TWI385486B - 化學增幅型光阻組成物之酸產生劑 - Google Patents

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Description

化學增幅型光阻組成物之酸產生劑
本發明是有關於一種酸產生劑，且特別是有關於一種鹽，其適合用作半導體製程中所用的化學增幅型光阻組成物中的酸產生劑。
在以微影進行的半導體微縮製程(semiconductor fine processing)中，所用的化學增幅型光阻組成物包含酸產生劑，且隨著與半導體微縮製程相關的技術持續發展，對於具有較高解析度的光阻有持續的需求。
因此，為了製造具有增加的解析度以及想要的特性的光阻，已經發展出多種不同的酸產生劑。
已經發展出用於化學增幅型光阻的光酸產生劑，因此一開始是使用諸如錪鹽(iodonium salts)等低靈敏度的離子型光酸產生劑，且同時也發展了非離子型光酸產生劑，因此當以光照射時此酸產生劑時，酸產生劑能產生諸如甲苯磺酸的磺酸衍生物且會引發對樹脂的去保護反應(deprotection reaction)。此後，傾向於使用能夠製造出具有更快的反應時間的磺醯鹽衍生物，且著重於改質陽離子部分，因而產生多種磺醯鹽。
根據近來發展具有更小線寬之微縮圖案化(finely patterned)光阻的趨勢，光阻的線邊緣粗糙(line edge roughness)為亟需解決的問題之一。此外，由於在氬氟化物(ArF)浸潤式微影製程中會使用到水，因此降低光酸產生劑洗提至水中的量又是另一個產生的問題。為了要改善上述問題，根據改善酸的擴散速度與透明度以及降低光酸產生劑洗提至水中的觀點，光酸產生劑的發展著手於改質陰離子部分。此外，最近已有發明 是著重於酸產生劑的陰離子基團而達成，這些發明以許多實驗結果為根基且報導顯示陰離子基團相較於陽離子基團實質上對於物理或化學特性具有更大的影響力，此處所述的物理或化學特性能夠改善酸的流動性以及光阻組成物的特性。因此，目前的發展趨勢是著重於能夠降低酸的擴散速度且在193 nm的ArF雷射下具有良好的可透性的光酸產生劑。
因此，很快地，有許多嘗試是將大體積的脂環族環(alicyclic ring)或具有大量碳原子的烷基、烷氧基或醚基引入適合作為光酸產生劑的鹽類中(參照韓國專利第10-2006-0114104號、第10-2007-0069049號、第10-2005-0107599號以及第10-2007-0053619號)。
為了克服諸如上述的問題，根據本發明之一方面，提供一種用於化學增幅型光阻組成物的酸產生劑，此酸產生劑具有優越的解析度與線邊緣粗糙度，且在ArF浸潤式微影製程中，此酸產生劑被沖提至水中的程度較小。
根據本發明之另一方面，提供一種在產生酸產生劑時使用的中間物，以及合成此中間物質的方法。
然而，本發明所能解決的技術問題不僅限於上文所提及的問題，所屬領域具有通常知識者根據以下的敘述能夠清楚地了解本發明所能解決的其他技術問題。
根據本發明之一實施例，提供一種酸產生劑，其以下式(1)表示：
其中X代表具有1至20個碳原子且選自烷基、鹵烷基以及烷磺醯基(alkylsulfonyl)的未取代或取代烷基，其可能至少有一個氫原子經醚基、酯基、羰基、縮醛基(acetal group)、腈基(nitrile group)、氰基(cyano group)、氫氧基、羧基或醛基取代，或X代表具有1至4個碳原子的全氟烷基(perfluoroalkyl group)；R6 代表具有1至10個碳原子的烷基、具有1至10個碳原子的烷氧基或選自氮(N)、硫(S)、氟(F)以及氧(O)的異原子；m為0至2的整數；以及A+為有機反離子。
根據本發明之另一實施例，提供一種酸產生劑，其以下式(2)表示：
其中X代表具有1至20個碳原子且選自烷基、鹵烷基以及烷磺醯基的未取代或取代烷基，其可能至少有一個氫原子經醚基、酯基、羰基、縮醛基、腈基、氰基、氫氧基、羧基或醛基取代，或X代表具有1至4個碳原子的全氟烷基；R6 代表具有1至10個碳原子的烷基、具有1至10個碳原子的烷氧基或選自氮、硫、氟以及氧的異原子；m為0至2的整數；以及A+為有機反離子(counterion)。
根據本發明之另一實施例，提供一種在產生酸產生劑時使用的中間物，以及合成此中間物質的方法。
根據本發明之另一實施例，提供一種化學增幅型光阻組成物，其包含酸產生劑。
下文中的詳細敘述將揭露本發明之更多實施例。
相較於以具有大體積脂環族環之陰離子為主的那些光酸產生劑，以及具有相對短鏈與具有厭水特性的那些光酸產生劑(諸如現有的三氟甲基磺酸(trifluoromethanesulfonate)型或全氟丁基磺酸(nonafluorobutanesulfonate)型發生劑)，根據本發明之實施例的酸產生劑在擴散速度或分佈性中具有中等的物理特性，因此有利於控制擴散速度或分佈性，以實現具有高解析度的光阻。
為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
以下，將會詳述本發明之實施例。然而，這些實施例僅是用於例示目的且未用以限制本發明。本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
根據本發明之一實施例，用於化學增幅型光阻組成物的酸產生劑為以下式(1)或(2)表示的酸產生劑：
其中在式(1)與(2)中，X代表具有1至20個碳原子且選自烷基、鹵烷基以及烷磺醯基的未取代或取代烷基，其可能至少有一個氫原子經醚基、酯基、羰基、縮醛基、腈基、氰基、氫氧基、羧基或醛基取代，或X代表具有1至 4個碳原子的全氟烷基；R6 代表具有1至10個碳原子的烷基、具有1至10個碳原子的烷氧基或選自氮、硫、氟以及氧的異原子；m為0至2的整數；以及A+為有機反離子。
