CN110235226B - 基板处理装置以及基板处理方法 - Google Patents
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- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 267
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 165
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 21
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 434
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims abstract description 77
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 130
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 22
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 161
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 88
- 208000028659 discharge Diseases 0.000 description 20
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 16
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 2
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 2
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000010200 validation analysis Methods 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 230000002421 anti-septic effect Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000013043 chemical agent Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 description 1
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 1
- JEGUKCSWCFPDGT-UHFFFAOYSA-N h2o hydrate Chemical compound O.O JEGUKCSWCFPDGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKAGJZJALZXOOV-UHFFFAOYSA-N hydrate;hydrochloride Chemical compound O.Cl DKAGJZJALZXOOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrate Chemical compound O.OO QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000007530 organic bases Chemical class 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
- H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
- H01L21/02307—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a liquid
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
- H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
- H01L21/02343—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to a liquid
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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Abstract
基板处理装置包括:保持基板的基板保持单元;用于喷出用于处理上述基板的处理液的处理液喷嘴;向上述处理液喷嘴供给处理液的供给配管;夹装于上述供给配管并开闭该供给配管的供给阀;供处理液流通的流通配管,该处理液从上述处理液喷嘴喷出而不向上述基板保持单元所保持的基板供给的处理液;以及漏液检测单元,其是用于检测处理液从上述供给阀的漏出的漏液检测单元,具有流通阀和检测器,该流通阀夹装于上述流通配管并开闭该流通配管,该检测器用于检测积存在上述流通配管中比上述流通阀靠上游侧的上游侧区域内的处理液、或者积存在从上述上游侧区域分支并能预先积存上述处理液的分支区域的处理液,在上述供给阀及上述流通阀的关闭状态下,基于积存在上述上游侧区域或上述分支区域的处理液来检测来自上述供给阀的漏液。
Description
技术领域
本发明涉及基板处理装置以及基板处理方法。成为处理对象的基板例如包括半导体晶圆、液晶显示装置用基板、等离子显示器用基板、FED(Field Emission Display)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太阳能电池用基板等。
背景技术
在半导体装置、液晶显示装置的制造工序中,使用对半导体晶圆、液晶显示面板用玻璃基板等基板实施使用了处理液的处理的基板处理装置。这样的基板处理装置包括:旋转卡盘,其大致水平地保持基板并使之旋转;喷嘴,其用于向保持于该旋转卡盘的基板喷出处理液;处理液配管,其向喷嘴供给处理液;以及处理液阀,其夹装于处理液配管的中途部。
下述专利文献1中公开了一种检测处理液阀的泄漏故障的基板处理装置。该基板处理装置包括:处理液抽吸管,其在处理液配管内从设定于比处理液阀靠下游侧的铅直部分的分支位置分支;抽吸装置,其与处理液抽吸管的前端连接;以及液面传感器,其配置于铅直部分中比分支位置稍靠上游侧的位置。在从喷嘴喷出处理液的喷出动作的结束后,抽吸装置抽吸处理液,并使处理液的前端面后退至分支位置。由液面传感器对铅直部分中的处理液的液面高度进行监视,当液面高度达到预定高度后,基板处理装置对处理液阀的泄漏故障进行判定。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利第5030767号公报
发明内容
发明所要解决的课题
在专利文献1的技术的情况下,每当从喷嘴喷出处理液的喷出动作结束时,都需要由抽吸装置抽吸处理液,并使处理液的前端面后退至分支位置。由于需要使处理液的前端面大幅度地后退,所以处理液的抽吸需要时间。即,通过进行这样的抽吸,有吞吐量恶化的担忧。因此,需求使用其它方法来检测处理液从供给阀(处理液阀)的漏出。
