TWI359877B - Method of depositing catalyst assisted silicates o - Google Patents

Description

1359877 爲了避免水和吡啶在達到室之前互相作用，吡啶和水 可使用個別的輸送導管乃至分離注射送氣室，以並流到 室。第 1B圖是根據本發明的一個實施例的注射送氣室 108 a-c的示意性視圖。如在第 1B 圖中所示，每個導管 118a-118d送入到個別的注射送氣室108a-108d。因此，可 防止。比咬-水的相互作用直到°比咬和水達到室。

矽前驅物（諸如 HCDS和 TEOS)與铪前驅物（諸如 TDMAH、TEMAH、TDEAH和HfCU)不與吡啶相互作用。 因此，矽前驅物和吡啶可使用相同的導管和注射送氣室並 流到室。在一個實施例中，吡啶和矽前驅物可使用相同的 導管和注射送氣室流到室。在另一實施例中，吡啶和矽前 驅物可使用個別的導管和注射送氣室流到室。另外，給前 驅物和吡啶可使用相同的導管和注射送氣室並流到室。在 一個實施例中，吡啶和铪前驅物可使用相同的導管和注射 送氣室流到室。另一實施例中，吡啶和銓前驅物可使用個 別的導管和注射送氣室流到室。

使用分離注射送氣室和導管並流吡啶和水的可選實施 例爲在將水引入到室之前，將基板暴露於吡啶浸泡。吡啶 浸泡可包含將基板暴露於吡啶，而不用引入其他前驅物或 氧化劑（諸如水）。基板暴露於吡啶的時間可足以用吡啶使 基板飽和。在一個實施例中，吡啶浸泡進行大於約1 0秒的 時間。通過執行吡啶浸泡，足夠的催化劑可存在於室内和 基板表面，以確保當引入水前驅物時存在催化劑。由於吡 啶已經在室中，所以所有的吡啶不會在到達室之前與水相 11 1359877

在給前驅物脈衝之後，可淨化和/或抽吸室 2 0 6 )。可使用的示例性淨化氣體包括惰性氣體（諸：ί 在一個實施例中，淨化氣體可包含氮氣。可柚吸室 淨化氣體和可能存在於室中的任何殘留铪前驅物。 實施例中，不執行抽吸步驟，從而僅執行淨化步驟 地，可去除淨化步驟，從而抽吸室以去除姶前驅物 個實施例中，抽吸可發生在淨化氣體引入之前和之 另一實施例中，淨化和抽吸步驟都可重複。抽吸和/ 可發生多次。在又一實施例中，淨化和抽吸可結合 步驟。 在抽吸和/或淨化之後，可發生吼啶浸泡（步驟 在第一吡啶浸泡之後，可將氧源（諸如水的脈衝）引 (步驟2 1 0 )»當氧源引入到室時，吡啶可以可選地 萆中。如果吡啶與水並流到室中，則吡啶和水將具 入口進入室中，以使水和°比咬不經由相同的導管和 時流入室。 在將氧源脈衝提供到室之後，可如上所述再次； 或淨化室（步驟 2 1 2 )。在抽吸和/或淨化之後，可 行另一吡啶浸泡。之後，可將矽前驅物脈衝到室中 214)。當矽前驅物引入到室中時，吡啶可選地提供麥 在矽前驅物脈衝之後，可再次抽吸和/淨化室（步驟 在抽吸和/或淨化之後，基板可暴露於另一吡 (步驟2 1 8 )。吡啶浸泡可利用與上述吡啶浸泡相同 條件進行。在吡啶浸泡之後，氧化源（諸如 Η20)的 (步驟 口氬）。 以去除 在一個 。可選 ° 在一 後。在 或淨化 爲一個 208 )。 入到室 並流到 有分離 入口同 由吸和/ 選地進 (步驟 丨室中。 2 16)。 啶浸泡 的處理 脈衝可 13 1359877 圖 500 ; 爲了便於理解，盡可能使用相同的附圖標記表示圖中 共有的相同元件。預期在一個實施例中公開的元件可以有 利地用於其他實施例而不用特別敍述。

[主 要 元 件符 號說明】 100 裝 置 102 真 空 室 104 基 板 106 基 座 108 注 射 送氣 室 108ι a- d 導 管 110 氣 室 壁 112 低 壓 側部 114 注 射 板 116 孔 1 1 [8a-d導管 120 流 122 注 射 送氣腔 124 排 氣 增壓 室 126 排 氣 板 128 排 氣 增壓 室 130 氣 室 壁 132 孔 134 導 管 136 排 氣 σ 138 即 流 閥 200 流 程 圖 202 步 驟 204 步 驟 206 步 驟 208 步 驟 2 10 步 驟 212 步 驟 214 步 驟 216 步 驟 2 18 步 驟 220 步 驟 222 步 驟 19 1359877

224步驟 226步驟 3 0 0流程圖 302步驟 304步驟 306步驟 308步驟 3 10步驟 312步驟 3 14步驟 3 16步驟 3 1 8步驟 320步驟 322步驟 324步驟 326步驟 4 00流程圖 402步驟 404步驟 406步驟 408步驟 410步驟 412步驟 414步驟 416步驟. 4 1 8步驟 420步驟 422步驟 5 0 0流程圖 502步驟 504步驟 506步驟 508步驟 5 1 0步驟 5 12步驟 5 14步驟 5 16步驟 5 1 8步驟 520步驟 522步驟 20

