TWI359130B

TWI359130B -

Info

Publication number: TWI359130B
Application number: TW094129778A
Authority: TW
Inventors: Takuji Yoshimoto; Go Ono
Original assignee: Nissan Chemical Ind Ltd
Priority date: 2004-08-31
Filing date: 2005-08-30
Publication date: 2012-03-01
Also published as: EP1785413A4; CN101039899A; US7862747B2; EP1785413B1; KR20130006527A; JP4883297B2; CN101039899B; WO2006025342A1; US20080029742A1; EP1785413A1; JPWO2006025342A1; KR20070051288A; TW200615254A; KR101241253B1

Description

1359130 (1) 九、發明說明【發明所屬之技術領域】本發明有關芳基磺酸化合物及將該化合物做爲電子接受性物質之利用。此種利用而言，有：含有由芳基磺酸化合物所成電子接受性物質之清漆（varnish)，使用該清漆所電荷傳遞性薄膜、或使用該電荷傳遞性薄膜之有機電致發光（electroluminescence)(以下，簡稱有機 EL)元件【先前技術】有機EL元件，特別是低分子系有機EL (以下，簡稱 ' 0LED (有機發光二極體））元件，係由伊士曼柯達（ • Eastman K〇dak )社硏究利用有機層的極薄膜化、多層化之功能分離者’結果達成驅動電壓之大幅降低等，大爲提升其特性（非專利文獻1:應用物理學通訊（Applied # Physics Letters )’ 美國，1 98 7 年出版，第 5 I 卷，第 91 3 至915頁）。又’由劍橋（Cambridge )大學發現使用高分子發光材料之有機EL·(以下，簡稱pLED (聚合物發光二極體） )元件（非專利文獻2 :自然科學（Nature )、英國、 1990年出版，第347卷，第539至541頁），近年來的高分子有機EL元件的特性，已提升至能與在來的OLED元件比美的程度。於上述0LED元件中，由於作爲空穴注入層（hole ⑧ -5- (2) 1359130 injection layer)而設置銅酞菁（Cupper phthalo cyanine )(CuPC )層，即可實現驅動電壓的降低或發光效率之提升等初期特性之提升，甚至壽命特性之提升的報告（非專利文獻3:應用物理學通訊，美國，1996年，第69卷，第 2160 至 2162 頁）。另一方面，在PLED元件方面，如將聚苯胺系材料（非專利文獻4 :自然科學（Nature)、美國、1 992年出版 • ，第357卷，第477— 479頁，應用物理學通訊（Applied Physics Letters)，美國，1 994 年出版，第 64 卷，第 1 24 5至1 24 7頁）或聚塞吩系材料（非專利文獻5 :應用物理學通訊（Applied Physics Letters)，美國，1998 年、出版，第 72卷，第2660 — 2662 )作爲空穴傳遞層（hole . transfer layer)(緩衝層）使用，則可得與OLED元件同樣的效果之報告。再者，於此等元件的陰極側上，如將金屬氧化物（非 φ 專利文獻6:電氣及電子工程師學會電子裝置交易記錄（ IEEE Transactions on Electron Devices )，美國，1 997 年出版，第44卷，第1245至1248頁），金屬鹵化物（非專利文獻7:應用物理學通訊（Applied Physics Letters) ’美國’ 1997年出版，第70卷，第152頁至第154頁），金屬錯合物（非專利文獻8 :應用物理學日本期刊（ Japanese Journal of Applied Physics ) ，1 999 年出版，第 38卷，第L〗 348至第1 3 50頁）作爲電子注入層（ electron injection layer)使用，則發現能提升初期特性之 -6- (3) 1359130 • 事實’於是此等電何注入層、緩衝層即普遍被採用。最近發現，開發一種使用低分子低聚苯胺之有機溶液系的電荷傳遞性清漆，如插入使用該清漆所得空穴注入層 ’即會呈現優異的EL元件特性之事實（專利文獻1:曰本專利特開2002 - 1 5 1 272號公報）。然而，於OLED元件之屬於一般性空穴注入材料之 Cu PC係由於其凹凸情形厲害，如微量混入於其他有機層 φ 時，則有大幅降低特性等的缺點。又，現在，用爲PLED元件之聚苯胺系材料、聚噻吩系材料中，存在有：將有可能促進元件劣化的水作爲溶劑而含有，溶劑的選擇性有限，因材料的凝聚或低溶解性之 1 故能製得均句的成膜之塗佈法受限制等問題。再者，使用含有溶解性高的低分子低聚苯胺系材料之有機溶劑系的電荷傳遞性清漆時，亦會發生能使用電子接受性摻質種類將受限制、電子接受性物質的耐熱性及非晶 φ 性較低等問題。於含有低分子量的電荷傳遞性物質及電荷接受性摻雜物質之電荷傳遞性清漆，特別是含有結晶性物質之清漆中，一般係難於呈現高平坦性之成膜者。專利文獻1 :日本專利特開2002 - 1 5 1 272號公報非專利文獻1:應用物理學通訊（Applied Physics Letters)，美國，1 9 8 7年出版，第51卷，第913至915 頁非專利文獻2 :自然科學（Nature )，美國，1 990年出版，第3 47卷，第5 3 9至541頁 (4) (4)1359130 非專利文獻3 :應用物理學通訊（Applied Physics Letters)，美國，1 996年出版，第69卷，第2160至 2162 頁非專利文獻4:自然科學（Nature)，美國，1 992年出版，第357卷，第477至479頁非專利文獻5:應用物理學通訊（Applied Physics Letters)，美國，1 994年出版，第 64卷，第1 245至 1 247 頁非專利文獻 6 :應用物理學通訊（Applied Physics Letters)，美國，1 998年出版，第 72卷，第 2660至 2662 頁非專利文獻7:電氣及電子工程師學會電子裝置交易記錄（IEEE Transactions on Electron Devices)，美國， 1997年出版，第44卷，第1245至1248頁非專利文獻 8 :應用物理學日本期刊（Japanese Journal of Applied Physics) ，1 999 年出版，第 38 卷，第 L1348 - 1350 頁【發明內容】發明所欲解決之課題本發明係鑑於上述情況所開發者，以提供一種能實現高的均勻成膜性’特別是適用於OLED元件及PLED元件時，能實現低驅動電壓、高發光效率、長耐用壽命化等優異的EL·元件特性之作爲電子接受性物質合適的芳基磺酸 -8 - (5) 1359130 化合物爲目的。用以解決課題之手段本發明人等，爲達成上述目的而專心硏究之結 ’可以一般式（1)表示之芳基磺酸化合物係耐熱呈現非晶性，且可溶於N，N —二甲基甲醯胺（以下 DM F )等有機溶劑的材料，及如將此等芳基磺酸化電荷傳遞主（host )物質組合時，該化合物即接受遞性主物質所具有之電子而能提升電荷傳遞性之故爲0LED元件等的空缺注入層使用時，能實現低電 '發光效率之提升之事實。再者，發現如將該化合物與結晶性的電荷傳遞質組合使用時，則所得電荷傳遞性薄膜可呈現高的之事實。因而，本發明將提供下述[1]至[6]項。 [1] 一種芳基磺酸化合物，其特徵爲：可以一 )或（2 )表示。 W匕1]

[式中，X表示0、S或NH，A表示可具有X (S03H)基以外的取代基之萘環或蒽環、B表示非取代的烴基、1，3,5 -三哄基、或者非取代或取代的述式（3 )或（4 ) 果發現性高，，簡稱合物與電荷傳，當作壓驅動性主物非晶性式（1 (2) 及η個取代或可以下 -9- (6) [化2]

WO (3) 表示之基（式中，w1及w2分別獨立表示結合有〇、 S、S(〇)基、5(〇2)基、或者非取代或取代基之N'Si 、P、P(0)基。），n表示結合於A之磺基之數，而滿足之整數，q表示b與X的結合之數，而滿足1 之整數’ r表示重複單價的數，而滿足l$r之整數。] [2] 如[1]之芳基磺酸化合物，其中該B係2價或3價的取代或非取代的苄基、2價的取代或非取代的對苯二甲基、2價或3價的取代或非取代的萘基、2價或3價的 1，3,5—三畊基、2價的取代或非取代的二苯基磺酸基、2 至4價的全氟代聯苯基、2價的取代或非取代的2,2-雙 ((經基丙氧）苯基）丙基、或者取代或非取代的聚乙基节基。 [3] —種電子接受性物質，其特徵爲：由[I]或[2]的芳基磺酸化合物所成》 [4] 一種電荷傳遞性清漆，其特徵爲：含有[3]的電子接受性物質、電荷傳遞性物質、以及溶劑。 [5] —種電荷傳遞性薄膜’其特徵爲：含有[3]的電子接受性物質、及電荷傳遞性物質。 [6] —種有機電致發光元件，其特徵爲：具有[5]的電 ⑧ -10- (7) (7)1359130 荷傳遞性薄膜。發明之效果本發明之芳基磺酸化合物，不僅能在室溫下顯示非晶質固體（amorphous solid )性，由於對各種有機溶劑之溶解性高之故，使用作爲摻質而含有此種化合物之有機溶劑系的電荷傳遞性清漆，即可容易製造非晶體固體薄膜。又，將含有本發明之芳基磺酸化合物所形成之薄膜，作爲空穴注入層或空穴傳遞層使用，則除能使有機EL元件的驅動電壓，使發光電流效率提升之外，尙可得均勻的發光面。再者，本發明之芳基磺酸化合物，係與在來所使用之水溶液系的電荷傳遞性清漆不相同，可僅以有機溶劑使用 ’亦能防止因對EL元件內的水分混入所引起之元件劣化〇將本發明之芳基磺酸化合物作爲電子接受性摻質物質所含之有機溶劑系的電荷傳遞性清漆，亦可應用於電容器電極保護膜、帶電防止膜、離子傳導膜、太陽電池用途以及燃料電池等方面。發明之最佳實施形態 &下，就本發明再加以詳細說明。可以一般式（1)或（2)表示之芳基磺酸化合物中， A表示可具有X及η個（S03H )基以外的基之萘環或蒽環 -11 - (8) 1359130 在此，X及（S03H)基以外的取代基之可例舉：羥基、胺基、矽烷醇基、毓基、殘酸基、磷酸酯基、酯基、硫酯基、醯胺基、基、有機氧基、有機胺基、有機單矽烷基、基、磺酸基、鹵素原子等，惟並不限定於此一價烴基之具體例而言，可例舉：甲基基、異丙基、正丁基、異丁基、第三丁基、基、2 —乙基己基、癸基等烷基·，環戊基、基；聯二環己基等聯二環烷基；乙烯基、I-丙嫌基、異丙稀基、]一甲基一2_丙稀基、丁烯基、己烯基等鏈烯基；苯基、二甲苯基苯基、萘基等芳基；苄基、苯乙基、苯基環等或此等一價烴基的氫原子的一部分或全部、羥基、烷氧基、磺基等所取代者。有機氧基之具體例而言，可例舉：烷氧芳氧基等，而此等的烷基、烯基以及芳基而述例示之取代基相同者。有機胺基之具體例而言，可例舉：甲胺丙胺基、丁胺基、戊胺基、己胺基、庚胺基胺基、癸胺基、月桂胺基等烷胺基；二甲胺、二丙胺基、二丁胺基、二戊胺基、二己胺、二辛胺基、二壬胺基、二癸胺基等二烷胺基等二環烷胺基；嗎啉基等。 .具體例而言，基、磺基、磷硝基、一價烴有機硫基、醯等。、乙基、正丙正己基、正辛環己基等環烷 -丙烯基、2-1 或 2或 3 -、甲苯基、聯己基等芳烷基爲被鹵素原子基、烯氧基、言，可舉與上基、乙胺基、、辛胺基、壬基、二乙胺基基、二庚胺基基；二環己胺 (9) 1359130 有機單矽烷基之具體例而言，可例舉：三甲基矽烷基、三乙基矽烷基、三丙基矽烷基、三丁基矽烷基、三戊基矽烷基、戊基二甲矽烷基、己基二甲矽烷基、辛基二甲矽烷基、癸基二甲矽烷基等。有機硫基之具體例而言，可例舉：甲硫基、乙硫基、丙硫基、丁硫基、戊硫基、己硫基、庚硫基、辛硫基、壬硫基、癸硫基、月桂硫基等烷硫基。 φ 醯基之具體例而言，可例舉：甲醯基、乙醯基、丙醯基、丁醯基、異丁醯基、戊醯基、異戊醯基、苄醯基等。於上述一價烴基、有機氧基、有機胺基、有機單矽烷基、有機硫基以及醯基等中之碳數，雖並不特別限定，惟 '' —般爲碳數1至20，較佳爲1至8。 . 上述的各取代基中，更佳爲氟、磺基，取代或非取代之有機氧基、烷基、有機單矽烷基。在此’非取代係指結合有氫原子之意。又，於以上的 φ 取代基中’可包含取代基互相連結而成爲環狀之部分。 X表示〇、S或NH，惟其中較佳爲 B表示非取代或取代的烴基、1，3,5_三畊基、或者非取代或取代之可以下述式（3)或（4)表示之基。 ⑧

-13- (3) (10) (10)!35913〇 (式中’W1及W2分別獨立表示經結合〇、s、S(0 )基' S(〇2)基或者非取代或取代基之N、Si、P、 p ( Ο )基。）如欲達成耐久性之提升及電荷傳遞性之提升，則B較佳爲含有一個以上的芳香環之2價以上的非取代或取代的烴基、2價或3價的1，3,5_三畊基、取代或非取代的2價 ~~苯基擴酸基、特別爲2價或3價的取代或非取代节基、 2價的取代或非取代對二甲苯基、2價或3價的取代或非取代苯基、2價或3價的1,3,5 —三哄基、2價的取代或非取代二苯基磺酸基、2至4價的全氟代聯苯基、2價的取代或非取代2,2-雙（（羥基丙氧）苯基）丙基、取代或非取代聚乙烯基苄基很合適。 η表示經結合於本身爲芳基骨架之磺基數，只要是能滿足1 S n S 4的整數，則並不特別限定，惟如考慮對該化合物與高電子接受性及高溶解性，則較佳爲1至 q表不Β與X的結合數’只要是能滿足igq的整數 ’則並不特別限定，惟較佳爲2 S q。 r表示重複單價的數，只要是能滿足lgr的整數，則並不特別限定，惟較佳爲2 g r。可以一般式（1)或（2)表示之芳基磺酸化合物的製造方法而言，可例舉下述方法。亦即’對下述芳基磺酸化合物（5)或（6)的χΗ基 ’使能賦與上述B(交聯）之試藥進行作用，即可製得。反應方法’並不特別限定，惟可採用例如，一般性親核取 -14- (6) (11)1359130 代 nucleophilic sustitution)反應。 [化4]

A——XH (5) (S〇3H)n HX—A——XH (S〇3H)n 此種試藥而言，可例舉：經以鹵素原子、經基、胺基、醛基、羧基、酯基、或烷氧基所取代之烴化合物等，惟如上述B的說明中所述，爲提升耐熱性、電荷傳遞性、或 ® 對有機溶劑之溶解性等起見，較佳爲含有一個以上之芳香環之化合物。又’如使用含有鹵素原子、羥基、胺基、醛基、殘基、酯基、烷氧基等取代基2個以上之碳化氫化合物等，則該化合物會作爲交聯試藥作用之故，亦可作成具有交聯構 ' 造之化合物如使用具有q個以上之反應性取代基（交聯部 )之試藥，以進行一般式（5)的化合物之q量化時，試藥的使用量，較佳爲對一般式（5)的化合物之Ι/q倍莫 #耳。能與芳基磺酸化合物（5)或（6)的XH基進行反應之試藥而言，可例舉：苯甲醛、安息香酸、安息香酸酯、 1—萘甲醛、2_萘甲醛、2,4,6 —三甲氧一H5 —三畊、雙（4 一氟代苯基）碩、雙（4 一氟代—3 —硝苯基）碩、全氟代聯苯、2,2—雙（4-縮水甘油氧苯基）丙烷、聚氯乙烯二苯乙二酮等。在使芳基磺酸化合物（5)或（6)與上述試藥進行反應時，亦可使用觸媒。觸媒而言，可使用例如··鋰、評、 -15- (12) (12)1359130 氣化鋰、氫化鈉 '第三丁氧鋰、第三丁氧鈉、第三丁氧鉀、鍵一一異丙基醯胺、正丁基鋰、第二丁基鍾、第三丁基鋰、六甲基二矽氮鍵化（si丨azide)鋰、六甲基二矽氮鍵化鈉、六甲基二矽氮鍵化鉀、氫氧化鋰、氫氧化鈉、氫氧化鉀 '氫氧化鋇、氧化鋇、碳酸鋰、碳酸鈉、碳酸鉀、碳酸鈽、碳酸鈣、碳酸氫鈉、三乙胺、二異丙基乙胺、四甲基伸乙二胺、三伸乙二胺、吡啶、二甲基胺基吡啶、咪唑等鹼；鹽酸、硫酸、五氧化二磷 '氯化鋁（ΙΠ )'三氟化硼二乙基醚錯合物、二氯化乙基鋁、氯化二乙基鋁等的脫水縮合劑（dehydvation condensing agent)等，其中較佳爲使用氫化鈉、碳酸鈉、碳酸鉀。此等觸媒的使用量並不特別限制，惟較佳爲對一般式（5 )或一般式（6 )的化合物使用1 . 0至1 . 5倍。反應溶劑，較佳爲例如，DMF (二甲基甲醯胺）、 DMAc (二甲基乙醯胺）、NMP (N—甲基吡咯烷酮）、 DMI (二甲基咪唑啉）、DMSO (二甲基亞硕）、THF (四氫呋喃）、二吗烷等。由於芳基磺酸化合物係對有機溶劑之溶劑之溶解性低之故，較佳爲採用對此等化合物的溶解能較高，熱分解性較低的溶劑來看，上述溶劑中，DMI、 NMP較合適。反應溫度，通常可能在從-50 °C至所使用之溶劑的沸點，惟較佳爲在〇至140 °C的範圍。反應時間爲通常在 0.1至100小時〇反應完成後，可由反應溶劑的餾除’使用陽離子交換樹脂之磺酸鹽的質子化、使用甲醇等溶劑之萃取操作’再 -16- ⑧ (13) 1359130 沈澱操作等，加以精製。另外，可以本發明之一般式（1)或（2)表示之芳基磺酸化合物的其他合成物而言，可藉由對芳基化合物使用濃硫酸、發煙硫酸、鹵硫酸之一般性磺酸化反應而製得芳基磺酸化合物。可以本發明之一般式（I)表不之芳基擴酸化合物，亦可再藉由具有交聯基之化合物而進行交聯，以作成可以 —般式（7)表示之芳基磺酸化合物。 [化5]

(7) (式中，A' B、X、η以及q，表示與上述者同樣意義。Q1表示經結合氫原子、鹵素原子、S、S(〇)基、 S(〇2)基、非取代或取代基之N、Si、p、P(〇)基、非取代或取代的烴基、1，3,5-三哄基、或者取代或非取代的可以上述一般式（3)或一般式（4)表示之基，J係與 Q1的價數相等而能滿足lSz1之整數。）具體而言’較佳爲使用：間苯二酚（res〇rcinM)、間苯三酌（phloroglucinol) 、2,2_雙（4 —經苯基）六氣代丙烷、八氟代一 4,4 —聯苯酚、（丨，1’一聯苯基）_ 4,4, —二醇、4,4·—亞乙基雙酚、4,4·—環亞己基雙酚' 4 4,_ (14) (14)1359130 環亞戊基雙酚、4,4，—（苯基亞甲基）雙酚、4,4,一（I~ 苯基亞乙基）雙酚、4,4，—亞甲甲基雙酚、4，4,一（2-甲基亞丙基）雙酚、4，4，一亞甲基雙（2—氟代苯酚）、4,4, 一異亞丙基雙（2 —氟代苯酚）、4,4, 一 [(4 一氟代苯基）亞甲基]雙（2—氟代苯酚）、4,4，一[2,2,2_三氟代—1一 (三代甲基）亞乙基]雙酚、4，4，_ (二苯基亞甲基）雙酚、4,4'一二羥基一對聯三苯、4〆，-羥基雙酚、4 4，_ ( 二苯基亞矽烷基）雙酚等使用交聯。再者’可以本發明之一般式（])表示之芳基磺酸化合物’亦可由具有交聯基之高分子化合物而使其交聯，以作成可以下述一般式（8)或一般式（9)表示之芳基磺酸化合物。此等，合適的高分子交聯劑而言，可舉：聚（4 -羥基苯乙烯）、酚醛清漆樹脂等。

(式中，A、B、X、n以及q，表示與上述同樣意義。z2係能滿足1 $ z2之整數、z3係能滿足〇 $ z3之整數而能滿足1芸z2 + z3S 1 0000者。） (15) 1359130 [化7]

• (式中，A、B、x、n以及q，表示與上述者同樣意義。至R3分別獨立表示氫原子、非取代或取代的—價烴基 '或豳素原子’ 表示非取代或取代的2價以上的烴基、2價或3價的]，3,5一三啡基 '或者取代或非取代之可 '' 以上述—般式（3)或—般式（4)表示之基，Q3表示非取 ―; 代或取代的一價烴基、I3,5一三哄基、或者取代或非取代之可以上述一般式（3)或一般式（4)表示之基，而z4 係與（Q2的價數一1 )同樣，能滿足1客Z4之整數，t〗係 Φ 能滿足is"的整數、t2係能滿足〇 st2之整數而能滿足】 S t】+t2 $ 1 0000 者）。可以上述一般式（1) 、（2)以及（6)至（9)表示之芳基碯酸化合物，係具有電子接受性，而可以適合使用爲電子接受性物質。本發明中，電荷傳遞性清漆，係溶劑中含有屬於電荷傳遞機構的本體之電荷傳遞性物質、與可以上述一般式（ 1) 、（2)以及（6)至（9)的任一中表示之電子接受性物質的至少2種物質者。電子接受性物質’係爲提升電荷 ⑧ -19- (16) 1359130 傳遞能力及成膜均勻性所用者，而與電荷接受性接質物質同義意。本發明之電荷傳遞性清漆中，此等物質可由溶劑完全所溶解，或可均勻所分散。又，電荷傳遞性，係與電導性同意義者，而本發明中則與空穴傳遞性同義意者。電荷傳遞性清漆，可爲其本身具有電荷輸送性者，或可爲從清漆所得固態膜中具有電荷 φ 傳遞性者。可用於本發明之電荷傳遞性物質’只要是能因溶劑而可溶解或均勻分散之電荷傳遞性低聚物或聚合物則並γ胃別限定，惟較佳爲具有一種連續之共軛單價之低聚物、$ ·. 具有相異的連續之共軛單價的組合之低聚物。共軛單價，只要是能傳遞電荷之原子、芳香環、共冑基則並不特別限制，惟較佳爲可例舉：取代或非取代％ 2 至4價的苯胺基、噻吩基、呋喃基、吡咯基、亞乙炔基、 φ 亞烯基、亞苯基、萘基、噚二唑基、喳寧基、硫代環戊二烯（siole ) '矽原子、吡啶基、亞乙烯亞苯基、薄基、昨唑基、三芳胺基、金屬或無金屬酞菁基以及金屬或無&_ 口卜啉（porphyrin)基等。取代基之具體例而言，可例舉：分別獨立之氫基、胃基、鹵素基 '胺基、矽烷醇基、疏基、羧基、磺基、憐酸基、磷酸酯、酯基、硫酯基、醯胺基、硝基、一價羥基、有機氧基、有機胺基、有機單矽烷基、有機硫基、、磺酸基等，此等官能基，可再以任何官能基所取代。 -20- (17) 1359130 一價烴基之具體例而言，可例示：甲基、異丙基、正丁基、異丁基、第三丁基基、2—乙基己基、癸基等烷基；環戊基基；聯二環己基等聯二環烷基；乙烯基、丙烯基、異丙烯基、1 一甲基-2 —丙烯基丁烯基 '己烯基等鏈烯基：苯基、二甲苯本基、萘基等芳基；节基、苯乙基、苯基 φ 等或此等一價烴基的氫原子的一部分或全、羥基，烷氧基所取代者。有機氧基之具體例而言，可例舉：烷芳氧基等，而此等院基、嫌基以及芳基而例示之基相同者。有機胺基的具體例而言，可例舉：甲 r 丙胺基、丁胺基、戊胺基、己胺基、庚胺胺基、癸胺基、月桂胺基等烷胺基等烷胺 φ 二乙胺基、二丙胺基、二丁胺基、二戊胺二庚胺基、二辛胺基、二壬胺基、二癸胺二烷胺基；二環己胺基等二環烷胺基；嗎【有機單矽烷基之具體例而言，可例舉、三乙基矽烷基、三丙基矽烷基、三丁基矽烷基、戊基二甲矽烷基、己基二甲基矽矽烷基、癸基二甲矽烷基等。有機硫基之具體例而言，可例舉：甲丙硫基、丁硫基、戊硫基、己硫基、庚硫基、乙基、正丙、正己基、正辛、環己基等環烷 1 _丙烯基、2 — 、：1或2或3 — 基、甲苯基、聯環己基等芳烷基部爲被鹵素原子氧基、烯氧基、言，可舉與上述胺基、乙胺基、基、辛胺基、壬等；二甲胺基、基、二己胺基、基等二烷胺基等林基等。 :三甲基矽烷基矽烷基、三戊基烷基、辛基二甲硫基、乙硫基、基、辛硫基 '壬 -21 - (18) 1359130 硫基、癸硫基、月桂硫基院硫基。醯基之具體例而言，可例舉：甲醯基、乙醯基、丙醯基' 丁醯基、異丁醯基、戊醯基、異戊醯基、苄醯基等。於上述一價烴基、有機氧基 '有胺基、有機單矽烷基 '有機硫基以及醯基等中之碳數，雖並不特別限定，惟一般爲碳數1至20，較佳爲1至8。作爲較佳的取代基，可例舉：氟、磺基，取代或非取代之有機氧基、烷基、有機單矽烷基。在此，共軛單價互相連結所形成之共軛鏈，可包含成爲環狀之部分》電荷傳遞性物質之數平均分子量，爲提高溶解性起見，較佳爲5,000以下，爲呈現低揮發性及電荷傳遞性，較佳爲分子量200以上。至少對一種溶劑能顯示高溶解性之物質爲佳’只要是對至少一種溶劑顯示高溶解性之物質，則可爲數平均分子量5,000至500,〇〇〇者。電荷傳遞物質而言，特別是日本專利特開2002-1 5 1 272號公報所記載之低聚物苯胺衍生物很適用使用。亦即，可以一般式（10)表示之低聚物苯胺衍生物很適用。在此，下述R7至R14中之一價烴基、有機氧基及醯基而言，可舉：與前述之取代基同樣者。 [化8] 1 r r5i (10) r4--d1-nh--d2-n--R6 (式中，R4表示氫原子、一價烴基' 或有機氧基、R5 -22- (19) 1359130 及R6分別獨立表示氫原子或一價烴基，D1及d2係分別獨立而可以下述一般式（11)或（12)

表示2價的基’R7至R14分別獨立示氫、經基、—價烴基 '有機氧基、醯基、或磺基、而5及t係分別立之】以上的整數，而滿足s + t$20者。）再者，由於如儘量擴張分子內之7Γ共輕系時，可提升所得電荷傳遞性薄膜的電荷傳遞性之故，特佳爲使用 —般式（13)表示之低聚物苯胺衍生物、或其氧化物之苯醌二亞胺衍生物。另外，於一般式（13)的2個苯環中，付以同一符號之取代基，可爲同時相同或不相同。

[化 10]

(13) (式中，R4至R^、s及t，表示與上述同樣意義。）一般式（10)及（13)中，爲發揮良好的電荷傳遞性起见，s + t較佳爲4以上，而爲確保對溶劑之溶解性起見 -23- (20) (20)1359130 ，較佳爲1 6以下。再者，如R4爲氫原子，且R6爲苯基時，亦即，一般式（13)的低聚物苯胺衍生物的兩末端，較佳爲經以苯基所封閉。此等電荷傳遞性物質可僅使用I種，亦可組合2種以上物質使用。可以上述式（1 3 )表示之化合物的具體例而言，可例舉：苯基四苯胺、苯基五苯胺、四苯胺（苯胺4聚物）、八苯胺（苯胺8聚物）等可溶於有機溶劑之低聚苯胺衍生物。再者，其他的電荷傳遞性物質之合成物而言，並不符別限定，惟可例舉：文獻，日本化學學會通報（Bulletin of Chemical Society of Japan ) ，1994 年出版，第 67 卷，第1749至1752頁，合成金屬（Synthetic Metals)，美國，1997年出版，第84卷，第119至120頁所記載之低聚苯胺合成法、或例如，文獻，雜環物（Heterocycles)、 1 98 7年出版，第26卷，第 939至942頁，雜環物（ Heterocycles) 、1 987 年出版，第 26 卷，第 1 793 至 1796 頁所記載之低聚噻吩合成法等。於本發明之電荷傳遞性清漆中，亦可對該清漆所使用之溶劑全體按5至1 00重量％的比例使用能良好溶解電荷傳遞性物質及電荷接受性物質之高溶解性溶劑。此時’較佳爲該清漆係經以高溶解性溶劑而成爲完全所溶解’或均勻所分散之狀態。 -24- (21) (21)1359130 高溶解性溶劑而言，並不特別限定，惟可例舉：水、甲醇、N，N—二甲基甲醯胺、N，N-二甲基乙醯胺、N —甲基吡咯烷酮、Ν,Ν’ -二甲基咪唑烷、二甲基亞硯、氯仿、甲苯、甲醇等。 ’ 又，本發明之電荷傳遞性清漆，較佳爲至少含有一種在20°C下具有10至200mPa· s的黏度，在常壓下之沸點 50至300°C的高黏度有機溶劑。再者，電荷傳遞性清漆，如含有在20 °C下具有50至15 OmPa. s的黏度，在常壓下之沸點150至250°C的有機溶劑，則很適用。高黏度有機溶劑而言，並不特別限制，可例舉：環己醇、乙二醇、乙二醇二縮水甘油醚、1,3 —辛二醇、二乙二醇、二丙二醇、三乙二醇、三丙二醇、1，3_ 丁二醇、 1，4 — 丁二醇、丙二醇、己二醇等。對於用於本發明之清漆之溶劑全體之高黏度有機溶劑的添加比例，較佳爲不會析出固體之範圍內，在不會析出固體之範圍內，添加比例可作爲5至80質量％。另外，爲對基板之潤濕性的提升，溶劑的表面張力之調整、極性的調整、沸點的調整等目的，亦可對該清漆所使用之溶劑全體按1至90質量％，較佳爲1至50質量％的比例混合能在燒成時賦與膜的平坦性之其他溶劑。此種溶劑而言，並不特別限定，可例舉：丁基溶纖素、二乙二醇二乙基醚、二丙二醇單甲基醚、乙基卡必醇、雙丙酮醇、r 一丁內酮、乳酸酯等。如將上述中所說明之電荷傳遞性清漆塗佈於基材上， ⑧ -25- (22) (22)1359130 並使溶劑蒸發，則可於基材上形成電荷傳遞性塗膜。清漆的塗佈方法而言，並不特別限定，惟可例舉：浸漬法、旋塗法、噴霧法、噴墨法、轉寫印刷法、輥塗法、毛刷塗佈法等，任一方法均能形成均勻的成膜。溶劑的蒸發法並特別限定，惟可使用加熱板或烤箱，於適當氣氛下，亦即，於大氣 '氮氣等惰性氣體、真空中等進行蒸發，即能製得具有均勻的成膜面之膜。燒成溫度’只要是能蒸發溶劑的溫度，則並不特別限定’惟較佳爲在40至25 (TC進行。爲能呈現更高的均勻成膜性起見，或能在基板上進行反應起見，可賦與2階段以上之溫度變化。由塗佈及蒸發操作所得電荷傳遞性薄膜的膜厚，並不特別限定，惟如在有機EL元件內作爲電荷注入層使用時，較佳爲5至200nm。變膜厚之方法而言，有改變清漆中的固體成分濃度或改變塗佈時之基板上之溶液量等方法。使用本發明之電荷傳遞性清漆之OLED元件之製作方法，使用材料而言，可舉下列方法及材料，惟並不特別限定。使用之電極基板，預先實施使用洗滌劑、酒精、純水等之液體洗滌後，在陽極基板的情形，則較佳爲在開始使用時實施臭氧處理、氧氣一電漿處理等表面處理。但，如陽極材料爲以有機物作爲主成分的情形，則可不實施表面處理。如將空穴傳遞性清漆使用於OLED元件時，則例如， (23) (23)1359130 可採用下列方法。亦即，對陽極基板使用該空穴傳遞性清漆，並依上述之膜製作方法，於電極上製作空穴傳遞性薄膜。將此導入於真空蒸鍍裝置內，依序進行空穴傳遞層、發光層、電子傳遞層、電子注入層、陰極金屬之蒸鍍，以作成OLED。此時’爲控制發光領域起見，亦可於任意層間設置載體方塊（carrier block)層。陽極材料而言，可例舉：銦錫氧化物（ITO )、銦鋅氧化物（IZO )所代表之透明電極（Clear electrode )，較佳爲經平坦化處理（planarization )者。亦可使用具有高電荷傳遞性之聚噻吩衍生物、或聚苯胺類。能形成空穴傳遞層之材料而言，可例舉：（三苯胺基 )二聚物衍生物（TPD ) 、（α —萘基二苯胺基）二聚物（ a- NPD)、[(三苯胺基）二聚物]螺二聚物（螺一TAD ) 等三芳基胺類；4,4’，4"—參[3 —甲苯基（苯基）胺基]三苯胺（間-MTDATA ) 、4,4·，4” —參[1 -萘基（苯基）胺基] 三苯胺（1— ΤΝΑΤΑ)等星炸型胺（star burst amine)類 ;5,5"—雙{4一 [雙（4 -甲苯基）胺基]苯基} — 2,2, ： 5'，2" —第三噻吩（BMA—3T)等低聚噻吩類。能形成發光層之材料而言，可例舉：參（8 -奎寧鎗 )鋁（III) ( Alq3)、雙（8-奎寧鑰）鋅（II) ( Znq2) 、雙（2 -甲基一 8 -奎寧鎰）（對苯基苯酚鹽）鋁（ΠΙ) (BAlq ) 、4,4’-雙（2,2-二苯基乙烯基）聯苯（0?乂8; )等。另外，亦可將電子傳遞材料或空穴傳遞材料、與發 -27- (24) (24)1359130 光性摻質進行共蒸鍍，以形成發光層。電子傳遞材料而言，可例舉：Alq3、BAlq、DPVBi ( 2 —（4—聯苯基）一 5-（4 一第三丁苯基）—1,3,4_哼三唑）（PBO )、三唑衍生物（TAZ )、鹼性去甲基奎寧（ basocuprein) (BCP)、砂院醇衍生物等。發光性摻質而言，可例舉：哨吖Π定酮（quinacridone )、四革（rubrene)、呢 0弄（cumalin) 540、4—(二氰基亞甲基）一2_甲基一 6_ (對二甲胺基苯乙烯基）一 4H —哌喃（DCM) '參（2 -苯基吡啶基）銥（ΙΠ) ( Ir ( PPy) 3)、（】，l〇 —啡啉）一參（4,4,4 —三氟代一 1一（2 _噻吩基）一丁烷-1，3 -二酮酸酯）銪（III ) ( Eu ( TTA) 3phen)等。能形成載體方塊層之材料而言，可例舉：PBD、TAZ 、以及BCP。電子注入層而言，可例舉：氧化鋰（Li20)、氧化鎂 (MgO )、氧化鋁（Al2〇3 )、氟化鈉（LiF )、氟化鎂（ MgF2 )、氟化緦（SrF2 )、奎寧酸鋰（Liq)、乙醯丙酮鋰錯合物（Li ( acac ))、乙酸鋰、安息香酸鋰等。陰極材料而言，可例舉：鋁、鎂一銀合金、鋁-鋰合金、鋰、鈉、鉀、鉋等。如將本發明之電荷傳遞性清漆使用於0LED元件時，則可採用例如，下述方法。於陰極基板上使用該電子傳遞性清漆以製作電子傳遞性薄膜，並將此薄膜導入真空蒸鍍裝置的，在使用與上述 -28- (25) (25)1359130 者同樣材料以形成電子傳遞層、發光層、空穴傳遞層、空穴注入層後’依濺射（sputtering )等方法加以成膜以作成OLED元件。採用本發明之電荷傳遞性清漆之PLED元件之製作方法’可例舉例如下述方法，惟並不特別限定於此法。於上述OLED元件之製作中，如不實施空穴傳遞層、發光層 '電子傳遞層、電子注入層的真空蒸鍍操作而實施發光性電荷傳遞性高分子層之形成，即可製作含有由本發明之電荷傳遞性清漆所形成之電荷傳遞性薄膜之PLED元件。具體而言，對陽極基板依上述方法塗佈該空穴傳遞性清漆以製作空穴傳遞性薄膜於電極上，並於其上部形成發光性電荷傳遞性高分子層，再進行陰極電極之蒸鍍後作成 PLED元件。或者，使用該電子傳遞性清漆依上述方法對陰極基板製作電子傳遞性薄膜於電極上，並於其上部形成發光性電荷傳遞性高分子層，再進行陽極電極之依濺射、蒸鍍、旋塗等之製作後作成PLED元件。陰極及陽極材料而言，可使用與在上述OLED元件所例示者同樣物質，並實施同樣洗滌處理、表面處理。發光性電荷傳遞性高分子層之形成方法而言，可例舉 :對發光性電荷傳遞性高分子材料或者對此添加有發光性摻質之材料進行溶劑之添加，以使溶解或均勻分散，並塗佈於形成有空穴傳遞性薄膜之電極基板後實施溶劑的蒸發 ⑧ -29- (26) 1359130 以成膜之方法。發光性電荷傳遞性高分子材料而言，可例舉：聚（ 9,9_二烷基莽）（PDAF)等聚莽衍生物、聚（2一甲氧_ 5 一（2’一乙基己氧）一〗，4 —亞苯基亞乙烯）（MEH -PPV)等聚亞苯基亞乙烯衍生物、聚（3_院基噻吩）（ PAT)等聚噻吩衍生物、聚乙烯基咔唑（pvCz)等。溶劑而頁’可例舉：甲苯、二甲苯、氯仿等，而溶解 Φ 或均勻分散法而言’可例舉：攪拌、加熱攪拌、超音波分散等方法加以溶解或均勻分散之方法。塗佈方法而言，並不特別限定，惟可例舉：浸漬法、旋塗法、轉寫印刷法、輥塗法、毛刷塗佈等。塗佈較佳爲 ~ . 在氮、氬等的惰性氣體下進行。溶劑之蒸發法而言，可例舉：在惰性氣體或真空中，使用烤箱或加熱板進行加熱之方法。【實施方式】實施例以下，例舉合成例、實施例以及比較例以更具體方式說明本發明，惟本發明並不因下述實施例而有所限定。 [實施例1] 依照下述反應式（14)，進行萘二磺酸化合物低聚物一 1 (以下簡稱NSO — 1)之合成。 ⑧ -30- (27)1359130 [化 11]

PH 2

>-so3K

K03S

(14) 亦即，於經充分乾燥之2 —萘酚_6,8 —二磺酸二鉀（東京化成工業（股）製）l.〇2〇g中，在氮氣氛下，依序添加全氟代聯苯449mg、60%氫化鈉161mg以及無水N，N — 二甲基咪唑啉酮50 2，並將反應系加以氮氣取代後，在 80°C下攪拌43小時。放冷至室溫後加水使反應停止，在減壓下加以濃縮乾固。殘渣中添加甲醇5 d，在攪拌下將所得懸浮液添加於二乙醚1 00 m«中。在室溫下攪拌1小時後濾取所析出之固體，對濾物添加甲醇50 4，使用超音波使其懸濁。藉由過濾去除未溶解之固體，並在減壓下將濾液加以濃縮乾固。殘渣中添加純水3 m£使其溶解，添加陽離子交換樹脂陶埃克斯65 0C(H型）約2m£並攪拌10分鐘後過濾，將濾液利用使用陽離子交換樹脂陶埃克斯650C ( Η型的40 2 ，餾出溶劑：乙腈—水（1: 10))之柱色譜加以精製》在減壓下將ΡΗ1以下的餾分加以濃縮乾固，使用異丙醇共沸一次後，對殘渣添加異丙醇2 4，在攪拌下將所得溶液加於二乙醚502中。在室溫下攪拌1小時後去除上 ⑧ -31 - (28) 1359130 澄液，在減壓下將殘渣加以乾固，製得l.〇4 3g的黃色粉末（收率8 6 % )。利用MALDI — TOF- MS (飛行時間質譜儀）分析該黃色粉末之結果，檢測有可能源自NSO— 1之主峰値。 MS ( MALDI- TOF- MS- ) ： m/z 901 ( M - H ) ~ [實施例2 ] 依照下述反應式（15)，進行萘二磺酸化合物低聚物 —2(以下，簡稱NSO—2)。

[化 12] NaQ3S

Na03S

H〇aS

ho3s so3h (15) so3h NSO-2 亦即，於經充分乾燥之1 一萘酚一 3,6_二磺酸鈉（東京化成工業（股）製）93 4mg中，在氮氣氛中，依序添加全氟代聯苯450mg，60%氫化鈉166mg以及無水N，N-二甲基咪唑啉酮50 2，並將反應系加以氮氣取代後，在80 °C下攪拌4 3小時。放冷至室溫後加水使反應停止，在減壓下加以濃縮乾固。殘渣中添加甲醇5 2，在攪拌下將所得懸浮液添加於二乙醚1 00 中。在室溫下攪拌1小時後濾取所析出之固 -32- (29) (29)1359130 體，對濾物添加甲醇25 m£，使用超音波使其懸濁。藉由過濾去除未溶解之固體，並在減壓下將濾液加以濃縮乾固。殘渣中添加甲醇—水（1: 2)使其溶解，添加陽離子交換樹脂陶埃克斯650C.CH型）約2m£並攪拌10分鐘後過濾，將濾液利用使用陽離子交換樹脂陶埃克斯6 5 0C ( Η型 )約2 並攪拌1 0分鐘後過濾，將濾液利用使用陽離子交換樹脂陶埃克斯6 50C ( Η型的40 m£，餾出溶劑：甲醇一水（1 : 2))之柱色譜加以精製。在減壓下將pH 1以下的餾分加以濃縮乾固，使用異丙醇共沸一次後，對殘渣添加異丙醇2 ，在攪拌下將所得溶液添加於二乙醚5 0 d中。在室溫下攪拌1小時後去除上澄液，在減壓下將殘渣加以乾固，製得98 4mg的黃色粉末（收率8 1 % )。利用MALDI— TOF— MS分析該黃色粉末之結果，檢測有可能源自NSO — 2之主峰値。 MS ( MALDI- TOF- MS- ) ： m/z 901 ( M - H )' [合成例1]苯基四苯胺之合成 [化 13] Η--(16) 以日本化學學會通報（Bulletin of Chemical Society of Japan) 、1994 年出版，第 67 卷，第 1 749 至 1 752 頁 -33- (30) (30)1359130 所記載之方法爲基礎，依照下述方法製得苯基四苯胺（ PTA )。亦即，將對亞苯基二胺12.977g溶解於甲苯2公升中，對此添加屬於脫水縮合劑之四正丁氧基鈦245.05g，在 70 °C下溶解30分鐘。然後，添加對羥基二苯基胺53.34 6g ，在氮氣氛中，在反應溫度100 °C下反應24小時》反應完成後，過濾反應液，將濾物依序使用甲基、乙醚洗滌後乾燥，製得銀色結晶。對所得結晶添加25質量份的二Of烷、0.2當量的肼（hydrazine) —水合物，將反應系內進行氮氣取代後，加熱回流（reflux )以溶解結晶。對所得溶液中，對結晶添加甲苯2 5質量份使溶液懸濁，加熱回流後再添加二鳄烷〗〇質量份並加熱回流以溶解，熱時過濾所得溶液。 . 使從溶液所析出之固體再結晶，在氮氣氛中，依序使用甲苯—二噚烷（1:〗）乙醚洗滌後濾取，在減壓下，在 6 0 °C下乾燥所得結晶1 0小時。再重複一次同樣的再結晶操作，製得白色結晶39.60g (收率75%)。將實施例1及2所得芳基磺酸化合物作爲電子接受性物質使用，將可以上述式（16)表示之苯基四苯胺（以下，簡稱PTA )作爲電荷傳遞性物質以調製電荷傳遞性清漆。將此等清漆的調製方法表示於實施例3及4中。 [實施例3] 在氮氣氛中，對實施例1所得NSO— 1 102mg，及合 (31) (31)1359130 成例1得PTA 50mg的混合物，添加Ν,Ν -二甲基甲酿胺 (以下，簡稱DME ) 1.7〇使其溶解，再在氮氣氛中，依序添加乙二醇0.49 2及環己醇2.77 2並攪拌，製得綠色透明的清漆。 [實施例4 ] 在氮氣氛中，對實施例2所得NSO - 2 I02mg及合成例1所得PTA 50mg的混合物，添加N，N -二甲基甲醯胺 (以下，簡稱DMF) 1.70 Μ使其溶解，再在氮氣氛中，依序添加乙二醇0.49 2及環己醇2.77 ,„£並在室溫下攪拌，製得綠色透明的清漆。 [實施例5、6] 於ΙΤΟ (銦錫氧化物）基板上使用旋塗法塗佈依實施例3，4所記載之方法所得各清漆後，在加熱板上燒成以形成空穴傳遞性薄膜後，導入真空蒸鍍裝置內依序蒸鍍α —NPD、Alq3、LiF (氟化鋰）、Α1。膜厚係分別作成 3 5 n m ' 50nm、0.5nm、100nm’ 分別成爲 8x10 Pa 以下的壓力後實施蒸鍍操作。蒸鍍速率係作成在α — NPD及aU3 爲 0.35 至 0.40nm/s、在 LiF 爲 0.015 至〇.〇25nm/s，在 A1 爲0.2至0.4nm/s。蒸鍍操作當中的移動操作’係在真空中所進行者。 [比較例1] -35- (32) (32)1359130 進行ITO玻璃基板之臭氧洗滌40分鐘後導入真空蒸鍍裝置內’依與實施例5所記載之方法及同條件，依序進行 a— NPD、Alq3、LiF' Α1 之蒸鍍》 [比較例2] 在氮氣氛中，對（+) -10-樟腦磺酸 2 0 6mg、與合成例1所得P T A 1 0 0 m g的混合物，添加D M A c 1 · 8 7 m£使其溶解，再添加環己醇5.53 ^£並在室溫下攪拌，製得綠色透明的清漆。使用所得清漆，依實施例5所記載之方法，製得電荷傳遞性薄膜。所得電荷傳遞性薄膜係非晶質固體。再依實施例5所記載之方法，製得OLED元件。 [比較例3] 在氮氣氛中，對PTA 1.000g(2.260毫莫耳），添加 5 -磺基水楊酸=水合物（以下，簡稱5-SSA) 2.298g( 9.039毫莫耳）及N，N —二甲基乙醯胺（DM Ac ) 17.5 0g並加以溶解，對所得溶液添加環己醇（C_ H ex OH、黏度： 68mPa · s ( 20°C ) ) 5 2.5 Og並加以攪拌以調製清漆（固體成分濃度4.2質量％)。將所得清漆依旋塗法塗佈於經實施臭氧洗滌40分鐘之ITO基板上後，在空氣中1 80°c下燒成2小時，製得均勻的薄膜。將此薄膜導入真空蒸鍍裝置內，依序蒸鍍a—NPD、 -36- (33) 1359130

Alq3、LiF、A1。膜厚係分別作成 40nm、60nm、0.5nm、 100nm，各成爲8xl〇_4Pa以下的壓力後進行蒸鍍操作。蒸鍍速率係除LiF以外其餘係作成0.3至0.4nm/s，LiF則作成0.02至0.04nm/s ^在此，蒸鍍操作當中的移動操作，係在真空中所進行者。將所得OLED元件的特性表示於表 2中。將上述實施例5、6及比較例2所使用清漆的黏度、 φ 燒成條件、膜厚、Ip値表示於表1，將上述實施例5、6 及比較例1至3所製作之OLED元件的特性表示於表2。在此，膜厚、Ip値、及電導率、EL特性以及黏度，係由下述裝置所測定者。； [1 ]膜厚使用表面形狀測定裝置（DEKTAK3ST、日本真空技術社製）所測定者。 • [2]IP 値使用光電子分光裝置（AC— 2，理硏計器（股）製）所測定者。 [3 ]EL測定系統：發光量子效率測定裝置（ELI 003、精密儀器（股）製） [4] 電壓計（電壓發生源）：可程式直流電壓/電流源 (R6145，阿托範試驗儀器（股）製） [5] 電流計：數位多重儀器（digital mutimeter)( R6 581D，阿托範試驗儀器（股）製） -37- (34) 1359130 [6] 亮度計：LS— 110(美濃塔（MINOLTA )製）

[7] 黏度計：E型黏度計（ELD _ 50，東京計器社製），測定溫度：20°C

[表1] 清漆種類固體成體 mm%] 黏度 [mPa · s] 燒成條件膜厚[nm] ip 實施例5 實施例3 2.1 9.0 220°C，15 分 18 5.46 實施例3 2.1 9.0 220°C，15 分 24 5.46 實施例6 實施例4 2.1 9.0 220〇C，15 分 18 5.55 實施例4 2.1 9.0 220〇C，15 分 26 5.56 比較例2 4.2 11.5 180°C，2 小時 12 5.49 4.2 11.5 180°C，2 小時 24 5.47 [表2 膜厚電流密度電壓亮度電流效率發光開始電壓最高亮度 Γηηιΐ fmA/cm2] [V] [cd/m2l 『cd/Al m [cd/m2l 實施例5 18 45.7 7.0 2365 5.17 2.75 35100 實施例6 18 71.4 7.0 3804 5.33 2.75 28080 比較例1 10 9.2 330 3.3 4.50 10640 比較例1 一 0.37 7.0 1.2 0.32 4.50 10640 比較例2 24 0.419 7.0 8.89 2.12 4.00 5540 比較例2 12 10 10.2 239 2.39 6.50 4410 比較例3 21 10 8.1 410 4.1 2.75 18799 比較例3 21 2.86 7.0 101 3.5 2.75 18799 -38- (35) (35)^59130 如表2所示，可知具備有從實施例3、4所得之清漆所製作之電荷傳遞性薄膜之OLED (實施例5、6 )，係較不含有此種空穴傳遞性薄膜之OLED元件爲驅動電壓低落，而電流效率及最高亮度則上升之事實。又，可知實施例 5、6之OLED元件，如比較作爲摻質而不採用本發明所規定之芳基磺酸化合物卻採用5 - SSA之比較例3的元件時，仍然電流效率及最高亮度爲上升之事實。另外’實施例 5、6所製作之0LED元件的發光面的均勻性係良好者’而未經確認黑斑（dark sPot )之存在。 <

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Claims

1359130 -- __··_一丨關-一. 一 ρ年1月3日修(更)正^ 公生4 第094129778號專利申請案中文申請專利範圍修正本民國100年9月8日修正十、申請專利範圍 I 一種芳基磺酸化合物，其特徵爲：可以一般式（1

[化1]

(1)

[式中，X表示〇或S， A表示可具有X及η個（SOsH)基以外的取代基之萘環或蒽環、 B表示含有一個以上之芳香環的2價以上之非取代或取代的烴基

η表示結合於A之磺酸基之數，而滿足isng 4之整數， q表示B與X的結合之數，而滿足之整數， r表示重複單元的數，而滿足1$!；之整數]。 2.如申請專利範圍第1項之芳基磺酸化合物，其中該X爲〇。 3. —種電子接受性物質，其特徵爲：由申請專利範圍第1項或第2項之芳基磺酸化合物所成。 4. —種電荷傳遞性清漆，其特徵爲含有申請專利 1359130 範圍第3項之電子接受性物質、電荷傳遞性物質、以及溶劑。 5. 一種電荷傳遞性薄膜，其特徵爲：含有申請專利範圍第3項之電子接受性物質、及電荷傳遞性物質。 6. —種有機電致發光元件，其特徵爲：具有申請專利範圍第5項之電荷傳遞性薄膜。

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