TWI396486B - 以熱可塑性液晶聚合物薄膜被覆之配線板之製法 - Google Patents

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Description

以熱可塑性液晶聚合物薄膜被覆之配線板之製法
本發明係關於一種以由熱可塑性液晶聚合物所構成之薄膜(在以下、稱為熱可塑性液晶聚合物薄膜)來絕緣及被覆導電電路之配線板之製造方法、藉由此種製造方法而製造之配線板、以及進行調整而使用於此種配線板之液晶聚合物薄膜。
近年來，行動電路、數位相機、個人電腦、印表機等之各種電子機器之小型化、輕量化及傳送訊號之高速度化或大容量化之要求係變高，廣泛地利用可撓性配線板及多層配線板。
可撓性配線板係如第1圖剖面圖所示，保護對於銅箔層積板等之可撓性印刷配線板用金屬箔層積板進行蝕刻加工而形成於絕緣體層1上之導電電路2，同時，在除了黏著半導體元件等之電子零件之接端銲墊4或端子電極形成部3或填充其導電材料之導通孔6、甚至導通端子電極間之通孔5以外之部分，由於賦予電氣絕緣性之目的，因此，具有設置覆蓋層7之構造。此外，多層配線板係正如第2圖例舉其剖面圖，藉著通孔15或導通孔10、16而連接由複數個絕緣體層8、9、11所構成之各個配線層之導電電路12，相同於前述之可撓性印刷配線板，覆蓋層17係保護最外層之導電電路12，同時，在除了固合半導體元件等之電子零件之接端銲墊14或端子電極形成部13以外之部分，由於賦予電氣絕緣性之目的，因此，具有設置覆蓋層17之構造。此外，第3圖所示之電路構造18~26(18、19：絕緣體層；20：導通孔；21：導電電路；23：通孔；24：接端銲墊；25、26：導電電路)之覆蓋層22係也具有相同之目的。
但是，由於提高配線板本身之功能或可靠性之目的，因此，提議：在得到低吸濕性、耐熱性、耐藥品性等之性能之方面，作為優良於可靠性同時特別是高頻區域之介電率及介電損耗角正切變小、也優良於能夠達到傳送訊號之高速度化或大容量化之電氣特性的素材係使用熱可塑性液晶聚合物薄膜，來作為配線板之絕緣基板材料(例如參考專利文獻1)。
專利文獻1：日本特開平5－42603號公報。
專利文獻1係揭示：可以藉著在由更加低於熔點80℃之溫度開始至更加低於該熔點5℃之溫度，對於熱可塑性液晶聚合物和金屬箔，進行熱壓合，而以高生產性，來得到薄膜層之機械強度、該薄膜層和金屬箔層間之層間剝離強度變高之均質之層積體。在本文獻，熱可塑性液晶聚合物和金屬箔間之壓合溫度係以熔點作為基準而進行決定。
此外，在專利文獻2，在具有高耐熱性之熱可塑性液晶聚合物薄膜重疊於金屬薄片而藉由加熱壓輥來進行壓合後，在該金屬薄片，形成配線電路，形成配線電路基板，接著，藉由加熱壓輥，而對於得到之配線電路基板和熔點更加低於前述熱可塑性液晶聚合物之熔點之熱可塑性液晶聚合物，進行壓合及層積，形成多層配線電路基板，但是，加熱壓輥之表面溫度係最好是在由更加低於低熱可塑性液晶聚合物薄膜之熔點50℃之溫度開始至更加高於低熱可塑性液晶聚合物薄膜之熔點5℃之溫度為止之範圍，進行選擇。也在該狀態下，熱可塑性液晶聚合物和金屬薄片或配線基板之沖壓溫度係以熔點作為基準而進行決定。
專利文獻2：日本特開2001－244630號公報正如前面之敘述，熱可塑性液晶聚合物係優良於低吸濕性、耐熱性、耐藥品性等之性能，同時，也具有優良的電氣特性，因此，使用熱可塑性液晶聚合物，來作為配線基板材料，但是，在熱可塑性液晶聚合物層積於配線基板而進行熱沖壓來製造配線基板之方法，即使是以熔點作為基準而選擇熱沖壓溫度，來進行熱沖壓，也無法固定得到相同品質之配線基板，有所謂不良品之發生頻率變高之間題發生。
本發明係有鑑於前述之間題點而完成的，其第1個目的係提供一種使用具有良好之低吸濕性、耐熱性、耐藥品性、電氣性質及熱壓合加工性之液晶聚合物薄膜而用以藉由高良品率來得到一定品質之配線板之製造方法。其第2個目的係提供一種進行調整而使用於此種製造方法之熱可塑性液晶聚合物薄膜。
本發明者係首先就相對於配置在配線板最外層之導電電路呈現事前地開口，其既定區域之熱可塑性液晶聚合物薄膜來進行熱壓合之時，在就改變前述開口部之尺寸或形狀之要因而進行檢討之際，可以得知前述熱可塑性液晶聚合物之熔點並非主要之要因。此外，一般而言，以熱可塑性液晶聚合物薄膜之熔點作為基準，選擇更加低於此之沖壓溫度，但是，在此，在所謂經常得到一定品質之方面，變得不充分。熱壓合係進行於該聚合物由固體開始轉移至完全之液體狀態之急劇變化之過程中的某溫度，但是，在改變聚合物批次或薄膜批次時，由於批次而在品質產生偏差，或者是該轉移過程之狀態並非一致，發現在相同熔點的狀態下，並非可以是相同之沖壓溫度。因此，為了能夠進行更加穩定於習知之作業，認為有效於控制前述熱可塑性液晶聚合物薄膜之黏度或彈性而可完成本發明。
