TWI534945B - 具有聚合物突出物的靜電吸盤 - Google Patents

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Description

具有聚合物突出物的靜電吸盤 【相關申請案】
本申請案主張2009年5月15日申請之美國臨時申請案第61/216,305號之權益。上述申請案之全部教示內容以引用的方式併入本文中。
本發明相關於一種靜電吸盤。該靜電吸盤包含一表面層，該表面層由一電極中之一電壓激活以形成一電荷，從而將一基板靜電夾持於該靜電吸盤。
靜電吸盤在製造製程中固持且支撐基板，且亦在不機械夾持該基板下自該基板移除熱。在使用靜電吸盤期間，基板(諸如半導體晶圓)背面由靜電力固持於靜電吸盤之表面上。該基板與該靜電吸盤表面中之一或多個電極由覆蓋電極之表面材料層隔開。在庫侖吸盤(Coulombic chuck)中，表面層為電絕緣的；而在強生-雷貝克靜電吸盤(Johnsen-Rahbek electrostatic chuck)中，表面層為弱導電的。靜電吸盤之表面層可為平坦的，或可具有一或多個將基板背面與經覆蓋之電極進一步隔開之突出物、凸起或其 他表面特徵。加工期間傳遞至基板之熱可藉由與突出物進行接觸熱傳導及/或藉由與冷卻氣體進行氣體熱傳導而自該基板轉移走且轉移至靜電吸盤。在自基板移除熱方面，接觸熱傳導一般比氣體熱傳導有效。然而，控制基板與突出物之間的接觸量可為困難的。
在微電子生產中，由於半導體及記憶體裝置之幾何尺寸日益變小且晶圓、平面螢幕顯示器、主光罩及其他加工基板之尺寸日益變大，所以可容許之微粒污染製程規格變得更具限制性。粒子對靜電吸盤之影響尤其受關注，因為晶圓實體接觸或安裝於吸盤夾持表面。若靜電吸盤之安裝表面容許任何微粒截留於安裝表面與基板之間，則基板可能因所截留之粒子而變形。舉例而言，若晶圓背面與平坦參考表面相抵靜電夾持，則所截留之粒子可能引起晶圓正面變形，從而其將不處於平坦平面中。根據美國專利第6,835,415號，已有研究顯示，平坦靜電吸盤上之10微米粒子可使主光罩(亦即測試晶圓)之表面位移1吋或1吋以上之徑向距離。粒子誘導之位移的實際高度及直徑取決於多個參數，諸如粒度、粒子硬度、夾持力及主光罩厚度。
在基板加工期間，重要的是能夠控制基板之溫度，限制基板之最大溫度上升，維持基板表面上之溫度均勻性，或此等方面之任何組合。若由於不良及/或不均勻熱轉移而使得整個基板表面上存在過度溫度變化，則該基板可變形且製程化學可受影響。與靜電吸盤直接接觸之區域愈大，接觸熱傳導所轉移之熱則愈多。直接接觸之區域的 尺寸隨基板與靜電吸盤之接觸表面之粗糙度、平坦度及硬度以及在接觸表面之間施加之壓力而變。由於接觸表面之特徵在基板間有所變化，且由於接觸表面之特徵可隨時間而變，所以精確控制靜電吸盤與基板之間的接觸熱傳導有困難。
控制基板溫度及基板背面上之粒子數目對於減少或消除對微電子裝置、主光罩及其他此類結構之損壞以及減少製造產率損失或使該損失降至最低而言為重要的。靜電吸盤突出物之磨蝕特性、粗糙化突出物之高接觸面積以及製造靜電吸盤期間研磨與拋光操作之作用皆可能促使在基板與靜電吸盤一起使用期間粒子進入基板背面。
根據本發明之一具體實例，提供一種靜電吸盤。該靜電吸盤包含一表面層，該表面層由一電極中之一電壓激活以形成一電荷，從而將一基板靜電夾持於該靜電吸盤。該表面層包括多個聚合物突出物及該多個聚合物突出物所黏著之一電荷控制層，該多個聚合物突出物延伸至高於圍繞該多個聚合物突出物之該電荷控制層之部分的一高度以在靜電夾持該基板期間將該基板支撐於該多個聚合物突出物上。
在其他相關具體實例中，形成該多個聚合物突出物之聚合物可包含聚醚醯亞胺(PEI)、聚醯亞胺或聚醚醚酮(PEEK)。電荷控制層可由諸如聚醚醯亞胺(PEI)、聚醯亞胺或聚醚醚酮(PEEK)之聚合物形成。一黏著層可位於 該電荷控制層下方，且可包含聚醚醯亞胺(PEI)。該靜電吸盤可包含一黏著塗層。該黏著塗層可包含含矽氮化物、含矽氧化物、含矽碳化物及此等物質之非化學計量型式中之至少一者，例如(但不限於)SiOxNy、氮化矽、氧化矽或碳化矽。黏著塗層亦可包含碳或碳氮化合物，且可包含類鑽石碳。黏著塗層可延伸以包含一圍繞該靜電吸盤之一邊緣之至少一部分的金屬減少層。該靜電吸盤可包含一將該靜電吸盤之一介電層黏結至該靜電吸盤之一絕緣體層的陶瓷-陶瓷黏結層，該陶瓷-陶瓷黏結層包含聚合物，諸如聚四氟乙烯(PTFE)及改良的聚四氟乙烯(PTFE)中之至少一者，及/或全氟烷氧基(PFA)、氟化乙烯-丙烯(FEP)及聚醚醚酮(PEEK)中之至少一者。改良的聚四氟乙烯(PTFE)可包含全氟烷氧基(PFA)及氟化乙烯-丙烯(FEP)中之至少一者。如相鄰聚合物突出物對之間的中心-中心距離所量測，該多個聚合物突出物可實質上等間隔橫越該表面層。該等聚合物突出物可呈三角形圖案排列。聚合物突出物之中心-中心距離可介於約6mm與約8mm之間，且高度可介於約3微米與約12微米之間；且直徑可為約900微米。電荷控制層之表面電阻率可介於約108歐姆/平方(ohm per square)至約1011歐姆/平方之間。靜電吸盤可另外包含一氣封環，該氣封環包含諸如聚醚醯亞胺(PEI)、聚醯亞胺或聚醚醚酮(PEEK)之聚合物。該多個聚合物突出物之表面粗糙度可介於約0.02μm與約0.05μm之間。
在本發明之另一具體實例中，提供一種製造一靜電吸盤之方法。該方法包含：使用包含聚四氟乙烯 (PTFE)、改良的聚四氟乙烯(PTFE)、全氟烷氧基(PFA)、氟化乙烯-丙烯(FEP)及聚醚醚酮(PEEK)中之至少一者的黏結聚合物將該靜電吸盤之一介電層黏結至該靜電吸盤之一絕緣體層；用包含含矽氮化物、含矽氧化物、含矽碳化物、非化學計量之含矽氮化物、非化學計量之含矽氧化物、非化學計量之含矽碳化物、碳及碳氮化合物中之至少一者的黏著塗層塗佈該靜電吸盤之該介電層；將一包含電荷控制層聚合物之電荷控制層黏結至該靜電吸盤之該表面，該電荷控制層聚合物包含聚醚醯亞胺(PEI)、聚醯亞胺及聚醚醚酮(PEEK)中之至少一者；將一光阻劑沈積至該電荷控制層上；對該電荷控制層進行反應性離子蝕刻以移除將圍繞多個於該電荷控制層中形成之聚合物突出物的該電荷控制層之部分；及將該光阻劑自該靜電吸盤剝離，從而露出由與該電荷控制層相同之該電荷控制層聚合物形成的該多個聚合物突出物。
101‧‧‧突出物
102‧‧‧電荷控制層
103‧‧‧黏著層
104‧‧‧黏著塗層
105‧‧‧介電層
201‧‧‧突出物
202‧‧‧電荷控制層
203‧‧‧黏著層
204‧‧‧黏著塗層
205‧‧‧介電層
206‧‧‧金屬電極
207‧‧‧電極針腳
208‧‧‧環氧樹脂黏結體
209‧‧‧絕緣體層
210‧‧‧陶瓷-陶瓷黏結體
211‧‧‧導熱黏結體
212‧‧‧水冷基座
213‧‧‧金屬減少層
314‧‧‧突出物
315‧‧‧直徑
316‧‧‧中心-中心間隔
414‧‧‧突出物
417‧‧‧氣體入口
418‧‧‧地針通道
419‧‧‧氣封環
420‧‧‧頂針通道
421‧‧‧小氣體入口
422‧‧‧插圖
523‧‧‧晶圓接觸表面
圖1為根據本發明具體實例之靜電吸盤之頂層的橫截面圖。
圖2為展示根據本發明具體實例之靜電吸盤之其他層的橫截面圖。
圖3說明根據本發明具體實例之靜電吸盤之表面上突出物之圖案。
圖4為根據本發明具體實例之靜電吸盤之表面外觀的圖。
圖5為根據本發明具體實例之靜電吸盤上突出物之特徵之圖。
前述內容將自以下對本發明之例示性具體實例的更具體描述顯而易見，如附圖中所說明，其中貫穿不同視圖，相同參考數字係指相同部件。圖式不需要按比例繪製，而是著重於說明本發明之具體實例。
對本發明之例示性具體實例的描述如下。
根據本發明之一具體實例，提供一種靜電吸盤，其在表面上包括突出物以供安裝基板。該等突出物由諸如聚醚醯亞胺(PEI)、聚醯亞胺或聚醚醚酮(PEEK)之聚合物質形成。另外，該靜電吸盤之特徵為該等聚合物突出物所黏著之電荷控制表面層。該電荷控制表面層可由與突出物相同之諸如聚醚醯亞胺(PEI)、聚醯亞胺或聚醚醚酮(PEEK)的聚合物質形成。該等突出物及該電荷控制表面層可幫助促使靜電吸盤與基板接觸以促進接觸冷卻，同時亦減少不合需要之粒子產生。
圖1為根據本發明具體實例之靜電吸盤之頂層的橫截面圖。該靜電吸盤之特徵為突出物101，其係由諸如聚醚醯亞胺(PEI)、聚醯亞胺或聚醚醚酮(PEEK)之聚合物形成。靜電吸盤之氣封環(圖中未示)可由聚合物形成，諸如與突出物101相同之聚合物。突出物101黏著於亦可由 聚合物形成之電荷控制層102。電荷控制層102之目的在於提供導電層以導走表面電荷。電荷控制層102降低在移除吸盤電源後晶圓或其他基板靜電黏著於吸盤表面時發生「晶圓附著(wafer sticking)」之可能性。表面電阻率在適當範圍內，諸如約1×108歐姆/平方至約1×1011歐姆/平方之範圍內的電荷控制層102顯示減少表面電荷滯留，此表面電荷滯留可產生不合需要之靜電力且最終導致晶圓附著。微導電表面層將電荷導向地面(圖中未示)，而不干擾靜電吸盤與基板之間的靜電吸引。在一具體實例中，突出物101與電荷控制層102均由單一聚合物形成，諸如聚醚醯亞胺(PEI)、聚醯亞胺或聚醚醚酮(PEEK)。黏著層103可在電荷控制層102下方，且可包含不同於電荷控制層之聚合物。詳言之，若電荷控制層由聚醚醚酮(PEEK)形成，則黏著層103可包含聚醚醯亞胺(PEI)。或者，黏著層103無需存在。在黏著層103下方(或直接在電荷控制層102下方)，靜電吸盤包括黏著塗層104，其促使其上方之聚合物層黏著於介電層105。黏著塗層104保持埋於處於其上方之聚合物層之下，且掩蓋聚合物中之外觀瑕疵。黏著塗層104可包括例如含矽氮化物、含矽氧化物、含矽碳化物及此等物質之非化學計量型式，例如(但不限於)SiOxNy、氮化矽、氧化矽或碳化矽。黏著塗層亦可包含碳或碳氮化合物；且可包含類鑽石碳；及/或前述物質之組合。黏著塗層104下方為介電層105，諸如氧化鋁介電質。
圖2為展示根據本發明具體實例之靜電吸盤之其他層的橫截面圖。除突出物201、電荷控制層202、黏著 層203、黏著塗層204及介電層205以外，該靜電吸盤亦包括金屬電極206。金屬電極206經由導電環氧樹脂黏結體208黏結至電極針腳207。介電層205經由陶瓷-陶瓷黏結體210黏結至絕緣體層209，諸如氧化鋁絕緣體。陶瓷-陶瓷黏結體210可由諸如聚四氟乙烯(PTFE)或改良的PTFE(除PTFE以外，其亦包括PFA及/或FEP)之聚合物形成。另外，陶瓷-陶瓷黏結體210可由諸如全氟烷氧基(PFA)、氟化乙烯-丙烯(FEP)及聚醚醚酮(PEEK)之聚合物形成。在絕緣體209下方，存在導熱黏結體211(其可例如使用由TRA-CON公司(Bedford,MA,U.S.A.)出售之TRA-CON導熱環氧樹脂形成)及水冷基座212。黏著塗層204可沿靜電吸盤之一邊緣向下(包括沿氣封環之邊緣向下)延伸以形成金屬減少層213，其防止光束撞擊在靜電吸盤之邊緣上，引起鋁粒子撞擊基板。
根據本發明之一具體實例，用於靜電吸盤之突出物201、電荷控制層202或其他組件的聚醚醯亞胺(PEI)可由厚度介於約12微米與約25微米之間的未填充無晶型聚醚醯亞胺(PEI)形成。舉例而言，可使用由Sabic Innovative Plastics Holdings BV以商標名ULTEM 1000出售之PEI。若突出物201及/或電荷控制層202或其他組件由聚醚醚酮(PEEK)形成，則其可由厚度介於約12微米與約25微米之間的未填充PEEK製成。舉例而言，可使用由Victrex U.S.A.公司(West Conshohocken,PA,U.S.A.)以商標名Victrex® APTIV PEEKTM FILM 2000-006(未填充無晶型等級)出售之PEEK。
根據本發明之一具體實例，特徵為聚合物突出物及聚合物電荷控制層之靜電吸盤可包括2009年5月15日申請、以美國專利申請公開案第2009/0284894號公開之美國專利申請案第12/454,336號之靜電吸盤的特徵，該案之教示內容以全文引用的方式併入本文中。詳言之，可包括與等間隔之突出物、三角形圖案之突出物及低粒子產生相關的特徵，且亦可包括其他特徵。
圖3說明根據本發明具體實例之靜電吸盤之表面上的突出物314之圖案，其中該突出物圖案用以減小基板與突出物314之間的力。可使用使該等力均等分佈之突出物圖案，例如突出物之三角形或一般六角形圖案。應瞭解，如本文中所用之「三角形(trigonal)」圖案欲意謂突出物之等邊三角形之規則重複圖案，使得該等突出物實質上均等隔開。(此類圖案之形狀亦可視為一般六角形，其中中心突出物在形成正六角形頂點之六個突出物之陣列的中心)。亦可藉由增大突出物之直徑315或藉由減小突出物314之中心-中心間隔316來減小力。如圖3之具體實例所示，突出物可以等間隔之排列形式安置，其中各突出物與相鄰突出物以中心-中心間隔尺寸316實質上均等隔開。藉助於該間隔，基板背面之實質部分接觸突出物之頂部部分，在突出物之間留下供氦氣或其他氣體進行背面冷卻之間隙。相比之下，若無該突出物間隔，則僅一小部分(10%或低於10%)突出物可接觸基板。根據本發明之一具體實例，基板可接觸25%以上之突出物頂部表面區域。
在一實施例中，靜電吸盤可呈300mm如下組 態：其包括鋁基座、約0.120吋厚之氧化鋁絕緣體209、約0.004吋厚之氧化鋁介電質205，且具有旋轉滾筒設計以允許安裝至靜電吸盤之基板旋轉及傾斜。靜電吸盤之直徑可為例如300mm、200mm或450mm。突出物314可呈三角形圖案，其中中心-中心間隔尺寸316為例如約6mm至約8mm。突出物之直徑315可為例如約900微米。突出物314之高度可為例如約3微米至約12微米，諸如約6微米。突出物314可完全由可與電荷控制層202(見圖2)相同之聚合物形成。
圖4為根據本發明具體實例之靜電吸盤之表面外觀之圖。該靜電吸盤表面包括氣體入口417、地針通道418、氣封環419、包括自身氣封環(圖4中頂針通道420之外部淡色結構)之頂針通道420、及在吸盤中心之小氣體入口421(入口在圖4中不可見)。地針通道418可包括其自身之氣封環(圖4中地針通道之外環419)。詳圖(圖4中之插圖422)展示突出物414。氣封環419(及頂針通道420與地針通道418之氣封環)之寬度可為約0.1吋，且高度可與突出物414之高度相等，諸如約3微米至約12微米，例如約6微米，不過亦可能使用其他寬度及高度。
根據本發明之一具體實例，靜電吸盤可由如下製程來製造：首先，使用陶瓷-陶瓷黏結體製備陶瓷總成。舉例而言，可使用上文關於圖2之具體實例所描述之黏結物質將介電層205黏結至絕緣體層209。接著用黏著塗層204，諸如上文關於圖1之具體實例所論述之物質塗佈該陶瓷總成，達到約1或2微米之厚度。接著將構成電荷控制層202 及突出物201之聚合物質黏結至黏著塗層204之表面。接著可對聚合物質之頂部進行電漿處理以有助於光阻劑(隨後塗覆)附著。接著使光阻劑沈積於聚合物質上，且曝光並顯影。繼而使用反應性離子蝕刻製程以移除聚合物質之厚度(諸如介於約3微米與約12微米之間，尤其為約6微米)，從而在突出物201之間形成區域。可針對將用於靜電吸盤之背面氣壓來優化蝕刻去除之量(產生突出物之高度)。突出物之高度較佳近似等同於或實質上等於背面冷卻中所用之氣體的平均自由路徑。蝕刻之後，接著剝離光阻劑，且製程進行至最終靜電吸盤總成。
圖5為根據本發明具體實例之靜電吸盤上突出物之特徵的圖。寬度及高度以微米展示。突出物之高度為約6微米，且具有極平滑之晶圓接觸表面523。舉例而言，突出物之晶圓接觸表面523上之表面粗糙度可為約0.02μm至約0.05μm。同樣，氣封環可具有類似平滑之表面，以良好密封基板。下表1展示根據本發明之一具體實例之氣體洩漏速率實驗的結果。左欄展示所施加之背面氣壓；右欄展示背面氣體流速，其係因氣體自靜電吸盤邊緣下方洩漏出而產生；且中間欄展示腔室壓力，其將隨著更多氣體自靜電吸盤邊緣洩漏出而升高。背面氣體流速(此處)小於1sccm之結果視為理想的。
根據本發明之一具體實例，靜電吸盤之氣封環的表面粗糙度可小於約8微吋，或小於約4微吋，或小於約2微吋，或小於約1微吋。
根據本發明之一具體實例，靜電吸盤為庫侖吸盤。介電質可包括鋁，例如氧化鋁或氮化鋁。在本發明之另一具體實例中，靜電吸盤為強生-雷貝克靜電吸盤。或者，靜電吸盤可並非為強生-雷貝克靜電吸盤，且可選擇使強生-雷貝克(JR)力或部分混合強生-雷貝克力不作用於晶圓或基板之介電質。
本文中所引用之所有專利、公開申請案及參考文獻之教示內容皆以全文引用的方式併入。
儘管本發明已參考其例示性具體實例特定展示及描述，但熟習此項技術者應瞭解，可在不脫離隨附申請專利範圍所涵蓋之本發明範疇的情況下對其進行形式及細節方面之各種變化。
101‧‧‧突出物
102‧‧‧電荷控制層
103‧‧‧黏著層
104‧‧‧黏著塗層
105‧‧‧介電層

Claims (31)

  1. 一種靜電吸盤，其包含：一表面層，其由一電極中之一電壓激活以形成一電荷，從而將一基板靜電夾持於該靜電吸盤，該表面層包括多個聚合物突出物及該多個聚合物突出物所黏著之一電荷控制層，該電荷控制層是一聚合物電荷控制層並且包含在約108歐姆/平方至約1011歐姆/平方之間的表面電阻率，該多個聚合物突出物延伸至高於圍繞該多個聚合物突出物之該電荷控制層之部分的一高度以在靜電夾持該基板期間將該基板支撐於該多個聚合物突出物上。
  2. 如申請專利範圍第1項之靜電吸盤，其中形成該多個聚合物突出物之該聚合物包含聚醚醯亞胺(PEI)。
  3. 如申請專利範圍第2項之靜電吸盤，其中該電荷控制層由聚醚醯亞胺(PEI)形成。
  4. 如申請專利範圍第1項之靜電吸盤，其中形成該多個聚合物突出物之該聚合物包含聚醚醚酮(PEEK)。
  5. 如申請專利範圍第1項之靜電吸盤，其中形成該多個聚合物突出物之該聚合物包含聚醯亞胺。
  6. 如申請專利範圍第1項之靜電吸盤，其中該電荷控制層由聚醚醯亞胺(PEI)形成。
  7. 如申請專利範圍第1項之靜電吸盤，其中該電荷控制層由聚醚醚酮(PEEK)形成。
  8. 如申請專利範圍第7項之靜電吸盤，其中形成該多個聚合物突出物之該聚合物包含聚醚醚酮(PEEK)。
  9. 如申請專利範圍第1項之靜電吸盤，其中該電荷控制層由聚醯亞胺形成。
  10. 如申請專利範圍第9項之靜電吸盤，其中形成該多個聚合物突出物之該聚合物包含聚醯亞胺。
  11. 如申請專利範圍第1項之靜電吸盤，其另外包含一在該電荷控制層下方之黏著層。
  12. 如申請專利範圍第11項之靜電吸盤，其中該黏著層包含聚醚醯亞胺(PEI)。
  13. 如申請專利範圍第1項之靜電吸盤，其另外包含一黏著塗層。
  14. 如申請專利範圍第13項之靜電吸盤，其中該黏著塗層包含含矽氮化物、含矽氧化物、含矽碳化物、非化學計量之含矽氮化物、非化學計量之含矽氧化物、非化學計量之含矽碳化物、碳及碳氮化合物中之至少一者。
  15. 如申請專利範圍第14項之靜電吸盤，其中該黏著塗層包含SiOxNy、氮化矽、氧化矽、碳化矽及類鑽石碳中之至少一者。
  16. 如申請專利範圍第13項之靜電吸盤，其中該黏著塗層延伸以包含一圍繞該靜電吸盤之一邊緣之至少一部分的金屬減少層。
  17. 如申請專利範圍第1項之靜電吸盤，其另外包含一將該靜電吸盤之一介電層黏結至該靜電吸盤之一絕緣體層的陶瓷-陶瓷黏結層，該陶瓷-陶瓷黏結層包含一聚合物。
  18. 如申請專利範圍第17項之靜電吸盤，其中該陶瓷-陶瓷黏結層的聚合物包含聚四氟乙烯(PTFE)及改良的聚 四氟乙烯(PTFE)中之至少一者。
  19. 如申請專利範圍第18項之靜電吸盤，其中該改良的聚四氟乙烯(PTFE)包含全氟烷氧基(PFA)及氟化乙烯-丙烯(FEP)中之至少一者。
  20. 如申請專利範圍第17項之靜電吸盤，其中該陶瓷-陶瓷黏結層的聚合物包含全氟烷氧基(PFA)、氟化乙烯-丙烯(FEP)及聚醚醚酮(PEEK)中之至少一者。
  21. 如申請專利範圍第1項之靜電吸盤，其中如相鄰聚合物突出物對之間的中心-中心距離所量測，該多個聚合物突出物實質上等間隔橫越該表面層。
  22. 如申請專利範圍第21項之靜電吸盤，其中該等突出物呈三角形圖案排列。
  23. 如申請專利範圍第22項之靜電吸盤，其中該等聚合物突出物之中心-中心距離介於約6mm與約8mm之間。
  24. 如申請專利範圍第22項之靜電吸盤，其中該等聚合物突出物之高度介於約3微米與約12微米之間。
  25. 如申請專利範圍第22項之靜電吸盤，其中該等聚合物突出物之直徑為約900微米。
  26. 如申請專利範圍第1項之靜電吸盤，其另外包含一包含聚合物之氣封環。
  27. 如申請專利範圍第26項之靜電吸盤，其中該氣封環包含聚醚醯亞胺(PEI)、聚醯亞胺及聚醚醚酮(PEEK)中之至少一者。
  28. 如申請專利範圍第1項之靜電吸盤，其中該多個聚合物突出物之表面粗糙度介於約0.02μm與約0.05μm之間。
  29. 如申請專利範圍第1項之靜電吸盤，其中形成該多個聚合物突出物之該聚合物包含聚醚醯亞胺(PEI)，其中該電荷控制層由聚醚醯亞胺(PEI)形成，且其中該靜電吸盤包含一黏著塗層，該黏著塗層包含含矽氮化物、含矽氧化物、含矽碳化物、非化學計量之含矽氮化物、非化學計量之含矽氧化物、非化學計量之含矽碳化物、碳及碳氮化合物中之至少一者。
  30. 如申請專利範圍第29項之靜電吸盤，其另外包含一將該靜電吸盤之一介電層黏結至該靜電吸盤之一絕緣體層的陶瓷-陶瓷黏結層，該陶瓷-陶瓷黏結層包含聚四氟乙烯(PTFE)及改良的聚四氟乙烯(PTFE)中之至少一者。
  31. 一種製造一靜電吸盤之方法，該方法包含：使用包含聚四氟乙烯(PTFE)、改良的聚四氟乙烯(PTFE)、全氟烷氧基(PFA)、氟化乙烯-丙烯(FEP)及聚醚醚酮(PEEK)中之至少一者的黏結聚合物將該靜電吸盤之一介電層黏結至該靜電吸盤之一絕緣體層；用一包含含矽氮化物、含矽氧化物、含矽碳化物、非化學計量之含矽氮化物、非化學計量之含矽氧化物、非化學計量之含矽碳化物、碳及碳氮化合物中之至少一者的黏著塗層塗佈該靜電吸盤之該介電層；將一包含電荷控制層聚合物之電荷控制層黏結至該靜電吸盤之該表面，該電荷控制層聚合物包含聚醚醯亞胺(PEI)、聚醯亞胺及聚醚醚酮(PEEK)中之至少一者，該電荷控制層之表面電阻率介於約108歐姆/平方至約1011歐姆/平方之間； 將一光阻劑沈積至該電荷控制層上；對該電荷控制層進行反應性離子蝕刻以移除將圍繞多個於該電荷控制層中形成之聚合物突出物的該電荷控制層之部分；及將該光阻劑自該靜電吸盤剝離，從而露出由與該電荷控制層相同之該電荷控制層聚合物形成的該多個聚合物突出物。
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WO (1) WO2010132640A2 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI642139B (zh) * 2016-08-16 2018-11-21 北京北方華創微電子裝備有限公司 Chuck, reaction chamber and semiconductor processing device

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI475594B (zh) 2008-05-19 2015-03-01 Entegris Inc 靜電夾頭
US8861170B2 (en) 2009-05-15 2014-10-14 Entegris, Inc. Electrostatic chuck with photo-patternable soft protrusion contact surface
CN102449754B (zh) 2009-05-15 2015-10-21 恩特格林斯公司 具有聚合物突出物的静电吸盘
US9025305B2 (en) 2010-05-28 2015-05-05 Entegris, Inc. High surface resistivity electrostatic chuck
CN103222043B (zh) 2010-09-08 2016-10-12 恩特格林斯公司 一种高传导静电夹盘
CN103493194B (zh) * 2011-06-02 2016-05-18 应用材料公司 静电夹盘的氮化铝电介质修复
WO2013113569A1 (en) 2012-02-03 2013-08-08 Asml Netherlands B.V. Substrate holder and method of manufacturing a substrate holder
WO2014046840A1 (en) * 2012-09-19 2014-03-27 Applied Materials, Inc. Methods for bonding substrates
SG11201503454QA (en) * 2012-11-02 2015-06-29 Entegris Inc Electrostatic chuck with photo-patternable soft protrusion contact surface
JP6359565B2 (ja) * 2013-01-22 2018-07-18 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 静電クランプ
KR102209735B1 (ko) 2013-02-07 2021-02-01 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치
EP2956960B1 (en) 2013-02-13 2023-03-29 Entegris, Inc. Vacuum chuck with polymeric embossments
US20140318455A1 (en) * 2013-04-26 2014-10-30 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Low emissivity electrostatic chuck
KR20140144316A (ko) * 2013-06-07 2014-12-18 삼성디스플레이 주식회사 기판 합착용 스테이지, 이를 포함하는 기판 합착 장치, 및 표시 장치의 제조 방법
CN103794539A (zh) * 2013-09-12 2014-05-14 北京中科信电子装备有限公司 一种静电吸盘加工的工艺方法
JP5538613B1 (ja) * 2013-11-13 2014-07-02 東京エレクトロン株式会社 接合装置及び接合システム
US10497598B2 (en) 2014-02-07 2019-12-03 Entegris, Inc. Electrostatic chuck and method of making same
CN103811332B (zh) * 2014-02-14 2016-05-25 北京京东方显示技术有限公司 一种干法刻蚀设备的下部电极基台和干法刻蚀设备
WO2015192256A1 (en) * 2014-06-17 2015-12-23 Evatec Ag Electro-static chuck with radiofrequency shunt
TWI656596B (zh) * 2014-08-26 2019-04-11 荷蘭商Ａｓｍｌ控股公司 靜電夾具及其製造方法
US10325800B2 (en) * 2014-08-26 2019-06-18 Applied Materials, Inc. High temperature electrostatic chucking with dielectric constant engineered in-situ charge trap materials
