200838388 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明是關於多層可撓性印刷配線板及該製造法’尤 其關於用以傳送對應要求電氣、電子機器之小型化、高性 能化之高速訊號的多層印刷配線板及該製造法。 【先前技術】 近年來越來越提升電子機器之訊號處理速度。因此， 通過印刷配線板之訊號的傳送速度也變快。對於高速訊號 之傳送，需要訊號線之特性阻抗之整合，當產生不整合時 ，引起訊號反射，產生傳送損失。 爲了取得所欲之阻抗，處理高速訊號之印刷配線板， 如第7圖及第8圖所示般，使用配置有訊號線及平面層（ Plane Layer )之微帶線或帶線等。多層印刷配線板中之訊 號線和平面層之間一般塡充環氧玻璃等以當作絕緣樹脂。 但是，在訊號線和平面層之間經絕緣樹脂產生靜電電 容，尤其於環氧玻璃等之時，相對介電常數高達4.2〜5.0 ，產生高速訊號之延遲等之問題。 在此，提供使絕緣樹脂低介電常數化之手法（參照專 利文獻1及4)，再者，適用屬於低介電常數之絕緣樹脂 的液晶聚合物之手法（參照專利文獻2 )。 另外，爲了對應於電子機器之輕薄短小化，印刷配線 板也要求小型化、輕薄化。其結果，訊號線和平面層之間 的絕緣樹脂層變薄，有發生在訊號線和平面層之間的靜電 -4- 200838388 電容增大之問題。 在此’提供僅使訊號線和平面層之間的絕緣樹脂層變 厚之手法（參照專利文獻3 )。或是使氣泡混入製絕緣樹 脂層中而降低相對介電常數的手法（參照專利文獻4 )。 〔專利文獻1〕日本特開平6-252523號公報 〔專利文獻2〕日本特開平2000-1 38422號公報 〔專利文獻3〕日本特開平2 〇 0 2 - 5 7 4 6 7號公報 〔專利文獻4〕日本特開2 0 0 6 - 8 0 1 6 2號公報 【發明內容】 〔發明所欲解決之課題〕 但是，專利文獻4所示之手法若局部觀看，則混有具 有氣泡之處和無具有氣泡之處的狀態，發生於訊號線和平 面層之靜電電容爲不連續。因此，難以控制阻抗。 再者，該專利文獻4所示之在配線上之絕緣樹脂一部 分形成空氣層之手法，則有透過絕緣樹脂之水分滯留於該 空氣層，形成結露等之虞。再者，於將形成有空氣層之絕 緣樹脂疊層於訊號線上之時，空氣層變形，無法降低所瞄 準之靜電電容。 除此之外，該些手法雖然可降低僅與訊號線對向之一 面之絕緣樹脂的靜電電容，但發生於訊號線和平面層之間 的靜電電容不僅發生於該些對向之面，也發生於反對側之 面，無法降低。其結果，尤其在訊號線之兩面，對於與平 面層對向之帶線，其影響最爲顯著。 -5- 200838388 再者，如專利文獻2所示般，將全層設爲液晶聚合物 ，降低訊號線和平面層之間的靜電電容之手法，是於內層 之基板疊層外層之時，內層之液晶聚合物藉由配線圖案被 推壓而造成局部變形。因此，訊號線和平面層之距離無法 控制，難以取得安定之阻抗。 並且，專利文獻3所示之絕緣樹脂之厚膜化，無法滿 足隨著電子機器之輕薄短小化要求印刷配線板之薄型化。 本發明是考慮到上述問題點而所創作出者，其目的爲 提供藉由除去配置有訊號線之絕緣樹脂之一部份，疊層低 介電常數之樹脂，增加包圍訊號線之低介電常數之絕緣樹 脂層量的多層可撓性印刷基板及該製造方法。 〔用以解決課題之手段〕 爲了達成上述目的，本發明提供下述發明。 第1發明是一種多層可撓性印刷配線板，屬於由訊號 線、平面層（Plane Layer)以及多數層所構成具有配置在 上述訊號線之周圍及上述訊號線和上述平面層之間的絕緣 層’持有微帶線構造或帶線構造的多層可撓性印刷配線板 ，其特徵爲：具備 第1層，屬於構成上述絕緣層之一層的第1層，在任 一方之面設置上述訊號線’並且上述訊號線之周圍部份被 除去； 第2層，屬於由熱變形溫度低於上述第1層之低介電 常數材料所形成之上述絕緣層的第2層，疊層比上述第1 200838388 層之被除去的厚度加上述訊號線之厚度更厚，與上述第1 層同時使上述訊號線露出； 第3層，屬於由熱變形溫度低於上述第2層，或熱變 形溫度局於上述第2層，且熱變形溫度低於上述第1層之 低介電常數材料所形成之第3層，以與上述第2層對向包 入上述訊號線之方式被疊層；和 上述平面層，被形成在上述第3層上。 第2發明是一種多層可撓性印刷配線板之製造方法， 屬於由訊號線、平面層（Plane Layer)以及多數層所構成 ’具有配置在上述訊號線之周圍及上述訊號線和上述平面 層之間的絕緣層，持有微帶線構造或帶線構造的多層可撓 性印刷配線板之製造方法，其特徵爲：具備 形成屬於構成上述絕緣層之一層的層，在任一方的面 具有上述訊號線之第1層的工程； 除去上述第1層中之上述訊號線之周圍部份的工程； 以比上述第1層之被除去的厚度加上述訊號線之厚度 更厚’且與上述第1層同時包入上述訊號線之方式，疊層 藉由熱變形溫度低於上述第1層之低介電常數材料所形成 之上述絕緣層之第2層的工程； 硏磨上述第2層使上述訊號線露出的工程； 以上述第2層及上述第3層之各熱變形溫度之間之溫 度，與上述第2層對向包入上述訊號線之方式，疊層藉由 熱變形溫度低於上述第2層之低介電常數材料所形成之上 述絕緣層之第3層的工程；及
200838388 在上述第3層之上方形成上述平面層的工程。 第3發明是一種多層可撓性印刷配線板之製造方法， 屬於由訊號線、平面層（Plane Layer)以及多數層所構成 ，具有配置在上述訊號線之周圍及上述訊號線和上述平面 層之間的絕緣層，持有微帶線構造或帶線構造的多層可撓 性印刷配線板之製造方法，其特徵爲：具備 形成屬於構成上述絕緣層之一層的層，在任一方之面 設置上述訊號線之第1層的工程； 除去上述第1層中之上述訊號線之周圍部份的工程； 準備順序疊層藉由熱變形溫度低於上述第1層之低介 電常數材料形成比上述第1層之被除去的厚度更厚之上述 絕緣層之第2層、藉由熱變形溫度高於上述第2層，且藉 由熱變形溫度比上述第1層低的低介電常數材料所構成之 上述絕緣層之第3層，及上述平面層而所構成之基材的工 程；及 以上述訊號線和上述基材之上述第2層對向之方式， 將上述基材重疊於上述訊號線上，以上述第2層及上述第 3層之各熱變形溫度之間的溫度予以疊層之工程。 〔發明效果〕 本發明如上述般，因在持有微帶線構造或帶線構造之 多層可撓性配線板中之訊號線之周圍配置有低介電常數之 絕緣層，故可以提供降低發生於訊號線和平面層之間的靜 電電容，減輕高速訊號傳送中之延遲等之問題，適合於高 -8- 200838388 速訊號傳送之印刷配線板。 再者，因在訊號線和平面層之間，及訊號線和絕緣層 之周圍配置有低介電常數之絕緣層，故對於絕緣層之薄膜 化，即是印刷配線板之薄型化，進而到電氣電子機器之小 型化則有貢獻。 【實施方式】 以下，參照附件圖面說明本發明之實施形態。 本發明中所使用之第2及第3絕緣層考慮使用介電常 數低於環氧玻璃之液晶聚合物。液晶聚合物例如液晶聚合 物單體可舉出 BIAC( JAPAN GORETEX株式會社製作） 、Xydar ( BP AmocoChemicals 公司製作）、Vectra ( Ticiona公司製作）、Vecstar (株式會社 Kuraray製作） 等，具有銅箔之液晶聚合物可舉出R/Flex3000 ( Rogers Corp.公司製作）、RFC lad ( JAPAN GO RE TEX株式會社製 作）、ESPANEX L (新日鐵化學株式會社製作）等。其中 ’本發明由於利用兩個絕緣層之熱變形溫度之差，故以第 2絕緣層和第3絕緣層之熱變形溫度不同爲佳。 再者，藉由適用具有銅箔之液晶聚合物，一起執行疊 層平面層和絕緣層，故效率佳。再者，選擇相對介電常數 爲2.95之液晶聚合物之時，由於例如將該液晶聚合物之 厚度設爲66 μπι，成爲與相對介電常數4.5之環氧玻璃 1 00 μιη同等之靜電電容，故如專利文獻3般，必須增厚絕 緣層，對印刷配線板之薄型化有利。 -9- 200838388 再者，在本發明中所使用之第1絕緣層之除去手法可 考慮噴砂、雷射、電漿等。在此，必須考慮噴砂所使用之 硏磨劑陷入至配線等，難以除去之問題，雷射對於大面積 之加工則需花費較多時間，再者，電漿該触刻時間長。 在此，將第1絕緣層設爲聚醯亞胺，執行藉由例如以 比聯胺等之化學飩刻安全且對環境負荷少之無機鹼成分及 水爲主成分之飩刻劑 TPE-3000 ( Toray-Engineering株式 會社製作）等的化學触刻，從配線之損傷、加工時間即是 加工成本，進而製品之成本的面來看爲有利。 再者，該蝕刻液由於蝕刻時間藉由聚醯亞胺種變化， 故聚醯亞胺以單一者爲佳，例如可舉出 Metaroyal ( To yomat alii zing株式會社製作）等。或是，於將聚醯亞胺 飩刻至該厚度一半時，使用在膜厚中央具有異種之 NEOFLEX-23FE ( 25T )(三井化學株式會社製作），依 此利用中央之異種聚醯亞胺層之蝕刻速度慢之情形，可以 容易控制蝕刻。 再者，除去被設置在第1絕緣層之訊號線之周圍之第 1絕緣層，以訊號線和第2絕緣層對向之方式，疊層比第 1絕緣層低介電常數之第2絕緣層，硏磨第2絕緣層使訊 號線露出，以第2絕緣層和第3絕緣層對向之方式，在第 2絕緣層和第3絕緣層之各熱變形之間的溫度疊層比熱變 形溫度比第2絕緣層低，且介電常數低於第1絕緣層之第 3絕緣層，藉由在第3絕緣層上形成平面層之工程，於實 現本發明之時，藉由第2絕緣層之厚度比第1絕緣層之被 -10- 200838388 除去的厚度加上訊號線之厚度更厚，則能夠於: 緣層之時確實埋入第1絕緣層及訊號線。例如 線之厚度設爲12 μιη，將第1絕緣層之除去厚β 時，第2絕緣層之厚度必須爲25 μιη以上。 並且，除去被設置在第1絕緣層上之訊號 1絕緣層，以依照比介電常數比第1絕緣層低 層、介電常數比第1絕緣層低，且熱變形溫度 層高之第3絕緣層和平面層之順序所疊層之基 緣層和訊號線對向之方式，依據在第2和第3 熱變形溫度之間的溫度疊層之工程實現本發明 絕緣層比第1絕緣層之被除去之厚度更厚，能 緣層確實塡充除去第1絕緣層之處。例如，當 度設爲12μιη，將第1絕緣層之除去的厚度設赁 第2絕緣層之厚度則必須爲13μπι以上，25μιη 並且，藉由將第1絕緣層設爲聚醯亞胺， 3絕緣層設爲液晶聚合物，則可成爲具有可撓 (實施型態1 ) 第1圖Α、第1圖Β爲表示本發明之第1 工程的圖式。首先，如第1圖A ( 1 )所示般 厚度爲12μιη之銅范，在厚度爲25μιη之第1 形成將成爲訊號線8之配線。 爲了形成該構造，起始材料是第1絕緣層 疊層第2絕 ，當將訊號 I設爲1 3 μ m 線周圍之第 的第2絕緣 比第2絕緣 材之第2絕 絕緣層之各 之時，第2 夠以第2絕 訊號線之厚 .1 3 μηι 時， 以下。 將第2及第 性之微帶線 實施形態之 ，藉由蝕刻 絕緣層9上 9及構成訊 -11 - 200838388 號線8之銅箔被一體化’適用膜厚方向之中央具有異種聚 醯亞胺層之NEOFLEX-23FE ( 25T )(三井化學株式會社 製作）。 接著，如第1圖A ( 2 )所示般，藉由化學蝕刻之手 法遮罩訊號線 8，使用蝕刻劑 TPE-3 000 ( Toiray-
Engineering株式會社製作）僅將第1絕緣層9除去厚度 1 2 · 5 μιη 〇 接著，如第1圖Α(3)所示般，低介電常數之第2 絕緣層1 0，在此是以比液晶聚合物之熱變形溫度更高溫， 藉由真空平板壓力加壓成形屬於液晶聚合物之厚度爲 5 0μπι之Vecstar (株式會社Kuraray製作，熱變形溫度爲 275它，介電常數爲2·95)。 之後，如第1圖Β ( 4 )所示般，硏磨至與訊號線8 之絕緣層9相反側之表面露出爲止。硏磨之方式除輥筒硏 磨、振動硏磨、皮帶硏磨等之機械硏磨外，可舉出藉由電 漿或雷射等之乾蝕刻或鹼性水溶液之化學硏磨，或是該些 組合。 並且’如第1圖Β(5)所示般，疊層低介電常數之 第3絕緣層1 1、及成爲平面層之銅箔12。在此，爲了一 起疊層低介電常數之第3絕緣層1 1和成爲平面層之銅箔 12’在240 °C〜275 °C之溫度下，藉由真空平板壓力疊層液 晶聚合物單面覆銅疊層板ESPANEX LC- 1 2-50-00NE (新 曰鐵化學株式會社製作，熱變形溫度275。(：，液晶聚合物 厚度50μιη，介電常數2.95 )而執行一體化。 -12· 200838388 依此，如第1圖B ( 6 )所示般，可以在訊號線8和 平面層之間，及訊號線8和第1絕緣層9之周圍，形成配 置有介電常數低於第1絕緣層之第2及第3絕緣層10、11 之微帶線。 (實施形態2 ) 第2圖爲表示本發明之第2實施形態之工程圖。首先 ，如第2圖（1)所示般，藉由触刻厚度爲12μηι之銅箔， 在厚度爲25μπι之第1絕緣層14上形成成爲訊號線13之 配線。 爲了形成構造，起始材料是第1絕緣層1 4及構成訊 號線1 3之銅箔被一體化，適用在膜厚方向之中央具有異 種聚醯亞胺層之NEOFLEX-23FE ( 25Τ )(三井化學株式 會社製作）。 接著，如第2圖（2 )所示般，藉由化學蝕刻之手法 遮罩訊號線 13 ，使用蝕刻劑 TPE-3000 ( Toray-
Engineering株式會社製作）僅將第1絕緣層14除去厚度 1 2.5 μ m ° 接著，如第2圖（3)所示般，在240 °C〜275 °C之溫 度下使用真空平板壓力，將當作低介電常數之第2絕緣層 15之液晶聚合物的厚度爲25μπι之 Vecstar (株式會社 Kuraray製作，熱變形溫度24〇°C，介電常數2.95)，以 及低介電常數之第3絕緣層16及成爲平面層之銅箔17被 一體化而之液晶聚合物單面覆銅疊層板ESPANEX LC-12- -13- 200838388 50-00NE (新日鐵化學株式會社製作，熱變形溫度240°C ，液晶聚合物厚度50μιη，介電常數2·95)予以一體成型 。依此，取得具有低介電率之第2及第3絕緣層15、16 之單面覆銅疊層板18。 接著，如第2圖（4)所示般，使具有低介電常數之 第2及第3絕緣層15、16之單面覆銅疊層板18，對向於 與第2絕緣層1 5和訊號線1 3之第1絕緣層14相反側之 面，在24 0 °C〜275 °C之溫度下使用真空平板壓力予以疊層 ，並執行一體化。 依此，在第2圖（5 )所示之訊號線13和平面層之間 ，及訊號線1 3和第1絕緣層1 4之周圍，可以形成配置有 介電常數比第1絕緣層14低之第2及第3絕緣層1 5、16 的微帶線。 (實施形態3 ) 第3圖A、第3圖B是表示本發明之第3實施形態之 工程圖。首先，如第3圖A ( 1 )所示般，藉由蝕刻厚度 爲12μιη，將成爲訊號線19之配線形成在具有將成爲第1 平面層1之12μηι之銅箔，且厚度爲25μιη之第1絕緣層 20上。 爲了形成該第3實施形態之構造，起始材料是第1絕 緣層20和構成訊號線18及第1平面層21之銅箔爲一體 化，適用由可均等化學鈾刻之單一聚醯亞胺層Kapton ΕΝ 所形成之 Metaroyal ( Toyomatallizing株式會社製作） -14- 200838388 PI-25D-CCW-12D0 ( #25 ) 〇 接著，如第3圖A ( 2 )所示般，藉由化學蝕刻之手 法，將訊號線19予以遮罩使用鈾刻劑TPE-3 000 ( Toray-Engineering株式會社製作）將第1絕緣層2 0除去至第1 平面層21之面。 接著，如第3圖A ( 3 )所示般，將當作低介電常數 之第2絕緣層22之液晶聚合物的厚度爲50μιη之Vecstar (株式會社Kuraray製作，熱變形溫度275°C，介電常數 2.95 )，在比液晶聚合物之熱變形溫度更高溫下，藉由真 空平板壓力，予以加壓成形。 接著，如第3圖B ( 4 )所示般，硏磨至與訊號線1 9 之第1平面層21相反側之面之表面露出爲止。硏磨之方 式除輥筒硏磨、振動硏磨、皮帶硏磨等之機械硏磨之外， 亦可舉出使用電漿或雷射等之乾鈾刻或鹼性水溶液的化學 硏磨或是該些組合。 並且，如第3圖B(5)所示般，疊層低介電常數之 第3絕緣層23及成爲第2平面層之銅箔24。在此，爲了 一起疊層低介電常數之第3絕緣層23和將成爲第2平面 層之銅箔24，在240°C〜275 °C之溫度下使用真空平板壓 力，疊層液晶聚合物單面覆銅疊層板ESPANEX LC-12-50-00ΝΕ (新日鐵化學株式會社製作，熱變形溫度240°C，介 電常數2.95)而予以一體化。 依此，如第3圖B ( 6 )所示般，在訊號線19和第2 平面層24之間，及訊號線19和第1絕緣層20之周圍， -15- 200838388 可以形成配置有介電常數低於第1絕緣層20之第2及第3 絕緣層22、23之帶線。 (實施形態4) 第4圖爲表示本發明之第4實施形態之工程圖。首先 ’如弟4圖（1)所不般，藉由餓刻厚度爲12μιη之銅箱， 在厚度爲25 μιη之第1絕緣層26上形成將成爲訊號線之配 線。 爲了形成該第4實施形態之構造，起始材料是第1絕 緣層26和構成訊號線25及第1平面層之銅箔爲一體化， 適用由可均等化學蝕刻之單一聚醯亞胺層Kapton ΕΝ所形 成之 Metaroyal ( Toyomatallizing 株式會社製作）？1-25D-CCW-12D0 ( #25 )。 接著，如第4圖 A ( 2 )所示般，藉由化學蝕刻之手 法，將訊號線25予以遮罩使用触刻劑TPE-3 000 ( Toray-Engineering株式會社製作）將第1絕緣層26除去至第1 平面層27之面。 接著，如第4圖A(3)所示般，在240°C〜275 °C之 溫度下使用真空平板壓力，將當作低介電常數之第2絕緣 層28之液晶聚合物的厚度爲35μπι之Vecstar (株式會社 Kuraray製作，熱變形溫度240°C，介電常數2.95)，及 低介電常數之第3絕緣層29和成爲第2平面層之銅箔30 被一體化而所構成之液晶聚合物單面覆銅層疊板 ESPANEX LC-12-5 0-0 ONE (新日鐵化學株式會社製作，熱 -16- 200838388 變形溫度27 5 °C，液晶聚合物厚度5 〇μιη，介電常數2.9 5 )予以一體成形。依此，取得具有低介電常數之第2及第 3絕緣層28、29的單面覆銅疊層板31。 之後，如第4圖（4 )所示般，使具有低介電常數之 第2及第·3絕緣層28、29之單面覆銅疊層板31，與第2 絕緣層28和訊號線25之第1平面層27相反側之面對向 ，在240 °C〜275 °C之溫度下使用真空平板壓力予以疊層， 並執行一體化。 依此，如第4圖（5 )所示般，在訊號線2 5和第2平 面層之間’及訊號線2 5和第1絕緣層2 6之周圍，可以形 成配置有介電常數低於第1絕緣層26之第2及第3絕緣 層28及29之微帶線。 (實施形態5 ) 第5圖A'第5圖B爲表示本發明之第5實施形態之 工程圖。首先，如第5圖A(l)所示般，藉由蝕刻厚度 爲12μιη之銅箔，在厚度爲25μηι之第1絕緣層33上形成 成爲訊號線3 2之配線。 爲了形成該第5實施形態之構造，起始材料是第1絕 緣層3 3和構成訊號線3 2及安裝部配線層3 4之銅箔被一 體化，適用由可均等化學蝕刻之單一聚醯亞胺層Kapton ΕΝ所形成之Metaroyal ( Toyomatallizing株式會社製作 )PI-25D-CCW-12D0 ( #25 )。 接著，如第5圖A ( 2 )所示般，藉由化學蝕刻之手 -17- 200838388 法，將訊號線32予以遮罩使用蝕刻劑ΤΡΈ-3 000 ( T 〇 r a y -Engineering株式會社製作）僅將第1絕緣層33除去 1 2 · 5 μπι 〇 接著，如第5圖A ( 3 )所示般，將當作低介電常數 之第2絕緣層35之液晶聚合物的厚度爲50μπι之Vecstar (株式會社Kuraray製作，熱變形溫度275°C，介電常數 2.95 )，在比液晶聚合物之熱變形溫度更高溫下，藉由真 空平板壓力，予以加壓成形。 接著，如第5圖A ( 4 )所示般，硏磨至與訊號線32 之安裝部配線層3 4相反側之面之表面露出爲止。硏磨之 方式除輥筒硏磨、振動硏磨、皮帶硏磨等之機械硏磨之外 ，亦可舉出使用電漿或雷射等之乾蝕刻或鹼性水溶液的化 學硏磨或是該些組合。 並且，如第5圖A(5)所示般，疊層低介電常數之 第3絕緣層36及成爲平面層之銅箔37。在此，爲了一起 疊層低介電常數之第3絕緣層36和將成爲平面層之銅箔 37，在240 °C〜275 °C之溫度下使用真空平板壓力，疊層液 晶聚合物單面覆銅疊層板ESPANEX LC-1 2-50-00NE (新 日鐵化學株式會社製作，熱變形溫度240 °C，介電常數 2.95 )而予以一體化。 依此，如第5圖B(6)所示般，在訊號線32和平面 層3 7之間，及訊號線3 2和第1絕緣層3 3之周圍，可以 形成配置有介電常數低於第1絕緣層20之第2絕緣層3 5 之微帶線3 8。 -18- 200838388 接著，如第5圖B ( 7 )所示般，形成用以各電性連 接訊號線32和安裝部配線層34及平面層37和安裝部配 線層3 4之引洞3 9或是貫通孔40。 依此，如第5圖B(8)所示般，形成安裝部配線層 3 4和平面層3 7之導體圖案，剖面圖如第5圖B ( 8 )般， 或從安裝部配線層觀看之俯視圖如第5圖B ( 9 )所示般 ，具有可撓部4 1，安裝部能夠以耐熱性優良之聚醯亞胺 3 3，製造出具有如微帶線之訊號線3 2之周圍爲低介電常 數之液晶聚合物般之構成的可高傳送之可撓性多層電路基 板。 於將屬於熱可塑性樹脂之液晶聚合物適用於安裝部之 時，在安裝溫度產生限制，但是藉由安裝部適用耐熱性優 良之聚醯亞胺，也可適用於需要例如無鉛銲錫般之高溫的 安裝。 (實施形態6 ) 第6圖A、第6圖B爲表示本發明之第6實施形態之 工程圖。首先，如第6圖A(l)所示般，藉由飩刻厚度 爲12 μιη之銅箔，在厚度爲25 μιη之第1絕緣層43上形成 成爲訊號線42之配線。 爲了形成該第6實施形態之構造，起始材料是第1絕 緣層43和構成訊號線42及安裝部配線層44之銅箔被一 體化，適用在膜厚方向之中央具有異種聚醯亞胺層之 NEOFLEX-23FE ( 25Τ)(三井化學株式會社製作）。 200838388 接著，如第6圖A ( 2 )所示般，藉由化學蝕刻之手 法遮罩訊號線 42，使用蝕刻劑 TPE-3 000 ( Toray-
Engineering株式會社製作）僅將第i絕緣層43除去厚度 1 3 μηι ° 接著，如第6圖A ( 3 )所示般，在240 °C〜275 °C之 溫度下使用真空平板壓力，將當作低介電常數之第2絕緣 層45之液晶聚合物的厚度爲25μιη之Vecstar (株式會社 Kuraray製作，熱變形溫度240°C，介電常數2.95)，以 及低介電常數之第3絕緣層46及成爲平面層之銅箔47被 一體化而之液晶聚合物單面覆銅疊層板 ESPANEX LC-12-5 0-0 ONE (新日鐵化學株式會社製作，熱變形溫度275 °C ，液晶聚合物厚度50μιη、介電常數2.95 )予以一體成型 。依此，取得具有低介電率之第2及第3絕緣層45、46 之單面覆銅疊層板4 8。 接著’如第6圖Α(4)所示般，使具有低介電常數 之第2及第3絕緣層45、46之單面覆銅疊層板48，對向 於與第2絕緣層45和訊號線42之安裝配線層44相反側 之面，在24 0 °C〜275 °C之溫度下使用真空平板壓力予以疊 層，並執行一體化。 依此，如第6圖B ( 5 )所示般，在訊號線42和平面 層47之間，及訊號線42和第1絕緣層43之周圍，可以 形成配置有介電常數比第1絕緣層43低之第2絕緣層45 的微帶線。 接著，如第6圖B ( 6 )所示般，形成用以各電性連 -20- 200838388 接訊號線42和安裝部配線層44及平面層47和安裝部配 線層44之引洞50或是貫通孔5 1。 然後，如第6圖B(7)所示般，藉由形成安裝部配 線層44和平面層47之導體圖案，剖面圖如第6圖B ( 8 )般，或從安裝部配線層觀看之俯視圖如第6圖B ( 9 ) 所示般，具有可撓部52 ’安裝部能夠以耐熱性優良之聚醯 亞胺4 3，製造出具有如微帶線之訊號線4 2之周圍爲低介 電常數之液晶聚合物般之構成的可高傳送之可撓性多層電 路基板。 於將屬於熱可塑性樹脂之液晶聚合物適用於安裝部之 時，在安裝溫度產生限制，但是藉由安裝部適用耐熱性優 良之聚醯亞胺，也可適用於需要例如無鉛銲錫般之高溫的 安裝。 【圖式簡單說明】 第1圖A是表示本發明之一實施形態的電路基板之形 成方法的剖面圖工程圖。 第1圖B是表示本發明之一實施形態的電路基板之形 成方法的剖面圖工程圖。 第2圖是表示本發明之其他實施形態的電路基板之形 成方法的剖面圖工程圖。 第3圖A是表示本發明之其他實施形態的電路基板之 形成方法的剖面工程圖。 第3圖B是表示本發明之其他實施形態的電路基板之 -21 - 200838388 形成方法的剖面工程圖。 第4圖是表示本發明之其他實施形態的電路基板之形 成方法的剖面圖工程圖。 第5圖A是表示本發明本發明之其他實施形態的電路 基板之形成方法的剖面工程圖。 第5圖B是表示本發明之其他實施形態的電路基板之 形成方法的剖面工程圖，及由藉由該其他實施形態所製作 g 之可撓性多層電路基板之安裝部配線層觀看之俯視圖。 第6圖A是表示本發明之其他實施形態的電路基板之 形成方法的剖面工程圖。 第6圖B是表示本發明之其他實施形態的電路基板之 形成方法的剖面工程圖，及由藉由其他實施形態所製作之 可撓性多層電路基板之安裝部配線層觀看之上面圖。 第7圖是表示以往之微帶線構造的橫剖面圖。 第8圖是表示以往之帶線構造之橫剖面圖。 【主要元件符號說明】 1 :絕緣層 2 :訊號線 3 :平面層 4 :絕緣層 5 :訊號線 6 :平面層 7 :平面層 -22- 200838388 8 :訊號線 8 :訊號線 9 :第1絕緣層 10 :第2絕緣層 1 1 :第3絕緣層 12:成爲平面層之銅箔 1 3 :訊號線 14 :第1絕緣層
1 5 :第2絕緣層 16 :第3絕緣層 1 7 :成爲平面層之銅箔 18:具有第2、第3絕緣層之單面覆銅疊層板 1 9 :訊號線 2 〇 :第1絕緣層 21 :第1平面層 22 :第2絕緣層 23 :第3絕緣層 24 :第2平面層 2 5 :訊號線 26 :第1絕緣層 27 :第1平面層 28 :第2絕緣層 2 9 :第3絕緣層 3 0 :第2平面層 -23- 200838388 31:具有第2、第3絕緣層之單面覆銅疊層板 3 2 :訊號線 3 3 :第1絕緣層 34 :安裝部配線層 3 5 :第2絕緣層 3 6 :第3絕緣層 37:成爲平面層之銅箔 38:藉由實施形態5所形成之微帶線 39 :引洞 40 :貫通孔 41 :可撓部 42 :訊號線 4 3 :第1絕緣層 44 :安裝部配線層 4 5 :第2絕緣層 46 :第3絕緣層 47:成爲平面層之銅箔 48:具有第2、第3絕緣層之單面覆銅疊層板 49 :藉由實施形態6所形成之微帶線 50 :引洞 51 :貫通孔 52 :可撓部 -24-