KR101230736B1 - 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프 - Google Patents

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요시후미 오카
쇼조 야노
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후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤
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Abstract

기재수지 필름과, 상기 기재수지 필름상에 아크릴 중합체 및/또는 폴리우레탄아크릴레이트를 함유하는 베이스수지 성분이 가교된 중간수지층을 개재시키고, 직접 점착제층을 가지는, 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프로서, 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프를 특정 조건으로 측정한 루프 스티프니스의 부하하중으로부터 구해진, 단위폭당의 반발력(α)을 기재의 두께(β)의 제곱으로 나눈 반발계수(γ)가 100mN/mm3 이상이며, 반발력(α)이 13mN/mm이하이며, 또한 세로방향과 가로방향의 인장 파단신도의 차이가 35%이하인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프.

Description

반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프{ADHESIVE TAPE FOR PROTECTING SURFACE OF SEMICONDUCTOR WAFER}
본 발명은, 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프에 관한 것이다. 더 자세하게는, 반도체 웨이퍼를 박막으로 연삭(硏削)할 때에 사용되는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프에 관한 것이다.
반도체 패키지는, 고순도 실리콘 단결정 등을 슬라이스하여 반도체 웨이퍼로 한 후, 이온 주입, 에칭 등에 의해 상기 웨이퍼 표면에 집적회로를 형성해서 제조된다. 집적회로가 형성된 반도체 웨이퍼의 이면(裏面)을 연삭, 연마 등 하는 것에 의해, 반도체 웨이퍼는 소망하는 두께로 된다. 이때, 반도체 웨이퍼 표면에 형성된 집적회로를 보호하기 위해서, 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프가 사용된다. 이면 연삭된 반도체 웨이퍼는, 이면 연삭이 종료된 후에 웨이퍼 카세트에 수납되고, 다이싱 공정으로 운반되고, 반도체 칩으로 가공된다.
종래는, 이면 연삭에 의해 반도체 웨이퍼의 두께를 200∼400μm정도까지 얇게 하는 것이 행해지고 있었다. 그러나, 최근의 고밀도 실장기술의 진보에 따라, 반도체 칩을 소형화할 필요가 생겨서, 반도체 웨이퍼의 박후화(薄厚化)가 진행되고 있다. 반도체 칩의 종류에 따라서는, 100μm정도까지 얇게 하는 것이 필요로 되고 있다. 또, 한 번의 가공에 의해서 제조할 수 있는 반도체 칩의 수를 많게 하기 위해 웨이퍼의 직경에 관해서도 대형화되는 경향이 있다. 지금까지는 직경이 5인치나 6인치의 웨이퍼가 주류였던 것에 대해서, 최근에는 직경 8∼12인치의 반도체 웨이퍼로부터 반도체 칩으로 가공하는 것이 주류로 되고 있다.
반도체 웨이퍼의 박후화 및 대경화의 흐름은, 특히, NAND형이나 NOR형이 존재하는 플래시 메모리의 분야나, 휘발성 메모리인 DRAM 등의 분야에서, 현저한 경향을 나타내고 있다. 예를 들면, 직경 12인치의 반도체 웨이퍼를 사용하여, 150μm의 두께 이하까지 연삭하는 것도 드물지 않다. 대구경(大口徑)의 반도체 웨이퍼를 극히 얇은 두께까지 연삭하는 경우, 웨이퍼의 강성이 저하되고, 휨이 생기기 쉽게 된다.
통상, 반도체 웨이퍼는 로봇 암에 의해 웨이퍼 카세트로 불리는 전용의 케이스로부터 한 장마다 꺼내지고, 연삭기기내에 있는 반도체 웨이퍼 고정용 치구로 유지되어서, 이면 연삭이 행해진다. 이면 연삭된 반도체 웨이퍼는, 로봇 암에 의해, 웨이퍼 카세트에 수납되고, 다음의 공정으로 반송된다. 반도체 웨이퍼 고정용 치구로 유지할 때에 반도체 웨이퍼의 휨이 크면, 반도체 웨이퍼를 잘 흡착할 수 없는 경우나, 최악의 경우에는 반도체 웨이퍼가 파손되는 경우가 있었다. 또, 웨이퍼 카세트에 수납할 때에 반도체 웨이퍼의 휨이 크면, 로봇 암이 수납후의 반도체 웨이퍼에 접촉해 버리고, 반도체 웨이퍼를 파손시켜 버리는 문제가 있었다.
따라서, 연삭후의 박형 웨이퍼를 웨이퍼 카세트에 수납하는 것이 아니라, 이면 연삭 공정으로부터 다이싱 테이프 마운트 공정까지 일괄해서 실시하는 장치(인라인 장치)가 제안되고 있다. 또, 웨이퍼 고정 치구나 로봇 암 등의 성능 향상에 의해, 웨이퍼가 휘어져 있어도 그 영향을 받기 어려운 방법이 제안되고 있다.
한편, 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프를 반도체 웨이퍼에 맞붙임{첩합(貼合)}할 때에, 반도체 웨이퍼에 인가되는 응력을 저감하는 것에 의해, 반도체 웨이퍼의 휨을 줄이는 방법이 제안되고 있다. 예를 들면 특허문헌 1에서는, 강성 필름과, 응력 완화성 필름이, 박리 가능한 접착제층을 개재시켜서 적층되어 이루어지는 기재와, 상기 기재의 응력 완화성 필름상에 설치된 점착제층으로 이루어지는 반도체 웨이퍼 가공용 점착 시트가 제안되고 있다.
또 특허문헌 2에서는, 기재와 점착제층과의 사이에 특정의 범위의 저장 탄성률을 가지는 중간층을 가지는 가공용 점착 시트가 제안되고, 특허문헌 3에서는, 기재 필름이 적어도 3층으로 이루어지고, 상기 기재 필름의, 표리의 최외층과 내층의 저장 탄성률이 각각 특정의 범위내인 반도체 웨이퍼 보호용 점착 필름이 제안되고 있다. 게다가 특허문헌 4에서는, 특정의 재료가 적층된 다층 시트가 제안되고 있다.
그러나 특허문헌 1의 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프를 사용할 때에는, 반도체 웨이퍼 가공을 행한 후에, 박리 가능한 접착제층과 강성 필름과의 계면, 박리 가능한 접착제층과 응력 완화성 필름과의 계면, 또는 박리 가능한 접착제층을 구성하는 층의 내부에서 박리한다고 하는 번잡한 공정을 필요로 한다. 또, 점착제층 및 응력 완화층이 어느 층에도 겹쳐져 있으며, 쿠션성이 과잉이기 때문에 50μm 두께 이하로 반도체 웨이퍼를 연삭하는 경우에는 웨이퍼 균열을 발생시킬 가능성이 높다.
또, 특허문헌 2의 반도체 웨이퍼 가공용 점착 시트의 반도체 웨이퍼 보호용 점착 시트를, 폴리이미드막이 형성된 반도체 웨이퍼에 맞붙임하고, 반도체 웨이퍼의 이면 연삭을 행한 경우, 반도체 웨이퍼의 두께가 100μm이하로 되면, 반도체 웨이퍼 표면에 코팅되어 있는 절연막이 수축하고, 이것에 의해 반도체 웨이퍼 자체도 휘어지는 경우가 있다. 이 경우는, 반도체 웨이퍼를 웨이퍼 고정용 치구에 유지할 때에, 반도체 웨이퍼가 낙하한다고 하는 문제가 있다.
게다가 특허문헌 3의 반도체 웨이퍼 가공용 점착 시트를 폴리이미드막이 형성된 반도체 웨이퍼에 맞붙임하고, 반도체 웨이퍼의 이면 연삭을 행한 경우, 점착 시트 부가의 웨이퍼를 반송하는 점에 대해서는 문제가 없지만, 50μm 두께 이하의 박막으로 반도체 웨이퍼를 연삭한 경우에는, 에지 크랙이나 웨이퍼 균열이 발생하는 경우가 있다.
일본 공개특허공보 2003-261842호 일본 공개특허공보 2004-107644호 일본 공개특허공보 2002-69396호 일본 공개특허공보 2006-264296호
본 발명은, 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프를 반도체 웨이퍼에 맞붙임한 채로 상기 웨이퍼 이면을 연삭해도, 박막, 예를 들면, 100μm이하의 박막 웨이퍼로 할 수 있는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프를 제공하는 것을 과제로 한다.
본 발명자들은, 상기 과제에 대해서 예의 검토하였다. 그 결과, 기재수지 필름과, 상기 기재수지 필름상에 아크릴 중합체 및/또는 폴리우레탄아크릴레이트를 함유하는 베이스수지 성분이 가교된 중간수지층을 개재시키고, 직접 점착제층을 가지는, 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프로서, 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프를 특정의 조건하에서 측정한 루프 스티프니스(loop stiffness)의 부하하중으로부터 구해진, 단위폭당의 반발력(α)과 반발계수(γ)가 특정의 범위내에 있으며, 또한 세로방향과 가로방향의 인장(引張) 파단신도(破斷伸度)의 차이가 특정한 값 이하인, 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프가, 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 발견하였다. 본 발명은 이 발견에 근거하여 된 것이다.
즉, 본 발명은, 이하의 발명을 제공하는 것이다.
〈1〉기재수지 필름과, 상기 기재수지 필름상에 아크릴 중합체 및/또는 폴리우레탄아크릴레이트를 함유하는 베이스수지 성분이 가교된 중간수지층을 사이에 두고, 직접 점착제층을 가지는, 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프로서, 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프를 하기 조건(a)∼(d)으로 측정한 루프 스티프니스의 부하하중으로부터 구해진, 단위폭당의 반발력(α)을 기재의 두께(β)의 제곱으로 나눈 반발계수(γ)가 100mN/mm3 이상이며, 반발력(α)이 13mN/mm이하이며, 또한 세로방향과 가로방향의 인장 파단신도의 차이가 35%이하인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프.
(a) 장치
루프 스티프니스 테스터(상품명, 토요세이키사 제품)
(b) 루프(시험편) 형상
길이 50mm 이상, 폭 10mm
(c) 압자(壓子)의 압입 속도
3.3mm/sec
(d) 압자의 압입량
압자가 루프와 접촉한 시점으로부터 5mm 압입한다.
〈2〉상기 중간수지층의 아크릴 중합체가 수산기 및 카르복실기를 가지는 것을 특징으로 하는 〈1〉에 기재된 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프.
〈3〉상기 중간수지층의 폴리우레탄아크릴레이트가 수산기 및 카르복실기를 가지는 것을 특징으로 하는 〈1〉에 기재된 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프.
〈4〉상기 중간수지층의 가교후의 유리 전이온도가 -10℃∼30℃인 〈1〉∼〈3〉중 어느 1항에 기재된 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프.
〈5〉상기 기재수지 필름이 폴리에스테르 수지 필름인 것을 특징으로 하는 〈1〉∼〈4〉중 어느 1항에 기재된 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프.
〈6〉상기 폴리에스테르 수지 필름이 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름인 것을 특징으로 하는 〈5〉에 기재된 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프.
〈7〉상기 폴리에스테르 수지 필름의 두께가 25∼75μm인 것을 특징으로 하는 〈5〉 또는 〈6〉에 기재된 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프.
〈8〉상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프가 감압형 점착 테이프이며, 20∼25℃에 있어서의 SUS(스테인레스)연마면에 대한 점착력이 0.5N/25mm이상이며, 또한 50℃에 있어서의 SUS연마면에 대한 점착력이 0.5N/25mm이하인 것을 특징으로 하는 〈1〉∼〈7〉중 어느 1항에 기재된 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프.
〈9〉상기 점착제층을 구성하는 베이스수지의 중량 평균 분자량이 100만 이상인 것을 특징으로 하는 〈8〉에 기재된 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프.
〈10〉상기 점착제층이, 방사선을 조사하는 것에 의해 점착력이 낮아지는 것을 특징으로 하는 〈1〉∼〈7〉중 어느 1항에 기재된 반도체 웨이퍼의 표면 보호용 점착 테이프.
〈11〉상기 점착제층이, 주사슬(主鎖)에 대해서 방사선 중합성 탄소-탄소 이중 결합 함유기를 1개 이상 가지는 아크릴계 단량체를 구성 단위로서 포함하는 중합체를 포함해서 이루어지는 베이스수지를 사용하여 이루어지고, (메타)아크릴산에스테르 단량체를, 상기 아크릴계 단량체를 구성 단위로서 포함하는 중합체의 구성 성분내에서 90~100%로 하는 것을 특징으로 하는 〈10〉에 기재된 반도체 웨이퍼의 표면 보호용 점착 테이프.
본 발명의 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프를 반도체 웨이퍼 표면에 맞붙임한 채로 상기 웨이퍼 이면을 연삭하고, 100μm이하의 박막 웨이퍼로 했을 경우라도, 상기 반도체 웨이퍼의 휨을 저감할 수 있다. 이 때문에, 반도체 웨이퍼의 휨에 의한 웨이퍼 반송시의 낙하 미스를 줄이고, 후공정인 다이싱테이프나 다이싱·다이본딩 필름의 마운트 및 표면 보호 테이프의 박리까지 지장 없게 실시할 수 있다. 본 발명의 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프는, DRAM이나 NAND플래시와 같은, 박막 연삭을 필요로 하는 반도체 웨이퍼 가공에 사용할 수 있다.
본 발명의 상기 및 다른 특징 및 이점은, 적절히 첨부의 도면을 참조하여, 하기의 기재로부터 보다 명백하게 될 것이다.
도 1은, 본 발명의 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프의 1 실시형태를 나타내는 단면도이다.
도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프에 대해서 설명한다.
도 1은 본 발명의 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프의 바람직한 1 실시형태를 나타내는 개략 단면도이다. 도 1로부터 알 수 있듯이, 기재수지 필름(1)과, 기재수지 필름(1)상에 점착제층(2)이, 중간수지층(3)을 사이에 두고 기재수지 필름(1)상에 형성되어 있다.
본 발명의 반도체 웨이퍼 표면 보호 점착 테이프는, 폴리이미드를 비롯한 절연막 부가의 반도체 웨이퍼를 박막까지 연삭한 경우에서도, 반도체 웨이퍼의 휨량을 억제할 수 있다. 통상, 반도체 웨이퍼의 표면에는 폴리이미드 등의 절연막이 수μm 정도 형성되어 있다. 상기 절연막은 가열 등에 의해서 가교되어 있는 것이 많기 때문에, 반도체 웨이퍼 표면의 절연막에는, 잔류 응력이 존재하는 경우가 있다. 그러나 반도체 웨이퍼의 이면 연삭전은, 반도체 웨이퍼는 두껍고, 강성이 있기 때문에, 잔류 응력에 의해 반도체 웨이퍼가 휘어지는 일은 없다. 그러나 반도체 웨이퍼를 얇게 연삭해가면, 반도체 웨이퍼 자체의 강성이 저하된다. 그에 따라서 폴리이미드막을 비롯한 절연막을 가교할 때의 열수축 등에 의한 잔류 응력이 반도체 웨이퍼의 강성을 웃돌고, 반도체 웨이퍼 자체가 휘어진다고 하는 현상이 생긴다. 본 발명의 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프를 웨이퍼 표면에 맞붙임하고 연삭한 경우에는, 본 발명의 점착 테이프가, 상기의 절연막의 잔류 응력을 웃도는 휨 교정율을 발휘하고, 연삭후의 반도체 웨이퍼의 휨을 저감할 수 있다.
본 발명의 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프는, 반도체 웨이퍼의 이면 연삭을 행한 후에 박리된다. 본 발명의 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프는, 하기 조건으로 측정한 루프 스티프니스로부터 구해진, 단위폭당의 반발력(α)을 기재의 두께(β)의 제곱으로 나눈 반발계수(γ)가 100mN/mm3 이상이며, 반발력(α)이 13mN/mm이하이며, 또한 세로방향과 가로방향의 인장 파단신도의 차이가 35%이하이다.
반발계수가 이 범위내라면, 본 발명의 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프를 롤형상으로 감을 수 있다. 반발계수가 너무 작은 경우에는, 웨이퍼 자체의 휨을 교정하는 힘이 적기 때문에 바람직하지 않다. 한편, 반발력(α)이 너무 크면, 테이프의 강성이 너무 강해져서, 테이프를 박리할 때에 테이프 자체가 구부러지기 어렵게 되고, 박막 연삭후의 웨이퍼가 균열되기 쉽게 되기 때문에 바람직하지 않다. 반발력(α)은, 18N/mm이하에서 양호한 박리 성능이 얻어지고, 바람직하게는 10N/mm이하이며, 더 바람직하게는 8N/mm이하이다. 반발력(α)은, 휨 억제의 점으로부터, 1N/mm이상인 것이 바람직하다.
또, 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프에 연삭후의 반도체 웨이퍼의 휨을 억제할 수 있는 강성이 있었다고 해도, 상기 점착 테이프 자신이 휘어지면, 상기 점착 테이프가 맞붙임된 반도체 웨이퍼가 휘어지는 결과로 된다. 이 경우, 상기 점착 테이프를 맞붙임한 채로 반도체 웨이퍼를 반송하는 경우의 반송 에러가 일어나거나, 반도체 웨이퍼의 에지부가 휘는 경우가 있다. 이것에 의해, 반도체 웨이퍼 연삭시에 상기 웨이퍼가 들떠서 에지 치핑(edge chipping)이나 에지 크랙(edge crack)을 발생시키는 경우가 있다. 따라서, 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프 자체의 휨을 억제하기 위해, 세로방향과 가로방향의 인장 파단신도의 차이를 35%이하로 한다. 이것에 의해, 점착 테이프 자신의 휨을 저감할 수 있다.
본 발명에 있어서의 루프 스티프니스란, 테이프형상 시험편의 반발계수 및 반발력을 평가하는 지표이다. 루프 스티프니스는, 본 발명의 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프를 루프형상으로 하고, 그 루프형상 시험편에 압자로 압압하고 루프가 변형해갈 때 압자에 걸리는 하중으로부터 얻을 수 있다.
본 발명에 있어서의 루프 스티프니스는, 예를 들면, 루프 스티프니스 테스터(상품명, 토요세이키사 제품)를 사용하여 측정할 수 있다. 루프 스티프니스는, 이하의 조건(a)∼(c)으로 측정된다.
(a) 루프(시험편) 형상
길이 50mm이상, 폭 10mm
(b) 압자의 압입속도
3.3mm/sec
(c) 압자의 압입량
압자가 루프와 접촉한 시점으로부터 5mm 압입한다.
본 발명에 있어서의 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프의 반발력(α)은, 상기의 (c)에 의해 얻어지는 부하하중을 시험편의 폭당으로 환산한 것을 말한다. 또 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프의 반발계수(γ)는, 상기 반발력(α)을 시험편의 기재수지 필름의 제곱으로 나눈 값을 말한다.
도 1에 도시하는 바와 같이, 본 발명의 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프(20)는, 기재수지 필름(1)과 점착제층(2)의 사이에 후술하는 특정의 중간수지층(3)을 가진다. 게다가 점착제층(2)상에 박리 필름(도시하지 않음)을 적층해도 좋다.
도 1에 도시하는 본 발명의 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프는, 예를 들면, 박리 필름상에 중간수지층(3)을 구성하는 조성물을 도포, 건조해서 얻어지는 중간수지층을, 기재 필름(1)상에 전사하는 것이나, 중간수지층 조성물을 기재수지 필름(1)에 직접 도포하는 것으로 중간수지층(3)을 형성하고, 그 후, 중간수지층(3)상으로 동일하게 하여 점착제층(2)을 전사하는 것이나, 직접 도포하는 것에 의해 제조할 수 있다.
중간수지층 조성물의 베이스수지 성분으로서는, 내열성의 관점으로부터, 아크릴 중합체를 사용할 수 있다. 아크릴 중합체로서 이하의 (메타)아크릴산에스테르단량체나 (메타)아크릴산시클로알킬에스테르를 구성성분으로 하는 것을 들 수 있다. 단량체로서 사용되는 (메타)아크릴산알킬에스테르로서는, 예를 들면, 메틸에스테르, 에틸에스테르, 프로필에스테르, 이소프로필에스테르, 부틸에스테르, 이소부틸에스테르, s-부틸에스테르, t-부틸에스테르, 펜틸에스테르, 이소펜틸에스테르, 헥실에스테르, 헵틸에스테르, 옥틸에스테르, 2-에틸헥실에스테르, 이소옥틸에스테르, 노닐에스테르, 데실에스테르, 이소데실에스테르, 운데실에스테르, 도데실에스테르, 트리데실에스테르, 테트라데실에스테르, 헥사데실에스테르, 옥타데실에스테르, 에이코실에스테르, 벤질에스테르 등의 탄소수 1∼30, 특히 탄소수 1∼18의 (메타)알킬에스테르 등을 들 수 있다. 단량체로서 사용되는 (메타)아크릴산시클로알킬에스테르로서는, 예를 들면, 시클로펜틸에스테르, 시클로헥실에스테르 등을 들 수 있다. 이들 단량체의 1종 또는 2종 이상의 단량체를 구성성분으로서 사용한 아크릴 중합체를 중간수지 성분의 베이스수지 성분으로서 사용할 수 있다. 특히, 가교점간 거리 증대에 따른 가요성 향상의 관점으로부터 메타크릴산n-부틸(n-BMA)이 바람직하다. 이들 (메타)아크릴산에스테르 단량체는, 아크릴 중합체 중, 주성분의 구성성분(예를 들면, 90∼100%)으로 하는 것이 바람직하다.
상기 중간수지층 조성물의 베이스수지 성분으로서 사용되는 아크릴 중합체로서는, 상기 (메타)아크릴산알킬에스테르 또는 시클로알킬에스테르와 공중합 가능한 다른 단량체를 구성성분으로 하는 아크릴 공중합체를 들 수 있다. 이 예로서는, 이하의 단량체를 1종 또는 2종 이상 사용할 수 있다.
(1) 카르복실기 함유 단량체
아크릴산, 메타크릴산, 카르복시에틸아크릴레이트, 카르복시펜틸아크릴레이트, 이타콘산, 말레인산, 푸마르산, 크로톤산 등의 카르복실기 함유 단량체
(2) 산무수물 단량체
무수말레인산, 무수이타콘산 등의 산무수물 단량체
(3) 히드록시 함유 단량체
(메타)아크릴산2-히드록시에틸, (메타)아크릴산2-히드록시프로필, (메타)아크릴산4-히드록시부틸, (메타)아크릴산6-히드록시헥실, (메타)아크릴산8-히드록시옥틸, (메타)아크릴산10-히드록시데실, (메타)아크릴산12-히드록시라우릴, (4-히드록시메틸시클로헥실)메틸아크릴레이트 등의 히드록실기 함유 단량체
게다가, 상기 단량체 외에, 이하의 다관능성의 단량체를 사용할 수 있다. 예를 들면, 헥산디올디(메타)아크릴레이트, (폴리)에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, (폴리)프로필렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨디(메타)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들 다관능성 단량체도 1종 또는 2종 이상 사용할 수 있다.
상기 아크릴 중합체로서는, 수산기와 카르복실기를 가지는 것이 바람직하다. 아크릴 중합체의 수산기값은 1∼30이 바람직하고, 더 바람직하게는, 1∼10이다. 여기서 수산기값은, JIS K 0070에 준거한 방법에 따라 측정한 값을 말한다. 또, 아크릴 중합체의 산값은 1∼20이 바람직하고, 더 바람직하게는, 1∼15이다. 여기서 산값은 JIS K 5407에 기재된 방법에 따라 측정한 값을 말한다.
수산기는, 후술의 가교제로서 사용되는, 이소시아네이트 가교제나 이소시아누레이트 가교제와 반응하여, 중간수지층을 가교시킨다. 또, 카르복실기는, 후술의 가교제로서 사용되는, 에폭시 가교제와 반응하고, 중간수지층을 가교시킨다.
아크릴 중합체는, 1종 또는 2종 이상의 단량체 혼합물을 중합하는 것으로 얻을 수 있다. 중합은, 용액 중합, 유화 중합, 덩어리 형상 중합, 현탁중합 등의 모든 방식으로 행할 수 있다. 아크릴 중합체의 중량 평균 분자량은, 바람직하게는 5만 이상, 더 바람직하게는 10만∼100만 정도이다. 여기서, 아크릴 중합체의 중량 평균 분자량은, 후술의 방법에 따라, 측정할 수 있다. 중간수지층 조성물에는, 아크릴 중합체와 상용성이 좋은 것이라면, 다른 수지를 배합할 수 있다.
상기의 아크릴 중합체를 가교하는 것에 의해, 상기 중간수지층에 응집력을 부가할 수 있다. 중간수지층에 응집력을 부가하는 것에 의해, 반도체 웨이퍼의 두께를 100μm이하로 연삭한 후에 반도체 웨이퍼가 휘어지는 힘이 더해져도, 중간수지층이, 기재수지 필름층과 점착제층의 사이에 직접 존재하고 있는 것에 의해, 반도체 웨이퍼의 휨을 억제할 수 있다. 특히, 반도체 웨이퍼 표면에 폴리이미드막이 형성되어 있는 경우에도, 이 효과를 가질 수 있다. 이 때문에, 중간수지층 조성물에는, 가교제를 배합한다. 가교제로서는, 상기와 같이, 베이스수지 성분에 대응하여, 예를 들면 이소시아네이트 가교제, 이소시아누레이트 가교제, 에폭시 가교제, 금속 킬레이트 가교제, 아지리딘 가교제 및 아민 수지 등을 들 수 있다. 게다가, 중간수지층 조성물에는, 본 발명의 목적이 손상되지 않는 범위에서, 소망에 따라, 각종 첨가 성분을 함유시킬 수 있다.
또, 중간수지층 조성물로서는, 상기의 아크릴 중합체 외에 폴리우레탄아크릴레이트를 사용할 수 있다. 폴리우레탄아크릴레이트로서는, 이하의 우레탄(메타)아크릴레이트 단량체를 구성성분으로 하는 것을 들 수 있다. 예를 들면, 이소보닐(메타)아크릴레이트, 디시크로펜테닐(메타)아크릴레이트, 페닐히드록시프로필아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들은 1종 또는 2종 이상을 사용할 수 있다. 중간층을 형성할 때, 우레탄아크릴레이트계 올리고머를 광중합성 모노머로 희석하고, 도포하여 건조시키고, 자외선 조사 등에 의해서 효과시키는 것도 가능하며, 이 방법이 중간층의 제막방법으로서 바람직하다.
폴리우레탄아크릴레이트는, 수산기 및 카르복실기를 가지는 것이 바람직하다. 폴리우레탄아크릴레이트의 수산기값은 1∼30이 바람직하고, 더 바람직하게는, 1∼10이다. 여기서 수산기값은 이하의 JIS K 0070에 의해 측정한 값을 말한다. 또, 폴리우레탄아크릴레이트의 산값은 1∼20이 바람직하고, 더 바람직하게는, 1∼15이다. 여기서 산값은 JIS K 5601-2-1에 기재된 방법에 따라 측정한 값을 말한다.
(수산기값의 측정 방법(JIS K 0070))
(1) 사용하는 시약
·아세틸화 시약(무수아세트산-피리딘)
·N/2수산화 칼륨-에탄올 용액
(2) 적정 방법
시료를 아세틸화 시약으로 아세틸화한 후, 과잉의 아세트산을 N/2수산화칼륨-에탄올 용액으로 적정(適定)한다.
(3) 계산식
다음 식에 따라서 수산기값을 구한다.
수산기값=((VB-V)×F×28.5)/S
단,
V：본시험의 N/2수산화칼륨-에탄올 용액의 적정량(mL)
VB：공시험의 N/2수산화 칼륨-에탄올 용액의 적정량(mL)
F：N/2수산화칼륨-에탄올 용액의 팩터
S：시료 채취량(g)
AV：시료의 산값(mgKOH/g)
수산기는, 후술의 가교제로서 사용되는, 이소시아네이트계 가교제나 이소시아누레이트계 가교제와 반응하여, 중간수지층을 가교시킨다. 또, 카르복실기는, 후술의 가교제로서 사용되는, 에폭시계 가교제와 반응하여, 중간수지층을 가교시킨다. 중간수지층으로서 폴리우레탄아크릴레이트를 사용한 경우도, 상기의 아크릴 중합체의 경우와 동일하게, 중간수지층에 응집력을 부가할 수 있으며, 특히, 두께 100μm이하까지 연삭된 반도체 웨이퍼 표면에 폴리이미드막이 형성되어 있는 경우에도, 이 효과를 가질 수 있다.
본 발명의 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프의 중간수지층에 의해, 기재수지 필름에 대해서 쿠션성을 갖게 하고, 또 상기 점착 테이프 맞붙임시에 걸리는 장력을 완화할 수 있다. 중간수지층은, 바람직하게는 점착제층보다 고탄성율인 것이 좋다.
상온에서의 강성을 갖게 하기 위해서 가교후의 중간수지층의 DSC에 의한 유리 전이점(Tg)의 바람직한 범위는, -10℃∼30℃이며, 보다 바람직하게는 0℃∼20℃이다. 중간층의 가교후의 유리 전이온도가 너무 낮으면, 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프는 유연성을 가지기 때문에, 쿠션성은 향상하지만, 박막 연삭성이 저하되는 경우가 있다. 드라이폴리시 등의 박막 웨이퍼의 최종 마무리 공정에서는, 반도체 웨이퍼에 고압력이 더해진다. 박막 연삭성이 낮으면, 그 고압력으로, 표면 보호용 점착 테이프가 가라앉는 효과에 의해 반도체 웨이퍼가 균열되는 경우가 있다. 특히, 50μm이하의 두께에 반도체 웨이퍼를 연삭할 때는, 반도체 웨이퍼의 강도를 올리기 위해서 이면을 경면상태로 마무리 가공하기 때문에, 드라이폴리시나 케미컬메카니컬폴리시, 폴리글라인딩 등이 행해져, 표면 보호용 점착 테이프의 가라앉음에 의한 균열이 많아지는 경우가 있다.
한편, 중간수지층의 가교후의 유리 전이온도가 너무 높으면 쿠션성이 저하되고, 패턴 부가 웨이퍼를 가공하는 경우에는, 반도체 웨이퍼의 균열이 발생하는 경우가 있다. 또, 중간수지층 조성물에 방사선 조사에 의해서 경화하는 재료를 사용하고, 방사선 조사에 의해서 경화시켜서 중간수지층의 경도를 조정해도 좋다.
중간수지층의 두께는, 이면 연삭 공정에서의 쿠션성의 관점으로부터, 바람직하게는 10∼100μm이며, 더 바람직하게는 20∼80μm이며, 보다 바람직하게는 30∼70μm이다. 중간수지층이 너무 얇으면 이면 연삭 공정시의 쿠션성이 작아지게 되고, 중간수지층이 너무 두꺼우면 박막 연삭시에 웨이퍼가 가라앉는 효과에 의해서 중앙부로부터 균열될 확률이 높아지게 된다. 이 현상은 박막 연삭시에 사용되는 폴리시의 공정에서 특히 현저하게 볼 수 있으며, 이들은 연삭의 공정에 비해서 웨이퍼로의 압력이 높게 걸려 있기 때문이라고 생각된다. 중간수지층은 복수의 층이 적층된 구성이어도 좋다.
기재수지 필름은, 본 발명의 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프를 구성하는 재료(종류) 중, 가장 고탄성율인 층을 말한다. 기재수지 필름은, 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공이나 이면 연마 가공을 행할 때의 충격으로부터 보호하는 동시에, 반도체 웨이퍼의 휨을 억제할 수 있다. 특히 기재수지 필름은, 반도체 웨이퍼의 이면 연삭가공이나 이면 연마 가공시의 물 세정 등에 대한 내수성을 가지는 동시에, 반도체 웨이퍼를 유지할 수 있는 만큼의 유연성을 가지는 것이 필요하다. 더 중요한 것은, 반도체 웨이퍼상의 폴리이미드 등의 절연막중의 잔류 응력에 기인하는 반도체 웨이퍼의 휨 응력에 대해서, 교정력을 작용시킬 수 있는 것이다. 기재수지 필름으로서는, 이들 특성을 만족시키는 것이라면 특별히 제한되지 않는다. 특히 박막 연삭후의 반도체 웨이퍼의 휨을 교정할 수 있다고 하는 점으로부터, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT) 등의 폴리에스테르계 수지를 함유하는 수지 조성물로 이루어지는 것이나 폴리이미드가 바람직하다. 더 바람직하게는 PET 또는 PEN이다. 폴리에스테르계 수지를 점착제층에 대해서 반대측의 최외층에 사용하면, 내열성도 동시에 부여할 수 있기 때문에, 바람직하다. 이 경우는, 본 발명의 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프를 반도체 웨이퍼 표면에 맞붙임한 채로, 상기 테이프의 기재수지 필름면에서 반도체 웨이퍼 유지부재(예를 들면, 척 테이블)에 흡착시킨 경우, 상기 반도체 웨이퍼 이면에 다이싱다이본드 테이프을 맞붙임할 때에 가열해도, 상기 표면 보호용 점착 테이프가 척 테이블에 융착되는 것을 줄일 수 있다. 이 때문에 웨이퍼 균열을 저감할 수 있다.
또, 폴리에스테르계 수지에, 폴리에스테르계 수지보다도 유연성을 가지는 수지를 배합한 수지 조성물을 기재수지 필름으로서 사용할 수 있다. 2 종류 이상의 수지를 블랜드한 수지 조성물로 하는 것으로, 강성과 유연성을 갖게 한 기재로 할 수 있다. 예를 들면, 기재수지 필름으로서 폴리에스테르계 수지에 열가소성 엘라스토머를 배합한 수지 조성물을 사용할 수 있다.
그 경우, 본 발명의 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프가 맞붙임된 8인치 폴리이미드막 부가의 반도체 웨이퍼의 휨 교정율이 75% 이하이고, 또한 표면에 폴리이미드막이 형성된 8인치 지름의 반도체 웨이퍼 표면에 표면 보호용 점착 테이프를 맞붙임하고, 상기 반도체 웨이퍼 이면을 50μm 두께로 연삭한 후의 상기 점착 테이프가 맞붙임된 상기 8인치 지름 웨이퍼의 순(順) 휨량이 20mm이하인 것이 바람직하다.
기재수지 필름은, 후술의 점착제층으로서 방사선 경화성의 수지 조성물을 사용하는 경우에는, 방사선 투과성인 것이 바람직하다. 기재수지 필름의 두께는, 특히 제한하는 것은 아니지만, 바람직하게는 10∼500μm이며, 보다 바람직하게는 40∼500μm, 특히 바람직하게는 80∼250μm이다. 한편, 기재 필름(3)이 폴리에스테르계 수지인 경우에는, 기재수지 필름의 두께는 바람직하게는 12∼80μm이다.
점착제층을 구성하는 베이스수지로서는, 종래의 것을 사용할 수 있다. 그 중에서도 아크릴계 점착제가 바람직하고, 구체적으로는, 아크릴산에스테르를 주된 구성 단량체 단위로 하는 단독 중합체 및 공중합체로부터 선택된 아크릴계 중합체 그 밖의 관능성 단량체와의 공중합체 및 이들 중합체의 혼합물이 사용된다. 예를 들면, 아크릴산에스테르로서는, 아크릴산에틸, 아크릴산부틸, 아크릴산2-에틸헥실, 아크릴산글리시딜, 아크릴산2-히드록시에틸 등, 또 상기의 아크릴산에스테르를 예를 들면 메타크릴산에스테르로 대체한 것 등도 바람직하게 사용할 수 있다.
게다가 점착성이나 응집력을 제어하는 목적으로 아크릴산 혹은 메타크릴산, 아크릴로니트릴, 아세트산비닐 등의 단량체를 공중합시켜도 좋다.
상기와 같은 점착제는, 게다가 가교제를 사용하는 것에 의해 점착력과 응집력을 임의의 값으로 설정할 수 있다. 이와 같은 가교제로서는, 다가(多價) 이소시아네이트 화합물, 다가 에폭시 화합물, 다가 아지리딘 화합물, 킬레이트 화합물 등이 있다. 다가 이소시아네이트 화합물로서는, 구체적으로는 톨루이렌디이소시아네이트, 디페닐메탄디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트 및 이들 어덕트 타입의 것 등이 사용된다.
다가 에폭시 화합물로서는, 구체적으로는 에틸렌글리콜디글리시딜에테르, 테레프탈산디글리시딜에스테르아크릴레이트 등이 사용된다. 다가 아지리딘 화합물로서는, 구체적으로는 트리스-2,4,6-(1-아지리디닐)-1,3,5-트리아진, 트리스[1-(2-메틸)-아지리디닐]포스핀옥시드, 헥사[1-(2-메틸)-아지리디닐]트리포스파트리아진 등이 사용된다. 또 킬레이트 화합물로서는, 구체적으로는 에틸아세토아세테이트알루미늄디이소프로필레이트, 알루미늄트리스(에틸아세토아세테이트) 등이 사용된다.
본 발명의 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프에 사용되는 점착제층으로서는, 방사선 조사에 의해 점착력을 저하시켜서 박리하는 방사선 경화형의 점착제와, 방사선으로 경화하지 않는 점착제의 어느 것이라도 적절히 사용할 수 있다. 본 명세서에 있어서, 방사선으로 경화하지 않는 점착제를 감압형 점착 테이프라고 부른다. 점착제가 감압형인 경우는, 20∼25℃에 있어서의 SUS연마면에 대한 점착력이 0.5N/25mm이상이며, 또한 50℃에 있어서의 SUS연마면에 대한 점착력이 0.5N/25mm이하인 것이 바람직하다. 20∼25℃에 있어서의 SUS연마면에 대한 점착력이 너무 낮으면, 유지력이 충분하지 않고, 웨이퍼의 이면 연삭시에 웨이퍼가 어긋나 버리거나 균열되어 버리거나 할 가능성이 있다. 바람직하게는 20∼25℃에 있어서의 SUS연마면에 대한 점착력이 1.0N/25mm이상이다.
통상, 감압형 점착 테이프는 가열하여 박리된다. 50℃에 있어서의 가열 박리에 의한 SUS연마면에 대한 점착력이 너무 크면, 박막 연삭후의 박리에 지장을 일으키고, 웨이퍼 균열을 일으키는 경우가 있다. 본 발명의 감압형 점착 테이프는, 바람직하게는 50℃에 있어서의 SUS280 연마면에 대한 점착력이 0.3N/25mm이하이다.
한편, 본 발명에 있어서는, 「SUS연마면」이란, JIS G 4305에 규정되어 있는 SUS304 강판을, JIS R 6253의 280번의 거칠기의 연마지를 사용하여, JIS Z 0237에 기초하여 마무리된 것을 말한다.
점착제는 감압형인 경우에 있어서의 베이스수지의 중량 평균 분자량은 100만 이상인 것이 바람직하다. 분자량이 너무 작으면 유기성의 오염물질이 웨이퍼 표면에 부착되기 쉽기 때문에, 바람직하지 않다. 분자량의 상한에 대해서는 특히 제한은 없지만, 중합의 용이함 등을 고려하면 중량 평균 분자량이 250만 이하인 것이 바람직하다.
중량 평균 분자량은, 하기 조건의 GPC(Gel Permeation Chromatograph)로 측정할 수 있다.
GPC 장치：HLC-8120GPC(상품명, Tosoh Corporation 제품)
컬럼：TSK gel SuperHM-H/H4000/H3000/H2000, (상품명, Tosoh Corporation 제품)
유량：0.6mL/min,
농도：0.3 질량%,
주입량：20μL,
컬럼 온도：40℃
또, 본 발명에서는, 점착제층을 구성하는 점착제로서, 방사선 경화형의 점착제를 사용할 수 있다. 그 중에서도, 점착제층을 구성하는 점착제는, 주사슬에 대해서 방사선 중합성 탄소-탄소 이중 결합 함유기를 가지는 아크릴계 단량체를 구성 단위로서 포함하는 중합체(이하, 중합체(a)라고 한다.)를 주성분으로 하는 베이스수지를 사용하여 이루어지는 것이 바람직하다. 본 명세서에 있어서, 이 중합체(a)를 반응성 폴리머라고도 한다. 상기 중합체(a)는 어떻게 제조된 것이어도 좋지만, 예를 들면, (메타)아크릴산에스테르, 히드록실기 함유 불포화 화합물, 카르복실기 함유 불포화 화합물 등으로 이루어지는 공중합체(a1)의 탄소사슬을 주사슬로 하고, 공중합체(a1)가 가지는 관능기에 대해서 부가 반응하는 것이 가능한 관능기 및 탄소-탄소 이중 결합을 가지는 화합물(a2)을 부가 반응해서 얻어지는 것 등을 들 수 있다.
상기의 (메타)아크릴산에스테르로서는, 탄소수 6∼12의 헥실아크릴레이트, n-옥틸아크릴레이트, 이소옥틸아크릴레이트, 2-에틸헥실아크릴레이트, 도데실아크릴레이트, 데실아크릴레이트, 또는 탄소수 5이하의 단량체인, 펜틸아크릴레이트, n-부틸아크릴레이트, 이소부틸아크릴레이트, 에틸아크릴레이트, 메틸아크릴레이트, 또는 이들과 동일한 메타크릴레이트 등을 열거할 수 있다. 이 경우, 단량체로서 탄소수가 큰 단량체를 사용할수록 유리 전이점은 낮아지므로, 소망하는 유리 전이점의 것을 제작할 수 있다. 또, 유리 전이점 외, 상용성과 각종 성능을 올릴 목적으로 아세트산비닐, 스티렌, 아크릴로니트릴 등의 탄소-탄소 이중 결합을 가지는 저분자화합물을 배합하는 것도 5 질량% 이하의 범위내에서 가능하다.
또, 히드록실기 함유 불포화 화합물의 예로서는, 2-히드록시에틸아크릴레이트, 2-히드록시에틸메타크릴레이트, 2-히드록시프로필아크릴레이트, 2-히드록시프로필메타크릴레이트 등을 들 수 있다. 카르복실기 함유 불포화 화합물의 예로서는, 아크릴산, 메타크릴산 등을 들 수 있다.
상기의 부가 반응하는 것이 가능한 관능기와 탄소-탄소 이중 결합을 가지는 화합물(a2)의 관능기로서는, 공중합체(a1)의 관능기가, 카르복실기 또는 환상 산무수기인 경우에는, 수산기, 에폭시기, 이소시아네이트기 등을 들 수 있다. (a2)의 관능기가 수산기인 경우에는, 환상 산무수기, 이소시아네이트기 등을 들 수 있다. (a2)의 관능기가 아미노기인 경우에는, 이소시아네이트기 등을 들 수 있다. 화합물(a2)의 구체적인 예로서는, 아크릴산, 메타크릴산, 계피산, 이타콘산, 푸마르산, 프탈산, 2-히드록시알킬아크릴레이트류, 2-히드록시알킬메타크릴레이트류, 글리콜 모노아크릴레이트류, 글리콜모노메타크릴레이트류, N-메틸올아크릴아미드, N-메틸올메타크릴아미드, 아릴알코올, N-알킬아미노에틸아크릴레이트류, N-알킬아미노에틸메타크릴레이트류, 아크릴아미드류, 메타크릴아미드류, 무수말레인산, 무수이타콘산, 무수푸마르산, 무수프탈산, 글리시딜아크릴레이트, 글리시딜메타크릴레이트, 아릴글리시딜에테르, 폴리이소시아네이트 화합물의 이소시아네이트기의 일부를 수산기 또는 카르복실기 및 광중합성 탄소-탄소 이중 결합을 가지는 단량체로 우레탄화한 것 등을 열거할 수 있다.
상기의 아크릴계 공중합체(a)의 합성에 있어서, 공중합을 용액 중합으로 행하는 경우의 유기용제로서는, 케톤계, 에스테르계, 알코올계, 방향족계의 것을 사용할 수 있지만, 그 중에서도 톨루엔, 아세트산에틸, 이소프로필알코올, 벤젠메틸셀로솔브, 에틸셀로솔브, 아세톤, 메틸에틸케톤 등의, 일반적으로 아크릴계 폴리머의 양용매로, 비점(沸點) 60∼120℃의 용제가 바람직하고, 중합 개시제로서는, α,α'-아조비스이소부틸니트릴 등의 아조비스계, 벤조일퍼락사이드 등의 유기 과산화물계 등의 래디칼 발생제를 통상 사용한다. 이때, 필요에 따라서 촉매, 중합 금지제를 병용할 수 있으며, 중합 온도 및 중합 시간을 조절하고, 그 후 관능기에 있어서의 부가 반응을 행하는 것에 의해, 소망하는 분자량의 아크릴계 공중합체(a)를 얻을 수 있다. 또, 분자량을 조절하는 것에 관해서는, 메르캅탄, 4염화탄소계의 용제를 사용하는 것이 바람직하다. 한편, 이 공중합은 용액 중합으로 한정되는 것은 아니고, 덩어리 형상 중합, 현탁중합 등 다른 방법으로도 지장이 없다.
또, 점착제중에 광중합성 화합물을 함유시키는 것에 의해서, 상기 점착제층에 방사선, 특히 바람직하게는 자외선을 조사하는 것에 의해, 점착력을 더 저하시킬 수 있다. 이러한 광중합성 화합물로서는, 예를 들면 일본 공개특허공보 소 60-196956호 및 일본 공개특허공보 소 60-223139호에 개시되어 있는 바와 같은 광조사에 의해서 삼차원 그물형상화할 수 있는 분자내에 광중합성 탄소-탄소 이중 결합을 적어도 2개 이상 가지는 저분자량 화합물이 넓게 사용된다. 구체적으로는, 예를 들면 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라아크릴레이트, 디펜타에리스리톨모노히드록시펜타아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사아크릴레이트 혹은 1,4-부틸렌글리콜디아크릴레이트, 1,6-헥산디올디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 시판의 올리고에스테르아크릴레이트 등이 사용된다.
게다가 점착제중에, 광개시제를 배합하는 것에 의해, 광조사에 의한 중합 경화 시간 및 광조사량을 줄일 수 있다. 이러한 광개시제로서는, 구체적으로는, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤질디페닐설파이드, 테트라메틸티오람모노설파이드, 아조비스이소부티로니트릴, 디벤질, 디아세틸, β-클로르안스라퀴논 등을 들 수 있다. 광개시제는, 통상 광중합성 화합물 100 질량부에 대해 0.1∼10 질량부의 양이 사용된다. 이와 같이 하여 형성되는 광가교형 점착제층에 대해, 광, 바람직하게는 자외선을 조사하는 것에 의해, 초기의 접착력이 크게 저하하고, 용이하게 피착체로부터 상기 점착 테이프를 박리할 수 있다.
도 1에 도시하는, 본 발명의 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프(20)의 점착제층(2)상에는, 도시하지 않는 박리 라이너를 설치할 수 있다.
박리 라이너로서는, 실리콘 이형 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 등이 사용된다. 또 필요에 따라서, 실리콘 이형 처리를 하지 않는 폴리프로필렌 등도 사용된다.
본 발명의 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프는, 상기 테이프가 맞붙임된 8인치 지름의 폴리이미드막 부가의 반도체 웨이퍼에 있어서의, 하기 식(1)에서 표시되는 휨 교정율(C)을 75% 이하로 할 수 있다. 더 바람직하게는, 휨 교정율(C)을 50% 이하로 할 수 있다.
C=(A/B)×100 식(1)
식(1) 중, A, B, C는 이하를 나타낸다.
A：표면에 두께 6μm의 폴리이미드막이 형성되고 웨이퍼 전체의 두께가 725μm이고, 8인치 지름의 실리콘 반도체 웨이퍼의 폴리이미드막 표면에 표면 보호용 점착 테이프를 맞붙임하여, 상기 반도체 웨이퍼 이면을 50μm 두께로 연삭한 후의 상기 점착 테이프가 맞붙임된 상기 8인치 지름 웨이퍼의 순 휨량(mm)
B：표면에 두께 6μm의 폴리이미드막이 형성되고 웨이퍼 전체의 두께가 725μm이고, 8인치 지름의 실리콘 반도체 웨이퍼의 폴리이미드막 표면에 표면 보호용 점착 테이프를 맞붙임하여, 상기 반도체 웨이퍼 이면을 50μm 두께로 연삭하고, 상기 점착 테이프 박리 후의 상기 8인치 지름 웨이퍼의 순 휨량(mm)
C：휨 교정율(%)
상기 식(1)에 있어서 폴리이미드막은, 비감광성 폴리이미드 PIX-3400(상품명, HD MicroSystems, Ltd. 제품)을 사용하고, 스핀 코터로 에지 린스를 하면서 건조 후의 막두께가 6μm로 되도록, 8인치 지름의 실리콘 반도체 웨이퍼에 도공을 행하고, 그 후, 200℃에서 프리베이크를 30분간 행하고, 350℃에서 본베이크를 1시간 행하여, 두께 6μm의 폴리이미드막을 형성한 것을 말한다.
본 발명의 반도체 웨이퍼 표면 보호 점착 테이프는, 폴리이미드를 비롯한 절연막 부착의 반도체 웨이퍼를 박막까지 연삭한 경우에서도, 중간수지층의 응력 완화 효과에 의해, 테이프 맞붙임시에 걸리는 장력의 완화 효과와, 기재수지 필름층의 휨 교정 효과와 동시에, 상기 기재수지 필름층, 중간수지층 및 점착제층을 합친 층이 세로방향 및 가로방향으로 균등하게 연삭시의 응력이 걸리기 때문에, 특별한 맞붙임 조건을 설정하는 일 없이, 폴리이미드 절연막의 잔류 응력을 웃도는 휨 교정율을 발휘하고, 연삭후의 반도체 웨이퍼의 휨을 저감할 수 있다.
또, 반도체 웨이퍼의 표면에 형성되어 있는 폴리이미드 등의 절연막은, 가열 등에 의해서 가교되어 있는 경우가 많다. 이 때문에, 절연막에는 잔류 응력이 존재하는 경우가 있다. 이 경우에도, 본 발명의 반도체 웨이퍼 표면 보호 점착 테이프를 웨이퍼 표면에 맞붙임해서 연삭해도, 절연막의 잔류 응력을 웃도는 휨 교정율을 발휘하고, 연삭후의 반도체 웨이퍼의 휨을 저감할 수 있다.
실시예
이하, 본 발명을 실시예에 기초하여 더 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예로 한정되는 것은 아니다.
〈실시예 1〉
방사선 경화성 탄소-탄소 이중 결합 함유기, 수산기, 및 카르복실기를 함유 하는 기를 각각 가지는 중량 평균 분자량 80만의 아크릴 공중합체 100 질량부에 대해서, 어덕트계 이소시아네이트계 가교제 콜로네이트 L(상품명, 일본 폴리우레탄사 제품)을 1 질량부, 광중합 개시제 이르가큐어 184(상품명, 치바재팬사 제품)를 3 질량부 배합하고, 아세트산에틸로 농도를 조정하여 점착제 조성물을 얻었다.
또, 메타크릴산n-부틸을 구성성분의 주성분으로 하고, 다른 구성성분의 단량체로서 수산기와 카르복실기를 가지는 아크릴 공중합체(산값이 10, 수산기값이 2) 100 질량부에 대해서 어덕트계 이소시아네이트 가교제 콜로네이트 L(상품명, 일본 폴리우레탄사 제품)을 2 질량부 및 에폭시계 가교제 TETRAD-C(상품명, MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC. 제품)를 2 질량부 배합하고, 아세트산에틸로 농도를 조정하여, 중간수지층 조성물을 얻었다.
두께 38μm의 폴리에틸렌테레프탈레이트 기재수지 필름(PET)의 편면상에, 상기의 중간수지층 조성물을 도포 후, 건조시키고, 건조 막두께 42μm의 중간수지층을 적층하였다. 이때, 중간수지층의 가교후의 유리 전이온도는 0℃였다. 이 유리 전이온도는 시차주사 열량계(DSC)에 의해 측정한 값이다.
게다가 두께 25μm의 PET 세퍼레이터 상에 상기의 점착제 조성물을 도포하고, 건조시켰다. 그 후, 이 점착제 조성물층과, 상기의 기재수지 필름상에 형성된 중간수지층을 맞대서, 건조 막두께 20μm의 점착제층을 가지는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프를 제작하였다.
한편, 상기의 아크릴계 공중합체의 중량 평균 분자량은, 하기 조건의 GPC(Gel Permeation Chromatograph)로 측정하였다.
GPC 장치：HLC-8120GPC(상품명, Tosoh Corporation 제품)
컬럼：TSK gel SuperHM-H/H4000/H3000/H2000, (상품명, Tosoh Corporation 제품)
유량：0.6mL/min,
농도：0.3 질량%,
주입량：20μL,
컬럼 온도：40℃
이하의 실시예 2∼11 및 비교예 1∼6에서 사용한 아크릴계 공중합체에 대해서도, 동일하게 중량 평균 분자량을 측정하고, 그 결과를 표 1∼3에 나타낸다. 또, 이하의 실시예 2∼11 및 비교예 1∼6에서도, 중간수지층의 유리 전이온도는, 실시예 1과 동일하게, DSC로 측정하였다.
〈실시예 2〉
방사선 경화성 탄소-탄소 이중 결합 함유기, 수산기, 및 카르복실기를 함유하는 기를 각각 가지는 중량 평균 분자량 80만의 아크릴 공중합체 100 질량부에 대해서, 어덕트계 이소시아네이트 가교제 콜로네이트 L(상품명, 일본 폴리우레탄사 제품)을 1 질량부, 광중합 개시제 이르가큐어 184(상품명, 치바재팬사 제품)를 3 질량부 배합하고, 아세트산에틸로 농도를 조정하여 점착제 조성물을 얻었다.
또, 메타크릴산n-부틸을 구성성분의 주성분으로 하고, 다른 구성성분의 단량체로서 수산기와 카르복실기를 가지는 아크릴 공중합체(산값이 11, 수산기값이 3) 100 질량부에 대해서 어덕트계 이소시아네이트 가교제 콜로네이트 L(상품명, 일본 폴리우레탄사 제품)을 1 질량부 및 에폭시계 가교제 TETRAD-C(상품명, MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC. 제품)를 2 질량부 배합하고, 아세트산에틸로 농도를 조정하여, 중간수지층 조성물을 얻었다.
두께 38μm의 폴리에틸렌테레프탈레이트 기재 필름(PET)의 편면상에 상기의 중간수지층 조성물을 도포 후, 건조시키고, 건조 막두께 42μm의 중간수지층을 적층하였다. 이때, 중간수지층의 가교후의 유리 전이온도는 -15℃였다.
게다가 두께 25μm의 PET 세퍼레이터 위에 점착제 조성물을 도포하고, 건조시켜서, 중간수지층을 설치한 테이프상에 맞붙이는 것으로 적층하고, 막두께 20μm 두께의 점착제층을 적층하여 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프를 제작하였다.
〈실시예 3〉
방사선 경화성 탄소-탄소 이중 결합 함유기, 수산기, 및 카르복실기를 함유하는 기를 각각 가지는 중량 평균 분자량 80만의 아크릴 공중합체 100 질량부에 대해서, 어덕트계 이소시아네이트 가교제 콜로네이트 L(상품명, 일본 폴리우레탄사 제품)을 1 질량부, 광중합 개시제 이르가큐어 184(상품명, 치바재팬사 제품)를 3 질량부 배합하고, 아세트산에틸로 농도를 조정하여 점착제 조성물을 얻었다.
또, 메타크릴산n-부틸을 구성성분의 하나로 하고, 수산기를 가지는 아크릴 공중합체(수산기값이 35) 100 질량부에 대해서 폴리이소시아네이트 가교제 TKA-100(상품명, Asahi Kasei Chemicals Corporation 제품)을 12 질량부 배합하고, 아세트산에틸로 농도를 조정하여, 중간수지층 조성물을 얻었다.
두께 25μm의 폴리에틸렌나프탈레이트 기재 필름(PEN)의 편면상에 상기의 중간수지층 조성물을 도포 후, 건조시켜서, 건조 막두께 50μm의 중간수지층을 적층하였다. 이때, 중간수지층의 가교후의 유리 전이온도는 30℃였다.
게다가 두께 25μm의 PET 세퍼레이터 위에 점착제 조성물을 도포하고, 건조시켜서, 중간수지층을 설치한 테이프상에 맞붙임시키는 것으로 적층하고, 막두께 30μm 두께의 점착제층을 적층하여 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프를 제작하였다.
〈실시예 4〉
중량 평균 분자량 100만의 아크릴 공중합체 100 질량부에 대해서 이소시아네이트계 가교제 콜로네이트 L(상품명, 일본 폴리우레탄사 제품)을 4 질량부 배합하고, 아세트산에틸로 농도를 조정하여 점착제 조성물을 제작하였다.
또, 메타크릴산n-부틸을 구성성분의 주성분으로 하고, 수산기와 카르복실기를 가지는 아크릴 공중합체(산값이 11, 수산기값이 4) 100 질량부에 대해서, 어덕트계 이소시아네이트 가교제 콜로네이트 L(상품명, 일본 폴리우레탄사 제품)을 1 질량부 및 에폭시계 가교제 TETRAD-C(상품명, MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC. 제품)를 1부 배합하고, 아세트산에틸로 농도를 조정하여, 중간수지층 조성물을 얻었다.
두께 38μm의 폴리에틸렌테레프탈레이트 기재 필름(PET)의 편면상에 상기의 중간수지층 조성물을 도포 후, 건조시켜서, 건조 막두께 62μm의 중간수지층을 적층하였다. 이때, 중간수지층의 가교후의 유리 전이온도는 -10℃였다.
게다가 두께 25μm의 PET 세퍼레이터 위에 점착제 조성물을 도포하고, 건조시켜서, 중간수지층을 설치한 테이프상에 맞붙임시키는 것으로 적층하고, 막두께 30μm 두께의 점착제층을 적층하여 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프를 제작하였다.
〈실시예 5〉
중량 평균 분자량 120만의 아크릴 공중합체 100 질량부에 대해서 이소시아네이트계 가교제 콜로네이트 L(상품명, 일본 폴리우레탄사 제품)을 2 질량부 및 에폭시계 가교제 TETRAD-C(상품명, MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC. 제품)를 4 질량부 배합하고, 아세트산에틸로 농도를 조정하여 점착제 조성물을 제작하였다.
또, 메타크릴산n-부틸을 구성성분의 주성분으로 하고, 수산기와 카르복실기를 가지는 아크릴 공중합체(산값이 11, 수산기값이 3) 100 질량부에 대해서, 어덕트계 이소시아네이트콜로네이트 L(상품명, 일본 폴리우레탄사 제품)을 2 질량부 및 에폭시계 가교제 TETRAD-C(상품명, MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC. 제품)를 2 질량부 배합하고, 아세트산에틸로 농도를 조정하여, 중간수지층 조성물을 얻었다.
두께 38μm의 폴리에틸렌테레프탈레이트 기재 필름(PET)의 편면상에 상기의 중간수지층 조성물을 도포 후, 건조시켜서, 건조 막두께 42μm의 중간수지층을 적층하였다. 이때, 중간수지층의 가교후의 유리 전이온도는 0℃였다.
게다가 두께 25μm의 PET 세퍼레이터 위에 점착제 조성물을 도포하고, 건조시켜서, 중간수지층을 설치한 테이프상에 맞붙임시키는 것으로 적층하고, 막두께 20μm 두께의 점착제층을 적층하여 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프를 제작하였다.
〈실시예 6〉
중량 평균 분자량 80만의 아크릴 공중합체 100 질량부에 대해서 이소시아네이트계 가교제 콜로네이트 L(상품명, 일본 폴리우레탄사 제품)을 0.5 질량부 배합하고, 아세트산에틸로 농도를 조정하여 점착제 조성물을 제작하였다.
또, 메타크릴산n-부틸을 구성성분의 주성분으로 하고, 수산기와 카르복실기를 가지는 아크릴 공중합체(산값이 12, 수산기값이 5) 100 질량부에 대해서, 어덕트계 이소시아네이트콜로네이트 L(상품명, 일본 폴리우레탄사 제품)을 2 질량부 및 에폭시계 가교제 TETRAD-C(상품명, MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC. 제품)를 4 질량부 배합하고, 아세트산에틸로 농도를 조정하여, 중간수지층 조성물을 얻었다.
두께 50μm의 폴리에틸렌테레프탈레이트 기재 필름(PET)의 편면상에 상기의 중간수지층 조성물을 도포 후, 건조시켜서, 건조 막두께 50μm의 중간수지층을 적층하였다. 이때, 중간수지층의 가교후의 유리 전이온도는 15℃였다.
게다가 두께 25μm의 PET 세퍼레이터 위에 점착제 조성물을 도포하고, 건조시켜서, 중간수지층을 설치한 테이프상에 맞붙임시키는 것으로 적층하고, 막두께 30μm 두께의 점착제층을 적층하여 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프를 제작하였다.
〈실시예 7〉
2-에틸헥실아크릴레이트, 메틸아크릴레이트, 2-히드록시에틸아크릴레이트의 공중합체인 분자량 70만의 아크릴 베이스수지 100 질량부에 대해서 이소시아네이트계 가교제 콜로네이트 L(상품명, 일본 폴리우레탄사 제품)을 4 질량부, 올리고머로서 광중합성 탄소-탄소 이중 결합을 가지는 테트라메틸올메탄테트라아크릴레이트 100부, 광중합 개시제 이르가큐어 184(상품명, 치바재팬사 제품)를 1 질량부 배합하고, 아세트산에틸로 농도를 조정하여 점착제 조성물을 제작하였다.
또, 메타크릴산n-부틸을 구성성분의 주성분으로 하고, 수산기와 카르복실기를 가지는 아크릴 공중합체(산값이 11, 수산기값이 2) 100 질량부에 대해서, 어덕트계 이소시아네이트콜로네이트 L(상품명, 일본 폴리우레탄사 제품)을 2 질량부 및 에폭시계 가교제 TETRAD-C(상품명, MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC. 제품)를 2 질량부 배합하고, 아세트산에틸로 농도를 조정하여, 중간수지층 조성물을 얻었다.
두께 38μm의 폴리에틸렌테레프탈레이트 기재 필름(PET)의 편면상에 상기의 중간수지층 조성물을 도포 후, 건조시켜서, 건조 막두께 42μm의 중간수지층을 적층하였다. 이때, 중간수지층의 가교후의 유리 전이온도는 0℃였다.
게다가 두께 25μm의 PET 세퍼레이터 위에 점착제 조성물을 도포하고, 건조시켜서, 중간수지층을 설치한 테이프상에 맞붙임시키는 것으로 적층하고, 막두께 20μm 두께의 점착제층을 적층하여 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프를 제작하였다.
〈실시예 8〉
중량 평균 분자량 80만의 아크릴 공중합체 100 질량부에 대해서 이소시아네이트계 가교제 콜로네이트 L(상품명, 일본 폴리우레탄사 제품)을 1.5 질량부 배합하고, 아세트산에틸로 농도를 조정하여 점착제 조성물을 제작하였다.
또, 수산기와 카르복실기를 가지는 폴리우레탄아크릴레이트(산값이 2, 수산기값이 35) 100 질량부에 대해서, 이소시아네이트 가교제 콜로네이트 L(상품명, 일본 폴리우레탄사 제품)을 3 질량부 및 에폭시계 가교제 TETRAD-C(상품명, MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC. 제품)를 4 질량부 배합하고, 아세트산에틸로 농도를 조정하여, 중간수지층 조성물을 얻었다.
두께 25μm의 폴리에틸렌나프탈레이트 기재 필름(PEN)의 편면상에 상기의 중간수지층 조성물을 도포 후, 건조시켜서, 건조 막두께 50μm의 중간수지층을 적층하였다. 이때, 중간수지층의 가교후의 유리 전이온도는 30℃였다.
게다가 두께 25μm의 PET 세퍼레이터 위에 점착제 조성물을 도포하고, 건조시켜서, 중간수지층을 설치한 테이프상에 맞붙임시키는 것으로 적층하고, 막두께 30μm 두께의 점착제층을 적층하여 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프를 제작하였다.
〈실시예 9〉
방사선 경화성 탄소-탄소 이중 결합 함유기, 수산기, 및 카르복실기를 함유하는 기를 각각 가지는 중량 평균 분자량 80만의 아크릴 공중합체 100 질량부에 대해서, 어덕트계 이소시아네이트 가교제 콜로네이트 L(상품명, 일본 폴리우레탄사 제품)을 1 질량부, 광중합 개시제 이르가큐어 184(상품명, 치바재팬사 제품)를 3 질량부 배합하고, 아세트산에틸로 농도를 조정하여 점착제 조성물을 얻었다.
또, 메타크릴산n-부틸을 구성성분의 하나로 하고, 수산기와 카르복실기를 가지는 아크릴 공중합체(산값이 10, 수산기값이 2) 100 질량부에 대해서, 어덕트계 이소시아네이트콜로네이트 L(상품명, 일본 폴리우레탄사 제품)을 2 질량부 및 에폭시계 가교제 TETRAD-C(상품명, MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC. 제품)를 2 질량부 배합하고, 아세트산에틸로 농도를 조정하여, 중간수지층 조성물을 얻었다.
두께 75μm의 폴리에틸렌테레프탈레이트 기재 필름(PET)의 편면상에 상기의 중간수지층 조성물을 도포 후, 건조시켜서, 건조 막두께 25μm의 중간수지층을 적층하였다. 이때, 중간수지층의 가교후의 유리 전이온도는 0℃였다.
게다가 두께 25μm의 PET 세퍼레이터 위에 점착제 조성물을 도포하고, 건조시켜서, 중간수지층을 설치한 테이프상에 맞붙임시키는 것으로 적층하고, 막두께 30μm 두께의 점착제층을 적층하여 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프를 제작하였다.
〈실시예 10〉
방사선 경화성 탄소-탄소 이중 결합 함유기, 수산기, 및 카르복실기를 함유하는 기를 각각 가지는 중량 평균 분자량 80만의 아크릴 공중합체 100 질량부에 대해서, 어덕트계 이소시아네이트 가교제 콜로네이트 L(상품명, 일본 폴리우레탄사 제품)을 1 질량부, 광중합 개시제 이르가큐어 184(상품명, 치바재팬사 제품)를 3 질량부 배합하고, 아세트산에틸로 농도를 조정하여 점착제 조성물을 얻었다.
또, 메타크릴산n-부틸을 구성성분의 하나로 하고, 수산기와 카르복실기를 가지는 아크릴 공중합체(산값이 10, 수산기값이 2) 100 질량부에 대해서, 어덕트계 이소시아네이트콜로네이트 L(상품명, 일본 폴리우레탄사 제품)을 2 질량부 및 에폭시계 가교제 TETRAD-C(상품명, MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC. 제품)를 2 질량부 배합하고, 아세트산에틸로 농도를 조정하여, 중간수지층 조성물을 얻었다.
두께 40μm의 폴리이미드 기재 필름의 편면상에 상기의 중간수지층 조성물을 도포 후, 건조시켜서, 건조 막두께 30μm의 중간수지층을 적층하였다. 이때, 중간수지층의 가교후의 유리 전이온도는 -5℃였다.
게다가 두께 25μm의 PET 세퍼레이터 위에 점착제 조성물을 도포하고, 건조시켜서, 중간수지층을 설치한 테이프상에 맞붙임시키는 것으로 적층하고, 막두께 30μm 두께의 점착제층을 적층하여 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프를 제작하였다.
〈실시예 11〉
방사선 경화성 탄소-탄소 이중 결합 함유기, 수산기, 및 카르복실기를 함유하는 기를 각각 가지는 중량 평균 분자량 80만의 아크릴 공중합체 100 질량부에 대해서, 어덕트계 이소시아네이트계 가교제 콜로네이트 L(상품명, 일본 폴리우레탄사 제품)을 1 질량부, 광중합 개시제 이르가큐어 184(상품명, 치바재팬사 제품)를 3 질량부 배합하고, 아세트산에틸로 농도를 조정하여 점착제 조성물을 얻었다.
중량 평균 분자량 40만의 수산기를 가지는 아크릴 공중합체(산값이 4, 수산기값이 33) 100 질량부에 대해서, 이소시아네이트계 가교제 콜로네이트 L(상품명, 일본 폴리우레탄사 제품)을 0.5 질량부 배합하고, 아세트산에틸로 농도를 조정하여 중간수지층 조성물을 제작하였다.
두께 38μm의 폴리에틸렌테레프탈레이트 기재 필름(PET)의 편면상에 상기의 중간수지층 조성물을 도포 후, 건조시켜서, 몇 회인가 중합시키는 것으로 건조 막두께 132μm의 중간수지층을 적층하였다. 이때, 중간수지층의 가교후의 유리 전이온도는 -50℃였다.
두께 50μm의 PET 세퍼레이터 위에 점착제 조성물을 도포하고, 건조시켜서, PET 및 EVA의 복층 필름의 편면상에 맞붙임시키는 것으로 적층하고, 막두께 10μm 두께의 점착제층을 적층하여 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프를 제작하였다.
〈비교예 1〉
방사선 경화성 탄소-탄소 이중 결합 함유기, 수산기, 및 카르복실기를 함유하는 기를 각각 가지는 중량 평균 분자량 80만의 아크릴 공중합체 100 질량부에 대해서, 어덕트계 이소시아네이트계 가교제 콜로네이트 L(상품명, 일본 폴리우레탄사 제품)을 1 질량부, 광중합 개시제 이르가큐어 184(상품명, 치바재팬사 제품)를 3 질량부 배합하고, 아세트산에틸로 농도를 조정하여 점착제 조성물을 얻었다.
또, 메타크릴산n-부틸을 구성성분의 하나로 하고, 수산기와 카르복실기를 가지는 아크릴 공중합체(산값이 11, 수산기값이 2) 100 질량부에 대해서, 어덕트계 이소시아네이트콜로네이트 L(상품명, 일본 폴리우레탄사 제품)을 2 질량부 및 에폭시계 가교제 TETRAD-C(상품명, MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC. 제품)를 2 질량부 배합하고, 아세트산에틸로 농도를 조정하여, 중간수지층 조성물을 얻었다.
두께 40μm의 폴리프로필렌(PP) 기재 필름의 편면상에 상기의 중간수지층 조성물을 도포 후, 건조시켜서, 건조 막두께 40μm의 중간수지층을 적층하였다. 이때, 중간수지층의 가교후의 유리 전이온도는 0℃였다.
게다가 두께 25μm의 PET 세퍼레이터 위에 점착제 조성물을 도포하고, 건조시켜서, 중간수지층을 설치한 테이프상에 맞붙임시키는 것으로 적층하고, 막두께 20μm 두께의 점착제층을 적층하여 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프를 제작하였다.
〈비교예 2〉
중량 평균 분자량 40만의 아크릴 공중합체 100 질량부에 대해서 이소시아네이트계 가교제 콜로네이트 L(상품명, 일본 폴리우레탄사 제품)을 1.0 질량부 및 에폭시계 가교제 TETRAD-C(상품명, MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC. 제품)를 2.5 질량부 배합하고, 아세트산에틸로 농도를 조정하여 점착제 조성물을 제작하였다. 두께 25μm의 PET 세퍼레이터 위에 점착제 조성물을 도포하고, 건조시켜서, 두께 165μm의 에틸렌아세트산비닐 공중합체(EVA) 필름의 편면상 맞붙임시키는 것으로 적층하고, 막두께 40μm 두께의 점착제층을 적층하여 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프를 제작하였다.
〈비교예 3〉
2-에틸헥실아크릴레이트, 메틸아크릴레이트, 2-히드록시에틸아크릴레이트의 공중합체인 분자량 70만의 아크릴계 베이스수지 100 질량부에 대해서 이소시아네이트계 가교제 콜로네이트 L(상품명, 일본 폴리우레탄사 제품)을 4 질량부, 올리고머로서 광중합성 탄소-탄소 이중 결합을 가지는 테트라메틸올메탄테트라아크릴레이트 100부, 광중합 개시제 이르가큐어 184(상품명, 치바재팬사 제품)를 1 질량부 배합하고, 아세트산에틸로 농도를 조정하여 점착제 조성물을 제작하였다.
두께 100μm의 폴리에틸렌테레프탈레이트 기재 필름(PET)의 편면상에, 상기의 점착제 조성물을 도포 후, 건조시켜서, 건조 후의 두께를 15μm로 한 점착제층을 적층하였다. 게다가 이 점착제층상에, PET의 세퍼레이터를 적층하여 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프를 제작하였다.
〈비교예 4〉
2-에틸헥실아크릴레이트, 메틸아크릴레이트, 2-히드록시에틸아크릴레이트의 공중합체인 분자량 70만의 아크릴 베이스수지 100 질량부에 대해서 이소시아네이트 가교제 콜로네이트 L(상품명, 일본 폴리우레탄사 제품)을 4 질량부, 올리고머로서 광중합성 탄소-탄소 이중 결합을 가지는 테트라메틸올메탄테트라아크릴레이트 100부, 광중합 개시제 이르가큐어 184(상품명, 치바재팬사 제품)를 1 질량부 배합하고, 아세트산에틸로 농도를 조정하여 점착제 조성물을 제작하였다.
두께 25μm의 PET 세퍼레이터 위에 점착제 조성물을 도포하고, 건조시켜서, 두께 30μm의 고밀도 폴리에틸렌(HDPE) 및 두께 70μm의 에틸렌-아세트산비닐 공중합체의 복층 필름기재의, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체의 층상에 맞붙임시키는 것으로 적층하고, 막두께 30μm 두께의 점착제층을 적층하여 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프를 제작하였다.
〈비교예 5〉
방사선 경화성 탄소-탄소 이중 결합 함유기, 수산기, 및 카르복실기를 함유하는 기를 각각 가지는 중량 평균 분자량 80만의 아크릴 공중합체 100 질량부에 대해서, 어덕트계 이소시아네이트계 가교제 콜로네이트 L(상품명, 일본 폴리우레탄사 제품)을 1 질량부, 광중합 개시제 이르가큐어 184(상품명, 치바재팬사 제품)를 3 질량부 배합하고, 아세트산에틸로 농도를 조정하여 점착제 조성물을 얻었다.
방사선 경화성 탄소-탄소 이중 결합 함유기, 수산기, 및 카르복실기를 함유하는 기를 각각 가지는 중량 평균 분자량 20만의 아크릴 공중합체(산값이 4, 수산기값이 33) 100 질량부에 대해서, 어덕트계 이소시아네이트계 가교제 콜로네이트 L(상품명, 일본 폴리우레탄사 제품)을 0.5 질량부, 광중합 개시제 이르가큐어 184(상품명, 치바재팬사 제품)를 5 질량부 배합하고, 아세트산에틸로 농도를 조정하여 점착제 조성물을 얻었다.
두께 50μm의 PET 세퍼레이터 위에 점착제 조성물을 도포하고, 건조시켜서, 두께 20μm의 고밀도 폴리에틸렌(HDPE) 및 두께 180μm의 에틸렌-아세트산비닐 공중합체의 복층 필름기재의, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체의 층상에 몇 회인가 맞붙임시키는 것으로 적층하고, 막두께 130μm 두께의 중간수지층을 적층하였다. 이때, 중간수지층의 가교후의 유리 전이온도는 -50℃였다.
두께 50μm의 PET 세퍼레이터 위에 점착제 조성물을 도포하고, 건조시켜서, 중간수지층을 적층한 필름에 맞붙임시키는 것으로 적층하고, 막두께 5μm 두께의 점착제층을 적층하여 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프를 제작하였다.
〈비교예 6〉
방사선 경화성 탄소-탄소 이중 결합 함유기, 수산기, 및 카르복실기를 함유하는 기를 각각 가지는 중량 평균 분자량 80만의 아크릴계 공중합체 100 질량부에 대해서, 어덕트계 이소시아네이트계 가교제 콜로네이트 L(상품명, 일본 폴리우레탄사 제품)을 1 질량부, 광중합 개시제 이르가큐어 184(상품명, 치바재팬사 제품)를 3 질량부 배합하고, 아세트산에틸로 농도를 조정하여 점착제 조성물을 얻었다.
두께 100μm의 폴리에틸렌테레프탈레이트 기재 필름(PET)의 한쪽의 면에, 에틸렌아세트산비닐 공중합체(EVA) 수지를 압출에 의해서 두께 50μm의 EVA 수지층을 형성하였다. 또, 다른쪽의 면에, 동일한 에틸렌아세트산비닐 공중합체(EVA) 수지를 사용하여, 압출에 의해서 두께 150μm의 EVA 수지층을 형성하였다. 이 150μm의 EVA 수지층의 유리 전이온도는 -42℃였다.
두께 50μm의 PET 세퍼레이터 위에 점착제 조성물을 도포하고, 건조시켜서, 이 점착제층 조성물층과, 상기의 150μm의 EVA 수지층을 맞붙임시키는 것으로 적층하고, 두께 30μm의 점착제층을 가지는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프를 제작하였다.
상기의 실시예 및 비교예로 제작한 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프에 대해서, 이하의 시험을 행하고, 그 성능을 평가하였다. 평가 결과를 표 1∼3에 기재하였다.
1. 중간수지층의 가교후의 유리 전이온도 측정
(시험 방법)
중간수지층에 아세트산에틸을 내뿜어서 중간수지층을 팽윤시키고, 스패튤라로 가교후의 중간수지층을 채취하였다. 그 후, 진공 건조로 모든 용제를 날린 후, 시차주사 열량계(DSC)로 측정하였다.
2. 폴리이미드막 부가 반도체 웨이퍼의 제작
이하의 방법으로, 폴리이미드막 부가 반도체 웨이퍼를 제작하였다.
웨이퍼 전체의 두께가 725μm이고, 8인치 지름의 실리콘 반도체 웨이퍼에, 폴리이미드로서, 비감광성 폴리이미드 PIX-3400(상품명, HD MicroSystems, Ltd. 제품)을 사용하여, 스핀 코터로 에지 린스를 하면서 건조 후의 막두께가 6μm가 되도록 도공을 행하였다. 그 후, 200℃에서 프리베이크를 30분간 행하고, 350℃에서 본베이크를 1시간 행하여, 두께 6μm의 폴리이미드막을 형성하고, 웨이퍼 전체의 두께가 725μm이고, 8인치 지름의 반도체 웨이퍼를 얻었다.
이 폴리이미드막 부가 반도체 웨이퍼를 사용하여, 이하의 3∼5의 시험을 행하고, 그 성능에 대해 평가하였다.
3. 박막 연삭성 시험
(시험 방법)
붙임기로서 NITTO SEIKI CO., Ltd. 제품 DR8500II(상품명)를 사용하고, 2.의 방법으로 제작한 8인치 웨이퍼의 두께가 725μm인 폴리이미드막 부가 실리콘 반도체 웨이퍼에, 실시예 및 비교예로 제작한 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프를 맞붙임하였다. 그 경우의 맞붙임은, 장치의 부속인 레귤레이터에 의해서 파라미터를 제어하고, 각각 테이프 권취를 0.11MPa, 테이프 풀어냄을 0.26MPa, 세퍼레이터를 0.20MPa, 테이프 누름을 0.17MPa, 테이프 붙임을 0.26MPa의 조건으로 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프의 맞붙임을 행하였다. 그 후, 인라인 기구를 가지는 그라인더(DISCO Inc. 제품 DFG8760(상품명))를 사용하고 두께 50μm, 30μm, 20μm의 두께까지 각각 25매의 웨이퍼의 연마를 행하였다. 또, 웨이퍼의 강도 향상을 위해, 드라이폴리시로 최종 마무리를 행하였다.
(평가)
각 실시예 및 각 비교예로 제작한 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프에 대해서, 평가를 행하였다. 그 결과, 이하와 같이 판정하고, ○ 및 △를 합격으로 하고, Χ를 불합격으로 하였다.
에지 크랙이 거의 없고, 25매 모든 웨이퍼에서 연삭 가능한 것 ：○
에지 크랙이 약간 보여지지만 웨이퍼에 균열은 없고 연삭 가능한 것, 또는 25매의 웨이퍼 중 균열이 1매∼2매인 것：△
웨이퍼가 3매 이상 갈라진 것：Χ
4. 박리 시험
(시험 방법)
상기의 3. 박막 연삭성 시험으로 연삭한 폴리이미드막 부가 웨이퍼를 사용하고, 상기 그라인더에 병설되어 있는 박리기(DISCO Inc. 제품 DFM2700(상품명))를 사용하여 박리성 시험을 25매 행하였다. 감압형 점착 테이프의 박리는 50℃에서 행하고, 방사선 경화형 점착 테이프의 박리 온도는 자외선을 500mJ/cm2 조사 후, 상온에서 측정을 행하였다.
(평가)
각 실시예 및 각 비교예에서 제작한 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프에 대해서, 평가를 행하였다. 그 결과, 이하와 같이 판정하여, ○ 및 △를 합격으로 하였다.
테이프가 웨이퍼로부터 25매 전부가 문제없이 박리할 수 있던 것：○
테이프가 웨이퍼를 파손 등 하는 일 없이 박리할 수 있었으나, 박리 실패에 의해 1도 이상 에러가 발생한 것：△
박리중에 웨이퍼의 파손 등이 발생한 것, 또는 테이프를 웨이퍼로부터 박리할 수 없었던 것：Χ
5.반송 시험
(시험 방법)
상기의 3. 박막 연삭시험에서, 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프를 맞붙임한 채로 웨이퍼 두께가 50μm까지 연삭된 테이프 부가 웨이퍼를, 인라인 장치(DISCO Inc. 제품 DFG8760(상품명) 및 DISCO Inc. 제품 DFM2700(상품명)의 일체형)를 사용하여, 백 그라인드 공정으로부터 다이싱다이본드 필름의 맞붙임 공정 및 박리 공정까지 반송을 행하였다. 다이싱다이본드 필름은 FH-900-20(상품명, Hitachi Chemical Co., Ltd. 제품)을 사용하고, 맞붙임은 60℃에서 행했다.
(평가)
각 실시예 및 각 비교예에서 제작한 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프에 대해서, 평가를 행하였다. 그 결과, 이하와 같이 판정하고, ○을 합격으로 하였다.
흡착 에러가 없고, 반송 가능한 것 ：○
흡착 에러가 발생하고, 반송 에러가 발생한 것：Χ
6. 오염성 시험
(시험 방법)
붙임기로서 NITTO SEIKI CO., Ltd. 제품 DR8500II(상품명)를 사용하고, 8인치 웨이퍼의 두께가 725μm의 실리콘 밀러 웨이퍼에, 실시예 및 비교예에서 제작한 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프를 맞붙임하였다. 그 후, 감압형 점착 테이프의 박리는 50℃에서 행하고, 방사선 경화형 점착 테이프는 자외선을 500mJ/cm2 조사 후, 상온에서 박리하였다.
다음에 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프를 박리한 후의 웨이퍼 표면의 오염물의 원소 비율을, XPS(X선광전자 분광 분석)로 측정하였다. 상기 점착 테이프로부터의 전사 오염물에 유래하는 탄소의 증가량을 상기 점착 테이프를 맞붙임하지 않는 블랭크 웨이퍼와 비교하여, mol%로서 산출하였다. XPS는 이하의 조건으로 측정하였다.
X선원：MgKα, X선의 Take off angle：45°,
측정 면적：1.1mmø
(평가)
각 실시예 및 각 비교예에서 제작한 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프에 대해서, 평가를 행하였다. 그 결과, 이하와 같이 판정하고, ○를 합격으로 하였다.
C(카본)량(atomic%)이 25 이하인 것：○
C(카본)량(atomic%)이 25 보다 컸던 것：Χ
7. 반발계수 및 반발력 측정 시험
(시험 방법)
TOYO SEIKI SEISAKU-SHO, Ltd. 제품의 루프 스티프니스 테스터(상품명)를 사용하여, 반발계수(γ) 및 반발력(α)을 측정하였다.
각 실시예 및 각 비교예에서 제작한 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프를 폭 1cm로 커트하고, 루프 스티프니스 테스터에 설치하였다. 그때, 루프 길이 50mm이상의 띠 형상의 상기 점착 테이프의 중앙 부근에서, 루프 길이 50mm의 원형 루프를 만들고, 이 원형 루프를 외측으로부터 5mm 밀어넣었을 때에 걸리는 하중을 측정하였다. 이때 얻어진 하중을 상기 점착 테이프의 폭 당으로 환산하고, mN/mm단위로 표시한 값을 반발력(α)로 하였다. 이 반발력(α)을 상기 점착 테이프의 기재수지 필름의 두께의 제곱으로 나눈 값을 반발계수(γ)로 하였다.
(평가)
각 실시예 및 각 비교예에서 제작한 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프에 대해서, 평가를 행하였다. 그 결과, 반발계수가 100mN/mm3 이상, 또한 반발력이 13mN/mm이하인 경우를 합격으로 하였다. 또, 반발력이 20mN/mm이상인 것은 측정 불능으로 하였다.
8. 25℃ 및 50℃에서의 점착력 측정 시험
(시험 방법)
각 실시예 및 각 비교예에서 제작한 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프 중, 감압형의 것에 대해서, 50℃에서의 점착력을 측정하였다.
상기 점착 테이프로부터 폭 25mm × 길이 300mm의 시험편을 3점 채취하고, 그것을 JIS R 6253에 규정하는 280번의 내수 연마지로 마무리한 JIS G 4305에 규정하는 두께 1.5mm∼2.0mm의 SUS304 강판상에서 2 kg의 고무 롤러를 3 왕복 걸쳐서 압착하였다. 1시간 방치 후, JIS B 7721에 규정하는 인장 시험기를 사용하여, SUS판에 압착된 상기 점착 테이프의 시험편을 50℃, 상대습도 49%에서 점착력을 측정하였다. 측정은, 180도 벗김법에 따르는 것으로 하고, 이때의 인장 속도는 300mm/min으로 하였다.
9. 세로(MD)방향과 가로(TD)방향의 인장 파단신도의 측정
(시험 방법)
반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프의 샘플을 덤벨 형상 1호형(JIS K 6301)에 따라 덤벨로 본뜨고, 롤에 대해서 감기는 방향을 세로방향(MD), 폭의 방향을 가로방향(TD)으로 하고, 각각에 대해서 n=3 샘플링을 행하고, 각각에 대해서 샘플링한 샘플의 중앙부로부터 상하 20mm의 장소에 선을 그었다. 인장 시험기(JIS B 7721)를 사용하여 인장 속도 300mm/min로 잡아당기고, 선내에서 파단했을 때의 신장률을 측정하였다. 3회 측정의 평균치를 실제의 값으로 해서 사용하여, 세로방향의 인장 파단신도 및 가로방향의 인장 파단신도의 차이를 계산하였다.
[표 1]
Figure 112012044201727-pct00005

[표 2]
Figure 112012044201727-pct00006

[표 3]
Figure 112012044201727-pct00007
표 1∼3에서 도시하는 바와 같이, 비교예 1에서는, 세로방향과 가로방향의 인장 파단신도의 차이가 35%를 넘기 때문에, 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프가 휘어졌기 때문에, 반송성이 불합격으로 되었다. 비교예 2에서는, 반발계수가 너무 작기 때문에, 웨이퍼 자체의 휨을 교정할 수 없으며, 반송성이 불합격으로 되고 또 인장 파단신도의 차이가 35%를 넘기 때문에, 테이프 자체도 휘어지는 결과로 되었다. 비교예 3에서는, 기재수지 필름에 PET를 사용하고 있기 때문에, 반송성은 합격이었지만, 중간수지층을 가지지 않기 때문에, 박막 연삭시에 쿠션성이 충분하지 않고 박막 연삭성이 나쁘며 에지 크랙이 발생하는 결과로 되었다. 게다가 반발력이 높기 때문에 테이프 박리시에 테이프 자체가 구부려지기 어렵기 때문에, 박리시에 웨이퍼가 균열되거나 박리 불량을 일으키는 결과로 되었다. 비교예 4와 5에서는, 반발계수가 너무 작아서, 반송성이 불합격으로 되었다. 비교예 6에서 심재의 PET를 사용하고 있기 때문에 반송성은 문제가 없었지만, 박막 연삭성이 나쁘고 박막 연삭시에 균열이 많이 발생되는 결과로 되었다.
한편, 실시예 1∼실시예 11의 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프는 모두, 반송 시험 및 박막 연삭시험 결과는 합격 레벨이며, 박리도 문제없이 행할 수 있다는 것을 알았다. 특히 실시예 1, 실시예 3, 실시예 4 및 실시예 10에서는 박막 연삭성 및 반송성이 우수하다는 결과로 되었다. 기재로서 폴리이미드를 사용하면 성능은 좋지만 비용이 높기 때문에, 실시예 1, 실시예 3 및 실시예 4가 종합적으로 가장 우수한 결과로 되었다.
[산업상의 사용 가능성]
본 발명에 의해, 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프를 반도체 웨이퍼에 맞붙임한 채로 상기 웨이퍼 이면을 연삭해도, 100μm이하의 박막 웨이퍼로 할 수 있다. 따라서, 본 발명은, 반도체 웨이퍼 표면에 맞붙임해서 사용되는 표면 보호용 점착 테이프로서 매우 적합한 것이다.
본 발명을 그 실시형태와 함께 설명했지만, 우리는 특히 지정하지 않는 한 우리의 발명을 설명의 어느 세부에 있어서도 한정하려고 하는 것이 아니고, 첨부의 청구의 범위에 나타낸 발명의 정신과 범위에 반하는 일 없이 폭넓게 해석되는 것이 당연하다고 생각한다.
본원은, 2009년 12월 22일에 일본에서 특허 출원된 제2009-291497호 및 2010년 9월 29일에 일본에서 특허 출원된 제2010-220068호에 기초하는 우선권을 주장하는 것이며, 이들은 모두 여기에 참조해서 그 내용을 본 명세서의 일부로서 편입한다.
1 : 기재수지 필름
2 : 점착제층
3 : 중간수지층
20 : 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프

Claims (11)

  1. 반도체 웨이퍼 표면에 첩합한 채로 상기 웨이퍼 이면을 연삭하기 위해 사용되는 반도체 웨이퍼 표면보호용 점착 테이프로서, 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프는,
    기재수지 필름과, 상기 기재수지 필름상에 아크릴 중합체 및 우레탄아크릴레이트 공중합체 중 하나 이상을 함유하는 베이스수지 성분이 가교된 중간수지층을 사이에 두고, 직접 점착제층을 가지고, 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프를 하기 조건 (b)의 시험편의 형상에 대하여, 하기 조건(a)∼(d)으로 측정한 루프 스티프니스의 부하하중으로부터 구해진, 상기 시험편의 폭당(幅當)의 반발력(α)을 기재의 두께(β)의 제곱으로 나눈 반발계수(γ)가 100mN/mm3 이상이며, 상기 시험편의 폭당의 반발력(α)이 13mN/mm이하이며, 또한 세로방향과 가로방향의 인장 파단신도(破斷伸度)의 차이가 35%이하인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프.
    (a) 장치
    루프 스티프니스 테스터(상품명, 토요세이키사 제품)
    (b) 루프(시험편) 형상
    길이 50mm 이상, 폭 10mm
    (c) 압자(壓子)의 압입 속도
    3.3mm/sec
    (d) 압자의 압입량
    압자가 루프와 접촉한 시점으로부터 5mm 압입한다.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 중간수지층의 아크릴 중합체가 수산기 및 카르복실기를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 중간수지층의 우레탄아크릴레이트 공중합체가 수산기 및 카르복실기를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 중간수지층의 가교후의 유리 전이온도가 -10℃∼30℃인 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프.
  5. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기재수지 필름이 폴리에스테르 수지 필름인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 폴리에스테르 수지 필름이 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 폴리에스테르 수지 필름의 두께가 25∼75μm인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프.
  8. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프가 감압형 점착 테이프이며, 20∼25℃에 있어서의 SUS연마면에 대한 점착력이 0.5N/25mm이상이며, 또한 50℃에 있어서의 SUS연마면에 대한 점착력이 0.5N/25mm이하인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 점착제층을 구성하는 베이스수지의 중량 평균 분자량이 100만 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프.
  10. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 점착제층이, 방사선을 조사하는 것에 의해 점착력이 낮아지는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 표면 보호용 점착 테이프.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 점착제층이, 주사슬에 대해서 방사선 중합성 탄소-탄소 이중 결합 함유기를 1개 이상 가지는 아크릴계 단량체를 구성 단위로서 포함하는 중합체를 포함해서 이루어지는 베이스수지를 사용하여 이루어지고,
    (메타)아크릴산에스테르 단량체를, 상기 아크릴계 단량체를 구성 단위로서 포함하는 중합체의 구성 성분내에서 90~100%로 하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 표면 보호용 점착 테이프.
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