KR20080043706A - 고―k 물질의 촉매 보조 실리케이트 증착 방법 - Google Patents
고―k 물질의 촉매 보조 실리케이트 증착 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20080043706A KR20080043706A KR1020070112577A KR20070112577A KR20080043706A KR 20080043706 A KR20080043706 A KR 20080043706A KR 1020070112577 A KR1020070112577 A KR 1020070112577A KR 20070112577 A KR20070112577 A KR 20070112577A KR 20080043706 A KR20080043706 A KR 20080043706A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- chamber
- exposing
- catalyst
- pyridine
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
- C23C16/45546—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus specially adapted for a substrate stack in the ALD reactor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/401—Oxides containing silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
- C23C16/45534—Use of auxiliary reactants other than used for contributing to the composition of the main film, e.g. catalysts, activators or scavengers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Catalysts (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
고-k 실리케이트 원자층 증착 방법이 개시된다. 하프늄 실리케이트 층을 생성하기 위해, 기판이 하프늄 전구체의 펄스, 산화제의 펄스, 실리콘 전구체의 펄스, 및 다른 산화제의 펄스에 노출된다. 추가적으로, 촉매가 별도의 유입구를 통해 하나 이상의 반응제와 함께 챔버내로 공동-유동될 수 있다. 그 대신에, 반응제가 소킹 과정으로 도입되기에 앞서서, 촉매가 챔버내로 유동될 수 있다. 별도의 유입구를 통한 촉매의 공동-유동에 의해서 또는 촉매 소킹의 실시에 의해서, 하프늄 실리케이트 형성이 신속한 속도로 및/또는 낮은 온도에서 진행될 수 있을 것이다.
Description
본 발명은 개략적으로 원자층 증착(ALD)에 의해 기판상에 하프늄 실리케이트 층을 증착하는 방법에 관한 것이다.
반도체 프로세싱, 평판 디스플레이 프로세싱 또는 기타 전자 소자 프로세싱 분야에서, 기판상에 물질을 증착하는데 있어서 증착 프로세스들이 중요한 역할을 하고 있다. 전자 소자의 기하학적 형상이 계속적으로 축소되고 있고 소자들의 밀도가 계속적으로 높아짐에 따라, 피쳐(features)의 크기 및 종횡비가 점점 더 공격적(aggressive)이 되고 있다. 따라서, 이들 소자를 형성하기 위한 등각(conformal) 증착이 점점 더 중요해지고 있다.
종래의 화학기상증착(CVD)은 약 0.15 ㎛ 까지 소자의 기하학적 형상 및 종횡비 측면에서 성공적인 것으로 입증되었으나, 보다 진보적인 소자의 기하학적 형상에서는 대안적인 증착 기술이 요구되고 있다. 하나의 기술로서, ALD가 상당한 관심을 받고 있다. ALD 프로세스 중에, 반응제(reactant) 가스들이 기판을 포함하는 프로세스 챔버내로 순차적으로 도입된다. 일반적으로, 제 1 반응제가 프로세스 챔 버내로 펄스화되고(pulsed) 기판 표면으로 흡착된다. 이어서, 제 2 반응제가 프로세스 챔버내로 펄스화되고 제 1 반응제와 반응하여 증착 물질을 형성한다. 펌프 및/또는 퍼지(purge) 단계들이 각 반응제 가스 공급 사이에서 실시될 것이다. 퍼지 단계는 반응제 가스 공급 사이에서 캐리어 가스 또는 펄스 퍼지를 이용한 연속적인 퍼지가 될 수 있다.
ALD에 의한 하프늄 실리케이트의 형성은 소위 당업계에 공지된 프로세스이다. ALD에 의한 하프늄 실리케이트의 형성중에, 하프늄 전구체(precursor)가 챔버내로 펄스화되고, 이어서 산화 공급원(oxidizing source)가 후속된다. 그 후에, 실리콘 전구체가 챔버내로 펄스화되고, 산화 공급원이 후속된다. 산화 공급원은 고(high)-k 실리케이트를 증착하는 경우에 많은 문제를 발생시키는데, 이는 산화 공급원의 촉매와의 반응성에 기인한다.
그에 따라, ALD에서의 고-k 물질의 촉매 보조 실리케이트 증착 방법이 당업계에서 요구되고 있다.
고-k 실리콘 방법을 예시하기 위해, 하프늄 실리케이트 ALD 방법을 설명한다. 하프늄 실리케이트 층을 생성하기 위해, 기판이 하프늄 전구체의 펄스, 산화제의 펄스, 실리콘 전구체의 펄스, 및 다른 산화제의 펄스에 노출될 것이다. 추가적으로, 촉매가 별도의 유입구를 통해 하나 이상의 반응제와 함께 챔버내로 공동-유동될(co-flowed) 수 있다. 그 대신에, 반응제가 소킹(soaking; 침액) 과정으로 도입되기에 앞서서, 촉매가 챔버내로 유동될 수 있다. 별도의 유입구를 통한 촉매의 공동-유동에 의해서 또는 촉매 소킹의 실시에 의해서, 하프늄 실리케이트 형성이 신속한 속도로 및/또는 낮은 온도에서 진행될 것이다.
일 실시예에서, 하프늄 실리케이트 증착 방법이 개시된다. 상기 방법은 기판을 챔버내로 위치시키는 단계, 기판을 하프늄 전구체에 노출시키는 단계, 상기 기판을 제 1 촉매 소크(soak)에 노출시키는 단계, 상기 기판을 제 1 산화 공급원에 노출시키는 단계, 상기 기판을 실리콘 전구체에 노출시키는 단계, 상기 기판을 제 2 촉매 소크에 노출시키는 단계, 그리고 상기 기판을 제 2 산화 공급원에 노출시키는 단계를 포함한다.
다른 실시예에서, 하프늄 실리케이트 증착 방법이 개시된다. 상기 방법은 기판을 챔버내로 위치시키는 단계, 기판을 하프늄 전구체에 노출시키는 단계, 제 1 촉매 및 제 1 산화 공급원을 독립적인 유입구들을 통해서 챔버내로 유동시키면서 상기 기판을 제 1 산화 공급원 및 제 1 촉매에 노출시키는 단계, 상기 기판을 실리콘 전구체에 노출시키는 단계, 및 제 2 촉매 및 제 2 산화 공급원을 독립적인 유입 구들을 통해서 챔버내로 유동시키면서 상기 기판을 제 2 산화 공급원 및 제 2 촉매에 노출시키는 단계를 포함한다.
또 다른 실시예에서, 하프늄 실리케이트 증착 방법이 개시된다. 상기 방법은 기판을 챔버내로 위치시키는 단계, 기판을 하프늄 전구체에 노출시키는 단계, 물 및 피리딘을 독립적인 유입구들을 통해서 챔버내로 유동시키면서 상기 기판을 물 및 피리딘에 노출시키는 단계, 상기 기판을 헥사클로로디실란에 노출시키는 단계, 그리고 물 및 피리딘을 독립적인 유입구들을 통해서 챔버내로 유동시키면서 상기 기판을 물 및 피리딘에 노출시키는 단계를 포함한다.
이하에서는, 전술된 본 발명의 특징들을 보다 구체적으로 이해할 수 있도록, 첨부 도면에 일부가 도시된 실시예들을 참조하여 본 발명을 보다 구체적으로 설명한다. 그러나, 첨부 도면들은 단지 본 발명의 통상적인 실시예들을 도시한 것으로서, 본 발명의 범위를 제한하는 것으로 해석되지 않아야 할 것이며, 따라서 본 발명은 다른 균등한 실시예들도 포함하는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이해를 돕기 위해, 도면에서 공통되는 동일한 요소들에 대해서는 가능한 한 동일한 참조부호를 사용하여 표시하였다. 일 실시예에서 개시된 요소들은 특별한 설명이 없더라도 다른 실시예에서 유리하게 이용될 수 있다는 것을 이해할 것이다.
고-k 실리콘 방법을 예시하기 위해 하프늄 실리케이트 ALD 방법을 설명한다. 하프늄 실리케이트 층을 생성하기 위해, 기판이 하프늄 전구체의 펄스, 산화제의 펄스, 실리콘 전구체의 펄스, 및 다른 산화제의 펄스에 노출될 것이다. 추가적으 로, 촉매가 별도의 유입구를 통해 하나 이상의 반응제와 함께 챔버내로 공동-유동될(co-flowed) 수 있다. 그 대신에, 반응제가 소킹 과정으로 도입되기에 앞서서, 촉매가 챔버내로 유동될 수 있다. 별도의 유입구를 통한 촉매의 공동-유동에 의해서 또는 촉매 소킹의 실시에 의해서, 하프늄 실리케이트 형성이 신속한 속도로 및/또는 낮은 온도에서 진행될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 장치(100)를 개략적으로 도시한다. 상기 장치(100)는 진공 챔버(102)를 포함한다. 상기 장치(100)는 기판(104) 놓이는 하나 이상의 서셉터(susceptors; 106)를 포함할 수 있는 배치식(batch) 장치(100)일 수 있다. 일 실시예에서, 상기 장치(100)는 단일 기판(104) 장치일 수도 있다. 다른 실시예에서, 서셉터 없이 하나 이상의 기판을 유지할 수 있는 웨이퍼 보트(wafer boat)가 이용될 수도 있다. 생산량을 증대시키기 위해 하나 이상의 기판(104)을 동시에 프로세싱하는 것이 유리할 것이다. 배치식 프로세스에서 발생할 수 있는 하나의 문제점은 웨이퍼들을 균일하게 유지하는 것이다.
전구체가 인젝터 플리넘(108)을 통해 장치(100)로 공급될 수 있다. 인젝터 플리넘(108)은 플리넘 벽(110) 및 인젝션 플레이트(114)를 포함할 수 있으며, 상기 플리넘 벽 및 인젝션 플레이트는 인젝터 플리넘 챔버(122)를 함께 둘러싸서 형성한다. 인젝션 플레이트(114)는 다수의 홀(116)을 구비하며, 상기 홀을 통해 전구체 가스, 퍼지 가스, 및 캐리어 가스가 진공 챔버(102)내로 유동(120)될 수 있다. 인젝션 플레이트(114)는 인젝션 플리넘(108)을 진공 챔버(102)로부터 분리시켜, 진공 챔버(102)가 인젝터 플리넘(108)의 저압측(112)에 위치되게 한다. 전구체, 퍼지 가스, 및 캐리어 가스가 도관(118a-118d)을 통해 인젝터 플리넘(108)으로 도입될 수 있다.
장치(100)는 배출 플리넘(124)을 통해 배기될 수 있다. 배출 플리넘은 배출 플레이트(126) 및 플리넘 벽(130)을 포함할 수 있으며, 상기 배출 플레이트 및 플리넘 벽은 배출 플리넘 챔버(128)를 둘러싸서 형성한다. 다수의 홀(132)이 배출 플레이트(126)내에 있을 수 있다. 가스들은 배출 포트(136)를 통해 배출 플리넘(124)으로부터 배기된다.
추가적인 가스가 도관(134)을 통해 배출 플리넘(124)으로 도입될 수 있다. 추가적인 가스는 배출 플리넘(124) 및 진공 챔버(102)의 표면에 응축될 수도 있는 반응 부산물을 절감시키거나 변환시킬 수 있다. 스로틀 밸브(throttle valve; 138)가 진공 챔버(102) 압력을 제어할 수 있다.
ALD를 이용하여 고-k 실리케이트를 형성할 때, 하프늄 전구체와 같은 고-k 전구체가 장치(100)로 공급될 수 있다. 하프늄 실리케이트 층을 증착하는데 이용될 수 있는 예시적인 하프늄 전구체는 할라이드, 알킬아미노, 시클로펜타디에닐, 알킬, 알콕사이드, 그 유도체 또는 그들의 조합을 포함한다. 하프늄 전구체로서 유용한 하프늄 할라이드 화합물은 HfCl4, HfI4, 및 HfBr4 를 포함한다. 하프늄 전구체로서 유용한 하프늄 알킬아미노 화합물은 (RR'N)4Hf를 포함하며, 이때 R 또는 R'는 독립적으로 수소, 메틸, 에틸, 프로필 또는 부틸이다. 하프늄-함유 물질을 증착하는데 유용한 하프늄 전구체는 (Et2N)4Hf(TDEAH), (Me2N)4Hf(TDMAH), (MeEtN)4Hf(TEMAH), (tBuC5H4)2HfCl2, (C5H5)2HfCl2, (EtC5H4)2HfCl2, (Me5C5)2HfCl2, (Me5C5)HfCl3, (iPrC5H4)2HfCl2, (iPrC5H4)HfCl3, (tBuC5H4)2HfMe2, (acac)4Hf, (hfac)4Hf, (tfac)4Hf, (thd)4Hf, (NO3)4Hf, (tBuO)4Hf, (iPrO)4Hf, (EtO)4Hf, (MeO)4Hf 또는 그 유도체를 포함한다.
하프늄 실리케이트와 관련하여 본 발명을 설명하였지만, 본 발명은 Al, Zr, La, 및 Sr 을 포함하는 실리케이트와 같은 다른 고-k 물질에도 적용될 수 있다는 것을 이해하여야 한다. 이용될 수 있는 고-k 전구체의 예를 본 명세서에서 참조되는 미국 특허공개 제 2006/0019033 호로부터 찾아 볼 수 있을 것이다.
실리콘 전구체 역시 장치(100)로 공급될 수 있다. 하프늄 실리케이트 증착에 유용한 예시적인 실리콘 전구체는 실란, 알킬실란, 아미노실란, 알킬아미노실란, 실라놀, 또는 알콕시 실린을 포함한다. 예를 들어, 실리콘 전구체는 (Me2N)4Si, (Me2N)3SiH, (Me2N)2SiH2, (Me2N)SiH3, (Et2N)4Si, (Et2N)3SiH, (MeEtN)4Si, (MeEtN)3SiH, Si(NCO)4, MeSi(NCO)3, SiH4, Si2H6, SiCl4, Si2Cl6, MeSiCl3, HSiCl3, Me2SiCl2, H2SiCl2, MeSi(OH)3, Me2Si(OH)2, (MeO)4Si, (EtO)4Si, 또는 그 유도체를 포함할 수 있다. 실리콘 전구체로서 유용한 다른 알킬아미노실란 화합물은 (RR'N)4-nSiHn 을 포함하며, 이때 R 또는 R'는 독립적으로 수소, 메틸, 에틸, 프로필 또는 부틸이며, n=0-3이다. 다른 알콕시 실란은 (RO)4- nSiLn 의 일반화학식(generic chemical formula)으로 표시될 수 있으며, 이때 R 은 메틸, 에틸, 프로필 또는 부틸이고, L 은 H, OH, F, Cl, Br 또는 I 그리고 그 혼합물이다. 또한, 보다 고차원의(higher) 실란도 본 발명의 일부 실시예에서 실리콘 전구체로 이용될 수 있다. 보다 높은 차원의 실란은 본 명세서에 전체가 참조되는 미국 특허공개 제 2004/0224089 호에 개시되어 있다. 일부 실시예에서, 실리콘 전구체는 트리스(디메틸아미노)실란 ((Me2N)3SiH 또는 트리스-DMAS), 테트라키스(디메틸아미노)실란 ((Me2N)4Si 또는 TDMAS) 또는 다른 디알킬아미노실란을 포함할 수 있으며, 다른 실시예에서는 실리콘 전구체가 실란(SiH4) 또는 실라놀을 포함할 수 있다. 또 다른 실시예에서, 실리콘 전구체가 헥사클로로디실란(HCDS)을 포함할 수 있다. 또 다른 실시예에서, 실리콘 전구체가 테트라키스-에톡시-실란(TEOS)을 포함할 수 있다.
ALD 프로세싱에서 하프늄 실리케이트를 형성하기 위한 산화 공급원은 산소 (O2), 오존 (O3), 원자-산소 (O), 과산화수소 (H2O2), 이산화질소 (N2O), 일산화질소 (NO), 디니트로겐 퍼옥사이드 (N2O5), 니트로겐 디옥사이드 (NO2), 물 (H2O), 알콜, 그 유도체 및 그들의 조합을 포함한다. 예시적인 실시예에서, 산화 공급원은 물 (H2O)을 포함한다.
산화 공급원로서 물을 이용할 때, ALD가 촉매가 없는 경우 보다 더 빠른 속도로 그리고 더 낮은 온도에서 진행될 수 있도록, 촉매가 공급된다. 이용될 수 있 는 촉매는 암모니아 및 피리딘을 포함한다. 피리딘 및 물이 상호작용할 수 있다. 그에 따라, 물과 피리딘이 동일한 유입구 도관을 통해 챔버로 공동-유동될 때, 물과 피리딘은 챔버에 도달하기 전에 상호작용할 것이다. 물과 피리딘이 상호작용할 때, 피리딘은 촉매로서 더 이상 유효하게 작용하지 않으며, 그에 따라 ALD 증착 속도(rate)는 빨라지지 않는다.
