JP7180781B2

JP7180781B2 - 伝送線路、および、伝送線路の製造方法

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Publication number: JP7180781B2
Application number: JP2021530547A
Authority: JP
Inventors: 信之天野; 伸郎池本; 貴博馬場; 賢二松田
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2019-07-08
Filing date: 2020-06-12
Publication date: 2022-11-30
Anticipated expiration: 2040-06-12
Also published as: JPWO2021005966A1; WO2021005966A1; US20220029265A1; CN216852529U

Description

本発明は、絶縁性の基材に複数の信号導体が並走して形成された伝送線路に関する。

特許文献１には、積層絶縁体に複数の信号導体が形成された伝送線路が記載されている。特許文献１に記載の伝送線路は、積層絶縁体内に、第１信号導体と第２信号導体とを備える。第１信号導体と第２信号導体は、線状の導体パターンであり、積層絶縁体の幅方向において、距離をおいて配置されている。

積層絶縁体における第１信号導体と第２信号導体との間には、空孔が形成されている。

特開２０１６－９２５６１号公報

しかしながら、特許文献１に記載の伝送線路では、空孔を設けることによって、第１信号導体と第２信号導体との結合は抑制できるが、強度が低下しやすく、破損し易い。

したがって、本発明の目的は、複数の信号導体の結合を抑制しながら、高い信頼性の伝送線路を提供することにある。

この発明の伝送線路は、絶縁性の基材、第１信号導体、第２信号導体、第１グランド導体、第２グランド導体、および、第３グランド導体を備える。第１グランド導体および第２グランド導体は、基材の厚み方向において、距離をおいて配置される。第１信号導体および第２信号導体は、基材の厚み方向において、第１グランド導体と第２グランド導体との間に、他の導体パターンを介することなく、それぞれが第１グランド導体と第２グランド導体とストリップラインを構成するように、基材の幅方向に並べて配置される。第３グランド導体は、幅方向において、第１信号導体と第２信号導体との間に配置される。基材は、第１絶縁層と、第１絶縁層の第１比誘電率よりも低い第２比誘電率を有する第２絶縁層と、を備える。第１絶縁層と第２絶縁層とは、基材の厚み方向に並んでおり、当接面を有する。第１信号導体、第２信号導体、および、第３グランド導体は、第１絶縁層と第２絶縁層とが当接する界面に、配置される。第１信号導体、第２信号導体、および、第３グランド導体の第２絶縁層への接触面積のそれぞれは、これらの第１絶縁層への接触面積よりも大きい。

この構成では、第１信号導体と第２信号導体との間に第３グランド導体が配置されることで、第１信号導体と第２信号導体とのアイソレーションが向上する。さらに、第１信号導体および第２信号導体と第３グランド導体と間の領域は、比誘電率の低い第２絶縁層が支配的である。したがって、第１信号導体および第２信号導体と第３グランド導体と間の不要な結合、および、第１信号導体と第２信号導体との絶縁層を介した不要な結合は抑制される。また、基材内に空孔が無いので、強度の低下は、抑制される。

この発明によれば、複数の信号導体の結合を抑制しながら、高い信頼性の伝送線路を実現できる。

図１は、第１の実施形態に係る伝送線路の概略構成を示す断面図である。図２は、第１の実施形態に係る伝送線路の分解斜視図である。図３（Ａ）、図３（Ｂ）、図３（Ｃ）は、第１の実施形態に係る伝送線路の分解平面図である。図４は、本発明の実施形態に係る電子機器の概略構成を示す側断面の図である。図５は、第２の実施形態に係る伝送線路の概略構成を示す断面図である。図６は、第３の実施形態に係る伝送線路の概略構成を示す断面図である。図７は、第４の実施形態に係る伝送線路の概略構成を示す断面図である。図８（Ａ）は、第１の実施形態に係る伝送線路の引き出し構造を示す側面断面図であり、図８（Ｂ）は、伝送線路の引き出し構造の別の態様を示す側面断面図である。

