TWI723211B - 熱硬化性樹脂組成物、樹脂密封基板及電子裝置 - Google Patents

熱硬化性樹脂組成物、樹脂密封基板及電子裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI723211B
TWI723211B TW106129450A TW106129450A TWI723211B TW I723211 B TWI723211 B TW I723211B TW 106129450 A TW106129450 A TW 106129450A TW 106129450 A TW106129450 A TW 106129450A TW I723211 B TWI723211 B TW I723211B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
thermosetting resin
resin composition
heat treatment
cured product
hours
Prior art date
Application number
TW106129450A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201827206A (zh
Inventor
篠裕樹
牧原康二
Original Assignee
日商住友電木股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商住友電木股份有限公司 filed Critical 日商住友電木股份有限公司
Publication of TW201827206A publication Critical patent/TW201827206A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI723211B publication Critical patent/TWI723211B/zh

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
    • H01L23/145—Organic substrates, e.g. plastic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/40—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the curing agents used
    • C08G59/62—Alcohols or phenols
    • C08G59/621—Phenols
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J3/00—Processes of treating or compounding macromolecular substances
    • C08J3/12—Powdering or granulating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
    • C08J5/18—Manufacture of films or sheets
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/01—Use of inorganic substances as compounding ingredients characterized by their specific function
    • C08K3/013—Fillers, pigments or reinforcing additives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K7/00—Use of ingredients characterised by shape
    • C08K7/16—Solid spheres
    • C08K7/18—Solid spheres inorganic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
    • H01L23/147—Semiconductor insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49866—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers characterised by the materials
    • H01L23/49894—Materials of the insulating layers or coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Abstract

本發明的熱硬化性樹脂組成物用於樹脂密封基板的形成，其滿足以下的條件1。(條件1)藉由轉注成形(175℃、120秒)獲得前述熱硬化性樹脂組成物的硬化物之後，對前述硬化物實施了第1熱處理(175℃、4小時)之前述硬化物相對於模具尺寸於25℃之收縮率設為S1(%)，進一步對前述硬化物以第2熱處理(將達到190℃時的時間設為t1，並將從該190℃升溫至233±3℃之後降溫至190℃時的時間設為t2時，t2-t1滿足100±50秒)、第3熱處理(125℃、2小時)、第4熱處理(175℃、6小時)的順序實施處理時的前述硬化物相對於模具尺寸於25℃之收縮率設為S4(%)時，滿足下式：

Description

熱硬化性樹脂組成物、樹脂密封基板及電子裝置
本發明係關於一種熱硬化性樹脂組成物、樹脂密封基板及電子裝置。
隨著近年來電子設備的小型化及高性能化，電子零件的高密度積體化、進而高密度安裝化逐漸發展。隨之，對於搭載上述電子零件之半導體封裝的配線基板，比以往更要求薄型化、高密度配線化及多端子化、以及製造成本的降低。
以往，作為上述半導體封裝的配線基板，可以舉出具有芯層(core layer)之增建(build-up)基板。而且，在上述具有芯層之增建基板的代表性製造程序中，藉由增建工法在芯層的兩面形成多層配線(例如，專利文獻1等)。
專利文獻1：日本特開2011-114294號公報
如上述背景技術項中所述，在先前的配線基板的製造程序中，亦為了實現薄型化、高密度配線化及多端子化、以及製造成本的降低而進行了各種研究。然而，近年對配線基板所要求之技術水準逐漸提高， 其中，因使用配線基板來裝配半導體封裝之製程的熱歷程，基板的尺寸發生變化，藉此裝配製程中產生不良情況，這成為了課題。
本發明人對上述課題進行了深入研究，其結果為，著眼於樹脂硬化物的收縮率時，發現了該種收縮率因熱歷程而發生變動。因此，僅使用收縮率低的熱硬化性樹脂組成物，有時由之後的熱歷程引起之收縮率的變動變大，有時反而會發生位置偏移和基板的翹曲。而且，本發明人進一步進行了研究之結果，判明了藉由使用既定的熱處理條件下之熱收縮率在既定的範圍內之熱硬化性樹脂組成物，能夠有效地減少半導體裝置中之位置偏移，並完成了本發明。
依本發明，可提供一種熱硬化性樹脂組成物，其用於樹脂密封基板的形成，滿足以下的條件1。
(條件1)
藉由轉注成形(175℃、120秒)獲得前述熱硬化性樹脂組成物的硬化物之後，對前述硬化物實施了第1熱處理(175℃、4小時)之前述硬化物相對於模具尺寸於25℃之收縮率設為S1(%)，進一步對前述硬化物以第2熱處理(將達到190℃時的時間設為t1，並將從該190℃升溫至233±3℃之後降溫至190℃時的時間設為t2時，t2-t1滿足100±50秒)、第3熱處理(125℃、2小時)、第4熱處理(175℃、6小時)的順序實施了處理時的前述硬化物相對於模具尺寸於25℃之收縮率設為S4(%)時，滿足下式。
Figure 106129450-A0202-12-0002-2
並且，依本發明，可提供一種熱硬化性樹脂組成物，其用於 樹脂密封基板的形成，滿足以下的條件2。
(條件2)
藉由轉注成形(175℃、120秒)獲得前述熱硬化性樹脂組成物的硬化物之後，對所獲得之前述硬化物以第1熱處理(175℃、4小時)、第2熱處理(將達到190℃時的時間設為t1，並將從該190℃升溫至233±3℃之後降溫至190℃時的時間設為t2時，t2-t1滿足100±50秒)、第3熱處理(125℃、2小時)、第4熱處理(175℃、6小時)的順序實施處理，進行了第n熱處理之後的前述硬化物相對於模具尺寸於25℃之收縮率設為Sn(%)時，滿足下式。
Figure 106129450-A0202-12-0003-3
並且，依本發明，可提供一種樹脂密封基板，其具備上述熱硬化性樹脂組成物的硬化物。
並且，依本發明，可提供一種電子裝置，其具備：上述樹脂密封基板；及搭載於前述樹脂密封基板之電子零件。
依本發明，可提供一種能夠抑制由熱歷程引起之位置偏移之熱硬化性樹脂組成物及使用了該熱硬化性樹脂組成物之樹脂密封基板以及電子裝置。
100‧‧‧電子裝置
110‧‧‧樹脂密封基板
112‧‧‧絕緣層
114‧‧‧上表面
120‧‧‧通路配線
130‧‧‧金屬層
140‧‧‧半導體元件
150‧‧‧焊線
160‧‧‧黏接層
170‧‧‧密封材料層
200‧‧‧電子裝置
210‧‧‧支持基材
212‧‧‧載體箔
220‧‧‧金屬層
222‧‧‧通路配線
224‧‧‧絕緣層
226‧‧‧上表面
230‧‧‧金屬層
234‧‧‧絕緣層
236‧‧‧上表面
240‧‧‧金屬層
246‧‧‧上表面
250‧‧‧樹脂密封基板
260‧‧‧半導體元件
270‧‧‧密封材料層
280‧‧‧焊錫凸塊
300‧‧‧樹脂密封基板
310、320‧‧‧半導體元件搭載區
501‧‧‧漏斗
502‧‧‧顆粒狀的熱硬化性樹脂組成物
503‧‧‧砝碼
504‧‧‧顆粒體
505‧‧‧水平板
506‧‧‧台座
507‧‧‧顆粒體
601‧‧‧轉子
602‧‧‧圓筒狀外周部
603‧‧‧磁性材料
604‧‧‧勵磁線圈
605‧‧‧雙重管式圓筒體
606‧‧‧交流電源產生裝置
607‧‧‧冷卻套
608‧‧‧外槽
609‧‧‧雙軸擠出機
610‧‧‧馬達
圖1係表示本實施形態之電子裝置的構成的一例之剖面圖。
圖2係表示本實施形態之電子裝置的製造製程的一例之製程剖面圖。
圖3係表示本實施形態之樹脂密封基板的構成之俯視圖。
圖4係表示獲得顆粒狀的熱硬化性樹脂組成物之方法之一例的概略圖。
以下，使用圖式對本發明的實施形態進行說明。另外，在所有圖式中，對相同的構成要件標註相同的符號，並適當省略說明。
首先，對本實施形態的熱硬化性樹脂組成物的成分進行說明。
(熱硬化性樹脂)
本實施形態的熱硬化性樹脂組成物能夠含有熱硬化性樹脂。
上述熱硬化性樹脂並沒有特別限定，例如可以含有環氧樹脂。
作為上述環氧樹脂並沒有特別限定，例如可以使用在1個分子內具有2個以上環氧基之單體、寡聚物、聚合物全部。
作為該種環氧樹脂的具體例，例如可以舉出聯苯型環氧樹脂；雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、四甲基雙酚F型環氧樹脂、雙酚E型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、氫化雙酚A型環氧樹脂、雙酚M型環氧樹脂(4,4’-(1,3-伸苯基二亞異丙基(phenylenediisopylidene))雙酚型環氧樹脂)、雙酚P型環氧樹脂(4,4’-(1,4-伸苯基二亞異丙基)雙酚型環氧樹脂)、雙酚Z型環氧樹脂(4,4’-環己二烯雙酚型環氧樹脂)等雙酚型環氧樹脂；二苯乙烯(stilbene)型環氧樹脂；苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、溴化苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、具有縮環芳香族烴結構之酚醛清漆型環氧樹脂等酚醛清漆型環氧樹脂；三羥基苯基甲烷型環氧樹脂、烷基改質三羥基苯基甲烷(trihydroxyphenylmethane)型環氧樹脂、四酚基乙烷(tetraphenylolethane)型環氧樹脂等多官能環氧樹脂；含有伸苯基 骨架之苯酚芳烷基型環氧樹脂、含有伸聯苯基(biphenylene)骨架之苯酚芳烷基型環氧樹脂等苯酚芳烷基型環氧樹脂；二羥基萘型環氧樹脂、萘二酚(naphthalene diol)型環氧樹脂、將羥基萘及/或二羥基萘的二聚體進行環氧丙基醚(diglycidyl ether)化而獲得之2官能至4官能的萘二聚體型環氧樹脂、聯萘型環氧樹脂、萘酚芳烷基型環氧樹脂等具有萘骨架之環氧樹脂；蒽型環氧樹脂；苯氧基型環氧樹脂；二環戊二烯改質酚型環氧樹脂等橋環狀烴化合物改質酚型環氧樹脂；降莰烯型環氧樹脂；金剛烷型環氧樹脂；茀型環氧樹脂、含磷環氧樹脂、脂環式環氧樹脂、脂肪族鏈狀環氧樹脂、雙酚A酚醛清漆型環氧樹脂、聯二甲酚型環氧樹脂；異氰脲酸三環氧丙酯、異氰脲酸單烯丙基二環氧丙酯等雜環式環氧樹脂；N，N，N'，N'-四環氧丙基間二甲苯二胺、N，N，N'，N'-四環氧丙基雙胺基甲基環己烷、N,N-二環氧丙基苯胺等環氧丙基胺類；(甲基)丙烯酸環氧丙酯與具有乙烯性不飽和雙鍵之化合物的共聚物；具有丁二烯結構之環氧樹脂等。
該等可以單獨使用1種，亦可以將2種以上組合使用。其中，從半導體封裝的低線膨脹化及高彈性模數化、抑制位置偏移之觀點考慮，較佳為三羥基苯基甲烷型環氧樹脂等多官能環氧樹脂及聯苯型環氧樹脂。藉此，能夠提高半導體裝置的耐回焊性，能夠有效地抑制半導體封裝的位置偏移。
本實施形態中，上述熱硬化性樹脂的含量的下限值相對於熱硬化性樹脂組成物整體，較佳為3質量%以上，更佳為5質量%以上。藉此，能夠提高成形時之流動性，並提高填充性和成形穩定性。其結果，能夠抑制位置偏移。
另一方面，上述熱硬化性樹脂的含量的上限值相對於熱硬化性樹脂組 成物整體，較佳為30質量%以下，更佳為25質量%以下。藉此，能夠提高半導體裝置的耐濕可靠性和耐回焊性，並減少基板的翹曲。
(硬化劑)
本實施形態的熱硬化性樹脂組成物可以含有硬化劑。
上述硬化劑只要係與環氧樹脂等熱硬化性樹脂反應之化合物，則並沒有特別限定。
作為上述硬化劑，例如可以舉出乙二胺、三亞甲基二胺、四亞甲基二胺、六亞甲基二胺等碳數2~20的直鏈脂肪族二胺、間苯二胺、對苯二胺、對二甲苯二胺、4,4’-二胺基二苯基甲烷、4,4’-二胺基二苯基丙烷、4,4’-二胺基二苯基醚、4,4’-二胺基二苯基碸、4,4’-二胺基二環己烷、雙(4-胺基苯基)苯基甲烷、1,5-二胺基萘、間二甲苯二胺、1,1-雙(4-胺基苯基)環己烷、二氰二胺(dicyanodiamide)等胺基類；苯胺改質可溶酚醛樹脂或二甲醚可溶酚醛樹脂等可溶酚醛型酚樹脂；苯酚酚醛清漆樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、第三丁基苯酚酚醛清漆樹脂、壬基苯酚酚醛清漆樹脂等酚醛清漆型酚樹脂；三羥基苯基甲烷型酚樹脂等多官能型酚樹脂；含有伸苯基骨架之苯酚芳烷基樹脂、含有伸聯苯基骨架之苯酚芳烷基樹脂等苯酚芳烷基樹脂；具有如萘骨架或蒽骨架之類的縮合多環結構之酚樹脂；聚對羥基苯乙烯(polyparaoxy styrene)等聚羥基苯乙烯(polyoxy styrene)；包括六氫鄰苯二甲酸酐(HHPA)、甲基四氫鄰苯二甲酸酐(MTHPA)等脂環族酸酐、1,2,4-苯三甲酸酐(TMA)、1,2,4,5-苯四甲酸酐(PMDA)、二苯甲酮四羧酸(BTDA)等芳香族酸酐等之酸酐等；多硫化物、硫酯、硫醚等多硫醇化合物；異氰酸酯預聚物、嵌段化異氰酸酯等異氰酸酯化合物；含有羧酸之聚 酯樹脂等有機酸類等。該等可以單獨使用1種，亦可以將2種以上組合使用。
其中，作為硬化劑，從耐濕性、可靠性等觀點考慮，較佳為在1個分子內具有至少2個酚性羥基之化合物，更佳為苯酚酚醛清漆樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、第三丁基苯酚酚醛清漆樹脂、壬基苯酚酚醛清漆樹脂、矽改質苯酚酚醛清漆樹脂等酚醛清漆型酚樹脂；可溶酚醛型酚樹脂；聚對羥基苯乙烯等聚羥基苯乙烯；含有伸苯基骨架之苯酚芳烷基樹脂、含有伸聯苯基骨架之苯酚芳烷基樹脂或三羥基苯基甲烷型酚樹脂等多官能環氧樹脂。其中，從熱硬化性樹脂組成物的硬化物的耐熱性和抑制位置偏移之觀點考慮，較佳為使用多官能環氧樹脂，更佳為使用三羥基苯基甲烷型酚樹脂。
本實施形態中，硬化劑的含量的下限值並沒有特別限定，但相對於熱硬化性樹脂組成物整體，較佳為1.0質量%以上，更佳為2.0質量%以上，進而較佳為3.0質量%以上。藉此，成形時能夠實現優異之流動性，並提高填充性和成形性，能夠有效地抑制位置偏移。
另一方面，上述硬化劑的含量的上限值並沒有特別限定，但相對於熱硬化性樹脂組成物整體，較佳為9質量%以下，更佳為8質量%以下，進而較佳為7質量%以下。藉此，能夠提高半導體裝置的耐濕可靠性和耐回焊性。
(無機填充材)
本實施形態的熱硬化性樹脂組成物能夠含有無機填充材。
作為上述無機填充材，例如可以舉出熔融破碎二氧化矽、熔融球狀二氧化矽、結晶二氧化矽、二次凝聚二氧化矽等二氧化矽；氧化鋁； 鈦白；氫氧化鋁；滑石；黏土；雲母；玻璃纖維等。該等可以單獨使用1種，亦可以將2種以上組合使用。
其中，較佳為熔融球狀二氧化矽。並且，二氧化矽的粒子形狀較佳為盡可能為圓球狀。
從模具填充性的觀點考慮，上述無機填充材的平均粒徑d50的上限值較佳為5μm以下，更佳為4.5μm以下，進而較佳為4μm以下。藉此，能夠有效地抑制位置偏移。
另一方面，上述無機填充材的平均粒徑d50的下限值並沒有特別限定，但較佳為0.01μm以上。
本實施形態中，無機填充材的平均粒徑d50例如能夠使用雷射繞射式粒度分佈測量裝置(HORIBA,Ltd.製，LA-500)進行測量。
本實施形態中，無機填充材的含量的下限值相對於熱硬化性樹脂組成物整體，較佳為70質量%以上，更佳為75質量%以上，進而較佳為80質量%以上。藉此，能夠提高熱硬化性樹脂組成物的硬化物的低吸濕性及低熱膨脹性，並有效地抑制位置偏移。
另一方面，上述無機填充材的含量的上限值並沒有特別限定，但相對於熱硬化性樹脂組成物整體，較佳為95質量%以下，更佳為93質量%以下，進而較佳為90質量%以下。藉此，能夠更有效地提高熱硬化性樹脂組成物在成形時之流動性和填充性。
本實施形態的熱硬化性樹脂組成物能夠含有矽油。
上述矽油例如能夠使用在分子中具有聚醚基之化合物。作為該種矽油，能夠使用下述通式(1)所表示之矽油。可以將該等單獨使用， 亦可以將2種以上組合使用。
Figure 106129450-A0202-12-0009-4
(其中，上述通式(1)中，R1為選自碳數1至12的烷基、芳基、芳烷基中之有機基，可以彼此相同亦可以不同。R2表示碳數1至9的伸烷基。R3為氫原子或碳數1至9的烷基。A為由選自碳、氮、氧、硫、氫中之原子構成之基。R4為選自碳數1至12的烷基、芳基、芳烷基中之有機基、或由選自碳、氮、氧、硫、氫中之原子構成之基，可以彼此相同亦可以不同。並且，關於平均值之l、m、n、a及b，具有以下關係。l
Figure 106129450-A0202-12-0009-18
0、m
Figure 106129450-A0202-12-0009-19
0、n
Figure 106129450-A0202-12-0009-20
1、l+m+n
Figure 106129450-A0202-12-0009-21
5、0.02
Figure 106129450-A0202-12-0009-22
n/(l+m+n)
Figure 106129450-A0202-12-0009-23
0.8、a
Figure 106129450-A0202-12-0009-24
0、b
Figure 106129450-A0202-12-0009-25
0、a+b
Figure 106129450-A0202-12-0009-26
1)
上述通式(1)所表示之矽油中之含有聚醚基之單元的重複數(n)相對於上述通式(1)所表示之矽油的聚合度(l+m+n)，較佳為0.02以上且0.8以下的範圍。若含有聚醚基之單元的重複數(n)的比例在上述範圍內，則矽油與樹脂成分的相容性成為適當的狀態，藉此呈現界面活性作用，可獲得樹脂成分的均勻化的效果。並且，若含有聚醚基之單元的重複數(n)的比例在上述範圍內，則能夠抑制由過剩的聚醚基的存在而引起之樹脂組成物的吸濕量的增大，並能夠抑制其所伴隨之焊錫耐熱性的下降。
本實施形態的矽油在平均聚合度方面並沒有特別限制，為了賦予與環氧樹脂、酚樹脂、無機填充材之親和性，除了甲基、苯基以外可 以具有含有C、O、N、S原子等之有機基。
例如，上述通式(1)所表示之矽油在分子中除了聚醚基以外可以具有由選自碳、氮、氧、硫、氫原子中之原子構成之各種基。作為該等基，例如可以舉出環氧基、羥基、胺基、脲基、具有與環氧樹脂和硬化劑之反應性之官能基、和芳基等。
本實施形態中，矽油的含量的下限值並沒有特別限定，但相對於熱硬化性樹脂組成物整體，較佳為0.05質量%以上，更佳為0.08質量%以上，進而較佳為0.1質量%以上。藉此，矽油能夠滲出(bleed)至熱硬化性樹脂組成物的硬化物的界面，能夠使該界面的潤濕性變為最佳。
另一方面，矽油的含量的上限值並沒有特別限定，但相對於熱硬化性樹脂組成物整體，較佳為1質量%以下，更佳為0.5質量%以下。藉此，能夠適當地控制矽油的滲出量，因此能夠抑制熱硬化性樹脂組成物的硬化物的成形性的下降。
本實施形態的熱硬化性樹脂組成物可以含有氰酸酯樹脂。
藉此，對於熱硬化性樹脂組成物的硬化物，能夠實現低線膨脹化和彈性模數及剛性的提高。並且，能夠提高半導體裝置的耐熱性和耐濕性。
上述氰酸酯樹脂例如能夠包含選自以下中之一種或兩種以上：酚醛清漆型氰酸酯樹脂；雙酚A型氰酸酯樹脂、雙酚E型氰酸酯樹脂、四甲基雙酚F型氰酸酯樹脂等雙酚型氰酸酯樹脂；藉由萘酚芳烷基型酚樹脂與鹵化氰的反應而獲得之萘酚芳烷基型氰酸酯樹脂；二環戊二烯型氰酸酯樹脂；含有伸聯苯基骨架之苯酚芳烷基型氰酸酯樹脂。在該等之中，從低線膨脹化和提高彈性模數及剛性之觀點考慮，較佳包含酚醛清漆型氰酸 酯樹脂及萘酚芳烷基型氰酸酯樹脂中的至少一者，更佳包含酚醛清漆型氰酸酯樹脂。
上述氰酸酯樹脂的含量的下限值相對於熱硬化性樹脂組成物整體，較佳為3質量%以上，更佳為5質量%以上。藉此，能夠實現熱硬化性樹脂組成物的硬化物的低線膨脹化和高彈性模數化。
另一方面，上述氰酸酯樹脂的含量的上限值相對於熱硬化性樹脂組成物整體，較佳為30質量%以下，更佳為20質量%以下。藉此，能夠實現熱硬化性樹脂組成物的硬化物的耐熱性和耐濕性的提高。
(硬化促進劑)
本實施形態的熱硬化性樹脂組成物可以含有硬化促進劑。
上述硬化促進劑例如只要係促進環氧樹脂的環氧基與硬化劑的硬化反應者，則並沒有特別限定。
作為上述硬化促進劑，例如能夠舉出選自以下中之1種或2種以上：有機膦、四取代鏻化合物、磷酸甜菜鹼化合物、膦化合物與醌化合物的加成物、鏻化合物與矽烷化合物的加成物等含有磷原子之化合物；可以例示出1,8-二吖雙環[5.4.0]十一碳烯-7、苄基二甲基胺、2-甲基咪唑等之脒(amidine)或三級胺、前述脒或胺的四級鹽(quaternary salt)等含有氮原子之化合物。在該等之中，從提高硬化性之觀點考慮，較佳包含含有磷原子之化合物。另一方面，從提高成形性與硬化性的平衡之觀點考慮，較佳包含四取代鏻化合物、磷酸甜菜鹼化合物、膦化合物與醌化合物的加成物、鏻化合物與矽烷化合物的加成物等具有潛伏性者。該等可以單獨使用1種，亦可以將2種以上組合使用。
並且，作為有機膦，例如可以舉出乙基膦、苯基膦等一級膦；二甲基膦、二苯基膦等二級膦；三甲基膦、三乙基膦、三丁基膦、三苯基膦等三級膦。
作更佳者，可以舉出具有熱硬化性樹脂組成物熔融之後的急劇增黏少的潛伏性之硬化促進劑。
本實施形態的熱硬化性樹脂組成物除了上述各成分以外，視需要可以含有選自偶合劑、整平劑(leveling agent)、著色劑、脫模劑、低應力劑、感光劑、消泡劑、紫外線吸收劑、發泡劑、抗氧化劑、阻燃劑及離子捕捉劑等中之一種或兩種以上的添加物。
作為上述偶合劑，例如可以舉出環氧矽烷偶合劑、陽離子性矽烷偶合劑、胺基矽烷偶合劑、γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷偶合劑、苯基胺基丙基三甲氧基矽烷偶合劑、巰基矽烷偶合劑等矽烷偶合劑、鈦酸酯系偶合劑及矽油型偶合劑等。
作為上述整平劑，可以舉出丙烯酸系共聚物等。作為上述著色劑，可以舉出碳黑等。作為上述脫模劑，可以舉出天然蠟、二十八酸酯等合成蠟、高級脂肪酸或其金屬鹽類、石蠟、氧化聚乙烯等。作為上述低應力劑，可以舉出聚矽氧橡膠等。作為離子捕捉劑，可以舉出水滑石等。作為阻燃劑，可以舉出氫氧化鋁等。本實施形態中，例如可以併用上述矽油與上述脫模劑。
本實施形態的熱硬化性樹脂組成物可以係顆粒狀，或者亦可以係片狀。從模具填充性的觀點考慮，較佳為使用顆粒狀的熱硬化性樹脂組成物，從生產性的觀點考慮，較佳為使用片狀的熱硬化性樹脂組成物。
本實施形態中，作為顆粒狀的熱硬化性樹脂組成物的製造方法，例如可以舉出以下方法：向由具有複數個小孔之圓筒狀外周部和圓盤狀底面構成之轉子的內側供給經熔融混煉之熱硬化性樹脂組成物，利用使轉子旋轉而獲得之離心力，使該熱硬化性樹脂組成物通過小孔而獲得顆粒狀的熱硬化性樹脂組成物之方法(以下，亦稱為「離心製粉法」。)；利用混合機將熱硬化性樹脂組成物的各原料成分預混合之後，藉由輥、捏合機或擠出機等混煉機進行加熱混煉之後，經冷卻、粉碎製程而製成粉碎物，對於該粉碎物，使用篩子去除粗粒和微粉而獲得顆粒狀的熱硬化性樹脂組成物之方法(以下，亦稱為「粉碎篩分法」。)；利用混合機將熱硬化性樹脂組成物的各原料成分預混合之後，使用在螺桿前端部設置有配置有複數個小徑之模具之擠出機進行加熱混煉，並且利用與模具面大致平行地滑動旋轉之切刀來切斷從配置於模具之小孔擠出成股線(strand)狀之熔融樹脂而獲得顆粒狀的熱硬化性樹脂組成物之方法(以下，亦稱為「熱切(hotcut)法」。)等。
並且，作為片狀的熱硬化性樹脂組成物的製造方法，可以舉出將所製備出之清漆狀的熱硬化性樹脂組成物塗佈於基材薄膜上並進行乾燥而形成為片狀，並使溶劑揮發之方法。藉此，能夠製作樹脂片。並且，作為塗佈的方法，可以舉出基於使用了逗點式塗佈機(comman coat)或模塗機之類的塗佈機之塗佈之方法、基於如模版(stencil)印刷或凹版印刷之類的印刷之方法等。另外，作為清漆狀的熱硬化性樹脂組成物的製備方法的一例，例如有將除了非反應性的揮發性成分以外的各原料成分混煉而獲得之樹脂組成物溶解或分散於有機溶劑等之方法。並且，樹脂片可以藉由 將熱硬化性樹脂組成物擠出而形成為片狀。另外，可以由保護膜覆蓋樹脂片的表面。上述樹脂片可以係單片狀，亦可以係能夠捲取之卷狀。
接著，對本實施形態的熱硬化性樹脂組成物的物性進行說明。
本實施形態的熱硬化性樹脂組成物滿足以下的條件1。
(條件1)
藉由轉注成形(175℃、120秒)獲得前述熱硬化性樹脂組成物的硬化物之後，對前述硬化物實施了第1熱處理(175℃、4小時)之前述硬化物相對於模具尺寸於25℃之收縮率設為S1(%)，進一步對前述硬化物以第2熱處理(將達到190℃時的時間設為t1，並將從該190℃升溫至233±3℃之後降溫至190℃時的時間設為t2時，t2-t1滿足100±50秒)、第3熱處理(125℃、2小時)、第4熱處理(175℃、6小時)的順序實施了處理時的前述硬化物相對於模具尺寸於25℃之收縮率設為S4(%)時，滿足下式。
Figure 106129450-A0202-12-0014-29
亦即，以往，僅使用收縮率低的熱硬化性樹脂組成物，有時由之後的熱歷程引起之收縮率的變動變大，有時反而會發生位置偏移或基板的翹曲。相對於此，本實施形態中之熱硬化性樹脂組成物藉由滿足上述的條件1，能夠有效地減少半導體裝置中之位置偏移。另外，能夠抑制基板成為Smile翹曲(正(plus)翹曲)或者成為Cry翹曲(負(minus)翹曲)這樣的變動。
並且，在第4熱處理(175℃、6小時)之後，進一步實施了第5熱處理(將達到160℃時的時間設為t3，並將從該160℃升溫至240±5 ℃之後降溫至160℃時的時間設為t4時，t4-t3滿足90±60秒)時的硬化物相對於模具尺寸於25℃之收縮率設為S5(%)時，可以滿足下式。
Figure 106129450-A0202-12-0015-5
另外，實施了第2處理(將達到190℃時的時間設為t1，並將從該190℃升溫至233±3℃之後降溫至190℃時的時間設為t2時，t2-t1滿足100±50秒)時的硬化物相對於模具尺寸於25℃之收縮率設為S2(%)時，可以滿足下式。
Figure 106129450-A0202-12-0015-6
藉此，能夠更有效地減少由熱歷程引起之位置偏移及基板的翹曲，其結果，能夠獲得可靠性高的半導體裝置。
並且，本實施形態的熱硬化性樹脂組成物滿足以下的條件2。
(條件2)
藉由轉注成形(175℃、120秒)獲得前述熱硬化性樹脂組成物的硬化物之後，對所獲得之前述硬化物以第1熱處理(175℃、4小時)、第2熱處理(將達到190℃時的時間設為t1，並將從該190℃升溫至233±3℃之後降溫至190℃時的時間設為t2時，t2-t1滿足100±50秒)、第3熱處理(125℃、2小時)、第4熱處理(175℃、6小時)的順序實施處理，進行了第n熱處理之後的前述硬化物相對於模具尺寸於25℃之收縮率設為Sn(%)時，滿足下式。
Figure 106129450-A0202-12-0015-7
並且，在第4熱處理(175℃、6小時)之後，可以進一步實施第5熱處理(將達到160℃時的時間設為t3，並將從該160℃升溫至 240±5℃之後降溫至160℃時的時間設為t4時，t4-t3滿足90±60秒)。在該情況下，亦滿足上述式(2-1)。
相對於如上所述之先前技術，本實施形態中之熱硬化性樹脂組成物藉由滿足條件2，能夠有效地減少半導體裝置中之位置偏移。另外，能夠抑制基板成為Smile翹曲(正翹曲)或者成為Cry翹曲(負翹曲)這樣的變動。
本實施形態的熱硬化性樹脂組成物為了滿足如上所述之條件1及2，適當組合熱硬化性樹脂組成物中所包含之各成分的種類和摻合量，並高度控制熱硬化性樹脂組成物的混煉速度、混煉溫度等製備方法等。例如，作為用於滿足上述條件1及2之要件，可以舉出選擇材料，並調整摻合量等，以免黏度變得過高。詳細而言，可以舉出組合黏度低的熱硬化性樹脂與黏度低的硬化劑；當使用黏度高的熱硬化性樹脂時，與黏度低的熱硬化性樹脂組合，並調整該等的摻合量，或者選擇黏度低者作為所組合之硬化劑等。但是，本實施形態的熱硬化性樹脂組成物中，滿足如上所述之條件1及2之方法並不限定於該種方法。
如下定義上述條件1及2中之硬化物的收縮率。
藉由轉注成形(175℃、120秒)獲得前述熱硬化性樹脂組成物的硬化物之後，對所獲得之前述硬化物以第1熱處理(175℃、4小時)、第2熱處理(將達到190℃時的時間設為t1，並將從該190℃升溫至233±3℃之後降溫至190℃時的時間設為t2時，t2-t1滿足100±50秒)、第3熱處理(125℃、2小時)、第4熱處理(175℃、6小時)、第5熱處理(將達到160℃時的時間設為t3，並將從該160℃升溫至240±5℃之後降溫至160℃時的時間 設為t4時，t4-t3滿足90±60秒)的順序實施了處理時的、進行了第n熱處理之後的硬化物相對於模具尺寸於25℃之收縮率設為Sn(%)。
首先，在4個部位測量圓盤狀的模具於室溫之尺寸，並計算其平均值。接下來，向模具中投入熱硬化性樹脂組成物，獲得圓盤狀的硬化物，關於對所獲得之硬化物實施了第n熱處理之後的於室溫之直徑，在與該模具中測量出之部位相對應之4個部位進行測量，並計算出其平均值。接著，將所獲得之平均值代入下式：〔(於室溫之模具尺寸-第n熱處理後的硬化物於室溫之尺寸)/於室溫之模具尺寸〕×100(%)而計算出硬化物的收縮率Sn(%)。
並且，第1熱處理係設想使用本實施形態中之熱硬化性樹脂組成物進行樹脂密封(ASM：as Mold)之後進行正式硬化而製作樹脂密封基板之情況之加熱條件(PMC：Post Mold Cure)。第2熱處理係設想在所獲得之樹脂密封基板上搭載半導體元件之情況之加熱條件(模具接合回焊(die bonding reflow))。更具體而言，例如可以於130~180℃進行預加熱，將於190~233±3℃之升溫速度設為大致1.5℃/秒，並將從峰溫度至40℃為止之降溫速度設為大致0.5℃/秒。將達到190℃時的時間設為t1，並將從該190℃升溫至233±3℃之後降溫至190℃時的時間設為t2時，t2-t1滿足100±50秒即可。第3熱處理係設想使搭載有半導體元件之樹脂密封基板乾燥(脫濕)之情況之加熱條件。第4熱處理係設想對搭載於樹脂密封基板之半導體元件進行樹脂密封之情況之加熱條件。第5熱處理係設想在搭載有經樹脂密封之半導體元件之樹脂密封基板搭載焊錫球之情況之加熱條件(球接觸回焊(ball attach reflow))。更具體而言，例如可以於140~160℃ 進行預加熱，於217℃以上進行熔融，將從峰溫度至160℃為止之升溫速度設為0.5~3℃/秒。將達到160℃時的時間設為t3，並將從該160℃升溫至240±5℃之後降溫至160℃時的時間設為t4時，t4-t3滿足90±60秒即可。如此，本實施形態的熱硬化性樹脂組成物藉由在設想了熱歷程之條件下滿足特定的數值，能夠更有效地抑制位置偏移之同時，減少基板的翹曲。
本實施形態的熱硬化性樹脂組成物的硬化物的玻璃轉移溫度(Tg)的下限值較佳為145℃以上，更佳為150℃以上，進而較佳為155℃以上。藉此，能夠抑制熱硬化性樹脂組成物的硬化物的熱分解，並能夠減少位置偏移。並且，能夠抑制樹脂密封基板的翹曲。
另一方面，上述玻璃轉移溫度(Tg)的上限值並沒有特別限定，但較佳為250℃以下。
