1378756 < 九、發明說明 . 【發明所屬之技術領域】 本發明是關於多層可撓性印刷配線板及該製造法，尤 其關於用以傳送對應要求電氣、電子機器之小型化、高性 能化之高速訊號的多層印刷配線板及其製造法。 【先前技術】 φ 近年來越來越提升電子機器之訊號處理速度。因此， 通過印刷配線板之訊號的傳送速度也變快。對於高速訊號 之傳送，需要訊號線之特性阻抗之整合，當產生不整合時 ，引起訊號反射，產生傳送損失。 爲了取得所期待之阻抗，處理高速訊號之印刷配線板 ' ，如第7圖及第8圖所示般，使用配置有訊號線及平面層 之微帶線或帶線等。多層印刷配線板中之訊號線和平面層 之間一般塡充環氧玻璃等以當作絕緣樹脂。 Φ 但是，在訊號線和平面層之間經絕緣樹脂產生靜電電 容’尤其於環氧玻璃等之時，介電常數高達4.2〜5.0，產 生高速訊號之延遲等之問題。 在此，提供使絕緣樹脂低介電常數化之手法（參照專 利文獻1及4)，再者，適用屬於低介電常數之絕緣樹脂 的液晶聚合物之手法（參照專利文獻2 )。 _ 另外’爲了對應於電子機器之輕薄短小化，印刷配線 . 板也要求小型化、輕薄化。其結果，訊號線和平面層之間 @絕緣樹脂層變薄，有發生在訊號線和平面層之間的靜電 -5- 1378756 電容增大之問題。 在此’提供僅使訊號線和平面層之間的絕緣樹脂層變 厚之手法（參照專利文獻3)。或是使氣泡混入製絕緣樹 脂層中而降低相對介電常數的手法（參照專利文獻4)。 〔專利文獻1〕日本特開平6-252523號公報 〔專利文獻2〕日本特開平2000-138422號公報 〔專利文獻3〕日本特開平2002-57467號公報 〔專利文獻4〕日本特開2006-80162號公報 【發明內容】 〔發明所欲解決之課題〕 但是，專利文獻4所示之手法若局部觀看，則混有具 有氣泡之處和無具有氣泡之處的狀態，發生於訊號線和平 面層之靜電電容爲不連續。因此，難以控制阻抗。 再者，該專利文獻4所示之在配線上之絕緣樹脂一部 分形成空氣層之手法，則有透過絕緣樹脂之水分滯留於該 空氣層，形成結露等之虞。再者，於將形成有空氣層之絕 緣樹脂疊層於訊號線上之時，空氣層變形，無法降低所瞄 準之靜電電容。 除此之外，該些手法雖然可降低僅與訊號線對向之一 面之絕緣樹脂的靜電電容，但發生於訊號線和平面層之間 的靜電電容不僅發生於該些對向之面，也發生於反對側之 面，無法降低。其結果，尤其在訊號線之兩面，對於與平 面層對向之帶線，其影響最爲顯著。 -6- 1378756 " 再者，如專利文獻2所示般，將全層當作液晶聚合物 . ，降低訊號線和平面層之間的靜電電容之手法，是於內層 之基板疊層外層之時，內層之液晶聚合物藉由配線圖案被 推壓而造成局部變形。因此，訊號線和平面層之距離無法 控制，難以取得安定之阻抗。 並且，專利文獻3所示之絕緣樹脂之厚膜化，無法滿 足隨著電子機器之輕薄短小化要求印刷配線板之薄型化》 φ 本發明是考慮到上述問題點而所創作出者，其目的爲 提供藉由除去配置有訊號線之絕緣樹脂之一部份，疊層低 介電常數之樹脂，增加包圍訊號線之低介電常數之絕緣樹 脂層量的多層可撓性印刷基板及其製造方法。 ' 〔用以解決課題之手段〕 爲了達成上述目的，本發明提供下述發明。 第1發明是一種多層可撓性印刷配線板，屬於由訊號 # 線、平面層以及多數層所構成具有配置在上述訊號線之周 圍及上述訊號線和上述平面層之間的絕緣層，持有微帶線 構造或帶線構造的多層可撓性印刷配線板，其特徵爲：具 備 第I層，屬於構成上述絕緣層之一層的第1層，在任 一方之面設置上述訊號線，並且上述訊號線之周圍部份被 除去； 第2層，屬於熱變形溫度低於上述第〗層之低介電常 數材料所形成之上述絕緣層的第2層，疊層比上述第1層 1378756 之被除去的厚度加上述訊號線之厚度更厚，與上述第1層 同時使上述訊號線露出： 第3層，屬於熱變形溫度低於上述第2層，或熱變形 溫度高於上述第2層，且熱變形溫度低於上述第1層之低 介電常數材料所形成之第3層，以與上述第2層對向包入 上述訊號線之方式被疊層；和 上述平面層，被形成在上述第3層上。 第2發明是一種多層可撓性印刷配線板之製造方法， 屬於由訊號線、平面層以及多數層所構成，具有配置在上 述訊號線之周圍及上述訊號線和上述平面層之間的絕緣層 ’持有微帶線構造或帶線構造的多層可撓性印刷配線板之 製造方法，其特徵爲：具備 形成屬於構成上述絕緣層之一層的層，在任一方的面 具有上述訊號線之第1層的工瑄； 除去上述第1層中之上述訊號線之周圍部份的工程； 以比上述第1層之被除去的厚度加上述訊號線之厚度 更厚’且與上述第1層同時包入上述訊號線之方式，疊層 藉由熱變形溫度低於上述第1層之低介電常數材料所形成 之上述絕緣層之第2層的工程； 硏磨上述第2層使上述訊號線露出的工程： 以上述第2層及上述第3層之各熱變形溫度之間之溫 度，與上述第2層對向包入上述訊號線之方式，疊層藉由 熱變形溫度低於上述第2層之低介電常數材料所形成之上 述絕緣層之第3層的工程：及 -8 - 1378756 ·' 在上述第3層之上方形成上述平面層的工程。 - 第3發明是一種多層可撓性印刷配線板之製造方法， 屬於由訊號線、平面層以及多數層所構成，具有配置在上 述訊號線之周圍及上述訊號線和上述平面層之間的絕緣層 ’持有微帶線構造或帶線構造的多層可撓性印刷配線板之 製造方法，其特徵爲：具備 形成屬於構成上述絕緣層之一層的層，在任一方之面 φ 設置上述訊號線之第1層的工程； 除去上述第1層中之上述訊號線之周圍部份的工程； 準備順序疊層藉由熱變形溫度低於上述第1層之低介 電常數材料形成比上述第1層之被除去的厚度更厚之上述 絕緣層之第2層、藉由熱變形溫度高於上述第2層，且藉 由熱變形溫度比上述第1層低的低介電常數材料所構成之 上述絕緣層之第3層，及上述平面層而所構成之基材的工 程：及 • 以上述訊號線和上述基材之上述第2層對向之方式， 將上述基材重疊於上述訊號線上，以上述第2層及上述第 3層之各熱變形溫度之間的溫度予以疊層之工程。 〔發明效果〕 ώ 本發明如上述般，因在持有微帶線構造或帶線構造之 多層可撓性配線板中之訊號線之周圍配置有低介電常數之 絕緣層，故可以提供降低發生於訊號線和平面層之間的靜 電電容，減輕高速訊號傳送中之延遲等之問題，適合於高 -9 - 1378756 速訊號傳送之印刷配線板。 再者，因在訊號線和平面層之間，及訊號線和絕緣層 之周圍配置有低介電常數之絕緣層，故對於絕緣層之薄膜 化，即是印刷配線板之薄型化，進而到電氣電子機器之小 型化則有貢獻。 【實施方式】 以下，參照附件圖面說明本發明之實施形態。 本發明中所使用之第2及第3絕緣層考慮使用介電常 數低於環氧玻璃之液晶聚合物。液晶聚合物例如液晶聚合 物單體可舉出 BIAC(JAPAN GORETEX股份有限公司製 作）、Xydar(BPAmocoChemicals 公司製作）、Vectra( Ticiona公司製作）、Vecstar(股份有限公司 Kuraray製 作）等，具有銅箔之液晶聚合物可舉出 R/Flex3000 ( Rogers Corp_公司製作）、RFClad( JAPAN GORETEX 股 份有限公司製作）、ESPANEX L (新日鐵化學股份有限公 司製作）等。其中，本發明由於利用兩個絕緣層之熱變形 溫度之差，故以第2絕緣層和第3絕緣層之熱變形溫度不 同爲佳。 ^再者，藉由適用具有銅箔之液晶聚合物，一起執行疊 層平面層和絕緣層，故效率佳。再者，選擇相對介電常數 爲2.95之液晶聚合物之時，由於例如將該液晶聚合物之 厚度設爲66 μπι，成爲與相對介電常數4.5之環氧玻璃 1 ΟΟμιη同等之靜電電容’故如專利文獻3般，必須增厚絕 -10- 1378756 - 緣層，對印刷配線板之薄型化有利。 . 再者，在本發明中所使用之第1絕緣層之除去手法可 考慮噴砂、雷射、電漿等。在此，必須考慮噴砂所使用之 硏磨劑陷入至配線等，難以除去之問題，雷射對於大面積 之加工則需花費較多時間，再者，電漿該蝕刻時間長。 在此，將第1絕緣層設爲聚醯亞胺，執行藉由例如以 比聯胺等之化學蝕刻安全且對環境負荷少之無機鹼成分及 ^ 水爲主成分之触刻劑TPE-3000 (Toray-Engineering股份 有限公司製作）等的化學蝕刻，從配線之損傷、加工時間 即是加工成本，進而製品之成本的面來看爲有利。 再者，該蝕刻液由於蝕刻時間藉由聚醯亞胺種變化， 故聚醯亞胺以單一者爲佳，例如可舉出 Metaroyal ( ' Toyomatallizing股份有限公司製作）等。或是，於將聚醯 亞胺蝕刻至該厚度一半時，使用在膜厚中央具有異種聚醯 亞胺之 NEOFLEXNEX-23FE(25T)(三井化學股份有限 # 公司製作），依此利用中央之異種聚醯亞胺層之蝕刻速度 慢之情形，可以容易控制蝕刻。 再者，除去被設置在第1絕緣層之訊號線周圍之第1 絕緣層，以訊號線和第2絕緣層對向之方式，疊層比第1 絕緣層低介電常數之第2絕緣層，硏磨第2絕緣層使訊號 線露出，以第2絕緣層和第3絕緣層對向之方式，在第2 絕緣層和第3絕緣層之各熱變形之間的溫度疊層比熱變形 溫度比第2絕緣層低，且介電常數低於第丨絕緣層之第3 絕緣層’藉由在第3絕緣層上形成平面層之工程，於實現 -11 - 1378756 本發明之時，藉由第2絕緣層之厚度比第1絕緣層之被除 去的厚度加上訊號線之厚度更厚，則能夠於疊層第2絕緣 層之時確實埋入第1絕緣層及訊號線。例如，當將訊號線 之厚度設爲12μπι，將第1絕緣層之除去厚度設爲ι3μπ1時 ，第2絕緣層之厚度必須爲2 5 μηι以上。 並且，除去被設置在第1絕緣層上之訊號線周圍之第 1絕緣層，以依照比介電常數比第1絕緣層低的第2絕緣 層、介電常數比第1絕緣層低，且熱變形溫度比第2絕緣 層高之第3絕緣層和平面層之順序所疊層之基材之第2絕 緣層和訊號線對向之方式，依據在第2和第3絕緣層之各 熱變形溫度之間的溫度疊層之工程實現本發明之時，第2 絕緣層比第1絕緣層之被除去之厚度更厚，能夠以第2絕 緣層確實塡充除去第1絕緣層之處。例如，當訊號線之厚 度設爲12μπι’將第1絕緣層之除去的厚度設爲13μπ1時， 第2絕緣層之厚度則必須爲Ι3μιη以上，25μιη以下。 並且，藉由將第1絕緣層設爲聚醯亞胺，將第2及第 3絕緣層設爲液晶聚合物，則可成爲具有可撓性之微帶線 (實施型態1 ) 第1圖Α、第1圖Β爲表示本發明之第1實施形態之 工程的圖式。首先’如第1圖A(l)所示般，藉由蝕刻 厚度爲12μιη之銅箔，在厚度爲25μιη之第1絕緣層9上 形成將成爲訊號線8之配線β -12- 1378756 ‘ 爲了形成該構造，起始材料是第1絕緣層9及構成訊 . 號線8之銅箔被一體化，適用膜厚方向之中央具有異種聚 醯亞胺層之NEOFLEXNEX-23FE(25T)(三井化學股份 有限公司製作）。 接著，如第1圖A(2)所示般，藉由化學蝕刻之手 法遮罩訊號線 8，使用蝕刻劑 TPE-3 000 ( Toray-Engineering股份有限公司製作）僅將第'1絕緣層9除去 | 厚度 1 2.5 μιη。 接著，如第1圖 Α(3)所示般，低介電常數之第2 絕緣層1 〇，在此是以比液晶聚合物之熱變形溫度更高溫， 藉由真空平板壓力加壓成形屬於液晶聚合物之厚度爲 50μιη之Vecstar(股份有限公司Kuraray製作，熱變形溫 '度爲275 °C，介電常數爲2.95)。 之後，如第1圖B(4)所示般，硏磨至與訊號線8 之絕緣層9相反側之表面露出爲止。硏磨之方式除輥筒硏 • 磨、振動硏磨、皮帶硏磨等之機械硏磨外，可舉出藉由電 漿或雷射等之乾蝕刻或鹼性水溶液之化學硏磨，或是該些 組合。 並且，如第1圖B(5)所示般，疊層低介電常數之 第3絕緣層11、及成爲平面層之銅箔12。在此，爲了一 起疊層低介電常數之第3絕緣層11和成爲平面層之銅箔 12，在240 °C〜275 °C之溫度下，藉由真空平板壓力疊層液 晶聚合物單面覆銅疊層板ESPANEX LC- 1 2-50-00NEP (新 曰鐵化學股份有限公司製作，熱變形溫度240 °C，介電常 -13- 1378756 數2.95 )而執行一體化。 依此，如第1圖B(6)所示般，可以在訊號線8和 平面層之間，及訊號線8和第1絕緣層9之周圍，形成配 置有介電常數低於第1絕緣層8之第2及第3絕緣層10、 1 1之微帶線。 (實施形態2 ) 第2圖爲表示本發明之第2實施形態之工程圖。首先 ，如第2圖（1)所示般，藉由蝕刻厚度爲Ι2μιη之銅箔， 在厚度爲25 μιη之第1絕緣層14上形成成爲訊號線13之 配線。 爲了形成該構造，起始材料是第1絕緣層14及構成 訊號線13之銅箔被一體化，適用在膜厚方向之中央具有 異種聚醯亞胺層之NEOFLEXNEX-23FE(25T)(三井化 學股份有限公司製作）。 接著，如第2圖（2 )所示般，藉由化學蝕刻之手法 遮罩訊號線 13，使用蝕刻劑 TPE-3000 ( Toray-Engineering股份有限公司製作）僅將第1絕緣層14除去 厚度1 3 μπι。 接著，如第2圖（3)所示般，在240°C〜27 5°C之溫 度下使用真空平板壓力，將當作低介電常數之第2絕緣層 I5之液晶聚合物的厚度爲25μπι之Vecstar (股份有限公 司Kuraray製作，熱變形溫度240〇C，介電常數2.95)， 以及低介電常數之第3絕緣層16及成爲平面層之銅箔17 -14- 1378756 被一體化而之液晶聚合物單面覆銅疊層板ESPANEX LC-1 2-5 0-00ΝΕ (新日鐵化學股份有限公司製作，熱變形溫度 275°C ’液晶聚合物厚度50μιη，介電常數2.95)予以一體 成型。依此，取得具有低介電率之第2及第3絕緣層15、 16之單面覆銅疊層板18» 接著，如第2圖（4)所示般，使具有低介電常數之 第2及第3絕緣層15、16之單面覆銅疊層板18，對向於 與第2絕緣層1 5和訊號線1 3之第1絕緣層14相反側之 面，在240°C〜275 °C之溫度下使用真空平板壓力予以疊層 ，並執行一體化。 依此，在第2圖（5)所示之訊號線13和平面層之間 ，及訊號線Π和第1絕緣層14之周圍，可以形成配置有 介電常數比第1絕緣層14低之第2及第3絕緣層15、16 的微帶線。 (實施形態3 ) 第3圖A、第3圖B是表示本發明之第3實施形態之 工程圖。首先，如第3圖A(l)所示般，藉由蝕刻厚度 爲12μιη，將成爲訊號線19之配線形成在具有將成爲第1 平面層1之12 μπι之銅箔，且厚度爲25 μιη之第1絕緣層 20上。 爲了形成該第3實施形態之構造，起始材料是第1絕 緣層20和構成訊號線18及第1平面層21之銅箔爲一體 化，適用由可均等化學蝕刻之單—聚醯亞胺層Kap ton ΕΝ -15- 1378756 所形成之Metaroyal (Toyomatallizing股份有限公司製作 )PI-25D-CCW-12D0 ( #25)。 接著，如第3圖A(2)所示般，藉由化學蝕刻之手 法，將訊號線19予以遮罩使用蝕刻劑TPE-3000 (Toray-Engineering股份有限公司製作）將第1絕緣層20除去至 第1平面層21之面。 接著，如第3圖A(3)所示般，將當作低介電常數 之第2絕緣層22之液晶聚合物的厚度爲50μιη之Vecstar (股份有限公司Kuraray製作，熱變形溫度2 75 °C，介電 常數2.95 )，在比液晶聚合物之熱變形溫度更高溫下，藉 由真空平板壓力，予以加壓成形。 接著，如第3圖B(4)所示般，硏磨至與訊號線19 之第1平面層21相反側之面之表面露出爲止。硏磨之方 式除輥筒硏磨、振動硏磨、皮帶硏磨等之機械硏磨之外， 亦可舉出使用電漿或雷射等之乾蝕刻或鹸性水溶液的化學 硏磨或是該些組合。 並且，如第3圖B(5)所示般，疊層低介電常數之 第3絕緣層23及成爲第2平面層之銅箔24。在此，爲了 一起疊層低介電常數之第3絕緣層23和將成爲第2平面 層之銅箔24，在24CTC〜275 °C之溫度下使用真空平板壓 力，疊層液晶聚合物單面覆銅叠層板ESPANEX LC-12-50-00ΝΕΡ (新日鐵化學股份有限公司製作，熱變形溫度2 4 0 t，介電常數2.95)而予以一體化》 依此，如第3圖Β(6)所示般，在訊號線19和第2 -16- 1378756 平面層24之間，及訊號線19和第1絕緣層20之周圍， 可以形成配置有介電常數低於第1絕緣層20之第2及第3 絕緣層22、23之帶線》 (實施形態4 ) 第4圖爲表示本發明之第4實施形態之工程圖。首先 ，如第4圖（1)所示般，藉由蝕刻厚度爲12μιη之銅箔， 在厚度爲25 μιη之第1絕緣層26上形成將成爲訊號線之配 線。 爲了形成該第4實施形態之構造，起始材料是第1絕 緣層26和構成訊號線25及第1平面層之銅箔爲一體化， 適用由可均等化學蝕刻之單一聚醯亞胺層Kapton ΕΝ所形 成之 Metaroyal (Toyomatallizing股份有限公司製作） PI-25D-CCW-1 2D0 ( #25 )。 接著’如第4圖（2)所示般，藉由化學蝕刻之手法 ，將訊號線25予以遮罩使用蝕刻劑TPE-3000 ( Toray-Engineering股份有限公司製作）將第1絕緣層26除去至 第1平面層27之面。 接著’如第4圖（3)所示般，在240 °C〜275 1之溫 度下使用真空平板壓力，將當作低介電常數之第2絕緣層 28之液晶聚合物的厚度爲35μηι之Vecstar (股份有限公 司Kuraray製作，熱變形溫度240艺，介電常數2 95 )， 及低介電常數之第3絕緣層29和成爲第2平面層之銅箔 30被一體化而所構成之液晶聚合物單面覆銅層疊板 -17- 1378756 ESP AN EX LC-12-50-0 0NE (新日鐵化學股份有限公司製作 ，熱變形溫度275 °C，液晶聚合物厚度50μπι，介電常數 2.95)予以一體成形。依此，取得具有低介電常數之第2 及第3絕緣層28、29的單面覆銅疊層板31。 之後，如第4圖（4)所示般，使具有低介電常數之 第2及第3絕緣層28、29之單面覆銅疊層板31，與第2 絕緣層28和訊號線25之第1平面層27相反側之面對向 ，在240 °C〜275 t之溫度下使用真空平板壓力予以疊層， 並執行一體化。 依此，如第4圖（5)所示般，在訊號線25和第2平 面層之間，及訊號線25和第1絕緣層26之周圍，可以形 成配置有介電常數低於第1絕緣層26之第2及第3絕緣 層28及29之微帶線。 (實施形態5 ) 第5圖A、第5圖B爲表示本發明之第5實施形態之 工程圖。首先，如第5圖A(l)所示般，藉由蝕刻厚度 爲12 μπι之銅箔，在厚度爲25 μπι之第1絕緣層33上形成 成爲訊號線32之配線。 爲了形成該第5實施形態之構造，起始材料是第1絕 緣層33和構成訊號線32及安裝部配線層34之銅箔被一 體化，適用由可均等化學蝕刻之單一聚醯亞胺層Kapton ΕΝ所形成之Metaroyal ( Toyomatall izing股份有限公司 製作）PI-25D-CCW-1 2D0 ( #25 )。 -18- 1378756 * 接著，如第5圖A(2)所示般，藉由化學蝕刻之手 . 法，將訊號線32予以遮罩使用蝕刻劑TPE-3000 ( Toray-
Engineering股份有限公司製作）僅將第1絕緣層33除去 1 2.5 μηι β 接著，如第5圖Α(3)所示般，將當作低介電常數 之第2絕緣層35之液晶聚合物的厚度爲50μηι之Vecstar (股份有限公司Kuraray製作，熱變形溫度275 °C，介電 φ 常數2.95)，在比液晶聚合物之熱變形溫度更高溫下，藉 由真空平板壓力，予以加壓成形。 接著，如第5圖A(4)所示般，硏磨至與訊號線32 之安裝部配線層34相反側之面之表面露出爲止。硏磨之 方式除輥筒硏磨、振動硏磨、皮帶硏磨等之機械硏磨之外 ' ，亦可舉出使用電漿或雷射等之乾蝕刻或鹼性水溶液的化 學硏磨或是該些組合。 , 並且，如第5圖Α(5)所示般，疊層低介電常數之 # 第3絕緣層36及成爲平面層之銅箔37。在此，爲了一起 疊層低介電常數之第3絕緣層36和將成爲平面層之銅箔 37，在240 °C〜275 °C之溫度下使用真空平板壓力，疊層液 晶聚合物單面覆銅疊層板ESPANEX LC- 1 2-50-00NEP (新 曰鐵化學股份有限公司製作，熱變形溫度24〇°C，介電常 數2.95 )而予以一體化》 依此，如第5圖B(6)所示般，在訊號線32和平面 層37之間，及訊號線32和第1絕緣層33之周圍，可以 形成配置有介電常數低於第1絕緣層33之第2絕緣層35 19- 1378756 之微帶線38。 接著，如第5圖B(7)所示般，形成用以各電性連 接訊號線32和安裝部配線層34及平面層37和安裝部配 線層34之引洞39或是貫通孔40。 依此，如第5圖B(8)所示般，形成安裝部配線層 34和平面層37之導體圖案，剖面圖如第5圖B(8)般， 或從安裝部配線層觀看之俯視圖如第5圖B(9)所示般 ，具有可撓部41，安裝部能夠以耐熱性優良之聚醯亞胺 33，製造出具有如微帶線之訊號線32之周圍爲低介電常 數之液晶聚合物般之構成的可高傳送之可撓性多層電路基 板。 於將屬於熱可塑性樹脂之液晶聚合物適用於安裝部之 時，在安裝溫度產生限制，但是藉由安裝部適用耐熱性優 良之聚醯亞胺，也可適用於需要例如無鉛銲錫般之高溫的 安裝。 (實施形態6) 第6圖A、第6圖B爲表示本發明之第6實施形態之 工程圖。首先，如第6圖A(l)所示般，藉由鈾刻厚度 爲12 μιη之銅箔，在厚度爲25 μπι之第1絕緣層43上形成 成爲訊號線42之配線。 爲了形成該第6實施形態之構造》起始材料是第1絕 緣層43和構成訊號線42及安裝部配線層44之銅箔被一 體化，適用在膜厚方向之中央具有異種聚醯亞胺層之 -20- 1378756 NEOFLEXNEX-23FE ( 25T)(三井化學股份有限公司製作 )° 接著，如第6圖A(2)所示般，藉由化學蝕刻之手 法遮罩訊號線 42，使用蝕刻劑 TPE-3 000 ( Toray-Engineering股份有限公司製作）僅將第1絕緣層43除去 厚度1 3 μιη。 接著，如第6圖Α(3)所示般，在240°C〜275 °C之 溫度下使用真空平板壓力，將當作低介電常數之第2絕緣 層45之液晶聚合物的厚度爲25 μιη之Vecs tar (股份有限 公司Kuraray製作，熱變形溫度240°C，介電常數2.95) ，以及低介電常數之第3絕緣層46及成爲平面層之銅箔 47被一體化而之液晶聚合物單面覆銅疊層板ESPANEX LC-l 2-50-00NE (新日鐵化學股份有限公司製作，熱變形 溫度275°C，液晶聚合物厚度50μπι、介電常數2.95)予 以一體成型。依此，取得具有低介電率之第2及第3絕緣 層45、46之單面覆銅疊層板48。 接著，如第6圖Α(4)所示般，使具有低介電常數 之第2及第3絕緣層45、46之單面覆銅疊層板48，對向 於與第2絕緣層45和訊號線42之安裝配線層44相反側 之面，在24〇°C〜2 75 °C之溫度下使用真空平板壓力予以疊 層，並執行一體化。 依此，如第6圖B(5)所示般，在訊號線42和平面 層47之間，及訊號線42和第1絕緣層43之周圍，可以 形成配置有介電常數比第1絕緣層43低之第2絕緣層45 -21 - 1378756 的微帶線49 » 接著’如第6圖B(6)所示般，形成用以各電性連 接訊號線42和安裝部配線層44及平面層47和安裝部配 線層44之引洞50或是貫通孔51。 然後，如第6圖B(7)所示般，藉由形成安裝部配 線層44和平面層47之導體圖案，剖面圖如第6圖B(8 )般，或從安裝部配線層觀看之俯視圖如第6圖B(9) 所示般，具有可撓部52，安裝部能夠以耐熱性優良之聚醯 亞胺43，製造出具有如微帶線之訊號線42之周圍爲低介 電常數之液晶聚合物般之構成的可高傳送之可撓性多層電 路基板。 於將屬於熱可塑性樹脂之液晶聚合物適用於安裝部之 時，在安裝溫度產生限制，但是藉由安裝部適用耐熱性優 良之聚醯亞胺，也可適用於需要例如無鉛銲錫般之高溫的 安裝》 【圖式簡單說明】 第1圖A是表示本發明之一實施形態的電路基板之形 成方法的剖面圖工程圖。 第1圖B是表示本發明之一實施形態的電路基板之形 成方法的剖面圖工程圖。 第2圖是表示本發明之其他實施形態的電路基板之形 成方法的剖面圖工程圖。 第3圖A是表示本發明之其他實施形態的電路基板之 -22- 1378756 * 形成方法的剖面工程圖。 . 第3圖B是表示本發明之其他實施形態的電路基板之 形成方法的剖面工程圖。 第4圖是表示本發明之其他實施形態的電路基板之形 成方法的剖面圖工程圖。 第5圖A是表示本發明本發明之其他實施形態的電路 基板之形成方法的剖面工程圖。 φ 第5圖B是表示本發明之其他實施形態的電路基板之 形成方法的剖面工程圖，及由藉由該其他實施形態所製作 之可撓性多層電路基板之安裝部配線層觀看之俯視圖。 第6圖A是表示本發明之其他實施形態的電路基板之 形成方法的剖面工程圖。 _ 第6圖B是表示本發明之其他實施形態的電路基板之 形成方法的剖面工程圖，及由藉由其他實施形態所製作之 可撓性多層電路基板之安裝部配線層觀看之上面圖。 # 第7圖是表示以往之微帶線構造的橫剖面圖。 第8圖是表示以往之帶線構造之橫剖面圖。 【主要元件符號說明】 1 :絕緣層 2 :訊號線 3 :平面層 4 :絕緣層 5 :訊號線 -23- 1378756 6 :平面層 7 :平面層 8 :訊號線 8 :訊號線 9 :第1絕緣層 10 :第2絕緣層 1 1 :第3絕緣層
12 :成爲平面層之銅箔 1 3 :訊號線 14 :第1絕緣層 1 5 :第2絕緣層 1 6 :第3絕緣層 17:成爲平面層之銅箔 18:具有第2、第3絕緣層之單面覆銅疊層板 1 9 :訊號線
2 0 :第1絕緣層 21 :第1平面層 22 :第2絕緣層 2 3 :第3絕緣層 24 :第2平面層 25 :訊號線 2 6 :第1絕緣層 27 :第1平面層 2 8 :第2絕緣層 -24- 1378756 2 9 :第3絕緣層 30 :第2平面層 31 :具有第2、第3絕緣層之單面覆銅疊層板 32 :訊號線 33 :第1絕緣層 34 :安裝部配線層 35 :第2絕緣層
3 6 :第3絕緣層 37:成爲平面層之銅箔 3 8 :藉由實施形態5所形成之微帶線 39 :引洞 40 :貫通孔 41 :可撓部 4 2 ·訊號線 4 3 :第1絕緣層
44 :安裝部配線層 45 :第2絕緣層 4 6 :第3絕緣層 47:成爲平面層之銅箔 48:具有第2、第3絕緣層之單面覆銅疊層板 49 :藉由實施形態6所形成之微帶線 50 :引洞 5 1 :貫通孔 52 :可撓部 -25-