因此,本发明的目的之一在于提供能够不使吞吐量恶化地检测处理液从供给阀的漏出的基板处理装置以及基板处理方法。
用于解决课题的方案
本发明的一个实施方式提供一种基板处理装置,包括:基板保持单元,其保持基板;处理液喷嘴,其用于喷出用于处理上述基板的处理液;供给配管,其向上述处理液喷嘴供给处理液;供给阀,其夹装于上述供给配管,并开闭该供给配管;流通配管,其供处理液流动,该处理液从上述处理液喷嘴喷出而不向上述基板保持单元所保持的基板供给;以及漏液检测单元,其是用于检测处理液从上述供给阀的漏出的漏液检测单元,具有流通阀和检测器,其中,上述流通阀夹装于上述流通配管并开闭该流通配管,上述检测器用于检测积存在上述流通配管中比上述流通阀靠上游侧的上游侧区域的处理液、或者积存在分支区域的处理液,该分支区域是从上述上游侧区域分支并能够预先积存上述处理液的分支区域,且设于比上述流通阀靠上游侧,上述漏液检测单元在上述供给阀及上述流通阀的关闭状态下,基于积存在上述上游侧区域或者上述分支区域的处理液,来检测来自上述供给阀的漏液。
根据该结构,在夹装于供给配管的供给阀关闭的状态下,夹装于流通配管的流通阀关闭。通过流通阀的闭合,能够使供给至流通配管的液体积存在上游侧区域或者分支区域内。在因供给阀的故障等而有处理液从供给阀漏出的情况下,从供给阀漏出的处理液从处理液喷嘴喷出并向流通配管供给。由于流通阀处于关闭状态,所以在有来自供给阀的漏液的情况下,从供给阀漏出的处理液积存在上游侧区域或者分支区域内。因此,通过对积存在上游侧区域或者分支区域内的处理液进行检测,能够良好地检测来自供给阀的漏液。
由于使用从处理液喷嘴喷出的处理液来检测处理液从供给阀的漏出,所以不使处理液的前端面大幅度地后退,就能够检测处理液从供给阀的漏出。故而,能够实现吞吐量的缩短并检测处理液从供给阀的漏出。
在本发明的一个实施方式中,还包括喷嘴移动单元,该喷嘴移动单元使上述处理液喷嘴在处理位置与退避位置之间移动,其中,上述处理位置是位于上述基板保持单元所保持的基板的上方的位置,上述退避位置是从上述基板保持单元所保持的基板的上方退避至侧方的位置。并且,上述流通配管包括退避流通配管,该退避流通配管供从配置于上述退避位置的上述处理液喷嘴喷出的处理液流动。
根据该结构,使用退避流通配管来进行来自供给阀的漏液检测。由于使用在基板处理时不流入被供给至基板的处理液的退避流通配管来进行来自供给阀的漏液检测,所以能够高精度地进行来自供给阀的漏液检测。
在本发明的一个实施方式中,上述基板处理装置还包括容器,该容器承接从配置于上述退避位置的上述处理液喷嘴喷出的处理液。并且,上述退避流通配管包括排液配管,该排液配管与上述容器连接,为了排液而供上述容器所承接的处理液流动。
在不对基板实施使用了处理液的处理的非处理时,处理液喷嘴配置于退避位置。
根据该结构,在处理液喷嘴配置于退避位置的状态下从处理液喷嘴喷出的处理液由容器承接,之后向排液配管供给。由此,能够在非处理时进行来自供给阀的漏液检测。
在本发明的一个实施方式中,上述漏液检测单元执行在上述处理液喷嘴配置于上述退避位置的状态下关闭上述流通阀的闭阀工序。
根据该结构,在处理液喷嘴配置于退避位置的状态下,关闭流通阀。由此,在有来自供给阀的漏液的情况下,能够使从供给阀漏出的处理液积存在退避流通配管的上游侧区域或者分支区域内。而且,通过对积存在上游侧区域或者分支区域内的处理液进行检测,能够在退避流通配管内良好地检测来自供给阀的漏液。
在本发明的一个实施方式中,上述喷嘴移动单元执行使配置于上述退避位置的上述处理液喷嘴从该退避位置移动至其它位置的移动工序。并且,在上述移动工序之前,上述漏液检测单元执行使处于关闭状态的上述流通阀打开的第一开阀工序。
根据该结构,在从退避位置移动至其它位置的移动工序之前,使处于关闭状态的流通阀成为打开状态。由此,在有积存在退避流通配管的上游侧区域或者分支区域内的处理液的情况下,能够使该处理液向上游侧区域外或者分支区域外释放。因此,在不进行漏液检测的期间内,能够防止在上游侧区域或者分支区域内积存处理液。故而,能够良好地进行下一次的漏液检测。
在本发明的一个实施方式中,当在上述处理液喷嘴配置于上述退避位置的状态下打开上述供给阀的退避喷出工序之前,上述漏液检测单元执行使处于关闭状态的上述流通阀打开的第二开阀工序。
根据该结构,在退避喷出工序之前,使处于关闭状态的流通阀成为打开状态。因此,能够一边使流通阀维持打开状态一边进行退避喷出工序,由此能够良好地进行退避喷出工序。
在本发明的一个实施方式中,在从上述供给阀检测到漏液的情况下,上述漏液检测单元还执行使处于关闭状态的上述流通阀打开的第三开阀工序。
根据该结构,在从供给阀检测到漏液的情况下,通过使处于关闭状态的流通阀打开,能够使积存在流通配管的上游侧区域或者分支区域的处理液向上游侧区域外释放。
在本发明的一个实施方式中,上述检测器对积存在上述上游侧区域内的处理液进行检测。并且,在上述处理液喷嘴配置于上述处理位置而且上述供给阀处于打开状态的情况下,上述漏液检测单元将由该漏液检测单元进行的漏液检测设为有效,并在除此以外的预定情况下,将由该漏液检测单元进行的漏液检测设为无效。
根据该结构,在处理液喷嘴配置于处理位置而且供给阀处于关闭状态的情况下,即在向基板供给处理液的过程中,使漏液检测单元的漏液检测变得有效。由此,能够在非处理时进行来自供给阀的漏液检测。
在本发明的一个实施方式中,上述漏液检测单元在上述处理液喷嘴配置于上述退避位置的状态下打开上述供给阀的退避喷出工序的执行过程中,使该漏液检测单元的漏液检测变得无效。
根据该结构,在退避喷出工序的执行过程中,使漏液检测变得无效。在退避喷出工序的执行过程中,处理液在退避流通配管内流通。根据检测器的种类不同,有将退避喷出工序的执行过程中的处理液在退避流通配管内的流通误检测为来自供给阀的漏液的担忧。但是,根据该结构,由于在退避喷出工序的执行过程中使漏液检测变得无效,所以能够可靠地仅检测来自供给阀的漏液。
并且,也可以构成为,对于来自上述供给阀的漏液而言,当在预先决定的检测期间内检测到预先决定的检测量的处理液的情况下,漏液检测单元检测为有来自上述供给阀的漏液,并且当从上述流通阀关闭起在上述检测期间内未检测到上述检测量的处理液的情况下,漏液检测单元检测为没有来自上述供给阀的漏液。
在本发明的一个实施方式中,上述检测器包括液位传感器,该液位传感器检测积存在上述上游侧区域或者上述分支区域的处理液的液位是否达到预定高度。
根据该结构,能够利用比较简单的结构的液位传感器来对积存在上游侧区域或者分支区域内的处理液进行检测。因此,与直接检测从处理液喷嘴流下的处理液的情况相比,能够廉价地进行来自供给喷嘴的漏液检测。
在本发明的一个实施方式中,上述供给配管包括:第一配管部分,其夹装有上述供给阀;第二配管部分,其从上述第一配管部分的下游端向上方延伸;第三配管部分,其从上述第二配管部分的下游端水平地延伸;以及第四配管部分,其连接上述第三配管部分和上述处理液喷嘴。并且,还包括抽吸装置,在从上述处理液喷嘴喷出处理液后,上述抽吸装置抽吸上述供给配管内的处理液,并抽吸至使该处理液的前端面处于对上述第三配管部分或者第四配管部分所设定的预定的后退位置。
根据该结构,由于在流通配管内进行来自供给阀的漏液检测,所以不需要在第二配管部分内进行来自供给阀的漏液检测。因此,在从处理液喷嘴喷出处理液后,使处理液的前端面后退至设定于第三配管部分或者第四配管部分的后退位置即可。因此,不使处理液的前端面大幅度地后退,就能够检测处理液从供给阀的漏出。故而,能够不使吞吐量恶化地检测处理液从供给阀的漏出。
