KR102566079B1 - 석영 유리 및 그것을 사용한 자외선 발광 소자용 부재 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 레이저 가공성이 우수하거나 또는, 살균 용도에 적절한 파장 선택적 광 투과성이 있는 석영 유리를 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명은, 표면에 비커스 압자를 사용하여 압흔을 형성했을 때의 크랙 발생률이 50 % 가 되는 비커스 압자의 압입 하중이 0.1 ∼ 0.5 kgf 인 석영 유리 또는, 두께 1 ㎜ 환산에서의, 파장 265 ㎚ 의 직선 투과율 (%) 이 85 % 이상 또한 파장 230 ㎚ 의 직선 투과율 (%) 과 파장 200 ㎚ 의 직선 투과율 (%) 의 차 (ΔT) 가 10 ∼ 50 % 인 석영 유리에 관한 것이다.

Description

석영 유리 및 그것을 사용한 자외선 발광 소자용 부재
본 발명은 석영 유리 및 그것을 사용한 자외선 발광 소자용 부재에 관한 것이다. 본 발명의 석영 유리는, 자외선 발광 다이오드 (UV-LED) 와 같은 자외선 발광 소자의 창 부재에 바람직하다.
자외선 발광 소자는, 살균, 소독, 정수, 공기 청정, 광선 치료, 식물 육성 제어, 센싱, 수지 경화, 분석, 표면 개질 등의 각종 용도에 사용된다. 종래, 자외선 발광 소자로서 수은 등이 많이 사용되어 왔지만, 최근에는 보다 환경 부하가 적은 LED (발광 다이오드) 에 대한 전환이 검토되고 있다.
자외선 LED (UV-LED) 에는, 광 출사 부분에 평판이나 렌즈상의 창 부재가 사용된다. 당해 창 부재는, 자외선 LED 칩을 보호하는 커버 부재로서의 기능을 함과 함께, 자외선 LED 로부터 발하여진 광을 집광하거나 확대하거나 하는 기능이 있다. 당해 광학 렌즈의 재료로서, 예를 들어 대략 파장 350 ㎚ 이하의 단파장역 (심자외역) 에 있어서 투과 특성이 우수한 합성 석영 유리가 이용되고 있다 (특허문헌 1). 박테리아, 균, 바이러스 등 미생물의 핵산은, 흡수 스펙트럼의 피크가 파장 265 ㎚ 근방에 있다. 그 때문에, 살균 용도에서는 파장 265 ㎚ 의 투과 특성이 중요하다.
상기 목적으로 사용되는 합성 석영 유리의 제조 방법으로는, 화염 가수분해법이 일반적이다 (특허문헌 2).
UV-LED 모듈에는, 예를 들어 가로세로 3.5 ∼ 5 ㎜ 이고, 두께 약 0.5 ㎜ 의 석영 유리제의 창 부재가 이용되고 있다. 이와 같은 소편의 석영 유리 부재를 얻으려면, 화염 가수분해법에 의해 얻어지는 합성 석영 유리의 잉곳을 웨이퍼로 가공하고, 추가로 레이저 가공에 의해 소편화할 필요가 있어, 생산성이 낮다.
생산성 향상을 위해서, 주조나 프레스에 의해 원하는 형상의 합성 석영 유리를 얻는 것은, 그 융점, 높은 점도 면에서 매우 어렵다.
한편, 원하는 형상의 세라믹스 성형체를 얻는 제조법으로서 겔 캐스트법이 있다. 겔 캐스트법이란, 세라믹스의 분체, 분산매, 및 겔화제를 포함하는 슬러리를 주형 (注型) 한 후에, 이 슬러리를 온도 조건이나 가교제의 첨가 등에 의해 겔화시킴으로써 고화시켜 성형체를 얻는 방법이다. 겔 캐스트법에 의해 석영 유리를 제조하는 방법이 특허문헌 3 에 개시되어 있다.
겔 캐스트법에 의하면 웨이퍼 형상이나 요철 형상을 갖는 석영 유리를 직접 제조할 수 있고, 레이저 가공에 의해 소편화함으로써 UV-LED 의 창 부재를 얻을 수 있는 것으로 생각된다.
UV-LED 의 창 부재로서 사용되는 석영 유리는, 웨이퍼로부터의 소편화나, 미세 가공을 가하여 원하는 형상으로 하기 위해서, 레이저 가공성이 양호한 것이 요구된다.
레이저 가공법으로는, 자외, 가시, 적외 레이저에 의한 열 가공이나, 단펄스 레이저에 의한 비열 가공 (어브레이션 가공) 이 알려져 있다. 비열 가공은 유리에 대한 열 영향 및 치핑의 발생이 억제되는 점에서, 보다 바람직한 방법이다.
석영 유리에 단펄스 레이저를 조사하면, 유리 내부에 개질층이 연속적, 또는 단속적으로 형성된다. 그 후, 장펄스 레이저 조사에 의한 가열 열팽창이나, 외부로부터 기계적 응력을 부여함으로써 개질 영역을 기점으로 한 할단이 행해지는데, 고정밀의 할단을 실시하기 위해서는, 펄스 레이저 조사시에 개질 영역 내에 미세한 크랙이 생겨 있는 것이 바람직하다.
일본 공개특허공보 2015-179734호 일본 특허공보 평7-33259호 일본 특허 제5937839호 명세서
UV-LED 의 창 부재로서 사용되는 석영 유리는, 레이저 가공성의 관점에서는, 레이저 가공에 사용되는 광의 파장역의 흡수가 높은 것이 바람직하다. 한편, UV-LED 가 발하는 광의 파장역의 광선 투과성이 높은 것이 바람직하다. 즉, 파장 선택적 광 투과성이 있는 것이 바람직하다.
또, 살균 용도의 UV-LED 모듈에 탑재되는 당해 창 부재는, 전술한 대로 파장 265 ㎚ 의 투과 특성이 중요하다. 한편, 살균 용도에 불필요한 파장 230 ㎚ 이하의 고에너지의 광을 포함하는 광원을 사용하는 경우, 고에너지의 광이 주변 부재에 국소적으로 조사되기 때문에 부재 열화의 원인이 된다. 즉, 살균 효과가 높은 파장 265 ㎚ 의 광을 투과하면서, 부재 열화의 원인이 되는 고에너지의 광의 투과를 억제하는 파장 선택적 광 투과성이 있는 것이 바람직하다.
상기 실정을 감안하여, 본 발명은, 레이저 가공성이 우수한 자외선 발광 소자용 부재 및 그것에 사용하는 석영 유리의 제공을 목적으로 한다.
또 본 발명은, 살균 용도에 바람직한 파장 선택적 광 투과성이 있는 자외선 발광 소자용 부재 및 그것에 사용하는 석영 유리의 제공도 목적으로 한다.
본 발명은, 상기 목적을 달성하기 위해, 표면에 비커스 압자를 사용하여 압흔을 형성했을 때의 크랙 발생률이 50 % 가 되는 비커스 압자의 압입 하중이 0.1 ∼ 0.5 kgf 인 석영 유리를 제공한다.
또, 본 발명의 석영 유리는, IR 스펙트럼의 2500 ∼ 3900 ㎝-1 의 Si-OH 유래 피크로부터 환산한 β-OH 기 농도가 10 ∼ 800 ppm 인 것이 바람직하다.
또, 본 발명의 석영 유리는, 파장 250 ㎚ 의 직선 투과율 (%) (두께 1 ㎜ 환산) 과 파장 200 ㎚ 의 직선 투과율 (%) (두께 1 ㎜ 환산) 의 차 (ΔT) 가 10 ∼ 50 % 인 것이 바람직하다.
또, 본 발명의 석영 유리는, 파장 265 ㎚ 의 전광선 투과율 (%) (두께 1 ㎜ 환산) 이 85 % 이상인 것이 바람직하다.
또, 본 발명의 석영 유리는, 파장 265 ㎚ 의 직선 투과율 (%) (두께 1 ㎜ 환산) 이 60 % 이상인 것이 바람직하다.
또, 본 발명의 석영 유리는, Na 및 K 의 함유량의 합계가 10 ∼ 800 ppm 인 것이 바람직하다.
또, 본 발명의 석영 유리는, 평균 직경이 1 ∼ 50 ㎛ 인 산란체의 수가 1 ㎠ 당 50 ∼ 5000 개인 것이 바람직하고, 상기 산란체는 공공, 결정 및 오팔로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종인 것이 바람직하다.
또, 본 발명의 석영 유리는, 파장 265 ㎚ 의 직선 투과율 (%) (두께 1 ㎜ 환산) 이 80 % 이상이며, 또한 파장 230 ㎚ 의 직선 투과율 (%) (두께 1 ㎜ 환산) 과 파장 200 ㎚ 의 직선 투과율 (%) (두께 1 ㎜ 환산) 의 차 (ΔT) 가 10 ∼ 50 % 인 것이 바람직하다.
또, 본 발명은, 본 발명의 석영 유리를 사용한 자외선 발광 소자용 부재를 제공한다.
또, 본 발명은, 본 발명의 석영 유리에 형상을 부여함으로써 광의 배향 (배광) 이 제어된 자외선 발광 소자용 부재를 제공한다.
또, 본 발명은, 본 발명의 석영 유리와 접합제가 일체로 되어 있는 자외선 발광 소자용 부재를 제공한다.
또, 본 발명은, 본 발명의 석영 유리가 AR 코트된 자외선 발광 소자용 부재를 제공한다.
본 발명의 석영 유리는, 웨이퍼 형상 등의 대형 기판의 석영 유리를 레이저 가공에 의해 소편화할 때에 레이저 가공성이 양호하다.
또, 본 발명의 석영 유리는, 살균 용도에 바람직하고 또한 주변 부재의 열화를 억제하는 파장 선택적 광 투과성을 갖는다.
이하, 본 발명의 석영 유리에 대하여 설명한다. 또한, 본 명세서에 있어서 수치 범위를 나타내는 「∼」 란, 그 전후에 기재된 수치를 하한값 및 상한값으로서 포함하는 의미로 사용된다. 또 '질량부' 와 '중량부' 는 동일한 의미이며, 간단히 'ppm' 이라고 기재하는 경우에는, 중량ppm 인 것을 의미한다.
본 발명의 석영 유리는, 표면에 비커스 압자를 사용하여 압흔을 형성했을 때의 크랙 발생률이 50 % 가 되는 비커스 압자의 압입 하중 (이하, 「CIL 값」이라고 기재한다.) 이 0.1 ∼ 0.5 kgf 이다. 상기 비커스 압자의 압입 하중이 상기 범위이면, 웨이퍼 형상의 석영 유리를 레이저 가공에 의해 소편화할 때의 레이저 가공성이 우수하고, 대형화·어레이화한 것으로부터 소편화를 용이하게 할 수 있어, 생산성이 우수하다.
극단펄스 레이저의 조사에 의해 석영 유리에 내부 응력이 야기되어, 개질층이라고 불리는 고밀도 영역이 형성되는 것이 알려져 있다. 또, 이 내부 응력으로 개질 영역 내에 미세한 크랙을 일으키는 경우가 있어, 개질 영역을 기점으로 한 고정밀의 할단에 유리하게 작용하는 것으로 생각된다. 단면 관찰에 관찰되는 할단의 기점이 된 개질층의 폭은, 크랙의 발생률이 50 % 가 되는 비커스 압자의 압입 하중이 0.1 ∼ 0.5 kgf 이면 커지기 때문에, 가공성이 우수하다고 생각된다.
CIL 값이 0.5 kgf 를 초과하는 경우, 극단펄스 레이저 가공을 실시할 때, 높은 에너지가 필요하여, 고출력의 고가의 장치가 필요하다. 또, 그와 같은 장치를 사용해도 펄스 에너지가 과대해져 치핑, 형상 불량 등의 문제가 생길 우려가 있다.
한편, CIL 값이 0.1 kgf 미만인 경우, 본 발명의 석영 유리를 자외선 발광 소자용 부재에 사용했을 때, 자외선 발광 소자의 창 부재로서의 사용시에 스크래치가 생기기 쉬운 등의 문제가 생길 우려가 있다.
그 때문에, CIL 값은 0.1 ∼ 0.5 kgf 이며, 0.1 ∼ 0.3 kgf 인 것이 바람직하고, 0.2 ∼ 0.3 kgf 인 것이 보다 바람직하다.
본 발명의 석영 유리는, IR 스펙트럼의 2500 ∼ 3900 ㎝-1 의 Si-OH 유래 피크로부터 환산한 β-OH 기 농도가 10 ∼ 800 ppm 인 것이 바람직하다.
β-OH 기 농도를 10 ppm 이상으로 함으로써, 고에너지의 레이저 조사했을 때에 SiO2 의 결합이 끊어지는 것에 의한 E' 센터, NBOHC 등의 라디칼종이 발생했을 때도 Si-OH 에 의한 수복 작용을 하여, 레이저 가공에 의한 투과율 변화를 억제할 수 있는 점에서 바람직하다. 한편, β-OH 기 농도를 800 ppm 이하로 함으로써, 파장 170 ㎚ 부근에서 피크를 갖는 흡수대가 커지는 것을 방지하고, 흡수단이 파장 265 ㎚ 의 투과율에 영향을 미치는 것도 방지할 수 있는 점에서 바람직하다.
당해 β-OH 기 농도는 40 ppm 이상이 보다 바람직하고, 또, 100 ppm 이하가 보다 바람직하다.
본 발명의 석영 유리는, 파장 265 ㎚ 의 직선 투과율 (%) (두께 1 ㎜ 환산) 과 파장 200 ㎚ 의 직선 투과율 (%) (두께 1 ㎜ 환산) 의 차 (ΔT) 가 10 ∼ 50 % 인 것이 바람직하다.
ΔT 가 상기 범위이면, UV-LED 가 발하는 광의 파장역 (파장 265 ㎚) 의 광선 투과성은 높은 한편, 고에너지의 레이저 가공에 사용되는 파장 200 ㎚ 이하의 광의 파장역, 예를 들어 엑시머 레이저의 파장 193 ㎚ 에서 흡수가 있다는, 파장 선택적 광 투과성이 보다 양호하게 달성되기 때문이다.
본 발명의 석영 유리는, 파장 265 ㎚ 의 전광선 투과율 (%) (두께 1 ㎜ 환산) 이 80 % 이상인 것이 바람직하고, 85 % 이상인 것이 보다 바람직하고, 90 % 이상인 것이 더욱 바람직하다.
본 발명의 석영 유리는, 파장 265 ㎚ 의 직선 투과율 (%) (두께 1 ㎜ 환산) 이 60 % 이상인 것이 바람직하고, 75 % 이상인 것이 보다 바람직하고, 80 % 이상인 것이 더욱 바람직하다. 파장 265 ㎚ 의 직선 투과율 (%) (두께 1 ㎜ 환산) 의 직선 투과율이 60 % 이상이면, 산란의 영향이 작고, 창 부재의 형상을 렌즈형, 돔형, 포탄형 등으로 바꾸어, 형상을 부여하는 것에 의한 배광 제어가 용이해지는 점에서 바람직하다.
본 발명의 석영 유리는, Na 및 K 의 함유량의 합계가 10 ppm ∼ 800 ppm 인 것이 바람직하다.
Na 및 K 는, 크리스토발라이트, 트리디마이트 등의 결정질 실리카의 결정 구조를 안정화시키기 때문에, 결정화 촉진제로서 작용한다.
Na 및 K 를 합계 함유량으로 10 ppm 이상 함유시키면, 석영 유리가 미소 결정을 함유하기 때문에, 산란층으로서의 효과가 얻어져, 광 취출 효율의 향상을 기대할 수 있다. 또, 저압 UV 램프 등, 살균 용도에 불필요한 파장 230 ㎚ 이하의 고에너지의 광을 포함하는 광원을 사용하는 경우, 파장 230 ㎚ 이하의 고에너지의 광이 국소적으로 조사되는 것이 억제되어, 주변 부재의 열화를 억제할 수 있다.
한편, Na 및 K 의 합계 함유량을 800 ppm 이하로 함으로써, 결정화가 보다 진행되어 산란의 영향이 커지는 것을 방지할 수 있고, 창 부재의 형상을 렌즈형, 돔형, 포탄형 등으로 바꾸어, 형상을 부여하는 것에 의한 배광 제어가 용이해지는 점에서 바람직하다.
본 발명의 석영 유리는, Na 및 K 의 함유량의 합계가 10 ppm ∼ 800 ppm 인 것이 바람직하고, 15 ppm 이상이 보다 바람직하고, 20 ppm 이상이 더욱 바람직하고, 25 ppm 이상이 보다 더 바람직하고, 40 ppm 이상이 특별히 바람직하고, 50 ppm 이상이 또한 더욱 바람직하고, 80 ppm 이상이 특히 바람직하다. 또, 600 ppm 이하가 보다 바람직하고, 580 ppm 이하가 더욱 바람직하고, 200 ppm 이하가 보다 더 바람직하고, 130 ppm 이하가 특별히 바람직하다.
본 발명의 석영 유리는, 그 광학 특성에 악영향이 미치지 않은 한, Na 및 K 이외의 원소를 함유해도 된다.
구체적으로는, Al, Mg, Ca 및 Fe 로 이루어지는 군에서 선택되는 원소를 1 종 이상 함유해도 된다. 이들 원소의 함유량이 합계로 1 ppm 이상 800 ppm 미만인 것이 바람직하다. 이들 원소의 합계 함유량을 800 ppm 미만으로 함으로써, 결정화가 보다 진행되어 산란의 영향이 커지는 것을 방지할 수 있고, 창 부재의 형상을 렌즈형, 돔형, 포탄형 등으로 바꾸어, 형상을 부여하는 것에 의한 배광 제어가 용이해지는 점에서 바람직하다.
이들 원소의 합계 함유량은, 보다 바람직하게는 5 ppm 이상 580 ppm 미만이며, 더욱 바람직하게는 100 ppm 미만이다.
본 발명의 석영 유리는, 평균 직경이 1 ∼ 50 ㎛ 인 산란체의 수가 1 ㎠ 당 50 ∼ 5000 개인 것이 바람직하다. 산란체로는 공극 (공공), 결정, 오팔을 생각할 수 있으며, 이들로부터 선택되는 적어도 1 종인 것이 바람직하다.
1 ㎠ 당 50 ∼ 5000 개의 상기 산란체가 석영 유리 중에 존재하고 있으면, 헤이즈값이 높아져, 바람직하게는 0.5 % 이상이 된다. 이로써, 산란층으로서의 효과가 얻어져, 광 취출 효율의 상승을 기대할 수 있다.
1 ㎠ 당 상기 산란체의 수를 5000 개 이하로 함으로써, 산란의 영향이 커지는 것을 방지할 수 있고, 창 부재의 형상을 렌즈형, 돔형, 포탄형 등으로 바꾸어, 형상을 부여하는 것에 의한 배광 제어가 용이해지는 점에서 바람직하다. 상기 산란체의 수는 500 개 이하가 보다 바람직하다.
본 발명의 석영 유리는, 헤이즈값이 0.1 % 이상 10 % 미만인 것이 바람직하고, 0.5 % 이상이 보다 바람직하다. 헤이즈값이 0.1 % 이상인 것이 바람직한 이유는 상기 서술한 대로이다. 한편, 헤이즈값이 10 % 미만이면, 산란의 영향이 커지는 것을 방지할 수 있고, 창 부재의 형상을 렌즈형, 돔형, 포탄형 등으로 바꾸어, 형상을 부여하는 것에 의한 배광 제어가 용이해지는 점에서 바람직하다.
본 발명의 석영 유리는, 파장 265 ㎚ 의 직선 투과율 (%) (두께 1 ㎜ 환산) 이 80 % 이상, 또한 파장 230 ㎚ 의 직선 투과율 (%) (두께 1 ㎜ 환산) 과 파장 200 ㎚ 의 직선 투과율 (%) (두께 1 ㎜ 환산) 의 차 (ΔT) 가 10 ∼ 50 % 인 것이 바람직하다.
상기 범위이면, 살균 효과가 있는 파장 265 ㎚ 에서 높은 투과율을 가지면서, 파장 230 ㎚ 이하의 고에너지의 광이 국소적으로 조사되는 것에 의한 주변 부재의 열화를 억제할 수 있다. 또, 상기 파장 265 ㎚ 의 직선 투과율 (%) 은 85 % 이상이 보다 바람직하다.
또, 본 발명의 석영 유리를 사용한 자외선 발광 소자용 부재로서, 석영 유리에 형상을 부여함으로써 배광이 제어된 것 외에, 석영 유리와 접합제가 일체로 되어 있는 것이나, 석영 유리가 AR 코트된 것 등을 바람직한 양태로서 들 수 있다.
본 발명의 석영 유리는, 겔 캐스트법에 의해 제조할 수 있다. 구체적으로는, 하기 공정 1 ∼ 8 을 순서대로 실시하면 된다.
공정 1 : 원료 실리카 분말을 용매에 분산하여 분산액을 제조하는 분산액 조제 공정
공정 2 : 공정 1 에서 얻은 분산액에 경화성 수지, 경화제, 경화 촉매, 계면 활성제를 첨가하여 실리카와 경화성 수지의 혼합액을 제조하는 혼합액 조제 공정
공정 3 : 공정 2 에서 얻은 혼합액을 형틀에 흘려 넣어 충전시키는 성형 공정
공정 4 : 혼합액을 형틀 안에서 경화시키는 경화 공정
공정 5 : 경화시킨 성형체를 형틀로부터 떼어내는 탈형 공정
공정 6 : 건조시킨 성형체에 함유되는 경화성 수지 등의 유기물을 소실시키는 탈지 공정
공정 7 : 탈지시킨 성형체를 소결시켜 석영 유리를 얻는 소성 공정
공정 8 : 소결시킨 성형체를 가스 분위기 중에서 가열하는 열처리 공정
각 공정의 상세한 것에 대하여 이하에 기재한다.
(공정 1)
공정 1 에서 사용하는 원료 실리카 분말은, 순도 99.0 % 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 순도 99.5 % 이상, 더욱 바람직하게는 순도 99.9 % 이상이다.
또, 원료 실리카 분말은, 평균 입자경이 5 ㎚ 이상 400 ㎚ 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 평균 입자경이 7 ㎚ 이상 350 ㎚ 이하이며, 더욱 바람직하게는 평균 입자경이 12 ㎚ 이상 300 ㎚ 이하이다. 후술하는 실시예에서는 평균 입자경 20 ㎚ (실시예 1, 2, 4, 5) 와 평균 입자경 120 ㎚ (실시예 3) 의 원료 실리카 분말을 각각 사용하였다.
공정 1 에서 원료 실리카 분말을 용매에 분산시키는 방법은, 원료 실리카 분말의 응집을 해리시킬 수 있으면 그 수법은 특별히 한정되지 않지만, 후술하는 실시예에서는, 초음파 호모게나이저 (실시예 1, 2, 3, 4) 또는 초음파 세정기 (실시예 5) 를 사용하였다. 또, 실리카 분말의 응집을 해리시키고, 보다 분산시키기 위해, pH 조정제, 계면 활성제, 고분자 분산제 등을 적절히 선택하여 첨가할 수 있다. pH 조정제, 계면 활성제, 고분자 분산제 등은, 후술하는 경화성 수지의 겔화에 악영향을 주지 않는 것이 바람직하다. 또, 용매로는, 예를 들어 순수를 들 수 있다.
염기성의 pH 조정제에는, 염기성 유기 물질을 사용할 수 있으며, 예를 들어 암모니아, 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민 등의 알칸올아민, 콜린, 구아니딘류, 또 테트라메틸암모늄하이드로옥사이드 등의 4 급 암모늄염 등을 들 수 있다.
산성의 pH 조정제에는, 무기산 및 유기산이나 그 염류를 사용할 수 있으며, 예를 들어 인산, 질산, 시트르산, 말산, 아세트산, 락트산, 옥살산, 타르타르산 등이나 그 염류, 아미노산류 등의 양성 염류 등을 들 수 있다.
계면 활성제로는, 예를 들어 알킬아민염류, 지방족 혹은 방향족 제 4 급 암모늄염류, 피리디늄, 이미다졸륨 등의 복소환 제 4 급 암모늄염류, 및 지방족 또는 복소환을 포함하는 포스포늄 또는 술포늄염류, 아세틸렌글리콜 등을 들 수 있다.
고분자 분산제로는, 폴리머 주사슬 또는 측사슬에 제 1 ∼ 3 급 아민, 제 4 급 암모늄염기, 또는 제 4 급 포스포늄염기 등을 갖는 고분자, 아크릴산 또는 그 염의 단독 중합체, 수용성 아미노카르복실산계 중합체, 혹은 아크릴산에스테르의 (공) 중합체 등을 들 수 있다.
이들 pH 조정제, 계면 활성제, 고분자 분산제는 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
또한, 분산액 중에 잔존하는 응집물을 제거하기 위해서 필터링을 실시해도 된다. 후술하는 실시예에서는, 필터링 방법으로서 에어 압송식 필터링 장치에 뎁스 필터를 설치하여 필터링을 실시하였다.
(공정 2)
공정 2 에서는 용매를 사용하는 것이 바람직하다. 용제의 사용에 의해 혼합액의 점도를 조정하여 슬러리상으로 함으로써, 공정 3 에서의 형틀로의 충전이 용이해진다. 이 목적으로 사용하는 용매로는, 예를 들어 이온 교환수, 증류수 등의 순수, 및 그것들과 알코올류, 에테르류, 아미드류, 에탄올아민류 등의 혼합물인 수계 용제, 아세톤, 헥산 등의 유기 용매를 사용할 수 있다. 용매에는 소포나 탈포를 목적으로 하여 계면 활성제를 첨가할 수도 있다. 그 중에서도, 제조 비용이나 환경 부하의 관점에서 이온 교환수, 순수, 수계 용제 등의 수계 용매인 것이 바람직하다.
공정 2 에서 사용하는 경화성 수지로는, 예를 들어 멜라민 수지, 페놀 수지, 에폭시 수지, 아크릴 수지, 우레탄 수지 등을 들 수 있다. 에폭시 수지는 성형체의 보형성이 높아, 대기 분위기하에서 경화된다는 점에서 바람직하고, 아크릴 수지는 실온에서 반응이 신속히 진행되는 점에서 바람직하다.
에폭시 수지로는, 예를 들어 비스페놀 A 형, 비스페놀 F 형 등의 비스페놀류의 디글리시딜에테르형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 지방족 에폭시 수지 등의 글리시딜에테르형 에폭시 수지, 글리시딜에스테르형 에폭시 수지, 메틸글리시딜에테르형 에폭시 수지, 시클로헥센옥사이드형 에폭시 수지, 고무 변성 에폭시 수지 등을 들 수 있다.
반응하여 아크릴 수지가 되는 모노머로는, 예를 들어 아크릴산, 메타크릴산아미드, 메타크릴산, 메톡시(폴리에틸렌글리콜)모노메타크릴레이트, n-비닐피롤리돈, 아크릴아미드, 알킬아크릴아미드, 알킬메타크릴아미드, 알킬아크릴레이트, 알킬메타크릴레이트, 디메틸아미노에틸메타크릴레이트, 디메틸아미노프로필메타크릴아미드, 하이드록시알킬아크릴아미드, 하이드록시알킬메타크릴아미드, 하이드록시알킬아크릴레이트, 하이드록시알킬메타크릴레이트, 메타크릴라토에틸트리메틸암모늄클로라이드, 메타크릴아미드프로필트리메틸암모늄클로라이드, p-스티렌술폰산, p-스티렌술폰산염 등을 들 수 있다.
경화성 수지로서 에폭시 수지를 사용하는 경우, 평균 분자량은 20 ∼ 30000 이 바람직하다. 에폭시 수지의 평균 에폭시 관능기수는 2 ∼ 10 인 것이 바람직하다. 이로써, 공정 5 에서의 탈형시에 일정한 강도가 얻어지고, 또한 공정 3 의 성형시에 충분한 사용 가능 시간도 확보할 수 있다.
상기 서술한 바와 같이, 제조 비용이나 환경 부하의 관점에서 수계 용제가 바람직하다. 그 때문에, 경화성 수지도 수용성이 바람직하고, 수용성 에폭시 수지에 있어서는 수용률이 70 ∼ 100 % 인 것이 바람직하다.
경화성 수지는 단독으로 사용해도 되고, 또 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
경화성 수지의 배합량은 적절히 선택할 수 있고, 실리카 분말에 대한 중량비가 0.1 이상 1.0 이하인 것이 바람직하다.
공정 2 에서 사용하는 경화제는, 경화성 수지를 경화시키는 것으로, 사용하는 경화성 수지에 따라 선택한다. 에폭시 수지의 경화제로는, 아민계 경화제, 산무수물계 경화제, 폴리아미드계 경화제 등을 들 수 있다. 아민계 경화제는 반응이 신속하다는 점에서 바람직하고, 산무수물계 경화제는 내열 충격성이 우수한 경화물이 얻어진다는 점에서 바람직하다.
아민계 경화제로는, 지방족 아민, 지환족 아민, 방향족 아민, 변성 폴리아미노아미드, 변성 지방족 폴리아민 등을 들 수 있고, 모노아민, 디아민, 트리아민, 폴리아민 모두 사용할 수 있다.
산무수물계 경화제로는 메틸테트라하이드로 무수 프탈산, 2 염기산 폴리 무수물 등을 들 수 있다.
아크릴 수지의 경화제로는, 라디칼 중합 개시제, 카티온 중합 개시제 등을 들 수 있다. 라디칼 중합 개시제로는, 과황산암모늄, 과황산나트륨, 과황산칼륨 등의 과산화물, 2,2'-아조비스(이소부티로니트릴) (AIBN), 2,2'-아조비스(2-메틸부티로니트릴) (AMBN), 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) (ADVN), 1,1'-아조비스(1-시클로헥산카르보니트릴) (ACHN), 디메틸-2,2'-아조비스이소부틸레이트 (MAIB), 4,4'-아조비스(4-시아노발레리안산) (ACVA), 1,1'-아조비스(1-아세톡시-1-페닐에탄), 2,2'-아조비스(2-메틸부틸아미드), 2,2'-아조비스(4-메톡시-2,4-디메틸발레로니트릴), 2,2'-아조비스(2-메틸아미디노프로판)이염산염, 2,2'-아조비스[2-(2-이미다졸린-2-일)프로판], 2,2'-아조비스[2-메틸-N-(2-하이드록시에틸)프로피온아미드], 2,2'-아조비스(2,4,4-트리메틸펜탄), 2-시아노-2-프로필아조포름아미드, 2,2'-아조비스(N-부틸-2-메틸프로피온아미드), 2,2'-아조비스(N-시클로헥실-2-메틸프로피온아미드) 등의 아조 화합물 등을 들 수 있다. 카티온성 중합 개시제로는, 벤조인 화합물, 아세토페논 화합물, 안트라퀴논 화합물, 티오크산톤 화합물, 케탈 화합물, 벤조페논 화합물, 디아조늄염, 요오드늄염, 술포늄염 등의 오늄염 등을 들 수 있다.
공정 2 에서 사용하는 경화 촉매는, 경화성 수지의 경화를 촉진시키는 것으로, 사용하는 경화성 수지에 따라 선택한다. 이 경화 촉매로는, 제 3 아민류, 이미다졸류 등을 들 수 있다.
제 3 아민류로는, 벤질디메틸아민, 2-(디메틸아미노메틸)페놀, 2,4,6-트리스(디메틸아미노메틸)페놀 등을 들 수 있다.
이미다졸류로는 2-메틸이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, N-벤질-2-메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸 등을 들 수 있다.
제조하는 석영 유리가, Na 및/또는 K, 혹은 Al, Mg, Ca 및 Fe 로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상의 원소를 함유하는 경우에는, 혼합액에 있어서의 이들 원소의 함유량이 소정의 함유량이 되도록 혼합액을 조제하면 된다.
혼합액에 있어서의 상기 원소의 함유량은, 원료 실리카 분말, pH 조정제, 분산제, 계면 활성제, 경화성 수지, 경화제, 경화 촉매 중에 함유되는 금속 함유량을 적절히 선택함으로써 조정해도 되고, 상기 원소의 염을 첨가함으로써 조정해도 되고, 그것들의 병용이어도 된다.
상기 원소의 염을 첨가하는 경우, 공정 2 에서의 첨가에 한정되지 않고, 공정 3 (성형 공정), 공정 6 (탈지 공정), 공정 7 (소성 공정) 에서 첨가해도 된다.
공정 2 에서 각 성분을 혼합하는 수단은 특별히 한정되지 않지만, 후술하는 실시예에서는 자전 공전 믹서를 사용하였다.
공정 2 에서 각 성분을 혼합할 때에는, 탈포도 실시하는 것이 바람직하다. 탈포함으로써, 공정 4 (경화 공정) 에 있어서, 성형체 중에 슬러리 중의 기포 기인의 포어가 들어가는 것을 방지할 수 있다. 탈포는 진공식 자전 공전 믹서를 사용하여 각 성분을 혼합하면서 실시할 수 있다.
공정 3 에서 사용하는 형틀의 종류나 형상은 특별히 한정되지 않고, 제조하는 석영 유리에 따라 적절히 선택할 수 있으며, 금속제의 형틀이나 수지제의 형틀, 실리콘 고무제의 형틀을 사용할 수 있다.
공정 4 에서 혼합액을 경화시키는 조건은 특별히 한정되지 않고, 사용하는 경화성 수지, 경화제, 경화 촉매에 따라 적절히 선택할 수 있다. 후술하는 실시예에서는, 형틀에 충전한 혼합액을 실온에서 정치 (靜置) 시켜 경화시켰다.
공정 5 에서 형틀로부터 떼어낸 성형체는 건조시키고 나서, 공정 6 을 실시하는 것이 바람직하다.
공정 6 에서는, 건조시킨 성형체를 전기로 등의 가열로를 사용하여, 소정의 온도에서 소정 시간을 유지하여, 성형체에 함유되는 경화성 수지 등의 유기물을 소실시킨다. 가열 온도 및 당해 온도로 유지하는 시간은 특별히 한정되지 않지만, 후술하는 실시예에서는, 550 ℃ 이하의 온도에서 24 시간 유지 (실시예 1, 2, 3) 또는 168 시간 유지 (실시예 4, 5) 를 하였다.
공정 7 에서는, 공정 6 에서 탈지시킨 성형체를 소결시켜 석영 유리를 얻는다. 소결 조건은 특별히 한정되지 않는다. 후술하는 실시예에서는, 1125 ℃ 에서 진공 소성 (실시예 1, 3, 4, 5, 6) 또는 대기 소성 (실시예 2) 을 하였다.
공정 8 에서는, 소결시킨 석영 유리의 투과율 특성을 조정하기 위해서 가스 분위기 중에서 열처리한다. 투과율 특성을 조정할 필요가 없는 경우에는 생략해도 된다. 분위기 가스의 종류나 열처리 조건은 특별히 한정되지 않지만, 심자외 영역의 투과율을 조정하기 위해서는 수소 분위기에서의 열처리가 바람직하다. 후술하는 실시예에서는, 수소 100 % 분위기 중 600 ℃ 에서 10 시간 열처리 (실시예 1, 2, 3) 하였다.
실시예
이하, 실시예를 이용하여 본 발명을 추가로 설명한다. 예 1 ∼ 예 5 는 실시예 1 ∼ 5 에 상당하고, 예 6 은 비교예 1 에 상당한다.
(예 1)
전술한 공정 1 ∼ 공정 8 의 순서를 실시하여, 석영 유리를 얻었다.
공정 1 에서는, 순도 99.9 % 이상, 평균 입자경 20 ㎚, 비표면적 90 ㎡/g 의 원료 실리카 분말을 33.9 질량부, 용매로서 pH 조정제를 사용하여 pH 를 13 으로 조정한 물 66.1 질량부에 초음파 호모게나이저에 의해 분산시켜 분산액을 제조하였다.
공정 2 에서는, 상기 분산액 88.2 질량부, 수용성 에폭시 수지 10.0 질량부, 지방족 아민 경화제 1.8 질량부를 진공 펌프 탑재 자전 공전식 믹서에 의해 혼합 및 탈포하여 혼합액을 조제하였다.
공정 3 에서는, Φ30 ㎜ × 10 ㎜t 의 폴리에틸렌제 형틀에 상기 혼합액을 충전시켰다.
공정 4 는, 형틀에 충전한 혼합액을 실온에서 정치시켜 경화시켰다.
공정 5 에서 형틀로부터 성형체를 떼어낸 후, 건조시켰다.
공정 6 에서는, 건조 후의 성형체는 전기로를 사용하여, 550 ℃ 이하에서 24 시간 유지하여 탈지시켰다.
공정 7 에서는, 공정 6 에서 탈지시킨 성형체를 1125 ℃ 에서 진공 소성시켜, 석영 유리를 얻었다.
공정 8 에서는, 공정 7 에서 소결시킨 성형체의 투과율 특성을 조정하기 위해서 수소 100 % 분위기 중 600 ℃ 에서 10 시간 유지하여 열처리하였다.
상기 순서로 얻어진 석영 유리에 대하여 이하의 평가를 실시하였다.
(β-OH 기 농도)
푸리에 변환 적외 분광 광도계 (Thermo Fisher Scientific·Nicolet 6700) 를 사용하였다. 석영 유리를 원형 판상 (직경 1.5 ㎝, 약 1.0 ㎜ 두께) 으로 가공하여, 양 주면을 경면 연마하였다. 전자 냉각 DTGS 에 의해 하기 조건으로 해석을 실시하였다.
적산 : 128 회, 분해능 : 8 ㎝-1, 측정 범위 : 4000 ∼ 400 ㎝-1
IR 스펙트럼 중, Si-OH 유래 피크가 2500 ∼ 3900 ㎝-1 로 검출된다. 약 3500 ㎝-1 의 흡광도를 A(Peak), 베이스 라인으로서 3955 ㎝-1 의 흡광도를 A(Base) 로 했을 때, Si-OH 피크 흡광도 A(Si-OH) 는, A(Si-OH) = A(Peak) - A(Base) 로 나타낸다. 이 A(Si-OH) 를 유리의 두께로 1 ㎜ 두께 상당으로 규격화한 값을 β-OH 기 농도로 하였다.
(금속 원소 (K, Na, Al, Mg, Ca, Fe) 함유량)
ICP 질량 분석계 (Agilent8800, 애질런트·테크놀로지 주식회사) 를 사용하였다. 분쇄한 석영 유리를 유리에 불화수소산을 첨가하고 가열하여 분해하였다. 분해 후, 질산을 첨가하여 일정량으로 하고, ICP 질량 분석법으로 각 금속 원소 (K, Na, Al, Mg, Ca, Fe) 의 농도를 측정한다. 표준액을 사용하여 제작된 검량선으로부터 농도를 계산한다. 이 측정 농도와 석영 유리의 분해량으로부터 석영 유리 중의 각 금속 원소 (K, Na, Al, Mg, Ca, Fe) 의 함유량을 산출하였다.
(산란체 (결정) 의 수 및 평균 직경 (평균 결정 직경))
광학 현미경 (Nikon ELIPSE LV100) 을 사용하였다. 석영 유리를 원형 판상 (직경 1.5 ㎝, 약 1.0 ㎜ 두께) 으로 가공하여, 양 주면을 경면 연마하였다. 산란체의 수는, 1.5 × 1.5 ㎛ 의 관찰면에 관찰된 결정의 수를 카운트하여, 단위 체적당 산란체의 수를 산출하였다. 평균 직경은 산란체의 직경의 총합을 산란체의 수로 나누어 산출하였다.
(CIL 평가, 크랙 발생률)
마이크로 비커스 경도계 (HMV-2, 시마즈 제작소) 를 사용하였다. 석영 유리를 원형 판상 (직경 1.5 ㎝, 약 1.0 ㎜ 두께) 으로 가공하여, 양 주면을 경면 연마하였다. 기온 23 ℃, 노점 -2.4 ℃ 의 분위기하에서, 비커스 압자를 15 초 밀어 넣은 후에 비커스 압자를 떼어내어, 압흔 부근의 크랙 유무를 관측하였다. 0.1 kgf, 0.2 kgf, 0.3 kgf, 0.5 kgf 및 1.0 kgf 의 5 하중으로 100 ㎛ 간격으로 10 점 압흔을 만들어, 각 하중의 크랙 발생률을 산출하였다. 또한, 하중과 크랙 발생률을 플롯하여, 50 % 크랙이 발생하는 (크랙의 발생률이 50 % 가 된다) 하중이 CIL 값이다.
(레이저 가공성)
석영 유리를 원형 판상 (직경 1.5 ㎝, 약 1.0 ㎜ 두께) 으로 가공하여, 양 주면을 경면 연마하였다. 중심 파장 1552 ㎚, 펄스 폭 680 펨토초, 평균 출력 10 W 의 반도체 레이저 (펨토초 레이저) 를 샘플 내부에 집광하고, 폭 방향으로 주사함으로써, 내부에 개질층을 연속적으로 넣었다. 롤러로 응력을 가함으로써 개질층을 기점으로 하여 분할 예정선을 따른 위치에서 분리하였다. 분단면은 광학 현미경을 사용하여 관찰하고, 주사 횟수 1 회시의 개질층의 깊이를 계측하였다.
(투과율)
분광 광도계 (PerkinElmer Lambda 900) 를 사용하였다. 석영 유리를 원형 판상 (직경 1.5 ㎝, 약 1.0 ㎜ 두께) 으로 가공하여, 양 주면을 경면 연마하였다. 측정 파장역 200-800 ㎚, 스캔 스피드 60 ㎚/min 으로 직선 투과율, 적분구를 사용한 전광선 투과율을 측정하였다. 측정치는 1 ㎜ 두께의 투과율로 환산하였다.
(헤이즈값)
헤이즈 미터 (HZ-2, 스가 시험기 주식회사) 를 사용하였다. 석영 유리를 원형 판상 (직경 1.5 ㎝, 약 1.0 ㎜ 두께) 으로 가공하여, 양 주면을 경면 연마하고, 헤이즈값을 측정하였다.
(예 2)
공정 7 에서, 공정 6 에서 탈지시킨 성형체를 진공 소성하는 대신에 1125 ℃ 에서 대기 소성시켰다. 공정 7 이외에는 예 1 과 동일한 순서를 실시하였다.
(예 3)
공정 1 에서는, 순도 99.9 % 이상, 평균 입자경 100 ㎚, 비표면적 55 ∼ 65 ㎡/g 의 원료 실리카 분말을 62.9 질량부, 용매로서 pH 조정제를 사용하여 pH 를 13 으로 조정한 물 37.1 질량부를 초음파 호모게나이저에 의해 분산시켜 분산액을 제조하였다.
공정 2 에서는, 상기 분산액 94.1 질량부, 수용성 에폭시 수지 5.0 질량부, 지방족 아민 경화제 0.9 질량부를 진공 펌프 탑재 자전 공전식 믹서에 의해 혼합 및 탈포하여 혼합액을 조제하였다.
이하의 공정은 예 1 과 동일한 순서를 실시하여, 석영 유리를 얻었다.
(예 4)
공정 2 에서는, 상기 분산액 88.5 질량부, 수용성 에폭시 수지 10.0 질량부, 지방족 아민 경화제 1.0 질량부, 3 급 아민 촉매 0.5 질량부를 진공 펌프 탑재 자전 공전식 믹서에 의해 혼합 및 탈포하여 혼합액을 조제하였다.
공정 6 에서는, 건조 후의 성형체는 전기로를 사용하여, 550 ℃ 이하에서 168 시간 유지하여 탈지시켰다.
공정 8 은 실시하지 않았다.
공정 2, 6, 8 이외에는 예 1 과 동일한 순서를 실시하였다.
(예 5)
공정 1 에서의 분산액의 제조에 초음파 호모게나이저 대신에 초음파 세정기를 사용하였다. 공정 6 에서는, 건조 후의 성형체는 전기로를 사용하여, 550 ℃ 이하에서 168 시간 유지하여 탈지시켰다.
공정 8 은 실시하지 않았다.
공정 2, 6, 8 이외에는 예 1 과 동일한 순서를 실시하였다.
(예 6)
화염 가수분해법으로 합성된 합성 석영 유리 (아사히 가라스사 주식회사, AQ 시리즈) 를 사용하여, 각 평가 샘플을 판상 (3 ㎝ × 3 ㎝ × 1 ㎜t) 으로 한 것 이외에는 예 1 과 동일한 순서를 실시하였다.
예 1 ∼ 6 의 석영 유리 또는 합성 석영 유리에 대하여, β-OH 농도 (ppm), 각 금속 원소의 함유량 (중량ppm), 평균 직경이 1 ∼ 50 ㎛ 인 산란체의 수 (개/㎠) 및 산란체의 평균 직경을 표 1 에, CIL 평가 및 레이저 가공성의 평가 결과를 표 2 에, 광학 특성을 표 3 에 각각 나타낸다. 표 3 에 있어서의 전광선 투과율 및 직선 투과율은 모두 두께 1 ㎜ 환산의 값이다. 또한, 표 안의 공란은 미측정인 것을 나타낸다.
Figure 112019056079708-pct00001
Figure 112019056079708-pct00002
예 1 ∼ 5 의 석영 유리는, CIL 값이 0.2 ∼ 0.5 kgf 이기 때문에, 극단펄스 레이저인 펨토초 레이저의 조사에 의한 미세한 크랙을 포함하는 개질층 (할단의 기점이 된다) 의 폭이 예 6 보다 넓어, 웨이퍼 형상의 석영 유리를 레이저 가공에 의해 소편화할 때의 레이저 가공성이 우수하다.
예 1 ∼ 3 의 석영 유리는 살균 용도에 중요한 파장 265 ㎚ 의 전광선 투과율 (%) (두께 1 ㎜ 환산) 이 85 % 이상이며, 헤이즈값이 0.5 % 이상 5 % 미만인 점에서, 산란층으로서의 효과가 얻어져, 광 취출 효율의 향상을 기대할 수 있어, 창 부재로서 우수하다.
예 1 ∼ 5 의 석영 유리는 파장 265 ㎚ 의 직선 투과율 (%) (두께 1 ㎜ 환산) 과 파장 200 ㎚ 의 직선 투과율 (%) (두께 1 ㎜ 환산) 의 차 (ΔT) 가 10 ∼ 50 % 라는, 파장 선택적 광 투과성을 갖기 때문에, 고에너지의 레이저 가공시에 광을 흡수하여, 가공성이 우수한 것을 기대할 수 있다.
예 1 ∼ 5 의 석영 유리는 파장 265 ㎚ 의 직선 투과율 (%) (두께 1 ㎜ 환산) 이 80 % 이상, 또한 파장 230 ㎚ 의 직선 투과율 (%) (두께 1 ㎜ 환산) 과 파장 200 ㎚ 의 직선 투과율 (%) (두께 1 ㎜ 환산) 의 차 (ΔT) 가 10 ∼ 50 % 라는, 파장 선택적 광 투과성을 갖기 때문에, 살균 효과가 있는 270 ∼ 230 ㎚ 의 넓은 파장역에서 높은 투과율을 가지면서, 주변 부재의 열화를 억제할 수 있는, 파장 선택적 광 투과성을 달성된다.
본 발명을 상세하게, 또 특정 실시양태를 참조하여 설명했지만, 본 발명의 정신과 범위를 일탈하지 않고 다양한 변경이나 수정을 더할 수 있는 것은 당업자에게 있어서 분명하다. 본 출원은 2017년 1월 16일 출원된 일본 특허출원 (특허출원 2017-5165) 에 기초하는 것으로, 그 내용은 여기에 참조로서 받아들여진다.

Claims (12)

  1. 표면에 비커스 압자를 사용하여 압흔을 형성했을 때의 크랙 발생률이 50 % 가 되는 비커스 압자의 압입 하중이 0.1 ∼ 0.5 kgf 이고,
    Na 및 K 의 함유량의 합계가 50 ~ 800 ppm 인, 석영 유리.
  2. 제 1 항에 있어서,
    IR 스펙트럼의 2500 ∼ 3900 ㎝-1 의 Si-OH 유래 피크로부터 환산한 β-OH 기 농도가 10 ∼ 800 ppm 인, 석영 유리.
  3. 제 1 항에 있어서,
    파장 265 ㎚ 의 직선 투과율 (%) (두께 1 ㎜ 환산) 과 파장 200 ㎚ 의 직선 투과율 (%) (두께 1 ㎜ 환산) 의 차 (ΔT) 가 10 ∼ 50 % 인, 석영 유리.
  4. 제 1 항에 있어서,
    파장 265 ㎚ 의 전광선 투과율 (%) (두께 1 ㎜ 환산) 이 85 % 이상인, 석영 유리.
  5. 제 1 항에 있어서,
    파장 265 ㎚ 의 직선 투과율 (%) (두께 1 ㎜ 환산) 이 60 % 이상인, 석영 유리.
  6. 제 1 항에 있어서,
    평균 직경이 1 ∼ 50 ㎛ 인 산란체의 수가 1 ㎠ 당 50 ∼ 5000 개이며, 상기 산란체는 공공, 결정 및 오팔로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종인, 석영 유리.
  7. 파장 265 ㎚ 의 직선 투과율 (%) (두께 1 ㎜ 환산) 이 80 % 이상이며, 또한 파장 230 ㎚ 의 직선 투과율 (%) (두께 1 ㎜ 환산) 과 파장 200 ㎚ 의 직선 투과율 (%) (두께 1 ㎜ 환산) 의 차 (ΔT) 가 10 ∼ 50 % 이고,
    Na 및 K 의 함유량의 합계가 50 ~ 800 ppm 인, 석영 유리.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 기재된 석영 유리를 사용한, 자외선 발광 소자용 부재.
  9. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 기재된 석영 유리에 형상을 부여함으로써 배광이 제어된, 자외선 발광 소자용 부재.
  10. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 기재된 석영 유리와 접합제가 일체로 되어 있는, 자외선 발광 소자용 부재.
  11. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 기재된 석영 유리가 AR 코트된, 자외선 발광 소자용 부재.
  12. 삭제
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7136711B2 (ja) * 2019-01-25 2022-09-13 クアーズテック株式会社 シリカガラスレンズの製造方法及びシリカガラスレンズ
JP7122997B2 (ja) * 2019-04-05 2022-08-22 信越石英株式会社 紫外線吸収性に優れたチタン含有石英ガラス及びその製造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007070201A (ja) 2005-09-09 2007-03-22 Yokohama National Univ 透明シリカ焼結体とその製造方法
JP2013163623A (ja) * 2012-02-13 2013-08-22 Tateho Chemical Industries Co Ltd 透明石英焼結体及びその製造方法
JP2014005204A (ja) 2006-09-11 2014-01-16 Tosoh Corp 熔融石英ガラスおよびその製造方法
JP2016072404A (ja) * 2014-09-30 2016-05-09 日亜化学工業株式会社 発光装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5937839U (ja) 1982-08-30 1984-03-09 三菱電機株式会社 回転電機の突極形回転子
JP3354643B2 (ja) 1993-07-20 2002-12-09 三菱重工業株式会社 ロータリバルブ
JP3456449B2 (ja) 1997-05-16 2003-10-14 住友電気工業株式会社 石英ガラス物品及びその製造方法
US8402786B2 (en) * 1998-01-30 2013-03-26 Asahi Glass Company, Limited Synthetic silica glass optical component and process for its production
JP4380008B2 (ja) * 2000-03-27 2009-12-09 日本碍子株式会社 高輝度放電灯用発光管の製造方法
JPWO2003091175A1 (ja) * 2002-04-23 2005-09-02 旭硝子株式会社 光学部材用合成石英ガラス、投影露光装置および投影露光方法
JP5417200B2 (ja) 2009-02-17 2014-02-12 日本碍子株式会社 石英発光管及びその製造方法
JP2015179734A (ja) 2014-03-19 2015-10-08 旭化成株式会社 半導体発光装置の製造方法および半導体発光装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007070201A (ja) 2005-09-09 2007-03-22 Yokohama National Univ 透明シリカ焼結体とその製造方法
JP2014005204A (ja) 2006-09-11 2014-01-16 Tosoh Corp 熔融石英ガラスおよびその製造方法
JP2013163623A (ja) * 2012-02-13 2013-08-22 Tateho Chemical Industries Co Ltd 透明石英焼結体及びその製造方法
JP2016072404A (ja) * 2014-09-30 2016-05-09 日亜化学工業株式会社 発光装置

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