챔버에 도달하기 전에 물과 피리딘이 상호작용하는 것을 방지하기 위해, 독립된 공급 도관을 이용하여 독립된 익젝터 플리넘(injector plenums)으로 피리딘과 물을 공동-유동시킬 수 잇다. 도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 인젝터 플리넘(108a-c)을 개략적으로 도시하고 있다. 도 1b에 도시된 바와 같이, 각 도관(118a-118d)은 독립적인 인젝터 플리넘(108a-108d)으로 공급된다. 그에 따라, 피리딘과 물이 챔버에 도달할 때까지 피리딘-물 상호작용이 방지될 것이다.
HCDS 및 TEOS와 같은 실리콘 전구체와 TDMAH, TEMAH, TDEAH, 및 HfCl4 와 같은 하프늄 전구체는 피리딘과 상호작용하지 않는다. 그에 따라, 실리콘 전구체 및 피리딘은 동일한 도관 및 인젝터 플리넘을 이용하여 챔버로 공동-유동될 수 있을 것이다. 일 실시예에서, 피리딘과 실리콘 전구체는 동일한 도관 및 인젝터 플리넘을 이용하여 챔버내로 유동될 수 있다. 다른 실시예에서, 피리딘과 실리콘 전구체가 독립적인 도관 및 인젝터 플리넘을 이용하여 챔버내로 유동될 수 있다. 또한, 하프늄 전구체 및 피리딘은 동일한 도관 및 인젝터 플리넘을 이용하여 챔버로 공동-유동될 수 있을 것이다. 일 실시예에서, 피리딘과 하프늄 전구체는 동일한 도관 및 인젝터 플리넘을 이용하여 챔버내로 유동될 수 있다. 다른 실시예에서, 피리딘과 하프늄 전구체가 독립적인 도관 및 인젝터 플리넘을 이용하여 챔버내로 유동될 수 있다.
독립적인 인젝터 플리넘 및 도관을 이용하여 챔버로 피리딘과 물을 공동-유동시키는 것에 대한 대안은, 물을 챔버내로 도입하기에 앞서서 기판을 피리딘 소크(soak)에 노출시키는 것이다. 피리딘 소크는 다른 전구체 또는 물과 같은 산화제를 도입하지 않고 기판을 피리딘에 노출시키는 것을 포함할 수 있다. 기판은 피리딘으로 기판이 포화되기에 충분한 시간 동안 피리딘에 노출될 것이다. 일 실시예에서, 피리딘 소크는 약 10 초 보다 긴 시간 동안 이루어진다. 피리딘 소크를 실시함으로서, 충분한 촉매가 챔버내에 그리고 기판 표면에 존재하게 되어, 물 전구체가 도입되었을 때 촉매가 확실하게 존재할 수 있게 보장한다. 피리딘이 챔버내에 이미 존재하기 때문에, 챔버에 도달하기 전에 물과의 상호작용에 의해 모든 피리딘이 소모되지는 않는다. 피리딘 소크가 실시되는 경우에, 추가적인 피리딘이, 필요에 따라, 산화제와 함께, 실리콘 전구체와 함께, 그리고 하프늄 전구체와 함께 공동-유동될 수 있다. 일 실시예에서, 피리딘 소크가 실시되고, 실리콘 전구체가 챔버내로 공급되고 이어서 물이 챔버내로 공급될에도 계속진행되어 챔버내로 유동된다. 다른 실시예에서, 피리딘 소크가 실시되고, 물 공급 및 실리콘 전구체 공급이 이루어지는 동안 피리딘 소크는 중단된다. 또 다른 실시예에서, 피리딘 소크가 실시되고, 하프늄 전구체가 챔버내로 공급되고 이어서 물이 챔버내로 공급될에도 계속진행되어 챔버내로 유동된다. 또 다른 실시예에서, 피리딘 소크가 실시 되고, 물 공급 및 하프늄 전구체 공급이 이루어지는 동안 피리딘 소크는 중단된다. 피리딘은 섭씨 약 100 도 내지 약 300 도와 같은 낮은 온도에서도 반응이 일어날 수 있게 한다. 일 실시예에서, 온도는 섭씨 약 150 도 내지 약 200 도이다. 온도가 낮기 때문에, 하프늄 실리케이트의 성장 속도가 빨라진다.
암모니아를 촉매로서 이용할 때, 암모니아 소크가 피리딘 소크와 관련하여 전술한 방식과 유사한 방식으로 실시된다. 암모니아는 동일한 또는 별도의 유입구를 이용하여 하프늄 및 실리콘 전구체와 함께 챔버내로 공동-유동될 수 있다. 암모니아 유동은 또한 전구체들이 챔버내로 유동되는 동안에 중단될 수도 있다. 산화 공급원이 챔버로 제공되는 동안에 암모니아가 챔버로 추가적으로 제공될 수도 있다. 암모니아는 산화 공급원으로부터 동일한 유입구 또는 별개의 유입구에 의해 제공될 수 있다. 또한, 암모니아 소크는 산화 공급원의 도입 전에 존재할 수도 있고 또는 존재하지 않을 수도 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 방법의 흐름도(200)이다. 먼저, 하나 이상의 기판이 프로세스 챔버내에 위치될 것이다(단계 202). 이어서, 기판은 피리딘 소크에 선택적으로 노출될 것이다. 피리딘 소크는 10 초 이상의 시간 동안 이루어진다. 선택적인 피리딘 소크에 이어서, 하프늄 전구체의 펄스가 챔버내로 도입된다(단계 204). 하프늄 전구체가 챔버내로 도입되는 동안에, 피리딘이 선택적으로 챔버내로 제공될 수 있다.
하프늄 전구체의 펄스에 이어서, 챔버가 퍼지되거나 및/또는 펌핑될 수 있다(단계 206). 이용될 수 있는 예시적인 퍼지 가스는 아르곤과 같은 불활성 가스 를 포함한다. 일 실시예에서, 퍼지 가스가 질소를 포함할 수 있다. 챔버내에 존재할 수 있는 모든 잔류 하프늄 전구체 및 퍼지 가스를 제거하기 위해 챔버를 펌핑한다. 일 실시예에서, 펌핑을 실시하지 않고, 단지 퍼지 단계만이 실시된다. 그 대신에, 퍼지 단계를 생략하고, 하프늄 전구체를 제거하기 위해 챔버를 펌핑할 수도 있다. 일 실시예에서, 퍼지 가스의 도입 전후에 펌핑을 실시할 수 있다. 다른 실시예에서, 퍼지 및 펑핑 모두를 반복할 수 있다. 펌핑 및/또는 퍼지는 수차례 실시될 수도 있다. 또 다른 실시예에서, 퍼지 및 펌핑이 하나의 단계에서 조합되어 실시될 수도 있다.
펌핑 및/또는 퍼지에 이어서, 피리딘 소크가 실시된다(단계 208). 제 1 피리딘 소크 후에, 물과 같은 산소 공급원 펄스가 챔버내로 도입된다(단계 210). 산소 공급원이 챔버로 도입되는 동안에, 피리딘이 챔버내로 선택적으로 공동-유동될 수 있다. 만약, 피리딘이 물과 함께 챔버내로 공동-유동되면, 피리딘 및 물은 챔버내로의 독립적인 유입구들을 가짐으로써, 물과 피리딘이 동일한 도관을 통해서 동시에 챔버내로 유동하지 않게 한다.
산소 공급원의 펄스가 챔버로 제공된 후에, 전술한 바와 같이 챔버가 다시 펌핑되고 및/또는 퍼지될 수 있다(단계 212). 펌핑 및/또는 퍼지 후에, 다른 피리딘 소크가 선택적으로 실시될 수 있다. 그 후에, 실리콘 전구체가 챔버내로 펄스화될(pulsed) 수 있다(단계 214). 실리콘 전구체가 챔버내로 도입되는 동안에, 피리딘이 챔버로 선택적으로 제공될 수 있다. 실리콘 전구체 펄스에 이어서, 챔버가 다시 펌핑 및/또는 퍼지될 수 있다(단계 216).
