KR101473294B1 - 올리고아닐린 화합물 및 그 이용 - Google Patents

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Abstract

식 (1), (2), (3) 또는 (4)로 표시되는 올리고아닐린 화합물은 저극성 용매에 대해서도 높은 용해성을 나타내고, OLED 소자에 적용한 경우에, 저구동전압 등이 우수한 소자 특성의 실현을 가능하게 하는, 전하수송성 물질로서 적합한 것이다.
Figure 112009019955169-pct00011
(식 중, R1∼R20은, 각각 독립하여, 수소 원자, 할로겐 원자, 수산기, 아미노기, 실라놀기, 티올기, 카르복실기, 인산기, 인산 에스테르기, 에스테르기, 티오에스테르기, 아미드기, 니트로기, 1가 탄화수소기, 오가노옥시기, 오가노아미노기, 오가노실릴기, 오가노티오기, 아실기 또는 술폰기를 나타내고, m, n, l 및 k는, 각각 1≤m≤20, 1≤n≤20, 1≤l≤20, 1≤k≤20을 만족하는 정수이며, X는 불화 아릴기를 나타낸다.)
올리고아닐린, 전하수송성 바니시, 전하수송성 박막, 유기 전계발광 소자.

Description

올리고아닐린 화합물 및 그 이용{OLIGOANILINE COMPOUND AND USE THEREOF}
본 발명은 올리고아닐린 화합물 및 그 이용에 관한 것으로, 더욱 상세하게 설명하면, 불화 아릴기를 포함하는 올리고아닐린 화합물, 및 이 화합물의 전하수송성 물질로서의 이용에 관한 것이다. 이 이용으로서는, 당해 화합물을 포함하는 바니시, 이 바니시를 사용하여 이루어지는 전하수송성 박막, 및 이 전하수송성 박막을 사용한 유기 전계발광(이하, 유기 EL로 약칭함) 소자 등이 있다.
저분자 유기 EL(이하, OLED로 약칭함) 소자에서는, 정공주입층으로서 구리 프탈로시아닌(CuPC)층을 설치함으로써, 구동전압의 저하나 발광효율 향상 등의 초기특성 향상, 게다가 수명특성 향상을 실현할 수 있는 것이 보고되어 있다(비특허문헌 1: 어플라이드 피직스 레터스(Applied Physics Letters), 미국, 1996년, 69권, p.2160-2162).
한편, 고분자 발광 재료를 사용한 유기 EL(이하, PLED로 약칭함) 소자에서는, 폴리아닐린계 재료(특허문헌 1: 일본 특개 평3-273087호 공보, 비특허문헌 2: 네이처(Nature), 영국, 1992년, 제357권, p.477-479)나, 폴리티오펜계 재료(비특허문헌 3: 어플라이드 피직스 레터스(Applied Physics Letters), 미국, 1998년, 72권, p.2660-2662)로 이루어지는 박막을 정공수송층으로서 사용함으로써 OLED 소자 와 동일한 효과가 얻어지는 것이 보고되어 있다.
최근, 고용해성의 저분자 올리고아닐린계 재료나 올리고티오펜계 재료를 이용하여, 유기 용매에 완전용해시킨 균일계 용액으로 이루어지는 전하수송성 바니시가 발견되었고, 이 바니시로부터 얻어지는 정공주입층을 유기 EL 소자 중에 삽입함으로써, 하지 기판의 평탄화 효과나, 우수한 EL 소자 특성이 얻어지는 것이 보고되어 있다(특허문헌 2: 일본 특개 2002-151272호 공보, 특허문헌 3: 국제공개 제2005/043962호 팸플릿).
당해 저분자 올리고머 화합물은, 그것 자체의 점도가 낮기 때문에, 통상의 유기용매를 사용한 경우, 성막 조작에서의 프로세스 마진이 좁아, 스핀 코팅, 잉크젯 도포, 스프레이 도포 등의 여러 도포 방식이나, 여러 소성 조건을 사용하는 경우, 높은 균일성을 갖는 성막을 행하는 것은 곤란하다. 그러나, 각종 첨가 용매를 사용함으로써, 점도나, 비점, 증기압의 조정이 가능하게 되어, 여러 도포 방식에 대응하여 높은 균일성을 갖는 성막면을 얻는 것이 가능하게 되었다(특허문헌 4: 국제공개 제2004/043117호 팸플릿, 특허문헌 5: 국제공개 제2005/107335호 팸플릿).
이와 같이 여러 용매 첨가를 행해도 고체의 석출이 일어나지 않고, 균일용액성을 유지할 수 있는 것은, 당해 저분자 올리고머 화합물의 높은 용해성, 비응집성에 유래하고 있다. 이 때문에, 도포형 전하수송성 물질에서의 용해특성은 대단히 중요하다.
최근, 잉크젯 도포 장치의 용제 내성이나, 절연막, 격벽 등의 기판 상의 구조물에서의 내용제 특성 등의 문제로부터, 특히 저극성 용매를 사용한 전하수송성 바니시에 의한 도포가 요망되고 있다.
비특허문헌 1: 어플라이드·피직스·레터즈, 미국, 1996년, 69권, p.2160-2162
비특허문헌 2: 네이처, 영국, 1992년, 제357권, p.477-479
비특허문헌 3: 어플라이드·피직스·레터즈, 미국, 1998년, 72권, p.2660-2662
특허문헌 1: 일본 특개 평3-273087호 공보
특허문헌 2: 일본 특개 2002-151272호 공보
특허문헌 3: 국제공개 제2005/043962호 팸플릿
특허문헌 4: 국제공개 제2004/043117호 팸플릿
특허문헌 5: 국제공개 제2005/107335호 팸플릿
(발명의 개시)
(발명이 해결하고자 하는 과제)
본 발명은 이러한 사정을 고려하여 이루어진 것으로, 저극성 용매에 대해서도 높은 용해성을 나타내고, OLED 소자에 적용한 경우에, 저구동전압 등이 우수한 소자 특성의 실현을 가능하게 하는, 전하수송성 물질로서 적합한 올리고아닐린 화합물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
(과제를 해결하기 위한 수단)
본 발명자는, 상기 목적을 달성하기 위하여 예의 검토를 거듭한 결과, 하기 식 (1)∼(4)로 표시되는 불화 아릴기를 포함하는 올리고아닐린 화합물이 저극성 용매에 대해서도 고용해성을 나타내고, 전하수용성 물질로 조합시켜 사용함으로써 고전하수송성을 나타냄과 아울러, OLED 소자의 정공주입층으로서 사용한 경우에, 소자의 구동전압을 저감할 수 있는 것을 발견하고, 본 발명을 완성했다.
즉, 본 발명은,
1. 식 (1), (2), (3) 또는 (4)로 표시되는 것을 특징으로 하는 올리고아닐린 화합물,
Figure 112009019955169-pct00001
(식 중, R1∼R20은, 각각 독립하여, 수소 원자, 할로겐 원자, 수산기, 아미노기, 실라놀기, 티올기, 카르복실기, 인산기, 인산 에스테르기, 에스테르기, 티오에스테르기, 아미드기, 니트로기, 1가 탄화수소기, 오가노옥시기, 오가노아미노기, 오가노실릴기, 오가노티오기, 아실기 또는 술폰기를 나타내고, m, n, l 및 k는, 각각 1≤m≤20, 1≤n≤20, 1≤l≤20, 1≤k≤20을 만족하는 정수이며, X는 불화 아릴기를 나타낸다.)
2. 식 (1), (2), (3) 또는 (4)로 표시되는 화합물 중에 존재하는 1차 및/또는 2차 아미노기가 식 (1), (2), (3) 또는 (4)로 표시되는 화합물 중의 불화 아릴기에 분자 간으로 부가되어 이루어지는 올리고아닐린 화합물,
Figure 112009019955169-pct00002
(식 중, R1∼R20은, 각각 독립하여, 수소 원자, 할로겐 원자, 수산기, 아미노기, 실라놀기, 티올기, 카르복실기, 인산기, 인산 에스테르기, 에스테르기, 티오에스테르기, 아미드기, 니트로기, 1가 탄화수소기, 오가노옥시기, 오가노아미노기, 오가노실릴기, 오가노티오기, 아실기 또는 술폰기를 나타내고, m, n, l 및 k는, 각각 1≤m≤20, 1≤n≤20, 1≤l≤20, 1≤k≤20을 만족하는 정수이며, X는 불화 아릴기를 나타낸다.)
3. 상기 X가 불화 비페닐기, 불화 페닐기, 불화 비나프틸기 또는 불화 나프틸기인 1 또는 2의 올리고아닐린 화합물,
4. 상기 X가 퍼플루오로비페닐 유래의 기, 퍼플루오로벤젠 유래의 기, 퍼플루오로비나프틸 유래의 기 또는 퍼플루오로나프탈렌 유래의 기인 1 또는 2의 올리고아닐린 화합물,
5. 1 또는 2의 올리고아닐린 화합물을 포함하는 전하수송성 바니시,
6. 1 또는 2의 올리고아닐린 화합물을 포함하는 전하수송성 박막,
7. 5의 전하수송성 바니시로부터 제작되는 전하수송성 박막,
8. 6 또는 7의 전하수송성 박막을 구비하는 유기 전계발광 소자,
9. 6 또는 7의 전하수송성 박막을 구비하는 태양전지를 제공한다.
(발명의 효과)
본 발명의 불화 아릴기를 포함하는 올리고아닐린 화합물은 저극성 용매를 비롯한 각종 유기용매에 대하여 고용해성을 나타낸다. 이 때문에, 이 올리고아닐린 화합물과 전하수용성 물질을 포함하는 전하수송성 물질에 대하여, 저극성 용매를 일부 또는 전량 사용하여 저극성 유기용매계의 전하수송성 바니시를 조제할 수 있다.
이 저극성 유기용매계의 전하수송성 바니시를 사용함으로써 용제 내성이 문제가 되는 잉크젯 도포 장치를 사용할 수 있고, 또, 기판 상에 절연막이나 격벽 등의 내용제성이 문제가 되는 구조물이 존재하는 경우에도, 문제없이 고평탄성을 갖는 비정질 고체 박막을 제작할 수 있다.
또, 얻어진 박막은, 고전하수송성을 나타내기 때문에, 정공주입층 또는 정공수송층으로서 사용함으로써, 유기 EL 소자의 구동전압을 저하시킬 수 있다.
또한, 박막의 고평탄성, 고전하수송성을 이용하여, 태양전지의 정공수송층, 연료전지용 전극, 컨덴서 전극 보호막, 대전방지막에 응용할 수도 있다.
(발명을 실시하기 위한 최선의 형태)
이하, 본 발명에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.
식 (1), (2), (3) 및 식 (4)로 표시되는 올리고아닐린 화합물에서, R1∼R20은, 각각 독립하여, 수소 원자, 할로겐 원자, 수산기, 아미노기, 실라놀기, 티올기, 카르복실기, 인산기, 인산 에스테르기, 에스테르기, 티오에스테르기, 아미드기, 니트로기, 1가 탄화수소기, 오가노옥시기, 오가노아미노기, 오가노실릴기, 오가노티오기, 아실기 또는 술폰기를 나타낸다.
할로겐 원자로서는 염소, 브롬, 불소, 요오드 원자를 들 수 있다.
1가 탄화수소기로서는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, t-부틸기, 헥실기, 옥틸기, 데실기 등의 알킬기; 시클로펜틸기, 시클로헥실기 등의 시클로알킬기; 비시클로 헥실기 등의 비시클로알킬기; 비닐기, 1-프로페닐기, 2-프로페닐기, 이소프로페닐기, 1-메틸-2-프로페닐기, 1 또는 2 또는 3-부테닐기, 헥세닐기 등의 알케닐기; 페닐기, 크실릴기, 톨릴기, 비페닐기, 나프틸기 등의 아릴기; 벤질기, 페닐에틸기, 페닐시클로헥실기 등의 아랄킬기 등을 들 수 있다.
또한, 이들 1가 탄화수소기의 수소 원자의 일부 또는 전부는, 수산기, 할로겐 원자, 아미노기, 실라놀기, 티올기, 카르복실기, 술폰기, 인산기, 인산 에스테르기, 에스테르기, 티오에스테르기, 아미드기, 니트로기, 오가노옥시기, 오가노아미노기, 오가노실릴기, 오가노티오기, 아실기, 알킬기, 시클로알킬기, 비시클로 알킬기, 알케닐기, 아릴기, 아랄킬기 등으로 치환되어 있어도 된다.
오가노옥시기로서는 알콕시기, 알케닐옥시기, 아릴옥시기 등을 들 수 있으며, 이들 알킬기, 알케닐기, 아릴기로서는 상기 1가 탄화수소기에서 예시한 기와 동일한 것을 들 수 있다.
오가노아미노기로서는 페닐아미노기, 메틸아미노기, 에틸아미노기, 프로필아미노기, 부틸아미노기, 펜틸아미노기, 헥실아미노기, 헵틸아미노기, 옥틸아미노기, 노닐아미노기, 데실아미노기, 라우릴아미노기 등의 알킬아미노기; 디메틸아미노기, 디에틸아미노기, 디프로필아미노기, 디부틸아미노기, 디펜틸아미노기, 디헥실아미노기, 디헵틸아미노기, 디옥틸아미노기, 디노닐아미노기, 디데실아미노기 등의 디알킬아미노기; 시클로헥실아미노기, 모르폴리노기 등을 들 수 있다.
오가노실릴기로서는 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, 트리프로필실릴기, 트리부틸실릴기, 트리펜틸실릴기, 트리헥실실릴기, 펜틸디메틸실릴기, 헥실디메틸실릴기, 옥틸디메틸실릴기, 데실디메틸실릴기 등을 들 수 있다.
오가노티오기로서는 메틸티오기, 에틸티오기, 프로필티오기, 부틸티오기, 펜틸티오기, 헥실티오기, 헵틸티오기, 옥틸티오기, 노닐티오기, 데실티오기, 라우릴티오기 등의 알킬티오기를 들 수 있다.
아실기로서는 포르밀기, 아세틸기, 프로피오닐기, 부티릴기, 이소부티릴기, 발레릴기, 이소발레릴기, 벤조일기 등을 들 수 있다.
인산 에스테르기로서는 -P(O)(OQ1)(OQ2)를 들 수 있다.
에스테르기로서는 -C(O)OQ1, -OC(O)Q1을 들 수 있다.
티오에스테르기로서는 -C(S)OQ1, -OC(S)Q1을 들 수 있다.
아미드기로서는 -C(O)NHQ1, -NHC(O)Q1, -C(O)NQ1Q2, -NQ1C(O)Q2를 들 수 있다.
여기에서, 상기 Q1 및 Q2는 알킬기, 알케닐기 또는 아릴기를 나타내고, 이것들에 대해서는, 상기 1가 탄화수소기에서 예시한 기와 동일한 것을 들 수 있다.
상기 1가 탄화수소기, 오가노옥시기, 오가노아미노기, 오가노실릴기, 오가노티오기, 아실기, 인산 에스테르기, 에스테르기, 티오에스테르기 및 아미드기 등에서의 탄소수는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 일반적으로 탄소수 1∼20, 바람직하게는 1∼8이다.
상기의 각 치환기 중에서도, 불소 원자, 술폰기, 치환 또는 비치환의 오가노옥시기, 알킬기, 오가노실릴기가 보다 바람직하다.
또한, 비치환은 수소 원자가 결합해 있는 것을 의미한다. 또, 이상의 치환기에서, 치환기끼리가 연결되어 환상인 부분을 포함하고 있어도 된다.
상기 X는 불화 아릴기이다. 이 아릴기로서는 특별히 한정되지 않지만, 비페닐, 페닐, 비나프틸, 나프틸, 안트라센, 나프타센, 터페닐, 테트라페닐, 피리딜, 비피리딜, 티오펜, 비티오펜, 피롤, 비피롤, 푸란, 비푸란, 카르바졸, 페난트롤린, 피렌, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 피리다진, 피리미딘, 푸린, 아크리딘, 피라진, 퀸옥살린, 퀴나졸린, 프탈라진, 인돌, 벤조푸란, 벤조티오펜, 피라졸, 이속사졸, 이소티아졸, 인다졸, 벤조이속사졸, 벤조이소티아졸, 이미다졸, 옥사졸, 티아졸, 벤조이미다졸, 벤조옥사졸, 벤조티아졸 등을 들 수 있다. 그중에서도, 비페닐, 페닐, 비나프틸, 나프틸기가 바람직하다.
이들 아릴기는 환상의 적어도 1개의 수소 원자가 불소 원자로 치환되어 있어도 되고, 불소 원자로 치환되어 있지 않은 수소 원자에 대해서는 그 밖의 치환기로 치환되어 있어도 되지만, 올리고아닐린 화합물의 저극성 용매에 대한 용해성을 향상시키기 위해서는, 환상의 모든 수소 원자가 불소 원자로 치환되어 있는 편이 좋기 때문에, 퍼플루오로아릴 유래의 기인 것이 바람직하다. 따라서, 퍼플루오로비페닐 유래의 기, 퍼플루오로벤젠 유래의 기, 퍼플루오로비나프틸 유래의 기 또는 퍼플루오로나프탈렌 유래의 기가 최적이다.
그 밖의 치환기의 구체예로서는, 각각 독립하여, 수산기, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자, 아미노기, 실라놀기, 티올기, 카르복실기, 인산기, 인산 에스테르기, 에스테르기, 티오에스테르기, 아미드기, 니트로기, 1가 탄화수소기, 오가노옥시기, 오가노아미노기, 오가노실릴기, 오가노티오기, 아실기, 술폰기 등을 들 수 있다.
m, n, l 및 k는 페닐아미노기의 반복단위수를 나타내고 있고, 각각 1≤m≤20, 1≤n≤20, 1≤l≤20, 1≤k≤20을 만족하는 정수이면 되지만, m, n, l 및 k 모두 2∼8이 바람직하고, 3∼5가 보다 바람직하다.
또, 식 (2)에서는, m+n≤40을 충족시키는 것이 바람직하고, 4≤m+n≤16을 충족시키는 것이 바람직하고, 6≤m+n≤10을 충족시키는 것이 보다 바람직하다.
식 (3)에서는, m+n+l≤60을 충족시키는 것이 바람직하고, 6≤m+n+l≤24를 충족시키는 것이 바람직하고, 9≤m+n+l≤15를 충족시키는 것이 보다 바람직하다.
식 (4)에서는, m+n+l+k≤80을 충족시키는 것이 바람직하고, 8≤m+n+l+k≤32를 충족시키는 것이 바람직하며, 12≤m+n+l+k≤20을 충족시키는 것이 보다 바람직하다.
이들 범위로 조정함으로써 양호한 전하수송성을 발휘시키면서, 각종 용매에 대한 용해성을 확보하는 것이 용이하게 된다.
식 (1), (2), (3) 및 (4)로 표시되는 불화 아릴기를 포함하는 올리고아닐린 화합물은, 용해성을 높임과 아울러, 전하수송성을 균일하게 한다고 하는 것을 고려하면, 분자량 분포가 없는, 바꿔 말하면 분산도가 1인 올리고아닐린 화합물인 것이 바람직하다. 그 분자량은, 재료의 휘발의 억제 및 전하수송성 발현을 위해, 하한으로서 통상 200 이상, 바람직하게는 400 이상이며, 또 용해성 향상을 위해, 상한으로서 통상 5000 이하, 바람직하게는 2000 이하이다.
또한, 식 (1)∼(4)의 올리고아닐린 화합물에서, 그 속에 존재하는 2차 아미노기 및/또는 1차 아미노기가 존재하는 경우에는 이 1차 아미노기가 다른 올리고아닐린 분자의 불화 아릴기에 분자간 부가된 구조로 되어 있어도 된다.
상기 식 (1)∼(4)로 표시되는 아릴술폰산 화합물의 제조방법으로서는, 예를 들면, 이하의 방법을 들 수 있다.
즉, 하기 올리고아닐린 화합물 (5) 또는 (6)의 아미노기에 대하여, 상기의 식 (1)에서의 불화 아릴기 X를 제공하는 시약을 작용시킨다. 반응의 방법은 특별히 한정되는 것은 아니고, 예를 들면, 일반적인 구핵 치환반응을 사용할 수 있다.
Figure 112009019955169-pct00003
(R1∼R6은 상기와 동일하다.)
올리고아닐린 유도체 (5) 또는 (6)의 NH기와 반응시키는 (가교)시약으로서는, 예를 들면, 퍼플루오로비페닐, 퍼플루오로벤젠, 퍼플루오로비나프틸, 퍼플루오로나프탈렌 등을 들 수 있다.
또한, 불소 원자를 3개 이상 포함하는 방향족 탄화수소 화합물을 사용하면, 당해 화합물이 가교 시약으로서 작용하기 때문에, 불화 아릴기로 가교된 화합물을 얻을 수도 있다. q(3≤q)개 이상의 불소 원자(가교부)를 갖는 시약을 사용하여, 식 (5)의 화합물을 (q-1)량화할 때, 시약의 사용량은 식 (5)의 화합물에 대하여 1/(q-1)배 몰이 적합하다.
올리고아닐린 유도체 (5) 또는 (6)과 상기 시약을 반응시키는 경우, 촉매를 사용할 수도 있다. 촉매로서는, 예를 들면, 리튬, 칼륨, 수소화 리튬, 수소화 나트륨, t-부톡시리튬, t-부톡시나트륨, t-부톡시칼륨, 리튬-디이소프로필아미드, n-부틸리튬, s-부틸리튬, t-부틸리튬, 리튬헥사메틸디실라지드, 나트륨헥사메틸디실라지드, 칼륨헥사메틸디실라지드, 수산화리튬, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 수산화바륨, 산화 바륨, 탄산 리튬, 탄산 나트륨, 탄산 칼륨, 탄산 세슘, 탄산 칼슘, 탄산 수소나트륨, 트리에틸아민, 디이소프로필에틸아민, 테트라메틸에틸렌디아민, 트리에틸렌디아민, 피리딘, 디메틸아미노피리딘, 이미다졸 등의 염기; 염산, 황산, 5산화2인, 염화알루미늄(III), 3불화붕소디에틸에테르 착체, 2염화에틸알루미늄, 염화디에틸알루미늄 등의 탈수 축합제 등을 사용할 수 있고, 그중에서도, 수소화나트륨, 탄산 나트륨, 탄산 칼륨이 적합하다. 이들 촉매의 사용량은 특별히 제한은 없지만, 식 (5) 또는 식 (6)의 화합물에 대하여 1.0∼1.5배 몰 사용하는 것이 바람직하다.
반응용매는 비프로톤성 극성 유기용매가 바람직하고, 예를 들면, N,N-디메틸포름아미드(DMF), N,N-디메틸아세트아미드(DMAc), N-메틸피롤리돈(NMP), 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논(DMI), 디메틸술폭시드(DMSO), 테트라히드로푸란(THF), 디옥산 등이 적합하다. 그중에서도 디옥산, NMP가 적합하다.
반응온도는, 통상, -50℃에서 사용하는 용매의 비점까지 가능하지만, 0∼140℃의 범위가 바람직하다. 반응시간은, 통상, 0.1∼100시간이다.
반응 종료 후, 반응용매의 증류 제거, 고-액 추출 혹은 액-액 추출에 의한 무기염의 제거, 재결정, 실리카겔컬럼 크로파토그래피 등에 의해, 정제할 수 있다.
또한, 상기 반응의 결과, 반응생성물에 존재하는 2차 아미노기, 및/또는 1차 아미노기가 존재하는 경우에는 이 1차 아미노기가, 또한, 다른 반응생성물의 불화 아릴기에 분자간 부가한 화합물이 얻어지는 경우도 있다.
본 발명에 따른 전하수송성 바니시는, 전하수송성 물질로서, 식 (1)∼(4)로 표시되는 올리고아닐린 화합물, 또는 식 (1), (2), (3) 또는 (4)로 표시되는 화합물 중에 존재하는 2차 아미노기, 및/또는 1차 아미노기가 존재하는 경우에는 이 1차 아미노기가 식 (1), (2), (3) 또는 (4)로 표시되는 화합물 중의 불화 아릴기에 분자간 부가되어 이루어지는 올리고아닐린 화합물을 포함하는 것이다.
여기에서, 전하수송성 바니시는 전하수송 기구의 본체인 본 발명의 올리고아닐린 화합물로 이루어지는 전하수송 물질, 또는 이 전하수송 물질 및 전자 혹은 정공수용성 도펀트 물질로 이루어지는 전하수송성 유기 재료를 적어도 1종의 용매에 용해 또는 분산하여 이루어지는 것이다.
또한, 전하수송성이란 도전성과 동일한 의미이며, 정공수송성, 전자수송성, 정공 및 전자의 양 전하 수송성 중 어느 하나를 의미한다. 본 발명의 전하수송성 바니시는 그것 자체에 전하수송성이 있는 것이어도 되고, 바니시를 사용하여 얻어지는 고체막에 전하수송성이 있는 것이어도 된다.
본 발명의 전하수송성 바니시의 전하수송 능력 등을 향상시키기 위하여, 필요에 따라 사용되는 전하수용성 도펀트 물질로서는, 정공수송성 물질에 대해서는 전자수용성 도펀트 물질을, 전자수송성 물질에 대해서는 정공수용성 도펀트 물질을 사용할 수 있는데, 모두 높은 전하수용성을 갖는 것이 바람직하다. 전하수용성 도펀트 물질의 용해성에 관해서는, 바니시에 사용하는 적어도 일종의 용매에 용해되는 것이면 특별히 한정되지 않는다.
전자수용성 도펀트 물질의 구체예로서는 염화수소, 황산, 질산, 인산 등의 무기 강산; 염화알루미늄(III)(AlCl3), 사염화티탄(IV)(TiCl4), 3브롬화붕소(BBr3), 3불화붕소에테르 착체(BF3·OEt2), 염화철(III)(FeCl3), 염화구리(II)(CuCl2), 5염화안티몬(V)(SbCl5), 5불화비소(V)(AsF5), 5불화인(PF5), 트리스(4-브로모페닐)알루미늄헥사클로로안티모네이트(TBPAH) 등의 루이스산; 벤젠술폰산, 토실산, 캄파술폰산, 히드록시벤젠술폰산, 5-술포살리실산, 도데실벤젠술폰산, 폴리스티렌술폰산, 국제공개 제2005/000832호 팸플릿에 기재되어 있는 1,4-벤조디옥산디술폰산 유도체, 국제공개 제2006/025342호 팸플릿에 기재되어 있는 아릴술폰산 유도체, 일본 특개 2005-108828호 공보에 기재되어 있는 디노닐나프탈렌술폰산 유도체 등의 유기 강산; 7,7,8,8-테트라시아노퀴노디메탄(TCNQ), 2,3-디클로로-5,6-디시아노-1,4-벤조퀴논(DDQ), 요오드 등의 유기 또는 무기 산화제를 들 수 있지만, 이것들에 한정되는 것은 아니다.
특히 바람직한 전자수용성 도펀트 물질로서는 5-술포살리실산, 도데실벤젠술폰산, 폴리스티렌술폰산, 국제공개 제2005/000832호 팸플릿에 기재되어 있는 1,4-벤조디옥산디술폰산 유도체, 일본 특개 2005-108828호 공보에 기재되어 있는 디노닐나프탈렌술폰산 유도체 등의 유기 강산인 전자수용성 도펀트 물질을 들 수 있다.
정공수용성 도펀트의 구체예로서는 알칼리 금속(Li, Na, K, Cs), 리튬퀴놀리놀레이트(Liq), 리튬아세틸아세토네이트(Li(acac)) 등의 금속 착체를 들 수 있지만, 이것에 한정되는 것은 아니다.
전하수송성 바니시를 조제할 때에 사용되는 용매로서는 물;메탄올, DMF, DMAc, NMP, DMI, DMSO, 클로로포름, 디클로로에탄, 톨루엔 등의 유기용매를 사용할 수 있다. 이들 용매는 1종 단독으로, 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있고, 그 사용량은 바니시에 사용하는 용매 전체에 대하여 5∼100질량%로 할 수 있다.
본 발명의 올리고아닐린 화합물은, 저극성 용매에 대해서도 높은 용해성을 가지므로, 적어도 그 일부에 톨루엔, 크실렌, 클로로벤젠, 디클로로벤젠, 트리클로로벤젠, 디클로로에탄, 클로로포름, 디클로로메탄 등의 저극성 용매를 포함하는 용매를 사용해도 된다.
또한, 전하수송성 바니시는, 상기 용매에 완전히 용해되어 있거나, 균일하게 분산되어 있는 상태로 되어 있는 것이 바람직하다.
또, 본 발명의 전하수송성 바니시는, 20℃에서 10∼200mPa·s, 특히 50∼150mPa·s의 점도를 갖고, 상압에서 비점 50∼300℃, 특히 150∼250℃의 고점도 유기용매를, 적어도 1종류 함유하는 것이 바람직하다.
고점도 유기 용매로서는, 특별히 한정되는 것은 아니고, 예를 들면, 시클로헥사놀, 에틸렌글리콜, 에틸렌글리콜디글리시딜에테르, 1,3-옥틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 디프로필렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 트리프로필렌글리콜, 1,3-부탄디올, 2,3-부탄디올, 1,4-부탄디올, 프로필렌글리콜, 헥실렌글리콜 등을 들 수 있다.
본 발명의 바니시에 사용되는 용매 전체에 대한 고점도 유기용매의 첨가 비율은, 고체가 석출되지 않는 범위 내인 것이 바람직하고, 고체가 석출되지 않는 한에서, 첨가 비율은 5∼80질량%인 것이 바람직하다.
또한, 기판에 대한 젖음성의 향상, 용매의 표면장력의 조정, 극성의 조정, 비점의 조정 등의 목적으로, 소성시에 막의 평탄성을 부여할 수 있는 그 밖의 용매를, 바니시에 사용하는 용매 전체에 대하여 1∼90질량%, 바람직하게는 1∼50질량%의 비율로 혼합할 수도 있다.
이러한 용매로서는, 예를 들면, 부틸셀로솔브, 디에틸렌글리콜 디에틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 에틸카르비톨, 디아세톤알코올, γ-부티로락톤, 락트산 에틸 등을 들 수 있지만, 이것들에 한정되는 것은 아니다.
이상에서 설명한 전하수송성 바니시를 기재 상에 도포하고, 용매를 증발시킴으로써 기재 상에 전하수송성 박막을 형성시킬 수 있다.
바니시의 도포 방법으로서는, 특별히 한정되는 것은 아니고, 디핑법, 스핀코팅법, 전사인쇄법, 롤 코팅법, 브러싱법, 잉크젯법, 스프레이법 등을 들 수 있다.
용매의 증발법으로서는, 특별히 한정되는 것은 아니고, 예를 들면, 핫플레이트나 오븐을 사용하여, 적절한 분위기하, 즉 대기, 질소 등의 불활성 가스, 진공 중 등에서 증발시키면 된다. 이것에 의해, 균일한 성막면을 갖는 박막을 얻는 것이 가능하다.
소성 온도는 용매를 증발시킬 수 있으면 특별히 한정되지 않지만, 40∼250℃에서 행하는 것이 바람직하다. 이 경우, 보다 높은 균일 성막성을 발현시키거나, 기재상에서 반응을 진행시키거나 할 목적으로, 2단계 이상의 온도변화를 시켜도 된다.
전하수송성 박막의 막 두께는 특별히 한정되지 않지만, 유기 EL 소자 내에서 전하주입층으로서 사용하는 경우, 5∼200nm인 것이 바람직하다. 막 두께를 변화시키는 방법으로서는, 바니시 중의 고형분 농도를 변화시키거나, 도포시의 기판 상의 용액량을 변화시키거나 하는 등의 방법이 있다.
본 발명의 전하수송성 바니시를 사용하여 OLED 소자를 제작하는 경우의 사용 재료나, 제작 방법으로서는, 하기와 같은 것을 들 수 있지만, 이것들에 한정되는 것은 아니다.
사용하는 전극 기판은 세제, 알코올, 순수 등에 의한 액체 세정을 미리 행하여 정화해 두는 것이 바람직하고, 예를 들면, 양극 기판에서는 사용 직전에 오존 처리, 산소-플라즈마 처리 등의 표면처리를 행하는 것이 바람직하다. 단, 양극 재료가 유기물을 주성분으로 하는 경우, 표면처리를 행하지 않아도 된다.
정공수송성 바니시를 OLED 소자에 사용하는 경우, 이하의 방법을 들 수 있다.
양극 기판 상에 당해 정공수송성 바니시를 도포하고, 상기의 방법에 의해 증발, 소성을 행하고, 전극 상에 정공수송성 박막을 제작한다. 이것을 진공증착 장치 내에 도입하고, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층, 음극 금속을 차례로 증착하여 OLED 소자로 한다. 발광 영역을 컨트롤하기 위하여 임의의 층 사이에 캐리어 블록층을 형성해도 된다.
양극 재료로서는 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO)로 대표되는 투명전극을 들 수 있고, 평탄화 처리를 행한 것이 바람직하다. 고전하 수송성을 갖는 폴리티오펜 유도체나 폴리아닐린 유도체를 사용할 수도 있다.
정공수송층을 형성하는 재료로서는 (트리페닐아민)다이머 유도체(TPD), (α-나프틸디페닐아민)다이머(α-NPD), [(트리페닐아민)다이머]스피로다이머(Spiro-TAD) 등의 트리아릴아민류, 4,4',4"-트리스[3-메틸페닐(페닐)아미노]트리페닐아민(m-MTDATA), 4,4',4"-트리스[1-나프틸(페닐)아미노]트리페닐아민(1-TNATA) 등의 스타버스트 아민류, 5,5"-비스-{4-[비스(4-메틸페닐)아미노]페닐}-2,2':5',2"-터티오펜(BMA-3T) 등의 올리고 티오펜류를 들 수 있다.
발광층을 형성하는 재료로서는 트리스(8-퀴놀리놀레이트)알루미늄(III)(Alq3), 비스(8-퀴놀리놀레이트)아연(II)(Znq2), 비스(2-메틸-8-퀴놀리놀레이트)(p-페닐페놀레이트)알루미늄(III)(BAlq) 및 4,4'-비스(2,2-디페닐비닐)비페닐(DPVBi) 등을 들 수 있고, 전자수송 재료 또는 정공수송 재료와 발광성 도펀트를 공증착함으로써, 발광층을 형성해도 된다.
전자수송 재료로서는 Alq3, BAlq, DPVBi, (2-(4-비페닐)-5-(4-t-부틸페닐)-1,3,4-옥사디아졸)(PBD), 트리아졸 유도체(TAZ), 바토쿠프로인(BCP), 실롤 유도체 등을 들 수 있다.
발광성 도펀트로서는 퀴나크리돈, 루브렌, 쿠마린 540, 4-(디시아노메틸렌)-2-메틸-6-(p-디메틸아미노스티릴)-4H-피란(DCM), 트리스(2-페닐피리딘)이리듐(III)(Ir(ppy)3), (1,10-페난트롤린)-트리스(4,4,4-트리플루오로-1-(2-티에닐)-부탄-1,3-디오네이트)유로퓸(III)(Eu(TTA)3phen) 등을 들 수 있다.
캐리어 블록층을 형성하는 재료로서는 PBD, TAZ, BCP 등을 들 수 있다.
전자주입층을 형성하는 재료로서는 산화 리튬(Li2O), 산화 마그네슘(MgO), 알루미나(Al2O3), 불화리튬(LiF), 불화마그네슘(MgF2), 불화스트론튬(SrF2), Liq, Li(acac), 아세트산 리튬, 벤조산 리튬 등을 들 수 있다.
음극 재료로서는 알루미늄, 마그네슘-은 합금, 알루미늄-리튬 합금, 리튬, 나트륨, 칼륨, 세슘 등을 들 수 있다.
또, 전자수송성 바니시를 OLED 소자에 사용하는 경우, 이하의 방법을 들 수 있다.
음극 기판 상에 당해 전자수송성 바니시를 도포하여 전자수송성 박막을 제작하고, 이것을 진공증착 장치 내에 도입하고, 상기와 동일한 재료를 사용하여 전자수송층, 발광층, 정공수송층, 정공주입층을 형성한 후, 양극 재료를 스퍼터링 등의 방법에 의해 성막하여 OLED 소자로 한다.
본 발명의 전하수송성 바니시를 사용한 PLED 소자의 제작 방법은 특별히 한정되지 않지만, 이하의 방법을 들 수 있다.
상기 OLED 소자 제작에서, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층의 진공증착 조작을 행하는 대신, 발광성 전하수송성 고분자층을 형성함으로써 본 발명의 전하수송성 바니시에 의해 형성되는 전하수송성 박막을 포함하는 PLED 소자를 제작할 수 있다.
구체적으로는, 양극 기판 상에, 전하수송성 바니시(정공수송성 바니시)를 도포하여 상기의 방법에 의해 정공수송성 박막을 제작하고, 그 상부에 발광성 전하수송성 고분자층을 형성하고, 또한 음극 전극을 증착하여 PLED 소자로 한다.
또는, 음극 기판 상에, 전하수송성 바니시(전자수송성 바니시)를 도포하여 상기의 방법에 의해 전자수송성 박막을 제작하고, 그 상부에 발광성 전하수송성 고분자층을 형성하고, 또한 스퍼터링, 증착, 스핀코팅 등의 방법에 의해 양극 전극을 제작하여 PLED 소자로 한다.
사용하는 음극 및 양극 재료로서는 상기 OLED 소자 제작시와 동일한 물질을 사용할 수 있어, 동일한 세정처리, 표면처리를 행할 수 있다.
발광성 전하수송성 고분자층의 형성법으로서는 발광성 전하수송성 고분자 재료, 또는 이것에 발광성 도펀트를 더한 재료에 용매를 가하여 용해하거나, 균일하게 분산하여, 정공주입층을 형성하고 있는 전극 기판에 도포한 후, 용매의 증발에 의해 성막하는 방법을 들 수 있다.
발광성 전하수송성 고분자 재료로서는 폴리(9,9-디알킬플루오렌)(PDAF) 등의 폴리플루오렌 유도체, 폴리(2-메톡시-5-(2'-에틸헥속시)-1,4-페닐렌비닐렌)(MEH-PPV) 등의 폴리페닐렌비닐렌 유도체, 폴리(3-알킬티오펜)(PAT) 등의 폴리티오펜 유도체, 폴리비닐카르바졸(PVCz) 등을 들 수 있다.
용매로서는 톨루엔, 크실렌, 클로로포름 등을 들 수 있고, 용해 또는 균일 분산법으로서는 교반, 가열 교반, 초음파 분산 등의 방법을 들 수 있다.
도포 방법으로서는, 특별히 한정되는 것은 아니고, 잉크젯법, 스프레이법, 디핑법, 스핀코팅법, 전사인쇄법, 롤 코팅법, 브러싱법 등을 들 수 있다. 또한, 도포는 질소, 아르곤 등의 불활성 가스하에서 행하는 것이 바람직하다.
용매의 증발법으로서는 불활성 가스하 또는 진공 중, 오븐 또는 또는 핫플레이트에서 가열하는 방법을 들 수 있다.
이하, 실시예 및 비교예를 들어, 본 발명을 보다 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 하기의 실시예에 한정되는 것은 아니다. 이하에서의 MS 스펙트럼의 측정장치는 이하와 같다.
[MS 스펙트럼]
장치(MALDI-TOF): Applied Biosystems사제 Voyager-DETM PRO
장치(FAB): 니혼덴시(주)제 JMS-700T
[1] 올리고아닐린 화합물의 합성
[실시예 1]
이하의 반응식에 따라, 테트라아닐린(이하, TA로 약기함)과 퍼플루오로비페닐(이하, PFB로 약기함)로부터 비스테트라아닐리노옥타플루오로비페닐(이하, BTAOFB로 약기함)을 합성했다. 또한, 테트라아닐린은 문헌(신세틱·메탈즈(Synthetic Metals), 1997년, 84권, p.119-120))에 따라 합성했다.
Figure 112009019955169-pct00004
TA 5.00g, PFB 2.73g, 및 60% 수소화나트륨 2.74g에 대하여, 질소 분위기하, 탈수 디옥산 500ml를 가하고 초음파로 이것들을 현탁시켰다. 얻어진 자색의 현탁액을 질소 분위기하, 80℃까지 승온하고, 그대로 15시간 교반했다.
방냉 후, 반응액을 흡인 여과하고, 여과물을 디옥산으로 3회 세정한 후, 세정액이 pH 7이 될 때까지 순수로 더 세정했다. 모은 여과액을 농축하고, 순수 180mL를 가하고, 초음파로 분산한 후, 흡인 여과하고, 여과물을 순수로 2회 세정했다. 세정 후의 여과물을 감압 건조 후, 실리카겔(실리카겔 190g, 유출 용매: 디클로로에탄)을 사용하여 정제했다. 유출액을 감압농축, 건조하여 녹흑색 분말 1.43g을 얻었다.
얻어진 녹흑색 분말을 MS 스펙트럼 측정장치로 분석한 바, BTAOFB 및 하기 화합물 유래의 피크가 얻어졌다.
LDI-TOF-MS(positive):1026[M(BTAOFB)]+, 1686[M(하기 화합물)]+
Figure 112009019955169-pct00005
[비교예 1]
불화 아릴기를 갖지 않는 올리고아닐린 화합물인 페닐테트라아닐린(이하, PTA로 약기함)을 이하의 방법에 따라 합성했다. 즉, 불리틴·오브·케미컬·소사이어티·오브·저팬(Bulletin of Chemical Society of Japan), 1994년, 제67권, p.1749-1752에 기재되어 있는 방법을 기초로, 이하의 방법으로 PTA를 얻었다.
Figure 112009019955169-pct00006
p-페닐렌디아민 12.977g을, 톨루엔 2L에 용해하고, 이것에 탈수 축합제인 테트라-n-부톡시티탄 245.05g을 첨가하고, 70℃에서 30분간 용해했다. 그 후, p-히드록시디페닐아민 53.346g을 첨가하고, 질소 분위기하, 반응온도 100℃에서 24시간 반응시켰다. 반응 종료 후, 반응액을 여과하고, 여과물을 톨루엔, 에테르로 차례로 세정한 후, 건조하여 은색 결정을 얻었다. 얻어진 결정에 대하여 25질량부의 디옥산, 0.2당량의 히드라진1수화물을 첨가하고, 반응계 내를 질소 치환한 후, 가열 환류하여 결정을 용해했다. 얻어진 용액에, 톨루엔을 결정에 대하여 25질량부 가하여 용액을 현탁시키고, 가열 환류 후, 또한 디옥산을 10질량부 가하고 가열 환류하여 결정을 용해시키고, 얻어진 용액을 가열상태에서 여과했다.
여과액으로부터 석출한 고체를 재결정하고, 질소 분위기하, 톨루엔-디옥산(1:1), 에테르로 차례로 세정한 후에 여과하여 취하고, 얻어진 결정을 감압하, 60℃에서 10시간 건조했다. 동일한 재결정 조작을 한번 더 반복하여 백색 결정 39.60g을 얻었다(수율 75%).
상기 실시예 1 및 비교예 1에서 얻어진 BTAOFB 및 PTA의 저극성 유기용매에 대한 용해성에 대하여 검토했다.
(1) 톨루엔에 대한 용해성
BTAOFB 100mg에 톨루엔 1ml를 가하고, 50℃까지 승온하고 교반하자 용해되어, 실온까지 냉각해도 고체의 석출은 발견되지 않았다.
한편, PTA 100mg에 톨루엔 1ml를 가하고, 50℃까지 교반한 바 고체가 녹지 않고 남아, 용해되지 않았다.
(2) 디클로로에탄에 대한 용해성
BTAOFB 100mg에 디클로로에탄 1mL를 가하고, 50℃까지 승온하여 교반하자 용해되어, 실온까지 냉각해도 고체의 석출은 발견되지 않았다.
PTA 100mg에 디클로로에탄 1mL를 가하고, 50℃까지 교반한 바 고체가 녹지 않고 남아, 용해되지 않았다.
이상의 결과로부터, 불화 아릴기를 포함하는 BTAOFB는 그것을 포함하지 않는 PTA와 비교하여, 톨루엔이나 디클로로에탄과 같은 저극성 용매에 대한 용해성이 우수한 것을 알 수 있다.
[2] 전하수송성 바니시 및 전하수송성 박막의 제작
[실시예 2]
BTAOFB 70mg 및 5-술포살리실산2수화물 139mg의 혼합물에 대하여, 질소분위기 중에서 DMAc 1.30mL를 가하여 용해하고, 40℃까지 가열하여 융해시킨 시클로헥사놀 3.86mL를 가하고, 실온까지 방냉하여 녹색 투명 용액을 얻었다. 얻어진 용액을 구멍 직경 0.2㎛의 PTFE제 필터를 사용하여 여과하고, 녹색 투명의 전하수송성 바니시를 얻었다. 또한, 여과 시, 막힘은 발생하지 않았다.
40분간 오존 세정을 행한 ITO 기판 상에, 얻어진 바니시를 스핀 코팅법에 의해 도포하고, 핫플레이트 상에 200℃에서 1시간 소성하여 전하수송성 박막을 형성했다. 얻어진 박막은 균일한 비정질 고체였다.
[비교예 2]
PTA 100mg 및 5-술포살리실산2수화물 230mg의 혼합물에 대하여, DMAc 1.87ml를 가하고 실온에서 교반하여 이것들을 용해한 후, 40℃까지 가열하여 융해시킨 시클로헥사놀 5.53ml를 가하여 교반하고, 녹흑색 용액을 얻었다. 얻어진 용액을, 구멍 직경 0.2㎛의 PTFE제 필터를 사용해서 여과하여, 녹흑색의 전하수송성 바니시를 얻었다. 또한, 여과 시, 막힘은 발생하지 않았다.
40분간 오존 세정을 행한 ITO 기판 상에, 얻어진 바니시를 스핀 코팅법에 의해 도포하고, 핫플레이트 상 200℃에서 1시간 소성하여 전하수송성 박막을 형성했다. 얻어진 박막은 균일한 비정질 고체였다.
실시예 2 및 비교예 2의 바니시의 고형분 농도, 박막의 막 두께 및 이온화 포텐셜(Ip)을 표 1에 나타낸다.
또한, 막 두께 및 이온화 포텐셜은 리켄케키(주)제 광전자 분광 장치 AC-2를 사용하여 측정했다. 막 두께는, (주)고사카 켄큐쇼제 서프코더 ET-4000A를 사용하여 측정했다.
Figure 112009019955169-pct00007
[3] OLED 소자의 제작
[실시예 3]
실시예 2와 동일한 방법에 의해 ITO 기판 상에 정공수송성 박막을 형성한 후, 이 기판을 진공증착 장치 내에 도입하고, α-NPD, Alq3, LiF, Al을 차례로 증착하고, OLED 소자를 제작했다. 막 두께는 각각 35nm, 50nm, 0.5nm, 100nm로 하고, 각각 8×10-4Pa 이하의 압력으로 되고 나서 증착 조작을 행했다. 증착 레이트는 α-NPD 및 Alq3에서는 0.35∼0.40nm/s, LiF에서는 0.015∼0.025nm/s, Al에서는 0.2∼0.4nm/s로 했다. 증착 조작 간의 이동조작은 진공 중에 행했다.
[비교예 3] OLED 소자의 제작
비교예 2와 동일한 방법에 의해 ITO 기판 상에 전하수송성 박막을 형성한 후, 실시예 3과 동일한 방법으로 각 막을 증착하여, OLED 소자를 제작했다.
실시예 3 및 비교예 3에서 얻어진 소자 특성을 아울러 표 2에 나타낸다.
또한, OLED 소자의 특성은, 유기 EL 발광효율 측정장치(EL1003, 프레사이스 게이지(주)제)를 사용하여 측정했다.
Figure 112009019955169-pct00008
표 2에 표시되는 바와 같이, 실시예 3의 OLED 특성은 비교예 2의 OLED 특성과 비교하여 구동전압이 낮고, 정공주입 특성이 높은 것을 알 수 있다. 또, 전류효율에 관해서도 거의 동등한 것을 알 수 있다.

Claims (9)

  1. 식 (2)로 표시되는 것을 특징으로 하는 올리고아닐린 화합물:
    Figure 112014046168611-pct00012
    (식 중, R1∼R10은 수소 원자를 나타내고,
    m 및 n은 각각 2≤m≤8, 2≤n≤8을 만족하는 정수이며,
    X는 2가 퍼플루오로비페닐을 나타낸다.)
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 m 및 n이 각각 3≤m≤5, 3≤n≤5를 만족하는 정수인 것을 특징으로 하는 올리고아닐린 화합물.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 m 및 n이 각각 6≤m+n≤10을 만족하는 정수인 것을 특징으로 하는 올리고아닐린 화합물.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 기재된 올리고아닐린 화합물을 포함하는 전하수송성 바니시.
  5. 제 4 항에 있어서, 전자 수용성 도판트 물질을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전하수송성 바니시.
  6. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 기재된 올리고아닐린 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 전하수송성 박막.
  7. 제 4 항에 기재된 전하수송성 바니시로부터 제작되는 전하수송성 박막.
  8. 제 6 항에 기재된 전하수송성 박막을 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자.
  9. 제 6 항에 기재된 전하수송성 박막을 구비하는 것을 특징으로 하는 태양전지.
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