本发明的一个实施方式提供一种基板处理方法,是在基板处理装置中执行的基板处理方法,上述基板处理装置包括:供给配管,其向处理液喷嘴供给处理液;供给阀,其夹装于上述供给配管并开闭该供给配管;流通配管,其供处理液流动,该处理液从上述处理液喷嘴喷出而不向上述基板供给;以及流通阀,其夹装于上述流通配管并开闭该流通配管,上述基板处理方法的特征在于,包括以下各工序:闭阀工序,在该工序中,在上述供给阀处于关闭状态的状态下关闭上述流通阀;以及漏液检测工序,在该工序中,在上述供给阀的关闭状态而且上述流通阀的关闭状态下,基于积存在上述流通配管中比上述流通阀靠上游侧的上游侧区域的处理液、或者积存在分支区域的处理液,来检测处理液从上述供给阀的漏出,该分支区域是从上述上游侧区域分支并能够预先积存上述处理液的分支区域,且设于比上述流通阀靠上游侧。
根据该方法,在夹装于供给配管的供给阀关闭的状态下,夹装于流通配管的流通阀关闭。通过流通阀的闭合,能够使供给至流通配管的液体积存在上游侧区域或者分支区域内。在因供给阀的故障等而有处理液从供给阀漏出的情况下,从供给阀漏出的处理液从处理液喷嘴喷出并向流通配管供给。由于流通阀处于关闭状态,所以在有来自供给阀的漏液的情况下,从供给阀漏出的处理液积存在上游侧区域或者分支区域内。因此,通过对积存在上游侧区域或者分支区域内的处理液进行检测,能够良好地检测来自供给阀的漏液。
由于使用从处理液喷嘴喷出的处理液来检测处理液从供给阀的漏出,所以不使处理液的前端面大幅度地后退,就能够检测处理液从供给阀的漏出。故而,能够实现吞吐量的缩短并检测处理液从供给阀的漏出。
在本发明的一个实施方式中,根据方案13所记载的基板处理方法,上述流通配管包括退避流通配管,该退避流通配管供从配置于退避位置的上述处理液喷嘴喷出的处理液流动,其中,上述退避位置是从上述基板的上方退避至侧方的位置,上述基板处理方法还包括在上述闭阀工序之前将上述处理液喷嘴配置于上述退避位置的退避位置配置工序。
根据该方法,在闭阀工序之前,处理液喷嘴配置于退避位置。因此,在供给阀关闭而且处理液喷嘴配置于退避位置的状态下,流通阀关闭。由此,在有来自供给阀的漏液的情况下,能够使从供给阀漏出的处理液积存在退避流通配管的上游侧区域或者分支区域内。而且,通过对积存在上游侧区域或者分支区域内的处理液进行检测,能够在退避流通配管内良好地检测来自供给阀的漏液。
在本发明的一个实施方式中,上述基板处理方法还包括以下各工序:移动工序,在该工序中,使配置于上述退避位置的上述处理液喷嘴从该退避位置移动至其它位置;以及第一开阀工序,在上述移动工序之前,使处于关闭状态的上述流通阀打开。
根据该方法,在从退避位置移动至其它位置的移动工序之前,使处于关闭状态的流通阀成为打开状态。由此,在有积存在退避流通配管的上游侧区域或者分支区域内的处理液的情况下,能够使该处理液向上游侧区域外或者分支区域外释放。因此,在不进行漏液检测的期间内,能够防止在上游侧区域或者分支区域内积存处理液。故而,能够良好地进行下一次的漏液检测。
在本发明的一个实施方式中,上述基板处理方法还包括退避喷出工序,在该工序中,在上述处理液喷嘴配置于上述退避位置的状态下打开上述供给阀,由此为了进行预分配而从上述处理液喷嘴喷出处理液,还包括第二开阀工序,在上述退避喷出工序之前,使处于关闭状态的上述流通阀打开。
根据该方法,在退避喷出工序之前,使处于关闭状态的流通阀成为打开状态。因此,能够一边使流通阀维持打开状态一边进行退避喷出工序,由此能够良好地进行退避喷出工序。
在本发明的一个实施方式中,上述基板处理方法还包括第三开阀工序,当在上述漏液检测工序中检测到来自上述供给阀的漏液的情况下,使处于关闭状态的上述流通阀打开。
根据该结构,在从供给阀检测到漏液的情况下,通过使处于关闭状态的流通阀打开,能够使积存在流通配管的上游侧区域或者分支区域内的处理液向上游侧区域外释放。
在本发明的一个实施方式中,上述漏液检测工序包括以下检测无效工序:在上述处理液喷嘴配置于上述处理位置而且上述供给阀处于打开状态的情况下,将该漏液检测工序中的漏液检测设为有效,并在除此以外的预定情况下,将该漏液检测工序中的漏液检测设为无效。
根据该方法,在处理液喷嘴配置于处理位置而且供给阀处于关闭状态的情况下,即在非处理时,将漏液检测单元的漏液检测设为有效。由此,能够在非处理时进行来自供给阀的漏液检测。
在本发明的一个实施方式中,在上述检测无效工序中,在上述处理液喷嘴配置于上述处理位置而且上述供给阀打开的情况下,将上述漏液检测工序中的漏液检测设为无效。
根据该方法,在退避喷出工序的执行过程中,将漏液检测设为无效。在退避喷出工序的执行过程中,处理液在退避流通配管内流通。根据在漏液检测工序中使用的检测器的种类不同,有将退避喷出工序的执行过程中的处理液在退避流通配管内的流通误检测为来自供给阀的漏液的担忧。但是,根据该方法,由于在退避喷出工序的执行过程中使漏液检测变得无效,所以能够可靠地仅检测来自供给阀的漏液。
并且,上述漏液检测工序也可以包括以下工序:对于来自上述供给阀的漏液而言,当在预先决定的检测期间内检测到预先决定的检测量的处理液的情况下,检测为有来自上述供给阀的漏液,而且当从上述流通阀关闭起在上述检测期间内未检测到上述检测量的处理液的情况下,检测为没有来自上述供给阀的漏液。
通过以下参照附图说明的实施方式的说明,本发明的上述或者其它目的、特征以及效果会变得清楚。
附图说明
图1是在水平方向上观察本发明的一个实施方式的基板处理装置的示意图。
图2是用于说明上述基板处理装置的主要部分的电结构的框图。
图3是示出供给阀的开闭状态、处理液喷嘴的位置状态、流通阀的开闭状态、以及液位传感器的检测输出的有效/无效状态的时序图。
图4A是用于说明待机工序(图3的S1)的示意图。图4B是用于说明预分配工序(图3的S2)的示意图。
图4C是用于说明预分配工序后的药液抽吸的示意图。图4D是用于说明喷嘴配置工序(图3的S3)及药液工序(图3的S4)的示意图。
图4E是用于说明药液工序后的药液抽吸的示意图。图4F是在待机工序(图3的S1)中有药液从处理液喷嘴漏出的情况的示意图。
图5是用于说明漏液检测的流程的流程图。
图6是示出本发明的第二实施方式的基板处理装置的主要部分的图。
图7是示出本发明的第二实施方式的供给阀的开闭状态、药液喷嘴的位置状态、流通阀的开闭状态、以及液位传感器的检测输出的有效/无效状态的时序图。
图8是在待机工序(图7的S1)中有药液从药液喷嘴漏出的情况的示意图。
图9是用于说明本发明的第二实施方式的第一变形例的图。
图10是用于说明本发明的第二实施方式的第二变形例的图。
具体实施方式
图1是在水平方向上观察本发明的第一实施方式的基板处理装置1的图。基板处理装置1是指逐片处理半导体晶圆等圆板状的基板W的单张处理式装置。基板处理装置1包括:处理单元2,其使用处理液(药液及冲洗液)来处理基板W;搬运机器人(未图示),其相对于处理单元2搬出、搬入基板W;以及控制装置3,其控制基板处理装置1所具备的装置、阀的开闭。
处理单元2包括:箱形的处理室4;旋转卡盘(基板保持单元)5,其在处理室4内一边水平地保持基板W一边使基板W绕在基板W的中央部通过的铅直的旋转轴线A1旋转;以及一个或多个处理液喷嘴,其朝向旋转卡盘5所保持的基板W喷出处理液。
旋转卡盘5包括:圆板状的旋转基座6,其以水平的姿势被保持;多个夹持销7,其将基板W以水平的姿势保持在旋转基座6的上方;旋转轴8,其从旋转基座6的中央部向下方延伸;以及旋转马达9,其通过使旋转轴8旋转来使基板W及旋转基座6绕旋转轴线A1旋转。旋转卡盘5不限定于使多个夹持销7与基板W的周端面接触的夹持式卡盘,也可以是真空吸附式卡盘,即通过使作为非元件形成面的基板W的背面(下表面)吸附在旋转基座6的上表面来水平地保持基板W。
处理单元2包括:冲洗液喷嘴10,其朝向旋转卡盘5所保持的基板W的上表面地向下方喷出冲洗液;冲洗液配管11,其将来自冲洗液供给源的冲洗液引导至冲洗液喷嘴10;以及冲洗液阀12,其开闭冲洗液配管11的内部。冲洗液例如是纯水(去离子水:Deionizedwater)。冲洗液不限定于纯水,也可以是碳酸水、电解离子水、氢水、臭氧水、以及稀释浓度(例如为10~100ppm左右)的盐酸水中任一种。也可以具备水喷嘴移动装置,该水喷嘴移动装置通过使冲洗液喷嘴10移动来使水相对于基板W的上表面的着液位置在基板W的面内进行扫描。
处理单元2包括:药液喷嘴(处理液喷嘴)13,其朝向旋转卡盘5所保持的基板W的上表面喷出药液(处理液);喷嘴臂14,在其前端部安装有药液喷嘴13;以及喷嘴移动单元15,其使喷嘴臂14绕预定的摆动轴(未图示)摆动来使药液喷嘴13移动。药液喷嘴13在使其喷出口13a例如朝向下方的状态下安装于沿水平方向延伸的喷嘴臂14。喷嘴移动单元15使药液喷嘴13在设定于基板W的上方的处理位置P1(图1中实线所示的位置)与退避至旋转卡盘5的侧方的退避位置P2(图1中虚线所示的位置)之间(水平地)移动。
处理单元2还包括供给配管16,该供给配管16将来自药液供给源(未图示)的药液引导至药液喷嘴13。在供给配管16,从药液喷嘴13侧起依次夹装有开闭供给配管16的供给阀18、以及用于对流通于供给配管16的药液的流量进行测量的流量计19。供给配管16从药液供给源侧起依次包括夹装有供给阀18的第一配管部分16a、从第一配管部分16a的下游端向上方延伸的第二配管部分16b、从第二配管部分16b的下游端起水平地延伸的第三配管部分16c、以及从第三配管部分16c的下游端向下方延伸并与药液喷嘴13连接的第四配管部分16d。供给阀18夹装于第一配管部分16a的中途部。
第一配管部分16a及第三配管部分16c分别水平地延伸。第三配管部分16c配置于在上下方向上比第一配管部分16a高的位置。高度H例如是几十cm。第二配管部分16b连接第一配管部分16a与第三配管部分16c。第二配管部分16b例如沿上下方向延伸。第四配管部分16d连接第三配管部分16c与药液喷嘴13。第四配管部分16d例如沿上下方向延伸。第一配管部分16a~第四配管部分16d由连续状的一根配管构成,各管径彼此相同。
药液例如是含有硫酸、醋酸、硝酸、盐酸、氢氟酸、氨水、过氧化氢水、有机酸(例如柠檬酸、草酸等)、有机碱(例如TMAH:四甲基氢氧化铵等)、有机溶剂(例如IPA:异丙醇等)、以及表面活性剂、防腐剂中至少一种的液体。
处理单元2具备抽吸装置17。抽吸装置17是隔膜式抽吸装置。隔膜式抽吸装置是以下公知结构的抽吸装置:其包括夹装于供给配管16(第一配管部分16a)的中途部的筒状的头部、和收纳在头部内的隔膜,利用隔膜的驱动来使形成在头部内的流路的容积变化(参照日本特开2016-111306号公报等)。与喷射式抽吸装置相比,隔膜式抽吸装置的抽吸力(抽吸速度)较弱。因此,与喷射式抽吸装置相比,隔膜式抽吸装置能够抽吸的药液的量为少量。在图1的例子中,抽吸装置17由与供给阀18不同的装置构成,但抽吸装置17也可以利用供给阀18的一部分来设置。
处理单元2包括在俯视时配置于旋转卡盘5的周围的待机容器(容器)20。待机容器20是用于承接从配置于退避位置P2的药液喷嘴13喷出的药液的箱状的容器。在待机容器20的底部连接有排液配管21。由待机容器20承接的药液经由排液配管21向机外的排液处理设备(未图示)送出。因此,喷出至待机容器20的药液不会向基板W供给。
在排液配管21的中途部夹装有用于开闭排液配管21的流通阀22。并配置有检测器,该检测器在流通阀22的关闭状态下,通过向排液配管21供给液体,来对积存在排液配管21中比流通阀22靠上游侧的区域(以下简称为“上游侧区域”)23内的药液进行检测。检测器是检测积存在上游侧区域23内的药液的液位是否达到预定高度的液位传感器24(参照图4F)。
处理单元2还包括包围旋转卡盘5的筒状的处理杯30。如图1所示,处理杯30配置于比旋转卡盘5所保持的基板W靠外侧(远离旋转轴线A1的方向)的位置。处理杯30包围旋转基座6的周围。在旋转卡盘5正使基板W旋转的状态下,若向基板W供给处理液,则使已供给至基板W的处理液向基板W的周围甩开。当向基板W供给处理液时,朝上开口的处理杯30的上端部30a配置于比旋转基座6靠上方的位置。因此,排出至基板W的周围的处理液(药液、冲洗液等)由处理杯30承接。而且,由处理杯30承接了的处理液被送至未图示的处理设备。
图2是用于说明基板处理装置1的主要部分的电结构的框图。
控制装置3例如使用微型计算机来构成。控制装置3具有CPU等运算单元、固定存储设备、硬盘驱动器等存储单元、以及输入输出单元。在存储单元中存储有运算单元所执行的程序。
控制装置3根据预先决定的程序来控制旋转马达9、喷嘴移动单元15、抽吸装置17等的动作。并且,控制装置3控制冲洗液阀12、供给阀18、流通阀22等的开闭动作。并且,向控制装置3输入来自液位传感器24的检测输出。
由流通阀22、检测器(液位传感器24)以及控制装置3,构成检测来自供给阀18的漏液的漏液检测单元。
参照图1及图2,说明由处理单元2对基板W进行的一系列处理。
在处理单元2所执行的一系列处理的处理例中,由搬运机器人将未处理的基板W搬入至处理室4内,并在基板W的表面(元件形成面)朝向上方的状态下将基板W交接给旋转卡盘5,之后由旋转卡盘5保持基板W。
在不执行使用来自药液喷嘴13的药液的药液处理(下述的药液工序S3(图3))时(即待机时),药液喷嘴13配置于退避位置P2(图1中虚线所示的位置)。在药液喷嘴13配置于退避位置P2的状态下,药液喷嘴13的喷出口13a与待机容器20对置。
控制装置3控制喷嘴移动单元15,将配置于退避位置P2的药液喷嘴13拉出至处理位置P1(图1中实线所示的位置),并使药液喷嘴13朝向正旋转的基板W的上表面喷出药液。由此,向基板W的上表面整个区域供给药液。在停止从药液喷嘴13喷出药液后,控制装置3控制喷嘴移动单元15,使药液喷嘴13从处理位置P1返回至退避位置P2。
之后,控制装置3使冲洗液喷嘴10朝向正旋转的基板W喷出冲洗液。由此,向基板W的上表面整个区域供给冲洗液,并冲掉附着于基板W的药液(冲洗工序)。控制装置3在停止从冲洗液喷嘴10喷出冲洗液后,使旋转卡盘5以高旋转速度旋转基板W。由此,利用离心力将附着于基板W的冲洗液向基板W的周围甩开。因此,从基板W除去冲洗液,从而基板W干燥(干燥工序)。之后,由搬运机器人将处理完毕的基板从处理室4内搬出。
图3是示出从待机工序(S1)经由药液工序(S4)并再次达到待机工序(S1)的情况下的供给阀18的开闭状态、药液喷嘴13的位置状态、流通阀22的开闭状态、以及液位传感器24的检测输出的有效/无效状态的时序图。图4A是用于说明待机工序(S1)的示意图。图4B是用于说明预分配工序(退避喷出工序。S2)的示意图。图4C是用于说明药液工序(S4)后的药液抽吸的示意图。图4D是用于说明喷嘴配置工序(S3)及药液工序(S4)的示意图。图4E是用于说明药液工序(S4)后的药液抽吸的示意图。图4F是在待机工序(图3的S1)下有药液从药液喷嘴13漏出的情况的示意图。
接下来,参照图1~图4F,对从待机工序(S1)经由药液工序(S4)并再次达到待机工序(S1)的各工序进行说明。并且,图4A~图4F中省略了流量计19的图示。
在该处理例中,控制装置3执行以下各工序:排出供给配管16内的不需要的药液(例如随时间经过而劣化的药液、温度已降低的药液)的预分配工序(S2);使药液喷嘴13从退避位置P2移动至处理位置P1的喷嘴配置工序(S3);对基板W的表面实施使用了药液的处理的药液工序(S4);以及使药液喷嘴13从处理位置P1移动至退避位置P2的喷嘴退避工序(S5)。并且,在该处理例中,将药液喷嘴13配置于退避位置P2且并非在预分配工序(S2)的执行过程中的状态称作待机工序(S1)。
该处理例的特征在于:在待机工序(S1)中,夹装于排液配管21的流通阀22处于常闭状态。通过这样的结构,在待机工序(S1)中实现来自供给阀18的漏液检测。
并且,在该处理例中,在从前次的药液处理的执行经过了预定期间的情况下,在开始药液处理之前,进行预分配工序(S2)。以下,虽举出进行预分配工序(S2)的情况为例对该处理例进行说明,但在从前次的药液处理的执行起未经过预定期间的情况下,不执行预分配工序(S2)。
如图4A所示,在药液处理开始前,药液喷嘴13配置于退避位置P2(待机工序(S1))。在前次的药液处理结束后,药液喷嘴13从处理位置P1退避至退避位置P2,药液喷嘴13保持原样地继续配置于退避位置P2。在该状态下,控制装置3关闭流通阀22,并且使基于检测器(液位传感器24)的漏液检测变得有效。即,控制装置3监视是否有来自供给阀18的漏液检测。
接着执行预分配工序(S2)。在开始预分配工序(S2)之前,控制装置3使处于关闭状态的流通阀22打开。并且,使基于检测器的漏液检测变得无效。流通阀22的打开状态以及基于检测器的漏液检测的无效持续直至喷嘴退避工序(S5)结束为止。即,控制装置3在预分配工序(S2)至喷嘴退避工序(S5)中不监视是否有来自供给阀18的漏液检测。
若成为预分配工序(S2)的执行时机,则在药液喷嘴13配置于退避位置P2的状态下,控制装置3打开供给阀18。由此,来自药液供给源的药液通过供给配管16而向药液喷嘴13供给,如图4B所示,从药液喷嘴13的喷出口13a喷出药液。从药液喷嘴13喷出的药液在由待机容器20承接后,在排液配管21内流动。由于流通阀22处于打开状态,所以流动于排液配管21的药液通过排液配管21,之后被引导至预定的处理设备。若经过预定的预分配期间,则控制装置3关闭供给阀18。在供给阀18闭合后,控制装置3驱动抽吸装置17,抽吸预定量的供给配管16内部的药液。如图4C所示,通过药液的抽吸,使供给配管16内部的药液的前端面后退。若药液的前端面后退至后退位置P3,则控制装置3停止抽吸装置17的驱动。
在该实施方式中,由于在排液配管21内进行来自供给阀18的漏液检测,所以在第二配管部分16b内不进行来自供给阀的漏液检测。因此,在预分配工序(S2)后,使药液的前端面后退至设定于第四配管部分16d的后退位置P3即可。
之后,若向基板W喷出药液的时机接近,则控制装置3执行喷嘴配置工序(S3)。即,如图4D所示,控制装置3一边维持供给阀18的关闭状态一边控制喷嘴移动单元15,将药液喷嘴13从退避位置P2拉出至处理位置P1。
接着执行药液工序(S4)。具体而言,在药液喷嘴13配置于处理位置P1后,控制装置3打开供给阀18。由此,来自药液供给源的药液通过供给配管16而向药液喷嘴13供给,如图4D所示,从药液喷嘴13的喷出口13a喷出药液。从药液喷嘴13喷出的药液被供给至基板W。在供给阀18闭合后,控制装置3驱动抽吸装置17,抽吸预定量的供给配管16内部的药液。如图4E所示,通过药液的抽吸,使供给配管16内部的药液的前端面后退。若药液的前端面后退至后退位置P3,则控制装置3停止抽吸装置17的驱动。
在该实施方式中,由于在排液配管21内进行来自供给阀18的漏液检测,所以在第二配管部分16b内不进行来自供给阀的漏液检测。因此,在预分配工序(S2)后,使药液的前端面后退至设定于第四配管部分16d的后退位置P3即可。此外,后退位置P3也可以不设定于第四配管部分16d,而是设定于第三配管部分16c。
接着,控制装置3执行喷嘴退避工序(S5)。即,控制装置3一边维持供给阀18的打开状态一边控制喷嘴移动单元15,使配置于处理位置P1的药液喷嘴13返回至退避位置P2。
若药液喷嘴13配置于退避位置P2,则控制装置3使处于打开状态的流通阀22关闭,并且使基于检测器的漏液检测变得有效。即,控制装置3再开始是否有来自供给阀18的漏液检测的监视(待机工序(S1)的再开始)。
在因供给阀18的故障等而有药液从供给阀18漏出的情况下,如图4F所示,从供给阀18漏出的药液从药液喷嘴13喷出,并向排液配管21供给。在该实施方式中,如图4F所示,液位传感器24(参照图4F)例如是具有一组发光元件24a及受光元件24b的透射式位置传感器,检测积存在上游侧区域23内的药液的高度是否达到设定于预先决定的检测高度位置的光轴(发光元件24a及受光元件24b的光轴)。位置传感器也可以是反射式传感器而并非透射式传感器。并且,位置传感器也可以是直接检测积存在上游侧区域23内的药液的液面高度的液面传感器。另外,液位传感器24不限定于位置传感器,液位传感器24也可以由静电电容式传感器构成。由于流通阀22处于关闭状态,所以在有来自供给阀18的漏液的情况下,从供给阀18漏出的药液积存在上游侧区域23内。因此,通过对积存在上游侧区域23内的药液进行检测,能够良好地检测来自供给阀18的漏液。
图5是用于说明漏液检测的流程的流程图。
在待机工序(S1)中,控制装置3监视是否有来自供给阀18的漏液检测(T1)。在待机工序(S1)中,若基于来自液位传感器24的检测输出,判断出积存在上游侧区域23内的药液的液位达到了上述的检测高度位置(T1中是),则控制装置3在基板处理装置1的监视器(未图示)显示来自供给阀18的漏液的意思的警告(T2)。来自供给阀18的漏液的意思的信息也可以作为日志而记录在控制装置3的存储单元(未图示)中。在该情况下,也可以不在监视器显示来自供给阀18的漏液的意思的警告。
并且,若控制装置3判断出积存在上游侧区域23内的药液的液位达到了上述的检测高度位置(T1中是),则控制装置3使处于关闭状态的流通阀22打开(T3)。由此,能够使积存在上游侧区域23内的药液在排液配管21的比流通阀22靠下游侧的部分通过之后向机外排出。
综上所述,根据第一实施方式,在药液喷嘴13配置于退避位置P2、并且夹装于供给配管16的供给阀18关闭的状态下,夹装于排液配管21的流通阀22关闭。由此,能够将供给至排液配管21的液体积存在上游侧区域23内。在因供给阀18的故障等而有药液从供给阀18漏出的情况下,从供给阀18漏出的药液从药液喷嘴13喷出,并向排液配管21供给。由于流通阀22处于关闭状态,所以在有来自供给阀18的漏液的情况下,从供给阀18漏出的药液积存在上游侧区域23内。因此,通过对积存在上游侧区域23内的药液的液位进行检测,能够良好地检测来自供给阀18的漏液。
而且,由于使用从药液喷嘴13喷出的药液来检测药液从供给阀18的漏出,所以不使药液的前端面后退至第二配管部分(铅直部分)16b,就能够检测药液从供给阀18的漏出。故而,能够实现处理的吞吐量的缩短并检测药液从供给阀18的漏出。
并且,在预分配工序(S2)之前,使处于关闭状态的流通阀22成为打开状态。由此,能够一边使流通阀22维持打开状态一边进行预分配工序(S2),因此能够良好地进行预分配工序(S2)。
并且,当从其它观点看时,在配置工序(S3)之前,使处于关闭状态的流通阀22成为打开状态。由此,在有积存在排液配管21的上游侧区域23内的药液的情况下,能够使该药液向上游侧区域23外释放。因此,在不进行漏液检测的期间内,能够防止在上游侧区域23积存药液。故而,能够良好地进行下一次的漏液检测。
并且,在药液喷嘴13配置于处理位置P1且供给阀18处于打开状态的情况下,即在药液工序(S4)中使漏液检测变得有效,并在预分配工序(S2)中使漏液检测变得无效。在使用位置传感器作为液位传感器24的情况下,若在预分配工序(S2)中使漏液检测变得有效,则无法完全排除以下的可能性:将预分配工序(S2)中的药液在排液配管21内的流通误检测为有来自供给阀18的漏液。但是,在该实施方式中,由于在预分配工序(S2)的执行过程中使漏液检测变得无效,所以能够可靠地仅检测来自供给阀18的漏液。
并且,由于本实施方式的漏液检测在积存从供给阀18漏出的处理液之后检测,所以也能够检测微小流量的漏液。在流量计19的检测中,虽然有无法检测微小流量的漏液的问题,但是能够良好地检测这样的微小流量的漏液。并且,在流量计19的检测中,会担心因供给阀18闭合时的发泡所导致的空气渗入的影响,但在本实施方式的漏液检测中没有这样的担忧。
图6是示出本发明的第二实施方式的基板处理装置201的主要部分的图。图7是示出供给阀18的开闭状态、药液喷嘴13的位置状态、流通阀的开闭状态、以及液位传感器224的检测输出的有效/无效状态的时序图。图8是在待机工序(图7的S1)中有药液从药液喷嘴13漏出的情况的示意图。
在第二实施方式中,对与第一实施方式所示的各部分对应的部分标注与图1~图5的情况相同的符号,并省略说明。
第二实施方式的基板处理装置201与第一实施方式的基板处理装置1的不同点在于:用于进行漏液检测的检测器(液位传感器224)检测积存在从上游侧区域23分支的分支区域(分支排液配管221)内的处理液,而并非检测积存在上游侧区域23内的处理液。以下,具体地进行说明。
在基板处理装置201的处理单元202中,排液配管21的上游侧区域23包括沿铅直方向延伸的铅直部23a。在铅直部23a的中途部分支连接有分支排液配管221。分支排液配管221从分支连接位置23b起依次包括第一配管部分221a、从第一配管部分221a的下游端向铅直上方延伸的第二配管部分221b、从第二配管部分221b的下游端起水平地延伸的第三配管部分221c、以及从第三配管部分221c的下游端向下方延伸的第四配管部分221d。第四配管部分221d的前端与预定的处理设备连接。
第一配管部分221a及第三配管部分221c分别水平地延伸。第二配管部分221b连接第一配管部分221a与第三配管部分221c。第二配管部分221b例如沿铅直方向延伸。第四配管部分221d连接第三配管部分221c与处理设备。第四配管部分221d例如沿上下方向延伸。第一配管部分221a~第四配管部分221d由连续状的一根配管构成。第二配管部分221b的内径为小径(例如约为8mm)。由于第二配管部分221b朝向上方延伸,所以能够将从排液配管21的分支连接位置23b流入至分支排液配管221的药液积存在第二配管部分221b内。液位传感器224对积存在第二配管部分221b内的药液的高度进行检测。由于液位传感器224是与液位传感器24(参照图4F)相同的结构,所以标记与图4F的情况相同的符号,并省略说明。向控制装置3输入来自液位传感器224的检测输出。由流通阀22、检测器(液位传感器224)以及控制装置3,构成检测来自供给阀18的漏液的漏液检测单元。
由于分支排液配管221从排液配管21的上游侧区域23(铅直部23a)分支,所以在流通阀22打开的状态下,流动于上游侧区域23的药液被引导至排液配管21的比流通阀22靠下游侧的部分,而并非被引导至分支排液配管221。
另一方面,在流通阀22的关闭状态下,若向上游侧区域23供给药液,则该药液在上游侧区域23溢出,而药液向分支排液配管221流入,并积存在分支排液配管221的内部。而且,由液位传感器224对积存在第二配管部分221b内的药液的高度进行检测。
与第一实施方式的处理单元2所执行的处理例相同,在处理单元202所执行的处理例中,执行待机工序(图7的S1)、预分配工序(退避喷出工序。图7的S2)、喷嘴配置工序(图7的S3)以及药液工序(图7的S4)。
图7是示出从待机工序(图7的S1)经由药液工序(图7的S4)并再次达到待机工序(图7的S1)的情况下的供给阀18的开闭状态、药液喷嘴13的位置状态、流通阀22的开闭状态、以及液位传感器224的检测输出的有效/无效状态的时序图。图8是在待机工序(图7的S1)中有药液从药液喷嘴13漏出的情况的示意图。
在因供给阀18的故障等而有药液从供给阀18漏出的情况下,如图8所示,从供给阀18漏出的药液从药液喷嘴13喷出,并向排液配管21供给。在待机工序(图7的S1)中,由于流通阀22处于关闭状态,所以在有来自供给阀18的漏液的情况下,从供给阀18漏出的药液积存在分支排液配管221的第二配管部分221b内。因此,通过对在分支排液配管221的第二配管部分221b积存药液的情况进行检测,能够良好地检测来自供给阀18的漏液。
漏液检测的流程与第一实施方式的情况(参照图5)相同。即,在待机工序(图7的S1)中,控制装置3监视是否有来自供给阀18的漏液检测(图5的T1)。在待机工序(图7的S1)中,若基于来自液位传感器224的检测输出,判断出积存在分支排液配管221的第二配管部分221b内的药液的液位达到了上述的检测高度位置(图5的T1中是),则控制装置3在基板处理装置1的监视器(未图示)显示来自供给阀18的漏液的意思的警告(图5的T2)。来自供给阀18的漏液的意思的信息也可以作为日志而记录在控制装置3的存储单元(未图示)中。在该情况下,也可以不在监视器显示来自供给阀18的漏液的意思的警告。
并且,若控制装置3判断出积存在分支排液配管221的第二配管部分221b内的药液的液位达到了上述的检测高度位置(图5的T1中是),则控制装置3使处于关闭状态的流通阀22打开(图5的T3)。由此,能够使积存在分支排液配管221内的药液在排液配管21的比流通阀22靠下游侧的部分通过之后向机外排出。
如图7所示,与处理单元2所执行的处理例不同,在处理单元202所执行的处理例中,遍及处理的整个期间使检测器(液位传感器224)的漏液检测变得有效。
综上所述,根据第二实施方式,能够起到与关联第一实施方式而说明的作用效果同等的作用效果。
除此之外,在第二实施方式中,在流通阀22打开的状态下,流动于上游侧区域23的药液不被引导至分支排液配管221,而仅在流通阀22关闭的状态下,向分支排液配管221流入药液。因此,在药液工序(图7的S3)中,不需要使检测器(液位传感器224)的漏液检测变得无效。故而,与第一实施方式相比,不需要漏液检测的有效/无效的切换这一复杂的控制。
以上,对本发明的两个实施方式进行了说明,但本发明也能够以其它方式来实施。
例如,在第二实施方式中,也可以如图9所示的第一变形例那样,将分支排液配管221的下游端与分支排液配管221的比流通阀22靠下游侧的部分连接,而并非与处理设备连接。具体而言,分支排液配管221也可以具备第五配管部分221e,该第五配管部分221e连接第四配管部分221d的下游端与分支排液配管221的比流通阀22靠下游侧的部分。
并且,在第二实施方式中,也可以如图10所示的第二变形例那样,将分支排液配管221的下游端与上游侧区域23的比分支连接位置23b靠上游侧的部分连接。具体而言,分支排液配管221也可以具备第六配管部分221f,该第六配管部分221f连接第二配管部分221b的下游端(上端)与上游侧区域23的比分支连接位置23b靠上游侧的部分。
并且,在第二实施方式中,也可以如图6、图9及图10中虚线所示,如分支排液配管221那样将排气用的气体排出配管231分支连接。在图6、图9及图10的例子中,气体排出配管231与第二配管部分221b的下游端(上端)分支连接。由此,积存在分支排液配管221(尤其第二配管部分221b)内的气体容易排出,从而将在上游侧区域23溢出的药液良好地引导至分支排液配管221。
并且,例如在第一实施方式中,对若药液喷嘴13配置于退避位置P2则控制装置3使处于打开状态的流通阀22关闭的情况进行了说明,但流通阀22的闭合也可以比药液喷嘴13相对于退避位置P2的配置晚预定的延迟期间D1(参照图3)。另外,说明了流通阀22的闭合与检测器的漏液检测的有效化同步地进行的情况,但检测器的漏液检测的有效化也可以比流通阀22的闭合晚预定的延迟期间D2(参照图3)。
并且,在第一实施方式中,流通阀22的闭合以及检测器的漏液检测的有效的开始在预分配工序(S2)的执行后即可,也可以在喷嘴退避工序(S5)的结束之前进行。
并且,在第一实施方式及第二实施方式中,说明了在预分配用的排液配管21或者从排液配管21分支的分支排液配管221内进行来自供给阀18的漏液检测的情况,但漏液检测对象的配管(流通配管)也可以是与承接从基板的周围飞散的处理液的处理杯30所包括的杯中未在药液工序(S4)中使用的杯连接的配管(例如排液配管)。
并且,在第一实施方式及第二实施方式中,漏液检测对象的配管(流通配管)也可以是排气配管(未图示)。
并且,在第一实施方式及第二实施方式中,作为抽吸装置17,以隔膜式抽吸装置为例进行了说明,但也可以代替地采用虹吸式抽吸装置。
并且,在第一实施方式及第二实施方式中,也可以仅在来自供给阀18的漏液检测量在预先决定的检测期间内达到预定的检测量时,才检测为有来自供给阀18的漏液。在该情况下,若在预先决定的检测期间内未达到预定的检测量,则检测为没有漏液。
并且,在第一实施方式及第二实施方式中,在上述的说明中,说明了成为漏液检测的对象的处理液是药液的情况,但成为漏液检测的对象的处理液也可以是冲洗液。
另外,在第一实施方式及第二实施方式中,说明了基板处理装置1、201是处理圆板状的基板W的装置的情况,但基板处理装置1、201也可以是处理液晶显示装置用玻璃基板等多边形的基板的装置。
虽然对本发明的实施方式进行了详细说明,但这些只不过是为了清楚本发明的技术内容而使用的具体例,本发明不应被这些具体例限定地解释,本发明的范围仅由权利要求书的范围限定。
本申请分别对应于2017年2月27日在日本专利局提出的日本特愿2017-035048号以及2017年12月19日在日本专利局提出的日本特愿2017-242942号,并通过引用来纳入上述申请的全部公开内容。
符号的说明
1—基板处理装置,3—控制装置,5—旋转卡盘(基板保持单元),13—药液喷嘴(处理液喷嘴),15—喷嘴移动单元,16—供给配管,16a—第一配管部分,16b—第二配管部分,16c—第三配管部分,16d—第四配管部分,17—抽吸装置,18—供给阀,20—容器,21—排液配管,22—流通阀,24—液位传感器,201—基板处理装置,221—分支排液配管,224—液位传感器,P1—处理位置,P2—退避位置,P3—后退位置,W—基板。
Claims (20)
1.一种基板处理装置,其特征在于,包括:
基板保持单元,其保持基板;
处理液喷嘴,其用于喷出用于处理上述基板的处理液;
供给配管,其向上述处理液喷嘴供给处理液;
供给阀,其夹装于上述供给配管,并开闭该供给配管;
流通配管,其供处理液流动,该处理液从上述处理液喷嘴喷出而不向上述基板保持单元所保持的基板供给;以及
漏液检测单元,其是用于检测处理液从上述供给阀的漏出的漏液检测单元,具有流通阀和检测器,其中,上述流通阀夹装于上述流通配管并开闭该流通配管,上述检测器用于检测积存在上述流通配管中比上述流通阀靠上游侧的上游侧区域的处理液、或者积存在分支区域的处理液,该分支区域是从上述上游侧区域分支并能够预先积存上述处理液的分支区域,且设于比上述流通阀靠上游侧,上述漏液检测单元在上述供给阀及上述流通阀的关闭状态下,基于积存在上述上游侧区域或者上述分支区域的处理液,来检测来自上述供给阀的漏液。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
还包括喷嘴移动单元,该喷嘴移动单元使上述处理液喷嘴在处理位置与退避位置之间移动,其中,上述处理位置是位于上述基板保持单元所保持的基板的上方的位置,上述退避位置是从上述基板保持单元所保持的基板的上方退避至侧方的位置,
上述流通配管包括退避流通配管,该退避流通配管供从配置于上述退避位置的上述处理液喷嘴喷出的处理液流动。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,
设有容器,该容器承接从配置于上述退避位置的上述处理液喷嘴喷出的处理液,
上述退避流通配管包括排液配管,该排液配管与上述容器连接,为了排液而供上述容器所承接的处理液流动。
4.根据权利要求2或3所述的基板处理装置,其特征在于,
上述漏液检测单元执行在上述处理液喷嘴配置于上述退避位置的状态下关闭上述流通阀的闭阀工序。
5.根据权利要求2或3所述的基板处理装置,其特征在于,
上述喷嘴移动单元执行使配置于上述退避位置的上述处理液喷嘴从该退避位置移动至其它位置的移动工序,
在上述移动工序之前,上述漏液检测单元执行使处于关闭状态的上述流通阀打开的第一开阀工序。
6.根据权利要求2或3所述的基板处理装置,其特征在于,
当在上述处理液喷嘴配置于上述退避位置的状态下打开上述供给阀的退避喷出工序之前,上述漏液检测单元执行使处于关闭状态的上述流通阀打开的第二开阀工序。
7.根据权利要求1~3任一项中所述的基板处理装置,其特征在于,
在从上述供给阀检测到漏液的情况下,上述漏液检测单元还执行使处于关闭状态的上述流通阀打开的第三开阀工序。
8.根据权利要求2或3所述的基板处理装置,其特征在于,
上述检测器对积存在上述上游侧区域的处理液进行检测,
在上述处理液喷嘴配置于上述处理位置而且上述供给阀处于打开状态的情况下,上述漏液检测单元将由该漏液检测单元进行的漏液检测设为有效,并在除此以外的预定情况下,将由该漏液检测单元进行的漏液检测设为无效。
9.根据权利要求8所述的基板处理装置,其特征在于,
在上述处理液喷嘴配置于上述退避位置的状态下打开上述供给阀的退避喷出工序的执行过程中,上述漏液检测单元将由该漏液检测单元进行的漏液检测设为无效。
10.根据权利要求1~3任一项中所述的基板处理装置,其特征在于,
对于来自上述供给阀的漏液而言,当在预先决定的检测期间内检测到预先决定的检测量的处理液的情况下,漏液检测单元检测为有来自上述供给阀的漏液,
并且当从上述流通阀关闭起在上述检测期间内未检测到上述检测量的处理液的情况下,漏液检测单元检测为没有来自上述供给阀的漏液。
11.根据权利要求1~3任一项中所述的基板处理装置,其特征在于,
上述检测器包括液位传感器,该液位传感器检测积存在上述上游侧区域或者上述分支区域的处理液的液位是否达到预定高度。
12.根据权利要求1~3任一项中所述的基板处理装置,其特征在于,
上述供给配管包括:第一配管部分,其夹装有上述供给阀;第二配管部分,其从上述第一配管部分的下游端向上方延伸;第三配管部分,其从上述第二配管部分的下游端水平地延伸;以及第四配管部分,其连接上述第三配管部分和上述处理液喷嘴,
还包括抽吸装置,在从上述处理液喷嘴喷出处理液后,上述抽吸装置抽吸上述供给配管内的处理液,并抽吸至使该处理液的前端面处于对上述第三配管部分或者第四配管部分所设定的预定的后退位置。
13.一种基板处理方法,是在基板处理装置中执行的基板处理方法,
上述基板处理装置包括:供给配管,其向处理液喷嘴供给理液;供给阀,其夹装于上述供给配管并开闭该供给配管;流通配管,其供处理液流动,该处理液从上述处理液喷嘴喷出而不向上述基板供给;以及流通阀,其夹装于上述流通配管并开闭该流通配管,
上述基板处理方法的特征在于,包括以下各工序:
闭阀工序,在该工序中,在上述供给阀处于关闭状态的状态下关闭上述流通阀;以及
漏液检测工序,在该工序中,在上述供给阀的关闭状态而且上述流通阀的关闭状态下,基于积存在上述流通配管中比上述流通阀靠上游侧的上游侧区域的处理液、或者积存在分支区域的处理液,来检测处理液从上述供给阀的漏出,该分支区域是从上述上游侧区域分支并能够预先积存上述处理液的分支区域,且设于比上述流通阀靠上游侧。
14.根据权利要求13所述的基板处理方法,其特征在于,
上述流通配管包括退避流通配管,该退避流通配管供从配置于退避位置的上述处理液喷嘴喷出的处理液流动,其中,上述退避位置是从上述基板的上方退避至侧方的位置,
上述基板处理方法还包括在上述闭阀工序之前将上述处理液喷嘴配置于上述退避位置的退避位置配置工序。
15.根据权利要求14所述的基板处理方法,其特征在于,
还包括以下各工序:
移动工序,在该工序中,使配置于上述退避位置的上述处理液喷嘴从该退避位置移动至其它位置;以及
第一开阀工序,在上述移动工序之前,使处于关闭状态的上述流通阀打开。
16.根据权利要求14或15所述的基板处理方法,其特征在于,
还包括退避喷出工序,在该工序中,在上述处理液喷嘴配置于上述退避位置的状态下打开上述供给阀,由此为了进行预分配而从上述处理液喷嘴喷出处理液,
还包括第二开阀工序,在上述退避喷出工序之前,使处于关闭状态的上述流通阀打开。
17.根据权利要求13~15任一项中所述的基板处理方法,其特征在于,
还包括第三开阀工序,当在上述漏液检测工序中检测到来自上述供给阀的漏液的情况下,使处于关闭状态的上述流通阀打开。
18.根据权利要求13~15任一项中所述的基板处理方法,其特征在于,
上述漏液检测工序包括以下检测无效工序:
在上述处理液喷嘴配置于上述处理位置而且上述供给阀处于打开状态的情况下,将该漏液检测工序中的漏液检测设为有效,在除此以外的预定情况下,将该漏液检测工序中的漏液检测设为无效。
19.根据权利要求18所述的基板处理方法,其特征在于,
在上述检测无效工序中,在上述处理液喷嘴配置于上述处理位置而且上述供给阀打开的情况下,将上述漏液检测工序中的漏液检测设为无效。
20.根据权利要求13~15任一项中所述的基板处理方法,其特征在于,
上述漏液检测工序包括以下工序:
对于来自上述供给阀的漏液而言,当在预先决定的检测期间内检测到预先决定的检测量的处理液的情况下,检测为有来自上述供给阀的漏液,而且当从上述流通阀关闭起在上述检测期间内未检测到上述检测量的处理液的情况下,检测为没有来自上述供给阀的漏液。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017035048 | 2017-02-27 | ||
JP2017-035048 | 2017-02-27 | ||
JP2017242942A JP6975630B2 (ja) | 2017-02-27 | 2017-12-19 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2017-242942 | 2017-12-19 | ||
PCT/JP2018/002151 WO2018155054A1 (ja) | 2017-02-27 | 2018-01-24 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110235226A CN110235226A (zh) | 2019-09-13 |
CN110235226B true CN110235226B (zh) | 2022-12-23 |
Family
ID=63528274
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201880009209.0A Active CN110235226B (zh) | 2017-02-27 | 2018-01-24 | 基板处理装置以及基板处理方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6975630B2 (zh) |
KR (1) | KR102226378B1 (zh) |
CN (1) | CN110235226B (zh) |
TW (1) | TWI661871B (zh) |
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JP7364460B2 (ja) | 2019-12-25 | 2023-10-18 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
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-
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- 2017-12-19 JP JP2017242942A patent/JP6975630B2/ja active Active
-
2018
- 2018-01-24 CN CN201880009209.0A patent/CN110235226B/zh active Active
- 2018-01-24 KR KR1020197022463A patent/KR102226378B1/ko active IP Right Grant
- 2018-01-26 TW TW107102925A patent/TWI661871B/zh active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI661871B (zh) | 2019-06-11 |
KR20190100368A (ko) | 2019-08-28 |
TW201834754A (zh) | 2018-10-01 |
CN110235226A (zh) | 2019-09-13 |
KR102226378B1 (ko) | 2021-03-10 |
JP6975630B2 (ja) | 2021-12-01 |
JP2018142694A (ja) | 2018-09-13 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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GR01 | Patent grant | ||
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