TWI465541B - Insulating tape for semiconductor wafer surface protection - Google Patents

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TWI465541B TW099145115A TW99145115A TWI465541B TW I465541 B TWI465541 B TW I465541B TW 099145115 A TW099145115 A TW 099145115A TW 99145115 A TW99145115 A TW 99145115A TW I465541 B TWI465541 B TW I465541B
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Hirotoki Yokoi
Yoshifumi Oka
Shozo Yano
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Furukawa Electric Co Ltd
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Description

半導體晶圓表面保護用黏著帶
本發明係關於一種半導體晶圓表面保護用黏著帶。更詳細而言，本發明係關於一種將半導體晶圓研削成薄膜時所使用之半導體晶圓表面保護用黏著帶。
半導體封裝係將高純度單晶矽等切片而製成半導體晶圓後，藉由離子植入、蝕刻等在該晶圓表面形成積體電路而製造。藉由對形成有積體電路之半導體晶圓背面進行研削、研磨等，將半導體晶圓製成所需厚度。此時，為保護形成於半導體晶圓表面之積體電路，而使用半導體晶圓表面保護用黏著帶。經背面研削之半導體晶圓於背面研削結束後收納於晶圓盒中，並輸送至切割步驟，加工成半導體晶片。
以往，藉由背面研削使半導體晶圓之厚度薄至200～400μm左右。然而，隨著近年來高密度構裝技術之進步，必需使半導體晶片小型化，半導體晶圓之薄厚化不斷推進。根據半導體晶片之種類，必需使其薄至100μm左右。又，為了增加可藉由一次加工而製造之半導體晶片之數量，故晶圓之直徑亦有大型化之傾向。迄今為止直徑為5英吋或6英吋之晶圓為主流，相對於此，近年來由直徑8～12英吋之半導體晶圓加工成半導體晶片成為主流。
半導體晶圓之薄厚化及大徑化之趨勢尤其於存在NAND型或NOR型之快閃記憶體之領域、或揮發性記憶體之DRAM等領域中具有顯著之傾向。例如，使用直徑12英吋之半導體晶圓，將其研削至150μm之厚度以下的情況並不罕見。於將大口徑之半導體晶圓研削至薄厚之情形時，晶圓之剛性下降，容易產生翹曲。
通常，半導體晶圓係由機械臂自被稱為晶圓盒之專用箱中一片一片取出，並由位於研削機器內之半導體晶圓固定用夾具保持，從而進行背面研削。經背面研削之半導體晶圓由機械臂收納於晶圓盒中，並搬送至下一步驟。若當由半導體晶圓固定用夾具保持時半導體晶圓之翹曲大，則會有半導體晶圓無法順利吸附之情形，或最壞情形時半導體晶圓破損。又，若當收納於晶圓盒中時半導體晶圓之翹曲大，則會有機械臂與收納後之半導體晶圓接觸，而使半導體晶圓破損之問題。
因此，提出有不將研削後之薄型晶圓收納於晶圓盒中，而自背面研削步驟至切割帶構裝步驟總括實施之裝置(連續式裝置)。又，提出有藉由提高晶圓固定夾具或機械臂等之性能，而即使晶圓翹曲亦難以受其影響之方法。
另一方面，提出有如下之方法：於將半導體晶圓表面保護用黏著帶貼合於半導體晶圓時，藉由降低施加於半導體晶圓之應力，而減少半導體晶圓之翹曲。例如於專利文獻1中，提出有基材與設置於該基材之應力緩和性膜上之黏著劑層所構成之半導體晶圓加工用黏著片，其中該基材係通過可剝離之接著劑層積層剛性膜與應力緩和性膜而成。
又，於專利文獻2中，提出一種在基材與黏著劑層之間含有具有特定範圍之儲存彈性模數之中間層的加工用黏著片，於專利文獻3中，提出一種基材膜由至少3層構成，且該基材膜之表背之最外層與內層的儲存彈性模數分別在特定範圍內的半導體晶圓保護用黏著膜。並且於專利文獻4中，提出有一種積層有特定材料之多層片。
然而，於使用專利文獻1之半導體晶圓表面保護用黏著帶時，在進行半導體晶圓加工後，必需進行於可剝離之接著劑層與剛性膜之界面、可剝離之接著劑層與應力緩和性膜之界面、或構成可剝離之接著劑層之層之內部進行剝離的繁雜步驟。又，黏著劑層及應力緩和層係由數層重疊而成，緩衝性過剩，因此於將半導體晶圓研削至50μm厚以下時，產生晶圓裂縫之可能性高。
又，於將專利文獻2之半導體晶圓加工用黏著片之半導體晶圓保護用黏著片貼合於形成有聚醯亞胺膜之半導體晶圓，進行半導體晶圓之背面研削時，若半導體晶圓之厚度在100μm以下，則會有塗佈於半導體晶圓表面之絕緣膜收縮，因此使得半導體晶圓本身亦翹曲之情形。於此情形時，將半導體晶圓保持於晶圓固定用夾具時，會有半導體晶圓脫落之問題。
並且，於將專利文獻3之半導體晶圓加工用黏著片貼合於形成有聚醯亞胺膜之半導體晶圓，進行半導體晶圓之背面研削之情形時，雖然於搬送附有黏著片之晶圓之方面不會有問題，但於將半導體晶圓研削至50μm厚以下之薄膜之情形時，會有產生邊緣裂痕或晶圓裂縫之情形。
專利文獻1：日本特開2003-261842號公報
專利文獻2：日本特開2004-107644號公報
專利文獻3：日本特開2002-69396號公報
專利文獻4：日本特開2006-264296號公報
本發明之課題在於提供一種半導體晶圓表面保護用黏著帶，即使於將該半導體晶圓表面保護用黏著帶貼合於半導體晶圓之狀態下對該晶圓背面進行研削，亦可製成薄膜，例如100μm以下之薄膜晶圓。
本發明人等對上述課題進行潛心研究。其結果發現如下之半導體晶圓表面保護用黏著帶可解決上述課題，該半導體晶圓表面保護用黏著帶係通過基材樹脂膜與於該基材樹脂膜上含有丙烯酸聚合物及/或聚胺酯丙烯酸酯(polyurethane acrylate)之基礎樹脂成分交聯而成之中間樹脂層而直接具有黏著劑層者，從特定條件下測量該半導體晶圓表面保護用黏著帶而得之環剛度(loop stiffness)之負載荷重所求出的每單位寬度之斥力α與排斥係數γ位於特定範圍內，且縱方向與橫方向之拉伸斷裂伸長率之差在特定之值以下。本發明係基於此見解而完成者。
即，本發明提供以下之發明。
＜1＞一種半導體晶圓表面保護用黏著帶，其係通過基材樹脂膜與於該基材樹脂膜上含有丙烯酸聚合物及/或聚胺酯丙烯酸酯之基礎樹脂成分交聯而成之中間樹脂層而直接具有黏著劑層者，其特徵在於：從以下述條件(a)～(d)測量該半導體晶圓表面保護用黏著帶而得之環剛度之負載荷重所求出的每單位寬度之斥力α，除以基材厚度β之平方所得之排斥係數γ在100mN/mm3 以上，斥力α在13mN/mm以下，且縱方向與橫方向之拉伸斷裂伸長率之差在35%以下。
(a)裝置
環剛度試驗機(商品名，東洋精機公司製造)
(b)環(試驗片)形狀
長度50mm以上、寬度10mm
(c)壓頭之壓入速度
3.3mm/sec
(d)壓頭之壓入量
自壓頭與環接觸之時刻起壓入5mm
＜2＞如＜1＞之半導體晶圓表面保護用黏著帶，其中，上述中間樹脂層之丙烯酸聚合物具有羥基及羧基。
＜3＞如＜1＞之半導體晶圓表面保護用黏著帶，其中，上述中間樹脂層之聚胺酯丙烯酸酯具有羥基及羧基。
＜4＞如＜1＞至＜3＞中任一項之半導體晶圓表面保護用黏著帶，其中，上述中間樹脂層之交聯後之玻璃轉移溫度為-10℃～30℃。
＜5＞如＜1＞至＜4＞中任一項之半導體晶圓表面保護用黏著帶，其中，上述基材樹脂膜為聚酯樹脂膜。
＜6＞如＜5＞之半導體晶圓表面保護用黏著帶，其中，上述聚酯樹脂膜為聚對酞酸乙二酯膜。
＜7＞如＜5＞或＜6＞之半導體晶圓表面保護用黏著帶，其中，上述聚酯樹脂膜之厚度為25～75μm。
＜8＞如＜1＞至＜7＞中任一項之半導體晶圓表面保護用黏著帶，其中，上述半導體晶圓表面保護用黏著帶為感壓型黏著帶，20～25℃下之對SUS研磨面之黏著力在0.5N/25mm以上，且50℃下之對SUS研磨面之黏著力在0.5N/25mm以下。
＜9＞如＜8＞之半導體晶圓表面保護用黏著帶，其中，構成上述黏著劑層之基礎樹脂之重量平均分子量在100萬以上。
＜10＞如＜1＞至＜7＞中任一項之半導體晶圓表面保護用黏著帶，其中，上述黏著劑層會因為照射放射線而使得黏著力變低。
＜11＞如＜10＞之半導體晶圓表面保護用黏著帶，其中，上述黏著劑層係使用以下述聚合物作為主成分的基礎樹脂而成，該下述聚合物含有對主鏈具有1個以上含放射線聚合性碳-碳雙鍵之基的丙烯酸系單體作為構成單元。
即使於將本發明之半導體晶圓表面保護用黏著帶貼合於半導體晶圓表面之狀態下對該晶圓背面進行研削，而製成100μm以下之薄膜晶圓之情形時，亦可降低該半導體晶圓之翹曲。因此，可減少因半導體晶圓之翹曲所引起之搬送晶圓時之脫落失誤，可無阻礙地實施至下一步驟即切割帶或切割、晶片接合膜之構裝及表面保護帶之剝離為止。本發明之半導體晶圓表面保護用黏著帶可用於如DRAM或NAND快閃之必需進行薄膜研削的半導體晶圓加工。
本發明之上述及其他特徵及優點可參照適當隨附之圖式，而從下述記載可更加清楚。
參照圖式，對本發明之較佳之半導體晶圓表面保護用黏著帶進行說明。
圖1，係表示本發明之半導體晶圓表面保護用黏著帶之較佳之一實施形態的概略剖面圖。從圖1可知，基材樹脂膜1與基材樹脂膜1上黏著劑層2通過中間樹脂層3而形成於基材樹脂膜1上。
本發明之半導體晶圓表面保護黏著帶，即使於將附有以聚醯亞胺為代表之絕緣膜之半導體晶圓研削成薄膜之情形時，亦可抑制半導體晶圓之翹曲量。通常，於半導體晶圓之表面形成數μm左右之聚醯亞胺等絕緣膜。該絕緣膜由於大多藉由加熱等而交聯，因此於半導體晶圓表面之絕緣膜上有時存在殘留應力。然而，半導體晶圓之背面研削前，半導體晶圓較厚，且具有剛性，因此不會因殘留應力而導致半導體晶圓翹曲。然而，若將半導體晶圓研削為較薄，則半導體晶圓本身之剛性下降。而因此產生如下之現象：由將聚醯亞胺膜為代表之絕緣膜交聯時之熱收縮等引起之殘留應力超過半導體晶圓之剛性，半導體晶圓本身翹曲。於將本發明之半導體晶圓表面保護用黏著帶貼合於晶圓表面而進行研削之情形時，本發明之黏著帶發揮超過上述絕緣膜之殘留應力之翹曲矯正率，從而可降低研削後之半導體晶圓之翹曲。
本發明之半導體晶圓表面保護用黏著帶，係於進行半導體晶圓之背面研削之後剝離。本發明之半導體晶圓表面保護用黏著帶，其從以下述條件下測得之環剛度所求出的單位寬度之斥力α，除以基材厚度β之平方所得之排斥係數γ在100N/mm3 以上，斥力α在18N/mm以下，且縱方向與橫方向之拉伸斷裂伸長率之差在35%以下。
只要排斥係數在此範圍內，則可將本發明之半導體晶圓表面保護用黏著帶捲取成輥狀。於排斥係數γ過小之情形時，由於矯正晶圓本身之翹曲之力少，故欠欠佳。另一方面，若斥力α過大，則帶之剛性變得過強，將帶剝離時帶本身難以彎曲，薄膜研削後之晶圓容易破裂，故欠佳。斥力α為18N/mm以下時，可獲得良好之剝離性能，較佳為10N/mm以下，更佳為8N/mm以下。就抑制撓曲之方面而言，斥力α較佳為1N/mm以上。
又，即使半導體晶圓表面保護用黏著帶具有可抑制研削後之半導體晶圓之翹曲的剛性，若該黏著帶自身翹曲，則會產生貼合有該黏著帶之半導體晶圓翹曲的結果。於此情形時，於貼合有該黏著帶之狀態下搬送半導體晶圓時會發生搬送錯誤，或有半導體晶圓之邊緣部翹曲之情形。因此，有於半導體晶圓研削時該晶圓晃動而產生邊緣碎屑或邊緣裂痕之情形。因此，為了抑制半導體晶圓表面保護用黏著帶本身之翹曲，而將縱方向與橫方向之拉伸斷裂伸長率之差設為35%以下。藉此可降低黏著帶自身之翹曲。
所謂本發明中之環剛度，係指評價帶狀試驗片之排斥係數及斥力之指標。環剛度可根據使本發明之半導體晶圓表面保護用黏著帶為環狀，以壓頭按壓該環狀試驗片而使環變形時從施加於壓頭之荷重而獲得。
本發明中之環剛度，例如可使用環剛度試驗機(商品名，東洋精機公司製造)進行測量。環剛度係藉由以下之條件(a)～(c)測量。
(a)環(試驗片)形狀
長度50mm以上、寬度10mm
(b)壓頭之壓入速度
3.3mm/sec
(c)壓頭之壓入量
自壓頭與環接觸之時刻起壓入5mm
本發明中之半導體晶圓表面保護用黏著帶之斥力α，係指以試驗片之每單位寬度換算由上述(c)獲得之負載荷重而得者。又，半導體晶圓表面保護用黏著帶之排斥係數γ，係指將該斥力α除以試驗片之基材樹脂膜之平方所得之值。
如圖1所示，本發明之半導體晶圓表面保護用黏著帶20，於基材樹脂膜1與黏著劑層2之間具有後述之特定中間樹脂層3。亦可進一步於黏著劑層2上積層剝離膜(未圖示)。
圖1所示之本發明之半導體晶圓表面保護用黏著帶，例如可藉由下述方式製造：將構成中間樹脂層2之組成物塗佈於剝離膜上，加以乾燥，而獲得中間樹脂層，然後將該中間樹脂層轉印於基材膜1上；藉由將中間樹脂層組成物直接塗佈於基材樹脂膜1而形成中間樹脂層3，然後同樣地將黏著劑層2轉印於中間樹脂層3上；或直接塗佈。
中間樹脂層組成物之基礎樹脂成分，就耐熱性之觀點而言，可使用丙烯酸聚合物。丙烯酸聚合物，可舉出將以下之(甲基)丙烯酸酯單體或(甲基)丙烯酸環烷基酯作為構成成分者。作為單體使用之(甲基)丙烯酸烷基酯，例如可舉出：甲酯、乙酯、丙酯、異丙酯、丁酯、異丁酯、第二丁酯、第三丁酯、戊酯，異戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、異辛酯、壬酯、癸酯、異癸酯、十一烷基酯、十二烷基酯、十三烷基酯、十四烷基酯、十六烷基酯、十八烷基酯、二十烷基酯、苄酯等碳數1～30，尤其為碳數1～18之(甲基)烷基酯等。作為單體使用之(甲基)丙烯酸環烷基酯，例如可舉出環戊酯、環己酯等。可將以此等單體之1種或2種以上之單體作為構成成分使用之丙烯酸聚合物使用作為中間樹脂成分之基礎樹脂成分。就增大交聯點間距離而提高可撓性之觀點而言，尤佳為甲基丙烯酸正丁酯(n-BMA)。此等(甲基)丙烯酸酯單體較佳為於丙烯酸聚合物中作為主成分之構成成分(例如90～100%)。
作為上述中間樹脂層組成物之基礎樹脂成分使用的丙烯酸聚合物，可舉出以可與上述(甲基)丙烯酸烷基酯或環烷基酯共聚合之其他單體作為構成成分的丙烯酸共聚物。作為該例，可使用以下之單體1種或2種以上。
(1)含羧基之單體
丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧基乙酯、丙烯酸羧基戊酯、亞甲基丁二酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸、丁烯酸等含羧基之單體
(2)酸酐單體
順丁烯二酸酐、亞甲基丁二酸酐等酸酐單體
(3)含羥基之單體
(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯、丙烯酸(4-羥基甲基環己基)甲酯等含羥基之單體
並且，除上述單體以外，可使用以下多官能性之單體。例如可舉出：己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等。此等多官能性單體亦可使用1種或2種以上。
上述丙烯酸聚合物，較佳為具有羥基與羧基。丙烯酸聚合物之羥值較佳為1～30，更佳為1～10。此處所謂之羥值，係指藉由根據JIS K 0070之方法測得之值。又，丙烯酸聚合物之酸值較佳為1～20，更佳為1～15。此處，酸值係指藉由JIS K 5407所記載之方法測得之值。
羥基會與後述作為交聯劑使用之異氰酸酯交聯劑或異三聚氰酸酯(isocyanurate)交聯劑反應而使中間樹脂層交聯。又，羧基會與後述作為交聯劑使用之環氧交聯劑反應而使中間樹脂層交聯。
丙烯酸聚合物可藉由將1種或2種以上之單體混合物進行聚合而獲得。聚合可藉由溶液聚合、乳化聚合、塊狀聚合、懸浮聚合等任一種方式進行。丙烯酸聚合物之重量平均分子量較佳為5萬以上，更佳為10萬～100萬左右。此處，丙烯酸聚合物之重量平均分子量可藉由後述之方法而測定。於中間樹脂層組成物中，只要為與丙烯酸聚合物相溶性良好者，則可摻合其他樹脂。
藉由將上述丙烯酸聚合物交聯，可對上述中間樹脂層附加凝聚力。藉由對中間樹脂層附加凝聚力，則即使將半導體晶圓之厚度研削至100μm以下之後半導體晶圓之翹曲力增加，中間樹脂層亦直接存在於基材樹脂膜層與黏著劑層之間，藉此可抑制半導體晶圓之翹曲。尤其於在半導體晶圓表面形成聚醯亞胺膜之情形時，亦可發揮該效果。因此，於中間樹脂層組成物中摻合交聯劑。交聯劑，如上所述，對應於基礎樹脂成分，例如可舉出：異氰酸酯交聯劑、異三聚氰酸酯交聯劑、環氧交聯劑、金屬螯合物交聯劑、氮丙啶交聯劑及胺樹脂等。並且，於中間樹脂層組成物中，可於不損及本發明之目的之範圍內，根據期望而含有各種添加成分。
又，中間樹脂層組成物，除上述丙烯酸聚合物以外，可使用聚胺酯丙烯酸酯。聚胺酯丙烯酸酯，可舉出將以下之(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯單體作為構成成分者。例如可舉出：(甲基)丙烯酸異莰基酯、(甲基)丙烯酸二環戊烯基酯、丙烯酸酯苯基羥基丙酯等。此等可使用1種或2種以上。當形成中間層時，亦可將丙烯酸胺基甲酸酯系寡聚物以光聚合性單體加以稀釋，塗佈並使其乾燥，藉由紫外線照射等而使其發揮效果，此方法適合作為中間層之製膜方法。
聚胺酯丙烯酸酯較佳為具有羥基及羧基。聚胺酯丙烯酸酯之羥值較佳為1～30，更佳為1～10。此處，羥值係指藉由以下之JIS K 0070測得之值。又，聚胺酯丙烯酸酯之酸值較佳為1～20，更佳為1～15。此處，酸值係指藉由JIS K 5601-2-1中所記載之方法測得之值。
(羥值之測定方法(JIS K 0070))
(1)所使用之試劑
‧　乙醯化試劑(乙酸酐-吡啶)
‧　N/2氫氧化鉀-乙醇溶液
(2)滴定方法
將試樣以乙醯化試劑加以乙醯化之後，以N/2氫氧化鉀-乙醇溶液滴定過剩之乙酸。
(3)計算式
藉由下式求出羥值。
羥值=((VB-V)×F×28.5)/S
其中：
V：該試驗之N/2氫氧化鉀-乙醇溶液之滴定量(mL)
VB：空白試驗之N/2氫氧化鉀-乙醇溶液之滴定量(mL)
F：N/2氫氧化鉀-乙醇溶液之係數
S：試樣採集量(g)
AV：試樣之酸值(mgKOH/g)
羥基會與後述作為交聯劑使用之異氰酸酯系交聯劑或異三聚氰酸酯系交聯劑反應而使中間樹脂層交聯。又，羧基會與後述作為交聯劑使用之環氧系交聯劑反應而使中間樹脂層交聯。於使用聚胺酯丙烯酸酯作為中間樹脂層之情形時，與上述丙烯酸聚合物之情形相同，亦可對中間樹脂層附加凝聚力，尤其即使於在將厚度研削至100μm以下之半導體晶圓表面形成聚醯亞胺膜之情形時，亦可發揮該效果。
藉由本發明之半導體晶圓表面保護用黏著帶之中間樹脂層，對基材樹脂膜具有緩衝性，並且可緩和該黏著帶貼合時所施加之張力。中間樹脂層較佳為相較於黏著劑層，彈性模數更高者。
為了具有常溫下之剛性，交聯後之中間樹脂層之藉由DSC而得之玻璃轉移點(Tg)之較佳範圍為-10℃～30℃，更佳為0℃～20℃。若中間層之交聯後之玻璃轉移溫度過低，則半導體晶圓表面保護用黏著帶具有柔軟性，故有緩衝性提高，但薄膜研削性下降之情形。於乾式拋光等之薄膜晶圓之最後精加工步驟中，對半導體晶圓施加高壓力。若薄膜研削性低，則於該高壓力下，由於表面保護用黏著帶之下沈效果而導致半導體晶圓破裂。尤其於將半導體晶圓研削至50μm以下之厚度時，為了提高半導體晶圓之強度而將背面精加工成鏡面狀態，因此進行乾式拋光、化學機械拋光或超細研磨(poligrinding)等，從而有因表面保護用黏著帶下沈而引起之裂縫變多之情形。
另一方面，若中間樹脂層之交聯後之玻璃轉移溫度過高，則緩衝性下降，當對附有圖案之晶圓進行加工時，有時會使得半導體晶圓發生裂縫。又，亦可對中間樹脂層組成物使用藉由放射線照射而硬化之材料，藉由放射線照射使其硬化而調整中間樹脂層之硬度。
就背面研削步驟中之緩衝性觀點而言，中間樹脂層之厚度較佳為10～100μm，更佳為20～80μm，再更佳為30～70μm。若中間樹脂層過薄，則背面研削步驟時之緩衝性變小，若中間樹脂層過厚，則薄膜研削時晶圓由於下沈效果而自中央部裂縫之機率變高。該現象於在薄膜研削時所使用之拋光步驟中尤其顯著，係認為是由於與研削步驟相比，此等對晶圓施加之壓力高的緣故。中間樹脂層亦可為積層有複數層之構成。
基材樹脂膜，係指構成本發明之半導體晶圓表面保護用黏著帶之材料(種類)中彈性模數最高之層。基材樹脂膜可保護其免受進行半導體晶圓之背面研削加工或背面研磨加工時衝擊之影響，並且可抑制半導體晶圓之翹曲。尤其，基材樹脂膜必需具有半導體晶圓之背面研削加工或背面研磨加工時對水洗等之耐水性，並且必需具有僅可保持半導體晶圓之柔軟性。更重要為：對於由半導體晶圓上之聚醯亞胺等絕緣膜中的殘留應力所引起之半導體晶圓之翹曲應力，可發揮矯正力。基材樹脂膜，只要為滿足此等特性者，則無特別限制。尤其就可矯正薄膜研削後之半導體晶圓翹曲之方面而言，較佳為由含有聚對酞酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)等聚酯系樹脂之樹脂組成物所構成者或聚醯亞胺。更佳為PET或PEN。若將聚酯系樹脂用於相對於黏著劑層為相反側之最外層，則亦可同時賦予耐熱性，故較佳。於此情形時，於將本發明之半導體晶圓表面保護用黏著帶貼合於半導體晶圓表面之狀態下，以該帶之基材樹脂膜面吸附於半導體晶圓保持構件(例如工作盤)時，即使於該半導體晶圓背面貼合切割黏晶帶時進行加熱，亦可減少該表面保護用黏著帶向工作盤融合之情形。因此可減少晶圓裂縫。
又，於聚酯系樹脂中，可使用摻合有比聚酯系樹脂更具柔軟性之樹脂而成之樹脂組成物作為基材樹脂膜。藉由製成摻合有2種以上之樹脂的樹脂組成物，可製成具有剛性及柔軟性之基材。例如，基材樹脂膜，可使用聚酯系樹脂中摻合有熱塑性彈性體之樹脂組成物。
於此情形時，較佳為貼合有本發明之半導體晶圓表面保護用黏著帶的附有8英吋聚醯亞胺膜之半導體晶圓之翹曲矯正率為75%以下，且於表面形成有聚醯亞胺膜之8英吋直徑之半導體晶圓表面貼合表面保護用黏著帶，貼合有將該半導體晶圓背面研削至50μm厚後之該黏著帶的該8英吋直徑晶圓之順向翹曲量為20mm以下。
於使用放射線硬化性之樹脂組成物作為後述黏著劑層之情形時，基材樹脂膜較佳為放射線穿透性者。基材樹脂膜之厚度並無特別限制，較佳為10～500μm，更佳為40～500μm，尤佳為80～250μm。再者，於基材膜3為聚酯系樹脂之情形時，基材樹脂膜之厚度較佳為12～80μm。
構成黏著劑層之基礎樹脂，可使用習知者。其中較佳為丙烯酸系黏著劑，具體而言，係使用選自以丙烯酸酯作為主要構成單體單元之均聚物及共聚物中的丙烯酸系聚合物與其他官能性單體之共聚物及此等聚合物之混合物。例如，丙烯酸酯，較佳為可使用丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸縮水甘油酯、丙烯酸2-羥基乙酯等，以及將上述丙烯酸酯替換成例如甲基丙烯酸酯者等。
並且為了控制黏著性或凝聚力，亦可使丙烯酸或甲基丙烯酸、丙烯腈、乙酸乙烯酯等單體共聚合。
如上述之黏著劑，可藉由進一步使用交聯劑而將黏著力與凝聚力設定為任意值。此種交聯劑，有多元異氰酸酯化合物、多元環氧化合物、多元氮丙啶化合物、螯合化合物等。多元異氰酸酯化合物，具體係使用甲苯二異氰酸酯、二苯基甲烷二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯及此等之加合物型者等。
多元環氧化合物，具體係使用乙二醇二縮水甘油醚、對苯二甲酸二縮水甘油酯丙烯酸酯等。多元氮丙啶化合物，具體係使用三-2,4,6-(1-氮丙啶基)-1,3,5-三、三[1-(2-甲基)-氮丙啶基]氧化膦、六[1-(2-甲基)-氮丙啶基]三膦三等。又，螯合化合物，具體係使用乙醯乙酸乙酯二異丙醇鋁、三(乙基乙醯乙酸)鋁等。
使用於本發明之半導體晶圓表面保護用黏著帶之黏著劑層，可適當使用藉由放射線照射使黏著力下降而剝離之放射線硬化型黏著劑、與不會因放射線而硬化之黏著劑中的任一者。於本說明書中，將不會因放射線而硬化之黏著劑稱為感壓型黏著帶。於黏著劑為感壓型之情形時，較佳為，20～25℃下之對SUS研磨面之黏著力為0.5N/25mm以上，且50℃下之對SUS研磨面之黏著力為0.5N/25mm以下。若20～25℃下之對SUS研磨面之黏著力過低，則保持力不充分，於晶圓之背面研削時，晶圓有可能偏離或裂縫。較佳為20～25℃下之對SUS研磨面之黏著力為1.0N/25mm以上。
通常，感壓型黏著帶係加熱而剝離。若50℃下之由加熱剝離引起之對SUS研磨面之黏著力過大，則有對薄膜研削後之剝離產生阻礙而引起晶圓裂縫之情形。本發明之感壓型黏著帶較佳為於50℃下之對SUS280研磨面之黏著力為0.3N/25mm以下。
再者，於本發明中，所謂「SUS研磨面」，係指對JIS G 4305中所規定之SUS304鋼板，使用JIS R 6253之280號粗糙度之研磨紙並基於JIS Z 0237進行精加工者。
黏著劑為感壓型時之基礎樹脂之重量平均分子量，較佳為100萬以上。若分子量過小，則有機性之污染物質容易附著於晶圓表面，故欠佳。分子量之上限並無特別限制，若考慮聚合之容易程度等，則重量平均分子量較佳為250萬以下。
重量平均分子量可藉由下述條件之GPC(Gel Permeation Chromatograph，凝膠滲透層析法)來測量。
GPC裝置：HLC-8120GPC(商品名，Tosoh公司製造)
管柱：TSK gel Super HM-H/H4000/H3000/H2000(商品名，Tosoh公司製造)
流量：0.6mL/min
濃度：0.3質量%
注入量：20μL
管柱溫度：40℃
又，於本發明中，可使用放射線硬化型之黏著劑作為構成黏著劑層之黏著劑。其中，構成黏著劑層之黏著劑，較佳為使用以下述聚合物(以下稱為聚合物(a))作為主成分之基礎樹脂而成，該聚合物含有對主鏈具有含放射線聚合性碳-碳雙鍵之基的丙烯酸系單體作為構成單元。於本說明書中，亦將該聚合物(a)稱為反應性聚合物。上述聚合物(a)可為以任意方式製造者，例如可舉出：使由(甲基)丙烯酸酯、含羥基之不飽和化合物、含羧基之不飽和化合物等構成之共聚物(a1)之碳鏈作為主鏈，使具有可對共聚物(a1)所具有之官能基進行加成反應的官能基及碳-碳雙鍵之化合物(a2)進行加成反應而獲得者等。
上述(甲基)丙烯酸酯，可列舉：碳數6～12之丙烯酸己酯、丙烯酸正辛酯、丙烯酸異辛酯、丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸十二烷基酯、丙烯酸癸酯，或碳數5以下之單體即丙烯酸戊酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸異丁酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸甲酯或與該等相同之甲基丙烯酸等。於此情形時，使用碳數越大之單體作為單體，則玻璃轉移點越低，因此可製作所需之玻璃轉移點者。又，除玻璃轉移點以外，為了提高相溶性與各種性能，亦可於5質量%以下之範圍內摻合乙酸乙烯酯、苯乙烯、丙烯腈等具有碳-碳雙鍵之低分子化合物。
又，含羥基之不飽和化合物之例，可舉出：丙烯酸2-羥基乙酯、甲基丙烯酸2-羥基乙酯、丙烯酸2-羥基丙酯、甲基丙烯酸2-羥基丙酯等。含羧基之不飽和化合物之例，可舉出丙烯酸、甲基丙烯酸等。
上述具有可進行加成反應之官能基與碳-碳雙鍵之化合物(a2)之官能基，於共聚物(a1)之官能基為羧基或環狀酸酐基之情形時，可舉出羥基、環氧基、異氰酸酯基等。於(a2)之官能基為羥基之情形時，可舉出環狀酸酐基、異氰酸酯基等。於(a2)之官能基為胺基之情形時，可舉出異氰酸酯基等。化合物(a2)之具體例，可列舉：丙烯酸、甲基丙烯酸、肉桂酸、亞甲基丁二酸、反丁烯二酸、鄰苯二甲酸、丙烯酸2-羥基烷基酯類、甲基丙烯酸2-羥基烷基酯類、乙二醇單丙烯酸酯類、乙二醇單甲基丙烯酸酯類、N-羥甲基丙烯醯胺、N-羥甲基甲基丙烯醯胺、烯丙醇、丙烯酸N-烷基胺基乙酯類、甲基丙烯酸N-烷基胺基乙酯類、丙烯醯胺類、甲基丙烯醯胺類、順丁烯二酸酐、亞甲基丁二酸酐、反丁烯二酸酐、鄰苯二甲酸酐、丙烯酸縮水甘油酯、甲基丙烯酸縮水甘油酯、烯丙基縮水甘油醚、聚異氰酸酯化合物之異氰酸酯基之一部分由具有羥基或羧基及光聚合性碳-碳雙鍵之單體加以聚胺甲酸酯化者等。
於上述丙烯酸系共聚物(a)之合成中，以溶液聚合進行共聚合時之有機溶劑，可使用酮系、酯系、醇系、芳香族系者，其中較佳為甲苯、乙酸乙酯、異丙醇、苯甲基溶纖劑、乙基溶纖劑、丙酮、甲基乙基酮等通常為丙烯酸系聚合物之良溶劑且沸點為60～120℃之溶劑，聚合起始劑，通常使用α,α'-偶氮雙異丁腈等偶氮雙系、過氧化苯甲醯等有機過氧化物系等之自由基產生劑。此時，視需要可併用觸媒、聚合抑制劑，可藉由調節聚合溫度及聚合時間，然後進行官能基之加成反應，而獲得所需分子量之丙烯酸系共聚物(a)。又，關於調節分子量，較佳為使用硫醇、四氯化碳系之溶劑。再者，該共聚合併不限定於溶液聚合，亦可使用塊狀聚合、懸浮聚合等其他方法。
又，藉由使黏著劑中含有光聚合性化合物，且藉由對該黏著劑層照射放射線、尤佳為紫外線，可使黏著力進一步下降。此種光聚合性化合物，例如廣泛使用如日本特開昭60-196956號公報及日本特開昭60-223139號公報中所揭示之可藉由光照射而三維網狀化之分子內至少具有2個以上之光聚合性碳-碳雙鍵的低分子量化合物。具體而言，例如使用三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯或1,4-丁二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、市售之寡酯丙烯酸酯等。
並且於黏著劑中，藉由摻合光起始劑，可減少藉由光照射之聚合硬化時間及光照射量。此種光起始劑，具體可舉出：安息香、安息香甲醚、安息香乙醚、安息香異丙醚、苯偶醯二苯基硫醚、一硫化四甲基秋蘭姆、偶氮雙異丁腈、二苯偶醯、二乙醯、β-氯蒽醌等。光起始劑通常相對於光聚合性化合物100質量份而使用0.1～10質量份之量。藉由對以此方式形成之光交聯型黏著劑層照射光、較佳為紫外線，則初始之接著力大幅降低，並且可容易地自被黏附體上剝離該黏著帶。
於圖1所示之本發明之半導體晶圓表面保護用黏著帶20之黏著劑層2上，可設置未圖示之剝離襯墊。
剝離襯墊，可使用經矽脫模處理之聚對酞酸乙二酯膜等。又，視需要亦使用未經矽脫模處理之聚丙烯等。
本發明之半導體晶圓表面保護用黏著帶，可將貼合有該帶之8英吋直徑附有聚醯亞胺膜之半導體晶圓的下述式(1)所表示之翹曲矯正率C設為75%以下。更佳為可將翹曲矯正率C設為50%以下。
C=(A/B)×100　式(1)
式(1)中，A、B、C表示如下。
A：表面形成有厚度6μm之聚醯亞胺膜之晶圓整體之厚度為725μm，於8英吋直徑之矽半導體晶圓之聚醯亞胺膜表面貼合表面保護用黏著帶，貼合有將該半導體晶圓背面研削至50μm厚後之該黏著帶的該8英吋直徑晶圓之順向翹曲量(mm)
B：表面形成有厚度6μm之聚醯亞胺膜之晶圓整體之厚度為725μm，於8英吋直徑之矽半導體晶圓之聚醯亞胺膜表面貼合表面保護用黏著帶，將該半導體晶圓背面研削至50μm厚，剝離該黏著帶後之該8英吋直徑晶圓之順向翹曲量(mm)
C：翹曲矯正率(%)
於上述式(1)中，聚醯亞胺膜係指如下所述者：使用非感光性聚醯亞胺PIX-3400(商品名，日立化成杜邦微系統(股)公司製造)，利用旋轉塗佈機以一面進行邊緣清洗一面使乾燥後之膜厚成為6μm之方式對8英吋直徑矽半導體晶圓進行塗佈，然後於200℃下進行30分鐘預烤，於350℃下進行1小時正式烘烤，形成厚度6μm之聚醯亞胺膜。
本發明之半導體晶圓表面保護黏著帶，即使於將附有以聚醯亞胺為代表之絕緣膜的半導體晶圓研削至薄膜時，藉由中間樹脂層之應力緩和效果，不僅可獲得帶貼合時所施加之張力之緩和效果及基材樹脂膜層之翹曲矯正效果，並且該基材樹脂膜層、中間樹脂層及黏著劑層合併而成之層於縱方向及橫方向均勻施加研削時之應力，因此在無需設定特殊之貼合條件下，可發揮超過聚醯亞胺絕緣膜之殘留應力之翹曲矯正率，可降低研削後之半導體晶圓之翹曲。
又，形成於半導體晶圓之表面的聚醯亞胺等之絕緣膜多為藉由加熱等進行交聯。因此，有絕緣膜中存在殘留應力之情形。於此情形時，即使將本發明之半導體晶圓表面保護黏著帶貼合於晶圓表面並研削，亦可發揮超過絕緣膜之殘留應力之翹曲矯正率，並且可降低研削後之半導體晶圓之翹曲。
[實施例1]
以下，基於實施例對本發明進行更詳細說明，但本發明並不限定於該等實施例。
＜實施例1＞
相對於分別具有含放射線硬化性碳-碳雙鍵之基、含羥基及羧基之基的重量平均分子量80萬之丙烯酸共聚物100質量份，摻合加合物系異氰酸酯系交聯劑Coronate L(商品名，日本聚胺酯公司製造)1質量份、光聚合起始劑Irgacure 184(商品名，Ciba Japan公司製造)3質量份，以乙酸乙酯調整濃度而獲得黏著劑組成物。
又，相對於以甲基丙烯酸正丁酯作為構成成分之主成分，且具有羥基及羧基作為其他構成成分之單體的丙烯酸共聚物(酸值為10，羥值為2)100質量份，摻合加合物系異氰酸酯交聯劑Coronate L(商品名，日本聚胺酯公司製造)2質量份及環氧系交聯劑TETRAD-C(商品名，三菱氣體化學公司製造)2質量份，以乙酸乙酯調整濃度而獲得中間樹脂層組成物。
於厚度38μm之聚對酞酸乙二酯基材樹脂膜(PET)之單面上塗佈上述中間樹脂層組成物之後，使其乾燥，以積層乾燥膜厚42μm之中間樹脂層。此時，中間樹脂層之交聯後之玻璃轉移溫度為0℃。該玻璃轉移溫度係藉由示差掃描熱卡計(DSC)測得之值。
並且於厚度25μm之PET隔離膜上塗佈上述黏著劑組成物，使其乾燥。然後，使該黏著劑組成物層與形成於上述基材樹脂膜上之中間樹脂層貼合，製作具有乾燥膜厚20μm之黏著劑層之半導體晶圓表面保護用黏著帶。
再者，上述丙烯酸系共聚物之重量平均分子量係藉由下述條件之GPC(凝膠滲透層析法)而測得。
GPC裝置：HLC-8120GPC(商品名，Tosoh公司製造)
管柱：TSK gel Super HM-H/H4000/H3000/H2000(商品名，Tosoh公司製造)
流量：0.6mL/min
濃度：0.3質量%
注入量：20μL
管柱溫度：40℃
對於以下實施例2～11及比較例1～6中所使用之丙烯酸系共聚物，亦同樣地測量重量平均分子量，將其結果示於表1～3。又，以下實施例2～11及比較例1～6中，中間樹脂層之玻璃轉移溫度，亦與實施例1同樣地以DSC測得。
＜實施例2＞
相對於分別具有含放射線硬化性碳-碳雙鍵之基、含羥基及羧基之基的重量平均分子量80萬之丙烯酸共聚物100質量份，摻合加合物系異氰酸酯交聯劑Coronate L(商品名，日本聚胺酯公司製造)1質量份、光聚合起始劑Irgacure 184(商品名，Ciba Japan公司製造)3質量份，以乙酸乙酯調整濃度而獲得黏著劑組成物。
又，相對於以甲基丙烯酸正丁酯作為構成成分之主成分，且具有羥基及羧基作為其他構成成分之單體的丙烯酸共聚物(酸值為11，羥值為3)100質量份，摻合加合物系異氰酸酯交聯劑Coronate L(商品名，日本聚胺酯公司製造)1質量份及環氧系交聯劑TETRAD-C(商品名，三菱氣體化學公司製造)2質量份，以乙酸乙酯調整濃度而獲得中間樹脂層組成物。
於厚度38μm之聚對酞酸乙二酯基材膜(PET)之單面上塗佈上述中間樹脂層組成物後，使其乾燥，以積層乾燥膜厚42μm之中間樹脂層。此時，中間樹脂層之交聯後之玻璃轉移溫度為-15℃。
並且於厚度25μm之PET隔離膜上塗佈黏著劑組成物，使其乾燥，藉由貼合於設置有中間樹脂層之帶上而積層，以積層膜厚20μm厚之黏著劑層，製作半導體晶圓表面保護用黏著帶。
＜實施例3＞
相對於分別具有含放射線硬化性碳-碳雙鍵之基、含羥基及羧基之基的重量平均分子量80萬之丙烯酸共聚物100質量份，摻合加合物系異氰酸酯交聯劑Coronate L(商品名，日本聚胺酯公司製造)1質量份、光聚合起始劑Irgacure 184(商品名，Ciba Japan公司製造)3質量份，以乙酸乙酯調整濃度而獲得黏著劑組成物。
又，相對於以甲基丙烯酸正丁酯作為構成成分之一，且具有羥基之丙烯酸共聚物(羥值為35)100質量份，摻合聚異氰酸酯交聯劑TKA-100(商品名，旭化成化學公司製造)12質量份，以乙酸乙酯調整濃度而獲得中間樹脂層組成物。
於厚度25μm之聚萘二甲酸乙二酯基材膜(PEN)之單面上塗佈上述中間樹脂層組成物後，使其乾燥，以積層乾燥膜厚50μm之中間樹脂層。此時，中間樹脂層之交聯後之玻璃轉移溫度為30℃。
並且於厚度25μm之PET隔離膜上塗佈黏著劑組成物，使其乾燥，藉由貼合於設置有中間樹脂層之帶上而積層，以積層膜厚30μm厚之黏著劑層，製作半導體晶圓表面保護用黏著帶。
＜實施例4＞
相對於重量平均分子量100萬之丙烯酸共聚物100質量份，摻合異氰酸酯系交聯劑Coronate L(商品名，日本聚胺酯公司製造)4質量份，以乙酸乙酯調整濃度而製作黏著劑組成物。
又，相對於以甲基丙烯酸正丁酯作為構成成分之主成分，且具有羥基及羧基之丙烯酸共聚物(酸值為11，羥值為4)100質量份，摻合加合物系異氰酸酯交聯劑Coronate L(商品名，日本聚胺酯公司製造)1質量份及環氧系交聯劑TETRAD-C(商品名，三菱氣體化學公司製造)1份，以乙酸乙酯調整濃度而獲得中間樹脂層組成物。
於厚度38μm之聚對酞酸乙二酯基材膜(PET)之單面上塗佈上述中間樹脂層組成物後，使其乾燥，以積層乾燥膜厚62μm之中間樹脂層。此時，中間樹脂層之交聯後之玻璃轉移溫度為-10℃。
並且於厚度25μm之PET隔離膜上塗佈黏著劑組成物，使其乾燥，藉由貼合於設置有中間樹脂層之帶上而積層，以積層膜厚30μm厚之黏著劑層，製作半導體晶圓表面保護用黏著帶。
＜實施例5＞
相對於重量平均分子量120萬之丙烯酸共聚物100質量份，摻合異氰酸酯系交聯劑Coronate L(商品名，日本聚胺酯公司製造)2質量份及環氧系交聯劑TETRAD-C(商品名，三菱氣體化學公司製造)4質量份，以乙酸乙酯調整濃度而製作黏著劑組成物。
又，相對於以甲基丙烯酸正丁酯作為構成成分之主成分，且具有羥基與羧基之丙烯酸共聚物(酸值為11，羥值為3)100質量份，摻合加合物系異氰酸酯交聯劑Coronate L(商品名，日本聚胺酯公司製造)2質量份及環氧系交聯劑TETRAD-C(商品名，三菱氣體化學公司製造)2質量份，以乙酸乙酯調整濃度而獲得中間樹脂層組成物。
於厚度38μm之聚對酞酸乙二酯基材膜(PET)之單面上塗佈上述中間樹脂層組成物後，使其乾燥，以積層乾燥膜厚42μm之中間樹脂層。此時，中間樹脂層之交聯後之玻璃轉移溫度為0℃。
並且於厚度25μm之PET隔離膜上塗佈黏著劑組成物，使其乾燥，藉由貼合於設置有中間樹脂層之帶上而積層，以積層膜厚20μm厚之黏著劑層，製作半導體晶圓表面保護用黏著帶。
＜實施例6＞
相對於重量平均分子量80萬之丙烯酸共聚物100質量份，摻合異氰酸酯系交聯劑Coronate L(商品名，日本聚胺酯公司製造)0.5質量份，以乙酸乙酯調整濃度而製作黏著劑組成物。
又，相對於以甲基丙烯酸正丁酯作為構成成分之主成分，且具有羥基與羧基之丙烯酸共聚物(酸值為12，羥值為5)100質量份，摻合加合物系異氰酸酯Coronate L(商品名，日本聚胺酯公司製造)2質量份及環氧系交聯劑TETRAD-C(商品名，三菱氣體化學公司製造)4質量份，以乙酸乙酯調整濃度而獲得中間樹脂層組成物。
於厚度50μm之聚對酞酸乙二酯基材膜(PET)之單面上塗佈上述中間樹脂層組成物後，使其乾燥，以積層乾燥膜厚50μm之中間樹脂層。此時，中間樹脂層之交聯後之玻璃轉移溫度為15℃。
並且於厚度25μm之PET隔離膜上塗佈黏著劑組成物，使其乾燥，藉由貼合於設置有中間樹脂層之帶上而積層，以積層膜厚30μm厚之黏著劑層，製作半導體晶圓表面保護用黏著帶。
＜實施例7＞
相對於作為丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸甲酯、丙烯酸2-羥基乙酯之共聚物的分子量70萬之丙烯酸基礎樹脂100質量份，摻合異氰酸酯系交聯劑Coronate L(商品名，日本聚胺酯公司製造)4質量份、作為寡聚物之具有光聚合性碳-碳雙鍵之四羥甲基甲烷四丙烯酸酯100份、光聚合起始劑Irgacure 184(商品名，Ciba Japan公司製造)1質量份，以乙酸乙酯調整濃度而製作黏著劑組成物。
又，相對於以甲基丙烯酸正丁酯作為構成成分之主成分，且具有羥基及羧基之丙烯酸共聚物(酸值為11，羥值為2)100質量份，摻合加合物系異氰酸酯Coronate L(商品名，日本聚胺酯公司製造)2質量份及環氧系交聯劑TETRAD-C(商品名，三菱氣體化學公司製造)2質量份，以乙酸乙酯調整濃度而獲得中間樹脂層組成物。
於厚度38μm之聚對酞酸乙二酯基材膜(PET)之單面上塗佈上述中間樹脂層組成物後，使其乾燥，以積層乾燥膜厚42μm之中間樹脂層。此時，中間樹脂層之交聯後之玻璃轉移溫度為0℃。
並且於厚度25μm之PET隔離膜上塗佈黏著劑組成物，使其乾燥，藉由貼合於設置有中間樹脂層之帶上而積層，以積層膜厚20μm厚之黏著劑層，製作半導體晶圓表面保護用黏著帶。
＜實施例8＞
相對於重量平均分子量80萬之丙烯酸共聚物100質量份，摻合異氰酸酯系交聯劑Coronate L(商品名，日本聚胺酯公司製造)1.5質量份，以乙酸乙酯調整濃度而製作黏著劑組成物。
又，相對於具有羥基與羧基之聚胺酯丙烯酸酯(酸值為2，羥值為35)100質量份，摻合異氰酸酯交聯劑Coronate L(商品名，日本聚胺酯公司製造)3質量份及環氧系交聯劑TETRAD-C(商品名，三菱氣體化學公司製造)4質量份，以乙酸乙酯調整濃度而獲得中間樹脂層組成物。
於厚度25μm之聚萘二甲酸乙二酯基材膜(PEN)之單面上塗佈上述中間樹脂層組成物後，使其乾燥，以積層乾燥膜厚50μm之中間樹脂層。此時，中間樹脂層之交聯後之玻璃轉移溫度為30℃。
並且於厚度25μm之PET隔離膜上塗佈黏著劑組成物，使其乾燥，藉由貼合於設置有中間樹脂層之帶上而積層，以積層膜厚30μm厚之黏著劑層，製作半導體晶圓表面保護用黏著帶。
＜實施例9＞
相對於分別具有含放射線硬化性碳-碳雙鍵之基、含羥基及羧基之基的重量平均分子量80萬之丙烯酸共聚物100質量份，摻合加合物系異氰酸酯交聯劑Coronate L(商品名，日本聚胺酯公司製造)1質量份、光聚合起始劑Irgacure 184(商品名，Ciba Japan公司製造)3質量份，以乙酸乙酯調整濃度而獲得黏著劑組成物。
又，相對於以甲基丙烯酸正丁酯作為構成成分之一，且具有羥基及羧基之丙烯酸共聚物(酸值為10，羥值為2)100質量份，摻合加合物系異氰酸酯Coronate L(商品名，日本聚胺酯公司製造)2質量份及環氧系交聯劑TETRAD-C(商品名，三菱氣體化學公司製造)2質量份，以乙酸乙酯調整濃度而獲得中間樹脂層組成物。
於厚度75μm之聚對酞酸乙二酯基材膜(PET)之單面上塗佈上述中間樹脂層組成物後，使其乾燥，以積層乾燥膜厚25μm之中間樹脂層。此時，中間樹脂層之交聯後之玻璃轉移溫度為0℃。
並且於厚度25μm之PET隔離膜上塗佈黏著劑組成物，使其乾燥，藉由貼合於設置有中間樹脂層之帶上而積層，以積層膜厚30μm厚之黏著劑層，製作半導體晶圓表面保護用黏著帶。
＜實施例10＞
相對於分別具有含放射線硬化性碳-碳雙鍵之基、含羥基及羧基之基的重量平均分子量80萬之丙烯酸共聚物100質量份，摻合加合物系異氰酸酯交聯劑Coronate L(商品名，日本聚胺酯公司製造)1質量份、光聚合起始劑Irgacure 184(商品名，Ciba Japan公司製造)3質量份，以乙酸乙酯調整濃度而獲得黏著劑組成物。
又，相對於以甲基丙烯酸正丁酯作為構成成分之一，且具有羥基及羧基之丙烯酸共聚物(酸值為10，羥值為2)100質量份，摻合加合物系異氰酸酯Coronate L(商品名，日本聚胺酯公司製造)2質量份及環氧系交聯劑TETRAD-C(商品名，三菱氣體化學公司製造)2質量份，以乙酸乙酯調整濃度而獲得中間樹脂層組成物。
於厚度40μm之聚醯亞胺基材膜之單面上塗佈上述中間樹脂層組成物後，使其乾燥，以積層乾燥膜厚30μm之中間樹脂層。此時，中間樹脂層之交聯後之玻璃轉移溫度為-5℃。
並且於厚度25μm之PET隔離膜上塗佈黏著劑組成物，使其乾燥，藉由貼合於設置有中間樹脂層之帶上而積層，以積層膜厚30μm厚之黏著劑層，製作半導體晶圓表面保護用黏著帶。
＜實施例11＞
相對於分別具有含放射線硬化性碳-碳雙鍵之基、含羥基及羧基之基的重量平均分子量80萬之丙烯酸共聚物100質量份，摻合加合物系異氰酸酯系交聯劑Coronate L(商品名，日本聚胺酯公司製造)1質量份、光聚合起始劑Irgacure 184(商品名，Ciba Japan公司製造)3質量份，以乙酸乙酯調整濃度而獲得黏著劑組成物。
相對於重量平均分子量40萬之具有羥基之丙烯酸共聚物(酸值為4，羥值為33)100質量份，摻合異氰酸酯系交聯劑Coronate L(商品名，日本聚胺酯公司製造)0.5質量份，以乙酸乙酯調整濃度而製作中間樹脂層組成物。
於厚度38μm之聚對酞酸乙二酯基材膜(PET)之單面上塗佈上述中間樹脂層組成物後，使其乾燥，藉由數次重疊而積層乾燥膜厚132μm之中間樹脂層。此時，中間樹脂層之交聯後之玻璃轉移溫度為-50℃。
於厚度50μm之PET隔離膜上塗佈黏著劑組成物，使其乾燥，藉由貼合於PET及EVA之雙層膜之單面上而積層，以積層膜厚10μm厚之黏著劑層，製作半導體晶圓表面保護用黏著帶。
＜比較例1＞
相對於分別具有含放射線硬化性碳-碳雙鍵之基、含羥基及羧基之基的重量平均分子量80萬之丙烯酸共聚物100質量份，摻合加合物系異氰酸酯系交聯劑Coronate L(商品名，日本聚胺酯公司製造)1質量份、光聚合起始劑Irgacure 184(商品名，Ciba Japan公司製造)3質量份，以乙酸乙酯調整濃度而獲得黏著劑組成物。
又，相對於以甲基丙烯酸正丁酯作為構成成分之一，且具有羥基及羧基之丙烯酸共聚物(酸值為11，羥值為2)100質量份，摻合加合物系異氰酸酯Coronate L(商品名，日本聚胺酯公司製造)2質量份及環氧系交聯劑TETRAD-C(商品名，三菱氣體化學公司製造)2質量份，以乙酸乙酯調整濃度而獲得中間樹脂層組成物。
於厚度40μm之聚丙烯(PPe)基材膜之單面上塗佈上述中間樹脂層組成物後，使其乾燥，以積層乾燥膜厚40μm之中間樹脂層。此時，中間樹脂層之交聯後之玻璃轉移溫度為0℃。
並且於厚度25μm之PET隔離膜上塗佈黏著劑組成物，使其乾燥，藉由貼合於設置有中間樹脂層之帶上而積層，以積層膜厚20μm厚之黏著劑層，製作半導體晶圓表面保護用黏著帶。
＜比較例2＞
相對於重量平均分子量40萬之丙烯酸共聚物100質量份，摻合異氰酸酯系交聯劑Coronate L(商品名，日本聚胺酯公司製造)1.0質量份及環氧系交聯劑TETRAD-C(商品名，三菱氣體化學公司製造)2.5質量份，以乙酸乙酯調整濃度而製作黏著劑組成物。
於厚度25μm之PET隔離膜上塗佈黏著劑組成物，使其乾燥，藉由貼合於厚度165μm之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)膜之單面上而積層，以積層膜厚40μm厚之黏著劑層，製作半導體晶圓表面保護用黏著帶。
＜比較例3＞
相對於作為丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸甲酯、丙烯酸2-羥基乙酯之共聚物的分子量70萬之丙烯酸系基礎樹脂100質量份，摻合異氰酸酯系交聯劑Coronate L(商品名，日本聚胺酯公司製造)4質量份、作為寡聚物的具有光聚合性碳-碳雙鍵之四羥甲基甲烷四丙烯酸酯100份、光聚合起始劑Irgacure 184(商品名，Ciba Japan公司製造)1質量份，以乙酸乙酯調整濃度而製作黏著劑組成物。
於厚度100μm之聚對酞酸乙二酯基材膜(PET)之單面上塗佈上述黏著劑組成物後，使其乾燥，以積層使乾燥後之厚度為15μm之黏著劑層。並且於該黏著劑層上積層PET之隔離膜，製作半導體晶圓表面保護用黏著帶。
＜比較例4＞
相對於作為丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸甲酯、丙烯酸2-羥基乙酯之共聚物的分子量70萬之丙烯酸基礎樹脂100質量份，摻合異氰酸酯交聯劑Coronate L(商品名，日本聚胺酯公司製造)4質量份、作為寡聚物的具有光聚合性碳-碳雙鍵之四羥甲基甲烷四丙烯酸酯100份、光聚合起始劑Irgacure 184(商品名，Ciba Japan公司製造)1質量份，以乙酸乙酯調整濃度而製作黏著劑組成物。
於厚度25μm之PET隔離膜上塗佈黏著劑組成物，使其乾燥，藉由貼合於厚度30μm之高密度聚乙烯(HDPE)及厚度70μm之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物之雙層膜基材的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物之層上而積層，以積層膜厚30μm厚之黏著劑層，製作半導體晶圓表面保護用黏著帶。
＜比較例5＞
相對於分別具有含放射線硬化性碳-碳雙鍵之基、含羥基及羧基之基的重量平均分子量80萬之丙烯酸共聚物100質量份，摻合加合物系異氰酸酯系交聯劑Coronate L(商品名，日本聚胺酯公司製造)1質量份、光聚合起始劑Irgacure 184(商品名，Ciba Japan公司製造)3質量份，以乙酸乙酯調整濃度而獲得黏著劑組成物。
相對於分別具有含放射線硬化性碳-碳雙鍵之基、含羥基及羧基之基的重量平均分子量20萬之丙烯酸共聚物(酸值為4，羥值為33)100質量份，摻合加合物系異氰酸酯系交聯劑Coronate L(商品名，日本聚胺酯公司製造)0.5質量份、光聚合起始劑Irgacure 184(商品名，Ciba Japan公司製造)5質量份，以乙酸乙酯調整濃度而獲得黏著劑組成物。
於厚度50μm之PET隔離膜上塗佈黏著劑組成物，使其乾燥，藉由數次貼合於厚度20μm之高密度聚乙烯(HDPE)及厚度180μm之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物之雙層膜基材的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物之層上而積層，以積層膜厚130μm厚之中間樹脂層。此時，中間樹脂層之交聯後之玻璃轉移溫度為-50℃。
於厚度50μm之PET隔離膜上塗佈黏著劑組成物，使其乾燥，藉由貼合於積層有中間樹脂層之膜上而積層，以積層膜厚5μm厚之黏著劑層，製作半導體晶圓表面保護用黏著帶。
＜比較例6＞
相對於分別具有含放射線硬化性碳-碳雙鍵之基、含羥基及羧基之基的重量平均分子量80萬之丙烯酸系共聚物100質量份，摻合加合物系異氰酸酯系交聯劑Coronate L(商品名，日本聚胺酯公司製造)1質量份、光聚合起始劑Irgacure 184(商品名，Ciba Japan公司製造)3質量份，以乙酸乙酯調整濃度而獲得黏著劑組成物。
於厚度100μm之聚對酞酸乙二酯基材膜(PET)之其中一面，藉由擠出乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)樹脂而形成厚度50μm之EVA樹脂層。又，於另一面，同樣使用乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)樹脂，藉由擠出而形成厚度150μm之EVA樹脂層。此150μm之EVA樹脂層之玻璃轉移溫度為-42℃。
於厚度50μm之PET隔離膜上塗佈黏著劑組成物，使其乾燥，藉由將該黏著劑層組成物層與上述150μm之EVA樹脂層貼合而積層，製作具有厚度30μm之黏著劑層之半導體晶圓表面保護用黏著帶。
對上述實施例及比較例中所製作之半導體晶圓表面保護用黏著帶，進行以下之試驗，評價其性能。將評價結果記載於表1～3。
1.中間樹脂層之交聯後之玻璃轉移溫度測定
(試驗方法)
向中間樹脂層吹附乙酸乙酯，使中間樹脂層膨潤，使用刮勺採集交聯後之中間樹脂層。然後，藉由真空乾燥使所有溶劑飛濺之後，使用示差掃描熱卡計(DSC)進行測定。
2.附有聚醯亞胺膜之半導體晶圓之製作
藉由以下方法製作附有聚醯亞胺膜之半導體晶圓。
於晶圓整體之厚度為725μm且8英吋直徑之矽半導體晶圓上，使用非感光性聚醯亞胺PIX-3400(商品名，日立化成杜邦微系統(股)公司製造)作為聚醯亞胺，利用旋轉塗佈機以一面進行邊緣清洗一面使乾燥後之膜厚成為6μm之方式進行塗佈。然後，於200℃下進行30分鐘預烤，於350℃下進行1小時正式烘烤，形成厚度6μm之聚醯亞胺膜，從而獲得晶圓整體之厚度為725μm且8英吋直徑之半導體晶圓。
使用該附有聚醯亞胺膜之半導體晶圓，進行以下3～5之試驗，對其性能進行評價。
3.薄膜研削性試驗
(試驗方法)
使用日東精機股份有限公司製造之DR8500II(商品名)作為貼附機，於以2.之方法所製作的8英吋晶圓之厚度為725μm之附有聚醯亞胺膜之矽半導體晶圓上，貼合實施例及比較例中所製作之半導體晶圓表面保護用黏著帶。此時之貼合係利用裝置配套之調節器控制參數，分別於帶捲取為0.11MPa、帶抽出為0.26MPa、隔離膜為0.20MPa、帶按壓為0.17MPa、帶貼附為0.26Mpa之條件下進行半導體晶圓表面保護用黏著帶之貼合。然後，使用具有連續式機構之研磨機(DISCO股份有限公司製造之DFG8760(商品名))，將25片晶圓分別研磨至厚度50μm、30μm、20μm之厚度。又，為提高晶圓之強度，而藉由乾式拋光進行最後精加工。
(評價)
對各實施例及各比較例中所製作之半導體晶圓表面保護用黏著帶進行評價。其結果以如下之方式判定，將○及△設為合格，將×設為不合格。
基本上不存在邊緣裂痕，25片晶圓均可研削：○
觀察到少許邊緣裂痕但晶圓無裂縫且可研削，或25片晶圓中1片～2片有裂縫：△
晶圓之3片以上有裂縫：×
4.剝離試驗
(試驗方法)
使用上述3.薄膜研削性試驗中所研削之附有聚醯亞胺膜之晶圓，並且使用併設於上述研磨機上之剝離機(DISCO股份有限公司製造之DFM2700(商品名))進行25片晶圓之剝離性試驗。感壓型黏著帶之剝離係於50℃下進行，放射線硬化型黏著帶之剝離溫度係於照射500mJ/cm2 之紫外線後，於常溫下進行測定。
(評價)
對各實施例及各比較例中所製作之半導體晶圓表面保護用黏著帶進行評價。其結果以如下之方式判定，將○及△設為合格。
帶可自25片晶圓上全部無問題地剝離：○
帶可不使晶圓破損而剝離，但因剝離失敗而產生1次以上錯誤：△
剝離中產生晶圓之破損、或無法自晶圓上剝離帶：×
5.搬送試驗
(試驗方法)
將上述3.薄膜研削試驗中於貼合有半導體晶圓表面保護用黏著帶之狀態下將晶圓厚度研削至50μm之附有帶之晶圓，使用連續式裝置(DISCO股份有限公司製造之DFG8760(商品名)及DISCO股份有限公司製造之DFM2700(商品名)之一體型)，自背面研磨步驟搬送至切割黏晶膜之貼合步驟及剝離步驟。切割黏晶膜係使用FH-900-20(商品名，日立化成工業公司製造)，貼合係於60℃下進行。
(評價)
對各實施例及各比較例中所製作之半導體晶圓表面保護用黏著帶進行評價。其結果以如下之方式判定，將○設為合格。
無吸附錯誤，可搬送：○
產生吸附錯誤，產生搬送錯誤：×
6.污染性試驗
(試驗方法)
使用日東精機股份有限公司製造之DR8500II(商品名)作為貼附機，於8英吋晶圓之厚度為725μm之矽鏡面晶圓上貼合實施例及比較例中所製作之半導體晶圓表面保護用黏著帶。然後，感壓型黏著帶之剝離係於50℃下進行，放射線硬化型黏著帶係於照射500mJ/cm2 之紫外線後，於常溫下剝離。
繼而，利用XPS(X射線光電子光譜分析)測量將半導體晶圓表面保護用黏著帶剝離後之晶圓表面之污染物之元素比率。將由來自該黏著帶之轉印污染物引起之碳之增加量與未貼合該黏著帶之空白晶圓相比，以mol%方式算出。XPS係於以下之條件下進行測定。
X射線源：MgKα、X射線之Take off angle：45°
測定面積：1.1mmΦ
(評價)
對各實施例及各比較例中所製作之半導體晶圓表面保護用黏著帶進行評價。其結果以如下之方式判定，將○設為合格。
C(碳)量(atomic%)在25以下：○
C(碳)量(atomic%)大於25者：×
7.排斥係數及斥力測定試驗
(試驗方法)
使用東洋精機股份有限公司製作所製造之環剛度試驗機(商品名)，測定排斥係數γ及斥力α。
將各實施例及各比較例中所製作之半導體晶圓表面保護用黏著帶切割成寬度1cm，設置於環剛度試驗機上。此時，於環長50mm以上之帶狀之該黏著帶之中央附近，製作環長50mm之圓形環，測量將該圓形環自外側外壓入5mm時所施加之荷重。將此時所獲得之荷重換算成該黏著帶之每單位寬度，將以mN/mm單位表示之值作為斥力α。將該斥力α除以該黏著帶之基材樹脂膜之厚度之平方所得之值作為排斥係數γ。
(評價)
對各實施例及各比較例中所製作之半導體晶圓表面保護用黏著帶進行評價。其結果，將排斥係數為100mN/mm3 以上且斥力為13mN/mm以下之情形設為合格。又，將斥力為20mN/mm以上者記作無法測定。
8.25℃及50℃下之黏著力測定試驗
(試驗方法)
對各實施例及各比較例中所製作之半導體晶圓表面保護用黏著帶中之感壓型者，測定50℃下之黏著力。
自該黏著帶上選取3點寬度25mm×長度300mm之試驗片，於經JIS R 6253中所規定之280號耐水研磨紙進行精加工的JIS G 4305中所規定之厚度1.5mm～2.0mm之SUS304鋼板上，使2kg之橡膠輥往返3次而壓接上述試驗片。放置1小時後，使用JIS B 7721中所規定之拉伸試驗機，對壓接於SUS板上之該黏著帶之試驗片於50℃下、相對濕度49%下測量黏著力。測量係利用180度剝離法者，此時之拉伸速度為300mm/min。
9.縱(MD)方向與橫(TD)方向之拉伸斷裂伸長率之測量
(試驗方法)
依據啞鈴形狀1號型(JIS K 6301)，利用啞鈴衝壓半導體晶圓表面保護用黏著帶之試樣，將對輥捲繞之方向作為縱方向(MD)，將寬度方向作為橫方向(TD)，分別進行n=3取樣，自對各自取樣而得之試樣之中央部向上下20mm之位置引線。使用拉伸試驗機(JIS B 7721)以拉伸速度300mm/min拉伸，測定線內斷裂時之延伸率。將3次測量之平均值作為實際值，計算縱方向之拉伸斷裂伸長率與橫方向之拉伸斷裂伸長率之差。
如表1～3所示，於比較例1中，由於縱方向與橫方向之拉伸斷裂伸長率之差超過35%，並且由於半導體晶圓表面保護用黏著帶翹曲，故搬送性不合格。於比較例2中，由於排斥係數過小，故無法矯正晶圓本身之翹曲，搬送性不合格，並且由於拉伸斷裂伸長率之差超過35%，結果帶本身亦翹曲。於比較例3中，由於對基材樹脂膜使用PET，故搬送性為合格，但由於不具有中間樹脂層，因此於薄膜研削時緩衝性不足，薄膜研削性差，結果產生邊緣裂痕。並且由於斥力高，故於剝離帶時帶本身難以彎曲，因此結果於剝離時晶圓裂縫或產生剝離不良。於比較例4及5中，排斥係數過小，搬送性不合格。於比較例6中，由於使用芯材之PET，故搬送性無問題，但薄膜研削性差，結果於薄膜研削時大量產生裂縫。
另一方面可知，實施例1～實施例11之半導體晶圓表面保護用黏著帶的搬送試驗及薄膜研削試驗結果均為合格級別，剝離亦可無問題地進行。尤其於實施例1、實施例3、實施例4及實施例10中，結果為薄膜研削性及搬送性優異。若使用聚醯亞胺作為基材，則性能良好，但由於成本高，因此綜合而言最優異為實施例1、實施例3及實施例4。
[產業上之可利用性]
根據本發明，即使於將半導體晶圓表面保護用黏著帶貼合於半導體晶圓之狀態下對該晶圓背面進行研削，亦可製成100μm以下之薄膜晶圓。因此，本發明適合用作貼合於半導體晶圓表面而使用之表面保護用黏著帶。
以上雖說明本發明與其實施態樣，但只要本發明沒有特別指定，則即使在說明本發明之任一細部中，皆非用以限定本發明者，且只要在不違反本案申請專利範圍所示之發明精神與範圍下，應作最大範圍的解釋。
本案係主張基於2009年12月22日於日本提出申請之特願2009-291497及2010年9月29日於日本提出申請之特願2010-220068之優先權者，本發明係參照此等申請案並將其內容加入作為本說明書之一部份。
1．．．基材樹脂膜
2．．．黏著劑層
3．．．中間樹脂層
20．．．半導體晶圓表面保護用黏著帶
圖1，係表示本發明之半導體晶圓表面保護用黏著帶之一實施形態之剖面圖。

Claims (11)

  1. 一種半導體晶圓表面保護用黏著帶，係用於貼合在半導體晶圓表面之狀態下對該晶圓背面進行研削，其特徵在於：該半導體晶圓表面保護用黏著帶具有基材樹脂膜、位於該基材樹脂膜上含有丙烯酸聚合物及聚胺酯丙烯酸酯(polyurethane acrylate)中至少一者之基礎樹脂成分交聯而成之中間樹脂層、及隔著該中間樹脂層位於該基材樹脂膜上之黏著劑層，對下述條件(b)之試驗片之形狀，從以下述條件(a)~(d)測量該半導體晶圓表面保護用黏著帶而得之環剛度(loop stiffness)之負載荷重所求出的該試驗片每單位寬度之斥力α，除以基材厚度β之平方而得之排斥係數γ在100mN/mm3 以上，該試驗片每單位寬度之斥力α在2.21mN/mm以上13mN/mm以下，且縱方向與橫方向之拉伸斷裂伸長率之差在0以上35%以下；(a)裝置環剛度試驗機(商品名，東洋精機公司製造)(b)環(試驗片)形狀長度50mm以上、寬度10mm(c)壓頭之壓入速度3.3mm/sec(d)壓頭之壓入量自壓頭與環接觸之時刻起壓入5mm。
  2. 如申請專利範圍第1項之半導體晶圓表面保護用黏 著帶，其中，該中間樹脂層之丙烯酸聚合物具有羥基及羧基。
  3. 如申請專利範圍第1項之半導體晶圓表面保護用黏著帶，其中，該中間樹脂層之聚胺酯丙烯酸酯具有羥基及羧基。
  4. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項之半導體晶圓表面保護用黏著帶，其中，該中間樹脂層之交聯後之玻璃轉移溫度為一10℃~30℃。
  5. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項之半導體晶圓表面保護用黏著帶，其中，該基材樹脂膜為聚酯樹脂膜。
  6. 如申請專利範圍第5項之半導體晶圓表面保護用黏著帶，其中，該聚酯樹脂膜為聚對酞酸乙二酯膜。
  7. 如申請專利範圍第6項之半導體晶圓表面保護用黏著帶，其中，該聚酯樹脂膜之厚度為25~75μm。
  8. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項之半導體晶圓表面保護用黏著帶，其中，該半導體晶圓表面保護用黏著帶為感壓型黏著帶，20~25℃下之對SUS研磨面之黏著力在0.5N/25mm以上，且50℃下之對SUS研磨面之黏著力在0.5N/25mm以下。
  9. 如申請專利範圍第8項之半導體晶圓表面保護用黏著帶，其中，構成該黏著劑層之基礎樹脂之重量平均分子量在100萬以上250萬以下。
  10. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項之半導體晶圓表面保護用黏著帶，其中，該黏著劑層會因為照射放 射線而使得黏著力變低。
  11. 如申請專利範圍第10項之半導體晶圓表面保護用黏著帶，其中，該黏著劑層係使用以下述聚合物作為主成分的基礎樹脂而成，該聚合物含有對主鏈具有1個以上含放射線聚合性碳-碳雙鍵之基的丙烯酸系單體作為構成單元。
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