KR102065988B1 - 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름 및 그 제조 방법 - Google Patents

반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름 및 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102065988B1
KR102065988B1 KR1020160021433A KR20160021433A KR102065988B1 KR 102065988 B1 KR102065988 B1 KR 102065988B1 KR 1020160021433 A KR1020160021433 A KR 1020160021433A KR 20160021433 A KR20160021433 A KR 20160021433A KR 102065988 B1 KR102065988 B1 KR 102065988B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
semiconductor wafer
pressure
film
sensitive adhesive
adhesive film
Prior art date
Application number
KR1020160021433A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20170099269A (ko
Inventor
김은영
김장순
김상환
박성찬
김원호
윤미선
Original Assignee
주식회사 엘지화학
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 엘지화학 filed Critical 주식회사 엘지화학
Priority to KR1020160021433A priority Critical patent/KR102065988B1/ko
Publication of KR20170099269A publication Critical patent/KR20170099269A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102065988B1 publication Critical patent/KR102065988B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
    • C09J7/24—Plastics; Metallised plastics based on macromolecular compounds obtained by reactions involving only carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C09J7/245—Vinyl resins, e.g. polyvinyl chloride [PVC]
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/29—Laminated material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • C09J2201/122—
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/6834—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)

Abstract

표면 단차를 흡수하는 범프 흡수층에 의해, 연삭시 범프에 응력이 집중되어 웨이퍼가 파손되는 현상을 방지할 수 있는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름 및 그 제조 방법에 대하여 개시한다.
본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름은 기재 필름의 상부에 형성되는 범프 흡수층, 점착제층 및 이형 필름의 적층 구조이고, 상기 범프 흡수층은 아크릴레이트기를 갖는 벤조페논(Benzophenone)계 화합물을 포함하는 광경화 모노머 및 아크릴계 공중합체가 중합되어 형성된 자외선 경화형 수지 조성물의 경화물을 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름 및 그 제조 방법{SURFACE PROTECTING ADHESIVE FILM FOR SEMICONDUCTOR WAFER AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 반도체 웨이퍼의 표면을 보호하는 점착 필름에 관한 것으로, 보다 상세하게는 범프 흡수층에 의해 점착제층의 경화 속도가 향상된 점착 필름 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
웨이퍼의 연삭 공정에서는 웨이퍼에 형성된 범프 등과 같은 돌출부의 파손과 오염물 침투를 방지하기 위하여 범프 형성면에 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름 또는 보호 필름을 부착하게 된다. 일반적으로 이러한 필름은 기재필름, 점착제층으로 구성되며 공정을 마친 후에도 웨이퍼의 파손 없이 용이하게 박리되어야 한다.
하지만, 웨이퍼는 백그라인딩 공정시 점착 필름의 점착력이 너무 클 경우, 박리력이 커지기 때문에 박리가 어렵고, 박리 후 웨이퍼 표면에 점착 필름의 잔여물이 남아 오염되는 현상이 발생하는 문제점이 있다.
본 발명에 관련된 배경기술로는 대한민국 등록특허공보 제 10-1539133호(2015.07.17. 등록)가 있으며, 상기 문헌에는 반도체 웨이퍼 표면보호 점착필름 및 그의 제조방법이 개시되어 있다.
본 발명의 목적은 낮은 자외선 조사량에도 박리가 용이한 점착필름을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 연삭시 범프에 응력이 집중되는 현상을 최소화하여 웨이퍼 표면의 파손을 방지할 수 있는 점착 필름의 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기 하나의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름은 기재 필름의 상부에 형성되는 범프 흡수층, 점착제층 및 이형 필름의 적층 구조이고, 상기 범프 흡수층은 아크릴레이트기를 갖는 벤조페논(Benzophenone)계 화합물을 포함하는 광경화 모노머 및 아크릴계 공중합체가 중합되어 형성된 자외선 경화형 수지 조성물의 경화물을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 아크릴계 공중합체는 탄소 수가 1~30의 알킬기를 가진 관능기, 지환족 고리형 관능기 및 친수성 관능기를 포함하는 모노머 혼합물이 공중합되어 형성될 수 있다.
상기 점착제층은 아크릴계 공중합체인 열 경화형 수지를 포함하는 조성물의 경화물을 포함할 수 있다.
상기 범프 흡수층의 두께는 50~200㎛일 수 있다.
상기 점착제층의 두께는 10~50㎛일 수 있다.
상기 다른 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름의 제조 방법은 (a) 기재 필름을 형성하는 단계; 및 (b) 상기 기재 필름의 상부에 범프 흡수층 및 점착제층을 순차적으로 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 범프 흡수층은 아크릴레이트기를 갖는 벤조페논(Benzophenone)계 화합물을 포함하는 광경화 모노머 및 아크릴계 공중합체가 중합되어 형성된 자외선 경화형 수지 조성물의 경화물을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 아크릴계 공중합체는 탄소 수가 1~30의 알킬기를 가진 관능기, 지환족 고리형 관능기 및 친수성 관능기를 포함하는 모노머 혼합물이 공중합되어 형성될 수 있다.
상기 점착제층은 아크릴계 공중합체인 열 경화형 수지를 포함하는 조성물의 경화물을 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 점착 필름은 광경화 모노머 및 아크릴계 공중합체가 중합되어 형성된 자외선 경화형 수지 조성물의 경화물인 범프 흡수층을 포함함으로써, 점착제층의 경화 속도를 높여 웨이퍼로부터 박리가 용이한 효과가 있다.
아울러, 점착 필름에 표면 단차를 흡수하는 범프 흡수층을 포함함으로써, 연삭시 범프에 응력이 집중되어 웨이퍼가 파손되는 현상을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 점착 필름을 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 점착 필름의 제조 방법을 나타낸 순서도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성요소를 지칭한다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름 및 그 제조 방법에 관하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 점착 필름을 나타낸 단면도이다.
도 1을 참조하면, 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름(100)은 기재필름(10), 상기 기재 필름(10)의 상부에 형성되는 범프 흡수층(20), 점착제층(30) 및 이형 필름(40)의 적층 구조를 갖는다.
기재 필름(10)
기재 필름은 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET)등의 폴리에스터계 수지, 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP) 등의 폴리올레핀계 수지, 폴리이미드(PI), 폴리에테르 에테르 케톤(PEEK), 폴리염화비닐(PVC) 등의 폴리염화비닐계 수지, 폴리염화비닐리덴계 수지, 폴리아미드계 수지, 폴리스티렌계 수지, 불소계 수지, 셀룰로스계 수지, 폴리카보네이트계 수지 등의 열가소성 수지 외에도 열경화성 수지, 금속박, 종이 등이 사용될 수 있다.
상기 기재필름은 1층으로 구성될 수 있지만, 2층 이상으로 이루어진 다층으로 구성될 수 있다.
상기 기재필름의 두께는 웨이퍼의 표면 단차, 범프 전극의 유무 등에 따라, 적절한 두께를 선택하는 것이 바람직하다. 기재필름의 두께는 50~300㎛가 바람직하다. 상기 기재필름의 두께가 50㎛ 미만인 경우 웨이퍼 연마 공정 중 충격 흡수를 못하여 웨이퍼 변형의 우려가 있다. 300㎛를 초과하는 경우 연마 가공 후 얇은 웨이퍼에서 접착 필름을 제거할 때 굽힘 응력(bending stress)에 의해서 웨이퍼가 파손될 우려가 존재한다.
범프 흡수층(20)
상기 점착필름(100)은 상기 기재필름(10) 상부에 1층 이상의 범프 흡수층을 포함한다. 상기 범프 흡수층은 1층으로 구성될 수 있지만, 2층 이상으로 이루어진 다층으로 구성될 수도 있다.
상기 범프 흡수층은 광경화 모노머 및 아크릴계 공중합체가 중합되어 형성된 자외선 경화형 수지 조성물의 경화물일 수 있다.
광경화 모노머로는 디에틸렌글리콜 아크릴레이트(diethyleneglycol acrylate), 스티렌 아크릴레이트(styrene acrylate) 등이 있으나, 점착제층의 경화 속도에 영향을 미치는 아크릴레이트기를 갖는 벤조페논(Benzophenone)계 화합물을 포함하는 것이 바람직하다.
상기 광경화 모노머가 아크릴레이트기를 갖는 벤조페논(Benzophenone)계 화합물을 포함하는 경우, 자외선 조사시 점착제층의 경화 속도를 보다 상승시킬 수 있다. 구체적으로는, 아크릴레이트기를 갖는 벤조페논(Benzophenone)계 화합물의 C=O-Ph 부분이 광개시제 역할을 할 수 있어 광경화 특성이 나타난다. 따라서, 광조사시 벤조페논계 화합물의 C=O 이중결합 부분이 활성화되므로 점착제층의 경화속도에 영향을 미치게 된다.
예를 들어, 범프 흡수층에 광경화 모노머를 포함하는 경우, 점착제층에 300~400mJ/cm2으로 자외선을 조사하면 점착제층의 경화도가 대략 25~30%이고, 400~500mJ/cm2으로 자외선을 조사하면 점착제층의 경화도가 대략 40~50%일 수 있다.
반대로, 범프 흡수층에 광경화 모노머를 포함하지 않는 경우, 점착제층에 300~400mJ/cm2으로 자외선을 조사하면 점착제층의 경화도가 대략 10% 이하이고, 400~500mJ/cm2으로 자외선을 조사하면 점착제층의 경화도가 대략 20~30%일 수 있다.
이처럼, 범프 흡수층을 형성하는 수지 조성물에 광경화 모노머를 포함하지 않는 경우, 점착제층 경화시 느린 경화 속도에 의해 점착 필름의 박리력이 높은 것을 알 수 있다.
따라서, 상기 광경화 모노머와 아크릴계 공중합체가 공중합되어 형성된 자외선 경화형 수지 조성물의 경화물인 범프 흡수층에 의해, 낮은 조사량에도 점착제층의 경화 속도를 높일 수 있어 점착필름의 박리력을 저하시킬 수 있는 효과가 있다.
상기 아크릴계 공중합체는 탄소 수가 1~30의 알킬기를 가진 관능기, 지환족 고리형 관능기 및 친수성 관능기를 포함하는 모노머 혼합물이 공중합되어 형성될 수 있다.
탄소 수가 1~30의 알킬기를 가진 관능기를 포함하는 모노머로는 2-에틸헥실(메타)아크릴레이트(2-ethylhexyl (meta)acrylate, EHA) 등이 있고, 이소스테아릴(메타)아크릴레이트(isostearyl (meta)acrylate, ISTA) 등이 있다.
지환족 고리형 관능기를 포함하는 모노머로는 이소보닐(메타)아크릴레이트(Isobornyl (meth)acrylate, IBA) 등이 있다.
친수성 관능기를 포함하는 모노머로는 하이드록시기를 포함하는 모노머로, 예를 들면, 2-하이드록시에틸아크릴레이트 등이 있다.
상기 친수성 관능기를 포함하는 모노머에는 아미노기 관능기, 카르복실기 관능기를 포함하는 모노머가 더 포함될 수 있다.
범프 흡수층의 두께는 50~200㎛인 것이 바람직하다.
두께가 50㎛ 미만일 경우, 층의 두께가 너무 얇아 연삭시 쿠션성이 저하되어 웨이퍼의 파손이 발생할 수 있다. 두께가 200㎛를 초과하는 경우, 과도한 두께로 인해 점착제의 액빠짐 현상이 발생하거나, 공정시 필름 표면에 주름이 생길 수 있다.
점착제층(30)
점착제층은 가공 후 용이하게 박리할 수 있을 정도의 적절한 점착력을 갖는다.
점착제층은 아크릴계 공중합체인 열 경화형 수지를 포함하는 조성물의 경화물을 포함한다. 아크릴계 공중합체는 전술한 바와 같다.
상기 조성물에 광경화 모노머를 포함할 경우, 수지가 겔(gel)화 되어 용매에 녹지 않아 점성도가 급격히 상승하는 문제점이 있기 때문에, 광경화 모노머를 포함하지 않는 것이 바람직하다.
상기 열 경화형 수지를 포함하는 조성물에 이소시아네이트(NCO)계 경화제를 더 포함할 수 있다.
보다 바람직하게는, 수지 100 중량부에 대하여, 경화제를 30 중량부 이하로 포함할 수 있으며, 경화제가 30 중량부를 초과할 경우, 경화물의 경도가 지나치게 높아지기 때문에 점착력이 저하될 수 있다.
점착제층에 포함되는 경화제는 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트 등의 라디칼 중합성 물질일 수도 있으나, 작업성 향상을 위해 이소시아네이트계 경화제를 사용하는 것이 보다 바람직하다.
이소시아네이트계 경화제로는 톨루엔 디이소시아네이트, 2,4-트릴렌 디이소시아네이트, 2,6-트릴렌 디이소시아네이트, 4,4-디페닐메탄 디이소시아네이트, 테트라메틸크실렌 디이소시아네이트, 1,5-나프탈렌 디이소시아네이트, 2,3,4-트리메틸 헥사메틸렌 디이소시아네이트, 트리메틸올프로판의 트릴렌 디이소시아네이트 어덕트(adduct), 트리메틸올프로판의 크실렌 디이소시아네이트 어덕트, 트리페닐메탄 트리이소시아네이트(TPTI), 메틸렌트리이소시아네이트 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용되거나 2종 이상을 혼합하여 사용될 수 있다.
점착제층의 두께는 10~50㎛인 것이 바람직하다.
점착제층의 두께가 상기 범위를 벗어나는 경우 균일한 점착제층을 얻기 어렵고 필름의 물성이 불균일해 질 수 있다. 보다 구체적으로는, 두께가 10㎛ 미만일 경우, 층의 두께가 너무 얇아 점착력이 저하될 수 있고, 반대로 두께가 50㎛를 초과하는 경우, 과도한 두께로 인해 범프 흡수층의 광경화 모노머가 광경화 특성을 발휘하기 어려울 수 있으며, 점착필름 제거시 웨이퍼 표면에 잔사가 잔존할 문제점이 있다.
상기 점착제층은 필요에 따라 광개시제를 더 포함할 수 있으며, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르 등을 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
이형 필름(40)
이형 필름은 상기 점착제층 상에 부착되고, 투명 재질의 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 등이 사용될 수 있다.
이형 필름의 두께는 대략 10~100㎛일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
점착 필름의 제조 방법
본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름의 제조 방법은 기재 필름 형성 단계(S110); 범프 흡수층 형성 단계(S120) 및 점착제층 형성 단계(S130)를 포함한다.
먼저, 기재 필름 형성 단계(S110)이다.
기재 필름은 압출 공정, 자외선 경화 공정, 캐스팅 공정, 캘린더 공정 등을 수행하여 형성될 수 있다.
예를 들어, 자외선 경화를 통해 아크릴 필름을 형성하고, 압출 공정에 의해 폴리올레핀 필름을 형성하고, 열경화 공정에 의해 폴리우레탄 필름을 형성할 수 있다.
다음으로, 범프 흡수층 형성 단계(S120)이다.
범프 흡수층은 전술한 바와 같이, 1층 또는 2층 이상으로 형성될 수 있다. 상기 제시된 광경화 모노머 및 아크릴계 공중합체가 중합되어 형성된 자외선 경화형 수지 조성물을 기재 필름 표면에 도포한다. 다음으로, 약 5W, 주파장이 약 365nm인 블랙라이트 자외선 램프에 의해 경화하여 범프 흡수층을 형성 할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 아크릴계 공중합체는 탄소 수가 1~30의 알킬기를 가진 관능기, 지환족 고리형 관능기 및 친수성 관능기를 포함하는 모노머 혼합물이 공중합되어 형성되며, 전술한 바와 같다.
다음으로, 점착제층 형성 단계(S130)이다.
상기 점착제층은 아크릴계 공중합체인 열 경화형 수지를 포함하는 조성물을 상기 범프 흡수층에 도포한 후, 열 경화에 의해 형성된다. 상기 열 경화는 대략 100℃ 이상의 열을 흡수하여 수행될 수 있다.
점착제층은 롤코터법, 리버스 롤코터법, 그라비아 롤법, 바코트법, 콤마 코터법 및 다이 코터법 중 어느 하나를 선택하여 형성될 수 있다.
상기 방법 이외에도 이형 필름과 합지된 점착제층이 상기 범프 흡수층에 합지될 수 있다.
이형 필름은 이형 처리된 PET 등의 보호 필름이다.
본 발명에 따른 점착 필름은 범프 흡수층에 광경화 모노머가 포함됨으로써, 점착제층의 경화 속도를 증가시켜 웨이퍼 표면으로부터 점착 필름의 박리가 용이한 효과가 있다.
아울러, 상기 범프 흡수층에 의해, 연삭시 범프에 응력이 집중되어 웨이퍼가 파손되는 현상을 방지할 수 있다.
이와 같이 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름 및 그 제조 방법에 대하여 그 구체적인 실시예를 살펴보면 다음과 같다.
1. 점착 필름 시편의 제조
실시예
PET로 형성된 기재 필름 상에 자외선 수지 조성물을 도포한 후 100~400mJ/cm2으로 조사하여 블랙라이트 UV램프에 의해 경화시켜 범프 흡수층을 형성하였다.
범프 흡수층은 EHA, IBA, HEA를 공중합하여 형성된 아크릴계 공중합체 및 BPMA(sigma-aldrich)를 중합하여 형성된 자외선 경화형 수지 조성물을 100㎛ 두께로 도포하여 형성되었다.
점착제층은 EHA 및 HEA가 공중합되어 형성된 열 경화형 수지를 10㎛ 두께로 도포하여 열 경화한 후, 형성되었다. 상기 점착제층에 이형 필름을 합지하여 점착 필름을 제조하였다.
비교예
범프 흡수층의 수지 조성물에는 광경화 모노머가 포함되지 않은 점을 제외하고는 실시예와 동일한 조건으로 점착 필름을 제조하였다.
2. 물성 평가 방법 및 그 결과
- 평가 방법
상기 제조된 점착 필름을 폭 1인치, 길이 10cm로 잘라, 30분 경과 후 메탈할라이드 램프를 이용하여 자외선 100~6000mJ/cm2의 에너지를 조사하였다. 자외선 조사 후의 경화도를 In-situ IR 측정을 통해 경화도(%)를 기재하였다.
[표 1]
Figure 112019086745419-pat00004
[표 1]에서와 같이, 자외선 조사시 비교예에 비하여 실시예는 점착제층의 경화 속도가 상대적으로 증가한 것을 확인할 수 있으며, 웨이퍼로부터 점착 필름의 박리가 용이한 것을 알 수 있다.
또한, 실시예의 점착 필름이 BPMA를 포함하는 범프 흡수층을 포함함으로써, 딤플(돌기상)이 발생을 방지하고, 범프 부분에 응력이 집중되는 것을 최소화하여 웨이퍼 표면이 파손되는 문제점을 해결할 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
100 : 점착 필름
10 : 기재 필름
20 : 범프 흡수층
30 : 점착제층
40 : 이형 필름
S110 : 기재필름 형성 단계
S120 : 범프 흡수층 형성 단계
S130 : 점착제층 형성 단계

Claims (8)

  1. 기재 필름의 상부에 형성되는 범프 흡수층, 점착제층 및 이형 필름의 적층 구조이고,
    상기 범프 흡수층은 아크릴레이트기를 갖는 벤조페논(Benzophenone)계 화합물을 포함하는 광경화 모노머 및 아크릴계 공중합체가 중합되어 형성된 자외선 경화형 수지 조성물의 경화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 아크릴계 공중합체는 탄소 수가 1~30의 알킬기를 가진 관능기, 지환족 고리형 관능기 및 친수성 관능기를 포함하는 모노머 혼합물이 공중합되어 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 점착제층은 아크릴계 공중합체인 열 경화형 수지를 포함하는 조성물의 경화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 범프 흡수층의 두께는 50~200㎛인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 점착제층의 두께는 10~50㎛인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름.
  6. (a) 기재 필름을 형성하는 단계; 및
    (b) 상기 기재 필름의 상부에 범프 흡수층 및 점착제층을 순차적으로 형성하는 단계;를 포함하고,
    상기 범프 흡수층은 아크릴레이트기를 갖는 벤조페논(Benzophenone)계 화합물을 포함하는 광경화 모노머 및 아크릴계 공중합체가 중합되어 형성된 자외선 경화형 수지 조성물의 경화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름의 제조 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 아크릴계 공중합체는 탄소 수가 1~30의 알킬기를 가진 관능기, 지환족 고리형 관능기 및 친수성 관능기를 포함하는 모노머 혼합물이 공중합되어 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름의 제조 방법.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 점착제층은 아크릴계 공중합체인 열 경화형 수지를 포함하는 조성물의 경화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름의 제조 방법.
KR1020160021433A 2016-02-23 2016-02-23 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름 및 그 제조 방법 KR102065988B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160021433A KR102065988B1 (ko) 2016-02-23 2016-02-23 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름 및 그 제조 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160021433A KR102065988B1 (ko) 2016-02-23 2016-02-23 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름 및 그 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170099269A KR20170099269A (ko) 2017-08-31
KR102065988B1 true KR102065988B1 (ko) 2020-01-14

Family

ID=59761181

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160021433A KR102065988B1 (ko) 2016-02-23 2016-02-23 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름 및 그 제조 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102065988B1 (ko)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011187832A (ja) 2010-03-10 2011-09-22 Hitachi Maxell Ltd ウェハ裏面研削用粘着シート、その製造方法及びその使用方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008054611A1 (de) * 2008-12-15 2010-06-17 Evonik Röhm Gmbh Verfahren zur Herstellung von methacrylierten Benzophenonen
KR101589340B1 (ko) * 2013-02-22 2016-01-27 (주)엘지하우시스 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름
KR101696268B1 (ko) * 2014-07-30 2017-01-16 전자부품연구원 전자파 차폐필름용 수지조성물, 전도성 접착제, 및 전자파 차폐필름

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011187832A (ja) 2010-03-10 2011-09-22 Hitachi Maxell Ltd ウェハ裏面研削用粘着シート、その製造方法及びその使用方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20170099269A (ko) 2017-08-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI471401B (zh) And a method for manufacturing a dicing film and a wafer having a protective film forming layer
TWI448531B (zh) 半導體晶圓表面保護用黏著帶及半導體晶圓之製造方法
TWI414010B (zh) Crystalline crystal / sticky ribbon and semiconductor wafer manufacturing method
TWI625779B (zh) Adhesive tape for semiconductor wafer surface protection and method for processing semiconductor wafer
JP6091954B2 (ja) 粘着シート、保護膜形成用フィルム、保護膜形成用複合シート、およびマーキング方法
KR100667679B1 (ko) 재귀성 반사 시트
JP6424205B2 (ja) 半導体関連部材加工用シートおよび当該シートを用いるチップの製造方法
KR20000011870A (ko) 반도체웨이퍼유지및보호용고온-용융시트및그적용방법
KR101589340B1 (ko) 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름
KR20150048112A (ko) 보호막 형성층이 부착된 다이싱 시트 및 칩의 제조 방법
KR102704131B1 (ko) 패턴화된 점착 테이프, 이를 형성하는 이형필름 및 이형필름의 제조방법
JP6306362B2 (ja) 伸長可能シートおよび積層チップの製造方法
JP6091955B2 (ja) 粘着シートおよび保護膜形成用複合シートならびに保護膜付きチップの製造方法
KR102566223B1 (ko) 화상 표시 장치의 제조 방법, 광경화성 수지 조성물 및 광투과성 경화 수지층
JP6210827B2 (ja) 半導体加工用シート
KR102030212B1 (ko) 이박리성 점착 필름 및 금속판의 가공방법
KR102065988B1 (ko) 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름 및 그 제조 방법
JP5367996B2 (ja) 粘着シートの基材フィルムおよび粘着シート
KR102040252B1 (ko) 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름
JP6717484B2 (ja) 粘着シート
KR20190001171A (ko) 다이싱 공정용 반도체 웨이퍼 보호필름 및 이의 제조방법
KR102040244B1 (ko) 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름 및 그 제조 방법
KR102040260B1 (ko) 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름 및 이의 제조방법
KR102677755B1 (ko) 웨이퍼 이면 연삭용 점착 필름
TWI461498B (zh) Cut sticky ribbon

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant