TWI430966B - 熔融石英玻璃及其製造方法 - Google Patents

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Description

熔融石英玻璃及其製造方法
本發明係有關具有紫外線、可見光線、紅外線之透過率高，在高純度下耐熱性高，Cu等金屬雜質之擴散速度小的熔融石英玻璃及其製造方法。
本發明之熔融石英玻璃，適合作為各種光學材料、半導體製造用構件、液晶製造用構件、MEMS(Micro Electro Mechanical System)製造用構件、液晶用玻璃基板等。特別是可適合利用作為半導體熱處理製程或CVD製程中所使用的爐心管。
各種光學材料、半導體製造用構件、液晶製造用構件、MEMS製造用構件、液晶用玻璃基板等之用途，企求具有紫外線、可見光線、紅外線之透過率高，在高純度下耐熱性高的石英玻璃。
而且，在半導體或液晶、MEMS製造之領域中，係在蝕刻之終點檢測等時大多使用石英玻璃製檢視區域，惟企求自紫外線範圍至可見光範圍、紅外線範圍具有良好的光透過性，且可以低成本製造的石英玻璃。
另外，近年來於半導體熱處理製程中，會有因Cu造成污染的問題。此係因熱處理用石英管(爐心管)外部之加熱器所產生的Cu，擴散於熱處理用石英管內，使石英管內所配置的矽晶圓受到污染者，對Cu等之金屬雜質而言企求擴散係數小的石英玻璃。
一般而言，石英玻璃大致上區分為熔融石英玻璃與合成石英玻璃。
熔融石英玻璃係使原料之二氧化矽粉末藉由氫氧火焰、電漿電弧、真空電爐等予以熔融、製造，其次，與上述之合成石英玻璃相比時具有製造成本低的優點。其中，使用天然矽石粉末作為二氧化矽原料，以電漿電弧或真空電熔融等之不會使OH基量增加的熔融方法所製造的石英玻璃，由於高溫黏性高、耐熱性優異，故廣泛應用於半導體熱處理製程或CVD製程。
然而，使用天然矽石原料之熔融石英玻璃，含有約0.1~0.5ppm於製造半導體時所忌諱的元素之Li、K、Na、Ca等，無法使用於要求高純度之用途(例如矽晶圓之高溫煅燒處理等)。而且，一般而言由於在紫外線領域(200nm~240nm)具有吸收帶，故即使作為紫外線用光學材料(例如終點檢測用窗材等)時，特性仍不夠充分。另外，會有Cu等金屬雜質之擴散速度顯著變快的問題。
因此，對於要求高純度之用途而言，使用非晶質高純度合成二氧化矽粉末作為二氧化矽原料的方法，係為已知(例如參照專利文獻1,2)。然而，非晶質合成二氧化矽粉末，通常藉由溶膠凝膠法等之濕式製程予以調製時，由非晶質合成二氧化矽粉末所製造的石英玻璃中殘留有約數十ppm之OH基。石英玻璃中之殘留OH基，不僅會引起在紅外線領域之光學吸收，且會使高溫黏性惡化，以及會促進Cu等金屬雜質之擴散情形。
因此，預先使原料之非晶質合成二氧化矽粉末予以結晶化，以減低OH基的方法，係為已知(例如參照專利文獻3,4)。然而，專利文獻3之方法中，雜質含量之減少不夠充分，企求減低更多。此外，專利文獻3中揭示的熔融方法，由於在強的還原環境下進行玻璃化，故恐會出現在245nm附近推定引起缺氧缺點之吸收波峰。另外，有關專利文獻4，沒有記載有關玻璃化時之環境，亦沒有記載或示唆任何有關製得何種石英玻璃。
而且，合成石英玻璃係使經高度精製的四氯化矽等之揮發性二氧化矽原料以氫氧火焰等進行高溫水解予以製造，具有非常高純度的特徵。然而，一般而言合成石英玻璃在高溫範圍之黏性率低，係為已知。製造符合要求耐熱性之用途之合成石英玻璃的方法，係為使揮發性二氧化矽原料進行加熱水解所生成二氧化矽微粉末堆積的多孔質石英玻璃體(煙灰體)中含有Al，使該物進行加熱．燒結，形成透明玻璃體的方法(例如參照專利文獻5)，或使煙灰體在還原環境中進行加熱處理以減低OH量後，使該物進行加熱．燒結，形成透明玻璃體的方法(例如參照專利文獻6)等，係為已知。然而，任一方法皆由於其製程繁雜，所得的玻璃變得極為高價。
此外，專利文獻5所記載的合成石英玻璃，由於在製造製程中沒有減低OH基的製程，故恐會引起紅外線領域之光學吸收，且使高溫黏性降低、及促進Cu等金屬雜質之擴散情形。
另外，以專利文獻6記載的方法使OH基量經減低之石英玻璃中，恐會產生缺氧之缺陷情形，在245nm附近出現吸收波峰。
〔專利文獻1〕日本特開平7－81971號公報(第3頁)〔專利文獻2〕日本特開2006－8452號公報(第1頁)〔專利文獻3〕日本特開平8－119664號公報(第2頁)〔專利文獻4〕日本特開平4－238808號公報(第2頁)〔專利文獻5〕日本特開平3－83833號公報(申請專利範圍)〔專利文獻6〕日本特開平3－109223號公報(第1頁)
本發明之目的係為克服上述問題，提供一種可適合作為利用紫外線、可見光線、紅外線之各種光學材料、半導體製造用構件、液晶製造用構件、MEMS製造用構件、液晶用玻璃基板，紫外線、可見光線、紅外線之透過率高，在高純度下耐熱性高，Cu等金屬雜質之擴散速度小的熔融石英玻璃。
本發明人等為解決上述問題時，再三深入研究檢討的結果，發現對波長245nm之紫外光而言厚度為10mm之內部透過率為95%以上(較佳者為98%以上)，且OH含量為5ppm以下，Li、Na、K、Mg、Ca、Cu之含量各未達0.1ppm(較佳者為0.05ppm以下)之熔融石英玻璃，該玻璃在1215℃之黏性率為1011.5 Pa．s以上，以及含有Al之重量比為3ppm以下，黏性率為1012.0 Pa．s以上，且在1050℃下、大氣中放置24小時之銅離子熱擴散中，自表面之20μm~100μm深度時銅離子之擴散係數為1×1010 cm2 /sec以下，可解決上述課題。另外，發現該石英玻璃係預先使原料二氧化矽粉予以方英石化，然後，在非還原性環境中予以熔融，較佳者係藉由電漿電弧熔融法予以熔融，在工業上可有利地予以製造。以此等見解為基準，遂而完成本發明。
本發明係提供一種熔融石英玻璃，其特徵為對波長245nm之紫外光而言厚度為10mm之內部透過率為95%以上(較佳者為98%以上)，且OH含量為5ppm以下，Li、Na、K、Mg、Ca、Cu之含量各未達0.1ppm(較佳者0.05ppm以下)。
另外，本發明係提供一種熔融石英玻璃，其特徵為除具備上述特性外，在1215℃之黏性率為1011.5 Pa．s以上，較佳者含有重量比為3ppm以下之鋁，且1215℃之黏性率為1012.0 Pa．s以上。
此外，本發明係提供一種熔融石英玻璃，其特徵為除具備上述特性外，在1050℃下、大氣中放置24小時之銅離子熱擴散中，自表面之深度大於20μm、至100μm之範圍內銅離子之擴散係數為1×10－10 cm2 /sec以下。
本發明係提供一種製造上述熔融石英玻璃的方法，其特徵為於另一面上使原料二氧化矽粉予以方英石化，然後，在非還原性環境下予以熔融。
本發明之熔融石英玻璃，由於在紫外線~可見光線~紅外線中幾乎完全不具特異的吸收，可利用於企求高透過率之各種光學材料，其中適合利用作為蝕刻終點檢測等之窗材。而且，本發明之熔融石英玻璃，由於為高純度、高溫黏性優異、銅等金屬雜質之擴散速度慢，故亦可適合利用作為半導體熱處理/製造用之爐材、工具等之半導體製造裝置用構件或MEMS製造用工具等、紫外線用鏡片及燈、液晶用玻璃基板等。
藉由本發明之製造方法，可以低價製得具有上述特性之熔融石英玻璃。
〔為實施發明之最佳形態〕
於下述中，詳細說明本發明。
本發明之熔融石英玻璃，對波長245nm之紫外光而言試料厚度為10mm之內部透過率為95%以上，較佳者為98%以上。本發明所指的「內部透過率」，係為除去在玻璃表面之反射或吸收、散射之影響，換算成試料厚度10mm之透過率。使內部透過率為該高值，係考慮與石英玻璃中抑制形成欠缺氧氣之缺陷同義。
另外，熔融石英玻璃之OH含有量為5ppm以下，較佳者為2ppm以下。藉由顯著減低OH含有量，不僅可抑制紅外線領域之特異吸收，且可避免高溫之黏性降低情形，亦可抑制銅離子之擴散情形。因此，可適合使用於半導體熱處理用工具。本發明之「OH含有量」係指由波長2730nm之吸收波峰強度求得，玻璃中所含的OH量。OH量之檢測臨界值為1ppm。
此外，於本發明之熔融石英玻璃中，Li、Na、K、Mg、Ca、Cu之含量以金屬換算(重量比)各未達0.1ppm，較佳者各為0.05ppm以下，更佳者各為0.01ppm以下。藉由減低此等元素之含量，可使紫外線之透過率保持於高值，且更適合利用作為嫌棄雜質混入的半導體製造裝置用構件。而且，本發明之熔融石英玻璃中金屬成份的含量，係藉由ICP發光分光法予以測定，其檢測臨界值為0.01ppm。
本發明之熔融石英玻璃，具有高的耐熱性，具體而言在1215℃之黏性率以1011.5 Pa．s以上較佳，一般而言為1011.5 ~1012.0 Pa．s之範圍。
本發明之熔融石英玻璃，為提高其黏性時可含有鋁(Al)。Al之含有量，以金屬Al換算(重量比)為0.1~3ppm較佳，以0.2~2ppm更佳。含有Al之熔融石英玻璃，1215℃之黏性率為1012.0 Pa．s以上，更具體而言具有1012.0 ~1012.5 Pa．s之高黏性。
另外，本發明之熔融石英玻璃，雜質之擴散速度慢，例如在1050℃下、大氣中放置24小時之銅離子熱擴散中，自表面之深度大於20μm、至100μm之範圍內銅離子之擴散係數以1×10－10 cm2 /sec以下較佳，以3.5×10－11 cm2 /sec以下更佳。
具有上述特性之本發明熔融石英玻璃，於熱加工或除變形(煅燒)時，Cu、Na等之金屬雜質沒有自玻璃表面、朝向其厚度方向深入擴散的情形。而且，使用作為製造半導體時熱處理製程或CVD製程之爐心管時，具有可抑制來自系外之Cu等金屬雜質的透過．擴散情形，使存在於爐心管內部之晶圓很少受到污染的優點。
其次，詳述有關本發明熔融石英玻璃之製造方法。
本發明之熔融石英玻璃，可藉由預先使原料二氧化矽粉末予以方英石化，在非還原性環境中進行熔融予以製造。
原料二氧化矽例如可使用非晶質二氧化矽粉末。較佳者使用Li、Na、K、Mg、Ca、Cu之含量各為0.05ppm以下(更佳者為0.01ppm以下)之高純度非晶質二氧化矽粉末。藉此，製得可在製造半導體等之高純度石英玻璃，亦可使紫外線領域之透過率保持於高值。
該非晶質二氧化矽例如可使用使烷氧化矽在鹽酸或銨觸媒下進行水解所製得的二氧化矽凝膠進行乾燥．燒成，製得的高純度非晶質二氧化矽；及使鹼金屬矽酸水溶液與酸進行反應所得的二氧化矽凝膠進行精製．燒成，製得的高純度非晶質二氧化矽等。其中，自烷氧化矽所調製的高純度非晶質二氧化矽，由於容易製得高純度者，故更佳。
預先使原料二氧化矽粉末進行方英石化的方法，係有各種方法。例如，藉由使高純度之非晶質二氧化矽粉末在沒有產生污染之適當環境下進行高溫且長時間燒成，可製得高純度之方英石粉末。
而且，為提高燒成製程之通過供應性或減低來自藉由長時間燒成之燒成爐的雜質污染情形時，在原料二氧化矽粉末中添加結晶化促進劑予以燒成，亦極為有效。
結晶化促進劑例如以方英石或氧化鋁之微粉末等為宜。結晶化促進劑單獨1種使用，亦可2種以上混合使用。方英石可適合使用於在玻璃中嫌棄Al存在的用途。其添加量對非晶質二氧化矽而言以0.1~10重量%較佳。另外，氧化鋁以金屬Al換算添加約0.1ppm以上時，具有結晶化促進效果，同時具有提高石英玻璃之耐熱性的效果。Al由於在製造半導體之氟系乾式洗淨製程中產生氟化物的粒子，以使其添加量抑制於低值較佳。藉由添加氧化鋁以提高耐熱性之效果，由於可確認以金屬Al換算約為2~3ppm時有飽和的傾向，故對嫌棄粒子生成的用途而言Al之添加量以0.1~3ppm較佳，以0.2~2ppm更佳。
燒成溫度以1200~1700℃較佳，燒成時間以1~100小時較佳。燒成以在真空中、或氮氣、氬氣、氦氣或氧氣環境中進行較佳。
藉由上述方法使原料二氧化矽進行方英石化後予以燒成，通常可減低原料二氧化矽粉末中所含的OH基量，然後，藉由在非還原性環境中進行熔融，可製得有利於工業的本發明之熔融石英玻璃。而且，使原料二氧化矽粉末進行方英石化之比例(結晶化率)，實質上以100%較佳，通常以至少70%以上進行方英石化。對方英石化而言之轉換比例，例如可藉由X光線繞射法予以決定。更詳言之，例如可自表示非晶質二氧化矽存在之廣泛的波浪圖型、與表示方英石存在之陡峭波峰的面積求取。
然後，使經方英石化的粉末進行熔融。熔融以抑制生成欠缺氧氣之缺陷為目的時，在非還原性環境中進行。在還原性環境中進行熔融時，會產生欠缺氧氣之缺陷，且在245nm附近容易產生吸收波峰，故不為企求。非還原性環境例如可利用He、N2 、Ar、O2 氣體等。
另外，熔融方法必須在不會增加經減低的OH基量下不使用火焰作為加熱源，例如以電氣熔融法或電漿電弧熔融法等較佳。特別是電漿電弧熔融法，由於可在沒有使用容器下鑄錠製造，就沒有來自容器之污染而言較佳。
所得的玻璃中有氣泡問題時，可藉由熱間等方加壓(HIP)處理以完全消滅氣泡。藉由該HIP處理，在玻璃中產生複折射率(變形)，惟可藉由約1200℃之煅燒處理以除去變形情形。
於下述中，以實施例更詳細地說明本發明。本發明不受此等實施例所限制。
而且，玻璃之評估方法如下述所示。
<雜質分析>使玻璃試料溶解於氟酸中，藉由ICP發光分光法進行測定玻璃中所含的雜質量。
<245nm內部透過率>自鑄錠切取小片，在相向的2面上實施光學研磨處理，形成厚度10mm之透過率測定用試驗片。測定含有波長245nm之反射損失的直線透過率，以下述1式為基準求取試料厚度10mm之內部透過率(Ti)。反射率R對全部試料而言計算為4%。
