CN102754200B - 半导体晶片表面保护用胶带 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及半导体晶片表面保护用胶带，其具有基材树脂膜和隔着中间树脂层位于该基材树脂膜上的直接粘合剂层，所述中间树脂层是由含有丙烯酸聚合物和/或聚氨酯丙烯酸酯的基础树脂成分交联而成的，其中，在特定的条件下对该半导体晶片表面保护用胶带进行测定，由测得的环刚度的负载荷重求出反弹力α，反弹力α为13mN/mm以下，每单位宽度的反弹力α除以基材厚度β的平方所得到的反弹系数γ为100mN/mm3以上，并且，纵向与横向的拉伸断裂伸长率之差为35%以下。

Description

半导体晶片表面保护用胶带
技术领域
本发明涉及半导体晶片表面保护用胶带(粘着テ一プ)。进一步详细地说，涉及在将半导体晶片磨削成薄膜时所使用的半导体晶片表面保护用胶带。
背景技术
半导体封装件通过下述方法制造：对高纯度单晶硅进行切片从而得到半导体晶片，然后通过离子注入、蚀刻等在该晶片表面上形成集成电路，由此来制造半导体封装件。通过对形成有集成电路的半导体晶片的背面进行磨削、研磨等，能够将半导体晶片制成所需的厚度。此时，为了保护形成于半导体晶片表面上的集成电路而使用半导体晶片表面保护用胶带。背面磨削结束后，将经背面磨削的半导体晶片收纳于晶片盒中，运送至切割工序，加工成半导体芯片。
过去已经利用背面磨削将半导体晶片的厚度削薄至200～400μm左右。但是，伴随着近年来高密度安装技术的进步，产生了将半导体芯片小型化的需要，半导体晶片正在向减薄化发展。根据半导体芯片的种类，需要将其削薄至100μm左右。另外，为了增加一次加工所能够制造的半导体芯片的数量，晶片的直径也倾向于大型化。至今为止，直径为5英寸和6英寸的晶片为主流，与此相对，近年来的主流变成由直径为8～12英寸的半导体晶片加工成半导体芯片。
半导体晶片的减薄化和大直径化的趋势特别在NAND型或NOR型所存在的快闪存储器的领域、或作为易失性存储器的DRAM等领域中显示出了明显的倾向。例如，使用直径12英寸的半导体晶片，并将其磨削至150μm的厚度以下的情况也是不稀奇的。在将大口径的半导体晶片磨削至薄壁的情况下，晶片的刚性下降，容易产生翘曲。
通常，利用机器手臂将半导体晶片从称作晶片盒的专用箱中逐片取出，并由位于磨削机器内的半导体晶片固定用夹具保持，由此来进行背面磨削。利用机器手臂将经背面磨削的半导体晶片收纳于晶片盒中，并输送至下一工序。在由半导体晶片固定用夹具保持时，若半导体晶片的翘曲大，则会出现半导体晶片无法良好地吸附的情况， 甚至最差的情况下半导体晶片会破损。另外，收纳至晶片盒时，若半导体晶片的翘曲大，则存在机器手臂与收纳后的半导体晶片接触从而使半导体晶片破损的问题。
于是，提出了从背面磨削工序至切削带安装工序整体实施而并非将磨削后的薄型晶片收纳于晶片盒这样的装置(串联装置)。另外，提出了通过提高晶片固定用夹具和机器手臂等的性能，使晶片即使发生翘曲也不易受其影响的方法。
另一方面，提出了在将半导体晶片表面保护用胶带贴合于半导体晶片上时，通过降低施加在半导体晶片上的应力来减少半导体晶片的翘曲的方法。例如，在专利文献1中，提出了由基材和设置在该基材的应力缓和性膜上的粘合剂层构成的半导体晶片加工用粘合片，所述基材是由刚性膜与应力缓和性膜隔着可剥离的粘接剂层层积而成的。
另外，专利文献2中，提出了在基材和粘合剂层之间存在具有特定范围的储存弹性模量的中间层的加工用粘合片；在专利文献3中，提出了基材膜至少由3层构成、且该基材膜的表面背面的最外层与内层的储存弹性模量分别在特定范围内的半导体晶片保护用粘合膜。进一步，在专利文献4中，提出了层积有特定材料的多层片材。
但是，使用专利文献1的半导体晶片表面保护用胶带时，在进行完半导体晶片加工之后，需要在可剥离的粘接剂层与刚性膜的界面、可剥离的粘接剂层与应力缓和性膜的界面、或构成可剥离的粘接剂层的内部进行剥离这样繁杂的工序。另外，粘合剂层和应力缓和层重叠有多层，缓冲性过剩，因此在将半导体晶片磨削至50μm厚以下的情况下很有可能产生晶片断裂。
另外，将专利文献2的半导体晶片加工用粘合片的半导体晶片保护用粘合片贴合于形成有聚酰亚胺膜的半导体晶片，并进行半导体晶片的背面磨削的情况下，半导体晶片的厚度达到100μm以下时，涂布于半导体晶片表面上的绝缘膜收缩，从而导致半导体晶片自身也产生翘曲。该情况下，将半导体晶片保持在晶片固定用夹具时，会出现半导体晶片掉落的问题。
进一步，将专利文献3的半导体晶片加工用粘合片贴合于形成有聚酰亚胺膜的半导体晶片，并进行半导体晶片的背面磨削的情况下，虽然在输送带有粘合片的晶片的方面没有问题，但是在将半导体晶片磨削至50μm厚度以下的薄膜的情况下，有时会产生边缘裂缝或晶片断裂。
现有技术文献 
专利文献
专利文献1：日本特开2003-261842号公报
专利文献2：日本特开2004-107644号公报
专利文献3：日本特开2002-69396号公报
专利文献4：日本特开2006-264296号公报
发明内容
本发明的课题在于提供一种半导体晶片表面保护用胶带，即使在将该半导体晶片表面保护用胶带贴合于半导体晶片状态下对该晶片背面进行磨削，也能够制得薄膜(例如，100μm以下的薄膜)晶片。
本发明人对上述课题进行了深入研究。结果发现，下述半导体晶片表面保护用胶带能够解决上述课题：该半导体晶片表面保护用胶带具有基材树脂膜和隔着中间树脂层位于该基材树脂膜上的直接粘合剂层，所述中间树脂层是由含有丙烯酸聚合物和/或聚氨酯丙烯酸酯的基础树脂成分交联而成的，其中，在特定的条件下对该半导体晶片表面保护用胶带进行测定，由测得的环刚度的负载荷重求出的每单位宽度的反弹力α和反弹系数γ在特定范围内，并且，纵向与横向的拉伸断裂伸长率之差为特定的值以下。本发明是基于该见解而完成的。
即，本发明提供以下的技术方案。
<1>一种半导体晶片表面保护用胶带，其具有基材树脂膜和隔着中间树脂层位于该基材树脂膜上的直接粘合剂层，所述中间树脂层是由含有丙烯酸聚合物和/或聚氨酯丙烯酸酯的基础树脂成分交联而成的，
其中，以下述条件(a)～(d)对该半导体晶片表面保护用胶带进行测定，由测得的环刚度的负载荷重求出反弹力α，反弹力α为13mN/mm以下，每单位宽度的反弹力α除以基材厚度β的平方所得到的反弹系数γ为100mN/mm3以上，并且，纵向与横向的拉伸断裂伸长率之差为35%以下。
(a)装置
环刚度试验机(ル一プステフネステスタ，商品名，东洋精机社制造)
(b)圆环(试验片)形状
长度为50mm以上、宽为10mm
(c)压头的压入速度
3.3mm/sec
(d)压头的压入量
从压头与圆环接触的时刻开始压入5mm
<2>如<1>所述的半导体晶片表面保护用胶带，其特征在于，所述中间树脂层的丙烯酸聚合物具有羟基和羧基。
<3>如<2>所述的半导体晶片表面保护用胶带，其特征在于，所述中间树脂层的聚氨酯丙烯酸酯具有羟基和羧基。
<4>如<1>～<3>任一项所述的半导体晶片表面保护用胶带，其中，所述中间树脂层的交联后的玻璃化转变温度为-10℃～30℃。
<5>如<1>～<4>任一项所述的半导体晶片表面保护用胶带，其特征在于，所述基材树脂膜为聚酯树脂膜。
<6>如<5>所述的半导体晶片表面保护用胶带，其特征在于，所述聚酯树脂膜为聚对苯二甲酸乙二醇酯膜。
<7>如<5>或<6>所述的半导体晶片表面保护用胶带，其特征在于，所述聚酯树脂膜的厚度为25～75μm。
<8>如<1>～<7>任一项所述的半导体晶片表面保护用胶带，其特征在于，所述半导体晶片表面保护用胶带为压敏型胶带，在20～25℃对于SUS研磨面的粘合力为0.5N/25mm以上，并且在50℃对于SUS研磨面的粘合力为0.5N/25mm以下。
<9>如<8>所述的半导体晶片表面保护用胶带，其特征在于，构成所述粘合剂层的基础树脂的重均分子量为100万以上。
<10>如<1>～<7>任一项所述的半导体晶片表面保护用胶带，其特征在于，所述粘合剂层的粘合力通过照射放射线而变低。
<11>如<10>所述的半导体晶片表面保护用胶带，其特征在于，所述粘合剂层是使用以下述聚合物作为主要成分的基础树脂构成的，所述聚合物相对于主链具有1个以上的含放射线聚合性碳-碳双键的基团且含有丙烯酸系单体作为结构单元。
即使在将本发明的半导体晶片表面保护用胶带贴合于半导体晶片表面的状态下对该晶片背面进行磨削，以制得100μm以下的薄膜晶片的情况下，也能够降低该半导体晶片的翘曲。因此能够减少由半导体晶片的翘曲而导致的晶片输送时的掉落失 误，从而能够没有障碍地实施作为后续工序的切割带、切割模片粘接膜(dicing die bonding film)的安装直至表面保护带的剥离。本发明的半导体晶片表面保护用胶带能够用于如DRAM或NAND闪存那样的需要薄膜磨削的半导体晶片加工。
本发明的上述及其他特征和优点可适当参照附带的附图，由下述的叙述而更加清楚。
附图说明
图1是表示本发明的半导体晶片表面保护用胶带的一个实施方式的剖面图。
具体实施方式
参照附图，对本发明的优选的半导体晶片表面保护用胶带进行说明。
图1是表示本发明的半导体晶片表面保护用胶带的优选的一个实施方式的示意性剖面图。由图1可知，粘合剂层2隔着中间树脂层3形成于基材树脂膜1上。
即使是将具有以聚酰亚胺为首的绝缘膜的半导体晶片磨削至薄膜的情况下，本发明的半导体晶片表面保护用胶带也能够抑制半导体晶片的翘曲量。通常，在半导体晶片的表面上形成有数μm程度的聚酰亚胺等的绝缘膜。该绝缘膜大多通过加热等而交联，因此在半导体晶片表面的绝缘膜上有时存在残留应力。但是，半导体晶片的背面磨削前，由于半导体晶片厚且具有刚性，因此不会因残留应力而导致半导体晶片翘曲。但是，若将半导体晶片磨薄，则半导体晶片自身的刚性下降。会伴随产生下述现象：由将以聚酰亚胺膜为首的绝缘膜交联时的热收缩而产生的残留应力超过半导体晶片的刚性，半导体晶片自身翘曲。在将本发明的半导体晶片表面保护用胶带贴合于晶片表面并进行磨削的情况下，本发明的胶带能够发挥超过上述绝缘膜的残留应力的翘曲矫正率，降低磨削后的半导体晶片的翘曲。
在进行半导体晶片的背面磨削之后，将本发明的半导体晶片表面保护用胶带剥离。以下述条件对本发明的半导体晶片表面保护用胶带进行测定，由测得的环刚度求出反弹力α，反弹力α为18N/mm以下，每单位宽度的反弹力α除以基材厚度β的平方所得到的反弹系数γ为100N/mm3以上，并且，纵向与横向的拉伸断裂伸长率之差为35%以下。
只要反弹系数在该范围内，就能够将本发明的半导体晶片表面保护用胶带卷成辊 状。反弹系数γ过小的情况下，矫正晶片自身翘曲的力小，因此不为优选。另一方面，若反弹力α过大，则胶带的刚性变得过强，将胶带剥离时，胶带自身变得难以卷曲，薄膜磨削后的晶片变得容易破裂，因此不为优选。反弹力α为18N/mm以下，能够得到良好的剥离性能，优选为10N/mm以下，进一步优选为8N/mm以下。从抑制弯曲的观点考虑，反弹力α优选为1N/mm以上。
另外，即使半导体晶片表面保护用胶带具有抑制磨削后的半导体晶片的翘曲的刚性，但是若该胶带自身翘曲，也会导致贴合有该胶带的半导体晶片翘曲。此时，在贴合有该胶带的状态下输送半导体晶片的情况下，有时会发生输送错误、或半导体晶片的边缘部翘曲。因此，在半导体晶片磨削时，会出现该晶片晃动而产生边缘部碎屑或边缘部裂缝的情况。因此，为了抑制半导体晶片表面保护用胶带自身的翘曲，使纵向与横向的拉伸断裂伸长率之差为35%以下。由此能够降低胶带自身的翘曲。
本发明的环刚度是评价带状试验片的反弹系数和反弹力的指标。环刚度可以如下求出：将本发明的半导体晶片表面保护用胶带形成为圆环状，利用压头对该圆环状试验片进行挤压，由使圆环变形时施加于压头的荷重来求出环刚度。
本发明的环刚度例如可以使用环刚度试验机(商品名、东洋精机社制造)来进行测定。环刚度是在以下的条件(a)～(c)下测定的。
(a)圆环(试验片)形状
长度为50mm以上、宽为10mm
(b)压头的压入速度
3.3mm/sec
(c)压头的压入量
从压头与圆环接触的时刻开始压入5mm
本发明的半导体晶片表面保护用胶带的反弹力α是以试验片的每单位宽度对由上述(c)得到的负荷荷重进行换算而得到的。另外，半导体晶片表面保护用胶带的反弹系数γ是该反弹力α除以试验片的基材树脂膜的平方的值。
如图1所示，对于本发明的半导体晶片表面保护用胶带20来说，在基材树脂膜1和粘合剂层2之间具有后述的特定的中间树脂层3。可以进一步在粘合剂层2上层积剥离膜(未图示)。
图1所示的本发明的半导体晶片表面保护用胶带可以通过下述方法来制造：例 如，将构成中间树脂层3的组成物涂布于剥离膜上，将干燥得到的中间树脂层转印至基材树脂膜1上；或将中间树脂层组合物直接涂布于基材树脂膜1上来形成中间树脂层3，然后按照同样的方法将粘合剂层2转印或直接涂布于中间树脂层3上。
作为中间树脂层组合物的基础树脂成分，从耐热性的观点出发，可以使用丙烯酸聚合物。作为丙烯酸聚合物，可以举出将以下的(甲基)丙烯酸酯单体、(甲基)丙烯酸环烷基酯作为构成成分的聚合物。作为单体使用的(甲基)丙烯酸烷基酯，可以举出例如甲酯、乙酯、丙酯、异丙酯、丁酯、异丁酯、仲丁酯、叔丁酯、戊酯、异戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、异辛酯、壬酯、癸酯、异癸酯、十一烷基酯、十二烷基酯、十三烷基酯、十四烷基酯、十六烷基酯、十八烷基酯、二十烷基酯、苄酯等碳原子数为1～30的烷基酯等，特别优选碳原子数为1～18的烷基酯。作为单体使用的(甲基)丙烯酸环烷基酯，可以举出例如环戊酯、环己酯等。可以使用以这些单体的1种或2种以上的单体作为构成成分的丙烯酸聚合物作为中间树脂成分的基础树脂成分。特别是从通过增大交联点间距离使可挠性提高的观点出发，优选为甲基丙烯酸正丁酯(n-BMA)。优选这些(甲基)丙烯酸酯单体为丙烯酸聚合物中主要成分的构成成分(例如90%～100%)
作为用作上述中间树脂层组合物的基材树脂成分的丙烯酸聚合物，可以举出以能够与所述(甲基)丙烯酸烷基酯或(甲基)丙烯酸环烷基酯共聚的其他单体作为构成成分的丙烯酸共聚合物。作为该示例，可以使用1种或2种以上的以下单体。
(1)含有羧基的单体
丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧基乙酯、丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸、巴豆酸等含有羧基的单体
(2)酸酐单体
马来酸酐、衣康酸酐等酸酐单体
(3)含有羟基的单体
(甲基)丙烯酸-2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羟基己酯、(甲基)丙烯酸-8-羟基辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羟基癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羟基月桂酯、丙烯酸(4-羟甲基环己基)甲酯等含有羟基的单体
进一步，除上述单体之外，可以使用以下的多官能性的单体。可以举出例如己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、 新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、双季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等。这些多官能性单体也可以使用1种或2种以上。
作为上述丙烯酸聚合物，优选具有羟基和羧基。丙烯酸聚合物的羟值优选为1～30，进一步优选为1～10。此处，羟值是利用基于JIS K 0070的方法测定得到的值。另外，丙烯酸聚合物的酸值优选为1～20，进一步优选为1～15。此处，酸值是利用JIS K 5407所述的方法测定得到的值。
羟基与后述的用作交联剂的异氰酸酯交联剂、异氰脲酸酯交联剂反应，从而使中间树脂层交联。另外，羧基与后述的用作交联剂的环氧交联剂反应，从而使中间树脂层交联。
丙烯酸聚合物可以通过对1种或2种以上的单体混合物进行聚合而得到。聚合可以通过溶液聚合、乳液聚合、本体聚合、悬浮聚合等任意方式来进行。丙烯酸聚合物的重均分子量优选为5万以上，进一步优选为10万～100万左右。此处，丙烯酸聚合物的重均分子量可以通过后述的方法进行测定。在中间树脂层组合物中，只要是与丙烯酸聚合物的相容性好的物质，就可以混合其他的树脂。
通过对所述的丙烯酸聚合物进行交联，可以对所述中间树脂层附加凝聚力。通过对中间树脂层附加凝聚力，即使将半导体晶片的厚度磨削至100μm以下之后半导体翘曲的力增大，也会由于中间树脂层直接存在于基材树脂膜层和粘合剂层之间而能够抑制半导体晶片的翘曲。特别是在半导体晶片表面形成有聚酰亚胺膜的情况下，也能够发挥该效果。因此，在中间树脂层组合物中混合交联剂。作为交联剂，如上所述，与基础树脂成分相对应，可以举出例如异氰酸酯交联剂、异氰脲酸酯交联剂、环氧交联剂、金属螯合物交联剂、氮杂环丙烷交联剂和胺树脂等。进一步，在不损害本发明的目的的范围内，可以根据期望在中间树脂层组合物中含有各种添加成分。
另外，作为中间树脂层组合物，除所述的丙烯酸聚合物之外，可以使用聚氨酯丙烯酸酯。作为聚氨酯丙烯酸酯，可以举出将以下的氨酯(甲基)丙烯酸酯单体作为构成成分的聚氨酯丙烯酸酯。可以举出例如(甲基)丙烯酸异冰片酯、(甲基)丙烯酸二环戊烯基酯、丙烯酸苯基羟丙酯等。这些化合物可以使用1种或2种以上。当形成中间层时，可以使用光聚合性单体对氨酯丙烯酸酯类低聚物进行稀释并涂布、干燥，通过紫外线照射使其发挥效果，优选该方法为中间层的制膜方法。
聚氨酯丙烯酸酯优选具有羟基和羧基。聚氨酯丙烯酸酯的羟值优选为1～30，进一步优选为1～10。此处，羟值是基于以下的JIS K 0070测定得到的值。另外，聚氨酯丙烯酸酯的酸值优选为1～20，进一步优选为1～15。此处，酸值是利用JIS K5601-2-1所述的方法测定得到的值。
(羟值的测定方法(JIS K 0070))
(1)使用的试剂
·乙酰化试剂(乙酸酐-吡啶)
·N/2氢氧化钾-乙醇溶液
(2)滴定方法
使用乙酰化试剂对试样进行乙酰化后，利用N/2氢氧化钾-乙醇溶液对过剩的乙酸进行滴定。
(3)计算式
利用下式求出羟值。
羟值=((VB-V)×F×28.5)/S
其中，
V：本试验的N/2氢氧化钾-乙醇溶液的滴定量(mL)
VB：空白试验的N/2氢氧化钾-乙醇溶液的滴定量(mL)
F：N/2氢氧化钾-乙醇溶液的系数
S：试样采集量
AV：试样的酸值(mgKOH/g)
羟基与后述的用作交联剂的异氰酸酯交联剂或异氰脲酸酯交联剂反应，从而使中间树脂层交联。另外，羧基与后述的用作交联剂的环氧系交联剂反应，从而使中间树脂层交联。与所述的丙烯酸聚合物的情况下相同，在使用聚氨酯丙烯酸酯作为中间树脂层的情况下，也可以对中间树脂层附加凝聚力，特别是在磨削至100μm以下厚度的半导体晶片表面上形成有聚酰亚胺膜的情况下，也能够发挥该效果。
利用本发明的半导体晶片表面保护用胶带的中间树脂层，能够向基材树脂膜赋予缓冲性，此外还能够缓和贴合该胶带时所施加的张力。中间树脂层优选弹性模量高于粘合剂层。
为了赋予常温下的刚性，交联后的中间树脂层基于DSC的玻璃化转变点(Tg)的 优选范围是-10℃～30℃，更优选为0℃～20℃。若中间层交联后的玻璃化转变温度过低，则由于半导体晶片表面保护用胶带具有柔软性，因此缓冲性会提高，但薄膜磨削性下降。在干式抛光等薄膜晶片的最终精加工工序中，对半导体晶片施加高压力。若薄膜磨削性低，则在该高压力下，有时表面保护用胶带的下沉效果会导致半导体晶片破裂。特别是在将半导体晶片磨削至50μm以下的厚度时，为了提高半导体晶片的强度而将背面精加工成镜面的状态，为此，进行干式抛光或化学机械抛光、磨抛研磨等，有时由于表面保护用胶带的下沉而导致断裂变多。
另一方面，若中间树脂层的交联后的玻璃化转变温度过高，则缓冲性下降，在加工具有图案的晶片的情况下，有时会产生半导体晶片的破裂。另外，可以在中间树脂层组合物中使用通过放射线照射固化的材料，利用放射线照射进行固化，由此来调整中间树脂层的硬度。
从背面磨削性工序中的缓冲性的观点出发，中间树脂层的厚度优选为10～100μm，进一步优选为20～80μm，更优选为30～70μm。若中间树脂层过薄，则背面磨削工序时的缓冲性变小；若中间树脂层过厚，则在背面磨削时，晶片由于下沉效果而从中央部破裂的概率变高。在薄膜磨削时所使用的抛光的工序中会特别明显地观察到该现象，据认为这是由于，与磨削工序相比，对晶片施加的压力变高。中间树脂层可以是层积有2个以上的层的构成。
基材树脂膜是构成本发明的半导体晶片表面保护用胶带的材料(种类)中，弹性模量最高的层。基材树脂膜能够在进行半导体晶片的背面磨削加工和背面研磨加工时免受冲击，同时抑制半导体晶片的翘曲。特别是，基材树脂膜需要具有针对半导体晶片的背面磨削加工和背面研磨加工时的水洗等的耐水性，同时具有足以保持半导体晶片的柔软性。更加重要的是，对于由半导体晶片上的聚酰亚胺等绝缘膜中的残留应力所引起的半导体晶片的翘曲应力，能够发挥矫正力。作为基材树脂膜，只要是满足这些特性的物质就没有特别限定。特别是从能够矫正薄膜磨削后的半导体晶片的翘曲的观点出发，优选为由含有聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)等聚酯系树脂的树脂组合物构成的物质或聚酰亚胺。进一步优选为PET或PEN。若将聚酯系树脂用于粘合剂层的相反一侧的最外层，则能够同时赋予耐热性，因此是优选的。此时，在将本发明的半导体晶片表面保护用胶带贴合于半导体晶片表面的状态下，以该胶带的基材树脂膜面吸附于半导体晶片保持部件 (例如，卡盘工作台)的情况下，即使在将切割固晶带贴合于该半导体晶片背面时进行加热，也能够减少该表面保护用胶带熔接在卡盘工作台上的情况。因此能够降低晶片断裂。
另外，在聚酯系树脂中，可以使用混合了比聚酯树脂更柔软的树脂的树脂组合物作为基材树脂膜。通过制成掺混有2种以上树脂的树脂组合物，能够得到具有刚性和柔软性的基材。例如，可以使用在聚酯系树脂中混合了热塑性弹性体的树脂组合物作为基材树脂膜。
该情况下，优选贴合有本发明的半导体晶片表面保护用胶带的具有聚酰亚胺膜的8英寸半导体晶片的翘曲矫正率为75%以下，并且，将表面保护用胶带贴合于在表面上形成有聚酰亚胺膜的8英寸径的半导体晶片表面上并将该半导体晶片背面磨削至50μm厚度之后，贴合有该胶带的该8英寸径晶片的顺向翘曲量为20mm以下。
使用放射线固化性的树脂组合物作为后述的粘合剂层的情况下，基材树脂膜优选为放射线透过性。对于基材树脂膜的厚度没有特别限定，优选为10～500μm，更优选为40～500μm，特别优选为80～250μm。需要说明的是，基材膜3为聚酯系树脂的情况下，基材树脂膜的厚度优选为12～80μm。
作为构成粘合剂层的基础树脂，可以使用以往的树脂。其中，优选为丙烯酸系粘合剂，具体来说，可以使用由以丙烯酸酯为主要的结构单体单元的均聚物和共聚物中选出的丙烯酸系聚合物与其他官能性单体的共聚物和这些聚合物的混合物。例如，作为丙烯酸酯，可以优选使用丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸缩水甘油酯、丙烯酸2-羟基乙酯等，此外，也可以将上述的丙烯酸酯替换成例如甲基丙烯酸酯。
进一步，为了控制粘合性和凝聚力，可以对丙烯酸或甲基丙烯酸、丙烯腈、乙酸乙烯酯等单体进行共聚。
上述那样的粘合剂可以通过进一步使用交联剂来将粘合力和凝聚力设定为任意的值。作为这种交联剂，可以举出多元异氰酸酯化合物、多元环氧化合物、多元氮杂环丙烷化合物、螯合物等。作为多元异氰酸酯化合物，具体可以使用甲苯二异氰酸酯、二苯基甲烷二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯和它们的加合物类等。
作为多元环氧化合物，具体可以使用乙二醇二缩水甘油醚、对苯二甲酸二缩水甘 油酯丙烯酸酯等。作为多元氮杂环丙烷化合物，具体可以使用2,4,6-三(1-氮丙啶基)-1,3,5-三嗪、三[1-(2-甲基)氮丙啶]氧化膦、六[1-(2-甲基)-氮丙啶]三膦三嗪等。另外，作为螯合物，具体可以使用乙酰乙酸乙基铝二异丙酯、三(乙基乙酰乙酸基)铝等。
作为本发明的半导体晶片表面保护用胶带所使用的粘合剂层，可以适宜地使用通过放射线照射使粘合力下降从而进行剥离的放射线固化型的粘合剂和不会因放射线而固化的粘合剂的任意一种。在本说明书中，将不会因放射线而固化的粘合剂称作压敏型胶带。粘合剂为压敏型的情况下，优选在20～25℃对于SUS研磨面的粘合力0.5N/25mm以上，且在50℃对于SUS研磨面的粘合力0.5N/25mm以下。若在20～25℃对于SUS研磨面的粘合力过低，则保持力不充分，在晶片的背面磨削时，晶片有可能偏移或破裂。在20～25℃对于SUS研磨面的粘合力优选为1.0N/25mm以上。
通常，压敏型胶带可以通过加热来剥离。若在50℃利用加热剥离的针对SUS研磨面的粘合力过大，则会对薄膜磨削后的剥离产生阻碍，引起晶片破裂。对于本发明的压敏型胶带来说，在50℃对于SUS280研磨面的粘合力优选为0.3N/25mm以下。
需要说明的是，在本发明中，“SUS研磨面”是指基于JIS Z 0237，使用JIS R 6253的280号粗糙度的研磨纸，对JIS G 4305所规定的SUS304钢板进行精加工而得到的研磨面。
粘合剂为压敏型时的基础树脂的重均分子量优选为100万以上。若分子量过小，则有机性的污染物质容易附着于晶片表面，因此不为优选。对于分子量的上限没有特别限定，若考虑聚合的容易度，则重均分子量优选为250万以下。
重均分子量可以通过下述条件的GPC(凝胶渗透色谱法)来进行测定。
GPC装置：HLC-8120GPC(商品名、东曹社制造)
柱：TSK gel Super HM－H/H4000/H3000/H2000、(商品名、Tosoh社制造)
流量：0.6mL/min、
浓度：0.3质量%、
注入量：20μL、
柱温度：40℃
另外，在本发明中，可以使用放射线固化型的粘合剂作为构成粘合剂层的粘合剂。其中，构成粘合剂层的粘合剂优选使用相对于主链具有含放射线聚合性碳-碳双键的基团、含有丙烯酸系单体作为结构单元的聚合物(以下称作聚合物(a))作为主要成分的 基础树脂。在本说明书中，也将该聚合物(a)称作反应性聚合物。所述聚合物(a)可以是采用任意方式制造的聚合物，例如可以举出以由(甲基)丙烯酸酯、含有羟基的不饱和化合物、含有羧基的不饱和化合物等构成的共聚物(a1)的碳链为主链；并针对共聚物(a1)所具有的官能团加成化合物(a2)而得到的聚合物，所述化合物(a2)具有能够进行加成反应的官能团和碳-碳双键。
作为上述(甲基)丙烯酸酯，可以举出碳原子数为6～12的丙烯酸己酯、丙烯酸正辛酯、丙烯酸异辛酯、丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸十二烷基酯、丙烯酸癸酯；或碳原子数为5以下的单体(丙烯酸戊酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸异丁酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸甲酯)；或与它们相同的甲基丙烯酸酯等。此时，作为单体使用碳原子数越大的单体，则玻璃化转变点越低，因此能够制作出所需的玻璃化转变点的聚合物。另外，除玻璃化转变点以外，为了提高相容性和各种性能，可以在5质量%以下的范围内混合乙酸乙烯酯、苯乙烯、丙烯腈等具有碳-碳双键的低分子化合物。
另外，作为含有羟基的不饱和化合物的示例，可以举出丙烯酸2-羟基乙酯、甲基丙烯酸2-羟基乙酯、丙烯酸2-羟基丙酯、甲基丙烯酸2-羟基丙酯等。作为含有羧基的不饱和化合物的示例，可以举出丙烯酸、甲基丙烯酸等。
在共聚物(a1)的官能团为羧基或环状酸酐基的情况下，作为所述的具有能够进行加成反应的官能团和碳-碳双键的化合物(a2)的官能团，可以举出羟基、环氧基、异氰酸酯基等。(a2)的官能团为羟基的情况下，可以举出环状酸酐基、异氰酸酯基等。(a2)的官能团为胺基的情况下，可以举出异氰酸酯基等。作为化合物(a2)的具体例，可以举出丙烯酸、甲基丙烯酸、肉桂酸、衣康酸、富马酸、邻苯二甲酸、丙烯酸-2-羟基烷基酯类、甲基丙烯酸-2-羟基烷基酯类、乙二醇单丙烯酸酯类、乙二醇单甲基丙烯酸酯类、N-羟甲基丙烯酰胺、N-羟甲基甲基丙烯酰胺、烯丙醇、丙烯酸-N-烷基胺基乙酯类、甲基丙烯酸-N-烷基胺基乙酯类、丙烯酰胺类、甲基丙烯酰胺类、马来酸酐、衣康酸酐、富马酸酐、邻苯二甲酸酐、丙烯酸缩水甘油酯、甲基丙烯酸缩水甘油酯、烯丙基缩水甘油醚、利用具有羟基或羧基和光聚合性碳-碳双键的单体对聚异氰酸酯化合物的异氰酸酯基的一部分进行氨基甲酸酯化而得到的化合物等。
在上述的丙烯酸系共聚物(a)的合成中，作为利用溶液聚合来进行共聚合时的有机溶剂，可以使用酮系、酯系、醇系、芳香族系的溶剂，其中优选为甲苯、乙酸乙酯、异丙醇、苯甲基溶纤剂、乙基溶纤剂、丙酮、甲基乙基酮等通常为丙烯酸系聚合物的 良溶剂且沸点为60～120℃的溶剂，作为聚合引发剂，通常使用α,α'-偶氮二异丁腈等偶氮二系、过氧化苯甲酰等有机过氧化物系等自由基引发剂。此时，根据需要，可以并用催化剂、阻聚剂，可以通过调节聚合温度和聚合时间，然后进行官能团的加成反应，而获得所需的分子量的丙烯酸系共聚物(a)。另外，关于分子量的调节，优选使用硫醇、四氯化碳系溶剂。需要说明的是，该共聚并不限于溶液聚合，也可以使用本体聚合、悬浮聚合等其他的方法。
另外，通过在粘合剂中含有光聚合性化合物，可以通过对该粘合剂层照射放射线(特别优选为紫外线)来进一步降低粘合力。作为这种光聚合性化合物，广泛使用例如日本特开昭60-196956号公报和日本特开昭60-223139号公报公开的那样的可利用光照射进行三维网状化的、在分子内至少具有2个以上光聚合性碳-碳双键的低分子量化合物。具体来说，可以使用例如三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯或1,4-丁二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、市售的低聚酯丙烯酸酯等。
进一步，通过在粘合剂中混合光引发剂，能够减少由光照射引起的聚合固化时间和光照射量。作为这种光引发剂，具体可以举出苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙醚、苄基二苯基硫醚、一硫化四甲基秋兰姆、偶氮二异丁腈、联苄、双乙酰、β-氯蒽醌等。对于光引发剂来说，通常相对于光聚合性化合物100质量份，使用0.1～10质量份的量。通过对如此形成的光交联型粘合剂层照射光(优选为紫外线)，能够大幅降低初期的粘接力，并且能够容易地将该胶带从被覆体上剥离。
图1所示的本发明的半导体晶片表面保护粘合20的粘合剂层2上，可以设置未图示的剥离衬垫。
作为剥离衬垫，可以使用经硅脱模处理的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜等。另外，根据需要，可以使用未经硅脱模处理的聚丙烯等。
对于本发明的半导体晶片表面保护用胶带来说，针对贴合有该胶带的8英寸直径的具备聚酰亚胺膜的半导体晶片，其能够将由下述式(1)所表示的翘曲矫正率C调整为75%以下。进一步优选的是，能够将翘曲矫正率C调整为50%以下。
C=(A/B)×100式(1)
式(1)中，A、B、C如下所示。
A：表面形成有厚度为6μm的聚酰亚胺膜的晶片整体的厚度为725μm，且将表面保护用胶带贴合于8英寸直径的硅半导体晶片的聚酰亚胺膜表面上，将该半导体晶片背面磨削至50μm厚度之后，贴合有该胶带的该8英寸直径晶片的顺向翘曲量(mm)
B：表面形成有厚度为6μm的聚酰亚胺膜的晶片整体的厚度为725μm，且将表面保护用胶带贴合于8英寸直径的硅半导体晶片的聚酰亚胺膜表面上，将该半导体晶片背面磨削至50μm厚度，剥离该胶带后，该8英寸直径晶片的顺向翘曲量(mm)
C：翘曲矫正率(%)
在上述式(1)中，聚酰亚胺膜由下述方法形成：使用非光敏性聚酰亚胺PIX-3400(商品名、日立化成Dupont Micro Systems(株)社制造)，利用旋转涂布机一边进行边缘清洗一边在8英寸直径的硅半导体晶片上进行涂布以使干燥后的膜厚为6μm，然后在200℃进行30分钟预烘烤，在350℃进行1小时正式烘烤，由此形成厚度为6μm的聚酰亚胺膜。
对于本发明的半导体晶片表面保护用胶带来说，即使在将具备以聚酰亚胺为首的绝缘膜的半导体晶片磨削至薄膜的情况下，通过中间树脂层的应力缓和效果，不仅能够获得胶带贴合时所施加的张力的缓和效果和基材树脂膜层的翘曲矫正效果，并且该基材树脂膜层、中间树脂层和粘合剂层重叠而成的层在纵向和横向均匀地施加磨削时的应力，因此在无需设定特殊贴合条件的情况下，就能够发挥超过聚酰亚胺绝缘膜的残留应力的翘曲矫正率，且能够降低磨削后的半导体晶片的翘曲。
另外，多数情况下，形成于半导体晶片的表面上的聚酰亚胺膜等绝缘膜是通过加热等进行交联的。因此，有时在绝缘膜中存在残留应力。即使在该情况下，将本发明的半导体晶片表面保护用胶带贴合于晶片表面并进行磨削，也能够发挥超过绝缘膜的残留应力的翘曲矫正率，能够降低磨削后的半导体晶片的翘曲。
实施例
以下，基于实施例进一步详细地说明本发明，但本发明并不限于这些实施例。
<实施例1>
相对于分别具有含放射线固化性碳-碳双键的基团、含羟基和羧基的基团的重均分子量为80万的丙烯酸共聚物100重量份，混合加合物类异氰酸酯系交联剂Coronate L(商品名、日本聚氨酯社制造)1质量份、光聚合引发剂Irgacure 184(商品名、Ciba Japan社制造)3质量份，利用乙酸乙酯来调整浓度，从而制得粘合剂组合物。
另外，相对于以甲基丙烯酸正丁酯为构成成分的主要成分、其他构成成分具有羟基和羧基的丙烯酸共聚物(酸值为10，羟值为2)100质量份，混合加合物类异氰酸酯系交联剂Coronate L(商品名、日本聚氨酯社制造)2质量份和环氧系交联剂TETRAD-C(商品名、三菱气体化学社制造)2质量份，利用乙酸乙酯来调整浓度，从而制得中间树脂层组合物。
在厚度为38μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯基材树脂膜(PET)的单面上，涂布上述的中间树脂层组合物，然后进行干燥，由此层积干燥膜厚为42μm的中间树脂层。此时，中间树脂层的交联后的玻璃化转变温度为0℃。该玻璃化转变温度是利用示差扫描量热仪(DSC)测定得到的值。
进一步，将上述的粘合剂组合物涂布于厚度为25μm的PET隔离膜上，进行干燥。然后，将该粘合剂组合物层和上述的形成于基材树脂膜上的中间树脂层贴合，从而制作出具有干燥膜厚为20μm的粘合剂层的半导体晶片表面保护用胶带。
需要说明的是，上述丙烯酸系共聚物的重均分子量是利用下述条件的GPC(凝胶渗透色谱法)来进行测定的。
GPC装置：HLC-8120GPC(商品名、东曹社制造)
柱：TSK gel Super HM-H/H4000/H3000/H2000、(商品名、东曹社制造)
流量：0.6mL/min、
浓度：0.3质量%、
注入量：20μL、
柱温度：40℃
对于以下的实施例2～11和比较例1～6所使用的丙烯酸系共聚物，采用同样的方法测定重均分子量，将其结果示于表1～3。另外，在以下的实施例2～11和比较例1～6中，中间树脂层的玻璃化转变温度也是与实施例1同样地利用DSC进行测定。
<实施例2>
相对于分别具有含放射线固化性碳-碳双键的基团、含羟基和羧基的基团的重均分子量为80万的丙烯酸共聚物100质量份，混合加合物类异氰酸酯交联剂Coronate L(商品名、日本聚氨酯社制造)1质量份、光聚合引发剂Irgacure 184(商品名、Ciba Japan社制造)3质量份，利用乙酸乙酯来调整浓度，从而制得粘合剂组合物。
另外，相对于以甲基丙烯酸正丁酯为构成成分的主要成分、其他构成成分具有羟 基和羧基的丙烯酸共聚物(酸值为11，羟值为3)100质量份，混合加合物类异氰酸酯交联剂Coronate L(商品名、日本聚氨酯社制造)1质量份和环氧系交联剂TETRAD-C(商品名、三菱气体化学社制造)2质量份，利用乙酸乙酯来调整浓度，从而制得中间树脂层组合物。
在厚度为38μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯基材膜(PET)的单面上，涂布上述的中间树脂层组合物，然后进行干燥，由此层积干燥膜厚为42μm的中间树脂层。此时，中间树脂层的交联后的玻璃化转变温度为-15℃。
进一步，将粘合剂组合物涂布于厚度为25μm的PET隔离膜上，进行干燥，并贴合于设置有中间树脂层的带上，由此来进行层积，通过层积膜厚为20μm的粘合剂层从而制作出半导体晶片表面保护用胶带。
<实施例3>
相对于分别具有含放射线固化性碳-碳双键的基团、含羟基和羧基的基团的重均分子量为80万的丙烯酸共聚物100质量份，混合加合物类异氰酸酯交联剂Coronate L(商品名、日本聚氨酯社制造)1质量份、光聚合引发剂Irgacure 184(商品名、Ciba Japan社制造)3质量份，利用乙酸乙酯来调整浓度，从而制得粘合剂组合物。
另外，相对于以甲基丙烯酸正丁酯为构成成分之一且具有羟基的丙烯酸共聚物(羟值为35)100质量份，混合异氰酸酯交联剂TKA-100(商品名、旭化成化学社制造)12质量份，利用乙酸乙酯来调整浓度，从而制得中间树脂层组合物。
在厚度为25μm的聚萘二甲酸乙二醇酯基材膜(PEN)的单面上，涂布上述的中间树脂层组合物，然后进行干燥，由此层积干燥膜厚为50μm的中间树脂层。此时，中间树脂层的交联后的玻璃化转变温度为30℃。
进一步，将粘合剂组合物涂布于厚度为25μm的PET隔离膜上，进行干燥，并贴合于设置有中间树脂层的带上，由此来进行层积，通过层积膜厚为30μm厚的粘合剂层从而制作出半导体晶片表面保护用胶带。
<实施例4>
相对于重均分子量为100万的丙烯酸共聚物100质量份，混合异氰酸酯系交联剂Coronate L(商品名、日本聚氨酯社制造)4质量份，利用乙酸乙酯来调整浓度，从而制得粘合剂组合物。
另外，相对于以甲基丙烯酸正丁酯为构成成分的主要成分且具有羟基和羧基的丙 烯酸共聚物(酸值为11，羟值为4)100质量份，混合加合物类异氰酸酯交联剂Coronate L(商品名、日本聚氨酯社制造)1质量份和环氧系交联剂TETRAD-C(商品名、三菱气体化学社制造)1质量份，利用乙酸乙酯来调整浓度，从而制得中间树脂层组合物。
在厚度为38μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯基材膜(PET)的单面上，涂布上述的中间树脂层组合物，然后进行干燥，由此层积干燥膜厚为62μm的中间树脂层。此时，中间树脂层的交联后的玻璃化转变温度为-10℃。
进一步，将粘合剂组合物涂布于厚度为25μm的PET隔离膜上，进行干燥，并贴合于设置有中间树脂层的带上，由此来进行层积，通过层积膜厚为30μm厚的粘合剂层从而制造出半导体晶片表面保护用胶带。
<实施例5>
相对于重均分子量为120万的丙烯酸共聚物100质量份，混合异氰酸酯系交联剂Coronate L(商品名、日本聚氨酯社制造)2质量份和环氧系交联剂TETRAD-C(商品名、三菱气体化学社制造)4质量份，利用乙酸乙酯来调整浓度，从而制得粘合剂组合物。
另外，相对于以甲基丙烯酸正丁酯为构成成分的主要成分且具有羟基和羧基的丙烯酸共聚物(酸值为11，羟值为3)100质量份，混合加合物类异氰酸酯Coronate L(商品名、日本聚氨酯社制造)2质量份和环氧系交联剂TETRAD-C(商品名、三菱气体化学社制造)2质量份，利用乙酸乙酯来调整浓度，从而制得中间树脂层组合物。
在厚度为38μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯基材膜(PET)的单面上，涂布上述的中间树脂层组合物，然后进行干燥，由此层积干燥膜厚为42μm的中间树脂层。此时，中间树脂层的交联后的玻璃化转变温度为0℃。
进一步，将粘合剂组合物涂布于厚度为25μm的PET隔离膜上，进行干燥，并贴合于设置有中间树脂层的带上，由此来进行层积，通过层积膜厚为20μm厚的粘合剂层从而制造出半导体晶片表面保护用胶带。
<实施例6>
相对于重均分子量为80万的丙烯酸共聚物100质量份，混合异氰酸酯系交联剂Coronate L(商品名、日本聚氨酯社制造)0.5质量份，利用乙酸乙酯来调整浓度，从而制作粘合剂组合物。
另外，相对于以甲基丙烯酸正丁酯为构成成分的主要成分且具有羟基和羧基的丙烯酸共聚物(酸值为12，羟值为5)100质量份，混合加合物类异氰酸酯Coronate L(商 品名、日本聚氨酯社制造)2质量份和环氧系交联剂TETRAD-C(商品名、三菱气体化学社制造)4质量份，利用乙酸乙酯来调整浓度，从而制得中间树脂层组合物。
在厚度为50μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯基材膜(PET)的单面上，涂布上述的中间树脂层组合物，然后进行干燥，由此层积干燥膜厚为50μm的中间树脂层。此时，中间树脂层的交联后的玻璃化转变温度为15℃。
进一步，将粘合剂组合物涂布于厚度为25μm的PET隔离膜上，进行干燥，并贴合于设置有中间树脂层的带上，由此来进行层积，通过层积膜厚为30μm厚的粘合剂层从而制造出半导体晶片表面保护用胶带。
<实施例7>
相对于丙烯酸基础树脂(丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸甲酯、丙烯酸2-羟基乙酯的共聚物，分子量为70万)100质量份，混合异氰酸酯系交联剂Coronate L(商品名、日本聚氨酯社制造)4质量份、作为低聚物的具有光聚合性碳-碳双键的四羟甲基甲烷四丙烯酸酯100份、光聚合引发剂Irgacure 184(商品名、Ciba japan社制造)1质量份，利用乙酸乙酯来调整浓度，从而制作粘合剂组合物。
另外，相对于以甲基丙烯酸正丁酯为构成成分的主要成分且具有羟基和羧基的丙烯酸共聚物(酸值为11，羟值为2)100质量份，混合加合物类异氰酸酯Coronate L(商品名、日本聚氨酯社制造)2质量份和环氧系交联剂TETRAD-C(商品名、三菱气体化学社制造)2质量份，利用乙酸乙酯来调整浓度，从而制得中间树脂层组合物。
在厚度为38μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯基材膜(PET)的单面上，涂布上述的中间树脂层组合物，然后进行干燥，由此层积干燥膜厚为42μm的中间树脂层。此时，中间树脂层的交联后的玻璃化转变温度为0℃。
进一步，将粘合剂组合物涂布于厚度为25μm的PET隔离膜上，进行干燥，并贴合于设置有中间树脂层的带上，由此来进行层积，通过层积膜厚为20μm厚的粘合剂层从而制造出半导体晶片表面保护用胶带。
<实施例8>
相对于重均分子量为80万的丙烯酸共聚物100质量份，混合异氰酸酯系交联剂Coronate L(商品名、日本聚氨酯社制造)1.5质量份，利用乙酸乙酯来调整浓度，从而制作粘合剂组合物。
另外，相对于具有羟基和羧基的聚氨酯丙烯酸酯(酸值为2，羟值为35)100质量 份，混合异氰酸酯交联剂Coronate L(商品名、日本聚氨酯社制造)3质量份和环氧系交联剂TETRAD-C(商品名、三菱气体化学社制造)4质量份，利用乙酸乙酯来调整浓度，从而制得中间树脂层组合物。
在厚度为25μm的聚萘二甲酸乙二醇酯基材膜(PEN)的单面上，涂布上述的中间树脂层组合物，然后进行干燥，由此层积干燥膜厚为50μm的中间树脂层。此时，中间树脂层的交联后的玻璃化转变温度为30℃。
进一步，将粘合剂组合物涂布于厚度为25μm的PET隔离膜上，进行干燥，并贴合于设置有中间树脂层的带上，由此来进行层积，通过层积膜厚为30μm厚的粘合剂层从而制造出半导体晶片表面保护用胶带。
<实施例9>
相对于分别具有含放射线固化性碳-碳双键的基团、含羟基和羧基的基团的重均分子量为80万的丙烯酸共聚物100质量份，混合加合物类异氰酸酯交联剂Coronate L(商品名、日本聚氨酯社制造)1质量份、光聚合引发剂Irgacure 184(商品名、Ciba Japan社制造)3质量份，利用乙酸乙酯来调整浓度，从而制得粘合剂组合物。
另外，相对于以甲基丙烯酸正丁酯为构成成分之一且具有羟基和羧基的丙烯酸共聚物(酸值为10，羟值为2)100质量份，混合加合物类异氰酸酯Coronate L(商品名、日本聚氨酯社制造)2质量份和环氧系交联剂TETRAD-C(商品名、三菱气体化学社制造)2质量份，利用乙酸乙酯来调整浓度，从而制得中间树脂层组合物。
在厚度为75μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯基材膜(PET)的单面上，涂布上述的中间树脂层组合物，然后进行干燥，由此层积干燥膜厚为25μm的中间树脂层。此时，中间树脂层的交联后的玻璃化转变温度为0℃。
进一步，将粘合剂组合物涂布于厚度为25μm的PET隔离膜上，进行干燥，并贴合于设置有中间树脂层的带上，由此来进行层积，通过层积膜厚为30μm厚的粘合剂层从而制造出半导体晶片表面保护用胶带。
<实施例10>
相对于分别具有含放射线固化性碳-碳双键的基团、含羟基和羧基的基团的重均分子量为80万的丙烯酸共聚物100质量份，混合加合物类异氰酸酯交联剂CoronateL(商品名、日本聚氨酯社制造)1质量份、光聚合引发剂Irgacure 184(商品名、Ciba Japan社制造)3质量份，利用乙酸乙酯来调整浓度，从而制得粘合剂组合物。
另外，相对于以甲基丙烯酸正丁酯为构成成分之一且具有羟基和羧基的丙烯酸共聚物(酸值为10，羟值为2)100质量份，混合加合物类异氰酸酯Coronate L(商品名、日本聚氨酯社制造)2质量份和环氧系交联剂TETRAD-C(商品名、三菱气体化学社制造)2质量份，利用乙酸乙酯来调整浓度，从而制得中间树脂层组合物。
在厚度为40μm的聚酰亚胺基材膜的单面上，涂布上述的中间树脂层组合物，然后进行干燥，由此层积干燥膜厚为30μm的中间树脂层。此时，中间树脂层的交联后的玻璃化转变温度为-5℃。
进一步，将粘合剂组合物涂布于厚度为25μm的PET隔离膜上，进行干燥，并贴合于设置有中间树脂层的带上，由此来进行层积，通过层积膜厚为30μm厚的粘合剂层从而制造出半导体晶片表面保护用胶带。
<实施例11>
相对于分别具有含放射线固化性碳-碳双键的基团、含羟基和羧基的基团的重均分子量为80万的丙烯酸共聚物100质量份，混合加合物类异氰酸酯系交联剂CoronateL(商品名、日本聚氨酯社制造)1质量份、光聚合引发剂Irgacure 184(商品名、Ciba Japan社制造)3质量份，利用乙酸乙酯来调整浓度，从而制得粘合剂组合物。
相对于重均分子量为40万的具有羟基的丙烯酸共聚物(酸值为4，羟值为33)100质量份，混合异氰酸酯系交联剂Coronate L(商品名、日本聚氨酯社制造)0.5质量份，利用乙酸乙酯来调整浓度，从而制作中间树脂层组合物。
在厚度为38μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯基材膜(PET)的单面上，涂布上述的中间树脂层组合物，然后进行干燥，通过数次叠加，从而层积干燥膜厚为132μm的中间树脂层。此时，中间树脂层的交联后的玻璃化转变温度为-50℃。
将粘合剂组合物涂布于厚度为50μm的PET隔离膜上，进行干燥，并贴合于PET和EVA的复层膜的单面上由此来进行层积，通过层积膜厚为10μm厚的粘合剂层从而制造出半导体晶片表面保护用胶带。
<比较例1>
相对于分别具有含放射线固化性碳-碳双键的基团、含羟基和羧基的基团的重均分子量为80万的丙烯酸共聚物100质量份，混合加合物类异氰酸酯系交联剂Coronate L(商品名、日本聚氨酯社制造)1质量份、光聚合引发剂Irgacure 184(商品名、Ciba Japan社制造)3质量份，利用乙酸乙酯来调整浓度，从而制得粘合剂组合物。
另外，相对于以甲基丙烯酸正丁酯为构成成分之一且具有羟基和羧基的丙烯酸共聚物(酸值为11，羟值为2)100质量份，混合加合物类异氰酸酯Coronate L(商品名、日本聚氨酯社制造)2质量份和环氧系交联剂TETRAD-C(商品名、三菱气体化学社制造)2质量份，利用乙酸乙酯来调整浓度，从而制得中间树脂层组合物。
在厚度为40μm的聚丙烯(PP)基材膜的单面上，涂布上述的中间树脂层组合物，然后进行干燥，由此层积干燥膜厚为40μm的中间树脂层。此时，中间树脂层的交联后的玻璃化转变温度为0℃。
进一步，通过将粘合剂组合物涂布于厚度为25μm的PET隔离膜上，进行干燥，并贴合于设置有中间树脂层的带上，由此来进行层积，通过层积膜厚为20μm厚的粘合剂层从而制造出半导体晶片表面保护用胶带。
<比较例2>
相对于重均分子量为40万的丙烯酸共聚物100质量份，混合异氰酸酯系交联剂Coronate L(商品名、日本聚氨酯社制造)1.0质量份和环氧系交联剂TETRAD-C(商品名、三菱气体化学社制造)2.5质量份，利用乙酸乙酯来调整浓度，从而制作粘合剂组合物。
将粘合剂组合物涂布于厚度为25μm的PET隔离膜上，进行干燥，并贴合于厚度为165μm的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)膜的单面上由此来进行层积，通过层积膜厚为40μm厚的粘合剂层从而制造出半导体晶片表面保护用胶带。
<比较例3>
相对于丙烯酸系基础树脂(丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸甲酯、丙烯酸2-羟基乙酯的共聚物，分子量为70万)100质量份，混合异氰酸酯系交联剂Coronate L(商品名、日本聚氨酯社制造)4质量份、作为低聚物的具有光聚合性碳-碳双键的四羟甲基甲烷四丙烯酸酯100份、光聚合引发剂Irgacure 184(商品名、Ciba社制造)1质量份，利用乙酸乙酯来调整浓度，从而制作粘合剂组合物。
在厚度为100μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯基材膜(PET)的单面上，涂布上述的粘合剂组合物，然后进行干燥，由此层积干燥后的厚度为15μm的粘合剂层。进一步，将PET的隔离膜层积于该粘合剂层上，从而制作半导体晶片表面保护用胶带。
<比较例4>
相对于丙烯酸基础树脂(丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸甲酯、丙烯酸2-羟基乙酯的 共聚物，分子量为70万)100质量份，混合异氰酸酯交联剂Coronate L(商品名、日本聚氨酯社制造)4质量份、作为低聚物的具有光聚合性碳-碳双键的四羟甲基甲烷四丙烯酸酯100份、光聚合引发剂Irgacure 184(商品名、Ciba社制造)1质量份，利用乙酸乙酯来调整浓度，从而制作粘合剂组合物。
将粘合剂组合物涂布于厚度为25μm的PET隔离膜上，进行干燥，贴合于厚度为30μm的高密度聚乙烯(HDPE)和厚度为70μm的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物的复层膜基材的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物的层上，由此来进行层积，通过层积膜厚为30μm厚的粘合剂层从而制作出半导体晶片表面保护用胶带。
<比较例5>
相对于分别具有含放射线固化性碳-碳双键的基团、含羟基和羧基的基团的重均分子量为80万的丙烯酸共聚物100质量份，混合加合物类异氰酸酯系交联剂CoronateL(商品名、日本聚氨酯社制造)1质量份、光聚合引发剂Irgacure 184(商品名、Ciba Japan社制造)3质量份，利用乙酸乙酯来调整浓度，从而制得粘合剂组合物。
相对于分别具有含放射线固化性碳-碳双键的基团、含羟基和羧基的基团的重均分子量为20万的丙烯酸共聚物(酸值为4，羟值为33)100质量份，混合加合物类异氰酸酯系交联剂Coronate L(商品名、日本聚氨酯社制造)0.5质量份、光聚合引发剂Irgacure 184(商品名、Ciba Japan社制造)5质量份，利用乙酸乙酯来调整浓度，从而制得粘合剂组合物。
将粘合剂组合物涂布于厚度为50μm的PET隔离膜上，进行干燥，通过在厚度为20μm的高密度聚乙烯(HDPE)和厚度为180μm的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物的复层膜基材的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物的层上数次贴合来进行层积，从而层积膜厚为130μm厚的中间树脂层。此时，中间树脂层的交联后的玻璃化转变温度为-50℃。
将粘合剂组合物涂布于厚度为50μm的PET隔离膜上，进行干燥，并贴合于层积有中间树脂层的膜上，由此来进行层积，通过层积膜厚为5μm厚的粘合剂层从而制造出半导体晶片表面保护用胶带。
<比较例6>
相对于分别具有含放射线固化性碳-碳双键的基团、含羟基和羧基的基团的重均分子量为80万的丙烯酸系共聚物100质量份，混合加合物类异氰酸酯系交联剂Coronate L(商品名、日本聚氨酯社制造)1质量份、光聚合引发剂Irgacure 184(商品名、 Ciba Japan社制造)3质量份，利用乙酸乙酯来调整浓度，从而制得粘合剂组合物。
在厚度为100μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯基材膜(PET)的一个面上，挤出乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)树脂，由此形成厚度为50μm的EVA树脂层。另外，在另一个面上，通过使用相同的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)树脂进行挤出，由此形成厚度为150μm的EVA树脂层。该150μm的EVA树脂层的玻璃化转变温度为-42℃。
将粘合剂组合物涂布于厚度为50μm的PET隔离膜上，进行干燥，并将该粘合剂层组合物层与上述的150μm的EVA树脂层贴合由此来进行层积，从而制造出具有厚度为30μm厚的粘合剂层的半导体晶片表面保护用胶带。
对于由上述的实施例和比较例制作的半导体晶片表面保护用胶带，进行以下的试验，评价其性能。将评价结果记载于表1～3。
1.测定中间树脂层的交联后的玻璃化转变温度
(试验方法)
向中间树脂层喷射乙酸乙酯，使中间树脂层膨润，利用刮刀采集交联后的中间树脂层。然后，利用真空干燥将所有的溶剂飞溅之后，利用示差扫描量热仪(DSC)来进行测定。
2.具备聚酰亚胺膜的半导体晶片的制作
利用以下的方法来制作具备聚酰亚胺膜的半导体晶片。
晶片整体的厚度为725μm，使用非光敏性聚酰亚胺PIX-3400(商品名、日立化成Dupont Micro Systems(株)社制造)作为聚酰亚胺，利用旋转涂布机一边进行边缘清洗一边在直径为8英寸的硅半导体晶片上进行涂布以使干燥后的膜厚为6μm。然后，在200℃进行30分钟预烘烤，在350℃进行1小时正式烘烤，由此形成厚度为6μm的聚酰亚胺膜，得到晶片整体的厚度为725μm且直径为8英寸的半导体晶片。
使用该具备聚酰亚胺膜的半导体晶片，进行以下的3～5的试验，对其性能进行评价。
3.薄膜磨削性试验
(试验方法)
使用日东精机株式会社制造的DR8500II(商品名)作为贴附机，将由实施例和比较例制作的半导体晶片表面保护用胶带贴合于由2.的方法制作的8英寸的晶片厚度为725μm的具备聚酰亚胺膜的硅半导体晶片上。此时的贴合是利用装置附带的调节器来 控制参数的，分别在带卷绕为0.11MPa、带抽出为0.26MPa、隔离膜为0.20MPa、带按压为0.17MPa、带贴附为0.26MPa的条件下进行半导体晶片表面保护用胶带的贴合。然后，使用具有串联机构的研磨机(株式会社DISCO制造的DFG8760(商品名))，将25片晶片分别研磨至厚50μm、30μm、2μm的厚度。另外，为了提高晶片的强度，利用干式抛光来进行最后精加工。
(评价)
对由各实施例和各比较例制作的半导体晶片表面保护用胶带进行评价。其结果以如下方式来进行判断，○和△为合格，×为不合格。
基本上没有边缘裂缝，所有25片晶片均能够进行磨削：○
虽观察到少许边缘裂缝，但能够在晶片上没有断裂的情况下进行磨削，或25片晶片中有1片～2片出现断裂：△
3片以上的晶片出现断裂：×
4.剥离方法
(试验方法)
使用在上述的3.薄膜磨削性试验中经磨削的具备聚酰亚胺膜的晶片，使用并设于上述研磨机的剥离机(株式会社DISCO制造的DFM2700(商品名))进行25片晶片的剥离性试验。压敏型胶带的剥离是在50℃进行的，放射线固化型胶带的剥离温度为常温，在照射500mJ/cm2后进行测定。
(评价)
对由各实施例和各比较例制作的半导体晶片表面保护用胶带进行评价。其结果以如下方式来进行判断，○和△为合格。
胶带能够从全部25片晶片上没有问题地剥离：○
胶带能够在晶片没有破损等的情况下进行剥离，但因剥离失败而出现1次以上的错误：△
在剥离中出现晶片的破损等，或无法将胶带从晶片上剥离：×
5.输送试验
(试验方法)
使用串联式装置(株式会社DISCO制造的DFG8760(商品名)和株式会社DISCO制造的DFM2700(商品名)的一体型)，将上述3.薄膜磨削试验中对贴合有半导体晶片 表面保护用胶带的状态下磨削至50μm晶片厚度的具备胶带的晶片从背面研磨工序输送至切割模片粘接膜的贴合工序和剥离工序。切割模片粘接膜使用FH-900-20(商品名、日立化成工业社制造)，贴合是在60℃进行的。
(评价)
对由各实施例和各比较例制作的半导体晶片表面保护用胶带进行评价。其结果以如下方式来进行判断，○为合格。
无吸附错误，能够输送：○
出现吸附错误，并出现输送错误：×
6.污染性试验
(试验方法)
使用日东精机株式会社制造的DR8500II(商品名)作为贴附机，将由实施例和比较例制作的半导体晶片表面保护用胶带贴合于8英寸的晶片厚度为725μm的硅镜面晶片上。然后，压敏型胶带的剥离在50℃进行，放射线固化型胶带是在照射500mJ/cm2的紫外线后，在常温下进行剥离的。
接着，使用XPS(X射线光电子能谱分析)，对将半导体晶片表面保护用胶带剥离后的晶片表面的污染物的元素比例进行测定。将来自于该胶带的转印污染物引起的碳的增加量与没有贴合该胶带的空白晶片进行比较，以mol%的方式算出。XPS是在以下的条件下测定的。
X射线源：MgKα、X射线的Take off angle：45°、
测定面积： 
(评价)
对由各实施例和各比较例制作的半导体晶片表面保护用胶带进行评价。其结果以如下方式来进行判断，○为合格。
C(碳)量(原子%)为25以下：○
C(碳)量(原子%)大于25：×
7.反弹系数和反弹力测定试验
(试验方法)
使用株式会社东洋精机制作所制造的环刚度试验机(商品名)来测定反弹系数γ和反弹力α。
将由各实施例和各比较例制作的半导体晶片表面保护用胶带切割成宽1cm，设置在环刚度试验机上。此时，在圆环长为50mm以上的带状的该胶带的中央附近，制作圆环长为50mm的圆形环，测量将该圆形环自外侧压入5mm时所施加的荷重。将此时得到的荷重换算为该胶带的每单位宽度，将以mN/mm单位表示的值作为反弹力α。将该反弹力α除以该胶带的基材树脂膜的厚度的平方所得到的值作为反弹系数γ。
(评价)
对由各实施例和各比较例制作的半导体晶片表面保护用胶带进行评价。其结果，反弹系数为100mN/mm3以上且反弹力为13mN/mm以下的情况为合格。另外，反弹力为20mN/mm以上的情况无法测定。
8.25℃和50℃的粘合力测定实验
(试验方法)
对于由各实施例和各比较例制作的半导体晶片表面保护用胶带中的压敏型胶带，测定50℃的粘合力。
从该胶带上选取3点宽度25mm×长度300mm的试验片，在经JIS R 6253所规定的280号耐水研磨纸进行了精加工的JIS G 4305中规定的厚度为1.5mm～2.0mm的SUS304钢板上，通过使用2kg的橡胶辊往返3次来对上述试验片进行压接。放置1小时后，使用JIS B 7721所规定的拉伸试验机，在50℃、相对湿度49%的条件下，测定压接于SUS板上的该胶带的试验片的粘合力。测定是利用180度剥离法来进行的，此时的拉伸速度为300mm/min。
9.纵(MD)向和横(TD)向的拉伸断裂伸长率的测量
(试验方法)
按照哑铃形状1号型(JIS K 6301)将半导体晶片表面保护用胶带的样品冲压为哑铃形，以相对于辊卷绕的方向作为纵向(MD)，以宽度的方向作为横向(TD)，分别进行n＝3取样，从各自取样而得的样品的中央部向上下20mm的位置引线。使用拉伸试验机(JIS B 7721)以拉伸速度300mm/min进行拉伸，测定在线内断裂时的延伸率。使用3次测定的平均值作为实际值，从而计算出纵向的拉伸断裂伸长率和横向的拉伸断裂伸长率之差。
表1
    实施例1   实施例2   实施例3   实施例4   实施例5   实施例6
  结构   3层结构   3层结构   3层结构   3层结构   3层结构   3层结构
  基材   PET   PET   PEN   PET   PET   PET
  基材的厚度(μm)   38   38   25   38   38   50
  纵向与横向的拉伸断裂伸长率之差(%)   10   10   7   35   10   15
  中间层的种类   丙烯酸系   丙烯酸系   丙烯酸系   丙烯酸系   丙烯酸系   丙烯酸系
  中间层的交联后的玻璃化转变温度(℃)   0   -15   30   -10   0   15
  中间层的厚度(μm)   42   42   50   62   42   50
  粘合剂的种类   聚合物反应型   聚合物反应型   -   -   -   -
  粘合剂层的主要聚合物的分子量   80万   80万   80万   100万   120万   80万
  粘合剂层的厚度(μm)   20   20   30   30   20   30
  胶带的种类   UV固化型   UV固化型   UV固化型   压敏型   压敏型   压敏型
  2．至50μm的薄膜磨削性   ○   ○   ○   ○   ○   ○
  2．至30μm的薄膜磨削性   ○   ○   ○   ○   △   ○
  2．至20μm的薄膜磨削性   ○   △   ○   ○   △   ○
  3．剥离性   ○   ○   ○   ○   ○   △
  4．输送性   ○   ○   ○   ○   ○   ○
  5．耐污染性   ○   ○   ○   ○   ○   △
  6．反弹系数γ(mN/mm3)   156   165   1078   176   153   244
  反弹力α(mN)   2.25   2.38   6.7   2.54   2.21   6.11
  7．在25℃对于SUS板的粘合力(N/25mm)   -   -   -   0.52   0.4   3.00
  在50℃对于SUS板的粘合力(N/25mm)   -   -   -   0.23   0.18   0.55
表2
    实施例7   实施例8   实施例9   实施例10   实施例11
  结构   3层结构   3层结构   3层结构   3层结构   3层结构
  基材   PET   PEN   PET   聚酰亚胺   PET
  基材的厚度(μm)   38   25   75   40   38
  纵向与横向的拉伸断裂伸长率之差(%)   10   7   25   30   10
  中间层的种类   丙烯酸系   聚氨酯系   丙烯酸系   丙烯酸系   丙烯酸系
  中间层的交联后的玻璃化转变温度(℃)   0   30   0   -5   -50
  中间层的厚度(μm)   42   50   25   30   132
  粘合剂的种类   低聚物反应型   -   聚合物反应型   聚合物反应型   聚合物反应型
  粘合剂层的主要聚合物的分子量   70万   80万   80万   80万   80万
  粘合剂层的厚度(μm)   20   30   30   30   10
  胶带的种类   UV固化型   压敏型   UV固化型   UV固化型   UV固化型
  2．至50μm的薄膜磨削性   ○   ○   ○   ○   △
  2．至30μm的薄膜磨削性   ○   ○   ○   ○   △
  2．至20μm的薄膜磨削性   ○   ○   ○   ○   △
  3．剥离性   △   ○   △   ○   ○
  4．输送性   ○   ○   ○   ○   ○
  5．耐污染性   ○   △   ○   ○   ○
  6．反弹系数γ(mN/mm3)   153   1105   229   319   406
  反弹力α(mN)   2.21   6.91   12.9   5.1   5.87
  7．在25℃对于SUS板的粘合力(N/25mm)   -   1.2   -   -   -
  在50℃对于SUS板的粘合力(N/25mm)   -   0.29   -   -   -
表3
    比较例1   比较例2   比较例3   比较例4   比较例5   比较例6
  结构   3层结构   2层结构   2层结构   2层结构   3层结构   4层结构
  基材   PP   EVA   PET   HDPE/EVA   HDPE/EVA   EVA/PET(2层)
  基材的厚度(μm)   40   165   100   100   200   150
  纵向与横向的拉伸断裂伸长率之差(％)   100   180   25   153   149   30
  中间层的种类   丙烯酸系   无   无   无   丙烯酸系   EVA
  中间层的交联后的玻璃化转变温度(℃)   0   -   -   -   -50   -42
  中间层的厚度(μm)   40   -   -   -   130   150
  粘合剂的种类   聚合物反应型   -   低聚物反应型   低聚物反应型   聚合物反应型   聚合物反应型
  粘合剂层的主要聚合物的分子量   80万   40万   90万   80万   80万   80万
  粘合剂层的厚度(μm)   20   40   15   30   5   30
  胶带的种类   UV固化型   压敏型   UV固化型   UV固化型   UV固化型   UV固化型
  2．至50μm的薄膜磨削性   ○   ○   ○   ○   △   △
  2．至30μm的薄膜磨削性   △   ○   △   ○   ×   ×
  2．至20μm的薄膜磨削性   △   ○   △   ○   ×   ×
  3．剥离性   ○   ○   ×   ×   ○   ×
  4．输送性   ×   ×   ○   ×   ×   ○
  5．耐污染性   ○   ×   △   △   ○   ○
  6．反弹系数γ(mN/mm3)   126   8.5   174   14.3   19.2   无法测定
  反弹力α(mN)   2.02   2.31   17.36   1.43   7.69   20以上
  7．在25℃对于SUS板的粘合力(N/25mm)   -   0.55   -   -   -   -
  在50℃对于SUS板的粘合力(N/25mm)   -   0.18   -   -   -   -
如表1～3所述，在比较例1中，纵向与横向的拉伸断裂伸长率之差超过35%，因此半导体晶片表面保护用胶带翘曲，所以输送性不合格。在比较例2中，反弹系数过小，因此无法矫正晶片自身的翘曲，输送性不合格，此外拉伸断裂伸长率之差超过35%，结果胶带自身也翘曲。在比较例3中，基材树脂膜使用PET，因此输送性合格，但由于不具有中间树脂层，因此在薄膜磨削时缓冲性不足，薄膜磨削性差，结果产生边缘裂缝。进而由于反弹力高，在胶带剥离时胶带自身难以弯曲，从而导致在剥离时晶片裂缝或产生剥离不良的结果。在比较例4和5中，反弹系数过小，输送性不合格。在比较例6中，由于使用芯材的PET，因此输送性没有问题，但薄膜磨削性差，导致在薄膜磨削时产生大量断裂的结果。
另一方面，对于实施例1～实施例11的半导体晶片表面保护用胶带来说，输送试验和薄膜磨削试验结果均为合格级别，也能够没有问题地进行剥离。特别是在实施例1、实施例3、实施例4和实施例10中，得到薄膜磨削性和输送性优异的结果。使用聚酰亚胺作为基材时，性能好但成本高，因此综合来说实施例1、实施例3和实施例4为最优异的结果。
工业实用性
根据本发明，即使在将半导体晶片表面保护用胶带贴合于半导体晶片的状态下对该晶片背面进行磨削，也能够制得100μm以下的薄膜晶片。因此，本发明适合作为贴合于半导体晶片表面而使用的表面保护用胶带。
以上将本发明与其实施方式一同进行了说明，但只要我们没有特别指定，则我们的发明在说明的任何细节均不受限定，只要不违反附带的权利要求书所示的发明的精神和范围，则应当更宽地进行解释。
本申请主张基于2009年12月22日在日本国提出专利申请的特愿2009-291497和2010年9月29日在日本国提出专利申请的特愿2010-220068的优先权，在此进行参考，记载其内容作为本说明书的一部分。
符号说明
1.基材树脂膜
2.粘合剂层
3.中间树脂层
20.半导体晶片表面保护用胶带

Claims (11)

1.一种半导体晶片表面保护用胶带，其是在贴合于半导体晶片表面的状态下对该晶片背面进行磨削时所使用的半导体晶片表面保护用胶带，其特征在于，
该半导体晶片表面保护用胶带具有基材树脂膜和隔着中间树脂层位于该基材树脂膜上的直接粘合剂层，所述中间树脂层是由含有丙烯酸聚合物和/或聚氨酯丙烯酸酯的基础树脂成分交联而成的，
将该半导体晶片表面保护用胶带制成下述条件(b)的试验片的形状，以下述条件(a)～(d)对该试验片进行测定，由测得的环刚度的负载荷重求出反弹力α，该试验片的单位宽度的反弹力α为13mN/mm以下，该试验片的单位宽度的反弹力α除以基材厚度β的平方所得到的反弹系数γ为100mN/mm3以上，并且，纵向与横向的拉伸断裂伸长率之差为35%以下，
(a)装置
商品名为环刚度试验机，东洋精机社制；
(b)圆环试验片形状
长度为50mm以上，宽为10mm；
(c)压头的压入速度
3.3mm/sec；
(d)压头的压入量
从压头与圆环接触的时刻开始压入5mm。
2.如权利要求1所述的半导体晶片表面保护用胶带，其特征在于，所述中间树脂层的丙烯酸聚合物具有羟基和羧基。
3.如权利要求1所述的半导体晶片表面保护用胶带，其特征在于，所述中间树脂层的聚氨酯丙烯酸酯具有羟基和羧基。
4.如权利要求1～3任一项所述的半导体晶片表面保护用胶带，其中，所述中间树脂层的交联后的玻璃化转变温度为-10℃～30℃。
5.如权利要求1～3任一项所述的半导体晶片表面保护用胶带，其特征在于，所述基材树脂膜为聚酯树脂膜。
6.如权利要求5所述的半导体晶片表面保护用胶带，其特征在于，所述聚酯树脂膜为聚对苯二甲酸乙二醇酯膜。
7.如权利要求6所述的半导体晶片表面保护用胶带，其特征在于，所述聚酯树脂膜的厚度为25μm～75μm。
8.如权利要求1～3任一项所述的半导体晶片表面保护用胶带，其特征在于，所述半导体晶片表面保护用胶带为压敏型胶带，在20～25℃对于SUS研磨面的粘合力为0.5N/25mm以上，并且在50℃对于SUS研磨面的粘合力为0.5N/25mm以下。
9.如权利要求8所述的半导体晶片表面保护用胶带，其特征在于，构成所述粘合剂层的基础树脂的重均分子量为100万以上。
10.如权利要求1～3任一项所述的半导体晶片表面保护用胶带，其特征在于，所述粘合剂层的粘合力通过照射放射线而变低。
11.如权利要求10所述的半导体晶片表面保护用胶带，其特征在于，所述粘合剂层是使用以下述聚合物作为主要成分的基础树脂构成的，所述聚合物相对于主链具有1个以上的含放射线聚合性碳-碳双键的基团且含有丙烯酸系单体作为结构单元。
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