JP2006176549A - エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents
エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006176549A JP2006176549A JP2004368565A JP2004368565A JP2006176549A JP 2006176549 A JP2006176549 A JP 2006176549A JP 2004368565 A JP2004368565 A JP 2004368565A JP 2004368565 A JP2004368565 A JP 2004368565A JP 2006176549 A JP2006176549 A JP 2006176549A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- epoxy resin
- resin composition
- semiconductor device
- phenol
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
【課題】 本発明は、耐半田性に優れ、且つ高温保管特性に優れたエポキシ樹脂組成物、及び半導体装置を提供すること。
【解決手段】 (A)エポキシ樹脂、(B)フェノール樹脂、(C)硬化促進剤、(D)無機質充填材及び(E)カルボジイミド基を含む化合物を含むことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物、好ましくはカルボジイミド基を含む化合物が一般式(1)で示される化合物である半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【化7】
【解決手段】 (A)エポキシ樹脂、(B)フェノール樹脂、(C)硬化促進剤、(D)無機質充填材及び(E)カルボジイミド基を含む化合物を含むことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物、好ましくはカルボジイミド基を含む化合物が一般式(1)で示される化合物である半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【化7】
Description
本発明は、半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及びこれを用いた半導体装置に関するものである。
近年、半導体装置は生産性、コスト、信頼性等のバランスに優れることからエポキシ樹脂組成物を用いて封止されるのが主流となっている。半導体装置の表面実装化により半導体装置が半田浸漬あるいは半田リフロー工程で急激に200℃以上の高温にさらされ、吸水した水分が爆発的に気化する際の応力によって、半導体素子、リードフレーム、インナーリード上の各種メッキされた各接合部分とエポキシ樹脂組成物の硬化物の界面で剥離が生じたり、半導体装置にクラックが発生し信頼性が著しく低下する問題が生じている。
半田処理による信頼性低下を改善するために、エポキシ樹脂組成物中の無機質充填材の充填量を増加させることで低吸湿化、高強度化、低熱膨張化を達成し耐半田性を向上させるとともに、低溶融粘度の樹脂を使用して、成形時に低粘度で高流動性を維持させる手法が一般的となりつつある。
一方、半田処理後の信頼性において、エポキシ樹脂組成物の硬化物と半導体装置内部に存在する半導体素子やリードフレーム等の基材との界面の接着性は非常に重要になってきている。界面での接着力が弱いと半田処理後の基材との界面で剥離が生じ、更にはこの剥離に起因し半導体装置にクラックが発生する。
従来から耐半田性の向上を目的として、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシランやγ−(メタクリロキシプロピル)トリメトキシシラン等のシランカップリング剤をエポキシ樹脂組成物中に添加し、基材との界面の接着性向上を図る検討がなされてきた。しかし近年、実装時のリフロー温度の上昇や、鉛フリーハンダに対応しNi、Ni−Pd、Ni−Pd−Au等のプリプレーティングフレームの出現等、益々厳しくなっている耐半田性に対する要求に対して、これらのシランカップリング剤だけでは充分に対応できなくなっている。
その対処法として、アルコキシシランカップリング剤によりリードフレームの表面処理をする方法(例えば、特許文献1参照。)やチアゾール系、スルフェンアミド系、及びチウラム系化合物を添加した樹脂組成物及び樹脂封止型半導体装置(例えば、特許文献2及び特許文献3参照。)などが提案されている。しかしながら、前者のシランカップリング剤は、熱時安定性が悪く耐半田処理において密着向上効果が低下する欠点があり、また、後者の化合物は分子量が大きく、また、不安定な結合(窒素―硫黄結合など)を数多く含んでいるため、成形後の封止樹脂中において分解する可能性が指摘されている。
又、このように樹脂中で分解する成分を含む樹脂組成物で封止した半導体装置は高温保管時に、金ワイヤーとチップ接合部の腐食が進み、接合部の電気抵抗が増大することで電気的寿命が極端に短くなるという問題もある。
一方、半田処理後の信頼性において、エポキシ樹脂組成物の硬化物と半導体装置内部に存在する半導体素子やリードフレーム等の基材との界面の接着性は非常に重要になってきている。界面での接着力が弱いと半田処理後の基材との界面で剥離が生じ、更にはこの剥離に起因し半導体装置にクラックが発生する。
従来から耐半田性の向上を目的として、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシランやγ−(メタクリロキシプロピル)トリメトキシシラン等のシランカップリング剤をエポキシ樹脂組成物中に添加し、基材との界面の接着性向上を図る検討がなされてきた。しかし近年、実装時のリフロー温度の上昇や、鉛フリーハンダに対応しNi、Ni−Pd、Ni−Pd−Au等のプリプレーティングフレームの出現等、益々厳しくなっている耐半田性に対する要求に対して、これらのシランカップリング剤だけでは充分に対応できなくなっている。
その対処法として、アルコキシシランカップリング剤によりリードフレームの表面処理をする方法(例えば、特許文献1参照。)やチアゾール系、スルフェンアミド系、及びチウラム系化合物を添加した樹脂組成物及び樹脂封止型半導体装置(例えば、特許文献2及び特許文献3参照。)などが提案されている。しかしながら、前者のシランカップリング剤は、熱時安定性が悪く耐半田処理において密着向上効果が低下する欠点があり、また、後者の化合物は分子量が大きく、また、不安定な結合(窒素―硫黄結合など)を数多く含んでいるため、成形後の封止樹脂中において分解する可能性が指摘されている。
又、このように樹脂中で分解する成分を含む樹脂組成物で封止した半導体装置は高温保管時に、金ワイヤーとチップ接合部の腐食が進み、接合部の電気抵抗が増大することで電気的寿命が極端に短くなるという問題もある。
本発明は、吸湿後の半田処理においてリードフレームとの剥離が発生しない耐半田性に優れた、且つ高温保管特性に優れたエポキシ樹脂組成物、及び半導体装置を提供するものである。
本発明は、
[1] (A)エポキシ樹脂、(B)フェノール樹脂、(C)硬化促進剤、(D)無機質充填材及び(E)カルボジイミド基を含む化合物を含むことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
[2] 前記カルボジイミド基を含む化合物が一般式(1)で示される化合物である第[1]項記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
[1] (A)エポキシ樹脂、(B)フェノール樹脂、(C)硬化促進剤、(D)無機質充填材及び(E)カルボジイミド基を含む化合物を含むことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
[2] 前記カルボジイミド基を含む化合物が一般式(1)で示される化合物である第[1]項記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
[3] 前記カルボジイミド基を含む化合物が、樹脂組成物全体に対して0.1〜2重量%の割合で含有される第[1]又は[2]項のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
[4] 前記フェノール樹脂が、フェノールアラルキル樹脂である第[1]〜[3]項のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
[5] 第[1]〜[4]項のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置である。
[4] 前記フェノール樹脂が、フェノールアラルキル樹脂である第[1]〜[3]項のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
[5] 第[1]〜[4]項のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置である。
本発明のエポキシ樹脂組成物は、吸湿後の半田処理においてもリードフレームとの剥離が発生し難い特徴を有し、且つ高温保管特性に優れるため、それを用いて得られる半導体装置は半田処理に対する信頼性、且つ高温保管特性に優れている。
本発明は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、硬化促進剤、無機質充填材及びカルボジイミド基を含む化合物を含むことにより、吸湿後の半田処理においてリードフレームとの剥離が発生しない耐半田性、且つ高温保管特性に優れたエポキシ樹脂組成物が得られるものである。
以下、本発明について詳細に説明する。
以下、本発明について詳細に説明する。
本発明に用いられるエポキシ樹脂は、1分子中に2個以上のエポキシ基を有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般であり、例えば、ハイドロキノン型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂(フェニレン骨格、ビフェニレン骨格等を有する)、ナフトールアラルキル型エポキシ樹脂(フェニレン骨格、ビフェニレン骨格等を有する)、テルペン変性フェノール型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらのエポキシ樹脂は単独で用いても併用してもよい。
本発明に用いられるフェノール樹脂は、1分子中に2個以上のフェノール性水酸基を有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般であり、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂(フェニレン骨格、ビフェニレン骨格等を有する)、ナフトールアラルキル樹脂(フェニレン骨格、ビフェニレン骨格等を有する)、テルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂、トリフェノールメタン型フェノール樹脂、ビスフェノール化合物等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらのフェノール樹脂は単独で用いても2種類以上併用してもよい。好ましくは、フェノールアラルキル樹脂などが挙げられる。
全エポキシ樹脂のエポキシ基と全フェノール樹脂のフェノール性水酸基との当量比としては、好ましくは0.5〜2.0、特に好ましくは0.7〜1.5である。上記範囲を外れると、硬化性、耐湿信頼性等が低下する可能性がある。
全エポキシ樹脂のエポキシ基と全フェノール樹脂のフェノール性水酸基との当量比としては、好ましくは0.5〜2.0、特に好ましくは0.7〜1.5である。上記範囲を外れると、硬化性、耐湿信頼性等が低下する可能性がある。
本発明に用いられる硬化促進剤は、エポキシ樹脂とフェノール樹脂との架橋反応の触媒となり得るものであればよく、一般に封止材料に使用するものを用いることができる。例えば、トリブチルアミン、1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7等のアミン系化合物、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート塩等の有機リン系化合物、2−メチルイミダゾール等のイミダゾール化合物等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらの硬化促進剤は単独で用いても併用してもよい。
本発明に用いられる無機質充填材としては、一般に半導体封止用エポキシ樹脂組成物に使用されているものを用いることができる。例えば、溶融シリカ、結晶シリカ、アルミナ、窒化珪素、窒化アルミ等が挙げられる。これらの無機質充填材は単独でも併用してもよい。
無機質充填材の配合量を多くする場合、溶融シリカを用いるのが一般的である。溶融シリカは、破砕状、球状のいずれでも使用可能であるが、溶融シリカの配合量を高め、かつエポキシ樹脂組成物の溶融粘度の上昇を抑えるためには、球状のものを主に用いる方が好ましい。更に溶融球状シリカの配合量を多くするためには、溶融球状シリカの粒度分布がより広くなるように調整することが望ましい。無機質充填材は、予めシランカップリング剤等で表面処理されているものを用いてもよい。
無機質充填材の配合量を多くする場合、溶融シリカを用いるのが一般的である。溶融シリカは、破砕状、球状のいずれでも使用可能であるが、溶融シリカの配合量を高め、かつエポキシ樹脂組成物の溶融粘度の上昇を抑えるためには、球状のものを主に用いる方が好ましい。更に溶融球状シリカの配合量を多くするためには、溶融球状シリカの粒度分布がより広くなるように調整することが望ましい。無機質充填材は、予めシランカップリング剤等で表面処理されているものを用いてもよい。
本発明で用いられるカルボジイミド基を含む化合物は、分子中に少なくとも1つ以上のN=C=N結合をもち、一般式(1)で示される構造のものである。
但しR1、R2は、アルキル基、アルキル基置換芳香族、芳香族で、いずれも炭素−炭素間不飽和結合を持たないもの(芳香環を構成する炭素−炭素間不飽和結合を除く)で、Rは同一でも異なっていても良い。
但しR1、R2は、アルキル基、アルキル基置換芳香族、芳香族で、いずれも炭素−炭素間不飽和結合を持たないもの(芳香環を構成する炭素−炭素間不飽和結合を除く)で、Rは同一でも異なっていても良い。
この様なものとしては、例えば、トリレン、ナフチレン、キシリレンといった芳香族構造や、ジシクロヘキシルメチレン、ヘキサメチレン、水添キシリレン、ノルボルネンといった脂肪族構造のものが挙げられる。カルボジイミド基を持つ化合物は、エポキシ樹脂硬化物中の水酸基と反応しイソウレア結合を作る。このイソウレア結合がリードフレームとの密着性を向上することで、吸湿後の半田処理においてリードフレームとの剥離が発生しない耐半田性に優れ、且つ高温保管特性にも優れたエポキシ樹脂組成物となると推定される。
本発明で用いられるカルボジイミド基を含む化合物としては、一般式(2)で示される化合物や一般式(3)で示される化合物などであることが好ましい。繰り返し数nならびに数平均分子量Mnは特に制限されるものではないが、n=3〜10、分子量Mn=500〜2000のものが特に望ましい。繰り返し数nが少なすぎるとカルボジイミド基がエポキシ樹脂と十分に反応を起こせないため架橋に取り込まれず、エポキシ樹脂と相溶しない、又リードフレームとの密着性を向上することが出来ないという問題がある。又nが10を超えると急激に組成物の粘度が上昇してしまうという問題がある。又、繰り返し数nが少なすぎるとカルボジイミド基を含む化合物の耐熱性が低いため、半導体装置として使用すると、高温保管時に、金ワイヤーとチップ接合部の腐食が進み、接合部の電気抵抗が増大することで電気的寿命が極端に短くなるという問題もある。
末端にあるイソシアネート基は、エポキシ樹脂組成物中の水酸基と反応することでウレタン結合を作る。これにより密着性の向上と、Tgの向上により耐半田性の向上にもつながるものである。
本発明で用いられるカルボジイミド基を含む化合物としては、一般式(2)で示される化合物や一般式(3)で示される化合物などであることが好ましい。繰り返し数nならびに数平均分子量Mnは特に制限されるものではないが、n=3〜10、分子量Mn=500〜2000のものが特に望ましい。繰り返し数nが少なすぎるとカルボジイミド基がエポキシ樹脂と十分に反応を起こせないため架橋に取り込まれず、エポキシ樹脂と相溶しない、又リードフレームとの密着性を向上することが出来ないという問題がある。又nが10を超えると急激に組成物の粘度が上昇してしまうという問題がある。又、繰り返し数nが少なすぎるとカルボジイミド基を含む化合物の耐熱性が低いため、半導体装置として使用すると、高温保管時に、金ワイヤーとチップ接合部の腐食が進み、接合部の電気抵抗が増大することで電気的寿命が極端に短くなるという問題もある。
末端にあるイソシアネート基は、エポキシ樹脂組成物中の水酸基と反応することでウレタン結合を作る。これにより密着性の向上と、Tgの向上により耐半田性の向上にもつながるものである。
本発明で用いられるカルボジイミド基を含む化合物の添加量は、特に限定するものではないが、樹脂組成物全体に対して、0.1〜2重量%であることが好ましい。下限値を下回ると、フレームとの密着性を向上させる効果が低下する可能性がある。また、上限値を超えると、組成物の粘度が増大し成形性を損なうという可能性がある。
本発明のエポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、無機質充填材、硬化促進剤、及びカルボジイミド基を含む化合物に加え、必要に応じて、シランカップリング剤、チタネートカップリング剤、アルミニウムカップリング剤、アルミニウム/ジルコニウムカップリング剤等のカップリング剤、臭素化エポキシ樹脂、酸化アンチモン、リン化合物等の難燃剤、酸化ビスマス水和物等の無機イオン交換体、カーボンブラック、ベンガラ等の着色剤、シリコーンオイル、シリコーンゴム等の低応力化剤、天然ワックス、合成ワックス、高級脂肪酸及びその金属塩類もしくはパラフィン等の離型剤、酸化防止剤等の各種添加剤を適宜配合してもよい。
本発明のエポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、無機質充填材、硬化促進剤、カルボジイミド基を含む化合物、及びその他の添加剤等を、ミキサーを用いて混合後、ロール、ニーダー、押出機等の混練機で加熱混練し、冷却後粉砕して得られる。
本発明のエポキシ樹脂組成物を用いて、半導体素子等の電子部品を封止し、半導体装置を製造するには、トランスファーモールド、コンプレッションモールド、インジェクションモールド等の成形方法で硬化成形すればよい。
本発明のエポキシ樹脂組成物を用いて、半導体素子等の電子部品を封止し、半導体装置を製造するには、トランスファーモールド、コンプレッションモールド、インジェクションモールド等の成形方法で硬化成形すればよい。
以下、本発明を実施例で具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。配合割合は重量部とする。
実施例1
ビフェニル型エポキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン(株)製 YX−4000K、エポキシ当量185、融点105℃) 5.65重量部
フェノールアラルキル樹脂2(三井化学(株)製XL−225、軟化点79℃、水酸基当量174) 5.35重量部
カルボジイミド基を含む化合物1(一般式(2)に示す化合物であり、平均値でn=4である。 数平均分子量1000 カルボジイミド基当量260) 0.2重量部
溶融シリカ(平均粒径20μm、比表面積1.2mm2/g) 87.8重量部
トリフェニルホスフィン 0.2重量部
カルナバワックス 0.2重量部
γ−グリシジルプロピルトリメトキシシラン 0.3重量部
カーボンブラック 0.3重量部
上記の全成分をミキサーを用いて混合した後、表面温度が90℃と45℃の2本ロールを用いて混練し、冷却後粉砕してエポキシ樹脂組成物を得た。得られたエポキシ樹脂組成物を以下の方法で評価した。
ビフェニル型エポキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン(株)製 YX−4000K、エポキシ当量185、融点105℃) 5.65重量部
フェノールアラルキル樹脂2(三井化学(株)製XL−225、軟化点79℃、水酸基当量174) 5.35重量部
カルボジイミド基を含む化合物1(一般式(2)に示す化合物であり、平均値でn=4である。 数平均分子量1000 カルボジイミド基当量260) 0.2重量部
溶融シリカ(平均粒径20μm、比表面積1.2mm2/g) 87.8重量部
トリフェニルホスフィン 0.2重量部
カルナバワックス 0.2重量部
γ−グリシジルプロピルトリメトキシシラン 0.3重量部
カーボンブラック 0.3重量部
上記の全成分をミキサーを用いて混合した後、表面温度が90℃と45℃の2本ロールを用いて混練し、冷却後粉砕してエポキシ樹脂組成物を得た。得られたエポキシ樹脂組成物を以下の方法で評価した。
評価方法
スパイラルフロー:EMMI−1−66に準じたスパイラルフロー測定用の金型を用いて、金型温度175℃、注入圧力6.9MPa、硬化時間120秒の条件で測定した。単位はcm。80cm以下であるとパッケージ未充填などの成形不良が生じる。
密着強度:トランスファー成形機を用いて、金型温度175℃、注入圧力9.8MPa、硬化時間120秒の条件で、リードフレーム上に2mm×2mm×2mmの密着強度試験片を1水準当たり10個成形した。リードフレームには銅フレームに銀をメッキしたもの(フレーム1)と銅フレームにNi/Pdの順にメッキし、更に金をフラッシュメッキしたもの(フレーム2)の2種類を用いた。その後、自動せん断強度測定装置(DAGE社製、PC2400)を用いて、エポキシ樹脂組成物の硬化物とリードフレームとのせん断強度を測定した。10個の試験片のせん断強度の平均値を表示した。単位はN/mm2。
高温保管:タブレット化した上記の封止用樹脂組成物を用い、80pQFP(14×20mm、2.7mm厚)を低圧トランスファー成形機にて、180℃、注入圧6.9MPa 、保圧時間35秒の条件で成形した。得られた80pQFPを175℃で4時間ポストキュアした後、所定のオーブン中で熱処理(150℃、185℃)し、処理後に端子間の抵抗値を測定した。n=20パッケージを用い、うちn=2以上のパッケージの抵抗値が初期値の1.2倍以上になった時間で表記した。1000<は1000Hr不良なしの意味である。
スパイラルフロー:EMMI−1−66に準じたスパイラルフロー測定用の金型を用いて、金型温度175℃、注入圧力6.9MPa、硬化時間120秒の条件で測定した。単位はcm。80cm以下であるとパッケージ未充填などの成形不良が生じる。
密着強度:トランスファー成形機を用いて、金型温度175℃、注入圧力9.8MPa、硬化時間120秒の条件で、リードフレーム上に2mm×2mm×2mmの密着強度試験片を1水準当たり10個成形した。リードフレームには銅フレームに銀をメッキしたもの(フレーム1)と銅フレームにNi/Pdの順にメッキし、更に金をフラッシュメッキしたもの(フレーム2)の2種類を用いた。その後、自動せん断強度測定装置(DAGE社製、PC2400)を用いて、エポキシ樹脂組成物の硬化物とリードフレームとのせん断強度を測定した。10個の試験片のせん断強度の平均値を表示した。単位はN/mm2。
高温保管:タブレット化した上記の封止用樹脂組成物を用い、80pQFP(14×20mm、2.7mm厚)を低圧トランスファー成形機にて、180℃、注入圧6.9MPa 、保圧時間35秒の条件で成形した。得られた80pQFPを175℃で4時間ポストキュアした後、所定のオーブン中で熱処理(150℃、185℃)し、処理後に端子間の抵抗値を測定した。n=20パッケージを用い、うちn=2以上のパッケージの抵抗値が初期値の1.2倍以上になった時間で表記した。1000<は1000Hr不良なしの意味である。
耐半田性:176ピンLQFPパッケージ(パッケージサイズは24×24mm、厚み2.0mm、シリコンチップのサイズは、8.0×8.0mm、リードフレームは176pinプリプレーティングフレーム、銅フレームにNi/Pdの順にメッキし、更に金をフラッシュメッキしたもの。)を、金型温度175℃、注入圧力9.3MPa、硬化時間120秒の条件でトランスファー成形し、175℃で8時間の後硬化をした。得られたパッケージをn=10ヶを85℃、相対湿度60%の環境下で168時間加湿処理した。その後このパッケージを260℃の半田槽に10秒間浸漬した。半田に浸漬させたパッケージを超音波探傷装置を用いて観察し、チップ(SiNコート品)とエポキシ樹脂組成物の硬化物との界面に剥離が発生した剥離発生率[(剥離発生パッケージ数)/(全パッケージ数)×100]を%で表示した。剥離発生率が10%以下であれば、信頼性が高いと考えられる。
実施例2〜6、比較例1〜6
表1の配合に従い、実施例1と同様にしてエポキシ樹脂組成物を得、実施例1と同様にして評価した。これらの結果を表1に示す。また、実施例1以外で用いた原料については下記に示す。
オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂:日本化薬(株)製 EOCN−1020−62、軟化点62℃、水酸基当量198
アラルキル型エポキシ樹脂:一般式(4)に示すエポキシ樹脂、軟化点58℃、エポキシ当量272
表1の配合に従い、実施例1と同様にしてエポキシ樹脂組成物を得、実施例1と同様にして評価した。これらの結果を表1に示す。また、実施例1以外で用いた原料については下記に示す。
オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂:日本化薬(株)製 EOCN−1020−62、軟化点62℃、水酸基当量198
アラルキル型エポキシ樹脂:一般式(4)に示すエポキシ樹脂、軟化点58℃、エポキシ当量272
ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂:大日本インキ工業(株)製 HP−7200、軟化点60℃、水酸基当量263
Br化エポキシ樹脂:日本化薬(株)製 BREN−S、軟化点84℃、水酸基当量273
フェノールノボラック型樹脂:軟化点80℃、水酸基当量104
フェノールアラルキル樹脂1:一般式(5)に示すフェノール樹脂、軟化点73℃、水酸基当量200
Br化エポキシ樹脂:日本化薬(株)製 BREN−S、軟化点84℃、水酸基当量273
フェノールノボラック型樹脂:軟化点80℃、水酸基当量104
フェノールアラルキル樹脂1:一般式(5)に示すフェノール樹脂、軟化点73℃、水酸基当量200
カルボジイミド基を含む化合物2:一般式(3)に示す化合物であり、平均値でn=9である。数平均分子量1300、カルボジイミド当量142
DBU:1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7
DBU:1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7
本発明のエポキシ樹脂組成物を用いて得られた半導体装置は、吸湿後の半田処理においてもリードフレームとの剥離が発生し難い特徴を有し、半田処理に対する信頼性に優れ、且つ高温保管特性に優れるため、本発明のエポキシ樹脂組成物は各種の樹脂封止型半導体装置に広く用いることができる。特に樹脂組成物の硬化物とメッキを施された銅リードフレーム(銀メッキリードフレーム、ニッケルメッキリードフレーム、ニッケル/パラジウムメッキの上に金をフラッシュメッキしたプレプリーティングフレーム等)との密着性を向上させる効果が顕著であり、且つ高温保管特性に優れるため、メッキ付きリードフレームを使用する半導体装置に好適に用いることができる。
Claims (5)
- (A)エポキシ樹脂、(B)フェノール樹脂、(C)硬化促進剤、(D)無機質充填材及び(E)カルボジイミド基を含む化合物を必須成分とすることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
- 前記カルボジイミド基を含む化合物が樹脂組成物全体に対して0.1〜2重量%の割合で含有される請求項1又は2のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
- 前記フェノール樹脂が、フェノールアラルキル樹脂である請求項1〜3のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
- 請求項1〜4のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004368565A JP2006176549A (ja) | 2004-12-20 | 2004-12-20 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004368565A JP2006176549A (ja) | 2004-12-20 | 2004-12-20 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006176549A true JP2006176549A (ja) | 2006-07-06 |
Family
ID=36730954
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004368565A Pending JP2006176549A (ja) | 2004-12-20 | 2004-12-20 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006176549A (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009011335A1 (ja) * | 2007-07-18 | 2009-01-22 | Nipponkayaku Kabushikikaisha | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置 |
JP2010144121A (ja) * | 2008-12-22 | 2010-07-01 | Kyocera Chemical Corp | 封止用樹脂組成物および半導体封止装置 |
JP2011225653A (ja) * | 2010-04-16 | 2011-11-10 | Chubu Electric Power Co Inc | 絶縁性高分子材料組成物及びその製造方法 |
JP2015229763A (ja) * | 2014-06-06 | 2015-12-21 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 樹脂組成物、プリプレグ、金属張積層板、プリント配線板 |
JP2016027097A (ja) * | 2014-06-30 | 2016-02-18 | 味の素株式会社 | 樹脂組成物 |
WO2016125664A1 (ja) * | 2015-02-05 | 2016-08-11 | 味の素株式会社 | 樹脂組成物 |
JP2017031402A (ja) * | 2015-08-04 | 2017-02-09 | 信越化学工業株式会社 | 熱硬化性エポキシ樹脂組成物 |
KR20170057248A (ko) | 2014-09-11 | 2017-05-24 | 데이진 가부시키가이샤 | 열 경화성 수지 조성물 |
JP2017125150A (ja) * | 2016-01-15 | 2017-07-20 | 住友ベークライト株式会社 | 樹脂組成物 |
WO2019031576A1 (ja) * | 2017-08-10 | 2019-02-14 | 日清紡ケミカル株式会社 | 熱硬化性樹脂組成物及び樹脂硬化物 |
-
2004
- 2004-12-20 JP JP2004368565A patent/JP2006176549A/ja active Pending
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009011335A1 (ja) * | 2007-07-18 | 2009-01-22 | Nipponkayaku Kabushikikaisha | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置 |
JP2010144121A (ja) * | 2008-12-22 | 2010-07-01 | Kyocera Chemical Corp | 封止用樹脂組成物および半導体封止装置 |
JP2011225653A (ja) * | 2010-04-16 | 2011-11-10 | Chubu Electric Power Co Inc | 絶縁性高分子材料組成物及びその製造方法 |
JP2015229763A (ja) * | 2014-06-06 | 2015-12-21 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 樹脂組成物、プリプレグ、金属張積層板、プリント配線板 |
JP2016027097A (ja) * | 2014-06-30 | 2016-02-18 | 味の素株式会社 | 樹脂組成物 |
JP2020033568A (ja) * | 2014-06-30 | 2020-03-05 | 味の素株式会社 | 樹脂組成物及び接着フィルム |
US10865272B2 (en) | 2014-09-11 | 2020-12-15 | Teijin Limited | Thermosetting resin composition |
KR20170057248A (ko) | 2014-09-11 | 2017-05-24 | 데이진 가부시키가이샤 | 열 경화성 수지 조성물 |
JPWO2016125664A1 (ja) * | 2015-02-05 | 2017-11-16 | 味の素株式会社 | 樹脂組成物 |
WO2016125664A1 (ja) * | 2015-02-05 | 2016-08-11 | 味の素株式会社 | 樹脂組成物 |
TWI696657B (zh) * | 2015-02-05 | 2020-06-21 | 日商味之素股份有限公司 | 樹脂組成物 |
CN106432692A (zh) * | 2015-08-04 | 2017-02-22 | 信越化学工业株式会社 | 热固性环氧树脂组合物 |
US20170037238A1 (en) * | 2015-08-04 | 2017-02-09 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Heat-curable epoxy resin composition |
JP2017031402A (ja) * | 2015-08-04 | 2017-02-09 | 信越化学工業株式会社 | 熱硬化性エポキシ樹脂組成物 |
JP2017125150A (ja) * | 2016-01-15 | 2017-07-20 | 住友ベークライト株式会社 | 樹脂組成物 |
WO2019031576A1 (ja) * | 2017-08-10 | 2019-02-14 | 日清紡ケミカル株式会社 | 熱硬化性樹脂組成物及び樹脂硬化物 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5487540B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP4692885B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JPWO2005037888A1 (ja) | エポキシ樹脂組成物および半導体装置 | |
JP5393207B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2009144107A (ja) | 封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP2006176549A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP4687074B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP4622221B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP4250987B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP4306329B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP4496740B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP4400124B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP2005314567A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP2005272739A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP2006104393A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP2005281584A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP2005314566A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP4352852B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP2005264042A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP4432562B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP5142427B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP4258343B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP2005132887A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP2005132892A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP4380292B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |