JP5162835B2 - エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents
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Description
また、ハロゲン系難燃剤及びアンチモン化合物を含むエポキシ樹脂組成物の硬化物で封止された半導体装置を高温下で保管した場合、これらの難燃剤成分から熱分解したハロゲン化物が遊離し、半導体素子の接合部を腐食し、半導体装置の信頼性を損なうことが知られており、難燃剤としてハロゲン系難燃剤とアンチモン化合物を使用しなくても難燃グレードがUL−94のV−0を達成できるエポキシ樹脂組成物が要求されている。
このように、半導体装置を高温下(例えば、185℃等)に保管した後の半導体素子の接合部(ボンディングパッド部)の耐腐食性のことを高温保管特性という。ハロゲン系難燃剤、及びアンチモン化合物に代わる難燃剤として水酸化アルミニウムを添加する方法(例えば、特許文献1参照。)や燐化合物を添加する方法(例えば、特許文献2参照。)が提案されており、水酸化アルミニウムや燐化合物を添加することにより難燃性を維持し、ある程度は高温保管特性も改善できるものの、最近の半導体装置に対する高温保管特性の高い要求レベルに対しては、不満足な場合があった。
また、エポキシ樹脂組成物中には、半導体素子のAl配線に対して腐食作用を有するイオン性不純物が含まれる原料が配合されている。このイオン性不純物によって半導体装置の電気特性および耐湿信頼性が低下するため、配合原料中のイオン性不純物量の低減が望まれている。
以上の事情から、ハロゲン系難燃剤、及びアンチモン化合物を使用しないで難燃性、高温保管特性に優れ、かつ耐湿信頼性、耐半田性に優れたエポキシ樹脂組成物が求められている。
[1] (A)一般式(1)で表されるエポキシ樹脂、(B)一般式(2)で表されるフェノール樹脂、(C)水酸化アルミニウム、及び(D)カルボキシル基を有するブタジエン・アクリロニトリル共重合体(d1)及び/又はカルボキシル基を有するブタジエン・アクリロニトリル共重合体(d1)とエポキシ樹脂との反応生成物(d2)を含むエポキシ樹脂組成物であって、
前記(d1)成分の配合量が全エポキシ樹脂組成物中に0.01重量%以上1重量%以下であり、前記(d1)成分が非リン系酸化防止剤としてフェノール系酸化防止剤を含むものであり、且つ前記(d1)成分に含まれるナトリウムイオン量が10ppm以下、塩素イオン量が450ppm以下であることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
[2] 前記カルボキシル基を有するブタジエン・アクリロニトリル共重合体(d1)が一般式(3)で表される化合物である第[1]項記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
[4] さらに(F)前記(C)水酸化アルミニウムを除く無機充填材を含むものである第[1]項ないし第[3]項のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
[5] 全エポキシ樹脂組成物中に含まれる臭素原子及びアンチモン原子がともに0.1重量%未満である第[1]項ないし第[4]項のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
[6] 第[1]項ないし第[5]項のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物を混合及び/又は溶融混練してなる半導体封止用エポキシ樹脂成形材料、
[7] 第[1]項ないし第[5]項のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物の硬化物により半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置、
である。
以下、本発明について詳細に説明する。
エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合量としては、全エポキシ樹脂のエポキシ基数(EP)と全フェノール樹脂のフェノール性水酸基数(OH)の当量比(EP/OH)で0.8以上、1.3以下が好ましい。上記範囲であれば、耐湿性、硬化性などの低下を抑えることができる。
水酸化アルミニウム(C)の含有量としては、全エポキシ樹脂組成物中に1重量%以上、20重量%以下が好ましく、更に好ましくは1重量%以上、15重量%以下である。上記範囲内であると、良好な流動性や硬化性、難燃性を得ることができる。
前記カルボキシル基を有するブタジエン・アクリロニトリル共重合体(d1)としては、特に限定するものではないが、その構造の両端にカルボキシル基を有する化合物が好ましく、下記一般式(3)で表される化合物がより好ましい。このカルボキシル基が極性を有しているため、封止用エポキシ樹脂組成物の原料として含まれるエポキシ樹脂中でのブタジエン・アクリロニトリル共重合体の分散性が良好となり、金型表面の汚れや成形品表面の汚れの進行を抑えることができ、また連続成形性を向上させることができる。
本発明に用いられるカルボキシル基を有するブタジエン・アクリロニトリル共重合体のカルボキシル基当量は1200以上、3000以下が好ましく、より好ましくは1700以上、2500以下である。上記範囲内にすることで、樹脂組成物の成形時における流動性や離型性を低下させることなく、金型や成形品の汚れがより発生し難く、連続成形性が特に良好となる効果が得られる。
本発明のエポキシ樹脂成形材料を用いて、半導体素子等の各種の電子部品を封止し、半導体装置を製造するには、トランスファーモールド、コンプレッションモールド、インジェクションモールド等の従来からの成形方法で硬化成形すればよい。
エポキシ樹脂1:オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂(日本化薬(株)製、EOCN1020、軟化点55℃、エポキシ当量196、一般式(1)においてR1:CH3、R2:CH3、a=1、b=1、n=1.9) 11.09重量部
フェノール樹脂1:フェノールノボラック樹脂(住友ベークライト(株)製、PR−HF−3、軟化点80℃、水酸基当量104、一般式(2)において、c=0、d=0、n=1.7) 5.86重量部
水酸化アルミニウム1:水酸化アルミニウム(平均粒径5μm、最大粒径20μm)
8.00重量部
溶融球状シリカ(平均粒径26.5μm) 73.50重量部
γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(以下、エポキシシランという)
0.40重量部
カルナバワックス 0.40重量部
カーボンブラック 0.30重量部
を常温でミキサーを用いて混合し、70〜100℃でロール混練し、冷却後粉砕してエポキシ樹脂成形材料を得た。得られたエポキシ樹脂成形材料を用いて以下の方法で評価した。結果を表1に示す。
臭素原子、アンチモン原子含有量:圧縮成形機を用いて、成形温度175℃、成形圧力5.9MPaの条件で直径40mm、厚さ5〜7mmの成形品を圧縮成形し、得られた成形品を、蛍光X線分析装置を用いて、全エポキシ樹脂組成物中の臭素原子、アンチモン原子の含有量を定量した。単位は重量%。
表1、表2の配合に従い、実施例1と同様にしてエポキシ樹脂成形材料を得、実施例1と同様にして評価した。結果を表1、表2に示す。
実施例1以外で用いた成分について、以下に示す。
エポキシ樹脂2:ビフェニル型エポキシ樹脂
(ジャパンエポキシレジン(株)製、YX−4000、エポキシ当量190、融点105℃)
フェノール樹脂2:フェノールアラルキル樹脂(三井化学(株)製、商品名XLC−LL、水酸基当量174、軟化点79℃)
水酸化アルミニウム2:水酸化アルミニウム(平均粒径10μm、最大粒径40μm)
臭素化エポキシ樹脂:臭素化ビスフェノール型エポキシ樹脂(軟化点61℃、エポキシ当量359)
三酸化アンチモン
一方、(A)一般式(1)で表されるエポキシ樹脂、(B)一般式(2)で表されるフェノール樹脂、(C)水酸化アルミニウム、及び(D)成分を用いていない比較例1では、難燃性と耐半田性が劣る結果となった。また、(D)成分を用いていない比較例2では、耐半田性が劣る結果となった。また、(D)成分を用いてはいるものの、(d1)成分に含まれるナトリウムイオン量と塩素イオン量が過剰である比較例3では、難燃性や耐半田性は良好なものの、耐湿信頼性が劣る結果となった。また、(d1)成分の配合割合が過剰である比較例4では、耐半田性が劣る結果となった。また、難燃剤として、(C)水酸化アルミニウムの代わり臭素化エポキシ樹脂と三酸化アンチモンとを用いた比較例5、比較例6では、高温保管特性が劣る結果となった。
以上の通り、本発明に従うと、ハロゲン系難燃剤、及びアンチモン化合物を含まずに難燃性、高温保管特性に優れ、かつ耐湿信頼性、耐半田性にも優れるエポキシ樹脂組成物が得られることが分かった。
Claims (7)
- (A)一般式(1)で表されるエポキシ樹脂、(B)一般式(2)で表されるフェノール樹脂、(C)水酸化アルミニウム、及び(D)カルボキシル基を有するブタジエン・アクリロニトリル共重合体(d1)及び/又はカルボキシル基を有するブタジエン・アクリロニトリル共重合体(d1)とエポキシ樹脂との反応生成物(d2)を含むエポキシ樹脂組成物であって、
前記(d1)成分の配合量が全エポキシ樹脂組成物中に0.01重量%以上1重量%以下であり、前記(d1)成分が非リン系酸化防止剤としてフェノール系酸化防止剤を含むものであり、且つ前記(d1)成分に含まれるナトリウムイオン量が10ppm以下、塩素イオン量が450ppm以下であることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
- さらに(E)硬化促進剤を含むものである請求項第1項または第2項に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
- さらに(F)前記(C)水酸化アルミニウムを除く無機充填材を含むものである請求項第1項ないし第3項のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
- 全エポキシ樹脂組成物中に含まれる臭素原子及びアンチモン原子がともに0.1重量%未満である請求項第1項ないし第4項のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
- 請求項第1項ないし第5項のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物を混合及び/又は溶融混練してなる半導体封止用エポキシ樹脂成形材料。
- 請求項第1項ないし第5項のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物の硬化物により半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置。
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