JPH0338827A - 半導体ウエハ用洗浄装置 - Google Patents

半導体ウエハ用洗浄装置

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JPH0338827A
JPH0338827A JP17486989A JP17486989A JPH0338827A JP H0338827 A JPH0338827 A JP H0338827A JP 17486989 A JP17486989 A JP 17486989A JP 17486989 A JP17486989 A JP 17486989A JP H0338827 A JPH0338827 A JP H0338827A
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liquid
cleaning
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chemical
tank
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JP17486989A
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Toshihiko Noguchi
利彦 野口
Tadatsugu Yamamoto
忠嗣 山本
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Mitsubishi Electric Corp
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Mitsubishi Electric Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体ウェハを薬液によって洗浄する半導体ウ
ェハ用洗浄装置に関するものである。
〔従来の技術〕
半導体装置は半導体ウェハ(以下、車にウェハという。
)への成膜、写真製版、エソチング等の基本プロセスを
繰り返すことによって製造されている。この製造プロセ
ス中に重金属5有機物などをウェハから除去するための
洗浄工程がある。従来、この洗浄工程に使用される洗浄
装置は、酸もしくはアルカリ性薬液を使用した湿式洗浄
方式によるものが主流となっている。従来のこの種の洗
浄装置を第2図によって説明する。
第2図は従来の半導体ウェハ用洗浄装置を示す概略構成
図である。同図において、1はウェハ(図示せず)を洗
浄するための薬液槽で、この薬液槽1内には上述したよ
うな酸もしくはアルカリ性薬液2が溜められている。ウ
ェハは通常25枚入りのカセットと呼ばれるテフロンバ
スケソト(図示せず)によって搬送され、このテフロン
ハスケソトごと前記薬液槽1内に浸漬されて洗浄される
薬液槽1内に浸漬されたウェハは薬液2の化学反応によ
って重金属、有機物等が除去されることになる。3は前
記薬液槽1から漏れたり、溢れたりした薬液2を受ける
ためのオーバーフロー槽で、このオーバーフロー槽3は
前記薬液槽1の下側を下面全面にわたって覆うように大
きな開口寸法をもって形成されでおり、薬液槽1の直下
に配置されている。4はこの洗浄装置外に薬液2が漏出
するのを阻止するためのドレンパンで、このドレンパン
4は前記オーバーフロー槽3よりも広い開口寸法をもっ
て形式されており、オーバーフロー槽3の下方に配置さ
れている。また、このドレンパン4には薬液2を排液ド
レン(図示せず)へ排出するための排液管5が接続され
ている。すなわち、このように構成された従来の半導体
ウェハ用洗浄装置乙こおいては、オーバーフロー槽3か
ら薬液2が漏れた場合には、この薬液2は装置外に漏れ
るのを前記ドレンパン4によって阻止され、排液管5を
介して排液ドレンに排出される。
〔発明が解決しようとする課題〕 しかるに、上述したように構成された従来の半導体ウェ
ハ用洗浄装置においては、ドレンパン4から排液が溢れ
出るようなことのないように排液管5は排液路が常に開
1ffiされている構造であるため、排液(図示せず)
や排液ドレン内の酸もしくはアルカリ性の気体が排液ト
レンから1−トンパン4に逆流することがあった。また
、ドレンパン4の洗浄は人手に頼らざるを得す、保守点
検作業の作業時間が多くかかり過ぎるという問題もあっ
た。
〔課題を解決するための手段〕
本発明に係る半導体ウェハ用洗浄装置は、排液管の排液
路を開閉する排液バルブと、液受は槽内の薬液の液面を
検出するセンサと、液受は槽内へ液受け槽用洗浄液を供
給する洗浄ノズルと、前記センサの出力に応じて前記排
液バルブを開閉させかつ液受け槽用洗浄液を前記洗浄ノ
ズルに供給する制御装置とを備えたものである。
〔作 用〕
排液バルブを閉しることによって液受は槽へ排出側から
排液や排出側の気体が逆流するのを防止することができ
、また、薬液が液受は槽に漏れると、この薬液をセンサ
が検出し、このセンサの出力に応じて排液バルブが開か
れて薬液が排出されることになる。そして、薬液排出後
に洗浄ノズルから液受け槽用洗浄液を液受は槽内に供給
することによって液受は槽が洗浄されることになる。
〔実施例〕
以下、本発明の一実施例を第1図によって詳細に説明す
る。
第1図は本発明に係る半導体ウェハ用洗浄装置を示す概
略構成図で、同図において前記第2図で説明したものと
同一もしくは同等部材については同一符号を付し、ここ
において詳細な説明は省略する。第1図において、11
は排液管5の排液路を開閉するための排液用エアーバル
ブで、この排液用エアーバルブ11は排液管5に接続さ
れている。
この排液用エアーバルブ11はその駆動用エアー配管が
電磁弁12を介して圧力源(図示せず)に接続され、こ
の電磁弁12が駆動されることによって空気圧の供給、
停止が行われて開閉動作される。また、前記電磁弁12
はその駆動部が制御装置13に接続され、この制御装置
13から給電されて駆動されるように構成されている。
14はドレンパン4に液5 漏れまたはオーバーフロー等によってオーバーフロー槽
3から薬液2が漏れたのを検出するための液検出センサ
で、この液検出センサ14は検出部分がドレンパン4内
に配置され、液漏れ時にこの情報を前記制m装置13に
入力するように構成されている。なお、前記制御装置1
3は液検出センサ14からの信号の有無に応じて選択的
に電磁弁12に給電するよう回路が形式され、かつ液検
出センサ14からの信号による液漏れエラーを洗浄装置
制御用CPU(図示せず)に対して接点出力という形式
で報告するように構成されている。15はドレンパン4
の内面に洗浄液を吹付けるための洗浄ノズルたるシャワ
ーで、このシャワー15は純水用エアーバルブ16を介
して純水供給装置(図示せず)に接続されている。また
、前記エアーバルブ16はその駆動用エアー配管が電磁
弁17を介して圧力源く図示せず)に接続されており、
この電磁弁17が駆動されることによって空気圧の供給
、停止が行われて開閉動作されることになる。前記電磁
弁17はその駆動部が前記制御装置13に接続されてお
り、制御装置13から給電されて駆動されるように構成
されている。
次に、上述したように構成された半導体ウェハ用洗浄装
置の動作について説明する。この半導体ウェハ用洗浄装
置は、通常は排液用エアーバルブ11および純水用エア
ーバルブ16が閉状態で使用される。そして、オーバー
フロー槽3からの液漏れまたはオーバーフローによって
ドレンパン4内に液漏れが発生した際には、液検出セン
サ14がこれを検出しこの情報を制御装置13に入力す
る。この際、制御装置13は液検出センサ14からの信
号によって電磁弁12を駆動し、これにより排液用エア
ーバルブ11が開動作される。すなわち、排液用エアー
バルブ11が開かれることによってドレンパン4内の薬
液2が排液管5を通して排出されることになる。また、
これと同時に制御装置13は液検出センサ14からの信
号によってCPUに対し液漏れエラーを報告する。ドレ
ンパン4内の薬液2が排出された後、制御装置13は前
記排液用エアーバルブ11が開かれた状態で電磁弁17
に給電し、純水用エラ チーバルブ16を開動作させる。この純水用エアバルブ
16が開動作されることにより純水がシャワー15から
ドレンパン4の内面に吹付けられ、ドレンパン4が純水
によって洗浄されることになる。
そして、所定時間洗浄した後、前記制御装置13は電磁
弁12を駆動して排液用エアーバルブ11を閉動作させ
ると共に、電磁弁17を駆動して純水用エアーバルブ1
6を閉動作させる。このように排液用エアーバルブ11
を閉しることによって、排液ドレンから排液、酸もしく
はアルカリ性の気体がドレンパン4に逆流するのを阻止
することができる。
なお、本実施例ではドレンパン4に液検出センサ14.
シャワー15を配設し、排液管5に排液用エアーバルブ
11を接続した例を示したが、本発明はこのような限定
にとられれることなく、オーバーフロー槽3や他の薬液
用受は槽に対して適用してもよい。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明に係る半導体ウェハ用洗浄装
置は、排液管の排液路を開閉する排液バルブと、液受は
槽内の薬液の液面を検出するセンサと、液受は槽内へ液
受け槽用洗浄液を供給する洗浄ノズルと、前記センサの
出力に応じて前記排液バルブを開閉させかつ液受け槽用
洗浄液を前記洗浄ノズルに供給する制御装置とを備えた
ため、排液バルブを閉しることによって液受は槽へ排出
側から排液や排出側の気体が逆流するのを防止すること
ができ、また、薬液が液受は槽に漏れると、この薬液を
センサが検出し、このセンサの出力に応じて排液バルブ
が開かれて薬液が排出されることになる。そして、薬液
排出後に洗浄ノズルから液受け槽用洗浄液を液受は槽内
に供給することによって液受は槽が洗浄されることにな
る。したがって、薬液の排出操作および液受は槽の洗浄
を自動的に行なうことができるから、装置の保守点検作
業が簡略化されランニングコストを低く抑えることがで
き、しかも、薬液が装置外に漏れるのを確実に阻止する
ことができ信頼性を向上させることができるという効果
がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係る半導体ウェハ用洗浄装置を示す概
略構成図、第2図は従来の半導体ウェハ用洗浄装置を示
す概略構成図である。 1、・・・薬液槽、2・9.・薬液、4・・・・ドレン
パン、51.・・排液管、11・、・・排液用エアーバ
ルブ、13・・・・制御装置、14・・・・液検出セン
サ、15・・・・ジャワ、16・・・・純水用エアーバ
ルブ。 代 理 人 大 岩 増 雄

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 洗浄用薬液が溜められる半導体ウェハ用洗浄槽の下方に
    前記洗浄槽から溢れた薬液を受ける液受け槽が配置され
    、この液受け槽に薬液排出用排液管が接続された半導体
    ウェハ用洗浄装置において、前記排液管の排液路を開閉
    する排液パルプと、前記液受け槽内の薬液の液面を検出
    するセンサと、液受け槽内へ液受け槽用洗浄液を供給す
    る洗浄ノズルと、前記センサの出力に応じて前記排液バ
    ルブを開閉させかつ液受け槽用洗浄液を前記洗浄ノズル
    に供給する制御装置とを備えたことを特徴とする半導体
    ウェハ用洗浄装置。
JP17486989A 1989-07-05 1989-07-05 半導体ウエハ用洗浄装置 Expired - Lifetime JPH0770507B2 (ja)

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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4793593B2 (ja) * 2005-04-11 2011-10-12 豊博 小林 帽子等に用いる冷却部材
JP2012225780A (ja) * 2011-04-20 2012-11-15 Disco Abrasive Syst Ltd 漏液検出機構
DE112015007128T5 (de) 2015-11-16 2018-07-26 Mitsubishi Electric Corporation Echolöscheinrichtung und Sprachtelekommunikationseinrichtung
CN110235226A (zh) * 2017-02-27 2019-09-13 株式会社斯库林集团 基板处理装置以及基板处理方法
CN112588691A (zh) * 2020-12-10 2021-04-02 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体清洗设备
KR20210045933A (ko) 2019-10-17 2021-04-27 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치 및 장치 세정 방법
KR20210045929A (ko) 2019-10-17 2021-04-27 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치 및 장치 세정 방법

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4793593B2 (ja) * 2005-04-11 2011-10-12 豊博 小林 帽子等に用いる冷却部材
JP2012225780A (ja) * 2011-04-20 2012-11-15 Disco Abrasive Syst Ltd 漏液検出機構
DE112015007128T5 (de) 2015-11-16 2018-07-26 Mitsubishi Electric Corporation Echolöscheinrichtung und Sprachtelekommunikationseinrichtung
CN110235226A (zh) * 2017-02-27 2019-09-13 株式会社斯库林集团 基板处理装置以及基板处理方法
CN110235226B (zh) * 2017-02-27 2022-12-23 株式会社斯库林集团 基板处理装置以及基板处理方法
KR20210045933A (ko) 2019-10-17 2021-04-27 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치 및 장치 세정 방법
KR20210045929A (ko) 2019-10-17 2021-04-27 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치 및 장치 세정 방법
US11745213B2 (en) 2019-10-17 2023-09-05 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and apparatus cleaning method
US12087599B2 (en) 2019-10-17 2024-09-10 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and apparatus cleaning method
CN112588691A (zh) * 2020-12-10 2021-04-02 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体清洗设备
CN112588691B (zh) * 2020-12-10 2023-02-14 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体清洗设备

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