JP6597642B2 - 電荷輸送性薄膜形成用ワニス - Google Patents

Description

本発明は、電荷輸送性薄膜形成用ワニスに関する。

有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子には、発光層や電荷注入層として、有機化合物からなる電荷輸送性薄膜が用いられる。この電荷輸送性薄膜の形成方法は、蒸着法に代表されるドライプロセスとスピンコート法に代表されるウェットプロセスとに大別される。ドライプロセスとウェットプロセスとを比べると、ウェットプロセスの方が大面積に平坦性の高い薄膜を効率的に製造できることから、有機ＥＬといった薄膜の大面積化が望まれる分野においてはウェットプロセスにより薄膜が形成されることが多い。

この点に鑑み、本発明者らは、各種電子デバイスに適用可能な電荷輸送性薄膜をウェットプロセスで作製するための電荷輸送性薄膜を形成するためのワニスを開発してきている（例えば、特許文献１参照）。

しかし、近年の有機ＥＬの分野においては、素子の軽量化・薄型化・フレキシブル化の潮流から、ガラス基板のかわりに有機化合物からなる基板が用いられるようになってきている。そのため、従来品よりも低温で焼成でき、またその場合にも良好な電荷輸送性を有する薄膜を与えるワニスが求められている。

特開２００２−１５１２７２号公報

本発明は、前記事情に鑑みてなされたものであり、低温で焼成した場合であっても高電荷輸送性を示し、有機ＥＬ素子の正孔注入層として用いた場合に当該素子の電流効率を維持したまま駆動電圧の低減や輝度特性の向上を図り得る、２,２,６,６−テトラアルキルピペリジン−Ｎ−オキシル誘導体を含む電荷輸送性薄膜形成用ワニスを提供することを目的とする。また、本発明は、そのような電荷輸送性薄膜形成用ワニスを用いた、有機ＥＬ素子の駆動電圧を低減する方法、輝度を向上させる方法及び輝度寿命を向上させる方法を提供することも目的とする。

本発明者は、前記目的を達成するために鋭意検討を重ねた結果、２,２,６,６−テトラアルキルピペリジン−Ｎ−オキシル誘導体が、有機溶媒への優れた溶解性と電荷輸送性物質に対する優れた酸化性とを兼ね備え、これを電荷輸送性物質と共に有機溶媒に溶解させて調製したワニスから得られる電荷輸送性薄膜を有機ＥＬ素子の正孔注入層として用いることで、当該ワニスを低温で焼成した場合であっても、当該素子の電流効率を損なうことなく駆動電圧の低減や輝度特性の向上が図れることを見出し、本発明を完成させた。なお、本発明において、「低温で焼成する」とは、「２００℃以下の温度で焼成する」ことを意味する。

すなわち、本発明は、
１．式（Ｔ１）で表される２,２,６,６−テトラアルキルピペリジン−Ｎ−オキシル誘導体と、電荷輸送性物質と、ドーパントと、有機溶媒とを含むことを特徴する電荷輸送性薄膜形成用ワニス、

（式中、Ｒ^Aは、互いに独立して、炭素数１〜２０のアルキル基を表し、Ｒ^Bは、水素原子を表す。）
２．前記電荷輸送物質が、ポリフルオレン誘導体を含まない、１の電荷輸送性薄膜形成用ワニス、
３．前記電荷輸送物質が、連鎖重合性官能基を持つ電荷輸送性材料を含まない、１又は２の電荷輸送性薄膜形成用ワニス、
４．前記式（Ｔ１）で表される２,２,６,６−テトラアルキルピペリジン−Ｎ−オキシル誘導体が、中心金属がＩｒ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｒｈ又はＰｔであり、かつ、ニトロキシルラジカルを分子内に有する有機ラジカル金属錯体を含まない、１〜３のいずれかの電荷輸送性薄膜形成用ワニス、
５．前記２,２,６,６−テトラアルキルピペリジン−Ｎ−オキシル誘導体が、２,２,６,６−テトラメチルピペリジン−Ｎ−オキシル又は２,２,６,６−テトラエチルピペリジン−Ｎ−オキシルである１〜４のいずれかの電荷輸送性薄膜形成用ワニス、
６．前記電荷輸送性物質が、分子量２００〜９,５００の電荷輸送性化合物を含むことを特徴する１〜５のいずれかの電荷輸送性薄膜形成用ワニス、
７．前記電荷輸送性物質が、分子量２００〜９,５００のアリールアミン誘導体及びチオフェン誘導体からなる群から選ばれる少なくとも１種を含むことを特徴とする１〜６のいずれかの電荷輸送性薄膜形成用ワニス、
８．前記電荷輸送性物質が、分子量２００〜９,５００のアリールアミン誘導体であることを特徴とする７の電荷輸送性薄膜形成用ワニス、
９．更に、フッ素原子含有オリゴアニリン誘導体を含むことを特徴とする１〜８のいずれかの電荷輸送性薄膜形成用ワニス、
１０．前記フッ素原子含有オリゴアニリン誘導体が、式（６）で表されるものであることを特徴とする９の電荷輸送性薄膜形成用ワニス、

（式中、Ｒ³⁰¹は、水素原子、又はＺで置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基を表し、Ｚは、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、スルホン酸基、カルボキシ基、Ｚ'で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基又はＺ'で置換されていてもよい炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表し、Ｚ'は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、スルホン酸基又はカルボキシ基を表し；
Ｒ³⁰²〜Ｒ³¹⁰は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、又はハロゲン原子で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、炭素数２〜２０のアルキニル基、炭素数６〜２０のアリール基若しくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表し；
Ａは、
シアノ基、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、ニトロ基若しくは炭素数１〜２０のフルオロアルコキシ基で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のフルオロアルキル基、炭素数３〜２０のフルオロシクロアルキル基、炭素数４〜２０のフルオロビシクロアルキル基、炭素数２〜２０のフルオロアルケニル基若しくは炭素数２〜２０のフルオロアルキニル基、
シアノ基、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、ニトロ基、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のフルオロアルキル基若しくは炭素数１〜２０のフルオロアルコキシ基で置換されていてもよい炭素数６〜２０のフルオロアリール基、
炭素数１〜２０のフルオロアルキル基、炭素数３〜２０のフルオロシクロアルキル基、炭素数４〜２０のフルオロビシクロアルキル基、炭素数２〜２０のフルオロアルケニル基若しくは炭素数２〜２０のフルオロアルキニル基で置換されるとともに、シアノ基、ハロゲン原子若しくは炭素数１〜２０のフルオロアルコキシ基で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基、
シアノ基、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、ニトロ基、炭素数１〜２０のフルオロアルコキシ基、炭素数１〜２０のフルオロアルキル基、炭素数３〜２０のフルオロシクロアルキル基、炭素数４〜２０のフルオロビシクロアルキル基、炭素数２〜２０のフルオロアルケニル基若しくは炭素数２〜２０のフルオロアルキニル基で置換されていてもよい炭素数７〜２０のフルオロアラルキル基、又は
炭素数１〜２０のフルオロアルキル基、炭素数３〜２０のフルオロシクロアルキル基、炭素数４〜２０のフルオロビシクロアルキル基、炭素数２〜２０のフルオロアルケニル基若しくは炭素数２〜２０のフルオロアルキニル基で置換されるとともに、シアノ基、ハロゲン原子若しくは炭素数１〜２０のフルオロアルコキシ基で置換されていてもよい炭素数７〜２０のアラルキル基
を表し；
ｎ¹は、１〜２０の整数を表す。）
１１．前記ドーパントが、アリールスルホン酸を含むことを特徴とする１〜１０のいずれかの電荷輸送性薄膜形成用ワニス、
１２．有機ＥＬ素子の正孔注入層又は正孔注入輸送層形成用である１〜１１のいずれかの電荷輸送性薄膜形成用ワニス、
１３．１〜１２のいずれかの電荷輸送性薄膜形成用ワニスを用いて製造される電荷輸送性薄膜、
１４．１３の電荷輸送性薄膜を有する有機ＥＬ素子、
１５．１〜１２のいずれかの電荷輸送性薄膜形成用ワニスを用いることを特徴とする、電荷輸送性薄膜の製造方法、
１６．１〜１２のいずれかの電荷輸送性薄膜形成用ワニスを用いることを特徴とする、有機ＥＬ素子の製造方法、
１７．電荷輸送性薄膜形成用ワニスを用いて製造される電荷輸送性薄膜を有する有機ＥＬ素子の駆動電圧を低減する方法であって、
前記電荷輸送性薄膜形成用ワニスとして、１〜１２のいずれかの電荷輸送性薄膜形成用ワニスを用いることを特徴とする方法、
１８．電荷輸送性薄膜形成用ワニスを用いて製造される電荷輸送性薄膜を有する有機ＥＬ素子の輝度を向上する方法であって、
前記電荷輸送性薄膜形成用ワニスとして、１〜１２のいずれかの電荷輸送性薄膜形成用ワニスを用いることを特徴とする方法、
１９．電荷輸送性薄膜形成用ワニスを用いて製造される電荷輸送性薄膜を有する有機ＥＬ素子の輝度寿命を向上する方法であって、
前記電荷輸送性薄膜形成用ワニスとして、１〜１２のいずれかの電荷輸送性薄膜形成用ワニスを用いることを特徴とする方法
を提供する。

本発明の電荷輸送性薄膜形成用ワニスを用いることで、これを含まないワニスや他の有機酸化剤を含むワニスを用いた場合と比較して、低温で焼成した場合においても、高電荷輸送性を示す電荷輸送性薄膜を得ることができる。更に、当該薄膜を正孔注入層として用いることで、有機ＥＬ素子の駆動電圧の低減や輝度特性の向上を図ることができる。
また、本発明の電荷輸送性薄膜形成用ワニスから得られる薄膜は、帯電防止膜、有機薄膜太陽電池の正孔捕集層等としての使用も期待される。

本発明に係る電荷輸送性薄膜形成用ワニスは、式（Ｔ１）で表される２,２,６,６−テトラアルキルピペリジン−Ｎ−オキシル誘導体を含む。

（式中、Ｒ^Aは、互いに独立して、炭素数１〜２０のアルキル基を表し、Ｒ^Bは、水素原子、ヒドロキシ基、アミノ基、カルボキシ基、シアノ基、オキソ基、イソシアナト基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数２〜２０のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数７〜２０のアリールカルボニルオキシ基、炭素数２〜２０のアルキルカルボニルアミノ基、又は炭素数７〜２０のアリールカルボニルアミノ基を表す。）

式中、Ｒ^Aは、互いに独立して、炭素数１〜２０のアルキル基を表す。炭素数１〜２０のアルキル基としては、直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよく、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基等の炭素数１〜２０の直鎖状又は分岐状アルキル基；シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、ビシクロブチル基、ビシクロペンチル基、ビシクロヘキシル基、ビシクロヘプチル基、ビシクロオクチル基、ビシクロノニル基、ビシクロデシル基等の炭素数３〜２０の環状アルキル基等が挙げられる。

中でも、アルキル基としては、炭素数１〜２０の直鎖状アルキル基が好ましく、メチル基、エチル基がより好ましく、メチル基が最適である。

また、前記誘導体の合成の容易性の観点から、Ｒ^Aは、全て同一であることが好ましい。

Ｒ^Bは、水素原子、ヒドロキシ基、アミノ基、カルボキシ基、シアノ基、オキソ基、イソシアナト基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数２〜２０のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数７〜２０のアリールカルボニルオキシ基、炭素数２〜２０のアルキルカルボニルアミノ基、又は炭素数７〜２０のアリールカルボニルアミノ基を表す。

前記炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数２〜２０のアルキルカルボニルオキシ基及び炭素数２〜２０のアルキルカルボニルアミノ基のアルキル部としては、前述したアルキル基と同様のものが挙げられる。

前記炭素数７〜２０のアリールカルボニルオキシ基及び炭素数７〜２０のアリールカルボニルアミノ基のアリール部としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基等の炭素数６〜２０のアリール基が挙げられる。

これらのうち、Ｒ^Bとしては、水素原子が好ましい。

式（Ｔ１）で表される２,２,６,６−テトラアルキルピペリジン−Ｎ−オキシル誘導体の具体例としては、２,２,６,６−テトラメチルピペリジン−Ｎ−オキシル（以下、ＴＥＭＰＯともいう）、２,２,６,６−テトラエチルピペリジン−Ｎ−オキシル等が挙げられるが、これらに限定されない。

本発明で用いる２,２,６,６−テトラアルキルピペリジン−Ｎ−オキシル誘導体は、市販品を用いてもよく、公知の方法（例えば、国際公開第２０１４／７１４４号、特開平７−２７８１０７号公報、特開平６−１００５３８号公報、特開２００３−５５３４７号公報、J. Am. Chem. Soc., 2006, 128 (26), pp. 8412-8413及びそのサポーティングインフォメーション等に記載の方法）で合成したものを用いてもよい。

本発明のワニス中の２,２,６,６−テトラアルキルピペリジン−Ｎ−オキシル誘導体の含有量は、電荷輸送性物質（ドーパントを含む場合は、電荷輸送性物質及びドーパント）に対して１〜１０質量％程度であり、好ましくは３〜８質量％程度である。

本発明に係る電荷輸送性薄膜形成用ワニスが含む電荷輸送性物質としては、有機ＥＬの分野等で用いられるものを用いることができる。その具体例としては、オリゴアニリン誘導体、Ｎ,Ｎ'−ジアリールベンジジン誘導体、Ｎ,Ｎ,Ｎ',Ｎ'−テトラアリールベンジジン誘導体等のアリールアミン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、チエノチオフェン誘導体、チエノベンゾチオフェン誘導体等のチオフェン誘導体、オリゴピロール等のピロール誘導体等の各種電荷輸送性化合物が挙げられる。中でも、有機溶媒への優れた溶解を示すことから、アリールアミン誘導体、チオフェン誘導体が好ましく、アリールアミン誘導体がより好ましい。

前記電荷輸送性化合物の分子量は、平坦性の高い薄膜を与える均一なワニスを調製する観点から、通常２００〜９,５００程度であるが、より電荷輸送性に優れる薄膜を得る観点から、３００以上が好ましく、４００以上がより好ましく、平坦性の高い薄膜をより再現性よく与える均一なワニスを調製する観点から、８,０００以下が好ましく、７,０００以下がより好ましく、６,０００以下がより一層好ましく、５,０００以下が更に好ましい。なお、薄膜化した場合に電荷輸送性物質が分離することを防ぐ観点から、電荷輸送性化合物は分子量分布のない（分散度が１）ことが好ましい（すなわち、単一の分子量であることが好ましい）。

アリールアミン誘導体の具体例としては、式（１）で表されるものが挙げられる。

式（１）中、Ｘ²⁰¹は、−ＮＹ²⁰¹−、−Ｏ−、−Ｓ−、−(ＣＲ²⁰⁷Ｒ²⁰⁸)_L−又は単結合を表すが、ｍ¹又はｍ²が０であるときは、−ＮＹ²⁰¹−を表す。

Ｙ²⁰¹は、互いに独立して、水素原子、Ｚ²⁰¹で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基若しくは炭素数２〜２０のアルキニル基、又はＺ²⁰²で置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリール基若しくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表す。

炭素数１〜２０のアルキル基としては、前述したものと同様のものが挙げられる。

炭素数２〜２０のアルケニル基の具体例としては、エテニル基、ｎ−１−プロペニル基、ｎ−２−プロペニル基、１−メチルエテニル基、ｎ−１−ブテニル基、ｎ−２−ブテニル基、ｎ−３−ブテニル基、２−メチル−１−プロペニル基、２−メチル−２−プロペニル基、１−エチルエテニル基、１−メチル−１−プロペニル基、１−メチル−２−プロペニル基、ｎ−１−ペンテニル基、ｎ−１−デセニル基、ｎ−１−エイコセニル基等が挙げられる。

炭素数２〜２０のアルキニル基の具体例としては、エチニル基、ｎ−１−プロピニル基、ｎ−２−プロピニル基、ｎ−１−ブチニル基、ｎ−２−ブチニル基、ｎ−３−ブチニル基、１−メチル−２−プロピニル基、ｎ−１−ペンチニル基、ｎ−２−ペンチニル基、ｎ−３−ペンチニル基、ｎ−４−ペンチニル基、１−メチル−ｎ−ブチニル基、２−メチル−ｎ−ブチニル基、３−メチル−ｎ−ブチニル基、１,１−ジメチル−ｎ−プロピニル基、ｎ−１−ヘキシニル基、ｎ−１−デシニル基、ｎ−１−ペンタデシニル基、ｎ−１−エイコシニル基等が挙げられる。

炭素数６〜２０のアリール基の具体例としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基等が挙げられる。

炭素数２〜２０のヘテロアリール基の具体例としては、２−チエニル基、３−チエニル基、２−フラニル基、３−フラニル基、２−オキサゾリル基、４−オキサゾリル基、５−オキサゾリル基、３−イソオキサゾリル基、４−イソオキサゾリル基、５−イソオキサゾリル基、２−チアゾリル基、４−チアゾリル基、５−チアゾリル基、３−イソチアゾリル基、４−イソチアゾリル基、５−イソチアゾリル基、２−イミダゾリル基、４−イミダゾリル基、２−ピリジル基、３−ピリジル基、４−ピリジル基等が挙げられる。

Ｒ²⁰⁷及びＲ²⁰⁸は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、スルホン酸基、カルボキシ基、Ｚ²⁰¹で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基若しくは炭素数２〜２０のアルキニル基、Ｚ²⁰²で置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリール基若しくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基、又は−ＮＨＹ²⁰²、−ＮＹ²⁰³Ｙ²⁰⁴、−Ｃ(Ｏ)Ｙ²⁰⁵、−ＯＹ²⁰⁶、−ＳＹ²⁰⁷、−ＳＯ₃Ｙ²⁰⁸、−Ｃ(Ｏ)ＯＹ²⁰⁹、−ＯＣ(Ｏ)Ｙ²¹⁰、−Ｃ(Ｏ)ＮＨＹ²¹¹若しくは−Ｃ(Ｏ)ＮＹ²¹²Ｙ²¹³基を表す。

Ｙ²⁰²〜Ｙ²¹³は、互いに独立して、Ｚ²⁰¹で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基若しくは炭素数２〜２０のアルキニル基、又はＺ²⁰²で置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリール基若しくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表す。

Ｚ²⁰¹は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、スルホン酸基、カルボキシ基、又はＺ²⁰³で置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリール基若しくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表す。

Ｚ²⁰²は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、スルホン酸基、カルボキシ基、又はＺ²⁰³で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基若しくは炭素数２〜２０のアルキニル基を表す。

Ｚ²⁰³は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、スルホン酸基、又はカルボキシ基を表す。

ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。

Ｒ²⁰⁷〜Ｒ²⁰⁸及びＹ²⁰²〜Ｙ²¹³のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基及びヘテロアリール基としては、前述したものと同様のものが挙げられる。

これらの中でも、Ｒ²⁰⁷及びＲ²⁰⁸としては、水素原子又はＺ²⁰¹で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基が好ましく、水素原子又はＺ²⁰¹で置換されていてもよいメチル基がより好ましく、ともに水素原子が最適である。

Ｌは、−(ＣＲ²⁰⁷Ｒ²⁰⁸)−で表される２価の基の数を表し、１〜２０の整数であるが、１〜１０が好ましく、１〜５がより好ましく、１〜２がより一層好ましく、１が最適である。なお、Ｌが２以上である場合、複数のＲ²⁰⁷は、互いに同一であっても異なっていてもよく、複数のＲ²⁰⁸も、互いに同一であっても異なっていてもよい。

とりわけ、Ｘ²⁰¹としては、−ＮＹ²⁰¹−又は単結合が好ましい。また、Ｙ²⁰¹としては、水素原子又はＺ²⁰¹で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基が好ましく、水素原子又はＺ²⁰¹で置換されていてもよいメチル基がより好ましく、水素原子が最適である。

Ｒ²⁰¹〜Ｒ²⁰⁶は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、スルホン酸基、カルボキシ基、Ｚ²⁰¹で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基若しくは炭素数２〜２０のアルキニル基、Ｚ²⁰²で置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリール基若しくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基、又は−ＮＨＹ²⁰²、−ＮＹ²⁰³Ｙ²⁰⁴、−Ｃ(Ｏ)Ｙ²⁰⁵、−ＯＹ²⁰⁶、−ＳＹ²⁰⁷、−ＳＯ₃Ｙ²⁰⁸、−Ｃ(Ｏ)ＯＹ²⁰⁹、−ＯＣ(Ｏ)Ｙ²¹⁰、−Ｃ(Ｏ)ＮＨＹ²¹¹若しくは−Ｃ(Ｏ)ＮＹ²¹²Ｙ²¹³基を表す（Ｙ²⁰²〜Ｙ²¹³は、前記と同じ意味を表す。）。これらハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基及びヘテロアリール基としては、前述したものと同様のものが挙げられる。

特に、式（１）において、Ｒ²⁰¹〜Ｒ²⁰⁴としては、水素原子、ハロゲン原子、Ｚ²⁰¹で置換されていてもよい炭素数１〜１０のアルキル基、又はＺ²⁰²で置換されていてもよい炭素数６〜１４のアリール基が好ましく、水素原子、フッ素原子、又はフッ素原子で置換されていてもよい炭素数１〜１０のアルキル基がより好ましく、全て水素原子が最適である。

また、Ｒ²⁰⁵及びＲ²⁰⁶としては、水素原子、ハロゲン原子、Ｚ²⁰¹で置換されていてもよい炭素数１〜１０のアルキル基、Ｚ²⁰²で置換されていてもよい炭素数６〜１４のアリール基、又はＺ²⁰²で置換されていてもよいジフェニルアミノ基（Ｙ²⁰³及びＹ²⁰⁴がＺ²⁰²で置換されていてもよいフェニル基である−ＮＹ²⁰³Ｙ²⁰⁴基）が好ましく、水素原子、フッ素原子、又はフッ素原子で置換されていてもよいジフェニルアミノ基がより好ましく、同時に水素原子又はジフェニルアミノ基がより一層好ましい。

これらの中でも、Ｒ²⁰¹〜Ｒ²⁰⁴が水素原子、フッ素原子、フッ素原子で置換されていてもよい炭素数１〜１０のアルキル基、Ｒ²⁰⁵及びＲ²⁰⁶が水素原子、フッ素原子、フッ素原子で置換されていてもよいジフェニルアミノ基、Ｘ²⁰¹が−ＮＹ²⁰¹−又は単結合、かつ、Ｙ²⁰¹が水素原子又はメチル基の組み合わせが好ましく、Ｒ²⁰¹〜Ｒ²⁰⁴が水素原子、Ｒ²⁰⁵及びＲ²⁰⁶が同時に水素原子又はジフェニルアミノ基、Ｘ²⁰¹が−ＮＨ−又は単結合の組み合わせがより好ましい。

式（１）において、ｍ¹及びｍ²は、互いに独立して、０以上の整数を表し、１≦ｍ¹＋ｍ²≦２０を満たすが、得られる薄膜の電荷輸送性とアリールアミン誘導体の溶解性とのバランスを考慮すると、２≦ｍ¹＋ｍ²≦８を満たすことが好ましく、２≦ｍ¹＋ｍ²≦６を満たすことがより好ましく、２≦ｍ¹＋ｍ²≦４を満たすことがより一層好ましい。

Ｙ²⁰¹〜Ｙ²¹³及びＲ²⁰¹〜Ｒ²⁰⁸において、Ｚ²⁰¹は、ハロゲン原子、又はＺ²⁰³で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基が好ましく、ハロゲン原子、又はＺ²⁰³で置換されていてもよいフェニル基がより好ましく、存在しないこと（すなわち、非置換であること）が最適である。

Ｚ²⁰²は、ハロゲン原子、又はＺ²⁰³で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基が好ましく、ハロゲン原子、又はＺ²⁰³で置換されていてもよい炭素数１〜４のアルキル基がより好ましく、存在しないこと（すなわち、非置換であること）が最適である。

Ｚ²⁰³は、ハロゲン原子が好ましく、フッ素がより好ましく、存在しないこと（すなわち、非置換であること）が最適である。

Ｙ²⁰¹〜Ｙ²¹³及びＲ²⁰¹〜Ｒ²⁰⁸では、アルキル基、アルケニル基及びアルキニル基の炭素数は、好ましくは１０以下であり、より好ましくは６以下であり、より一層好ましくは４以下である。また、アリール基及びヘテロアリール基の炭素数は、好ましくは１４以下であり、より好ましくは１０以下であり、より一層好ましくは６以下である。

式（１）で表されるアリールアミン誘導体の分子量は、有機溶媒への溶解性を確保する観点から、好ましくは９,５００以下であり、より好ましくは８,０００以下であり、より一層好ましくは７,０００以下であり、更に好ましくは６,０００以下であり、更に一層好ましくは５,０００以下である。また、電荷輸送性を高める観点から、当該分子量は、好ましくは３００以上、より好ましくは４００以上である。なお、薄膜化した場合に電荷輸送性物質が分離することを防ぐ観点から、式（１）で表されるアリールアミン誘導体は分子量分布のない（分散度が１）ことが好ましい（すなわち、単一の分子量であることが好ましい）。

なお、アリールアミン誘導体の合成法としては、特に限定されないが、Bulletin of Chemical Society of Japan, 67, pp. 1749-1752 (1994)、Synthetic Metals, 84, pp. 119-120 (1997)、Thin Solid Films, 520 (24), pp. 7157-7163, (2012)、国際公開第２００８／０３２６１７号、国際公開第２００８／０３２６１６号、国際公開第２００８／１２９９４７号、国際公開第２０１３／０８４６６４号等に記載の方法が挙げられる。

式（１）で表されるアリールアミン誘導体の具体例としては、下記式で表されるものが挙げられるが、これらに限定されない。

（式中、ＤＰＡは、ジフェニルアミノ基を表す。）

（式中、Ｐｈは、フェニル基を表し、ＴＰＡは、ｐ−(ジフェニルアミノ)フェニル基を表す。）

アリールアミン誘導体の他の具体例としては、式（２）又は（３）で表されるものが挙げられる。

式（３）中、Ｒ¹及びＲ²は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、又はハロゲン原子で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、炭素数２〜２０のアルキニル基、炭素数６〜２０のアリール基若しくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表す。

ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられるが、フッ素原子が好ましい。

炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、炭素数２〜２０のアルキニル基及び炭素数６〜２０のアリール基としては、前述したものと同様のものが挙げられる。

炭素数２〜２０のヘテロアリール基の具体例としては、２−フラニル基、３−フラニル基、２−オキサゾリル基、４−オキサゾリル基、５−オキサゾリル基、３−イソオキサゾリル基、４−イソオキサゾリル基、５−イソオキサゾリル基等の含酸素ヘテロアリール基；２−チエニル基、３−チエニル基、２−チアゾリル基、４−チアゾリル基、５−チアゾリル基、３−イソチアゾリル基、４−イソチアゾリル基、５−イソチアゾリル基等の含硫黄ヘテロアリール基；２−イミダゾリル基、４−イミダゾリル基、２−ピリジル基、３−ピリジル基、４−ピリジル基、２−ピラジル基、３−ピラジル基、５−ピラジル基、６−ピラジル基、２−ピリミジル基、４−ピリミジル基、５−ピリミジル基、６−ピリミジル基、３−ピリダジル基、４−ピリダジル基、５−ピリダジル基、６−ピリダジル基、１,２,３−トリアジン−４−イル基、１,２,３−トリアジン−５−イル基、１,２,４−トリアジン−３−イル基、１,２,４−トリアジン−５−イル基、１,２,４−トリアジン−６−イル基、１,３,５−トリアジン−２−イル基、１,２,４,５−テトラジン−３−イル基、１,２,３,４−テトラジン−５−イル基、２−キノリニル基、３−キノリニル基、４−キノリニル基、５−キノリニル基、６−キノリニル基、７−キノリニル基、８−キノリニル基、１−イソキノリニル基、３−イソキノリニル基、４−イソキノリニル基、５−イソキノリニル基、６−イソキノリニル基、７−イソキノリニル基、８−イソキノリニル基、２−キノキサニル基、５−キノキサニル基、６−キノキサニル基、２−キナゾリニル基、４−キナゾリニル基、５−キナゾリニル基、６−キナゾリニル基、７−キナゾリニル基、８−キナゾリニル基、３−シンノリニル基、４−シンノリニル基、５−シンノリニル基、６−シンノリニル基、７−シンノリニル基、８−シンノリニル基等の含窒素ヘテロアリール基等が挙げられる。

これらの中でも、Ｒ¹及びＲ²としては、水素原子、フッ素原子、シアノ基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基、又はハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数２〜２０のヘテロアリール基が好ましく、水素原子、フッ素原子、シアノ基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１〜１０のアルキル基、又はハロゲン原子で置換されていてもよいフェニル基がより好ましく、水素原子、フッ素原子、メチル基、又はトリフルオロメチル基がより一層好ましく、水素原子が最適である。

式（２）及び（３）中、Ｐｈ¹は、式（Ｐ１）で表される基を表す。

式中、Ｒ³〜Ｒ⁶は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、又はハロゲン原子で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、炭素数２〜２０のアルキニル基、炭素数６〜２０のアリール基若しくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表す。これらの具体例としては、前記Ｒ¹及びＲ²で説明したものと同様のものが挙げられる。

特に、Ｒ³〜Ｒ⁶としては、水素原子、フッ素原子、シアノ基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基、又はハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数２〜２０のヘテロアリール基が好ましく、水素原子、フッ素原子、シアノ基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１〜１０のアルキル基、又はハロゲン原子で置換されていてもよいフェニル基がより好ましく、水素原子、フッ素原子、メチル基、又はトリフルオロメチル基がより一層好ましく、水素原子が最適である。

以下、Ｐｈ¹として好適な基の具体例を挙げるが、これに限定されない。

式（２）中、Ａｒ¹は、互いに独立して、式（Ｂ１）〜（Ｂ１１）のいずれかで表される基を表すが、特に、式（Ｂ１'）〜（Ｂ１１'）のいずれかで表される基が好ましい。

式中、Ｒ⁷〜Ｒ²⁷、Ｒ³⁰〜Ｒ⁵¹及びＲ⁵³〜Ｒ¹⁵⁴は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、又はハロゲン原子で置換されていてもよい、ジフェニルアミノ基、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、炭素数２〜２０のアルキニル基、炭素数６〜２０のアリール基若しくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表す。Ｒ²⁸及びＲ²⁹は、互いに独立して、Ｚ¹で置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリール基又は炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表す。Ｒ⁵²は、水素原子、Ｚ⁴で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基若しくは炭素数２〜２０のアルキニル基、又はＺ¹で置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリール基若しくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表す。

Ｚ¹は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、又はＺ²で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基若しくは炭素数２〜２０のアルキニル基を表す。Ｚ²は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、又はＺ³で置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリール基若しくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表す。Ｚ³は、ハロゲン原子、ニトロ基又はシアノ基を表す。

Ｚ⁴は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、又はＺ⁵で置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリール基若しくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表す。Ｚ⁵は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、又はＺ³で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基若しくは炭素数２〜２０のアルキニル基を表す。

これらハロゲン原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、炭素数２〜２０のアルキニル基、炭素数６〜２０のアリール基及び炭素数２〜２０のヘテロアリール基の具体例としては、前記Ｒ¹及びＲ²で説明したものと同様のものが挙げられる。

特に、Ｒ⁷〜Ｒ²⁷、Ｒ³⁰〜Ｒ⁵¹及びＲ⁵³〜Ｒ¹⁵⁴としては、水素原子、フッ素原子、シアノ基、ハロゲン原子で置換されていてもよいジフェニルアミノ基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基、又はハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数２〜２０のヘテロアリール基が好ましく、水素原子、フッ素原子、シアノ基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１〜１０のアルキル基、又はハロゲン原子で置換されていてもよいフェニル基がより好ましく、水素原子、フッ素原子、メチル基、又はトリフルオロメチル基がより一層好ましく、水素原子が最適である。

Ｒ²⁸及びＲ²⁹としては、Ｚ¹で置換されていてもよい炭素数６〜１４のアリール基、又はＺ¹で置換されていてもよい炭素数２〜１４のヘテロアリール基が好ましく、Ｚ¹で置換されていてもよい炭素数６〜１４のアリール基がより好ましく、Ｚ¹で置換されていてもよいフェニル基、Ｚ¹で置換されていてもよい１−ナフチル基、又はＺ¹で置換されていてもよい２−ナフチル基がより一層好ましい。

Ｒ⁵²としては、水素原子、Ｚ¹で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基、Ｚ¹で置換されていてもよい炭素数２〜２０のヘテロアリール基、又はＺ⁴で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基が好ましく、水素原子、Ｚ¹で置換されていてもよい炭素数６〜１４のアリール基、Ｚ¹で置換されていてもよい炭素数２〜１４のヘテロアリール基、又はＺ⁴で置換されていてもよい炭素数１〜１０のアルキル基がより好ましく、水素原子、Ｚ¹で置換されていてもよい炭素数６〜１４のアリール基、Ｚ¹で置換されていてもよい炭素数２〜１４の含窒素ヘテロアリール基、又はＺ⁴で置換されていてもよい炭素数１〜１０のアルキル基がより一層好ましく、水素原子、Ｚ¹で置換されていてもよいフェニル基、Ｚ¹で置換されていてもよい１−ナフチル基、Ｚ¹で置換されていてもよい２−ナフチル基、Ｚ¹で置換されていてもよい２−ピリジル基、Ｚ¹で置換されていてもよい３−ピリジル基、Ｚ¹で置換されていてもよい４−ピリジル基、又はＺ⁴で置換されていてもよいメチル基が更に好ましい。

Ａｒ⁴は、互いに独立して、各々のアリール基が炭素数６〜２０のアリール基であるジアリールアミノ基で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基を表す。炭素数６〜２０のアリール基の具体例としては、前記Ｒ¹及びＲ²で説明したものと同様のものが挙げられ、前記ジアリールアミノ基の具体例としては、ジフェニルアミノ基、１−ナフチルフェニルアミノ基、ジ(１−ナフチル)アミノ基、１−ナフチル−２−ナフチルアミノ基、ジ(２−ナフチル)アミノ基等が挙げられる。

Ａｒ⁴としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、ｐ−(ジフェニルアミノ)フェニル基、ｐ−(１−ナフチルフェニルアミノ)フェニル基、ｐ−(ジ(１−ナフチル)アミノ)フェニル基、ｐ−(１−ナフチル−２−ナフチルアミノ)フェニル基、ｐ−(ジ(２−ナフチル)アミノ)フェニル基等が好ましく、ｐ−(ジフェニルアミノ)フェニル基がより好ましい。

以下、Ａｒ¹として好適な基の具体例を挙げるが、これらに限定されない。なお、下記式中、ＤＰＡ及びＲ⁵²は、前記と同じ意味を表す。

式（２）中、Ａｒ²は、互いに独立して、式（Ａ１）〜（Ａ１８）のいずれかで表される基を表すが、特に、式（Ａ１'−１）〜（Ａ１８'−２）のいずれかで表される基が好ましい。

式中、Ｒ¹⁵⁵は、水素原子、Ｚ⁴で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基若しくは炭素数２〜２０のアルキニル基、又はＺ¹で置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリール基若しくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表す。Ｒ¹⁵⁶及びＲ¹⁵⁷は、互いに独立して、Ｚ¹で置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリール基又は炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表す。ＤＰＡ、Ａｒ⁴、Ｚ¹及びＺ⁴は、前記と同じ意味を表す。これらハロゲン原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、炭素数２〜２０のアルキニル基、炭素数６〜２０のアリール基及び炭素数２〜２０のヘテロアリール基の具体例としては、前記Ｒ¹及びＲ²で説明したものと同様のものが挙げられる。

特に、Ｒ¹⁵⁵としては、水素原子、Ｚ¹で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基、Ｚ¹で置換されていてもよい炭素数２〜２０のヘテロアリール基、又はＺ⁴で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基が好ましく、水素原子、Ｚ¹で置換されていてもよい炭素数６〜１４のアリール基、Ｚ¹で置換されていてもよい炭素数２〜１４のヘテロアリール基、又はＺ⁴で置換されていてもよい炭素数１〜１０のアルキル基がより好ましく、水素原子、Ｚ¹で置換されていてもよい炭素数６〜１４のアリール基、Ｚ¹で置換されていてもよい炭素数２〜１４の含窒素ヘテロアリール基、又はＺ⁴で置換されていてもよい炭素数１〜１０のアルキル基がより一層好ましく、水素原子、Ｚ¹で置換されていてもよいフェニル基、Ｚ¹で置換されていてもよい１−ナフチル基、Ｚ¹で置換されていてもよい２−ナフチル基、Ｚ¹で置換されていてもよい２−ピリジル基、Ｚ¹で置換されていてもよい３−ピリジル基、Ｚ¹で置換されていてもよい４−ピリジル基、又はＺ⁴で置換されていてもよいメチル基が更に好ましい。

Ｒ¹⁵⁶及びＲ¹⁵⁷としては、Ｚ¹で置換されていてもよい炭素数６〜１４のアリール基、又はＺ¹で置換されていてもよい炭素数２〜１４のヘテロアリール基が好ましく、Ｚ¹で置換されていてもよい炭素数６〜１４のアリール基がより好ましく、Ｚ¹で置換されていてもよいフェニル基、Ｚ¹で置換されていてもよい１−ナフチル基、又はＺ¹で置換されていてもよい２−ナフチル基がより一層好ましい。

以下、Ａｒ²として好適な基の具体例を挙げるが、これらに限定されない。なお、下記式中、Ｒ¹⁵⁵及びＤＰＡは、前記と同じ意味を表す。

式（２）においては、得られるアリールアミン誘導体の合成の容易性を考慮すると、Ａｒ¹が全て同一の基であり、Ａｒ²が全て同一の基であることが好ましく、Ａｒ¹及びＡｒ²が全て同一の基であることがより好ましい。すなわち、式（２）で表されるアリールアミン誘導体としては、式（２−１）で表されるものがより好ましい。

式（２−１）中、Ｐｈ¹は、前記と同じ意味を表す。ｘは、後述する。Ａｒ⁵は、同時に、式（Ｄ１）〜（Ｄ１３）のいずれかで表される基を表すが、特に、式（Ｄ１'）〜（Ｄ１３'）のいずれかで表される基であることが好ましい。なお、下記式中、Ｒ²⁸、Ｒ²⁹、Ｒ⁵²、Ａｒ⁴及びＤＰＡは、前記と同じ意味を表す。Ａｒ⁵の具体例としては、Ａｒ¹として好適な基の具体例として前述したものと同様のものが挙げられる。

また、後述するように原料化合物として比較的安価なビス(４−アミノフェニル)アミンを用いて比較的簡便に合成できるとともに、得られるアリールアミン誘導体の有機溶媒に対する溶解性に優れていることから、式（２）で表されるアリールアミン誘導体は、式（２−２）で表されるものが好ましい。

式中、Ａｒ⁶は、同時に、式（Ｅ１）〜（Ｅ１４）のいずれかで表される基を表す。なお、下記式中、Ｒ⁵²は、前記と同じ意味を表す。

式（３）中、Ａｒ³は、式（Ｃ１）〜（Ｃ８）のいずれかで表される基を表すが、特に（Ｃ１'）〜（Ｃ８'）のいずれかで表される基が好ましい。なお、下記式中、ＤＰＡは、前記と同じ意味を表す。

式（２）及び（２−１）中、ｘは、１〜１０の整数を表すが、化合物の有機溶媒への溶解性を高める観点から、１〜５が好ましく、１〜３がより好ましく、１又は２がより一層好ましく、１が最適である。式（３）中、ｙは、１又は２を表す。

Ｒ²⁸、Ｒ²⁹、Ｒ⁵²及びＲ¹⁵⁵〜Ｒ¹⁵⁷において、Ｚ¹は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、Ｚ²で置換されていてもよい炭素数１〜１０のアルキル基、Ｚ²で置換されていてもよい炭素数２〜１０のアルケニル基、又はＺ²で置換されていてもよい炭素数２〜１０のアルキニル基が好ましく、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、Ｚ²で置換されていてもよい炭素数１〜３のアルキル基、Ｚ²で置換されていてもよい炭素数２〜３のアルケニル基、又はＺ²で置換されていてもよい炭素数２〜３のアルキニル基がより好ましく、フッ素原子、Ｚ²で置換されていてもよい炭素数１〜３のアルキル基、Ｚ²で置換されていてもよい炭素数２〜３のアルケニル基、又はＺ²で置換されていてもよい炭素数２〜３のアルキニル基がより一層好ましい。

Ｒ²⁸、Ｒ²⁹、Ｒ⁵²及びＲ¹⁵⁵〜Ｒ¹⁵⁷において、Ｚ⁴は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、又はＺ⁵で置換されていてもよい炭素数６〜１４のアリール基が好ましく、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、又はＺ⁵で置換されていてもよい炭素数６〜１０のアリール基がより好ましく、フッ素原子、又はＺ⁵で置換されていてもよい炭素数６〜１０のアリール基がより一層好ましく、フッ素原子、又はＺ⁵で置換されていてもよいフェニル基が更に好ましい。

Ｒ²⁸、Ｒ²⁹、Ｒ⁵²及びＲ¹⁵⁵〜Ｒ¹⁵⁷において、Ｚ²は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、又はＺ³で置換されていてもよい炭素数６〜１４のアリール基が好ましく、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、又はＺ³で置換されていてもよい炭素数６〜１０のアリール基がより好ましく、フッ素原子、又はＺ³で置換されていてもよい炭素数６〜１０のアリール基がより一層好ましく、フッ素原子、又はＺ³で置換されていてもよいフェニル基が更に好ましい。

Ｒ²⁸、Ｒ²⁹、Ｒ⁵²及びＲ¹⁵⁵〜Ｒ¹⁵⁷において、Ｚ⁵は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、Ｚ³で置換されていてもよい炭素数１〜１０のアルキル基、Ｚ³で置換されていてもよい炭素数２〜１０のアルケニル基、又はＺ³で置換されていてもよい炭素数２〜１０のアルキニル基が好ましく、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、Ｚ³で置換されていてもよい炭素数１〜３のアルキル基、Ｚ³で置換されていてもよい炭素数２〜３のアルケニル基、又はＺ³で置換されていてもよい炭素数２〜３のアルキニル基がより好ましく、フッ素原子、Ｚ³で置換されていてもよい炭素数１〜３のアルキル基、Ｚ³で置換されていてもよい炭素数２〜３のアルケニル基、又はＺ³で置換されていてもよい炭素数２〜３のアルキニル基がより一層好ましい。

Ｒ²⁸、Ｒ²⁹、Ｒ⁵²及びＲ¹⁵⁵〜Ｒ¹⁵⁷において、Ｚ³は、ハロゲン原子が好ましく、フッ素原子がより好ましい。

Ｒ⁷〜Ｒ²⁷、Ｒ³⁰〜Ｒ⁵¹及びＲ⁵³〜Ｒ¹⁵⁴において、Ｚ¹は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、Ｚ²で置換されていてもよい炭素数１〜３のアルキル基、Ｚ²で置換されていてもよい炭素数２〜３のアルケニル基、又はＺ²で置換されていてもよい炭素数２〜３のアルキニル基が好ましく、ハロゲン原子、又はＺ²で置換されていてもよい炭素数１〜３のアルキル基がより好ましく、フッ素原子、又はＺ²で置換されていてもよいメチル基がより一層好ましい。

Ｒ⁷〜Ｒ²⁷、Ｒ³⁰〜Ｒ⁵¹及びＲ⁵³〜Ｒ¹⁵⁴において、Ｚ⁴は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、又はＺ⁵で置換されていてもよい炭素数６〜１０のアリール基が好ましく、ハロゲン原子、又はＺ⁵で置換されていてもよい炭素数６〜１０のアリール基がより好ましく、フッ素原子、又はＺ⁵で置換されていてもよいフェニル基がより一層好ましい。

Ｒ⁷〜Ｒ²⁷、Ｒ³⁰〜Ｒ⁵¹及びＲ⁵³〜Ｒ¹⁵⁴において、Ｚ²は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、又はＺ³で置換されていてもよい炭素数６〜１０のアリール基が好ましく、ハロゲン原子、又はＺ³で置換されていてもよい炭素数６〜１０のアリール基がより好ましく、フッ素原子、又はＺ³で置換されていてもよいフェニル基がより一層好ましい。

Ｒ⁷〜Ｒ²⁷、Ｒ³⁰〜Ｒ⁵¹及びＲ⁵³〜Ｒ¹⁵⁴において、Ｚ⁵は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、Ｚ³で置換されていてもよい炭素数１〜３のアルキル基、Ｚ³で置換されていてもよい炭素数２〜３のアルケニル基、又はＺ³で置換されていてもよい炭素数２〜３のアルキニル基が好ましく、ハロゲン原子、又はＺ³で置換されていてもよい炭素数１〜３のアルキル基がより好ましく、フッ素原子、又はＺ³で置換されていてもよいメチル基がより一層好ましい。

Ｒ⁷〜Ｒ²⁷、Ｒ³⁰〜Ｒ⁵¹及びＲ⁵³〜Ｒ¹⁵⁴において、Ｚ³は、ハロゲン原子が好ましく、フッ素原子がより好ましい。

本発明において、Ｒ⁵²及びＲ¹⁵⁵として好適な基の具体例としては、以下に示すものが挙げられるが、これらに限定されない。

本発明において、前記アルキル基、アルケニル基及びアルキニル基の炭素数は、好ましくは１０以下であり、より好ましくは６以下であり、より一層好ましくは４以下である。また、前記アリール基及びヘテロアリール基の炭素数は、好ましくは１４以下であり、より好ましくは１０以下であり、より一層好ましくは６以下である。

式（２）で表されるアリールアミン誘導体及び式（３）で表されるアリールアミン誘導体の分子量は、平坦性の高い薄膜を与える均一なワニスを調製する観点から、通常２００〜９,５００程度であるが、平坦性の高い薄膜をより再現性よく与える均一なワニスを調製する観点から、８,０００以下が好ましく、７,０００以下がより好ましく、６,０００以下がより一層好ましく、５,０００以下が更に好ましく、より電荷輸送性に優れる薄膜を得る観点から、３００以上が好ましく、４００以上がより好ましい。なお、薄膜化した場合に電荷輸送性物質が分離することを防ぐ観点から、電荷輸送性化合物は分子量分布のない（分散度が１である）ことが好ましい（すなわち、単一の分子量であることが好ましい）。

式（２）で表されるアリールアミン誘導体及び式（３）で表されるアリールアミン誘導体は、国際公開第２０１５／０５０２５３号記載の方法に従って製造することができる。

以下、式（２）又は（３）で表されるアリールアミン誘導体の具体例を挙げるが、これらに限定されない。なお、式中、「Ｍｅ」はメチル基を、「Ｅｔ」はエチル基を、「Ｐｒⁿ」はｎ−プロピル基を、「Ｐｒⁱ」はｉ−プロピル基を、「Ｂｕⁿ」はｎ−ブチル基を、「Ｂｕⁱ」はｉ−ブチル基を、「Ｂｕ^s」はｓ−ブチル基を、「Ｂｕ^t」はｔ−ブチル基を、「ＤＰＡ」はジフェニルアミノ基を、「ＳＢＦ」は９,９'−スピロビ[９Ｈ−フルオレン]−２−イル基を、それぞれ表す。

本発明のワニス中の電荷輸送性物質の含有量は、ワニスの粘度及び表面張力等や、作製する薄膜の厚み等を勘案して適宜設定されるが、通常、ワニス中０.１〜１０.０質量％程度であり、ワニスの塗布性を向上させることを考慮すると、好ましくは０.５〜５.０質量％程度、より好ましくは１.０〜３.０質量％程度である。

本発明の電荷輸送性薄膜形成用ワニスは、得られる薄膜の電荷輸送性をより一層向上させる観点から、ドーパントを含んでもよい。ドーパントとしては、特に限定されないが、アリールスルホン酸が好適である。その一例としては、式（４）又は（５）で表されるアリールスルホン酸が挙げられる。

式（４）中、Ａ¹は−Ｏ−又は−Ｓ−を表すが、−Ｏ−が好ましい。Ａ²はナフタレン環又はアントラセン環を表すが、ナフタレン環が好ましい。Ａ³は２〜４価のパーフルオロビフェニル基を表し、ｊ¹はＡ¹とＡ³との結合数を表し、２≦ｊ¹≦４を満たす整数であるが、Ａ³が２価のパーフルオロビフェニル基であり、かつ、ｊ¹が２であることが好ましい。ｊ²はＡ²に結合するスルホン酸基数を表し、１≦ｊ²≦４を満たす整数であるが、２が好適である。

式（５）中、Ａ⁴〜Ａ⁸は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のハロゲン化アルキル基又は炭素数２〜２０のハロゲン化アルケニル基を表すが、Ａ⁴〜Ａ⁸のうち少なくとも３つはハロゲン原子である。ｋはナフタレン環に結合するスルホン酸基数を表し、１≦ｋ≦４を満たす整数であるが、２〜４が好ましく、２がより好ましい。

炭素数１〜２０のハロゲン化アルキル基としては、トリフルオロメチル基、２,２,２−トリフルオロエチル基、１,１,２,２,２−ペンタフルオロエチル基、３,３,３−トリフルオロプロピル基、２,２,３,３,３−ペンタフルオロプロピル基、１,１,２,２,３,３,３−ヘプタフルオロプロピル基、４,４,４−トリフルオロブチル基、３,３,４,４,４−ペンタフルオロブチル基、２,２,３,３,４,４,４−ヘプタフルオロブチル基、１,１,２,２,３,３,４,４,４−ノナフルオロブチル基等が挙げられる。炭素数２〜２０のハロゲン化アルケニル基としては、パーフルオロビニル基、１−パーフルオロプロペニル基、パーフルオロアリル基、パーフルオロブテニル基等が挙げられる。

ハロゲン原子、炭素数１〜２０のアルキル基の例としては、前記と同様のものが挙げられるが、ハロゲン原子としては、フッ素原子が好ましい。

これらの中でも、Ａ⁴〜Ａ⁸は、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のハロゲン化アルキル基又は炭素数２〜１０のハロゲン化アルケニル基であり、かつＡ⁴〜Ａ⁸のうち少なくとも３つはフッ素原子であることが好ましく、水素原子、フッ素原子、シアノ基、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のフッ化アルキル基又は炭素数２〜５のフッ化アルケニル基であり、かつＡ⁴〜Ａ⁸のうち少なくとも３つはフッ素原子であることがより好ましく、水素原子、フッ素原子、シアノ基、炭素数１〜５のパーフルオロアルキル基又は炭素数１〜５のパーフルオロアルケニル基であり、かつＡ⁴、Ａ⁵及びＡ⁸がフッ素原子であることがより一層好ましい。

なお、パーフルオロアルキル基とは、アルキル基の水素原子全てがフッ素原子に置換された基であり、パーフルオロアルケニル基とは、アルケニル基の水素原子全てがフッ素原子に置換された基である。

前述したアリールスルホン酸の具体例を挙げるが、これらに限定されない。

本発明のワニス中のドーパントの含有量は、電荷輸送性物質の種類や量等を勘案して適宜設定されるが、通常、質量比で、電荷輸送性物質に対して０.５〜１０程度である。

本発明の電荷輸送性薄膜形成用ワニスには、これから得られる電荷輸送性薄膜の物性の調整等を目的として、トリメトキシシラン、トリエトキシシラン等の有機シラン化合物や、当該薄膜の正孔注入力の向上等を目的として、フッ素原子含有オリゴアニリン誘導体等のその他の成分が含まれていてもよい。本発明の電荷輸送性薄膜形成用ワニス中のその他の成分の含有量は、本発明の効果を損なわない限り特に限定されず、その他の成分の性質、機能等に応じて決定されるものではあるが、例えばフッ素原子含有オリゴアニリン誘導体に関しては、電荷輸送性物質に対して、通常５〜５０質量％程度、好ましくは１０〜３０質量％程度である。

前記フッ素原子含有オリゴアニリン誘導体の好ましい一例としては、式（６）で表されるものが挙げられる。

式中、Ｒ³⁰¹は、水素原子、又はＺで置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基を表す。Ｚは、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、スルホン酸基、カルボキシ基、Ｚ'で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基又はＺ'で置換されていてもよい炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表し、Ｚ'は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、スルホン酸基又はカルボキシ基を表す。

Ｒ³⁰²〜Ｒ³¹⁰は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、又はハロゲン原子で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、炭素数２〜２０のアルキニル基、炭素数６〜２０のアリール基若しくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表す。

ハロゲン原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、炭素数２〜２０のアルキニル基、炭素数６〜２０のアリール基及び炭素数２〜２０のヘテロアリール基としては、前述したものと同様のものが挙げられる。

これらのうち、Ｒ³⁰¹としては、フッ素原子含有オリゴアニリン誘導体の有機溶媒への溶解性を考慮すると、水素原子、又はＺで置換されていてもよい炭素数１〜１０のアルキル基が好ましく、水素原子、又はＺで置換されていてもよい炭素数１〜４のアルキル基がより好ましく、水素原子が最適である。なお、複数のＲ³⁰¹は、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。

また、これらのうち、Ｒ³⁰²〜Ｒ³¹⁰としては、フッ素原子含有オリゴアニリン誘導体の有機溶媒への溶解性を考慮すると、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、又はハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１〜１０のアルキル基が好ましく、水素原子、ハロゲン原子、又はハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１〜４のアルキル基がより好ましく、水素原子が最適である。なお、複数のＲ³⁰²〜Ｒ³⁰⁵は、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。

式（６）中、Ａは、シアノ基、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、ニトロ基若しくは炭素数１〜２０のフルオロアルコキシ基で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のフルオロアルキル基、炭素数３〜２０のフルオロシクロアルキル基、炭素数４〜２０のフルオロビシクロアルキル基、炭素数２〜２０のフルオロアルケニル基若しくは炭素数２〜２０のフルオロアルキニル基；シアノ基、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、ニトロ基、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のフルオロアルキル基若しくは炭素数１〜２０のフルオロアルコキシ基で置換されていてもよい炭素数６〜２０のフルオロアリール基；炭素数１〜２０のフルオロアルキル基、炭素数３〜２０のフルオロシクロアルキル基、炭素数４〜２０のフルオロビシクロアルキル基、炭素数２〜２０のフルオロアルケニル基若しくは炭素数２〜２０のフルオロアルキニル基で置換されるとともに、シアノ基、ハロゲン原子若しくは炭素数１〜２０のフルオロアルコキシ基で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基；シアノ基、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、ニトロ基、炭素数１〜２０のフルオロアルコキシ基、炭素数１〜２０のフルオロアルキル基、炭素数３〜２０のフルオロシクロアルキル基、炭素数４〜２０のフルオロビシクロアルキル基、炭素数２〜２０のフルオロアルケニル基若しくは炭素数２〜２０のフルオロアルキニル基で置換されていてもよい炭素数７〜２０のフルオロアラルキル基；又は炭素数１〜２０のフルオロアルキル基、炭素数３〜２０のフルオロシクロアルキル基、炭素数４〜２０のフルオロビシクロアルキル基、炭素数２〜２０のフルオロアルケニル基若しくは炭素数２〜２０のフルオロアルキニル基で置換されるとともに、シアノ基、ハロゲン原子若しくは炭素数１〜２０のフルオロアルコキシ基で置換されていてもよい炭素数７〜２０のアラルキル基を表す。

前記フルオロアルキル基は、炭素原子上の少なくとも１個の水素原子がフッ素原子で置換された直鎖状又は分岐状のアルキル基であれば特に限定されないが、例えば、フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、１−フルオロエチル基、２−フルオロエチル基、１,２−ジフルオロエチル基、１,１−ジフルオロエチル基、２,２−ジフルオロエチル基、１,１,２−トリフルオロエチル基、１,２,２−トリフルオロエチル基、２,２,２−トリフルオロエチル基、１,１,２,２−テトラフルオロエチル基、１,２,２,２−テトラフルオロエチル基、１,１,２,２,２−ペンタフルオロエチル基、１−フルオロプロピル基、２−フルオロプロピル基、３−フルオロプロピル基、１,１−ジフルオロプロピル基、１,２−ジフルオロプロピル基、１,３−ジフルオロプロピル基、２,２−ジフルオロプロピル基、２,３−ジフルオロプロピル基、３,３−ジフルオロプロピル基、１,１,２−トリフルオロプロピル基、１,１,３−トリフルオロプロピル基、１,２,３−トリフルオロプロピル基、１,３,３−トリフルオロプロピル基、２,２,３−トリフルオロプロピル基、２,３,３−トリフルオロプロピル基、３,３,３−トリフルオロプロピル基、１,１,２,２−テトラフルオロプロピル基、１,１,２,３−テトラフルオロプロピル基、１,２,２,３−テトラフルオロプロピル基、１,３,３,３−テトラフルオロプロピル基、２,２,３,３−テトラフルオロプロピル基、２,３,３,３−テトラフルオロプロピル基、１,１,２,２,３−ペンタフルオロプロピル基、１,２,２,３,３−ペンタフルオロプロピル基、１,１,３,３,３−ペンタフルオロプロピル基、１,２,３,３,３−ペンタフルオロプロピル基、２,２,３,３,３−ペンタフルオロプロピル基、ヘプタフルオロプロピル基等が挙げられる。

前記フルオロシクロアルキル基は、炭素原子上の少なくとも１個の水素原子がフッ素原子で置換されたシクロアルキル基であれば特に限定されないが、例えば、１−フルオロシクロプロピル基、２−フルオロシクロプロピル基、２,２−ジフルオロシクロプロピル基、２,２,３,３−テトラフルオロシクロプロピル基、ペンタフルオロシクロプロピル基、２,２−ジフルオロシクロブチル基、２,２,３,３−テトラフルオロシクロブチル基、２,２,３,３,４,４−ヘキサフルオロシクロブチル基、ヘプタフルオロシクロブチル基、１−フルオロシクロペンチル基、３−フルオロシクロペンチル基、３,３−ジフルオロシクロペンチル基、３,３,４,４−テトラフルオロシクロペンチル基、ノナフルオロシクロペンチル基、１−フルオロシクロヘキシル基、２−フルオロシクロヘキシル基、４−フルオロシクロヘキシル基、４,４−ジフルオロシクロヘキシル基、２,２,３,３−テトラフルオロシクロヘキシル基、２,３,４,５,６−ペンタフルオロシクロヘキシル基、ウンデカフルオロシクロヘキシル基等が挙げられる。

前記フルオロビシクロアルキル基は、炭素原子上の少なくとも１個の水素原子がフッ素原子で置換されたビシクロアルキル基であれば特に限定されないが、例えば、３−フルオロビシクロ[１.１.０]ブタン−１−イル基、２,２,４,４−テトラフルオロビシクロ[１.１.０]ブタン−１−イル基、ペンタフルオロビシクロ[１.１.０]ブタン−１−イル基、３−フルオロビシクロ[１.１.１]ペンタン−１−イル基、２,２,４,４,５−ペンタフルオロビシクロ[１.１.１]ペンタン−１−イル基、２,２,４,４,５,５−ヘキサフルオロビシクロ[１.１.１]ぺンタン−１−イル基、５−フルオロビシクロ[３.１.０]ヘキサン−６−イル基、６−フルオロビシクロ[３.１.０]ヘキサン−６−イル基、６,６−ジフルオロビシクロ[３.１.０]ヘキサン−２−イル基、２,２,３,３,５,５,６,６−オクタフルオロビシクロ[２.２.０]ヘキサン−１−イル基、１−フルオロビシクロ[２.２.１]ヘプタン−２−イル基、３−フルオロビシクロ[２.２.１]ヘプタン−２−イル基、４−フルオロビシクロ[２.２.１]ヘプタン−１−イル基、５−フルオロビシクロ[３.１.１]ヘプタン−１−イル基、１,３,３,４,５,５,６,６,７,７−デカフルオロビシクロ[２.２.１]ヘプタン−２−イル基、ウンデカフルオロビシクロ[２.２.１]ヘプタン−２−イル基、３−フルオロビシクロ[２.２.２]オクタン−１−イル基、４−フルオロビシクロ[２.２.２]オクタン−１−イル基等が挙げられる。

前記フルオロアルケニル基は、炭素原子上の少なくとも１個の水素原子がフッ素原子で置換されたアルケニル基であれば特に限定されないが、例えば、１−フルオロエテニル基、２−フルオロエテニル基、１,２−ジフルオロエテニル基、１,２,２−トリフルオロエテニル基、２,３,３−トリフルオロ−１−プロペニル基、３,３,３−トリフルオロ−１−プロペニル基、２,３,３,３−テトラフルオロ−１−プロペニル基、ペンタフルオロ−１−プロペニル基、１−フルオロ−２−プロペニル基、１,１−ジフルオロ−２−プロペニル基、２,３−ジフルオロ−２−プロペニル基、３,３−ジフルオロ−２−プロペニル基、２,３,３−トリフルオロ−２−プロペニル基、１,２,３,３−テトラフルオロ−２−プロペニル基、ペンタフルオロ−２−プロペニル基等が挙げられる。

前記フルオロアルキニル基は、炭素原子上の少なくとも１個の水素原子がフッ素原子で置換されたアルキニル基であれば特に限定されないが、例えば、フルオロエチニル基、３−フルオロ−１−プロピニル基、３,３−ジフルオロ−１−プロピニル基、３,３,３−トリフルオロ−１−プロピニル基、１−フルオロ−２−プロピニル基、１,１−ジフルオロ−２−プロピニル基等が挙げられる。

前記フルオロアリール基は、炭素原子上の少なくとも１個の水素原子がフッ素原子で置換されたアリール基であれば特に限定されないが、例えば、２−フルオロフェニル基、３−フルオロフェニル基、４−フルオロフェニル基、２,３−ジフルオロフェニル基、２,４−ジフルオロフェニル基、２,５−ジフルオロフェニル基、２,６−ジフルオロフェニル基、３,４−ジフルオロフェニル基、３,５−ジフルオロフェニル基、２,３,４−トリフルオロフェニル基、２,３,５−トリフルオロフェニル基、２,３,６−トリフルオロフェニル基、２,４,５−トリフルオロフェニル基、２,４,６−トリフルオロフェニル基、３,４,５−トリフルオロフェニル基、２,３,４,５−テトラフルオロフェニル基、２,３,４,６−テトラフルオロフェニル基、２,３,５,６−テトラフルオロフェニル基、ペンタフルオロフェニル基、２−フルオロ−１−ナフチル基、３−フルオロ−１−ナフチル基、４−フルオロ−１−ナフチル基、６−フルオロ−１−ナフチル基、７−フルオロ−１−ナフチル基、８−フルオロ−１−ナフチル基、４,５−ジフルオロ−１−ナフチル基、５,７−ジフルオロ−１−ナフチル基、５,８−ジフルオロ−１−ナフチル基、５,６,７,８−テトラフルオロ−１−ナフチル基、ヘプタフルオロ−１−ナフチル基、１−フルオロ−２−ナフチル基、５−フルオロ−２−ナフチル基、６−フルオロ−２−ナフチル基、７−フルオロ−２−ナフチル基、５,７−ジフルオロ−２−ナフチル基、ヘプタフルオロ−２−ナフチル基等が挙げられる。

前記フルオロアリール基としては、フッ素原子含有オリゴアニリン誘導体の有機溶媒への溶解性、フッ素原子含有オリゴアニリン誘導体の原料の入手容易性等のバランスを考慮すると、シアノ基、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、ニトロ基、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のフルオロアルキル基若しくは炭素数１〜２０のフルオロアルコキシ基で置換されていてもよい、３以上のフッ素原子で置換されたフェニル基が好ましい。

前記フルオロアルコキシ基としては、炭素原子上の少なくとも１個の水素原子がフッ素原子で置換されたアルコキシ基であれば特に限定されないが、例えば、フルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基、トリフルオロメトキシ基、１−フルオロエトキシ基、２−フルオロエトキシ基、１,２−ジフルオロエトキシ基、１,１−ジフルオロエトキシ基、２,２−ジフルオロエトキシ基、１,１,２−トリフルオロエトキシ基、１,２,２−トリフルオロエトキシ基、２,２,２−トリフルオロエトキシ基、１,１,２,２−テトラフルオロエトキシ基、１,２,２,２−テトラフルオロエトキシ基、１,１,２,２,２−ペンタフルオロエトキシ基、１−フルオロプロポキシ基、２−フルオロプロポキシ基、３−フルオロプロポキシ基、１,１−ジフルオロプロポキシ基、１,２−ジフルオロプロポキシ基、１,３−ジフルオロプロポキシ基、２,２−ジフルオロプロポキシ基、２,３−ジフルオロプロポキシ基、３,３−ジフルオロプロポキシ基、１,１,２−トリフルオロプロポキシ基、１,１,３−トリフルオロプロポキシ基、１,２,３−トリフルオロプロポキシ基、１,３,３−トリフルオロプロポキシ基、２,２,３−トリフルオロプロポキシ基、２,３,３−トリフルオロプロポキシ基、３,３,３−トリフルオロプロポキシ基、１,１,２,２−テトラフルオロプロポキシ基、１,１,２,３−テトラフルオロプロポキシ基、１,２,２,３−テトラフルオロプロポキシ基、１,３,３,３−テトラフルオロプロポキシ基、２,２,３,３−テトラフルオロプロポキシ基、２,３,３,３−テトラフルオロプロポキシ基、１,１,２,２,３−ペンタフルオロプロポキシ基、１,２,２,３,３−ペンタフルオロプロポキシ基、１,１,３,３,３−ペンタフルオロプロポキシ基、１,２,３,３,３−ペンタフルオロプロポキシ基、２,２,３,３,３−ペンタフルオロプロポキシ基、ヘプタフルオロプロポキシ基等が挙げられる。

前記炭素数１〜２０のフルオロアルキル基、炭素数３〜２０のフルオロシクロアルキル基、炭素数４〜２０のフルオロビシクロアルキル基、炭素数２〜２０のフルオロアルケニル基若しくは炭素数２〜２０のフルオロアルキニル基で置換されるとともに、シアノ基、ハロゲン原子若しくは炭素数１〜２０のフルオロアルコキシ基で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基（以下、便宜上、置換アリール基ともいう）としては、炭素原子上の少なくとも１個の水素原子が炭素数１〜２０のフルオロアルキル基、炭素数３〜２０のフルオロシクロアルキル基、炭素数４〜２０のフルオロビシクロアルキル基、炭素数２〜２０のフルオロアルケニル基又は炭素数２〜２０のフルオロアルキニル基で置換されたアリール基である限り特に限定されないが、例えば、２−(トリフルオロメチル)フェニル基、３−(トリフルオロメチル)フェニル基、４−(トリフルオロメチル)フェニル基、４−エトキシ−３−(トリフルオロメチル)フェニル基、３−フルオロ−４−トリフルオロメチルフェニル基、４−フルオロ−３−トリフルオロメチルフェニル基、４−フルオロ−２−トリフルオロメチルフェニル基、２−フルオロ−５−(トリフルオロメチル)フェニル基、３−フルオロ−５−(トリフルオロメチル)フェニル基、３,５−ジ(トリフルオロメチル)フェニル基、２,４,６−トリ(トリフルオロメチル)フェニル基、４−(ペンタフルオロエチル)フェニル基、４−(３,３,３−トリフルオロプロピル)フェニル基、２,３,５,６−テトラフルオロ−４−トリフルオロメチルフェニル基、４−(パーフルオロビニル)フェニル基、４−(パーフルオロプロペニル)フェニル基、４−(パーフルオロブテニル)フェニル基等が挙げられる。

前記置換アリール基としては、フッ素原子含有オリゴアニリン誘導体の有機溶媒への溶解性、フッ素原子含有オリゴアニリン誘導体の原料の入手容易性等のバランスを考慮すると、炭素数３〜２０のフルオロシクロアルキル基、炭素数４〜２０のフルオロビシクロアルキル基、炭素数２〜２０のフルオロアルケニル基若しくは炭素数２〜２０のフルオロアルキニル基で置換されるとともに、シアノ基、ハロゲン原子若しくは炭素数１〜２０のフルオロアルコキシ基で置換されていてもよいフェニル基（以下、便宜上、置換フェニル基ともいう）が好ましく、１〜３個のトリフルオロメチル基で置換されたフェニル基がより好ましく、ｐ−トリフルオロメチルフェニル基がより一層好ましい。

前記フルオロアラルキル基としては、炭素原子上の少なくとも１個の水素原子がフッ素原子で置換されたアラルキル基である限り特に限定されないが、例えば、２−フルオロベンジル基、３−フルオロベンジル基、４−フルオロベンジル基、２,３−ジフルオロベンジル基、２,４−ジフルオロベンジル基、２,５−ジフルオロベンジル基、２,６−ジフルオロベンジル基、３,４−ジフルオロベンジル基、３,５−ジフルオロベンジル基、２,３,４−トリフルオロベンジル基、２,３,５−トリフルオロベンジル基、２,３,６−トリフルオロベンジル基、２,４,５−トリフルオロベンジル基、２,４,６−トリフルオロベンジル基、２,３,４,５−テトラフルオロベンジル基、２,３,４,６−テトラフルオロベンジル基、２,３,５,６−テトラフルオロベンジル基、２,３,４,５,６−ペンタフルオロベンジル基等が挙げられる。

前記炭素数１〜２０のフルオロアルキル基、炭素数３〜２０のフルオロシクロアルキル基、炭素数４〜２０のフルオロビシクロアルキル基、炭素数２〜２０のフルオロアルケニル基若しくは炭素数２〜２０のフルオロアルキニル基で置換されるとともに、シアノ基、ハロゲン原子若しくは炭素数１〜２０のフルオロアルコキシ基で置換されていてもよい炭素数７〜２０のアラルキル基としては、炭素原子上の少なくとも１個の水素原子が炭素数１〜２０のフルオロアルキル基、炭素数３〜２０のフルオロシクロアルキル基、炭素数４〜２０のフルオロビシクロアルキル基、炭素数２〜２０のフルオロアルケニル基又は炭素数２〜２０のフルオロアルキニル基で置換されたアラルキル基である限り特に限定されないが、例えば、２−トリフルオロメチルベンジル基、３−トリフルオロメチルベンジル基、４−トリフルオロメチルベンジル基、２,４−ジ(トリフルオロメチル)ベンジル基、２,５−ジ(トリフルオロメチル)ベンジル基、２,６−ジ(トリフルオロメチル)ベンジル基、３,５−ジ(トリフルオロメチル)ベンジル基、２,４,６−トリ(トリフルオロメチル)ベンジル基等が挙げられる。

これらの中でも、Ａは、前記置換されていてもよい炭素数１〜２０のフルオロアルキル基、前記置換されていてもよい炭素数６〜２０のフルオロアリール基又は前記置換アリール基が好ましく、前記置換されていてもよい炭素数６〜２０のフルオロアリール基又は前記置換アリール基がより好ましく、前記置換されていてもよいフルオロフェニル基又は前記置換フェニル基がより一層好ましく、前記置換されていてもよいトリフルオロフェニル基、前記置換されていてもよいテトラフルオロフェニル基、前記置換されていてもよいペンタフルオロフェニル基又は１〜３個のトリフルオロメチル基で置換されたフェニル基が更に好ましい。

以下、Ａとして好適な基の具体例を挙げるが、これらに限定されない。

また、式（６）中、ｎ¹は１〜２０の整数であるが、好ましくは２〜１０、より好ましくは２〜８、より一層好ましくは３〜５、更に好ましくは３〜４である。

前記フッ素原子含有オリゴアニリン誘導体は、下記スキームＡで表されるように、式（７）で表されるアミン化合物と式（８）で表されるフッ素原子含有酸ハロゲン化物とを反応させることで合成することができる。この際、反応をより効率的に進行させることを目的に、好ましくは塩基の存在下で反応を行う。

（式中、Ｒ³⁰¹〜Ｒ³¹⁰、Ａ及びｎ¹は、前記と同じ。Ｘは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子を表すが、塩素原子又は臭素原子が好ましい。）

式（７）で表されるアミン化合物としては、例えば、下記式で表されるものが挙げられるが、これらに限定されない。

式（８）で表されるフッ素原子含有酸ハロゲン化物としては、２−フルオロベンゾイルクロリド、３−フルオロベンゾイルクロリド、４−フルオロベンゾイルクロリド、２−フルオロ−４−メチルベンゾイルクロリド、２−フルオロ−５−メチルベンゾイルクロリド、３−フルオロ−４−メチルベンゾイルクロリド、３−フルオロ−６−メチルベンゾイルクロリド、４−フルオロ−２−メチルベンゾイルクロリド、４−フルオロ−３−メチルベンゾイルクロリド、２,３−ジフルオロベンゾイルクロリド、２,４−ジフルオロベンゾイルクロリド、２,５−ジフルオロベンゾイルクロリド、２,６−ジフルオロベンゾイルクロリド、３,４−ジフルオロベンゾイルクロリド、３,５−ジフルオロベンゾイルクロリド、３−クロロ−２−フルオロベンゾイルクロリド、４−クロロ−２−フルオロベンゾイルクロリド、５−クロロ−２−フルオロベンゾイルクロリド、２−クロロ−６−フルオロベンゾイルクロリド、２−クロロ−３−フルオロベンゾイルクロリド、２−クロロ−４−フルオロベンゾイルクロリド、２−クロロ−５−フルオロベンゾイルクロリド、３−クロロ−４−フルオロベンゾイルクロリド、３−クロロ−５−フルオロベンゾイルクロリド、３−ブロモ−２−フルオロベンゾイルクロリド、４−ブロモ−２−フルオロベンゾイルクロリド、５−ブロモ−２−フルオロベンゾイルクロリド、２−ブロモ−６−フルオロベンゾイルクロリド、２−ブロモ−３−フルオロベンゾイルクロリド、２−ブロモ−４−フルオロベンゾイルクロリド、２−ブロモ−５−フルオロベンゾイルクロリド、３−ブロモ−４−フルオロベンゾイルクロリド、３−ブロモ−５−フルオロベンゾイルクロリド、２−フルオロ−５−ヨードベンゾイルクロリド、２−フルオロ−６−ヨードベンゾイルクロリド、２−フルオロ−３−(トリフルオロメチル)ベンゾイルクロリド、２−フルオロ−５−(トリフルオロメチル)ベンゾイルクロリド、２−フルオロ−６−(トリフルオロメチル)ベンゾイルクロリド、３−フルオロ−４−(トリフルオロメチル)ベンゾイルクロリド、３−フルオロ−５−(トリフルオロメチル)ベンゾイルクロリド、３−フルオロ−６−(トリフルオロメチル)ベンゾイルクロリド、４−フルオロ−２−(トリフルオロメチル)ベンゾイルクロリド、４−フルオロ−３−(トリフルオロメチル)ベンゾイルクロリド、２−フルオロ−４−ニトロベンゾイルクロリド、２−フルオロ−５−ニトロベンゾイルクロリド、３−フルオロ−２−ニトロベンゾイルクロリド、３−フルオロ−４−ニトロベンゾイルクロリド、３−フルオロ−６−ニトロベンゾイルクロリド、４−フルオロ−２−ニトロベンゾイルクロリド、４−フルオロ−３−ニトロベンゾイルクロリド、４−シアノ−２−フルオロベンゾイルクロリド、３−シアノ−５−フルオロベンゾイルクロリド、２,３,４−トリフルオロベンゾイルクロリド、２,３,５−トリフルオロベンゾイルクロリド、２,３,６−トリフルオロベンゾイルクロリド、２,４,５−トリフルオロベンゾイルクロリド、２,４,６−トリフルオロベンゾイルクロリド、３,４,５−トリフルオロベンゾイルクロリド、４−クロロ−２,４−ジフルオロベンゾイルクロリド、２,４−ジクロロ−５−フルオロ−４−ニトロベンゾイルクロリド、２,４,５−トリフルオロ−３−メチル−６−ニトロベンゾイルクロリド、２,３,４,５−テトラフルオロベンゾイルクロリド、２,３,５,６−テトラフルオロベンゾイルクロリド、２,３,５,６−テトラフルオロ−４−メチル−ベンゾイルクロリド、２,３,４,５−テトラフルオロ−６−ニトロベンゾイルクロリド、２,３,４,５,６−ペンタフルオロベンゾイルクロリド、２−(トリフルオロメチル)ベンゾイルクロリド、３−(トリフルオロメチル)ベンゾイルクロリド、４−(トリフルオロメチル)ベンゾイルクロリド、３−トリフルオロメチル−４−エトキシベンゾイルクロリド、３,５−ビス(トリフルオロメチル)ベンゾイルクロリド、２,４,６−トリス(トリフルオロメチル)ベンゾイルクロリド、４−(ペンタフルオロエチル)ベンゾイルクロリド、４−(３−テトラフルオロプロピル)ベンゾイルクロリド、２,３,５,６−テトラフルオロ−４−(トリフルオロメチル)ベンゾイルクロリド、２,３,５,６−テトラフルオロ−４−(トリフルオロビニル)ベンゾイルクロリド、２,３,５,６−テトラフルオロ−４−(ペンタフルオロアリル)ベンゾイルクロリド等が挙げられるが、これらに限定されない。

塩基としては、ｔ−ブトキシナトリウム（t-BuONa）、ｔ−ブトキシカリウム等のアルコキシド類；フッ化リチウム、フッ化カリウム、フッ化セシウム等のフッ化物塩類；炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム等の炭酸塩類；トリメチルアミン、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、テトラメチルエチレンジアミン、ピリジン、モルホリン、Ｎ−メチルモルホリン、キヌクリジン、１,４−ジアザビシクロ[２.２.２]オクタン、４−ジメチルアミノピリジン等のアミン類が挙げられるが、この種の反応に用いられるものであれば特に限定されない。特に、取り扱いが容易であることから、トリエチルアミン、ピリジン、ジイソプロピルエチルアミン等が好適である。

反応溶媒は、非プロトン性極性有機溶媒が好ましく、例えば、Ｎ,Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、ジメチルスルホキシド、テトラヒドロフラン、ジオキサン等が挙げられる。反応後の反応溶媒の除去容易性の観点から、Ｎ,Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド、テトラヒドロフラン、ジオキサン等が好適である。

反応温度は、用いる原料化合物や触媒の種類や量を考慮しつつ、溶媒の融点から沸点までの範囲で適宜設定されるが、通常０〜２００℃程度であり、好ましくは２０〜１５０℃である。また、反応時間は、用いる原料化合物や触媒の種類や量、反応温度等に応じて異なるため一概に規定できないが、通常１〜２４時間程度である。

反応終了後は、常法に従って後処理をし、目的とするフッ素原子含有オリゴアニリン誘導体を得ることができる。

なお、式（８）で表されるフッ素原子含有酸ハロゲン化物は、対応するフッ素原子含有カルボン酸を、例えば、塩化チオニルや塩化オキサリル、塩化ホスホリル、塩化スルフリル、三塩化リン、五塩化リン等の求電子的ハロゲン化剤と反応させることによって得ることができる。また、対応するフッ素原子含有カルボン酸は、市販品を用いてもよく、公知の方法（例えば、特開平９−６７３０３号公報、特開平９−６７３０４号公報、特開２００２−２８４７３３号公報等に記載の方法）で合成することもできる。

以下、式（６）で表されるフッ素原子含有オリゴアニリン誘導体の具体例を挙げるが、これらに限定されない。なお、表中の「Ｒ³⁰¹〜Ｒ³¹⁰」、「Ａ」及び「ｎ¹」は、各行に示された各化合物に関する式（６）中の規定を表すものであり、例えば、式（Ｅ−１）で表される化合物及び式（Ｅ−１３８）で表される化合物は、それぞれ次のとおりである。

電荷輸送性薄膜形成用ワニスを調製する際に用いられる有機溶媒としては、電荷輸送性物質及びドーパントを良好に溶解し得る良溶媒を用いることができる。

このような良溶媒としては、例えば、Ｎ,Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ,Ｎ−ジメチルブチルアミド、Ｎ,Ｎ−ジエチルブチルアミド、Ｎ,Ｎ−メチルエチルブチルアミド、Ｎ,Ｎ−ジメチルイソブチルアミド、Ｎ,Ｎ−ジエチルイソブチルアミド、Ｎ−エチル−Ｎ−メチルイソブチルアミド、Ｎ−メチルピロリドン、１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン等の有機溶媒が挙げられるが、これらに限定されない。これらの溶媒は、１種単独で又は２種以上混合して用いることができる。その使用量は、ワニスに使用する溶媒中５〜１００質量％とすることができる。

なお、電荷輸送性物質、ドーパント等は、いずれも前記溶媒に完全に溶解していることが好ましい。

また、本発明においては、基板に対する濡れ性の向上、溶媒の表面張力の調整、極性の調整、沸点の調整等の目的で、前記有機溶媒のほかに、その他の有機溶媒を含んでもよい。このようなその他の有機溶媒としては、
ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコール、ジプロピレングリコール、１,２−エタンジオール（エチレングリコール）、１,２−プロパンジオール（プロピレングリコール）、１,２−ブタンジオール、２,３−ブタンジオール、１,３−ブタンジオール、１,４−ブタンジオール、１,５−ペンタンジオール、２−メチル−２,４−ペンタンジオール（ヘキシレングリコール）、１,３−オクチレングリコール、３,６−オクチレングリコール等のグリコール類；
グリセリン等のトリオール類；
エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノイソブチルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル等のエチレングリコールモノアルキルエーテル類、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノイソプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノイソブチルエーテル、プロピレングリコールモノヘキシルエーテル等のプロピレングリコールモノアルキルエーテル類等のアルキレングリコールモノアルキルエーテル類；
エチレングリコールモノフェニルエーテル等のエチレングリコールモノアリールエーテル類、プロピレングリコールモノフェニルエーテル等のプロピレングリコールモノアリールエーテル類等のアルキレングリコールモノアリールエーテル類；
エチレングリコールモノベンジルエーテル等のエチレングリコールモノアラルキルエーテル類、プロピレングリコールモノベンジルエーテル等のプロピレングリコールモノアラルキルエーテル類等のアルキレングリコールモノアラルキルエーテル類；
エチレングリコールブトキシエチルエーテル等のエチレングリコールアルコキシアルキルエーテル類、プロピレングリコールブトキシエチルエーテル等のプロピレングリコールアルコキシアルキルエーテル類等のアルキレングリコールアルコキシアルキルエーテル類；
エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジプロピルエーテル、エチレングリコールジイソプロピルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル等のエチレングリコールジアルキルエーテル類、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールジプロピルエーテル、プロピレングリコールジイソプロピルエーテル、プロピレングリコールジブチルエーテル等のプロピレングリコールジアルキルエーテル類等のアルキレングリコールジアルキルエーテル類；
エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、エチレングリコールモノイソプロピルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート等のエチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノイソプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート等のプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類等のアルキレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類；
エチレングリコールモノアセテート等のエチレングリコールモノアセテート類、プロピレングリコールモノアセテート等のプロピレングリコールモノアセテート類等のアルキレングリコールモノアセテート類；
エチレングリコールジアセテート等のエチレングリコールジアセテート類、プロピレングリコールジアセテート等のプロピレングリコールジアセテート類等のアルキレングリコールジアセテート類；
ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノイソプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノイソブチルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテルのジエチレングリコールモノアルキルエーテル類、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノイソプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノイソブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノヘキシルエーテル等のジプロピレングリコールモノアルキルエーテル類等のジアルキレングリコールモノアルキルエーテル類；
ジエチレングリコールモノフェニルエーテル等のジエチレングリコールモノアリールエーテル類、ジプロピレングリコールモノフェニルエーテル等のジプロピレングリコールモノアリールエーテル類等のジアルキレングリコールモノアリールエーテル類；
ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジプロピルエーテル、ジエチレングリコールジイソプロピルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル等のジエチレングリコールジアルキルエーテル類、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールジプロピルエーテル、ジプロピレングリコールジイソプロピルエーテル、ジプロピレングリコールジブチルエーテル等のジプロピレングリコールジアルキルエーテル類等のジアルキレングリコールジアルキルエーテル類；
ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノイソプロピルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノイソブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテルアセテートのジエチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノイソプロピルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノイソブチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノヘキシルエーテルアセテート等のジプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類等のジアルキレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類；
トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル等のトリエチレングリコールモノアルキルエーテル類、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、トリプロピレングリコールモノエチルエーテル等のトリプロピレングリコールモノアルキルエーテル類等のトリアルキレングリコールモノアルキルエーテル類；
トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジエチルエーテル等のトリエチレングリコールジアルキルエーテル類、トリプロピレングリコールジメチルエーテル、トリプロピレングリコールジエチルエーテル等のトリプロピレングリコールジアルキルエーテル類等のトリアルキレングリコールジアルキルエーテル類；
１−プロパノール、２−プロパノール、１−ブタノール、２−ブタノール、１−ペンタノール、１−ヘキサノール、１−ヘプタノール、１−ノナノール、１−デカノール、１−ウンデカノール、１−ドデカノール、１−テトラデカノール等の直鎖脂肪族アルコール類、シクロヘキサノール、２−メチルシクロヘキサノール等の環状脂肪族アルコール類等の脂肪族アルコール類；
フェノール等のフェノール類；
ベンジルアルコール等の芳香族アルコール類；
フルフリルアルコール等の複素環含有アルコール類；
テトラヒドロフルフリルアルコール等の水素化複素環含有アルコール類；
ジイソプロピルエーテル、ジ−ｎ−ブチルエーテル、ジ−ｎ−ヘキシルエーテル等のジアルキルエーテル類；
メチルフェニルエーテル、エチルフェニルエーテル、ｎ−ブチルフェニルエーテル、ベンジル(３−メチルブチル)エーテル、(２−メチルフェニル)メチルエーテル、(３−メチルフェニル)メチルエーテル、(４−メチルフェニル)メチルエーテル等のアルキルアリールエーテル類；
エチルベンジルエーテル等のアルキルアラルキルエーテル類；
２−メチルフラン、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン等の環状アルキルモノエーテル類；
１,４−ジオキサン等の環状アルキルジエーテル類；
トリオキサン等の環状アルキルトリエーテル類；
ジグリシジルエーテル等のジエポキシアルキルエーテル類；
エチルアセテート、ｎ−プロピルアセテート、イソプロピルアセテート、ｎ−ブチルアセテート、イソブチルアセテート、ｓ−ブチルアセテート、ｔ−ブチルアセテート、ｎ−ペンチルアセテート、(３−メチルブチル)アセテート、ｎ−ヘキシルアセテート、(２−エチルブチル)アセテート、(２−エチルヘキシル)アセテート等の直鎖状又は分岐状アルキルアセテート類、シクロヘキシルアセテート、２−メチルシクロヘキシルアセテート等の環状アルキルアセテート類等のアルキルアセテート類；エチルプロピオネート、ｎ−プロピルプロピオネート、イソプロピルプロピオネート、ｎ−ブチルプロピオネート、イソブチルプロピオネート、ｓ−ブチルプロピオネート、ｔ−ブチルプロピオネート、ｎ−ペンチルプロピオネート、(３−メチルブチル)プロピオネート、ｎ−ヘキシルプロピオネート、(２−エチルブチル)プロピオネート、(２−エチルヘキシル)プロピオネート等の直鎖状又は分岐状アルキルプロピオネート類、シクロヘキシルプロピオネート、２−メチルシクロヘキシルプロピオネート等の環状アルキルプロピオネート類等のアルキルプロピオネート類；エチルブチレート、ｎ−プロピルブチレート、イソプロピルブチレート、ｎ−ブチルブチレート、イソブチルブチレート、ｓ−ブチルブチレート、ｔ−ブチルブチレート、ｎ−ペンチルブチレート、(３−メチルブチル)ブチレート、ｎ−ヘキシルブチレート、(２−エチルブチル)ブチレート、(２−エチルヘキシル)ブチレート等の直鎖状又は分岐状アルキルブチレート類、シクロヘキシルブチレート、２−メチルシクロヘキシルブチレート等の環状アルキルブチレート類等のアルキルブチレート類；エチルラクテート、ｎ−プロピルラクテート、イソプロピルラクテート、ｎ−ブチルラクテート、イソブチルラクテート、ｓ−ブチルラクテート、ｔ−ブチルラクテート、ｎ−ペンチルラクテート、(３−メチルブチル)ラクテート、ｎ−ヘキシルラクテート、(２−エチルブチル)ラクテート、(２−エチルヘキシル)ラクテート等の直鎖状又は分岐状アルキルラクテート類、シクロヘキシルラクテート、２−メチルシクロヘキシルラクテート等の環状アルキルラクテート類等のアルキルラクテート類等のアルキルエステル類；
ベンジルアセテート等のアラルキルアセテート類、ベンジルプロピオネート等のアラルキルプロピオネート類、ベンジルブチレート等のアラルキルブチレート類、ベンジルラクテート等のアラルキルラクテート類等のアラルキルアルキルエステル類；
ジエチルケトン、ジイソブチルケトン、メチルエチルケトン、メチルｎ−プロピルケトン、メチルｎ−ブチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルｎ−プロピルケトン、メチルｎ−ヘキシルケトン、エチルｎ−ブチルケトン、ジ−ｎ−プロピルケトン等のジアルキルケトン類；
イソホロン等の環状アルケニルケトン類；
シクロヘキサノン等の環状アルキルケトン類；
４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノン（ジアセトンアルコール）等のヒドロキシジアルキルケトン類；
フルフラール等の複素環含有アルデヒド類；
ヘプタン、オクタン、２,２,３−トリメチルヘキサン、デカン、ドデカン等の直鎖状又は分岐状アルカン類；
トルエン、キシレン、ｏ−キシレン、ｍ−キシレン、ｐ−キシレン、メシチレン、テトラリン、シクロヘキシルベンゼン等のアルキルベンゼン類；
シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン等の環状アルカン類
等が挙げられるが、これらに限定されない。これらの溶媒は、１種単独で又は２種以上混合して用いることができる。その使用量は、共に用いる良溶媒の量によって定まる。なお、電荷輸送性物質の種類によっては、前記その他の溶媒は、良溶媒としての機能を兼ね備えることもある。

中でも、良溶媒以外のその他の有機溶媒としては、グリコール類、トリオール類、アルキレングリコールモノアルキルエーテル類、アルキレングリコールジアルキルエーテル類、ジアルキレングリコールモノアルキルエーテル類、ジアルキレングリコールジアルキルエーテル類を含むことが好ましく、グリコール類、アルキレングリコールモノアルキルエーテル類、ジアルキレングリコールモノアルキルエーテル類を含むことがより好ましく、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ジプロピレングリコール、１,２−エタンジオール、１,２−プロパンジオール、１,２−ブタンジオール、２,３−ブタンジオール、１,３−ブタンジオール、１,４−ブタンジオール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールプロピルエーテル、エチレングリコールイソプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノイソブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノイソプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノイソブチルエーテルジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールプロピルエーテル、ジエチレングリコールイソプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノイソブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノイソプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノイソブチルエーテルを含むことがより一層好ましく、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ジプロピレングリコール、１,２−エタンジオール、１,２−プロパンジオール、１,２−ブタンジオール、２,３−ブタンジオール、１,３−ブタンジオール、１,４−ブタンジオール、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルを含むことが更に好ましい。電荷輸送性物質やドーパントの種類や量を考慮しつつ、このような溶媒の中から用いる溶媒を選択することで、所望の液物性を有するワニスを容易に調製できる。

本発明のワニスの粘度は、作製する薄膜の厚み等や固形分濃度に応じて適宜設定されるが、通常、２５℃で１〜５０ｍＰａ・ｓであり、その表面張力は、通常、２０〜５０ｍＮ／ｍである。

電荷輸送性薄膜形成用ワニスの調製法としては、特に限定されないが、例えば、電荷輸送性物質を先に溶媒に溶解させ、そこへドーパント、２,２,６,６−テトラアルキルピペリジン−Ｎ−オキシル誘導体を順次加える手法や、電荷輸送性物質、ドーパント、２,２,６,６−テトラアルキルピペリジン−Ｎ−オキシル誘導体の混合物を溶媒に溶解させる手法が挙げられる。

また、有機溶媒が複数ある場合は、電荷輸送性物質、ドーパント及び２,２,６,６−テトラアルキルピペリジン−Ｎ−オキシル誘導体をよく溶解する溶媒に、まずこれらを溶解させ、そこへその他の溶媒を加えてもよく、複数の有機溶媒の混合溶媒に、電荷輸送性物質、ドーパント、２,２,６,６−テトラアルキルピペリジン−Ｎ−オキシル誘導体を順次、あるいはこれらを同時に溶解させてもよい。

本発明においては、電荷輸送性薄膜形成用ワニスは、高平坦性薄膜を再現性よく得る観点から、電荷輸送性物質、ドーパント等を有機溶媒に溶解させた後、サブマイクロオーダーのフィルター等を用いて濾過することが望ましい。

本発明の電荷輸送薄膜形成用ワニスを基材上に塗布して焼成することで、基材上に電荷輸送性薄膜を形成させることができる。

ワニスの塗布方法としては、ディップ法、スピンコート法、転写印刷法、ロールコート法、刷毛塗り、インクジェット法、スプレー法、スリットコート等が挙げられるが、これらに限定されない。塗布方法は、再現性よく平坦性の高い電荷輸送薄膜を得ることを考慮すると、スピンコート法、インクジェット法、スプレー法が好ましい。なお、塗布方法に応じて、ワニスの粘度及び表面張力を調節することが好ましい。

また、本発明のワニスを用いる場合、均一な成膜面及び高い電荷輸送性を有する薄膜を得るためには、本発明に含まれる電荷輸送性物質、ドーパント、溶媒の種類等を考慮して、焼成雰囲気（大気雰囲気下、窒素等の不活性ガス下、真空下等）を選択する必要があるが、大抵の場合、大気雰囲気下で焼成することで、均一で電荷輸送性に優れる薄膜を得ることができる。

焼成温度は、得られる薄膜の用途、得られる薄膜に付与する電荷輸送性の程度等を勘案して、概ね１００〜２６０℃の範囲内で適宜設定されるが、有機ＥＬ素子の正孔注入層として用いる場合、１４０〜２５０℃程度が好ましく、１５０〜２３０℃程度がより好ましい。特に、本発明のワニスは、２００℃未満、特に１５０〜１９０℃の低温焼成が可能という特徴を有することから、比較的低温で焼成した場合であっても、電荷輸送性に優れる薄膜を実現できる。なお、焼成の際、より高い均一成膜性を発現させたり、基材上で反応を進行させたりする目的で、２段階以上の温度変化をつけてもよい。また、加熱は、例えば、ホットプレートやオーブン等、適当な機器を用いて行えばよい。

電荷輸送性薄膜の膜厚は、特に限定されないが、有機ＥＬ素子の正孔注入層として用いる場合、５〜２００ｎｍが好ましい。膜厚を変化させる方法としては、ワニス中の電荷輸送性物質等の濃度を変化させたり、塗布時の基板上の溶液量を変化させたりする等の方法がある。

本発明の電荷輸送性薄膜は、有機ＥＬ素子において、正孔注入層として好適に用いることができるが、正孔注入輸送層等の電荷輸送性機能層としても使用可能である。

本発明の有機ＥＬ素子は、一対の電極を有し、これら電極の間に、前述の本発明の電荷輸送性薄膜を有するものである。

有機ＥＬ素子の代表的な構成としては、下記（ａ）〜（ｆ）が挙げられるが、これらに限定されない。なお、下記構成において、必要に応じて、発光層と陽極の間に電子ブロック層等を、発光層と陰極の間にホール（正孔）ブロック層等を設けることもできる。また、正孔注入層、正孔輸送層あるいは正孔注入輸送層が電子ブロック層等としての機能を兼ね備えていてもよく、電子注入層、電子輸送層あるいは電子注入輸送層がホール（正孔）ブロック層等としての機能を兼ね備えていてもよい。
（ａ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
（ｂ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入輸送層／陰極
（ｃ）陽極／正孔注入輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
（ｄ）陽極／正孔注入輸送層／発光層／電子注入輸送層／陰極
（ｅ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／陰極
（ｆ）陽極／正孔注入輸送層／発光層／陰極

「正孔注入層」、「正孔輸送層」及び「正孔注入輸送層」とは、発光層と陽極との間に形成される層であって、正孔を陽極から発光層へ輸送する機能を有するものである。発光層と陽極の間に、正孔輸送性材料の層が１層のみ設けられる場合、それが「正孔注入輸送層」であり、発光層と陽極の間に、正孔輸送性材料の層が２層以上設けられる場合、陽極に近い層が「正孔注入層」であり、それ以外の層が「正孔輸送層」である。特に、正孔注入層及び正孔注入輸送層は、陽極からの正孔受容性だけでなく、それぞれ正孔輸送層及び発光層への正孔注入性にも優れる薄膜が用いられる。

「電子注入層」、「電子輸送層」及び「電子注入輸送層」とは、発光層と陰極との間に形成される層であって、電子を陰極から発光層へ輸送する機能を有するものである。発光層と陰極の間に、電子輸送性材料の層が１層のみ設けられる場合、それが「電子注入輸送層」であり、発光層と陰極の間に、電子輸送性材料の層が２層以上設けられる場合、陰極に近い層が「電子注入層」であり、それ以外の層が「電子輸送層」である。

「発光層」とは、発光機能を有する有機層であって、ドーピングシステムを採用する場合、ホスト材料とドーパント材料とを含んでいる。このとき、ホスト材料は、主に電子と正孔の再結合を促し、励起子を発光層内に閉じ込める機能を有し、ドーパント材料は、再結合で得られた励起子を効率的に発光させる機能を有する。燐光素子の場合、ホスト材料は主にドーパントで生成された励起子を発光層内に閉じ込める機能を有する。

本発明の電荷輸送性薄膜形成用ワニスを用いて有機ＥＬ素子を作製する場合の使用材料や作製方法としては、下記のようなものが挙げられるが、これらに限定されない。

使用する電極基板は、洗剤、アルコール、純水等による液体洗浄をあらかじめ行って浄化しておくことが好ましく、例えば、陽極基板では使用直前にＵＶオゾン処理、酸素−プラズマ処理等の表面処理を行うことが好ましい。ただし、陽極材料が有機物を主成分とする場合、表面処理を行わなくともよい。

本発明の電荷輸送性薄膜形成用ワニスから得られる薄膜が正孔注入層である場合の、本発明の有機ＥＬ素子の作製方法の一例は、以下のとおりである。

前述の方法により、陽極基板上に本発明の電荷輸送性薄膜形成用ワニスを塗布して焼成し、電極上に正孔注入層を作製する。この正孔注入層の上に、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、陰極をこの順で設ける。正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層は、用いる材料の特性等に応じて、蒸着法又は塗布法（ウェットプロセス）のいずれかで形成すればよい。

陽極材料としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）に代表される透明電極や、アルミニウムに代表される金属やこれらの合金等から構成される金属陽極が挙げられ、平坦化処理を行ったものが好ましい。高電荷輸送性を有するポリチオフェン誘導体やポリアニリン誘導体を用いることもできる。

なお、金属陽極を構成するその他の金属としては、スカンジウム、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、ガリウム、イットリウム、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、カドミウム、インジウム、スカンジウム、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、プロメチウム、サマリウム、ユウロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ハフニウム、タリウム、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウム、プラチナ、金、チタン、鉛、ビスマスやこれらの合金等が挙げられるが、これらに限定されない。

正孔輸送層を形成する材料としては、(トリフェニルアミン)ダイマー誘導体、[(トリフェニルアミン)ダイマー]スピロダイマー、Ｎ,Ｎ'−ビス(ナフタレン−１−イル)−Ｎ,Ｎ'−ビス(フェニル)−ベンジジン（α−ＮＰＤ）、Ｎ,Ｎ'−ビス(ナフタレン−２−イル)−Ｎ,Ｎ'−ビス(フェニル)−ベンジジン、Ｎ,Ｎ'−ビス(３−メチルフェニル)−Ｎ,Ｎ'−ビス(フェニル)−ベンジジン、Ｎ,Ｎ'−ビス(３−メチルフェニル)−Ｎ,Ｎ'−ビス(フェニル)−９,９−スピロビフルオレン、Ｎ,Ｎ'−ビス(ナフタレン−１−イル)−Ｎ,Ｎ'−ビス(フェニル)−９,９−スピロビフルオレン、Ｎ,Ｎ'−ビス(３−メチルフェニル)−Ｎ,Ｎ'−ビス(フェニル)−９,９−ジメチル−フルオレン、Ｎ,Ｎ'−ビス(ナフタレン−１−イル)−Ｎ,Ｎ'−ビス(フェニル)−９,９−ジメチル−フルオレン、Ｎ,Ｎ'−ビス(３−メチルフェニル)−Ｎ,Ｎ'−ビス(フェニル)−９,９−ジフェニル−フルオレン、Ｎ,Ｎ'−ビス(ナフタレン−１−イル)−Ｎ,Ｎ'−ビス(フェニル)−９,９−ジフェニル−フルオレン、Ｎ,Ｎ'−ビス(ナフタレン−１−イル)−Ｎ,Ｎ'−ビス(フェニル)−２,２'−ジメチルベンジジン、２,２',７,７'−テトラキス(Ｎ,Ｎ−ジフェニルアミノ)−９,９−スピロビフルオレン、９,９−ビス[４−(Ｎ,Ｎ−ビス−ビフェニル−４−イル−アミノ)フェニル]−９Ｈ−フルオレン、９,９−ビス[４−(Ｎ,Ｎ−ビス−ナフタレン−２−イル−アミノ)フェニル]−９Ｈ−フルオレン、９,９−ビス[４−(Ｎ−ナフタレン−１−イル−Ｎ−フェニルアミノ)−フェニル]−９Ｈ−フルオレン、２,２',７,７'−テトラキス[Ｎ−ナフタレニル(フェニル)−アミノ]−９,９−スピロビフルオレン、Ｎ,Ｎ'−ビス(フェナントレン−９−イル)−Ｎ,Ｎ'−ビス(フェニル)−ベンジジン、２,２'−ビス[Ｎ,Ｎ−ビス(ビフェニル−４−イル)アミノ]−９,９−スピロビフルオレン、２,２'−ビス(Ｎ,Ｎ−ジフェニルアミノ)−９,９−スピロビフルオレン、ジ−[４−(Ｎ,Ｎ−ジ(ｐ−トリル)アミノ)−フェニル]シクロヘキサン、２,２',７,７'−テトラ(Ｎ,Ｎ−ジ(ｐ−トリル)アミノ)−９,９−スピロビフルオレン、Ｎ,Ｎ,Ｎ',Ｎ'−テトラ−ナフタレン−２−イル−ベンジジン、Ｎ,Ｎ,Ｎ',Ｎ'−テトラ−(３−メチルフェニル)−３,３'−ジメチルベンジジン、Ｎ,Ｎ'−ジ(ナフタレニル)−Ｎ,Ｎ'−ジ(ナフタレン−２−イル)−ベンジジン、Ｎ,Ｎ,Ｎ',Ｎ'−テトラ(ナフタレニル)−ベンジジン、Ｎ,Ｎ'−ジ(ナフタレン−２−イル)−Ｎ,Ｎ'−ジフェニルベンジジン−１,４−ジアミン、Ｎ¹,Ｎ⁴−ジフェニル−Ｎ¹,Ｎ⁴−ジ(ｍ−トリル)ベンゼン−１,４−ジアミン、Ｎ²,Ｎ²,Ｎ⁶,Ｎ⁶−テトラフェニルナフタレン−２,６−ジアミン、トリス(４−(キノリン−８−イル)フェニル)アミン、２,２'−ビス(３−(Ｎ,Ｎ−ジ(ｐ−トリル)アミノ)フェニル)ビフェニル、４,４',４''−トリス[３−メチルフェニル(フェニル)アミノ]トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）、４,４',４''−トリス[１−ナフチル(フェニル)アミノ]トリフェニルアミン（１−ＴＮＡＴＡ）等のトリアリールアミン類、５,５''−ビス−{４−[ビス(４−メチルフェニル)アミノ]フェニル}−２,２':５',２''−ターチオフェン（ＢＭＡ−３Ｔ）等のオリゴチオフェン類等の正孔輸送性低分子材料等が挙げられる。

発光層を形成する材料としては、トリス(８−キノリノラート)アルミニウム(III)（Ａｌｑ₃）、ビス(８−キノリノラート)亜鉛(II)（Ｚｎｑ₂）、ビス(２−メチル−８−キノリノラート)−４−(ｐ−フェニルフェノラート)アルミニウム(III)（ＢＡｌｑ）、４,４'−ビス(２,２−ジフェニルビニル)ビフェニル、９,１０−ジ(ナフタレン−２−イル)アントラセン、２−ｔ−ブチル−９,１０−ジ(ナフタレン−２−イル)アントラセン、２,７−ビス[９,９−ジ(４−メチルフェニル)−フルオレン−２−イル]−９,９−ジ(４−メチルフェニル)フルオレン、２−メチル−９,１０−ビス(ナフタレン−２−イル)アントラセン、２−(９,９−スピロビフルオレン−２−イル)−９,９−スピロビフルオレン、２,７−ビス(９,９−スピロビフルオレン−２−イル)−９,９−スピロビフルオレン、２−[９,９−ジ(４−メチルフェニル)−フルオレン−２−イル]−９,９−ジ(４−メチルフェニル)フルオレン、２,２'−ジピレニル−９,９−スピロビフルオレン、１,３,５−トリス(ピレン−１−イル)ベンゼン、９,９−ビス[４−(ピレニル)フェニル]−９Ｈ−フルオレン、２,２'−ビ(９,１０−ジフェニルアントラセン)、２,７−ジピレニル−９,９−スピロビフルオレン、１,４−ジ(ピレン−１−イル)ベンゼン、１,３−ジ(ピレン−１−イル)ベンゼン、６,１３−ジ(ビフェニル−４−イル)ペンタセン、３,９−ジ(ナフタレン−２−イル)ペリレン、３,１０−ジ(ナフタレン−２−イル)ペリレン、トリス[４−(ピレニル)−フェニル]アミン、１０,１０'−ジ(ビフェニル−４−イル)−９,９'−ビアントラセン、Ｎ,Ｎ'−ジ(ナフタレン−１−イル)−Ｎ,Ｎ'−ジフェニル−[１,１':４',１'':４'',１'''−クォーターフェニル]−４,４'''−ジアミン、４,４'−ジ[１０−(ナフタレン−１−イル)アントラセン−９−イル]ビフェニル、ジベンゾ{[ｆ,ｆ']−４,４',７,７'−テトラフェニル}ジインデノ[１,２,３−ｃｄ:１',２',３'−ｌｍ]ペリレン、１−(７−(９,９'−ビアントラセン−１０−イル)−９,９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル)ピレン、１−(７−(９,９'−ビアントラセン−１０−イル)−９,９−ジヘキシル−９Ｈ−フルオレン−２−イル)ピレン、１,３−ビス(カルバゾール−９−イル)ベンゼン、１,３,５−トリス(カルバゾール−９−イル)ベンゼン、４,４',４''−トリス(カルバゾール−９−イル)トリフェニルアミン、４,４'−ビス(カルバゾール−９−イル)ビフェニル（ＣＢＰ）、４,４'−ビス(カルバゾール−９−イル)−２,２'−ジメチルビフェニル、２,７−ビス(カルバゾール−９−イル)−９,９−ジメチルフルオレン、２,２',７,７'−テトラキス(カルバゾール−９−イル)−９,９−スピロビフルオレン、２,７−ビス(カルバゾール−９−イル)−９,９−ジ(ｐ−トリル)フルオレン、９,９−ビス[４−(カルバゾール−９−イル)−フェニル]フルオレン、２,７−ビス(カルバゾール−９−イル)−９,９−スピロビフルオレン、１,４−ビス(トリフェニルシリル)ベンゼン、１,３−ビス(トリフェニルシリル)ベンゼン、ビス(４−Ｎ,Ｎ−ジエチルアミノ−２−メチルフェニル)−４−メチルフェニルメタン、２,７−ビス(カルバゾール−９−イル)−９,９−ジオクチルフルオレン、４,４''−ジ(トリフェニルシリル)−ｐ−ターフェニル、４,４'−ジ(トリフェニルシリル)ビフェニル、９−(４−ｔ−ブチルフェニル)−３,６−ビス(トリフェニルシリル)−９Ｈ−カルバゾール、９−(４−ｔ−ブチルフェニル)−３,６−ジトリチル−９Ｈ−カルバゾール、９−(４−ｔ−ブチルフェニル)−３,６−ビス(９−(４−メトキシフェニル)−９Ｈ−フルオレン−９−イル)−９Ｈ−カルバゾール、２,６−ビス(３−(９Ｈ−カルバゾール−９−イル)フェニル)ピリジン、トリフェニル(４−(９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル)フェニル)シラン、９,９−ジメチル−Ｎ,Ｎ−ジフェニル−７−(４−(１−フェニル−１Ｈ−ベンゾ[ｄ]イミダゾール−２−イル)フェニル)−９Ｈ−フルオレン−２−アミン、３,５−ビス(３−(９Ｈ−カルバゾール−９−イル)フェニル)ピリジン、９,９−スピロビフルオレン−２−イル−ジフェニル−ホスフィンオキサイド、９,９'−(５−(トリフェニルシリル)−１,３−フェニレン)ビス(９Ｈ−カルバゾール)、３−(２,７−ビス(ジフェニルホスホリル)−９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル)−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール、４,４,８,８,１２,１２−ヘキサ(ｐ−トリル)−４Ｈ−８Ｈ−１２Ｈ−１２Ｃ−アザジベンゾ[ｃｄ,ｍｎ]ピレン、４,７−ジ(９Ｈ−カルバゾール−９−イル)−１,１０−フェナントロリン、２,２'−ビス(４−(カルバゾール−９−イル)フェニル)ビフェニル、２,８−ビス(ジフェニルホスホリル)ジベンゾ[ｂ,ｄ]チオフェン、ビス(２−メチルフェニル)ジフェニルシラン、ビス[３,５−ジ(９Ｈ−カルバゾール−９−イル)フェニル]ジフェニルシラン、３,６−ビス(カルバゾール−９−イル)−９−(２−エチル−ヘキシル)−９Ｈ−カルバゾール、３−(ジフェニルホスホリル)−９−(４−(ジフェニルホスホリル)フェニル)−９Ｈ−カルバゾール、３,６−ビス[(３,５−ジフェニル)フェニル]−９−フェニルカルバゾール等が挙げられる。これらの材料と発光性ドーパントとを共蒸着することによって、発光層を形成してもよい。

発光性ドーパントとしては、３−(２−ベンゾチアゾリル)−７−(ジエチルアミノ)クマリン、２,３,６,７−テトラヒドロ−１,１,７,７−テトラメチル−１Ｈ,５Ｈ,１１Ｈ−１０−(２−ベンゾチアゾリル)キノリジノ[９,９ａ,１ｇｈ]クマリン、キナクリドン、Ｎ,Ｎ'−ジメチル−キナクリドン、トリス(２−フェニルピリジン)イリジウム(III)（Ir(ppy)₃）、ビス(２−フェニルピリジン)(アセチルアセトネート)イリジウム(III)（Ir(ppy)₂(acac)）、トリス[２−(ｐ−トリル)ピリジン]イリジウム(III)（Ir(mppy)₃）、９,１０−ビス[Ｎ,Ｎ−ジ(ｐ−トリル)アミノ]アントラセン、９,１０−ビス[フェニル(ｍ−トリル)アミノ]アントラセン、ビス[２−(２−ヒドロキシフェニル)ベンゾチアゾラト]亜鉛(II)、Ｎ¹⁰,Ｎ¹⁰,Ｎ¹⁰,Ｎ¹⁰−テトラ(ｐ−トリル)−９,９'−ビアントラセン−１０,１０'−ジアミン、Ｎ¹⁰,Ｎ¹⁰,Ｎ¹⁰,Ｎ¹⁰−テトラフェニル−９,９'−ビアントラセン−１０,１０'−ジアミン、Ｎ¹⁰,Ｎ¹⁰−ジフェニル−Ｎ¹⁰,Ｎ¹⁰−ジナフタレニル−９,９'−ビアントラセン−１０,１０'−ジアミン、４,４'−ビス(９−エチル−３−カルバゾビニレン)−１,１'−ビフェニル、ペリレン、２,５,８,１１−テトラ−ｔ−ブチルペリレン、１,４−ビス[２−(３−Ｎ−エチルカルバゾリル)ビニル]ベンゼン、４,４'−ビス[４−(ジ−ｐ−トリルアミノ)スチリル]ビフェニル、４−(ジ−ｐ−トリルアミノ)−４'−[(ジ−ｐ−トリルアミノ)スチリル]スチルベン、ビス[３,５−ジフルオロ−２−(２−ピリジル)フェニル−(２−カルボキシピリジル)]イリジウム(III)、４,４'−ビス[４−(ジフェニルアミノ)スチリル]ビフェニル、ビス(２,４−ジフルオロフェニルピリジナト)テトラキス(１−ピラゾリル)ボレートイリジウム(III)、Ｎ,Ｎ'−ビス(ナフタレン−２−イル)−Ｎ,Ｎ'−ビス(フェニル)−トリス(９,９−ジメチルフルオレニレン)、２,７−ビス{２−[フェニル(ｍ−トリル)アミノ]−９,９−ジメチル−フルオレン−７−イル}−９,９−ジメチル−フルオレン、Ｎ−(４−((Ｅ)−２−(６((Ｅ)−４−(ジフェニルアミノ)スチリル)ナフタレン−２−イル)ビニル)フェニル)−Ｎ−フェニルベンゼンアミン、ｆａｃ−イリジウム(III)トリス(１−フェニル−３−メチルベンズイミダゾリン−２−イリデン−Ｃ,Ｃ²)、ｍｅｒ−イリジウム(III)トリス(１−フェニル−３−メチルベンズイミダゾリン−２−イリデン−Ｃ,Ｃ²)、２,７−ビス[４−(ジフェニルアミノ)スチリル]−９,９−スピロビフルオレン、６−メチル−２−(４−(９−(４−(６−メチルベンゾ[ｄ]チアゾール−２−イル)フェニル)アントラセン−１０−イル)フェニル)ベンゾ[ｄ]チアゾール、１,４−ジ[４−(Ｎ,Ｎ−ジフェニル)アミノ]スチリルベンゼン、１,４−ビス(４−(９Ｈ−カルバゾール−９−イル)スチリル)ベンゼン、(Ｅ)−６−(４−(ジフェニルアミノ)スチリル)−Ｎ,Ｎ−ジフェニルナフタレン−２−アミン、ビス(２,４−ジフルオロフェニルピリジナト)(５−(ピリジン−２−イル)−１Ｈ−テトラゾレート)イリジウム(III)、ビス(３−トリフルオロメチル−５−(２−ピリジル)ピラゾール)((２,４−ジフルオロベンジル)ジフェニルホスフィネート)イリジウム(III)、ビス(３−トリフルオロメチル−５−(２−ピリジル)ピラゾレート)(ベンジルジフェニルホスフィネート)イリジウム(III)、ビス(１−(２,４−ジフルオロベンジル)−３−メチルベンズイミダゾリウム)(３−(トリフルオロメチル)−５−(２−ピリジル)−１,２,４−トリアゾレート)イリジウム(III)、ビス(３−トリフルオロメチル−５−(２−ピリジル)ピラゾレート)(４',６'−ジフルオロフェニルピリジネート)イリジウム(III)、ビス(４',６'−ジフルオロフェニルピリジナト)(３,５−ビス(トリフルオロメチル)−２−(２'−ピリジル)ピロレート)イリジウム(III)、ビス(４',６'−ジフルオロフェニルピリジナト)(３−(トリフルオロメチル)−５−(２−ピリジル)−１,２,４−トリアゾレート)イリジウム(III)、(Ｚ)−６−メシチル−Ｎ−(６−メシチルキノリン−２(１Ｈ)−イリデン)キノリン−２−アミン−ＢＦ₂、(Ｅ)−２−(２−(４−(ジメチルアミノ)スチリル)−６−メチル−４Ｈ−ピラン−４−イリデン)マロノニトリル、４−(ジシアノメチレン)−２−メチル−６−ジュロリジル−９−エニル−４Ｈ−ピラン、４−(ジシアノメチレン)−２−メチル−６−(１,１,７,７−テトラメチルジュロリジル−９−エニル)−４Ｈ−ピラン、４−(ジシアノメチレン)−２−ｔ−ブチル−６−(１,１,７,７−テトラメチルジュロリジン−４−イル−ビニル)−４Ｈ−ピラン、トリス(ジベンゾイルメタン)フェナントロリンユーロピウム(III)、５,６,１１,１２−テトラフェニルナフタセン、ビス(２−ベンゾ[ｂ]チオフェン−２−イル−ピリジン)(アセチルアセトネート)イリジウム(III)、トリス(１−フェニルイソキノリン)イリジウム(III)、ビス(１−フェニルイソキノリン)(アセチルアセトネート)イリジウム(III)、ビス[１−(９,９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル)−イソキノリン](アセチルアセトネート)イリジウム(III)、ビス[２−(９,９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル)キノリン](アセチルアセトネート)イリジウム(III)、トリス[４,４'−ジ−ｔ−ブチル−(２,２')−ビピリジン]ルテニウム(III)・ビス(ヘキサフルオロホスフェート)、トリス(２−フェニルキノリン)イリジウム(III)、ビス(２−フェニルキノリン)(アセチルアセトネート)イリジウム(III)、２,８−ジ−ｔ−ブチル−５,１１−ビス(４−ｔ−ブチルフェニル)−６,１２−ジフェニルテトラセン、ビス(２−フェニルベンゾチアゾラト)(アセチルアセトネート)イリジウム(III)、５,１０,１５,２０−テトラフェニルテトラベンゾポルフィリン白金、オスミウム(II)ビス(３−トリフルオロメチル−５−(２−ピリジン)−ピラゾレート)ジメチルフェニルホスフィン、オスミウム(II)ビス(３−(トリフルオロメチル)−５−(４−ｔ−ブチルピリジル)−１,２,４−トリアゾレート)ジフェニルメチルホスフィン、オスミウム(II)ビス(３−(トリフルオロメチル)−５−(２−ピリジル)−１,２,４−トリアゾール)ジメチルフェニルホスフィン、オスミウム(II)ビス(３−(トリフルオロメチル)−５−(４−ｔ−ブチルピリジル)−１,２,４−トリアゾレート)ジメチルフェニルホスフィン、ビス[２−(４−ｎ−ヘキシルフェニル)キノリン](アセチルアセトネート)イリジウム(III)、トリス[２−(４−ｎ−ヘキシルフェニル)キノリン]イリジウム(III)、トリス[２−フェニル−４−メチルキノリン]イリジウム(III)、ビス(２−フェニルキノリン)(２−(３−メチルフェニル)ピリジネート)イリジウム(III)、ビス(２−(９,９−ジエチル−フルオレン−２−イル)−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾ[ｄ]イミダゾラト)(アセチルアセトネート)イリジウム(III)、ビス(２−フェニルピリジン)(３−(ピリジン−２−イル)−２Ｈ−クロメン−２−オネート)イリジウム(III)、ビス(２−フェニルキノリン)(２,２,６,６−テトラメチルヘプタン−３,５−ジオネート)イリジウム(III)、ビス(フェニルイソキノリン)(２,２,６,６−テトラメチルヘプタン−３,５−ジオネート)イリジウム(III)、イリジウム(III)ビス(４−フェニルチエノ[３,２−ｃ]ピリジナト−Ｎ,Ｃ²)アセチルアセトネート、(Ｅ)−２−(２−ｔ−ブチル−６−(２−(２,６,６−トリメチル−２,４,５,６−テトラヒドロ−１Ｈ−ピローロ[３,２,１−ｉｊ]キノリン−８−イル)ビニル)−４Ｈ−ピラン−４−イリデン)マロノニトリル、ビス(３−トリフルオロメチル−５−(１−イソキノリル)ピラゾレート)(メチルジフェニルホスフィン)ルテニウム、ビス[(４−ｎ−ヘキシルフェニル)イソキノリン](アセチルアセトネート)イリジウム(III)、白金(II)オクタエチルポルフィン、ビス(２−メチルジベンゾ[ｆ,ｈ]キノキサリン)(アセチルアセトネート)イリジウム(III)、トリス[(４−ｎ−ヘキシルフェニル)キソキノリン]イリジウム(III)等が挙げられる。

電子輸送層を形成する材料としては、８−ヒドロキシキノリノレート−リチウム、２,２',２''−(１,３,５−ベンジントリル)−トリス(１−フェニル−１−Ｈ−ベンズイミダゾール)、２−(４−ビフェニル)５−(４−ｔ−ブチルフェニル)−１,３,４−オキサジアゾール、２,９−ジメチル−４,７−ジフェニル−１,１０−フェナントロリン、４,７−ジフェニル−１,１０−フェナントロリン、ビス(２−メチル−８−キノリノレート)−４−(フェニルフェノラト)アルミニウム、１,３−ビス[２−(２,２'−ビピリジン−６−イル)−１,３,４−オキサジアゾ−５−イル]ベンゼン、６,６'−ビス[５−(ビフェニル−４−イル)−１,３,４−オキサジアゾ−２−イル]−２,２'−ビピリジン、３−(４−ビフェニル)−４−フェニル−５−ｔ−ブチルフェニル−１,２,４−トリアゾール、４−(ナフタレン−１−イル)−３,５−ジフェニル−４Ｈ−１,２,４−トリアゾール、２,９−ビス(ナフタレン−２−イル)−４,７−ジフェニル−１,１０−フェナントロリン、２,７−ビス[２−(２,２'−ビピリジン−６−イル)−１,３,４−オキサジアゾ−５−イル]−９,９−ジメチルフルオレン、１,３−ビス[２−(４−ｔ−ブチルフェニル)−１,３,４−オキサジアゾ−５−イル]ベンゼン、トリス(２,４,６−トリメチル−３−(ピリジン−３−イル)フェニル)ボラン、１−メチル−２−(４−(ナフタレン−２−イル)フェニル)−１Ｈ−イミダゾ[４,５ｆ][１,１０]フェナントロリン、２−(ナフタレン−２−イル)−４,７−ジフェニル−１,１０−フェナントロリン、フェニル−ジピレニルホスフィンオキサイド、３,３',５,５'−テトラ[(ｍ−ピリジル)−フェン−３−イル]ビフェニル、１,３,５−トリス[(３−ピリジル)−フェン−３−イル]ベンゼン、４,４'−ビス(４,６−ジフェニル−１,３,５−トリアジン−２−イル)ビフェニル、１,３−ビス[３,５−ジ(ピリジン−３−イル)フェニル]ベンゼン、ビス(１０−ヒドロキシベンゾ[ｈ]キノリナト)ベリリウム、ジフェニルビス(４−(ピリジン−３−イル)フェニル)シラン、３,５−ジ(ピレン−１−イル)ピリジン等が挙げられる。

電子注入層を形成する材料としては、酸化リチウム（Li₂O）、酸化マグネシウム（MgO）、アルミナ（Al₂O₃）、フッ化リチウム（LiF）、フッ化ナトリウム（NaF）、フッ化マグネシウム（MgF₂）、フッ化セシウム（CsF）、フッ化ストロンチウム（SrF₂）、三酸化モリブデン（MoO₃）、アルミニウム、リチウムアセチルアセトネート（Li(acac)）、酢酸リチウム、安息香酸リチウム等が挙げられる。

陰極材料としては、アルミニウム、マグネシウム−銀合金、アルミニウム−リチウム合金、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム等が挙げられる。

また、本発明の電荷輸送性薄膜形成用ワニスから得られる薄膜が正孔注入層である場合の、本発明の有機ＥＬ素子の作製方法のその他の例は、以下のとおりである。

前述した有機ＥＬ素子作製方法において、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層の真空蒸着操作を行うかわりに、正孔輸送層、発光層を順次形成することによって本発明の電荷輸送性薄膜形成用ワニスによって形成される電荷輸送性薄膜を有する有機ＥＬ素子を作製することができる。具体的には、陽極基板上に本発明の電荷輸送性薄膜形成用ワニスを塗布して前記の方法により正孔注入層を作製し、その上に正孔輸送層、発光層を順次形成し、更に陰極材料を蒸着して有機ＥＬ素子とする。

使用する陰極及び陽極材料としては、前述のものと同様のものが使用でき、同様の洗浄処理、表面処理を行うことができる。

正孔輸送層及び発光層の形成方法としては、正孔輸送性高分子材料若しくは発光性高分子材料、又はこれらにドーパントを加えた材料に溶媒を加えて溶解するか、均一に分散し、それぞれ正孔注入層又は正孔輸送層の上に塗布した後、焼成することで成膜する方法が挙げられる。

正孔輸送性高分子材料としては、ポリ[(９,９−ジヘキシルフルオレニル−２,７−ジイル)−ｃｏ−(Ｎ,Ｎ'−ビス{ｐ−ブチルフェニル}−１,４−ジアミノフェニレン)]、ポリ[(９,９−ジオクチルフルオレニル−２,７−ジイル)−ｃｏ−(Ｎ,Ｎ'−ビス{ｐ−ブチルフェニル}−１,１'−ビフェニレン−４,４−ジアミン)]、ポリ[(９,９−ビス{１'−ペンテン−５'−イル}フルオレニル−２,７−ジイル)−ｃｏ−(Ｎ,Ｎ'−ビス{ｐ−ブチルフェニル}−１,４−ジアミノフェニレン)]、ポリ[Ｎ,Ｎ'−ビス(４−ブチルフェニル)−Ｎ,Ｎ'−ビス(フェニル)−ベンジジン]−エンドキャップド ウィズ ポリシルセスキオキサン、ポリ[(９,９−ジジオクチルフルオレニル−２,７−ジイル)−ｃｏ−(４,４'−(Ｎ−(ｐ−ブチルフェニル))ジフェニルアミン)]等が挙げられる。

発光性高分子材料としては、ポリ(９,９−ジアルキルフルオレン)（ＰＤＡＦ）等のポリフルオレン誘導体、ポリ(２−メトキシ−５−(２'−エチルヘキソキシ)−１,４−フェニレンビニレン)（ＭＥＨ−ＰＰＶ）等のポリフェニレンビニレン誘導体、ポリ(３−アルキルチオフェン)（ＰＡＴ）等のポリチオフェン誘導体、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＣｚ）等が挙げられる。

溶媒としては、トルエン、キシレン、クロロホルム等が挙げられる。溶解又は均一分散法としては、攪拌、加熱攪拌、超音波分散等の方法が挙げられる。

塗布方法としては、特に限定されず、インクジェット法、スプレー法、ディップ法、スピンコート法、転写印刷法、ロールコート法、刷毛塗り等が挙げられる。なお、塗布は、窒素、アルゴン等の不活性ガス下で行うことが好ましい。

焼成方法としては、不活性ガス下又は真空中、オーブン又はホットプレートで加熱する方法が挙げられる。

本発明の電荷輸送性薄膜形成用ワニスから得られる薄膜が正孔注入輸送層である場合の、本発明の有機ＥＬ素子の作製方法の一例は、以下のとおりである。

陽極基板上に正孔注入輸送層を形成し、この正孔注入輸送層の上に、発光層、電子輸送層、電子注入層、陰極をこの順で設ける。発光層、電子輸送層及び電子注入層の形成方法及び具体例としては、前述したものと同様のものが挙げられる。

陽極材料、発光層、発光性ドーパント、電子輸送層及び電子ブロック層を形成する材料、陰極材料としては、前述したものと同じものが挙げられる。

なお、電極及び前記各層の間の任意の間に、必要に応じてホールブロック層、電子ブロック層等を設けてもよい。例えば、電子ブロック層を形成する材料としては、トリス(フェニルピラゾール)イリジウム等が挙げられる。

陽極と陰極及びこれらの間に形成される層を構成する材料は、ボトムエミッション構造、トップエミッション構造のいずれを備える素子を製造するかで異なるため、その点を考慮して、適宜材料を選択する。

通常、ボトムエミッション構造の素子では、基板側に透明陽極が用いられ、基板側から光が取り出されるのに対し、トップエミッション構造の素子では、金属からなる反射陽極が用いられ、基板と反対方向にある透明電極（陰極）側から光が取り出される。そのため、例えば陽極材料について言えば、ボトムエミッション構造の素子を製造する際はＩＴＯ等の透明陽極を、トップエミッション構造の素子を製造する際はＡｌ／Ｎｄ等の反射陽極を、それぞれ用いる。

本発明の有機ＥＬ素子は、特性悪化を防ぐため、定法に従い、必要に応じて捕水剤等と共に封止してもよい。

以下、実施例及び比較例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に限定されない。なお、使用した装置は以下のとおりである。
（１）基板洗浄：長州産業(株)製、基板洗浄装置（減圧プラズマ方式）
（２）ワニスの塗布：ミカサ(株)製、スピンコーターMS-A100
（３）膜厚測定：(株)小坂研究所製、微細形状測定機サーフコーダET-4000
（４）有機ＥＬ素子の作製：長州産業(株)製、多機能蒸着装置システムC-E2L1G1-N
（５）有機ＥＬ素子の輝度等の測定：(有)テック・ワールド製、I-V-L測定システム
（６）有機ＥＬ素子の寿命測定（輝度の半減期の測定）：(株)イーエッチシー製、有機ＥＬ輝度寿命評価システムPEL-105S

［１］電荷輸送性薄膜形成用ワニスの調製
［実施例１−１］
式（ｆ）で表されるアリールアミン誘導体０.１６５ｇと、式（ｂ−１）で表されるアリールスルホン酸０.３２５ｇと、ＴＥＭＰＯ（東京化成工業(株)製）０.０２４５ｇとを、１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ）８ｇに溶解させた。そこへシクロヘキサノール（ＣＨＡ）１２ｇとプロピレングリコール（ＰＧ）４ｇとを加えて攪拌し、得られた溶液を孔径０.２μｍのＰＴＦＥ製フィルターを用いて濾過し、ワニスを得た。なお、前記アリールアミン誘導体は、国際公開第２０１３／０８４６６４号記載の方法に従って、前記アリールスルホン酸は、国際公開第２００６／０２５３４２号記載の方法に従って、それぞれ合成した。

（式中、ＤＰＡは、前記と同じ。）

［比較例１−１Ａ］
式（ｆ）で表されるアリールアミン誘導体０.１６５ｇと、式（ｂ−１）で表されるアリールスルホン酸０.３２５ｇとを、ＤＭＩ８ｇに溶解させた。そこへＣＨＡ１２ｇとＰＧ４ｇとを加えて攪拌し、得られた溶液を孔径０.２μｍのＰＴＦＥ製フィルターを用いて濾過し、ワニスを得た。

［比較例１−１Ｂ］
ＴＥＭＰＯのかわりに、これと同様に汎用される有機酸化剤である２−アザアダマンタン−Ｎ−オキシル（以下、ＡＺＡＤＯという。）０.０２４５ｇを用いた以外は、実施例１と同様の方法でワニスを得た。なお、ＡＺＡＤＯは、国際公開第２０１０／１２３１１５号及び国際公開第２００６／００１３８７号、並びにJ. Am. Chem. Soc., 2006, 128 (26), pp. 8412-8413及びそのサポーティングインフォメーションを参考に合成した。

［実施例２−１］
式（Ｊ１１−７９）で表されるアリールアミン誘導体０.１４７ｇと、式（ｂ−１）で表されるアリールスルホン酸０.１６２ｇと、ＴＥＭＰＯ（東京化成工業(株)製）０.０１８６ｇとを、ＤＭＩ３.３ｇに溶解させた。そこへ２,３−ブタンジオール（２,３−ＢＤ）４ｇとジプロピレングリコールモノメチルエーテル（ＤＰＭ）２.７ｇとを加えて攪拌し、得られた溶液を孔径０.２μｍのＰＴＦＥ製フィルターを用いて濾過し、ワニスを得た。なお、前記アリールアミン誘導体は、国際公開第２０１５／０５０２５３号記載の方法に従って合成した。

［比較例２−１］
式（Ｊ１１−７９）で表されるアリールアミン誘導体０.１４７ｇと、式（ｂ−１）で表されるアリールスルホン酸０.１６２ｇとを、ＤＭＩ３.３ｇに溶解させた。そこへ２,３−ＢＤ４ｇと、ＤＰＭ２.７ｇとを加えて攪拌し、得られた溶液を孔径０.２μｍのＰＴＦＥ製フィルターを用いて濾過し、ワニスを得た。

［実施例３−１］
式（ｆ）で表されるアリールアミン誘導体０.０８４ｇと、式（Ｅ−１３８）で表されるフッ素原子含有オリゴアニリン誘導体０.０１３ｇと、式（ｂ−１）で表されるアリールスルホン酸０.２０８ｇと、ＴＥＭＰＯ（東京化成工業(株)製）０.０２１６ｇとを、ＤＭＩ３.３ｇに溶解させた。そこへ２,３−ＢＤ４ｇとＤＰＭ２.７ｇとを加えて攪拌し、得られた溶液を孔径０.２μｍのＰＴＦＥ製フィルターを用いて濾過し、ワニスを得た。

［比較例３−１］
式（ｆ）で表されるアリールアミン誘導体０.０８４ｇと、式（Ｅ−１３８）で表されるフッ素原子含有オリゴアニリン誘導体０.０１３ｇと、式（ｂ−１）で表されるアリールスルホン酸０.２０８ｇとを、ＤＭＩ３.３ｇに溶解させた。そこへ２,３−ＢＤ４ｇとＤＰＭ２.７ｇとを加えて攪拌し、得られた溶液を孔径０.２μｍのＰＴＦＥ製フィルターを用いて濾過し、ワニスを得た。

なお、式（Ｅ−１３８）で表されるフッ素原子含有オリゴアニリン誘導体は、以下の方法によって合成した。

フラスコ内に、テトラアニリン３.０ｇ、２,３,４,５−テトラフルオロベンゾイルクロリド１.９１ｇ及びＮ,Ｎ−ジメチルアセトアミド６０ｇを入れた後、フラスコ内を窒素置換し、室温にて１時間攪拌した。
攪拌終了後、５ｍｏｌ／Ｌ水酸化ナトリウム水溶液を３０ｍＬ加え、更に３０分攪拌した。反応液に酢酸エチル及び飽和食塩水を混合してｐＨが７になるまで分液処理を行った（３回）。得られた有機層を硫酸ナトリウムで乾燥し、次いで、減圧濃縮をおこなった。この濃縮液に、ＴＨＦ１５ｍＬを加えた。この溶液をイソプロピルアルコール２１０ｍＬに滴下し、得られたスラリーを室温で３０分間攪拌した。
最後に、スラリー溶液をろ過し、得られたろ物を乾燥して、目的とするフッ素原子含有オリゴアニリン誘導体を得た（収量２.９４ｇ）。¹H-NMR測定の結果を以下に示す。
¹H-NMR (400MHz, DMSO-d6) δ[ppm]: 10.35(s, 1H), 7.83(s, 1H), 7.79-7.68(m, 3H), 7.49(d, J=8.0Hz, 2H), 7.15(t, J=8.0Hz, 2H), 7.01-6.90(m, 12H), 6.68(t, J=8.0Hz, 1H）

［２］有機ＥＬ素子の製造及び特性評価
［実施例１−２］
実施例１−１で得られたワニスを、スピンコーターを用いてＩＴＯ基板に塗布した後、８０℃で１分間乾燥し、更に、大気雰囲気下、１８０℃で１５分間焼成し、ＩＴＯ基板上に３０ｎｍの均一な薄膜を形成した。ＩＴＯ基板としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）が表面上に膜厚１５０ｎｍでパターニングされた２５ｍｍ×２５ｍｍ×０.７ｔのガラス基板を用い、使用前にＯ₂プラズマ洗浄装置（１５０Ｗ、３０秒間）によって表面上の不純物を除却した。
次いで、薄膜を形成したＩＴＯ基板に対し、蒸着装置（真空度１.０×１０^-5Ｐａ）を用いてα−ＮＰＤを０.２ｎｍ／秒にて３０ｎｍ成膜した。次に、ＣＢＰとIr(PPy)₃を共蒸着した。共蒸着はIr(PPy)₃の濃度が６％になるように蒸着レートをコントロールし、４０ｎｍ積層させた。次いで、ＢＡｌｑ、フッ化リチウム及びアルミニウムの薄膜を順次積層して有機ＥＬ素子を得た。この際、蒸着レートは、ＢＡｌｑ及びアルミニウムについては０.２ｎｍ／秒、フッ化リチウムについては０.０２ｎｍ／秒の条件でそれぞれ行い、膜厚は、それぞれ２０ｎｍ、０.５ｎｍ及び１００ｎｍとした。
なお、空気中の酸素、水等の影響による特性劣化を防止するため、有機ＥＬ素子は封止基板により封止した後、その特性を評価した。封止は、以下の手順で行った。酸素濃度２ｐｐｍ以下、露点−８５℃以下の窒素雰囲気中で、有機ＥＬ素子を封止基板の間に収め、封止基板を接着材（ナガセケムテックス(株)製、XNR5516Z-B1）により貼り合わせた。この際、捕水剤（ダイニック(株)製、HD-071010W-40）を有機ＥＬ素子と共に封止基板内に収めた。貼り合わせた封止基板に対し、ＵＶ光を照射（波長：３６５ｎｍ、照射量：６,０００ｍＪ／ｃｍ²）した後、８０℃で１時間、アニーリング処理して接着材を硬化させた。

［比較例１−２Ａ、１−２Ｂ］
実施例１−１で得られたワニスのかわりに、比較例１−１Ａ又は比較例１−１Ｂで得られたワニスを用いた以外は、実施例１−２と同様の方法で、有機ＥＬ素子を作製した。

作製した素子の特性を評価した。素子を２,０００ｃｄ／ｍ²で発光させた場合における駆動電圧、電流密度及び電流効率を表２２に示す。素子を９Ｖで駆動させた場合における電流密度、輝度及び電流効率を表２３に示す。素子の輝度の半減期（初期輝度５,０００ｃｄ／ｍ²）を表２４に示す。

表２２及び２３に示されるように、ＴＥＭＰＯを含まないワニスから得られる薄膜を備える素子（比較例１−２Ａ）やＡＺＡＤＯを含むワニスから得られる薄膜を備える素子（比較例１−２Ｂ）と比較して、ＴＥＭＰＯを含むワニスから得られる薄膜を備える素子は、同じ輝度で発光させた場合においては駆動電圧が低く、同じ駆動電圧で発光させた場合においては輝度が向上した。また、表２４に示されるように、ＴＥＭＰＯを含むワニスから得られる薄膜を備える素子は耐久性にも優れていた。

［実施例２−２］
実施例２−１で得られたワニスを、スピンコーターを用いてＩＴＯ基板に塗布した後、８０℃で１分間乾燥し、更に、大気雰囲気下、１８０℃で１５分間焼成し、ＩＴＯ基板上に６５ｎｍの均一な薄膜を形成した。ＩＴＯ基板としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）が表面上に膜厚１５０ｎｍでパターニングされた２５ｍｍ×２５ｍｍ×０.７ｔのガラス基板を用い、使用前にＯ₂プラズマ洗浄装置（１５０Ｗ、３０秒間）によって表面上の不純物を除却した。
次いで、薄膜を形成したＩＴＯ基板に対し、蒸着装置（真空度１.０×１０^-5Ｐａ）を用いてα−ＮＰＤを０.２ｎｍ／秒にて３０ｎｍ成膜した。次に、ＣＢＰとIr(PPy)₃を共蒸着した。共蒸着はIr(PPy)₃の濃度が６％になるように蒸着レートをコントロールし、４０ｎｍ積層させた。次いで、ＢＡｌｑ、フッ化リチウム及びアルミニウムの薄膜を順次積層して有機ＥＬ素子を得た。この際、蒸着レートは、ＢＡｌｑ及びアルミニウムについては０.２ｎｍ／秒、フッ化リチウムについては０.０２ｎｍ／秒の条件でそれぞれ行い、膜厚は、それぞれ２０ｎｍ、０.５ｎｍ及び１００ｎｍとした。
なお、空気中の酸素、水等の影響による特性劣化を防止するため、有機ＥＬ素子は封止基板により封止した後、その特性を評価した。封止は、実施例１−２と同じ手順で行った。

［比較例２−２］
実施例２−１で得られたワニスのかわりに、比較例２−１で得られたワニスを用いた以外は、実施例２−２と同様の方法で、有機ＥＬ素子を作製した。

作製した素子の特性を評価した。素子を５,０００ｃｄ／ｍ²で発光させた場合における駆動電圧、電流密度及び電流効率を表２５に示す。素子を９Ｖで駆動させた場合における電流密度、輝度及び電流効率を表２６に示す。素子の輝度の半減期（初期輝度５,０００ｃｄ／ｍ²）を表２７に示す。

表２５及び２６に示されるように、ＴＥＭＰＯを含まないワニスから得られる薄膜を備える素子と比較して、ＴＥＭＰＯを含むワニスから得られる薄膜を備える素子は、同じ輝度で発光させた場合においては駆動電圧が低く、同じ駆動電圧で発光させた場合においては輝度が向上した。また、表２７に示されるように、ＴＥＭＰＯを含むワニスから得られる薄膜を備える素子は耐久性にも優れていた。

［実施例３−２］
実施例２−１で得られたワニスのかわりに、実施例３−１で得られたワニスを用いた以外は、実施例２−２と同様の方法で、有機ＥＬ素子を作製した。

［比較例３−２］
実施例２−１で得られたワニスのかわりに、比較例３−１で得られたワニスを用いた以外は、実施例２−２と同様の方法で、有機ＥＬ素子を作製した。

作製した素子の特性を評価した。素子を５,０００ｃｄ／ｍ²で発光させた場合における駆動電圧、電流密度及び電流効率を表２８に示す。素子を９Ｖで駆動させた場合における電流密度、輝度及び電流効率を表２９に示す。素子の輝度の半減期（初期輝度５,０００ｃｄ／ｍ²）を表３０に示す。

表２８〜３０に示されるように、フッ素原子含有オリゴアニリン誘導体が含まれる場合であっても、本発明のワニスから得られる薄膜を備える素子は、良好なＥＬ特性を示し、耐久性にも優れていた。

Claims (19)

1. 式（Ｔ１）で表される２,２,６,６−テトラアルキルピペリジン−Ｎ−オキシル誘導体と、電荷輸送性物質と、ドーパントと、有機溶媒とを含むことを特徴する電荷輸送性薄膜形成用ワニス。
   

   

   （式中、Ｒ^Aは、互いに独立して、炭素数１〜２０のアルキル基を表し、Ｒ^Bは、水素原子を表す。）
2. 前記電荷輸送物質が、ポリフルオレン誘導体を含まない、請求項１記載の電荷輸送性薄膜形成用ワニス。
3. 前記電荷輸送物質が、連鎖重合性官能基を持つ電荷輸送性材料を含まない、請求項１又は２記載の電荷輸送性薄膜形成用ワニス。
4. 前記式（Ｔ１）で表される２,２,６,６−テトラアルキルピペリジン−Ｎ−オキシル誘導体が、中心金属がＩｒ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｒｈ又はＰｔであり、かつ、ニトロキシルラジカルを分子内に有する有機ラジカル金属錯体を含まない、請求項１〜３のいずれか１項記載の電荷輸送性薄膜形成用ワニス。
5. 前記２,２,６,６−テトラアルキルピペリジン−Ｎ−オキシル誘導体が、２,２,６,６−テトラメチルピペリジン−Ｎ−オキシル又は２,２,６,６−テトラエチルピペリジン−Ｎ−オキシルである請求項１〜４のいずれか１項記載の電荷輸送性薄膜形成用ワニス。
6. 前記電荷輸送性物質が、分子量２００〜９,５００の電荷輸送性化合物を含むことを特徴する請求項１〜５のいずれか１項記載の電荷輸送性薄膜形成用ワニス。
7. 前記電荷輸送性物質が、分子量２００〜９,５００のアリールアミン誘導体及びチオフェン誘導体からなる群から選ばれる少なくとも１種を含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項記載の電荷輸送性薄膜形成用ワニス。
8. 前記電荷輸送性物質が、分子量２００〜９,５００のアリールアミン誘導体であることを特徴とする請求項７記載の電荷輸送性薄膜形成用ワニス。
9. 更に、フッ素原子含有オリゴアニリン誘導体を含むことを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項記載の電荷輸送性薄膜形成用ワニス。
10. 前記フッ素原子含有オリゴアニリン誘導体が、式（６）で表されるものであることを特徴とする請求項９記載の電荷輸送性薄膜形成用ワニス。
    

    

    （式中、Ｒ³⁰¹は、水素原子、又はＺで置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基を表し、Ｚは、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、スルホン酸基、カルボキシ基、Ｚ'で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基又はＺ'で置換されていてもよい炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表し、Ｚ'は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルデヒド基、ヒドロキシ基、チオール基、スルホン酸基又はカルボキシ基を表し；
    Ｒ³⁰²〜Ｒ³¹⁰は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、又はハロゲン原子で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、炭素数２〜２０のアルキニル基、炭素数６〜２０のアリール基若しくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表し；
    Ａは、
    シアノ基、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、ニトロ基若しくは炭素数１〜２０のフルオロアルコキシ基で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のフルオロアルキル基、炭素数３〜２０のフルオロシクロアルキル基、炭素数４〜２０のフルオロビシクロアルキル基、炭素数２〜２０のフルオロアルケニル基若しくは炭素数２〜２０のフルオロアルキニル基、
    シアノ基、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、ニトロ基、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のフルオロアルキル基若しくは炭素数１〜２０のフルオロアルコキシ基で置換されていてもよい炭素数６〜２０のフルオロアリール基、
    炭素数１〜２０のフルオロアルキル基、炭素数３〜２０のフルオロシクロアルキル基、炭素数４〜２０のフルオロビシクロアルキル基、炭素数２〜２０のフルオロアルケニル基若しくは炭素数２〜２０のフルオロアルキニル基で置換されるとともに、シアノ基、ハロゲン原子若しくは炭素数１〜２０のフルオロアルコキシ基で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基、
    シアノ基、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、ニトロ基、炭素数１〜２０のフルオロアルコキシ基、炭素数１〜２０のフルオロアルキル基、炭素数３〜２０のフルオロシクロアルキル基、炭素数４〜２０のフルオロビシクロアルキル基、炭素数２〜２０のフルオロアルケニル基若しくは炭素数２〜２０のフルオロアルキニル基で置換されていてもよい炭素数７〜２０のフルオロアラルキル基、又は
    炭素数１〜２０のフルオロアルキル基、炭素数３〜２０のフルオロシクロアルキル基、炭素数４〜２０のフルオロビシクロアルキル基、炭素数２〜２０のフルオロアルケニル基若しくは炭素数２〜２０のフルオロアルキニル基で置換されるとともに、シアノ基、ハロゲン原子若しくは炭素数１〜２０のフルオロアルコキシ基で置換されていてもよい炭素数７〜２０のアラルキル基
    を表し；
    ｎ¹は、１〜２０の整数を表す。）
11. 前記ドーパントが、アリールスルホン酸を含むことを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項記載の電荷輸送性薄膜形成用ワニス。
12. 有機エレクトロルミネッセンス素子の正孔注入層又は正孔注入輸送層形成用である請求項１〜１１のいずれか１項記載の電荷輸送性薄膜形成用ワニス。
13. 請求項１〜１２のいずれか１項記載の電荷輸送性薄膜形成用ワニスを用いて製造される電荷輸送性薄膜。
14. 請求項１３記載の電荷輸送性薄膜を有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
15. 請求項１〜１２のいずれか１項記載の電荷輸送性薄膜形成用ワニスを用いることを特徴とする、電荷輸送性薄膜の製造方法。
16. 請求項１〜１２のいずれか１項記載の電荷輸送性薄膜形成用ワニスを用いることを特徴とする、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
17. 電荷輸送性薄膜形成用ワニスを用いて製造される電荷輸送性薄膜を有する有機エレクトロルミネッセンス素子の駆動電圧を低減する方法であって、
    前記電荷輸送性薄膜形成用ワニスとして、請求項１〜１２のいずれか１項記載の電荷輸送性薄膜形成用ワニスを用いることを特徴とする方法。
18. 電荷輸送性薄膜形成用ワニスを用いて製造される電荷輸送性薄膜を有する有機エレクトロルミネッセンス素子の輝度を向上する方法であって、
    前記電荷輸送性薄膜形成用ワニスとして、請求項１〜１２のいずれか１項記載の電荷輸送性薄膜形成用ワニスを用いることを特徴とする方法。
19. 電荷輸送性薄膜形成用ワニスを用いて製造される電荷輸送性薄膜を有する有機エレクトロルミネッセンス素子の輝度寿命を向上する方法であって、
    前記電荷輸送性薄膜形成用ワニスとして、請求項１〜１２のいずれか１項記載の電荷輸送性薄膜形成用ワニスを用いることを特徴とする方法。