、第1制御部91には、電磁弁53aが制御対象として接続されているとともに、第2制御部92が信号の送受信が可能な状態で接続されている。
また、第2制御部92は、例えば、第1制御部91と同様に、演算処理部92aと、メモリ92bと、記憶部92cと、を含む。演算処理部92aは、プロセッサーとして働くことができる。演算処理部92aとしては、例えば、中央演算部(CPU)等の電子回路が採用される。メモリ92bは、情報を一時的に記憶することができる。メモリ92bとしては、例えば、ランダムアクセスメモリ(RAM)等が採用される。記憶部92cは、プログラムPg2および各種のデータD2等を記憶することができる。記憶部92cとしては、例えば、フラッシュメモリあるいはハードディスク等の記憶媒体が採用される。第2制御部92では、例えば、記憶部92cに記憶されているプログラムPg2が演算処理部92aに読み込まれて実行されることで、処理ユニット100の処理液供給系5における各種動作が制御される。図2の例では、第2制御部92には、スピードコントローラ53bが制御対象として接続されているとともに、検知部55および第1制御部91に対して信号の送受信が可能な状態で接続されている。なお、第2制御部92の各種機能は、例えば、専用の電子回路で実現されてもよい。
制御部9は、例えば、各種のトリガ信号を出力することで発動部53によって吐出バルブ51および吸い戻しバルブ52を動作させることができる。例えば、第1制御部91から電磁弁53aに第1トリガ信号が出力されることで、電磁弁53aがガス供給状態となり、吐出バルブ51における開放動作、および吸い戻しバルブ52における液押し出し動作が行われる。このとき、例えば、第1トリガ信号は、第1制御部91から電磁弁53aとともに第2制御部92にも出力される。また、例えば、第1制御部91から第2トリガ信号が出力されることで、電磁弁53aがガス排出状態となり、吐出バルブ51における閉鎖動作、および吸い戻しバルブ52における液吸い戻し動作が行われる。このとき、例えば、第2トリガ信号は、第1制御部91から電磁弁53aとともに第2制御部92にも出力される。ここでは、例えば、制御部9によって、第2トリガ信号が出力されることで、発動部53によって吸い戻しバルブ52の第1領域Aa2からの制御ガスGs1の排出が開始される。
また、制御部9は、例えば、第2トリガ信号を出力した第1タイミングから検知部55が特定状態としての基準圧に到達した状態を検知した第2タイミングまでの吸い戻しバルブ52の実際の動作時間(実動作時間ともいう)T1と、予め設定された基準の動作時間(基準動作時間ともいう)T0と、の関係に応じて、発動部53による吸い戻しバルブ52の動作速度に係る設定を変更することができる。
ここで、例えば、第2制御部92では、第1制御部91から第2トリガ信号が入力されることで、第1タイミングが認識される。また、特定状態としては、例えば、検知部55において計測される吸い戻しバルブ52の第1領域Aa2における制御ガスGs1の圧力が基準圧に到達した状態(基準圧到達状態)が採用される。この場合、例えば、検知部55が、計測結果としての全ての圧力を示す信号を即時に第2制御部92に対して出力し続ける場合には、第2制御部92において、計測結果としての圧力が基準圧に到達したタイミングが、第2タイミングとして認識される。また、例えば、検知部55が、計測結果としての圧力が基準圧に到達したことに応答して特定の信号を第2制御部92に出力する場合には、第2制御部92において、該特定の信号が受信されたタイミングが、第2タイミングとして認識される。これにより、例えば、第2制御部92では、第1タイミングから第2タイミングに至るまでの吸い戻しバルブ52の実動作時間T1が認識される。ここでは、実動作時間T1は、例えば、第1タイミングが発せられた時刻情報と、第2タイミングが認識された時刻情報と、に基づいて算出される。
また、ここで、基準動作時間T0は、例えば、基板処理装置1における単位時間当たりの処理数(処理効率ともいう)の向上と、液吸い戻し動作の不良の抑制と、がバランス良く達成される時間である。基準動作時間T0は、例えば、実験あるいはシミュレーションの結果等に基づいて予め設定され得る。該基準動作時間T0を示すデータは、例えば、予め記憶部92cに記憶される。
また、ここで、発動部53による吸い戻しバルブ52の動作速度に係る設定としては、例えば、発動部53による第1領域Aa2からの制御ガスGs1の排出速度を調整する設定が採用される。制御ガスGs1の排出速度は、例えば、単位時間当たりに第1領域Aa2から排出される制御ガスGs1の量(ガス排出量ともいう)で表される。この場合、制御ガスGs1の排出速度を調整する設定としては、例えば、スピードコントローラ53bの流量制御弁の絞り度合い(開度)が採用される。流量制御弁がニードル弁である場合には、例えば、第2制御部92の制御に応じて動作するステッピングモータ等のモータによってニードルの位置が調整されることで、流量制御弁における絞り度合いが変更される。流量制御弁における絞り度合い(開度)は、例えば、モータの位置を示すパルス数等によって示される。
ここで、例えば、ダイヤフラム型の吸い戻しバルブ52では、液吸い戻し動作時における吸い戻しバルブ52の動作時間Tは、吸い戻しバルブ52からの制御ガスGs1の排出速度(単位時間当たりのガス排出量)に比例する。このため、例えば、動作時間Tは、吸い戻しバルブ52において処理液Lq1が吸い戻される量(サックバック量)が第1領域Aa2から排出される制御ガスGs1の排出速度(単位時間当たりのガス排出量)で除されることで事前に算出され得る。また、吸い戻しバルブ52の第1領域Aa2から排出される制御ガスGs1の圧力が一定であれば、例えば、第1領域Aa2からの制御ガスGs1の排出速度(単位時間当たりのガス排出量)と、スピードコントローラ53bの流量制御弁の流路の断面積(開度)と、が比例関係を示す。このため、実動作時間T1と目標とする基準動作時間T0とのズレ量から、スピードコントローラ53bの流量制御弁における絞り度合い(モータの位置)の補正すべき量が算出され得る。このとき、例えば、スピードコントローラ53bの流量制御弁の開度の調整をステッピングモータ等で行う場合には、モータのパルス数の制御によって、スピードコントローラ53bの流量制御弁の開度が変更され得る。したがって、例えば、制御部9から第2トリガ信号が出力される第1タイミングから特定状態が実現される第2タイミングまでの時間(動作時間)Tと、発動部53による吸い戻しバルブ52の動作速度に係る設定値と、の間における比例または反比例の関係を示す情報を、事前に準備して記憶部92c等に記憶しておくことができる。そして、例えば、制御部9では、比例または反比例の関係における、実測された実動作時間T1と基準動作時間T0との差に対応する設定値のズレ量に応じて、発動部53による吸い戻しバルブ52の動作速度に係る設定の変更量が算出され得る。
ただし、実際には、初期設定において設定された吸い戻しバルブ52の動作速度のズレを補正すべき場面では、動作速度のズレの要因に、吸い戻しバルブ52の第1領域Aa2から排出される制御ガスGs1の圧力の変動が含まれる場合がある。このため、例えば、第1領域Aa2からの制御ガスGs1の排出速度(単位時間当たりのガス排出量)と、スピードコントローラ53bの流量制御弁の流路の断面積(開度)と、が完全には比例関係にならない場合もある。
そこで、例えば、吸い戻しバルブ52による吸い戻し動作が行われる度に、スピードコントローラ53bの流量制御弁の開度が変更されることで、徐々に基準動作時間T0と実動作時間T1とのズレ量が低減されてもよい。このとき、例えば、実動作時間T1と基準動作時間T0との関係に応じた、流量制御弁における絞り度合いの変更については、例えば、基準動作時間T0よりも実動作時間T1が短ければ、流量制御弁の絞り度合いを大きくし、基準動作時間T0よりも実動作時間T1が長ければ、流量制御弁の絞り度合いを低減する手法が採用される。すなわち、制御部9では、例えば、基準動作時間T0よりも実動作時間T1が短ければ、発動部53による吸い戻しバルブ52の動作の速度が小さくなるような、発動部53による吸い戻しバルブ52の動作速度に係る設定の変更量が算出され、基準動作時間T0よりも実動作時間T1が長ければ、発動部53による吸い戻しバルブ52の動作の速度が大きくなるような設定の変更量が算出さてもよい。
また、例えば、制御部9から第2トリガ信号が出力される第1タイミングから特定状態が実現される第2タイミングまでの時間(動作時間)Tと、発動部53による吸い戻しバルブ52の動作速度に係る設定値と、の間における基準の関係を示す情報(基準関係情報ともいう)が、予め準備されてもよい。基準関係情報を示すデータは、例えば、実験あるいはシミュレーションによって予め求められ、記憶部92cに記憶される。この場合、例えば、制御部9では、基準関係情報の基準の関係における、実測された実動作時間T1と基準動作時間T0との差に対応する設定値のズレ量に応じて、発動部53による吸い戻しバルブ52の動作速度に係る設定が変更されてもよい。但し、このとき、基準の関係のうち、第1領域Aa2からの制御ガスGs1の排出速度とスピードコントローラ53bの流量制御弁の開度とがある程度の比例関係を示す範囲での基準の関係を用いて、設定値(モータの位置)の補正すべき量が算出されてもよい。
図6は、制御対象としての吸い戻しバルブ52の動作時間とスピードコントローラ53bの流量制御弁の開度を変更するモータの位置との基準の関係の一例を示すグラフである。図7は、制御対象としての吸い戻しバルブ52の動作時間とスピードコントローラ53bの流量制御弁の開度を変更するモータの位置との基準の関係の一例を示すテーブルである。
図6および図7の例では、動作時間Tとモータの位置とが、動作時間Tに係る値域Rccにおいて、ある程度の比例関係を示す。ここでは、例えば、基準動作時間T0が1秒間に設定され、値域Rccが0.4秒間から1.6秒間の範囲に設定される。ここで、例えば、実測された実動作時間T1が0.5秒間であれば、実動作時間T1が短すぎて、液吸い戻し動作の速度が速すぎる。このため、例えば、基準動作時間T0としての1秒間に対応するモータの位置(1002パルス)と、実測された実動作時間T1としての0.5秒間に対応するモータの位置(1999パルス)との差分(−997=1002−1999)が、補正すべき開度に対応するモータの位置の変更量として算出され得る。このとき、例えば、第2制御部92によって、スピードコントローラ53bの流量制御弁の開度を変更するモータの位置が、997パルス減少するように変更される。これにより、例えば、次回の吸い戻しバルブ52による液吸い戻し動作に係る実動作時間T1が、基準動作時間T0に近づけられ得る。
このようにして、例えば、吸い戻しバルブ52についての動作時間Tと動作速度に係る設定値との間における基準の関係と、実測された吸い戻しバルブ52の実動作時間T1とに基づいて、吸い戻しバルブ52の動作速度に係る設定が変更されれば、ノズルNz1から基板Wに対する処理液Lq1の吐出における不具合の発生を容易かつ簡単に抑制される。
<1−3.処理ユニットの制御フロー>
図8は、基板処理装置1における処理ユニット100の制御フローの一例を示す流れ図である。ここでは、例えば、制御部9においてプログラムPg1,Pg2が実行されることで制御フローが実現される。
まず、図8のステップSp1では、インデクサロボットIRおよびセンターロボットCRによって、基板Wが処理室2内に搬入される。具体的には、基板Wは、一主面を上方に向けた状態で保持部3に受け渡される。このとき、基板Wは、例えば、保持部3の上面3uf上に保持される。
次に、ステップSp2では、回転機構4によって、基板Wを水平に保持している保持部3を回転させ始める。これにより、例えば、保持部3上に保持されている基板Wが、回転軸Ax1を中心として回転し始める。
次に、ステップSp3では、第1制御部91によって、第1トリガ信号が出力される。このとき、第1トリガ信号は、例えば、発動部53の電磁弁53aと第2制御部92とに出力される。
次に、ステップSp4では、発動部53によって、第1トリガ信号の入力に応答して、吐出バルブ51における開放動作が開始される。このとき、例えば、電磁弁53aがガス供給状態となり、吐出バルブ51の駆動機構DR1の第1領域Aa1に制御ガスGs1が導入され始めることで、吐出バルブ51における開放動作が開始される。これにより、液供給部7からノズルNz1に処理液Lq1が送給され始めることで、ノズルNz1から基板Wの上面Us1上に処理液Lq1が供給され始める。また、このとき、吸い戻しバルブ52の駆動機構DR2の第1領域Aa2にも制御ガスGs1が導入され始めることで、吸い戻しバルブ52による液押し出し動作が開始される。
次に、ステップSp5では、第1制御部91によって、第2トリガ信号が出力される。このとき、第2トリガ信号は、例えば、発動部53の電磁弁53aと第2制御部92とに出力される。その後、ステップSp6およびステップSp11に進み、ステップSp6からステップSp9の処理と、ステップSp10からステップSp13の処理と、が並行して実行される。
ステップSp6では、ステップSp5における第2トリガ信号の出力に応答して、発動部53によって、吐出バルブ51による閉鎖動作が開始される。ここでは、例えば、電磁弁53aがガス排出状態となり、吐出バルブ51の駆動機構DR1の第1領域Aa1から制御ガスGs1が排出され始めることで、仕切り部Pd2が動作し始める。このとき、連結部Vh1を介して弁体部Dp1が動作され始める。これにより、吐出バルブ51による閉鎖動作が開始される。つまり、液供給部7からノズルNz1への処理液Lq1の送給が停止され始める。その後、ノズルNz1から基板Wの上面Us1上に向けた処理液Lq1の供給が停止される。
ステップSp7では、ステップSp5における第2トリガ信号の出力に応答して、発動部53によって、吸い戻しバルブ52が動作されることで、液吸い戻し動作が開始される。つまり、配管部P1およびノズルNz1における処理液Lq1の存在状態が変化され始める。ここでは、例えば、電磁弁53aがガス排出状態となり、吸い戻しバルブ52の駆動機構DR2の第1領域Aa2から制御ガスGs1が排出され始めることで、仕切り部Pd2が動作し始める。このとき、例えば、仕切り部Pd2と弁体部Dp2とが連結部Vh2によって連結されているため、領域AS2の容積が拡大するように弁体部Dp2が動作され始める。これにより、吸い戻しバルブ52による液吸い戻し動作が開始される。
ステップSp8では、回転機構4によって、基板Wを水平に保持している保持部3の回転が停止される。
ステップSp9では、インデクサロボットIRおよびセンターロボットCRによって、基板Wが処理室2から搬出される。
ステップSp10では、検知部55によって、吸い戻しバルブ52の動作に係る特定状態が検知される。ここでは、特定状態として、例えば、吸い戻しバルブ52の駆動機構DR2の第1領域Aa2における制御ガスGs1の圧力が基準圧に到達した状態(基準圧到達状態ともいう)が検知される。このとき、例えば、検知部55による検知結果が、第2制御部92に出力される。
ステップSp11では、第2制御部92によって、ステップSp5において第2トリガ信号が出力された第1タイミングからステップSp10において特定状態(例えば、基準圧到達状態)が検知された第2タイミングまでの実動作時間T1が認識される。
ステップSp12では、第2制御部92によって、ステップSp11で認識された実動作時間T1と、予め設定された基準動作時間T0との関係に応じて、発動部53による吸い戻しバルブ52の動作速度に係る設定の変更量が算出される。吸い戻しバルブ52の動作速度に係る設定としては、例えば、発動部53による第1領域Aa2からの制御ガスGs1の排出速度に係る設定が採用される。
ステップSp13では、第2制御部92によって、ステップSp12で算出された変更量に応じて、発動部53による吸い戻しバルブ52の動作速度に係る設定が変更される。このとき、例えば、発動部53による第1領域Aa2からの制御ガスGs1の排出の速度を調整する設定が変更される。
つまり、ステップSp11からステップSp13では、第2制御部92によって、ステップSp5において第2トリガ信号が出力された第1タイミングからステップSp10において特定状態が検知された第2タイミングまでの実動作時間T1と、予め設定された基準動作時間T0との関係に応じて、発動部53による吸い戻しバルブ52の動作速度に係る設定が変更される。ここでは、例えば、第2トリガ信号が出力された第1タイミングからステップSp10で基準圧到達状態が検知された第2タイミングまでの実動作時間T1と、基準動作時間T0との関係に応じて、発動部53による第1領域Aa2からの制御ガスGs1の排出の速度を調整する設定が変更される。ここで、第1領域Aa2からの制御ガスGs1の排出の速度を調整する設定として、例えば、スピードコントローラ53bの流量制御弁の開度あるいは該開度に対応するニードル弁の位置の設定が採用される。
また、ステップSp11からステップSp13では、例えば、第2制御部92によって、第1制御部91から第2トリガ信号が出力される第1タイミングから特定状態が実現される第2タイミングまでの時間(動作時間)Tと、発動部53による吸い戻しバルブ52の動作の速度に係る設定値と、の間における基準の関係を示す情報(基準関係情報ともいう)における、実測された実動作時間T1と基準動作時間T0との差に対応する設定値のズレ量に応じて、発動部53による吸い戻しバルブ52の動作の速度に係る設定について、変更量が算出され、該変更量に応じた変更がなされてもよい。なお、第2制御部92では、例えば、動作時間Tと、発動部53による吸い戻しバルブ52の動作速度に係る設定値と、の間の比例または反比例の関係における、実動作時間T1と基準動作時間T0との差に対応する設定値のズレ量に応じて、発動部53による吸い戻しバルブ52の動作の速度に係る設定の変更量が算出されてもよい。また、第2制御部92では、例えば、基準動作時間T0よりも実動作時間T1が短ければ、吸い戻しバルブ52の動作の速度が小さくなるような、発動部53による吸い戻しバルブ52の動作速度に係る設定の変更量が算出され、基準動作時間T0よりも実動作時間T1が長ければ、吸い戻しバルブ52の動作の速度が大きくなるような設定の変更量が算出さてもよい。
このようにして、1枚の基板Wに対する処理液Lq1を用いた処理が完了されるとともに、次回の吸い戻しバルブ52による液吸い戻し動作に係る実動作時間T1が、基準動作時間T0に近づけられ得る。なお、実動作時間T1が基準動作時間T0に近づけられる処理は、例えば、複数枚の基板Wに対する処理液Lq1を用いた処理が完了される毎に行われてもよいし、特定の時間毎に行われてもよいし、ユーザーの指定に応じて行われてもよいし、ランダムなタイミングで行われてもよいし、実動作時間T1と基準動作時間T0との差が予め設定された許容範囲から外れた場合に行われてもよい。
<1−4.第1実施形態のまとめ>
以上のように、第1実施形態に係る基板処理装置1では、例えば、ノズルNz1につながっている配管部P1の途中に設けられた吸い戻しバルブ52を動作させる第2トリガ信号が制御部9によって出力された第1タイミングから、配管部P1内における吸い戻しバルブ52の動作に係る特定状態が検知された第2タイミングまでの吸い戻しバルブ52の実動作時間T1と、基準動作時間T0との関係に応じて、吸い戻しバルブ52の動作速度に係る設定が変更される。これにより、例えば、吸い戻しバルブ52の動作環境に変化が生じても、次回以降の基板処理では、ノズルNz1の先端における処理液Lq1の吸い戻し量を監視するカメラシステム等がなくても、ノズルNz1から基板Wに対する処理液Lq1の吐出における不具合の発生が比較的簡易な構成で抑制される。具体的には、例えば、吸い戻しバルブ52の動作環境に変化が生じても、次回以降の基板処理では、ノズルNz1から基板Wに対する処理液Lq1のボタ落ちの発生が比較的簡易な構成で抑制される。
<2.他の実施形態>
本発明は上述の第1実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。
<2−1.第2実施形態>
上記第1実施形態において、例えば、実動作時間T1が開始する第1タイミングとして、吐出バルブ51の動作に係る第1特定状態が検知されたタイミングが採用されてもよい。
図9は、第2実施形態に係る処理ユニット100の一構成例を模式的に示す図である。図9で示されるように、第2実施形態に係る処理ユニット100としては、例えば、上記第1実施形態に係る処理ユニット100がベースとされて、処理液供給系5が、処理液供給系5Aに置換されたものが採用される。ここで、処理液供給系5Aとしては、例えば、上記第1実施形態に係る処理液供給系5がベースとされて、第1検知部56Aが追加されるとともに、検知部55が、該検知部55と同様な機能を有する第2検知部55Aに置換されたものが採用される。
第1検知部56Aは、吐出バルブ51の動作に係る第1特定状態を検知することができる。第1特定状態としては、例えば、吐出バルブ51によって液供給経路PA1が完全に閉鎖されている状態、あるいは吐出バルブ51によって液供給経路PA1がある程度閉鎖されている状態、が採用される。ここで、第1検知部56Aは、例えば、第1特定状態の検知に応答して、特定の信号(閉信号ともいう)を第2制御部92に出力してもよい。
図10は、第1検知部56Aの一例を模式的に示す断面図である。第1検知部56Aとしては、例えば、吐出バルブ51に適用されるエアオペレートバルブVaoにおける液供給経路PA1を形成する液通過孔Lh1の開放度合い(開度)を検知可能なセンサが採用される。図10の例では、第1検知部56Aとして、発光部Em1と、受光部Dt1と、を有するファイバセンサ等が採用されている。該ファイバセンサでは、該発光部Em1から出射される光を受光部Dt1が検知することが可能である。また、ここでは、例えば、仕切り部Pd1の上面側に立設されたピンPn1が、容器部Bx1を貫通する挿通孔Hh1Aに挿通されている。該ピンPn1は、例えば、仕切り部Pd1の容器部Bx1の内壁部に対する摺動に伴って、該ピンPn1のうちの容器部Bx1から外部に突出している部分の長さを変化させる。
この場合、例えば、吐出バルブ51が開放動作を行う際には、駆動機構DR1の第1領域Aa1に制御ガスGs1が供給され、仕切り部Pd1が、弾性体Eb1の弾性力に抗して容器部Bx1の内壁部に対して摺動する。このとき、例えば、ピンPn1の一部が、発光部Em1と、受光部Dt1と、の間の領域に浸入する。これにより、例えば、第1検知部56Aによって、吐出バルブ51が液供給経路PA1を開放している状態(開放状態ともいう)が検知される。また、例えば、吐出バルブ51が閉鎖動作を行う際には、駆動機構DR1の第1領域Aa1から制御ガスGs1が排出され、仕切り部Pd1が、弾性体Eb1の弾性力によって容器部Bx1の内壁部に対して摺動する。このとき、例えば、ピンPn1の一部が、発光部Em1と、受光部Dt1と、の間の領域から退避する。これにより、例えば、第1検知部56Aによって、吐出バルブ51が液供給経路PA1を閉鎖している状態(閉鎖状態ともいう)が検知される。ここでは、吐出バルブ51の開放状態は、例えば、吐出バルブ51が、液供給経路PA1を完全に開放している状態でなく、液供給経路PA1をある程度開放している状態であってもよい。また、ここでは、吐出バルブ51の閉鎖状態は、例えば、吐出バルブ51が、液供給経路PA1を完全に閉鎖している状態でなく、液供給経路PA1をある程度閉鎖している状態であってもよい。
また、例えば、制御部9は、第1検知部56Aが第1特定状態を検知した第1タイミングから第2検知部55Aが第2特定状態を検知した第2タイミングまでの時間を、実動作時間T1として認識してもよい。このとき、例えば、実動作時間T1と、予め設定された基準動作時間T0との関係に応じて、発動部53による吸い戻しバルブ52の動作の速度に係る設定が変更されてもよい。第2特定状態としては、例えば、上記第1実施形態において、検知部55によって検知される特定状態と同様な状態が採用される。より具体的には、第2特定状態として、例えば、吸い戻しバルブ52の第1領域Aa2の制御ガスGs1の気圧が基準圧に到達した状態(基準圧到達状態ともいう)が含まれる。また、発動部53による吸い戻しバルブ52の動作の速度に係る設定としては、例えば、発動部53による吸い戻しバルブ52の第1領域Aa2からの制御ガスGs1の排出の速度を調整する設定が採用される。これにより、例えば、吸い戻しバルブ52の動作環境に変化が生じても、次回以降の基板処理では、ノズルNz1から基板Wに対する処理液Lq1のボタ落ちの発生が比較的簡易な構成で抑制される。
上記構成が採用される場合にも、例えば、上記第1実施形態と同様に、例えば、第1特定状態が実現される第1タイミングから第2特定状態が実現される第2タイミングまでの時間と、発動部53による吸い戻しバルブ52の動作の速度に係る設定値と、の間における基準の関係を示す情報(基準関係情報)が、予め準備されてもよい。基準関係情報を示すデータは、例えば、記憶部92cに記憶される。この場合、例えば、制御部9では、基準関係情報の基準の関係における、実測された実動作時間T1と基準動作時間T0との差に対応する設定値のズレ量に応じて、発動部53による吸い戻しバルブ52の動作速度に係る設定について、変更量が算出されて、該変更量に応じた変更がなされてもよい。これにより、例えば、ノズルNz1から基板Wに対する処理液Lq1の吐出における不具合の発生が容易かつ簡単に抑制される。なお、制御部9では、例えば、第1特定状態が実現される第1タイミングから第2特定状態が実現される第2タイミングまでの時間と、発動部53による吸い戻しバルブ52の動作の速度に係る設定値と、の間の比例または反比例の関係における、実動作時間T1と基準動作時間T0との差に対応する設定値のズレ量に応じて、発動部53による吸い戻しバルブ52の動作の速度に係る設定の変更量が算出されてもよい。また、制御部9では、例えば、基準動作時間T0よりも実動作時間T1が短ければ、吸い戻しバルブ52の動作の速度が小さくなるような、発動部53による吸い戻しバルブ52の動作速度に係る設定の変更量が算出され、基準動作時間T0よりも実動作時間T1が長ければ、吸い戻しバルブ52の動作の速度が大きくなるような、発動部53による吸い戻しバルブ52の動作速度に係る設定の変更量が算出さてもよい。
図11は、第2実施形態に係る基板処理装置1における処理ユニット100の制御フローの一例を示す流れ図である。
本制御フローは、図8で示された制御フローのうち、ステップSp7AとステップSp8との間にステップSp7Aが挿入され、ステップSp11がステップSp11Aに置換されたものである。ここで、ステップSp7Aでは、例えば、第1検知部56Aによって、吐出バルブ51の動作に係る第1特定状態が検知される。このとき、例えば、第1検知部56Aでは、特定の信号としての閉信号が第2制御部92に対して出力される。これにより、例えば、第2制御部92において第1タイミングが認識される。また、例えば、ステップSp11Aでは、第2制御部92によって、ステップSp7Aにおいて第1検知部56Aが第1特定状態を検知した第1タイミングからステップSp10において第2検知部55Aが第2特定状態を検知した第2タイミングまでの実動作時間T1が認識される。
上述した第2実施形態に係る基板処理装置1では、例えば、ノズルNz1につながっている配管部P1の途中に設けられた処理液Lq1の液供給経路PA1を開閉する吐出バルブ51の開度に係る第1特定状態が検知された第1タイミングから、吸い戻しバルブ52の動作に係る第2特定状態が検知された第2タイミングまでの吸い戻しバルブ52の実動作時間T1と、基準動作時間T0との関係に応じて、吸い戻しバルブ52の動作速度に係る設定が変更される。これにより、例えば、吸い戻しバルブ52の動作環境に変化が生じても、次回以降の基板処理では、ノズルNz1の先端における処理液Lq1の吸い戻し量を監視するカメラシステム等がなくても、ノズルNz1から基板Wに対する処理液Lq1の吐出における不具合の発生を比較的簡易な構成で抑制することができる。具体的には、例えば、吸い戻しバルブ52の動作環境に変化が生じても、次回以降の基板処理では、ノズルNz1から基板Wに対する処理液Lq1のボタ落ちの発生が比較的簡易な構成で抑制される。
なお、第2実施形態では、例えば、第1検知部56Aで検知される第1特定状態としては、配管部P1内における処理液Lq1の流速に係る状態であってもよい。より具体的には、第1特定状態としては、例えば、配管部P1のうちの吐出バルブ51とノズルNz1との間における処理液Lq1の流速に係る状態が採用されてもよい。例えば、第1検知部56Aとして、第2配管部分P1bにおける処理液Lq1の流速が特定の流速に到達したことを検知可能な流量計が採用されてもよい。
<2−2.第3実施形態>
上記各実施形態において、例えば、液吸い戻し動作として、ダイヤフラム方式のサックバックの代わりに、サイフォン方式のサックバックまたはコンバム方式のサックバックが採用されてもよい。サイフォン方式のサックバックおよびコンバム方式のサックバックは、ノズルNz1から吐出される処理液Lq1を交換する際に、配管部P1のうちの吐出バルブ51からノズルNz1に至るまでの部分に存在している処理液Lq1を吸い戻して排出する液吸い戻し動作である。
図12は、第3実施形態に係る処理ユニット100の一構成例を模式的に示す図である。図12で示されるように、第3実施形態に係る処理ユニット100としては、例えば、第1実施形態に係る処理ユニット100がベースとされて、処理液供給系5が、処理液供給系5Bに置換されたものが採用される。
処理液供給系5Bとしては、例えば、上記第1実施形態に係る処理液供給系5がベースとされて、主に、処理液用の配管部P1が配管部P1Bに変更され、ガス用の配管部P2が配管部P2Bに変更され、吸い戻しバルブ52が吸い戻しバルブ52Bに置換され、発動部53が発動部53Bに変更され、検知部55が検知部55Bに置換されたものが採用される。
処理液用の配管部P1Bとしては、例えば、上記第1実施形態に係る処理液用の配管部P1がベースとされて、吐出バルブ51とノズルNz1との間の特定部分(分岐部分ともいう)Pb1から分岐した配管部分(分岐配管部分ともいう)P1dが追加されたものが採用される。図12の例では、分岐部分Pb1は、第2配管部分P1bと第3配管部分P1cとが接続される部分に位置している。また、分岐配管部分P1dには、例えば、分岐部分Pb1と吸い戻しバルブ52Bとをつなぐ第1分岐配管部分P1d1と、吸い戻しバルブ52Bと処理ユニット100の外部に位置する排液部とをつなぐ第2分岐配管部分P1d2と、が含まれる。排液部には、例えば、処理液Lq1を貯留する槽またはタンクが設けられていればよい。なお、例えば、コンバム方式のサックバックが行われる構成であれば、排液部には、例えば、圧縮空気を利用して負圧を発生させて、強制的に処理液Lq1を吸引するための真空エジェクタなどが設けられる。
ガス用の配管部P2Bとしては、例えば、上記第1実施形態に係るガス用の配管部P2がベースとされて、第3配管部分P2cが、第3配管部分P2cBに変更され、第6配管部分P2fおよび第7配管部分P2gが追加されたものが採用される。
吸い戻しバルブ52Bは、分岐配管部分P1dの途中部分に設けられている。分岐配管部分P1dは、例えば、ノズルNz1、および配管部P1のうちのノズルNz1から吐出バルブ51にかけた領域に存在している処理液Lq1を吸い戻す経路(液吸い戻し経路ともいう)PB1を形成する。吸い戻しバルブ52Bは、分岐配管部分P1dの液吸い戻し経路PB1を開閉することができる。図12の例では、吸い戻しバルブ52Bとしては、図3で示されたエアオペレートバルブVaoが採用されている。この場合、吸い戻しバルブ52Bでは、第1開口部Pi1に第1分岐配管部分P1d1が接続され、第2開口部Po1に第2分岐配管部分P1d2が接続され、ガス通過孔Gh1にガス用の第4配管部分P2dが接続されている。
発動部53Bとしては、例えば、上記第1実施形態に係る発動部53がベースとされて、上記第1実施形態に係るスピードコントローラ53bが、スピードコントローラ53bBに置換され、電磁弁53cが追加されたものが採用される。スピードコントローラ53bBは、例えば、流量制御弁の絞り度合い(開度)によって、電磁弁53aから吸い戻しバルブ52Bに向けた制御ガスGs1の供給速度の制御(メータイン制御とも言う)を行うことができる。スピードコントローラ53bBでは、流量制御弁の開度は、例えば、制御部9(図12の例では第2制御部92)からの信号に応じて調整され得る。電磁弁53cには、例えば、第6配管部分P2fが接続されており、気体供給部6から電磁弁53cに制御ガスGs1が供給される。また、電磁弁53cには、外部空間への制御ガスGs1の排出(排気)を行うための第7配管部分P2gが接続されている。さらに、電磁弁53cと、吐出バルブ51とが、第3配管部分P2cBによってつながれている。具体的には、第3配管部分P2cBは、吐出バルブ51の駆動機構DR1のガス通過孔Gh1に接続されている。
ここで、例えば、電磁弁53aは、制御部9からの第1トリガ信号に応答して、ガス供給状態となり、気体供給部6から第1配管部分P2aを介して供給される制御ガスGs1を、スピードコントローラ53bBおよび第4配管部分P2dを介して、吸い戻しバルブ52Bの駆動機構DR1の第1領域Aa1に供給することができる。また、電磁弁53aは、例えば、制御部9からの第2トリガ信号に応答して、ガス排出状態となり、吸い戻しバルブ52Bの駆動機構DR1の第1領域Aa1から、第4配管部分P2d、スピードコントローラ53bBおよび第5配管部分P2eを介して、制御ガスGs1を外部空間へ排出することができる。このため、発動部53Bは、吸い戻しバルブ52Bの駆動機構DR1の第1領域Aa1への制御ガスGs1の供給、および吸い戻しバルブ52Bの駆動機構DR1の第1領域Aa1からの制御ガスGs1の排出により、吸い戻しバルブ52Bの駆動機構DR1において、仕切り部Pd1を動作させて、連結部Vh1を介して弁体部Vb1を動作させることができる。これにより、吸い戻しバルブ52Bによって、分岐配管部分P1dの液吸い戻し経路PB1が開閉され得る。
また、電磁弁53cは、例えば、制御部9からの第1トリガ信号に応答して、気体供給部6から第6配管部分P2fを介して供給される制御ガスGs1を通過させる状態(ガス供給状態)と、第7配管部分P2gに向けて制御ガスGs1を排出する状態(ガス排出状態)と、の間で状態が切り替えられる。ここで、電磁弁53cは、例えば、制御部9からの第1トリガ信号に応答して、ガス供給状態となることで、気体供給部6から第6配管部分P2fを介して供給される制御ガスGs1を、吐出バルブ51の駆動機構DR1の第1領域Aa1に供給することができる。また、電磁弁53cは、例えば、制御部9からの第2トリガ信号に応答して、ガス排出状態となることで、吐出バルブ51の駆動機構DR1の第1領域Aa1から、第3配管部分P2cBおよび第7配管部分P2gを介して、制御ガスGs1を外部空間へ排出することができる。
検知部55Bは、例えば、上記第2実施形態に係る第1検知部56Aと同様な構成を有しており、吸い戻しバルブ52Bの動作に係る特定状態を検知することができる。特定状態としては、例えば、吸い戻しバルブ52Bによって液吸い戻し経路PB1が完全に開放されている状態、あるいは吸い戻しバルブ52Bによって液吸い戻し経路PB1がある程度開放されている状態、などの液吸い戻し経路PB1の特定の開放度合い(開度)に係る状態(特定開度状態ともいう)が採用される。ここで、検知部55Bは、例えば、特定状態の検知に応答して、特定の信号(閉信号ともいう)を第2制御部92に出力してもよい。
上記構成を有する処理ユニット100では、制御部9は、例えば、各種のトリガ信号を出力することで、発動部53Bによって吐出バルブ51および吸い戻しバルブ52Bを動作させることができる。例えば、第1制御部91から電磁弁53aに第1トリガ信号が出力されることで、電磁弁53aがガス排出状態となり、吸い戻しバルブ52Bにおける弁体部Vb1による液吸い戻し経路PB1を閉鎖する動作(閉鎖動作ともいう)が行われる。このとき、第1制御部91から電磁弁53aとともに電磁弁53cにも第1トリガ信号が出力されることで、電磁弁53cがガス供給状態となり、吐出バルブ51における液供給経路PA1の開放動作が行われる。このとき、例えば、第1トリガ信号は、第1制御部91から第2制御部92にも出力されてもよい。また、例えば、第1制御部91から電磁弁53aに第2トリガ信号が出力されることで、電磁弁53aがガス供給状態となり、吸い戻しバルブ52Bにおける弁体部Vb1による液吸い戻し経路PB1を開放する動作(開放動作ともいう)が開始される。このとき、第1制御部91から電磁弁53cにも第2トリガ信号が出力されることで、吐出バルブ51における液供給経路PA1の閉鎖動作が行われる。このとき、例えば、第2トリガ信号は、第1制御部91から電磁弁53a,53cとともに第2制御部92にも出力される。ここでは、例えば、制御部9によって、第2トリガ信号が出力されることで、発動部53Bによって吸い戻しバルブ52Bの第1領域Aa1への制御ガスGs1の供給が開始される。
また、制御部9は、例えば、第2トリガ信号を出力した第1タイミングから、検知部55Bが特定状態としての、吸い戻しバルブ52Bにおける液吸い戻し経路PB1の特定の開放度合い(開度)を検知した第2タイミングまでの吸い戻しバルブ52Bの実動作時間T1と、予め設定された基準動作時間T0と、の関係に応じて、発動部53Bによる吸い戻しバルブ52Bの動作速度に係る設定を変更することができる。
ここで、吸い戻しバルブ52Bの動作速度としては、例えば、吸い戻しバルブ52Bによって液吸い戻し経路PB1を開放する速度(開放速度ともいう)が採用される。また、発動部53Bによる吸い戻しバルブ52Bの開放速度に係る設定としては、例えば、発動部53Bによる吸い戻しバルブ52Bの第1領域Aa1への制御ガスGs1の供給の速度を調整する設定が採用される。制御ガスGs1の供給速度は、例えば、単位時間当たりに第1領域Aa2に供給される制御ガスGs1の量(ガス供給量ともいう)で表される。この場合、制御ガスGs1の供給速度を調整する設定としては、例えば、スピードコントローラ53bBの流量制御弁の絞り度合い(開度)が採用される。流量制御弁がニードル弁である場合には、例えば、第2制御部92の制御に応じて動作するステッピングモータ等のモータによってニードルの位置が調整されることで、流量制御弁における絞り度合いが変更される。流量制御弁における絞り度合い(開度)は、例えば、モータの位置を示すパルス数等によって示される。
上記構成を有する第3実施形態に係る基板処理装置1における処理ユニット100の制御フローは、図8で示された上記第1実施形態に係る基板処理装置1における処理ユニット100の制御フローと同様なものとなる。
但し、ステップSp3では、例えば、第1制御部91によって出力される第1トリガ信号は、例えば、発動部53の電磁弁53a,53cおよび第2制御部92に対して出力される。
また、ステップSp4では、例えば、発動部53Bによって、第1トリガ信号の入力に応答して、吐出バルブ51における開放動作が開始される。このとき、例えば、電磁弁53cがガス供給状態となり、吐出バルブ51の駆動機構DR1の第1領域Aa1に制御ガスGs1が導入され始めることで、吐出バルブ51による液供給経路PA1の開放動作が開始される。これにより、液供給部7からノズルNz1に処理液Lq1が送給され始めることで、ノズルNz1から基板Wの上面Us1上に、処理液Lq1が供給され始める。また、このとき、例えば、電磁弁53aがガス排出状態となり、吸い戻しバルブ52Bの駆動機構DR1の第1領域Aa1から制御ガスGs1が排出されることで、吸い戻しバルブ52Bによる液吸い戻し経路PB1の閉鎖動作が行われる。これにより、液吸い戻し動作が行われない状態に設定される。
また、ステップSp5では、例えば、第1制御部91によって、第2トリガ信号が出力される。このとき、例えば、発動部53の電磁弁53a,53cおよび第2制御部92に対して第2トリガ信号が出力される。
また、ステップSp6では、例えば、ステップSp5で出力された第2トリガ信号の入力に応答して、発動部53Bによって、吐出バルブ51による閉鎖動作が開始される。ここでは、例えば、電磁弁53cがガス排出状態となり、吐出バルブ51において、駆動機構DR1の第1領域Aa1から制御ガスGs1が排出され始めて、仕切り部Pd1が動作し始めることで、連結部Vh1を介して弁体部Dp1が動作され始める。これにより、吐出バルブ51による閉鎖動作が開始される。
また、ステップSp7では、例えば、ステップSp5で出力された第2トリガ信号の入力に応答して、発動部53Bによって、吸い戻しバルブ52に、液吸い戻し経路PB1を開放させ始めることで、液吸い戻し動作が開始される。つまり、配管部P1およびノズルNz1における処理液Lq1の存在状態が変化され始める。ここでは、例えば、電磁弁53aがガス供給状態となり、吸い戻しバルブ52Bの駆動機構DR1の第1領域Aa1に制御ガスGs1が供給されて、仕切り部Pd1が動作し始める。このとき、連結部Vh1を介して弁体部Vb1が動作され始める。これにより、吸い戻しバルブ52Bによる液吸い戻し動作が開始される。
また、ステップSp10では、例えば、検知部55Bによって、吸い戻しバルブ52Bの動作に係る特定状態が検知される。ここでは、該特定状態として、吸い戻しバルブ52Bによって液吸い戻し経路PB1が完全に開放されている状態、あるいは吸い戻しバルブ52Bによって液吸い戻し経路PB1がある程度開放されている状態、などの液吸い戻し経路PB1の特定の開放度合い(開度)に係る特定開度状態が検知される。このとき、例えば、検知部55Bにおける検知結果を示す特定の信号(閉信号)が第2制御部92に出力される。
また、ステップSp12では、例えば、第2制御部92によって、ステップSp11で認識された実動作時間T1と、予め設定された基準動作時間T0との関係に応じて、発動部53による吸い戻しバルブ52Bの動作速度に係る設定の変更量が算出される。
また、ステップSp13では、例えば、第2制御部92によって、ステップSp12で算出された変更量に応じて、発動部53Bによる吸い戻しバルブ52Bの第1領域Aa1への制御ガスGs1の供給速度を調整する設定が変更される。
つまり、ステップSp11からステップSp13では、例えば、第2制御部92によって、ステップSp5において第2トリガ信号が出力された第1タイミングからステップSp10において特定状態が検知された第2タイミングまでの実動作時間T1と、予め設定された基準動作時間T0との関係に応じて、発動部53Bによる吸い戻しバルブ52Bの開放速度に係る設定が変更される。ここでは、例えば、第2トリガ信号が出力された第1タイミングからステップSp10で特定の開度が検知された第2タイミングまでの実動作時間T1と、基準動作時間T0との関係に応じて、発動部53Bによる吸い戻しバルブ52Bの第1領域Aa1への制御ガスGs1の供給速度を調整する設定が変更される。ここで、第1領域Aa1への制御ガスGs1の供給速度を調整する設定として、例えば、スピードコントローラ53bBの流量制御弁の開度あるいは該開度に対応するニードル弁の位置の設定が採用される。
このようにして、1枚の基板Wに対する処理液Lq1を用いた処理が完了されるとともに、次回以降の吸い戻しバルブ52Bによる液吸い戻し動作に係る実動作時間T1が、基準動作時間T0に近づけられ得る。
なお、ここで、エアオペレートバルブVaoとして、例えば、制御ガスGs1が排出されている標準状態において液吸い戻し経路PB1を開放するタイプ(ノーマル開型ともいう)のエアオペレートバルブが採用されてもよい。この場合には、例えば、スピードコントローラ53bBが、メータアウト制御を行う上記第1実施形態に係るスピードコントローラ53bに置換されればよい。そして、この場合、吸い戻しバルブ52Bの動作速度に係る設定としては、例えば、発動部53Bにおける吸い戻しバルブ52Bの第1領域Aa1からの制御ガスGs1の排出速度を調整する設定が採用されればよい。
<2−3.第4実施形態>
上記第3実施形態において、例えば、図13で示されるように、検知部55Bが、配管部P1B内における処理液Lq1の存在または流速に係る特定状態を検知する検知部55Cに変更されてもよい。この変更に伴って、処理液供給系5Bは、処理液供給系5Cとされる。図13は、第4実施形態に係る処理ユニット100の一構成例を模式的に示す図である。
ここで、配管部P1B内における処理液Lq1の存在に係る特定状態としては、例えば、分岐配管部分P1dの特定位置まで処理液Lq1の液面が到達した状態(特定吸い戻し状態ともいう)が採用される。この場合、例えば、第1分岐配管部分P1d1が透明あるいは半透明の管を用いて形成されていれば、検知部55Cを、第1分岐配管部分P1d1の特定位置に対向するように配置し、該検知部55Cによって、処理液Lq1の液面の通過を検知してもよい。透明な管は、例えば、石英管等で構成され得る。半透明の管は、例えば、フッ素樹脂であるPFAで構成され得る。処理液Lq1の液面の通過は、例えば、光の屈折の変化によって検出され得る。また、例えば、第1分岐配管部分P1d1が透明あるいは半透明の管でない場合には、検知部55Cは、例えば、静電容量の変化、超音波の反射の変化および電磁的な変化等を用いて、処理液Lq1の液面の通過を検知してもよい。
また、ここで、配管部P1B内における処理液Lq1の流速に係る特定状態としては、例えば、分岐配管部分P1dの特定位置における処理液Lq1の流速が特定の流速に到達した状態が採用される。この場合、例えば、検知部55Cとして、第1分岐配管部分P1d1の特定位置に対して配置された流量計が採用され得る。
<2−4.第5実施形態>
上記第4実施形態において、例えば、図14および図15で示されるように、エアオペレートバルブVaoが適用された吸い戻しバルブ52Bの代わりに、モータ部53dの駆動力によって弁体部Vb1を動作させる電動式モータバルブVmoが適用された吸い戻しバルブ52Dが採用されてもよい。図14は、第5実施形態に係る処理ユニット100の一構成例を模式的に示す図である。図15は、電動式モータバルブVmoの一構成例を模式的に示す図である。
図14で示されるように、第5実施形態に係る処理ユニット100としては、例えば、第4実施形態に係る処理ユニット100がベースとされて、処理液供給系5Cが、処理液供給系5Dに置換されたものが採用される。
処理液供給系5Dとしては、例えば、上記第4実施形態に係る処理液供給系5Cがベースとされて、ガス用の配管部P2Bがガス用の配管部P2Dに変更され、吸い戻しバルブ52Bが吸い戻しバルブ52Dに置換され、発動部53Bが発動部53Dに変更されたものが採用される。
ガス用の配管部P2Dとしては、例えば、上記第4実施形態に係るガス用の配管部P2Bから第1配管部分P2a、第2配管部分P2b、第4配管部分P2dおよび第5配管部分P2eが取り除かれた構成を有している。
吸い戻しバルブ52Dは、例えば、モータ部53dが付与する駆動力によって、弁体部Vb1を動作させて液吸い戻し経路PB1を開閉することができる。図15で示されるように、吸い戻しバルブ52Dに適用される電動式モータバルブVmoとしては、例えば、エアオペレートバルブVaoのうちの駆動機構DR1が、モータ部53dによって挿通孔Hh1に対して摺動される連結部Vh1を有する駆動機構DR1Dに変更されたものが採用される。このため、吸い戻しバルブ52Dと、モータ部53dと、によって、電動式モータバルブVmoが構成される。電動式モータバルブVmoには、例えば、モータニードルバルブが適用され得る。
発動部53Dは、例えば、上記第4実施形態に係る発動部53Dから電磁弁53aおよびスピードコントローラ53bBが取り除かれ、吸い戻しバルブ52Dにおいて液吸い戻し経路PB1を開閉するために弁体部Vb1を移動させるモータ部53dが加えられた構成を有している。ここで、モータ部53dは、例えば、第2制御部92からの信号に応じて、回転方向の駆動力を生じる。例えば、モータ部53dは、エンコーダを有している。この場合、エンコーダから回転角の変化分に応じたパルスが第2制御部92に出力されることで、第2制御部92において、モータ部53dの回転角の変化が認識され得る。
上記構成を有する処理ユニット100では、制御部9は、例えば、各種トリガ信号を出力することで、発動部53Dによって吸い戻しバルブ52Dを動作させることができる。例えば、第2制御部92からの信号に応じてモータ部53dによって吸い戻しバルブ52Dによる液吸い戻し経路が開閉される。ここでは、例えば、第1制御部91から発動部53Dの電磁弁53cおよび第2制御部92に第1トリガ信号が出力されることで、電磁弁53cがガス供給状態となり、吐出バルブ51における弁体部Vb1による液供給経路PA1を開放する開放動作が開始される。このとき、第2制御部92では、第1制御部91からの第1トリガ信号の入力に応答して、モータ部53dに対して駆動を制御するための信号が出力される。これにより、モータ部53dによって吸い戻しバルブ52Dによる液吸い戻し経路PB1の閉鎖が行われる。また、例えば、第1制御部91から発動部53Dの電磁弁53cおよび第2制御部92に第2トリガ信号が出力されることで、電磁弁53cがガス排出状態となり、吐出バルブ51における弁体部Vb1による液供給経路PA1を閉鎖する閉鎖動作が開始される。このとき、第2制御部92では、第1制御部91からの第2トリガ信号の入力に応答して、モータ部53dに対して駆動を制御するための信号が出力される。これにより、モータ部53dによって吸い戻しバルブ52Dにおける弁体部Vb1による液吸い戻し経路PB1を開放する開放動作が開始される。これにより、液吸い戻し動作が行われる。
また、制御部9は、例えば、第2トリガ信号を出力した第1タイミングから、検知部55Cが特定状態を検知した第2タイミングまでの吸い戻しバルブ52Dの実動作時間T1と、予め設定された基準動作時間T0と、の関係に応じて、発動部53Dによる吸い戻しバルブ52Dの動作速度に係る設定を変更することができる。ここでは、動作速度に係る設定として、例えば、モータ部53dによる吸い戻しバルブ52Dの開放の速度を調整する設定が含まれる。開放の速度を調整する設定としては、例えば、モータ部53dにおける単位時間当たりの回転角度等が採用され得る。
<2−5.第6実施形態>
ところで、例えば、ノズルNz0から基板W0に対する処理液Lq0の吐出の開始および停止を行う吐出バルブについても、吸い戻しバルブと同様に、吐出バルブによる処理液Lq0の供給経路の開閉が遅くなり過ぎると、基板W0に対する処理液Lq0の供給に要する時間が長くなる。このとき、基板W0に対する処理に要する時間(タクトタイム)が長くなり、基板処理装置における生産効率が低下する。また、例えば、基板W0としての半導体基板がフッ酸等の処理液で処理された後に過度なエッチングを防ぐためにリンス水等の他の処理液を素早く吐出したい場面等では、処理液の供給の停止および処理液の供給の開始を素早く実施したい場合もある。
ただし、例えば、吐出バルブによって処理液Lq0の供給経路が急に開放されると、図26で示されるように、ノズルNz0から基板Wの上面Us0に対する処理液Lq0の吐出が急に開始される。このとき、例えば、ノズルNz0の先端部から処理液Lq0が勢い良く飛散する現象(スプラッシュともいう)が生じる場合がある。そして、このスプラッシュは、吐出バルブの動作環境の変化に応じた吐出バルブの動作速度の変動によって生じ得る。
そこで、上記各実施形態において、例えば、図16で示されるように、吐出バルブ51が、液供給経路PA1の開放動作の速度(開放速度ともいう)が制御可能な吐出バルブ51Eとされ、吐出バルブ51Eにおける開放速度が調整されてもよい。すなわち、吐出バルブ51が制御対象とされてもよい。これにより、例えば、吐出バルブ51Eによって液供給経路PA1が開放される開放速度が制御されることで、ノズルNz0の先端部から処理液Lq0が勢い良く飛散するスプラッシュの発生が抑制され得る。すなわち、例えば、吐出バルブ51Eの動作環境に変化が生じても、次回以降の基板処理では、ノズルNz1から基板Wに対する処理液Lq1の吐出における不具合の発生を比較的簡易な構成で抑制することができる。図16は、第6実施形態に係る処理ユニット100の一構成例を模式的に示す図である。
第6実施形態に係る基板処理装置1としては、例えば、図16で示されるように、第5実施形態に係る基板処理装置1がベースとされて、処理液供給系5Dが、処理液供給系5Eに変更されたものが採用される。
処理液供給系5Eとしては、例えば、処理液供給系5Dがベースとされて、ガス用の配管部P2Dが削除され、吐出バルブ51が吐出バルブ51Eに置換され、発動部53Dが発動部53Eに変更され、検知部55Cが検知部55Eに変更されたものが採用される。
吐出バルブ51Eは、配管部P1Bの途中部分に設けられ、該配管部P1BおよびノズルNz1における処理液Lq1の存在状態を変化させることができる。吐出バルブ51Eには、例えば、上記第5実施形態に係る吸い戻しバルブ52Dと同様に、電動式モータバルブVmo(図15)の構成が適用される。ここでは、吐出バルブ51Eは、例えば、本体部VM1と該本体部VM1に対して摺動する連結部Vh1を有する駆動機構DR1Dとを有している。そして、吐出バルブ51Eには、モータ部53eによって駆動力が付与される。このため、吐出バルブ51Eと、モータ部53eと、によって、電動式モータバルブVmoが構成される。電動式モータバルブVmoには、例えば、モータニードルバルブが適用され得る。
発動部53Eは、例えば、上記第5実施形態に係る発動部53Dから電磁弁53cが取り除かれ、吐出バルブ51Eにおいて液供給経路PA1を開閉するために弁体部Vb1を移動させるモータ部53eが加えられた構成を有している。この場合、発動部53Eは、吐出バルブ51Eによって液供給経路PA1を開閉させる駆動力をモータ部53eによって該吐出バルブ51Eを付与することができる。ここで、モータ部53eは、例えば、第2制御部92からの信号に応じて、回転方向の駆動力を生じる。例えば、モータ部53eでは、エンコーダから回転角の変化分に応じたパルスが第2制御部92に出力され、第2制御部92においてモータ部53dの回転角の変化が認識され得る。
検知部55Eは、例えば、配管部P1B内における処理液Lq1の存在または流速に係る特定状態を検知することができる。ここで、該特定状態としては、例えば、配管部P1Bのうちの吐出バルブ51EからノズルNz1にかけた部分における、特定位置まで処理液Lq1が到達した状態(特定給液状態ともいう)、または処理液Lq1の流速が基準流速に到達した状態(特定流れ状態ともいう)が採用される。
この場合、例えば、検知部55Eには、上記第4実施形態に係る検知部55Cと同様な構成が適用され得る。具体的には、例えば、吐出バルブ51EとノズルNz1とをつないでいる第2配管部分P1bが透明あるいは半透明の管を用いて形成されていれば、検知部55Eを、第2配管部分P1bの特定位置に対向するように配置し、該検知部55Eによって、処理液Lq1の液面の通過を検知してもよい。このとき、透明あるいは半透明の管は、石英管あるいはPFAの管で構成され得る。処理液Lq1の液面の通過は、例えば、光の屈折の変化によって検出され得る。また、例えば、第2配管部分P1bが透明あるいは半透明でない場合は、検知部55Eでは、例えば、静電容量の変化、超音波の反射の変化および電磁的な変化等を用いて、処理液Lq1の液面の通過が検知されてもよい。また、ここで、配管部P1B内における処理液Lq1の流速に係る特定状態として、例えば、特定流れ状態が採用される場合には、例えば、検知部55Eとして、第2配管部分P1bの特定位置に対して配置された流量計が採用されてもよい。
上記構成を有する処理ユニット100では、制御部9は、例えば、各種のトリガ信号を出力することで発動部53Eによって吐出バルブ51Eおよび吸い戻しバルブ52Dを動作させることができる。例えば、第1制御部91から第2制御部92に対する第1トリガ信号の出力に応答して、第2制御部92からの信号に応じてモータ部53eが吐出バルブ51Eによって液供給経路PA1を開閉させる。また、例えば、第2制御部92からの信号に応じてモータ部53dが吸い戻しバルブ52Dによって液吸い戻し経路PB1を開閉させる。
ここでは、例えば、第1制御部91から第2制御部92に第1トリガ信号が出力されると、第2制御部92が、モータ部53dおよびモータ部53eに対して、駆動を制御するための信号を出力する。これにより、例えば、モータ部53dによる吸い戻しバルブ52Dにおける液吸い戻し経路PB1の閉鎖動作と、モータ部53eによる吐出バルブ51Eにおける液供給経路PA1の開放動作と、が開始される。また、例えば、第1制御部91から第2制御部92に第2トリガ信号が出力されると、第2制御部92が、モータ部53dおよびモータ部53eに対して、駆動を制御するための信号を出力する。これにより、例えば、モータ部53eによる吐出バルブ51Eにおける液供給経路PA1の閉鎖動作と、モータ部53dによる吸い戻しバルブ52Dにおける液吸い戻し経路PB1の開放動作と、が開始される。これにより、液吸い戻し動作が行われ始める。
また、制御部9は、例えば、第2トリガ信号を出力した第1タイミングから、検知部55Eが特定状態を検知した第2タイミングまでの吐出バルブ51Eの実動作時間T1Eと、予め設定された基準動作時間T0Eと、の関係に応じて、発動部53Eによる吐出バルブ51Eの動作の速度に係る設定を変更することができる。ここでは、動作の速度に係る設定として、例えば、モータ部53eによる吐出バルブ51Eの開放の速度を調整する設定が含まれる。開放の速度を調整する設定としては、例えば、モータ部53eにおける単位時間当たりの回転角度等が採用され得る。これにより、例えば、吐出バルブ51Eの動作環境に変化が生じても、次回以降の基板処理では、ノズルNz1から基板Wに対する処理液Lq1の吐出におけるスプラッシュの発生を比較的簡易な構成で抑制することができる。
図17は、第6実施形態に係る基板処理装置1における処理ユニット100の制御フローの一例を示す流れ図である。ここでは、例えば、制御部9においてプログラムPg1,Pg2が実行されることで制御フローが実現される。
まず、図17のステップSt1およびステップSt2では、図8のステップSp1およびステップSp2と同様な処理が行われる。
次に、ステップSt3では、第1制御部91によって、第1トリガ信号が出力される。このとき、第1トリガ信号は、例えば、第2制御部92に対して出力される。その後、ステップSt4およびステップSt10に進み、ステップSt4からステップSt9の処理と、ステップSt10からステップSt13の処理と、が並行して実行される。
ステップSt4では、第2制御部92によって、ステップSt3で出力された第1トリガ信号の入力に応答して、発動部53Eに吐出バルブ51Eによる液供給経路PA1の開放動作を開始させる。このとき、例えば、第2制御部92から出力される制御信号に応じて、モータ部53eが駆動力を発することで、吐出バルブ51Eによる液供給経路PA1の開放動作が開始される。また、ここでは、第2制御部92によって、第1トリガ信号の入力に応答して、発動部53Eに吸い戻しバルブ52Dによる液吸い戻し経路PB1の閉鎖動作を開始させる。このとき、例えば、第2制御部92から出力される制御信号に応じて、モータ部53dが駆動力を発することで、吸い戻しバルブ52Dによる液吸い戻し経路PB1の閉鎖動作が開始される。これにより、液供給部7からノズルNz1に処理液Lq1が送給され始め、ノズルNz1から基板Wの上面Us1に向けて処理液Lq1が供給され始める。
ステップSt5では、第1制御部91によって、第2トリガ信号が出力される。このとき、第2トリガ信号は、例えば、第2制御部92に対して出力される。
ステップSt6では、第2制御部92によって、ステップSt5で出力された第2トリガ信号の入力に応答して、発動部53Eに吐出バルブ51Eによる液供給経路PA1の閉鎖動作を開始させる。このとき、例えば、第2制御部92から出力される制御信号に応じて、モータ部53eが駆動力を発することで、吐出バルブ51Eによる液供給経路PA1の閉鎖動作が開始される。これにより、液供給部7からノズルNz1への処理液Lq1の送給が停止され始める。その後、ノズルNz1から基板Wの上面Us1に向けた処理液Lq1の供給が停止される。
ステップSt7では、第2制御部92によって、ステップSt5で出力された第2トリガ信号の入力に応答して、発動部53Eに吸い戻しバルブ52Dによる液吸い戻し経路PB1の開放動作を開始させる。このとき、例えば、第2制御部92から出力される制御信号に応じて、モータ部53dが駆動力を発することで、吸い戻しバルブ52Dによる液吸い戻し経路PB1の開放動作が開始される。これにより、液吸い戻し動作が行われ始める。
ステップSt8およびステップSt9では、図8のステップSp8およびステップSp9と同様な処理が行われる。
また、ステップSt10では、検知部55Eによって、配管部P1B内における処理液Lq1の存在または流速に係る特定状態が検知される。ここでは、特定状態として、例えば、配管部P1Bのうちの吐出バルブ51EからノズルNz1にかけた部分における、特定位置まで処理液Lq1が到達した特定給液状態、または処理液Lq1の流速が基準流速に到達した特定流れ状態が検知される。このとき、例えば、検知部55Eにおける検知結果が、第2制御部92に出力される。
ステップSt11では、第2制御部92によって、ステップSt3において第1トリガ信号が出力された第1タイミングからステップSt10において特定状態(例えば、特定給液状態または特定流れ状態)が検知された第2タイミングまでの実動作時間T1Eが認識される。
ステップSt12では、第2制御部92によって、ステップSt11で認識された実動作時間T1Eと、予め設定された基準動作時間T0Eとの関係に応じて、発動部53Eによる吐出バルブ51Eの動作の速度に係る設定の変更量が算出される。ここで、吐出バルブ51Eの動作の速度に係る設定としては、例えば、吐出バルブ51Eによって液供給経路PA1を開放する速度(開放速度)に係る設定が採用される。開放速度を調整する設定としては、例えば、モータ部53eにおける単位時間当たりの回転角度等が採用され得る。
ステップSt13では、第2制御部92によって、ステップSt12で算出された変更量に応じて、発動部53Eのモータ部53eが吐出バルブ51Eにおいて液供給経路PA1を開放する速度に係る設定が変更される。
つまり、ステップSt11からステップSt13では、第2制御部92によって、ステップSt3において第1トリガ信号が出力された第1タイミングからステップSt10において特定状態が検知された第2タイミングまでの実動作時間T1Eと、予め設定された基準動作時間T0Eとの関係に応じて、発動部53Eによる吐出バルブ51Eの開放速度に係る設定が変更される。
また、ステップSt11からステップSt13では、例えば、第2制御部92によって、第1トリガ信号が出力される第1タイミングから特定状態が実現される第2タイミングまでの時間(動作時間)TEと、発動部53Eによる吐出バルブ51Eの動作速度に係る設定値と、の間における基準の関係を示す情報(基準関係情報)における、実測された実動作時間T1Eと基準動作時間T0Eとの差に対応する設定値のズレ量に応じて、モータ部53eによる吐出バルブ51Eの開放の速度に係る設定について、変更量が算出され、該変更量に応じた変更がなされてもよい。なお、第2制御部92では、例えば、動作時間TEと、発動部53Eによる吐出バルブ51Eの動作速度に係る設定値と、の間の比例または反比例の関係における、実動作時間T1Eと基準動作時間T0Eとの差に対応する設定値のズレ量に応じて、発動部53による吐出バルブ51Eの動作の速度に係る設定の変更量が算出されてもよい。また、第2制御部92では、例えば、基準動作時間T0Eよりも実動作時間T1Eが短ければ、吐出バルブ51Eの動作の速度が小さくなるような、発動部53Eによる吐出バルブ51Eの動作速度に係る設定の変更量が算出され、基準動作時間T0Eよりも実動作時間T1Eが長ければ、吐出バルブ51Eの動作の速度が大きくなるような、発動部53Eによる吐出バルブ51Eの動作速度に係る設定の変更量が算出さてもよい。
このようにして、1枚の基板Wに対する処理液Lq1を用いた処理が完了されるとともに、次回以降の吐出バルブ51Eによる開放動作に係る実動作時間T1Eが、基準動作時間T0Eに近づけられ得る。ここでも、実動作時間T1Eが基準動作時間T0Eに近づけられる処理は、例えば、複数枚の基板Wに対する処理液Lq1を用いた処理が完了される毎に行われてもよいし、特定の時間毎に行われてもよいし、ユーザーの指定に応じて行われてもよいし、ランダムなタイミングで行われてもよいし、実動作時間T1Eと基準動作時間T0Eとの差が予め設定された許容範囲から外れた場合に行われてもよい。
<2−6.第7実施形態>
上記第6実施形態において、例えば、図18で示されるように、吐出バルブ51Eが、エアオペレートバルブVaoが適用された吐出バルブ51に変更されることで、吐出バルブ51による液供給経路PA1の開放速度が制御されてもよい。これにより、例えば、吐出バルブ51による液供給経路PA1が開放される開放速度が制御されることで、ノズルNz0の先端部から処理液Lq0が勢い良く飛散するスプラッシュの発生が抑制され得る。また、例えば、図18で示されるように、吸い戻しバルブ52Dが、エアオペレートバルブVaoが適用された吸い戻しバルブ52Bに変更されてもよい。図18は、第7実施形態に係る処理ユニット100の一構成例を模式的に示す図である。
第7実施形態に係る基板処理装置1としては、例えば、図18で示されるように、第3実施形態に係る基板処理装置1(図12)がベースとされて、処理液供給系5Bが、処理液供給系5Fに変更されたものが採用される。
処理液供給系5Fとしては、例えば、上記第3実施形態に係る処理液供給系5Bがベースとされて、主に、ガス用の配管部P2Bが配管部P2Fに変更され、発動部53Bが発動部53Fに変更され、検知部55Fが追加されたものが採用される。
ガス用の配管部P2Fとしては、例えば、上記第3実施形態に係るガス用の配管部P2Bがベースとされ、第3配管部分P2cが、第3a配管部分P2caと第3b配管部分P2cbとに分割されたものが採用される。
発動部53Fとしては、例えば、上記第3実施形態に係る発動部53Bがベースとされて、スピードコントローラ53fが追加されたものが採用される。スピードコントローラ53fは、例えば、第3a配管部分P2caによって電磁弁53cに接続されるとともに、第3b配管部分P2cbによって吐出バルブ51の駆動機構DR1に接続されている。スピードコントローラ53fとしては、例えば、流量制御弁の絞り度合い(開度)によって、電磁弁53cから吐出バルブ51に向けた制御ガスGs1の供給速度の制御(メータイン制御)を行うものが採用される。
検知部55Fは、例えば、上記第3実施形態に係る検知部55Bと同様な構成を有しており、吐出バルブ51の動作に係る特定状態を検知することができる。特定状態としては、例えば、吐出バルブ51によって液供給経路PA1が完全に開放されている状態、あるいは吐出バルブ51によって液供給経路PA1がある程度開放されている状態、などの液供給経路PA1の特定の開放度合い(開度)に係る状態(特定開度状態)が採用される。ここで、検知部55Fは、例えば、特定状態の検知に応答して、特定の信号(開信号ともいう)を第2制御部92に出力してもよい。
上記構成を有する処理ユニット100では、制御部9は、例えば、各種のトリガ信号を出力することで、発動部53Fによって吐出バルブ51および吸い戻しバルブ52Bを動作させることができる。例えば、第1制御部91から電磁弁53cに第1トリガ信号が出力されることで、電磁弁53cがガス供給状態となり、吐出バルブ51における弁体部Vb1による液供給経路PA1を開放する開放動作が開始される。このとき、例えば、発動部53Fのうちの電磁弁53cおよびスピードコントローラ53fを介して吐出バルブ51の駆動機構DR1に制御ガスGs1が供給され始め、弁体部Vb1が動作し始めることで、該弁体部Vb1による液供給経路PA1を開放する動作(開放動作)が開始される。また、例えば、第1制御部91から電磁弁53aにも第1トリガ信号が出力されることで、電磁弁53aがガス排出状態となり、吸い戻しバルブ52Bにおいて弁体部Vb1による液吸い戻し経路PB1を閉鎖する動作(閉鎖動作)が開始される。このとき、例えば、第1トリガ信号は、第1制御部91から第2制御部92にも出力されてよい。
また、制御部9は、例えば、第1トリガ信号を出力した第1タイミングから、検知部55Fが特定状態を検知した第2タイミングまでの吐出バルブ51の実動作時間T1Fと、予め設定された基準動作時間T0Fと、の関係に応じて、発動部53Fによる吐出バルブ51の動作の速度に係る設定を変更することができる。ここで、特定状態としては、例えば、吐出バルブ51における液供給経路PA1の特定の開放度合い(開度)に係る特定開度状態が採用される。
ここで、吐出バルブ51の動作の速度としては、例えば、吐出バルブ51によって液供給経路PA1を開放する開放速度が採用される。また、発動部53Fによる吐出バルブ51の開放速度に係る設定としては、例えば、発動部53Fによる吐出バルブ51の第1領域Aa1への制御ガスGs1の供給の速度を調整する設定が採用される。制御ガスGs1の供給速度は、例えば、単位時間当たりに第1領域Aa1に供給される制御ガスGs1の量(ガス供給量)で表される。制御ガスGs1の供給速度を調整する設定としては、例えば、スピードコントローラ53fの流量制御弁の絞り度合い(開度)が採用される。
上記構成を有する第7実施形態に係る基板処理装置1における処理ユニット100の制御フローは、図17で示された上記第6実施形態に係る基板処理装置1における処理ユニット100の制御フローと同様なものとなる。
但し、ステップSt3では、例えば、第1制御部91によって出力される第1トリガ信号は、例えば、発動部53Fの電磁弁53a,53cおよび第2制御部92に対して出力される。
また、ステップSt4では、例えば、発動部53Fによって、第1トリガ信号の入力に応答して、吐出バルブ51における開放動作が開始される。このとき、例えば、電磁弁53cがガス供給状態となり、吐出バルブ51の駆動機構DR1の第1領域Aa1に制御ガスGs1が導入され始めることで、吐出バルブ51による液供給経路PA1の開放動作が開始される。これにより、液供給部7からノズルNz1に処理液Lq1が送給され始めることで、ノズルNz1から基板Wの上面Us1に向けて処理液Lq1が供給され始める。また、このとき、例えば、電磁弁53aがガス排出状態となり、吸い戻しバルブ52Bの駆動機構DR1の第1領域Aa1から制御ガスGs1が排出され始めることで、吸い戻しバルブ52Bにおいて液吸い戻し経路PB1が閉鎖され始める。これにより、液吸い戻し動作が行われない状態に設定される。
また、ステップSt5では、例えば、第1制御部91によって出力される第2トリガ信号は、例えば、発動部53Fの電磁弁53a,53cおよび第2制御部92に対して出力される。
また、ステップSt6では、例えば、ステップSt5で出力された第2トリガ信号の入力に応答して、発動部53Fによって、吐出バルブ51による閉鎖動作が開始される。ここでは、例えば、電磁弁53cがガス排出状態となり、吐出バルブ51において、駆動機構DR1の第1領域Aa1から制御ガスGs1が排出され始めて、仕切り部Pd1が動作し始めることで、連結部Vh1を介して弁体部Dp1が動作され始める。これにより、吐出バルブ51による閉鎖動作が開始される。
また、ステップSt7では、例えば、ステップSt5で出力された第2トリガ信号の入力に応答して、発動部53Fによって、吸い戻しバルブ52Bに、液吸い戻し経路PB1を開放させ始めることで、液吸い戻し動作が開始される。つまり、配管部P1BおよびノズルNz1における処理液Lq1の存在状態が変化され始める。ここでは、例えば、電磁弁53aがガス供給状態となり、吸い戻しバルブ52Bの駆動機構DR1の第1領域Aa1に制御ガスGs1が供給され始めることで、仕切り部Pd1が動作し始める。このとき、連結部Vh1を介して弁体部Vb1が動作され始める。これにより、吸い戻しバルブ52Bによる液吸い戻し動作が開始される。
また、ステップSt10では、例えば、検知部55Fによって、吐出バルブ51の動作に係る特定状態が検知される。ここでは、特定状態として、例えば、吐出バルブ51によって液供給経路PA1が完全に開放されている状態、あるいは吐出バルブ51によって液供給経路PA1がある程度開放されている状態、などの液供給経路PA1の特定の開放度合い(開度)に係る特定開度状態が検知される。このとき、例えば、検知部55Fにおける検知結果を示す特定の信号(閉信号)が第2制御部92に出力される。
また、ステップSt11では、例えば、第2制御部92によって、ステップSt3において第1トリガ信号が出力された第1タイミングからステップSt10において特定状態が検知された第2タイミングまでの実動作時間T1Fが認識される。
また、ステップSt12では、例えば、第2制御部92によって、ステップSt11で認識された実動作時間T1Fと、予め設定された基準動作時間T0Fとの関係に応じて、発動部53Fによる吐出バルブ51の動作の速度に係る設定の変更量が算出される。
また、ステップSt13では、例えば、第2制御部92によって、ステップSt12で算出された変更量に応じて、発動部53Fによる吐出バルブ51の第1領域Aa1への制御ガスGs1の供給の速度を調整する設定が変更される。
つまり、ステップSt11からステップSt13では、例えば、第2制御部92によって、ステップSt3において第1トリガ信号が出力された第1タイミングからステップSt10において特定状態が検知された第2タイミングまでの実動作時間T1Fと、予め設定された基準動作時間T0Fとの関係に応じて、発動部53Fによる吐出バルブ51の開放の速度に係る設定が変更される。ここでは、例えば、第1トリガ信号が出力された第1タイミングからステップSt10で特定の開度が検知された第2タイミングまでの実動作時間T1Fと、基準動作時間T0Fとの関係に応じて、発動部53Fによる吐出バルブ51の第1領域Aa1への制御ガスGs1の供給の速度を調整する設定が変更される。ここで、第1領域Aa1への制御ガスGs1の供給の速度を調整する設定として、例えば、スピードコントローラ53fの流量制御弁の開度あるいは該開度に対応するニードル弁の位置の設定が採用される。
このようにして、例えば、1枚の基板Wに対する処理液Lq1を用いた処理が完了されるとともに、次回以降の吐出バルブ51による液供給経路PA1の開放動作に係る実動作時間T1Fが、基準動作時間T0Fに近づけられ得る。これにより、例えば、吐出バルブ51の動作環境に変化が生じても、次回以降の基板処理では、ノズルNz1から基板Wに対する処理液Lq1の吐出におけるスプラッシュの発生を比較的簡易な構成で抑制することができる。
なお、上記第7実施形態においても、上記第3実施形態と同様に、吐出バルブ51に適用されるエアオペレートバルブVaoとして、例えば、ノーマル開型のエアオペレートバルブが採用されてもよい。この場合には、例えば、スピードコントローラ53fが、メータアウト制御を行う上記第1実施形態に係るスピードコントローラ53bと同様なものに置換されてもよい。そして、例えば、吐出バルブ51の動作速度(例えば開放速度)に係る設定として、例えば、発動部53Fによる吐出バルブ51の第1領域Aa1からの制御ガスGs1の排出の速度を調整する設定が採用されてもよい。
また、上記第7実施形態において、例えば、検知部55Fが上記第6実施形態に係る検知部55Eと置換され、該検知部55Eが、例えば、配管部P1内における処理液Lq1の存在または流速に係る特定状態を検知してもよい。このとき、特定状態としては、例えば、配管部P1のうちの吐出バルブ51EからノズルNz1にかけた部分における、特定位置まで処理液Lq1が到達した状態(特定給液状態)、または処理液Lq1の流速が基準流速に到達した状態(特定流れ状態)が採用される。なお、ここでは、基準流速に到達した状態とは、例えば、処理液Lq1の流速が基準流速よりも遅い状態から基準流速以上となった状態をいう。
<2−7.第8実施形態>
また、例えば、吐出バルブによって処理液Lq0の供給経路が急に閉鎖されると、ノズルNz0から基板W0に向けた処理液Lq0の吐出が急に停止される。このとき、例えば、図25で示されるように、いわゆるウォーターハンマーによってノズルNz0の先端部から基板W0の上面Us0に処理液Lq0の液滴Dp0が落下するボタ落ちが生じる場合がある。このウォーターハンマーによるボタ落ちも、上記スプラッシュ等と同様に、吐出バルブの動作環境の変化に応じた吐出バルブの動作速度の変動によって生じ得る。
そこで、上記第7実施形態において、例えば、図19で示されるように、メータイン制御を行うことが可能なスピードコントローラ53fが、メータアウト制御を行うことが可能なスピードコントローラ53gに置換されてもよい。これにより、例えば、吐出バルブ51によって液供給経路PA1が閉鎖される速度(閉鎖速度)が制御されることで、ウォーターハンマーによる処理液Lq1のボタ落ちの発生が抑制され得る。図19は、第8実施形態に係る処理ユニット100の一構成例を模式的に示す図である。
第8実施形態に係る基板処理装置1としては、例えば、図19で示されるように、第7実施形態に係る基板処理装置1の構成(図18)がベースとされて、処理液供給系5Fが、処理液供給系5Gに変更されたものが採用される。処理液供給系5Gとしては、例えば、上記第7実施形態に係る処理液供給系5Fがベースとされて、発動部53Fが発動部53Gに変更されたものが採用される。
発動部53Gとしては、例えば、上記第7実施形態に係る発動部53Fがベースとされて、メータイン制御を行うことが可能なスピードコントローラ53fが、メータアウト制御を行うことが可能なスピードコントローラ53gに置換されたものが採用される。このような構成が採用されても、上記第7実施形態に係る発動部53Fと同様に、例えば、発動部53Gは、吐出バルブ51によって液供給経路PA1を開閉させる駆動力を該吐出バルブ51に付与することができる。ここでは、発動部53Gは、例えば、吐出バルブ51の第1領域Aa1への制御ガスGs1の供給および吐出バルブ51の第1領域Aa1からの制御ガスGs1の排出によって仕切り部Pd1を動作させることで、連結部Vh1を介して弁体部Vb1を動作させることができる。
上記構成を有する処理ユニット100では、制御部9は、例えば、各種のトリガ信号を出力することで、発動部53Gによって吐出バルブ51および吸い戻しバルブ52Bを動作させることができる。例えば、制御部9は、第2トリガ信号を出力することで、発動部53Gによって吐出バルブ51による液供給経路PA1の閉鎖を開始させることができる。ここでは、例えば、第1制御部91から電磁弁53cに第2トリガ信号が出力されることで、電磁弁53cがガス排出状態となり、吐出バルブ51において弁体部Vb1による液供給経路PA1を閉鎖する閉鎖動作が行われる。このとき、例えば、吐出バルブ51の駆動機構DR1から、発動部53Gのうちのスピードコントローラ53fおよび電磁弁53cを介して制御ガスGs1が排出されることで、弁体部Vb1が動作し、該弁体部Vb1による液供給経路PA1を閉鎖する閉鎖動作が開始される。また、このとき、例えば、第1制御部91から電磁弁53aにも第2トリガ信号が出力されることで、電磁弁53aがガス供給状態となり、吸い戻しバルブ52Bにおいて弁体部Vb1による液吸い戻し経路PB1を開放する開放動作が行われる。このとき、例えば、第2トリガ信号は、第1制御部91から第2制御部92にも出力されてよい。
また、制御部9は、例えば、第2トリガ信号を出力した第1タイミングから、検知部55Fが特定状態を検知した第2タイミングまでの吐出バルブ51の実動作時間T1Gと、予め設定された基準動作時間T0Gと、の関係に応じて、発動部53Gによる吐出バルブ51の動作の速度に係る設定を変更することができる。特定状態としては、例えば、吐出バルブ51における液供給経路PA1の特定の開放度合い(開度)に係る特定開度状態が採用される。
ここで、吐出バルブ51の動作速度としては、例えば、吐出バルブ51によって液供給経路PA1を閉鎖する速度(閉鎖速度)が採用される。また、発動部53Gによる吐出バルブ51の閉鎖速度に係る設定としては、例えば、発動部53Gによる吐出バルブ51の第1領域Aa1からの制御ガスGs1の排出の速度を調整する設定が採用される。制御ガスGs1の排出速度は、例えば、単位時間当たりに第1領域Aa1から排出される制御ガスGs1の量(ガス排出量ともいう)で表される。制御ガスGs1の排出速度を調整する設定としては、例えば、スピードコントローラ53gの流量制御弁の絞り度合い(開度)が採用される。
図20は、第8実施形態に係る基板処理装置1における処理ユニット100の制御フローの一例を示す流れ図である。ここでは、例えば、制御部9においてプログラムPg1,Pg2が実行されることで制御フローが実現される。
まず、図20のステップSs1およびステップSs2では、図8のステップSp1およびステップSp2と同様な処理が行われる。
次に、ステップSs3では、第1制御部91によって、第1トリガ信号が出力される。このとき、第1トリガ信号は、例えば、発動部53の電磁弁53a,53cと、第2制御部92と、に対して出力される。
次に、ステップSs4では、発動部53Gによって、第1トリガ信号の入力に応答して、吐出バルブ51における開放動作が行われる。このとき、例えば、電磁弁53aがガス供給状態となり、吐出バルブ51において駆動機構DR1の第1領域Aa1に制御ガスGs1が導入されることで液供給経路PA1が開放される。これにより、ノズルNz1から基板Wの上面Us1に向けて処理液Lq1が供給される。また、このとき、例えば、電磁弁53aがガス排出状態となり、吸い戻しバルブ52Bの駆動機構DR1の第1領域Aa1から制御ガスGs1が排出されることで、吸い戻しバルブ52Bにおいて液吸い戻し経路PB1が閉鎖される。
次に、ステップSs5では、第1制御部91によって、第2トリガ信号が出力される。このとき、第2トリガ信号は、例えば、発動部53の電磁弁53a,53cと、第2制御部92と、に対して出力される。その後、ステップSs6およびステップSs10に進み、ステップSs6からステップSs9の処理と、ステップSs10からステップSs13の処理と、が並行して実行される。
ステップSs6では、ステップSs5で出力された第2トリガ信号の入力に応答して、発動部53Gによって、吐出バルブ51において液供給経路PA1を閉鎖する動作(閉鎖動作)が開始される。ここでは、例えば、電磁弁53cがガス排出状態となり、吐出バルブ51の駆動機構DR1の第1領域Aa1から制御ガスGs1が排出され始めて、仕切り部Pd1が動作し始める。このとき、連結部Vh1を介して弁体部Vb1が動作され始める。これにより、吐出バルブ51における閉鎖動作が開始される。これにより、液供給部7からノズルNz1への処理液Lq1の送給が停止され始める。その後、ノズルNz1から基板Wの上面Us1に向けた処理液Lq1の供給が停止される。
ステップSs7では、ステップSs5で出力された第2トリガ信号の入力に応答して、発動部53Gによって、吸い戻しバルブ52Bが動作されることで、液吸い戻し動作が開始される。ここでは、例えば、電磁弁53aがガス供給状態となり、吸い戻しバルブ52Bの駆動機構DR1の第1領域Aa1に制御ガスGs1が供給され始めて、仕切り部Pd1が動作し始める。このとき、吸い戻しバルブ52Bにおいて液吸い戻し経路PB1が開放され始める。これにより、その後、液吸い戻し経路PB1における液吸い戻し動作が実行される。
ステップSs8およびステップSs9では、図8のステップSp8およびステップSp9と同様な処理が行われる。
ステップSs10では、検知部55Fによって、吐出バルブ51の動作に係る特定状態が検知される。ここでは、特定状態として、例えば、吐出バルブ51の開度に係る特定の状態(特定開度状態)が検知される。このとき、例えば、検知部55Fにおける検知結果が、第2制御部92に出力される。
ステップSs11では、第2制御部92によって、ステップSs5において第2トリガ信号が出力された第1タイミングからステップSs10において特定状態(例えば、特定開度状態)が検知された第2タイミングまでの実動作時間T1Gが認識される。
ステップSs12では、第2制御部92によって、ステップSs11で認識された実動作時間T1Gと、予め設定された基準動作時間T0Gとの関係に応じて、発動部53Gによる吐出バルブ51の動作の速度に係る設定の変更量が算出される。吐出バルブ51の動作の速度に係る設定としては、例えば、発動部53Gによる吐出バルブ51の第1領域Aa1からの制御ガスGs1の排出の速度に係る設定が採用される。
ステップSs13では、第2制御部92によって、ステップSs12で算出された変更量に応じて、発動部53Gによる吐出バルブ51の動作の速度に係る設定が変更される。具体的には、例えば、発動部53Gによる第1領域Aa1からの制御ガスGs1の排出の速度を調整する設定が変更される。
つまり、ステップSs11からステップSs13では、第2制御部92によって、ステップSs5において第2トリガ信号が出力された第1タイミングからステップSs10において特定状態が検知された第2タイミングまでの実動作時間T1Gと、予め設定された基準動作時間T0Gとの関係に応じて、発動部53Gによる吐出バルブ51の動作の速度に係る設定が変更される。吐出バルブ51の動作の速度としては、例えば、吐出バルブ51によって液供給経路PA1を閉鎖する速度(閉鎖速度)が採用される。閉鎖速度に係る設定としては、例えば、発動部53Gによる第1領域Aa1からの制御ガスGs1の排出速度を調整する設定が採用される。この排出速度を調整する設定としては、例えば、スピードコントローラ53fの流量制御弁の開度あるいは該開度に対応するニードル弁の位置の設定が採用される。
また、ステップSs11からステップSs13では、例えば、第2制御部92によって、第1制御部91から第2トリガ信号が出力される第1タイミングから特定状態が実現される第2タイミングまでの時間(動作時間)TGと、発動部53Gによる吐出バルブ51の動作速度に係る設定値と、の間における基準の関係を示す情報(基準関係情報ともいう)における、実測された実動作時間T1Gと基準動作時間T0Gとの差に対応する設定値のズレ量に応じて、発動部53Gによる吐出バルブ51の動作速度に係る設定について、変更量が算出され、該変更量に応じた変更がなされてもよい。なお、第2制御部92では、例えば、動作時間TGと、発動部53Gによる吐出バルブ51の動作速度に係る設定値と、の間の比例または反比例の関係における、実動作時間T1Gと基準動作時間T0Gとの差に対応する設定値のズレ量に応じて、発動部53Gによる吐出バルブ51の動作の速度に係る設定の変更量が算出されてもよい。また、第2制御部92では、例えば、基準動作時間T0Gよりも実動作時間T1Gが短ければ、吐出バルブ51の動作の速度が小さくなるような、発動部53Gによる吐出バルブ51の動作速度に係る設定の変更量が算出され、基準動作時間T0Gよりも実動作時間T1Gが長ければ、吐出バルブ51の動作の速度が大きくなるような、発動部53Gによる吐出バルブ51の動作速度に係る設定の変更量が算出さてもよい。
このようにして、1枚の基板Wに対する処理液Lq1を用いた処理が完了されるとともに、次回以降の吐出バルブ51における液供給経路PA1の閉鎖動作に要する実動作時間T1Gが、基準動作時間T0Gに近づけられ得る。これにより、例えば、吐出バルブ51の動作環境に変化が生じても、ノズルNz1から基板Wに対するウォーターハンマーによる処理液Lq1のボタ落ちの発生を比較的簡易な構成で抑制することができる。ここでも、実動作時間T1Gが基準動作時間T0Gに近づけられる処理は、例えば、複数枚の基板Wに対する処理液Lq1を用いた処理が完了される毎に行われてもよいし、特定の時間毎に行われてもよいし、ユーザーの指定に応じて行われてもよいし、ランダムなタイミングで行われてもよいし、実動作時間T1Gと基準動作時間T0Gとの差が予め設定された許容範囲から外れた場合に行われてもよい。
なお、上記第8実施形態においても、上記第3実施形態と同様に、吐出バルブ51に適用されるエアオペレートバルブVaoとして、例えば、ノーマル開型のエアオペレートバルブが採用されてもよい。この場合には、例えば、スピードコントローラ53gが、メータイン制御を行う上記第7実施形態に係るスピードコントローラ53fと同様なものに置換されてもよい。そして、この場合、吐出バルブ51の動作速度(例えば閉鎖速度)に係る設定としては、例えば、発動部53Gにおける吐出バルブ51の第1領域Aa1への制御ガスGs1の供給速度を調整する設定が採用され得る。
また、上記第8実施形態において、例えば、検知部55Fが上記第6実施形態に係る検知部55Eと同様なものと置換され、該検知部55Eが、例えば、配管部P1内における処理液Lq1の流速に係る特定状態を検知してもよい。このとき、特定状態としては、例えば、配管部P1のうちの吐出バルブ51からノズルNz1にかけた部分における、処理液Lq1の流速が基準流速に到達した状態(特定流れ状態)が採用される。なお、ここでは、基準流速に到達した状態とは、例えば、処理液Lq1の流速が基準流速よりも速い状態から基準流速以下となった状態をいう。
<2−8.第9実施形態>
例えば、図21で示されるように、上記第7実施形態に係る処理液Lq1のスプラッシュの発生を抑制するための構成と、上記第8実施形態に係るウォーターハンマーによる処理液Lq1のボタ落ちの発生を抑制するための構成と、は組み合わせることができる。図21は、第9実施形態に係る処理ユニット100の一構成例を模式的に示す図である。
第9実施形態に係る基板処理装置1としては、例えば、図21で示されるように、第7実施形態に係る基板処理装置1の構成(図18)がベースとされて、処理液供給系5Fが、処理液供給系5Hに変更されたものが採用される。処理液供給系5Hとしては、例えば、上記第7実施形態に係る処理液供給系5Fがベースとされて、ガス用の配管部P2Fが配管部P2Hに変更されるともに、発動部53Fが発動部53Hに変更されたものが採用される。ガス用の配管部P2Hとしては、例えば、上記第7実施形態に係るガス用の配管部P2Fがベースとされ、第3a配管部分P2caと第3b配管部分P2cbとの間に第3c配管部分P2ccが加えられたものが採用される。
発動部53Hとしては、例えば、上記第7実施形態に係る発動部53Fがベースとされ、電磁弁53cと吐出バルブ51との間に、上記第7実施形態に係るメータイン制御を行うことが可能なスピードコントローラ53fに加えて、上記第8実施形態に係るメータアウト制御を行うことが可能なスピードコントローラ53gを設けたものが採用される。例えば、スピードコントローラ53fとスピードコントローラ53gとが直列に接続された構成が採用される。図21の例では、電磁弁53cとスピードコントローラ53gとが第3a配管部分P2caによって接続され、スピードコントローラ53gとスピードコントローラ53fとが第3c配管部分P2ccによって接続され、スピードコントローラ53fと吐出バルブ51の駆動機構DR1とが第3b配管部分P2cbによって接続されている。
このような構成が採用されても、上記第7実施形態に係る発動部53Fおよび上記第8実施形態に係る発動部53Gと同様に、例えば、発動部53Hは、吐出バルブ51によって液供給経路PA1を開閉させる駆動力を該吐出バルブ51に付与することができる。ここでは、発動部53Hは、例えば、吐出バルブ51の第1領域Aa1への制御ガスGs1の供給および吐出バルブ51の第1領域Aa1からの制御ガスGs1の排出によって仕切り部Pd1を動作させることで、連結部Vh1を介して弁体部Vb1を動作させることができる。
検知部55Fは、例えば、吐出バルブ51の動作に係る第1特定状態と第2特定状態とを検知することができる。第1特定状態としては、例えば、吐出バルブ51によって液供給経路PA1が完全に開放されている状態、あるいは吐出バルブ51によって液供給経路PA1がある程度開放されている状態、などの液供給経路PA1の特定の開放度合い(開度)に係る状態(第1特定開度状態ともいう)が採用される。第2特定状態としては、例えば、吐出バルブ51によって液供給経路PA1が完全に閉鎖されている状態、あるいは吐出バルブ51によって液供給経路PA1がある程度閉鎖されている状態、などの液供給経路PA1の特定の閉鎖度合い(開度)に係る状態(第2特定開度状態ともいう)が採用される。
上記構成を有する処理ユニット100では、制御部9は、例えば、各種のトリガ信号を出力することで、発動部53Hによって吐出バルブ51および吸い戻しバルブ52Bを動作させることができる。例えば、第1制御部91から電磁弁53cに第1トリガ信号が出力されることで、電磁弁53cがガス供給状態となり、吐出バルブ51における弁体部Vb1による液供給経路PA1を開放する開放動作が開始される。このとき、例えば、発動部53Hのうちの電磁弁53cおよびスピードコントローラ53f,53gを介して吐出バルブ51の駆動機構DR1に制御ガスGs1が供給され始めることで、弁体部Vb1が動作して、該弁体部Vb1による液供給経路PA1を開放する動作(開放動作)が開始される。また、例えば、第1制御部91から電磁弁53aにも第1トリガ信号が出力されることで、電磁弁53aがガス排出状態となり、吸い戻しバルブ52Bにおいて弁体部Vb1による液吸い戻し経路PB1を閉鎖する閉鎖動作が行われる。このとき、例えば、第1トリガ信号は、第1制御部91から第2制御部92にも出力されてよい。
また、例えば、第1制御部91から電磁弁53cに第2トリガ信号が出力されることで、電磁弁53cがガス排出状態となり、吐出バルブ51における弁体部Vb1による液供給経路PA1を閉鎖する閉鎖動作が開始される。このとき、例えば、発動部53Hのうちの電磁弁53cおよびスピードコントローラ53f,53gを介して吐出バルブ51の駆動機構DR1から制御ガスGs1が排出されることで、弁体部Vb1が動作して、該弁体部Vb1による液供給経路PA1を閉鎖する動作(閉鎖動作)が開始される。また、例えば、第1制御部91から電磁弁53aにも第2トリガ信号が出力されることで、電磁弁53aがガス供給状態となり、吸い戻しバルブ52Bにおいて弁体部Vb1が動作し始めることで、液吸い戻し経路PB1を開放する動作(開放動作)が開始される。このとき、例えば、第2トリガ信号は、第1制御部91から第2制御部92にも出力されてよい。
また、制御部9は、例えば、第1トリガ信号を出力したタイミング(第1開放タイミングともいう)から、検知部55Fが第1特定状態を検知したタイミング(第2開放タイミングともいう)までの吐出バルブ51の実動作時間(実開放動作時間ともいう)T1oHと、予め設定された開放に係る基準動作時間(基準開放動作時間ともいう)T0oHと、の関係に応じて、発動部53Hによる吐出バルブ51の動作の速度に係る設定を変更することができる。ここで、吐出バルブ51の動作の速度としては、例えば、吐出バルブ51によって液供給経路PA1を開放する開放速度が採用される。発動部53Hによる吐出バルブ51の開放速度に係る設定としては、例えば、発動部53Hによる吐出バルブ51の第1領域Aa1への制御ガスGs1の供給の速度を調整する設定が採用される。制御ガスGs1の供給の速度は、例えば、単位時間当たりに第1領域Aa1に供給される制御ガスGs1の量(ガス供給量)で表される。
また、制御部9は、例えば、第2トリガ信号を出力したタイミング(第1閉鎖タイミングともいう)から、検知部55Fが第2特定状態を検知したタイミング(第2閉鎖タイミングともいう)までの吐出バルブ51の実動作時間(実閉鎖動作時間ともいう)T1cHと、予め設定された基準の閉鎖動作時間(基準閉鎖動作時間ともいう)T0cHと、の関係に応じて、発動部53Hによる吐出バルブ51の動作の速度に係る設定を変更することができる。ここで、吐出バルブ51の動作の速度としては、例えば、吐出バルブ51によって液供給経路PA1を閉鎖する閉鎖速度が採用される。発動部53Hによる吐出バルブ51の閉鎖速度に係る設定としては、例えば、発動部53Hによる吐出バルブ51の第1領域Aa1からの制御ガスGs1の排出の速度を調整する設定が採用される。制御ガスGs1の排出の速度は、例えば、単位時間当たりに第1領域Aa1から排出される制御ガスGs1の量(ガス排出量)で表される。制御ガスGs1の供給速度および排出速度を調整する設定としては、例えば、スピードコントローラ53f,53gの流量制御弁の絞り度合い(開度)が採用される。
図22は、第9実施形態に係る基板処理装置1における処理ユニット100の制御フローの一例を示す流れ図である。ここでは、例えば、制御部9においてプログラムPg1,Pg2が実行されることで制御フローが実現される。
まず、図22のステップSe1およびステップSe2では、図8のステップSp1およびステップSp2と同様な処理が行われる。
次に、ステップSe3では、図20のステップSs3と同様に、第1制御部91によって、第1トリガ信号が出力される。このとき、第1トリガ信号は、例えば、発動部53の電磁弁53a,53cと、第2制御部92と、に対して出力される。その後、ステップSe4およびステップSe6に進み、ステップSe4、ステップSe5およびステップSe10からステップSe17までの処理と、ステップSe6からステップSe9の処理と、が並行して実行される。
ステップSe4では、図20のステップSs4と同様に、発動部53Hによって、ステップSe3における第1トリガ信号の出力に応答して、吐出バルブ51における液供給経路PA1の開放を開始させる。
ステップSe5では、図20のステップSs5と同様に、第1制御部91によって、第2トリガ信号が出力される。第2トリガ信号は、例えば、発動部53の電磁弁53a,53cと、第2制御部92と、に対して出力される。その後、ステップSe10およびステップSe14に進み、ステップSe10からステップSe13の処理と、ステップSe14からステップSe17の処理と、が並行して実行される。
ステップSe6では、検知部55Fによって、吐出バルブ51の動作に係る第1特定状態が検知される。このとき、例えば、検知部55Fにおける検知結果を示す特定の信号が第2制御部92に出力される。
ステップSe7では、第2制御部92によって、ステップSe3において第1トリガ信号が出力された第1開放タイミングからステップSe6において第1特定状態が検知された第2開放タイミングまでの実開放動作時間T1oHが認識される。
ステップSe8では、第2制御部92によって、ステップSe7で認識された実開放動作時間T1oHと、予め設定された基準開放動作時間T0oHとの関係に応じて、発動部53Hによる吐出バルブ51の開放の速度に係る設定の変更量が算出される。
ステップSe9では、第2制御部92によって、ステップSe8で算出された変更量に応じて、発動部53Hによる吐出バルブ51の第1領域Aa1への制御ガスGs1の供給の速度を調整する設定が変更される。
つまり、ステップSe7からステップSe9では、第2制御部92によって、実開放動作時間T1oHと、予め設定された基準開放動作時間T0oHとの関係に応じて、発動部53Hによる吐出バルブ51の開放の速度に係る設定が変更される。ここでは、例えば、発動部53Hによる吐出バルブ51の第1領域Aa1への制御ガスGs1の供給の速度を調整する設定が変更される。ここで、第1領域Aa1への制御ガスGs1の供給の速度を調整する設定として、例えば、スピードコントローラ53fの流量制御弁の開度あるいは該開度に対応するニードル弁の位置の設定が採用される。このようにして、次回以降の吐出バルブ51による液供給経路PA1の開放動作に係る実開放動作時間T1oHが、基準開放動作時間T0oHに近づけられ得る。これにより、例えば、吐出バルブ51の動作環境に変化が生じても、次回以降の基板処理では、ノズルNz1から基板Wに対する処理液Lq1の吐出におけるスプラッシュの発生を比較的簡易な構成で抑制することができる。
なお、ステップSe7からステップSe9では、例えば、第2制御部92によって、第1トリガ信号が出力される第1開放タイミングから第1特定状態が実現される第2開放タイミングまでの開放動作時間ToHと、発動部53Hによる吐出バルブ51の動作の速度に係る設定値と、の間における基準の関係を示す情報(基準関係情報)における、実測された実開放動作時間T1oHと基準開放動作時間T0oHとの差に対応する設定値のズレ量に応じて、発動部53Hによる吐出バルブ51の動作の速度に係る設定について、変更量が算出され、該変更量に応じた変更がなされてもよい。なお、第2制御部92では、例えば、開放動作時間ToHと、発動部53Hによる吐出バルブ51の動作の速度に係る設定値と、の間の比例または反比例の関係における、実開放動作時間T1oHと基準開放動作時間T0oHとの差に対応する設定値のズレ量に応じて、発動部53Hによる吐出バルブ51の動作の速度に係る設定の変更量が算出されてもよい。また、第2制御部92では、例えば、基準開放動作時間T0oHよりも実開放動作時間T1oHが短ければ、吐出バルブ51の動作の速度が小さくなるような、発動部53Hによる吐出バルブ51の動作速度に係る設定の変更量が算出され、基準開放動作時間T0oHよりも実開放動作時間T1oHが長ければ、吐出バルブ51の動作の速度が大きくなるような、発動部53Hによる吐出バルブ51の動作速度に係る設定の変更量が算出さてもよい。
ステップSe10では、図20のステップSs6と同様に、ステップSe5における第2トリガ信号の出力に応答して、発動部53Hによって、吐出バルブ51において液供給経路PA1の閉鎖を開始させる。
次に、ステップSe11では、図20のステップSs7と同様に、ステップSe5における第2トリガ信号の出力に応答して、発動部53Hによって、吸い戻しバルブ52Bが動作されることで、液吸い戻し動作が開始される。
次に、ステップSe12およびステップSe13では、図20のステップSs8およびステップSs9と同様な処理が行われる。
次に、ステップSe14では、図20のステップSs10と同様に、検知部55Fによって、吐出バルブ51の動作に係る第2特定状態が検知される。このとき、例えば、検知部55Fにおける検知結果が、第2制御部92に出力される。
次に、ステップSe15では、図20のステップSs11と同様に、第2制御部92によって、ステップSe5において第2トリガ信号が出力された第1閉鎖タイミングからステップSe14において第2特定状態が検知された第2閉鎖タイミングまでの実閉鎖動作時間T1cHが認識される。
次に、ステップSe16では、図20のステップSs12と同様に、第2制御部92によって、ステップSe15で認識された実閉鎖動作時間T1cHと、予め設定された基準閉鎖動作時間T0cHとの関係に応じて、発動部53Hによる吐出バルブ51の閉鎖の速度に係る設定の変更量が算出される。吐出バルブ51の閉鎖の速度に係る設定としては、例えば、発動部53Hによる吐出バルブ51の第1領域Aa1からの制御ガスGs1の排出の速度に係る設定が採用される。
ステップSe17では、図20のステップSs13と同様に、第2制御部92によって、ステップSe16で算出された変更量に応じて、発動部53Hによる吐出バルブ51の動作の速度に係る設定が変更される。具体的には、例えば、発動部53Hによる第1領域Aa1からの制御ガスGs1の排出の速度を調整する設定が変更される。
つまり、ステップSe15からステップSe17では、第2制御部92によって、例えば、ステップSe5において第2トリガ信号が出力された第1閉鎖タイミングからステップSe14において第2特定状態が検知された第2閉鎖タイミングまでの実閉鎖動作時間T1cHと、予め設定された基準閉鎖動作時間T0cHとの関係に応じて、発動部53Hによる吐出バルブ51の動作の速度に係る設定が変更される。吐出バルブ51の動作の速度としては、例えば、吐出バルブ51によって液供給経路PA1を閉鎖する閉鎖速度が採用される。
また、ステップSe15からステップSe17では、例えば、第2制御部92によって、第1制御部91から第2トリガ信号が出力される第1閉鎖タイミングから第2特定状態が実現される第2閉鎖タイミングまでの閉鎖動作時間TcHと、発動部53Hによる吐出バルブ51の動作の速度に係る設定値と、の間における基準の関係を示す情報(基準関係情報)における、実測された実閉鎖動作時間T1cHと基準閉鎖動作時間T0cHとの差に対応する設定値のズレ量に応じて、発動部53Hによる吐出バルブ51の動作の速度に係る設定について、変更量が算出され、該変更量に応じた変更がなされてもよい。なお、第2制御部92では、例えば、閉鎖動作時間TcHと、発動部53Hによる吐出バルブ51の動作の速度に係る設定値と、の間の比例または反比例の関係における、実閉鎖動作時間T1cHと基準閉鎖動作時間T0cHとの差に対応する設定値のズレ量に応じて、発動部53Hによる吐出バルブ51の動作の速度に係る設定の変更量が算出されてもよい。また、第2制御部92では、例えば、基準閉鎖動作時間T0cHよりも実閉鎖動作時間T1cHが短ければ、吐出バルブ51の動作の速度が小さくなるような、発動部53Hによる吐出バルブ51の動作速度に係る設定の変更量が算出され、基準閉鎖動作時間T0cHよりも実閉鎖動作時間T1cHが長ければ、吐出バルブ51の動作の速度が大きくなるような、発動部53Hによる吐出バルブ51の動作速度に係る設定の変更量が算出さてもよい。
このようにして、1枚の基板Wに対する処理液Lq1を用いた処理が完了されるとともに、次回以降の吐出バルブ51における液供給経路PA1の閉鎖動作に係る実閉鎖動作時間T1cHが、基準閉鎖動作時間T0cHに近づけられ得る。これにより、例えば、吐出バルブ51の動作環境に変化が生じても、次回以降の基板処理では、ノズルNz1から基板Wに対するウォーターハンマーによる処理液Lq1のボタ落ちの発生を比較的簡易な構成で抑制することができる。
なお、上記第9実施形態においても、上記第7実施形態および上記第8実施形態と同様に、吐出バルブ51に適用されるエアオペレートバルブVaoとして、例えば、ノーマル開型のエアオペレートバルブが採用されてもよい。この場合には、例えば、メータアウト制御を行うためのスピードコントローラ53gによって吐出バルブ51における液供給経路PA1の開放速度が制御され、例えば、メータイン制御を行うためのスピードコントローラ53fによって吐出バルブ51における液供給経路PA1の閉鎖速度が制御され得る。このため、この場合には、吐出バルブ51の開放速度に係る設定としては、例えば、発動部53Hによる吐出バルブ51の第1領域Aa1からの制御ガスGs1の排出の速度を調整する設定が採用され、吐出バルブ51の閉鎖速度に係る設定としては、例えば、発動部53Hによる吐出バルブ51の第1領域Aa1への制御ガスGs1の供給の速度を調整する設定が採用され得る。
また、上記第9実施形態において、例えば、検知部55Fが上記第6実施形態に係る検知部55Eと置換されてもよい。この場合、検知部55Eが、例えば、配管部P1内における処理液Lq1の存在または流速に係る第1特定状態を検知してもよい。このとき、該第1特定状態としては、例えば、配管部P1のうちの吐出バルブ51からノズルNz1にかけた部分における、特定位置まで処理液Lq1が到達した状態(特定給液状態)、または処理液Lq1の流速が基準流速に到達した状態(特定流れ状態)が採用される。なお、ここでは、基準流速に到達した状態とは、例えば、処理液Lq1の流速が基準流速よりも遅い状態から基準流速以上となった状態をいう。また、この場合、検知部55Eが、例えば、配管部P1内における処理液Lq1の流速に係る第2特定状態を検知してもよい。このとき、該第2特定状態としては、例えば、配管部P1のうちの吐出バルブ51からノズルNz1にかけた部分における、処理液Lq1の流速が基準流速に到達した状態(特定流れ状態)が採用される。なお、ここでは、基準流速に到達した状態とは、例えば、処理液Lq1の流速が基準流速よりも速い状態から基準流速以下となった状態をいう。
<2−9.その他>
上記各実施形態では、処理液Lq1を供給する対象物としての基板Wの上面Us1の形状は、略円形に限定されず、例えば、略矩形状等、その他の形状であってもよい。例えば、図23で示されるように、保持部3Iの上面3uf上に保持された矩形状の基板Wの上面Us1に対して、スリット状のノズルNz11から処理液Lq1が供給される構成が採用されてもよい。ここでは、例えば、処理液Lq1として、レジスト等が採用される。
上記第3実施形態および上記第4実施形態において、例えば、第2実施形態のように、例えば、実動作時間T1が開始する第1タイミングが、吐出バルブ51の動作に係る第1特定状態が検知されたタイミングとされてもよい。この場合、例えば、第3実施形態において、第1検知部56Aを追加する構成が採用され得る。このような構成でも、例えば、吸い戻しバルブ52Bの実動作時間T1と、基準動作時間T0との関係に応じて、吸い戻しバルブ52Bの動作速度に係る設定が変更されればよい。ここでは、実動作時間T1は、例えば、第1特定状態が検知された第1タイミングから、第2特定状態が検知された第2タイミングまでの時間となる。ここで、第1特定状態は、例えば、ノズルNz1につながっている配管部P1の途中に設けられた処理液Lq1の液供給経路PA1を開閉する吐出バルブ51の開度に係る特定状態であればよい。第2特定状態は、例えば、配管部P1のうちの吐出バルブ51とノズルNz1との間の特定部分としての分岐部分Pb1から分岐した分岐配管部分P1dに設けられた吸い戻しバルブ52BとノズルNz1との間における処理液Lq1の存在または流れあるいは吸い戻しバルブ52Bの動作に係る特定状態であればよい。このような構成であっても、例えば、吸い戻しバルブ52Bの動作環境に変化が生じても、次回以降の基板処理では、ノズルNz1から基板Wに対する処理液Lq1の吐出における不具合の発生を比較的簡易な構成で抑制することができる。
上記第3実施形態から上記第9実施形態において、例えば、吸い戻しバルブ52B,52Dが、特定部分としての分岐部分Pb1に設けられ、該分岐部分Pb1において分岐配管部分P1dへ処理液Lq1が流れる状態と、分岐部分Pb1において分岐配管部分P1dへ処理液Lq1が流れない状態と、を切り替えることが可能な、吸い戻しバルブに変更されてもよい。このような吸い戻しバルブとしては、例えば、発動部53B,53D,53E,53F,53G,53Hによって、吐出バルブ51,51EとノズルNz1とが連通している状態と、ノズルNz1と分岐配管部分P1dとが連通している状態と、を切り替えることが可能なバルブが適用され得る。なお、この場合には、例えば、ノズルNz1と分岐配管部分P1dとが連通している状態が、分岐配管部分P1dにおける液吸い戻し経路PB1が開放されている状態となり、ノズルNz1と分岐配管部分P1dとが連通していない状態が、液吸い戻し経路PB1が閉鎖されている状態となる。
なお、上記一実施形態および各種変形例をそれぞれ構成する全部または一部を、適宜、矛盾しない範囲で組み合わせ可能であることは、言うまでもない。
1 基板処理装置
3,3I 保持部
5,5A,5B,5C,5D,5E,5F,5G,5H 処理液供給系
6 気体供給部
7 液供給部
9 制御部
51,51E 吐出バルブ
52,52B,52D 吸い戻しバルブ
53,53B,53D,53E,53F,53G,53H 発動部
53a,53c 電磁弁
53b,53bB,53f,53g スピードコントローラ
53d,53e モータ部
55,55B,55C,55E,55F 検知部
55A 第2検知部
56A 第1検知部
91 第1制御部
91a,92a 演算処理部
91c,92c 記憶部
92 第2制御部
100 処理ユニット
AS2 液吸い戻し領域
Aa1,Aa2 第1領域
Ab1,Ab2 第2領域
Bx1,Bx2 容器部
D1,D2 データ
DR1,DR1D,DR2,DR3 駆動機構
Dp1,Dp2 弁体部
Eb1,Eb2 弾性体
Gh1,Gh2 ガス通過孔
Gs1 制御ガス
Hh1,Hh1A,Hh2 挿通孔
Hv1 弁摺動孔
Hv2 弁設置孔
Is1,Is2 内部空間
Lh1,Lh2 液通過孔
Lq0,Lq1 処理液
Nz0,Nz1,Nz11 ノズル
P1,P1B 配管部(処理液用の配管部)
P1d 分岐配管部分
P2,P2B,P2D,P2F,P2H 配管部(ガス用の配管部)
PA1 液供給経路
PB1 液吸い戻し経路
Pb1 分岐部分
Pd1,Pd2 仕切り部
Pg1,Pg2 プログラム
T 動作時間
T1,T1E,T1F,T1G 実動作時間
T1cH 実閉鎖動作時間
T1oH 実開放動作時間
T0,T0E,T0F,T0G 基準動作時間
T0cH 基準閉鎖動作時間
T0oH 基準開放動作時間
VM1,VM2 本体部
Vb1,Vb2 弁体部
Vh1,Vh2 連結部
Vs1 弁座部
Vx1,Vx2 弁箱部
W,W0 基板

Claims (56)

  1. 基板に向けて処理液を吐出するノズルと、
    前記ノズルにつながっている前記処理液の流路を形成する配管部と、
    前記配管部の途中部分に設けられ、前記配管部および前記ノズルにおける前記処理液の存在状態を変化させる複数のバルブと、
    前記複数のバルブを動作させる駆動力を前記複数のバルブに付与する発動部と、
    トリガ信号を出力することで前記発動部によって前記複数のバルブを動作させる制御部と、
    特定状態を検知する検知部と、を備え、
    前記複数のバルブは、
    前記配管部の途中部分に設けられ、前記ノズルに対して前記処理液を供給する液供給経路を開閉する吐出バルブと、
    前記配管部のうちの前記吐出バルブと前記ノズルとの間の特定部分または該特定部分から分岐した分岐配管部分に設けられた、少なくとも前記ノズルにおける前記処理液を吸い戻す液吸い戻し動作を行う吸い戻しバルブと、を含み、
    前記特定状態は、
    前記吸い戻しバルブの一部の領域の気圧が基準圧に到達した基準圧到達状態を含み、
    前記制御部は、
    前記トリガ信号を出力した第1タイミングから前記検知部が前記特定状態を検知した第2タイミングまでの前記吸い戻しバルブの実動作時間と、予め設定された基準動作時間との関係に応じて、前記発動部による前記吸い戻しバルブの動作の動作速度に係る設定の変更量を算出する、基板処理装置。
  2. 基板に向けて処理液を吐出するノズルと、
    前記ノズルにつながっている前記処理液の流路を形成する配管部と、
    前記配管部の途中部分に設けられ、前記配管部および前記ノズルにおける前記処理液の存在状態を変化させる複数のバルブと、
    前記複数のバルブを動作させる駆動力を前記複数のバルブに付与する発動部と、
    トリガ信号を出力することで前記発動部によって前記複数のバルブを動作させる制御部と、
    特定状態を検知する検知部と、を備え、
    前記複数のバルブは、
    前記配管部の途中部分に設けられ、前記ノズルに対して前記処理液を供給する液供給経路を開閉する吐出バルブと、
    前記配管部のうちの前記吐出バルブと前記ノズルとの間の特定部分または該特定部分から分岐した分岐配管部分に設けられた、少なくとも前記ノズルにおける前記処理液を吸い戻す液吸い戻し動作を行う吸い戻しバルブと、を含み、
    前記特定状態は、
    前記吸い戻しバルブの開度に係る特定開度状態、前記分岐配管部分の特定位置まで前記処理液の液面が到達した特定吸い戻し状態、または前記分岐配管部分の特定位置における前記処理液の流速が特定の流速に到達した状態、を含み、
    前記制御部は、
    前記トリガ信号を出力した第1タイミングから前記検知部が前記特定状態を検知した第2タイミングまでの前記吸い戻しバルブの実動作時間と、予め設定された基準動作時間との関係に応じて、前記発動部による前記吸い戻しバルブの動作の動作速度に係る設定の変更量を算出する、基板処理装置。
  3. 基板に向けて処理液を吐出するノズルと、
    前記ノズルにつながっている前記処理液の流路を形成する配管部と、
    前記配管部の途中部分に設けられ、前記配管部および前記ノズルにおける前記処理液の存在状態を変化させるバルブと、
    前記バルブを動作させる駆動力を前記バルブに付与する発動部と、
    トリガ信号を出力することで前記発動部によって前記バルブを動作させる制御部と、
    特定状態を検知する検知部と、を備え、
    前記バルブは、
    前記配管部の途中部分に設けられ、前記ノズルに対して前記処理液を供給する液供給経路を開閉する吐出バルブを含み、
    前記特定状態は、
    前記配管部のうちの前記吐出バルブから前記ノズルにかけた部分における、特定位置まで前記処理液が到達した特定給液状態または前記処理液の流速が基準流速に到達した特定流れ状態、あるいは前記吐出バルブの開度に係る特定開度状態、を含み、
    前記制御部は、
    前記トリガ信号を出力した第1タイミングから前記検知部が前記特定状態を検知した第2タイミングまでの前記吐出バルブの実動作時間と、予め設定された基準動作時間との関係に応じて、前記発動部による前記吐出バルブの動作の動作速度に係る設定の変更量を算出する、基板処理装置。
  4. 基板に向けて処理液を吐出するノズルと、
    前記ノズルにつながっている前記処理液の流路を形成する配管部と、
    前記配管部の途中部分に設けられ、前記配管部および前記ノズルにおける前記処理液の存在状態を変化させるバルブと、
    前記バルブを動作させる駆動力を前記バルブに付与する発動部と、
    トリガ信号を出力することで前記発動部によって前記バルブを動作させる制御部と、
    特定状態を検知する検知部と、を備え、
    前記バルブは、
    前記配管部の途中部分に設けられ、前記ノズルに対して前記処理液を供給する液供給経路を開閉する吐出バルブを含み、
    前記特定状態は、
    前記吐出バルブの開度に係る特定開度状態、あるいは前記配管部における前記吐出バルブから前記ノズルに向けた前記処理液の流速が基準流速に到達した特定流れ状態、を含み、
    前記制御部は、
    前記トリガ信号を出力した第1タイミングから前記検知部が前記特定状態を検知した第2タイミングまでの前記吐出バルブの実動作時間と、予め設定された基準動作時間との関係に応じて、前記発動部による前記吐出バルブの動作の動作速度に係る設定の変更量を算出する、基板処理装置。
  5. 請求項1または請求項2に記載の基板処理装置であって、
    前記制御部は、
    前記変更量に応じて、前記発動部による前記吸い戻しバルブの動作の前記動作速度に係る設定を変更する、基板処理装置。
  6. 請求項または請求項に記載の基板処理装置であって、
    前記制御部は、
    前記変更量に応じて、前記発動部による前記吐出バルブの動作の前記動作速度に係る設定を変更する、基板処理装置。
  7. 請求項1、請求項2および請求項の何れか1つの請求項に記載の基板処理装置であって
    記発動部は、
    前記制御部による前記トリガ信号の出力に応答して、前記吐出バルブを閉鎖する閉鎖動作と、前記吸い戻しバルブによる前記液吸い戻し動作と、を開始させる、基板処理装置。
  8. 請求項に記載の基板処理装置であって、
    前記発動部は、
    前記制御部による前記トリガ信号の出力に応答して、前記吐出バルブを閉鎖する閉鎖動作と、前記吸い戻しバルブによる前記液吸い戻し動作と、を開始させ、
    前記吸い戻しバルブは、
    前記配管部内の前記液供給経路に連通している液吸い戻し領域を形成する弁箱部と、
    前記液吸い戻し領域に面し且つ該液吸い戻し領域の容積を変更可能に動作する弁体部と、
    前記弁体部を動作させる駆動機構と、を有し、
    前記駆動機構は、
    容器部と、
    前記容器部内の空間を第1領域と第2領域とに仕切っている仕切り部と、
    前記仕切り部と前記弁体部とを連結している連結部と、を有し、
    前記発動部は、
    前記第1領域へ気体を供給して前記仕切り部を動作させることで、前記連結部を介して前記液吸い戻し領域の容積が縮小するように前記弁体部を動作させるとともに、前記第1領域から気体を排出させて前記仕切り部を動作させることで、前記連結部を介して前記液吸い戻し領域の容積が拡大するように前記弁体部を動作させて前記吸い戻しバルブに前記液吸い戻し動作を実行させ、
    前記制御部は、
    前記トリガ信号を出力することで前記発動部によって前記第1領域からの気体の排出を開始させ、
    前記一部の領域は、前記第1領域を含み、
    前記動作速度に係る設定は、
    前記発動部による前記第1領域からの気体の排出の速度を調整する設定を含む、基板処理装置。
  9. 請求項に記載の基板処理装置であって、
    前記発動部は、
    前記制御部による前記トリガ信号の出力に応答して、前記吐出バルブを閉鎖する閉鎖動作と、前記吸い戻しバルブによる前記液吸い戻し動作と、を開始させ、
    前記吸い戻しバルブは、
    前記特定部分または前記分岐配管部分の途中部分に設けられ、前記ノズルおよび前記配管部のうちの前記ノズルから前記吐出バルブにかけた領域に存在している前記処理液を吸い戻す液吸い戻し経路を開閉し、
    前記動作速度は、
    前記吸い戻しバルブによって前記液吸い戻し経路を開放する速度を含む、基板処理装置。
  10. 請求項に記載の基板処理装置であって、
    前記吸い戻しバルブは、
    前記液吸い戻し経路を開閉する弁体部と、
    前記弁体部を動作させる駆動機構と、を有し、
    前記駆動機構は、
    容器部と、
    前記容器内の空間を第1領域と第2領域とに仕切っている仕切り部と、
    前記仕切り部と前記弁体部とを連結している連結部と、を有し、
    前記発動部は、
    前記第1領域への気体の供給および前記第1領域からの気体の排出によって前記仕切り部を動作させることで、前記連結部を介して前記弁体部を動作させ、
    前記制御部は、
    前記トリガ信号を出力することで前記発動部によって前記弁体部の動作による液吸い戻し経路の開放を開始させることで前記吸い戻しを開始させ
    記動作速度に係る設定は、
    前記発動部による前記第1領域への気体の供給の速度または前記第1領域からの気体の排出の速度を調整する設定を含む、基板処理装置。
  11. 請求項に記載の基板処理装置であって、
    前記吸い戻しバルブは、
    前記液吸い戻し経路を開閉する弁体部を有し、
    前記発動部は、
    前記吸い戻しバルブに駆動力を付与するモータを含み、
    前記制御部は、
    前記トリガ信号を出力することで前記モータによって前記吸い戻しバルブによる前記液吸い戻し経路の開放を開始させることで前記吸い戻しを開始させ
    記動作速度に係る設定は、
    前記モータによる前記吸い戻しバルブの開放の速度を調整する設定を含む、基板処理装置。
  12. 請求項に記載の基板処理装置であって
    記発動部は、
    前記吐出バルブによって前記液供給経路を開閉させる駆動力を前記吐出バルブに付与し、
    前記制御部は、
    前記トリガ信号を出力することで前記発動部によって前記吐出バルブによる前記液供給経路の開放を開始させ
    記動作速度は、
    前記吐出バルブによる前記液供給経路の開放の速度を含む、基板処理装置。
  13. 請求項12に記載の基板処理装置であって、
    前記発動部は、
    前記吐出バルブによって前記液供給経路を開閉させる駆動力を前記吐出バルブに付与するモータを含み、
    前記制御部は、
    前記トリガ信号を出力することで前記モータによって前記吐出バルブによる前記液供給経路の開放を開始させ、
    前記動作速度に係る設定は、
    前記モータによる前記吐出バルブの開放の速度を調整する設定を含む、基板処理装置。
  14. 請求項12に記載の基板処理装置であって、
    前記吐出バルブは、
    前記液供給経路を開閉する弁体部と、
    前記弁体部を動作させる駆動機構と、を有し、
    前記駆動機構は、
    容器部と、
    前記容器部内の空間を第1領域と第2領域とに仕切っている仕切り部と、
    前記仕切り部と前記弁体部とを連結している連結部と、を有し、
    前記発動部は、
    前記第1領域への気体の供給および前記第1領域からの気体の排出によって前記仕切り部を動作させることで、前記連結部を介して前記弁体部を動作させ、
    前記制御部は、
    前記トリガ信号を出力することで前記発動部によって前記弁体部による前記液供給経路の開放を開始させ、
    前記動作速度に係る設定は、
    前記発動部による前記第1領域への気体の供給の速度または前記第1領域からの気体の排出の速度を調整する設定を含む、基板処理装置。
  15. 請求項に記載の基板処理装置であって
    記発動部は、
    前記吐出バルブによって前記液供給経路を開閉させる駆動力を前記吐出バルブに付与し、
    前記制御部は、
    前記トリガ信号を出力することで前記発動部によって前記吐出バルブによる前記液供給経路の閉鎖を開始させ
    記動作速度に係る設定は、
    前記吐出バルブによる前記液供給経路の閉鎖の速度を調整する設定を含む、基板処理装置。
  16. 請求項15に記載の基板処理装置であって、
    前記吐出バルブは、
    前記液供給経路を開閉する弁体部と、
    前記弁体部を動作させる駆動機構と、を有し、
    前記駆動機構は、
    容器部と、
    前記容器部内の空間を第1領域と第2領域とに仕切っている仕切り部と、
    前記仕切り部と前記弁体部とを連結している連結部と、を有し、
    前記発動部は、
    前記第1領域への気体の供給および前記第1領域からの気体の排出によって前記仕切り部を動作させることで、前記連結部を介して前記弁体部を動作させ、
    前記制御部は、
    前記トリガ信号を出力することで前記発動部によって前記弁体部による前記液供給経路の閉鎖を開始させ、
    前記動作速度に係る設定は、
    前記発動部による前記第1領域への気体の供給の速度または前記第1領域からの気体の排出の速度を調整する設定を含む、基板処理装置。
  17. 請求項12から請求項14の何れか1つの請求項に記載の基板処理装置であって、
    前記制御部は、
    第1トリガ信号を出力することで前記発動部によって前記吐出バルブによる前記液供給経路の開放を開始させ、第2トリガ信号を出力することで前記発動部によって前記吐出バルブによる前記液供給経路の閉鎖を開始させ、
    前記検知部は、
    前記配管部のうちの前記吐出バルブから前記ノズルにかけた部分における、前記処理液の到達または流速、あるいは前記吐出バルブの開度に係る第1特定状態を検知するとともに、前記吐出バルブの開度または前記配管部のうちの前記吐出バルブから前記ノズルに向けた前記処理液の流速に係る第2特定状態を検知し、
    前記制御部は、
    前記第1トリガ信号を出力した第1開放タイミングから前記検知部が前記第1特定状態を検知した第2開放タイミングまでの実開放動作時間と、予め設定された基準開放動作時間との関係に応じて、前記発動部による前記吐出バルブの開放の速度に係る設定の変更量を算出するとともに、前記第2トリガ信号を出力した第1閉鎖タイミングから前記検知部が前記第2特定状態を検知した第2閉鎖タイミングまでの実閉鎖動作時間と、予め設定された基準閉鎖動作時間との関係に応じて、前記発動部による前記吐出バルブの閉鎖の速度に係る設定の変更量を算出する基板処理装置。
  18. 請求項1、請求項2、請求項5および請求項7から請求項11の何れか1つの請求項に記載の基板処理装置であって、
    前記トリガ信号が出力されるタイミングから前記特定状態が実現されるタイミングまでの時間と、前記発動部による前記吸い戻しバルブの動作の速度に係る設定値との間における基準の関係を示す基準関係情報を記憶する記憶部、をさらに備え、
    前記制御部は、
    前記基準の関係における、前記基準動作時間と前記実動作時間との差に対応する設定値のズレ量に応じて、前記発動部による前記吸い戻しバルブの動作の速度に係る設定の変更量を算出する、基板処理装置。
  19. 請求項3、請求項4、請求項6および請求項12から請求項17の何れか1つの請求項に記載の基板処理装置であって、
    前記トリガ信号が出力されるタイミングから前記特定状態が実現されるタイミングまでの時間と、前記発動部による前記吐出バルブの動作の速度に係る設定値との間における基準の関係を示す基準関係情報を記憶する記憶部、をさらに備え、
    前記制御部は、
    前記基準の関係における、前記基準動作時間と前記実動作時間との差に対応する設定値のズレ量に応じて、前記発動部による前記吐出バルブの動作の速度に係る設定の変更量を算出する、基板処理装置。
  20. 請求項1、請求項2、請求項5および請求項7から請求項11の何れか1つの請求項に記載の基板処理装置であって、
    前記トリガ信号が出力されるタイミングから前記特定状態が実現されるタイミングまでの時間と、前記発動部による前記吸い戻しバルブの動作の速度に係る設定値との間における比例または反比例の関係を示す情報を記憶する記憶部、をさらに備え、
    前記制御部は、
    前記比例または前記反比例の関係における、前記基準動作時間と前記実動作時間との差に対応する前記設定値のズレ量に応じて、前記発動部による前記吸い戻しバルブの動作の速度に係る設定の変更量を算出する、基板処理装置。
  21. 請求項3、請求項4、請求項6および請求項12から請求項17の何れか1つの請求項に記載の基板処理装置であって、
    前記トリガ信号が出力されるタイミングから前記特定状態が実現されるタイミングまでの時間と、前記発動部による前記吐出バルブの動作の速度に係る設定値との間における比例または反比例の関係を示す情報を記憶する記憶部、をさらに備え、
    前記制御部は、
    前記比例または前記反比例の関係における、前記基準動作時間と前記実動作時間との差に対応する前記設定値のズレ量に応じて、前記発動部による前記吐出バルブの動作の速度に係る設定の変更量を算出する、基板処理装置。
  22. 請求項1、請求項2、請求項5および請求項7から請求項11の何れか1つの請求項に記載の基板処理装置であって、
    前記制御部は、
    前記基準動作時間よりも前記実動作時間が短ければ、前記発動部による前記吸い戻しバルブの動作の速度が小さくなるような前記変更量を算出し、前記基準動作時間よりも前記実動作時間が長ければ、前記発動部による前記吸い戻しバルブの動作の速度が大きくなるような前記変更量を算出する、基板処理装置。
  23. 請求項3、請求項4、請求項6および請求項12から請求項17の何れか1つの請求項に記載の基板処理装置であって、
    前記制御部は、
    前記基準動作時間よりも前記実動作時間が短ければ、前記発動部による前記吐出バルブの動作の速度が小さくなるような前記変更量を算出し、前記基準動作時間よりも前記実動作時間が長ければ、前記発動部による前記吐出バルブの動作の速度が大きくなるような前記変更量を算出する、基板処理装置。
  24. 基板に向けて処理液を吐出するノズルと、
    前記ノズルにつながった前記処理液の流路を形成する配管部と、
    前記配管部の途中部分に設けられ、前記ノズルに対して前記処理液を供給する液供給経路を開閉する吐出バルブと、
    前記配管部のうちの前記吐出バルブと前記ノズルとの間の特定部分または該特定部分から分岐した分岐配管部分に設けられた、少なくとも前記ノズルにおける前記処理液を吸い戻す液吸い戻し動作を行う吸い戻しバルブと、
    前記吐出バルブおよび前記吸い戻しバルブのそれぞれを動作させる駆動力を前記吐出バルブおよび前記吸い戻しバルブに付与する発動部と、
    トリガ信号を出力することで前記発動部によって前記吐出バルブおよび前記吸い戻しバルブのそれぞれを動作させる制御部と、
    第1特定状態を検知する第1検知部と、
    第2特定状態を検知する第2検知部と、を備え、
    前記制御部は、
    前記第1検知部が前記第1特定状態を検知した第1タイミングから前記第2検知部が前記第2特定状態を検知した第2タイミングまでの実動作時間と、予め設定された基準動作時間との関係に応じて、前記発動部による前記吸い戻しバルブの動作の速度に係る設定の変更量を算出し、
    前記第1特定状態は、前記吐出バルブの開度に係る特定状態、または前記配管部のうちの前記吐出バルブと前記ノズルとの間における前記処理液の流速が特定の流速に到達した状態、を含み、
    前記第2特定状態は、前記吸い戻しバルブの開度に係る特定開度状態、前記分岐配管部分の特定位置まで前記処理液の液面が到達した特定吸い戻し状態、または前記分岐配管部分の特定位置における前記処理液の流速が特定の流速に到達した状態、を含む、基板処理装置。
  25. 基板に向けて処理液を吐出するノズルと、
    前記ノズルにつながった前記処理液の流路を形成する配管部と、
    前記配管部の途中部分に設けられ、前記ノズルに対して前記処理液を供給する液供給経路を開閉する吐出バルブと、
    前記配管部のうちの前記吐出バルブと前記ノズルとの間の特定部分または該特定部分から分岐した分岐配管部分に設けられた、少なくとも前記ノズルにおける前記処理液を吸い戻す液吸い戻し動作を行う吸い戻しバルブと、
    前記吐出バルブおよび前記吸い戻しバルブのそれぞれを動作させる駆動力を前記吐出バルブおよび前記吸い戻しバルブに付与する発動部と、
    トリガ信号を出力することで前記発動部によって前記吐出バルブおよび前記吸い戻しバルブのそれぞれを動作させる制御部と、
    第1特定状態を検知する第1検知部と、
    第2特定状態を検知する第2検知部と、を備え、
    前記制御部は、
    前記第1検知部が前記第1特定状態を検知した第1タイミングから前記第2検知部が前記第2特定状態を検知した第2タイミングまでの実動作時間と、予め設定された基準動作時間との関係に応じて、前記発動部による前記吸い戻しバルブの動作の速度に係る設定の変更量を算出し、
    前記第1特定状態は、前記吐出バルブの開度に係る特定状態、または前記配管部のうちの前記吐出バルブと前記ノズルとの間における前記処理液の流速が特定の流速に到達した状態、を含み、
    前記第2特定状態は、前記吸い戻しバルブの一部の領域の気圧が基準圧に到達した基準圧到達状態、を含む、基板処理装置。
  26. 請求項24または請求項25に記載の基板処理装置であって、
    前記制御部は、
    前記変更量に応じて、前記発動部による前記吸い戻しバルブの動作の速度に係る設定を変更する、基板処理装置。
  27. 請求項25に記載の基板処理装置であって、
    前記吸い戻しバルブは、
    前記配管部内の前記液供給経路に連通している液吸い戻し領域を形成する弁箱部と、
    前記液吸い戻し領域に面し且つ該液吸い戻し領域の容積を変更可能に動作する弁体部と、
    前記弁体部を動作させる駆動機構と、を有し、
    前記駆動機構は、
    容器部と、
    前記容器部内の空間を第1領域と第2領域とに仕切っている仕切り部と、
    前記仕切り部と前記弁体部とを連結している連結部と、を有し、
    前記発動部は、
    前記第1領域へ気体を供給して前記仕切り部を動作させることで、前記連結部を介して前記液吸い戻し領域の容積が縮小するように前記弁体部を動作させるとともに、前記第1領域から気体を排出させて前記仕切り部を動作させることで、前記連結部を介して前記液吸い戻し領域の容積が拡大するように前記弁体部を動作させて前記吸い戻しバルブに前記液吸い戻し動作を実行させ、
    前記一部の領域は、前記第1領域を含み、
    前記制御部は、
    前記第1タイミングから前記検知部が前記基準圧到達状態を検知した前記第2タイミングまでの実動作時間と、予め設定された基準動作時間との関係に応じて、前記発動部による前記第1領域からの気体の排出の速度を調整する設定の変更量を算出する、基板処理装置。
  28. 請求項24から請求項27の何れか1つの請求項に記載の基板処理装置であって、
    前記第1特定状態が実現されるタイミングから前記第2特定状態が実現されるタイミングまでの時間と、前記発動部による前記吸い戻しバルブの動作の速度に係る設定値との間における基準の関係を示す基準関係情報を記憶する記憶部、をさらに備え、
    前記制御部は、
    前記基準の関係における、前記基準動作時間と前記実動作時間との差に対応する設定値のズレ量に応じて、前記発動部による前記吸い戻しバルブの動作の速度に係る設定の変更量を算出する、基板処理装置。
  29. 請求項24から請求項27の何れか1つの請求項に記載の基板処理装置であって、
    前記第1特定状態が実現されるタイミングから前記第2特定状態が実現されるタイミングまでの時間と、前記発動部による前記吸い戻しバルブの動作の速度に係る設定値と、の間における比例または反比例の関係を示す情報を記憶する記憶部、をさらに備え、
    前記制御部は、
    前記比例または反比例の関係における、前記基準動作時間と前記実動作時間との差に対応する前記設定値のズレ量に応じて、前記発動部による前記吸い戻しバルブの動作の速度に係る設定の変更量を算出する、基板処理装置。
  30. 請求項24から請求項27の何れか1つの請求項に記載の基板処理装置であって、
    前記制御部は、
    前記基準動作時間よりも前記実動作時間が短ければ、前記発動部による前記吸い戻しバルブの動作の速度が小さくなるような前記変更量を算出し、前記基準動作時間よりも前記実動作時間が長ければ、前記発動部による前記吸い戻しバルブの動作の速度が大きくなるような前記変更量を算出する、基板処理装置。
  31. 基板に向けて処理液を吐出するノズルと、該ノズルにつながった前記処理液の流路を形成する配管部と、該配管部の途中部分に設けられた複数のバルブと、該複数のバルブを動作させる駆動力を前記複数のバルブに付与する発動部と、制御部と、を備える基板処理装置の制御方法であって、
    前記複数のバルブは、
    前記配管部の途中部分に設けられ、前記ノズルに対して前記処理液を供給する液供給経路を開閉する吐出バルブと、
    前記配管部のうちの前記吐出バルブと前記ノズルとの間の特定部分または該特定部分から分岐した分岐配管部分に設けられた、少なくとも前記ノズルにおける前記処理液を吸い戻す液吸い戻し動作を行う吸い戻しバルブと、を含み、
    前記制御部によるトリガ信号の出力に応答して、前記発動部によって前記複数のバルブを動作させ始めることで、前記配管部および前記ノズルにおける前記処理液の存在状態を変化させ始める第1工程と、
    特定状態を検知する第2工程と、
    前記制御部によって、前記第1工程において前記トリガ信号が出力された第1タイミングから前記第2工程において前記特定状態が検知された第2タイミングまでの前記吸い戻しバルブの実動作時間と、予め設定された基準動作時間との関係に応じて、前記発動部による前記吸い戻しバルブの動作の速度に係る設定の変更量を算出する第3工程と、を有し、
    前記特定状態は、
    前記吸い戻しバルブの一部の領域の気圧が基準圧に到達した基準圧到達状態を含む、基板処理装置の制御方法。
  32. 基板に向けて処理液を吐出するノズルと、該ノズルにつながった前記処理液の流路を形成する配管部と、該配管部の途中部分に設けられた複数のバルブと、該複数のバルブを動作させる駆動力を前記複数のバルブに付与する発動部と、制御部と、を備える基板処理装置の制御方法であって、
    前記複数のバルブは、
    前記配管部の途中部分に設けられ、前記ノズルに対して前記処理液を供給する液供給経路を開閉する吐出バルブと、
    前記配管部のうちの前記吐出バルブと前記ノズルとの間の特定部分または該特定部分から分岐した分岐配管部分に設けられた、少なくとも前記ノズルにおける前記処理液を吸い戻す液吸い戻し動作を行う吸い戻しバルブと、を含み、
    前記制御部によるトリガ信号の出力に応答して、前記発動部によって前記複数のバルブを動作させ始めることで、前記配管部および前記ノズルにおける前記処理液の存在状態を変化させ始める第1工程と、
    特定状態を検知する第2工程と、
    前記制御部によって、前記第1工程において前記トリガ信号が出力された第1タイミングから前記第2工程において前記特定状態が検知された第2タイミングまでの前記吸い戻しバルブの実動作時間と、予め設定された基準動作時間との関係に応じて、前記発動部による前記吸い戻しバルブの動作の速度に係る設定の変更量を算出する第3工程と、を有し、
    前記特定状態は、
    前記吸い戻しバルブの開度に係る特定開度状態、前記分岐配管部分の特定位置まで前記処理液の液面が到達した特定吸い戻し状態、または前記分岐配管部分の特定位置における前記処理液の流速が特定の流速に到達した状態、を含む、基板処理装置の制御方法。
  33. 基板に向けて処理液を吐出するノズルと、該ノズルにつながった前記処理液の流路を形成する配管部と、該配管部の途中部分に設けられたバルブと、該バルブを動作させる駆動力を前記バルブに付与する発動部と、制御部と、を備える基板処理装置の制御方法であって、
    前記バルブは、
    前記配管部の途中部分に設けられ、前記ノズルに対して前記処理液を供給する液供給経路を開閉する吐出バルブを含み、
    前記制御部によるトリガ信号の出力に応答して、前記発動部によって前記吐出バルブを動作させ始めることで、前記配管部および前記ノズルにおける前記処理液の存在状態を変化させ始める第1工程と、
    特定状態を検知する第2工程と、
    前記制御部によって、前記第1工程において前記トリガ信号が出力された第1タイミングから前記第2工程において前記特定状態が検知された第2タイミングまでの前記吐出バルブの実動作時間と、予め設定された基準動作時間との関係に応じて、前記発動部による前記吐出バルブの動作の速度に係る設定の変更量を算出する第3工程と、を有し、
    前記特定状態は、
    前記配管部のうちの前記吐出バルブから前記ノズルにかけた部分における、特定位置まで前記処理液が到達した特定給液状態または前記処理液の流速が基準流速に到達した特定流れ状態、あるいは前記吐出バルブの開度に係る特定開度状態、を含む、基板処理装置の制御方法。
  34. 基板に向けて処理液を吐出するノズルと、該ノズルにつながった前記処理液の流路を形成する配管部と、該配管部の途中部分に設けられたバルブと、該バルブを動作させる駆動力を前記バルブに付与する発動部と、制御部と、を備える基板処理装置の制御方法であって、
    前記バルブは、
    前記配管部の途中部分に設けられ、前記ノズルに対して前記処理液を供給する液供給経路を開閉する吐出バルブを含み、
    前記制御部によるトリガ信号の出力に応答して、前記発動部によって前記吐出バルブを動作させ始めることで、前記配管部および前記ノズルにおける前記処理液の存在状態を変化させ始める第1工程と、
    特定状態を検知する第2工程と、
    前記制御部によって、前記第1工程において前記トリガ信号が出力された第1タイミングから前記第2工程において前記特定状態が検知された第2タイミングまでの前記吐出バルブの実動作時間と、予め設定された基準動作時間との関係に応じて、前記発動部による前記吐出バルブの動作の速度に係る設定の変更量を算出する第3工程と、を有し、
    前記特定状態は、
    前記吐出バルブの開度に係る特定開度状態、あるいは前記配管部における前記吐出バルブから前記ノズルに向けた前記処理液の流速が基準流速に到達した特定流れ状態、を含む、基板処理装置の制御方法。
  35. 請求項31または請求項32に記載の基板処理装置の制御方法であって、
    前記第3工程で算出された前記変更量に応じて、前記発動部による前記吸い戻しバルブの動作の速度に係る設定を変更する第4工程、
    をさらに有する、基板処理装置の制御方法。
  36. 請求項33または請求項34に記載の基板処理装置の制御方法であって、
    前記第3工程で算出された前記変更量に応じて、前記発動部による前記吐出バルブの動作の速度に係る設定を変更する第4工程、
    をさらに有する、基板処理装置の制御方法。
  37. 請求項31、請求項32および請求項35の何れか1つの請求項に記載の基板処理装置の制御方法であって
    記第1工程において、
    前記発動部によって、前記制御部による前記トリガ信号の出力に応答して、前記吐出バルブを閉鎖する閉鎖動作と、前記吸い戻しバルブによる前記液吸い戻し動作と、を開始させる、基板処理装置の制御方法。
  38. 請求項31に記載の基板処理装置の制御方法であって、
    前記第1工程において、
    前記発動部によって、前記制御部による前記トリガ信号の出力に応答して、前記吐出バルブを閉鎖する閉鎖動作と、前記吸い戻しバルブによる前記液吸い戻し動作と、を開始させ、
    前記吸い戻しバルブは、
    前記配管部内の前記液供給経路に連通している液吸い戻し領域を形成する弁箱部と、前記液吸い戻し領域に面し且つ該液吸い戻し領域の容積を変更可能に動作する弁体部と、該弁体部を動作させる駆動機構と、を含み、
    前記駆動機構は、容器部と、該容器部内の空間を第1領域と第2領域とに仕切っている仕切り部と、該仕切り部と前記弁体部とを連結している連結部と、を含み、
    前記第1工程において、
    前記発動部によって、前記制御部による前記トリガ信号の出力に応答して、前記第1領域から気体を排出させて前記仕切り部を動作させることで、前記連結部を介して前記液吸い戻し領域の容積が拡大するように前記弁体部を動作させて前記吸い戻しバルブに前記液吸い戻し動作を開始させ、
    前記一部の領域は、前記第1領域を含み、
    前記第3工程において、
    前記制御部によって、前記実動作時間と前記基準動作時間との関係に応じて、前記発動部による前記第1領域からの気体の排出の速度を調整する設定の変更量を算出する、基板処理装置の制御方法。
  39. 請求項32に記載の基板処理装置の制御方法であって、
    前記第1工程において、
    前記発動部によって、前記制御部による前記トリガ信号の出力に応答して、前記吐出バルブを閉鎖する閉鎖動作と、前記吸い戻しバルブによる前記液吸い戻し動作と、を開始させ、
    前記吸い戻しバルブは、
    前記特定部分または前記分岐配管部分の途中部分に設けられており、
    前記第1工程において、
    前記発動部によって、前記制御部による前記トリガ信号の出力に応答して、前記吸い戻しバルブに、前記ノズルおよび前記配管部のうちの前記ノズルから前記吐出バルブにかけた領域に存在している前記処理液を吸い戻す液吸い戻し経路を開放させ始め、
    前記第3工程において、
    前記制御部によって、前記実動作時間と前記基準動作時間との関係に応じて、前記発動部による前記吸い戻しバルブによる前記液吸い戻し経路の開放の速度に係る設定の変更量を算出する、基板処理装置の制御方法。
  40. 請求項33に記載の基板処理装置の制御方法であって
    記発動部は、
    前記吐出バルブによって前記液供給経路を開閉させる駆動力を前記吐出バルブに付与し、
    前記第1工程において、
    前記発動部によって、前記制御部による前記トリガ信号の出力に応答して、前記吐出バルブによる前記液供給経路の開放を開始させ
    記第3工程において、
    前記制御部によって、前記実動作時間と前記基準動作時間との関係に応じて、前記発動部による前記吐出バルブによる前記液供給経路の開放の速度を調整する設定の変更量を算出する、基板処理装置の制御方法。
  41. 請求項34に記載の基板処理装置の制御方法であって
    記発動部は、
    前記吐出バルブによって前記液供給経路を開閉させる駆動力を前記吐出バルブに付与し、
    前記第1工程において、
    前記発動部によって、前記制御部による前記トリガ信号の出力に応答して、前記吐出バルブによる前記液供給経路の閉鎖を開始させ
    記第3工程において、
    前記制御部によって、前記実動作時間と前記基準動作時間との関係に応じて、前記発動部による前記吐出バルブによる前記液供給経路の閉鎖の速度を調整する設定の変更量を算出する、基板処理装置の制御方法。
  42. 請求項40に記載の基板処理装置の制御方法であって、
    前記第1工程において、
    前記制御部が第1トリガ信号を出力することで前記発動部によって前記吐出バルブによる前記液供給経路の開放を開始させ、
    前記第2工程において、
    前記配管部のうちの前記吐出バルブから前記ノズルにかけた部分における、前記処理液の到達または流速、あるいは前記吐出バルブの開度に係る第1特定状態を検知し、
    前記第3工程において、
    前記制御部によって、前記第1工程において前記制御部が前記第1トリガ信号を出力した第1開放タイミングから、前記第2工程において前記第1特定状態を検知した第2開放タイミングまでの実開放動作時間と、予め設定された基準開放動作時間との関係に応じて、前記発動部による前記吐出バルブの開放の速度に係る設定の変更量を算出し、
    前記基板処理装置の制御方法は、さらに、
    前記制御部が第2トリガ信号を出力することで前記発動部によって前記吐出バルブによる前記液供給経路の閉鎖を開始させる第5工程と、
    前記吐出バルブの開度あるいは前記配管部のうちの前記吐出バルブから前記ノズルに向けた前記処理液の流速に係る第2特定状態を検知する第6工程と、
    前記制御部によって、前記第5工程において前記制御部が前記第2トリガ信号を出力した第1閉鎖タイミングから前記第6工程において前記第2特定状態を検知した第2閉鎖タイミングまでの実閉鎖動作時間と、予め設定された基準閉鎖動作時間との関係に応じて、前記発動部による前記吐出バルブの閉鎖の速度に係る設定の変更量を算出する第7工程と、
    を有する、基板処理装置の制御方法。
  43. 請求項31、請求項32、請求項35および請求項37から請求項39の何れか1つの請求項に記載の基板処理装置の制御方法であって、
    前記第3工程において、
    前記制御部によって、前記トリガ信号を出力するタイミングから前記特定状態が実現されるタイミングまでの時間と、前記発動部による前記吸い戻しバルブの動作の速度に係る設定値との間における基準の関係における、前記基準動作時間と前記実動作時間との差に対応する設定値のズレ量に応じて、前記発動部による前記吸い戻しバルブの動作の速度に係る設定の変更量を算出する、基板処理装置の制御方法。
  44. 請求項33、請求項34、請求項36および請求項40から請求項42の何れか1つの請求項に記載の基板処理装置の制御方法であって、
    前記第3工程において、
    前記制御部によって、前記トリガ信号を出力するタイミングから前記特定状態が実現されるタイミングまでの時間と、前記発動部による前記吐出バルブの動作の速度に係る設定値との間における基準の関係における、前記基準動作時間と前記実動作時間との差に対応する設定値のズレ量に応じて、前記発動部による前記吐出バルブの動作の速度に係る設定の変更量を算出する、基板処理装置の制御方法。
  45. 請求項31、請求項32、請求項35および請求項37から請求項39の何れか1つの請求項に記載の基板処理装置の制御方法であって、
    前記第3工程において、
    前記制御部によって、前記トリガ信号を出力するタイミングから前記特定状態が実現されるタイミングまでの時間と、前記発動部による前記吸い戻しバルブの動作の速度に係る設定値との間における比例または反比例の関係における、前記基準動作時間と前記実動作時間との差に対応する前記設定値のズレ量に応じて、前記発動部による前記吸い戻しバルブの動作の速度に係る設定の変更量を算出する、基板処理装置の制御方法。
  46. 請求項33、請求項34、請求項36および請求項40から請求項42の何れか1つの請求項に記載の基板処理装置の制御方法であって、
    前記第3工程において、
    前記制御部によって、前記トリガ信号を出力するタイミングから前記特定状態が実現されるタイミングまでの時間と、前記発動部による前記吐出バルブの動作の速度に係る設定値との間における比例または反比例の関係における、前記基準動作時間と前記実動作時間との差に対応する前記設定値のズレ量に応じて、前記発動部による前記吐出バルブの動作の速度に係る設定の変更量を算出する、基板処理装置の制御方法。
  47. 請求項31、請求項32、請求項35および請求項37から請求項39の何れか1つの請求項に記載の基板処理装置の制御方法であって、
    前記第3工程において、
    前記制御部によって、前記基準動作時間よりも前記実動作時間が短ければ、前記発動部による前記吸い戻しバルブの動作の速度が小さくなるような前記変更量を算出し、前記基準動作時間よりも前記実動作時間が長ければ、前記発動部による前記吸い戻しバルブの動作の速度が大きくなるような前記変更量を算出する、基板処理装置の制御方法。
  48. 請求項33、請求項34、請求項36および請求項40から請求項42の何れか1つの請求項に記載の基板処理装置の制御方法であって、
    前記第3工程において、
    前記制御部によって、前記基準動作時間よりも前記実動作時間が短ければ、前記発動部による前記吐出バルブの動作の速度が小さくなるような前記変更量を算出し、前記基準動作時間よりも前記実動作時間が長ければ、前記発動部による前記吐出バルブの動作の速度が大きくなるような前記変更量を算出する、基板処理装置の制御方法。
  49. 基板に向けて処理液を吐出するノズルと、該ノズルにつながった前記処理液の流路を形成する配管部と、該配管部の途中部分に設けられ、前記ノズルに対して前記処理液を供給する液供給経路を開閉する吐出バルブと、前記配管部のうちの前記吐出バルブと前記ノズルとの間の特定部分または該特定部分から分岐した分岐配管部分に設けられた、少なくとも前記ノズルにおける前記処理液を吸い戻す液吸い戻し動作を行う吸い戻しバルブと、前記吐出バルブおよび前記吸い戻しバルブのそれぞれを動作させる駆動力を前記吐出バルブおよび前記吸い戻しバルブのそれぞれに付与する発動部と、制御部と、を有する基板処理装置の制御方法であって、
    前記発動部によって、前記制御部によるトリガ信号の出力に応答して、前記吐出バルブおよび前記吸い戻しバルブのそれぞれを動作させ始める第1工程と
    第1特定状態を検知する第2工程と、
    第2特定状態を検知する第3工程と、
    前記制御部によって、前記第2工程で前記第1特定状態を検知した第1タイミングから前記第3工程で前記第2特定状態を検知した第2タイミングまでの実動作時間と、予め設定された基準動作時間との関係に応じて、前記発動部による前記吸い戻しバルブの動作の速度に係る設定の変更量を算出する第4工程と、を有し、
    前記第1特定状態は、前記吐出バルブの開度に係る特定状態、または前記配管部のうちの前記吐出バルブと前記ノズルとの間における前記処理液の流速が特定の流速に到達した状態、を含み、
    前記第2特定状態は、前記吸い戻しバルブの開度に係る特定開度状態、前記分岐配管部分の特定位置まで前記処理液の液面が到達した特定吸い戻し状態、または前記分岐配管部分の特定位置における前記処理液の流速が特定の流速に到達した状態、を含む、基板処理装置の制御方法。
  50. 基板に向けて処理液を吐出するノズルと、該ノズルにつながった前記処理液の流路を形成する配管部と、該配管部の途中部分に設けられ、前記ノズルに対して前記処理液を供給する液供給経路を開閉する吐出バルブと、前記配管部のうちの前記吐出バルブと前記ノズルとの間の特定部分または該特定部分から分岐した分岐配管部分に設けられた、少なくとも前記ノズルにおける前記処理液を吸い戻す液吸い戻し動作を行う吸い戻しバルブと、前記吐出バルブおよび前記吸い戻しバルブのそれぞれを動作させる駆動力を前記吐出バルブおよび前記吸い戻しバルブのそれぞれに付与する発動部と、制御部と、を有する基板処理装置の制御方法であって、
    前記発動部によって、前記制御部によるトリガ信号の出力に応答して、前記吐出バルブおよび前記吸い戻しバルブのそれぞれを動作させ始める第1工程と
    第1特定状態を検知する第2工程と、
    第2特定状態を検知する第3工程と、
    前記制御部によって、前記第2工程で前記第1特定状態を検知した第1タイミングから前記第3工程で前記第2特定状態を検知した第2タイミングまでの実動作時間と、予め設定された基準動作時間との関係に応じて、前記発動部による前記吸い戻しバルブの動作の速度に係る設定の変更量を算出する第4工程と、を有し、
    前記第1特定状態は、前記吐出バルブの開度に係る特定状態、または前記配管部のうちの前記吐出バルブと前記ノズルとの間における前記処理液の流速が特定の流速に到達した状態、を含み、
    前記第2特定状態は、前記吸い戻しバルブの一部の領域の気圧が基準圧に到達した基準圧到達状態、を含む、基板処理装置の制御方法。
  51. 請求項49または請求項50に記載の基板処理装置の制御方法であって、
    前記制御部によって、前記第4工程において算出された前記変更量に応じて、前記発動部による前記吸い戻しバルブの動作の速度に係る設定を変更する第5工程、
    をさらに有する、基板処理装置の制御方法。
  52. 請求項50に記載の基板処理装置の制御方法であって、
    前記吸い戻しバルブは、
    前記配管部内の前記液供給経路に連通している液吸い戻し領域を形成する弁箱部と、前記液吸い戻し領域に面し且つ該液吸い戻し領域の容積を変更可能に動作する弁体部と、該弁体部を動作させる駆動機構と、を有し、
    前記駆動機構は、
    容器部と、該容器部内の空間を第1領域と第2領域とに仕切っている仕切り部と、該仕切り部と前記弁体部とを連結している連結部と、を有し、
    前記第1工程において、
    前記発動部によって、前記制御部によるトリガ信号の出力に応答して、前記第1領域から気体を排出させて前記仕切り部を動作させ始めることで、前記連結部を介して前記液吸い戻し領域の容積が拡大するように前記弁体部を動作させ始めて前記吸い戻しバルブに前記液吸い戻し動作を実行させ始め、
    前記一部の領域は、前記第1領域を含み、
    前記第4工程において、
    前記制御部によって、前記実動作時間と予め設定された基準動作時間との関係に応じて、前記発動部による前記第1領域からの気体の排出の速度を調整する設定の変更量を算出する、基板処理装置の制御方法。
  53. 請求項49から請求項52の何れか1つの請求項に記載の基板処理装置の制御方法であって、
    前記第4工程において、
    前記制御部によって、前記第1特定状態が実現されるタイミングから第2特定状態が実現されるタイミングまでの時間と、前記発動部による前記吸い戻しバルブの動作の速度に係る設定値との間についての基準の関係における、前記基準動作時間と前記実動作時間との差に対応する設定値のズレ量に応じて、前記発動部による前記吸い戻しバルブの動作の速度に係る設定の変更量を算出する、基板処理装置の制御方法。
  54. 請求項49から請求項52の何れか1つの請求項に記載の基板処理装置の制御方法であって、
    前記第4工程において、
    前記制御部によって、前記第1特定状態が実現されるタイミングから第2特定状態が実現されるタイミングまでの時間と、前記発動部による前記吸い戻しバルブの動作の速度に係る設定値と、の間についての比例または反比例の関係における、前記基準動作時間と前記実動作時間との差に対応する設定値のズレ量に応じて、前記発動部による前記吸い戻しバルブの動作の速度に係る設定の変更量を算出する、基板処理装置の制御方法。
  55. 請求項49から請求項52の何れか1つの請求項に記載の基板処理装置の制御方法であって、
    前記第4工程において、
    前記制御部によって、前記基準動作時間よりも前記実動作時間が短ければ、前記発動部による前記吸い戻しバルブの動作の速度が小さくなるような前記変更量を算出し、前記基準動作時間よりも前記実動作時間が長ければ、前記発動部による前記バルブの動作の速度が大きくなるような前記変更量を算出する、基板処理装置の制御方法。
  56. 基板処理装置に含まれる演算処理部によって実行されることで、該基板処理装置を、請求項1から請求項30の何れか1つの請求項に記載の基板処理装置として機能させる、プログラム。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0582431A (ja) 1991-09-19 1993-04-02 Nec Yamagata Ltd 半導体ウエーハのフオトレジスト塗布装置
JP3307980B2 (ja) * 1992-04-15 2002-07-29 株式会社日立製作所 半導体装置の製造方法
JP2003145017A (ja) * 2001-11-13 2003-05-20 Tokyo Electron Ltd 塗布処理方法および塗布処理装置
JP4024639B2 (ja) 2002-10-16 2007-12-19 大日本スクリーン製造株式会社 薬液ポンプ、配管システム、基板処理ユニット、基板処理装置、薬液吐出方法、配液方法および基板処理方法
JP4202176B2 (ja) 2003-04-25 2008-12-24 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および吐出制御方法
JP5115281B2 (ja) * 2008-04-01 2013-01-09 セイコーエプソン株式会社 液滴吐出装置、液状体の吐出方法、カラーフィルタの製造方法、有機el装置の製造方法
JP5146522B2 (ja) * 2010-11-26 2013-02-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP4812897B1 (ja) * 2010-12-22 2011-11-09 ミクロ技研株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP5775851B2 (ja) * 2012-06-27 2015-09-09 東京エレクトロン株式会社 塗布装置および塗布液充填方法
JP6359925B2 (ja) * 2014-09-18 2018-07-18 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
JP6487168B2 (ja) * 2014-09-29 2019-03-20 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6319117B2 (ja) * 2015-01-26 2018-05-09 東京エレクトロン株式会社 処理液供給装置、処理液供給方法及び記憶媒体
JP6332095B2 (ja) * 2015-03-20 2018-05-30 東京エレクトロン株式会社 薬液供給装置の調整方法、記憶媒体及び薬液供給装置
JP6512894B2 (ja) * 2015-03-27 2019-05-15 株式会社Screenホールディングス 処理液供給装置および処理液供給装置の制御方法

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