也就是說本發明係為一種配線基板之製造方法，係在露出含有導電電路的一層之配線基板上層積熱可塑性液晶聚合物薄膜，而進行熱沖壓而製造配線基板之方法，其特徵為：就前述薄膜之熱可塑性液晶聚合物而言，測定在層積溫度區域之低頻率之黏彈性，選擇前述特性值位處於既定範圍內之溫度，在前述之溫度，進行熱沖壓。
在本發明，作為前述黏彈性特性之測定係最好是測定表面之熔融黏度，表面之熔融黏度較佳是測定於1Hz之低頻率。此外，作為層積溫度區域較佳是位處於240℃至350℃為止之溫度範圍內。此外，較佳為選擇前述表面之熔融黏度之測定值位處在1×104 Pa．s至2×105 Pa．s為止之範圍內之溫度而進行熱沖壓。前述表面之熔融黏度測定之進行 於前述薄膜之每批次者係有效於用以藉由高良品率來得到穩定品質之配線板。
在前述之本發明，較佳係藉由對於前述熱可塑性液晶聚合物薄膜進行加熱處理，而調整表面之熔融黏度。較佳係為在前述熱可塑性液晶聚合物薄膜之液晶聚合物之熔點以上，進行前述之加熱處理，或者是在由低於熔點20℃之溫度開始至熔點為止之溫度，進行前述之加熱處理。更理想是選擇構成前述配線基板之基材聚合物成為熱可塑性液晶聚合物，構成被覆前述配線基板之前述熱可塑性液晶聚合物薄膜之聚合物，其表面熔融黏度更加低於構成配線基板之熱可塑性液晶聚合物之表面熔融黏度，較佳為該熱可塑性液晶聚合物薄膜係至少2層以上之層積薄膜，構成接合在配線基板層的薄膜之熱可塑性液晶聚合物，其表面熔融黏度的測定值係更加低於構成其他層薄膜之熱可塑性液晶聚合物的表面熔融黏度，其具有前述範圍內之表面熔融黏度。
此外，本發明係一種配線基板，係在露出含有導電電路的一層之配線基板來層積及被覆熱可塑性液晶聚合物薄膜時，就前述薄膜的熱可塑性液晶聚合物而言，在層積溫度區域測定低頻率之黏彈性特性，選擇處於既定範圍內溫度之特性值，在前述之溫度中進行熱沖壓而得到。
此外，本發明係一種熱可塑性液晶聚合物薄膜，係為了使用於配線基板之被覆而進行調整來使得熱可塑性液晶聚合物薄膜之黏彈性特性值位處於既定範圍內，更加理想是 黏彈性特性值位處於既定之範圍內，並且，前述薄膜之長邊方向之分子配向度SOR位處在1.00至1.15之範圍內。
此外，在本發明中使用於配線板被覆之熱可塑性液晶薄膜，其較佳為該薄膜平面方向之線膨脹係數幾乎相同於包含導電電路且露出一層的配線基板之熱可塑性液晶聚合物薄膜，並且，在260℃之溫度氣氛下之無緊張狀態來曝露30分鐘時，尺寸變化率成為0.05%以下之熱可塑性液晶聚合物薄膜為較佳，此外，薄膜之長邊方向及直交方向之抗拉彈性係數皆成為3GPa以上之熱可塑性液晶聚合物薄膜亦為較佳。
在前述之本發明，對於露出含有導電電路的一層之配線基板來進行層積之熱可塑性液晶聚合物薄膜，較佳為與前述配線基板層積之1主面來進行熱可塑性液晶聚合物薄膜的粗化處理，此外，對於露出含有導電電路的一層之配線基板來進行層積之熱可塑性液晶聚合物薄膜，其較佳為與前述配線基板層積之1主面來進行電離放射線處理之熱可塑性液晶聚合物薄膜，並且，該熱可塑性液晶薄膜係較佳為具有穿孔而可露出導電電路之既定部位的熱可塑性液晶聚合物薄膜。
如果藉著本發明之配線板製造方法的話，則使用具有良好之低吸濕性、耐熱性、耐藥品性、電氣性質及熱壓合加工性之熱可塑性液晶聚合物，選擇該熱可塑性液晶聚合物之黏彈性特性值位處於既定範圍內之溫度，在該溫度，於配線基板層積熱可塑性液晶聚合物，因此，可以獲得高良品率且得到一定品質之可撓性配線板或多層配線板等之配線板。
此外，如果藉由本發明的話，則能夠得到為了以高良品率來製造一定品質之配線板，而在既定之層積溫度來進行調製，而使得黏彈性特性值成為既定範圍之熱可塑性液晶聚合物。
使用於本發明之熱可塑性液晶聚合物薄膜係並無特別限定，而本發明之具體例係由以下表1至表4所例示分類之化合物及其衍生物，以及表5所例示之習知的熱致變液晶聚酯及熱致變液晶聚酯醯胺。但是，為了得到能夠呈光學地形成異方向性之熔融相的熱可塑性液晶聚合物，因此，不用說當然在各種原料化合物之組合，有適當之範圍存在。此外，在不損害薄膜特性之範圍內，則可以與滑劑、氧化防止劑及填充材等添加劑搭配使用。
此外，本發明所使用之熱可塑性液晶聚合物之熔點，其係可以獨立地設定薄膜之黏度或彈性係數，在得到薄膜所要求之耐熱性及加工性之目的，其熔點較佳為在200~400℃之範圍內、特別是250~350℃之範圍內，但由薄膜製造方面來看，其較佳係具有比較低之熔點。因此，在需要更加高之耐熱性或熔點的狀態下，可以藉由將暫時所得的薄膜進行加熱處理，而提高至所要求之耐熱性或熔點為止。如果是說明加熱處理之條件之某一例子的話，若暫時得到的薄膜熔點為283℃之狀態下，如果也在260℃加熱5小時的話，則熔點成為320℃。此部分係記載於本案發明人之專利文獻3，在此併入本案說明書中作為參考。
專利文獻3：美國專利6,274,242號公報(日本特開2000-44797號公報)
本發明之熱可塑性液晶聚合物薄膜係將前述聚合物經擠出成形而得到。在此時，可以使用任意之擠出成形法，但是，習知之T模製膜延伸法、層合體延伸法、吹塑法等係有利於工業上的使用。特別是在吹塑法，不僅是薄膜之機械軸方向(在以下、縮寫為MD方向)，也在直交於這個之方向(在以下、縮寫為TD方向)，施加應力，而得到MD方向和TD方向之機械性質及熱性質達到平衡之薄膜。就此種薄膜之製造方法而言，其係記載於本案申請人之專利文獻4。
專利文獻4：日本特開2000-326405號公報
以前述製造方法所得到之熱可塑性液晶聚合物薄膜，將其層積於露出含有導電電路的一層之配線基板時，對於前述薄膜之熱可塑性液晶聚合物而言，測定在層積溫度區域之低頻率之黏彈性，選擇前述之黏彈性測定值位處於後面敘述之特定範圍內之溫度，然後在前述之溫度下進行熱沖壓，而製造配線基板。在此，前述黏彈性特性之測定較佳為測定表面熔融黏度，並且對每批次之前述薄膜進行測定。
接著，以前述製造方法所得到本發明之熱可塑性液晶聚合物薄膜，其較佳的表面熔融黏度係在層積溫度240~350℃和頻率1Hz所得到的，該表面熔融黏度的範圍為1×104 Pa．s~2×105 Pa．s。在層積溫度240~350℃和頻率1Hz所得到表面熔融黏度在前述範圍內之熱可塑性液晶聚合物薄膜，係在對於事前地開口其既定區域或者是並無進行開口而配置於配線板最外層之導電電路來進行熱壓合時，前述之開口部或者是整體之尺寸或形狀之變化少，因此，可以適當地使用作為覆蓋層。在前述層積溫度之頻率1Hz所得到之表面熔融黏度更加大於2×105 Pa．s之狀態下，配線板之最外層以及配置於此之導電電路之間之接合強度係並非充分，所得到之配線板係在得到耐熱性、水蒸氣障蔽性和耐藥品性等之性能之方面，其可靠性不佳。此外，在該狀態下，為了增加前述之接合強度，因此，在提高層積溫度時，會導致構成配線板之絕緣體層熱惡化或者是無法保持含有導電電路配線板之形狀等問題發生。另一方面，在前述層積溫度之頻率1Hz所得到之表面熔融黏度更加小於1×104 Pa．s之狀態下，增加前述之接合強度，但是，熱可塑性液晶聚合物係顯著地流動，因此，覆蓋層之開口部或者是整體之尺寸或形狀則無法滿足既定之設計值。
因此，在層積配線板和熱可塑性液晶聚合物薄膜時之溫度較佳為在該液晶聚合物薄膜之頻率1Hz所得到之表面熔融黏度，該表面熔融黏度為1×104 Pa．s~2×105 Pa．s之範圍內。向來，該層積溫度係得到將使用之薄膜之熔點來設定成為基準之方法，但是，以動態掃描熱量計(在以下、縮寫為DSC)所得到之該熱可塑性液晶聚合物之熔點係明確地發現成為吸熱波峰之狀態變少，即使是發現，也顯示非常小之吸熱波峰，或者是在熱加工後，並無顯示吸熱波峰等之使用作為基準之狀態之不明確性，成為問題。在本發明，並無將以熱可塑性液晶聚合物之熔點作為基準之層積溫度予以控制，可以藉由控制層積溫度之表面熔融黏度，而以一定之品質及高良品率，來得到本發明目的之層積板。
作為在頻率1Hz之層積溫度之表面熔融黏度成為1×104 Pa．s~2×105 Pa．s之範圍內之方法係列舉：調整原料樹脂之分子量之方法、或者是在熱可塑性液晶聚合物薄膜層積於金屬箔等之高耐熱性之支持體後，在大氣等之活性氣氛下或氮等之惰性氣氛下，進行加熱處理之方法等。作為具體獨立地調整薄膜之熔點和表面熔融黏度之方法係可以藉由在薄膜之熔點以上或者是由薄膜之熔點開始至更加低於熔點20℃之溫度之範圍，對於得到之薄膜，進行熱處理，而即使是相同之熔點，也僅調整表面熔融黏度。在考慮前面之敘述時，在本發明，熱可塑性液晶聚合物薄膜之層積溫度係選擇於240~350℃之範圍，但是，較佳為選擇於250~330℃之範圍，更佳為選擇於260~320℃之範圍。
本發明之熱可塑性液晶聚合物薄膜係可以是單一層，但是，在要求更加高之耐熱性之狀態下，可以成為由在層積溫度240~350℃且在頻率1Hz所得到之表面熔融黏度為1×104 Pa．s~2×105 Pa．s之範圍內之第1熱可塑性液晶聚合物和在該層積溫度且在頻率1Hz所得到之表面熔融黏度為3×105 Pa．s以上之第2熱可塑性液晶聚合物而構成之層積體，將第1熱可塑性液晶聚合物之層側，層積在包含導電電路且露出一層之配線板。在該熔融黏度未滿3×105 Pa．s之狀態下，接近於第1熱可塑性液晶聚合物層之熔融黏度，因此，有在層積於配線板時而引起變形或樹脂流動之狀態發生，並且，在該熔融黏度超過1×107 Pa．s之狀態下，在層積於配線板時，使得配線電路發生變形，或者是有引起位置偏離之狀態發生，因此，變得不理想。由此種第1熱可塑性液晶聚合物和第2熱可塑性液晶聚合物所構成之層積體係可以藉由重疊由各個熱可塑性液晶聚合物所構成之薄膜，賦予可接合兩薄膜之溫度和壓力，以熱壓合而進行製造。為了藉由前述之方法而製造層積體，因此，可以使用平板沖壓機或連續壓輥沖壓機等之裝置，但是，即使是在該裝置中，連續壓輥沖壓機的生產性也變高，因此，可以更加適當地使用。此外，為了防止在前述沖壓機之熱盤或加熱壓輥，附著熱可塑性液晶聚合物薄膜，因此，可以在重疊之前述熱可塑性液晶聚合物薄膜之上下面，夾住離模性材料。
此外，由第1熱可塑性液晶聚合物和第2熱可塑性液晶聚合物所構成之前述層積體係也可以藉著由相同之模子，熔融同時擠出這些2種類之熱可塑性液晶聚合物而進行製造。為了藉由此種方法而製造層積體，因此，可以使用T模成形機或吹塑成形機等之裝置，但是，特別是使用吹塑成形機所製造之薄膜係得到MD方向和TD方向之機械性質及熱性質達到平衡之薄膜，因此，可以更加適當地使用。
熱可塑性液晶聚合物薄膜係在層積於配線基板時之層積溫度，其係混在固體狀態和熔融狀態之區域，因此，在藉由使用於完全液體之黏度測定之JIS K7210試驗法，所根據之熔體流動速度試驗機所造成之方法或者是藉著由熱可塑性液晶聚合物之流動開始來規定流動中之黏度之JIS K7199試驗法，所根據之毛細管電流計所造成之流動特性試驗方法，並無法充分地反映在本發明之熱可塑性液晶聚合物薄膜之層積時之必要特性。
因此，本發明者係使用能夠範圍廣泛地評價由相當於層積溫度區域之變化之固體開始至熔融為止之狀態的物性舉動之旋轉型電流計，更加詳細地研究黏度舉動，結果，發現能夠在一對圓板間，夾住熱可塑性液晶聚合物，施加5N之法線應力，在頻率1Hz之條件下，評估表面之熔融黏度。
藉由本發明所造成之層積溫度240~350℃之表面熔融黏度之測定頻率係適合為相同於實際之層積時之壓力施加速度或者是薄膜對於構成配線板上之電路之銅之凹凸之填充速度之同樣之1Hz。知道表面之熔融黏度係大幅度地依附於測定頻率，特別是熱可塑性液晶聚合物薄膜係有頻率越大而使得表面之熔融黏度變小之傾向發生，也由於實際之分批間歇層積(在熱盤間而進行加壓及層積之方法)或者是壓輥層積(在一對之熱壓輥間而連續地進行加壓之方法)係在層積時之剪斷速度變慢(頻率小)，因此，適合在本發明所規定之頻率1Hz，進行測定。
在本發明，熱可塑性液晶聚合物薄膜之長邊方向之分子配向度SOR係可以藉由利用該薄膜所被覆之配線板之特性或者是使用之目的而進行決定，但是，分子配向度SOR成為1.00~1.15之範圍之熱可塑性液晶聚合物薄膜係MD方向和TD方向之機械性質及熱性質達到平衡之薄膜，因此，可以更加適當地使用作為覆蓋層。在分子配向度SOR脫離前述之範圍時，薄膜係容易破裂於某一方向，或者是層積這些之配線板係發生彎曲而使得平坦性成為不良。在此，所謂SOR(Segment Orientation Ratio(節段定位率))係指賦予關於藉由分子所構成之節段而言之分子配向之程度之指標，不同於一般之MOR(Molecular Orientation Ratio(分子定位率))，成為考慮物體厚度之值。
前述之分子配向度SOR係正如以下而算出。首先，在習知之微波分子配向度測定機，將液晶聚合物薄膜，插入至微波共振導波管中，測定透過該薄膜之微波之電場強度(微波透過強度)而在微波之進行方向，使得薄膜面成為垂直。接著，根據該測定值，藉由下列之公式而算出m值(折射率)。
m＝(Z0 /△z)×[1－vm a x /v0 ]
但是，Z0 係裝置定數，△z係物體之平均厚度，vm a x 係在改變微波之振動數時而賦予最大之微波透過強度之振動數，v0 係賦予在平均厚度成為零時(也就是並無物體時)之最大微波透過強度之振動數。
接著，在物體相對於微波之振動方向之旋轉角成為0°時，也就是微波之振動方向和作為物體之分子最加配向之方向而賦予最小微波透過強度之方向呈一致時之m值，成為m0 ，在旋轉角作為90°時之m值，成為m9 0 ，分子配向度SOR係藉由m0 /m9 0 而進行算出。
本發明之熱可塑性液晶聚合物薄膜之平面方向之線膨脹係數，其較佳為實質地相同於層積該配線板之平面方向之線膨脹係數。在兩者之線膨脹係數呈大幅度地不同時，在藉由熱壓合所造成之層積後或者是銲錫重熔製程通過中以及通過後，配線板係發生彎曲而使得平坦性成為不良。
此外，本發明之熱可塑性液晶聚合物薄膜係最好是在260℃之溫度氣氛下，以無緊張狀態，在曝露30分鐘時之尺寸變化率成為0.05%以下。在熱可塑性液晶聚合物薄膜之尺寸變化率更加大於0.05%時，即使是前述之分子配向度SOR或線膨脹係數在既定之範圍內，也藉由熱壓合所造成之層積後或者是銲錫重熔製程通過中以及通過後，配線板發生彎曲而使得平坦性成為不良。
本發明之熱可塑性液晶聚合物薄膜之厚度係最好是10~250μm，但是，在接合熱可塑性液晶聚合物薄膜來作為覆蓋層之配線板係要求特別高之剛性之狀態下，較佳是選擇100~250μm之厚度，或者是本發明之熱可塑性液晶聚合物薄膜之長邊方向及其直交方向之抗拉彈性係數成為3GPa以上。
接著，本發明之熱可塑性液晶聚合物薄膜係可以對於包含導電電路且露出一層之配線板來進行層積之某一主面進行粗化處理或者是進行電離放射線處理。進行這些處理之熱可塑性液晶聚合物薄膜係能夠提高和前述配線板間之接合強度，因此，可以更加適當地使用。作為前述之粗化處理係可以例舉藉由鹼性藥液所造成之蝕刻、藉由研磨粒所造成之機械研磨、藉由微粒所造成之噴砂粗化等。此外，作為電離放射線處理係可以例舉電漿處理、紫外線照射、電暈處理等。
但是，層積本發明之熱可塑性液晶聚合物薄膜之配線板之絕緣體層係並無特別限定，可以例舉液晶聚合物、聚醯亞胺樹脂、環氧樹脂、雙馬來酸酐縮亞胺三吖嗪樹脂、聚亞苯基醚樹脂、聚醚醚酮樹脂、聚醚醯亞胺樹脂、聚醚酮酮樹脂等之各種聚合物層，可以成為在玻纖布等之薄片狀纖維強化材含浸這些之各種聚合物之基材，但是，即使是在其中，液晶聚合物成為絕緣體層之配線板係可以得到在低吸濕性、耐熱性及耐藥品性等特性方面，且可靠性佳，同時特別是高頻區域之介電率及介電損耗角正切變小，且能夠達到傳送訊號之高速度化或大容量化電氣特性之高功能且高可靠性的配線板，因此，變得更加地適當。
此外，本發明之熱可塑性液晶聚合物薄膜係在層積於包含導電電路且露出一層之配線板時，能夠進行極力地抑制構成配線板之絕緣體層或導電電路之變形及該熱可塑性液晶聚合物薄膜本身之流動的熱壓合，因此，正如第3圖所示，也可以介在於複數片之配線板間而作為接合層19。
用以露出本發明之熱可塑性液晶聚合物薄膜之導電電路的既定部位之穿孔係必要於和構裝在導電電路之電子零件間之電氣連接或者是連接電路基板間之狀態下之電子器連接時，可以配合於導電電路之大小或配置而進行加工，較佳為藉由利用模具所造成之沖裁、利用雷射所造成之形狀加工以及利用藥液所造成之蝕刻等，而加工於層積在導電電路之前。
在以下，藉由實施例而詳細地說明本發明，但是，本發明係並非由於實施例而受到限定。此外，在本發明，熱可塑性液晶聚合物薄膜之熔點、表面之熔融黏度、線膨脹係數、層積體之接合性、尺寸變化率及外觀、耐樹脂流動性係藉由以下之測定方法而進行測定之值。
熔點℃
由使用動態掃描熱量計而觀察之薄膜之熱舉動，來得到熔點℃。也就是說，在以10℃/分鐘之速度來升溫試驗用薄膜而完全地進行熔融後，以50℃/分鐘之速度來急冷熔融物至50℃為止，將出現於再度以10℃/分鐘之速度來進行升溫時之吸熱波峰之位置，作為薄膜之熔點。
表面之熔融黏度Pa．s
使用日本德州儀器公司製「AR200」，來作為旋轉型電流計，在成為層積溫度範圍之240~350℃之溫度範圍，以3℃/分鐘之升溫速度，來求出藉由法線應力5N、頻率1Hz所造成之表面之熔融黏度。
薄膜之線膨脹係數cm/cm/℃
所謂線膨脹係數α係在由室溫開始至薄膜之熱變形溫度附近為止並且以一定之升溫速度來進行加熱時之膨脹率除以溫度差之係數，正如以下而算出。
首先，使用習知之熱機械分析裝置，將切斷成為長方形之薄膜之某一端予以固定，在另外一端，賦予拉引之荷重，計測在以一定之升溫速度來進行加熱時之膨脹量。在薄膜之拉引之荷重方向之長度成為L0 (mm)、在加熱時之薄膜之長度成為L1 (mm)、溫度成為T2 (℃)、室溫成為T1 (℃)時，線膨脹係數α係可以藉由以下之公式而算出。
此外，在本實施例，成為L0 ＝20mm、T2 ＝150℃、T1 ＝25℃、拉引荷重1g而算出。
薄膜之尺寸變化率%
按照IPC－TM－6502.2.4試驗法而進行測定。
薄膜之抗拉彈性係數GPa
按照ASTM D882試驗法而進行測定。
層積體之外觀及耐樹脂流動性 (1)外觀
外觀係在液晶聚合物薄膜層積於電路基板後之層積體之彎曲，以並無端部之樹脂流出、剝離或膨脹之狀態為良好(在表6之○記號)，以觀察不良部之狀態為不良(在表6之×記號)。
(2)耐樹脂流動性
在液晶聚合物薄膜，打開直徑5mm之穿孔，在層積於電路基板後，以在孔之直徑並無變化發生之狀態為良好(在表6之○記號)，以由於樹脂流動而發生變化之狀態為不良(在表6之×記號)。
層積體之接著性
由層積體，來製作1cm幅寬之剝離試驗片，藉由雙面接著帶而將該薄膜層固定於平板間，按照JIS C5016試驗法，測定在藉由180°法而以50mm/分鐘之速度來剝離薄膜層時之接著強度。以接著強度成為0.5kg/cm以上為良好(在表6之○記號)，以更加低於0.5kg/cm之狀態，作為不良(在表6之×記號)。
良品率
就實施例1、比較例4~5而言，以相同之條件，將顯示相同熔點之熱可塑性液晶聚合物薄膜之不同之5個批次，層積於配線基板，對於前述評價值之一致度數，就這些以外之實施例、比較例而言，要求1個批次之前述評價值之一致度數。
參考例1
對於成為p－羥基安息香酸和6－羥基－2－萘甲酸之共聚物且熔點成為280℃之熱可塑性液晶聚合物，進行熔融擠出，控制縱向和橫向之延伸比，同時，藉由吹塑成形法而得到膜厚25μm、熔點280℃、SOR：1.03、線膨脹係數－5×10－ 6 cm/cm/℃、尺寸變化率0.03%、抗拉彈性係數8GPa之薄膜。在260℃、5個不同之時間，對於得到之薄膜，進行加熱處理，得到相同於前面敘述之同樣物性之薄膜。這些熱可塑性液晶聚合物薄膜為A1至A5。
參考例2
將在參考例1所得到之熱可塑性液晶聚合物薄膜A1，重疊於塗敷離膜劑之30μm厚度之鋁箔，在260℃之加熱壓輥和耐熱橡膠壓輥之間，在以20kg/cm2 來進行熱壓合後，在280℃之熱處理爐，進行30秒鐘之熱處理。接著，剝離鋁箔，得到膜厚25μm、熔點280℃、SOR：1.01、線膨脹係數18×10－ 6 cm/cm/℃、尺寸變化率0.02%、抗拉彈性係數3GPa之薄膜。這些熱可塑性液晶聚合物薄膜為B1。
參考例3
對於成為p－羥基安息香酸和6－羥基－2－萘甲酸之共聚物且熔點成為325℃之熱可塑性液晶聚合物，進行熔融擠出，控制縱向和橫向之延伸比，同時，藉由吹塑成形法而得到膜厚25μm、熔點325℃、SOR：1.02、線膨脹係數－4×10－ 6 cm/cm/℃、尺寸變化率0.02%、抗拉彈性係數6GPa之薄膜。在260℃、5個不同之時間，對於得到之薄膜，進行加熱處理，得到相同於前面敘述之同樣物性之薄膜。這些熱可塑性液晶聚合物薄膜為C1至C5。
參考例4
將在參考例3所得到之熱可塑性液晶聚合物薄膜C1，重疊於塗敷離膜劑之30μm厚度之鋁箔，在305℃之加熱壓輥和耐熱橡膠壓輥之間，在以20kg/cm2 來進行熱壓合後，在325℃之熱處理爐，進行30秒鐘之熱處理。接著，剝離鋁箔，得到膜厚25μm、熔點325℃、SOR：1.01、線膨脹係數18×10－ 6 cm/cm/℃、尺寸變化率0.03%、抗拉彈性係數4GPa之薄膜。這些熱可塑性液晶聚合物薄膜為D1。
參考例5
藉由在參考例4所得到之熱可塑性液晶薄膜D1之兩面，在310℃、4MPa，對於18μm厚度之電解銅箔，進行10分鐘之加壓，在兩面，對於銅箔，施行蝕刻除去之配線加工而成為幅寬100μm、間隙100μm之格子狀，來得到使用於以下之實施例1~4及比較例1~5之配線板。
參考例6
在260℃之氮氣氛中，對於參考例2所得到之薄膜B1，進行5小時之熱處理，得到熔點310℃、SOR：1.01、線膨脹係數18×10－ 6 cm/cm/℃、尺寸變化率0.01%、抗拉彈性係數3GPa之薄膜。這些熱可塑性液晶薄膜為E1。
實施例1
在測定由藉著參考例1所得到之薄膜A1至A5之表面之熔融黏度後，準備2片之隨機地打開5部位之直徑5mm之孔洞之薄膜，配置在參考例5所得到之配線板之兩側，並且，安裝25μm厚度之聚醯亞胺薄膜，重疊在兩側，來作為離模材，使得真空熱沖壓之熱盤之溫度，進入至表面之熔融黏度1×104 Pa．s~2×105 Pa．s之範圍，在真空狀態，以4MPa之壓力，對於薄膜和配線板，進行10分鐘之層積。
實施例2
準備2片之在參考例2所得到之薄膜B1隨機地打開5部位之直徑5mm之孔洞之薄膜，配置在參考例5所得到之配線板之兩側，並且，將25μm厚度之聚醯亞胺薄膜，重疊在兩側，來作為離模材，使得真空熱沖壓之熱盤，安裝在265℃，在真空狀態，以4MPa之壓力，對於薄膜和配線板，進行10分鐘之層積。在層積溫度265℃之薄膜A之表面之熔融黏度係2×105 Pa．s，配線板之表面之熔融黏度係6×105 Pa．s。
實施例3
準備2片之在參考例3所得到之薄膜C1隨機地打開5部位之直徑5mm之孔洞之薄膜，配置在參考例5所得到之配線板之兩側，並且，將25μm厚度之聚醯亞胺薄膜，重疊在兩側，來作為離模材，使得真空熱沖壓之熱盤，安裝在295℃，在真空狀態，以4MPa之壓力，對於薄膜和配線板，進行10分鐘之層積。在層積溫度295℃之薄膜A之表面之熔融黏度係1×105 Pa．s，配線板之表面之熔融黏度係4×105 Pa．s。
實施例4
準備2片之在參考例6所得到之薄膜E1，隨機地打開5部位之直徑5mm之孔洞之薄膜，並配置在參考例5所得到之配線板之兩側，且將25μm厚度之聚醯亞胺薄膜，重疊在兩側，來作為離模材，使得真空熱沖壓之熱盤，安裝在310℃，在真空狀態，以4MPa之壓力，對於薄膜和配線板，進行10分鐘之層積。在層積溫度310℃之薄膜A之表面之熔融黏度係1×105 Pa．s，配線板之表面之熔融黏度係2×105 Pa．s。
比較例1
準備2片之在參考例1所得到之薄膜A1，隨機地打開5部位之直徑5mm之孔洞之薄膜，並配置在參考例5所得到之配線板之兩側，且將25μm厚度之聚醯亞胺薄膜，重疊在兩側，來作為離模材，使得真空熱沖壓之熱盤，安裝在300℃，在真空狀態，以4MPa之壓力，對於薄膜和配線板，進行10分鐘之層積。在層積溫度300℃之薄膜A1之表面之熔融黏度係4×102 Pa．s，配線板之表面之熔融黏度係3×105 Pa．s。得到之層積體係顯著地降低薄膜A1之表面之熔融黏度，激烈地流動構成薄膜A1之熱可塑性液晶聚合物，因此，開口部或者是整體之尺寸或形狀係大幅度地偏離於設計值。
比較例2
準備2片之在參考例2所得到之薄膜B1，隨機地打開5部位之直徑5mm之孔洞之薄膜，並配置在參考例5所得到之配線板之兩側，且將25μm厚度之聚醯亞胺薄膜，重疊在兩側，來作為離模材，使得真空熱沖壓之熱盤，安裝在250℃，在真空狀態，以4MPa之壓力，對於薄膜和配線板，進行10分鐘之層積。在層積溫度250℃之薄膜B1之表面之熔融黏度係6×105 Pa．s，配線板之表面之熔融黏度係7×105 Pa．s。得到之層積體係薄膜B1之表面之熔融黏度變高，配線板之最外層以及配置於這個之導電電路之間之接合性係變得不充分，因此，得到之配線板係耐熱性、水蒸氣障蔽性和耐藥品性則不佳。
比較例3
準備2片之在參考例3所得到之薄膜C1隨機地打開5部位之直徑5mm之孔洞之薄膜，並配置在參考例5所得到之配線板之兩側，且將25μm厚度之聚醯亞胺薄膜，重疊在兩側，來作為離模材，使得真空熱沖壓之熱盤，安裝在330℃，在真空狀態，以4MPa之壓力，對於薄膜和配線板，進行10分鐘之層積。在層積溫度330℃之薄膜C1之表面之熔融黏度係8×103 Pa．s，配線板之表面之熔融黏度係1×105 Pa．s。得到之層積體係薄膜C1之表面之熔融黏度變低，因此，開口部或者是整體之尺寸或形狀係大幅度地偏離於設計值。
比較例4
準備2片之在參考例1所得到之薄膜A1~A5隨機地打開5部位之直徑5mm之孔洞之薄膜，並配置在參考例5所得到之配線板之兩側，且將25μm厚度之聚醯亞胺薄膜，重疊在兩側，來作為離模材，使得真空熱沖壓之熱盤，安裝在275℃，在真空狀態，以4MPa之壓力，對於薄膜和配線板，進行10分鐘之層積。在由層積溫度275℃之薄膜A1至A5之表面之熔融黏度係分別成為4×104 Pa．s、7×103 Pa．s、2×105 Pa．s、3×105 Pa．s及6×104 Pa．s，配線板之表面之熔融黏度係5×105 Pa．s。
比較例5
準備2片之在參考例3所得到之薄膜C1~C5隨機地打開5部位之直徑5mm之孔洞之薄膜，並配置在參考例5所得到之配線板之兩側，且將25μm厚度之聚醯亞胺薄膜，重疊在兩側，來作為離模材，使得真空熱沖壓之熱盤，安裝在295℃，在真空狀態，以4MPa之壓力，對於薄膜和配線板，進行10分鐘之層積。在由層積溫度295℃之薄膜C1至C5之表面之熔融黏度係分別成為l×105 Pa．s、4×104 Pa．s、3×105 Pa．s、7×104 Pa．s及8×103 Pa．s，配線板之表面之熔融黏度係4×105 Pa．s。
正如表6所示，實施例1~5之層積體係在頻率1Hz之薄膜表面熔融黏度位處於本發明之既定範圍內之溫度，進行層積，因此，皆優良於層積後之外觀、耐樹脂流動性及接著性。特別是實施例1係真空熱衝壓之熱盤之溫度，進入至表面之熔融黏度成為1×104 Pa．s~2×105 Pa．s之範圍，在每批次，製造在測定後之層積體，因此，在批次之間，並無看到品質之偏差。
另一方面，比較例1~3之層積體係頻率1HZ之第1熱可塑性液晶薄膜之表面熔融黏度為本發明之既定範圍外，在表面之熔融黏度更加低於1×104 Pa．s之狀態下，層積後之外觀及耐樹脂流動性變差，在更高於2×106 Pa．s之狀態下，接著性變差。此外，比較例4~5之層積體係顯示相同之熔點，但是，在使用顯示不同之表面熔融黏度之薄膜之狀態下，在以習知之熔點作為基準之層積溫度設定，在批次之間，顯示層積體之不良頻率增加。
1．．．絕緣體層
2．．．導電電路
3．．．端子電極形成部
4．．．接端銲墊
5．．．通孔
6．．．導通孔
7．．．覆蓋層
8．．．絕緣體層
9．．．絕緣體層
10．．．導通孔
11．．．絕緣體層
12．．．導電電路
13．．．端子電極形成部
14．．．接端銲墊
15．．．通孔
16．．．導通孔
17．．．覆蓋層
18．．．絕緣體層
19．．．絕緣體層
20．．．導通孔
21．．．導電電路
22．．．覆蓋層
23．．．通孔
24．．．接端銲墊
25．．．導電電路
26．．．導電電路
第1圖係顯示銅箔層積板等之可撓性配線板之實施例之剖面圖。
第2圖係顯示多層配線板之實施例之剖面圖。
第3圖係顯示多層配線板之實施例之剖面圖。

Claims (9)

  1. 一種配線基板之製造方法，其係在露出含有導電電路的一層之配線基板上層積熱可塑性液晶聚合物薄膜，並進行熱沖壓來製造配線基板之方法，其特徵為：就該熱可塑性液晶聚合物薄膜之熱可塑性液晶聚合物而言，測定每批次在層積溫度區域中之表面熔融黏度，選擇每批次該表面熔融黏度在既定範圍內之溫度，在該每批次所選擇之溫度，進行每批次的熱沖壓。
  2. 如申請專利範圍第1項之配線基板之製造方法，其中該表面熔融黏度的測定頻率係1Hz。
  3. 如申請專利範圍第1項之配線基板之製造方法，其中層積溫度區域係由240℃至350℃為止之溫度範圍。
  4. 如申請專利範圍第2項之配線基板之製造方法，其中選擇該表面熔融黏度之測定值係在1×104 Pa．s~2×105 pa．s為止之範圍內之溫度而進行熱沖壓。
  5. 如申請專利範圍第1項之配線基板之製造方法，其中就該熱可塑性液晶聚合物薄膜的表面熔融黏度不在既定範圍內之批次而言，藉由使表面熔融黏度在既定範圍的方式，加熱處理該批次的該熱可塑性液晶聚合物薄膜，來調整表面熔融黏度。
  6. 如申請專利範圍第5項之配線基板之製造方法，其中在該熱可塑性液晶聚合物薄膜之液晶聚合物之熔點以上， 或者在由低於熔點20℃之溫度至熔點為止之溫度，進行該加熱處理。
  7. 如申請專利範圍第4項之配線基板之製造方法，其中構成該配線基板之聚合物係熱可塑性液晶聚合物，構成該熱可塑性液晶聚合物薄膜之聚合物係以具有表面熔融黏度低於構成配線基板之熱可塑性液晶聚合物之表面熔融黏度的方式來選擇。
  8. 如申請專利範圍第4項之配線基板之製造方法，其中該熱可塑性液晶聚合物薄膜係至少2層以上之層積薄膜，構成接合在配線基板之層之薄膜的熱可塑性液晶聚合物之表面熔融黏度測定值，係顯示低於構成其他層之薄膜的熱可塑性液晶聚合物之表面熔融黏度，並在該範圍內之表面熔融黏度。
  9. 一種配線基板之製造方法，其係在露出含有導電電路的一層之配線基板上層積熱可塑性液晶聚合物薄膜，並進行熱沖壓來製造配線基板之方法，其特徵為：就該熱可塑性液晶聚合物薄膜之熱可塑性液晶聚合物而言，選擇每批次在層積溫度區域中之表面熔融黏度測定值在既定範圍內之溫度，在每批次所選擇之溫度，進行每批次的熱沖壓。
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