Claims (1)

1359877 公告本 第卟β 號專利案π年π月修正 A A 法，依序地包含： 十、申請專利範圍： 1. 一種高介電常數矽酸鹽沉積方 (a) 在一室中放置至少一基板； (b) 將該至少一基板暴露於一铪前驅物； (c) 將該至少一基板暴露.於一第一吡啶浸泡； (d) 將該至少一基板暴露於一第一氧化源； (e) 將該至少一基板暴露於一矽前驅物； (f) 將該至少一基板暴露於一第二吡啶浸泡；以及接 著 (g) 將該至少一基板暴露於一第二氧化源。 2. 如申諳專利範圍第1項所述的方法，其中該矽前驅 物選自由六氣二矽烷及肆-乙氧基-矽烷所組成之群組。 3. 如申請專利範圍第1項所述的方法，進一步包含： 將該至少一基板暴露於一淨化氣體。 4. 如申請專利範圍第1項所述的方法，其中該姶前驅 物是選自由肆（二甲基胺）姶（TDMAH)、肆（乙基曱基胺）铪 (TEMAH)、肆（二乙基胺）姶（TDEAH)及四氯化铪（HfCl4)所 組成之群組。 5.如申請專利範圍第1項所述的方法，進一步包含： 21 1359877 J lot. 10 曰修正替換頁 ο 1 重複（b) - (g)步驟一次或多次。 6.如申諳專利範圍第1項所述的方法，其中該第一和 第二氧化源選自由水（H20)、臭氧（03)、氧氣（02)及氧自由 基所組成之群組。 7. 如申請專利範圍第1項所述的方法，其中該矽前驅 物包含六氣二矽烷。 8. 如申請專利範圍第1項所述的方法，其中該矽前驅 物包含肆-乙氧基-矽烷。 9. 如申請專利範圍第1項所述的方法，其中位於該室 中的該至少一基板包括二或更多個基板。 10. 如申請專利範圍第1項所述的方法，其中位於該 室中的該至少一基板包括約50個基板。 11. 如申請專利範圍第1項所述的方法，其中該矽前 驅物為肆-乙氡基-矽烷，且該铪前驅物為肆（二曱基胺）铪 (TDMAH)。 12. —種高介電常數矽酸鹽沉積方法，依序地包含： 22

1359877 (a)將至少一基板放置在一室中 (b) 將該至少一基板暴露於一高介電常數前驅物； (c) 將該至少一基板暴露於一第一氧化源和吡啶，該 吡啶和該第一氧化源經過不同的入口流入該室中； (d) 將該至少一基板暴露於一矽前驅物；以及接著 (e) 將該至少一基板暴露於一第二氧化源和吡啶，該 吡啶和該第二氧化源經過不同的入口流入該室中。 13. 如申請專利範圍第12項所述的方法，其中該矽前 驅物選自由六氯二矽烷及肆-乙氧基-矽烷所組成之群組。 14. 如申請專利範圍第13項所述的方法，其中該矽前 驅物包括六氯二矽烷。 15. 如申請專利範圍第13項所述的方法，其中該矽前 驅物包括肆-乙氧基-矽烷。 16. 如申請專利範圍第12項所述的方法，進一步包含： 將該至少一基板暴露於一淨化氣體。 17. 如申請專利範圍第12項所述的方法，其中該高介 電常數前驅物是選自由肆（二曱基胺）铪（TDMAH)、肆（乙基 曱基胺）铪（TEMAH)、肆（二乙基胺）姶（TDEAH)及四氣化姶 23 1359877 所组成之群组的铪前驅物。 正獅1 18.如申請專利範圍第17項所述的方法，其中該氧化 源為 02，該铪前驅物為四氯化铪，且該矽前驅物為肆-乙 氧基-矽烷。 19. 如申請專利範圍第12項所述的方法，進一步包含： 重複（b) - (e)步驟一次或多次。 20. 如申請專利範圍第12項所述的方法，其中該第一 和第二氧化源選自由水（H20)、臭氧（03)、氧氣（02)及氧自 由基所組成之群組。 21.如申請專利範圍第12項所述的方法，其中位於該 室中的該至少一基板包括二或更多個基板。 22. 如申請專利範圍第12項所述的方法，其中位於該 室中的該至少一基板包括約50個基板。 23. —種碎酸給沉積方法，依序地包含： 將至少一基板放置在一室中； 將該至少一基板暴露於一铪前驅物； 將該至少一基板暴露於水和°比咬，該水和°比咬經由不 24 1359877 U ^ If _丨 同的入口流入該室中； 將該至少一基板暴露於六氯二矽烷；以及接著 將該至少一基板暴露於水和吡啶，該水和吡啶經過不 同的入口流入該室中。 24. 如申請專利範圍第23項所述的方法，其中位於該 室中的該至少一基板包括二或更多個基板。 25. 如申請專利範圍第23項所述的方法，其中位於該 室中的該至少一基板包括約50個基板。 26. 如申請專利範圍第23項所述的方法，進一步包含 在將該至少一基板暴露於該铪前驅物之前，將該至少一基 板暴露於吡啶。 25