在上式(1)與式(2)中，X的特定實例包括-CH3 、-(CH2 )2 CH3 、-(CH2 )4 CH3 、-(CH2 )7 CH3 、-CH(CH3 )CH3 、-CH(CH3 )2 CH3 、-CH(CH3 )2 、-CH2 CH(CH3 )2 、-CH2 -CH2 (CH2 )2 -O-CH2 CH3 、-(CH2 )2 -O-(CH2 )2 CH3 、-CH2 CH(CH3 )2 以及相似者。
X較佳為烷的二價或三價殘基，其中烷具有1至30個碳原子。在烷或環烷中，-CH2 -可以被-O-取代，以及在烷或環烷中，一個或多個氫原子可以被具有1至6個碳原子的烷氧基、具有1至4個碳原子的全氟烷基、具有1至6個碳原子的羥烷基、具有1至6個碳原子的磺醯基或具有1至8個碳原子的鹵烷基取代。
以式(1)的酸產生劑而言，較佳可以使用具有一個或多個選自下式(1-i)至(1-viii)的陰離子基團的物種。
以式(2)的酸產生劑而言，較佳可以使用具有一個或多個選自下式(2-i)至(2-vi)的陰離子基團的物種。
在式(1)或式(2)中，A+可以包括鹽，鹽具有選自由以下式(3a)與(3b)表示之陽離子所組成之族群的至少一陽離子：
其中在式(3a)與(3b)中，R1 與R2 中任一者獨立代表烷基、環烷基、烯丙基(allyl group)、全氟烷基、苯甲基(benzyl group)或芳基(ar yl group)，任一者具有1至20個碳原子；以及R3 、R4 以及R5 中任一者獨立代表氫原子、烷基、環烷基、鹵素原子、烷氧基、芳基、苯硫基(thiophenoxy group)、硫帶烷氧基(thioalkoxy group)或烷氧基羰基甲氧基(alkoxycarbonylmethoxy group)。
在式(1)或式(2)中，A+可以包括鹽，鹽具有選自由以下式(4a)與(4b)表示之陽離子所組成之族群的至少一陽離子：
其中在式(4a)與(4b)中，R1 與R4 中任一者獨立代表烷基、環烷基、烯丙基、全氟烷基、苯甲基或芳基；以及R2 與R3 中任一者獨立代表氫原子、烷基、環烷基、鹵素原子、烷氧基、芳基、苯硫基、硫帶烷氧基或烷氧基羰基甲氧基。
在式(3a)、(3b)、(4a)以及(4b)中，烷基的實例包括甲基、 乙基、丙基、異丙基、正丁基、戊基、己基、辛基以及相似者，以及烷氧基的實例包括甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、己氧基、辛氧基以及相似者。環烴基(cyclic hydrocarbon group)的實例包括環戊基、環己基、金剛烷基(adamantyl group)、聯環己基(bicyclohexyl group)、苯基(phenyl group)、萘基(naphthyl group)、茀基(fluorenyl group)、聯苯基(biphenyl group)以及相似者。
式(1)的酸產生劑可以藉由使以下式(5)表示的鹽與以下式(9)表示的化合物之間發生反應而產生：
其中X代表具有1至20個碳原子且選自烷基、鹵烷基以及烷磺醯基的未取代或取代烷基，其可能至少有一個氫原子經醚基、酯基、羰基、縮醛基、腈基、氰基、氫氧基、羧基或醛基取代，或X代表具有1至4個碳原子的全氟烷基；R6 代表具有1至10個碳原子的烷基、具有1至10個碳原子的烷氧基或選自氮、硫、氟以及氧的異原子；m為0至2的整數；以及M為鋰(Li)、鈉(Na)或鉀(K)；[式9]A+ +Z-
其中A+為有機反離子；以及Z為OSO2 CF3 、OSO2 C4 F9 、OSO2 C8 F17 、N(CF3 )2 、N(C2 F5 )2 、N(C4 F9 )2 、C(CF3 )3 、C(C2 F5 )3 、C(C4 F9 )3 、F、Cl、Br、I、BF4 、AsF6 或PF6 。
式(5)的鹽可以藉由使以下式(7)表示的醇化合物與以下式(8)表示的醯化合物之間發生反應而產生：
其中M為鋰、鈉或鉀；
其中X代表具有1至20個碳原子且選自烷基、鹵烷基以及烷磺醯基的未取代或取代烷基，其可能至少有一個氫原子經醚基、酯基、羰基、縮醛基、腈基、氰基、氫氧基、羧基或醛基取代，或X代表具有1至4個碳原子的全氟烷基；R6 代表具有1至10個碳原子的烷基、具有1至10個碳原子的烷氧基或選自氮、硫、氟以及氧的異原子；以及m為0至2的整數。
式(7)的醇化合物可以藉由以下式(6)表示的酯化合物的還原反應而產生：
其中R1 為氫原子、甲基、三氟甲基、三氯甲基、三溴甲基或三碘甲基；以及M為鋰、鈉或鉀。
同時，式(2)的酸產生劑可以藉由使以下式(10)表示的鹽與 以下式(9)表示的化合物之間發生反應而產生：
其中X代表具有1至20個碳原子且選自烷基、鹵烷基以及烷磺醯基的未取代或取代烷基，其可能至少有一個氫原子經醚基、酯基、羰基、縮醛基、腈基、氰基、氫氧基、羧基或醛基取代，或X代表具有1至4個碳原子的全氟烷基；R6 代表具有1至10個碳原子的烷基、具有1至10個碳原子的烷氧基、或選自氮、硫、氟以及氧的異原子；m為0至2的整數；以及M為鋰、鈉或鉀；[式9]A+ +Z-
其中A+為有機反離子；以及Z為OSO2 CF3 、OSO2 C4 F9 、OSO2 C8 F17 、N(CF3 )2 、N(C2 F5 )2 、N(C4 F9 )2 、C(CF3 )3 、C(C2 F5 )3 、C(C4 F9 )3 、F、Cl、Br、I、BF4 、AsF6 或PF6 。
在式(1)或式(2)中，A+包括具有至少一陽離子的鹽，所述至少一陽離子選自由以下式(3a)與(3b)表示之陽離子所組成之族群，以式(3a)與式(3b)而言，較佳可以使用選自下式(3-i)至(3-xxii)的一個或多個。
以式(4a)與式(4b)而言，較佳可以使用選自下式(4-i)至(4-xiii)的一個或多個。
至於式(1)的鹽的製造方法，所提及的方法包括在0至100℃的溫度下混合二氯甲烷(dichloromethane)、氯仿(chloroform)、二氯乙烷(dichloroethane)或相似者與水，接著加入式(5)的化合物與式(9)的化合物，然後使混合液進行反應。
當式(9)的化合物為1莫耳時，式(5)的化合物的使用量可為約1莫耳至2莫耳。當所得的式(1)的鹽為固體時，可以藉由使用良好溶劑(good solvent)與不良溶劑(poor solvent)之混合液的固化方法來回收所述鹽，而當所述鹽為油狀時，可以藉由萃取或濃縮來回收鹽。
式(5)的鹽的製造方法的實例為使式(7)的醇與式(8)的醯基氯化物進行反應。
此方法涉及下列反應，在0至100℃的溫度下將式(7)的醇與式(8)的醯基氯化物溶解於諸如二氯甲烷、氯仿、二氯乙烷、乙腈、甲苯或相似者的反應溶劑中，接著，以式(8)的化合物為1莫耳的量為例，可以使用1至2莫耳的鹼性催化劑(諸如三乙胺、二乙胺、吡啶、二乙基異丙胺(diethylisopropylamine)或相似者)來引發反應，以及以混合物為1莫耳的量為例，可以使用0.1至0.5莫耳的二甲胺嘧啶(N,N-dimethylaminopyridine)作為催化劑。
在製造式(7)的醇的方法中，將諸如以式(6)表示的酯化合物溶解於四氫呋喃與醇(諸如甲醇、乙醇或丙醇)的溶劑混合物中，接著在冰浴中將硼氫化鈉(sodium borohydride (NaBH4 ))緩慢地逐滴加入至溶液中。
在完成逐滴加入的步驟後，在60℃的油浴下攪拌混合液4小時，接著使用蒸餾水終止反應混合物以移除溶劑。將已移除溶劑的反應混合物再次溶解於蒸餾水中，接著使用濃鹽酸酸 化之以得到5至6的pH值。
再次濃縮混合液，接著加入甲醇以形成漿液，而後過濾之。使用己烷清洗濾液，接著再次濃縮之。使用二乙醚對生成物進行結晶化，接著過濾並乾燥之以得到諸如以式(7)表示的醇。
在包含本發明之酸產生劑的化學增幅型光阻組成物中，當聚合物為100重量份時，化學增幅型光阻組成物所包含的酸產生劑為1至20重量份，其中未限制聚合物的種類。
當小於1重量份時，由於化學增幅的因素而無法得到適當的圖案，且當大於20重量份時，產生過多的酸會造成嚴重的圖案損失(pattern loss)，且因此無法得到想要的圖案。
接下來，將敘述本發明之實例與比較實例。然而，下述的實例僅是本發明的較佳實例，而本發明未受限於這些實例。
[合成實例1]
製造二苯甲基苯基-(3,3-二甲基丁酸-2,2-二氟-2-磺乙酯)鋶鹽(diphenylmethylphenyl-(3,3-dimethylbutyric acid-2,2-difluoro-2-sulfoethyl ester)sulfonium salt)
<1>合成1,1-二氟-2-羥乙基磺酸鈉鹽(1,1-difluoro-2-hydroxyethanesulfonic acid sodium salt)
在冰浴中，將83 g的二氟磺化醋酸乙酯鈉鹽(difluorosulfoacetic acid ethyl ester sodium salt)溶解於160 ml的甲醇與1.2 L的四氫呋喃中，接著將44 g的硼氫化鈉(NaBH4 )緩慢地逐滴加入。在完成逐滴加入的步驟後，移除冰浴且接著將混合液的溫度提升至60℃，在此溫度下攪拌混合液4小時。
在反應後，使用蒸餾水終止反應混合物，接著移除溶劑。將原(crude)反應混合物溶解於蒸餾水中，接著使用濃鹽酸酸化生成物以得到5至6的pH值。在濃縮混合液後，加入甲醇且過濾漿液以移除無機鹽。以己醇清洗濾液兩次，接著再次濃縮甲醇層，以及使用二乙醚對生成物進行結晶化。接著在真空中乾燥過濾後所得的白色固體，且以1 H-NMR確定其結構。圖1顯示所得到的光譜。在過濾與乾燥後，得到68.5 g(產率為95%)的1,1-二氟-2-羥乙基磺酸鈉鹽。
1 H-NMR(D2 O)：-(ppm)4.18(t,2H)
<2>合成3,3-二甲基丁酸-2,2-二氟-2-磺乙酯鈉鹽(3,3-dimethylbutyric acid-2,2-difluoro-2-sulfoethyl ester sodium salt)
在冰浴中，將上述產生的10 g的1,1-二氟-2-羥乙基磺酸鈉鹽與7.31 g的第三丁基乙醯氯化物(t-butylacetyl chloride)溶解於150 ml的二氯乙烷中，且在0℃下攪拌。在0℃下緩慢地逐滴加入7.57 ml的三乙胺，接著將0.5 g的DMAP加入之。將反應溫度提升至室溫，且攪拌混合液2小時。
在完成反應後，以30 ml的蒸餾水清洗反應混合物兩次，接著移除溶劑。使用乙醚將生成物形成漿液，接著過濾之。在 過濾後，使用蒸餾水與乙醚清洗濾餅，接著在真空中乾燥之。以1 H-NMR確定產物的結構，且因而得到9.92 g(64.8%)之以下結構式表示的3,3-二甲基丁酸-2,2-二氟-2-磺乙酯鈉鹽。
<3>將在<2>所產生的7 g的3,3-二甲基丁酸-2,2-二氟-2-磺乙酯鈉鹽與9.6 g的二苯甲基苯基鋶三氟甲基磺酸鹽(diphenylmethylphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate salt)溶解於100 ml的二氯甲烷與100 ml的水中，且藉由激烈攪拌進行雙層反應3小時。
在攪拌後，取樣有機層以藉由19 F-NMR來確定反應的進程。當反應完成後，結合有機層、移除溶劑，且使用作為良好溶劑的二氯甲烷與不良溶劑的己烷來清洗殘留物。接著移除溶劑，且在降壓下乾燥殘留物以得到12.02 g(產率99.5%)的二苯甲基苯基-(3,3-二甲基丁酸-2,2-二氟-2-磺乙酯)鋶鹽。以1 H-NMR確定結構。
[合成實例2]
製造二苯甲基苯基-(庚酸-2,2-二氟-2-磺乙酯)鈉鹽 (diphenylmethylphenyl-(heptanoic acid-2,2-difluoro-2-sulfoethyl ester)sodium salt)
<1>製造庚酸-2,2-二氟-2-磺乙酯鈉鹽(heptanoic acid 2,2-ditluoro-2-sulfoethyl ester sodium salt)
將在[合成實例1]的<1>中產生的10 g的羥甲基二氟甲烷磺酸鈉鹽(hydroxymethyldifluoromethanesulfonate sodium salt)與8.07 g的庚醯氯(heptanoyl chloride)溶解於150 ml的二氯乙烷中，且在室溫下攪拌混合液。在0℃下緩慢地逐滴加入11.36 ml的三乙胺，接著加入0.5 g的DMAP。將反應溫度提升至室溫，且接著攪拌混合液2小時。
在反應完成後，以甲基氯(methyl chloride(MC))萃取反應混合物，接著移除溶劑。加入乙醚以將殘留物形成漿液，而後過濾之。在過濾後，使用蒸餾水與乙醚清洗濾餅，接著在真空中乾燥之。以1 H-NMR確定產物的結構，且因而得到6.84 g(產率46.3%)之具有以下結構式的庚酸-2,2-二氟-2-磺乙酯鈉鹽。
<2>製造二苯甲基苯基(庚酸-2,2-二氟-2-磺乙酯)鈉鹽
將在<1>中產生的3 g的庚酸-2,2-二氟-2-磺乙酯鈉鹽(heptanoic acid 2,2-difluoro-2-sulfoethyl ester sodium salt)與3.32 g的二苯甲基苯基鋶三氟甲基磺酸鹽溶解在30 ml的二氯甲烷與30 ml的水 中，且藉由激烈攪拌進行雙層反應3小時。
在攪拌後，取樣有機層以藉由19 F-NMR來確定反應的進程。當反應完成後，結合有機層並移除溶劑，且使用作為良好溶劑的二氯甲烷與不良溶劑的己烷來清洗殘留物。接著移除溶劑，且在降壓下乾燥殘留物以得到4.59 g(產率84.7%)的二苯甲基苯基(庚酸-2,2-二氟-2-磺乙酯)鋶鹽。以1 H-NMR確定結構。
[合成實例3]
二苯甲基苯基-(2-乙氧羰基-1,1-二氟乙基磺酸)鈉鹽(Diphenylmethylphenyl-(2-ethoxycarbonyl-1,1-difluoroethanesulf onic acid)sodium salt)
<1>製造2-乙氧羰基-1,1-二氟乙基磺酸鈉鹽(2-ethoxycarbonyl-1,1-difluoroethanesulfonic acid sodium salt)
除了以5.89 g的氯甲酸乙酯取代第三丁基乙醯氯化物作為與醇反應的反應物外，以與[合成實例1]的<2>相同的方式獲得8 g(產率57.6%)的2-乙氧羰基-1,1-二氟乙基磺酸鈉鹽。以1 H-NMR確定產物的結構。
<2>二苯甲基苯基-(2-乙氧羰基-1,1-二氟乙基磺酸)鈉鹽
除了在與二苯甲基苯基鋶三氟甲基磺酸鹽的反應中使用在上述<1>製造的8 g的2-乙氧羰基-1,1-二氟乙基磺酸鈉鹽取代第三丁基乙醯氧甲基二氟磺酸鈉鹽(t-butylacetyloxymethyldifluorosulfonate sodium salt)以外，以與[合成實例1]的<3>相同的方式獲得如下所示的9.1 g(產率95%)的二苯甲基苯基-(2-乙氧羰基-1,1-二氟乙基磺酸)鈉鹽。以1 H-NMR確定產物的結構。
[合成實例4]
製造二苯甲基苯基-(異丁酸2,2-二氟-2-磺乙酯)鈉鹽(diphenylmethylphenyl-(isobutyric acid 2,2-difluoro-2-sulfoethyl ester)sodium salt)
<1>製造異丁酸2,2-二氟-2-磺乙酯鈉鹽(isobutyric acid 2,2-difluoro-2-sulfoethyl ester sodium salt)
除了以6.95 g的異丁醯氯取代第三丁基乙醯氯化物作為與醇反應的反應物外，以與[合成實例1]的<2>相同的方式獲得如下所示的7.5 g(產率82%)的異丁酸2,2-二氟-2-磺乙酯鈉鹽。以1 H-NMR確定產物的結構。
<2>二苯甲基苯基-(異丁酸2,2-二氟-2-磺乙酯)鈉鹽
除了在與二苯甲基苯基鋶三氟甲基磺酸鹽的反應中使用在合成實例4的<1>中製造的4 g的異丁酸2,2-二氟-2-磺乙酯鈉鹽取代第三丁基乙醯氧甲基二氟磺酸鈉鹽以外，以與[合成實例1]的<3>相同的方式獲得如下所示的5.62 g(98%)的二苯甲基苯基(異丁酸2,2-二氟-2-磺乙酯)鈉鹽。以1 H-NMR確定產物的結構。
[合成實例5]
將在合成實例1的<2>中產生的5.72 g的3,3-二甲基丁酸2,2-二氟-2-磺乙酯鈉鹽與10 g的二苯基-第三丁氧羰基甲氧基苯基鋶三氟甲基磺酸鹽(diphenyl-t-butoxycarbonylmethoxyphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate salt)溶解於100 ml的二氯甲烷與100 ml的水中，且藉由激烈攪拌進行雙層反應3小時。
在攪拌後，取樣有機層以藉由19 F-NMR來確定反應的進程。當反應完成後，結合有機層並移除溶劑，且使用作為良好溶劑的二氯甲烷與不良溶劑的己烷來清洗殘留物。移除溶劑，且在降壓下乾燥殘留物以得到11.4 g(產率94.8%)的二苯基-第三丁氧羰基甲氧基苯基-3,3-二甲基丁酸2,2-二氟-2-磺乙酯鈉鹽(diphenyl-t-butoxycarbonylmethoxyphenyl-3,3-dimethylbutyric acid2,2-difluoro-2-sulfoethyl ester sodium salt)。以1 H-NMR確定結構。
[合成實例6]
將在合成實例1的<2>中產生的7.22 g的3,3-二甲基丁酸2,2-二氟-2-磺乙酯鈉鹽與10 g的二苯基氟苯基鋶三氟甲基磺酸鹽(diphenylfluorophenylsulfonium trifluoromethanesulfonate salt)溶解於100 ml的二氯甲烷與100 ml的水中，且藉由激烈攪拌進行雙層反應3小時。
在攪拌後，取樣有機層以藉由19 F-NMR來確定反應的進程。當反應完成後，結合有機層並移除溶劑，且使用作為良好溶劑的二氯甲烷與不良溶劑的己烷來清洗殘留物。移除溶劑，且在降壓下乾燥殘留物以得到13.1 g(產率94.8%)的二苯基氟苯基-3,3-二甲基丁酸2,2-二氟-2-磺乙酯鈉鹽(diphenylfluorophenyl-3,3-dimethylbutyric acid 2,2-difluoro-2-sulfoethyl ester sodium salt)。以1 H-NMR確定結構。
[樹脂合成實例1]
3-二環[2.2.1]庚-5-烯-2-基-3-羥丙酸正丁酯(3-Bicyclo[2.2.1]hept-5-en-2-yl-3-hydroxypropionic acid t-butyl ester，此處簡稱為BHP)、丙烯酸-1-甲基金剛酯(1-methyladamantane acrylate)以及甲基丙烯酸-γ-丁內酯(γ-butyrolactone methylacrylate)以1：1：1的比例(33份重量：33份重量：33份重量)加入，以反應單體的總質量的三倍量的1,4-二氧陸圜(1,4-dioxane)為聚合溶劑以及以佔總單體莫耳量之4%的偶氮雙異丁腈(azobisisobutyronitrile)為起始劑，使反應在65℃下進行16小時。
在進行反應後，以正己烷對反應溶液進行況澱，且在真空中乾燥所產生的沉澱物以得到如下所述的樹脂。因此，得到重量平均分子量約為8,500的共聚物。
<光阻的製備，實例1至3以及比較實例1> [實例1] 光阻的製備
將由樹脂合成實例1所得的100重量份的樹脂、由合成實例1製備且作為酸產生劑的4重量份的二苯甲基苯基-(3,3-二 甲基丁酸-2,2-二氟-2-磺乙酯)鋶鹽以及作為鹼添加劑之0.5重量份的氫氧化四甲基銨(tetramethylammonium hydroxide)溶解於1000重量份的丙二醇甲醚醋酸酯(propylene glycol methyl ether acetate)中，接著以具有0.2 μm之孔洞的膜過濾器過濾所述溶液。因此，光阻得以製備。
以旋塗器將所得的光阻溶液塗佈在基底上，且在110℃下乾燥90秒以形成厚度為0.20 μm的膜。使用ArF準分子雷射步進機(孔徑透鏡：0.78)曝光所形成的膜，接著在110℃下進行熱處理90秒。接著，以2.38 wt%的氫氧化四甲基銨水溶液對膜進行顯影40秒，並清洗且乾燥以形成光阻圖案。
使用氫氧化四甲基銨水溶液的可顯影性與所形成光阻圖案對基底的黏著性皆為良好，以及當靈敏度(sensitivity)為13 mJ/cm2 時，解析度為0.08 μm。
根據實例的結果，以線邊緣粗糙(LER)來看，根據顯影後所形成之0.10-μm的線寬與間距(line-and-space(L/S))圖案來觀察圖案粗糙度，其中將LER的改善程度以1至5來計分，也就是將實例所得的圖案與比較實例所得的圖案作比較且將比較實例所得的圖案視為1(數字越大表示越佳的LER)。
在靈敏度的結果中，以形成線寬為1：1之0.10-μm的線寬與間距圖案的曝光量為最佳曝光量，且將此最佳曝光量視為靈敏。以此最佳曝光量所得的最小圖案尺寸即為解析度。
[實例1至3]
將在合成實例1、2或3所得的光酸產生劑、在樹脂合成實例1中生成的樹脂以及鹼添加劑溶解在1000重量份的丙二醇甲醚醋酸酯中，接著以具有0.2 μm之孔洞的膜過濾器過濾所述溶液，以製備表1所述的光阻組成物(其中單位為重 量份)。以與實例1中所述的相同方式，使用光阻組成物來形成正型光阻圖案，且對其進行各種評估。評估結果表示於表1。
實例1：合成實例1的二苯甲基苯基-(3,3-二甲基丁酸-2,2-二氟-2-磺乙酯)鋶鹽
實例2：合成實例2的二苯甲基苯基-(庚酸-2,2-二氟-2-磺乙酯)鈉鹽
實例3：合成實例3的二苯甲基苯基-(2-乙氧羰基-1,1-二氟乙基磺酸)鈉鹽
比較實例1：三氟甲烷磺酸三苯基(Triphenylsulfonium triflate)
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之 精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
圖1為根據合成實例1-1所製造的化合物的1 H-NMR光譜。
圖2為根據合成實例1-2所製造的化合物的1 H-NMR光譜。
圖3為根據合成實例1-3所製造的化合物的1 H-NMR光譜。
圖4為根據合成實例2-1所製造的化合物的1 H-NMR光譜。
圖5為根據合成實例2-2所製造的化合物的1 H-NMR光譜。
圖6為根據合成實例3-1所製造的化合物的1 H-NMR光譜。
圖7為根據合成實例3-2所製造的化合物的1 H-NMR光譜。
圖8為根據合成實例4-1所製造的化合物的1 H-NMR光譜。
圖9為根據合成實例4-2所製造的化合物的1H-NMR光譜。

Claims (10)

  1. 一種酸產生劑，其以下式(1)表示： 其中X代表具有1至20個碳原子且選自烷基、鹵烷基以及烷磺醯基的未取代或取代烷基，其至少有一個氫原子經醚基、酯基、羰基、縮醛基、腈基、氰基、氫氧基、羧基或醛基取代，或X代表具有1至4個碳原子的全氟烷基；R6 代表選自氮(N)、硫(S)以及氧(O)的異原子；m為1或2的整數；以及A+為有機反離子。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之酸產生劑，其中A+為選自由以下式(3a)與(3b)表示之陽離子所組成之族群的至少一陽離子： 其中在式(3a)與(3b)中，R1 與R2 中任一者獨立代表烷基、環烷基、烯丙基、全氟烷基、苯甲基或芳基，任一者具有1至20個碳原子；以及R3 、R4 以及R5 中任一者獨立代表氫原子、烷基、環烷基、鹵素原子、烷氧基、芳基、苯硫基、硫帶烷氧基或烷氧基羰基甲氧基。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之酸產生劑，其中A+為選自由以下式(4a)與(4b)表示之陽離子所組成之族群的至少一陽離子： 其中在式(4a)與(4b)中，R1 ’與R4 ’中任一者獨立代表烷基、環烷基、烯丙基、全氟烷基、苯甲基或芳基；以及R2 ’與R3 ’中任一者獨立代表氫原子、烷基、環烷基、鹵素原子、烷氧基、芳基、苯硫基、硫帶烷氧基或烷氧基羰基甲氧基。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之酸產生劑，其中所述酸產生劑的陰離子基團為選自以下式(1-vi)至(1-viii)表示之族群的至少一者：
  5. 如申請專利範圍第1項所述之酸產生劑，其中所述酸產生劑藉由使以下式(5)表示的鹽與以下式(9)表示的化合物之間發生反應而產生： 其中X代表具有1至20個碳原子且選自烷基、鹵烷基以及烷磺醯基的未取代或取代烷基，其至少有一個氫原子經醚基、酯基、羰基、縮醛基、腈基、氰基、氫氧基、羧基或醛基取代，或X代表具有1至4個碳原子的全氟烷基；R6 代表選自氮、硫以及氧的異原子；m為1或2的整數；以及M為鋰(Li)、鈉(Na)或鉀(K)；[式9]A+ +Z- 其中A+為有機反離子；以及Z為OSO2 CF3 、OSO2 C4 F9 、OSO2 C8 F17 、N(CF3 )2 、N(C2 F5 )2 、N(C4 F9 )2 、C(CF3 )3 、C(C2 F5 )3 、C(C4 F9 )3 、F、Cl、Br、I、BF4 、AsF6 或PF6 。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之酸產生劑，其中式(5)的所述鹽藉由使以下式(7)表示的醇化合物與以下式(8)表示的醯化合物之間發生反應而產生： 其中M為鋰、鈉或鉀； 其中X代表具有1至20個碳原子且選自烷基、鹵烷基以及烷磺醯基的未取代或取代烷基，其至少有一個氫原子經醚基、酯基、羰基、縮醛基、腈基、氰基、氫氧基、羧基或醛基取代，或X代表具有1至4個碳原子的全氟烷基；R6 代表選自氮、硫以及氧的異原子；以及m為1或2的整數。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之酸產生劑，其中式(7)的所述醇化合物藉由以下式(6)表示的酯化合物的還原反應而產生： 其中R1 為氫原子、甲基、三氟甲基、三氯甲基、三溴甲基或三碘甲基；以及M為鋰、鈉或鉀。
  8. 一種化學增幅型光阻組成物，其包括申請專利範圍第1項所述之酸產生劑與一共聚物。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之化學增幅型光阻組成物，其中以所述共聚物為100重量份為單位，所包含的所述酸產生劑為1至20重量份。
  10. 一種化合物，其以下式(7)表示： 其中M為鋰、鈉或鉀。
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Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008099869A1 (ja) * 2007-02-15 2008-08-21 Central Glass Company, Limited 光酸発生剤用化合物及びそれを用いたレジスト組成物、パターン形成方法
JP5347349B2 (ja) 2007-09-18 2013-11-20 セントラル硝子株式会社 ２−ブロモ−２，２−ジフルオロエタノール及び２−（アルキルカルボニルオキシ）−１，１−ジフルオロエタンスルホン酸塩類の製造方法
US8283106B2 (en) * 2007-11-01 2012-10-09 Central Glass Company, Limited Sulfonic acid salt and derivative thereof, photoacid generator agent, and resist material and pattern formation method using the photoacid generator agent
JP4513990B2 (ja) * 2008-01-18 2010-07-28 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
JP4513989B2 (ja) * 2008-01-18 2010-07-28 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
JP4844761B2 (ja) * 2008-01-18 2011-12-28 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
EP2101217B1 (en) 2008-03-14 2011-05-11 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Sulfonium salt-containing polymer, resist compositon, and patterning process
JP5268588B2 (ja) * 2008-07-18 2013-08-21 東京応化工業株式会社 レジスト組成物、レジストパターン形成方法、新規な化合物および酸発生剤
KR101115576B1 (ko) * 2009-10-01 2012-03-06 금호석유화학 주식회사 술포니움 염의 제조 방법 및 이에 의하여 제조된 술포니움 염
JP5557657B2 (ja) * 2010-09-02 2014-07-23 東京応化工業株式会社 レジスト組成物、レジストパターン形成方法、新規な化合物及び酸発生剤
KR101843599B1 (ko) * 2010-09-09 2018-03-29 제이에스알 가부시끼가이샤 감방사선성 수지 조성물
JP5153934B2 (ja) * 2010-11-29 2013-02-27 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜及びパターン形成方法
KR101229314B1 (ko) * 2011-02-07 2013-02-04 금호석유화학 주식회사 광산발생제, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 레지스트 조성물
KR101332316B1 (ko) * 2011-02-07 2013-11-22 금호석유화학 주식회사 광산발생제, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 레지스트 조성물
JP6218358B2 (ja) * 2011-04-13 2017-10-25 住友化学株式会社 塩、フォトレジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP2013079232A (ja) * 2011-09-30 2013-05-02 Rohm & Haas Electronic Materials Llc 光酸発生剤およびこれを含むフォトレジスト
KR101434659B1 (ko) * 2012-10-15 2014-08-28 금호석유화학 주식회사 광산발생제 및 이를 포함하는 레지스트 조성물
KR101361623B1 (ko) * 2012-10-15 2014-02-11 금호석유화학주식회사 광산발생제 및 이를 포함하는 레지스트 조성물
KR101507827B1 (ko) * 2012-11-19 2015-04-06 금호석유화학 주식회사 광산발생제 및 이를 포함하는 레지스트 조성물
TWI662364B (zh) * 2015-12-31 2019-06-11 Rohm And Haas Electronic Materials Llc 光致抗蝕劑組合物、包含光致抗蝕劑組合物的經塗佈基板及形成電子裝置的方法
TWI656111B (zh) 2015-12-31 2019-04-11 Rohm And Haas Electronic Materials Llc 光酸產生劑
KR102422243B1 (ko) * 2016-07-28 2022-07-19 삼성전자주식회사 광산 발생제 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물
US11112698B2 (en) * 2016-11-29 2021-09-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Photoresist with gradient composition for improved uniformity
CN111138407A (zh) * 2019-12-28 2020-05-12 上海博栋化学科技有限公司 由喇叭茶醇合成的磺酸锍盐类光酸产生剂及其合成方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060228648A1 (en) * 2005-04-06 2006-10-12 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Novel sulfonate salts and derivatives, photoacid generators, resist compositions, and patterning process
US20070099112A1 (en) * 2005-10-31 2007-05-03 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Novel sulfonate salts and derivatives, photoacid generators, resist compositions, and patterning process

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7105267B2 (en) * 2001-08-24 2006-09-12 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist compositions and patterning process
WO2005089355A2 (en) 2004-03-16 2005-09-29 Cornell Research Foundation, Inc. Environmentally friendly photoacid generators (pags) with no perfluorooctyl sulfonates (pfos)
JP4484681B2 (ja) * 2004-12-03 2010-06-16 富士フイルム株式会社 感光性組成物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法
JP4816921B2 (ja) * 2005-04-06 2011-11-16 信越化学工業株式会社 新規スルホン酸塩及びその誘導体、光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法
US7834209B2 (en) * 2005-06-07 2010-11-16 E.I. Du Pont De Nemours And Company Hydrofluoroalkanesulfonic acids from fluorovinyl ethers
JP5125057B2 (ja) * 2005-10-28 2013-01-23 住友化学株式会社 化学増幅型レジスト組成物の酸発生剤用の塩
JP4905666B2 (ja) * 2005-10-31 2012-03-28 信越化学工業株式会社 新規スルホン酸塩及びその誘導体、光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法
JP4548616B2 (ja) * 2006-05-15 2010-09-22 信越化学工業株式会社 熱酸発生剤及びこれを含むレジスト下層膜材料、並びにこのレジスト下層膜材料を用いたパターン形成方法
JP5124806B2 (ja) * 2006-06-27 2013-01-23 信越化学工業株式会社 光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法
KR101035742B1 (ko) * 2006-09-28 2011-05-20 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 신규 광산 발생제 및 이것을 이용한 레지스트 재료 및 패턴형성 방법
WO2008099869A1 (ja) * 2007-02-15 2008-08-21 Central Glass Company, Limited 光酸発生剤用化合物及びそれを用いたレジスト組成物、パターン形成方法
JP5347349B2 (ja) * 2007-09-18 2013-11-20 セントラル硝子株式会社 ２−ブロモ−２，２−ジフルオロエタノール及び２−（アルキルカルボニルオキシ）−１，１−ジフルオロエタンスルホン酸塩類の製造方法
WO2009037980A1 (ja) * 2007-09-18 2009-03-26 Central Glass Company, Limited ２－ブロモ－２，２－ジフルオロエタノール及び２－（アルキルカルボニルオキシ）－１，１－ジフルオロエタンスルホン酸塩類の製造方法
US8283106B2 (en) * 2007-11-01 2012-10-09 Central Glass Company, Limited Sulfonic acid salt and derivative thereof, photoacid generator agent, and resist material and pattern formation method using the photoacid generator agent
JP4844761B2 (ja) * 2008-01-18 2011-12-28 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
KR100940915B1 (ko) * 2008-03-13 2010-02-08 금호석유화학 주식회사 화학증폭형 레지스트 조성물용 산발생제
JP5245956B2 (ja) * 2008-03-25 2013-07-24 信越化学工業株式会社 新規光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法
JP4569786B2 (ja) * 2008-05-01 2010-10-27 信越化学工業株式会社 新規光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060228648A1 (en) * 2005-04-06 2006-10-12 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Novel sulfonate salts and derivatives, photoacid generators, resist compositions, and patterning process
US20070099112A1 (en) * 2005-10-31 2007-05-03 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Novel sulfonate salts and derivatives, photoacid generators, resist compositions, and patterning process

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Publication number Publication date
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