KR102352497B1 - 열경화성 수지 조성물, 수지 봉지 기판, 및 전자 장치 - Google Patents

열경화성 수지 조성물, 수지 봉지 기판, 및 전자 장치 Download PDF

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Abstract

열이력에 의한 위치 어긋남을 억제할 수 있는, 열경화성 수지 조성물을 제공한다.
본 발명의 열경화성 수지 조성물은, 수지 봉지 기판의 형성에 이용되는 열경화성 수지 조성물로서, 이하의 조건 1을 충족시키는, 열경화성 수지 조성물이다.
(조건 1)
트랜스퍼 성형(175℃, 120초)에 의하여 상기 열경화성 수지 조성물의 경화물을 얻은 후, 상기 경화물에 대하여, 제1 열처리(175℃, 4시간)를 실시한 상기 경화물의 금형 치수에 대한 25℃에 있어서의 수축률을 S1(%)로 하고, 또한 상기 경화물에 대하여, 제2 열처리(190℃에 이르렀을 때의 시간을 t1로 하며, 당해 190℃에서 233±3℃까지 승온시킨 후, 190℃까지 강온시켰을 때의 시간을 t2로 했을 때, t2-t1이 100±50초를 충족시킴), 제3 열처리(125℃, 2시간), 제4 열처리(175℃, 6시간)의 순서로 처리를 실시했을 때의 상기 경화물의 금형 치수에 대한 25℃에 있어서의 수축률을 S4(%)로 했을 때, 다음 식을 충족시킨다.
0.85×S1≤S4≤1.15×S1 (1-1)

Description

열경화성 수지 조성물, 수지 봉지 기판, 및 전자 장치{THERMOSETTING RESIN COMPOSITION, RESIN ENCAPSULATING SUBSTRATE AND ELECTRONIC DEVICE}
본 발명은, 열경화성 수지 조성물, 수지 봉지(封止) 기판, 및 전자 장치에 관한 것이다.
최근의 전자 기기의 소형화 및 고성능화에 따라, 전자 부품의 고밀도 집적화, 나아가서는 고밀도 실장화가 진행되어 왔다. 그에 따라, 상기 전자 부품을 탑재하는 반도체 패키지의 배선 기판에는, 종래보다 박형화(薄型化), 고밀도 배선화 및 다단자화에 더하여, 제조 비용의 저감이 요구되고 있다.
종래, 상술한 반도체 패키지의 배선 기판으로서는, 코어층을 갖는 빌드 업 기판을 들 수 있다. 그리고, 상기 코어층을 갖는 빌드 업 기판의 대표적인 제조 프로세스에 있어서는, 코어층의 양면에 다층 배선을 빌드 업 공법에 의하여 형성하는 것이 행해지고 있었다(예를 들면 특허문헌 1 등).
일본 공개특허공보 2011-114294호
상기 배경 기술의 항에 상술한 바와 같이, 종래의 배선 기판의 제조 프로세스에 있어서도, 박형화, 고밀도 배선화 및 다단자화에 더하여, 제조 비용의 저감을 실현하기 위하여, 다양한 검토가 이루어져 왔다. 그러나, 최근 배선 기판에 대하여 요구되는 기술 수준은 점점 더 높아지고 있으며, 그 중에서도, 배선 기판을 사용하여 반도체 패키지를 조립하는 공정의 열이력에 의하여, 기판의 치수가 변화하며, 그에 따라 조립 공정에서 문제가 발생하는 것이 과제가 되고 있었다.
본 발명자는, 상기 과제에 대하여 예의 검토를 행한 결과, 수지 경화물의 수축률에 주목한바, 이러한 수축률이 열이력에 의하여 변동하는 것이 발견되었다. 이로 인하여, 단지 수축률이 낮은 열경화성 수지 조성물을 이용한 것만으로는, 그 후의 열이력에 의한 수축률의 변동이 커지는 경우가 있으며, 오히려 위치 어긋남이나 기판의 휨이 발생하는 경우가 있었다. 그리고, 본 발명자가 더 검토를 진행한바, 소정의 열처리 조건하에 있어서의 열수축률이 소정의 범위 내가 되는 열경화성 수지 조성물을 이용함으로써, 반도체 장치에 있어서의 위치 어긋남을 효과적으로 저감시킬 수 있는 것이 판명되어, 본 발명이 완성되었다.
본 발명에 의하면,
수지 봉지 기판의 형성에 이용되는 열경화성 수지 조성물로서, 이하의 조건 1을 충족시키는, 열경화성 수지 조성물이 제공된다.
(조건 1)
트랜스퍼 성형(175℃, 120초)에 의하여 상기 열경화성 수지 조성물의 경화물을 얻은 후, 상기 경화물에 대하여, 제1 열처리(175℃, 4시간)를 실시한 상기 경화물의 금형 치수에 대한 25℃에 있어서의 수축률을 S1(%)로 하고, 또한 상기 경화물에 대하여, 제2 열처리(190℃에 이르렀을 때의 시간을 t1로 하며, 당해 190℃에서 233±3℃까지 승온시킨 후, 190℃까지 강온시켰을 때의 시간을 t2로 했을 때, t2-t1이 100±50초를 충족시킴), 제3 열처리(125℃, 2시간), 제4 열처리(175℃, 6시간)의 순서로 처리를 실시했을 때의 상기 경화물의 금형 치수에 대한 25℃에 있어서의 수축률을 S4(%)로 했을 때, 다음 식을 충족시킨다.
0.85×S1≤S4≤1.15×S1 (1-1)
또, 본 발명에 의하면,
수지 봉지 기판의 형성에 이용되는 열경화성 수지 조성물로서, 이하의 조건 2를 충족시키는, 열경화성 수지 조성물이 제공된다.
(조건 2)
트랜스퍼 성형(175℃, 120초)에 의하여, 상기 열경화성 수지 조성물의 경화물을 얻은 후, 얻어진 상기 경화물에 대하여, 제1 열처리(175℃, 4시간), 제2 열처리(190℃에 이르렀을 때의 시간을 t1로 하고, 당해 190℃에서 233±3℃까지 승온시킨 후, 190℃까지 강온시켰을 때의 시간을 t2로 했을 때, t2-t1이 100±50초를 충족시킴), 제3 열처리(125℃, 2시간), 제4 열처리(175℃, 6시간)의 순서로 처리를 실시하며, 제n 열처리를 한 후의 상기 경화물의 금형 치수에 대한 25℃에 있어서의 수축률을 Sn(%)으로 했을 때, 다음 식을 충족시킨다.
0≤|Sn-Sn -1|≤0.04 (2-1)
또, 본 발명에 의하면, 상기 열경화성 수지 조성물의 경화물을 구비하는, 수지 봉지 기판이 제공된다.
또, 본 발명에 의하면,
상기 수지 봉지 기판과,
상기 수지 봉지 기판에 탑재된 전자 부품을 구비하는 전자 장치가 제공된다.
본 발명에 의하면, 열이력에 의한 위치 어긋남을 억제할 수 있는 열경화성 수지 조성물 및 그것을 이용한 수지 봉지 기판 및 전자 장치가 제공된다.
도 1은 본 실시형태에 관한 전자 장치의 구성의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 실시형태에 관한 전자 장치의 제조 공정의 일례를 나타내는 공정 단면도이다.
도 3은 본 실시형태에 관한 수지 봉지 기판의 구성을 나타내는 상면도이다.
도 4는 과립상의 열경화성 수지 조성물을 얻는 방법을 나타내는 일례의 개략도이다.
이하, 본 발명의 실시형태에 대하여, 도면을 이용하여 설명한다. 또한, 모든 도면에 있어서, 동일한 구성요소에는 동일한 부호를 붙이고, 적절히 설명을 생략한다.
먼저, 본 실시형태의 열경화성 수지 조성물의 성분에 대하여 설명한다.
(열경화성 수지)
본 실시형태의 열경화성 수지 조성물은, 열경화성 수지를 함유할 수 있다.
상기 열경화성 수지는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 에폭시 수지를 함유해도 된다.
상기 에폭시 수지로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 1분자 내에 에폭시기를 2개 이상 갖는 모노머, 올리고머, 폴리머 전반을 사용하는 것이 가능하다.
이와 같은 에폭시 수지의 구체예로서는, 예를 들면 비페닐형 에폭시 수지; 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 테트라메틸 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 E형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 수소 첨가 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 M형 에폭시 수지(4,4'-(1,3-페닐렌디이소프리디엔) 비스페놀형 에폭시 수지), 비스페놀 P형 에폭시 수지(4,4'-(1,4-페닐렌디이소프리디엔) 비스페놀형 에폭시 수지), 비스페놀 Z형 에폭시 수지(4,4'-시클로헥사디엔 비스페놀형 에폭시 수지) 등의 비스페놀형 에폭시 수지; 스틸벤형 에폭시 수지; 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 브롬화 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 축합환 방향족 탄화 수소 구조를 갖는 노볼락형 에폭시 수지 등의 노볼락형 에폭시 수지; 트리히드록시페닐메탄형 에폭시 수지, 알킬 변성 트리히드록시페논일메탄형 에폭시 수지, 테트라페닐올에탄형 에폭시 수지 등의 다관능 에폭시 수지; 페닐렌 골격 함유 페놀아랄킬형 에폭시 수지, 비페닐렌 골격 함유 페놀아랄킬형 에폭시 수지 등의 페놀아랄킬형 에폭시 수지; 디히드록시나프탈렌형 에폭시 수지, 나프탈렌디올형 에폭시 수지, 히드록시나프탈렌 및/또는 디히드록시나프탈렌의 2량체를 글리시딜에테르화하여 얻어지는 2관능 내지 4관능의 나프탈렌 2량체형 에폭시 수지, 비나프틸형 에폭시 수지, 나프톨아랄킬형 에폭시 수지 등의 나프탈렌 골격을 갖는 에폭시 수지; 안트라센형 에폭시 수지; 페녹시형 에폭시 수지; 디시클로펜타디엔 변성 페놀형 에폭시 수지 등의 유교(有橋) 환상 탄화 수소 화합물 변성 페놀형 에폭시 수지; 노보넨형 에폭시 수지; 아다만탄형 에폭시 수지; 플루오렌형 에폭시 수지, 인 함유 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 지방족 쇄상 에폭시 수지, 비스페놀 A 노볼락형 에폭시 수지, 비크실렌올형 에폭시 수지; 트리글리시딜이소시아누레이트, 모노알릴디글리시딜이소시아누레이트 등의 복소환식 에폭시 수지; N,N,N',N'-테트라글리시딜메타크실렌디아민, N,N,N',N'-테트라글리시딜비스아미노메틸시클로헥산, N,N-디글리시딜아닐린 등의 글리시딜아민류; 글리시딜(메트)아크릴레이트와 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물의 공중합물; 부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지 등을 들 수 있다.
이들은, 1종을 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다. 그 중에서도, 반도체 패키지의 저선팽창화 및 고탄성률화, 위치 어긋남 억제의 관점에서, 트리히드록시페닐메탄형 에폭시 수지 등의 다관능 에폭시 수지, 및 비페닐형 에폭시 수지인 것이 바람직하다. 이로써, 반도체 장치의 내(耐)리플로성을 향상시킬 수 있어, 반도체 패키지의 위치 어긋남을 효과적으로 억제할 수 있다.
본 실시형태에 있어서, 상기 열경화성 수지의 함유량의 하한값은, 열경화성 수지 조성물 전체에 대하여, 3중량% 이상인 것이 바람직하고, 5중량% 이상인 것이 보다 바람직하다. 이로써, 성형 시에 있어서의 유동성을 향상시켜, 충전성이나 성형 안정성의 향상을 도모할 수 있다. 그 결과, 위치 어긋남을 억제할 수 있게 된다.
한편, 상기 열경화성 수지의 함유량의 상한값은, 열경화성 수지 조성물 전체에 대하여, 30중량% 이하인 것이 바람직하고, 25중량% 이하인 것이 보다 바람직하다. 이로써, 반도체 장치의 내습 신뢰성이나 내리플로성을 향상시킬 수 있어, 기판의 휨을 저감시킬 수 있다.
(경화제)
본 실시형태의 열경화성 수지 조성물은, 경화제를 함유해도 된다.
상기 경화제는, 에폭시 수지 등의 열경화성 수지와 반응하는 화합물이면 특별히 한정되지 않는다.
상기 경화제로서는, 예를 들면 에틸렌디아민, 트리메틸렌디아민, 테트라메틸렌디아민, 헥사메틸렌디아민 등의 탄소수 2~20의 직쇄 지방족 디아민, 메타페닐렌디아민, 파라페닐렌디아민, 파라크실렌디아민, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐프로판, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 4,4'-디아미노디페닐설폰, 4,4'-디아미노디시클로헥산, 비스(4-아미노페닐)페닐메탄, 1,5-디아미노나프탈렌, 메타크실렌디아민, 파라크실렌디아민, 1,1-비스(4-아미노페닐)시클로헥산, 디시아노디아미드 등의 아미노류; 아닐린 변성 레졸 수지나 디메틸에테르레졸 수지 등의 레졸형 페놀 수지; 페놀 노볼락 수지, 크레졸 노볼락 수지, tert-부틸페놀 노볼락 수지, 노닐페놀 노볼락 수지 등의 노볼락형 페놀 수지; 트리히드록시페닐메탄형 페놀 수지 등의 다관능형 페놀 수지; 페닐렌 골격 함유 페놀아랄킬 수지, 비페닐렌 골격 함유 페놀아랄킬 수지 등의 페놀아랄킬 수지; 나프탈렌 골격이나 안트라센 골격과 같은 축합 다환 구조를 갖는 페놀 수지; 폴리파라옥시스티렌 등의 폴리옥시스티렌; 헥사히드로 무수 프탈산(HHPA), 메틸테트라히드로 무수 프탈산(MTHPA) 등의 지환족 산무수물, 무수 트리멜리트산(TMA), 무수 피로멜리트산(PMDA), 벤조페논테트라카복실산(BTDA) 등의 방향족 산무수물 등을 포함하는 산무수물 등; 폴리설파이드, 티오에스테르, 티오에테르 등의 폴리머캅탄 화합물; 이소시아네이트 프리폴리머, 블록화 이소시아네이트 등의 이소시아네이트 화합물; 카복실산 함유 폴리에스테르 수지 등의 유기산류 등을 들 수 있다. 이들은 1종류를 단독으로 이용해도 되고, 2종류 이상을 조합하여 이용해도 된다.
그 중에서도, 경화제로서는, 내습성, 신뢰성 등의 점에서, 1분자 내에 적어도 2개의 페놀성 수산기를 갖는 화합물이 바람직하고, 페놀 노볼락 수지, 크레졸 노볼락 수지, tert-부틸페놀 노볼락 수지, 노닐페놀 노볼락 수지, 실리콘 변성 페놀 노볼락 수지 등의 노볼락형 페놀 수지; 레졸형 페놀 수지; 폴리파라옥시스티렌 등의 폴리옥시스티렌; 페닐렌 골격 함유 페놀아랄킬 수지, 비페닐렌 골격 함유 페놀아랄킬 수지, 또는 트리히드록시페닐메탄형 페놀 수지 등의 다관능 에폭시 수지인 것이 보다 바람직하다. 그 중에서도, 열경화성 수지 조성물의 경화물의 내열성이나, 위치 어긋남 억제의 관점에서, 다관능 에폭시 수지를 이용하는 것이 바람직하고, 트리히드록시페닐메탄형 페놀 수지를 이용하는 것이 보다 바람직하다.
본 실시형태에 있어서, 경화제의 함유량의 하한값은, 특별히 한정되지 않지만, 열경화성 수지 조성물 전체에 대하여, 1.0중량% 이상인 것이 바람직하고, 2.0중량% 이상인 것이 보다 바람직하며, 3.0중량% 이상인 것이 더 바람직하다. 이로써, 성형 시에 있어서, 우수한 유동성을 실현하여, 충전성이나 성형성의 향상을 도모할 수 있으며, 위치 어긋남을 효과적으로 억제할 수 있다.
한편, 상기 경화제의 함유량의 상한값은, 특별히 한정되지 않지만, 열경화성 수지 조성물 전체에 대하여, 9중량% 이하인 것이 바람직하고, 8중량% 이하인 것이 보다 바람직하며, 7중량% 이하인 것이 더 바람직하다. 이로써, 반도체 장치의 내습 신뢰성이나 내리플로성을 향상시킬 수 있다.
(무기 충전재)
본 실시형태의 열경화성 수지 조성물은, 무기 충전재를 함유할 수 있다.
상기 무기 충전재로서는, 예를 들면 용융 파쇄 실리카, 용융 구상 실리카, 결정 실리카, 2차 응집 실리카 등의 실리카; 알루미나; 티타늄 화이트; 수산화 알루미늄; 탈크; 클레이; 마이카; 유리 섬유 등을 들 수 있다. 이들은 1종류를 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다.
그 중에서도, 용융 구상 실리카가 바람직하다. 또, 실리카의 입자 형상은, 가능한 한 진구상(眞球狀)인 것이 바람직하다.
상기 무기 충전재의 평균 입경 d50의 상한값은, 금형 충전성의 관점에서, 5μm 이하인 것이 바람직하고, 4.5μm 이하인 것이 보다 바람직하며, 4μm 이하인 것이 더 바람직하다. 이로써, 위치 어긋남을 효과적으로 억제할 수 있다.
한편, 상기 무기 충전재의 평균 입경 d50의 하한값은, 특별히 한정되지 않지만, 0.01μm 이상인 것이 바람직하다.
본 실시형태에 있어서, 무기 충전재의 평균 입경 d50은, 예를 들면 레이저 회절식 입도 분포 측정 장치(호리바(HORIBA)사제, LA-500)를 이용하여 측정할 수 있다.
본 실시형태에 있어서, 무기 충전재의 함유량의 하한값은, 열경화성 수지 조성물 전체에 대하여, 70중량% 이상인 것이 바람직하고, 75중량% 이상인 것이 보다 바람직하며, 80중량% 이상인 것이 더 바람직하다. 이로써, 열경화성 수지 조성물의 경화물의 저흡습성 및 저열팽창성을 향상시켜, 위치 어긋남을 효과적으로 억제할 수 있다.
한편, 상기 무기 충전재의 함유량의 상한값은, 특별히 한정되지 않지만, 열경화성 수지 조성물 전체에 대하여, 95중량% 이하인 것이 바람직하고, 93중량% 이하인 것이 보다 바람직하며, 90중량% 이하인 것이 더 바람직하다. 이로써, 열경화성 수지 조성물의 성형 시에 있어서의 유동성이나 충전성을 보다 효과적으로 향상시키는 것이 가능해진다.
본 실시형태의 열경화성 수지 조성물은, 실리콘 오일을 함유할 수 있다.
상기 실리콘 오일은, 예를 들면 분자 중에 폴리에테르기를 갖고 있는 화합물을 이용할 수 있다. 이와 같은 실리콘 오일로서는, 하기 일반식 (1)로 나타내는 실리콘 오일을 이용할 수 있다. 이들을 단독으로 이용해도 되고 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다.
[화학식 1]
Figure 112017091275679-pat00001
(단, 상기 일반식 (1)에 있어서, R1은 탄소수 1 내지 12의 알킬기, 아릴기, 아랄킬기로부터 선택되는 유기기이며, 서로 동일해도 되고 달라도 된다. R2는 탄소수 1 내지 9의 알킬렌기를 나타낸다. R3은 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 9의 알킬기이다. A는, 탄소, 질소, 산소, 황, 수소로부터 선택되는 원자로 구성되는 기이다. R4는 탄소수 1 내지 12의 알킬기, 아릴기, 아랄킬기로부터 선택되는 유기기, 또는 탄소, 질소, 산소, 황, 수소로부터 선택되는 원자로 구성되는 기이며, 서로 동일해도 되고 달라도 된다. 또, 평균값인 l, m, n, a, 및 b에 대해서는 다음의 관계에 있다. l≥0, m≥0, n≥1, l+m+n≥5, 0.02≤n/(l+m+n)≤0.8, a≥0, b≥0, a+b≥1)
상기 일반식 (1)로 나타내는 실리콘 오일에 있어서의 폴리에테르기 함유 단위의 반복수 (n)은, 상기 일반식 (1)로 나타내는 실리콘 오일의 중합도(l+m+n)에 대하여, 0.02 이상, 0.8 이하의 범위인 것이 바람직하다. 폴리에테르기 함유 단위의 반복수 (n)의 비율이 상기 범위 내이면, 실리콘 오일과 수지 성분의 상용성이 적정한 상태가 됨으로써 계면활성 작용을 나타내, 수지 성분의 균일화의 효과가 얻어지게 된다. 또, 폴리에테르기 함유 단위의 반복수 (n)의 비율이 상기 범위 내이면, 과잉의 폴리에테르기의 존재에 의한 수지 조성물의 흡습량의 증대를 억제할 수 있어, 그에 따른 땜납 내열성의 저하를 억제할 수 있다.
본 실시형태의 실리콘 오일은, 특별히 평균 중합도에 제약은 없고, 에폭시 수지, 페놀 수지, 무기 충전재와의 친화성을 부여하기 위하여, 메틸기, 페닐기 외에 C, O, N, S 원자 등을 포함하는 유기기를 갖고 있어도 상관없다.
예를 들면, 상기 일반식 (1)로 나타내는 실리콘 오일은, 분자 중에 폴리에테르기 이외에도 탄소, 질소, 산소, 황, 수소 원자로부터 선택되는 원자로 구성되는 다양한 기를 가져도 된다. 이들 기로서는, 예를 들면 에폭시기, 수산기, 아미노기, 우레이도기, 에폭시 수지나 경화제와의 반응성을 갖는 관능기나, 아릴기 등을 들 수 있다.
본 실시형태에 있어서, 실리콘 오일의 함유량의 하한값은, 특별히 한정되지 않지만, 열경화성 수지 조성물 전체에 대하여, 0.05중량% 이상인 것이 바람직하고, 0.08중량% 이상인 것이 보다 바람직하며, 0.1중량% 이상인 것이 더 바람직하다. 이로써, 열경화성 수지 조성물의 경화물의 계면에 실리콘 오일이 블리드할 수 있어, 당해 계면의 습윤성을 최적으로 할 수 있다.
한편, 실리콘 오일의 함유량의 상한값은, 특별히 한정되지 않지만, 열경화성 수지 조성물 전체에 대하여, 1중량% 이하인 것이 바람직하고, 0.5중량% 이하인 것이 보다 바람직하다. 이로써, 실리콘 오일의 블리드량을 적절히 제어할 수 있으므로, 열경화성 수지 조성물의 경화물의 성형성의 저하를 억제할 수 있다.
본 실시형태의 열경화성 수지 조성물은, 시아네이트 수지를 함유해도 된다.
이로써, 열경화성 수지 조성물의 경화물에 대하여, 저선팽창화나, 탄성률 및 강성의 향상을 도모할 수 있다. 또, 반도체 장치의 내열성이나 내습성을 향상시킬 수 있다.
상기 시아네이트 수지는, 예를 들면 노볼락형 시아네이트 수지; 비스페놀 A형 시아네이트 수지, 비스페놀 E형 시아네이트 수지, 테트라메틸 비스페놀 F형 시아네이트 수지 등의 비스페놀형 시아네이트 수지; 나프톨아랄킬형 페놀 수지와 할로겐화 시안의 반응으로 얻어지는 나프톨아랄킬형 시아네이트 수지; 디시클로펜타디엔형 시아네이트 수지; 비페닐렌 골격 함유 페놀아랄킬형 시아네이트 수지로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 포함할 수 있다. 이들 중에서도, 저선팽창화나, 탄성률 및 강성을 향상시키는 관점에서는, 노볼락형 시아네이트 수지 및 나프톨아랄킬형 시아네이트 수지 중 적어도 한쪽을 포함하는 것이 바람직하고, 노볼락형 시아네이트 수지를 포함하는 것이 보다 바람직하다.
상기 시아네이트 수지의 함유량의 하한값은, 열경화성 수지 조성물 전체에 대하여, 3중량% 이상인 것이 바람직하고, 5중량% 이상인 것이 보다 바람직하다. 이로써, 열경화성 수지 조성물의 경화물의 저선팽창화나 고탄성률화를 도모할 수 있다.
한편, 상기 시아네이트 수지의 함유량의 상한값은, 열경화성 수지 조성물 전체에 대하여, 30중량% 이하인 것이 바람직하고, 20중량% 이하인 것이 보다 바람직하다. 이로써, 열경화성 수지 조성물의 경화물의 내열성이나 내습성의 향상을 도모할 수 있다.
(경화 촉진제)
본 실시형태의 열경화성 수지 조성물은, 경화 촉진제를 함유해도 된다.
상기 경화 촉진제는, 예를 들면 에폭시 수지의 에폭시기와 경화제의 경화 반응을 촉진시키는 것이면 특별히 한정되지 않는다.
상기 경화 촉진제로서는, 예를 들면 유기 포스핀, 테트라 치환 포스포늄 화합물, 포스포베타인 화합물, 포스핀 화합물과 퀴논 화합물의 부가물, 포스포늄 화합물과 실란 화합물의 부가물 등의 인 원자 함유 화합물; 1,8-디아자비시클로[5.4.0]운데센-7, 벤질디메틸아민, 2-메틸이미다졸 등이 예시되는 아미딘이나 3급 아민, 상기 아미딘이나 아민의 4급염 등의 질소 원자 함유 화합물로부터 선택되는 1종류 또는 2종류 이상을 들 수 있다. 이들 중에서도, 경화성을 향상시키는 관점에서는 인 원자 함유 화합물을 포함하는 것이 바람직하다. 한편, 성형성과 경화성의 밸런스를 향상시키는 관점에서는, 테트라 치환 포스포늄 화합물, 포스포베타인 화합물, 포스핀 화합물과 퀴논 화합물의 부가물, 포스포늄 화합물과 실란 화합물의 부가물 등의 잠복성을 갖는 것을 포함하는 것이 바람직하다. 이들은 1종류를 단독으로 이용해도 되고 2종류 이상을 조합하여 이용해도 된다.
또, 유기 포스핀으로서는, 예를 들면 에틸포스핀, 페닐포스핀 등의 제1 포스핀; 디메틸포스핀, 디페닐포스핀 등의 제2 포스핀; 트리메틸포스핀, 트리에틸포스핀, 트리부틸포스핀, 트리페닐포스핀 등의 제3 포스핀을 들 수 있다.
보다 바람직한 것으로서는, 열경화성 수지 조성물이 용융된 후의 급격한 증점이 적은 잠복성을 갖는 경화 촉진제를 들 수 있다.
본 실시형태의 열경화성 수지 조성물은, 상기 각 성분 이외에, 필요에 따라서 커플링제, 레벨링제, 착색제, 이형제, 저응력제, 감광제, 소포제, 자외선 흡수제, 발포제, 산화 방지제, 난연제, 및 이온 포착제 등으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 첨가물을 함유해도 된다.
상기 커플링제로서는, 예를 들면 에폭시실란 커플링제, 양이온 실란 커플링제, 아미노실란 커플링제, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란 커플링제, 페닐아미노프로필트리메톡시실란 커플링제, 머캅토실란 커플링제 등의 실란 커플링제, 티타네이트계 커플링제 및 실리콘 오일형 커플링제 등을 들 수 있다.
상기 레벨링제로서는, 아크릴계 공중합물 등을 들 수 있다. 상기 착색제로서는, 카본 블랙 등을 들 수 있다. 상기 이형제로서는, 천연 왁스, 몬탄산 에스테르 등의 합성 왁스, 고급 지방산 혹은 그 금속염류, 파라핀, 산화 폴리에틸렌 등을 들 수 있다. 상기 저응력제로서는, 실리콘 고무 등을 들 수 있다. 이온 포착제로서는, 히드로탈사이트 등을 들 수 있다. 난연제로서는, 수산화 알루미늄 등을 들 수 있다. 본 실시형태에 있어서, 예를 들면 상기 실리콘 오일과 상기 이형제를 병용해도 된다.
본 실시형태의 열경화성 수지 조성물은, 과립상이어도 되고, 또는 시트상이어도 된다. 금형 충전성의 관점에서, 과립상의 열경화성 수지 조성물을 이용하는 것이 바람직하고, 생산성의 관점에서, 시트상의 열경화성 수지 조성물을 이용하는 것이 바람직하다.
본 실시형태에 있어서, 과립상의 열경화성 수지 조성물의 제조 방법으로서는, 예를 들면 복수의 소형 구멍을 갖는 원통상 외주부와 원반상의 바닥면으로 구성되는 회전자의 내측에, 용융 혼련된 열경화성 수지 조성물을 공급하고, 그 열경화성 수지 조성물을, 회전자를 회전시켜 얻어지는 원심력에 의하여 소형 구멍을 통과시켜 얻는 방법(이하, "원심 제분법"이라고도 함); 열경화성 수지 조성물의 각 원료 성분을 믹서로 예비 혼합 후, 롤, 니더 또는 압출기 등의 혼련기에 의하여 가열 혼련 후, 냉각, 분쇄 공정을 거쳐 분쇄물로 한 것을, 체를 이용하여 조립(粗粒)과 미분의 제거를 행하여 얻는 방법(이하, "분쇄 체분법"이라고도 함); 열경화성 수지 조성물의 각 원료 성분을 믹서로 예비 혼합 후, 스크루 선단부에 소경을 복수 배치한 다이를 설치한 압출기를 이용하여, 가열 혼련을 행함과 함께, 다이에 배치된 소형 구멍으로부터 스트랜드상으로 압출되는 용융 수지를 다이면에 대략 평행하게 슬라이딩 회전하는 커터로 절단하여 얻는 방법(이하, "핫컷법"이라고도 함) 등을 들 수 있다.
또, 시트상의 열경화성 수지 조성물의 제조 방법으로서는, 조제한 바니시상의 열경화성 수지 조성물을 기재 필름 상에 도포·건조하고 시트상으로 형성하여, 용제를 휘발시키는 방법을 들 수 있다. 이로써, 수지 시트를 제작할 수 있다. 또, 도포의 방법으로서는, 콤마 코터나 다이 코터와 같은 도공기를 이용한 도공에 의한 방법, 스텐실 인쇄나 그라비어 인쇄와 같은 인쇄에 의한 방법 등을 들 수 있다. 또한, 바니시상의 열경화성 수지 조성물의 조제 방법의 일례로서는, 예를 들면 비반응성의 휘발성 성분을 제외한 각 원료 성분을 혼련하여 얻어진 수지 조성물을 유기 용제 등에 용해 또는 분산시키는 방법이 있다. 또, 수지 시트는, 열경화성 수지 조성물을 압출하여 시트상으로 형성해도 된다. 또한, 수지 시트의 표면을 보호하여 필름으로 덮어도 된다. 상기 수지 시트는, 매엽상이어도 되고 권취 가능한 롤상이어도 된다.
다음으로, 본 실시형태의 열경화성 수지 조성물의 물성에 대하여 설명한다.
본 실시형태의 열경화성 수지 조성물은, 이하의 조건 1을 충족시킨다.
(조건 1)
트랜스퍼 성형(175℃, 120초)에 의하여 상기 열경화성 수지 조성물의 경화물을 얻은 후, 상기 경화물에 대하여, 제1 열처리(175℃, 4시간)를 실시한 상기 경화물의 금형 치수에 대한 25℃에 있어서의 수축률을 S1(%)로 하고, 또한 상기 경화물에 대하여, 제2 열처리(190℃에 이르렀을 때의 시간을 t1로 하며, 당해 190℃에서 233±3℃까지 승온시킨 후, 190℃까지 강온시켰을 때의 시간을 t2로 했을 때, t2-t1이 100±50초를 충족시킴), 제3 열처리(125℃, 2시간), 제4 열처리(175℃, 6시간)의 순서로 처리를 실시했을 때의 상기 경화물의 금형 치수에 대한 25℃에 있어서의 수축률을 S4(%)로 했을 때, 다음 식을 충족시킨다.
0.85×S1≤S4≤1.15×S1 (1-1)
즉, 종래에는, 단지 수축률이 낮은 열경화성 수지 조성물을 이용한 것만으로는, 그 후의 열이력에 의한 수축률의 변동이 커지는 경우가 있어, 오히려 위치 어긋남이나 기판의 휨이 발생하는 경우가 있었다. 이에 비하여, 본 실시형태에 있어서의 열경화성 수지 조성물은, 상기의 조건 1을 충족시킴으로써, 반도체 장치에 있어서의 위치 어긋남을 효과적으로 저감시킬 수 있다. 또한, 기판이 Smile 휨(플러스 휨)이 되거나 Cry 휨(마이너스 휨)이 되거나 하는 변동을 억제할 수 있다.
또, 제4 열처리(175℃, 6시간) 후에, 제5 열처리(160℃에 이르렀을 때의 시간을 t3으로 하고, 당해 160℃에서 240±5℃까지 승온시킨 후, 160℃까지 강온시켰을 때의 시간을 t4로 했을 때, t4-t3이 90±60초를 충족시킴)를 더 실시했을 때의 경화물의 금형 치수에 대한 25℃에 있어서의 수축률을 S5(%)로 했을 때, 다음 식을 충족시키는 것으로 해도 된다.
0.85×S1≤S5≤1.15×S1 (1-2)
또한, 제2 처리(190℃에 이르렀을 때의 시간을 t1로 하고, 당해 190℃에서 233±3℃까지 승온시킨 후, 190℃까지 강온시켰을 때의 시간을 t2로 했을 때, t2-t1이 100±50초를 충족시킴)를 실시했을 때의 경화물의 금형 치수에 대한 25℃에 있어서의 수축률을 S2(%)로 했을 때, 다음 식을 충족시키는 것으로 해도 된다.
0.85×S1≤S2≤1.15×S1 (1-3)
이로써, 열이력에 의한 위치 어긋남 및 기판의 휨을 더 효과적으로 저감시킬 수 있게 되며, 그 결과 신뢰성이 높은 반도체 장치를 얻을 수 있다.
또, 본 실시형태의 열경화성 수지 조성물은, 이하의 조건 2를 충족시킨다.
(조건 2)
트랜스퍼 성형(175℃, 120초)에 의하여, 상기 열경화성 수지 조성물의 경화물을 얻은 후, 얻어진 상기 경화물에 대하여, 제1 열처리(175℃, 4시간), 제2 열처리(190℃에 이르렀을 때의 시간을 t1로 하고, 당해 190℃에서 233±3℃까지 승온시킨 후, 190℃까지 강온시켰을 때의 시간을 t2로 했을 때, t2-t1이 100±50초를 충족시킴), 제3 열처리(125℃, 2시간), 제4 열처리(175℃, 6시간)의 순서로 처리를 실시하며, 제n 열처리를 한 후의 상기 경화물의 금형 치수에 대한 25℃에 있어서의 수축률을 Sn(%)으로 했을 때, 다음 식을 충족시킨다.
0≤|Sn-Sn-1|≤0.04 (2-1)
또, 제4 열처리(175℃, 6시간) 후에, 제5 열처리(160℃에 이르렀을 때의 시간을 t3으로 하고, 당해 160℃에서 240±5℃까지 승온시킨 후, 160℃까지 강온시켰을 때의 시간을 t4로 했을 때, t4-t3이 90±60초를 충족시킴)를 더 실시해도 된다. 이 경우도, 상기 식 (2-1)을 충족시킨다.
본 실시형태에 있어서의 열경화성 수지 조성물은, 상기와 같은 종래 기술에 대하여, 조건 2를 충족시킴으로써, 반도체 장치에 있어서의 위치 어긋남을 효과적으로 저감시킬 수 있다. 또한, 기판이, Smile 휨(플러스 휨)이 되거나 Cry 휨(마이너스 휨)이 되거나 하는 변동을 억제할 수 있다.
본 실시형태의 열경화성 수지 조성물은, 상기와 같은 조건 1 및 2를 충족시키기 위하여, 열경화성 수지 조성물 중에 포함되는 각 성분의 종류나 배합량을 적절히 조합하고, 열경화성 수지 조성물의 혼련 속도, 혼련 온도 등과 같은 조제 방법 등을 고도로 제어하고 있다. 예를 들면, 점도가 너무 높아지지 않도록, 재료를 선택하고, 배합량을 조정하는 것 등을, 상기 조건 1 및 2를 충족시키기 위한 요소로서 들 수 있다. 상세하게는, 점도가 낮은 열경화성 수지와 점도가 낮은 경화제를 조합하는 것, 점도가 높은 열경화성 수지를 이용한 경우에는 점도가 낮은 열경화성 수지와 조합하고, 이들의 배합량을 조정하거나, 조합하는 경화제로서 점도가 낮은 것을 선택하는 것 등을 들 수 있다. 단, 본 실시형태의 열경화성 수지 조성물에 있어서, 상기와 같은 조건 1 및 2를 충족시키는 방법은 이러한 방법에 한정되지 않는다.
상기 조건 1 및 2에 있어서의 경화물의 수축률은, 이하와 같이 정의된다.
트랜스퍼 성형(175℃, 120초)에 의하여, 상기 열경화성 수지 조성물의 경화물을 얻은 후, 얻어진 상기 경화물에 대하여, 제1 열처리(175℃, 4시간), 제2 열처리(190℃에 이르렀을 때의 시간을 t1로 하고, 당해 190℃에서 233±3℃까지 승온시킨 후, 190℃까지 강온시켰을 때의 시간을 t2로 했을 때, t2-t1이 100±50초를 충족시킴), 제3 열처리(125℃, 2시간), 제4 열처리(175℃, 6시간), 제5 열처리(160℃에 이르렀을 때의 시간을 t3으로 하고, 당해 160℃에서 240±5℃까지 승온시킨 후, 160℃까지 강온시켰을 때의 시간을 t4로 했을 때, t4-t3이 90±60초를 충족시킴)의 순서로 처리를 실시했을 때의, 제n 열처리를 한 후의 경화물의 금형 치수에 대한 25℃에 있어서의 수축률을 Sn(%)으로 한다.
먼저, 원반상의 금형의 실온에 있어서의 치수를 4개소 측정하여, 그 평균값을 산출한다. 계속해서, 금형에 열경화성 수지 조성물을 투입하여 원반상의 경화물을 얻고, 얻어진 경화물에 제n 열처리를 실시한 후의 실온에 있어서의 직경을, 당해 금형에서 측정한 개소에 대응하는 4개소에서 측정하여, 그 평균값을 산출한다. 다음으로, 얻어진 평균값을, 다음 식: [(실온에 있어서의 금형 치수-제n 열처리 후의 경화물의 실온에 있어서의 치수)/실온에 있어서의 금형 치수]×100(%)에 적용시켜, 경화물의 수축률 Sn(%)을 산출한다.
또, 제1 열처리는, 본 실시형태에 있어서의 열경화성 수지 조성물을 이용하여 수지 봉지(ASM: as Mold)를 행한 후, 본경화시켜 수지 봉지 기판을 제작하는 것을 상정한 가열 조건이다(PMC: Post Mold Cure). 제2 열처리는, 얻어진 수지 봉지 기판에 반도체 소자를 탑재하는 것을 상정한 가열 조건이다(다이 본딩 리플로). 보다 구체적으로는, 예를 들면 130~180℃에서 프리히트를 행하여, 190~233±3℃에서의 승온 속도를 대체로 1.5℃/초로 하고, 피크 온도로부터 40℃까지의 강온 속도를 대체로 0.5℃/초로 해도 된다. 190℃에 이르렀을 때의 시간을 t1로 하고, 당해 190℃에서 233±3℃까지 승온시킨 후, 190℃까지 강온시켰을 때의 시간을 t2로 했을 때, t2-t1이 100±50초를 충족시키는 것이면 된다. 제3 열처리는, 반도체 소자가 탑재된 수지 봉지 기판을 건조(탈습)시키는 것을 상정한 가열 조건이다. 제4 열처리는, 수지 봉지 기판에 탑재된 반도체 소자를 수지 봉지하는 것을 상정한 가열 조건이다. 제5 열처리는, 수지 봉지된 반도체 소자가 탑재된 수지 봉지 기판에 땜납 볼을 탑재하는 것을 상정한 가열 조건이다(볼 어태치 리플로). 보다 구체적으로는, 예를 들면 140~160℃에서 프리히트를 행하고, 217℃ 이상에서 용융하며, 피크 온도로부터 160℃까지의 승온 속도를 0.5~3℃/초로 해도 된다. 160℃에 이르렀을 때의 시간을 t3으로 하고, 당해 160℃에서 240±5℃까지 승온시킨 후, 160℃까지 강온시켰을 때의 시간을 t4로 했을 때, t4-t3이 90±60초를 충족시키는 것이면 된다. 이와 같이, 본 실시형태의 열경화성 수지 조성물은, 열이력을 상정한 조건에 있어서 특정 수치를 충족시킴으로써, 보다 효과적으로 위치 어긋남을 억제하면서, 기판의 휨을 저감시킬 수 있게 된다.
본 실시형태의 열경화성 수지 조성물의 경화물의 유리 전이 온도(Tg)의 하한값은, 145℃ 이상인 것이 바람직하고, 150℃ 이상인 것이 보다 바람직하며, 155℃ 이상인 것이 더 바람직하다. 이로써, 열경화성 수지 조성물의 경화물의 열분해를 억제할 수 있어, 위치 어긋남을 저감시킬 수 있다. 또, 수지 봉지 기판의 휨을 억제할 수 있다.
한편, 상기 유리 전이 온도(Tg)의 상한값은, 특별히 한정되지 않지만, 250℃ 이하인 것이 바람직하다.
또, 과립상의 열경화성 수지 조성물에 있어서의 평균 입경의 상한값은, 1.0mm 이하인 것이 바람직하고, 0.7mm 이하인 것이 보다 바람직하며, 0.6mm 이하인 것이 더 바람직하다. 이로써, 충전성을 향상시키면서, 위치 어긋남을 억제할 수 있다.
한편, 상기 평균 입경의 하한값은, 0.1mm 이상인 것이 바람직하고, 0.3mm 이상인 것이 보다 바람직하며, 0.4mm 이상인 것이 더 바람직하다. 이로써, 제조 안정성이 우수한 과립상의 열경화성 수지 조성물을 실현할 수 있다.
(전자 장치)
본 실시형태의 전자 장치(100)에 대하여 설명한다. 도 1은, 본 실시형태의 전자 장치(100)의 구성을 나타내는 단면도이다.
본 실시형태의 전자 장치(100)는, 수지 봉지 기판(110)과, 수지 봉지 기판(110) 상에 탑재된 전자 부품(반도체 소자(140))을 구비하는 반도체 장치로 할 수 있다. 본 실시형태에 있어서, 수지 봉지 기판(110)은, 상기의 열경화성 수지 조성물의 경화물을 구비하는 것이다.
수지 봉지 기판(110)(예를 들면, MIS 기판(Molded Interconnect Substrate))은, 절연층(112)과 금속층(130)을 적어도 구비할 수 있다. 절연층(112)은, 본 실시형태의 열경화성 수지 조성물의 경화물로 구성되는 것이다. 이로써, 제조 안정성이 우수하고, 기판 휨이 억제된 수지 봉지 기판(110)을 얻을 수 있다. 절연층(112)은, 유리 크로스 등의 섬유 기재를 함유하지 않는 구성으로 해도 된다. 이로써, 수지 봉지 기판(110)은, 코어리스 수지 기판으로 할 수 있다. 또, 코어리스 수지 기판은, 절연층 내에 내장된 반도체 칩을 갖고 있어도 된다. 이 반도체 소자는, 금속층(예를 들면, 비아 배선)을 통하여 전기적으로 접속할 수 있다.
수지 봉지 기판(110)에 있어서, 포스트인 금속층(130)은, 비아 배선(120)을 통하여, 수지 봉지 기판(110)의 상면(114)과 하면을 전기적으로 접속한다. 금속층(130)이나 비아 배선(120)은, 예를 들면 구리 등의 금속으로 구성되어 있어도 된다.
또, 수지 봉지 기판(110)의 상면(114)은, 연마면으로 구성되어 있어도 된다. 또, 수지 봉지 기판(110)의 상면(114)과 금속층(130)의 상면은 동일 평면을 구성해도 된다. 또한, 수지 봉지 기판(110)의 상면(114) 및 하면에는, 도시하지 않은 솔더 레지스트층이 형성되어 있어도 된다.
상기 반도체 소자(140)는, 수지 봉지 기판(110) 상에 접착층(160)을 통하여 고정되어 있어도 된다. 반도체 소자(140)는, 수지 봉지 기판(110)과 와이어 본딩(150)을 통하여 전기적으로 접속되어도 되지만, 플립 칩 접속에 의하여 전기적으로 접속되어 있어도 된다. 또, 반도체 소자(140)는, 일반적인 봉지용 열경화성 수지 조성물의 경화물(봉지재층(170))로 덮이도록 봉지되어 있다.
상기 반도체 소자(140)로서는, 예를 들면 집적 회로, 대규모 집적 회로, 트랜지스터, 사이리스터, 다이오드, 고체 촬상 소자 등을 들 수 있다. 반도체 소자(140)를 구비하는 반도체 패키지의 구조로서는, 예를 들면 볼·그리드·어레이(BGA), MAP 타입의 BGA 등을 들 수 있다. 또, 칩·사이즈·패키지(CSP), 쿼드·플랫·노리드·패키지(QFN), embedded WLP(eWLP), Fan In WLP 및 Fan Out WLP 등의 웨이퍼·레벨 패키지(WLP), 스몰 아우트 라인·노리드·패키지(SON), 리드 프레임·BGA(LF-BGA) 등을 들 수 있다.
계속해서, 전자 장치(200)의 제조 방법에 대하여, 수지 봉지 기판(250)의 제조 공정을 근거로 하여 설명한다. 도 2는, 전자 장치(200)의 제조 공정의 공정 단면도이다.
본 실시형태에 있어서, 수지 봉지 기판(250)의 제조 방법은, 다음의 공정 1~3을 포함할 수 있다.
공정 1은, 지지 기재(210) 상에, 패턴화된 금속층(230)을 형성하는 금속층 형성 공정을 포함한다.
공정 2는, 금속층(230)을 매설하는 절연층(234)을 형성하는 절연층 형성 공정을 포함한다.
공정 3은, 절연층(234)의 표면(상면(226))을 연마함으로써, 금속층(230)을 노출시키는 연마 공정을 포함한다.
이들 상기 공정 1~3을 반복함으로써, 1층 이상의 절연층으로 구성된 층간 절연층 중에 층간 접속 배선을 형성할 수 있다.
상기 절연층은, 본 실시형태의 열경화성 수지 조성물의 경화물로 구성할 수 있다.
이하, 각 공정에 대하여 설명한다.
먼저, 도 2(a)에 나타내는 바와 같이, 지지 기재(210)를 준비한다. 지지 기재(210) 상에는 캐리어박(箔)(212)이 형성되어 있어도 된다. 지지 기재(210)로서는, 평탄성, 강직성 및 내열성 등의 특성을 갖는 하지(下地) 기판이면 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 금속판을 이용할 수 있다. 금속판으로서는, 예를 들면 구리판, 알루미늄판, 철판, 강철(스틸)판, 니켈판, 구리 합금판, 42 합금판, 스테인리스판 등을 들 수 있다. 강철(스틸)판은, SPCC(Steel Plate Cold Commercial) 등의 냉간 압연 강판의 양태여도 된다. 또, 금속판은, 프레임 형상으로 가공된 매엽의 것이어도 되고, 후프상의 연속 형상의 것이어도 된다. 상면에서 보았을 때의 지지 기재(210)의 평면 형상으로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 직사각형상이어도 되고 원형상이어도 되지만, 생산성의 관점에서 직사각형상인 것이 바람직하다.
계속해서, 패턴화된 금속층(220)을 형성한 후, 이 금속층(220) 상에 비아 배선(222)을 형성할 수 있다.
패턴화 방법으로서는, 예를 들면 포토리소그래피법을 이용할 수 있다. 구체적인 일례로서는, 먼저 지지 기재(210) 상에, 감광성 수지 조성물로 이루어지는 감광성 수지막을 형성한다. 형성 방법으로서는, 예를 들면 코터나 스피너 등을 사용하여 감광성 수지 조성물을 도포하여 얻어진 도포막을 건조시키는 방법이나, 감광성 수지 조성물로 이루어지는 수지 시트를 열압착 등에 의하여 라미네이팅하는 방법 등에 의하여, 감광성 수지 조성물로 이루어지는 감광성 수지막을 형성한다. 계속해서, 당해 감광성 수지막에 소정의 패턴을 갖는 개구부를 형성한다. 개구부의 형성 방법으로서는, 예를 들면 노광 현상법이나 레이저 가공법 등을 이용할 수 있다. 계속해서, 이 개구부를 금속막으로 매설한다. 매설 방법으로서는, 예를 들면 무전해 도금법이나 도금법 등을 들 수 있다. 금속막의 재료로서는, 예를 들면 구리, 구리 합금, 42 합금, 니켈, 철, 크로뮴, 텅스텐, 금, 땜납 등을 들 수 있지만, 구리를 이용하는 것이 바람직하다. 계속해서, 상기 감광성 수지막을 제거한다. 제거 방법으로서는, 예를 들면 박리액을 이용하여 감광성 수지막을 박리하는 방법, 애싱 처리, 애싱 처리를 행한 후에 하지에 부착되어 있는 감광성 수지막의 잔사를 박리액에 의하여 제거하는 방법 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 생산 효율을 향상시키는 관점에서, 박리액을 이용하여 감광성 수지막을 박리하는 방법을 채용하는 것이 바람직하다. 박리액의 구체예로서는, 알킬벤젠설폰산을 포함하는 유기 설폰산계 박리액, 모노에탄올아민 등의 유기 아민을 포함하는 유기 아민계 박리액, 물에 대하여 유기 알칼리나 불소계 화합물 등을 혼합한 수계 레지스트 박리액 등을 들 수 있다. 또한, 화학적 기계 연마(CMP) 장치를 이용하여 금속층을 연마하는 수법을 행해도 된다.
이상에 의하여, 패턴화한 금속층이 얻어진다. 이와 같은 금속층으로서는, 배선 회로, 비아 배선, 도전 포스트 등을 들 수 있다.
계속해서, 도 2(b)에 나타내는 바와 같이, 금속층(220) 및 비아 배선(222)을 매립하도록, 절연층(224)을 형성한다. 절연층(224)은, 본 실시형태의 열경화성 수지 조성물의 경화물에 의하여 구성되어 있다. 즉, 본 실시형태의 열경화성 수지 조성물의 경화물에 의하여, 금속층(220) 및 비아 배선(222)을 봉지할 수 있다.
절연층(224)의 형성 방법에는, 예를 들면 봉지 재료로서, 과립상의 열경화성 수지 조성물, 또는 시트상의 열경화성 수지 조성물을 이용하여 성형 방법으로서 압축 성형을 사용할 수 있다.
여기에서, 본 실시형태에 있어서, 과립상의 열경화성 수지 조성물을 이용한 압축 성형에 대하여 개요를 설명한다.
먼저, 압축 성형 금형의 하형 캐비티의 바닥면에, 과립상의 열경화성 수지 조성물을 균일하게 되도록 뿌린다. 예를 들면, 진동 피더 등의 반송 수단을 이용하여, 입상(粒狀)의 열경화성 수지 조성물을 반송하여, 하형 캐비티의 바닥면에 배치해도 된다.
계속해서, 금속층(220)이나 비아 배선(222)이 형성된 지지 기재(210)를, 클램프나 흡착과 같은 고정 수단에 의하여, 압축 성형 금형의 상형에 고정한다. 계속해서, 감압하, 금형의 상형과 하형의 간격을 좁힘으로써, 과립상의 열경화성 수지 조성물은, 하형 캐비티 내에서 소정 온도로 가열되어 용융 상태가 된다. 계속해서, 금형의 상형과 하형을 결합시킴으로써, 용융 상태의 열경화성 수지 조성물을 상형에 고정된 금속층(220)이나 비아 배선(222)에 대하여 압압한다. 그 후, 금형의 상형과 하형을 결합시킨 상태를 유지하면서, 소정 시간 동안 열경화성 수지 조성물을 경화시킨다. 이로써, 지지 기재(210) 상의 금속층(220) 및 비아 배선(222)을 봉지한 절연층(224)을 형성할 수 있다.
본 실시형태에 있어서는, 과립상의 열경화성 수지 조성물 대신에, 시트상의 열경화성 수지 조성물을 사용한 경우에도, 상기와 같은 압축 성형을 이용할 수 있다.
여기에서, 압축 성형을 행하는 경우에는, 금형 내를 감압하로 하면서 봉지를 행하는 것이 바람직하고, 진공 조건하이면 더 바람직하다. 이로써, 충전 부분을 남기지 않고, 금속층(220)이나 비아 배선(222) 등의 패턴화된 금속층을, 열경화성 수지 조성물의 경화물(절연층(224))로 매설할 수 있다.
압축 성형에 있어서의 성형 온도는, 예를 들면 100℃ 이상 200℃ 이하로 해도 되고, 120℃ 이상 180℃ 이하로 해도 된다. 성형 압력은, 예를 들면 0.5MPa 이상 12MPa 이하로 해도 되고, 1MPa 이상 10MPa 이하로 해도 된다. 성형 시간은, 예를 들면 30초 이상 15분 이하로 해도 되고, 1분 이상 10분 이하로 해도 된다. 본 실시형태에 있어서, 성형 온도, 압력, 시간을 상기 범위로 함으로써, 용융 상태의 봉지재가 충전되지 않는 부분이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
또, 얻어진 열경화성 수지 조성물의 경화물(절연층(224))에 대하여, 봉지 후, 포스트큐어를 실시해도 된다. 포스트큐어 온도는, 예를 들면 150℃ 이상 200℃ 이하로 해도 되고, 165℃ 이상 185℃ 이하로 해도 된다. 포스트큐어 시간은, 예를 들면 1시간 이상 5시간 이하로 해도 되고, 2시간 이상 4시간 이하로 해도 된다.
계속해서, 도 2(c)에 나타내는 바와 같이, 그라인드나 케미컬 에칭 등의 방법에 의하여, 절연층(224)의 표면(상면(226))을 연마함으로써, 패턴화한 금속층(비아 배선(222))의 표면을 노출시킨다. 이때, 상면(226)에는 연마면이 형성되게 된다. 또, 그라인드 방법으로서는, 예를 들면 화학적 기계 연마(CMP)를 이용할 수 있다.
계속해서, 도 2(d)에 나타내는 바와 같이, 금속층(220)과 동일하게 하여, 패턴화한 금속층(230)을 절연층(224)의 상면(226) 상에 형성한다. 계속해서, 도 2(e)에 나타내는 바와 같이, 절연층(224)과 동일하게 하여, 금속층(230)을 매설하는 절연층(234)을 형성한다. 계속해서, 도 2(f)에 나타내는 바와 같이, 상기의 연마 방법에 의하여, 절연층(234)의 상면(236)을 연마함으로써, 상면(236)에 연마면을 형성함과 함께, 금속층(230)의 상면을 노출시킬 수 있다. 이상과 같은 공정을 반복한 후, 지지 기재(210) 및 캐리어박(212)을 박리함으로써, 도 2(g)에 나타내는 바와 같은, 비아 배선(232), 금속층(240), 절연층(244)이 추가로 형성된 수지 봉지 기판(250)이 얻어진다. 또, 수지 봉지 기판(250)의 상면(246)에는 연마면이 형성되어 있어도 된다.
본 실시형태에 있어서, 상술한 공정 1~3을 반복함으로써, 수지 봉지 기판(250)의 배선층을 1층 또는 2층 이상으로 하는 것이 가능하게 된다. 수지 봉지 기판(250)의 층간 절연층은, 본 실시형태의 열경화성 수지 조성물의 경화물로 구성되어 있다. 이로 인하여, 수지 봉지 기판(250)의 휨을 억제할 수 있다. 또, 제조 안정성이 우수한 수지 봉지 기판(250)으로 할 수 있다.
여기에서, 도 2(h)에 나타내는 수지 봉지 기판(250)은, 하나의 반도체 소자(260)뿐만 아니라, 복수의 반도체 소자(260)를 평면 내에 배치할 수 있다. 즉, 수지 봉지 기판(250)은, 대면적의 금형을 이용한 금형 성형에 의하여 얻어진 구조를 가질 수 있다.
복수의 반도체 소자(전자 부품)를 평면 내 탑재할 수 있는 탑재 에어리어를 갖는 경우의 일례를, 도 3에 나타낸다. 도 3은, 본 실시형태에 관한 수지 봉지 기판(300)의 구성의 일례를 나타내는 상면도이다. 도 3에 나타내는 바와 같이, 수지 봉지 기판(300)은, 평면 내에 복수의 반도체 소자 탑재 에어리어(310, 320)가 형성되어 있어도 된다.
각각의 반도체 소자 탑재 에어리어(310, 320)에, 반도체 소자(전자 부품)가 서로 이간되어 탑재되게 된다.
도 2(h)로 되돌아가, 수지 봉지 기판(250) 상에 반도체 소자(260)를 탑재한다. 이로써, 전자 장치(200)가 얻어진다. 전자 장치(200) 중의 반도체 소자(260)는, 땜납 범프(280)를 통하여 플립 칩 접속에 의하여 수지 봉지 기판(250)과 전기적으로 접속할 수 있다. 수지 봉지 기판(250) 상의 반도체 소자(260)는, 일반적인 봉지용 열경화성 수지에 의하여 봉지되어 있으며, 봉지재층(270)으로 덮여 있다.
본 실시형태에 있어서, 도 3에 나타내는 바와 같이, 복수의 반도체 소자가 탑재된 수지 봉지 기판(300)은, 이들을 일괄 봉지한 후, 개편화되게 된다. 이로써, 도 2(f)에 나타내는 바와 같은, 개편화된 전자 장치(200)를 얻을 수 있다.
이상, 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태에 대하여 설명했지만, 이들은 본 발명의 예시이며, 상기 이외의 다양한 구성을 채용할 수도 있다.
실시예
이하, 본 발명에 대하여 실시예를 참조하여 상세하게 설명하지만, 본 발명은, 이들 실시예의 기재에 한정되는 것은 아니다.
(열경화성 수지 조성물의 조제)
실시예, 비교예에 대하여, 다음과 같이 열경화성 수지 조성물을 조제했다. 먼저, 표 1에 나타내는 배합에 따라, 각 성분을 믹서로 혼합하여 혼합물을 얻었다. 이어서, 이 혼합물에 대하여, 표 1에 나타내는 배합에 따라 무기 충전재를 첨가한 후, 믹서를 이용하여 혼합했다. 이어서, 얻어진 혼합물을, 70~100℃에서 롤 혼련했다.
(분쇄품의 열경화성 수지 조성물의 조제)
얻어진 혼련 후의 혼합물을 냉각하고 분쇄하여, 분쇄품의 열경화성 수지 조성물을 얻었다.
(과립품의 열경화성 수지 조성물의 제작)
도 4에 나타내는 방법으로, 과립상의 열경화성 수지 조성물을 제작했다.
먼저, 도 4(a)에 나타내는 원통상 외주부(602)의 소재로서, 구멍 직경 2.5mm의 소형 구멍을 갖고 있는 철제의 펀칭 철망을 사용했다. 직경 20cm의 회전자(601)의 외주 상에 원통상으로 가공한 높이 25mm, 두께 1.5mm의 펀칭 철망을 장착하여, 원통상 외주부(602)를 형성했다. 회전자(601)를 3000RPM으로 회전시켜, 원통상 외주부(602)를 여자(勵磁) 코일로 115℃로 가열했다. 회전자(601)의 회전수와 원통상 외주부(602)의 온도가 정상 상태가 된 후, 탈기 장치에 의하여 탈기하면서 2축 압출기(609)에 의하여, 표 1에 나타내는 각 성분을 용융 혼련하여 얻어진 용융물을, 회전자(601)의 상방으로부터 2중 관식 원통체(605)를 통과시켜 2kg/hr의 비율로 회전자(601)의 내측에 공급하고, 회전자(601)를 회전시켜 얻어지는 원심력에 의하여 원통상 외주부(602)의 복수의 소형 구멍을 통과시킴으로써, 과립상의 열경화성 수지 조성물을 얻었다. 원통상 외주부(602)의 소형 구멍을 통과하여 토출된 과립상의 열경화성 수지 조성물은, 예를 들면 회전자(601)의 주위에 설치한 외조(外槽)(608)에서 포집된다. 또, 회전자(601)는, 모터(610)와 접속되어 있으며, 임의의 회전수로 회전시킬 수 있다. 회전자(601)의 외주 상에 설치한 복수의 소형 구멍을 갖는 원통상 외주부(602)는, 도 4(b)에 나타내는 자성 재료(603)를 구비한다. 원통상 외주부(602)는, 그 근방에 구비된 여자 코일(604)에, 교류 전원 발생 장치(606)에 의하여 발생시킨 교류 전원을 통전시킴으로써 발생하는 교번(交番) 자속의 통과에 따른, 와전류손이나 히스테리시스손에 의하여 가열된다. 또한, 충돌면 외주에는, 냉각 재킷(607)을 마련하여, 충돌면을 냉각한다. 여기에서, 도 4(b)에 회전자(601) 및 회전자의 원통상 외주부(602)를 가열하기 위한 여자 코일(604)의 단면도를 나타내고, 도 4(c)에 용융 혼련된 열경화성 수지 조성물을, 회전자(601)에 공급하는 2중 관식 원통체(605)의 단면도를 나타낸다.
표 1 중에 있어서의 각 성분의 상세는 하기와 같다.
(열경화성 수지)
열경화성 수지 1: 비페닐형 에폭시 수지(미쓰비시 가가쿠사제, YX4000HK, 150℃에 있어서 ICI 점도가 0.1dPa·sec)
열경화성 수지 2: 트리히드록시페닐메탄형 에폭시 수지(미쓰비시 가가쿠사제, 1032H-60, 150℃에 있어서 ICI 점도가 1.3dPa·sec)
열경화성 수지 3: 비페닐렌 골격 함유 페놀아랄킬형 에폭시 수지(닛폰 가야쿠사제, NC-3000L, 150℃에 있어서 ICI 점도가 0.5dPa·sec)
(경화제)
경화제 1: 포름알데히드로 변성한 트리히드록시페닐메탄형 페놀 수지(에어 워터 케미컬사제, HE910-20, 150℃에 있어서 ICI 점도가 1.5dPa·sec)
경화제 2: 비페닐렌 골격 함유 페놀아랄킬 수지(닛폰 가야쿠사제, GPH-65, 150℃에 있어서 ICI 점도가 0.4dPa·sec)
경화제 3: 트리히드록시페닐메탄형 페놀 수지(메이와 가세이제, MEH-7500, 150℃에 있어서 ICI 점도가 5.8dPa·sec)
또한, 150℃에 있어서의 용융 점도(ICI 점도)는 콘플레이트형 점도계 CV-1S(토아코교 주식회사제)로 측정하였다.
(경화 촉진제)
경화 촉진제 1: 하기 식으로 나타내는 경화 촉진제(테트라페닐포스포늄비스(나프탈렌-2,3-디옥시)페닐실리케이트)
[화학식 2]
Figure 112017091275679-pat00002
(무기 충전재)
무기 충전재 1: 용융 구상 실리카(다쓰모리사제, MUF-46)
무기 충전재 2: 용융 구상 실리카(아드마텍스사제, SC-2500-SQ)
[표 1]
Figure 112017091275679-pat00003
상기 표 1 중에 있어서의 실시예 및 비교예의 열경화성 수지 조성물에 대하여, 하기의 측정을 행했다.
트랜스퍼 성형(175℃, 120초)에 의하여, 상기 열경화성 수지 조성물의 경화물을 얻은 후, 얻어진 상기 경화물에 대하여, 제1 열처리(175℃, 4시간), 제2 열처리(190℃에 이르렀을 때의 시간을 t1로 하고, 당해 190℃에서 233±3℃까지 승온시킨 후, 190℃까지 강온시켰을 때의 시간을 t2로 했을 때, t2-t1이 100±50초를 충족시킴), 제3 열처리(125℃, 2시간), 제4 열처리(175℃, 6시간), 제5 열처리(160℃에 이르렀을 때의 시간을 t3으로 하며, 당해 160℃에서 240±5℃까지 승온시킨 후, 160℃까지 강온시켰을 때의 시간을 t4로 했을 때, t4-t3이 90±60초를 충족시킴)의 순서로 처리를 실시했다.
제n 열처리를 한 후의 경화물의 금형 치수에 대한 25℃에 있어서의 수축률을 Sn(%)으로 하고, 수축률 Sn(%)을 다음과 같이 하여 산출했다.
먼저, 원반상의 금형의 실온에 있어서의 치수를 4개소 측정하여, 그 평균값을 산출한다. 계속해서, 금형에 열경화성 수지 조성물을 투입하여 얻어진 원반상의 경화물을 얻고, 얻어진 경화물에 제n 열처리를 실시한 후의 실온에 있어서의 직경을, 당해 금형에서 측정한 개소에 대응하는 4개소에서 측정하여, 그 평균값을 산출한다. 다음으로, 얻어진 평균값을, 다음 식: [(실온에 있어서의 금형 치수-제n 열처리 후의 경화물의 실온에 있어서의 치수)/실온에 있어서의 금형 치수]×100(%)에 적용시켜, 경화물의 수축률 Sn(%)을 산출한다.
결과를 표 1에 나타낸다.
(유리 전이 온도(Tg))
트랜스퍼 성형기를 이용하여 금형 온도 175℃, 주입 압력 9.8MPa, 경화 시간 3분으로 얻어진 열경화성 수지 조성물을 주입 성형하여, 15mm×4mm×4mm의 시험편을 얻었다. 이어서, 얻어진 시험편을 175℃, 4시간으로 후경화한 후, 열기계 분석 장치(세이코 덴시 고교(주)제, TMA100)를 이용하여, 측정 온도 범위 0℃~320℃, 승온 속도 5℃/분의 조건하에서 측정을 행했다. 이 결과로부터 유리 전이 온도를 산출했다. 유리 전이 온도의 단위는 ℃이다.
(위치 어긋남)
금속판에 미리 이형제를 도포하여, 얻어진 열경화성 수지 조성물을 당해 금속판에서 압축 성형(온도 175℃, 경화 시간 120초, 압력 10MPa)에 의하여 경화시켜, 수지판을 제작했다. 계속해서 수지판을 금속판으로부터 박리하여, 236mm×71mm의 수지판을 얻었다. 얻어진 수지판의 모서리로부터 5mm 내측의 위치에 NC드릴로 1mmφ의 구멍을 뚫거나 또는 매직으로 표시하여, 당해 네 모서리를 정점으로 하는 사각형의 각각의 변의 길이를 버니어 캘리퍼스로 측정했다. 제1 열처리(175℃, 4시간), 제2 열처리(190℃에 이르렀을 때의 시간을 t1로 하고, 당해 190℃에서 233±3℃까지 승온시킨 후, 190℃까지 강온시켰을 때의 시간을 t2로 했을 때, t2-t1이 100±50초를 충족시킴), 제3 열처리(125℃, 2시간), 제4 열처리(175℃, 6시간)의 처리를 행한 후, 재차 4변의 길이를 측정하여, 변화율을 산출하여 평가했다. 결과를 표 1에 나타낸다.
○: 변화율이 작아 실용상 문제 없다.
×: 변화율이 커서 실용상 문제가 된다.
(기판의 휨)
240mm×77mm×0.8mm 두께의 42 앨로이판 위에 0.4mm 두께가 되도록 수지 조성물을 배치하고, 온도 175℃, 압력 10MPa, 경화 시간 120초의 조건으로 압축 성형하여, 시험 기판을 제작했다. 얻어진 시험 기판의 EMC가 위(즉, 42 앨로이판측이 아래)가 되도록 두고, 4모서리의 휨의 높이를 버니어 캘리퍼스로 측정했다. 스마일 휨은 "-", 크라이 휨은 "+"로 하여, 4모서리의 평균값을 산출했다. 각 열처리에 대하여 측정하여, 각 열처리로 얻어진 수치 중 최댓값에서 최솟값을 뺀 수치를 측정값으로 하고, 결과를 표 1에 나타냈다.
이상, 실시예에 근거하여 본 발명을 더 구체적으로 설명했지만, 이들은 본 발명의 예시이며, 상기 이외의 다양한 구성을 채용할 수도 있다.
이 출원은 2016년 9월 23일에 출원된 일본 출원 특원 2016-185730호를 기초로 하는 우선권을 주장하며, 그 개시의 전부를 여기에 원용한다.
100 전자 장치
110 수지 봉지 기판
112 절연층
114 상면
120 비아 배선
130 금속층
140 반도체 소자
150 와이어 본딩
160 접착층
170 봉지재층
200 전자 장치
210 지지 기재
212 캐리어박
220 금속층
222 비아 배선
224 절연층
226 상면
230 금속층
234 절연층
236 상면
240 금속층
246 상면
250 수지 봉지 기판
260 반도체 소자
270 봉지재층
280 땜납 범프
300 수지 봉지 기판
310, 320 반도체 소자 탑재 에어리어
501 깔때기
502 과립상의 열경화성 수지 조성물
503 분동
504 과립체
505 수평판
506 대좌(臺座)
507 과립체
601 회전자
602 원통상 외주부
603 자성 재료
604 여자 코일
605 2중 관식 원통체
606 교류 전원 발생 장치
607 냉각 재킷
608 외조
609 2축 압출기
610 모터

Claims (14)

  1. 수지 봉지 기판의 형성에 이용되는 과립상의 열경화성 수지 조성물로서,
    상기 열경화성 수지 조성물은 에폭시 수지와, 무기 충전재와, 경화제를 포함하고,
    상기 에폭시 수지가 비페닐형 에폭시 수지, 페놀아랄킬형 에폭시 수지 및 다관능 에폭시 수지 중에서 선택되는 1종 또는 2종 이상이며,
    상기 경화제가 페놀아랄킬 수지 및 다관능형 페놀 수지 중에서 선택되는 1종 또는 2종이고,
    상기 에폭시 수지의 함유량이 상기 열경화성 수지 전체에 대하여 3중량% 이상, 30중량% 이하이며,
    상기 무기 충전재의 함유량이 상기 열경화성 수지 조성물 전체 고형분에 대하여 70중량% 이상이고,
    상기 경화제의 함유량이 상기 열경화성 수지 조성물 전체 고형분에 대하여 1.0중량% 이상, 9중량% 이하이며,
    상기 열경화성 수지 조성물의 평균 입경이 1.0mm 이하이고,
    상기 열경화성 수지 조성물은 이하의 조건 1을 충족시키는, 열경화성 수지 조성물:
    (조건 1)
    트랜스퍼 성형(175℃, 120초)에 의하여 상기 열경화성 수지 조성물의 경화물을 얻은 후, 상기 경화물에 대하여, 제1 열처리(175℃, 4시간)를 실시한 상기 경화물의 금형 치수에 대한 25℃에 있어서의 수축률을 S1(%)로 하고, 또한 상기 경화물에 대하여, 제2 열처리(190℃에 이르렀을 때의 시간을 t1로 하며, 당해 190℃에서 233±3℃까지 승온시킨 후, 190℃까지 강온시켰을 때의 시간을 t2로 했을 때, t2-t1이 100±50초를 충족시킴), 제3 열처리(125℃, 2시간), 제4 열처리(175℃, 6시간)의 순서로 처리를 실시했을 때의 상기 경화물의 금형 치수에 대한 25℃에 있어서의 수축률을 S4(%)로 했을 때, 다음 식을 충족시킨다.
    0.85×S1≤S4≤1.15×S1 (1-1)
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 조건 1에 있어서,
    상기 제4 열처리(175℃, 6시간) 후에, 제5 열처리(160℃에 이르렀을 때의 시간을 t3으로 하고, 당해 160℃에서 240±5℃까지 승온시킨 후, 160℃까지 강온시켰을 때의 시간을 t4로 했을 때, t4-t3이 90±60초를 충족시킴)를 더 실시했을 때의 상기 경화물의 금형 치수에 대한 25℃에 있어서의 수축률을 S5(%)로 했을 때, 다음 식을 충족시키는 열경화성 수지 조성물.
    0.85×S1≤S5≤1.15×S1 (1-2)
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 조건 1에 있어서,
    상기 제2 열처리를 실시했을 때의 상기 경화물의 금형 치수에 대한 25℃에 있어서의 수축률을 S2(%)로 했을 때, 다음 식을 충족시키는 열경화성 수지 조성물.
    0.85×S1≤S2≤1.15×S1 (1-3)
  4. 수지 봉지 기판의 형성에 이용되는 과립상의 열경화성 수지 조성물로서,
    상기 열경화성 수지 조성물은 에폭시 수지와, 무기 충전재와, 경화제를 포함하고,
    상기 에폭시 수지가 비페닐형 에폭시 수지, 페놀아랄킬형 에폭시 수지 및 다관능 에폭시 수지 중에서 선택되는 1종 또는 2종 이상이며,
    상기 경화제가 페놀아랄킬 수지 및 다관능형 페놀 수지 중에서 선택되는 1종 또는 2종이고,
    상기 에폭시 수지의 함유량이 상기 열경화성 수지 전체에 대하여 3중량% 이상, 30중량% 이하이며,
    상기 무기 충전재의 함유량이 상기 열경화성 수지 조성물 전체 고형분에 대하여 70중량% 이상이고,
    상기 경화제의 함유량이 상기 열경화성 수지 조성물 전체 고형분에 대하여 1.0중량% 이상, 9중량% 이하이며,
    상기 열경화성 수지 조성물의 평균 입경이 1.0mm 이하이고,
    상기 열경화성 수지 조성물은 이하의 조건 2를 충족시키는, 열경화성 수지 조성물:
    (조건 2)
    트랜스퍼 성형(175℃, 120초)에 의하여, 상기 열경화성 수지 조성물의 경화물을 얻은 후, 얻어진 상기 경화물에 대하여, 제1 열처리(175℃, 4시간), 제2 열처리(190℃에 이르렀을 때의 시간을 t1로 하고, 당해 190℃에서 233±3℃까지 승온시킨 후, 190℃까지 강온시켰을 때의 시간을 t2로 했을 때, t2-t1이 100±50초를 충족시킴), 제3 열처리(125℃, 2시간), 제4 열처리(175℃, 6시간)의 순서로 처리를 실시하며, 제n 열처리를 한 후의 상기 경화물의 금형 치수에 대한 25℃에 있어서의 수축률을 Sn(%)으로 했을 때, 다음 식을 충족시킨다.
    0≤|Sn-Sn-1|≤0.04 (2-1)
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 조건 2에 있어서,
    상기 제4 열처리(175℃, 6시간) 후에, 제5 열처리(160℃에 이르렀을 때의 시간을 t3으로 하고, 당해 160℃에서 240±5℃까지 승온시킨 후, 160℃까지 강온시켰을 때의 시간을 t4로 했을 때, t4-t3이 90±60초를 충족시킴)를 더 실시했을 때 상기 식 (2-1)을 충족시키는, 열경화성 수지 조성물.
  6. 청구항 1 또는 청구항 4에 있어서,
    당해 열경화성 수지 조성물의 경화물의 유리 전이 온도(Tg)가 145℃ 이상인, 열경화성 수지 조성물.
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 청구항 1 또는 청구항 4에 있어서,
    다관능 에폭시 수지를 포함하는, 열경화성 수지 조성물.
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 청구항 1 또는 청구항 4에 기재된 열경화성 수지 조성물의 경화물을 구비하는, 수지 봉지 기판.
  14. 청구항 13에 기재된 수지 봉지 기판과,
    상기 수지 봉지 기판에 탑재된 전자 부품을 구비하는, 전자 장치.
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