TWI495529B - Laser processing device - Google Patents

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TWI495529B
TWI495529B TW099136734A TW99136734A TWI495529B TW I495529 B TWI495529 B TW I495529B TW 099136734 A TW099136734 A TW 099136734A TW 99136734 A TW99136734 A TW 99136734A TW I495529 B TWI495529 B TW I495529B
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Kentaro Odanaka
Ryugo Oba
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Description

雷射加工裝置 技術領域
本發明係有關於一種對半導體晶圓等之被加工物施行雷射加工之雷射加工裝置。
 背景技術
在半導體設備(device)製造步驟中，係利用在略圓板形狀之半導體晶圓的表面呈格子狀配列之稱為分割道之分割預定線來區劃複數領域，在該被區劃而成之領域形成IC、LSI等的設備。接著，藉由沿著分割道切斷半導體晶圓，將形成有設備之領域分割而製造各個半導體晶片。又，在藍寶石基板之表面積層有光電二極體等的受光元件或雷射二極體等的發光元件等之光設備晶圓也沿著分割道切斷，藉此分割成各個光電二極體、雷射二極體等之光設備，並廣泛利用於電器。
上述之半導體晶圓或光設備晶圓等之晶圓沿著分割道進行分割之方法，提案有一種沿著形成於晶圓之分割道照射脈衝雷射光線，藉此形成雷射加工溝，以沿著該雷射加工溝截斷之方法。(參照如專利文獻1。)
可是，當沿著為被加工物之矽酮或藍寶石等之晶圓之分割道照射雷射光線時，會有矽酮或藍寶石等熔融，融解屑、即碎屑(debris)會飛散而附著於形成於晶圓之矩形領域之設備的表面，而使設備之品質降低的問題。又，具有如上所述之飛散之碎屑等的粉塵附著於組裝於用以照射雷射光線之聚光器之聚光透鏡，而妨礙雷射光線的照射等問題。
為了解決上述問題，提案有一種具有粉塵排出機構之雷射加工裝置，其係將由雷射光線照射機構之聚光器照射雷射光線於被加工物而生成之碎屑等的粉塵加以收集而予以排出者(參照如專利文獻2。)。該粉塵排出機構具有：裝設於聚光器之下端部之第1蓋構件；及圍繞該第1蓋構件而配設之第2蓋構件，且構成為將由聚光器與第1蓋構件形成之空氣導入室連接到空氣供給機構，並將由第1蓋構件與第2蓋構件形成之集塵室連接到排氣機構，由集塵室將雷射加工所生成之碎屑等粉塵吸引到排氣機構。
先行技術文獻 專利文獻
【專利文獻1】日本特開第2004-9139號公報
【專利文獻2】日本特開第2007-69249號公報
 發明之概要
而且，即使係在上述文獻2所記載之具有粉塵排出機構之雷射加工裝置中，也無法解決雷射加工所生成之碎屑等粉塵無法平順地流入集塵室，而附著於組裝到聚光器之聚光透鏡的問題。
本發明係有鑑上述事實而作成者，其主要技術課題在於提供一種可有效率地收集由聚光器照射雷射光線到被加工物而生成之碎屑等粉塵且予以排出之雷射加工裝置。
為了解決上述主要之技術課題，根據本發明係提供一種雷射加工裝置，具備：用以保持被加工物之夾頭台、及將雷射光線照射於保持在該夾頭台之被加工物之雷射光線照射機構，且該雷射光線照射機構具有：用以振盪雷射光線之雷射光線振盪器；具有將由該雷射光線振盪器振盪之雷射光線聚光之聚光透鏡的聚光器；及配設於該聚光器之雷射光線照射方向下游側之端部的粉塵排出機構，其特徵在於：該粉塵排出機構具有集塵器，且前述集塵器係由：設有可容許由該聚光器照射之雷射光線通過並且吸取空氣之第1開口之上游側壁；設有可容許通過該第1開口照射之雷射光線通過並且吸引粉塵之第2開口之下游側壁；及連接該上游側壁與下游側壁形成集塵室，並且設有將集塵室連通到吸引源之排氣口的外側壁所構成，在該集塵器與該聚光器之間設有將該第1開口連通到外部空氣之外部空氣吸取通路。
於上述集塵器之上游側壁宜設有由該第1開口之周緣朝該集塵室逐漸縮徑之整流噴嘴。
又，於上述聚光器在聚光透鏡之雷射光線照射方向下游側配設有用以保護聚光透鏡之蓋玻璃，並且設有沿著該蓋玻璃之雷射光線照射方向下游側之面形成且連通於空氣供給機構之空氣通路、以及與該空氣通路連通並且與上述第1開口對向之空氣流通開口。
本發明之雷射加工裝置係如上述所構成，因此因照射雷射光線而發生之粉塵會與外部空氣一起吸引到藉由吸引源作動而吸引之集塵室。另一方面，藉由吸引源作動，外部空氣由外部空氣吸取通路經由第1開口而吸引到集塵室，且與由第2開口吸引之粉塵一起由排氣口排出。如此，藉由吸引源作動，由外部空氣吸取通路經由第1開口而吸引到集塵室之外部空氣會整流而由排氣口排出，因此，可有效地將吸引到集塵室之粉塵引導到排氣口。因此，可抑制吸引到集塵室之粉塵通過第1開口而附著於聚光透鏡。
圖示簡單說明
第1圖係依據本發明而構成之雷射加工裝置之立體圖。
第2圖係簡略地顯示第1圖所示之雷射加工裝置所裝備之雷射光線照射機構之構成的區塊圖。
第3圖係第1圖所示之雷射加工裝置所裝備之聚光器及粉塵排出機構之立體圖。
第4圖係第3圖所示之聚光器及粉塵排出機構之分解立體圖。
第5圖係第3圖所示之聚光器及粉塵排出機構之截面圖。
第6(a)、(b)圖係藉由第1圖所示之雷射加工裝置實施之雷射加工溝形成步驟的說明圖。
第7圖係實施第6圖所示之雷射加工溝形成步驟之狀態下之粉塵排出機構的截面圖。
 用以實施發明之型態
以下，參照附圖，更詳細說明依據本發明構成之雷射加工裝置之較佳實施形態。
第1圖係顯示依據本發明而構成之雷射加工裝置之立體圖。第1圖所示之雷射加工裝置具有：靜止基台2；可朝箭頭X所示之加工傳送方向移動地配設於該靜止基台2，並用以保持被加工物之夾頭台機構3；可朝與上述箭頭X所示之方向呈直角之箭頭Y所示之切割傳送方向移動地配設於靜止基台2之雷射光線照射單元支持機構4；及可朝箭頭Z所示之方向移動地配設於該雷射光線單元支持機構4之雷射光線照射單元5。
上述夾頭台機構3具備：沿著箭頭X所示之加工傳送方向平行配設於靜止基台2上之一對導引軌31、31；可朝箭頭X所示之加工傳送方向移動地配設於該導引軌31、31上之第1滑動塊32；可朝箭頭Y所示之切割傳送方向移動地配設於該第1滑動塊32上之第2滑動塊33；由圓筒構件34支持於該第2滑動塊33上之支持台35；及作為被加工物保持機構之夾頭台36。該夾頭台36具備由多孔性材料形成之吸附夾頭361，且藉由未圖示之吸引機構而將為被加工物之例如圓盤狀之半導體晶圓保持於吸附夾頭361上。如此構成之夾頭台36可藉由配設於圓筒構件34內之未圖示之脈衝馬達旋轉。
上述第1滑動塊32於其下面設有與上述一對導引軌31、31嵌合之一對被導引溝321、321，並且於其上面設有沿著箭頭Y所示之切割傳送方向平行地形成之一對導引軌322、322。如此構成之第1滑動塊32構成為可藉由被導引溝321、321嵌合於一對導引軌31、31，而沿著一對導引軌31、31朝箭頭X所示之加工傳送方向移動。圖示之實施形態中之夾頭台機構3具備用以使第1滑動塊32沿著一對導引軌31、31而朝箭頭X所示之加工傳送方向移動之加工傳送機構37。加工傳送機構37包含：可平行地配置於上述一對導引軌31與31之間之公螺桿371、及用以驅動該公螺桿371旋轉之脈衝馬達372等之驅動源。公螺桿371之其一端可自由旋轉地支持於固定在上述靜止基台2之軸承塊373，其另一端則係傳動連結於上述脈衝馬達372之輸出軸。再者，公螺桿371與貫通母螺孔螺合，且貫通母螺孔係形成於突出設置於第1滑動塊32之中央部下面且未圖示之母螺塊。因此，藉由脈衝馬達372驅動公螺桿371正轉及逆轉，使第1滑動塊32沿著導引軌31、31朝箭頭X所示之加工傳送方向移動。
上述第2滑動塊33構成為於其下面設有一對被導引溝331、331，其係與設置於上述第1滑動塊32之上面之一對導引軌322、322嵌合，且藉由該被導引溝331、331嵌合於一對導引軌322、322，可朝箭頭Y所示之切割傳送方向移動。圖示之實施形態中之夾頭台機構3具備：用以使第2滑動塊33沿著設置於第1滑動塊32之一對導引軌322、322而朝箭頭Y所示之切割傳送方向移動之第1切割傳送機構38。第1切割傳送機構38包含：平行地配設於上述一對導引軌322與322之間之公螺桿381、及用以驅動該公螺桿381旋轉之脈衝馬達382等的驅動源。公螺桿381之其中一端可自由旋轉地支持於固定在上述第1滑動塊32上面之軸承塊383，且另一端則傳動連結於上述脈衝馬達382之輸出軸。再者，公螺桿381與貫通母螺孔螺合，貫通母螺孔係形成於突出設置在第2滑動塊33之中央部下面且未圖示之母螺塊。因此，藉由脈衝馬達382驅動公螺桿381正轉及逆轉，使第2滑動塊33沿著導引軌322、322朝箭頭Y所示之切割傳送方向移動。
上述雷射光線照射單元支持機構4具備：沿著箭頭Y所示之切割傳送方向平行地配設於靜止基台2上之一對導引軌41、41；及可朝箭頭Y所示之方向移動地配設於該導引軌41、41上之可動支持基台42。該可動支持基台42係由可移動地配置於導引軌41、41上之移動支持部421；及安裝於該移動支持部421之裝設部422所構成。裝設部422於一側面設有朝箭頭Z所示之方向延伸之平行的一對導引軌423、423。圖示之實施形態中之雷射光線照射單元支持機構4具備用以使可動支持基台42沿著一對導引軌41、41朝箭頭Y所示之切割傳送方向移動之第2切割傳送機構43。第2切割傳送機構43包含有：平行地配設於上述一對導引軌41、41之間之公螺桿431；及用以驅動該公螺桿431旋轉之脈衝馬達432等的驅動源。公螺桿431之其中一端可自由旋轉地支持於固定在上述靜止基台2且未圖示之軸承塊，其另一端係傳動連結於上述脈衝馬達432之輸出軸。再者，公螺桿431螺合於母螺孔，母螺孔係形成於突出設置於構成可動支持基台42之移動支持部421之中央部下面且未圖示之母螺塊。因此，藉由脈衝馬達432驅動公螺桿431正轉及逆轉，使可動支持基台42沿著導引軌41、41朝箭頭Y所示之切割傳送方向移動。
圖示之實施形態中之雷射光線照射單元5具備：單元托座51；安裝於該單元托座51之雷射光線照射機構52。單元托座51設有可滑動地嵌合於設置在上述裝設部422之一對導引軌423、423之一對被導引溝511、511，且藉由將該被導引溝511、511嵌合於上述導引軌423、423，可朝箭頭Z所示之聚光點位置調整方向移動地受支持。
圖示之雷射光線照射機構52具備固定於上述單元托座51且實質上呈水平延伸之圓筒形狀的殼體521。又，雷射光線照射機構52係如第2圖所示，具備：配設於殼體521內且用以振盪脈衝雷射光線之脈衝雷射光線振盪機構522；用以調整由該脈衝雷射光線振盪機構522所振盪之脈衝雷射光線之輸出之輸出調整機構523；及配射於殼體521之前端，用以將由脈衝雷射光線振盪機構522所振盪之脈衝雷射光線照射於保持在上述夾頭台36之被加工物的聚光器53。上述脈衝雷射光線振盪機構522係由YAG雷射振盪器或YVO4雷射振盪器所構成之脈衝雷射光線振盪器522a、及附設於其之重複頻率設定機構522b。聚光器53係如第1圖所示，裝設於殼體521之前端。
參照第1圖持續說明，構成雷射光線照射機構52之殼體521的前端部配設有藉由上述雷射光線照射機構52拍攝應進行雷射加工之加工領域之攝像機構6。該攝像機構6係由攝像元件(CCD)等所構成，將已攝像之影像信號傳送到未圖示之控制機構。再者，聚光器53之下端部配設有用以收集由聚光器53照射雷射光線到被加工物而生成之粉塵後予以排出之粉塵排出機構7。關於該粉塵排出機構7，於後詳細說明。
圖示之實施形態中之雷射光線照射單元5具備用以使單元托座51沿著一對導引軌423、423朝箭頭Z所示之方向移動之移動機構54。移動機構54包含：配設於一對導引軌423、423之間之公螺桿(未圖示)；及用以驅動該公螺桿旋轉之脈衝馬達542等的驅動源，且藉由脈衝馬達542驅動未圖示之公螺桿正轉及逆轉，以使單元托座51及雷射光束照射機構52沿著導引軌423、423而朝箭頭Z所示之方向移動。再者，圖示之實施形態中，係藉由驅動脈衝馬達542正轉，將雷射光束照射機構52朝上方移動，並藉由驅動脈衝馬達542逆轉，將雷射光束照射機構52朝下方移動。
其次，關於上述聚光器53及粉塵排出機構7，參照第3圖至第5圖加以說明。
圖示之實施形態中之聚光器53具備上端閉塞之筒狀聚光器殼體531，且於該聚光器殼體531之上部係如第5圖所示，設有上述殼體521之前端部插入之開口531a。聚光器殼體531內配設有：將由上述脈衝雷射光線振盪機構522振盪之脈衝雷射光線朝向下方變換方向之方向變換透鏡532；及將經該方向變換透鏡532朝下方變換方向後之脈衝雷射光線聚光以照射於保持在夾頭台36之被加工物W之聚光透鏡533。又，聚光器殼體531於聚光透鏡533之下側，即雷射光線照射方向下游側配射有用以保護聚光透鏡533之蓋玻璃534。進而，於聚光器殼體531之下端部設有裝設有粉塵排出機構7之矩形裝設部535。該裝設部535之底壁535a係如第4圖所示，於下面之兩側設有具有平行延伸之一對卡合溝535b、535b之一對卡合部535c、535c。又，裝設部535係如第5圖所示，設有沿著聚光透鏡533之下面，即沿著雷射光線照射方向下游側面所形成之空氣通路535d，該空氣通路535d係經由連通路535e而連通到空氣供給機構71。進而，裝設部535設有空氣流通開口535f，空氣流通開口535f係與空氣通路535d連通並且可容許通過聚光透鏡533照射之雷射光線之通過，並且使空氣朝為雷射光線照射方向下游側之粉塵排出機構7流出。
圖示之實施形態中之粉塵排出機構7具備了裝設於聚光器53之裝設部535之下面之集塵器72。集塵器72係如第4圖所示，由矩形之上游側壁721、矩形之下游側壁722、及連接上游側壁721與下游側壁722之外側壁723所構成，藉由該等各壁，如第5圖所示形成集塵室720。上游側壁721之上面係如第4圖所示，平行地形成有一對卡止突條721a、721a，其係與設置於構成上述聚光器53之裝設部535之底壁535a之下面之一對卡合溝535b、535b卡合。藉由將該一對卡止突條721a、721a卡合於設置於構成聚光器53之裝設部535之底壁535a之下面之一對卡合溝535b、535b，集塵器72裝設於聚光器53之裝設部535之下面。如此，在集塵器72裝設於聚光器53之裝設部535之下面的狀態下，係如第3圖及第5圖所示，在集塵器72與聚光器53之裝設部535之下面之間，設有連通到外部空氣之外部空氣吸取通路721b。又，上游側壁721係如第4圖及第5圖所示設有第1開口721c，其係與設置在構成上述聚光器53之裝設部535之底壁535a之空氣流通開口535f相對向形成，且可容許由聚光器53照射之雷射光線通過，並且吸取外部空氣。因此，第1開口721c與空氣流通開口535d連通，並且與空氣吸取通路721b連通。進而，在上游側壁721設有由第1開口721c之周緣朝集塵室720逐漸縮徑之整流噴嘴721d。上述下游側壁722設有第2開口722a，其係容許通過設置於上述上游側壁721之第1開口721c照射之雷射光線通過，並且如後述般，吸引因雷射加工所生成之粉塵。又，構成集塵器72之外側壁723設有朝集塵室720開口之排氣口723a，且該排氣口723a連通到吸引源73。
圖示之實施形態中之粉塵排出機構7係如以上所構成，由空氣供給機構71供給例如每分鐘10公升之空氣，並且藉由吸引源73，吸引每分鐘100公升之空氣。由空氣供給機構71所供給之空氣經由設於集塵器72之裝設部535之連通路535e、空氣通路535d、空氣流通開口535f及設置於集塵器72之上游側壁721之第1開口721c而流入集塵室720。又，當吸引源73作動時，可由集塵室720吸引每分鐘10O公升之空氣。該結果是由第2開口722a如後所述般由雷射加工所生成之粉塵會與外部空氣一起吸引到集塵室720，並且外部空氣由外部空氣吸取通路721b經由第1開口721c而吸引到集塵室720，並通過排氣口723a而被排出。
圖示之實施形態中之雷射加工裝置係如以上所述構成，以下根據該作用進行說明。
第1圖所示之雷射加工裝置之夾頭台36上載置有作為被加工物之半導體晶圓10，藉由使未圖示之吸引機構作動，半導體晶圓10被吸引保持於夾頭台36上。再者，半導體晶圓10於表面形成格子狀之分割道，並且在格子狀之分割道所區劃出之複數領域形成有IC、LSI等的設備。吸引保持半導體晶圓10之夾頭台36藉由加工傳送機構37而定位於加工領域檢測機構6之正下方。當夾頭台36定位於攝像機構6之正下方時，可藉由攝像機構6及未圖示之控制機構執行檢測半導體晶圓10之應雷射加工之加工領域之校準作業。即，攝像機構6及未圖示之控制機構執行用以進行沿著形成於半導體晶圓10之預定方向之分割道照射雷射光線之雷射光線照射機構52與聚光器53之對位之圖形匹配等的影像處理，執行雷射光線照射位置之校準。又，對於與形成於半導體晶圓10之預定方向直交之方向上所形成之分割道也同樣執行雷射光線照射位置之校準。
如上所述，若檢測形成於保持在夾頭台36上之半導體晶圓10之分割道，並且進行雷射光線照射位置之校準，如第6(a)圖所示，將夾頭台36移動到雷射光線照射機構52之聚光器53所處之雷射光線照射領域，將預定之分割道之一端(第6(a)圖中左端)定位於聚光器53之正下方。接著，由聚光器53照射之脈衝雷射光線之聚光點P對準於半導體晶圓10之表面(上面)附近。其次，由雷射光線照射機構52之聚光器53對半導體晶圓照射具有吸收性之波長之脈衝雷射光線，並且以預定之加工傳送速度使夾頭台36、即半導體晶圓10朝第6(a)圖中箭頭X1所示之方向移動。而且，分割道之另一端(第6(b)圖中右端)到達聚光器53之正下方位置後，使脈衝雷射光線之照射停止，並且使夾頭台36之移動停止。該結果係如第6(b)圖所示，半導體晶圓10沿著分割道形成雷射加工溝101(雷射加工溝形成步驟)。
再者，上述雷射加工溝形成步驟係以例如以下之加工條件進行。
雷射光線之光源：YV04雷射或YAG雷射
波長：355nm
重複頻率：50kHz
平均輸出：4W
聚光點徑：φ20μm
加工傳送速度：150mm/秒
上述之雷射加工溝形成步驟中，由聚光器53於半導體晶圓10之表面照射脈衝雷射光線，藉此半導體晶圓會熔融並且發生碎屑等之粉塵。可是，圖示之實施形態中，由於具有上述之粉塵排出機構7，因此如第7圖所示，藉由於半導體晶圓10照射脈衝雷射光線而發生之粉塵110係如上所述，與外部空氣由第2開口722a吸引到吸引源73作動而吸引之集塵室720。另一方面，藉由吸引源73作動而如上所述般，外部空氣由外部空氣吸取通路721b經由第1開口721c而吸引到集塵室720，並且與由第2開口722a吸引之粉塵110一起由排氣口723a排出。如此，藉由吸引源73作動，如上所述，由外部空氣吸取通路721b經由第1開口721c吸引到集塵室720之外部空氣會整流而由排氣口723a排出，因此可有效地將吸引到集塵室720之粉塵110導引到排氣口723a。此時，圖示之實施形態中，形成有第1開口721c之上游側壁721設有由第1開口721c之周緣朝集塵室720逐漸縮徑之整流噴嘴721d，因此吸引到集塵室720之外部空氣更進行整流。因此，可抑制吸引到集塵室720之粉塵110通過第1開口721c而附著於蓋玻璃534或聚光透鏡533。又，圖示之實施形態之粉塵排出機構7中，由空氣供給機構71沿著保護聚光透鏡533之蓋玻璃534之下面、即沿著雷射光線照射方向下游側之面供給空氣，因此可防止粉塵附著於蓋玻璃534。
2．．．靜止基台
3．．．夾頭台機構
31．．．導引軌
32．．．第1滑動塊
321．．．被導引溝
322．．．導引軌
33．．．第2滑動塊
331．．．被導引溝
34．．．圓筒構件
35．．．支持台
36．．．夾頭台
361．．．吸附夾頭
37．．．加工傳送機構
371．．．公螺桿
372．．．脈衝馬達
38．．．第1切割傳送機構
381．．．公螺桿
382．．．脈衝馬達
383．．．軸承塊
4．．．雷射光線照射單元支持機構
41．．．導引軌
42．．．可動支持基台
421．．．移動支持部
422．．．裝設部
423．．．導引軌
43．．．第2切割傳送機構
431．．．公螺桿
432．．．脈衝馬達
5．．．雷射光線照射單元
51．．．單元托座
511．．．被導引溝
52．．．雷射光線加工機構
521．．．殼體
522．．．脈衝雷射光線振盪機構
522a．．．脈衝雷射光線振盪器
522b．．．重複頻率設定機構
523．．．輸出調整機構
53．．．聚光器
531．．．聚光器殼體
531a．．．開口
532．．．方向變換透鏡
533．．．聚光透鏡
534．．．蓋玻璃
535．．．裝設部
535a．．．底壁
535b．．．卡合溝
535c．．．卡合部
535d．．．空氣通路
535e．．．連通路
535f．．．空氣流通開口
54．．．移動機構
542．．．脈衝馬達
6．．．攝像機構/加工領域檢測機構
7．．．粉塵排出機構
71．．．空氣供給機構
72．．．集塵器
720．．．集塵室
721．．．上游側壁
721a．．．卡止突條
721b．．．外部空氣吸取通路
721c．．．第1開口
721d．．．整流噴嘴
722．．．下游側壁
722a．．．第2開口
723．．．外側壁
723a．．．排氣口
73．．．吸引源
10．．．半導體晶圓
101．．．雷射加工溝
110．．．粉塵
第1圖係依據本發明而構成之雷射加工裝置之立體圖。
第2圖係簡略地顯示第1圖所示之雷射加工裝置所裝備之雷射光線照射機構之構成的區塊圖。
第3圖係第1圖所示之雷射加工裝置所裝備之聚光器及粉塵排出機構之立體圖。
第4圖係第3圖所示之聚光器及粉塵排出機構之分解立體圖。
第5圖係第3圖所示之聚光器及粉塵排出機構之截面圖。
第6(a)、(b)圖係藉由第1圖所示之雷射加工裝置實施之雷射加工溝形成步驟的說明圖。
第7圖係實施第6圖所示之雷射加工溝形成步驟之狀態下之粉塵排出機構的截面圖。
10．．．半導體晶圓
110．．．粉塵
36．．．夾頭台
521．．．殼體
53．．．聚光器
531．．．聚光器殼體
531a．．．開口
532．．．方向變換透鏡
533．．．聚光透鏡
534．．．蓋玻璃
535．．．裝設部
535a．．．底壁
535d．．．空氣通路
535e．．．連通路
535f．．．空氣流通開口
7．．．粉塵排出機構
72．．．集塵器
720．．．集塵室
721．．．上游側壁
721b．．．外部空氣吸取通路
721c．．．第1開口
721d．．．整流噴嘴
722．．．下游側壁
722a．．．第2開口
723．．．外側壁
723a．．．排氣口

Claims (3)

  1. 一種雷射加工裝置，具備：用以保持被加工物之夾頭台、及將雷射光線照射於保持在該夾頭台之被加工物之雷射光線照射機構，且該雷射光線照射機構具有：用以振盪雷射光線之雷射光線振盪器；具有將由該雷射光線振盪器振盪之雷射光線聚光之聚光透鏡的聚光器；及配設於該聚光器之雷射光線照射方向下游側之端部的粉塵排出機構，其特徵在於：該粉塵排出機構具有集塵器，且前述集塵器係由：設有可容許由該聚光器照射之雷射光線通過並且吸取空氣之第1開口的上游側壁；設有可容許通過該第1開口照射之雷射光線通過並且吸引粉塵之第2開口的下游側壁；及連接該上游側壁與下游側壁形成集塵室，並且設有將集塵室連通到吸引源之排氣口的外側壁所構成，在該集塵器與該聚光器之間設有將該第1開口連通到外部空氣之外部空氣吸取通路。
  2. 如申請專利範圍第1項之雷射加工裝置，其中於該集塵器之上游側壁設有由該第1開口之周緣朝該集塵室逐漸縮徑之整流噴嘴。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之雷射加工裝置，其中於該聚光器在該聚光透鏡之雷射光線照射方向下游側配設有用以保護聚光透鏡之蓋玻璃，並且設有沿著該蓋玻璃之雷射光線照射方向下游側之面形成且連通於空氣供給機構之空氣通路、以及與該空氣通路連通並且與該第1 開口對向之空氣流通開口。
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