TWI462147B - A manufacturing method for an electronic device, and a manufacturing method of an electronic device, and a member for an electronic device - Google Patents

Description

電子裝置用構件及電子裝置之製造方法、與電子裝置用構件

本發明係關於一種電子裝置用構件及電子裝置之製造方法、以及電子裝置用構件。

近年來，隨著行動電話機、智慧型手機(smart phone)、個人數位助理、電子書籍終端、掌上型遊戲機等電子機器之小型化進展，該等中所使用之液晶顯示面板、OLED(Organic Light Emitting Diode，有機發光二極體)及電子紙等電子裝置之薄型化、輕量化不斷推進，且該等電子裝置中所使用之基板之薄板化不斷推進。然而，基板之薄板化會導致基板之強度下降，從而使電子裝置之製造步驟中之基板之處理性下降。

因此，先前採用於使用較最終板厚更厚之基板形成各種功能層後，對基板進行化學蝕刻處理而使其薄板化之方法。然而，於此種方法之情形時，例如，於使基板之厚度自0.7mm薄板化為0.2mm或0.1mm之情形時，必需利用蝕刻液將原本之基板之大半材料去除，就生產性或原材料之使用效率之觀點而言未必較佳。

又，於藉由化學蝕刻進行基板之薄板化時，於在基板之表面存在微細之損傷之情形時，有因蝕刻處理導致形成以損傷為起點之微細之凹坑(腐蝕坑)而成為光學上之缺陷之情形。

為了應對上述課題，自當初以來提出有如下方法：使用具有最終板厚之薄基板，於加強板上積層基板而形成積層體，以該積層體之 狀態於基板上形成各種功能層之後，自基板將加強板剝離(例如，參照專利文獻1)。加強板例如包含支撐板、及固定於該支撐板上之吸附劑層，且藉由吸附劑層而可剝離地貼合於基板。最終，加強板係自基板剝離，且對該剝離後之加強板積層新的基板而使其再利用。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開平8-86993號公報

使用上述積層體之電子裝置用構件之製造係以如下方式進行。例如，於製造液晶面板時所使用之液晶面板用構件之情形時，首先準備一對積層體，於各個基板中之形成液晶面板之1個以上之元件形成區域內，視需要形成薄膜電晶體(TFT，Thin Film Transistor)、彩色濾光片(CF，Color Filter)等功能層。又，於一基板之元件形成區域之周圍塗佈密封材料。其後，於液晶滴加方式之情形時，於在密封材料之內側滴加液晶之後，於減壓下介隔密封材料及液晶而積層一對積層體。其後，於恢復至大氣壓下而使密封材料硬化後，將加強板剝離而製成液晶面板用構件。藉由將該液晶面板用構件於密封材料間及其周圍之分割部分割，而製造液晶面板。

然而，於上述方法之情形時，於剝離加強板時，有時未必會於基板與加強板之間剝離，而於基板與密封材料之間剝離，又，有時會因對基板施加過度之應力而導致產生裂紋等損傷。若產生密封材料之剝離或基板之損傷，則無法將該電子裝置用構件用於製造電子裝置。

為了解決此種問題，例如，如圖11所示，考慮於介隔密封材料(以下，記作主密封材料)22積層一對積層體21時，除了該主密封材料22以外，亦於主密封材料22集合而成之區域即集合區域25之外側設置 線狀之輔助密封材料23。

於此情形時，如圖12所示，關於主密封材料22，由於具有框狀形狀，故而於配置於減壓下之後恢復至大氣壓下時成為被大氣壓壓扁之狀態，藉此，線狀部分之寬度變寬，故而可將一對積層體21牢固地接著。然而，關於輔助密封材料23，由於呈線狀，故而周圍被解放而無法獲得上述效果，雖成為藉由積層體21之彈力而略微被壓扁之狀態，但線狀部分之寬度仍為大致較窄之狀態而未必可將一對積層體21牢固地接著。

又，例如，如圖13中將一部分放大而表示般，考慮於主密封材料22之周圍以將該主密封材料22包含於內側之方式設置框狀形狀之輔助密封材料23。

然而，於此情形時，於配置於減壓下之後恢復至大氣壓下時，例如，如圖14所示般，根據輔助密封材料23之大小等而成為大致被大氣壓壓扁之狀態，包含於其內側之主密封材料22亦成為被過度壓扁之狀態。其結果，主密封材料22之內側附近之一對積層體21間之間隔過度變窄，而有產生色差之虞。因此，考慮於輔助密封材料23之內側配置液晶等作為間隔保持材料而維持一對積層體21間之間隔，但由於主密封材料22之周圍最終被切斷，故而有若於此種部分配置有間隔保持材料則於切斷時間隔保持材料漏出而導致作業性下降之虞。

本發明係為了解決上述課題而完成者，其目的在於製造一種抑制密封材料之剝離或基板之損傷之電子裝置用構件。

本發明之電子裝置用構件之製造方法包括積層步驟、硬化步驟、及剝離步驟。積層步驟係將一對積層體介隔第1密封材料與第2密封材料於減壓下積層。一對積層體包含具有形成電子裝置之1個以上之元件形成區域之基板及可剝離地貼合於該基板之加強板。第1密封 材料係配置於元件形成區域之周圍。第2密封材料係配置於第1密封材料之集合區域之外側，且具有框狀形狀。硬化步驟係使第1密封材料及第2密封材料硬化。剝離步驟係自基板將加強板剝離。

本發明之電子裝置之製造方法包括構件製造步驟、及分割步驟。構件製造步驟係藉由本發明之電子裝置用構件之製造方法製造電子裝置用構件。分割步驟係分割電子裝置用構件而製造電子裝置。

本發明之電子裝置用構件包含一對積層體、第1密封材料、及第2密封部。一對積層體包含具有形成電子裝置之1個以上之元件形成區域之基板及可剝離地貼合於該基板之加強板，且使基板互相對向而配置。第1密封材料係設置於一對積層體間之元件形成區域之周圍。第2密封部係配置於第1密封材料之集合區域之外側，且源自框狀形狀而形成。

根據本發明，可製造如下電子裝置用構件：藉由在第1密封材料之集合區域之外側設置具有框狀形狀之第2密封材料，而抑制第1密封材料之剝離或基板之損傷。

11‧‧‧積層體

12‧‧‧第1密封材料

13‧‧‧第2密封材料

14‧‧‧元件形成區域

15‧‧‧集合區域

16‧‧‧填充材料

17‧‧‧第3密封材料

21‧‧‧積層體

22‧‧‧主密封材料

23‧‧‧輔助密封材料

25‧‧‧集合區域

111‧‧‧基板

112‧‧‧加強板

113‧‧‧支撐板

114‧‧‧吸附層

131‧‧‧不連續部

171‧‧‧不連續部

L₁ ‧‧‧間隔

L₂ ‧‧‧間隔

L₃ ‧‧‧間隔

圖1係表示實施形態之製造方法中之積層方法之平面圖。

圖2係圖1所示之積層方法之A-A線局部剖面圖。

圖3係說明實施形態之製造方法中之剝離方法之說明圖。

圖4係表示第2密封材料之第1變化例之平面圖。

圖5係表示第2密封材料之第2變化例之平面圖。

圖6係表示第2密封材料之第3變化例之平面圖。

圖7係表示第2密封材料之第4變化例之平面圖。

圖8係表示第2密封材料之第5變化例之平面圖。

圖9係表示設置有第3密封材料之變化例之平面圖。

圖10係表示設置有第3密封材料之另一變化例之平面圖。

圖11係表示除了主密封材料以外亦配置有線狀之輔助密封材料之積層方法之平面圖。

圖12係藉由圖11之積層方法而獲得之電子裝置用構件之局部剖面圖。

圖13係表示配置有於內側包含主密封材料之框狀形狀之輔助密封材料之積層方法的局部平面圖。

圖14係藉由圖13之積層方法而獲得之電子裝置用構件之局部剖面圖。

以下，對本發明之實施形態進行說明。

本實施形態之電子裝置用構件之製造方法包括積層步驟、硬化步驟、及剝離步驟。

積層步驟係將一對積層體介隔第1密封材料、及第2密封材料於減壓下積層。一對積層體包含具有形成電子裝置之1個以上之元件形成區域之基板及可剝離地貼合於該基板之加強板。又，一對積層體係以使基板互相對向之方式積層。第1密封材料係配置於元件形成區域之周圍。第2密封材料係配置於第1密封材料之集合區域之外側，且具有框狀形狀。再者，於第1密封材料之內側亦可視需要配置填充材料。硬化步驟係使第1密封材料及第2密封材料硬化。剝離步驟係自基板將加強板剝離。

本實施形態之電子裝置之製造方法包括構件製造步驟、及分割步驟。構件製造步驟係藉由本實施形態之電子裝置用構件之製造方法製造電子裝置用構件。分割步驟係分割電子裝置用構件而製造電子裝置。

根據本實施形態之電子裝置用構件及電子裝置之製造方法，在 第1密封材料之外另行於第1密封材料之集合區域之外側設置具有框狀形狀之第2密封材料，藉此，可抑制第1密封材料之剝離或基板之損傷而良好地製造電子裝置用構件及電子裝置。

此處，集合區域與第2密封材料原則上係相隔而設置，但亦可局部連接。即，只要於在積層步驟中自減壓下恢復至大氣壓下時以使第1密封材料之外周側面與大氣接觸之方式配置第1及第2密封材料即可。藉此，使由第1密封材料包圍之區域與由第2密封材料包圍之區域分別獨立地於大氣壓下收縮，故而可使由一對基板夾持之空間遍及基板整個面均勻地收縮，從而可防止基板翹曲之問題。

圖1係表示積層步驟中之積層方法之平面圖，圖2係其A-A線局部剖面圖。如圖2所示，於積層步驟中，例如，一對積層體11係介隔第1密封材料12、第2密封材料13、及填充材料16而積層。

一對積層體11包含：基板111，其具有形成電子裝置之1個以上之元件形成區域14；及加強板112，其可剝離地貼合於該基板111。又，一對積層體11係以使基板111互相對向之方式設有間隔而配置。加強板112包含支撐板113、及設置於該支撐板113之一主面之吸附層114。

再者，本實施形態之加強板112包含支撐板113與吸附層114，但亦可僅由支撐板113構成。例如，亦可藉由在支撐板113與基板111之間發揮作用之凡得瓦(Van Der Waals)力等將支撐板113與基板111可剝離地結合。亦可於支撐板113之表面形成無機薄膜，以便使支撐板113與基板111不於高溫下接著。又，亦可藉由在支撐板113之表面設置表面粗糙度不同之區域等，而於支撐板113與基板111之界面設置結合力不同之區域。又，本實施形態之加強板112包含1個支撐板113與1個吸附層114，但支撐板113亦可為複數個，同樣地，吸附層114亦可為複數個。

