TWI381442B - 具有閘門縫打開與關閉裝置之處理腔室 - Google Patents

具有閘門縫打開與關閉裝置之處理腔室 Download PDF

Info

Publication number
TWI381442B
TWI381442B TW096140673A TW96140673A TWI381442B TW I381442 B TWI381442 B TW I381442B TW 096140673 A TW096140673 A TW 096140673A TW 96140673 A TW96140673 A TW 96140673A TW I381442 B TWI381442 B TW I381442B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
opening
door
chamber
processing chamber
inner door
Prior art date
Application number
TW096140673A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200822217A (en
Inventor
Hyoung-Kyu Son
Original Assignee
Advanced Display Proc Eng Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Advanced Display Proc Eng Co filed Critical Advanced Display Proc Eng Co
Publication of TW200822217A publication Critical patent/TW200822217A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI381442B publication Critical patent/TWI381442B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/18Vacuum locks ; Means for obtaining or maintaining the desired pressure within the vessel
    • H01J37/185Means for transferring objects between different enclosures of different pressure or atmosphere
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458Vessel
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/18Vacuum control means
    • H01J2237/184Vacuum locks

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Power-Operated Mechanisms For Wings (AREA)

Description

具有閘門縫打開與關閉裝置之處理腔室
本文描述一種具有一閘門縫打開與關閉裝置之處理腔室。
處理腔室已為吾人所熟知。然而,其存在各種缺點。
為改善習缺失,本發明為一種具有一閘門縫打開與關閉裝置之處理腔室,係包括一腔室體、一閘門縫、至少一內門以及一門驅動機構,其中該內門可旋轉地安裝於該閘門縫之相對開口之一內開口處,藉由該門驅動機構旋轉該內門,而使受驅動之內門得以打開或關閉該閘門縫之內開口,以達到令電漿在該腔室體內均勻分佈之目的。
將更為詳細地引用各種具體實施例,其實例圖示說明於該等附圖中。在任何可能的地方,該等附圖皆使用相同之圖示符號與說明指代相同或相似之部件,且重複之描述已省略。
為製造一顯示器基板,諸如一液晶顯示器(LCD)基板,需要一蝕刻該基板之裝置。設計如此一蝕刻裝置用以在其間已形成一強電場之兩電極之間噴射一特殊反應氣體。該反應氣體在該電場之作用下釋放電子之同時,此裝置在中性狀態下使該反應氣體轉化成具有良好反應性之電漿。該電漿與部分氧化膜反應藉此而蝕刻該基板,該氧化薄膜已沈積於一基板上且暴露部分未用光致抗蝕劑覆蓋之部分。該蝕刻裝置可包括:一處理腔室,其中可利用電漿處理一基板;一負載固定腔室,其中可存儲基板;及一傳遞腔室,其位於該處理腔室與該負載固定腔室之間,且用作一穿過其可裝載與卸載該基板之過境區。
