TWI661871B - 基板處理裝置以及基板處理方法 - Google Patents

基板處理裝置以及基板處理方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI661871B
TWI661871B TW107102925A TW107102925A TWI661871B TW I661871 B TWI661871 B TW I661871B TW 107102925 A TW107102925 A TW 107102925A TW 107102925 A TW107102925 A TW 107102925A TW I661871 B TWI661871 B TW I661871B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
liquid
processing
valve
processing liquid
flow
Prior art date
Application number
TW107102925A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201834754A (zh
Inventor
中井仁司
Original Assignee
日商斯庫林集團股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商斯庫林集團股份有限公司 filed Critical 日商斯庫林集團股份有限公司
Publication of TW201834754A publication Critical patent/TW201834754A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI661871B publication Critical patent/TWI661871B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
    • H01L21/02307—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a liquid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
    • H01L21/02343—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to a liquid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

一種基板處理裝置，係包含：基板保持單元，係保持基板；處理液噴嘴，係用以吐出用以處理前述基板的處理液；供給配管，係對前述處理液噴嘴供給處理液；供給閥，係夾設於前述供給配管，用以開閉該供給配管；流通配管，係供處理液流動，該處理液為從前述處理液噴嘴所吐出的處理液，且為未被供給至由前述基板保持單元所保持之基板的處理液；以及漏液檢測單元，用以檢測來自前述供給閥的處理液之漏出，並具有夾設於前述流通配管而用以開閉該流通配管的流通閥、以及用以檢測貯存於上游側區域之處理液或貯存於分支區域之處理液的檢測器，前述上游側區域係於前述流通配管中之比前述流通閥更上游側，該分支區域係從前述上游側區域分支且能夠事先貯存前述處理液，前述漏液檢測單元係在前述供給閥及前述流通閥之閉狀態下，基於貯存於前述上游側區域或前述分支區域的處理液來檢測來自前述供給閥之漏液。

Description

基板處理裝置以及基板處理方法
本發明係關於一種基板處理裝置以及基板處理方法。以成為處理對象的基板來說，例如包含有半導體晶圓(wafer)、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器(plasma display)用基板、FED(Field Emission Display；場發射顯示器)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩(photomask)用基板、陶瓷(ceramic)基板、太陽能電池用基板等。
在半導體裝置或液晶顯示裝置之製程中，有採用一種對半導體晶圓或液晶顯示面板用玻璃基板等的基板施予使用了處理液之處理的基板處理裝置。如此的基板處理裝置係包含：旋轉夾盤(spin chuck)，係大致水平地保持基板並使基板旋轉；噴嘴(nozzle)，用以對由該旋轉夾盤所保持的基板吐出處理液；處理液配管，係對噴嘴供給處理液；以及處理液閥(valve)，係夾設於處理液配管之中途部。
在下述專利文獻1中，已揭示一種檢測處理液閥之洩漏(leak)故障的基板處理裝置。該基板處理裝置係包含：處理液抽吸管，係從處理液配管中之被設定於比處理液閥更下游側之鉛直部分的分支位置所分支；抽吸裝置，係連接於處理液抽吸管之前端；以及液面感測器，係配置於鉛直 部分中之比分支位置更稍微上游側。在來自噴嘴的處理液之吐出動作結束之後，抽吸裝置會抽吸處理液，且使處理液之前端面後退至分支位置為止。藉由液面感測器來監視鉛直部分中的處理液之液面高度，且在液面高度已到達預定高度時，基板處理裝置會判定處理液閥之洩漏故障。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1：日本特許第5030767號公報。
若為專利文獻1的手法，則在每次來自噴嘴的處理液之吐出動作結束時，都有必要藉由抽吸裝置來抽吸處理液，並使處理液之前端面後退至分支位置為止。由於有必要使處理液之前端面大幅地後退，所以處理液之抽吸需要時間。亦即，藉由進行如此地抽吸，有使流通量(throughput)惡化之虞。為此，有被要求使用其他的手法來檢測來自供給閥(處理液閥)的處理液之漏出。
於是，本發明之一目的係在於提供一種可以不使流通量惡化地檢測來自供給閥的處理液之漏出的基板處理裝置以及基板處理方法。
本發明之一實施形態係提供一種基板處理裝置，包含：基板保持單元，係保持基板；處理液噴嘴，係用以吐出用以處理前述基板的處理液；供給配管，係對前述處理液噴 嘴供給處理液；供給閥，係夾設於前述供給配管，用以開閉該供給配管；流通配管，係供處理液流動，該處理液為從前述處理液噴嘴所吐出的處理液，且為未被供給至由前述基板保持單元所保持之基板的處理液；以及漏液檢測單元，用以檢測來自前述供給閥的處理液之漏出，並具有夾設於前述流通配管而用以開閉該流通配管的流通閥、以及用以檢測貯存於上游側區域之處理液或貯存於分支區域之處理液的檢測器，該上游側區域係於前述流通配管中之比前述流通閥更上游側，該分支區域係從前述上游側區域分支且能夠事先貯存前述處理液，前述漏液檢測單元係在前述供給閥及前述流通閥之閉狀態下，基於貯存於前述上游側區域或前述分支區域的處理液來檢測來自前述供給閥之漏液。
依據該構成，則在夾設於供給配管的供給閥被關閉的狀態下，夾設於流通配管的流通閥就會關閉。藉由流通閥之閉合，可以將供給至流通配管的液體貯存於上游側區域或分支區域。在起因於供給閥之故障等而從供給閥有處理液之漏出的情況下，已從供給閥漏出的處理液會從處理液噴嘴吐出而供給至流通配管。由於流通閥係處於閉狀態，所以在有來自供給閥之漏液的情況下，已從供給閥漏出的處理液會貯存於上游側區域或分支區域。從而，藉由檢測已貯存於上游側區域或分支區域的處理液，就可以良好地檢測來自供給閥的漏液。
由於使用已從處理液噴嘴吐出的處理液來檢測來自供 給閥的處理液之漏出，所以不用使處理液之前端面大幅地後退就可以檢測來自供給閥的處理液之漏出。故而，可以一邊謀求流通量之縮短，一邊檢測來自供給閥的處理液之漏出。
在本發明之一實施形態中，更包含：噴嘴移動單元，係使前述處理液噴嘴在處理位置與退避位置之間移動，該處理位置係位於由前述基板保持單元所保持的基板之上方的位置，該退避位置係從由前述基板保持單元所保持的基板之上方退避至側方的位置。又，前述流通配管係包含退避流通配管，該退避流通配管係供從配置於前述退避位置的前述處理液噴嘴所吐出的處理液流動。
依據該構成，則使用退避流通配管來進行來自供給閥的漏液之檢測。由於使用在進行基板處理時被供給至基板的處理液不會流入的退避流通配管來進行來自供給閥的漏液之檢測，所以可以精度佳地進行來自供給閥的漏液之檢測。
在本發明之一實施形態中，前述基板處理裝置係更包含容器(pot)，該容器係接住從配置於前述退避位置的前述處理液噴嘴所吐出的處理液。又，前述退避流通配管係包含排液配管，該排液配管係連接於前述容器，且為了排液而供由前述容器所接住的處理液流動。
在不對基板施予使用了處理液之處理的非處理時，處理液噴嘴係配置於退避位置。
依據該構成，在處理液噴嘴配置於退避位置的狀態下從處理液噴嘴所吐出的處理液係由容器所接住，之後被供給至排液配管。藉此，可以在非處理時進行來自供給閥的漏液之檢測。
在本發明之一實施形態中，前述漏液檢測單元係執行在前述處理液噴嘴配置於前述退避位置的狀態下關閉前述流通閥的閥閉合步驟。
依據該構成，則在處理液噴嘴配置於退避位置的狀態下關閉流通閥。藉此，在有來自供給閥之漏液的情況下，可以將從供給閥所漏出的處理液貯存在退避流通配管之上游側區域或分支區域。然後，藉由檢測已貯存於上游側區域或分支區域的處理液就可以在退避流通配管中良好地檢測來自供給閥之漏液。
在本發明之一實施形態中，前述噴嘴移動單元係執行使配置於前述退避位置的前述處理液噴嘴從該退避位置移動至其他的位置的移動步驟。又，前述漏液檢測單元係在前述移動步驟之前，先執行用以將處於閉狀態的前述流通閥開啟的第一閥開啟步驟。
依據該構成，則在使從退避位置移動至其他位置的移動步驟之前，先使處於閉狀態的流通閥呈開狀態。藉此，可以在有貯存於退避流通配管之上游側區域或分支區域的處理液的情況下，將該處理液朝向上游側區域外或分支區域外排放。為此，可以防止處理液在不進行漏液檢測的期 間貯存於上游側區域或分支區域。故而，可以良好地進行下次的漏液檢測。
在本發明之一實施形態中，前述漏液檢測單元係在退避吐出步驟之前，先執行用以將處於閉狀態的前述流通閥開啟的第二閥開啟步驟，該退避吐出步驟係在前述處理液噴嘴配置於前述退避位置的狀態下將前述供給閥開啟。
依據該構成，則在退避吐出步驟之前，先使處於閉狀態的流通閥呈開狀態。為此，可以一邊將流通閥維持於開狀態一邊進行退避吐出步驟，藉此，可以良好地進行退避吐出步驟。
在本發明之一實施形態中，前述漏液檢測單元係在已檢測出來自前述供給閥之漏液的情況下，更進一步執行將處於閉狀態的前述流通閥開啟的第三閥開啟步驟。
依據該構成，則在已從供給閥檢測出漏液的情況下，藉由開啟處於閉狀態的流通閥，就可以將已貯存於流通配管之上游側區域或分支區域的處理液朝向上游側區域外排放。
在本發明之一實施形態中，前述檢測器係檢測貯存於前述上游側區域的處理液。又，前述漏液檢測單元係在前述處理液噴嘴配置於前述處理位置且前述供給閥處於開啟之狀態的情況下，使藉由該漏液檢測單元所為的漏液檢測有效，而在除此以外的預定之情況下，使藉由該漏液檢測單元所為的漏液檢測無效。
依據該構成，則在處理液噴嘴配置於處理位置且供給閥處於閉狀態的情況下，亦即，在處理液對基板之供給中，使藉由漏液檢測單元所為的漏液檢測有效。藉此，可以在非處理時進行來自供給閥的漏液之檢測。
在本發明之一實施形態中，前述漏液檢測單元係在退避吐出步驟的執行中，使藉由該漏液檢測單元所為的漏液檢測無效，該退避吐出步驟係在前述處理液噴嘴配置於前述退避位置的狀態下將前述供給閥開啟。
依據該構成，則在退避吐出步驟之執行中使漏液檢測無效。在退避吐出步驟之執行中，處理液會流通於退避流通配管。依據檢測器之種類而有以下疑慮：將退避吐出步驟之執行中之退避流通配管中的處理液之流通誤檢測為來自供給閥的漏液。但是，依據該構成，由於在退避吐出步驟之執行中使漏液檢測無效，所以可以確實地僅檢測出來自供給閥的漏液。
又，漏液檢測單元亦可進行如下作業：來自前述供給閥的漏液在事先決定的檢測期間內被檢測出事先決定的檢測量之處理液的情況下，檢測出「有來自前述供給閥的漏液」，在前述流通閥被關閉之後在前述檢測期間內未被檢測出前述檢測量之處理液的情況下，檢測出「沒有來自前述供給閥的漏液」。
在本發明之一實施形態中，前述檢測器係包含用以檢測貯存於前述上游側區域或前述分支區域的處理液之液位是否已到達預定高度的液位感測器。
依據該構成，可以藉由相對簡單之構成的液位感測器來檢測貯存於上游側區域或分支區域的處理液。為此，與直接檢測從處理液噴嘴所滴落的處理液的情況相較，可廉價地進行來自供給閥的漏液之檢測。
在本發明之一實施形態中，前述供給配管係包含夾設有前述供給閥的第一配管部分、從前述第一配管部分之下游端朝向上方延伸的第二配管部分、從前述第二配管部分之下游端水平地延伸的第三配管部分、以及連接前述第三配管部分和前述處理液噴嘴的第四配管部分。又，前述基板處理裝置係更包含：抽吸裝置，係在處理液從前述處理液噴嘴吐出之後，抽吸前述供給配管內的處理液而將該處理液之前端面抽吸至已設定於前述第三配管部分或第四配管部分的預定之後退位置為止。
依據該構成，由於是在流通配管進行來自供給閥的漏液之檢測，所以沒有必要在第二配管部分進行來自供給閥的漏液之檢測。為此，只要在處理液從處理液噴嘴吐出之後，使處理液之前端面後退至已設定於第三配管部分或第四配管部分的後退位置為止即可。從而，不用使處理液之前端面大幅地後退就可以檢測來自供給閥的處理液之漏出。故而，不會使流通量惡化而可以檢測來自供給閥的處理液之漏出。
本發明之一實施形態係提供一種基板處理方法，係在基板處理裝置中執行，該基板處理裝置係包含供給配管、供給閥、流通配管及流通閥，該供給配管係對處理液噴嘴 供給處理液，該供給閥係夾設於前述供給配管且用以開閉該供給配管，該流通配管係供從前述處理液噴嘴所吐出且未被供給至前述基板的處理液流動，該流通閥係夾設於前述流通配管而用以開閉該流通配管；前述基板處理方法係包含：閥閉合步驟，係在前述供給閥處於閉狀態的狀態下，關閉前述流通閥；以及漏液檢測步驟，係在前述供給閥之閉狀態且前述流通閥之閉狀態下，基於貯存於上游側區域的處理液或貯存於分支區域的處理液來檢測來自前述供給閥的處理液之漏出，該上游側區域係於前述流通配管中之比前述流通閥更上游側，該分支區域係從前述上游側區域分支且能夠事先貯存前述處理液。
依據該方法，則在夾設於供給配管的供給閥被關閉的狀態下，夾設於流通配管的流通閥會關閉。藉由流通閥之閉合，就可以將供給至流通配管的液體貯存於上游側區域或分支區域。在起因於供給閥之故障等而從供給閥有處理液之漏出的情況下，已從供給閥漏出的處理液會從處理液噴嘴吐出而供給至流通配管。由於流通閥係處於閉狀態，所以在有來自供給閥之漏液的情況下，已從供給閥漏出的處理液會貯存於上游側區域或分支區域。從而，藉由檢測已貯存於上游側區域或分支區域的處理液，就可以良好地檢測來自供給閥的漏液。
由於使用已從處理液噴嘴吐出的處理液來檢測來自供給閥的處理液之漏出，所以不用使處理液之前端面大幅地後退就可以檢測來自供給閥的處理液之漏出。故而，可以 一邊謀求流通量之縮短，一邊檢測來自供給閥的處理液之漏出。
在本發明之一實施形態中，前述流通配管係包含供從前述處理液噴嘴所吐出的處理液流動的退避流通配管，該處理液噴嘴係配置於從前述基板之上方退避至側方的退避位置；前述基板處理方法係更包含：退避位置配置步驟，係使前述處理液噴嘴在前述閥閉合步驟之前，先配置於前述退避位置。
依據該方法，在閥閉合步驟之前，先使處理液噴嘴配置於退避位置。為此，在供給閥關閉且處理液噴嘴配置於退避位置的狀態下，流通閥會關閉。藉此，在有來自供給閥之漏液的情況下，可以將已從供給閥所漏出的處理液貯存於退避流通配管之上游側區域或分支區域。然後，藉由檢測已貯存於上游側區域或分支區域的處理液，就可以在退避流通配管中良好地檢測來自供給閥的漏液。
在本發明之一實施形態中，前述基板處理方法係更包含：移動步驟，係使配置於前述退避位置的前述處理液噴嘴從該退避位置移動至其他的位置；以及第一閥開啟步驟，係在前述移動步驟之前，先將處於閉狀態的前述流通閥開啟。
依據該方法，則在使從退避位置移動至其他位置的移動步驟之前，先使處於閉狀態的流通閥呈開狀態。藉此，可以在有貯存於退避流通配管之上游側區域或分支區域的處理液的情況下，將該處理液朝向上游側區域外或分支區 域外排放。為此，可以防止處理液在不進行漏液檢測的期間貯存於上游側區域或分支區域。故而，可以良好地進行下次的漏液檢測。
在本發明之一實施形態中，前述基板處理方法係更包含：退避吐出步驟，係在前述處理液噴嘴配置於前述退避位置的狀態下開啟前述供給閥，藉此為了預分配(pre-dispensing)而從前述處理液噴嘴吐出處理液；以及第二閥開啟步驟，係在前述退避吐出步驟之前，先將處於閉狀態的前述流通閥開啟。
依據該方法，則在退避吐出步驟之前，先使處於閉狀態的流通閥呈開狀態。為此，可以一邊將流通閥維持於開狀態一邊進行退避吐出步驟，藉此可以良好地進行退避吐出步驟。
在本發明之一實施形態中，前述基板處理方法係更包含：第三閥開啟步驟，係在前述漏液檢測步驟已檢測出來自前述供給閥之漏液的情況下，將處於閉狀態的前述流通閥開啟。
依據該方法，則在已從供給閥檢測出漏液的情況下，藉由開啟處於閉狀態的流通閥，就可以將已貯存於流通配管之上游側區域或分支區域的處理液朝向上游側區域外排放。
在本發明之一實施形態中，前述漏液檢測步驟係包含檢測無效步驟，該檢測無效步驟係在前述處理液噴嘴配置於前述處理位置且前述供給閥處於開啟之狀態的情況下， 使該漏液檢測步驟中的漏液檢測有效，而在除此以外的預定之情況下，使該漏液檢測步驟中的漏液檢測無效。
依據該方法，則在處理液噴嘴配置於處理位置且供給閥處於閉狀態的情況下，亦即，在非處理時會使藉由漏液檢測單元所為的漏液檢測有效。藉此，可以在非處理時進行來自供給閥的漏液之檢測。
在本發明之一實施形態中，前述檢測無效步驟係在前述處理液噴嘴配置於前述處理位置且前述供給閥開啟的情況下，使前述漏液檢測步驟中的漏液檢測無效。
依據該方法，則在退避吐出步驟之執行中使漏液檢測無效。在退避吐出步驟之執行中，處理液流通於退避流通配管。依據在漏液檢測步驟中所使用的檢測器之種類而有以下疑慮：將退避吐出步驟之執行中之退避流通配管中的處理液之流通誤檢測為來自供給閥的漏液。但是，依據該方法，由於在退避吐出步驟之執行中使漏液檢測無效，所以可以確實地僅檢測出來自供給閥的漏液。
又，前述漏液檢測步驟亦可包含以下步驟：來自前述供給閥的漏液在事先決定的檢測期間內被檢測出事先決定的檢測量之處理液的情況下，檢測出「有來自前述供給閥的漏液」，且在前述流通閥被關閉之後在前述檢測期間內未被檢測出前述檢測量之處理液的情況下，檢測出「沒有來自前述供給閥的漏液」。
本發明中的前述之目的、特徵及功效，或更進一步之其他的目的、特徵及功效係能參照附圖並藉由以下所述的 實施形態之說明而獲得明白。
1、201‧‧‧基板處理裝置
2、202‧‧‧處理單元
3‧‧‧控制裝置
4‧‧‧處理室
5‧‧‧旋轉夾盤
6‧‧‧旋轉基座
7‧‧‧夾持銷
8‧‧‧旋轉軸
9‧‧‧旋轉馬達
10‧‧‧沖洗液噴嘴
11‧‧‧沖洗液配管
12‧‧‧沖洗液閥
13‧‧‧藥液閥
13a‧‧‧吐出口
14‧‧‧噴嘴臂
15‧‧‧噴嘴移動單元
16‧‧‧供給配管
16a、221a‧‧‧第一配管部分
16b、221b‧‧‧第二配管部分
16c、221c‧‧‧第三配管部分
16d、221d‧‧‧第四配管部分
17‧‧‧抽吸裝置
18‧‧‧供給閥
19‧‧‧流量計
20‧‧‧待機容器
21‧‧‧排液配管
22‧‧‧流通閥
23‧‧‧上游側區域
23a‧‧‧鉛直部
23b‧‧‧分支連接位置
24、224‧‧‧液位感測器
24a‧‧‧發光元件
24b‧‧‧受光元件
30‧‧‧處理杯體
30a‧‧‧上端部
221‧‧‧分支排液配管
221e‧‧‧第五配管部分
221f‧‧‧第六配管部分
231‧‧‧除氣配管
A1‧‧‧旋轉軸線
D1、D2‧‧‧延遲期間
H‧‧‧高度
P1‧‧‧處理位置
P2‧‧‧退避位置
P3‧‧‧後退位置
S1~S5‧‧‧步驟
W‧‧‧基板
圖1係在水平方向觀察本發明之一實施形態的基板處理裝置的示意圖。
圖2係用以說明前述基板處理裝置之主要部分的電氣構成的方塊圖。
圖3係顯示供給閥之開閉狀態、處理液噴嘴之位置狀態、流通閥之開閉狀態及液位感測器之檢測輸出之有效/無效狀態的時序圖(time chart)。
圖4A係用以說明待機步驟(圖3之S1)的示意圖；圖4B係用以說明預分配步驟(圖3之S2)的示意圖。
圖4C係用以說明預分配步驟後之藥液抽吸的示意圖；圖4D係用以說明噴嘴配置步驟(圖3之S3)及藥液步驟(圖3之S4)的示意圖。
圖4E係用以說明藥液步驟後之藥液抽吸的示意圖；圖4F係在待機步驟(圖3之S1)中從處理液噴嘴有藥液之漏出的情況的示意圖。
圖5係用以說明漏液檢測之流程的流程圖(flow chart)。
圖6係顯示本發明之第二實施形態的基板處理裝置之主要部分的示意圖。
圖7係顯示本發明之第二實施形態的供給閥之開閉狀態、藥液噴嘴之位置狀態、流通閥之開閉狀態及液位感測器之檢測輸出之有效/無效狀態的時序圖。
圖8係在待機步驟(圖7之S1)中從藥液噴嘴有藥液之漏出的情況的示意圖。
圖9係用以說明本發明之第二實施形態的第一變化例的示意圖。
圖10係用以說明本發明之第二實施形態的第二變化例的示意圖。
圖1係在水平方向觀察本發明之第一實施形態的基板處理裝置1的圖。基板處理裝置1係指逐片處理半導體晶圓等的圓板狀之基板W的單片式之裝置。基板處理裝置1係包含：處理單元2，係使用處理液(藥液及沖洗液)來處理基板W；搬運機器人(robot)(未圖示)，係對處理單元2將基板W搬出搬入；以及控制裝置3，係控制在基板處理裝置1中所具備的裝置或閥之開閉。
處理單元2係包含：箱形之處理室(chamber)4；旋轉夾盤(基板保持單元)5，係在處理室4內一邊將基板W水平地保持一邊使基板W繞著通過基板W之中央部的鉛直之旋轉軸線A1旋轉；以及一個或複數個處理液噴嘴，係朝向由旋轉夾盤5所保持的基板W吐出處理液。
旋轉夾盤5係包含：圓板狀之旋轉基座(spin base)6，係被保持在水平之姿勢；複數個夾持銷(pin)7，係在旋轉基座6之上方將基板W以水平之姿勢保持；旋轉軸8，係從旋轉基座6之中央部朝向下方延伸；以及旋轉馬達(spin motor)9，係藉由使旋轉軸8旋轉來使基板W及旋轉基座6 繞著旋轉軸線A1旋轉。旋轉夾盤5係未被限於使複數個夾持銷7接觸於基板W之周端面的夾持式之夾盤，亦可為藉由使作為非元件(device)形成面的基板W之背面(下表面)吸附於旋轉基座6之上表面來將基板W水平地保持的真空吸附(vacuum)式之夾盤。
處理單元2係包含：沖洗液噴嘴10，係朝向由旋轉夾盤5所保持的基板W之上表面將沖洗液往下方吐出；沖洗液配管11，係將來自沖洗液供給源的沖洗液導引至沖洗液噴嘴10；以及沖洗液閥12，係開閉沖洗液配管11之內部。沖洗液例如是純水(去離子水；Deionized Water)。沖洗液係不限於純水，亦可為碳酸水、電解離子水、氫水、臭氧水及稀釋濃度(例如10ppm至100ppm左右)的鹽酸水之其中任一種。亦可具備：水噴嘴移動裝置，係藉由使沖洗液噴嘴10移動，來使水對於基板W之上表面的著液位置在基板W之面內進行掃描。
處理單元2係包含：藥液噴嘴(處理液噴嘴)13，係朝向由旋轉夾盤5所保持的基板W之上表面吐出藥液(處理液)；噴嘴臂(nozzle arm)14，係在前端部安裝有藥液噴嘴13；以及噴嘴移動單元15，係使噴嘴臂14可繞著預定之擺動軸(未圖示)擺動而使藥液噴嘴13移動。藥液噴嘴13係在其吐出口13a朝向例如下方的狀態下，安裝在於水平方向延伸的噴嘴臂14。噴嘴移動單元15係使藥液噴嘴13在已設定於基板W之上方的處理位置P1(圖1之實線所示的位置)與退避至旋轉夾盤5之側方的退避位置P2(圖1之虛線 所示的位置)之間(水平地)移動。
處理單元2係更包含：供給配管16，係將來自藥液供給源(未圖示)的藥液導引至藥液噴嘴13。在供給配管16係從藥液噴嘴13側起依序夾設有供給閥18及流量計19，該供給閥18係用以開閉供給配管16，該流量計19係用以測量流通於供給配管16的藥液之流量。供給配管16係從藥液供給源側起依序包含以下部分：夾設有供給閥18的第一配管部分16a、從第一配管部分16a之下游端朝向上方延伸的第二配管部分16b、從第二配管部分16b之下游端水平地延伸的第三配管部分16c、以及從第三配管部分16c之下游端朝向下方延伸並連接於藥液噴嘴13的第四配管部分16d。供給閥18係夾設於第一配管部分16a之中途部。
第一配管部分16a及第三配管部分16c係分別水平地延伸。第三配管部分16c係配置於比第一配管部分16a在上下方向更高的位置。高度H例如是數十cm。第二配管部分16b係連接第一配管部分16a和第三配管部分16c。第二配管部分16b例如朝向上下方向延伸。第四配管部分16d係連接第三配管部分16c和藥液噴嘴13。第四配管部分16d例如是朝向上下方向延伸。第一配管部分16a、第二配管部分16b、第三配管部分16c及第四配管部分16d係藉由連續狀的一根配管所構成，各個管徑係互為共通。
藥液例如是包含硫酸、醋酸、硝酸、鹽酸、氫氟酸、氨水、過氧化氫水、有機酸(例如檸檬酸(citric acid)、草酸(oxalic acid)等)、有機鹼(例如TMAH：tetramethylammonium hydroxide(氫氧化四鉀銨)等)、及界面活性劑、防腐劑之至少一個的液體。處理單元2係具備抽吸裝置17。抽吸裝置17係膜片(diaphragm)式之抽吸裝置。膜片式之抽吸裝置係指包含夾設於供給配管16(第一配管部分16a)之中途部的筒狀之頭部以及收容於頭部內的膜片，且藉由膜片之驅動來使形成於頭部內的流路之容積變化的公知構成之抽吸裝置(參照日本特開2016-111306號公報等)。與噴射(ejector)式之抽吸裝置相較，膜片式之抽吸裝置的抽吸力(抽吸速度)較弱。為此，與噴射式之抽吸裝置相較，膜片式之抽吸裝置所能夠抽吸的藥液之量為少量。在圖1之例中，雖然抽吸裝置17係與供給閥18由不同的裝置所構成，但是抽吸裝置17亦可利用供給閥18之一部分而設置。
處理單元2係包含在俯視觀察下配置於旋轉夾盤5之周圍的待機容器(容器)20。待機容器20係指用以接住從配置於退避位置P2的藥液噴嘴13所吐出之藥液的箱狀之容器。在待機容器20之底部係連接有排液配管21。由待機容器20所接住的藥液係透過排液配管21而送出至機外的排液處理設備(未圖示)。為此，吐出至待機容器20的藥液係不會被供給至基板W。
在排液配管21之中途部係夾設有用以開閉排液配管21的流通閥22。並配置有檢測器，該檢測器係用以在流通閥22之閉狀態下，藉由液體被供給至排液配管21來檢測貯存於排液配管21中之比流通閥22更上游側區域(以下簡稱為「上游側區域」)23的藥液。檢測器係指檢測貯存於 上游側區域23的藥液之液位是否已到達預定高度的液位感測器24(參照圖4F)。
處理單元2係更包含包圍旋轉夾盤5的筒狀之處理杯體(cup)30。如圖1所示，處理杯體30係配置於比由旋轉夾盤5所保持的基板W更靠外方(遠離旋轉軸線A1的方向)。處理杯體30係包圍旋轉基座6之周圍。在旋轉夾盤5使基板W旋轉的狀態下，當處理液供給至基板W時，已供給至基板W的處理液就會朝向基板W之周圍甩開。在處理液供給至基板W時，向上開口的處理杯體30之上端部30a係配置於比旋轉基座6更上方。從而，已被排出至基板W之周圍的處理液(藥液、沖洗液等)係藉由處理杯體30所接住。然後，由處理杯體30所接住的處理液係送至未圖示的處理設備。
圖2係用以說明基板處理裝置1之主要部分的電氣構成的方塊圖。
控制裝置3係使用例如微電腦(microcomputer)所構成。控制裝置3係具有CPU(Central Processing Unit；中央處理單元)等的運算單元、固定記憶體裝置(fixed memory device)、硬碟機(Hard Disk Drive)等的儲存單元、以及輸入輸出單元。在儲存單元係儲存有運算單元所執行的程式(program)。
控制裝置3係按照事先決定的程式來控制旋轉馬達9、噴嘴移動單元15、抽吸裝置17等的動作。又，控制裝置3係控制沖洗液閥12、供給閥18、流通閥22等的開閉動作。又，在控制裝置3係輸入有來自液位感測器24的檢測輸 出。
藉由流通閥22、檢測器(液位感測器24)及控制裝置3來構成檢測來自供給閥18之漏液的漏液檢測單元。
一邊參照圖1及圖2，一邊針對藉由處理單元2而對基板W所為的一系列之處理加以說明。
在處理單元2所執行的一系列之處理的處理例中，未處理的基板W是藉由搬運機器人來搬入至處理室4內，且在基板W係於其表面(元件形成面)朝向上方的狀態下被交付至旋轉夾盤5，且由旋轉夾盤5來保持基板W。
在不執行使用來自藥液噴嘴13之藥液的藥液處理(後述的藥液步驟S3(圖3))時(亦即待機時)，藥液噴嘴13係配置於退避位置P2(圖1之虛線所示的位置)。在藥液噴嘴13配置於退避位置P2的狀態下，藥液噴嘴13之吐出口13a係與待機容器20對向。
控制裝置3係控制噴嘴移動單元15而將配置於退避位置P2的藥液噴嘴13拉出至處理位置P1(圖1之實線所示的位置)，且使藥液噴嘴13將藥液朝向旋轉中的基板W之上表面吐出。藉此，藥液能供給至基板W之上表面全區。控制裝置3係在使來自藥液噴嘴13的藥液之吐出停止之後，控制噴嘴移動單元15而將藥液噴嘴13從處理位置P1送回至退避位置P2。
之後，控制裝置3係使沖洗液噴嘴10將沖洗液朝向旋轉中的基板W吐出。藉此，沖洗液能供給至基板W之上表面全區，且沖走附著於基板W的藥液(沖洗步驟)。控制 裝置3係在使來自沖洗液噴嘴10的沖洗液之吐出停止之後，使旋轉夾盤5以高速旋轉速度旋轉基板W。藉此，附著於基板W的沖洗液能藉由離心力而朝向基板W之周圍甩開。為此，沖洗液從基板W被除去且基板W會乾燥(乾燥步驟)。之後，處理完成的基板藉由搬運機器人而從處理室4內被搬出。
圖3係顯示從待機步驟(S1)經過藥液步驟(S4)而再度到達待機步驟S(1)的以下狀態之時序圖：供給閥18之開閉狀態、藥液噴嘴13之位置狀態、流通閥22之開閉狀態及液位感測器24之檢測輸出之有效/無效狀態。圖4A係用以說明待機步驟(S1)的示意圖。圖4B係用以說明預分配步驟(退避吐出步驟S2)的示意圖。圖4C係用以說明藥液步驟(S4)後之藥液抽吸的示意圖。圖4D係用以說明噴嘴配置步驟(S3)及藥液步驟(S4)的示意圖。圖4E係用以說明藥液步驟(S4)後之藥液抽吸的示意圖；圖4F係在待機步驟(圖3之S1)中從處理液噴嘴13有藥液之漏出的情況的示意圖。
其次，一邊參照圖1至圖4F，一邊針對從待機步驟(S1)經過藥液步驟(S4)而再度到達待機步驟(S1)的各個步驟加以說明。又，在圖4A至圖4F中係省略了流量計19之圖示。
在該處理例中，控制裝置3係執行以下步驟：預分配步驟(S2)，係排出供給配管16內不要的藥液(例如已隨時間經過而劣化的藥液或溫度已降低的藥液)；噴嘴配置步驟(S3)，係將藥液噴嘴13從退避位置P2移動至處理位置P1； 藥液步驟(S4)，係對基板W之表面施予使用了藥液的處理；以及噴嘴退避步驟(S5)，係將藥液噴嘴13從處理位置P1移動至退避位置P2。又，在該處理例中係將藥液噴嘴13配置於退避位置P2且預分配步驟(S2)非為執行中的狀態稱為待機步驟(S1)。
該處理例之特徵係在待機步驟(S1)中，使被夾設於排液配管21的流通閥22呈恆常閉狀態。藉由如此的構成，在待機步驟(S1)中實現來自供給閥18的漏液檢測。
又，在該處理例中，在從前次的藥液處理之執行起經過預定時間的情況下係在開始藥液處理之前先進行預分配步驟(S2)。以下，雖然是針對該處理例列舉進行預分配步驟(S2)的情況為例來加以說明，但是在從前次的藥液處理之執行起並未經過預定時間的情況下不執行預分配步驟(S2)。
如圖4A所示，在藥液處理開始之前藥液噴嘴13係被配置於退避位置P2(待機步驟(S1))。在前次的藥液處理結束後，藥液噴嘴13係從處理位置P1被退避至退避位置P2，且藥液噴嘴13保持原狀持續被配置於退避位置P2。在此狀態下，控制裝置3係關閉流通閥22，且使藉由檢測器(液位感測器24)所為的漏液檢測有效。亦即，控制裝置3係監視是否有來自供給閥18的漏液檢測。
接著，執行預分配步驟(S2)。在開始預分配步驟(S2)之前，控制裝置3係開啟處於閉狀態的流通閥22。又，使藉由檢測器所為的漏液檢測無效。流通閥22之開狀態及藉 由檢測器所為的漏液檢測之無效係持續直至噴嘴退避步驟(S5)結束為止。亦即，控制裝置3在從預分配步驟(S2)至噴嘴退避步驟(S5)中不監視是否有來自供給閥18的漏液檢測。
當到達預分配步驟(S2)之執行時機時，控制裝置3就在藥液噴嘴13被配置於退避位置P2的狀態下開啟供給閥18。藉此，來自藥液供給源的藥液就會通過供給配管16而被供給至藥液噴嘴13，如圖4B所示，從藥液噴嘴13之吐出口13a吐出藥液。從藥液噴嘴13所吐出的藥液係在由待機容器20所接住之後流動於排液配管21。由於流通閥22處於開狀態，所以流動於排液配管21的藥液通過排液配管21而被導引至預定之處理設備。當經過預定之預分配期間時，控制裝置3關閉供給閥18。在供給閥18閉合之後，控制裝置3係驅動抽吸裝置17而抽吸預定量的供給配管16內部的藥液。如圖4C所示，藉由藥液之抽吸，供給配管16內部的藥液之前端面會後退。當藥液之前端面後退至後退位置P3時，控制裝置3停止抽吸裝置17之驅動。
在本實施形態中，由於在排液配管21進行來自供給閥18的漏液之檢測，所以在第二配管部分16b不進行來自供給閥的漏液之檢測。為此，只要在預分配步驟(S2)之後，使藥液之前端面後退至已設定於第四配管部分16d的後退位置P3即可。
之後，當藥液對基板W吐出之時機接近時，控制裝置3係執行噴嘴配置步驟(S3)。亦即，如圖4D所示，控制裝 置3係一邊維持供給閥18之閉狀態，一邊控制噴嘴移動單元15而將藥液噴嘴13從退避位置P2拉出至處理位置P1。
接著，執行藥液步驟(S4)。具體而言，在藥液噴嘴13已被配置於處理位置P1之後，控制裝置3係開啟供給閥18。藉此，來自藥液供給源的藥液通過供給配管16而供給至藥液噴嘴13，且如圖4D所示，從藥液噴嘴13之吐出口13a吐出藥液。從藥液噴嘴13所吐出的藥液係被供給至基板W。在供給閥18閉合後，控制裝置3係驅動抽吸裝置17而抽吸預定量的供給配管16內部的藥液。如圖4E所示，藉由藥液之抽吸，供給配管16內部的藥液之前端面會後退。當藥液之前端面後退至後退位置P3時，控制裝置3係停止抽吸裝置17的驅動。
在本實施形態中，由於在排液配管21進行來自供給閥18的漏液之檢測，所以在第二配管部分16b不進行來自供給閥的漏液之檢測。為此，只要在預分配步驟(S2)之後，使藥液之前端面後退至已設定於第四配管部分16d的後退位置P3即可。再者，後退位置P3亦可設定於第三配管部分16c，而非設定於第四配管部分16d。
接著，控制裝置3係執行噴嘴退避步驟(S5)。亦即，控制裝置3係一邊維持供給閥18之開狀態，一邊控制噴嘴移動單元15而將被配置於處理位置P1的藥液噴嘴13送回至退避位置P2。
當藥液噴嘴13配置於退避位置P2時，控制裝置3係關閉處於開狀態的流通閥22，且使藉由檢測器所為的漏液 檢測有效。亦即，控制裝置3係再次開始監視是否有來自供給閥18的漏液檢測(待機步驟(S1)之再次開始)。
在起因於供給閥18之故障等而從供給閥18有藥液之漏出的情況下，如圖4F所示，已從供給閥18漏出的藥液會從藥液噴嘴13被吐出且被供給至排液配管21。在本實施形態中，如圖4F所示，液位感測器24(參照圖4F)例如是具有一組發光元件24a及受光元件24b的穿透式位置感測器，用以檢測貯存於上游側區域23的藥液之高度是否已到達被設定於事先決定的檢測高度位置之光軸(藉由發光元件24a及受光元件24b所為的光軸)。位置感測器亦可為反射式之感測器，而非為穿透式。又，位置感測器亦可為直接檢測貯存於上游側區域23的藥液液面之高度的液面感測器。更且，液位感測器24係不限於位置感測器，亦可藉由靜電電容式之感測器所構成。由於流通閥22呈閉狀態，所以在從供給閥18有漏液的情況下，已從供給閥18漏出的藥液係貯存於上游側區域23。從而，藉由檢測藥液已貯存於上游側區域23之情形，就可以良好地檢測來自供給閥18的漏液。
圖5係用以說明漏液檢測之流程的流程圖。
控制裝置3係在待機步驟(S1)中監視是否有來自供給閥18的漏液檢測(T1)。在待機步驟(S1)中，當基於來自液位感測器24之檢測輸出而判斷貯存於上游側區域23的藥液液位已到達前述之檢測高度位置時(T1中的「是」)，控制裝置3就對基板處理裝置1之監視器(monitor)(未圖示) 警告顯示來自供給閥18的漏液之意旨(T2)。來自供給閥18的漏液之意旨的資訊亦可作為日誌(log)而記錄於控制裝置3之儲存單元(未圖示)。在此情況下，來自供給閥18的漏液之意旨警告亦可不顯示於監視器。
又，當控制裝置3判斷貯存於上游側區域23的藥液液位已到達前述之檢測高度位置時(T1中的「是」)，控制裝置3就開啟處於閉狀態的流通閥22(T3)。藉此，可以將貯存於上游側區域23的藥液通過比排液配管21中之流通閥22更下游側部分而排出至機外。
藉由以上，依據第一實施形態，在藥液噴嘴13配置於退避位置P2，且夾設於供給配管16的供給閥18被關閉的狀態下，夾設於排液配管21的流通閥22會關閉。藉此，就可以將供給至排液配管21的液體貯存於上游側區域23。在起因於供給閥18之故障等而從供給閥18有藥液之漏出的情況下，已從供給閥18漏出的藥液會從藥液噴嘴13吐出而被供給至排液配管21。由於流通閥22處於閉狀態，所以在有來自供給閥18之漏液的情況下，已從供給閥18漏出的藥液會貯存於上游側區域23。從而，藉由檢測已貯存於上游側區域23的藥液之液位，就可以良好地檢測來自供給閥18的漏液。
然後，由於使用已從藥液噴嘴13吐出的藥液來檢測來自供給閥18的藥液之漏出，所以不用使藥液之前端面大幅地後退至第二配管部分(鉛直部分)16b就可以檢測來自供給閥18的藥液之漏出。故而，可以一邊謀求處理的流通量 之縮短，一邊檢測來自供給閥18的藥液之漏出。
又，在預分配步驟(S2)之前，先將處於閉狀態的流通閥22呈開狀態。藉此，可以一邊將流通閥22維持於開狀態一邊進行預分配步驟(S2)，藉此，可以良好地進行預分配步驟(S2)。
又，若從其他觀點，則在配置步驟(S3)之前先將處於閉狀態的流通閥22呈開狀態。藉此，在有貯存於排液配管21之上游側區域23的藥液的情況下，可以將該藥液排放至上游側區域23外。為此，可以防止處理液在不進行漏液檢測的期間貯存於上游側區域23。故而，可以良好地進行下次的漏液檢測。
又，在藥液噴嘴13被配置於處理位置P1且供給閥18處於開狀態的情況下，亦即在藥液步驟(S4)中使漏液檢測有效，在預分配步驟(S2)中使漏液檢測無效。在使用位置感測器作為液位感測器24的情況下，當在預分配步驟(S2)中使漏液檢測有效時，就無法完全排除以下的可能性：將預分配步驟(S2)中之排液配管21中的藥液之流動，誤檢測為來自供給閥18之漏液。但是，在本實施形態中由於在預分配步驟(S2)之執行中使漏液檢測無效，所以可以確實地僅檢測出來自供給閥18的漏液。
又，由於本實施形態的漏液檢測係在將從供給閥18所漏出的處理液貯存之後才檢測，所以亦可以檢測出微小流量的漏液。在藉由流量計19所為的檢測中，雖然有無法檢測出微小流量之漏液的問題，但是可以良好地檢測出如 此的微小流量之漏液。又，在藉由流量計19所為的檢測中雖然會擔心藉由供給閥18之閉合時的發泡所致的空氣滲入之影響，但是在本實施形態的漏液檢測中沒有如此之疑慮。
圖6係顯示本發明之第二實施形態的基板處理裝置201之主要部分的示意圖。圖7係顯示以下狀態的時序圖：供給閥18之開閉狀態、藥液噴嘴13之位置狀態、流通閥之開閉狀態及液位感測器224之檢測輸出之有效/無效狀態。圖8係在待機步驟(圖7之S1)中從藥液噴嘴13有藥液之漏出的情況的示意圖。
在第二實施形態中，在與第一實施形態所示之各部對應的部分係附記與圖1至圖5之情況相同的參照符號來顯示，且省略說明。
第二實施形態的基板處理裝置201與第一實施形態的基板處理裝置1不同點在於：用以進行漏液檢測的檢測器(液位檢測器224)係檢測貯存於從上游側區域23所分支之分支區域(分支排液配管221)的處理液，而非檢測貯存於上游側區域23的處理液。以下，將具體說明。
在基板處理裝置201之處理單元202中，排液配管21之上游側區域23係包含沿著鉛直方向而延伸的鉛直部23a。在鉛直部23a之中途部係分支連接有分支排液配管221。分支排液配管221係從分支連接位置23b起依順序地包含第一配管部分221a、從第一配管部分221a之下游端朝向鉛直上方延伸的第二配管部分221b、從第二配管部分221b 之下游端水平地延伸的第三配管部分221c、以及從第三配管部分221c之下游端朝向下方延伸的第四配管部分221d。第四配管部分221d之前端係連接於預定之處理設備。
第一配管部分221a及第三配管部分221c係分別水平地延伸。第二配管部分221b係連接第一配管部分221a和第三配管部分221c。第二配管部分221b例如沿著鉛直方向而延伸。第四配管部分221d係連接第三配管部分221c和處理設備。第四配管部分221d例如朝向上下方向延伸。第一配管部分221a、第二配管部分221b、第三配管部分221c及第四配管部分221d係藉由連續狀的一根配管所構成。第二配管部分221b之內徑為小徑(例如約8mm)。由於第二配管部分221b係朝向上方而延伸，所以可以將已從排液配管21之分支連接位置23b流入至分支排液配管221的藥液貯存於第二配管部分221b。液位感測器224係檢測貯存於第二配管部分221b的藥液之高度。由於液位感測器224係與液位感測器24(參照圖4F)同等的構成，所以附記與圖4F之情況同等的參照符號且省略說明。來自液位感測器224之檢測輸出係輸入至控制裝置3。藉由流通閥22、檢測器(液位感測器224)及控制裝置3來構成檢測來自供給閥18之漏液的漏液檢測單元。
由於分支排液配管221係從排液配管21之上游側區域23(鉛直部23a)分支，所以在流通閥22被開啟的狀態下，流動於上游側區域23的藥液係未被導引至分支排液配管221，而是被導引至比排液配管21中的流通閥22更下游側 部分。
另一方面，在流通閥22之閉狀態下，當藥液供給至上游側區域23時，該藥液就會在上游側區域23溢出而藥液會流入至分支排液配管221，且在分支排液配管221之內部貯存。然後，貯存於第二配管部分221b的藥液之高度係藉由液位感測器224所檢測。
與藉由第一實施形態之處理單元2所執行的處理例同樣，在藉由處理單元202所執行的處理例中係執行待機步驟(圖7之S1)、預分配步驟(退避吐出步驟。圖7之S2)、噴嘴配置步驟(圖7之S3)及藥液步驟(圖7之S4)。
圖7係顯示從待機步驟(圖7之S1)經過藥液步驟(圖7之S4)並再次到達待機步驟(圖7之S1)的以下狀態的時序圖：供給閥18之開閉狀態、藥液噴嘴13之位置狀態、流通閥22之開閉狀態及液位感測器224之檢測輸出之有效/無效狀態。圖8係在待機步驟(圖7之S1)中從藥液噴嘴13有藥液之漏出的情況的示意圖。
在起因於供給閥18之故障等而從供給閥18有藥液之漏出的情況下，如圖8所示，已從供給閥18漏出的藥液會從藥液噴嘴13吐出，且供給至排液配管21。在待機步驟(圖7之S1)中，由於流通閥22呈閉狀態，所以在從供給閥18有漏液的情況下，已從供給閥18漏出的藥液會貯存於分支排液配管221之第二配管部分221b。從而，藉由檢測藥液已貯存於分支排液配管221之第二配管部分221b之情形，就可以良好地檢測來自供給閥18的漏液。
漏液檢測之流程係與第一實施形態的情況(參照圖5)同樣。亦即，控制裝置3係在待機步驟(圖7之S1)中監視是否有來自供給閥18之漏出檢測(圖5之T1)。在待機步驟(圖7之S1)中，當基於來自液位感測器224之檢測輸出而判斷貯存於分支排液配管221之第二配管部分221b的藥液液位已到達前述之檢測高度位置時(圖5之T1中的「是」)，控制裝置3就對基板處理裝置1之監視器(未圖示)警告顯示來自供給閥18的漏液之意旨(圖5之T2)。來自供給閥18的漏液意旨的資訊亦可作為日誌而記錄於控制裝置3之儲存單元(未圖示)。在此情況下，來自供給閥18的漏液意旨的警告亦可不顯示於監視器。
又，控制裝置3係當判斷貯存於分支排液配管221之第二配管部分221b的藥液液位已到達前述之檢測高度位置時(圖5之T1中的「是」)，控制裝置3係開啟處於閉狀態的流通閥22(圖5之T3)。藉此，可以將貯存於分支排液配管221的藥液通過比排液配管21中之流通閥22更下游側部分而排出至機外。
如圖7所示，與在處理單元2所執行的處理例不同，在處理單元202所執行的處理例中係遍及於處理的全部期間而使檢測器(液位感測器224)所為的漏液檢測有效。
藉由以上，依據第二實施形態，可以達成與第一實施形態相關連而所說明之作用功效同等的作用功效。
此外，在第二實施形態中，在流通閥22被開啟著的狀態下，流動於上游側區域23的藥液係未被導引至分支排液 配管221，而是僅在流通閥22被關閉著的狀態下藥液才會流入至分支排液配管221。為此，在藥液步驟(圖7之S3)中，沒有必要使藉由檢測器(液位感測器224)所為的漏液檢測無效。故而，與第一實施形態相較，不需要進行漏液檢測之有效/無效切換的複雜控制。
以上，雖然已針對本發明之二個實施形態加以說明，但是本發明亦可以用其他的形態來實施。
例如，在第二實施形態中，如圖9所示之第一變化例般，並非是將分支排液配管221之下游端連接於處理設備，而是亦可連接於比分支排液配管221中的流通閥22更下游側部分。具體而言，分支排液配管221亦可具備第五配管部分221e，該第五配管部分221e係連接第四配管部分221d之下游端和比分支排液配管221中的流通閥22更下游側部分。
又，在第二實施形態中，如圖10所示之第二變化例般，亦可將分支排液配管221之下游端連接於比上游側區域23中的分支連接位置23b更上游側之部分。具體而言，分支排液配管221亦可具備第六配管部分221f，該第六配管部分221f係連接第二配管部分221b之下游端(上端)和比上游側區域23中的分支連接位置23b更上游側之部分。
又，在第二實施形態中，如圖6、圖9及圖10之虛線所示，亦可如分支排液配管221般地分支連接除氣用的除氣配管231。在圖6、圖9及圖10之例中，除氣配管231係分支連接於第二配管部分221b之下游端(上端)。藉此， 由於貯存於分支排液配管221(特別是第二配管部分221b)的氣體變得容易脫離，所以可以將在上游側區域23所溢出的藥液良好地導引至分支排液配管221。
又，例如在第一實施形態中，雖然已說明當藥液噴嘴13配置於退避位置P2時，控制裝置3關閉處於開狀態的流通閥22，但是流通閥22之閉合亦可比藥液噴嘴13往退避位置P2之配置更慢上預定之延遲(delay)時間D1(參照圖3)。又，雖然已說明同步進行流通閥22之閉合和藉由檢測器所為的漏液檢測之有效化，但是藉由檢測器所為的漏液檢測之有效化亦可比流通閥22之閉合更慢上預定之延遲時間D2(參照圖3)。
又，在第一實施形態中，只要是在執行預分配步驟(S2)之後，流通閥22之閉合以及藉由檢測器所為的漏液檢測之有效的開始亦可在噴嘴退避步驟(S5)結束之前先進行。
又，在第一實施形態及第二實施形態中，雖然已說明將來自供給閥18的漏液之檢測在預分配用的排液配管21或從排液配管21分支的分支排液配管221中進行，但是漏液之檢測對象的配管(流通配管)亦可為已連接於處理杯體30所包含的杯體中之未在藥液步驟(S4)中使用的杯體的配管(例如排液配管)，該處理杯體30係用以承接從基板之周圍飛散之處理液。
又，在第一實施形態及第二實施形態中，漏液之檢測對象的配管(流通配管)亦可為排氣配管(未圖示)。
又，在第一實施形態及第二實施形態中，雖然是舉出 膜片式抽吸裝置之例作為抽吸裝置17來加以說明，但是亦可取而代之地採用虹吸式(syphon type)之抽吸裝置。
又，在第一實施形態及第二實施形態中，亦可僅在來自供給閥18的漏液之檢測量於事先決定之檢測期間內已到達預定之檢測量時，才檢測為「有來自供給閥18的漏液」。在此情況下，只要在事先決定之檢測期間內未到達預定之檢測量，就被檢測為「沒有漏液」。
又，在第一實施形態及第二實施形態中，雖然在前述之說明中已說明成為漏液檢測之對象的處理液為藥液，但是成為漏液檢測之對象的處理液亦可為沖洗液。
又，在第一實施形態及第二實施形態中，雖然已針對基板處理裝置1、201為處理圓板狀之基板W的裝置的情況加以說明，但是基板處理裝置1、201亦可為處理液晶顯示裝置用玻璃基板等之多角形的基板的裝置。
雖然已針對本發明之實施形態加以詳細說明，但是此等只不過是為了明白本發明之技術內容所用的具體例，本發明不應被解釋限定於此等的具體例，本發明之範圍係僅藉由所附的申請專利範圍所限定。
本申請案係分別對應於2017年2月27日在日本特許廳所提出的特願2017-035048號及2017年12月19日在日本特許廳所提出的特願2017-242942號，且此等申請案的全部揭示係藉由引用而編入於此。

Claims (20)

  1. 一種基板處理裝置，係包含：基板保持單元，係保持基板；處理液噴嘴，係用以吐出用以處理前述基板的處理液；供給配管，係對前述處理液噴嘴供給處理液；供給閥，係夾設於前述供給配管，用以開閉前述供給配管；流通配管，係供處理液流動，前述處理液為從前述處理液噴嘴所吐出後的處理液，且為未被供給至由前述基板保持單元所保持之基板的處理液；以及漏液檢測單元，用以檢測來自前述供給閥的處理液之漏出，並具有：流通閥，係夾設於前述流通配管而用以開閉前述流通配管；以及檢測器，用以檢測貯存於上游側區域之處理液或貯存於配管狀之分支區域之處理液，前述上游側區域係於前述流通配管中之比前述流通閥更上游側，前述配管狀之分支區域係從前述上游側區域分支且在比前述流通閥更上方中朝上下延伸；前述漏液檢測單元係在前述供給閥及前述流通閥之閉狀態下，基於貯存於前述上游側區域或前述分支區域的處理液來檢測來自前述供給閥之漏液。
  2. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中更包含：噴嘴移動單元，係使前述處理液噴嘴在處理位置與退避位置之間移動，前述處理位置係位於由前述基板保持單元所保持的基板之上方的位置，前述退避位置係從由前述基板保持單元所保持的基板之上方退避至側方的位置；前述流通配管係包含退避流通配管，前述退避流通配管係供從配置於前述退避位置的前述處理液噴嘴所吐出的處理液流動。
  3. 如請求項2所記載之基板處理裝置，其中設置有容器，前述容器係接住從配置於前述退避位置的前述處理液噴嘴所吐出的處理液；前述退避流通配管係包含排液配管，前述排液配管係連接於前述容器，且為了排液而供由前述容器所接住的處理液流動。
  4. 如請求項2或3所記載之基板處理裝置，其中前述漏液檢測單元係執行在前述處理液噴嘴配置於前述退避位置的狀態下關閉前述流通閥的閥閉合步驟。
  5. 如請求項2或3所記載之基板處理裝置，其中前述噴嘴移動單元係執行使配置於前述退避位置的前述處理液噴嘴從前述退避位置移動至其他的位置的移動步驟；前述漏液檢測單元係在前述移動步驟之前，先執行用以將處於閉狀態的前述流通閥開啟的第一閥開啟步驟。
  6. 如請求項2或3所記載之基板處理裝置，其中前述漏液檢測單元係在退避吐出步驟之前，先執行用以將處於閉狀態的前述流通閥開啟的第二閥開啟步驟，前述退避吐出步驟係在前述處理液噴嘴配置於前述退避位置的狀態下將前述供給閥開啟。
  7. 如請求項1至3中任一項所記載之基板處理裝置，其中前述漏液檢測單元係在已檢測出來自前述供給閥之漏液的情況下，更進一步執行將處於閉狀態的前述流通閥開啟的第三閥開啟步驟。
  8. 如請求項2或3所記載之基板處理裝置，其中前述檢測器係檢測貯存於前述上游側區域的處理液；前述漏液檢測單元係在前述處理液噴嘴配置於前述處理位置且前述供給閥處於開啟之狀態的情況下，使藉由前述漏液檢測單元所為的漏液檢測有效，而在除此以外的預定之情況下，使藉由前述漏液檢測單元所為的漏液檢測無效。
  9. 如請求項8所記載之基板處理裝置，其中前述漏液檢測單元係在退避吐出步驟的執行中，使藉由前述漏液檢測單元所為的漏液檢測無效，前述退避吐出步驟係在前述處理液噴嘴配置於前述退避位置的狀態下將前述供給閥開啟。
  10. 如請求項1至3中任一項所記載之基板處理裝置，其中漏液檢測單元係進行如下作業：來自前述供給閥的漏液在事先決定的檢測期間內被檢測出事先決定的檢測量之處理液的情況下，檢測出有來自前述供給閥的漏液；在前述流通閥被關閉之後在前述檢測期間內未被檢測出前述檢測量之處理液的情況下，檢測出沒有來自前述供給閥的漏液。
  11. 如請求項1至3中任一項所記載之基板處理裝置，其中前述檢測器係包含用以檢測貯存於前述上游側區域或前述分支區域的處理液之液位是否已到達預定高度的液位感測器。
  12. 如請求項1至3中任一項所記載之基板處理裝置，其中前述供給配管係包含：第一配管部分，係夾設有前述供給閥；第二配管部分，係從前述第一配管部分之下游端朝向上方延伸；第三配管部分，係從前述第二配管部分之下游端水平地延伸；以及第四配管部分，係連接前述第三配管部分和前述處理液噴嘴；前述基板處理裝置係更包含：抽吸裝置，係在處理液從前述處理液噴嘴吐出之後，抽吸前述供給配管內的處理液而將前述處理液之前端面抽吸至已設定於前述第三配管部分或前述第四配管部分的預定之後退位置為止。
  13. 一種基板處理方法，係在基板處理裝置中執行，前述基板處理裝置係包含供給配管、供給閥、流通配管及流通閥，前述供給配管係對處理液噴嘴供給處理液，前述供給閥係夾設於前述供給配管且用以開閉前述供給配管，前述流通配管係供從前述處理液噴嘴所吐出且未被供給至前述基板的處理液流動，前述流通閥係夾設於前述流通配管而用以開閉前述流通配管；前述基板處理方法係包含：閥閉合步驟，係在前述供給閥處於閉狀態的狀態下，關閉前述流通閥；以及漏液檢測步驟，係在前述供給閥之閉狀態且前述流通閥之閉狀態下，基於貯存於上游側區域的處理液或貯存於配管狀之分支區域的處理液來檢測來自前述供給閥的處理液之漏出，前述上游側區域係於前述流通配管中之比前述流通閥更上游側，前述配管狀之分支區域係從前述上游側區域分支且在比前述流通閥更上方中朝上下延伸。
  14. 如請求項13所記載之基板處理方法，其中前述流通配管係包含供從前述處理液噴嘴所吐出的處理液流動的退避流通配管，前述處理液噴嘴係配置於從前述基板之上方退避至側方的退避位置；前述基板處理方法係更包含：退避位置配置步驟，係使前述處理液噴嘴在前述閥閉合步驟之前先配置於前述退避位置。
  15. 如請求項14所記載之基板處理方法，其中更包含：移動步驟，係使配置於前述退避位置的前述處理液噴嘴從前述退避位置移動至其他的位置；以及第一閥開啟步驟，係在前述移動步驟之前先將處於閉狀態的前述流通閥開啟。
  16. 如請求項14或15所記載之基板處理方法，其中更包含：退避吐出步驟，係在前述處理液噴嘴配置於前述退避位置的狀態下開啟前述供給閥，藉此為了預分配而從前述處理液噴嘴吐出處理液；以及第二閥開啟步驟，係在前述退避吐出步驟之前先將處於閉狀態的前述流通閥開啟。
  17. 如請求項13至15中任一項所記載之基板處理方法，其中更包含：第三閥開啟步驟，係在前述漏液檢測步驟已檢測出來自前述供給閥之漏液的情況下，將處於閉狀態的前述流通閥開啟。
  18. 如請求項13至15中任一項所記載之基板處理方法，其中前述漏液檢測步驟係包含檢測無效步驟，前述檢測無效步驟係在前述處理液噴嘴配置於前述處理位置且前述供給閥處於開啟之狀態的情況下，使前述漏液檢測步驟中的漏液檢測有效，而在除此以外的預定之情況下，使前述漏液檢測步驟中的漏液檢測無效。
  19. 如請求項18所記載之基板處理方法，其中前述檢測無效步驟係在前述處理液噴嘴配置於前述處理位置且前述供給閥開啟的情況下，使前述漏液檢測步驟中的漏液檢測無效。
  20. 如請求項13至15中任一項所記載之基板處理方法，其中前述漏液檢測步驟係包含以下步驟：來自前述供給閥的漏液在事先決定的檢測期間內被檢測出事先決定的檢測量之處理液的情況下，檢測出有來自前述供給閥的漏液，且在前述流通閥被關閉之後在前述檢測期間內未被檢測出前述檢測量之處理液的情況下，檢測出沒有來自前述供給閥的漏液。
TW107102925A 2017-02-27 2018-01-26 基板處理裝置以及基板處理方法 TWI661871B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017-035048 2017-02-27
JP2017035048 2017-02-27
JP2017-242942 2017-12-19
JP2017242942A JP6975630B2 (ja) 2017-02-27 2017-12-19 基板処理装置および基板処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201834754A TW201834754A (zh) 2018-10-01
TWI661871B true TWI661871B (zh) 2019-06-11

Family

ID=63528274

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107102925A TWI661871B (zh) 2017-02-27 2018-01-26 基板處理裝置以及基板處理方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6975630B2 (zh)
KR (1) KR102226378B1 (zh)
CN (1) CN110235226B (zh)
TW (1) TWI661871B (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110534452B (zh) * 2018-11-08 2022-06-14 北京北方华创微电子装备有限公司 用于清洗工艺腔室的漏液监控装置及清洗工艺腔室
JP7364460B2 (ja) 2019-12-25 2023-10-18 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
TWI762072B (zh) * 2020-12-08 2022-04-21 力晶積成電子製造股份有限公司 晶圓清洗機台
DE102021100754A1 (de) * 2021-01-15 2022-07-21 Marco Systemanalyse Und Entwicklung Gmbh Dosierventil

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009158597A (ja) * 2007-12-25 2009-07-16 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
TWI404572B (zh) * 2007-02-13 2013-08-11 Musashi Engineering Inc A liquid leakage detecting means and a liquid material applying means provided with the mechanism
JP2017034120A (ja) * 2015-08-03 2017-02-09 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP2017034188A (ja) * 2015-08-05 2017-02-09 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および処理液吐出方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2010521C3 (de) 1969-03-11 1974-05-09 Snam Progetti S.P.A., Mailand (Italien) Vorrichtung zur gleichzeitigen und quantitativen Bestimmung der Detonation und Frühzündung
JPH0770507B2 (ja) * 1989-07-05 1995-07-31 三菱電機株式会社 半導体ウエハ用洗浄装置
JP3577580B2 (ja) * 1998-03-17 2004-10-13 東京エレクトロン株式会社 空気駆動式液体供給装置
JP3730079B2 (ja) * 2000-03-21 2005-12-21 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
CN101436002B (zh) * 2003-07-28 2011-07-27 株式会社尼康 曝光装置、器件制造方法、及曝光装置的控制方法
JP2006156672A (ja) * 2004-11-29 2006-06-15 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
KR20100046784A (ko) * 2008-10-28 2010-05-07 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
CN103295938B (zh) * 2013-05-29 2017-10-10 上海华虹宏力半导体制造有限公司 半导体处理设备
JP6059087B2 (ja) * 2013-05-31 2017-01-11 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法および記憶媒体
CN105914167B (zh) * 2015-02-25 2018-09-04 株式会社思可林集团 基板处理装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI404572B (zh) * 2007-02-13 2013-08-11 Musashi Engineering Inc A liquid leakage detecting means and a liquid material applying means provided with the mechanism
JP2009158597A (ja) * 2007-12-25 2009-07-16 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2017034120A (ja) * 2015-08-03 2017-02-09 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP2017034188A (ja) * 2015-08-05 2017-02-09 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および処理液吐出方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR102226378B1 (ko) 2021-03-10
CN110235226B (zh) 2022-12-23
KR20190100368A (ko) 2019-08-28
JP6975630B2 (ja) 2021-12-01
JP2018142694A (ja) 2018-09-13
CN110235226A (zh) 2019-09-13
TW201834754A (zh) 2018-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI661871B (zh) 基板處理裝置以及基板處理方法
JP5030767B2 (ja) 基板処理装置、および基板処理装置の異常処理方法
TWI571952B (zh) Substrate processing device
TWI671138B (zh) 基板處理裝置及處理罩洗淨方法
TWI441246B (zh) 基板處理裝置
TWI670765B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
JP5891065B2 (ja) 基板処理装置および処理液吸引方法
JP6624599B2 (ja) 基板処理装置および処理液吐出方法
KR102192767B1 (ko) 기판 처리 장치
JP6667241B2 (ja) 処理液供給装置、基板処理システムおよび処理液供給方法
TW201138981A (en) Chemical liquid supply nozzle and chemical liquid supply method
JP6553353B2 (ja) 基板処理方法及びその装置
KR102302022B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
TW201936272A (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
WO2018155054A1 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR102223972B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
TW200929342A (en) Substrate treatment method and substrate treatment apparatus
JP5308211B2 (ja) 基板処理装置
JP5194044B2 (ja) 処理液供給装置および処理液供給方法
JP6148363B2 (ja) 処理液供給方法
JP2022185240A (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
JP2005109166A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
TW201940885A (zh) 基板處理裝置用之皮托管式流量計、基板處理裝置及基板處理方法
JP2017224810A (ja) 基板処理装置
JP2017208404A (ja) 基板処理装置および基板処理装置の洗浄方法