WO2016057179A1 (en) * 2014-10-06 2016-04-14 Applied Materials, Inc. Fluoro polymer contact layer to carbon nanotube chuck
CN106796915B (zh) * 2015-04-02 2020-02-18 株式会社爱发科 吸附装置和真空处理装置
CN105304446B (zh) * 2015-09-18 2017-05-31 京东方科技集团股份有限公司 干法刻蚀设备的下部电极基台及干法刻蚀设备
WO2018157179A2 (en) * 2017-02-24 2018-08-30 Fabworx Solutions, Inc. Atmospheric robotic end effector
US11289355B2 (en) 2017-06-02 2022-03-29 Lam Research Corporation Electrostatic chuck for use in semiconductor processing
CN111670491A (zh) 2018-01-31 2020-09-15 朗姆研究公司 静电卡盘(esc)基座电压隔离
US11086233B2 (en) * 2018-03-20 2021-08-10 Lam Research Corporation Protective coating for electrostatic chucks
DE102018008622B4 (de) 2018-10-31 2020-10-01 Sartorius Stedim Biotech Gmbh Bioprozessbehälter mit optischer Messvorrichtung
JP2022060859A (ja) * 2020-10-05 2022-04-15 キオクシア株式会社 静電チャック装置及び半導体製造装置

Family Cites Families (171)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4184188A (en) 1978-01-16 1980-01-15 Veeco Instruments Inc. Substrate clamping technique in IC fabrication processes
JPH0227748A (ja) * 1988-07-16 1990-01-30 Tomoegawa Paper Co Ltd 静電チャック装置及びその作成方法
JPH02304946A (ja) * 1989-05-19 1990-12-18 Mitsui Petrochem Ind Ltd 静電チャック
US5179498A (en) 1990-05-17 1993-01-12 Tokyo Electron Limited Electrostatic chuck device
JPH0478133A (ja) 1990-07-20 1992-03-12 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
US5539609A (en) 1992-12-02 1996-07-23 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck usable in high density plasma
KR0164618B1 (ko) 1992-02-13 1999-02-01 이노우에 쥰이치 플라즈마 처리방법
JP3064653B2 (ja) 1992-03-02 2000-07-12 東陶機器株式会社 静電チャック
US5413360A (en) * 1992-12-01 1995-05-09 Kyocera Corporation Electrostatic chuck
US5350479A (en) 1992-12-02 1994-09-27 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck for high power plasma processing
US5382311A (en) 1992-12-17 1995-01-17 Tokyo Electron Limited Stage having electrostatic chuck and plasma processing apparatus using same
US5557215A (en) 1993-05-12 1996-09-17 Tokyo Electron Limited Self-bias measuring method, apparatus thereof and electrostatic chucking apparatus
US5625526A (en) 1993-06-01 1997-04-29 Tokyo Electron Limited Electrostatic chuck
US5591269A (en) 1993-06-24 1997-01-07 Tokyo Electron Limited Vacuum processing apparatus
TW357404B (en) 1993-12-24 1999-05-01 Tokyo Electron Ltd Apparatus and method for processing of plasma
JPH08507196A (ja) * 1994-01-31 1996-07-30 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 共形な絶縁体フィルムを有する静電チャック
US5508368A (en) 1994-03-03 1996-04-16 Diamonex, Incorporated Ion beam process for deposition of highly abrasion-resistant coatings
US5583736A (en) 1994-11-17 1996-12-10 The United States Of America As Represented By The Department Of Energy Micromachined silicon electrostatic chuck
US5792562A (en) 1995-01-12 1998-08-11 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with polymeric impregnation and method of making
US5691876A (en) 1995-01-31 1997-11-25 Applied Materials, Inc. High temperature polyimide electrostatic chuck
US5701228A (en) 1995-03-17 1997-12-23 Tokyo Electron Limited Stage system or device
JP3208044B2 (ja) 1995-06-07 2001-09-10 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US5997962A (en) 1995-06-30 1999-12-07 Tokyo Electron Limited Plasma process utilizing an electrostatic chuck
JP3457477B2 (ja) 1995-09-06 2003-10-20 日本碍子株式会社 静電チャック
JPH09172055A (ja) 1995-12-19 1997-06-30 Fujitsu Ltd 静電チャック及びウエハの吸着方法
JPH09213777A (ja) * 1996-01-31 1997-08-15 Kyocera Corp 静電チャック
JPH09213781A (ja) 1996-02-01 1997-08-15 Tokyo Electron Ltd 載置台構造及びそれを用いた処理装置
US5656093A (en) 1996-03-08 1997-08-12 Applied Materials, Inc. Wafer spacing mask for a substrate support chuck and method of fabricating same
US5761023A (en) 1996-04-25 1998-06-02 Applied Materials, Inc. Substrate support with pressure zones having reduced contact area and temperature feedback
US6108189A (en) 1996-04-26 2000-08-22 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having improved gas conduits
US6055150A (en) 1996-05-02 2000-04-25 Applied Materials, Inc. Multi-electrode electrostatic chuck having fuses in hollow cavities
US5825607A (en) 1996-05-08 1998-10-20 Applied Materials, Inc. Insulated wafer spacing mask for a substrate support chuck and method of fabricating same
US5764471A (en) 1996-05-08 1998-06-09 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for balancing an electrostatic force produced by an electrostatic chuck
US5748434A (en) 1996-06-14 1998-05-05 Applied Materials, Inc. Shield for an electrostatic chuck
US6175485B1 (en) 1996-07-19 2001-01-16 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck and method for fabricating the same
TW334609B (en) 1996-09-19 1998-06-21 Hitachi Ltd Electrostatic chuck, method and device for processing sanyle use the same
US5740009A (en) 1996-11-29 1998-04-14 Applied Materials, Inc. Apparatus for improving wafer and chuck edge protection
US6117246A (en) * 1997-01-31 2000-09-12 Applied Materials, Inc. Conductive polymer pad for supporting a workpiece upon a workpiece support surface of an electrostatic chuck
US6217655B1 (en) 1997-01-31 2001-04-17 Applied Materials, Inc. Stand-off pad for supporting a wafer on a substrate support chuck
US5870271A (en) * 1997-02-19 1999-02-09 Applied Materials, Inc. Pressure actuated sealing diaphragm for chucks
JP3650248B2 (ja) 1997-03-19 2005-05-18 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
FR2763144B1 (fr) 1997-05-07 1999-07-23 Alsthom Cge Alcatel Dispositif et procede de regeneration pour train de solitons
US6088213A (en) 1997-07-11 2000-07-11 Applied Materials, Inc. Bipolar electrostatic chuck and method of making same
US6051122A (en) 1997-08-21 2000-04-18 Applied Materials, Inc. Deposition shield assembly for a semiconductor wafer processing system
US5903428A (en) 1997-09-25 1999-05-11 Applied Materials, Inc. Hybrid Johnsen-Rahbek electrostatic chuck having highly resistive mesas separating the chuck from a wafer supported thereupon and method of fabricating same
US5880924A (en) 1997-12-01 1999-03-09 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck capable of rapidly dechucking a substrate
JPH11214494A (ja) * 1998-01-26 1999-08-06 Taiheiyo Cement Corp 静電チャック
US5886865A (en) 1998-03-17 1999-03-23 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for predicting failure of an eletrostatic chuck
EP0945073A3 (en) 1998-03-26 2001-01-17 Shiseido Company Limited Process of production of natural flavor or fragrance
US6198616B1 (en) 1998-04-03 2001-03-06 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for supplying a chucking voltage to an electrostatic chuck within a semiconductor wafer processing system
US6304424B1 (en) 1998-04-03 2001-10-16 Applied Materials Inc. Method and apparatus for minimizing plasma destabilization within a semiconductor wafer processing system
US6104595A (en) 1998-04-06 2000-08-15 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for discharging an electrostatic chuck
US6104596A (en) 1998-04-21 2000-08-15 Applied Materials, Inc. Apparatus for retaining a subtrate in a semiconductor wafer processing system and a method of fabricating same
US6081414A (en) 1998-05-01 2000-06-27 Applied Materials, Inc. Apparatus for improved biasing and retaining of a workpiece in a workpiece processing system
WO1999060613A2 (en) 1998-05-21 1999-11-25 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for minimizing plasma destabilization within a semiconductor wafer processing system
US6072685A (en) 1998-05-22 2000-06-06 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having an electrical connector with housing
US6641939B1 (en) 1998-07-01 2003-11-04 The Morgan Crucible Company Plc Transition metal oxide doped alumina and methods of making and using
US5886866A (en) 1998-07-06 1999-03-23 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having a combination electrode structure for substrate chucking, heating and biasing
JP2000100917A (ja) 1998-09-22 2000-04-07 Jeol Ltd 静電チャック装置
JP3983387B2 (ja) 1998-09-29 2007-09-26 日本碍子株式会社 静電チャック
US6790375B1 (en) 1998-09-30 2004-09-14 Lam Research Corporation Dechucking method and apparatus for workpieces in vacuum processors
US6125025A (en) 1998-09-30 2000-09-26 Lam Research Corporation Electrostatic dechucking method and apparatus for dielectric workpieces in vacuum processors
US6259592B1 (en) 1998-11-19 2001-07-10 Applied Materials, Inc. Apparatus for retaining a workpiece upon a workpiece support and method of manufacturing same
TW525256B (en) * 1998-11-25 2003-03-21 Applied Materials Inc Conductive polymer pad for supporting a workpiece upon a workpiece support surface of an electrostatic chuck
US6215640B1 (en) 1998-12-10 2001-04-10 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for actively controlling surface potential of an electrostatic chuck
US6430022B2 (en) 1999-04-19 2002-08-06 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling chucking force in an electrostatic
JP2000323558A (ja) 1999-05-07 2000-11-24 Nikon Corp 静電吸着装置
US6320736B1 (en) * 1999-05-17 2001-11-20 Applied Materials, Inc. Chuck having pressurized zones of heat transfer gas
JP3805134B2 (ja) 1999-05-25 2006-08-02 東陶機器株式会社 絶縁性基板吸着用静電チャック
KR20010007406A (ko) 1999-06-17 2001-01-26 조셉 제이. 스위니 정전 처크에 의해 발생한 정전력 균형을 맞추는 방법 및장치
JP3273773B2 (ja) 1999-08-12 2002-04-15 イビデン株式会社 半導体製造・検査装置用セラミックヒータ、半導体製造・検査装置用静電チャックおよびウエハプローバ用チャックトップ
US6839217B1 (en) 1999-10-01 2005-01-04 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Surface structure and method of making, and electrostatic wafer clamp incorporating surface structure
JP2001118776A (ja) 1999-10-19 2001-04-27 Nikon Corp 転写型露光装置および該装置に使用されるマスク保持機構、および半導体素子の製造方法。
US6723274B1 (en) 1999-12-09 2004-04-20 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. High-purity low-resistivity electrostatic chucks
TW473792B (en) 2000-01-20 2002-01-21 Ngk Insulators Ltd Electrostatic chuck
JP5165817B2 (ja) 2000-03-31 2013-03-21 ラム リサーチ コーポレーション 静電チャック及びその製造方法
US6567257B2 (en) 2000-04-19 2003-05-20 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for conditioning an electrostatic chuck
JP3851489B2 (ja) 2000-04-27 2006-11-29 日本発条株式会社 静電チャック
TWI254403B (en) 2000-05-19 2006-05-01 Ngk Insulators Ltd Electrostatic clamper, and electrostatic attracting structures
JP2001338970A (ja) * 2000-05-26 2001-12-07 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd 静電吸着装置
JP3859937B2 (ja) 2000-06-02 2006-12-20 住友大阪セメント株式会社 静電チャック
JP4753460B2 (ja) 2000-08-16 2011-08-24 株式会社クリエイティブ テクノロジー 静電チャック及びその製造方法
US6475336B1 (en) 2000-10-06 2002-11-05 Lam Research Corporation Electrostatically clamped edge ring for plasma processing
JP4548928B2 (ja) 2000-10-31 2010-09-22 京セラ株式会社 電極内蔵体及びこれを用いたウエハ支持部材
KR20020046214A (ko) 2000-12-11 2002-06-20 어드밴스드 세라믹스 인터내셔날 코포레이션 정전척 및 그 제조방법
US6630201B2 (en) 2001-04-05 2003-10-07 Angstron Systems, Inc. Adsorption process for atomic layer deposition
JP4312394B2 (ja) 2001-01-29 2009-08-12 日本碍子株式会社 静電チャックおよび基板処理装置
JP2002270680A (ja) 2001-02-28 2002-09-20 Applied Materials Inc 基板支持方法及び基板支持装置
US6628503B2 (en) 2001-03-13 2003-09-30 Nikon Corporation Gas cooled electrostatic pin chuck for vacuum applications
US20050095410A1 (en) 2001-03-19 2005-05-05 Mazurkiewicz Paul H. Board-level conformal EMI shield having an electrically-conductive polymer coating over a thermally-conductive dielectric coating
JP4868649B2 (ja) 2001-03-29 2012-02-01 ラム リサーチ コーポレーション プラズマ処理装置
US20020144786A1 (en) 2001-04-05 2002-10-10 Angstron Systems, Inc. Substrate temperature control in an ALD reactor
US20020144657A1 (en) 2001-04-05 2002-10-10 Chiang Tony P. ALD reactor employing electrostatic chuck
JP2003060020A (ja) 2001-06-07 2003-02-28 Komatsu Ltd 静電チャック装置
US6552892B2 (en) 2001-05-09 2003-04-22 Axcelis Technologies, Inc. Method and apparatus for the grounding of process wafers by the use of conductive regions created by ion implantation into the surface of an electrostatic clamp
US6483690B1 (en) 2001-06-28 2002-11-19 Lam Research Corporation Ceramic electrostatic chuck assembly and method of making
US20030010292A1 (en) 2001-07-16 2003-01-16 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with dielectric coating
US6490145B1 (en) * 2001-07-18 2002-12-03 Applied Materials, Inc. Substrate support pedestal
US6853953B2 (en) 2001-08-07 2005-02-08 Tokyo Electron Limited Method for characterizing the performance of an electrostatic chuck
JP4008230B2 (ja) 2001-11-14 2007-11-14 住友大阪セメント株式会社 静電チャックの製造方法
US6634177B2 (en) 2002-02-15 2003-10-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus for the real-time monitoring and control of a wafer temperature
US6754062B2 (en) 2002-02-27 2004-06-22 Praxair S.T. Technology, Inc. Hybrid ceramic electrostatic clamp
US6646233B2 (en) 2002-03-05 2003-11-11 Hitachi High-Technologies Corporation Wafer stage for wafer processing apparatus and wafer processing method
JP3847198B2 (ja) 2002-03-27 2006-11-15 京セラ株式会社 静電チャック
US7175737B2 (en) 2002-04-16 2007-02-13 Canon Anelva Corporation Electrostatic chucking stage and substrate processing apparatus
JP4082924B2 (ja) 2002-04-16 2008-04-30 キヤノンアネルバ株式会社 静電吸着ホルダー及び基板処理装置
EP1515363B1 (en) 2002-06-17 2011-03-23 Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. Method and device for measuring wafer potential or temperature
KR100511854B1 (ko) 2002-06-18 2005-09-02 아네르바 가부시키가이샤 정전 흡착 장치
JP4061131B2 (ja) 2002-06-18 2008-03-12 キヤノンアネルバ株式会社 静電吸着装置
US20040055709A1 (en) 2002-09-19 2004-03-25 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having a low level of particle generation and method of fabricating same
AU2003272478A1 (en) 2002-09-19 2004-04-08 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having a low level of particle generation and method of fabricating same
JP2004200462A (ja) 2002-12-19 2004-07-15 Nhk Spring Co Ltd 静電チャックおよびその製造方法
US6982125B2 (en) 2002-12-23 2006-01-03 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. ALN material and electrostatic chuck incorporating same
US7283346B2 (en) 2002-12-26 2007-10-16 Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. Electrostatic chuck and its manufacturing method
WO2004059714A1 (ja) 2002-12-26 2004-07-15 Nikon Corporation 研磨装置及び半導体デバイスの製造方法
US6835415B2 (en) 2003-01-07 2004-12-28 Euv Llc Compliant layer chucking surface
TWI327336B (en) 2003-01-13 2010-07-11 Oc Oerlikon Balzers Ag Arrangement for processing a substrate
US20040173469A1 (en) 2003-03-04 2004-09-09 Ryujiro Udo Plasma processing apparatus and method for manufacturing electrostatic chuck
US7075771B2 (en) 2003-05-21 2006-07-11 Tokyo Electron Limited Apparatus and methods for compensating plasma sheath non-uniformities at the substrate in a plasma processing system
JP4407793B2 (ja) 2003-07-11 2010-02-03 Ｔｏｔｏ株式会社 静電チャックおよび静電チャックを搭載した装置
KR100512745B1 (ko) 2003-07-24 2005-09-07 삼성전자주식회사 정전기 척
US20050069726A1 (en) 2003-09-30 2005-03-31 Douglas Elliot Paul Light emitting composite material and devices thereof
US6905984B2 (en) * 2003-10-10 2005-06-14 Axcelis Technologies, Inc. MEMS based contact conductivity electrostatic chuck
US7198276B2 (en) 2003-10-24 2007-04-03 International Business Machines Corporation Adaptive electrostatic pin chuck
US7261919B2 (en) 2003-11-18 2007-08-28 Flx Micro, Inc. Silicon carbide and other films and method of deposition
US6897945B1 (en) 2003-12-15 2005-05-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7088431B2 (en) 2003-12-17 2006-08-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR100546808B1 (ko) 2003-12-24 2006-01-26 재단법인 포항산업과학연구원 세라믹 용사 코팅을 이용한 반도체 공정용 정전척
US7824498B2 (en) 2004-02-24 2010-11-02 Applied Materials, Inc. Coating for reducing contamination of substrates during processing
JP4684222B2 (ja) 2004-03-19 2011-05-18 株式会社クリエイティブ テクノロジー 双極型静電チャック
US7307697B2 (en) 2004-05-28 2007-12-11 Board Of Regents, The University Of Texas System Adaptive shape substrate support system
US7052553B1 (en) 2004-12-01 2006-05-30 Lam Research Corporation Wet cleaning of electrostatic chucks
KR20060081562A (ko) 2005-01-10 2006-07-13 (주)엔트로피 정전척의 제조방법
US7672110B2 (en) 2005-08-29 2010-03-02 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having textured contact surface
JP4811608B2 (ja) 2005-10-12 2011-11-09 信越化学工業株式会社 静電吸着機能を有するウエハ加熱装置
KR100709589B1 (ko) 2005-11-14 2007-04-20 (주)소슬 웨이퍼를 용이하게 탈착시킬 수 있는 엠보싱 척
US7869184B2 (en) 2005-11-30 2011-01-11 Lam Research Corporation Method of determining a target mesa configuration of an electrostatic chuck
KR100755874B1 (ko) 2005-11-30 2007-09-05 주식회사 아이피에스 진공처리장치의 정전척, 그를 가지는 진공처리장치 및정전척의 제조방법
JP4718314B2 (ja) 2005-12-07 2011-07-06 日本特殊陶業株式会社 誘電体積層構造体、その製造方法、及び配線基板
JP4666496B2 (ja) 2005-12-07 2011-04-06 大日本スクリーン製造株式会社 基板熱処理装置
JP2007173596A (ja) 2005-12-22 2007-07-05 Ngk Insulators Ltd 静電チャック
KR100717694B1 (ko) 2005-12-29 2007-05-11 코리아세미텍 주식회사 분리층을 갖는 정전척
JP4727434B2 (ja) 2006-01-18 2011-07-20 住友大阪セメント株式会社 静電チャック装置
US7646581B2 (en) 2006-01-31 2010-01-12 Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. Electrostatic chuck
US20070195482A1 (en) 2006-02-23 2007-08-23 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Johnsen-Rahbek electrostatic chuck driven with AC voltage
JP4657949B2 (ja) 2006-03-01 2011-03-23 株式会社日立ハイテクノロジーズ エッチング処理装置および自己バイアス電圧測定方法ならびにエッチング処理装置の監視方法
JP4707593B2 (ja) * 2006-03-23 2011-06-22 大日本スクリーン製造株式会社 熱処理装置と基板吸着方法
US20070283891A1 (en) 2006-03-29 2007-12-13 Nobuyuki Okayama Table for supporting substrate, and vacuum-processing equipment
US8226769B2 (en) 2006-04-27 2012-07-24 Applied Materials, Inc. Substrate support with electrostatic chuck having dual temperature zones
JP4381393B2 (ja) 2006-04-28 2009-12-09 信越化学工業株式会社 静電チャック
KR100842739B1 (ko) 2006-05-02 2008-07-01 주식회사 하이닉스반도체 고밀도 플라즈마 증착 장치의 정전척
US9275887B2 (en) 2006-07-20 2016-03-01 Applied Materials, Inc. Substrate processing with rapid temperature gradient control
JP2008041993A (ja) 2006-08-08 2008-02-21 Shinko Electric Ind Co Ltd 静電チャック
US20080062609A1 (en) 2006-08-10 2008-03-13 Shinji Himori Electrostatic chuck device
US20080062610A1 (en) 2006-08-10 2008-03-13 Shinji Himori Electrostatic chuck device
US7619870B2 (en) 2006-08-10 2009-11-17 Tokyo Electron Limited Electrostatic chuck
US20080073032A1 (en) 2006-08-10 2008-03-27 Akira Koshiishi Stage for plasma processing apparatus, and plasma processing apparatus
US8284538B2 (en) 2006-08-10 2012-10-09 Tokyo Electron Limited Electrostatic chuck device
US20080041312A1 (en) 2006-08-10 2008-02-21 Shoichiro Matsuyama Stage for plasma processing apparatus, and plasma processing apparatus
JP2008091353A (ja) * 2006-09-07 2008-04-17 Ngk Insulators Ltd 静電チャック
US20080083700A1 (en) 2006-10-10 2008-04-10 Lexmark International, Inc. Method and Apparatus for Maximizing Cooling for Wafer Processing
US7751172B2 (en) 2006-10-18 2010-07-06 Axcelis Technologies, Inc. Sliding wafer release gripper/wafer peeling gripper
US20080106842A1 (en) 2006-11-06 2008-05-08 Tokyo Electron Limited Mounting device, plasma processing apparatus and plasma processing method
US8422193B2 (en) 2006-12-19 2013-04-16 Axcelis Technologies, Inc. Annulus clamping and backside gas cooled electrostatic chuck
US7715170B2 (en) 2007-03-26 2010-05-11 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Electrostatic chuck with separated electrodes
WO2009013803A1 (ja) * 2007-07-23 2009-01-29 Shin-Etsu Engineering Co., Ltd. 静電チャックの表面電位制御方法
TWI475594B (zh) 2008-05-19 2015-03-01 Entegris Inc 靜電夾頭
CN102449754B (zh) 2009-05-15 2015-10-21 恩特格林斯公司 具有聚合物突出物的静电吸盘
US8861170B2 (en) 2009-05-15 2014-10-14 Entegris, Inc. Electrostatic chuck with photo-patternable soft protrusion contact surface
US9025305B2 (en) 2010-05-28 2015-05-05 Entegris, Inc. High surface resistivity electrostatic chuck
CN103222043B (zh) 2010-09-08 2016-10-12 恩特格林斯公司 一种高传导静电夹盘

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI642139B (zh) * 2016-08-16 2018-11-21 北京北方華創微電子裝備有限公司 Chuck, reaction chamber and semiconductor processing device

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