펌핑 및 퍼지 후에, 기판은 다른 피리딘 소크에 노출될 수 있다(단계 218). 피리딘 소크는 전술한 피리딘 소크에서와 동일한 프로세싱 조건하에서 이루어질 수 있다. 피리딘 소크 이후에, H2O와 같은 산화 공급원의 펄스가 챔버내로 도입된다(단계 220). 소크 단계로부터의 피리딘이 이미 챔버내에 존재하기 때문에, 촉매로서 작용하기에 충분한 피리딘이 존재하게 된다. 기판을 H2O와 같은 산화 공급원에 노출시킨 후에, 다른 펌핑 및/또는 퍼지 사이클이 전술한 바와 같은 동일한 조건하에서 실시될 수 있다(단계 222).
챔버를 펌핑 및/또는 퍼지한 후에, 하프늄 실리케이트의 두께가 소정(所定) 두께에 도달하였는지를 결정하기 위해 하프늄 실리케이트 층의 두께를 측정한다(단계 224). 소정 두께에 도달하지 못하였다면, 증착 시퀀스가 반복될 것이다. 소정 두께에 도달하였다면, 프로세스가 종료된다(단계 226).
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 증착 방법의 흐름도(300)이다. 먼저, 하나 이상의 기판이 프로세스 챔버내에 위치될 것이다(단계 302). 이어서, 기판은 암모니아 소크에 선택적으로 노출될 것이다. 암모니아 소크는 10 초 이상의 시간 동안 이루어진다. 선택적인 암모니아 소크에 이어서, 하프늄 전구체의 펄스가 챔버내로 도입된다(단계 304). 하프늄 전구체가 챔버내로 도입되는 동안에, 암모니아가 선택적으로 챔버내로 제공될 수 있다.
전술한 바와 같이, 하프늄 전구체의 펄스에 이어서, 챔버가 퍼지되거나 및/또는 펌핑될 수 있다(단계 306). 펌핑 및/또는 퍼지에 이어서, 암모니아 소크가 실시된다(단계 308). 암모니아 소크 후에, 물과 같은 산소 공급원 펄스가 챔버내로 도입된다(단계 310). 산소 공급원이 챔버로 도입되는 동안에, 암모니아가 챔버내로 선택적으로 공동-유동될 수 있다. 암모니아 그리고 물과 같은 산소 공급원이 동일한 도관을 통해서 또는 독립적인 도관을 통해서 챔버내로 제공될 수 있다.
산소 공급원의 펄스가 챔버로 제공된 후에, 전술한 바와 같이 챔버가 다시 펌핑되고 및/또는 퍼지될 수 있다(단계 312). 펌핑 및/또는 퍼지 후에, 다른 암모니아 소크가 선택적으로 실시될 수 있다. 그 후에, 실리콘 전구체가 챔버내로 펄스화될 수 있다(단계 314). 실리콘 전구체가 챔버내로 도입되는 동안에, 암모니아가 챔버로 선택적으로 제공될 수 있다. 실리콘 전구체 펄스에 이어서, 챔버가 다시 펌핑 및/또는 퍼지될 수 있다(단계 316).
펌핑 및 퍼지 후에, 기판은 다른 암모니아 소크에 노출될 수 있다(단계 318). 암모니아 소크는 전술한 암모니아 소크에서와 동일한 프로세싱 조건하에서 이루어질 수 있다. 암모니아 소크 이후에, H2O와 같은 산화 공급원의 펄스가 챔버내로 도입된다(단계 320). 기판을 H2O와 같은 산화 공급원에 노출시킨 후에, 다른 펌핑 및/또는 퍼지 사이클이 전술한 바와 같은 동일한 조건하에서 실시될 수 있다(단계 322).
챔버를 펌핑 및/또는 퍼지한 후에, 하프늄 실리케이트의 두께가 소정 두께에 도달하였는지를 결정하기 위해 하프늄 실리케이트 층의 두께를 측정한다(단계 324). 소정 두께에 도달하지 못하였다면, 증착 시퀀스가 반복될 것이다. 소정 두 께에 도달하였다면, 프로세스가 종료된다(단계 326).
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 증착 방법의 흐름도(400)이다. 먼저, 하나 이상의 기판이 프로세스 챔버내에 위치될 것이다(단계 402). 하프늄 전구체의 펄스가 챔버내로 도입된다(단계 404). 전술한 것과 유사한 방식으로, 피리딘이 하프늄 전구체와 함께 챔버내로 선택적으로 공동-유동될 수 있다. 하프늄 전구체 펄스에 이어서, 전술한 바와 같이, 챔버가 퍼지되거나 및/또는 펌핑될 수 있다(단계 406).
펌핑 및/또는 퍼지에 이어서, 물과 같은 산소 공급원의 펄스가 챔버로 도입될 수 있다(단계 408). 산소 공급원이 챔버로 도입되는 동안에, 피리딘이 챔버내로 공동-유동될 수 있다. 피리딘 및 물이 동일한 도관 및 유입구를 통해서 동시에 챔버내로 유동되지 않도록, 피리딘 및 물이 챔버로 연결되는 별도의 유입구를 가질 것이다.
피리딘 및 산소 공급원의 펄스가 챔버로 제공된 후에, 챔버는 전술한 바와 같이 다시 펌핑되고 및/또는 퍼지될 수 있다(단계 410). 그 후에, 실리콘 전구체가 챔버내로 펄스화될 수 있다(단계 412). 전술한 방식과 유사한 방식으로, 피리딘이 실리콘 전구체와 함께 챔버내로 선택적으로 공동-유동될 수 있다. 실리콘 전구체 펄스에 이어서, 챔버가 다시 펌핑 및/또는 퍼지될 수 있다(단계 414).
펌핑 및 퍼지 후에, H2O와 같은 산화 공급원의 펄스가 챔버내로 도입된다(단계 416). 산소 공급원이 챔버로 도입되는 동안에, 피리딘이 챔버내로 공동-유동될 수 있다. 피리딘 및 물이 동일한 도관 및 유입구를 통해서 그리고 동시에 유동되지 않도록, 피리딘 및 물은 챔버로 연결되는 별도의 유입구를 가질 것이다. 기판을 H2O와 같은 산화 공급원에 노출시킨 후에, 다른 펌핑 및/또는 퍼지 사이클이 전술한 바와 같은 동일한 조건하에서 실시될 수 있다(단계 418).
챔버를 펌핑 및/또는 퍼지한 후에, 하프늄 실리케이트의 두께가 소정 두께에 도달하였는지를 결정하기 위해 하프늄 실리케이트 층의 두께를 측정한다(단계 420). 소정 두께에 도달하지 못하였다면, 증착 시퀀스가 반복될 것이다. 소정 두께에 도달하였다면, 프로세스가 종료된다(단계 422).
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 증착 방법의 흐름도(500)이다. 먼저, 하나 이상의 기판이 프로세스 챔버내에 위치될 것이다(단계 502). 하프늄 전구체의 펄스가 챔버내로 도입된다(단계 504). 전술한 것과 유사한 방식으로, 암모니아가 하프늄 전구체와 함께 챔버내로 선택적으로 공동-유동될 수 있다. 하프늄 전구체 펄스에 이어서, 전술한 바와 같이, 챔버가 퍼지되거나 및/또는 펌핑될 수 있다(단계 506).
펌핑 및/또는 퍼지에 이어서, 물과 같은 산소 공급원의 펄스가 챔버로 도입될 수 있다(단계 508). 산소 공급원이 챔버로 도입되는 동안에, 암모니아가 챔버내로 공동-유동될 수 있다. 암모니아 및 물이 동일한 도관 및 유입구를 통해서 또는 별개의 도관 및 유입구를 통해서 공동-유동될 수 있다.
암모니아 및 산소 공급원의 펄스가 챔버로 제공된 후에, 챔버는 전술한 바와 같이 다시 펌핑되고 및/또는 퍼지될 수 있다(단계 510). 그 후에, 실리콘 전구체가 챔버내로 펄스화될 수 있다(단계 512). 전술한 방식과 유사한 방식으로, 암모니아가 실리콘 전구체와 함께 챔버내로 선택적으로 공동-유동될 수 있다. 실리콘 전구체 펄스에 이어서, 챔버가 다시 펌핑 및/또는 퍼지될 수 있다(단계 514).
펌핑 및 퍼지 후에, H2O와 같은 산화 공급원의 펄스가 챔버내로 도입된다(단계 516). 산소 공급원이 챔버로 도입되는 동안에, 암모니아가 챔버내로 공동-유동될 수 있다. 전술한 바와 같이, 암모니아 및 물이 동일한 또는 별개의 도관 및 유입구를 통해서 유동될 수 있다. 기판을 H2O와 같은 산화 공급원에 노출시킨 후에, 다른 펌핑 및/또는 퍼지 사이클이 전술한 바와 같은 동일한 조건하에서 실시될 수 있다(단계 518).
챔버를 펌핑 및/또는 퍼지한 후에, 하프늄 실리케이트의 두께가 소정 두께에 도달하였는지를 결정하기 위해 하프늄 실리케이트 층의 두께를 측정한다(단계 520). 소정 두께에 도달하지 못하였다면, 증착 시퀀스가 반복될 것이다. 소정 두께에 도달하였다면, 프로세스가 종료된다(단계 522).
기판 프로세싱과 관련하여, 다수의 기판이 프로세싱될 수 있다는 것을 이해하여야 한다. 예를 들어, 약 2개의 기판, 약 25개의 기판, 약 50개의 기판, 또는 약 100개의 기판이 배치식 챔버내에서 프로세싱될 수 있을 것이다. 또한, 피리딘 소크가 약 1 초 내지 약 90 초의 시간 동안, 또는 약 1 분 내지 약 20 분 동안 이루어질 수 있다. 그 대신에, 피리딘 소크가 약 30 초 내지 약 60 초 동안, 또는 약 20 분 내지 약 40 분 동안 이루어질 수 있다. 또 다른 대안적인 실시예에서, 피리딘 소크가 약 1 분 내지 약 40 분 동안 이루어질 수 있다.
별개의 도관 라인을 통해 피리딘 소크 및/또는 피리딘과 H2O의 공동 유동을 제공함으로써, 충분한 피리딘이 챔버 및 기판 표면에 도달할 수 있게 되고 또 피리딘이 촉매로서 작용하는 것을 보장하게 된다. H2O 산화 분위기에서 촉매로서 피리딘을 이용함으로써, 하프늄 실리케이트 ALD가 섭씨 약 150 내지 200 도의 온도에서 빠른 속도로 이루어질 수 있다. 또한, 암모니아 소크 및 암모니아와 산화 공급원의 공동-유동을 제공함으로써, 섭씨 약 150 내지 200 도의 온도에서 하프늄 실리케이트 층이 ALD에 의해 빠른 속도로 증착될 수 있다.
본 발명의 실시예들과 관련하여 설명하였지만, 본원 발명의 다른 실시예 또는 추가적인 실시예들도 특허청구범위에 의해서 결정되는 범위내에서 실시가능할 것이다.
도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 장치(100)를 도시한 개략도이다.
도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 인젝터 플리넘(108a-c)을 도시한 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 방법을 도시한 흐름도(200)이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 증착 방법을 도시한 흐름도(300)이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 증착 방법을 도시한 흐름도(400)이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 증착 방법을 도시한 흐름도(500)이다.
Claims (20)
- 고-k 실리케이트 증착 방법으로서:(a) 하나 이상의 기판을 챔버내에 위치시키는 단계;(b) 상기 하나 이상의 기판을 고-k 전구체에 노출시키는 단계;(c) 상기 하나 이상의 기판을 제 1 촉매 소크에 노출시키는 단계;(d) 상기 하나 이상의 기판을 제 1 산화 공급원에 노출시키는 단계;(e) 상기 하나 이상의 기판을 실리콘 전구체에 노출시키는 단계;(f) 상기 하나 이상의 기판을 제 2 촉매 소크에 노출시키는 단계; 그리고(g) 상기 하나 이상의 기판을 제 2 산화 공급원에 노출시키는 단계; 를 순차적으로 포함하는고-k 실리케이트 증착 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 촉매 소크에서 사용된 촉매가 피리딘과 암모니아로 이루어진 그룹으로부터 선택되는고-k 실리케이트 증착 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 실리콘 전구체가 헥사클로로디실란 및 테트라키스-에톡시-실란으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는고-k 실리케이트 증착 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 하나 이상의 기판을 퍼지 가스에 노출시키는 단계를 더 포함하는고-k 실리케이트 증착 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 고-k 전구체가 TDMAH, TEMAH, TDEAH, 및 HfCl4 로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하프늄 전구체인고-k 실리케이트 증착 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 단계(b) 내지 단계(g)를 한차례 이상 반복하는 단계를 더 포함하는고-k 실리케이트 증착 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 산화 공급원이 H2O, O3, O2, 또는 라디칼 산소로 이루어진 그룹으로부터 선택되는고-k 실리케이트 증착 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 촉매 소크에서 이용되는 촉매가 서로 동일한 촉매인고-k 실리케이트 증착 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 실리콘 전구체가 헥사클로로디실란을 포함하고,상기 제 1 및 제 2 촉매 소크가 촉매로서 피리딘을 포함하는고-k 실리케이트 증착 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 실리콘 전구체가 테트라키스-에톡시-실란을 포함하고,상기 제 1 및 제 2 촉매 소크가 촉매로서 암모니아를 포함하는고-k 실리케이트 증착 방법.
- 고-k 실리케이트 증착 방법으로서:(a) 하나 이상의 기판을 챔버내에 위치시키는 단계;(b) 상기 하나 이상의 기판을 고-k 전구체에 노출시키는 단계;(c) 상기 하나 이상의 기판을 제 1 산화 공급원 및 제 1 촉매에 노출시키는 단계로서, 상기 제 1 촉매 및 제 1 산화 공급원은 개별적인 유입구들을 통해서 챔버내로 유동되는, 단계;(d) 상기 하나 이상의 기판을 실리콘 전구체에 노출시키는 단계; 그리고(e) 상기 하나 이상의 기판을 제 2 산화 공급원 및 제 2 촉매에 노출시키는 단계로서, 상기 제 2 촉매 및 제 2 산화 공급원이 개별적인 유입구들을 통해서 챔버내로 유동되는, 단계; 를 순차적으로 포함하는고-k 실리케이트 증착 방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 촉매가 피리딘과 암모니아로 이루어진 그룹으로부터 선택되는고-k 실리케이트 증착 방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 실리콘 전구체가 헥사클로로디실란 및 테트라키스-에톡시-실란으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는고-k 실리케이트 증착 방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 하나 이상의 기판을 퍼지 가스에 노출시키는 단계를 더 포함하는고-k 실리케이트 증착 방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 고-k 전구체가 TDMAH, TEMAH, TDEAH, 및 HfCl4 로 이루어진 그룹으로부 터 선택된 하프늄 전구체인고-k 실리케이트 증착 방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 단계(b) 내지 단계(e)를 한차례 이상 반복하는 단계를 더 포함하는고-k 실리케이트 증착 방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 산화 공급원이 H2O, O3, O2, 또는 라디칼 산소로 이루어진 그룹으로부터 선택되는고-k 실리케이트 증착 방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 실리콘 전구체가 헥사클로로디실란을 포함하고,상기 제 1 및 제 2 촉매가 피리딘을 포함하는고-k 실리케이트 증착 방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 실리콘 전구체가 테트라키스-에톡시-실란을 포함하고,상기 제 1 및 제 2 촉매가 암모니아를 포함하는고-k 실리케이트 증착 방법.
- 하프늄 실리케이트 증착 방법으로서:하나 이상의 기판을 챔버내에 위치시키는 단계;상기 하나 이상의 기판을 하프늄 전구체에 노출시키는 단계;상기 하나 이상의 기판을 물 및 피리딘에 노출시키는 단계로서, 상기 물 및 피리딘은 별개의 유입구를 통해서 상기 챔버내로 유동하는, 상기 하나 이상의 기판을 물 및 피리딘에 노출시키는 단계;상기 하나 이상의 기판을 헥사클로로디실란에 노출시키는 단계; 그리고상기 하나 이상의 기판을 물 및 피리딘에 노출시키는 단계로서, 상기 물 및 피리딘은 별개의 유입구를 통해서 상기 챔버내로 유동하는, 상기 하나 이상의 기판을 물 및 피리딘에 노출시키는 단계; 를 순차적으로 포함하는하프늄 실리케이트 증착 방법.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/559,486 | 2006-11-14 | ||
US11/559,486 US7776395B2 (en) | 2006-11-14 | 2006-11-14 | Method of depositing catalyst assisted silicates of high-k materials |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20080043706A true KR20080043706A (ko) | 2008-05-19 |
KR100954027B1 KR100954027B1 (ko) | 2010-04-20 |
Family
ID=38792030
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020070112577A KR100954027B1 (ko) | 2006-11-14 | 2007-11-06 | 고―k 물질의 촉매 보조 실리케이트 증착 방법 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7776395B2 (ko) |
EP (1) | EP1925692A1 (ko) |
JP (1) | JP5219466B2 (ko) |
KR (1) | KR100954027B1 (ko) |
CN (1) | CN101187012A (ko) |
TW (1) | TWI359877B (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20210094663A (ko) * | 2018-12-20 | 2021-07-29 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 도핑된 ⅳ족 재료들을 성장시키는 방법 |
Families Citing this family (363)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7678709B1 (en) * | 2007-07-24 | 2010-03-16 | Novellus Systems, Inc. | Method of forming low-temperature conformal dielectric films |
US20100112191A1 (en) * | 2008-10-30 | 2010-05-06 | Micron Technology, Inc. | Systems and associated methods for depositing materials |
US10378106B2 (en) | 2008-11-14 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming insulation film by modified PEALD |
JP5518499B2 (ja) * | 2009-02-17 | 2014-06-11 | 株式会社日立国際電気 | 半導体デバイスの製造方法および基板処理装置 |
US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
US8802201B2 (en) * | 2009-08-14 | 2014-08-12 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
JP5722008B2 (ja) * | 2010-11-24 | 2015-05-20 | 株式会社日立国際電気 | 半導体デバイスの製造方法、半導体デバイス及び基板処理装置 |
JP5702657B2 (ja) * | 2011-04-18 | 2015-04-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
US9312155B2 (en) | 2011-06-06 | 2016-04-12 | Asm Japan K.K. | High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules |
US9793148B2 (en) | 2011-06-22 | 2017-10-17 | Asm Japan K.K. | Method for positioning wafers in multiple wafer transport |
US10364496B2 (en) | 2011-06-27 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Dual section module having shared and unshared mass flow controllers |
US10854498B2 (en) | 2011-07-15 | 2020-12-01 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer-supporting device and method for producing same |
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US9165761B2 (en) * | 2011-08-25 | 2015-10-20 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Method for manufacturing semiconductor device, method for processing substrate, substrate processing apparatus and recording medium |
US9096931B2 (en) | 2011-10-27 | 2015-08-04 | Asm America, Inc | Deposition valve assembly and method of heating the same |
US9341296B2 (en) | 2011-10-27 | 2016-05-17 | Asm America, Inc. | Heater jacket for a fluid line |
US9017481B1 (en) | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
US9167625B2 (en) | 2011-11-23 | 2015-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Radiation shielding for a substrate holder |
US9005539B2 (en) | 2011-11-23 | 2015-04-14 | Asm Ip Holding B.V. | Chamber sealing member |
US9202727B2 (en) | 2012-03-02 | 2015-12-01 | ASM IP Holding | Susceptor heater shim |
US8946830B2 (en) | 2012-04-04 | 2015-02-03 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal oxide protective layer for a semiconductor device |
US9029253B2 (en) | 2012-05-02 | 2015-05-12 | Asm Ip Holding B.V. | Phase-stabilized thin films, structures and devices including the thin films, and methods of forming same |
US8728832B2 (en) | 2012-05-07 | 2014-05-20 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor device dielectric interface layer |
US8933375B2 (en) | 2012-06-27 | 2015-01-13 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor heater and method of heating a substrate |
US9558931B2 (en) | 2012-07-27 | 2017-01-31 | Asm Ip Holding B.V. | System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface |
US9117866B2 (en) | 2012-07-31 | 2015-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for calculating a wafer position in a processing chamber under process conditions |
US9169975B2 (en) | 2012-08-28 | 2015-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for mass flow controller verification |
US9659799B2 (en) | 2012-08-28 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling |
US9021985B2 (en) | 2012-09-12 | 2015-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor |
US9324811B2 (en) | 2012-09-26 | 2016-04-26 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and devices including a tensile-stressed silicon arsenic layer and methods of forming same |
US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
US9640416B2 (en) | 2012-12-26 | 2017-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Single-and dual-chamber module-attachable wafer-handling chamber |
US8894870B2 (en) | 2013-02-01 | 2014-11-25 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-step method and apparatus for etching compounds containing a metal |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
TW201435132A (zh) * | 2013-02-22 | 2014-09-16 | Applied Materials Inc | 包含SiOC的膜的催化性原子層沉積 |
US9484191B2 (en) | 2013-03-08 | 2016-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Pulsed remote plasma method and system |
US9589770B2 (en) | 2013-03-08 | 2017-03-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species |
JP6112928B2 (ja) * | 2013-03-19 | 2017-04-12 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム |
JP6192966B2 (ja) * | 2013-04-01 | 2017-09-06 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム |
US8993054B2 (en) | 2013-07-12 | 2015-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber |
US9018111B2 (en) | 2013-07-22 | 2015-04-28 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities |
US9396934B2 (en) | 2013-08-14 | 2016-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming films including germanium tin and structures and devices including the films |
US9793115B2 (en) | 2013-08-14 | 2017-10-17 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same |
US9240412B2 (en) | 2013-09-27 | 2016-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process |
US9556516B2 (en) | 2013-10-09 | 2017-01-31 | ASM IP Holding B.V | Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT |
US9605343B2 (en) | 2013-11-13 | 2017-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming conformal carbon films, structures conformal carbon film, and system of forming same |
US10179947B2 (en) | 2013-11-26 | 2019-01-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition |
US10683571B2 (en) | 2014-02-25 | 2020-06-16 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same |
US9953830B2 (en) | 2014-03-13 | 2018-04-24 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus and recording medium |
US10167557B2 (en) | 2014-03-18 | 2019-01-01 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same |
US9447498B2 (en) | 2014-03-18 | 2016-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers |
US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
US9404587B2 (en) | 2014-04-24 | 2016-08-02 | ASM IP Holding B.V | Lockout tagout for semiconductor vacuum valve |
US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
US9543180B2 (en) | 2014-08-01 | 2017-01-10 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum |
US9890456B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
JP2016058676A (ja) * | 2014-09-12 | 2016-04-21 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
US9657845B2 (en) | 2014-10-07 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Variable conductance gas distribution apparatus and method |
KR102300403B1 (ko) | 2014-11-19 | 2021-09-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
KR102263121B1 (ko) | 2014-12-22 | 2021-06-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
US9478415B2 (en) | 2015-02-13 | 2016-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming film having low resistance and shallow junction depth |
US10529542B2 (en) | 2015-03-11 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Cross-flow reactor and method |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
JP6068539B2 (ja) * | 2015-03-25 | 2017-01-25 | 株式会社日立国際電気 | 半導体デバイスの製造方法および基板処理装置 |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
US10600673B2 (en) | 2015-07-07 | 2020-03-24 | Asm Ip Holding B.V. | Magnetic susceptor to baseplate seal |
US10043661B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-08-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film |
US9899291B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-02-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film |
US10083836B2 (en) | 2015-07-24 | 2018-09-25 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of boron-doped titanium metal films with high work function |
US10087525B2 (en) | 2015-08-04 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | Variable gap hard stop design |
US9647114B2 (en) | 2015-08-14 | 2017-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films |
US9711345B2 (en) | 2015-08-25 | 2017-07-18 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD |
US9960072B2 (en) | 2015-09-29 | 2018-05-01 | Asm Ip Holding B.V. | Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings |
US9909214B2 (en) | 2015-10-15 | 2018-03-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD |
US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
US10322384B2 (en) | 2015-11-09 | 2019-06-18 | Asm Ip Holding B.V. | Counter flow mixer for process chamber |
US9455138B1 (en) | 2015-11-10 | 2016-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas |
US9905420B2 (en) | 2015-12-01 | 2018-02-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming silicon germanium tin films and structures and devices including the films |
US9607837B1 (en) | 2015-12-21 | 2017-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process |
US9627221B1 (en) | 2015-12-28 | 2017-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Continuous process incorporating atomic layer etching |
US9735024B2 (en) | 2015-12-28 | 2017-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US9754779B1 (en) | 2016-02-19 | 2017-09-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10468251B2 (en) | 2016-02-19 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning |
US10501866B2 (en) | 2016-03-09 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system |
US10343920B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Aligned carbon nanotubes |
US9892913B2 (en) | 2016-03-24 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Radial and thickness control via biased multi-port injection settings |
US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10087522B2 (en) | 2016-04-21 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
US10032628B2 (en) | 2016-05-02 | 2018-07-24 | Asm Ip Holding B.V. | Source/drain performance through conformal solid state doping |
KR102592471B1 (ko) | 2016-05-17 | 2023-10-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US10388509B2 (en) | 2016-06-28 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of epitaxial layers via dislocation filtering |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US9793135B1 (en) | 2016-07-14 | 2017-10-17 | ASM IP Holding B.V | Method of cyclic dry etching using etchant film |
US10714385B2 (en) | 2016-07-19 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of tungsten |
KR102354490B1 (ko) | 2016-07-27 | 2022-01-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US10395919B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-08-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US10177025B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-01-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US10090316B2 (en) | 2016-09-01 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel |
US10410943B2 (en) | 2016-10-13 | 2019-09-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems |
US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10435790B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap |
US10643904B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10134757B2 (en) | 2016-11-07 | 2018-11-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US10340135B2 (en) | 2016-11-28 | 2019-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride |
KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
US9916980B1 (en) | 2016-12-15 | 2018-03-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
KR20180070971A (ko) | 2016-12-19 | 2018-06-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10655221B2 (en) | 2017-02-09 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10283353B2 (en) | 2017-03-29 | 2019-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern |
US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10103040B1 (en) | 2017-03-31 | 2018-10-16 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device |
USD830981S1 (en) | 2017-04-07 | 2018-10-16 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus |
KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10446393B2 (en) | 2017-05-08 | 2019-10-15 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10504742B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using hydrogen plasma |
US10886123B2 (en) | 2017-06-02 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
US10685834B2 (en) | 2017-07-05 | 2020-06-16 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10312055B2 (en) | 2017-07-26 | 2019-06-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing film by PEALD using negative bias |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10605530B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US10249524B2 (en) | 2017-08-09 | 2019-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US10276411B2 (en) | 2017-08-18 | 2019-04-30 | Applied Materials, Inc. | High pressure and high temperature anneal chamber |
US10236177B1 (en) | 2017-08-22 | 2019-03-19 | ASM IP Holding B.V.. | Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures |
USD900036S1 (en) | 2017-08-24 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Heater electrical connector and adapter |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10607895B2 (en) | 2017-09-18 | 2020-03-31 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal |
KR102630301B1 (ko) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치 |
US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US10319588B2 (en) | 2017-10-10 | 2019-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition |
US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
KR102443047B1 (ko) | 2017-11-16 | 2022-09-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
US11639811B2 (en) | 2017-11-27 | 2023-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus including a clean mini environment |
KR102597978B1 (ko) | 2017-11-27 | 2023-11-06 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치 |
US10290508B1 (en) | 2017-12-05 | 2019-05-14 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
TW202325889A (zh) | 2018-01-19 | 2023-07-01 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
US11482412B2 (en) | 2018-01-19 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition |
USD903477S1 (en) | 2018-01-24 | 2020-12-01 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal clamp |
US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
US10535516B2 (en) | 2018-02-01 | 2020-01-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures |
USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
WO2019158960A1 (en) | 2018-02-14 | 2019-08-22 | Asm Ip Holding B.V. | A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10658181B2 (en) | 2018-02-20 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
EP3768874A4 (en) | 2018-03-19 | 2022-03-30 | Applied Materials, Inc. | METHODS FOR DEPOSITING COATINGS ON AEROSPACE ELEMENTS |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US10510536B2 (en) | 2018-03-29 | 2019-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
WO2019209401A1 (en) | 2018-04-27 | 2019-10-31 | Applied Materials, Inc. | Protection of components from corrosion |
TWI811348B (zh) | 2018-05-08 | 2023-08-11 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構 |
TWI816783B (zh) | 2018-05-11 | 2023-10-01 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構 |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
US11270899B2 (en) | 2018-06-04 | 2022-03-08 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
JP2021529254A (ja) | 2018-06-27 | 2021-10-28 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法 |
CN112292477A (zh) | 2018-06-27 | 2021-01-29 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构 |
KR20200002519A (ko) | 2018-06-29 | 2020-01-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
US10483099B1 (en) | 2018-07-26 | 2019-11-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming thermally stable organosilicon polymer film |
US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US11009339B2 (en) | 2018-08-23 | 2021-05-18 | Applied Materials, Inc. | Measurement of thickness of thermal barrier coatings using 3D imaging and surface subtraction methods for objects with complex geometries |
KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
US10847365B2 (en) | 2018-10-11 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD |
US10811256B2 (en) | 2018-10-16 | 2020-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for etching a carbon-containing feature |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
US10381219B1 (en) | 2018-10-25 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10559458B1 (en) | 2018-11-26 | 2020-02-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming oxynitride film |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
JP2020096183A (ja) | 2018-12-14 | 2020-06-18 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
KR102638425B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-02-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 내에 형성된 오목부를 충진하기 위한 방법 및 장치 |
US11482533B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications |
KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
JP2020136677A (ja) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置 |
JP2020133004A (ja) | 2019-02-22 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材を処理するための基材処理装置および方法 |
US11742198B2 (en) | 2019-03-08 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOCN layer and method of forming same |
KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
KR20200108243A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
JPWO2020189205A1 (ja) * | 2019-03-18 | 2021-12-16 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびノズル |
JP2020167398A (ja) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置 |
KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
US11447864B2 (en) | 2019-04-19 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
EP3959356A4 (en) | 2019-04-26 | 2023-01-18 | Applied Materials, Inc. | METHODS FOR PROTECTING AEROSPACE ELEMENTS AGAINST CORROSION AND OXIDATION |
KR20200130118A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법 |
KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
US11794382B2 (en) | 2019-05-16 | 2023-10-24 | Applied Materials, Inc. | Methods for depositing anti-coking protective coatings on aerospace components |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
KR20200141002A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법 |
KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
US11697879B2 (en) | 2019-06-14 | 2023-07-11 | Applied Materials, Inc. | Methods for depositing sacrificial coatings on aerospace components |
USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
JP2021015791A (ja) | 2019-07-09 | 2021-02-12 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
CN112242296A (zh) | 2019-07-19 | 2021-01-19 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法 |
TW202113936A (zh) | 2019-07-29 | 2021-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
CN112323048B (zh) | 2019-08-05 | 2024-02-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于化学源容器的液位传感器 |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11466364B2 (en) | 2019-09-06 | 2022-10-11 | Applied Materials, Inc. | Methods for forming protective coatings containing crystallized aluminum oxide |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
TW202129060A (zh) | 2019-10-08 | 2021-08-01 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 基板處理裝置、及基板處理方法 |
TW202115273A (zh) | 2019-10-10 | 2021-04-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構 |
KR20210045930A (ko) | 2019-10-16 | 2021-04-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11450529B2 (en) | 2019-11-26 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP2021090042A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
JP2021097227A (ja) | 2019-12-17 | 2021-06-24 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化バナジウム層および窒化バナジウム層を含む構造体を形成する方法 |
US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
JP2021109175A (ja) | 2020-01-06 | 2021-08-02 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム |
KR20210095050A (ko) | 2020-01-20 | 2021-07-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
TW202146882A (zh) | 2020-02-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
TW202203344A (zh) | 2020-02-28 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 專用於零件清潔的系統 |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
US11876356B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Lockout tagout assembly and system and method of using same |
CN113394086A (zh) | 2020-03-12 | 2021-09-14 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法 |
KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
US11542597B2 (en) | 2020-04-08 | 2023-01-03 | Applied Materials, Inc. | Selective deposition of metal oxide by pulsed chemical vapor deposition |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
CN113555279A (zh) | 2020-04-24 | 2021-10-26 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构 |
TW202146831A (zh) | 2020-04-24 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法 |
KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
TW202147383A (zh) | 2020-05-19 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備 |
US11519066B2 (en) | 2020-05-21 | 2022-12-06 | Applied Materials, Inc. | Nitride protective coatings on aerospace components and methods for making the same |
KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
KR20210145080A (ko) | 2020-05-22 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치 |
TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
EP4175772A1 (en) | 2020-07-03 | 2023-05-10 | Applied Materials, Inc. | Methods for refurbishing aerospace components |
KR20220010438A (ko) | 2020-07-17 | 2022-01-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
TW202212623A (zh) | 2020-08-26 | 2022-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統 |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
TW202217037A (zh) | 2020-10-22 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
KR20220076343A (ko) | 2020-11-30 | 2022-06-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터 |
US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
Family Cites Families (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6090442A (en) * | 1997-04-14 | 2000-07-18 | University Technology Corporation | Method of growing films on substrates at room temperatures using catalyzed binary reaction sequence chemistry |
US6548047B1 (en) * | 1997-09-15 | 2003-04-15 | Bristol-Myers Squibb Medical Imaging, Inc. | Thermal preactivation of gaseous precursor filled compositions |
US6958174B1 (en) * | 1999-03-15 | 2005-10-25 | Regents Of The University Of Colorado | Solid material comprising a thin metal film on its surface and methods for producing the same |
US6613383B1 (en) * | 1999-06-21 | 2003-09-02 | Regents Of The University Of Colorado | Atomic layer controlled deposition on particle surfaces |
US6495479B1 (en) * | 2000-05-05 | 2002-12-17 | Honeywell International, Inc. | Simplified method to produce nanoporous silicon-based films |
US6713177B2 (en) * | 2000-06-21 | 2004-03-30 | Regents Of The University Of Colorado | Insulating and functionalizing fine metal-containing particles with conformal ultra-thin films |
US6818250B2 (en) * | 2000-06-29 | 2004-11-16 | The Regents Of The University Of Colorado | Method for forming SIO2 by chemical vapor deposition at room temperature |
JP5290488B2 (ja) * | 2000-09-28 | 2013-09-18 | プレジデント アンド フェロウズ オブ ハーバード カレッジ | 酸化物、ケイ酸塩及びリン酸塩の気相成長 |
DE10057009A1 (de) * | 2000-11-17 | 2002-05-29 | Celanese Ventures Gmbh | Non-Metallocene, Verfahren zur Herstellung von diesen und deren Verwendung zur Polymerisation von Olefinen |
US6391803B1 (en) * | 2001-06-20 | 2002-05-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of forming silicon containing thin films by atomic layer deposition utilizing trisdimethylaminosilane |
US9376750B2 (en) * | 2001-07-18 | 2016-06-28 | Regents Of The University Of Colorado, A Body Corporate | Method of depositing an inorganic film on an organic polymer |
KR100468729B1 (ko) * | 2002-04-25 | 2005-01-29 | 삼성전자주식회사 | Hcd 소스를 이용하여 실리콘 산화막을 원자층 증착하는방법 |
KR100505668B1 (ko) * | 2002-07-08 | 2005-08-03 | 삼성전자주식회사 | 원자층 증착 방법에 의한 실리콘 산화막 형성 방법 |
US7311942B2 (en) * | 2002-08-29 | 2007-12-25 | Micron Technology, Inc. | Method for binding halide-based contaminants during formation of a titanium-based film |
US20040084774A1 (en) * | 2002-11-02 | 2004-05-06 | Bo Li | Gas layer formation materials |
KR20140096288A (ko) * | 2002-11-15 | 2014-08-05 | 프레지던트 앤드 펠로우즈 오브 하바드 칼리지 | 금속 아미디네이트를 이용한 원자층 증착법 |
JP2004176081A (ja) * | 2002-11-25 | 2004-06-24 | Matsushita Electric Works Ltd | 原子層堆積法による光学多層膜の製造方法 |
US7553686B2 (en) * | 2002-12-17 | 2009-06-30 | The Regents Of The University Of Colorado, A Body Corporate | Al2O3 atomic layer deposition to enhance the deposition of hydrophobic or hydrophilic coatings on micro-electromechanical devices |
DE10303413B3 (de) * | 2003-01-29 | 2004-08-05 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung eines Oxidkragens für einen Grabenkondensator |
US7084076B2 (en) * | 2003-02-27 | 2006-08-01 | Samsung Electronics, Co., Ltd. | Method for forming silicon dioxide film using siloxane |
KR100564609B1 (ko) * | 2003-02-27 | 2006-03-29 | 삼성전자주식회사 | 실록산 화합물을 이용한 이산화실리콘막 형성 방법 |
US20050227007A1 (en) * | 2004-04-08 | 2005-10-13 | Bradley Alexander Z | Volatile copper(I) complexes for deposition of copper films by atomic layer deposition |
US7052990B2 (en) * | 2003-09-03 | 2006-05-30 | Infineon Technologies Ag | Sealed pores in low-k material damascene conductive structures |
US20050056219A1 (en) * | 2003-09-16 | 2005-03-17 | Tokyo Electron Limited | Formation of a metal-containing film by sequential gas exposure in a batch type processing system |
TW200530427A (en) * | 2003-10-17 | 2005-09-16 | Applied Materials Inc | Selective self-initiating electroless capping of copper with cobalt-containing alloys |
US20050095830A1 (en) * | 2003-10-17 | 2005-05-05 | Applied Materials, Inc. | Selective self-initiating electroless capping of copper with cobalt-containing alloys |
US20050161338A1 (en) * | 2004-01-26 | 2005-07-28 | Applied Materials, Inc. | Electroless cobalt alloy deposition process |
US20050252449A1 (en) * | 2004-05-12 | 2005-11-17 | Nguyen Son T | Control of gas flow and delivery to suppress the formation of particles in an MOCVD/ALD system |
KR100689824B1 (ko) * | 2004-05-14 | 2007-03-08 | 삼성전자주식회사 | 원자층 증착 기술을 이용한 금속 실리케이트막 형성 방법 |
US8323754B2 (en) | 2004-05-21 | 2012-12-04 | Applied Materials, Inc. | Stabilization of high-k dielectric materials |
US7592251B2 (en) * | 2005-12-08 | 2009-09-22 | Micron Technology, Inc. | Hafnium tantalum titanium oxide films |
-
2006
- 2006-11-14 US US11/559,486 patent/US7776395B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-11-06 KR KR1020070112577A patent/KR100954027B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2007-11-09 JP JP2007292450A patent/JP5219466B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2007-11-09 EP EP07021811A patent/EP1925692A1/en not_active Withdrawn
- 2007-11-13 TW TW096142912A patent/TWI359877B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-11-14 CN CNA2007101871014A patent/CN101187012A/zh active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20210094663A (ko) * | 2018-12-20 | 2021-07-29 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 도핑된 ⅳ족 재료들을 성장시키는 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI359877B (en) | 2012-03-11 |
EP1925692A1 (en) | 2008-05-28 |
JP5219466B2 (ja) | 2013-06-26 |
CN101187012A (zh) | 2008-05-28 |
KR100954027B1 (ko) | 2010-04-20 |
US20080113096A1 (en) | 2008-05-15 |
US7776395B2 (en) | 2010-08-17 |
JP2008142702A (ja) | 2008-06-26 |
TW200831696A (en) | 2008-08-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100954027B1 (ko) | 고―k 물질의 촉매 보조 실리케이트 증착 방법 | |
KR100980900B1 (ko) | 저온 원자층 증착 SiO₂ | |
CN109943827B (zh) | 气体供给喷嘴、衬底处理装置及半导体器件的制造方法 | |
US8753984B2 (en) | Method and apparatus for forming silicon nitride film | |
KR101454603B1 (ko) | 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 | |
KR101977522B1 (ko) | 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체 | |
KR101193628B1 (ko) | 저온 실리콘 화합물 증착 | |
CN1712560B (zh) | 使用垂直cvd装置的cvd方法 | |
KR20180026685A (ko) | 실리콘 옥사이드 박막의 고온 원자층 증착 | |
KR101509453B1 (ko) | 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 | |
KR20180014661A (ko) | 질화막의 형성 방법 및 형성 장치 | |
KR20080050510A (ko) | 배치 ald 반응기에 대한 처리 공정 | |
EP2193541A1 (en) | Method of forming silicon-containing films | |
KR20140034071A (ko) | 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체 | |
CN106356289B (zh) | 气体供给喷嘴、衬底处理装置及半导体器件的制造方法 | |
KR20220003470A (ko) | 불소 억제제를 사용하여 실리콘 질화물과 실리콘 산화물을 증착하는 방법 | |
TW202230514A (zh) | 半導體裝置的製造方法,基板處理方法,基板處理裝置,及程式 | |
WO2017056155A1 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置および記録媒体 | |
US10720325B2 (en) | Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus and non-transitory computer-readable recording medium | |
CN112640061A (zh) | 基板处理装置、半导体装置的制造方法及程序 | |
US11970769B2 (en) | Cyclical deposition methods |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130329 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |