JP2008235716A - 半導体デバイス加工用粘着テープ - Google Patents

Abstract

【課題】レーザー光により捺印加工された硬化樹脂面に対して貼合した場合において、捺印加工部における硬化樹脂表面のレーザーアッシュを剥離することなく、捺印加工の視認性悪化を生じることのない半導体デバイス加工用粘着テープを提供する。
【解決手段】レーザー光により捺印加工された硬化樹脂層に対して貼着されてダイシング時の半導体デバイスの支持固定に用いられる、基材フィルム上に粘着剤層を有してなる半導体デバイス加工用粘着テープであって、前記粘着テープはループスティフネスが２３〜３８０ｍＮである半導体デバイス加工用粘着テープ。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体デバイスを製造する工程において使用する粘着テープに関する。さらに詳しくいえば、例えば、レーザー光による捺印加工が施された硬化樹脂層を有する半導体デバイスを一つ一つの素子に個片化し、素子として分割するに際し、半導体デバイスを支持・固定するのに使用する半導体デバイス固定用の粘着テープに関するものである。

回路パターンの形成された半導体ウエハをチップ状に分離する、いわゆるダイシング加工を行う際は、ウエハの固定に放射線硬化性粘着テープを用いるピックアップ方式が提案されている。半導体チップはマウント工程に移されるまでに円形状の半導体ウエハを粘着テープに貼着、固定した状態でチップ状にダイシングされ、洗浄、乾燥後、ピックアップの工程を経た後、硬化樹脂による封止によりパッケージ化される。

従来、レジン封止に際しては個々の半導体チップを別個に封止する方法が用いられてきたが、近年、一枚の基板上にボンディングされた複数の半導体チップを硬化樹脂で一括封止したものを更にダイシングして個々の半導体素子を得る方式も盛んに行われている。
また、近年、半導体素子の小型化の一形態としてパターン回路面側にバンプと呼ばれる電極を有するフリップチップ方式のパッケージの製造が各社で行われている。このようなフリップチップ方式の場合、半導体素子を保護することを目的として裏面側に硬化樹脂層からなる保護膜を設けるという方式がしばしば用いられている。

前記の一括封止方式における硬化樹脂からなる封止樹脂層およびフリップチップ方式の裏面側に設けられる硬化樹脂からなる保護膜に対して、製品ロット番号やメーカーのロゴマーク等の捺印加工が為されることが一般的となっているが、近年、捺印加工の方式としてレーザー光による加工が多く用いられている。この方法は封止樹脂層の表面にレーザー光によりわずかな溝を形成し、さらにその溝の表面に、レーザー光のエネルギーによって変性・発色した封止樹脂からなる微量の灰もしくは屑（以後、レーザーアッシュと呼ぶ）を堆積させることにより印字する方式である。ところが、従来のダイシング用粘着テープは、一般に前記樹脂面に貼着される為、ダイシング後、半導体デバイスをピックアップする際、該捺印加工部における微量のレーザーアッシュがダイシングテープの粘着剤層に付着することにより封止樹脂表面より剥がれ、その結果、封止樹脂上の捺印加工の視認性が悪化するという問題があった。

レーザー光による捺印加工を施された硬化樹脂面に貼着されるダイシングテープに関する技術としては、ダイシングテープの粘着剤層にエネルギー線硬化型の粘着剤を用い、且つ該粘着剤層のエネルギー線硬化前の温度２５℃における貯蔵弾性率が、１．０×１０５Ｐａ以上であることを特徴とするダイシングテープ（例えば特許文献１参照）が開示されている。しかしながら、前記ダイシングテープは、硬化樹脂面の捺印加工部への糊残りを抑制するものであって、レーザーアッシュのダイシングテープ粘着剤層への付着によるレーザーアッシュの半導体デバイス表面からの剥離に起因する捺印加工部の視認性悪化の改善を目的とするものでない。
特開２００５−２７７２９７号公報

本発明は、レーザー光により捺印加工された硬化樹脂面に対して貼合した場合において、捺印加工部における硬化樹脂表面のレーザーアッシュを剥離することなく、捺印加工の視認性悪化を生じることのない半導体デバイス加工用粘着テープを提供することを目的としている。

本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意研究を重ねた結果、レーザー光により捺印加工された硬化樹脂層に対して貼着されてダイシング時の半導体デバイスの支持固定に用いられる、基材フィルム上に粘着剤層を有してなる半導体デバイス加工用粘着テープであって、前記基材フィルムのループスティフネスが特定の値である半導体デバイス加工用粘着テープを用いることにより、捺印加工部における硬化樹脂表面のレーザーアッシュを剥離することなく、捺印加工の視認性悪化を生じなくさせることができることを見出した。本発明はこの知見に基づきなされたものである。

すなわち本発明は、
（１）レーザー光により捺印加工された硬化樹脂層に対して貼着されてダイシング時の半導体デバイスの支持固定に用いられる、基材フィルム上に粘着剤層を有してなる半導体デバイス加工用粘着テープであって、前記基材フィルムは下記の条件下で測定したループスティフネスが２３〜３８０ｍＮであることを特徴とする半導体デバイス加工用粘着テープ、
ループスティフネス測定条件：
装置；ループスティフネステスタＤＡ（東洋精機株式会社製商品名）
ループ（サンプル）形状；長さ８０ｍｍ、幅２５ｍｍ
圧子の押し込み速度；３．３ｍｍ／ｓｅｃ
測定データ；圧子がループと接触した時点から１０ｍｍ押し込んだときにロードセルに検出される負荷荷重値を採用する、
（２）前記基材フィルムがエチレン−アクリル酸共重合体のアイオノマーを用いてなることを特徴とする（１）項に記載の半導体デバイス加工用粘着テープ、
を提供するものである。

本発明の半導体デバイス加工用粘着テープによれば、レーザー光により捺印加工された硬化樹脂層を有する半導体デバイスをダイシングするに際し、捺印加工された硬化樹脂面に対して貼合した場合において、ダイシング時のチップ飛びを抑制し得ると共に、ダイシング後に個片化された半導体デバイスをピックアップする際、捺印加工部における硬化樹脂表面のレーザーアッシュを剥離することなく、捺印加工の視認性悪化を防止することができる。

本発明の実施態様を図面を参照して説明する。
図１は本発明の半導体デバイス加工用粘着テープの一例を示す断面図である。
本発明の半導体デバイス固定用粘着テープは、基材フィルム１と、その面上（図１では下面上）に設けられた粘着性を有する粘着剤層２を有してなる粘着テープである。本発明の粘着テープは、レーザー光により捺印加工された硬化樹脂層に対して貼着され、ダイシング時の半導体デバイスの支持固定に用いられるものである。

本発明の半導体デバイス加工用粘着テープは、ループスティフネスが２３〜３８０ｍＮ、好ましくは４０〜２００ｍＮである。ループスティフネスとは、フィルムのコシの評価指標であり、ある長さのフィルムをループ状にし、それを重力の影響を受けない向きから圧子にて押圧してループが変形していくときに圧子にかかる荷重を測定するものである。ループスティフネスの値が大きすぎると製造上および使用上取り扱いが困難であり、小さすぎると捺印加工部における硬化樹脂表面のレーザーアッシュを剥離し、捺印加工の視認性悪化を生じさせてしまう。
本物性値は、ループ（フィルム）の長さ、フィルムの幅、圧子の押し込み距離により値が変わるため、本発明においては下記の定めた測定条件下での値として扱う。
ループスティフネスの測定条件：
装置；ループスティフネステスタＤＡ（東洋精機）
ループ（サンプル）形状；長さ８０ｍｍ、幅２５ｍｍ
圧子の押し込み速度；３．３ｍｍ／ｓｅｃ
測定データ；圧子がループと接触した時点から１０ｍｍ押し込んだときにロードセルに検出される負荷荷重値を採用する。

図２は、半導体デバイスに貼合された状態の図１に示すテープの断面図である。ここで、半導体デバイスの表面には硬化樹脂層３が設けられており、かつ、硬化樹脂層３の表面がレーザー光により捺印され、該捺印加工部分にレーザーアッシュ４が堆積されている。

前記基材フィルム１としては、粘着テープのループスティフネスが上記の範囲となるものであれば、従来公知の基材フィルムの中から適宜選択して用いることができる。フィルム１の曲げ弾性率は好ましくは１００ＭＰａ以上１５００ＭＰａ以下、さらに好ましくは２００ＭＰａ以上１０００ＭＰａ以下であり、厚みは好ましくは５０μｍ以上２００μｍ以下、さらに好ましくは８０μｍ以上１８０μｍ以下である。ただし、粘着剤層２の調製に用いられる粘着剤として放射線硬化性樹脂を用い、且つ該放射線として紫外線を用いる場合には基材フィルムは光透過性であることが必要とされる。放射線として電子線を用いる場合には基材フィルムは必ずしも光透過性である必要はない。使用する基材として、具体的にはポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、およびポリブテンのようなポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体およびエチレン−（メタ）アクリル酸エステル共重合体のようなエチレン共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリメタクリル酸メチル等のエンジニアリングプラスチック、軟質ポリ塩化ビニル、半硬質ポリ塩化ビニル、ポリエステル、ポリウレタン、ポリアミド、ポリイミド天然ゴムならびに合成ゴムなどの高分子材料が好ましい。またこれらの群から選ばれる２種以上が混合されたものもしくは複層化されたものでもよく、粘着剤層との接着性によって任意に選択することができる。前記基材フィルム１の曲げ弾性率が小さすぎると、レーザー光により捺印加工された硬化樹脂面に対して貼合した場合において、捺印加工部における硬化樹脂表面のレーザーアッシュを剥離してしまい、逆に曲げ弾性率が高すぎると被着体への貼合が困難となる、もしくはピックアップが困難となるといった問題が生じる。
基材フィルム１としては、エチレン−アクリル酸共重合体のアイオノマーを用いてなるフィルムであることがさらに好ましい。

本発明の粘着性を有する粘着剤層２を構成する粘着剤としては、粘着テープのループスティフネスが上記の範囲となるものであれば特に制限はなく、従来公知の粘着剤の中から適宜選択して用いることができる。例えば天然ゴムや合成ゴム等を用いたゴム系粘着剤、ポリ（メタ）アクリル酸アルキルエステルや（メタ）アクリル酸アルキルエステルと他のモノマーとの共重合体等を用いたアクリル系粘着剤、その他ポリウレタン系粘着剤やポリエステル系粘着剤やポリカーボネート系粘着剤などの適宜な粘着剤を用いることができ、紫外線等のエネルギー線で硬化処理するようにしたものなどであってもよい。

本発明における粘着剤層２は紫外線等のエネルギー線で硬化処理するようにしたものなどであってもよく、放射線硬化型粘着剤としては、炭素−炭素二重結合等の放射線硬化性の官能基を有し、かつ粘着性を示すものを使用することができる。放射線硬化型粘着剤としては、たとえば、ベースポリマーとして、炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖または主鎖中もしくは主鎖末端に有するものを用いる他、一般的な粘着剤に放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分等の放射線硬化樹脂を配合した放射線硬化性粘着剤を例示できる。粘着剤層２に用いる紫外線硬化型樹脂は特に限定されるものではないが、例として、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレート、ポリエーテルアクリレート、（メタ）アクリル酸オリゴマーおよびイタコン酸オリゴマーのように水酸基あるいはカルボキシル基などの官能基を有するオリゴマーを挙げることができる。

本発明の粘着テープを紫外線照射によって硬化させる場合には、粘着剤中に光重合開始剤を配合する。光重合開始剤としては、例えばイソプロピルベンゾインエーテル、イソブチルベンゾインエーテル、ベンゾフエノン、ミヒラーケトン、クロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、ベンジルジメチルケタノール、α−ヒドロキシシクロヘキシルフエニルケトン、２−ヒドロキシメチルフエニルプロパン等をあげることができる。これらの内の少なくとも１種を放射線重合性粘着剤中に添加することによって、粘着剤層２の硬化反応を効率良く進行させることができ、それによって素子固定粘着力を適度に低下させることができる。
光重合開始剤の添加量は、前記放射線重合性化合物１００質量部に対して０．５〜１０質量部とするのが良い。

さらに本発明に用いられる放射線硬化性の粘着剤には必要に応じて粘着付与剤、粘着調整剤、界面活性剤など、あるいはその他の改質剤等を配合することができる。また、無機化合物フィラーを適宜加えてもよい。

本発明のテープにおける粘着剤層２の粘着性は、粘着材料の架橋密度を制御することにより適宜制御可能である。粘着材料の架橋密度の制御は、例えば多官能イソシアネート系化合物やエポキシ系化合物、メラミン系化合物や金属塩系化合物、金属キレート系化合物やアミノ樹脂系化合物や過酸化物などの適宜な架橋剤を介して架橋処理する方式、炭素・炭素二重結合を２個以上有する化合物を混合し、エネルギー線の照射等により架橋処理する方式などの適宜な方式で行うことができる。
半導体デバイス加工用テープの粘着剤層２はダイシング中に半導体デバイスの飛散を抑制するのに十分な粘着性を有するものである。粘着剤層２のダイシング中の粘着力は０．１〜１．０Ｎ／ｍｍであることが好ましい。粘着力が０．１Ｎ／ｍｍ以下の場合はダイシング工程中に個片化されたチップを保持できずにチップ飛びを起こしてしまう恐れがあり、一方、１．０Ｎ／ｍｍ以上では剥離の際に糊残りを発生してしまう恐れがある。

粘着剤層２の厚さは８〜３５μｍとすることが好ましく、より好ましくは１０〜２５μｍ程度である。粘着剤層２の厚さが薄すぎると半導体デバイスの保持に十分な粘着力を得ることができず、また、粘着剤層２の厚さが厚すぎるとレーザーマークの視認性悪化の一因となる恐れがある他、半導体デバイスの切断面の品質悪化、半導体デバイス側面への糊残りといった問題が生じる。

また、硬化樹脂層３に用いられる樹脂については特に限定は無く、従来、半導体デバイスに用いられている樹脂を適宜選択して使用することができる。また、捺印加工に用いるレーザーマーキング装置並びにレーザー光についても特に限定はなく、硬化樹脂層３にレーザーアッシュ４を堆積できるものであれば、従来、半導体の捺印加工に用いられる装置及びレーザー光から適宜選択して用いることができる。

また、本発明に用いられる半導体デバイスは、表面にレーザー光により捺印加工された硬化樹脂層を有するものであれば特に限定されるものではない。例えば、どちらか一方の面に硬化樹脂層からなる保護膜が設けられており、硬化樹脂層の表面がレーザー光により捺印加工されたウエハ、および、一枚の基板上に設置された複数の半導体チップを硬化樹脂で一括封止されたものであって、硬化樹脂層の表面がレーザー光により捺印加工されたものなどが挙げられる。

次に、本発明の粘着テープの適用工程を従来のダイシング用粘着テープと比較して説明する。
図３は従来のダイシング用粘着テープの適用工程を断面により示す説明図である。図３（ａ）は、半導体デバイスに貼付前の従来のダイシング用粘着テープを示すもので、ダイシング用粘着テープは基材フィルム５上に、粘着剤層６が形成されてなるものである。一方、半導体デバイスの硬化樹脂層３の表面にはレーザー光により、捺印加工され、レーザーアッシュ４が堆積されている。次いで、半導体デバイスにダイシング用粘着テープを貼着すると、図３（ｂ）示すように、貼着時の荷重により基材フィルム５が微小な変形を起こし、粘着剤層６がレーザーアッシュ４に接触する。更に、ダイシング用粘着テープを剥離すると、図３（ｃ）に示すようにレーザーアッシュ４は基材フィルム５上の粘着剤層６に付着し半導体デバイスの硬化樹脂層３から剥離してしまう。

従来のダイシング用粘着テープ剥離後のレーザーマークの一例を図４に示す。ここでは、硬化樹脂層７の表面に「ＡＢＣ」の文字のレーザーマーク８が形成されている平面図を示すものである。上記のようにレーザーアッシュ４が粘着テープの粘着剤層６に付着し、硬化樹脂層３から取り除かれたため、図４に示すように、レーザーマーク８は視認しにくいものとなっている。

これに対し、図５は本発明のダイシングテープの適用工程を断面で示す説明図であり、図５（ａ）は、半導体デバイスに貼付前の本発明のダイシングテープの一例を示すもので、ダイシングテープは、下記の条件下で測定したループスティフネスが２３〜３８０ｍＮであり、
ループスティフネス測定条件：
装置；ループスティフネステスタＤＡ（東洋精機株式会社製商品名）
ループ（サンプル）形状；長さ８０ｍｍ、幅２５ｍｍ
圧子の押し込み速度；３．３ｍｍ／ｓｅｃ
測定データ；圧子がループと接触した時点から１０ｍｍ押し込んだときにロードセルに検出される負荷荷重値を採用する
且つ厚みが５０μｍ以上２００μｍ以下である基材フィルム１上に、粘着性を有する粘着剤層２が３μｍ以上４０μｍ以下の厚みで形成されてなるものである。
一方、半導体デバイスの硬化樹脂層３の表面にはレーザー光により、捺印加工され、レーザーアッシュ４が堆積されている。
この半導体デバイスにダイシングテープを貼着すると、図５（ｂ）示すように、基材フィルム１の剛性により貼着時における基材フィルム１の変形が抑制され、粘着剤層２がレーザーアッシュ４に接触しない、もしくは接触したとしても極微小な領域に抑えられる。更に、図５（ｃ）示すようにダイシングテープを剥離すると、レーザーアッシュ５は、基材フィルムの粘着性層２には付着せず、硬化樹脂層３側に残ったままとなる、もしくは粘着性層２に付着したとしても極微少量に抑えられることから、レーザーマークの視認性を損なうことがない。このため、例えば、図４に示すものと同様なレーザーマークを設けた場合、本発明のテープ剥離後は、図６に示すようにレーザーマーク９は硬化性樹脂層７上で明確に視認できるものとなっている。

次に本発明を実施例に基づき更に詳細に説明する。以下本発明を実施例により説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。

使用した粘着剤の種類を以下に示す。
粘着剤組成物（Ａ）
２−エチルヘキシルアクリレート（７５ｍｏｌ％）、メタクリル酸（１ｍｏｌ％）、２−ヒドロキシエチルアクリレート（２４ｍｏｌ％）の共重合体に、光重合性炭素−炭素二重結合および官能基を有する化合物として、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、重合禁止剤としてハイドロキノンを適宜加え反応温度および反応時間を調整して、光重合性炭素−炭素二重結合を有する化合物を得た。この化合物１００質量部に対して、ポリイソシアネートとして日本ポリウレンタン社製：コロネートＬを０．５質量部、光重合開始剤として日本チバガイギー社製：イルガキュアー１８４を０．５質量部加えて合し、放射線硬化性粘着剤組成物（Ａ）を調製した。

使用した基材フィルムの種類を以下に示す。
以下に示す樹脂材料を、押出機を使用して押出加工することにより基材フィルムを作成した。
樹脂材料
基材フィルムＡ：ポリエチレンテレフタラート
東洋紡績（株）製 コスモシャイン Ａ４１００ １００μｍ
基材フィルムＢ：エチレン−アクリル酸共重合体アイオノマー（亜鉛架橋）
三井デュポンポリケミカル（株）製 ハイミラン １７０６ １５０μｍ
基材フィルムＣ：エチレン−アクリル酸共重合体アイオノマー（亜鉛架橋）
三井デュポンポリケミカル（株）製 ハイミラン １７０６ １００μｍ
基材フィルムＤ：エチレン−アクリル酸共重合体アイオノマー（亜鉛架橋）
三井デュポンポリケミカル（株）製 ハイミラン １６０１ １００μｍ
基材フィルムＥ：エチレン−アクリル酸共重合体アイオノマー（亜鉛架橋）
三井デュポンポリケミカル（株）製 ハイミラン １８５５ １５０μｍ
基材フィルムＦ：ポリプロピレン/熱可塑性エラストマー混合物（ＰＰ：ＨＳＢＲ＝８０：２０）
ポリプロピレン 出光石油化学（株）製 Ｆ−３００ＳＰ
熱可塑性エラストマー ＪＳＲ（株）製 ダイナロン１３２０Ｐ
基材フィルムＧ：エチレン−アクリル酸共重合体アイオノマー（亜鉛架橋）
三井デュポンポリケミカル（株）製 ハイミラン １８５５ １００μｍ

上記のように調整した各種基材フィルムについて、ループスティフネステスターＤＡ（東洋精機）にて、ループスティフネスを測定した。測定条件は、以下のとおり。ループ長；８０ｍｍ、幅；２５ｍｍ、押圧速度；３．３ｍｍ／ｓで押し込み、ループとの接触点から１０ｍｍ押し込んだときにロードセルに検出される負荷荷重値を読みとった。結果を表１に示す。
上記の各種基材フィルムについて、粘着剤として粘着剤組成物（Ａ）を乾燥膜厚が所定の厚さとなるように塗布し、１１０℃で３分間乾燥し、半導体デバイス加工用粘着テープを作製した。作製した半導体デバイス加工用粘着テープの構成を表１に示す。

次いで、実施例１〜３および比較例１〜２で得られた粘着テープについて、以下の手順に従って試験を行い、性能の評価試験を行った。

（性能の評価試験）
＜試験工程＞
（１）６０×６０ｍｍの基板上に設置された１９６個の半導体チップを、硬化樹脂（日立化成工業（株）製ＣＥＬ−７７００）で一括封止した半導体デバイスの硬化樹脂表面にレーザーマーキング装置（キーエンス社製レーザーマーカＭＬ−９１００）を用いてレーザー光（ＣＯ２レーザー）により印字を行った。印字はレーザー光によって直径５０μｍ×深さ２０μｍのドットを連続で形成することによって行った。

（２）各例で得られた粘着テープを、前記（１）で得られた板状硬化樹脂のレーザー光で印字された面に、粘着剤層を介して貼着すると共に、リングフレームに固定した。

（３）板状硬化樹脂を、ダイシング装置（ディスコ社製ＤＡＤ３４０）を用いることにより設定した分割予定ラインに沿って４×４ｍｍ角にフルカットした。ダイシングの条件は、下記の通りである。
ダイシングブレード：ディスコ社ＮＢＣ−ＺＢ１０１０Ｓ３
ブレード送り速度：５０ｍｍ／ｓｅｃ
ブレード回転数：４００００ｒｐｍ
粘着テープへの切り込み量：１００μｍ
この際のチップ飛びを下記の要領に従って評価した。

（４）粘着テープの基材フィルム側から、紫外線を２００ｍＪ／ｍｍ２照射して粘着剤層を硬化させた後、個片化した板状硬化樹脂をピックアップした。個片化された硬化樹脂表面の捺印加工部における捺印加工部の視認性を下記の要領にしたがって評価した。

＜チップ飛び＞
ダイシング時において、ダイシングテープから剥離したチップの数をカウントし、チップ飛びの評価とした。
＜捺印視認性＞
ピックアップした半導体デバイスにおける捺印の視認性が、ダイシングテープ貼合前のものと比較して目視で悪化しなかったものをカウントし捺印視認性の評価とした。

表２に示すように、比較例１では、用いた基材フィルムのループスティフネス値が低い為に貼合時にテープが変形し、粘着剤層が硬化樹脂表面のレーザーアッシュに接触したことから、ピックアップした半導体デバイスにおける捺印加工の視認性が悪化するチップが多数見られた。実施例１〜６は、ダイシング時におけるチップ飛びは一切発生せず、捺印加工の視認性悪化も発生しない、もしくは発生したとしても極少数であるという結果であった。

本発明の半導体デバイス加工用粘着テープの一例の断面図である。 半導体デバイスに貼着される本発明の半導体デバイス加工用粘着テープの一例の断面図である。 従来のダイシング用粘着テープの適用工程を断面により示す説明図である。 従来のダイシング用粘着テープ剥離後のレーザーマークの一例を示す平面図である。 本発明の半導体デバイス加工用粘着テープの適用工程を断面により示す説明図である。 本発明の半導体デバイス加工用粘着テープ剥離後のレーザーマークの一例を示す平面図である。

符号の説明

１ 本発明のダイシング用粘着テープにおける基材フィルム
２ 本発明のダイシング用粘着テープにおける粘着剤層
３ 硬化樹脂層
４ レーザーアッシュ
５ 従来のダイシング用粘着テープにおける基材フィルム
６ 従来のダイシング用粘着テープにおける粘着剤層
７ 硬化樹脂層
８ レーザーアッシュが剥離して視認性が悪化したレーザーマーク
９ レーザーアッシュが剥離せず視認性が維持されたレーザーマーク

Claims (2)

1. レーザー光により捺印加工された硬化樹脂層に対して貼着されてダイシング時の支持固定に用いられる、基材フィルムに粘着剤層を有してなる半導体デバイス加工用粘着テープであって、前記基材フィルムは下記の条件下で測定したループスティフネスが２３〜３８０ｍＮであることを特徴とする半導体デバイス加工用粘着テープ。
   ループスティフネス測定条件：
   装置；ループスティフネステスタＤＡ（東洋精機株式会社製商品名）
   ループ（サンプル）形状；長さ８０ｍｍ、幅２５ｍｍ
   圧子の押し込み速度；３．３ｍｍ／ｓｅｃ
   測定データ；圧子がループと接触した時点から１０ｍｍ押し込んだときにロードセルに検出される負荷荷重値を採用する
2. 前記基材フィルムがエチレン−アクリル酸共重合体のアイオノマーを用いてなることを特徴とする請求項１記載の半導体デバイス加工用粘着テープ。

Images