TWI469312B - 晶片堆疊結構及其製作方法 - Google Patents

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Su Tsai Lu
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Description

晶片堆疊結構及其製作方法
本申請是有關於一種半導體技術，且特別是有關於一種晶片堆疊技術。
在現今的資訊社會中，電子產品的設計朝向輕、薄、短、小的趨勢邁進。利用三維晶片整合技術可達成高密度晶片構裝，並具有高效率及低秏能等優點。例如，在強調多功能、小尺寸的可攜式電子產品領域，包括固態硬碟(Solid State Disk/Drive,SSD)或動態隨機存取記憶體(DRAM)等，除可強化高速效能表現，亦可在同樣的I/O數目下，降低晶片運作所需的功率損耗，同時滿足容量、效能與I/O提高的需求。
現行三維晶片整合技術所採用的堆疊製程包括矽晶片穿孔內部互連(through-silicon-via,TSV)製作、微凸塊(micro bump)接點製作、晶圓薄化(wafer thinning)、對準(alignment)、接合(bonding)及點膠等步驟。然而，就晶片/晶圓(chip-to-wafer,COW)接合技術而言，仍存在下列技術瓶頸。例如：接合製程的溫度較高，可能造成較高的結構殘留應力。在進行高密度的晶片封裝時，由於切割道狹小，不利於後續點膠製程的進行。此外，點膠完成之後的模組仍需進行模封(molding)，但由於既有的晶片堆疊是先將晶圓藉由膠材暫時貼附於載具上，再於晶圓上進行晶片的堆疊，因此在完成模封並且進行脫膠(debonding)時，會有部份膠材殘留於凸塊上，影響製程良率。另外，封裝模組與外部之中介基板或線路基板的接合介面容易受到破壞而影響整體產品的可靠度。
本申請提供一種晶片堆疊結構，適於高密度的晶片封裝，具有高製程良率，可縮短製程時間，降低製程成本，並可進行晶圓級模封等優點。
此晶片堆疊結構包括一第一晶片、至少一第二晶片、一黏著材以及一模封材。第一晶片具有一第一表面以及配置於第一表面上的多個第一接點。所述至少一第二晶片堆疊於第一表面上，且每一第二晶片具有面向第一晶片的一第二表面、背對第一晶片的一第三表面以及連接於第二表面與第三表面之間的多個側面。每一第二晶片更包括配置於第二表面上的多個第一凸塊、配置於第三表面上的多個第二凸塊以及連接相應的第一凸塊與第二凸塊的多個第一貫穿電極，其中每一第一凸塊接合至相應的第一接點或另一第二晶片的第二凸塊。此外，黏著材配置於第一晶片以及所述至少一第二晶片中的任兩相鄰晶片之間，以包覆每一第一凸塊及其連接的第一接點或第二凸塊，其中黏著材不完全填滿兩相鄰晶片之間的間隙。模封材配置於第一表面上，以包覆黏著材以及每一第二晶片的側面，且模封材填滿第一晶片以及所述至少一第二晶片中的任兩相鄰晶片之間的間隙。
本申請更提供一種前述晶片堆疊結構的製作方法。此製作方法首先提供一晶圓，此晶圓具有一第一表面以及配置於第一表面上的多個第一接點；並且，提供多個第二晶片，其中每一第二晶片具有一第二表面、相對於第二表面的一第三表面以及連接於第二表面與第三表面之間的多個側面，且每一第二晶片更包括配置於第二表面上的多個第一凸塊、配置於第三表面上的多個第二凸塊以及分別連接相應的第一凸塊與第二凸塊的多個第一貫穿電極。接著，提供一第一黏著材於晶圓的第一表面上或各第二晶片的第二表面上。並且，接合第二晶片至晶圓，其中每一第二晶片的第二表面面向晶圓，且第一凸塊分別連接相應的第一接點。第一黏著材包覆每一第一凸塊及其連接的第一接點，且第一黏著材不完全填滿各第二晶片與晶圓之間的間隙。然後，提供一模封材於第一表面上，以包覆第一黏著材以及每一第二晶片的側面，且模封材填滿各第二晶片與晶圓之間的間隙。之後，裁切模封材與晶圓，使晶圓成為相互獨立的多個第一晶片。
為讓本申請之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖1A繪示本申請之一實施例的一種晶片堆疊結構。本實施例的晶片堆疊結構100是直接在晶圓上進行晶片堆疊，所形成的結構包括做為堆疊基底的第一晶片110，以及堆疊於第一晶片110上的一或多個第二晶片120，其中第一晶片110的厚度大於100微米(μm)，能夠在製程中提供良好的支撐。此外，第一晶片110的尺寸例如大於第二晶片120的尺寸，其中尺寸所指的是晶片的厚度、長度、寬度、面積等參數。
本實施例繪示堆疊多個第二晶片120的情形，然而第二晶片120的數量可隨實際需求變更，不限於本實施例所揭露的內容。以下對晶片堆疊結構作進一步的介紹。
第一晶片110具有第一表面110a以及配置於第一表面110a上的多個第一接點112。在此，第一接點112可能是金屬接墊，或是金屬接墊上的銲料凸塊。每一第二晶片120具有第二表面120a、相對於第二表面120a的第三表面120b以及連接於第二表面120a與第三表面120b之間的多個側面120c。每一第二晶片120還包括位於第二表面120a上的多個第一凸塊122、位於第三表面120b上的多個第二凸塊124以及連接相應的第一凸塊122與第二凸塊124的多個第一貫穿電極126。
此外，圖1A係簡單繪示第一貫穿電極126，其例如是矽晶片穿孔內部互連(through silicon via,TSV)結構，提供垂直貫穿第二晶片120的垂直導電路徑來導通第一凸塊122與第二凸塊124。圖1B更繪示第一貫穿電極126的局部放大圖，其中在第一貫穿電極126的外圍具有貫穿電極絕緣層127，且第二晶片120的第二表面120a與第三表面120b還可能分別形成有第一絕緣層128與第二絕緣層129。貫穿電極絕緣層127連接第一絕緣層128與第二絕緣層129，且貫穿電極絕緣層127、第一絕緣層128以及第二絕緣層129的材質例如是二氧化矽(SiO2 )或高分子材料，如聚醯亞胺(PI)等。所述第一貫穿電極126會貫穿第一絕緣層128與第二絕緣層129，以連接相應的第一凸塊122與第二凸塊124。在一實施例中，矽晶片穿孔內亦可不充填絕緣層127，使第一貫穿電極126與晶片間形成絕緣空隙或空間。
請再參考圖1A，所述多個第二晶片120是以第二表面120a朝向第一晶片110，而依序堆疊於第一晶片110的第一表面110a上。位於第二表面120a上的第一凸塊122對應接合至第一晶片110的第一接點112或另一第二晶片120的第二凸塊124。如此，藉由第一接點112、第一凸塊122、第二凸塊124以及第一貫穿電極126可以導通相互堆疊的第一晶片110與第二晶片120。在此，第一凸塊122與第二凸塊124可採用電鍍、化學沉積等方式來形成，而第一凸塊122與第二凸塊124的材質例如是電鍍金屬或無電鍍金屬。
此外，在相鄰的第一晶片110與第二晶片120之間以及兩相鄰的第二晶片120之間，皆設置有黏著材130，此黏著材130可為膠狀(paste type)或膜狀(film type)，並用以包覆每一第一凸塊122及其連接的第一接點112或另一第二晶片120的第二凸塊124，以確保接合效果。另外，晶片堆疊結構100更包括模封材140，其配置於第一晶片110的第一表面110a上，並且包覆黏著材130以及每一第二晶片120的側面120c，用以保護晶片堆疊結構100，避免外界的水氣或雜質等進入晶片堆疊結構100內部而影響元件的正常運作。本實施例的模封材140更暴露出圖1A中最上層的第二晶片120的第三表面120b，以供晶片堆疊結構100藉由所暴露之第三表面120b上的第二凸塊124電連接到外部元件。另外，本實施例的晶片堆疊結構100可採晶圓級製程施作，即採用晶圓型態的第一晶片110作為堆疊基底來堆疊第二晶片120於其上，並且在形成模封材140之後才對整體結構進行裁切，因此所形成的模封材140的多個側面140c會分別齊平於第一晶片110的多個側面110c。
在本實施例中，黏著材130不需完全填滿兩相鄰晶片110或120之間的間隙；待後續形成模封材140時，再使模封材140填滿所述間隙。更具體而言，黏著材130的作用主要是在保護第一接點112與相應的第一凸塊122之間的接合結構或者第一凸塊122與相應的第二凸塊124之間的接合結構，因此只需將黏著材130配置於特定的位置上，而不需在第一晶片110或第二晶片120上全面塗佈黏著材130。特別是，對黏著材130與模封材140的材質進行設計時，黏著材130的成本可能較高，如此藉由減少黏著材130的用量可以降低製作成本。
更具體而言，在本實施例中，先將黏著材130填入由第一晶片110之第一接點112與第二晶片120之第一凸塊122所形成的接合結構之間的間隙，以及由相鄰第二晶片120之第一凸塊122與第二晶片120之第二凸塊124所形成之接合結構之間的間隙。換言之，使黏著材130包覆第一接點112與第一凸塊122的接合結構以及第一凸塊122與第二凸塊124的接合結構，並且填入該些接合結構之間的中央區域192的間隙，而該些接合結構之外的外圍區域194的間隙並未被黏著材130填滿。之後，再填入模封材140於第一晶片110與第二晶片120間或相鄰兩第二晶片120間的未填滿的間隙，亦即該些接合結構之外的外圍區域194的間隙。
在圖2所示的另一實施例中，也可以選擇將黏著材130點灌在第一晶片110的第一接點112或第二晶片120的第一凸塊122與第二凸塊124上，而在第一接點112與第一凸塊122所形成之接合結構或是第一凸塊122與第二凸塊124所形成之接合結構之間的中央區域192與外圍區域194形成間隙。當抽真空後，再利用模封材140予以模封，使模封材140填入所述中央區域192與外圍區域194的間隙。
另一方面，凸塊122、124或接點112之間的接面對於應力集中可能引發的問題通常較為敏感，容易因為受到應力破壞而導致元件失效。因此，在黏著材130以及模封材140的材質選用上，可能考量熱膨脹係數匹配或材質強度等進行設計。例如：調整黏著材130與模封材140內的填充物(filler)的顆粒尺寸或濃度，其中該填充物可為二氧化矽(silic)、金屬顆粒(metal particle)或是金屬鍍膜的高分子導電顆粒(metal coated polymer particle)等。在本實施例中，黏著材130所包含的第一填充物132的顆粒尺寸小於模封材140所包含的第二填充物142的顆粒尺寸，或者，黏著材130所包含的第一填充物132的重量百分濃度小於模封材140所包含的第二填充物142的重量百分濃度。此乃是由於黏著材130可以有效填入相鄰的第一晶片110與第二晶片120之間以及兩相鄰的第二晶片120之間，因此第一填充物132的顆粒尺寸通常會小於模封材140所包含的第二填充物142的顆粒尺寸。另外，黏著材130可以分散、吸收凸塊122、124或接點112因結構熱膨脹係數不同所導致的應力效應，因此第一填充物132的重量百分濃度較小，使得黏著材130相對於模封材140較有彈性。再者，模封材140可以在外部保護堆疊結構不受到水氣入侵或外力影響使得堆疊結構失效，因此第二填充物142的重量百分濃度重量百分濃度需高於第一填充物132，以提供能阻擋水氣且具有較佳剛性的外部保護。
圖3繪示將晶片堆疊結構100接合至載板的一種封裝結構。如圖3所示，載板310例如是中介基板(interposer)，以作為晶片堆疊結構100與印刷電路板320之間的轉接界面。載板310的承載面310a上具有多個第二接點312。相較於圖1A所示的方向，晶片堆疊結構100被倒置，而以第一晶片110的第一表面110a面向載板310的方向接合至載板310，其中最下層的第二晶片120的第二凸塊124接合至相應的第二接點312。此處的第二接點312可能是金屬接墊，或是金屬接墊上的銲料凸塊。另外，載板310做為中介基板，還可能包括多個第二貫穿電極314以及重佈線路316，其中第二貫穿電極314分別連接相應的第二接點312與重佈線路316，以利晶片堆疊結構100經由載板310連接到印刷電路板320。晶片堆疊結構100與載板310之間的間隙填充有底膠352，以包覆最下層的第二晶片120的第二凸塊124與載板310的第二接點312。載板310藉由多個第三凸塊360連接到印刷電路板320，且載板310與印刷電路板320之間的間隙填充有底膠354，以包覆第三凸塊360。
圖4繪示本申請之另一實施例的晶片堆疊結構400以及將此晶片堆疊結構400接合至載板的封裝結構。本實施例的晶片堆疊結構400類似於圖1A的晶片堆疊結構100，除了：模封材440更覆蓋圖4中最下層的第二晶片420的第三表面420b，以及模封材440上更具有延伸線路450，其貫穿模封材440，以連接相應的第二凸塊424。藉由此延伸線路450可重新分配第二凸塊424的佈局，使模封材440可順利接合至具有不同接點佈局的載板。如圖4所示，本實施例的載板為線路基板490，例如印刷電路板，即本實施例不經過中介基板便可直接將晶片堆疊結構400接合至線路基板490，其中晶片堆疊結構400的延伸線路450藉由多個第三凸塊460連接到線路基板490，且晶片堆疊結構400與線路基板490之間的間隙填充有底膠454，以包覆第三凸塊460。
下文進一步說明本申請之晶片堆疊結構的製作方法。圖5A~5D依序繪示前述實施例之晶片堆疊結構100的製程步驟。圖6為圖5A之晶片堆疊結構的上視圖。在此，採用與圖1A之實施例相同的元件標號來表示相同或類似的元件，且在可能的情況下省略已在前述實施例中敘明的部分內容。
首先，如圖5A與6所示，提供晶圓102，以作為堆疊基底，其中晶圓102可藉由後續的裁切步驟被裁切為多個如圖1A所示的第一晶片110，且晶圓102的第一表面110a上具有第一接點112。此外，提供要堆疊於晶圓102上的多個第二晶片120。每一第二晶片120的相對的第二表面120a與第三表面120b上分別具有第一凸塊122與第二凸塊124，且每一第二晶片120內部具有多個第一貫穿電極126，以分別連接相應的第一凸塊122與第二凸塊124。並且，選擇在晶圓102的第一表面110a上或各第二晶片120的第二表面120a上提供第一黏著材130a，該第一黏著材130a可為膠狀(paste type)或膜狀(film type)。以膠狀之第一黏著材130a為例，圖5A繪示將第一黏著材130a設置於晶圓102的第一表面110a上的情況。
接著，如圖5B所示，接合第二晶片120至晶圓102，其中第二晶片120的第二表面120a面向晶圓102，並使第一凸塊122對應連接第一接點112。在此，例如是藉由第一熱壓製程來接合第二晶片120至晶圓102。接合第二晶片120至晶圓102後，第一黏著材130a會包覆第一凸塊122及其連接的第一接點112，且第一黏著材130a不完全填滿各第二晶片120與晶圓102之間的間隙。
此外，如圖5B所示，還可以選擇繼續堆疊其他第二晶片120於前述第二晶片120上。更具體而言，可以提供另一批第二晶片120於前述已完成接合的第二晶片120上，並且可以選擇提供第二黏著材130b於此另一批第二晶片120的第二表面120a上或前述已完成接合的第二晶片120的第三表面120b上。之後，藉由第二熱壓製程來接合此另一批第二晶片120至前述已完成接合的第二晶片120上，使得相堆疊的兩第二晶片120分別藉由相應的第一凸塊122與第二凸塊124對接。此外，第二黏著材134會包覆相互連接的第一凸塊122與第二凸塊124，且第二黏著材130b不完全填滿相堆疊的兩第二晶片120之間的間隙。如此，重複上述步驟，可以在晶圓102上堆疊多層第二晶片120。
前述形成第一黏著材130a與第二黏著材130b的步驟可以如圖1A或圖2所示，選擇將第一黏著材130a與第二黏著材130b填入接合結構之間的中央區域192的間隙，而不填入接合結構之外的外圍區域194的間隙；或者，僅讓第一黏著材130a與第二黏著材130b包覆接合結構，而不填入接合結構之間的中央區域192的間隙以及接合結構之外的外圍區域194的間隙。
另外，在完成所有第二晶片120的堆疊之後，可以選擇再進行一道第三熱壓製程，以緊密壓合第二晶片與晶圓，確保其接合面的可靠度。更具體而言，本實施例可以選擇在堆疊個別的第二晶片時進行溫度、壓著時間與施加壓力較低的預壓步驟(包括第一熱壓製程與第二熱壓製程)，再於堆疊完成後，對所有的第二晶片120進行溫度、壓著時間與施加壓力相對較高的主壓動作。
然而，在其他實施例中，也可以選擇不區分預壓步驟與主壓步驟。亦即，在堆疊個別的第二晶片時，便採用主壓步驟的製程條件來進行第一熱壓製程與第二熱壓製程。如此，於堆疊完成後，可以省略對所有的第二晶片120的第三熱壓製程。
承上述，完成第二晶片120的堆疊之後，再如圖5C所示，提供模封材140於晶圓102的第一表面110a上，以包覆第一黏著材130a、第二黏著材130b以及每一第二晶片120的側面120c，且模封材140會填滿相堆疊的兩第二晶片120之間或第二晶片120與晶圓102之間的間隙。在此，模封材140更暴露出最上層的第二晶片120的第三表面120b以及位於第三表面120b上的第二凸塊124。
然後，如圖5D所示，裁切模封材140與晶圓102，以形成多個如圖1A所示的晶片堆疊結構100，其中晶圓102被裁切後會成為相互獨立的多個第一晶片110。
在完成前述步驟之後，還可以將晶片堆疊結構100接合至載板，以形成如圖3所示的封裝結構，其中載板310例如是中介基板，以作為晶片堆疊結構100與印刷電路板320之間的轉接界面。晶片堆疊結構100中最下層的第二晶片120的第二凸塊124接合至相應的載板320的第二接點312。此外，晶片堆疊結構100與載板310之間的間隙填充有底膠352，以包覆相連接的第二凸塊124與第二接點312。載板310藉由第三凸塊360連接到印刷電路板320，且載板310與印刷電路板320之間的間隙填充有底膠354，以包覆第三凸塊360。
圖7另繪示如圖4所示之晶片堆疊結構400的製程步驟。所述晶片堆疊結構400可以沿用如圖5A~5D中大部份的步驟，差異在於，在形成模封材440的步驟中，使模封材440更覆蓋最上層的第二晶片420的第三表面420b，即完全覆蓋所有的第二晶片420。之後，再於模封材440上製作延伸線路450，使延伸線路450貫穿模封材440，並連接相應的第二凸塊424。此外，還可於延伸線路450上形成第三凸塊460。
如此，在完成前述步驟之後，便可以將晶片堆疊結構400直接接合至線路基板490，以形成如圖4所示的封裝結構，其中延伸線路450重新分配了第二凸塊424的佈局，使得晶片堆疊結構400可以藉由延伸線路450上的第三凸塊460直接連接到線路基板490，且晶片堆疊結構400與線路基板490之間的間隙填充有底膠454，以包覆第三凸塊460。
綜上所述，本申請的晶片堆疊結構以晶圓作為堆疊基底，來形成晶片堆疊結構。透過此接合架構，不但可達成高密度的電極接合，還可解決目前三維晶片構裝需要中介基板作為轉接界面的技術瓶頸，以克服無法進行高溫接合以及低製程良率的問題。此外，由於製程簡單，且相容於晶圓級製程，因此可以縮短製程時間，降低製程成本。另外，本申請選擇讓黏著材不填滿堆疊的兩晶片之間的間隙，因此可在黏著材的材質選用以及熱膨脹係數匹配或材質強度等設計考量上提供較大的彈性。並且，還可調整黏著材與模封材內的填充物的顆粒尺寸或濃度等，以達到良好的應力緩衝與保護效果。
雖然本申請已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本申請，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本申請之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本申請之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100．．．晶片堆疊結構
102．．．晶圓
110．．．第一晶片
110a．．．第一晶片的第一表面
110c．．．第一晶片的側面
112．．．第一接點
120．．．第二晶片
120a．．．第二晶片的第二表面
120b．．．第二晶片的第三表面
120c．．．第二晶片的側面
122．．．第一凸塊
124．．．第二凸塊
126．．．第一貫穿電極
127．．．貫穿電極絕緣層
128．．．第一絕緣層
129．．．第二絕緣層
130．．．黏著材
130a．．．第一黏著材
130b．．．第二黏著材
132．．．第一填充物
140．．．模封材
140c．．．模封材的側面
142．．．第二填充物
192‧‧‧中央區域
194‧‧‧外圍區域
310‧‧‧載板
310a‧‧‧載板的承載面
312‧‧‧第二接點
314‧‧‧第二貫穿電極
316‧‧‧重佈線路
320‧‧‧印刷電路板
352‧‧‧底膠
354‧‧‧底膠
360‧‧‧第三凸塊
400‧‧‧晶片堆疊結構
420‧‧‧第二晶片
420b‧‧‧第二晶片的第三表面
424‧‧‧第二凸塊
440‧‧‧模封材
450‧‧‧延伸線路
454‧‧‧底膠
460‧‧‧第三凸塊
490‧‧‧線路基板
圖1A繪示本申請之一實施例的一種晶片堆疊結構。
圖1B繪示圖1A之第一貫穿電極的局部放大圖。
圖2繪示本申請之另一實施例的晶片堆疊結構。
圖3繪示將圖1A之晶片堆疊結構接合至載板的一種封裝結構。
圖4繪示本申請之另一實施例的晶片堆疊結構以及將此晶片堆疊結構接合至載板的封裝結構。
圖5A~5D依序繪示前述實施例之晶片堆疊結構的製程步驟。
圖6為圖5A之晶片堆疊結構的上視圖。
圖7繪示圖4所示之晶片堆疊結構的製程步驟。
100．．．晶片堆疊結構
110．．．第一晶片
110a．．．第一晶片的第一表面
110c．．．第一晶片的側面
112．．．第一接點
120．．．第二晶片
120a．．．第二晶片的第二表面
120b．．．第二晶片的第三表面
120c．．．第二晶片的側面
122．．．第一凸塊
124．．．第二凸塊
126．．．第一貫穿電極
130．．．黏著材
132．．．第一填充物
140．．．模封材
140c．．．模封材的側面
142．．．第二填充物
192．．．中央區域
194．．．外圍區域

Claims (29)

  1. 一種晶片堆疊結構，包括：一第一晶片，具有一第一表面以及配置於該第一表面上的多個第一接點；至少一第二晶片，堆疊於該第一表面上，且每一第二晶片具有面向該第一晶片的一第二表面、背對該第一晶片的一第三表面以及連接於該第二表面與該第三表面之間的多個側面，每一第二晶片更包括：多個第一凸塊，配置於該第二表面上；多個第二凸塊，配置於該第三表面上，且每一第一凸塊接合至相應的該第一接點或另一第二晶片的該第二凸塊；以及多個第一貫穿電極，分別連接相應的該些第一凸塊與該些第二凸塊；一黏著材，配置於該第一晶片以及該至少一第二晶片中的任兩相鄰晶片之間，以包覆每一第一凸塊及其連接的該第一接點或另一第二晶片的該第二凸塊，其中該黏著材不完全填滿該兩相鄰晶片之間的間隙；以及一模封材，配置於該第一表面上，以包覆該黏著材以及每一第二晶片的該些側面，且該模封材填滿該第一晶片以及該至少一第二晶片中的任兩相鄰晶片之間的間隙，其中該黏著材包含一第一填充物，該模封材包含一第二填充物，且該第一填充物的重量百分濃度小於該第二填充物的重量百分濃度。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之晶片堆疊結構，其中 該黏著材包含一第一填充物，該模封材包含一第二填充物，且該第一填充物的顆粒尺寸小於該第二填充物的顆粒尺寸。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之晶片堆疊結構，更包括一載板，具有一承載面以及位於該承載面上的多個第二接點，該第一晶片的該第一表面面向該載板，且該至少一第二晶片位於該第一晶片與該載板之間，其中最外側的該第二晶片的該些第二凸塊接合至相應的該些第二接點。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之晶片堆疊結構，更包括一底膠，配置於該載板與最外側的該第二晶片之間。
  5. 如申請專利範圍第3項所述之晶片堆疊結構，其中該載板更包括多個第二貫穿電極，分別連接相應的該些第二接點。
  6. 如申請專利範圍第3項所述之晶片堆疊結構，其中該載板包括一線路基板(circuit substrate)或一中介基板(interposer)。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之晶片堆疊結構，其中該些第一凸塊與該些第二凸塊的材質包括電鍍金屬或無電鍍金屬。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之晶片堆疊結構，其中每一第二晶片更包括一第一絕緣層，位於該第二表面與該些第一凸塊之間，且該些第一貫穿電極貫穿該第一絕緣層，以連接相應的該些第一凸塊。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之晶片堆疊結構，其中 每一第二晶片更包括一第二絕緣層，位於該第三表面與該些第二凸塊之間，且該些第一貫穿電極貫穿該第二絕緣層，以連接相應的該些第二凸塊。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之晶片堆疊結構，其中該模封材暴露出最遠離該第一晶片的該第二晶片的該第三表面。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之晶片堆疊結構，其中該模封材的多個側面分別齊平於該第一晶片的多個側面。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之晶片堆疊結構，其中該第一晶片的厚度大於100微米(μm)。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之晶片堆疊結構，其中該第一晶片的尺寸大於該第二晶片的尺寸。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之晶片堆疊結構，其中該模封材更覆蓋最遠離該第一晶片的該第二晶片的該第三表面。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之晶片堆疊結構，更包括一延伸線路，配置於該模封材上，並且貫穿該模封材，以連接相應的該些第二凸塊。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之晶片堆疊結構，更包括多個第三凸塊，配置於該模封材上，並且連接該延伸線路。
  17. 如申請專利範圍第1項所述之晶片堆疊結構，其中每一第一凸塊分別與相應的該第一接點或該第二凸塊形成一接合結構，且該黏著材填入該些接合結構之間的一中 央區域的間隙，並且未填滿該些接合結構之外的一外圍區域的間隙。
  18. 如申請專利範圍第1項所述之晶片堆疊結構，其中每一第一凸塊分別與相應的該第一接點或該第二凸塊形成一接合結構，且該黏著材未填滿該些接合結構之間的一中央區域的間隙，並且未填滿該些接合結構之外的一外圍區域的間隙。
  19. 一種晶片堆疊結構的製作方法，包括：(1)提供一晶圓，該晶圓具有一第一表面以及配置於該第一表面上的多個第一接點；(2)提供多個第二晶片，其中每一第二晶片具有一第二表面、相對於該第二表面的一第三表面以及連接於該第二表面與該第三表面之間的多個側面，且每一第二晶片更包括配置於該第二表面上的多個第一凸塊、配置於該第三表面上的多個第二凸塊以及分別連接相應的該些第一凸塊與該些第二凸塊的多個第一貫穿電極；(3)提供一第一黏著材於該晶圓的該第一表面上或各該第二晶片的該第二表面上；(4)接合該些第二晶片至該晶圓，其中每一第二晶片的該第二表面面向該晶圓，且該些第一凸塊分別連接相應的該些第一接點，該第一黏著材包覆每一第一凸塊及其連接的該第一接點，且該第一黏著材不完全填滿各該第二晶片與該晶圓之間的間隙；(5)提供一模封材於該第一表面上，以包覆該第一黏著材以及每一第二晶片的該些側面，且該模封材填滿各該第二晶片與該晶圓之間的間隙，其中該第一黏著材包含一 第一填充物，該模封材包含一第二填充物，且該第一填充物的重量百分濃度小於該第二填充物的重量百分濃度；以及(6)裁切該模封材與該晶圓，使該晶圓成為相互獨立的多個第一晶片。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之晶片堆疊結構的製作方法，其中該步驟(4)係藉由一第一熱壓製程來接合該些第二晶片至該晶圓。
  21. 如申請專利範圍第19項所述之晶片堆疊結構的製作方法，更包括在步驟(4)與(5)之間進行下列步驟：(7)重複步驟(2)，以提供另一批第二晶片；(8)提供一第二黏著材於該另一批第二晶片的第二表面上或前一批第二晶片的第三表面上；以及(9)堆疊該另一批第二晶片至該前一批第二晶片上，其中該另一批第二晶片分別藉由該第二表面上的第一凸塊接合至該前一批第二晶片的該第三表面上的第二凸塊，該第二黏著材包覆該另一批第二晶片的第一凸塊以及該前一批第二晶片的第二凸塊，且該第二黏著材不完全填滿該另一批第二晶片與該前一批第二晶片之間的間隙。
  22. 如申請專利範圍第21項所述之晶片堆疊結構的製作方法，更包括重複步驟(7)~(9)至少一次。
  23. 如申請專利範圍第21項所述之晶片堆疊結構的製作方法，其中該步驟(9)係藉由一第二熱壓製程來堆疊該另一批第二晶片至該前一批第二晶片上。
  24. 如申請專利範圍第23項所述之晶片堆疊結構的製作方法，其中在步驟(5)之前更包括： 對該晶圓以及所有的該些第二晶片同時進行一第三熱壓製程。
  25. 如申請專利範圍第24項所述之晶片堆疊結構的製作方法，其中該第三熱壓製程的溫度、壓著時間與施加壓力皆大於該第一熱壓製程與該第二熱壓製程。
  26. 如申請專利範圍第19項所述之晶片堆疊結構的製作方法，更包括：提供一載板，該載板具有一承載面以及位於該承載面上的多個第二接點；以及將該第一晶片的該第一表面面向該載板，並且將最外側的該第二晶片的該些第二凸塊接合至相應的該些第二接點。
  27. 如申請專利範圍第26項所述之晶片堆疊結構的製作方法，更包括提供一底膠於該載板與最外側的該第二晶片之間。
  28. 如申請專利範圍第19項所述之晶片堆疊結構的製作方法，其中該模封材更覆蓋最遠離該第一晶片的該第二晶片的該第三表面，且該製作方法更包括：製作一延伸線路於該模封材上，其中該延伸線路貫穿該模封材，以連接相應的該些第二凸塊。
  29. 如申請專利範圍第28項所述之晶片堆疊結構的製作方法，更包括：提供多個第三凸塊於該模封材上，該些第三凸塊連接該延伸線路。
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