（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態に係る伝送線路について、図を参照して説明する。図１は、第１の実施形態に係る伝送線路の概略構成を示す断面図である。図２は、第１の実施形態に係る伝送線路の分解斜視図である。図３（Ａ）、図３（Ｂ）、図３（Ｃ）は、第１の実施形態に係る伝送線路の分解平面図である。なお、各図では、構成を分かり易くするために、寸法関係を適宜強調している。

図１、図２、図３（Ａ）、図３（Ｂ）、図３（Ｃ）に示すように、伝送線路１０は、基材２０、グランド導体３０１、グランド導体３０２、信号導体４１、信号導体４２、グランド導体３１１を備える。グランド導体３０１は、本発明の「第１グランド導体」に対応し、グランド導体３０２は、本発明の「第２グランド導体」に対応し、グランド導体３１１は、本発明の「第３グランド導体」に対応する。信号導体４１は、本発明の「第１信号導体」に対応し、信号導体４２は、本発明の「第２信号導体」に対応する。

基材２０は、絶縁性を有する。基材２０は、平板状であり、例えば、一方向（図２、図３（Ａ）、図３（Ｂ）、図３（Ｃ）におけるＸ方向）に延びる長尺状である。以下、この基材２０の延びる方向（長手方向）をＸ方向、基材２０の厚み方向をＺ方向、基材２０におけるＸ方向およびＺ方向に直交する方向をＹ方向として、説明する。

基材２０は、絶縁層２１１、絶縁層２１２、および、絶縁層２２０を備える。絶縁層２１１は、本発明の「第１絶縁層」に対応し、絶縁層２１２は、本発明の「第３絶縁層」に対応する。絶縁層２２０は、本発明の「第２絶縁層」に対応する。

絶縁層２１１、絶縁層２１２、および、絶縁層２２０は、平面視した形状（Ｚ方向に視た形状）は、同じである。絶縁層２１１の比誘電率ε１（本発明の「第１比誘電率」）と、絶縁層２１２の比誘電率ε３（本発明の「第３比誘電率」）とは、絶縁層２２０の比誘電率ε２（本発明の「第２比誘電率」）よりも高い。

絶縁層２２０は、接着機能を有する。Ｚ方向において、絶縁層２２０は、絶縁層２１１と絶縁層２１２との間に配置されている。そして、絶縁層２１１と絶縁層２１２とは、絶縁層２２０によって接合される。

ここで、絶縁層２１１および絶縁層２１２は、例えば、ポリイミドを主材料とする。ただし、絶縁層２１１および絶縁層２１２は、優れた高周波特性を有する液晶ポリマー（ＬＣＰ）を主材料とする。絶縁層２２０は、例えば、フッ素系樹脂を主材料とする。

グランド導体３０１は、絶縁層２１１の一方主面に形成されている。言い換えれば、グランド導体３０１は、絶縁層２１１における絶縁層２２０への当接面（他方主面）と反対側の面に、形成されている。グランド導体３０１は、絶縁層２１１の一方主面の略全面に形成されている。

グランド導体３０２は、絶縁層２１２の一方主面に形成されている。言い換えれば、グランド導体３０２は、絶縁層２１２における絶縁層２２０への当接面（他方主面）と反対側の面に、形成されている。グランド導体３０２は、絶縁層２１２の一方主面の略全面に形成されている。

信号導体４１、信号導体４２、および、グランド導体３１１は、絶縁層２１１の他方主面に形成されている。言い換えれば、信号導体４１、信号導体４２、および、グランド導体３１１は、絶縁層２１１における絶縁層２２０への当接面（接合の界面）に、形成されている。

信号導体４１、信号導体４２、および、グランド導体３１１は、グランド導体３０１およびグランド導体３０２と対向する。

信号導体４１、信号導体４２、および、グランド導体３１１は、線状導体であり、Ｘ方向に沿って延びる形状である。信号導体４１、信号導体４２、および、グランド導体３１１は、基材２０の幅方向（Ｙ方向）において、距離をおいて並走するように配置されている。この際、Ｙ方向において、グランド導体３１１は、信号導体４１と信号導体４２との中間位置に配置される。