圖1顯示一用於諸如一LCD基板之顯示器基板之一蝕刻裝置之處理腔室。如圖1所示,該處理腔室1可包括:一腔室體5;一 閘門縫2,其形成於該腔室體5之一壁內,以便與該傳遞腔室相通;及一打開與關閉該閘門縫2之閘門閥4。該閘門縫2可用作一基板3之閘門通道,且可在水平方向上長。可關閉該閘門閥4,用以在裝載或卸載該基板3時允許該基板3通過該閘門縫2。一旦該基板3被載入或卸載,則該閘門閥4即可關閉,以便在該處理腔室1之一內部14中形成真空。
然而,如圖1所圖示說明,其採用該上述之處理腔室,所以為打開與關閉該閘門縫2,該閘門閥4安裝於該處理腔室1之外。因此之故,當關閉時,該閘門閥4關閉該閘門縫2相對之開口2a與2b中之一外開口2a。因此,當蝕刻該基板時,該處理腔室1之內部14在空間上與該閘門縫2相通。因而其中形成該電漿之一空間除包括該處理腔室1之該內部空間14外,其亦包括該閘門縫2之該空間。結果該電漿之分佈有差異(即電漿朝該閘門縫2之方向更為集中),且因此該基板3受到之蝕刻亦有差異。
換言之,該處理腔室1之該內部14被分為兩部分:該閘門縫部分與該相對之部分(即在圖1中觀察時相對於一中心線之左側與右側),該閘門縫2部分上之該電漿空間比該閘門縫2之該空間寬。因此從整體觀察時,該電漿空間不可避免地左右不對稱。因而蝕刻該基板3時,該電漿可能朝該閘門縫2集中。
圖2為一圖示說明一具有一根據一具體實施例之閘門縫打開與關閉裝置70之處理腔室10之簡圖。如圖2所圖示說明,具有一根據一具體實施例之閘門縫打開與關閉裝置70之該處理腔室10可包括一腔室體50與一閘門閥60,其中該腔室體50中界定一其中可蝕刻一基板30之一空間54,且在該腔室體50之一壁中形成一閘門縫52,穿過該閘門縫52可載入與卸載該基板30。該閘門縫打開與關閉裝置70打開與關閉該腔室體50內側該腔室體50之該閘門縫52。該閘門閥60打開與關閉該腔室體50外側該腔室體50之該閘門縫52。
圖3與4為圖2之該閘門縫打開與關閉裝置70之詳細橫斷面 視圖。圖3顯示其中該閘門縫52處於打開時之一狀態,圖4顯示其中該閘門縫52處於關閉時之一狀態。
如圖3與4所圖示說明,該閘門縫打開與關閉裝置70可包括:一打開與關閉該閘門縫52之內門75;一打開與關閉該內門75之門驅動機構80;及一防止該內門75不必要地被關閉之制動器90。該內門75可為一安裝於該閘門縫52之該等相對開口52a與52b中之一內開口52b上之平板,其與該腔室體50之該內部54接觸,以便打開與關閉該內開口52b。
該內門75可藉由一鉸鏈機構H連接至該內開口52b,以便可繞其一下端旋轉。此外,該內門75之尺寸大小為當其被關閉時與該內開口52b之尺寸相一致。因此,當該內門75朝該腔室體50之該內部54旋轉時,該內開口52b可被打開。相反,當該內門75朝該腔室體50之該外部旋轉時,該內開口52b可被關閉。
該內門75可被安裝成在其被旋轉以關閉該內開口52b時其位於與該腔室體50之一內壁54a相同之一平面內,藉此其與該腔室體50之該內壁54a一起用作一平直壁。該內門75可安裝成在該內開口52b關閉時其相對於該腔室體50之該內壁54a無高度差。即當該內開口52b關閉時,該內門75可以如此一方式安裝,即其一與該腔室體50之該內部54相對之內表面75a與該內壁54a平齊。此外,該內門75在其下端可提供一突出物72,該突出物72係在該內門75關閉時可朝該腔室體50之該外部突出一預定長度。
圖5為自圖4中之該箭頭“P”所指方向觀察時之一前視圖。如圖5中所圖示說明,該內門75可部分地或整體地由一金屬網74形成。在此具體實施例中,該內門70具有一網狀結構,以便其重量可降低。
該門驅動機構80可導致該內門75繞該鉸鏈機構H旋轉一預定角度,以便打開與關閉該閘門縫52之該內開口52b。該門驅動機構80可包括一產生動力之動力源81及一傳遞該動力源81之該動力以旋轉該內門75之動力轉換裝置82。該動力源81可為一安 裝於該腔室體50外部之馬達81。
經過一線性連接通道53該動力轉換裝置82可起傳遞該馬達81之動力至該內門75之作用,其中該線性連接通道53形成於該腔室體50內,用以在空間上連接該閘門縫52與該腔室體50之該外部。該動力轉換裝置82可包括一螺桿83、一可移動塊體84與一操作線85。
該螺桿83可為一線性桿,其安裝於該腔室體50下方,以便正好佈置於該內門75下方。該螺桿83可垂直地安裝於該腔室體50下方,以便可旋轉。此外,該螺桿83在其外圓周上沿其長度方向可具有外螺紋,且可藉由該馬達81向前/向後旋轉。
該可移動塊體84可用螺旋連接至該螺桿83,以便與該螺桿83形成一螺旋副。當該螺桿83向前/向後旋轉時(或根據該螺桿83之旋轉方向),該可移動塊體84沿該螺桿83向上與向下移動。
藉由該可移動塊體84沿該螺桿83上下移動時之該運動力作用,該操作線85可導致該內門75旋轉,藉此打開與關閉該內開口52b。該操作線85於其相對端可分別被連接至該內門75與該可移動塊體84。
更特定言之,該操作線85可被連接至該內門75之該突出物72。該操作線85可具有剛性。另一選擇為,該操作線85可進一步包括一環繞其外表面之護層。此外,該操作線85可穿過該腔室體50之該連接通道53插入,且然後連接至該內門75與該可移動塊體84。如上所述,當該可移動塊體84向下移動時,該操作線85旋轉該內門75以便關閉該內開口52b。儘管該等圖中未顯示,一密封該操作線85之波紋管可安裝於該腔室體50與該可移動塊體84之間,以防止該操作線85與其周圍環境干涉,且改良其外觀。
該馬達81可以如此一方式致動,即防止該可移動塊體84過度向上移動而導致過載(即儘管已完全打開或關閉該內開口52b該馬達仍繼續旋轉該螺桿83之一狀態)。當然,利用一感測器或 控制裝置(舉例而言)可實現這一點。
該制動器90可限制該內門75之旋轉,該內門75可藉由該門驅動機構80關閉。該制動器90可用於確定該內門75之該關閉位置,且因此而允許該閘門縫52之該內開口52b藉由該內門75精確關閉。該制動器90可以至少一凹槽或突出物之形式實現,其可於該內開口52b形成,以便其在該內門75關閉該內開口52b時與該內門75之一上端接觸。
可變更該制動器90之位置與構型。舉例言之,該制動器90可以一環狀物之形式實現,其可安裝於該螺桿83上,以便在該內開口52b被完全關閉時該可移動塊體84不再向下移動。如上所述,該制動器90之功能可藉由控制該馬達81之動作而實現。儘管如此,該制動器90可被提供用於對該內門75之旋轉施加物理限制,藉此防止誤操作,並提高操作之可靠性。
參考符號S代表一密封件,其可安裝於該連接通道53中,以便在該閘門縫52之該內開口52b被關閉時維持一氣密狀態。藉由阻塞該連接通道53,該密封件S可允許該腔室體50之該內部54保持為真空,以便不妨礙該操作線85之操作。
下面將描述根據本文所揭示之若干具體實施例之一處理腔室之操作。
為關閉該閘門縫52,當該閘門縫52之該內開口52b打開時,該內門75被降低,且該動力轉換裝置82之該可移動塊體84維持一上升狀態。在此狀態下,可致動該馬達。然後,該螺桿83可藉由該馬達81之轉動而旋轉。與該螺桿83螺紋聯接之該可移動塊體84沿該螺桿83向下移動。由於該可移動塊體84之移動方向可藉由該螺桿83之該旋轉方向確定,因此該馬達81可在使得該可移動滑塊84向下移動之一方向上旋轉該螺桿83。當該可移動塊體84向下移動時,該操作線85受拉伸。此時,該內門75繞該鉸鏈機構H旋轉,且直立。當該內門75與該制動器90接觸,且該內開口52b被關閉時,停止驅動馬達81。
如此,當該內開口52b藉由該內門75關閉時,該腔室體50之該內部54自該閘門縫52分離。結果該腔室體50之該內部54兩側對稱(見圖2)。此外,當該內開口52b關閉時,該內門75位於與該腔室體50之該內壁54a相同之平面內。因此,該腔室體50之該內壁54a內不存在高度差。因而當蝕刻該基板30時,該電漿之分佈均勻一致。
為打開該閘門縫52,與該閘門縫52關閉時不同,驅動該馬達81以便該螺桿83於一相反方向旋轉,且藉此向上移動該可移動塊體84。此時該操作線85(其可為剛性的)藉由該可移動塊體84之該提升力而受推,藉此推動該內門75。結果該內門75旋轉,且因此該閘門縫52之該內開口52b被打開。
圖6與7為一橫斷面視圖,其圖示說明圖3與4之該動力轉換裝置之另一具體實施例。更特定言之,圖6顯示該閘門縫52被打開時之狀態,而圖7顯示該閘門縫52被關閉時之狀態。
圖示說明於圖6與7中之該動力轉換裝置82a與圖3與4中之該動力轉換裝置82之不同處僅在於用一線性操作桿86與連桿87替代該操作線85。與該操作線85相同,該操作桿86穿過該腔室體50之該連接通道53插入,且其一下端被耦聯至該可移動塊體84。
該連桿87耦聯該操作桿86之一上端與該內門75。該操作桿86藉由該可移動塊體84可沿該線性連接通道53上升,該連桿87傳遞該操作桿86之該運動力至該內門75,以便旋轉該內門75。一孔87s可具有一槽之形狀,該連桿87穿過該孔87s藉由一鉸鏈接頭可與該操作桿86耦聯。當然,可更改該連桿87,即只要該內門75可藉由該操作桿86之轉動而被旋轉,則該連桿87可為任何構形。此外,可更改該動力轉換裝置82a之結構,舉例言之,該螺桿83可于水平方向上安裝,而非在豎直方向上安裝,以便該操作桿86與該移動塊體84可耦聯。
圖8為一處理腔室100之一橫斷面視圖,該處理腔室100具 有一根據另一第二具體實施例之閘門縫打開與關閉裝置170。圖9為自圖8中箭頭“Q”所指之方向觀察時之一前視圖。
如圖8與9中所圖示說明,除一內門175與一門驅動機構180之構造外,具有根據此具體實施例之一閘門縫打開與關閉裝置170之該處理腔室100與前述具體實施例之該處理腔室相同。
與該前述具體實施例之該內門75相同,此具體實施例之該內門175打開與關閉該閘門縫52之該內開口52b。然而,與該前述具體實施例之該內門75不同的是,該前述具體實施例之該內門75設計成具有單一之打開與關閉門,而此具體實施例之該內門175設計成具有雙重的打開與關閉門。此具體實施例之該內門175可包括一上門175a與一下門175b,該上門175a可打開與關閉該閘門縫52之該內開口52b之一上部分,而該下門175b可安裝於該上門175a之一下側上,且打開與關閉該閘門縫52之該內開口52b之剩餘部分,即該閘門縫52之該內開口52b之下部分。
該上門175a藉由一鉸鏈機構H1可被耦聯至該內開口52b,以便可繞其上端轉動。該下門175b藉由一鉸鏈機構H2可被耦聯至該內開口52b,以便可繞其下端轉動。此外,該上、下門175a、175b可具有金屬網174,以便其部分地或整體地為網狀結構。
其間,當此具體實施例之該內門175朝該腔室體50之該內部54旋轉時其可打開該內開口52b。相反,當該內門175朝該腔室體50之該外部旋轉時其可關閉該內開口52b。當該內門175關閉時,其可安裝成位於與該腔室體50之該內壁54a相同之該平面內。
此具體實施例之該門驅動機構180起旋轉該上、下門175a與175b之作用,以便打開與關閉該內開口52b,且可包括兩馬達。該等馬達可埋於該腔室體50之該壁內,以便該等馬達之軸藉由聯軸器(舉例而言)可分別直接耦聯至該上、下門175a與175b之該等鉸鏈機構H1與H2。
儘管為圖示說明之目的已描述示例性具體實施例,熟悉此項技藝之此等人士應瞭解,在不偏離該等所附申請專利範圍所揭示 之本發明之精神與範圍時,可進行各種更改、添加與替換。
作為一實例,在本文所揭示之具體實施例之該描述中,可安裝該內門使其朝該腔室體之內部向下旋轉。然而,該內門可設計成以相反方向旋轉以被打開與關閉。在此情況下,可實施合適之結構改變,以便避免穿過該閘門縫裝載與卸載之該基板與該內門之間的干涉。
此外,在本文所揭示之一具體實施例之該門驅動機構之該描述中,作為該動力源之馬達可安裝在該腔室體之外,且藉由一動力轉換裝置該馬達之動力可被傳遞至該內門,其中該內門位於該腔室體內側。然而,該馬達可設計成嵌於該腔室體之該壁內,或可安裝在該腔室體之外,以便其軸可直接與該鉸鏈機構耦聯。另外,在一具體實施例之該門驅動機構之描述中,該馬達可嵌於該腔室體之該壁內。然而,該馬達可安裝於該腔室體之外。
本文所揭示之具體實施例提供一處理腔室,該處理腔室具有一閘門縫打開與關閉裝置,該閘門縫打開與關閉裝置利用至少一旋轉門打開與關閉該腔室體內一腔室體之閘門縫,藉此防止蝕刻該基板時該腔室體之一內部在空間上與該閘門縫相通,且防止由於該電漿朝該閘門縫集中而導致分佈不均勻。
本文所揭示之若干具體實施例亦提供一具有一閘門縫打開與關閉裝置之處理腔室,其中在一閘門縫藉由該閘門縫打開與關閉裝置關閉時,該處理腔室之至少一門與一腔室體之內壁平齊,而不存在高度差,藉此在蝕刻一基板時使電漿之分佈更為均勻。
根據一具體實施例,提供一具有一閘門縫打開與關閉裝置之處理腔室,其包括:一腔室體,該腔室體之一壁中形成一閘門縫,基板穿過該閘門縫載入與卸載;一內門,該內門之一端可旋轉地安裝於該閘門縫之相對開口之一內開口內,以便打開與關閉該內開口;與一門驅動機構,該門驅動機構旋轉該內門,以便打開與關閉該內開口。該處理腔室可另外包括一制動器,該制動器限制該內門在關閉方向旋轉,並因此確定該內門之關閉位置。
該內門可以如此一方式安裝,即在關閉該內開口時其位於與該腔室體之一內壁相同之平面內。此外,該內門可具有一部分地為網狀之結構或整體地為網狀之結構。
該腔室體可包括一連接該腔室體之外部與該閘門縫之連接通道,且該門驅動機構可包括一安裝在該腔室體之外的動力源與一穿過該連接通道傳遞該動力源之動力至該內門以便打開與關閉該內門之動力傳遞單元或裝置。該動力源可包括一馬達。
該動力轉換裝置可包括:一螺桿,其藉由該馬達之作用而向前/相反方向旋轉,且其外圓周上具有一外螺紋;一可移動塊體,其螺紋聯接至該螺桿上,以便與該螺桿形成一螺旋副,及一操作線,其被插入至該連接通道內,且可耦聯至該內門與其相對端之該可移動塊體。
另一選擇為,該動力轉換單元可包括:一螺桿,其藉由該馬達之作用而向前/相反方向旋轉,且其外圓周上具有一外螺紋;一可移動塊體,其螺紋聯接至該螺桿上,以便與該螺桿形成一螺旋副,及一操作桿,其被插入至該連接通道內,且可藉由與該內門及該可移動塊體至少其中之一耦聯之一連桿耦聯至該內門及其相對端之該可移動塊體。
根據另一具體實施例,一處理腔室提供有一閘門縫打開與關閉裝置,該閘門縫打開與關閉裝置包括:一腔室體,在其一壁內形成一閘門縫,基板穿過該閘門縫載入與卸載;一對內門,該對內門其中之一具有一可旋轉安裝之端,以便打開與關閉該閘門縫之相對開口之一內開口之一側,而另一內門可具有一可旋轉安裝之端,以便打開與關閉該內開口之另一側;及一門驅動機構,其旋轉該等內門,以便打開與關閉該內開口。該等內門可以如此一方式安裝,即關閉該內開口時其位於與該腔室體之一內壁相同之平面內。此外,每一該等內門可部分地為網狀結構或整體地為網狀結構。
根據如此一具有根據本文所揭示之具體實施例之閘門閥打開 與關閉裝置之處理腔室,至少一內門可安裝在該閘門縫之該等相對開口之該內開口中,其可用作該基板之通道,且因此可藉由該內門打開與關閉該內開口。因此,當該內開口被關閉時,該腔室體之該內部在空間上與該閘門縫隔斷。藉此當蝕刻該基板時,可防止該電漿朝該閘門縫集中。此外,該電漿可被均勻分佈。
另外,該內門可安裝成在其關閉時與該腔室體之該內壁平齊,以便其中形成電漿之該空間可精確對稱,且因此可均勻一致地分佈該電漿。此外,此對稱結構能夠使一電極與接地之間的距離保持為恆定。慮及動力,這樣做是有利的。
此說明書中對“一具體實施例”、“實例具體實施例”等的任何參考意指關於該具體實施例所描述之特定特徵、結構或特性包括在本發明之至少一具體實施例中。該說明書中各處出現之此等短語未必皆指相同之具體實施例。此外,當關於任何具體實施例描述一特定特徵、結構或特性時,認為其在熟悉此項技藝之人士之範圍內,用以實現與該等具體實施例有關之其他特徵、結構或特性有關之此等特徵、結構或特性。
儘管參照其許多示例性具體實施例已描述若干具體實施例,應瞭解熟悉此項技藝之人士可進行許多其他更改及設計許多其他具體實施例,但皆在此說明之原理之精神與範圍之內。更特定言之,對該主體組合配置之組成部分與/或配置進行各種變化與更改是可能的,且皆在該說明、該等圖式與所附申請專利範圍之範圍內。除對組成部分與/或配置之變化與更改之外,對於熟悉此項技藝之人士而言,替換使用亦顯而易見的。
1‧‧‧處理腔室
2‧‧‧閘門縫
2a‧‧‧外開口
2b‧‧‧開口
3‧‧‧基板
4‧‧‧閘門閥
5‧‧‧腔室體
10‧‧‧處理腔室
14‧‧‧處理腔室1之內部
30‧‧‧基板
50‧‧‧腔室體
52‧‧‧閘門縫
52a‧‧‧開口
52b‧‧‧內開口
53‧‧‧線性連接通道
54‧‧‧蝕刻一基板之空間(腔室體之內部)
54a‧‧‧腔室體之內壁
60‧‧‧閘門閥
70‧‧‧閘門縫打開與關閉裝置
72‧‧‧突出物
74‧‧‧金屬網
75‧‧‧內門
75a‧‧‧內表面
80‧‧‧門驅動機構
81‧‧‧動力源(馬達)
82‧‧‧動力轉換裝置
82a‧‧‧動力轉換裝置
83‧‧‧螺桿
84‧‧‧可移動塊體
85‧‧‧操作線
86‧‧‧線性操作桿
87‧‧‧連桿
87s‧‧‧孔
90‧‧‧制動器
100‧‧‧處理腔室
120‧‧‧閘門縫打開與關閉裝置
170‧‧‧閘門縫打開與關閉裝置
174‧‧‧金屬網
175‧‧‧內門
175a‧‧‧上門
175b‧‧‧下門
180‧‧‧門驅動機構
H‧‧‧鉸鏈機構
H1‧‧‧鉸鏈機構
H2‧‧‧鉸鏈機構
P‧‧‧箭頭
Q‧‧‧箭頭
S‧‧‧密封件
M‧‧‧馬達
將參照以下圖形詳細描述該等具體實施例,其中相同圖示符號指代相同元件,且其中:圖1為根據一具體實施例之一處理腔室之橫斷面視圖;圖2為圖示說明具有根據一具體實施例之閘門縫打開與關閉裝置之一處理腔室之簡圖; 圖3與4為圖2之該閘門縫打開與關閉裝置之詳細橫截面圖,圖3顯示該閘門縫處於打開狀態,而圖4顯示該閘門縫處於關閉狀態;圖5為自圖4中之該箭頭“P”所指方向觀察時之一前視圖。
圖6與7為一橫斷面視圖,其圖示說明圖3與4之該動力轉換裝置,圖6顯示該閘門縫被打開時之狀態,而圖7顯示該閘門縫被關閉時之狀態。
圖8為一具有一根據另一具體實施例之閘門縫打開與關閉裝置之處理腔室之橫斷面視圖;及圖9為自圖8中之箭頭“Q”所指之方向觀察時之一前視圖。
10‧‧‧處理腔室
30‧‧‧基板
50‧‧‧腔室體
52‧‧‧閘門縫
54‧‧‧蝕刻一基板之空間(腔室體之內部)
60‧‧‧閘門閥
70‧‧‧閘門縫打開與關閉裝置
75‧‧‧內門
80‧‧‧門驅動機構

Claims (20)

  1. 一種具有一閘門縫打開與關閉裝置之處理腔室,其包括:一腔室體;一閘門縫,基板穿過該閘門縫在該腔室體內載入與卸載,其形成於該腔室體之一壁內,該閘門縫具有一位於該腔室體內壁的內開口以及一位於該腔室體外壁的外開口;至少一內門,其可旋轉地安裝於該閘門縫之該內開口處,該內門打開與關閉該內開口;一門驅動機構,其旋轉該至少一內門,以便打開與關閉該內開口;及一形成於該腔室體內之連接通道,該連接通道連接該腔室體之外部與該閘門縫,其中該門驅動機構包括一安裝於該腔室體之外的動力源;及一動力轉換裝置,其經由該連接通道傳遞來自該動力源之動力至該至少一內門,用以打開與關閉該至少一內門。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之處理腔室,其進一步包含一制動器,該制動器限制該至少一內門在關閉方向上之旋轉,且確定該至少一內門之關閉位置。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之處理腔室,其中該至少一內門安裝成在該內開口被關閉時其在一與該腔室體之該內壁相同之平面內。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之處理腔室,其中該至少一內門部分地為網狀結構或整體為網狀結構。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之處理腔室,其中該動力源包含一馬達。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之處理腔室,其中該動力轉換裝置包含:一螺桿,其藉由該馬達之作用而前/後旋轉,且其外圓周上具有外螺紋;一可移動塊體,其螺旋聯接至該螺桿,以便與該螺桿形成一 螺旋副;及一操作線,其被插入該連接通道內,並被耦聯至該至少一內門及其相對端之該可移動塊體。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之處理腔室,其進一步包含該連接通道內所揭示之一密封件。
  8. 如申請專利範圍第5項所述之處理腔室,其中該動力轉換裝置包含:一螺桿,其藉由該馬達之作用而前/後旋轉,且其外圓周上具有外螺紋;一可移動塊體,其螺旋聯接至該螺桿,以便與該螺桿形成一螺旋副;及一操作桿,其被插入該連接通道內,並藉由一與該至少一內門與該可移動塊體至少其中之一耦聯之連桿而被耦聯至該至少一內門及其相對端之該可移動塊體。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之處理腔室,其進一步包含一該連接通道內所揭示之密封件。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之處理腔室,其中該至少一內門包括可旋轉地安裝於該內開口中之至少兩內門。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之處理腔室,其中該等至少兩內門於其相對端可旋轉地安裝於該內開口內。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之處理腔室,其中該門驅動機構包含至少兩馬達。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之處理腔室,其該等至少兩馬達嵌入該腔室體之該壁內。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之處理腔室,其進一步包括一安裝於該閘門縫之該等相對開口之一外開口處之閘門閥。
  15. 一種具有一閘門縫打開與關閉裝置之處理腔室,其包括:一腔室體;一閘門縫,基板穿過該閘門縫在該腔室體內載入與卸載,其 形成於該腔室體之一壁內,該閘門縫具有一位於該腔室體內壁的內開口以及一位於該腔室體外壁的外開口;至少一內門,其一端可旋轉地安裝於該閘門縫之該內開口中,該內門打開與關閉該內開口;一門驅動機構,其旋轉該至少一內門,以便打開與關閉該內開口,一形成於該腔室體內之連接通道,該連接通道連接該腔室體之外部與該閘門縫,其中該門驅動機構包括一安裝於該腔室體之外的動力源;及一動力轉換裝置,其經由該連接通道傳遞該動力源之動力至該至少一內門,用以打開與關閉該至少一內門,其中該至少一內門安裝成在該內開口被關閉時其在與該腔室體之一內壁相同之平面內,且其中該至少一內門可部分地為網狀結構或整體為網狀結構。
  16. 一種具有一閘門縫打開與關閉裝置之處理腔室,其包括:一腔室體;一閘門縫,基板穿過該閘門縫在該腔室體內載入與卸載,其形成於該腔室體之一壁內,該閘門縫具有一位於該腔室體內壁的內開口以及一位於該腔室體外壁的外開口;一對用以打開與關閉該內開口之內門,其中一門位於該內開口之上端具有一可旋轉安裝之端,而另一門位於該內開口之下端具有一可旋轉安裝之端;及一門驅動機構,其旋轉該對內門,以便打開與關閉該內開口。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之處理腔室,其中該對內門安裝成在該內開口被關閉時其在與該腔室體之一內壁相同之平面內。
  18. 如申請專利範圍第16項所述之處理腔室,其中每一該對內門部分地為網狀結構或整體為網狀結構。
  19. 如申請專利範圍第16項所述之處理腔室,其中該門驅動機構包含至少兩馬達。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之處理腔室,其中該等至少兩馬達嵌入該腔室體之該壁內。
TW096140673A 2006-11-10 2007-10-30 具有閘門縫打開與關閉裝置之處理腔室 TWI381442B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060111099A KR101447184B1 (ko) 2006-11-10 2006-11-10 게이트슬릿 개폐장치가 구비된 공정챔버

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200822217A TW200822217A (en) 2008-05-16
TWI381442B true TWI381442B (zh) 2013-01-01

Family

ID=39368060

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW096140673A TWI381442B (zh) 2006-11-10 2007-10-30 具有閘門縫打開與關閉裝置之處理腔室

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8834673B2 (zh)
KR (1) KR101447184B1 (zh)
CN (1) CN101179010B (zh)
TW (1) TWI381442B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI817230B (zh) * 2020-12-28 2023-10-01 大陸商中微半導體設備(上海)股份有限公司 射頻調節裝置、等離子體處理設備及射頻電場調節方法

Families Citing this family (196)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009004493B3 (de) * 2009-01-09 2010-06-10 Sovello Ag Vakuumbeschichtungsanlage und Verfahren zum Betrieb einer Vakuumbeschichtungsanlage
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
KR101892499B1 (ko) * 2011-10-04 2018-08-28 엘지전자 주식회사 플라즈마 처리 장치
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
KR101531632B1 (ko) * 2014-02-24 2015-06-29 주식회사 아스타 진공시스템의 게이트 밸브 구조
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
CN109643629B (zh) * 2016-08-22 2021-07-02 应用材料公司 用于真空腔室的门密封件
CN106340475A (zh) * 2016-08-24 2017-01-18 武汉华星光电技术有限公司 一种用于刻蚀装置的闸门结构及其加工方法
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
WO2019103610A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
JP7124098B2 (ja) 2018-02-14 2022-08-23 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) * 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
TW202409324A (zh) 2018-06-27 2024-03-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
TWI844567B (zh) 2018-10-01 2024-06-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材保持裝置、含有此裝置之系統及其使用之方法
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN118422165A (zh) 2019-08-05 2024-08-02 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
KR20210089079A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 채널형 리프트 핀
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210127620A (ko) 2020-04-13 2021-10-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 질소 함유 탄소 막을 형성하는 방법 및 이를 수행하기 위한 시스템
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
JP2021172884A (ja) 2020-04-24 2021-11-01 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
KR102707957B1 (ko) 2020-07-08 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
KR102702269B1 (ko) * 2020-11-27 2024-09-04 주식회사 선익시스템 도어 유닛 및 이를 포함하는 기판 경화 장치
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
KR102548570B1 (ko) * 2021-07-22 2023-06-29 피에스케이 주식회사 기판 처리 장치 및 도어 어셈블리 구동 방법
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4871417A (en) * 1986-07-04 1989-10-03 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Method and apparatus for surface treating of substrates
US6386511B1 (en) * 1999-09-08 2002-05-14 Anelva Corporation Gate valve apparatus
JP2004141803A (ja) * 2002-10-25 2004-05-20 Nec Yamaguchi Ltd プラズマプロセス装置およびそのチャンバーシール方法
US7247207B2 (en) * 2003-09-08 2007-07-24 Hitachi High-Technologies Corporation Vacuum processing apparatus

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57200558A (en) 1981-06-01 1982-12-08 Kokusai Electric Co Ltd Gate valve method of transferring wafer into air-tight chamber
US4785962A (en) * 1987-04-20 1988-11-22 Applied Materials, Inc. Vacuum chamber slit valve
AU5045690A (en) * 1989-01-27 1990-08-24 Immunolytics, Inc. Composition and method for treating benign prostatic hypertrophy
JPH08210556A (ja) 1995-02-07 1996-08-20 Japan Steel Works Ltd:The 真空用仕切弁
SG47226A1 (en) * 1996-07-12 1998-03-20 Motorola Inc Method and apparatus for transporting and using a semiconductor substrate carrier
KR100238944B1 (ko) * 1997-01-09 2000-01-15 윤종용 반도체장치 제조용 베이크설비의 공정챔버 도어개폐장치
US6095741A (en) * 1999-03-29 2000-08-01 Lam Research Corporation Dual sided slot valve and method for implementing the same
US6541353B1 (en) * 2000-08-31 2003-04-01 Micron Technology, Inc. Atomic layer doping apparatus and method
JP2005105580A (ja) 2003-09-29 2005-04-21 Sanwa Shutter Corp ドアパネル
JP4749690B2 (ja) * 2004-09-10 2011-08-17 株式会社日立ハイテクノロジーズ 真空処理装置
CN100397567C (zh) * 2005-12-02 2008-06-25 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 等离子反应室

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4871417A (en) * 1986-07-04 1989-10-03 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Method and apparatus for surface treating of substrates
US6386511B1 (en) * 1999-09-08 2002-05-14 Anelva Corporation Gate valve apparatus
JP2004141803A (ja) * 2002-10-25 2004-05-20 Nec Yamaguchi Ltd プラズマプロセス装置およびそのチャンバーシール方法
US7247207B2 (en) * 2003-09-08 2007-07-24 Hitachi High-Technologies Corporation Vacuum processing apparatus

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI817230B (zh) * 2020-12-28 2023-10-01 大陸商中微半導體設備(上海)股份有限公司 射頻調節裝置、等離子體處理設備及射頻電場調節方法

Also Published As

Publication number Publication date
US8834673B2 (en) 2014-09-16
US20080110568A1 (en) 2008-05-15
KR101447184B1 (ko) 2014-10-08
CN101179010B (zh) 2010-06-02
KR20080042529A (ko) 2008-05-15
CN101179010A (zh) 2008-05-14
TW200822217A (en) 2008-05-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI381442B (zh) 具有閘門縫打開與關閉裝置之處理腔室
EP1782927B1 (en) Parallel link mechanism and industrial robot
TWI766680B (zh) 鐘擺閥
US7845706B2 (en) Electric actuator of automotive pivotal door
JP2011163760A (ja) 冷蔵庫用ダンパー装置
KR102439228B1 (ko) 리드의 개폐장치
JP2007250568A5 (zh)
KR200382597Y1 (ko) 전동창문용 구동장치
JP2005012174A (ja) 反応装置
KR102149883B1 (ko) 공동주택 건축물의 환기 기능을 갖춘 창호 시스템
CN108412368A (zh) 一种活门槛式人防门
KR200381389Y1 (ko) 전동 개폐식 환기창
KR101410880B1 (ko) 링크구조를 활용한 도어 개폐장치
KR101804523B1 (ko) 틈새 차단기능을 구비한 폴딩도어
CN102322721B (zh) 冰箱
JP3978337B2 (ja) 窓開閉ユニット及び窓開閉装置
KR20120109583A (ko) 자연 환기창
KR100675347B1 (ko) 전동창문용 구동장치
CN218094291U (zh) 一种具有密封性能的电动风门门枢机构
JP4216786B2 (ja) 往復動用駆動装置
CN221032130U (zh) 一种曝光室门的传动装置
KR200154480Y1 (ko) 분리된 내부 프레임을 지니는 밀폐형 도어
JPS6037139A (ja) ウェ−ハ移送経路におけるゲ−トバルブ機構
KR20090041138A (ko) 흡착장치
KR100506933B1 (ko) 반도체 제조설비

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees