TWI388618B - 環氧樹脂組成物及半導體裝置 - Google Patents

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Description

環氧樹脂組成物及半導體裝置
本發明係有關一種環氧樹脂組成物、及使用它之半導體裝置，特別是有關具有優異的流動性、脫模性、連續成形性之特性的環氧樹脂組成物及使用它之耐回焊性優異的半導體裝置。
近年來，於電子機器之小型化、輕量化、高性能化之市場動向中，年年進行半導體之高積體化，且促進半導體封裝之表面實裝化。另外，重視考慮地球環境之企業活動，企求除特定用途以外至2006年為止完全廢止有害物質之鉛。然而，無鉛焊接之熔點與習知的鉛/錫焊接相比時較高，紅外線回流、焊接浸漬等之焊接實裝時的溫度亦由習知的220~240℃提高為今後的240~260℃。由於該實裝溫度上昇，實裝時樹脂部分容易產生破裂，會有無法保證信賴性之問題。另外，於導束中就外裝焊接電鍍必須脫鉛而言，進行使用於事前施予鎳．鈀電鍍之導束取代外裝焊接電鍍。該鎳．鈀電鍍與一般的密封材料之密接性低，實裝時界面容易產生剝離，樹脂部分容易產生破裂情形。
對該課題而言，對提高焊接耐熱性而言藉由使用低吸水性之環氧樹脂或硬化劑(例如參照專利文獻1、2、3)，採用可對應實裝溫度上昇情形。反之，該具低吸水．低彈性率之環氧樹脂組成物，會有交聯密度低、硬化後之成形物變軟、連續生產時產生對模具而言樹脂取出性等成形性的 缺點，致使生產性降低的問題。
另外，組合提高生產性時，提案有使用脫模效果高的脫模劑(例如參照專利文獻4)，必然有脫模效果高的脫模劑容易浮出成形品之表面，連續生產時會有使成形品之外觀顯著受到污染的缺點。提案添加具有特定構造之聚矽氧烷化合物作為成形品外觀優異的環氧樹脂組成物之方法等(例如參照專利文獻5,6)，於以脫模性不充分的連續成形中，由於氣體彎管部分附著有樹脂，導致氣體彎管阻塞，造成未填充等之成形缺點等，引起生產性降低的問題。藉由上述可知，要求對應焊接耐熱性、脫模性、連續成形性、成形品外觀、模具污染等全部課題之半導體密封用環氧樹脂組成物。
[專利文獻1]日本特開平9-3161號公報(第2~5頁)
[專利文獻2]日本特開平9-235353號公報(第2~7頁)
[專利文獻3]日本特開平11-140277號公報(第2~11頁)
[專利文獻4]日本特開2002-80695號公報(第2~5頁)
[專利文獻5]日本特開2002-97344號公報(第2~10頁)
[專利文獻6]日本特開2001-310930號公報(第2~8頁)
本發明係有鑑於上述情形者，其目的係提供一種具有優異的流動性、脫模性、連續成形性等特性之環氧樹脂組成物及使用它之耐回焊性優異的半導體裝置。
換言之，本發明係有關
[1]一種半導體密封用環氧樹脂組成物，其特徵為包含 (A)環氧樹脂、(B)苯酚樹脂、(C)硬化促進劑、(D)無機質填充材料、以及(E)具羧基之丁二烯．丙烯腈共聚物(e1)及/或具羧基之丁二烯．丙烯腈共聚物(e1)與環氧樹脂之反應生成物(e2)為必須成份，該(e1)成份在全部環氧樹脂組成物中含有0.01重量%以上1重量%以下之比例。
[2]如[1]記載之半導體密封用環氧樹脂組成物，其中該(A)環氧樹脂為至少含有一種選自聯苯型環氧樹脂(a1)及具有聯苯撐架構之苯酚芳烷基型環氧樹脂(a2)的環氧樹脂，且該(B)苯酚樹脂至少含有一種選自具有伸苯基架構之苯酚芳烷基型樹脂(b1)及具有聯苯撐架構之苯酚芳烷基型樹脂(b2)的苯酚樹脂。
[3]如[1]記載之半導體密封用環氧樹脂組成物，其中該(A)環氧樹脂包含聯苯型環氧樹脂(a1)，且該(B)苯酚樹脂包含具有伸苯基架構之苯酚芳烷基型樹脂(b1)。
[4]如[1]記載之半導體密封用環氧樹脂組成物，其中該(A)環氧樹脂包含聯苯撐型環氧樹脂(a2)，且該(B)苯酚樹脂包含具有聯苯撐架構之苯酚芳烷基型樹脂(b2)。
[5]如[1]~[4]中任一項記載之半導體密封用環氧樹脂組成物，其中該(e1)成份所含的鈉離子量為10ppm以下、氯離子量為450ppm以下。
[6]如[1]~[5]中任一項記載之半導體密封用環氧樹脂組成物，其中該具有羧基之丁二烯．丙烯腈共聚物(e1)為通式(1)所示之化合物，HOOC[(Bu) x (ACN) y ] z COOH (1) (於通式(1)中，Bu係為來自丁二烯之重複單位，ACN係為來自丙烯腈之重複單位，(Bu)與(ACN)之加成形式可以為嵌段，亦可以為無規，x為小於1之正數，y為小於1之正數，x+y=1，z為50~80之整數)。
[7]如[1]~[6]中任一項記載之半導體密封用環氧樹脂組成物，其中(F)包含具有羧基之有機基聚矽氧烷(f1)及/或具有羧基之有機基聚矽氧烷(f1)與環氧樹脂之反應生成物(f2)，在全部環氧樹脂組成物中(f1)成分含有0.01重量%以上3重量%以下之比例。
[8]如[7]記載之半導體密封用環氧樹脂組成物，其中該具有羧基之有機基聚矽氧烷(f1)為通式(2)所示的有機基聚矽氧烷， (於通式(2)中，R係為具有至少一個以上為羧基之碳數1~40之有機基，殘餘的基為選自氫、苯基、或甲基之基、可互為相同或不同，n之平均值為1~50之正數)。
[9]一種半導體裝置，其特徵為使用如[1]~[8]中任一項記載之環氧樹脂組成物使半導體元件密封所成。
本發明係藉由包含(A)環氧樹脂、(B)苯酚樹脂、(C)硬化促進劑、(D)無機質填充材料、以及(E)具羧基之丁二烯． 丙烯腈共聚物(e1)及/或具羧基之丁二烯．丙烯腈共聚物(e1)與環氧樹脂之反應生成物(e2)為必須成份，製得成形密封時之脫模性、連續成形性優異、且具有低應力性、耐回焊性優異的半導體密封用環氧樹脂組成物。
於下述中，詳細說明本發明。
本發明所使用的環氧樹脂(A)，有在分子中具有2個以上環氧基之單體、低聚物、聚合物全體，例如苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、雙酚型環氧樹脂、二苯乙烯型環氧樹脂、三苯酚甲烷型環氧樹脂、苯酚芳烷基型環氧樹脂、萘酚型環氧樹脂、烷基改質三苯酚甲烷型環氧樹脂、含有三核之環氧樹脂、二環戊二烯改質苯酚型環氧樹脂等，惟不受此等所限制。於此等之中，特別要求耐焊接性時，在常溫下為結晶性固體，惟在熔點以上形成極低黏度之液狀，可使無機質填充材料高填充化的聯苯型環氧樹脂、雙酚型環氧樹脂、二苯乙烯型環氧樹脂等較佳。其他環氧樹脂以使用極力黏度低者較佳。另外，為可撓性、低吸濕化時，以使用具有伸苯基架構或聯苯撐架構之苯酚芳烷基型環氧樹脂較佳。然而，藉由使用具有低黏度或可撓性之環氧樹脂，可使無機質填充材料高填充化，惟由於交聯密度變低時會有脫模性降低的問題，可藉由使用下述(E)成分以改善脫模性。
本發明所使用的苯酚樹脂(B)，有在分子中具有2個以上苯酚性羥基之單體、低聚物、聚合物全體，如苯酚酚醛清漆型樹脂、甲酚酚醛清漆型樹脂、三苯酚甲烷樹脂、萜 烯改質苯酚樹脂、二環戊二烯改質苯酚樹脂、具有伸苯基架構或聯苯撐架構之苯酚芳烷基樹脂、具有伸苯基架構或聯苯撐架構之萘酚芳烷基樹脂等，沒有受此等所限制。此等之苯酚樹脂可以單獨使用或2種以上併用。於此等之中，特別是要求耐焊接性時，與環氧樹脂相同地低黏度樹脂可使無機質填充材料之高填充化，另外，為可撓性、低吸濕化時，以使用具有伸苯基架構或聯苯撐架構之苯酚芳烷基樹脂較佳。具有低黏度或可撓性之苯酚樹脂，由於交聯密度變低時會有脫模性降低的問題，藉由使用下述之脫模劑，可改善脫模性。
本發明所使用的全部環氧樹脂之環氧基與全部苯酚樹脂之苯酚性羥基的當量比，以0.5以上2以下較佳、以0.7以上1.5以下更佳。藉由於上述範圍內，可控制耐濕性、硬化性等降低。
本發明所使用的硬化促進劑(C)，係指環氧樹脂中之環氧基與苯酚樹脂中之苯酚性羥基的硬化反應之觸媒所得者，例如三丁胺、1,8-二氮雜二環(5,4,0)十一烯-7等之胺系化合物、三苯基膦、四苯基鏻．四苯基硼酸鹽等之有機磷系化合物、2-甲基咪唑等之咪唑化合物等，惟不受此等所限制。另外，此等之硬化促進劑可以單獨或混合使用。
本發明所使用的無機質填充材料(D)，一般而言可使用使用於半導體密封用環氧樹脂組成物，沒有特別的限制，例如熔融二氧化矽、結晶二氧化矽、氧化鋁、氮化矽、氮化鋁等。無機質填充材料之配合量特別多時，一般使用熔 融二氧化矽。熔融二氧化矽可使用破碎狀、球狀中任何一種，惟為提高熔融二氧化矽之配合量、且為抑制環氧樹脂組成物之熔融黏度上昇時，以主要使用球狀者較佳。此外，為提高球狀二氧化矽之配合量時，以使球狀二氧化矽之粒度分布調整為更廣泛較佳。
於本發明中，(E)包含具有羧基之丁二烯．丙烯腈共聚物(e1)及/或具有羧基之丁二烯．丙烯腈共聚物(e1)與環氧樹脂之反應生成物(e2)，且上述(e1)成分在全部環氧樹脂組成物中必須含有0.01重量%以上1重量%以下之比例。上述具有羧基之丁二烯．丙烯腈共聚物(e1)，係為丁二烯與丙烯腈之共聚物，在樹脂組成物中配合(e1)及(e1)與環氧樹脂之反應生成物(e2)時，不僅可得優異的耐破裂性、且可提高脫模性。
上述具有羧基之丁二烯．丙烯腈共聚物(e1)，沒有特別的限制，以在該構造兩端具有羧基之化合物較佳，以通式(1)所示之化合物更佳。由於該羧基具有極性時，作為密封用環氧樹脂組成物之原料在環氧樹脂中所含的丁二烯．丙烯腈共聚物的分散性良好，可抑制模具表面之污染或成形品表面之污染，且可提高連續成形性。通式(1)之x係表示來自丁二烯之重複單位的含有莫耳分率，為小於1之正數，y係表示來自丙烯腈之重複單位的含有莫耳分率，為小於1之正數，x+y=1，z係為50~80之整數。此外，於本發明之樹脂組成物中，亦可使用作為(E)成分之全量或部分具有羧基的丁二烯．丙烯腈共聚物(e1)與環氧樹脂，藉 由硬化促進劑預先熔融．反應的反應生成物(e2)。此處所指的環氧樹脂係為在一分子中具有2個以上環氧基之單體、低聚物、聚合物全體，其分子量、分子構造沒有特別的限制，可使用與作為環氧樹脂(A)之上述者相同。而且，此處所指的硬化促進劑，只要是可促進具有羧基之丁二烯．丙烯腈共聚物中之羧基與環氧樹脂中之環氧基的硬化反應者即可，可使用與使用作為上述硬化促進劑(C)之硬化促進劑所例示者相同。本發明所使用的(e1)成分之配合量，必須為全部環氧樹脂組成物中之0.01重量%以上1重量%以下，以0.05重量%以上0.5重量%以下較佳，以0.1重量%以上0.3重量%以下更佳。藉由於上述範圍內，可抑制因流動性降低致使成形時產生填充不佳或因高黏度化產生金線變形等之缺點。
HOOC[(Bu) x (ACN) y ] z COOH (1)(於通式(1)中，Bu係為來自丁二烯之重複單位，ACN係為來自丙烯腈之重複單位，(Bu)與(ACN)之加成形式可以為嵌段，亦可以為無規，x為小於1之正數，y為小於1之正數，x+y=1，z為50~80之整數)。
本發明所使用的具有羧基之丁二烯．丙烯腈共聚物(e1)中，來自丙烯腈之重複單位的含有莫耳分率y以0.05以上0.30以下佳，以0.10以上0.25以下更佳。該y值會影響與環氧樹脂基質之相溶性，在上述範圍內時，可抑制引起羧基末端丁二烯．丙烯腈共聚物與環氧樹脂基質之相 分離，且引起模具污染或樹脂硬化外觀之惡化情形。另外，很少會引起因降低流動性產生成形時填充不佳等情形、因高黏度化導致半導體裝置內之金線變形等問題。
本發明所使用的具有羧基之丁二烯．丙烯腈共聚物(e1)之數量平均分子量，以2000以上5000以下較佳，以3000以上4000以下更佳。藉由上述範圍內，很少會引起因降低流動性產生成形時填充不佳等情形、因高黏度化導致半導體裝置內之金線變形等問題。
本發明所使用的具有羧基之丁二烯．丙烯腈共聚物(e1)之羧基當量以1200以上3000以下較佳，以1700以上2500以下更佳。藉由於上述範圍內，不會降低樹脂組成物成形時之流動性或脫模性，不易產生模具或成形品受到污染，可得特佳的連續成形性之效果。
本發明所使用的具有羧基之丁二烯．丙烯腈共聚物(e1)所含的鈉離子量為10ppm以下、氯離子量為450ppm以下較佳。鈉離子量及氯離子量可藉由下述方法求得。使具有羧基之丁二烯．丙烯腈共聚物(e1)乾式分解．灰化後予以酸溶解，以ICP發光分析法測定鈉離子量。而且，氯離子量以離子色層分析法測定。鈉離子量或氯離子量為上述範圍內時，藉由鈉離子或氯離子容易導致電路腐蝕情形，恐會引起半導體裝置之耐濕信賴性降低。
於本發明中，亦可使用(F)具有羧基之有機基聚矽氧烷(f1)及/或具有羧基之有機基聚矽氧烷(f1)與環氧樹脂之反應生成物(f2)。本發明可使用的具有羧基之有機基聚矽氧烷 (f1)，為在一分子中具有1個以上羧基之有機基聚矽氧烷。藉由使用上述(F)具有羧基之有機基聚矽氧烷(f1)與環氧樹脂的反應生成物(f2)，不會降低樹脂組成物成形時之流動性或脫模性，不易產生模具或成形品受到污染，可得特佳的連續成形性之效果。
本發明可使用的具有羧基之有機基聚矽氧烷(f1)，沒有特別的限制，以通式(2)所示之有機基聚矽氧烷較佳。通式(2)之式中R為有機基，全部有機基內至少一個以上為具有羧基之碳數1~40的有機基，殘餘的有機基為選自苯基、或甲基，可互相相同或不同。藉由具有羧基之有機基的碳數在上述範圍內，可抑制因與樹脂之相溶性降低導致的成形品外觀惡化的情形。而且，通式(2)中n之平均值為1~50之整數。藉由使n值在上述範圍內，可抑制因油單位之黏度變高導致流動性降低的情形。使用以通式(2)所示之有機基聚矽氧烷時，不會引起流動性降低，且成形品之外觀更佳。此外，藉由使用使全部或部分具有羧基之有機基聚矽氧烷(f1)與環氧樹脂藉由硬化促進劑預先熔融．反應的反應生成物(f2)，不易產生連續成型後之模具污染，連續成形性極佳。此處所指的硬化促進劑，只要是可促進有機基聚矽氧烷(f1)中之羧基與環氧樹脂中之環氧基硬化反應者即可，可使用與上述作為硬化促進劑(C)使用的硬化促進劑所例示者相同。而且，以通式(2)所示之有機基聚矽氧烷中具有羧基之有機基的碳數，係指有機基中之烴基與羧基的碳數合計者。
(於通式(2)中，R係為具有至少一個以上為羧基之碳數1~40的有機基，殘餘的基為選自氫、苯基、或甲基之基、可互為相同或不同，n之平均值為1~50之正數)。
本發明可使用的(f1)成分之配合量，在全部環氧樹脂組成物中以0.01重量%以上3重量%以下較佳。藉由使配合量在上述範圍，可抑制因脫模劑或過多的有機基聚矽氧烷(f1)致使成形品外觀受到污染，可得良好的連續成形性。
此外，於本發明中，在不會損害添加(F)具有羧基之有機基聚矽氧烷(f1)及/或具有羧基之有機基聚矽氧烷(f1)與環氧樹脂的反應生成物(f2)之效果的範圍內，可併用其他有機基聚矽氧烷。
本發明之環氧樹脂組成物中除(A)~(F)成分以外，視其所需可適當配合溴化環氧樹脂、三氧化銻、磷化合物、金屬氧化物等之難燃劑、γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷等之偶合劑、碳黑、氧化鐵紅等之著色劑、巴西蠟等之天然蠟、聚乙烯蠟等之合成蠟、硬脂酸或硬脂酸鋅等之高級脂肪酸及其金屬鹽類或石蠟等之脫模劑、氧化鉍水合物等之抗氧化劑等各種添加劑。另外、視其所需亦可使用預先使無機質填充材料以偶合劑或環氧樹脂或苯酚樹脂表面處理，表面處理方法有使用溶劑混合後除去溶劑的方法、或 直接添加於無機質填充材料中且使用混合機處理的方法等。
本發明之環氧樹脂組成物，係使(A)~(F)成分及其他添加劑使用混合機等混合後，使用加熱混練機、熱輥、押出機等加熱混練，然後冷卻、粉碎而製得。
使用本發明之環氧樹脂組成物使半導體元件等之電子構件密封，製造半導體裝置時，可以傳送模塑、複合式模塑、噴射模塑等之習知成形方法硬化成形。
實施例
下述為本發明之實施例，惟本發明不受此等所限制。配合比例為重量份。
實施例1
E-1：以式(3)所示環氧樹脂[日本化藥(股)製、NC3000P、軟化點58℃、環氧當量274] 8.07重量份
H-1：以式(4)所示之苯酚樹脂[明成化成(股)製、MEH-7851SS、軟化點107℃、羥基當量203] 5.98重量份
1.8-二氮雜二環(5,4,0)十一烯-7(以下稱為DBU) 0.15重量份
熔融球狀二氧化矽(平均粒徑21μm) 85.00重量份
丁二烯．丙烯腈共聚物1[宇部興產(股)製、HYCAR CTBN 1008-SP、[於通式(1)中，x=0.82、y=0.18、z之平均值為62、數量平均分子量3550、羧基當量2200g/eq、鈉離子量5ppm、氯離子量200ppm 0.20重量份
偶合劑(γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷) 0.20重量份
碳黑 0.20重量份
巴西蠟 0.20重量份混合，使用熱輥，在95℃下混練8分鐘，冷卻後予以粉碎，製得環氧樹脂組成物。使所得的環氧樹脂組成物，以下述方法評估。結果如表1所示。
評估方法
螺旋型流動：使用低壓傳送成形機，在以EMMI-1-66為基準的螺旋型流動測定用模具中，於模具溫度175℃，注入壓力6.9MPa，硬化時間120秒之條件下注入環氧樹脂組成物，測定流動長度。單位為cm。判斷基準係小於100cm 時為不合格(×)，100cm以上時為合格(○)。
連續成形性：使用低壓傳送自動成形機，於模具溫度175℃，注入壓力9.6MPa，硬化時間70秒之條件下，連續成形80pQFP(Cu導束、封裝外寸：14mm×20mm×2mm厚度、護墊尺寸：6.5mm×6.5mm、晶片尺寸6.0mm×6.0mm)至注入700次。判斷基準係完全沒有未填充的問題、直至700次注入仍可連續成形者為◎，完全沒有未填充的問題、至500次注入仍可連續成形者為○，至500次產生未填充者為×。
成形品外觀及模具污染：於上述連續成形中有關經過500次注入及700次注入後之封裝及模具，以目視評估污染。封裝外觀及模具污染之判斷基準，判斷基準係直至700次注入仍沒有污染者為◎、至500次注入仍沒有污染者為○、直至500次產生污染者為×。
金線變形：使用低壓傳送成形機，於模具溫度175℃，注入壓力9.3MPa，硬化時間120秒、160pQFP(PPF導束、封裝尺吋：24mm×24mm×1.4mm厚度、晶片尺寸：7.0mm×7.0mm、金線粗度：25μm、金線長度：3mm)成形。以軟X線透視裝置觀察封裝成形的160pQFP封裝，以(流動量)/(金線長度)之比例求得金線之變形率。判斷基準係變形率4%以下者為○、變形率大於4%時為×。
焊接耐熱性：於上述連續成形性之評估中，使成形的封裝在175℃下後硬化8小時，且在85℃、相對溼度85%下加濕處理168小時後，在260℃之焊接槽中使封裝浸漬10 秒鐘。以顯微鏡觀察封裝，求得破裂發生率[(破裂發生率)=(發生外部破裂之封裝數)/(全部封裝數)×100]。單位為%。評估的封裝數為10個。另外，半導體元件與環氧樹脂組成物之硬化物的界面之密接狀態藉由超音波探傷裝置觀察。評估的封裝數為10個。耐焊接破裂性判斷基準，破裂發生率為0%、且沒有剝離：○，破裂且剝離產生者為×。
實施例2~13、比較例1~3
如表1、表2及表3所示之配合，與實施例1相同地製得環氧樹脂組成物，與實施例1相同地評估。結果如表1、表2及表3所示。
除實施例1外所使用的原材料如下所述。
E-2：以式(5)所示聯苯型環氧樹脂[日本環氧樹脂(股)製、YX-4000、環氧當量185g/eq、熔點105℃]
H-2：以式(6)所示對苯二甲基改質酚醛清漆型苯酚樹脂[三井化學(股)製、XLC-4L、羥基當量168g/eq、軟化點62℃]
熔融反應物A：雙酚A型環氧樹脂[日本環氧樹脂、YL-6810、環氧當量170g/eq、熔點47℃]66.1重量份，在140℃下加溫熔融，添加33.1重量份丁二烯．丙烯腈共聚物1[宇部興產(股)製、HYCAR CTBN 1008-SP]及0.8重量份三苯基膦，熔融混合30分鐘，製得熔融反應物A。
丁二烯．丙烯腈共聚物2：通式(1)之丁二烯．丙烯腈共聚物[於通式(1)中，x=0.82、y=0.18、z之平均值為62、數量平均分子量3550、羧基當量2200g/eq、鈉離子量5ppm、氯離子量200ppm]
丁二烯．丙烯腈共聚物3：通式(1)之丁二烯．丙烯腈共聚物[於通式(1)中，x=0.82、y=0.18、z之平均值為62、數量平均分子量3550、羧基當量2200g/eq、鈉離子量500ppm、氯離子量1500ppm]
丁二烯．丙烯腈共聚物4：通式(1)之丁二烯．丙烯腈共聚物[於通式(1)中，x=0.82、y=0.18、z之平均值為62、數量平均分子量3550、羧基當量2200g/eq、鈉離子量5ppm、氯離子量200ppm]
有機基聚矽氧烷1：以式(7)所示之有機基聚矽氧烷
有機基聚矽氧烷2：以式(8)所示之有機基聚矽氧烷
有機基聚矽氧烷3：以式(9)所示之有機基聚矽氧烷
有機基聚矽氧烷4：以式(10)所示之有機基聚矽氧烷
熔融反應物B：使66.1重量份雙酚A型環氧樹脂[日本環氧樹脂製，YL-6810，環氧當量170g/eq，熔點47℃]在140℃加熱熔融，添加33.1重量份有機基聚矽氧烷3[以式(9)所示之有機基聚矽氧烷]及0.8重量份三苯基膦，熔融混合30分鐘，製得熔融反應物B。
產業上之利用價值
本發明之環氧樹脂組成物，由於具有優異的低濕性、低應力性，使用它使半導體元件成形密封時之脫模性、連續成形性優異，且與導束、特別是施予電鍍之銅導束(鍍銀導束、鍍鎳導束、於鎳/鈀合金上施有鍍金之預塗覆束等)之密接性優異，可製得耐焊接回流性優異的半導體裝置，可適合使用於無鉛焊接進行表面實裝之導體裝置。

Claims (10)

  1. 一種半導體密封用環氧樹脂組成物，其特徵為包含(A)環氧樹脂、(B)苯酚樹脂、(C)硬化促進劑、(D)無機質填充材料、以及(E)具羧基之丁二烯．丙烯腈共聚物(e1)及/或具羧基之丁二烯．丙烯腈共聚物(e1)與環氧樹脂之反應生成物(e2)為必須成份，成份(E)之數量平均分子量係2000以上5000以下，全部環氧樹脂之環氧基與全部苯酚樹脂之苯酚性羥基的當量比係0.5以上2以下，成份(D)在全部環氧樹脂組成物中含有80重量%以上90重量%以下之比例，該(e1)成份在全部環氧樹脂組成物中含有0.01重量%以上1重量%以下之比例。
  2. 如申請專利範圍第1項之半導體密封用環氧樹脂組成物，其中該(A)環氧樹脂為含有至少一種選自聯苯型環氧樹脂(a1)與具有聯苯撐(biphenylene)架構之苯酚芳烷基型環氧樹脂(a2)之環氧樹脂，且該(B)苯酚樹脂為含有至少一種選自具有伸苯基架構之苯酚芳烷基型樹脂(b1)與具有聯苯撐架構之苯酚芳烷基型樹脂(b2)的苯酚樹脂。
  3. 如申請專利範圍第1項之半導體密封用環氧樹脂組成物，其中該(A)環氧樹脂包含聯苯型環氧樹脂(a1)，且該(B)苯酚樹脂包含具有伸苯基架構之苯酚芳烷基型樹脂(b1)。
  4. 如申請專利範圍第1項之半導體密封用環氧樹脂組成物，其中該(A)環氧樹脂包含具有聯苯撐架構之苯酚芳烷基型環氧樹脂(a2)，且該(B)苯酚樹脂包含具有聯苯撐架構之苯酚芳烷基型樹脂(b2)。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之半導體密封用環氧樹脂組成物，其中該(e1)成份所含的鈉離子量為10ppm以下、氯離子量為450ppm以下。
  6. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之半導體密封用環氧樹脂組成物，其中該具有羧基之丁二烯．丙烯腈共聚物(e1)為通式(1)所示之化合物，HOOC[(Bu) x (ACN) y ] z COOH (1)(於通式(1)中，Bu係為來自丁二烯之重複單位，ACN係為來自丙烯腈之重複單位，(Bu)與(ACN)之加成形式可以為嵌段，亦可以為無規，x為小於1之正數，y為小於1之正數，x+y=1，z為50~80之整數)。
  7. 如申請專利範圍第5項之半導體密封用環氧樹脂組成物，其中該具有羧基之丁二烯．丙烯腈共聚物(e1)為通式(1)所示之化合物，HOOC[(Bu) x (ACN) y ] z COOH (1)(於通式(1)中，Bu係為來自丁二烯之重複單位，ACN係為來自丙烯腈之重複單位，(Bu)與(ACN)之加成形式可以為嵌段，亦可以為無規，x為小於1之正數，y為小於1之正數，x+y=1，z為50~80之整數)。
  8. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之半導體密封用環氧樹脂組成物，其中包含(F)具有羧基之有機基聚矽氧烷(f1)及/或具有羧基之有機基聚矽氧烷(f1)與環氧樹脂之反應生成物(f2)，在全部環氧樹脂組成物中(f1)成分含有0.01重量%以上3重量%以下之比例。
  9. 如申請專利範圍第8項之半導體密封用環氧樹脂組成物，其中該具有羧基之有機基聚矽氧烷(f1)為通式(2)所示的有機基聚矽氧烷， (於通式(2)中，R係為具有至少一個以上為羧基之碳數1~40之有機基，殘餘的基為選自氫、苯基、或甲基之基，可互為相同或不同，n係平均值為1~50之正數)。
  10. 一種半導體裝置，其特徵為使用如申請專利範圍第1至9項中任一項之環氧樹脂組成物使半導體元件密封而成。
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