KR102040244B1 - 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

반도체 웨이퍼로부터 점착필름 박리시, 웨이퍼 표면에 점착물 잔사가 없는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름 및 그 제조 방법에 대하여 개시한다.
본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름은 기재 필름의 상부에 형성되는 범프 흡수층, 점착제층 및 이형 필름의 적층 구조이고, 상기 범프 흡수층은 탄소수가 10~25의 분지형 알킬기를 가진 알킬(메타)아크릴레이트를 포함하는 모노머로부터 중합된 아크릴계 수지를 포함하는 조성물의 경화물을 포함하고, 상기 점착제층은 열 경화형 수지를 포함하는 조성물의 경화물을 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름 및 그 제조 방법{SURFACE PROTECTING ADHESIVE FILM FOR SEMICONDUCTOR WAFER AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 반도체 웨이퍼의 표면을 보호하는 점착 필름에 관한 것으로, 보다 상세하게는 박리시 웨이퍼 표면에 점착물 잔사 발생을 최소화할 수 있는 점착 필름 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 장치는 고순도의 실리콘 단결정을 절단하여 웨이퍼를 얻은 후 집적회로를 형성한다. 회로 표면에 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름을 점착한 후 그라인딩, 러빙, 폴리싱 등의 수단으로 뒷면을 연삭하는 공정을 거친다. 연삭 공정 후에는 웨이퍼를 적층한 다음, 에폭시 수지로 몰딩하는 것에 의해 반도체 칩을 제조하고 있다.
웨이퍼의 연삭 공정에서는 웨이퍼 및 웨이퍼에 형성된 범프 등 돌출부의 파손과 오염물 침투를 방지하기 위하여 범프 형성면에 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름 또는 보호 필름을 부착하게 된다. 이러한 필름은, 공정을 마친 후에도 웨이퍼의 파손 없이 용이하게 박리되며, 박리 후 웨이퍼 표면에 점착 필름의 잔여물이 남아 오염되는 현상이 없어야 한다.
그러나, 웨이퍼는 백그라인딩 공정시 점착 필름의 밀착성이 부족하면 돌출부위의 영향으로 파손되거나, 표면의 돌출부위에 상응하는 뒷면 부위에 딤플(dimple)이 발생하게 된다.
또한, 연삭 후 웨이퍼 표면으로부터 점착 필름을 박리할 때에는 점착 필름의 일부가 잔류하여 웨이퍼 표면을 오염시키기도 한다.
본 발명에 관련된 배경기술로는 대한민국 공개특허공보 제 10-2007-0019572호(2007.02.15. 공개)가 있으며, 상기 문헌에는 점착 시이트, 그의 제조 방법 및 제품의 가공 방법이 개시되어 있다.
본 발명의 목적은 웨이퍼 표면으로부터 점착 필름 박리시 점착물 잔사 발생을 최소화하는 점착필름을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 연삭시 범프에 응력이 집중되는 현상을 최소화하여 웨이퍼 표면의 파손을 방지할 수 있는 점착 필름의 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기 하나의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름은 기재 필름의 상부에 형성되는 범프 흡수층, 점착제층 및 이형 필름의 적층 구조이고, 상기 범프 흡수층은 탄소수가 10~25의 분지형 알킬기를 가진 알킬(메타)아크릴레이트를 포함하는 모노머로부터 중합된 아크릴계 수지를 포함하는 조성물의 경화물을 포함하고, 상기 점착제층은 열 경화형 수지를 포함하는 조성물의 경화물을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 범프 흡수층의 저장 탄성률(storage modulus)은 상온에서 4Х104~10 Х104Pa일 수 있다.
상기 열 경화형 수지는 탄소수가 1~22의 분지형 알킬기를 갖는 알킬(메타)아크릴레이트 및 히드록시기를 갖는 (메타)아크릴레이트를 포함하는 모노머로부터 중합될 수 있다.
상기 열 경화형 수지를 포함하는 조성물은 열 경화형 수지 100중량부에 대하여, 이소시아네이트(NCO)계 경화제를 30중량부 이하로 더 포함할 수 있다.
상기 범프 흡수층의 두께는 10~100㎛일 수 있다.
상기 하나의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름의 제조 방법은 (a) 기재 필름을 형성하는 단계; (b) 상기 기재 필름의 한쪽 표면에 아크릴계 수지를 포함하는 조성물의 경화물을 포함하는 범프 흡수층을 형성하는 단계; 및 (c) 상기 범프 흡수층 한쪽 표면에 열 경화형 수지를 포함하는 조성물의 경화물을 포함하는 점착제층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 아크릴계 수지는 탄소수가 10~25의 분지형 알킬기를 가진 알킬(메타)아크릴레이트를 포함하는 모노머로부터 중합된 것을 특징으로 한다.
상기 열 경화형 수지는 탄소수가 1~22의 분지형 알킬기를 갖는 알킬(메타)아크릴레이트 및 히드록시기를 갖는 (메타)아크릴레이트를 포함하는 모노머로부터 중합될 수 있다.
상기 범프 흡수층의 저장 탄성률(storage modulus)은 상온에서 4Х104~10 Х104일 수 있다.
상기 열 경화형 수지를 포함하는 조성물은 열 경화형 수지 100중량부에 대하여, 이소시아네이트(NCO)계 경화제를 30중량부 이하로 더 포함할 수 있다.
상기 점착제층은 롤코터법, 리버스 롤코터법, 그라비아 롤법, 바코트법, 콤마 코터법 및 다이 코터법 중 어느 하나를 선택하여 형성될 수 있다.
본 발명에 따른 점착 필름은 표면 단차를 흡수하는 범프 흡수층에 의해, 연삭시 범프에 응력이 집중되어 웨이퍼가 파손되는 현상을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 점착 필름을 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 점착 필름의 제조 방법을 나타낸 순서도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성요소를 지칭한다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름 및 그 제조 방법에 관하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 점착 필름을 나타낸 단면도이다.
도 1을 참조하면, 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름(100)은 기재 필름(10)의 상부에 형성되는 범프 흡수층(20), 점착제층(30) 및 이형 필름(40)의 적층 구조를 갖는다.
기재 필름(10)
기재 필름은 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET)등의 폴리에스터계 수지, 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP) 등의 폴리올레핀계 수지, 폴리이미드(PI), 폴리에테르 에테르 케톤(PEEK), 폴리염화비닐(PVC) 등의 폴리염화비닐계 수지, 폴리염화비닐리덴계 수지, 폴리아미드계 수지, 폴리스티렌계 수지, 불소계 수지, 셀룰로스계 수지, 폴리카보네이트계 수지 등의 열가소성 수지 외에도 열경화성 수지, 금속박, 종이 등이 사용될 수 있다.
상기 기재필름은 1층으로 구성되거나, 2층 이상으로 이루어진 다층으로 구성될 수 있다.
상기 기재필름의 두께는 웨이퍼의 표면 단차, 범프 전극의 유무 등에 따라, 적절한 두께를 선택하는 것이 바람직하다. 기재필름의 두께는 50~300㎛가 바람직하다. 상기 기재필름의 두께가 50㎛ 미만인 경우, 웨이퍼 연마 공정 중 충격 흡수를 못하여 웨이퍼 변형의 우려가 있다. 300㎛를 초과하는 경우, 연마 가공 후 얇은 웨이퍼에서 접착 필름을 제거할 때 굽힘 응력(bending stress)에 의해서 웨이퍼가 파손될 우려가 존재한다.
범프 흡수층(20)
상기 점착필름(100)은 상기 기재필름 상부에 1층 이상의 범프 흡수층을 포함한다. 상기 범프 흡수층은 1층으로 구성되거나, 2층 이상으로 이루어진 다층으로 구성될 수 있다.
상기 범프 흡수층은 탄소수가 10~25의 분지형 알킬기를 가진 알킬(메타)아크릴레이트를 포함하는 모노머로부터 중합된 아크릴계 수지를 포함하는 조성물의 경화물을 포함한다.
탄소수가 10~25의 분지형 알킬기를 가진 알킬(메타)아크릴레이트는 조성물의 유리전이온도(Tg)를 낮추어 범프 흡수성을 향상시킨다. 또한, 구조적으로 유동성이 우수하며, 상기 조성물에 연성(softness)을 부여할 수 있고, 그 결과 우수한 단차 흡수성을 확보하도록 할 수 있다.
예를 들어, 상기 탄소수 10 내지 25의 분지형 알킬기를 갖는 알킬(메타)아크릴레이트는 이소데실(메타)아크릴레이트, 이소미리스틸(메타)아크릴레이트, 이소스테아릴(메타)아크릴레이트, 2-프로필헵틸(메타)아크릴레이트, 이소운데실(메타)아크릴레이트, 이소도데실(메타)아크릴레이트, 이소트리데실(메타)아크릴레이트, 이소펜타데실(메타)아크릴레이트, 이소헥사데실(메타)아크릴레이트, 이소헵타데실(메타)아크릴레이트 중 1종 이상을 포함할 수 있다.
상기 탄소수 10 내지 25의 분지형 알킬기를 갖는 알킬(메타)아크릴레이트를 포함하는 범프 흡수층은 저유전율 및 고온 고습 환경의 신뢰성 확보에 기여하면서, 우수한 단차 흡수성을 나타낼 수 있다. 또한, 상기 범프 흡수층은 상기 아크릴계 수지를 포함하는 조성물에 의해, 적정 범위의 저장 탄성률(storage modulus)을 확보할 수 있다.
저장 탄성률은 ARES(Advanced Rheometric Expansion System)에 의해 직접적으로 측정되는 모듈러스로, 진동하고 있는 물질중에 축적되는 탄성 에너지의 크기를 나타낸다. 저장 탄성률이 크다는 것은 물질이 스프링처럼 완전 탄성체에 가까운 성질임을 의미한다.
범프 흡수층은 저장 탄성률이 상온에서 4Х104~10Х104Pa로 유지됨으로써, 단차 흡수성을 높여 백그라인딩 공정 중 딤플(돌기상) 및 웨이퍼 파손 발생을 최소화할 수 있다. 또한, 상기 저장 탄성률 범위에서 가공 공정 안정성을 향상시킬 수 있으며, 반도체 칩의 품질과 수율 향상 효과가 있다.
저장 탄성률이 4Х104 Pa 미만인 경우 점착 필름의 외관에 주름이 발생하여 단차 흡수 여부를 측정하기 어려운 문제점이 있다. 반대로, 10Х104 Pa를 초과하는 경우, 단차 흡수가 미흡하여 백그라인딩 공정 시 범프 부문에 응력이 집중되어 웨이퍼 파손이 발생할 수 있다.
범프 흡수층의 두께는 50~200㎛인 것이 바람직하다.
두께가 50㎛ 미만일 경우, 층의 두께가 너무 얇아 연삭시 쿠션성이 저하되어 웨이퍼의 파손이 발생할 수 있다. 두께가 200㎛를 초과하는 경우, 단차 흡수성의 그 이상의 효과가 없이 두께만 증대될 수 있다. 또한, 두꺼운 범프 흡수층에 의해 점착제층의 액빠짐 현상이 발생하거나, 공정시 점착 필름 표면에 주름이 발생할 수 있다.
점착제층 (30)
상기 점착제층은 가공 후 용이하게 박리할 수 있을 정도의 적절한 점착력을 가지며, 열 경화형 수지를 포함하는 조성물의 경화물을 포함한다.
상기 열 경화형 수지는 탄소수가 1~22의 분지형 알킬기를 갖는 알킬(메타)아크릴레이트 및 히드록시기를 갖는 (메타)아크릴레이트를 포함하는 모노머로부터 중합될 수 있다.
예를 들어, 상기 탄소수 1 내지 22의 분지형 알킬기를 갖는 알킬(메타)아크릴레이트는 이소프로필(메타)아크릴레이트, t-부틸(메타)아크릴레이트, sec-부틸(메타)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메타)아크릴레이트, 2-에틸부틸(메타)아크릴레이트, 이소옥틸(메타)아크릴레이트, 이소노닐(메타)아크릴레이트 중 1종 이상을 포함할 수 있다.
상기 히드록시기를 갖는 (메타)아크릴레이트는 열 경화형 수지의 구성 모노머로 사용되어 상대적으로 높은 응집력을 나타낸다.
예를 들어, 히드록시기를 갖는 (메타)아크릴레이트는 히드록시에틸(메타)아크릴레이트, 4-히드록시부틸(메타)아크릴레이트, 5-히드록시펜틸(메타)아크릴레이트, 6-히드록시헥실(메타)아크릴레이트, 10-히드록시데실(메타)아크릴레이트, 카프로락톤 변성 2-히드록시에틸(메탈)아크릴레이트, N-메틸올(메타)아크릴이미드, N-히드록시에틸(메타)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메타)아크릴레이트, 2-히드록시-3-프로필(메타)아크릴레이트 중 1종 이상을 포함할 수 있다.
또한, 상기 모노머는 히드록시기를 갖는 (메타)아크릴레이트 이외에, 아미노기, 카르복실기 등을 갖는 (메타)아크릴레이트를 포함할 수 있다.
또한, 열 경화형 수지를 포함하는 조성물은 열 경화형 수지 100중량부에 대하여, 이소시아네이트(NCO)계 경화제를 30중량부 이하로 더 포함할 수 있다.
경화제가 30중량부를 초과할 경우, 경화물의 경도가 지나치게 높아지기 때문에, 범프 흡수성이 저하된다.
점착제층에 사용되는 경화제는 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트 등의 라디칼 중합성 물질일 수도 있으나, 작업성 향상을 위해 이소시아네이트계 경화제를 사용하는 것이 보다 바람직하다.
이소시아네이트계 경화제로는 톨루엔 디이소시아네이트, 2,4-트릴렌 디이소시아네이트, 2,6-트릴렌 디이소시아네이트, 4,4-디페닐메탄 디이소시아네이트, 테트라메틸크실렌 디이소시아네이트, 1,5-나프탈렌 디이소시아네이트, 2,3,4-트리메틸 헥사메틸렌 디이소시아네이트, 트리메틸올프로판의 트릴렌 디이소시아네이트 어덕트(adduct), 트리메틸올프로판의 크실렌 디이소시아네이트 어덕트, 트리페닐메탄 트리이소시아네이트(TPTI), 메틸렌트리이소시아네이트 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용되거나 2종 이상을 혼합하여 사용될 수 있다.
상기 수지에는 용제가 더 포함될 수 있다.
용제로는 바인더 수지, 경화제 및 기타 첨가제와 상용성이 우수한 유기용제를 사용하는 것이 효과적이다. 에틸아세테이트, 부틸아세테이트, 메틸메톡시프로피오네이트, 에틸에톡시프로 피오네이트(EEP), 에틸락테이트, 프로필렌글리콜메틸에테르 아세테이트(PGMEA), 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 아세톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로헥사논, 디메틸포룸아미드(DMF), N,N-디메틸아세트아미드(DMAc), N-메틸-2-피롤리돈(NMP), 감마-부틸로락톤, 디에틸에테르, 에틸렌글리콜디메틸에테르, 디글림, 테트라하이드로퓨란(THF), 톨루엔, 크실렌, 헥산, 헵탄, 옥탄 중에서 선택된 용제를 단독으로 또는 이들을 1종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 점착제층은 필요에 따라 광개시제를 더 포함할 수 있으며, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르 등을 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 열 경화성 수지 및 경화제를 포함하는 조성물로부터 경화되어 형성된 점착제층의 저장탄성률(Pa)은 2x105 ~ 3x106일 수 있다.
이형 필름(40)
이형 필름은 상기 점착제층 상에 점착되고, 투명 재질의 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 등이 사용될 수 있다.
이형 필름의 두께는 대략 10~100㎛일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
점착 필름의 제조 방법
본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름의 제조 방법은 기재 필름 형성 단계(S110); 범프 흡수층 형성 단계(S120); 및 점착제층 형성 단계(S130)를 포함한다.
먼저, 기재 필름 형성 단계(S110)이다.
기재 필름은 압출 공정, 자외선 경화 공정, 캐스팅 공정, 캘린더 공정 등을 수행하여 형성될 수 있다.
예를들어, 자외선 경화를 통해 아크릴 필름을 형성하고, 압출 공정에 의해 폴리올레핀 필름을 형성하고, 열경화 공정에 의해 폴리우레탄 필름을 형성할 수 있다.
다음으로, 범프 흡수층 형성 단계(S120)이다.
범프 흡수층은 전술한 바와 같이, 1층 또는 2층 이상으로 형성될 수 있다. 범프 흡수층은 아크릴계 수지를 포함하는 조성물을 기재 필름 표면에 도포한 후, 경화시켜 형성된 경화물을 포함할 수 있다.
상기 아크릴계 수지는 탄소수가 10~25의 분지형 알킬기를 가진 알킬(메타)아크릴레이트를 포함하는 모노머로부터 중합될 수 있다.
범프흡수층은 블랙라이트 자외선 램프에 의해 경화될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
예를 들어, 블랙라이트 자외선 램프가 약 5W, 주파장이 약 365nm일 수 있다. 상기 램프를 사용함으로써 발열 문제 및 경화 공정을 개선시킬 수 있는 효과가 있다.
전술한 바와 같이, 범프 흡수층의 저장 탄성률(storage modulus)은 상온에서 4Х104~10 Х104일 수 있다.
다음으로, 점착제층 형성 단계(S130)이다.
점착제층은 롤코터법, 리버스 롤코터법, 그라비아 롤법, 바코트법, 콤마 코터법 및 다이 코터법 중 어느 하나를 선택하여 형성될 수 있다. 점착제층은 열 경화형 수지를 포함하는 조성물의 경화물을 포함하고, 상기 경화물은 100℃ 이상의 열을 흡수하여 경화되는 열 경화를 통해 형성된다.
상기 열 경화형 수지는 탄소수가 1~22의 분지형 알킬기를 갖는 알킬(메타)아크릴레이트 및 히드록시기를 갖는 (메타)아크릴레이트를 포함하는 모노머로부터 중합될 수 있으며, 전술한 바와 같다.
상기 방법 이외에도 열 경화형 수지를 박리라이너 등에 도포하여 미리 점착제층을 형성한 후, 상기 범프 흡수층에 접합하여 형성될 수 있다.
상기 열 경화형 수지를 포함하는 조성물은 열 경화형 수지 100중량부에 대하여, 이소시아네이트(NCO)계 경화제를 30중량부 이하로 더 포함할 수 있으며, 전술한 바와 같다.
상기 점착제층에 이형 필름을 합지하여 점착 필름을 제조할 수 있으며, 상기 이형 필름은 이형 처리된 PET 등의 보호 필름이다. 합지한 후에는 30~40℃에서 30~40시간 동안 건조시킬 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본 발명에 따른 점착 필름은 표면 단차를 흡수하는 범프 흡수층에 의해, 연삭시 범프에 응력이 집중되어 웨이퍼가 파손되는 현상을 방지할 수 있다.
또한, 점착 필름을 UV 후경화함으로써, 백그라인딩 공정 후 웨이퍼로부터 점착 필름의 박리가 용이하다.
이와 같이 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름 및 그 제조 방법에 대하여 그 구체적인 실시예를 살펴보면 다음과 같다.
1. 점착 필름 시편의 제조
실시예 1, 2
ISTA를 포함하는 모노머로부터 중합된 아크릴계 수지를 포함하는 조성물을 PET로 형성된 기재 필름 상에 도포한 후, 약 5W, 주파장이 약 365nm인 자외선 램프에 의해 경화시켜 범프 흡수층을 형성하였다. 다음으로, 상기 범프 흡수층과 100㎛ 두께의 기재 필름을 합지하였다.
EHA, HEA를 포함하는 모노머로부터 중합된 열 경화형 수지 및 경화제 (NCO경화제, MHG-80B)를 포함하는 조성물을 이형필름 상에 도포하였다. 도포된 조성물에 100℃의 열을 가하여 열 경화시킨 후, 형성된 점착제층을 상기 범프 흡수층과 합지하여 점착 필름을 제조하였다.
상기 조성물은 열 경화형 수지 100중량부에 대하여, 경화제 30중량부를 포함한다.
비교예 1 ~ 4
열 경화형 수지 및 경화제를 포함하는 조성물은 경화제의 함량을 각각 다르게 포함한 점 이외에는 실시예 1과 동일한 방법으로 점착 필름을 제조하였다. 비교예 1은 열 경화형 수지 100중량부에 대하여 경화제의 함량이 40중량부를 포함하고, 비교예 2 ~ 3은 35중량부, 비교예 4는 30중량부를 포함한다.
2. 물성 평가 방법 및 그 결과
- 평가 방법
상기 제조된 점착 필름을 폭 1인치, 길이 10cm로 잘라, 30분 경과 후 UTM (Universal Testing Machine)으로 박리 속도를 300mm/min로 하여 자외선 조사 전의 박리 강도를 측정하였다. 이후 500mJ/cm2의 에너지를 갖는 UV로 후경화하여 자외선 조사 후의 박리 강도를 측정하였다.
또한, 웨이퍼 표면에 점착된 점착 필름을 박리하고 웨이퍼 표면에 잔사가 남는지 여부를 관찰하여 그 결과를 기록하였다.
잔사 50% 이상 발생 : O, 잔사 10~50% 발생 : △, 잔사 10% 이하 : X
또한, 범프 높이가 50㎛, 폭이 50㎛로 패턴화된 웨이퍼 상에 점착 필름을 부착하고 현미경으로 관찰하여 흡수능 정도를 백분율로 나타내어 단차흡수정도를 측정하였다.
단차흡수정도 (%): 100 - 80% “우수”, 70 - 50% “미흡”, 50% 이하 “불능”
[표 1]
Figure 112016017879597-pat00001
[표 2]
Figure 112016017879597-pat00002
실시예 1, 2의 점착제층에 경화제가 30중량부 포함됨으로써 저장 탄성률이 일정범위로 유지되어, 점착 필름의 박리시 웨이퍼 표면 오염 우려를 개선시켰다.
또한, 실시예 1, 2는 점착제층이 열경화된 후, UV 후경화되어 반도체 웨이퍼 표면으로부터 점착 필름의 박리가 용이한 것을 확인할 수 있다.
이와 대조적으로 비교예 1~3은 경화제 함량이 기준치를 벗어나고, 비교예 1, 4는 범프흡수층의 저장탄성률이 제시한 범위를 벗어난 것을 확인할 수 있다. 특히, 비교예 2, 3은 우수한 단차흡수성을 갖지만, 응집력 및 층 사이의 계면밀착성 부족으로 인해 UV 조사 전 웨이퍼 표면에 잔사가 발생하였다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
100 : 점착 필름
10 : 기재 필름
20 : 범프 흡수층
30 : 점착제층
40 : 이형 필름
S110 : 기재필름 형성 단계
S120 : 범프 흡수층 형성 단계
S130 : 점착제층 형성 단계

Claims (10)

  1. 기재 필름의 상부에 형성되는 범프 흡수층, 점착제층 및 이형 필름의 적층 구조이고,
    상기 범프 흡수층은 탄소수가 10~25의 분지형 알킬기를 가진 알킬(메타)아크릴레이트를 포함하는 모노머로부터 중합된 아크릴계 수지를 포함하는 조성물의 경화물을 포함하고,
    상기 범프 흡수층의 저장 탄성률(storage modulus)은 상온에서 4Х104~10Х104Pa이며,
    상기 점착제층은 열 경화형 수지 및 이소시아네이트계 경화제를 포함하는 조성물의 경화물을 포함하고,
    상기 열 경화형 수지 및 이소시아네이트계 경화제를 포함하는 조성물은 열 경화형 수지 100 중량부에 대하여, 이소시아네이트계 경화제를 0 중량부 초과 30 중량부 이하로 포함하는 것을 특징으로 하는
    는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 열 경화형 수지는 탄소수가 1~22의 분지형 알킬기를 갖는 알킬(메타)아크릴레이트 및 히드록시기를 갖는 (메타)아크릴레이트를 포함하는 모노머로부터 중합된 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름.
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서,
    상기 범프 흡수층의 두께는 10~100㎛인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름.
  6. (a) 기재 필름을 형성하는 단계;
    (b) 상기 기재 필름의 한쪽 표면에 아크릴계 수지를 포함하는 조성물의 경화물을 포함하고, 상온에서 저장 탄성률이 4Х104~10Х104Pa인 범프 흡수층을 형성하는 단계; 및
    (c) 상기 범프 흡수층 한쪽 표면에 열 경화형 수지 및 이소시아네이트계 경화제를 포함하는 조성물의 경화물을 포함하는 점착제층을 형성하는 단계;
    상기 아크릴계 수지는 탄소수가 10~25의 분지형 알킬기를 가진 알킬(메타)아크릴레이트를 포함하는 모노머로부터 중합된 것이고,
    상기 열 경화형 수지 및 이소시아네이트계 경화제를 포함하는 조성물은 열 경화형 수지 100 중량부에 대하여, 이소시아네이트계 경화제를 0 중량부 초과 30 중량부 이하로 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름의 제조 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 열 경화형 수지는 탄소수가 1~22의 분지형 알킬기를 갖는 알킬(메타)아크릴레이트 및 히드록시기를 갖는 (메타)아크릴레이트를 포함하는 모노머로부터 중합된 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름의 제조 방법.
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 제6항에 있어서,
    상기 점착제층은
    롤코터법, 리버스 롤코터법, 그라비아 롤법, 바코트법, 콤마 코터법 및 다이 코터법 중 어느 하나를 선택하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름의 제조 방법.

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