並且，顆粒狀的熱硬化性樹脂組成物的平均粒徑的上限值較佳為1.0mm以下，更佳為0.7mm以下，進而較佳為0.6mm以下。藉此，能夠提高填充性之同時，抑制位置偏移。
另一方面，上述平均粒徑的下限值較佳為0.1mm以上，更佳為0.3mm以上，進而較佳為0.4mm以上。藉此，能夠實現製造穩定性優異之顆粒狀的熱硬化性樹脂組成物。
(電子裝置)
對本實施形態的電子裝置100進行說明。圖1係表示本實施形態的電子裝置100的構成之剖面圖。
本實施形態的電子裝置100能夠設為具備樹脂密封基板110和搭載於樹脂密封基板110上之電子零件(半導體元件140)之半導體裝置。 本實施形態中，樹脂密封基板110係具備上述熱硬化性樹脂組成物的硬化物者。
樹脂密封基板110(例如，MIS基板(Molded Interconnect Substrate))能夠至少具備絕緣層112和金屬層130。絕緣層112係由本實施形態的熱硬化性樹脂組成物的硬化物構成者。藉此，能夠獲得製造穩定性優異且基板翹曲得到抑制之樹脂密封基板110。絕緣層112亦可以設為不含玻璃布等纖維基材之構成。藉此，樹脂密封基板110能夠製成無芯樹脂基板。並且，無芯(coreless)樹脂基板可以具有內置於絕緣層內之半導體晶片(chip)。該半導體元件能夠經由金屬層(例如，通路(via)配線)電連接。
在樹脂密封基板110中，作為柱之金屬層130經由通路配線120將樹脂密封基板110的上表面114和下表面進行電連接。金屬層130和通路配線120例如可以由銅等金屬構成。
並且，樹脂密封基板110的上表面114可以由研磨面構成。並且，樹脂密封基板110的上表面114和金屬層130的上表面可以構成同一平面。另外，在樹脂密封基板110的上表面114及下表面可以形成有未圖示之阻焊(solder resist)層。
上述半導體元件140可以經由黏接層160固定於樹脂密封基板110上。半導體元件140可以經由焊線(wire bonding)150與樹脂密封基板110電連接，但亦可以藉由倒裝晶片(flip chip)連接而電連接。並且，半導體元件140以由一般的密封用熱硬化性樹脂組成物的硬化物(密封材料層170)覆蓋之方式被密封。
作為上述半導體元件140，例如可以舉出積體電路、大規模積體電路、電晶體、閘流器(thyristor)、二極體、固體攝像元件等。作為具備半導體元件140之半導體封裝的結構，例如可以舉出球柵陣列(Ball Grid Array)(BGA)、MAP類型的BGA等。並且，可以舉出晶片尺寸封裝(Chip Scale Package)(CSP)、四面扁平無引線封裝(Quad Flat non-Leaded Package)(QFN)、嵌入式(embedded)WLP(eWLP)、扇入(Fan In)WLP及扇出(Fan Out)WLP等晶圓級(wafer level)封裝(WLP)、小外形無引線封裝(Small Out-Line non-Leaded package)(SON)、引線框-BGA(LF-BGA)等。
接下來，基於樹脂密封基板250的製造製程，對電子裝置200的製造方法進行說明。圖2係電子裝置200的製造製程的製程剖面圖。
本實施形態中，樹脂密封基板250的製造方法能夠包含如下製程1~3。
製程1包含在支持基材210上形成圖案化之金屬層230之金屬層形成製程。
製程2包含形成埋設金屬層230之絕緣層234之絕緣層形成製程。
製程3包含藉由研磨絕緣層234的表面(上表面226)而使金屬層230露出之研磨製程。
藉由反覆進行上述製程1~3，能夠在由1層以上的絕緣層構成之層間絕緣層中形成層間連接配線。
上述絕緣層能夠由本實施形態的熱硬化性樹脂組成物的硬化物構成。
以下，對各製程進行說明。
首先，如圖2(a)所示，準備支持基材210。支持基材210 上可以形成有載體箔212。作為支持基材210，只要係具有平坦性、剛直性及耐熱性等特性之基底基板，則並沒有特別限定，例如能夠使用金屬板。作為金屬板，例如可以舉出銅板、鋁板、鐵板、鋼鐵(鋼)板、鎳板、銅合金板、42合金板、不銹鋼板等。鋼鐵(鋼)板可以係SPCC(Steel Plate Cold Commercial)等冷軋鋼板的態樣。並且，金屬板可以係加工成框形狀之單片者，亦可以係環圈狀的連續形狀者。作為俯視觀察時之支持基材210的平面形狀並沒有特別限定，例如可以係矩形形狀，亦可以係圓形形狀，但從生產性的觀點考慮，矩形形狀為佳。
接下來，形成圖案化之金屬層220之後，能夠在該金屬層220上形成通路配線222。
作為圖案化方法，例如能夠使用光微影(photolithography)法。作為具體的一例，首先，在支持基材210上形成由感光性樹脂組成物構成之感光性樹脂膜。作為形成方法，例如利用乾燥使用塗佈機或旋轉器(spinner)等塗佈感光性樹脂組成物而獲得之塗佈膜之方法、或藉由熱壓接等來層合由感光性樹脂組成物構成之樹脂片之方法等，形成由感光性樹脂組成物構成之感光性樹脂膜。接下來，在該感光性樹脂膜上形成具有既定的圖案之開口部。作為開口部的形成方法，例如能夠使用曝光顯影法或雷射加工法等。接下來，由金屬膜埋設該開口部。作為埋設方法，例如可以舉出無電解電鍍法或電鍍法等。作為金屬膜的材料，例如可以舉出銅、銅合金、42合金、鎳、鐵、鉻、鎢、金、焊錫等，但較佳為使用銅。接下來，去除上述感光性樹脂膜。作為去除方法，例如可以舉出使用剝離液剝離感光性樹脂膜之方法、灰化處理、進行灰化處理之後利用剝離液去除附著於基底之 感光性樹脂膜的殘渣之方法等。其中，從提高生產效率之觀點考慮，較佳為採用使用剝離液剝離感光性樹脂膜之方法。作為剝離液的具體例，可以舉出含有烷基苯磺酸之有機磺酸系剝離液、含有單乙醇胺等有機胺之有機胺系剝離液、對水混合有機鹼或氟系化合物等而得到之水系抗蝕劑剝離液等。另外，亦可以進行使用化學機械研磨(CMP)裝置對金屬層進行研磨之方法。
藉由以上，可獲得圖案化之金屬層。作為該種金屬層，可以舉出配線電路、通路配線、導電柱等。
接下來，如圖2(b)所示，以將金屬層220及通路配線222埋入之方式形成絕緣層224。絕緣層224由本實施形態的熱硬化性樹脂組成物的硬化物構成。亦即，能夠利用本實施形態的熱硬化性樹脂組成物的硬化物來密封金屬層220及通路配線222。
絕緣層224的形成方法中，例如作為密封材料，能夠使用顆粒狀的熱硬化性樹脂組成物或片狀的熱硬化性樹脂組成物，作為成形方法，能夠使用壓縮成形。
在此，本實施形態中，對使用了顆粒狀的熱硬化性樹脂組成物之壓縮成形的概要內容進行說明。
首先，在壓縮成形模具的下模模穴的底面均勻地撒佈顆粒狀的熱硬化性樹脂組成物。例如，可以使用振動給料機等輸送機構輸送粒狀的熱硬化性樹脂組成物，並配置於下模模穴的底面。
接下來，藉由夾具(clamp)或吸附之類的固定機構，將形成有金屬層220和通路配線222之支持基材210固定於壓縮成形模具的上模。接下來， 在減壓下縮小模具的上模與下模的間隔，藉此顆粒狀的熱硬化性樹脂組成物在下模模穴內被加熱至既定溫度而成為熔融狀態。接下來，藉由使模具的上模與下模結合而將熔融狀態的熱硬化性樹脂組成物按壓並接觸在固定於上模之金屬層220和通路配線222。然後，一邊保持模具的上模與下模結合之狀態，一邊經既定時間使熱硬化性樹脂組成物硬化。藉此，能夠形成密封了支持基材210上的金屬層220及通路配線222之絕緣層224。
在本實施形態中，使用片狀的熱硬化性樹脂組成物來代替顆粒狀的熱硬化性樹脂組成物之情況下，亦能夠利用如上所述之壓縮成形。
在此，在進行壓縮成形時，較佳為一邊對模具內進行減壓一邊進行密封，進而較佳為在真空條件下。藉此，不會殘留填充部分而能夠由熱硬化性樹脂組成物的硬化物(絕緣層224)埋設金屬層220和通路配線222等圖案化之金屬層。
壓縮成形時之成形溫度例如可以設為100℃以上且200℃以下，亦可以設為120℃以上且180℃以下。成形壓力例如可以設為0.5MPa以上且12MPa以下，亦可以設為1MPa以上且10MPa以下。成形時間例如可以設為30秒以上且15分鐘以下，亦可以設為1分鐘以上且10分鐘以下。本實施形態中，藉由將成形溫度、壓力、時間設在上述範圍，能夠防止產生熔融狀態的密封材料未被填充之部分。
並且，可以對所獲得之熱硬化性樹脂組成物的硬化物(絕緣層224)在密封後實施後硬化(post cure)。後硬化溫度例如可以設為150℃以上且200℃以下，亦可以設為165℃以上且185℃以下。後硬化時間例如可以設為1小時以上且5小時以下，亦可以設為2小時以上且4小時以下。
接下來，如圖2(c)所示，藉由研磨或化學蝕刻等方法對絕緣層224的表面(上表面226)進行研磨，藉此使圖案化之金屬層(通路配線222)的表面露出。此時，上表面226上會形成研磨面。並且，作為研磨方法，例如能夠使用化學機械研磨(CMP)。
接下來，如圖2(d)所示，與金屬層220同樣地，將圖案化之金屬層230形成於絕緣層224的上表面226上。接下來，如圖2(e)所示，與絕緣層224同樣地，形成埋設金屬層230之絕緣層234。接下來，如圖2(f)所示，藉由上述研磨方法對絕緣層234的上表面236進行研磨，藉此能夠在上表面236上形成研磨面，並且使金屬層230的上表面露出。反覆進行如以上的製程之後，剝離支持基材210及載體箔212，藉此可獲得如圖2(g)所示之進一步形成有通路配線232、金屬層240、絕緣層244之樹脂密封基板250。並且，樹脂密封基板250的上表面246上亦可以形成有研磨面。
本實施形態中，藉由反覆進行上述製程1~3，能夠將樹脂密封基板250的配線層設為1層或2層以上。樹脂密封基板250的層間絕緣層由本實施形態的熱硬化性樹脂組成物的硬化物構成。因此，能夠抑制樹脂密封基板250的翹曲。並且，能夠製成製造穩定性優異之樹脂密封基板250。
在此，圖2(h)所示之樹脂密封基板250在平面內不僅能夠配置一個半導體元件260，亦能夠配置複數個半導體元件260。亦即，樹脂密封基板250能夠具有藉由使用了大面積的模具之模具成形而獲得之結構。
將具有能夠在平面內搭載複數個半導體元件(電子零件)之搭載區時的一例示於圖3。圖3係表示本實施形態之樹脂密封基板300的構成的一例之俯視圖。如圖3所示，樹脂密封基板300可以在平面內形成有複數個半導體元件搭載區310、320。
在各半導體元件搭載區310、320以彼此分開之方式搭載有半導體元件(電子零件)。
返回到圖2(h)，在樹脂密封基板250上搭載半導體元件260。藉此，獲得電子裝置200。電子裝置200中的半導體元件260能夠經由焊錫凸塊280藉由倒裝晶片連接而與樹脂密封基板250電連接。樹脂密封基板250上的半導體元件260由一般的密封用熱硬化性樹脂密封，並由密封材料層270覆蓋。
本實施形態中，如圖3所示，搭載有複數個半導體元件之樹脂密封基板300在將該等一次性密封之後被單片化。藉此，能夠獲得如圖2(f)所示之被單片化之電子裝置200。
以上，參閱圖式對本發明的實施形態進行了敘述，但該等為本發明的例示，亦能夠採用除上述以外的各種構成。
【實施例】
以下，參閱實施例對本發明進行詳細說明，但本發明不受該等實施例記載的任何限定。
(熱硬化性樹脂組成物的製備)
對於實施例、比較例，如下般製備出熱硬化性樹脂組成物。首先，按照表1所示之摻合，利用混合機混合各成分而獲得了混合物。接著，按照 表1所示之摻合，對該混合物添加無機填充材之後，使用混合機進行了混合。接著，於70~100℃對所獲得之混合物進行了輥混煉。
(粉碎品的熱硬化性樹脂組成物的製備)
對所獲得之混煉後的混合物進行冷卻，並進行粉碎而獲得了粉碎品的熱硬化性樹脂組成物。
(顆粒品的熱硬化性樹脂組成物的製作)
利用圖4所示之方法製作出顆粒狀的熱硬化性樹脂組成物。
首先，作為圖4(a)所示之圓筒狀外周部602的材料，使用了具有孔徑2.5mm的小孔之鐵製沖孔金屬絲網。在直徑20cm的轉子601的外周上安裝加工成圓筒狀之高度25mm、厚度1.5mm的沖孔金屬絲網而形成了圓筒狀外周部602。使轉子601以3000RPM旋轉，並將圓筒狀外周部602利用勵磁線圈加熱至115℃。轉子601的轉速和圓筒狀外周部602的溫度成為穩定狀態之後，將一邊藉由脫氣裝置進行脫氣一邊藉由雙軸擠出機609將表1所示之各成分進行熔融混煉而獲得之熔融物從轉子601的上方通過雙重管式圓筒體605以2kg/hr的比例供給至轉子601的內側，並使其利用使轉子601旋轉而獲得之離心力通過圓筒狀外周部602的複數個小孔，藉此獲得了顆粒狀的熱硬化性樹脂組成物。通過圓筒狀外周部602的小孔而吐出之顆粒狀的熱硬化性樹脂組成物，例如在設置於轉子601的周圍之外槽608中被捕集。並且，轉子601與馬達610連接，能夠以任意轉速使其旋轉。具有設置於轉子601的外周上之複數個小孔之圓筒狀外周部602具備圖4(b)所示之磁性材料603。圓筒狀外周部602藉由交變磁通的通過所伴隨之渦流損失或磁滯損失而被加熱，該交變磁通係藉由交流電源產生裝置606 產生之交流電源向於該圓筒狀外周部602附近具備之勵磁線圈604通電而產生。另外，在碰撞面外周設置有冷卻套607而對碰撞面進行冷卻。在此，圖4(b)中示出用於對轉子601及轉子的圓筒狀外周部602進行加熱之勵磁線圈604的剖面圖，圖4(c)中示出將被熔融混煉之熱硬化性樹脂組成物供給至轉子601之雙重管式圓筒體605的剖面圖。
表1中之各成分的詳細內容如下所述。
(熱硬化性樹脂)
熱硬化性樹脂1：聯苯型環氧樹脂(Mitsubishi Chemical Co.,Ltd.製，YX4000HK，於150℃之ICI黏度0.1dPa‧sec)
熱硬化性樹脂2：三羥基苯基甲烷型環氧樹脂(Mitsubishi Chemical Co.,Ltd.製，1032H-60，於150℃之ICI黏度1.3dPa‧sec)
熱硬化性樹脂3：含有伸聯苯基骨架之苯酚芳烷基型環氧樹脂(Nippon Kayaku Co.,Ltd.製，NC-3000L，於150℃之ICI黏度0.5dPa‧sec)
(硬化劑)
硬化劑1：由甲醛改質之三羥基苯基甲烷型酚樹脂(AIR WATER INC.製，HE910-20，於150℃之ICI黏度1.5dPa‧sec)
硬化劑2：含有伸聯苯基骨架之苯酚芳烷基樹脂(Nippon Kayaku Co.,Ltd.製，GPH-65，於150℃之ICI黏度0.4dPa‧sec)
硬化劑3：三羥基苯基甲烷型酚樹脂(MEIWA PLASTIC INDUSTRIES,LTD.製，MEH-7500，於150℃之ICI黏度5.8dPa‧sec)
另外，於150℃之熔融黏度(ICI黏度)利用錐板(corn plate)型黏度計CV-1S(TOA INDUSTRIES CO.,LTD.製)進行了測量。
(硬化促進劑)
硬化促進劑1：下述式所表示之硬化促進劑(四苯基鏻雙(萘-2,3-二氧基)苯基矽酸酯)
Figure 106129450-A0202-12-0028-8
(無機填充材)
無機填充材1：熔融球狀二氧化矽(Tatsumori Ltd.製，MUF-46)
無機填充材2：熔融球狀二氧化矽(Admatechs Co.,Ltd.製，SC-2500-SQ)
Figure 106129450-A0202-12-0029-9
對上述表1中之實施例及比較例的熱硬化性樹脂組成物進行了下述測量。
藉由轉注成形(175℃、120秒)獲得前述熱硬化性樹脂組成物的硬化物之後，對所獲得之前述硬化物以第1熱處理(175℃、4小時)、第2熱處理(將達到190℃時的時間設為t1，並將從該190℃升溫至233±3℃之後降溫至190℃時的時間設為t2時，t2-t1滿足100±50秒)、第3熱處理(125℃、2小時)、第4熱處理(175℃、6小時)、第5熱處理(將達到160℃時的時間設為t3，並將從該160℃升溫至240±5℃之後降溫至160℃時 的時間設為t4時，t4-t3滿足90±60秒)的順序實施了處理。
將進行了第n熱處理之後的硬化物相對於模具尺寸於25℃之收縮率設為Sn(%)，以如下方式計算出收縮率Sn(%)。
首先，在4個部位測量圓盤狀的模具於室溫之尺寸，並計算其平均值。接下來，向模具中投入熱硬化性樹脂組成物，獲得圓盤狀的硬化物，關於對所獲得之硬化物實施了第n熱處理之後的於室溫之直徑，在與該模具中測量出之部位相對應之4個部位進行測量，並計算出其平均值。接著，將所獲得之平均值代入下式：〔(於室溫之模具尺寸-第n熱處理後的硬化物於室溫之尺寸)/於室溫之模具尺寸〕×100(%)而計算出硬化物的收縮率Sn(%)。
將結果示於表1。
(玻璃轉移溫度(Tg))
使用轉注成型機，對在模具溫度175℃、注入壓力9.8MPa、硬化時間3分鐘獲得之熱硬化性樹脂組成物進行注入成形，獲得了15mm×4mm×4mm的試驗片。接著，在175℃、4小時使所獲得之試驗片後硬化之後，使用熱機械分析裝置(Seiko Denshi industries,Ltd.製，TMA100)在測量溫度範圍0℃~320℃、升溫速度5℃/分鐘的條件下進行了測量。根據該結果計算出玻璃轉移溫度。玻璃轉移溫度的單位為℃。
(位置偏移)
在金屬板上預先塗佈脫模劑，並於該金屬板上使所獲得之熱硬化性樹脂組成物藉由壓縮成形(溫度175℃、硬化時間120秒、壓力10MPa)而硬化，從而製作出樹脂板。接下來，從金屬板剝掉樹脂板而獲得了 236mm×71mm的樹脂板。在從所獲得之樹脂板的角部5mm內側的位置，利用NC鑽開設1mmφ的孔或者利用魔術筆(magic)設置標記，並利用游標測量了以該四角為頂點之四邊形各自的邊的長度。進行了第1熱處理(175℃、4小時)、第2熱處理(將達到190℃時的時間設為t1，並將從該190℃升溫至233±3℃之後降溫至190℃時的時間設為t2時，t2-t1滿足100±50秒)、第3熱處理(125℃、2小時)、第4熱處理(175℃、6小時)的處理之後，再次測量4邊的長度，計算出變化率並進行了評價。將結果示於表1。
○：變化率小，實用上無問題。
×：變化率大，實用上成為問題。
(基板的翹曲)
在240mm×77mm×0.8mm厚度的42合金板上以成為0.4mm厚度之方式配置樹脂組成物，並在溫度175℃、壓力10MPa、硬化時間120秒的條件下進行壓縮成形而製作出試驗基板。以所獲得之試驗基板的EMC朝上(亦即，42合金板側朝下)之方式載置，利用游標測量了4角的翹曲的高度。笑形翹曲設為「-」，哭形翹曲設為「+」而計算出4角的平均值。對於各熱處理進行測量，將從各熱處理中所獲得之數值中的最大值減去最小值之後之數值作為測量值，並將結果示於表1。
以上，基於實施例進一步具體地說明了本發明，但該等為本發明的例示，亦能夠採用上述以外的各種構成。
該申請主張以2016年9月23日申請之日本申請專利特願2016-185730號為基礎之優先權，並將其揭示之全部內容引用於此。
100‧‧‧電子裝置
110‧‧‧樹脂密封基板
112‧‧‧絕緣層
114‧‧‧上表面
120‧‧‧通路配線
130‧‧‧金屬層
140‧‧‧半導體元件
150‧‧‧焊線
160‧‧‧黏接層
170‧‧‧密封材料層

Claims (14)

  1. 一種熱硬化性樹脂組成物，其用於樹脂密封基板的形成，滿足以下的條件1，(條件1)藉由轉注成形(175℃、120秒)獲得該熱硬化性樹脂組成物的硬化物之後，對該硬化物實施了第1熱處理(175℃、4小時)之該硬化物相對於模具尺寸於25℃之收縮率設為S 1(%)，進一步對該硬化物以第2熱處理(將達到190℃時的時間設為t1，並將從該190℃升溫至233±3℃之後降溫至190℃時的時間設為t2時，t2-t1滿足100±50秒)、第3熱處理(125℃、2小時)、第4熱處理(175℃、6小時)的順序實施了處理時的該硬化物相對於模具尺寸於25℃之收縮率設為S 4(%)時，滿足下式，
    Figure 106129450-A0202-13-0001-10
  2. 如申請專利範圍第1項之熱硬化性樹脂組成物，其中，在該條件1中，在該第4熱處理(175℃、6小時)之後，進一步實施了第5熱處理(將達到160℃時的時間設為t3，並將從該160℃升溫至240±5℃之後降溫至160℃時的時間設為t4時，t4-t3滿足90±60秒)時的該硬化物相對於模具尺寸於25℃之收縮率設為S 5(%)時，滿足下式，
    Figure 106129450-A0202-13-0001-11
  3. 如申請專利範圍第1或2項之熱硬化性樹脂組成物，其中，在該條件1中，實施了該第2熱處理時的該硬化物相對於模具尺寸於25℃之收縮率設 為S 2(%)時，滿足下式，
    Figure 106129450-A0202-13-0002-12
  4. 一種熱硬化性樹脂組成物，其用於樹脂密封基板的形成，滿足以下的條件2，(條件2)藉由轉注成形(175℃、120秒)獲得該熱硬化性樹脂組成物的硬化物之後，對所獲得之該硬化物以第1熱處理(175℃、4小時)、第2熱處理(將達到190℃時的時間設為t1，並將從該190℃升溫至233±3℃之後降溫至190℃時的時間設為t2時，t2-t1滿足100±50秒)、第3熱處理(125℃、2小時)、第4熱處理(175℃、6小時)的順序實施處理，進行了第n熱處理之後的該硬化物相對於模具尺寸於25℃之收縮率設為S n(%)時，滿足下式，
    Figure 106129450-A0202-13-0002-13
  5. 如申請專利範圍第4項之熱硬化性樹脂組成物，其中，在該條件2中，在該第4熱處理(175℃、6小時)之後，進一步實施了第5熱處理(將達到160℃時的時間設為t3，並將從該160℃升溫至240±5℃之後降溫至160℃時的時間設為t4時，t4-t3滿足90±60秒)時，滿足該式(2-1)。
  6. 如申請專利範圍第1或4項之熱硬化性樹脂組成物，其中，該熱硬化性樹脂組成物的硬化物的玻璃轉移溫度(Tg)為145℃以上。
  7. 如申請專利範圍第1或4項之熱硬化性樹脂組成物，其為顆粒狀或片狀。
  8. 如申請專利範圍第1或4項之熱硬化性樹脂組成物，其含有環氧樹脂， 該環氧樹脂的含量相對於該熱硬化性樹脂整體為3質量%以上30質量%以下。
  9. 如申請專利範圍第1或4項之熱硬化性樹脂組成物，其含有多官能環氧樹脂。
  10. 如申請專利範圍第7項之熱硬化性樹脂組成物，其中，該顆粒狀的熱硬化性樹脂組成物的平均粒徑為1.0mm以下。
  11. 如申請專利範圍第1或4項之熱硬化性樹脂組成物，其含有無機填充材，該無機填充材的含量相對於該熱硬化性樹脂組成物總固體成分為70質量%以上。
  12. 如申請專利範圍第1或4項之熱硬化性樹脂組成物，其含有硬化劑，該硬化劑的含量相對於該熱硬化性樹脂組成物總固體成分為1.0質量%以上9質量%以下。
  13. 一種樹脂密封基板，其具備申請專利範圍第1或4項之熱硬化性樹脂組成物的硬化物。
  14. 一種電子裝置，其具備：申請專利範圍第13項之樹脂密封基板；及搭載於該樹脂密封基板之電子零件。
TW106129450A 2016-09-23 2017-08-30 熱硬化性樹脂組成物、樹脂密封基板及電子裝置 TWI723211B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016185730 2016-09-23
JPJP2016-185730 2016-09-23

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201827206A TW201827206A (zh) 2018-08-01
TWI723211B true TWI723211B (zh) 2021-04-01

Family

ID=61761590

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106129450A TWI723211B (zh) 2016-09-23 2017-08-30 熱硬化性樹脂組成物、樹脂密封基板及電子裝置

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6996169B2 (zh)
KR (1) KR102352497B1 (zh)
CN (1) CN107868404A (zh)
TW (1) TWI723211B (zh)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201336884A (zh) * 2012-01-26 2013-09-16 Toray Industries 樹脂組成物及將其成型而成的半導體組裝基板
TW201434850A (zh) * 2012-11-28 2014-09-16 Hitachi Chemical Co Ltd 矽氧烷化合物、改質醯亞胺樹脂、熱硬化性樹脂組成物、預浸體、附有樹脂的薄膜、積層板、多層印刷線路板及半導體封裝體

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11243099A (ja) * 1997-12-02 1999-09-07 Toray Ind Inc 半導体封止用樹脂ペレット、その製造方法、製造装置、及び半導体装置
CN100526360C (zh) * 2003-03-25 2009-08-12 住友电木株式会社 封装半导体芯片的树脂组合物和采用它的半导体装置
JP2005154717A (ja) * 2003-10-31 2005-06-16 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
KR101205606B1 (ko) * 2005-03-16 2012-11-27 스미토모 베이클리트 컴퍼니 리미티드 에폭시 수지 조성물 및 반도체 장치
JP5130912B2 (ja) * 2005-07-29 2013-01-30 住友ベークライト株式会社 エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
CN101522792B (zh) * 2006-10-02 2013-01-09 日立化成工业株式会社 密封用环氧树脂成形材料以及电子零件装置
JP2008163138A (ja) * 2006-12-27 2008-07-17 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP5126045B2 (ja) * 2008-12-22 2013-01-23 住友ベークライト株式会社 半導体封止用樹脂組成物及び半導体装置
JP2010171402A (ja) * 2008-12-24 2010-08-05 Nitto Denko Corp 熱硬化型ダイボンドフィルム
SG10201407493PA (en) * 2009-11-19 2014-12-30 Sumitomo Bakelite Co Semiconductor device
JP5359821B2 (ja) 2009-11-30 2013-12-04 凸版印刷株式会社 ビルドアップ配線基板の製造方法
KR101870489B1 (ko) * 2011-11-29 2018-07-19 스미또모 베이크라이트 가부시키가이샤 고정용 수지 조성물, 로터, 자동차 및 로터의 제조 방법
JP5983085B2 (ja) * 2012-06-25 2016-08-31 住友ベークライト株式会社 エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置
WO2015005275A1 (ja) * 2013-07-11 2015-01-15 住友ベークライト株式会社 半導体装置の製造方法および半導体装置
JP6379640B2 (ja) * 2014-05-01 2018-08-29 住友ベークライト株式会社 封止用樹脂組成物、半導体装置、および構造体
CN105419236B (zh) * 2015-12-18 2017-11-07 无锡创达新材料股份有限公司 一种用于封装半导体元件的环氧模塑料

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201336884A (zh) * 2012-01-26 2013-09-16 Toray Industries 樹脂組成物及將其成型而成的半導體組裝基板
TW201434850A (zh) * 2012-11-28 2014-09-16 Hitachi Chemical Co Ltd 矽氧烷化合物、改質醯亞胺樹脂、熱硬化性樹脂組成物、預浸體、附有樹脂的薄膜、積層板、多層印刷線路板及半導體封裝體

Also Published As

Publication number Publication date
TW201827206A (zh) 2018-08-01
CN107868404A (zh) 2018-04-03
KR102352497B1 (ko) 2022-01-18
JP2018053243A (ja) 2018-04-05
KR20180033081A (ko) 2018-04-02
JP6996169B2 (ja) 2022-01-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI388619B (zh) 半導體裝置，暨緩衝層用樹脂組成物，晶粒接合用樹脂組成物，及封包用樹脂組成物
JP6032197B2 (ja) 半導体装置の製造方法
TWI796293B (zh) 半導體密封用環氧樹脂組成物及半導體裝置之製造方法
JP2021120462A (ja) 熱硬化性樹脂組成物、樹脂封止基板、および電子装置
JP2018188494A (ja) 封止用樹脂組成物及び電子装置の製造方法
JP2021059741A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置の製造方法
TWI797404B (zh) Lds 用熱固性樹脂組成物及半導體裝置之製造方法
JP5228453B2 (ja) 半導体装置及び封止樹脂組成物
JP5799532B2 (ja) 半導体封止用樹脂組成物、半導体装置および半導体装置の製造方法
JPWO2017038941A1 (ja) 樹脂組成物、硬化物、封止用フィルム及び封止構造体
TWI710069B (zh) 有機樹脂基板之製造方法、有機樹脂基板及半導體裝置
JP2020084094A (ja) 封止用エポキシ樹脂組成物、及び、電子装置
JP2020107767A (ja) 封止用樹脂組成物、中空パッケージおよびその製造方法
JP2019026715A (ja) 一括封止用エポキシ樹脂組成物、電子装置およびその製造方法
JP2011129717A (ja) 半導体パッケージおよび半導体装置
TWI723211B (zh) 熱硬化性樹脂組成物、樹脂密封基板及電子裝置
JP6776597B2 (ja) 熱硬化性樹脂組成物、樹脂封止基板、および電子装置
TWI803608B (zh) 粒子狀密封用樹脂組成物、半導體裝置及其製造方法
JP2019151717A (ja) 封止用樹脂組成物
WO2020255749A1 (ja) 封止用組成物、半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP4639427B2 (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2019204974A (ja) 有機樹脂基板の製造方法、有機樹脂基板および半導体装置
JP2021150343A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP2021175777A (ja) エポキシ樹脂組成物、エポキシ樹脂硬化物、及び電子部品装置
JP2011077199A (ja) 半導体パッケージおよび半導体装置