其中，T：含有反射損失之直線透過率，R：反射率，Ti：內部透過率。
<OH含有量>以與245nm內部透過率測定用試料相同的方法製作試驗片，測定入射光波長2.73μm及2.63μm之透過率。使用下述2式，求取玻璃中所含的OH量(C)。
其中，C：OH基含量[ppm]，T2.63 ：波長2.63μm之透過率，T2.73 ：波長2.73μm之透過率，t：試料厚度[mm]。
<黏性率>自玻璃切取3mm×5mm×110mm之試驗片，使一端固定的狀態下、在1215℃下保持10小時。自熱處理後試驗片之彎曲量，使用3式求取黏性率(η)。
其中，η：黏性率，ρ：玻璃密度，g：重力加速度，△t：保持時間，a：試料之突出長度，b：試料厚度，h：彎曲量。
<Cu離子擴散>自玻璃切取50mm×50mm×1mm試驗片，設置於高純度石英玻璃製匣缽(附蓋)中。在該匣缽中沒有直接與該試驗片接觸下，加入0.4g之CuO粉末，蓋上蓋子，在以石英玻璃管為爐心管之電爐內、大氣中，自室溫至1050℃、以300℃/小時之速度昇溫，且在1050℃下加熱24小時。使加熱後之試驗片以氟酸－硝酸混合溶液順序自表面溶解，藉由使溶解液以原子吸光法進行分析，求取深度方向之Cu離子濃度。另外，使用以適用於半無限固體中之擴散情形的擴散方程式之下述4式求取擴散係數。此時，減去實驗誤差大的自表面至深度20μm為止之範圍，對至少5點深度超過20μm、至100μm的範圍中所測定的Cu離子濃度而言，使用最小自乘法代入4式之係數，求取擴散係數。
此外，為計算於更深範圍內之Cu的擴散情形，自厚度20mm之試驗片一側使Cu予以擴散，進行相同的評估。
其中，C：自表面之距離x的濃度[ppm]，C0 ：初期濃度，x：自表面之距離[cm]，D：擴散係數[cm2 /sec]，t：擴散時間[sec]，erf(z)：誤差關係數。
係為以所定義的特性值。
〔實施例〕
實施例1藉由在Li、Na、K、Mg、Ca、Cu之含量各為0.01ppm以下、OH含有量為40ppm、粒徑約為200μm之高純度非晶質合成二氧化矽粉末中，混合0.1重量%方英石粉末，且在1500℃下燒成60小時，製得結晶化率：約100%之方英石粉末。
使所得的方英石粉末在氬氣環境下、投入電力：590A/160V、原料供應速度：4.5kg/hr之條件下，藉由電漿電弧處理予以熔融，製得玻璃鑄錠。對所得的鑄錠實施HIP處理後，進行煅燒處理予以慢慢變形。
所得的熔融石英玻璃中之雜質如表1所示。而且，對波長245nm之紫外線而言的內部透過率、1215℃之黏性率如表2所示。實施例1之石英玻璃，在紫外線範圍及紅外線範圍沒有特異的吸收，為高純度、高黏性。
另外，以CuO作為擴散源，在大氣中、1050℃、24小時下進行Cu離子之擴散試驗時，具有第2圖所示之濃度分佈。自表面至超過20μm之深度，直至100μm範圍之Cu離子濃度分佈代入擴散方程式，求取擴散係數時為3.44×10－11 cm2 /sec。
實施例2除使熔融方法為在氮氣中之電氣熔融法，使上述條件為1800℃、1小時外，以與實施例1相同的方法製造熔融石英玻璃時，雜質、內部透過率、黏性率如表1及表2所示。實施例2之石英玻璃，在紫外線領域及紅外線領域中沒有特異的吸收，為高純度、高黏性。
實施例3除在實施例1所使用的非晶質合成二氧化矽粉末中，混合Al以重量比為1ppm之氧化鋁粉末，以與實施例1相同的條件進行燒成，所得的結晶化率：約100%之方英石粉末外，以與實施例1相同的方法製造熔融石英玻璃時，雜質、內部透過率、黏性率如表1及表2所示。實施例3之石英玻璃，在紫外線領域及紅外線領域中沒有特異的吸收，為高純度、高黏性。
另外，以CuO作為擴散源，在大氣中、1050℃、24小時下進行Cu離子之擴散試驗時，具有第2圖所示之濃度分佈。自表面至超過20μm之深度，直至100μm範圍之Cu離子濃度分佈代入擴散方程式，求取擴散係數時為4.92×10－11 cm2 /sec。
此外，於更深範圍內之Cu離子濃度分佈如第3圖所示。如第3圖所示，實施例3之石英玻璃判斷Cu離子之擴散情形僅限於極表面。
實施例4除於電漿熔融處理時，使原料供應速度為4.0kg/hr外，以與實施例3相同的方法製造熔融石英玻璃時，雜質、內部透過率、黏性率如表1及表2所示。實施例4之石英玻璃，在紫外線領域及紅外線領域中沒有特異的吸收，為高純度、高黏性。
比較例1除沒有使實施例1所使用的高純度非晶質二氧化矽粉末進行方英石化處理，直接使用外，以與實施例1相同的方法製造熔融石英玻璃時，雜質、內部透過率、黏性率如表1及表2所示。比較例1之石英玻璃，245nm之內部透過率雖高，惟由於含有多量OH基，故黏性值變低。
此外，以CuO作為擴散源，在大氣中、1050℃、24小時下進行Cu離子之擴散試驗時，具有第2圖所示之濃度分佈。自表面至超過20μm之深度，直至100μm範圍之Cu離子濃度分佈代入擴散方程式，求取擴散係數時為1.07×10－10 cm2 /sec。
比較例2除使熔融方法為真空電氣熔融法外，以與實施例1相同的方法製造熔融石英玻璃時，雜質、內部透過率、黏性率如表1及表2所示。比較例2之石英玻璃，殘留OH基濃雖低且黏性率雖高，惟會出現推定欠缺氧氣缺陷起因之吸收波峰，且245nm之內部透過率變低。
比較例3藉由使天然矽石以氫氧火焰進行熔融，製造熔融石英玻璃時，雜質、內部透過率、黏性率如表1及表2所示。比較例3之石英玻璃，含有多量Li、Na、K、Mg、Ca，且在245nm之內部透過率亦降低。
比較例4藉由使天然矽石以電漿電弧進行熔融，製造熔融石英玻璃時，雜質、內部透過率、黏性率如表1及表2所示。比較例4之石英玻璃，雖殘留OH基少、高溫黏性高，惟含有多量Li、Na、K、Mg、Ca，且在245nm之內部透過率亦降低。
另外，以CuO作為擴散源，在大氣中、1050℃、24小時下進行Cu離子之擴散試驗時，具有第2圖所示之濃度分佈。自表面至超過20μm之深度，直至100μm範圍之Cu離子濃度分佈代入擴散方程式，求取擴散係數時為1.53×10－10 cm2 /sec。
此外，更深領域之Cu離子濃度分布如第3圖所示。比較例4之石英玻璃，Cu離子在厚度方向擴散至非常深處，判斷會使一般的半導體熱處理用爐心管之厚度之約5mm的玻璃。
比較例5除使用在二氧化矽原料中含有0.01ppm以下之Li、0.12ppm之Na、0.05ppm之K、0.05ppm之Mg、0.22ppm之Ca、0.01ppm以下之Cu的非晶質合成二氧化矽粉末外，以與實施例3相同的方法製造熔融石英玻璃時，雜質、內部透過率、黏性率如表1及表2所示。比較例5之石英玻璃，雖殘留OH基少、高溫黏性高，惟含有多量Li、Na、K、Mg、Ca，且在245nm之內部透過率亦降低。
比較例6使四氯化矽在氫氧火焰中進行加熱水解處理所形成的多孔質石英玻璃體(煙灰)，在還原性環境中進行加熱處理後，藉由燒結製造石英玻璃時，雜質、內部透過率、黏性率如表1及表2所示。比較例6之石英玻璃，雖殘留OH基少、高溫黏性高，惟在245nm之內部透過率降低，推定產生欠缺氧氣之缺陷。此外，由於製造製程繁雜，所得的石英玻璃之成本極為高價。
實施例5~8除改變氧化鋁之添加量外，以與實施例1相同的方法製造玻璃時，OH含有量及黏性率如表3所示(實施例1中未添加氧化鋁)。判斷藉由添加氧化鋁會使黏性值上昇，Al含有量約為2ppm時黏性值為飽和值。
另外，有關實施例8之玻璃，以CuO作為擴散源，在大氣中、1050℃、24小時下進行Cu離子之擴散試驗時，具有第2圖所示之濃度分佈。自表面至超過20μm之深度，直至100μm範圍之Cu離子濃度分佈代入擴散方程式，求取擴散係數時為1.50×10－10 cm2 /sec。
〔產業上之利用價值〕
本發明之熔融石英玻璃，由於在紫外線~可見光線~紅外線範圍幾乎完全不具特異的吸收，故可適合利用作為企求高透過率之各種光學材料，其中可作為蝕刻終點檢測等之窗材。另外，本發明之熔融石英玻璃，由於高純度、高溫黏性優異、銅等之金屬雜質的擴散速度慢，故亦可利用作為半導體熱處理/製造用爐材、工具等之半導體製造裝置用構件或MEMS製造裝置用工具等、紫外線用透鏡及燈、液晶用玻璃基板等。
〔第1圖〕係為以各實施例及比較例所得的石英玻璃之波長而言具有直線透過率之圖。
〔第2圖〕係為以實施例1,3及8與比較例1及4所得的石英玻璃對深度方向而言具有銅離子濃度剖面圖。
〔第3圖〕係為對實施例3及比較例4所得的石英玻璃而言，在厚度方向直至較深部分測定銅離子濃度剖面之結果圖。

Claims (8)

  1. 一種熔融石英玻璃，其特徵為對波長245nm之紫外光而言厚度為10mm之內部透過率為95%以上，且OH含量為5ppm以下，Li、Na、K、Mg、Ca、Cu之各含量未達0.1ppm，且1215℃之黏性率為1011.5 Pa‧s以上。
  2. 如申請專利範圍第1項之熔融石英玻璃，其中對波長245nm之紫外光而言厚度為10mm的內部透過率為98%以上。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之熔融石英玻璃，其中含有重量比為3ppm以下之鋁，且1215℃之黏性率為1012.0 Pa‧s以上。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之熔融石英玻璃，其中在1050℃下、大氣中放置24小時之銅離子熱擴散中，自表面之深度大於20μm、至100μm之範圍內銅離子之擴散係數為1×10-10 cm2 /sec以下。
  5. 一種如申請專利範圍第1或2項之熔融石英玻璃的製造方法，其特徵為使原料二氧化矽粉予以方英石化，然後，在非還原性環境下予以熔融。
  6. 如申請專利範圍第5項之熔融石英玻璃的製造方法，其中藉由電漿電弧熔融法，在非還原性環境中予以熔融。
  7. 一種半導體製造裝置用構件，其特徵為由如申請專利範圍第1、2、3及4項中任一項之熔融石英玻璃所成。
  8. 一種液晶製造裝置用構件，其特徵為由如申請專利範圍第1、2、3及4項中任一項之熔融石英玻璃所成。
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