このような構成によって、信号導体４１は、グランド導体３０１及びグランド導体３０２とストリップラインを構成する。信号導体４２は、グランド導体３０１及びグランド導体３０２とストリップラインを構成する。すなわち、伝送線路１０は、グランド導体３０１とグランド導体３０２とで信号導体４１を挟みこむ構造の第１のストリップラインと、グランド導体３０１とグランド導体３０２とで信号導体４２を挟みこむ構造の第２のストリップラインとを備える。第１のストリップラインと第２のストリップラインとは、Ｙ方向に距離をおいて配置され、Ｘ方向に沿って並走する。

第１のストリップラインを構成する信号導体４１の延びる方向の一方端は、層間接続導体６１１を介して、絶縁層２１２の一方主面に形成された端子導体５１１に接続する。端子導体５１１は、矩形の導体パターンであり、グランド導体３０２から物理的に分離されている。

第１のストリップラインを構成する信号導体４１の延びる方向の他方端は、層間接続導体６１２を介して、絶縁層２１２の一方主面に形成された端子導体５１２に接続する。端子導体５１２は、矩形の導体パターンであり、グランド導体３０２から物理的に分離されている。

第２のストリップラインを構成する信号導体４２の延びる方向の一方端は、層間接続導体６２１を介して、絶縁層２１２の一方主面に形成された端子導体５２１に接続する。端子導体５２１は、矩形の導体パターンであり、グランド導体３０２から物理的に分離されている。

第２のストリップラインを構成する信号導体４２の延びる方向の他方端は、層間接続導体６２２を介して、絶縁層２１２の一方主面に形成された端子導体５２２に接続する。端子導体５２２は、矩形の導体パターンであり、グランド導体３０２から物理的に分離されている。

コネクタ７１は、端子導体５１１、端子導体５２１、グランド導体３０２に接続する。これにより、伝送線路１０における第１のストリップラインおよび第２のストリップラインの一方端の外部接続部が形成される。コネクタ７２は、端子導体５１２、端子導体５２２、グランド導体３０２に接続する。これにより、伝送線路１０における第１のストリップラインおよび第２のストリップラインの他方端の外部接続部が形成される。なお、コネクタ７１およびコネクタ７２の少なくとも一方は、省略することもできる。

また、この構成では、グランド導体３１１が信号導体４１と信号導体４２との間に配置される。これにより、信号導体４１と信号導体４２との間の結合は抑制される。すなわち、１個の基材２０に形成された第１のストリップラインと第２のストリップラインとのアイソレーションを向上できる。

また、グランド導体３１１は、複数の層間接続導体６３１によって、グランド導体３０１に接続する。複数の層間接続導体６３１は、Ｘ方向に沿って、互いに所定の距離をおいて配置される。これにより、第１のストリップラインと第２のストリップラインとのアイソレーションは、さらに向上する。

また、グランド導体３１１は、複数の層間接続導体６３２によって、グランド導体３０２に接続する。複数の層間接続導体６３２は、Ｘ方向に沿って、互いに所定の距離をおいて配置される。これにより、第１のストリップラインと第２のストリップラインとのアイソレーションは、さらに向上する。

さらに、伝送線路１０は、次の構成を備える。

図１に示すように、信号導体４１では、絶縁層２１１への当接面と反対側の主面４１１の全面は、絶縁層２２０に接触する。さらに、主面４１１に接続する側面４１２の全面も、絶縁層２２０に接触する。なお、図１では、側面４１２の全面が絶縁層２２０に接触する態様を示したが、側面４１２が絶縁層２２０に接触する面積が、側面４１２が絶縁層２１１に接触する面積よりも大きければよい。言い換えれば、例えば、信号導体４１が絶縁層２２０に埋まる高さは、信号導体４１の高さの半分以上であればよい。

同様に、信号導体４２では、絶縁層２１１への当接面と反対側の主面４２１の全面は、絶縁層２２０に接触する。さらに、主面４２１に接続する側面４２２の全面も、絶縁層２２０に接触する。なお、図１では、側面４２２の全面が絶縁層２２０に接触する態様を示したが、側面４２２が絶縁層２２０に接触する面積が、側面４２２が絶縁層２１１に接触する面積よりも大きければよい。言い換えれば、例えば、信号導体４２が絶縁層２２０に埋まる高さは、信号導体４２の高さの半分以上であればよい。

さらに、グランド導体３１１では、絶縁層２１１への当接面と反対側の主面３１１１の全面は、絶縁層２２０に接触する。さらに、主面３１１１に接続する側面３１１２の全面も、絶縁層２２０に接触する。なお、図１では、側面３１１２の全面が絶縁層２２０に接触する態様を示したが、側面３１１２が絶縁層２２０に接触する面積が、側面３１１２が絶縁層２１１に接触する面積よりも大きければよい。言い換えれば、例えば、グランド導体３１１が絶縁層２２０埋まる量は、グランド導体３１１の高さの半分以上であればよい。

このような構成によって、信号導体４１とグランド導体３１１との間、および、信号導体４２とグランド導体３１１との間は、比誘電率の絶縁層２２０が支配的になる。これにより、信号導体４１とグランド導体３１１との間、および、信号導体４２とグランド導体３１１との間の不要な結合は抑制される。したがって、第１のストリップラインと第２のストリップラインとのアイソレーションは、より一層向上する。

また、この構成によって、信号導体４１とグランド導体３１１との距離、および、信号導体４２とグランド導体３１１との距離を短くできる。これにより、伝送線路１０を小型化できる。

また、この構成によって、信号導体４１および信号導体４２の周囲の比誘電率を部分的に低下させることができる。これにより、第１のストリップラインおよび第２のストリップラインの伝送損失を低下させることができる。

また、この構成によって、伝送線路１０は、基材２０の内部に、空孔を有さない。したがって、伝送線路１０は、破損し難く、高い信頼性を有する。

このような構成の伝送線路１０は、例えば、次に示す方法によって製造できる。

第１比誘電率を有する絶縁層２１１の一方主面に、グランド導体３０１を形成し、絶縁層２１１の他方主面に、信号導体４１、信号導体４２、および、グランド導体３１１を形成する。

第３比誘電率を有する絶縁層２１２の一方主面に、グランド導体３０２を形成する。

絶縁層２１１の他方主面と絶縁層２１２の他方主面とを向かい合わせて、第１比誘電率および第３比誘電率よりも低い第２比誘電率を有し、接着機能を有する絶縁層２２０によって、絶縁層２１１と絶縁層２１２とを接合する。

この際、信号導体４１、信号導体４２、および、グランド導体３１１の絶縁層２２０への接触面積は、これらの絶縁層２１１への接触面積よりも大きくなるように、信号導体４１、信号導体４２、および、グランド導体３１１を絶縁層２２０に埋没させる。

このような製造方法を用いることによって、伝送線路１０を製造できる。また、絶縁層２１１と絶縁層２１２とが殆ど変形しないので、位置ズレによる電気特性の変化を抑制できる。なお、絶縁層２２０は変形するが、絶縁層２２０は、比誘電率が低く、導体パターンを担持していないので、変形量がばらついても、電気特性に与える影響は少ない。

なお、このような構成の伝送線路１０は、例えば、次に示すような電子機器に用いられる。図４は、本発明の実施形態に係る電子機器の概略構成を示す側断面の図である。

図４に示すように、電子機器９０は、伝送線路１０、筐体９００、基板９１１、基板９１２、電池９２０、実装型電子部品９３１、および、実装型電子部品９３２を備える。伝送線路１０、基板９１１、基板９１２、電池９２０、実装型電子部品９３１、および、実装型電子部品９３２は、筐体９００内に配置される。

電池９２０は、基板９１１と基板９１２との間に配置される。基板９１１と基板９１２との間に配置される部品は、電池９２０に限らない。実装型電子部品９３１は、基板９１１に実装され、実装型電子部品９３２は、基板９１２に実装される。

伝送線路１０の一方端は、例えば、上述のコネクタ７１を介して、基板９１１に接続される。伝送線路１０の他方端は、例えば、上述のコネクタ７２を介して、基板９１２に接続される。この際、伝送線路１０は、電池９２０の外形の一部に沿って配置され、曲げ部ＣＶを有する。このように、曲げ部ＣＶがあっても、上述のように、伝送線路１０は基材２０に空孔が無く、破損し難い。したがって、電子機器９０は、高い信頼性を有する。

（第２の実施形態）
本発明の第２の実施形態に係る伝送線路について、図を参照して説明する。図５は、第２の実施形態に係る伝送線路の概略構成を示す断面図である。

図５に示すように、第２の実施形態に係る伝送線路１０Ａは、第１の実施形態に係る伝送線路１０に対して、信号導体４１および信号導体４２とグランド導体３０１との距離Ｌ１、信号導体４１および信号導体４２とグランド導体３０２との距離Ｌ２について規定した点で異なる。伝送線路１０Ａの他の構成は、伝送線路１０と同様であり、同様の箇所の説明は省略する。

伝送線路１０Ａでは、距離Ｌ１を距離Ｌ２よりも長くする（Ｌ１＞Ｌ２）。このような構成によって、信号導体４１および信号導体４２からグランド導体３０１側の電界の広がりを抑制できる。

これにより、伝送線路１０Ａは、信号導体４１を含む第１のストリップラインと、信号導体４２を含む第２のストリップラインとの結合を抑制できる。

（第３の実施形態）
本発明の第３の実施形態に係る伝送線路について、図を参照して説明する。図６は、第３の実施形態に係る伝送線路の概略構成を示す断面図である。

図６に示すように、第３の実施形態に係る伝送線路１０Ｂは、第２の実施形態に係る伝送線路１０Ａに対して、信号導体４１とグランド導体３１１との距離Ｌ３１、および、信号導体４２とグランド導体３１１との距離Ｌ３２を規定した点で異なる。伝送線路１０Ｂの他の構成は、伝送線路１０Ａと同様であり、同様の箇所の説明は省略する。

伝送線路１０Ｂでは、距離Ｌ３１および距離Ｌ３２は、距離Ｌ１および距離Ｌ２よりも大きい（Ｌ３１＞Ｌ１、Ｌ３２＞Ｌ１、Ｌ３１＞Ｌ２、Ｌ３２＞Ｌ２）。このような構成によって、グランド導体３１１を介した信号導体４１と信号導体４２との結合を抑制できる。

これにより、伝送線路１０Ｂは、信号導体４１を含む第１のストリップラインと、信号導体４２を含む第２のストリップラインとの結合を抑制できる。

なお、距離Ｌ３１と距離Ｌ３２とは、異なっていてもよいが、第１のストリップラインと第２のストリップラインで略同じ周波数の高周波信号を伝送するのであれば、同じであることが好ましい。この場合、Ｌ３１＝Ｌ３２＝Ｌ３＞Ｌ１、Ｌ３＞Ｌ２となる。

（第４の実施形態）
本発明の第４の実施形態に係る伝送線路について、図を参照して説明する。図７は、第４の実施形態に係る伝送線路の概略構成を示す断面図である。

図７に示すように、第４の実施形態に係る伝送線路１０Ｃは、第１の実施形態に係る伝送線路１０に対して、絶縁層２１１の厚み（Ｚ方向の長さ）Ｄ１０、絶縁層２２０の厚み（Ｚ方向の長さ）Ｄ２０、および、絶縁層２１２の厚み（Ｚ方向の長さ）Ｄ３０を規定した点で異なる。伝送線路１０Ｃの他の構成は、伝送線路１０と同様であり、同様の箇所の説明は省略する。

伝送線路１０Ｃでは、厚みＤ２０は、厚みＤ１０および厚みＤ３０よりも大きい（Ｄ２０＞Ｄ１０、Ｄ２０＞Ｄ３０）。このような構成によって、特性インピーダンスを変化を抑制しながら、基材２０の厚みを小さくできる。

（外部への引き出し構造）
図８（Ａ）は、第１の実施形態に係る伝送線路の引き出し構造を示す側面断面図であり、図８（Ｂ）は、伝送線路の引き出し構造の別の態様を示す側面断面図である。なお、図８（Ａ）、図８（Ｂ）では、信号導体４１の一方端の引き出し構造を例にして説明するが、他の信号導体や端部についても、同様の構成を適用できる。

図８（Ａ）に示すように、伝送線路１０では、層間接続導体６１１は、絶縁層２２０と絶縁層２１２とを厚み方向に貫通するように形成されている。この場合、信号導体４１と層間接続導体６１とが接続し、高周波信号の伝送方向が屈曲する部分は、比誘電率の低い絶縁層２２０側となる。これにより、寄生インダクタンス成分は小さくなり、伝送線路１０は、良好な伝送特性を実現できる。

図８（Ｂ）に示すように、伝送線路１０’では、端子導体５１１’は、絶縁層２１１の一方主面、すなわち、グランド導体３０１が形成される主面に形成される。層間接続導体６１１’は、絶縁層２１１を厚み方向に貫通するように形成されている。この構成によって、層間接続導体６１１’は、信号導体４１と端子導体５１１’とを接続する。この場合、層間接続導体６１１’は、変形し難い絶縁層２１１に形成されているので、層間接続導体６１１’を形成するための貫通孔を、高い寸法精度で所望の形状に、容易に製造できる。

なお、上述の各実施形態の構成は、適宜組み合わせることが可能であり、それぞれの組合せに応じた作用効果を奏することができる。

１０、１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ、１０’…伝送線路
２０…基材
４１、４２…信号導体
７１、７２…コネクタ
９０…電子機器
２１１、２１２、２２０…絶縁層
３０１、３０２、３１１…グランド導体
４１１、４２１、３１１１…主面
４１２、４２２、３１１２…側面
５１１、５１２、５２１、５２２、５１１’…端子導体
６１１、６１２、６２１、６２２、６３１、６３２、６１１’…層間接続導体
９００…筐体
９１１、９１２…基板
９２０…電池
９３１、９３２…実装型電子部品

Claims

絶縁性の基材と、
前記絶縁性の基材の厚み方向において、距離をおいて配置された第１グランド導体および第２グランド導体と、
前記厚み方向において、前記第１グランド導体と前記第２グランド導体との間に、他の導体パターンを介することなく、それぞれが前記第１グランド導体と前記第２グランド導体とストリップラインを構成するように、前記基材の幅方向に並べて配置された第１信号導体および第２信号導体と、
前記幅方向において、前記第１信号導体と前記第２信号導体との間に配置された第３グランド導体と、
を備え、
前記基材は、
第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の第１比誘電率よりも低い第２比誘電率を有する第２絶縁層と、
を備え、
前記第１絶縁層と前記第２絶縁層とは、前記基材の厚み方向に並んでおり、当接面を有し、
前記第１信号導体、前記第２信号導体、および、前記第３グランド導体は、前記第１絶縁層と前記第２絶縁層とが当接する界面に配置され、
前記第１信号導体、前記第２信号導体、および、前記第３グランド導体の前記第２絶縁層への接触面積のそれぞれは、これらの前記第１絶縁層への接触面積よりも大きく、
前記第１グランド導体は、前記第１信号導体、前記第２信号導体、および、前記第３グランド導体に対して、前記第１絶縁層を挟むように配置され、
前記第２グランド導体は、前記第１信号導体、前記第２信号導体、および、前記第３グランド導体に対して、前記第２絶縁層を挟むように配置され、
前記第１信号導体、前記第２信号導体、および、前記第３グランド導体と前記第１グランド導体との距離をＬ１とし、
前記第１信号導体、前記第２信号導体、および、前記第３グランド導体と前記第２グランド導体との距離をＬ２とし、
前記第１信号導体または前記第２信号導体と前記第３グランド導体との距離をＬ３として、
Ｌ１＜Ｌ３、Ｌ２＜Ｌ３である、
伝送線路。
前記第３グランド導体は、前記第１信号導体と前記第２信号導体とに並走しており、並走する方向において、複数箇所で層間接続導体によって、前記第１グランド導体に接続する、
請求項１に記載の伝送線路。
前記第１グランド導体は、前記第１信号導体、前記第２信号導体、および、前記第３グランド導体に対して、前記第１絶縁層を挟むように配置され、
前記第２グランド導体は、前記第１信号導体、前記第２信号導体、および、前記第３グランド導体に対して、前記第２絶縁層を挟むように配置され、
前記第１信号導体、前記第２信号導体、および、前記第３グランド導体と前記第１グランド導体との距離をＬ１とし、
前記第１信号導体、前記第２信号導体、および、前記第３グランド導体と前記第２グランド導体との距離をＬ２として、
Ｌ１＞Ｌ２である、
請求項１または請求項２に記載の伝送線路。
前記第２絶縁層に対して前記第１絶縁層と反対側に配置され、前記第２比誘電率よりも高い第３比誘電率を有する第３絶縁層を備え、
前記第１グランド導体は、前記第１信号導体、前記第２信号導体、および、前記第３グランド導体に対して、前記第１絶縁層を挟むように配置され、
前記第２グランド導体は、前記第１信号導体、前記第２信号導体、および、前記第３グランド導体に対して、前記第２絶縁層および前記第３絶縁層を挟むように配置され、
前記第１絶縁層の厚みをＤ１０とし、前記第２絶縁層の厚みをＤ２０とし、前記第３絶縁層の厚みをＤ３０として、
Ｄ２０＞Ｄ１０、Ｄ２０＞Ｄ３０である、
請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の伝送線路。
第１比誘電率を有する第１絶縁層の一方主面に第１グランド導体を形成し、前記第１絶縁層の他方主面に、第１信号導体、第２信号導体、および、前記第１信号導体と前記第２信号導体との間に配置される第３グランド導体を形成する、第１工程と、
第３比誘電率を有する第３絶縁層の一方主面に第２グランド導体を形成する、第２工程と、
前記第１絶縁層の他方主面と前記第３絶縁層の他方主面とを向かい合わせて、前記第１比誘電率および前記第３比誘電率よりも低い第２比誘電率を有する第２絶縁層によって、前記第１絶縁層と前記第３絶縁層とを接合する、第３工程と、を有し、
前記第３工程において、
前記第１信号導体、前記第２信号導体、および、前記第３グランド導体の前記第２絶縁層への接触面積のそれぞれは、これらの前記第１絶縁層への接触面積よりも大きくなるように、前記第１信号導体、前記第２信号導体、および、前記第３グランド導体を前記第２絶縁層に埋没させ、
前記第１グランド導体は、前記第１信号導体、前記第２信号導体、および、前記第３グランド導体に対して、前記第１絶縁層を挟むように配置され、
前記第２グランド導体は、前記第１信号導体、前記第２信号導体、および、前記第３グランド導体に対して、前記第２絶縁層を挟むように配置され、
前記第１信号導体、前記第２信号導体、および、前記第３グランド導体と前記第１グランド導体との距離をＬ１とし、
前記第１信号導体、前記第２信号導体、および、前記第３グランド導体と前記第２グランド導体との距離をＬ２とし、
前記第１信号導体または前記第２信号導体と前記第３グランド導体との距離をＬ３として、
Ｌ１＜Ｌ３、Ｌ２＜Ｌ３である、
伝送線路の製造方法。