又，於一對基板111之元件形成區域14內，雖未圖示但根據電子 裝置且視需要而形成功能層。例如，於電子裝置為液晶面板之情形時，作為功能層，形成絕緣膜、透明電極膜、薄膜電晶體(TFT)或薄膜二極體(TFD，Thin Film Diode)等開關元件、彩色濾光片(CF)等。

第1密封材料12係配置於一對積層體11之間、且元件形成區域14之周圍。於第1密封材料12之內側配置填充材料16。例如於電子裝置為液晶面板之情形時，配置液晶作為填充材料16。此處，包含1個以上之第1密封材料12之整體之部分成為集合區域15。

第2密封材料13係於集合區域15之外側與該集合區域15非接觸地配置。又，第2密封材料13以於內側不包含集合區域15之方式呈框狀形狀配置。第2密封材料13之內側既可僅為空隙，亦可視需要配置間隔保持材料。作為間隔保持材料，只要為可保持一對積層體11間之間隔者，則可不受限制，例如，可列舉與填充材料16相同之材料、液體、或者球狀或柱狀之間隔物。第1密封材料12與第2密封材料13既可於相同之步驟中設置，亦可分別於不同之步驟中設置。

作為成為間隔保持材料之液體，較佳為蒸氣壓較低、且塗佈性良好者，例如，可列舉液狀二醇、甘油及甘油之脫水縮合物等。作為液狀二醇，可列舉乙二醇、二乙二醇、三乙二醇、聚乙二醇、丙二醇、二丙二醇、聚丙二醇等。作為甘油及甘油之脫水縮合物，可列舉甘油、雙甘油、聚甘油等。該等既可單獨使用1種，亦可將2種以上加以組合使用。

此處，除一對加強板112以外之部分、即包含一對基板111、以及配置於該等之間之第1密封材料12、填充材料16、及第2密封材料13之部分最終成為電子裝置用構件。

如圖1所示，一對基板111例如具有縱6列×橫6行之合計36個元件形成區域14。於該等元件形成區域14之周圍分別設置有第1密封材料12。於此情形時，包含合計36個第1密封材料12之整體之部分成為集 合區域15。又，第1密封材料12間之中央部分及集合區域15之周圍之附近部分成為於製成各個電子裝置時至少進行分割之分割部(未圖示)。

第2密封材料13例如係於集合區域15之外側與該集合區域15非接觸地配置，且設為於內側不包含該集合區域15之框狀形狀。第2密封材料13例如分別具有沿著一對積層體11之外周之形狀。又，第2密封材料13例如分別沿著一對積層體11之外周而配置。第2密封材料13較佳為配置於分割部中位於集合區域15之周圍之分割部之外側。此處，所謂框狀形狀係指包含1條連續之線狀部分者。又，第2密封材料13只要於各者之內側(框狀形狀之內側)不包含集合區域15即可，並非將如圖1所示般於複數個第2密封材料13之內側包含集合區域15之情形排除在外者。

例如，如圖1所示，第2密封材料13係以於集合區域15之各邊之中央部之外側部分具有不連續部131之方式配置於集合區域15之周圍之大致整體。通常，集合區域15之形狀為四邊形狀，故而較佳為配置於其周圍之第2密封材料13之形狀亦整體上為四邊形狀，但未必限定於四邊形狀。

根據此種第2密封材料13，由於具有框狀形狀，故而於配置於減壓下之後恢復至大氣壓下時成為被大氣壓壓扁之狀態，藉此，線狀部分之寬度變寬，故而可將一對基板111牢固地接著。進而，由於框之內側成為被壓扁之狀態，故而可防止因剝離力而導致基板111與基板111局部地分離，從而產生變形裂紋。因此，例如，如圖3所示，於為了最終製成電子裝置用構件而將加強板112剝離時，可抑制第1密封材料12之剝離等。

又，以與集合區域15非接觸、且於內側不包含集合區域15、且以不完全包圍集合區域15之周圍之方式於一部分具有不連續部131之 方式配置第2密封材料13，藉此於配置於減壓下之後恢復至大氣壓下時，可抑制第1密封材料12成為被大氣壓過度壓扁之狀態。藉此，可抑制因第1密封材料12之內側附近之一對積層體11間之間隔過度變窄所致之色差之產生。

進而，以與集合區域15非接觸、且於內側不包含集合區域15之方式配置第2密封材料13，藉此，即便於第2密封材料13之內側配置有間隔保持材料，亦可抑制將第1密封材料12之周圍切斷而製成各個電子裝置時之間隔保持材料之漏出。

第2密封材料13之位置可不受限制，但較佳為至少配置於集合區域15之對角線之延長線上。藉由至少配置於此種位置，而可有效地抑制剝離步驟中之基板111與第1密封材料12之剝離等。

又，就抑制剝離步驟中之基板111與第1密封材料12之剝離等之觀點而言，第2密封材料13之配置較佳為除了於一部分設置不連續部131以外，設為集合區域15之整個周圍。然而，就分割電子裝置用構件而製成電子裝置時之操作性之觀點、尤其是抑制於第2密封材料13之內側配置有間隔保持材料時之漏出之觀點而言，較佳為於實際上進行分割之部分設置不連續部131。藉由在此種部分設置不連續部131，而可抑制分割時之間隔保持材料之漏出，從而可提高操作性。不連續部131之長度、即周向上之第2密封材料13間之間隔於積層步驟後之開放於大氣壓之狀態下較佳為20mm以下。藉由將不連續部131之長度設為20mm以下，而可抑制第2密封材料13之剝離或基板111之損傷。又，不連續部131之長度於積層步驟後之開放於大氣壓之狀態下較佳為1mm以上。

第2密封材料13之框內只要於積層步驟中之積層前之狀態下至少一部分具有線狀部分彼此不接觸之部分即可，但較佳為於該狀態下至少一部分具有框內之間隔(內壁間之間隔)L₁ 、尤其是與周向垂直之方 向上之框內之間隔L₁ 為1mm以上之部分，尤佳為周向之整體之間隔L₁ 為1mm以上。於間隔L₁ 為1mm以上之情形時，於在減壓下進行積層之後開放於大氣壓時成為被大氣壓有效地壓扁之狀態，藉此，線狀部分之寬度亦變寬，故而可將1對基板111牢固地接著。

再者，於積層步驟後之開放於大氣壓之狀態下，第2密封材料13之框內之線狀部分彼此亦可接觸，可不必於線狀部分彼此之間具有間隔。即，於積層步驟後之開放於大氣壓之狀態下，第2密封材料13之形狀亦可為線狀形狀。然而，於積層步驟後之開放於大氣壓之狀態下之第2密封材料13之形狀較佳為至少一部分具有線狀部分彼此不接觸之部分之框狀形狀，更佳為至少一部分具有如上所述之間隔L₁ 為0.5mm以上之部分之框狀形狀，尤佳為周向之整體上如上所述之間隔L₁ 為0.5mm以上之框狀形狀。

第2密封材料13之線狀部分中成為內側之線狀部分較佳為於積層步驟中之積層前之狀態下不與集合區域15接觸。該線狀部分較佳為即便於在積層後之開放於大氣壓之狀態下亦不與集合區域15接觸。於積層後之開放於大氣壓之狀態下，該線狀部分與集合區域15之間隔L₂ 較佳為成為1mm以上。於間隔L₂ 為1mm以上之情形時，可有效地防止第1密封材料12被過度壓扁，從而可抑制因第1密封材料12之內側附近之1對基板111間之間隔過度變窄所致之色差之產生。間隔L₂ 之上限可不受限制，但就易於抑制第1密封材料12及第2密封材料13之剝離或基板111之損傷而言，較佳為20mm以下。

第2密封材料13之線狀部分中成為外側之線狀部分之位置可不受限制。然而，為了可抑制第2密封材料13之剝離或基板111之損傷，該線狀部分之位置越靠近基板111之外周部則越佳，較佳為於積層步驟中之積層前之狀態下基板111之外周部與線狀部分之間隔L₃ 為10mm以下。

第2密封材料13之線狀部分之寬度較佳為於積層後之開放於大氣壓之狀態下之寬度為0.5mm以上者。於寬度成為0.5mm以上之情形時，可藉由第2密封材料13有效地將一對基板111接著，從而可有效地抑制第1密封材料12之剝離等。就生產性等觀點而言，於積層後之開放於大氣壓之狀態下之寬度較佳為5mm以下，更佳為3mm以下。

其次，對第2密封材料13之變化例進行說明。

圖4係表示第2密封材料13之第1變化例之平面圖。

第1變化例之第2密封材料13係配置於集合區域15之周圍之大致整體者，且係於集合區域15之一組對邊(圖中為左邊及右邊)之外側於與該一組對邊平行地延伸之分割部(未圖示)之延長線上設置有不連續部131者。

於此種配置之情形時，首先，於上述一組對邊及與其鄰接之第2密封材料13之間之分割部及其延長線上進行分割後，於剩餘部分之一組對邊(圖中為上邊及下邊)及與其鄰接之第2密封材料13之間之分割部進行分割，藉此，可不將第2密封材料13切斷而分割成各個電子裝置。即，即便於第2密封材料13之內側配置有間隔保持材料，亦可抑制分割時之間隔保持材料之漏出，從而可提高操作性。

圖5係表示第2密封材料13之第2變化例之平面圖。

第2變化例之第2密封材料13係於第1變化例之第2密封材料13中之各邊之中央部進而配置有不連續部131者。如此，不連續部131可配置於任意部位。

圖6係表示第2密封材料13之第3變化例之平面圖。

第3變化例之第2密封材料13係於第1變化例之第2密封材料13中，進而於第1密封材料12間之分割部(未圖示)之延長線上配置有不連續部131者。藉由以此方式配置不連續部131，而無論分割順序如何均可不將第2密封材料13切斷而分割成電子裝置。即，即便於第2密封 材料13之內側配置有間隔保持材料，亦無論分割順序如何均可抑制間隔保持材料之漏出而提高操作性。

圖7係表示第2密封材料13之第4變化例之平面圖。

第4變化例之第2密封材料13係於第1變化例之第2密封材料13中將第2密封材料13之框狀形狀自四邊形狀變更為橢圓形狀者。如此，第2密封材料13之框狀形狀並無特別限制，除四邊形狀以外，亦可為橢圓形狀、圓形狀、三角形狀等。

圖8係表示第2密封材料13之第5變化例之平面圖。

第5變化例之第2密封材料13係於框狀形狀之內側具有交叉部分者、或框狀形狀集合而成者。如此，第2密封材料13亦可不必由1個框狀形狀構成，只要為至少具有1個框狀形狀者，則其框狀部分之大小或個數並無特別限制。

再者，如圖9所示，亦可於集合區域15之內側配置與第2密封材料13為相同之框狀形狀之第3密封材料17。又，如圖10所示，於配置框狀形狀之第3密封材料17之情形時，較佳為於第1密封材料12間之分割部之延長線上配置不連續部171。藉由以此方式配置不連續部171，而無論分割順序如何均可不將第3密封材料17切斷而分割成電子裝置。即，即便於第3密封材料17之內側配置有間隔保持材料，亦無論分割順序如何均可抑制間隔保持材料之漏出而提高操作性。

基板111例如為玻璃基板、陶瓷基板、樹脂基板、金屬基板、或半導體基板、將樹脂基板與玻璃基板貼合而成之複合體等。於該等中，玻璃基板之耐化學品性、耐透濕性優異，且線膨脹係數較小，故而較佳。線膨脹係數變得越小，則在高溫下形成之功能層之圖案於冷卻時越難以偏移。

玻璃基板之玻璃可不受限定，較佳為無鹼硼矽酸玻璃、硼矽酸玻璃、鈉鈣玻璃、高二氧化矽玻璃、其他以氧化矽為主成分之氧化物 系玻璃。作為氧化物系玻璃，較佳為藉由氧化物換算而得之氧化矽之含量為40~90質量%之玻璃。

玻璃基板之玻璃可採用適合於電子裝置之種類或其製造步驟之玻璃。例如，液晶面板用之玻璃基板較佳為包含實質上不含鹼金屬成分之玻璃(無鹼玻璃)。

作為無鹼玻璃，可列舉以氧化物基準之質量百分比表示而含有SiO₂ ：50~66%、Al₂ O₃ ：10.5~24%、B₂ O₃ ：0~12%、MgO：0~8%、CaO：0~14.5%、SrO：0~24%、BaO：0~13.5%、MgO+CaO+SrO+BaO：9~29.5%、ZnO：0~5%者。

若SiO₂ 之含量未達50%，則無法充分地提高應變點，並且化學耐久性惡化，熱膨脹係數增大。若超過66%，則熔解性會下降，且失透溫度上升。較佳為58~66莫耳%。

Al₂ O₃ 抑制玻璃之分相性，降低熱膨脹係數，且提高應變點。若其含量未達10.5%，則不顯現該效果，若超過24%，則玻璃之熔解性會變差。較佳為15~22%。

B₂ O₃ 並非必需，但可提高對於用以形成半導體之各種化學品等之化學耐久性，並且可不使高溫下之黏性變高而達成熱膨脹係數與密度之下降。若其含量超過12%，則耐酸性會變差，並且應變點降低。較佳為5~12%。

MgO於鹼土類金屬氧化物中降低熱膨脹係數，且應變點不會下降，故而雖並非必需但可含有。若其含量超過8%，則對於用以形成半導體之各種化學品等之化學耐久性會下降，又，玻璃變得易於產生分相。

CaO並非必需，但藉由含有CaO可提高玻璃之熔解性。另一方面，若超過14.5%，則熱膨脹係數會變大，失透溫度亦會上升。較佳為0~9%。

SrO並非必需，但為了抑制玻璃之分相，且提高對於用以形成半導體之各種化學品等之化學耐久性，為有用之成分。若其含量超過24%，則膨脹係數會增大。較佳為3~12.5%。

BaO並非必需，但就使密度變小且減小熱膨脹係數之觀點而言，為有用之成分。其含量為0~13.5%，較佳為0~2%。

MgO+CaO+SrO+BaO若未達9%，則變得難以熔解，若超過29.5%，則密度會變大。MgO+CaO+SrO+BaO較佳為9~18%。

ZnO並非必需，但為了改善玻璃之熔解性、澄清性、成形性而可添加。其含量較佳為0~5%，更佳為0~2%。

為了改善玻璃之熔解性、澄清性、成形性，於無鹼玻璃中，除上述成分以外亦能夠以總量5%以下添加SO₃ 、F、Cl。

作為無鹼玻璃，可列舉較佳為以氧化物基準之質量百分比表示而含有SiO₂ ：58~66%、Al₂ O₃ ：15~22%、B₂ O₃ ：5~12%、MgO：0~8%、CaO：0~9%、SrO：3~12.5%、BaO：0~2%、MgO+CaO+SrO+BaO：9~18%者。

無鹼玻璃之應變點較佳為640℃以上，更佳為650℃以上。熱膨脹係數較佳為未達40×10^-7 /℃，且較佳為30×10^-7 /℃以上且未達40×10^-7 /℃。密度較佳為未達2.60g/cc，更佳為未達2.55g/cc，進而較佳為未達2.50g/cc。

玻璃基板係使玻璃原料熔融並將熔融玻璃成形為板狀而獲得。作為此種成形方法，可為一般方法，例如，可使用浮式法、熔融法、流孔下引法、富可法(Fourcault process)、魯伯法(Lubbers)等。尤其是板厚較薄之玻璃板係藉由將暫時成形為板狀之玻璃加熱至可成形之溫度，並利用延伸等方法將其拉伸而使其變薄之方法(再曳引(redraw)法)較佳地成形而獲得。

樹脂基板之樹脂既可為晶質樹脂，亦可為非晶質樹脂，並無特 別限定。

作為晶質樹脂，例如，可列舉作為熱塑性樹脂之聚醯胺、聚縮醛、聚對苯二甲酸丁二酯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、或間規聚苯乙烯等，於熱硬化性樹脂中，可列舉聚苯硫醚、聚醚醚酮、液晶聚合物、氟樹脂、或聚醚腈等。

作為非晶質樹脂，例如，可列舉作為熱塑性樹脂之聚碳酸酯、改性聚苯醚、聚環己烯、或聚降冰片烯系樹脂等，於熱硬化性樹脂中，可列舉聚碸、聚醚碸、聚芳酯、聚醯胺醯亞胺、聚醚醯亞胺、或熱塑性聚醯亞胺。

作為樹脂基板之樹脂，尤佳為非晶質且熱塑性之樹脂。

基板111之厚度係根據基板111之種類而設定。例如，於玻璃基板之情形時，為了實現電子裝置之輕量化、薄板化，較佳為0.7mm以下，更佳為0.3mm以下，進而較佳為0.1mm以下。於0.3mm以下之情形時，可對玻璃基板賦予良好之撓性。於0.1mm以下之情形時，可將玻璃基板捲取為輥狀。又，根據容易製造玻璃基板、且容易操作玻璃基板等理由，玻璃基板之厚度較佳為0.03mm以上。

基板111之大小並無特別限制，例如，較佳為縱100mm以上×橫100mm以上，更佳為縱500mm以上×橫500mm以上。尤佳為縱730mm以上×橫920mm以上之大小。藉由設為此種大小，可有效率地製造複數個電子裝置。又，於此種大小之情形時，在第1密封材料12之外另行設置第2密封材料13所產生之效果較大。

支撐板113例如為玻璃板、陶瓷板、樹脂板、半導體板、或金屬板等。支撐板113之種類係根據電子裝置之種類或基板111之種類等而選定。若支撐板113與基板111為同種類，則會降低因溫度變化所致之翹曲或剝離。

支撐板113與基板111之平均線膨脹係數之差(絕對值)係根據基板 111之尺寸形狀等而適當設定，但較佳為例如35×10^-7 /℃以下。此處，所謂「平均線膨脹係數」係指50~300℃之溫度範圍內之平均線膨脹係數(JIS R 3102：1995)。

支撐板113之厚度例如為0.7mm以下。又，為了加強基板111，支撐板113之厚度較佳為0.4mm以上。支撐板113之厚度既可較基板111厚，亦可較其薄。

吸附層114能夠將基板111可剝離地貼合，只要為相較於支撐板113與吸附層114之剝離強度使基板111與吸附層114之剝離強度降低者，則並無特別限制。於自基板111將加強板112剝離之情形時，必需可於基板111與吸附層114之間剝離，而不於支撐板113與吸附層114之間剝離。

作為相較於支撐板113與吸附層114之剝離強度使基板111與吸附層114之剝離強度降低之方法，例如，可列舉如下方法：使用硬化性聚矽氧樹脂組合物作為構成吸附層114者，於支撐板113上塗佈硬化性聚矽氧樹脂組合物，並使其硬化而形成吸附層114之後，於吸附層114上貼合基板111。

又，於即便使硬化性聚矽氧樹脂組合物接觸於基板111與支撐板113之兩者並使其硬化，與支撐板113之剝離強度亦高於與基板111之剝離強度之情形時，亦可使硬化性聚矽氧樹脂組合物接觸於基板111與支撐板113之兩者並使其硬化。作為此種方法，例如，可列舉為了提高結合力而對支撐板113之表面進行提高矽醇基之濃度之表面處理之方法。

作為硬化性聚矽氧樹脂組合物，例如，較佳為含有線狀之有機烯基聚矽氧烷、線狀之有機氫化聚矽氧烷、及觸媒等添加劑，且藉由加熱而硬化之加成反應型之硬化性聚矽氧樹脂組合物。加成反應型之硬化性聚矽氧樹脂組合物與其他硬化性聚矽氧樹脂組合物相比，硬化 反應易於進行，且硬化收縮亦較低，硬化物之剝離較為容易。作為加成反應型之硬化性聚矽氧樹脂組合物之形態，可列舉溶劑型、乳液型、無溶劑型等，任一種形態均可。作為加成反應型之硬化性聚矽氧樹脂組合物，較佳為例如國際公開第2011/024775號所揭示者。

第1密封材料12、第2密封材料13只要為可將一對基板111接著者，則並無特別限制，可使用該種電子裝置用構件之製造時通常所使用者。作為此種者，例如，可列舉加熱硬化型之環氧系樹脂、紫外線硬化型之環氧改性丙烯酸系樹脂等。密封材料之塗佈方法並無特別限制，既可使用分注器或噴墨裝置進行繪圖，亦可藉由絲網印刷進行印刷。

就生產性之觀點而言，第1密封材料12與第2密封材料13較佳為包含相同之材料，但可不必限定於包含相同之材料者。又，就生產性之觀點而言，第1密封材料12與第2密封材料13較佳為使用同一裝置於同一步驟中進行，但可不必限定於利用同一裝置或於同一步驟中進行者。再者，第1密封材料12及第2密封材料13亦可不必將兩者塗佈於一基板111上，亦可塗佈於不同之基板111上。

積層步驟係於製造一對積層體11之後，於一對積層體11之一者或兩者之對向面上塗佈第1密封材料12及第2密封材料13，其後於第1密封材料之內側配置填充材料16，介隔該等第1密封材料12、第2密封材料13、及填充材料16將一對積層體11於減壓下積層。

積層體11例如係將基板111可剝離地貼合於加強板112而製造。加強板112例如係於支撐板113上塗佈成為吸附層114之硬化性聚矽氧樹脂組合物，並使該硬化性聚矽氧樹脂組合物硬化而製造。積層體11例如係於以此方式製造之加強板112之吸附層114上貼合基板111而製造。作為貼合方法，例如，可列舉使用加壓室之非接觸式之壓接方法、使用輥或加壓機之接觸式之壓接方法。

其後，於基板111之元件形成區域14內，根據電子裝置且視需要形成功能層。例如，於電子裝置為液晶面板之情形時，作為功能層，形成絕緣膜、透明電極膜、薄膜電晶體(TFT)或薄膜二極體(TFD)等開關元件、彩色濾光片(CF)等。又，以使液晶分子可排列之方式印刷聚醯亞胺膜等配向膜，且形成用以使其配向之槽。

第1密封材料12係以包圍基板111中之元件形成區域14之方式塗佈。第2密封材料13係呈特定形狀塗佈於第1密封材料12之外側。填充材料16係藉由滴加、塗佈等配置於第1密封材料12之內側。又，於第2密封材料13之內側視需要配置間隔保持材料。其後，於減壓下介隔第1密封材料12、填充材料16、及第2密封材料13而積層1對積層體11。積層例如可於真空室內進行。

硬化步驟例如係於積層步驟後，於大氣壓下進行第1密封材料12及第2密封材料13之硬化。硬化可根據第1密封材料12及第2密封材料13之硬化方式而採用最佳之硬化方法，例如，於使用加熱硬化型之環氧系樹脂等作為第1密封材料12及第2密封材料13之情形時，藉由加熱進行硬化，於使用紫外線硬化型之環氧改性丙烯酸系樹脂等作為第1密封材料12及第2密封材料13之情形時，藉由紫外線照射進行硬化。於第1密封材料12與第2密封材料13中硬化方式不同之情形時，亦可分2次以上進行硬化。

剝離步驟係自基板111將加強板112剝離。藉此，可製造電子裝置用構件。剝離較佳為例如如圖3所示般自加強板112之一端部、尤其是角部朝向對向之角部緩慢地進行。又，剝離較佳為藉由如下方法等進行：於基板111與加強板112之界面插入銳利之刃具狀之剝離工具，進行形成剝離開始部之預剝離之後，對該剝離開始部吹送水與壓縮空氣之混合流體。

剝離工具之插入例如較佳為以至第2密封材料13之內側之線狀部 分之位置為止產生剝離之方式進行。藉此，可抑制第2密封材料13之剝離且可有效地抑制第1密封材料12之剝離等。再者，剝離工具之插入亦可不必使剝離工具本身到達至第2密封材料13之內側之線狀部分之位置。即，通常於插入剝離工具時，至較剝離工具之前端部更靠前側為止產生剝離。只要較該剝離工具之前端部更靠前側之剝離部分到達至第2密封材料13之內側之線狀部分之位置即可。

又，剝離例如係藉由複數個真空吸附墊將一對加強板112真空吸附，於此狀態下於基板111與加強板112之一端部、尤其是角部之界面插入銳利之刃具狀之剝離工具，為了自該插入部分緩慢地將加強板112剝離，亦可以提昇吸附有加強板112之真空吸附墊之方式使其移動而進行。

於剝離時，一對基板111除藉由第1密封材料12以外亦於其外側藉由第2密封材料13而接著，藉此，可抑制基板111與第1密封材料12之剝離。又，亦可抑制基板111之破損。

於製造此種電子裝置用構件之構件製造步驟之後，進行將電子裝置用構件分割之分割步驟，藉此可製造電子裝置。分割步驟較佳為根據第2密封材料13之配置而選擇分割位置及分割順序，尤佳為選擇如不將第2密封材料13切斷之分割位置及分割順序。例如，於圖4所示之配置之情形時，較佳為首先於集合區域15之一組對邊(圖中為左邊及右邊)與鄰接於其之第2密封材料13之間之分割部(未圖示)及其延長線上之部分進行分割之後，於剩餘部分之一組對邊(圖中為上邊及下邊)與鄰接於其之第2密封材料13之間之分割部(未圖示)進行分割。

作為以此方式製造之電子裝置，只要為於一對基板間以包圍元件形成區域之方式配置有密封材料者，且於減壓下將一對基板貼合而製造者，則並無特別限制，可列舉各種電子裝置。作為電子裝置，可列舉液晶面板、有機電致發光面板、電子紙、液晶透鏡等。

於液晶面板之情形時，作為填充材料16，可使用向熱性液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶、鐵電性液晶、反鐵電性液晶等液晶材料。該等液晶材料根據條件而顯示膽固醇相、層列相、立方相、手性向列相、各向同性相等。於有機電致發光面板之情形時，可使用有機電致發光材料作為填充材料16。

作為電子紙，例如，可列舉如下者：使用於溶劑中分散有複數個含有具有正電荷之第1粒子與具有負電荷之第2粒子之微膠囊之電子墨水，且對電子墨水施加電場，藉此使微膠囊中之粒子向彼此相反之方向移動而僅顯示集合於一側之粒子之顏色。於此種電子紙之情形時，配置電子墨水作為填充材料16。

又，作為電子紙，可列舉扭轉球顯示方式。扭轉球顯示方式係將分塗成白色與黑色之球形粒子配置於一對電極間，使一對電極間產生電位差並控制球形粒子之朝向而進行顯示者。於此種電子紙之情形時，配置至少具有球形粒子者作為填充材料16。所謂液晶透鏡係指於透鏡狀之空間內封入有液晶者，且藉由調整施加之電壓而使表觀上之液晶之折射率發生變化從而實現光學透鏡之功能者。

以上，對實施形態之電子裝置用構件之製造方法進行了說明，但可於不違背本發明之主旨之限度內，且視需要適當變更其構成。例如，基板111中之元件形成區域14之個數未必限定於上述個數。藉由具有多個元件形成區域14者可更有效率地製造電子裝置。又，元件形成區域14之個數未必限定於複數個，亦可為單個。於此情形時，集合區域15之大小或位置與該1個元件形成區域14之周圍之第1密封材料12之大小或位置一致。

本申請案係基於2012年11月22日提出申請之日本專利申請案2012-256719及2013年3月22日提出申請之日本專利申請案2013-060431者，且將其等之內容以參照之形式併入本文中。

11‧‧‧積層體

12‧‧‧第1密封材料

13‧‧‧第2密封材料

14‧‧‧元件形成區域

15‧‧‧集合區域

131‧‧‧不連續部

Claims (15)

1. 一種電子裝置用構件之製造方法，其包括：積層步驟，其係將包含具有形成電子裝置之1個以上之元件形成區域之基板、及可剝離地貼合於上述基板之加強板的一對積層體介隔配置於上述元件形成區域之周圍之第1密封材料、及配置於上述第1密封材料之集合區域之外側且具有框狀形狀之第2密封材料於減壓下積層；硬化步驟，其係使上述第1密封材料及上述第2密封材料硬化；及剝離步驟，其係自上述基板將上述加強板剝離；上述基板之板厚為0.3mm以下，上述第2密封材料係去除上述框狀形狀之內側包含上述集合區域之整體者之者，且該第2密封材料至少配置於上述集合區域之對角線之延長線上，且除了於一部分具有不連續部以外，係設置於上述集合區域之周圍之整體。
2. 如請求項1之電子裝置用構件之製造方法，其中上述第2密封材料係沿著上述基板之外周而設置。
3. 如請求項1之電子裝置用構件之製造方法，其中上述第2密封材料中該第2密封材料之線狀部分、與上述基板之外周之間隔為10mm以下。
4. 如請求項2之電子裝置用構件之製造方法，其中上述第2密封材料中該第2密封材料之線狀部分、與上述基板之外周之間隔為10mm以下。
5. 如請求項1至4中任一項之電子裝置用構件之製造方法，其中上述不連續部係設置於電子裝置用構件之實際上進行分割之部 分。
6. 如請求項1至4中任一項之電子裝置用構件之製造方法，其中於上述集合區域之一組對邊之外側具有與上述一組對邊平行地延伸之分割部，且上述不連續部係設置於上述分割部之延長線上。
7. 如請求項1至4中任一項之電子裝置用構件之製造方法，其中於上述第1密封材料間具有分割部，且上述不連續部係設置於上述分割部之延長線上。
8. 如請求項1至4中任一項之電子裝置用構件之製造方法，其中於上述第2密封材料之內側配置選自與配置於上述第1密封材料之內側之填充材料為同種之材料、間隔物、及液體中之至少1種間隔保持材料。
9. 如請求項1至4中任一項之電子裝置用構件之製造方法，其中上述基板具有縱730mm×橫920mm以上之大小。
10. 如請求項1至4中任一項之電子裝置用構件之製造方法，其中上述基板為玻璃基板、陶瓷基板、樹脂基板、金屬基板、半導體基板、或將樹脂基板與玻璃基板貼合而成之複合體中之任一者。
11. 如請求項1至4中任一項之電子裝置用構件之製造方法，其中上述基板包含無鹼玻璃。
12. 如請求項11之電子裝置用構件之製造方法，其中上述基板包含以氧化物基準之質量百分比表示時具有下述組成之無鹼玻璃：SiO₂ ：50~66%、Al₂ O₃ ：10.5~24%、B₂ O₃ ：0~12%、MgO：0~8%、 CaO：0~14.5%、SrO：0~24%、BaO：0~13.5%、MgO+CaO+SrO+BaO：9~29.5%、及ZnO：0~5%。
13. 如請求項1至4中任一項之電子裝置用構件之製造方法，其中上述電子裝置為液晶顯示面板、OLED或電子紙中之任一者。
14. 一種電子裝置之製造方法，其包括：構件製造步驟，其係藉由如請求項1至13中任一項之電子裝置用構件之製造方法製造電子裝置用構件；及分割步驟，其係分割上述電子裝置用構件而製造電子裝置。
15. 一種電子裝置用構件，其包括：一對積層體，其包含具有形成電子裝置之1個以上之元件形成區域之基板、及可剝離地貼合於上述基板之加強板，且使基板互相對向而配置；第1密封材料，其設置於上述一對積層體間之上述元件形成區域之周圍；及第2密封部，其配置於上述第1密封材料之集合區域之外側，且源自框狀形狀而形成；上述基板之板厚為0.3mm以下，上述第2密封材料係去除上述框狀形狀之內側包含上述集合區域之整體者之者，且該第2密封材料至少配置於上述集合區域之對角線之延長線上，且除了於一部分具有不連續部以外，係設置於上述集合區域之周圍之整體。